TWI359951B - - Google Patents
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
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Description
1359951 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種偵測裝置,特別是關於一種過電流偵測裝置。 【先前技術】 近年來_電路技術盛行,鄉互補式金氧半電晶體賴用普遍使用 在各種電子元件上,比如一種音頻訊號的D類放大器,該放大器為一種古 效率的放大器,輸出只有兩種狀態(1或0),常用來驅動高負載的揚聲器。 φ 喊這大闕神賴賴躺’因此料來叙祕賴式的電子 產品上’這樣-來,可放大器的省電性質’使電子產品使料間延長, 並減少大電量電池的使用機會,讓電子產品在攜帶上更為便利。 請參閱第1圖之先前技術’-般D類放大器主要是利用一電流偵測器 去谓測負載上的電流,當此電流值超過某-設定值,就會啟動__保護電路。 這樣的架構通常需要一個運算放大器1〇與一個偵測電阻12,此運算放大器 10會將該偵測電阻12的兩端電祕為輸人,以輸出另—電壓訊號啟動保護 • 冑路’而且此種類比式電路通常還會用到雙載子接面電晶體,效率較差。 因此,本發明係在針對上述之困擾,提出一種過電流偵測裝置,不僅 在數位信號的提供下侧變得較有效率,而且在電路愈做愈小的趨勢下, 也不會出現製作上的障礙。 【發明内容】 本個之主要目的’在於提供-種過電賴繼置,其係細數位電 路的特性和數位信號的輸入,來隨時有效並準箱偵測負載上的過電流。 本發明之另-目的,在於提供—種過電流侧裝置,其係可以跟互補 1359951 式金氧半電晶||整合在_起,符合現今電路省電且愈做愈小的趨勢。 為達上述目的本發明係提供一種過電流偵測裝置,包含一第一反閘與 第一反閘,其輸入端分別接收一第一數位信號與一第二數位信號,並將 該第-數位信號與第二數位信號反向,而該第一反閉與一第二反閉之輸出 端係刀別連接一互補式金氧半電晶體,用來接收反向後的第一數位信號與 帛二數位信號’以驅動負載。另外互補式金氧半電晶體與反閘單元的輪出 端皆連接到-比較電路,該比較電路藉由二端分別接收反向後的第一數位 • 信號與第二數位信號並偵測負載上的電流,再來將該負載上的偵測結果分 別與二端的第-數健號與第二數位信航較之後,以選擇性輸出一第一 電心號與-第二電信號’最後侧連接該比較電路的第—邏輯間與第二邏 輯閘,使其在分别接收第一電信號與第二電信號並與數位信號作用之後, 輸出第一訊號與第二訊號給一保護電路。 兹為使貴審查委員對本發明之結構特徵及所達成之功效更有進一步 之瞭解與認識,謹佐以較佳之實施例圖及配合詳細之說明,說明如後· _ 【實施方式】 第2圖係為本發明之裝置電路示意圖,本發明之裝置電路包含第一反 W 14與第二反閘16’並分別在其輸入端接收一第一數位信號與一第二數位 信號,並將兩者反向,其中該第-數位信號與該第二數位信號可為同一數 位信號或不同數位信號。 帛-反閘14與第二反閘16之輸出端連接—互補式金氧半電晶體5〇, 用來接收反向後的第一數位k號與第二數位信號,以驅動負載22,此互補 式金氧半電晶體5D包含-P型金氧半場效電晶體18與_ N型金氧半場效 6
Claims (1)
- b〇〇年8月19曰修正替換頁 十、申請專利範園·· 1. 一種過電流_裝置,其係連接—負載,過電流_裝置包含: -第-反閘’其輪入端接收一第一數位信號,並將該第—數位信號反向; -第二反閘,其輪入端接收一第二數位信號,並將該第二數位信號反向丨 一互補式金氧半電晶體,其係由兩端分別連接該第__反閘與該第二反間 之輸出k ’用來接收反向後的該第—數位信號與該第二數位信號以驅動 該負載; —比較電路’其一端連接該互補式金氧半電晶體,而另外兩端分別連接 以第反閘.、第一反閘的輸出端’該比較電路藉由二端分別接收反向後的 該第-數位信號與該第二數位信號並偵測該負載上的電流,再來將該負載 上的娜舍果分職二端的該反向_該第一細m與該第二數位信號 比較之後,以選擇性輸出—第__電信號與—第二電信號丨 。-第-邏輯閘’其係在其輸入端連接該比較電路,且接收該第一數位信 號以及該第一電信號,以在其輸出端輸出第-訊號;以及 U第-邏輯開,其係在其輸入端連接該比較電路,且接收該第二數位信 號以及該第二電紐,以在其輸出端輸出第二訊號。 2.如申請專利i項所述之過電流偵測裝置,其中該互補式金氧半電 晶體包含: 一 P型金氧半場效電晶體,其係將其閘極連接該第一反閉的輸出端,而 其源極連接一直流電壓;以及 —N型金氧半場效電晶體,其係將其閑極連接該第二反閉的輪出端,其 、’、極連接至地’而其錄分別連接至該p型金氧半場效電晶體的及極與該 1359951負載。 3. 如申請專利範圍第1項所述之過電流_裝置,其中該比較電路包含: -第-比較電路以及-第二比較電路,分別產生該第—電信號與該:二電 信號β 4. 如申請專利範圍第3項所述之過電流_裝置,其中該第—比較電路更 包含: -Ρ型金氧半場效電晶體,其係將其閘極連接至該第—反閘的輪出端,而 其源極連接一直流電壓; -第一電阻’其—端係連麟ρ型金氧半場效電晶體的沒極; -第二電阻,其-端係連接該第—電阻㈣m端分別連接至 該第二比較電路與該負載;以及 一第-比較器’其正輸人端與負輸人端跨接在該第二電阻的二端,其中 該正輸入凝接德第-電輯第二修之間,來輸岭第1信號。 5·如申請專利範圍第3項所述之過電流_裝置,其中該第二比較電路更 包含. -第二電阻’其-端係分別連接至該第—比較電路與該負載; 一第四電阻,其一端係連接該第三電阻的另一端; -N型金氧半場效電晶體,其係將其閘極連接至該第二反閑的輸出端 其源極連接至地’而其及極連接該第四電阻的另一端; 以及 —第二比較器’其正輸人端與負輸人端跨接在該第三電阻的二端,而該 15 !359951 第二比較器的負輸入端連接在該第三電阻與第四電阻之間,並用來輪出診 第二電信號。 6.如申請專利範圍第1項所述之過電流偵測裝置,其中該第一邏輯閘為— 反或閘。 7·如申請專利範圍第1項所述之過電流偵測裝置,其中該第二邏輯閘為一 及閘。 8.如申請專利範圍第5項所述之過電流偵測裝置,其中當該第二數位信號 為低位準,又該負載上的電流過大時,該第二電信號為一高位準的數位信 號。 9·如申請專利第8項所述之過電流侧裝置’其中當該第二數位信號 由低位準升至高位準時’該第二訊號為一正脈衝訊號。 10·如申請專利範圍第4項所述之過電流備測裝置,其中當該第一數位信 號為高位準,又該負載上的電流過大時,該第一電信號為一低位準的數位 信號。 11·如申請專利範圍第1〇項所述之過電流偵測裝置,其中當該第一數位信 號由尚位準降至低位準時,該第一訊號為一正脈衝訊號。 12. 如申明專利範圍第丨項所述之過電流偵測裝置,該第_訊號可為一正 脈衝訊號或一低位準的數位訊號。 13. 如申請專利範_ 1項所述之過電流偵測裝置,該第二訊號可為-正 脈衝訊號或一低位準的數位訊號。 11如申請專利範圍第1項所述之過電流細裝置,其中該負載的同-端 16 1359951 分別連接至該互補式金氧半電晶體與該比較電路,其另一端連接一參考電 壓。 15. 如巾請專概圍第4項所述之過電流綱裝置,其中該第二電阻的跨 電壓比該第-電_跨電壓更接近該第-比較㈣臨界電壓。 16. 如專概圍第5項所述之過電流細裝置其巾該第三電阻的跨 電壓比該第四電_跨電壓更接近該第二比較H_界電壓。 1?·如申請專利範圍第1項所述之過電流躺裝置,其中該第—數位信號 • 與該第二數位信號可為同-數位信號或不同數位信號。17 1359951 - * 100年8月19日修正替換頁135-9951100年8月19日修正替換頁 Η Η 0§ 0.1 αζ 0.1 Λ Λ > Λ do &ηο 1359951 S >°ΟA/W 100年8月19日修正替換頁 寸τ—Η 5 9 〇V 5 3 I 100年8月19日修正替換頁 τ Η醒q寸濉 Η CCNI uo Λ —0』
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