TWI352832B - - Google Patents

Description

1^52832 九、發明說明： [發明所屬之技術領域】 本發明，係關於用以製造例如半導體元 /4. I, 日日顯不 几件、或缚膜磁頭等各種元件之微影製程中所使 成像特性修正機構的曝光裝置及其曝光方法，特 7 謂的偶極照明（2極照明）等非旋轉對稱的疋 =等在半徑方向光量分佈會有大變化之照::件:小 將光罩圖案曝光至基板時適合使用者。 【先前技術】 製造半導體元件等時，為了 叶马了將“線片（作為光罩）之圖 ，、Ρ至作為基板塗有光阻之晶圓（或玻璃板等）上之各照 射區域，係使用步進5|箄之浐髟成止壯… 7運益寺之扠影曝先裝置。投影曝光裝置 ’技影光學系統之成像特性會因為曝光用光之昭射量、 周圍之氣壓變化等而逐漸變化。因此，為了將成像特性怪 維持於期望狀態，投影曝光裝置中裝備有成像特性修正機 冓”係例如藉由控制構成投影光學系統之部分光學構件 之位置’來修正該成像特性。以習知成像特性修正機構所 能修正之成像特性，係畸變及倍率等旋轉對稱之低次成 分0 相對於此，近年來的曝光裝置為提高對特定圖案之解 像度’會使用由環帶照明或4極照明(將照明光學系統光 里面上之4個區域作為2次光源的照明法)所構成、不使曝 “光L過3 *展明光學系統光瞳面上之光軸區域的照明條 件此場合，投影光學系統中光瞳面附近之光學構件，大 1352832 轉對稱，因此會多發生非旋轉對稱之像差成分。 同樣的，在標線片之圖案密度於特定區域特別低之俨 形時，由於在投影光學系統之標線片側及晶圓側之光學= 件中，曝光用光之光量分佈為更大的非旋轉對稱，因2會 多發生非旋轉對稱之像差成分。 再者，最近，亦有使用如* σ照明（在投影光學系統 之光瞳面上將光軸附近之區域作為2次光源的照明法)般： 曝光用光之光量分佈在半徑方向大變化的照明條件。 、此情形中，由於會產生例如高次球面像差變動等習知 ^像特性修正機構不易修正之成像特性的變動，因此冀望 能有某種對策來解決此問題。 、 【發明内容】 =明杨於上述情事，其目的在提供—種能將成像 特性維持於良好狀態的曝光技術。 又本發明之另一目的，係提供—種在通過光罩及投 影光學系統中之至少一 卓及杈 八 ^邛刀之先學構件之曝光用光的光量 :佈為非旋轉對稱、或在半徑方向產生大的變動等時，能 =效抑制成像特性中之非旋對稱成分或高次成分的曝光技 能抑制成像特性 各構成要素後所 之構成 > 但僅係 又，本發明之再一目的，係提供一種 之變動的曝光技術。 為解決上述課題之本發明如下。又， 附括號中之符號，雖係對應後述實施形態 該要素之例示，並無意限定各構成要素。 1352832 本發明之曝光方法，係以第1光束（IL)照明形成有轉 印用圖案之第1物體⑴）’以該第J光束透過該第！物體 及投影光學系統（⑷使帛2物體（18)曝光，其特徵在於· 對該第1物體及該投影光學系統之至少—部分（32)照射與 該第1光束不同波長帶之第2光束（LBA〜LBH)，來修正該 投影光學系統之成像特性。 根據本發明，能將投影光學系統之成像特性維持於良 好狀態。此外，在該第1光束例如係以偶極照明般之非旋 轉對％之照明條件、或例如小σ照明般在投影光學系統之 光瞳面上光量分佈於半徑方向有大變化之照明條件來照明 該第1物體，而產生非旋轉對稱之像差或旋轉對稱之高次 像差之情形時，亦能有效控制該像差。 本發明中，藉由該第i光束以非旋轉對稱之光量分佈 照明該第1物體及該投影光學系統之至少一部分時，最好 是為修正因該帛i光束之照明所產生之該投影光學系統之 非旋轉對稱的像差，而照射該第2光束。 此時’更具體而言，設該第1光束，係對該投影光學 系統之光曈面附近的既定光學構件（32)，照射在第i方向 大致對稱的2處區域（34A)時，該第2光束（LBC，LBD)，最 好是能對該光學構件照射與該第丨方向正交之第2方向大 致對稱的2處區域（63C，63D)e據此，由於該既定光學構 件係被大致旋轉對稱之光量分佈（或熱量分佈）所照明，因 此能抑制非旋轉對稱之像差。 不過，被s玄第1光束以非旋轉對稱之光量分佈照明的 1352832 光學構件，與_ 2光束照明的光學構件彼此可不同。 又，亦可藉由該第2光束之照射’將非旋轉對稱之像差轉 變為旋轉對稱之像差。此外’最好是能修正因該第2光束 之照射所產生之該投影光學系統之旋轉對稱的像差。由於 一般的旋轉對稱之像差易於修正，因此能容易的控制成像 特性之變動。 又，亦可視該第1光束之照射量來照射該第2光束。 如此’即易於控制。此外’亦可根據該第1光束之照射量 計算非旋轉對稱之像差的發生量，根據此計算結果來照射 該第2光束。X，在該第丄光束及第2光束分別為脈衝光 時了與°亥第1光束之發光時序同步照射該第2光束。 再者，亦可照射該第2光束’來抵消因該第〗光束照 射所產生之非旋轉對稱之像差之變化。 又，亦可監測因該第1光束之照明所產生之該第丨物 體及該投影光學系統之至少一部分構件之溫度變化，根據 此監測結果來照射該第2光束。據此，亦能以簡單的控制 來修正非旋轉對稱之像差。 又’亦可測量該投影光學系統之非旋轉對稱之像差， 根據此測量結果來照射該第2光束。 此外，亦可照射該第2光束，來抵消在切換該第1光 束之照明條件時所產生之非旋轉對稱之像差。 又，即使照射該第2光束，亦殘存非旋轉對稱之像差 時’最好是能配合被要求高精度曝光之方向的像差來調整 曝光條件。例如’藉由配合被要求高精度曝光之方向的圖 案來調整曝光條件，能降低殘存像差的影響。 又，最好是能在緊接著該第2光束所照射部八 監q丨丨）士 丨刀 < 刖方 d该弟2光束之光量，根據此監測結果控制 之昭it+e 光束 …、射篁。據此’能以更高的精度控制該第2 量。 70末之照射 又’本發明中，係為了抵消因該投影光學系統周圍之 軋蹙或溫度之變動所產生之非旋轉對稱的像 m ^ 句了抵消 u该杈影光學系統之調整所殘留之靜的非旋轉對稱之像 差或為了抵消因該第丨物體之圖案之密度分佈所產生之 非旋轉對稱的像差，而分別照射該第2光束。

^ ^又，在不進行該第丨光束之照明的期間，最好是停止 該第2光束之照射β T ^，本發明中’例如該第2光束係照射於既定光學構 件，藉由該光學構件來吸收9〇%以上的能量。據 效的加熱該既定之光學構件。此外，作為該第2光束，例 如可使用二氧化碳雷射光。 其:欠，本發明之元件製造方&，包含使用本發明之曝 光方法將it件圖案轉印至物體上之製程。藉由本發明之適 用，由於能以小像差高精度的轉印元件之微細圖案，因此 能以高精度製造高積體度之元件。 其次，本發明之曝光裝置，係以第j光束m)照明形 成有轉㈣圖案之帛i物體⑴），以該第i光束透過該第 1物體及投影光學系統（⑷使第2物體⑽曝光，其特徵 在於··具備照射機構⑽，其係對該第"勿體及該投影光 1352832 光束不同波長帶之 學系統之至少一部分（32)照射與該第 第2光束（LBA〜LBH)。 根據本發明，能將投影光學系統之成像特性維持

好狀態。此外’由於該帛！光束之照射，而產生非旋轉J 稱之像差或旋轉對稱之高次像差之情形時，亦能有效控制 該像差。 又，本發明t，在藉由該第i光束以非旋轉 量分伟照明該第丨物體及該投影光學系統之至少—部分 時’最好是進-步具備控制裝置，其係為了修正因該^刀！參 光束之照明所產生之該投影光學系統之非旋轉對稱的像 差，而透過該照射機構照射該第2光束。 又，該第1光束，係對該投影光學系統之光瞳面附近 的既定光學構件⑽’照射在第！方向大致對稱的2處區 域（34A)時，該照射機構，最好是對該光學構件之與該第1 方向正交之第2方向大致對稱的2處區域（63c，63]))，照 射該第2光束（LBC, LBD)。 又，最好是進-步具備用以修正該投影光學系統之旋鲁 轉對稱像差的像差修正機構（16);該控制裝置，最好是能 控制該照射機構及像差修正機構之動作，以修正該投影光 學系統之像差。據此，能修正非旋轉對稱之像差及旋轉對 稱之像差的雙方。 又，最好是進一步具備監測該第丨光束之照射量的第 1光電感測器（6，7)，該控制裝置根據該第丨光電感測器 之檢測結果，透過該照射機構控制該第2光束之照射量。 12 1352832 又最好疋進一步具備測量該第1物體及該投影光學 系統之至少一部分構件之溫度的溫度感冑胃，該控制裝置 根據該溫度感測器之檢測結果’透過該照射機構控制照射 該第2光束。 又，最好是能進一步具備在靠著該第2光束所照射之 部分刖方監測該該第2光束之光量的第2光電感測器（ΜΑ 〜52Η)，該控制裝置根據該第2光電感測器之檢測結杲， 控制該第2光束之照射量。 又’亦可進一步具備測量含該投影光學系統周圍之氣鲁 壓及溫度等環境條件的環境感測器（23)，根據該環境感測 器之檢測結果，照射該第2光束。 又’最好是能具備在不進行該第1光束之照明期間， 停止該第2光束之照射的判定裝置。 又’保持該投影光學系統之鏡筒，最好是具備用來引 玄弟2光束之開口部（HFa，^Fb)。此外，該鏡筒最好是 具備用來支持該鏡筒之突緣部（14F)，該開口部係設於該開 口部或其附近。再者，作為該第2 %束，例如係使用二氧 φ 化仅雷射光。 根據本發明’能將成像特性維持於良好狀態。此外， 在通過第1物體（光罩）及投影光學系統中之至少一部分之 光干構件的第1光束（曝光用光）之光量分佈為非旋轉對 %、或在半徑方向有大變化之情形時，能有效的抑制成像 特性中之非旋轉對稱成分或高次成分。 又’根據本發明之元件製造方法，能以高生產率製造 13

『1352832 I 咼積體度之元件。此外’由於即使例如使用偶極照明或】 (7照明等時亦能將成像特性隨時維持於良好狀態，因此， 能以高生產率製造高積體度之元件。 【實施方式】 以下’參照圖式說明本發明之一較佳實施形態例。本 例’係將本發明適用於步進及掃描（step & scan)方式所構 成之掃描曝光型投影曝光裝置者。 圖1顯示本例之投影曝光裝置之概略構成，此圖1中， 作為曝光用光源1，係使用KrF準分子雷射光源（波長 247nm)。又，亦可使用ArF準分子雷射光源（波長193nm)、 F2雷射光源（波長157mn)、Kr2雷射光源（波長Μβηιη)、Ar2 雷射光源（波長126nm)等之紫外線雷射光源、yAg雷射之高 次諧波產生光源、固體雷射（半導體雷射等）之高次諧波產 生裝置、或水銀鐙（i線等）等。 曝光時’從曝光用光源1脈衝射出之作為第1光束（曝 光光束）的曝光用光IL，經未圖示之光束光束整形系統等 將截面形狀整形為既定形狀後，射入作為光學積分器（均 器uniformizer或均質器homogenizer)之第1複眼透鏡 2 ’將照度分佈予以均勻化。之後，從第i複眼透鏡2射出 之曝光用光IL，經未圖示之中繼透鏡及振動鏡3而射入作 為光學積分器之第2複眼透鏡4，將照度分佈進一步的予 以均勻化。振動鏡3，係用來降低為雷射光之曝光用光IL 的斑點、及複眼透鏡所造成的干涉條紋。又’亦可取代複 眼透鏡2，4 ’而使用繞射光學元件（D〇E : Diffractive 1352832 特ι±中之旋轉對稱的像差成分及非旋轉對稱的像差成分 之楚動！。於主控制系、统24内亦設有成像特性控制部， 據該像差成刀變動量之算出結果，該成像特性控制部抑 制成像特性之變動量，俾隨時獲得期望之成像特性（詳情 後敎）。 本發明中’係由曝光光源卜複眼透鏡2, 4、反射鏡 3’ >9、照明系統孔徑光闌構件25、視野光闌8及聚焦透鏡 ίο等構成照明光學系統ILS。照明光學系統⑽並進一步 被作為W室之未圖示的副處理室所包覆。為維持對曝光 用光/之高透射率，對該副處理室内及投影光學系統μ ，鏡筒内’係供應高度除去雜質之乾燥空氣(曝光用光為 準分子雷射時，亦使用氮氣、氦氣等）。 又，本例之投影光學系、统14係折射系統，構成投影 “予系、.先14之複數個光學構件，包含由以光軸為中心 旋轉對稱之石英（曝光用光為ArF準分子雷射時，亦使用營 =)所構叙複數片透鏡、以及由石英構成之平板狀的 :板等又，於投景> 光學系統14之光瞳面pp(與照 明光學系，统ILS之光瞳面共輛的面）配置有孔徑光閣15， 該光瞳面PP附近配置有作為既定光學構件之透鏡32。於 透鏡32,係照射與曝光用光IL不同波長帶之非旋轉對稱 之像差修JL用的照明光（第2光束），其詳情留待後敛。又， 於投影光學系、统14中’組裝有用以修正非旋轉對稱之像 差的成像特性修正機構16，主控制機構24内之成像特性 二1卩透過控制部17來控制成像特性修正機構16的動 1352832 :專利特開平4一 134813號公報中亦有揭示。再。 取代投影光學系統14内光 ，亦可 起，控制圖二二或與該光學構件- 旋轉對稱m 轴方向位置，來修正既定之 16 ^ 步#，作|目1之成像特性修正機構 =可使用例如特開…78454號公報所揭示之機： 來控制投影光學系統14内既定2個透 氣體壓力的機構。 在閉工間内之 —回到圖卜以下，設與投影光學系統14之光軸料 線片：向為z #、在垂直於z軸之平面内設掃描曝光時標 ^ 11及晶圓18之掃描方向為，與掃描方向正交之 非掃描方向為X軸來進行說明。 首先，標線片11被吸附保持在標線片載台12上，標 線片載台12係在未圖示之標線片基座上往γ方向以一定速 度移動’且在X方向、γ方向、旋轉方向進行微動以修正 同步誤差，進行標線片i J之掃描。標線片載台12之X方 向、γ方向位置及旋轉角，係以設在其上之移動鏡（未圖示） 及田射干涉儀（未圓示）加以測量，此測量值則係供應至主 控制系統24内之載台控制部。載台控制部，根據該測量 值及各種控制資訊來控制標線片載台12之位置及速度。 在投影光學系統14之上部側面設有斜射入方式之自動聚 焦感測器（以下’稱“標線片側AF感測器，，）丨3，其係斜向 將狹縫像投影至標線片11之圖案面（標線片面），接受來自 該標線片面之反射光並使該狹縫像再成像，從該狹縫像之 橫偏移量來檢測標線片面於Z方向之位移。標線片側AF感 20 1352832 之Z傾斜 配置有標 測器13之檢測資訊’係供應至主控制系統24内 載台控制部。又’在標線片11之周邊部上方， 線片對準用之標線片對準顯微鏡（未圓示）。

方面B曰圓18，係透過晶圓保持具（未圖示）被吸 附保持在z傾斜載台19上，z傾斜載台19係固定在晶圓 載台20上’晶圓載台20係在晶圓基座上往Y方向以一定 速度移動’且往x方向、Y方向步進移動。又，z傾斜載台 19控制晶圓18之2方向位置，及繞X軸、Y軸之傾斜角。 晶圓載台2G之x方向、Y方向位置及旋轉角，係以雷射干 涉儀(未圖示)加以測量，此測量值則係供應至主控制系統 μ β n α &制部。該載台控制部’根據該測量值及各種 控制資訊來控制晶圓載自20之位置及速度。在投影光學 系’洗14之下部側面設有斜射人方式之自動聚焦感測器（以 下稱B曰圓側AF感測器，’）22，其係斜向將複數個狹縫 像技〜至a曰圓18表面（晶圓面），接受來自該晶圓面之反射 光並使該等狹縫像再成像，從該等狹縫像之橫偏移量來檢

測曰曰圓面於z方向之位移（散焦量）及傾斜角。晶圓侧AF感 測益22之檢測資訊’係供應至主控制系統24内之z傾斜 載口控部。Z傾斜載台控制部，根據標線片側AF感測器13 及晶圓侧AF感測器22之檢測資訊，以自動聚焦方式驅動 Z傾斜載σ 19，以隨時將晶圓面對焦於投影光學系統14之 像面。 又在2傾斜載台19上之晶圓18附近，固定有由光 電感測器（具備覆蓋曝光用光IL之曝光區域全體的受光面） 21 1352832 構成之照射量感測器21，照射量感測器21之檢測訊號係 供應至主控制系統24内之曝光量控制部。在曝光開始前 或定期的、將照射量感測器21之受光面移動至投影光學 系統14之曝光區域的狀態下照射曝光用光il，藉由將照 射量感測器21之檢測訊號以除以積分感測器6之檢測訊 號，該曝光量控制部即算出從分束器5至照射量感測器 21(晶圓18)為止之光學系統的透過率並加以儲存。 再者，於晶圓載台20之上方，配置有晶圓對準用的 離軸方式之對準感測器（未圖示），根據上述標線片對準顯 _ 微鏡及該對準感測器之檢測結果，主控制裝置24進行標 線片11之對準及晶圓18之對準。在曝光時，係在對標線 片11上之照明區域照射曝光用光IL的狀態下，重複進行 驅動標線片載台12及晶圓載台20’以在γ方向同步掃描 標線片11與晶圓18上之丨個曝光照射區域的動作以及 驅動晶圓載台20使晶圓18在X方向、γ方向步進移動的 動作。藉由此動作’以步進掃描（step & scan)方式將標線 片11之圖案像曝光至晶圓18上之各曝光照射區域。 籲 本例中，為進行偶極照明，在圖丨之照明光學系統 之光曈面配置有孔徑光闌26A，其具有在對應X方向之方 向分離的2個開口。此場合，形成在標線片u之主要的轉 印用圖案’舉例而言’如圖3⑴中放大所示，係將以向 之細長線圖案以大致接近投影光學系統14之解像限度之 間距’排列於X方向所形成之X方向的線與空間圖案（Line &

Space pattern，以下稱“ us圖案”）33v。此時，在標線 22 1352832

L&S圖案33V之排列 向）之其他複數個L&S 片11上，一般來說，亦形成有以大於 間距’排列於X方向及γ方向（掃描方 圖案等。 如本例般使用孔徑光闌26Α^ χ方向的偶極照明若 假設沒有標線片的話，如圖3⑻所示，於投影光學系統Μ 之光瞳ΡΡ’係以曝光用光^來照明隔著光軸Αχ於χ方向 對稱的2個圓形區域34。此外，在曝光用光匕之光路中 配置有各種標線片圖案之情形時，由於一般來言兒〇次光之 光量相較於繞射光之光量相當的大，且繞射角亦小，因此籲 曝光用光IL(成像光束）的大部分會通過圓形區域34或其 附近。又，如本例般，在曝光用光ILi光路中配置圖3(a) 之心線片11時’來自L&S圖案33V(間距接近解像限度）之 土 1次繞射光，亦大致通過圓形區域34或其附近，因此能 以高解像度將該L&S圖案33V之像投影至晶圓上。 此狀態下，射入圖1中投影光學系統14之光瞳面pp 附近之透鏡32的曝光用光IL之光量分佈，亦大致成為如 圖3 (B)之光量分佈。因此，持續曝光時，該光瞳面pp附 鲁 近之透鏡32之溫度分佈，會如圖5所示，成為在X方向挾 著光轴AX的2個圓形區域34A最南、往其周邊之區域34B 逐漸降低的分佈，對應此溫度分佈透鏡32產生熱膨服（熱 變形）。此場合，於Y方向及X方向觀察透鏡32並將其變 化誇張顯示之側視圖，分別如圖7及圖8。圖7及圖8中， 若設曝光用光吸收前之透鏡32之面形狀為面A的話，曝光 用光吸收後熱膨脹之面B，在沿X軸之方向（圖7)，會在一 23 1352832 大範圍形成隔著光軸ΑΧ的2個凸部因此折射力降低在沿 Υ軸之方向（圖8)則會局部的在中央形成凸部故折射力 增加。因此，如圖9所示，投影光學系統14之像面，對展 開於X方向之光束折射力降低而成為下方的像面36v，對 展開於γ方向之光束折射力增加而成為上方的像面36h。 因此，會產生在光軸上之像散的中央像散Λζ。 此狀態下，如圖10所示，假設標線片u上除X方向 之L&S圖案33V之外，亦形成有以既定間距（一般來說此 間距大於L&S圖案33V之間距）排列於γ方向之us圖案 # 33HA的話，通過X方向L&s圖案33V之曝光用光會往χ方 向擴散，而通過Υ方向L&S圖案33ΗΑ之曝光用光會往γ方 向擴散。承上所述，由於χ方向L&s圖案33V之像會形成 在圖9下方之像面36V、Y方向US圖案33HA之像會形成 在圖9上方之像面36H，因此，假設將晶圓面對齊於像面36V 時，X方向之L&S圖案33V之像雖會以高解像度轉印，但γ 方向之L&S圖案33V之像則會因散焦而發生模糊的情形。 圖13，係顯示圖3(B)之X方向偶極照明而與時間同時籲 變化之投影光學系統14之光軸上像面位置（聚焦位置）F， 此圖13中’橫軸係代表曝光用光il之照射時間t、縱軸 代表以照射時間t為〇時之聚焦位置（最佳聚焦位置）為基 準的Z方向聚焦位置F。圖13中，逐漸降低之曲線61V， 係顯示投影圖1 〇之χ方向L&s圖案33V時之聚焦位置F的 變化’而逐漸增加之曲線61JJ，係顯示投影圖1 〇之γ方向 US圖案33ΗΑ時之聚焦位置F的變化，中間的曲線62則 24 1352832 係顯示將2個曲線61V及61H加以平均時聚焦位置F的變 化。由圖13可知’聚焦位置F之變化係與照射時間t 一起， 逐漸飽和。此係由於透鏡32之溫度飽和之故。 另一方面，如圖4(A)之放大顯示，假設標線片丨丨上， 主要形成有將X方向細長之線圖案以大致接近投影光學系 統14之解像限度的間距排列於y方向（掃描方向）所構成的 γ方向之L&S圖案33H。此場合，於圖1之照明光學系統ILS 之光瞳面，係設定將孔徑光闌26A旋轉90。形狀之孔徑光 闌26B。使用此孔徑光闌26B之Y方向偶極照明中，假設 沒有標線片的話’如圖4(B)所示，於投影光學系統μ之 光瞳面PP ’係以曝光用光IL來照明隔著光軸Αχ於γ方向 對稱的2個圓形區域35。此時，即使在曝光用光之光 路中配置有各種標線片圖案，一般來說大部分的曝光用光 IL(成像光束）會通過圓形區域35及其附近。又，在曝光用 光IL之光路中配置圖4(。之標線片n時，來自us圓案 33H(間距接近解像限度）之土1次繞射光，亦大致通過圓形 區域35或其附近，因此能以高解像度將該L&s圖案33h之 像投影至晶圓上。 此場合，射入圖1中投影光學系統14之光瞳面pp附 近之透鏡32的曝光用光IL之光量分佈，亦大致成為如圖 4(B)之光量分佈。因此，會如圖6所示，成為在γ方向挾 著光轴AX的2個圓形區域35A最高、往其周邊之區域· 逐漸降低的分佈，對應此溫度分佈透鏡32產生熱膨脹。 因此，投影光學系統14之像面’會與圖9之情形大致相反 25 1352832 的’對展開於χ方向之光束因折射力增加而在上方的像面 36H附近’對展開於γ方向之光束因折射力降低而在下方 的像面36V附近，以和圖9之情形相反的符號產生大致相 同大小的中央像散。又，本例中，由於標線片j j係在以χ 方向（非掃描方向）為長邊方向之長方形照明區域被照明， 因此筆因於該照明區域之中央像散亦會以和圖9之中央像 散相同的符號，隨時有些微的產生。相對於此，圖4(β)之 偶極照明所產生之中央像散，其符號與肇因於該長方形照 月區域之中央像散相反，整體之中央像散稍小於使用圖3(Β) φ 之偶極照明的情形。 此等中央像散，係非旋轉對稱之像差，且亦會因偶極 照明而產生其他非旋轉對稱之像差（χ方向與γ方向之倍率 差等），但此等非旋轉對稱之像差，以圖丨之成像特性修 機構16實質上是無法修正的。此外，在使用其他非旋 ^對稱之照明條件之情形時，亦會產生非旋轉對稱之像 2再者，如進行小σ照明（將表示投影光學系統14之孔 ^數與照明光學系，统ILS之孔徑數之比率的照明口值例鲁 降低至°. 4以下者)之情形般，曝光用光IL在照明光學 半:=之光瞳面（投影光學系統14之光瞳面）的光量分佈在半 正機變化之情形時’亦有可能會發生以成像特性修 旋轉L16無法良好的完全修正之高次球面像差等的高次 像差士 。因此’本例中’為修正該非旋轉對稱之 h或高次旋轉對稱之像差、或其兩者，於圖i中，係對 /光學系統14之光瞳面pp附近之透鏡32照射與曝光用 26 1352832 光IL(第1光束）不同波長帶之像差修正用的照明光（對應 ^光束以下稱非曝光用光”）LB。以下，詳細說明用 “對透鏡32照射該非曝光用光LB之非曝光用光照射機構 4〇(照射第2光束之照射機構)之構成、及該像差之修正動 作。 [非曝光用光照射機構之說明] 本例中，作為非曝光用光LB，係使用幾乎不會使晶圓 18上所塗之光阻感光之波長帶的光。因此，作為非曝光用 光LB例如係使用從二氧化碳雷射脈衝射出之例如波長為 10. 6μπι的紅外光。又，作為二氧化碳雷射使用連續光亦可。 此波長的紅外光’由於石英之吸收性高、能被投 如光子系統14中之1片透鏡大致完全吸收（最好是9⑽以 上），a&其優點為不致於對其他透鏡造成影響而易於用 來控制像差。X ’照射於本例之透鏡32的非曝光用光U， 係被設定為以上皆被吸收，能有效率的加 期望部分。又，作為非瞧#田止T D ^ * LB ’除此以外亦可使用從 YA"射等固體雷射光射出之波“程度之近紅外線、 或半導體雷射射出誌、波長數μιη程度之紅外線I亦即產 生非曝光用光LB之光源’可視非曝光用光LB所照 子構件（透鏡等）材料等來採用最適當者。 β又，圖2等中’透鏡32雖係指繪成凸透鏡，但亦可以 疋凹透鏡。 圖1之非曝光用光照射機構中，從光源系統41射 出之非曝光用㈣，被反射鏡光學系統42分歧成複數條（本 27 1352832 例中為8條）光路及朝向光電感測器43的1條光路《對應 光電感測器43所檢測之非曝光用光LB之光量的檢測訊號， 係反饋至光源系統41。此外’該複數條光路内之2條光路 之非曝光用光LB，係透過在X方向隔著投影光學系統！ 4 配置的2個照射機構44A及44B，分別以非曝光用光LBA 及LBB照射於透鏡32。 圖11係顯示非曝光用光照射機構4〇之詳細的構成例， 此圖11中，圖1之光源系統41，係由光源41A及控制部41B 所構成。從光源41A射出之非曝光用光lb，經過作為可動 肇 反射鏡（此分別以向速將非曝光用光LB之光路切換為彎折 90。的狀態（關閉狀態）、與使非曝光用光LB直接通過的狀 態（打開狀態）之任一者）之電流鏡45G，45C，45E，45A，45H 45D，45F’ 45B而射入光電感測器43,光電感測器“之檢 測訊號被供應至控制部41B。電流鏡45A〜45H係對應圖j 之反射鏡光學系統42，控制部41B根據來自主控制系統24 之控制資訊，來控制光源41A之發光時序、輸出、及電流 鏡45A〜45H之開關。 · 又，被8個電流鏡45A〜45H依序彎折光路之非曝光用 光LB，分別透過光纖束46A〜46H(亦可使用金屬管等^被引 導至照射機構44A〜44H。8個照射機構44A〜44H為相同構 成’其中之照射機構44A及44B’具備：會聚透鏡47、具 有小的既定反射率之分束器48、由光纖束或中繼透鏡系: 等構成之光導引部49、會聚透鏡51、以及將會聚透鏡 及光導引部49固定於分束器48的保持架5〇。又， 刀~取 28 1352832 代會聚透鏡47，而使用具有發散作用之透鏡來擴大非曝光 用光LB。非曝光用光LB，係從照射機構44A及4牝分別以 非曝光用光LBA及LBB照射於投影光學系統14内之透鏡 32。此時’ 一對第丄照射機構44A及44B、與一對第2照 射機構44C及44D，係分別在X方向及γ方向隔著投影光 學系統14對向配置。又，一對第3照射機構44E及44ρι、 與一對第4照射機構44G及44H，則係配置在將照射機構44A 及44B與照射機構44C及44D以投影光學系統14之光軸Αχ 為中心分別順時鐘旋轉45。之角度處。非曝光用光LB，係鲁 從照射機構44C〜44H分別以非曝光用光LBC〜LBH照射於 投影光學系統14内之透鏡32。 此場合’一對非曝光用光LBA及LBB在透鏡32上照射 之區域’大致係圖3(B)之在X方向隔著光軸AX對稱的圓 形區域34 ’ 一對非曝光用光LBC及LBD在透鏡32上照射 之區域，大致係圖4(B)之在Y方向隔著光轴AX對稱的圓 形區域35。而非曝光用光LBE及LBF、以及非曝光用光LBG 及LGH在透鏡32上照射之區域，分別係將圖3(B)之對稱 _ 的圓形區域34、及圖4(B)之對稱的圓形區域35以光軸AX 為中心順時鐘旋轉45。之區域。又，非曝光用光LBA〜LBH 所照射之光學構件、以及非曝光用光LBA〜LBH在該光學構 件上之照射區域的形狀及尺寸’係藉由實驗及模擬來決定 以盡可能的降低非旋轉對稱之像差。此外，非曝光用光Lba 〜LBH所照射之光學構件、以及非曝光用光[BA〜LBH在該 先學構件上之照射區域的形狀及尺寸，係根據應降低之像 29 1352832 差來加以決定。例如，圖1 1中，可藉由將照射機構44A〜 44H内光學構件之位置作成可動，來改變非曝光用光lba〜 LBH之照射區域的形狀及尺寸。又，亦可藉由將照射機構44A 〜44H本身、或照射機構44A〜44H内部之光學構件作成可 動’以作成能調整非曝光用光LBA〜LBH之照射區域之位置 的構成。 再者，亦設有用來分別承接照明機構44A〜44H於各分 束器48被反射之部分非曝光用光的光電感測器52a〜 52H(第2光電感測器），8個光電感測器52A〜52H之檢測籲 訊號亦供應至控制部41B。控制部41B，根據光電感測器52A 〜52H之檢測訊號，能正確的監測從照射機構44A〜44H照 射至投影光學系統14内透鏡32前之非曝光用光LBA〜LBH 的光量，根據此監測結果，使非曝光用光LBA〜LBH各個之 照射量例如分別成為主控制系統24所指示之值。藉由在 投影光學系統之前，以光電感測器52A〜52H測量非曝光用 光LB之照射量，即使光纖束46A〜46H之長度（光路長）不 ，亦不致進一步受光學系統等之隨時間變化的影響，而 參 能正確的監測照射於透鏡32之非曝光用光LBA〜lbh的照 射量。 此外，在根據光電感測器52A〜52H之監測結果控制非 曝光用光LBA〜LBH之照射量時，各光電感測器52A〜52H 最好是已經過校正。例如，可測量將非曝光用光LBA〜LBH 照射於透鏡32時透鏡32之溫度分佈，校正各光電感測器 52A〜52H以使該溫度分佈成為期望狀態。或者，亦可測量 30 1352832 即能消除對像差的影響。又，由於<非曝光用光lb 為脈衝光，因此電流鏡45A〜45H之開關動作亦可以既定脈 衝數為單位進行。同樣的’在僅將2個γ方向之非曝光用 光LBC及LBD照射於透鏡32之情形時，只要交互的進行將

電流鏡45C關閉既定時間之動作（反射非曝光用光LB的狀 態）、與電流鏡45D關閉既定時間之動作即可。如此，藉由 電流鏡45A〜45H之使用，即能在幾乎沒有非曝光用光LB

之光量損失的狀態下，以期望之光量非常有效率的照射透 鏡32之透鏡面。

又，圖11之構成例中，係構成為能以非曝光用光BL 來照明透鏡32上的8個區域，但例如構成為僅能以非曝光 用光BL來照明透鏡32上X方向及γ方向的4個區域亦 能修正在一般使用下所產生之幾乎所有的像差。此外，亦 可構成為能以非曝光用光BL來照明8個以上之區域、例如 照：16個區域亦可。亦即’非曝光用光LB之照射區域的 數量及位置（照射機構之數量及位置），可根據曝光用光R 在投〜光學系統14内之光量分佈、以非曝光用光lb所調 整之像差種類、及該像差之容許值等來加以決定。 又，本實施形態中，亦可取代電流鏡45A〜45H之使用， 例如組合固定的反射鏡及分束器將非曝光用光LB分歧為8 個光束，使用光閘（shutter)來進行該等光束之開關。進一 y 例如使用一氧化碳雷射或半導體雷射來作為光源之 清形時，亦可僅準備透鏡32上所需之照射區域數（圖^上中 為8個）的該光源’以各該光源之。n、〇ff或使用光閘來直 33 接控制透鏡32上之照射區域。 Π轉對稱的照明條件下非曝光用光

方法二非旋轉對稱的照明條件下非曝光用二 方法’以修正偶極照明時所U 加以說明。本財，由於係進行像散的情形為例來 如圖所- 仃X方向之偶極照明，因此， 光P面ρρ π曝光用光11係照射於投影光學系統14之 34瞳面ρρ上、隔著光軸ΑΧ於X方向對稱的2個圓形區域 圖14 ’係顯示該投影朵與_ $ ^^ ㈠又吝九予糸統U之光瞳面ρρ附近之馨 透鏡32的俯視圖，此圖14中， Ύ 曝光用光IL係照射於透鏡 犯上、隔著光軸ΑΧΜ Χ方向對稱的區域m及其附近之 區域本例中’圖1之非曝光用光LBC及lbd，係分別大 致照射將該區域34A繞光軸AX旋轉9〇。《在透鏡犯上大 致隔著光軸AX於Y方向對稱的圓形區域6礼及_。又， 忒非曝光用光LBC及LBD(其他的非曝光用光亦相同）之照 射區域的形狀及尺寸，例如於圖u中，將透鏡51在照射 機構44C及44D内之位置於光軸方向作成可動，即能加以 _ 變更。又，不僅僅是非曝光用光LBC，Lbd，亦可將非曝光 用光LBE，LBG，LBH，LBF照射於透鏡32。 以非曝光用光LBC，LBD來照射將曝光用光il之照射 區域旋轉90°之區域’透鏡32之溫度分佈，即成為在區 域34A及區域63C，63D高，隨著離開該處而逐漸降低之分 佈。圖14中，若設X軸及Y軸之原點為光軸AX的話，沿 透鏡32之含光軸AX及X軸之面内之非掃描方向的截面圖、 34 丄“2832 及含光轴ΑΧ及Y轴之面内之掃描方向的截面圖，皆為圖15 中略為誇張所示之狀態。如圖15所示，透鏡32之熱膨脹 情形，在掃描方向及非掃描方向其截面形狀皆接近大致於 中央部及其左右膨脹的形狀，折射率分佈亦係在中央部及 其左右產生大於其他區域的變化。其結果，與僅照射曝光 用光IL之情形的圖7及圖8之變形相較，照射了曝光用光 IL及非曝光用光LBC，LBD之本例之透鏡32之變形狀態， 由於在掃描方向及非掃描方向為近似的狀態，因此對展開 於X方向及Υ方向之光束的焦點位置彼此大致相等，幾乎 不會產生中央像散。 鲁 又，若假設照射非曝光用光之透鏡，係如本例之透鏡 32般為與照明光學系統ILS之光瞳面共軛之投影光學系統 14光曈面附近的透鏡的話，中央像散之修正效果更大。此 時，亦可對光瞳面附近之複數個透鏡照射非曝光用光。進 步的，在照射對象之光學構件上，將曝光用光及非曝光 用光予以對齊之照射區域，越接近旋轉對稱其效果越好。 不過，對投影光學系統14中任何位置之光學構件（透鏡等） 照射非曝光用光，亦可藉由控制其照射量，而能大致期望 _ 範圍獲得中央像散之修正效果。此外’如本例般藉由與曝 光用光一起照射非曝光用光，則中央像散以外之非旋轉對 稱的像差亦會減少。 又，即使調整非曝光用光之照射位置、照射面積、照 射量及照射角度等，亦有可能無法大致完全的（大致減至 叙的誤差施圍内）減少中央像散。此時，於圖1 3中，用 35 1352832 動變得緩和（較透鏡全面之變動），於 射率之變動變得緩和。因此，高次^向之變形或折 為較低次的旋轉對稱像差(例如焦 二像差例如成 次的旋轉對稱像差減少。而新產倍率誤差)、高 差，r以固1 ^ 之低-人的旋轉對稱像 差-以圖！之成像特性修正機構16輕易的加以修正… =時’不僅是非曝光用光亂LBB，咖，lbd，亦可將非 曝光用光 LBE，LBF，LBG，LBH 照射; 高次的旋轉對稱像差。 Μ透鏡32上，以減少

[在使用非旋轉對稱之照明區域時的非曝光 射方法] … 其次，圖1中，例如在僅將標線片u之4方向端部 之圖案加以曝光時，在視野錢8本來的開口 8a内，如圖 18所示，僅有一 X方向之對應方向端部的區域66(為便於 說明，係饭设投影正立像）為曝光用光IL用的實際開口。 此狀態下’圖1中投影光學系統14接近標線片u之透鏡 及接近晶圓之透鏡，亦僅有大致—x方向之端部區域（大的 非旋轉對稱區域）被曝光用光IL照射。 圖19，係顯示此時投影光學系統丨4内接近標線片之 透鏡（假設為选視鏡L1)，此圖19中，曝光用光IL係局部 的照射大致對應視野光闌8本來之開口的區域gaR内之端 部區域66R。在此狀態下持續曝光的話，如沿圖19中X軸 之截面圖的圖20所示，透鏡L1的形狀相較於曝光前之面 E，會熱膨脹成沿X方向之非旋轉對稱面ρ。且因此膨脹而 發生非旋轉對稱之像差。為避免此情形，本例中係藉由以 37 1352832 非曝光用光來照射透鏡L1内不被曝光用光IL照射之區域， 來使對透鏡L1之照射能量接近旋轉對稱之分佈。 圖21，係顯示使用與圖U之非曝光用光照射機構4〇 相同的照射機構對透鏡L1照射非曝光用光之情形，此圖21 中，於透鏡L1之一X方向端部之區域66R係照射曝光用光 IL，與該區域66R 一起形成大致旋轉對稱之環帶狀區域的 7 個區域 67E，67G，67G，67B，67F，_，67H 麟分別照 射非曝光用光 LBE，LBC，LBG，LBB，LBF，LBD, LBH。據此，

由於透鏡LI被曝光用光il及非曝光用光LBB〜LBH以大致 旋轉對稱之光量分佈照明，因此，會因為持續曝光後之熱 膨脹，而如圖22(沿圖21之X軸（Y軸亦同）的截面圖）中變 形後之面G所示，產生大致旋轉對稱之變形。因此，在圖 2〇之狀態下產生之非旋轉對稱的像差成為旋轉對稱的像 差’該非旋轉對稱的像差減少。

〜性w优玎尤闌之非旋轉對稱的開口所造成之非孩 對稱的熱膨脹，由於係產生在投影光學系統14中接站 線片之光學構件（透鏡等）接近晶圓之光學構件，因此， 非曝光用光照射於接近標線片或晶圓之光學構件、或分 肊射於接近標線片或晶圓之光學構件，其效果是非常 的。除此之外’如本例般在視野光闌8本來之開口形狀 長方形之情形時’㈣此而產生些微之非旋轉對稱的 差”匕時’圖21中，由於曝光用純係照明透鏡以上 致長方形的區域8aR ’例如藉由對在短邊方向隔著區域^ 之2個區域67C，67D照射非曝光用光LBC，LB])，對透鏡 38 1352832 之入射能量分佈會更接近旋轉對稱，因此能降低非旋轉對 稱的像差。亦即’主控制系統24，可根據視野光闌8之設 定，將非曝光用光LM〜LBH之至少_部分照射於投影光: 系統14内最適當之光學構件（透鏡u等）。此時非曝光 :光⑽〜遍之照射區域之位置、形狀、尺寸，亦係根據 貫驗或模擬盡可能的決定成能降低非旋轉對稱的像差、或 不至於發生非旋轉對稱的像差。 在因枯線片11之圖案存在率（密度分佈）的差異， 使投影光學系、统14内之既^透鏡產生非旋轉對稱之熱膨 脹的情形時，與視野光目8之開口形狀為非旋轉對稱之情 形同樣的，亦能藉由非曝光用光之照射使入射能量之全體 接近旋轉對稱之分佈，來降低非旋轉對稱之像差。此外， 因標線片η丨圖案所形成之繞射光使既^透鏡成為非旋 轉對稱之熱分佈的情形時，亦能以同樣的方法降低非旋轉 對稱之像差。亦即，主拎在丨έ 王控制系統24，可配合圖案分佈、移 相圖案之有無及接觸窗圖案之有無等標線>1卩之圖案特 城’將非曝光用光LBA〜LBH之5 + 加\ 之至y —部分照射於投影光學 系統U内最適當之光學構件。此時，非曝光用光“A〜週 之照射區域之位置、形妝、 __ 狀尺寸’亦係根據實驗或模擬盡 =的決定成能降低非旋轉對稱的像差、或不至於發生非 方疋轉對稱的像差。 [非曝光用光之照射量控制方法〇)] _接著，參照圖23之流程圖，說明例如進行圖3⑻所 不之x方向的偶極照明時，從圖Η之非曝光用光照射機構 39 40對投影光學系統14内之透鏡32照射非曝光用光LB，以 ^正作為非旋轉對稱像差之中央像散時，非曝光用光 ^照射量控制方法的一例。首先，非曝光用光LB之照射 量可以下述方式決定。 "於圖23之步驟101中，以圖1之投影曝光裝置進行曝 光，於步驟102中，透過積分儀感測器6及反射量感測器 ^來測量從時刻（t-△〇至現在時刻之曝光用光R的照射 量pE⑴，將測量資料操取至主控制系统24内的成像特性 運算部。又，本實施形態中，在曝光用光r t偏光狀態 為可m形時，亦假設曝光用光IL對投影光學系統μ 之照射量能正確的加以測量。例如，將曝光用& il從由 隨機成分構成之非偏光光，變更為大致由s偏光成分構成 ^線偏f光時，對投影光學“ 14之照射量亦能正轉 的加以測直，並操取至主^刹备 „ 控制系統24。△ t係任意的取樣 間隔，圖23之步驟：^丨〜丨丨了 舌$ — 之動作係在每一取樣間隔△t 重複貫行。At例如係！〇〜〇 〇 ^ 1ΛΟ ^ ή .U1秒。又，為便於說明，步 驟102中照射量PE(t)係以ρ ， 性運算部，係預算求出輸人步驟此時’於該成像特 與輸入像差變動、以非==)作為輸出的模式^ 式2,以下… U之照射量作為輪出模 式2,以下述方式，根據曝光 ^ ^ ^ ^ 先IL及非曝光用光lb所 4之像差_，決定非曝光斤 係設在時刻t之因曝光用 ‘，、、射里以下， 叶瞀值A A CO m 斤造成之中央像散變動量之 汴开值為AE(t)、因非曝夹 曝先用先LB所造成之中央像散變動 40 1352832 量之計算值為Ai(t)。 首先，於步驟103 t M iw 性運算部，使用以曝光 用光之照射1 PE(t)為輸入之下式Γ 出在時刻t之因曝光用純所、=式相當於模式⑴求 算…⑴· …造成之中—之計 [式1]

Ae (t) = n=5iC ΓΕη(t' Δΐ) X exp('^} + SEN X PE(t) x (1 - exp(_|L))J . ·.(1 A) 其中，各變數所代表之意義如下。 △ •t:取樣間隔（計算間隔）[sec] AE(t广在時刻t因曝光用光造成之中央像散變動量[心 AEn(t).在時刻t因曝光用光造成之中央像散變動量[m] (n=A，B，C 成分=χ，γ，z 成分） τΕη:因曝光用光造成之中央像散變動的時間常數[sec] (n=A，B，C 成分） SEn:因曝光用光造成之中央像散變動的飽和值[m] (n= A, B，C 成分） PE(t):時刻（t - △ t)〜t之曝光用光照射量[W] 於其次之步驟104中，該成像特性運算部，使用與（1A) 式相同的模式，就曝光用光所造成之中央像散之變動值以 外的修正對象像差，例如就焦點FE(t)、倍率mE(t) '像面 彎曲、C字型畸變、慧形像差、及球面像差亦同樣的加以 叶异。於次一步驟1 〇5中’特定出全像差内、以非曝光用 41 …(2)1352832 [式3] pi (t)= αε(〇- ς - n=A,B,C .At Aln(t)xexp(-—) ► Σ - n=A,B,C SInx (l-exp(-^)) * 又，將非曝光用光LB所照射之區域（本例中為β走、、 m= Al，Α2，…表示、圖14之Υ方向的2個區域以 4, Λ M m = A1, m =A2加以表示時，在此等區域之非曝光用并 〜 < 照射量 PIol(t)(in=Al，A2)，即如下式。

PiAiCt)^ PiA2(t) = P](t)/2 …（3) 其中’式（1)〜式（3)之各變數所代表之意義如下。 △ t :取樣間隔（計算間隔）[sec] AE(t):在時刻t因曝光用光造成之中央像散變動量[m] A〆t):在時刻t因非曝光用光造成之中央像散變動量 [m]

Aln(t):在時刻t因非曝光用光造成之中央像散變動量 [m] (n= A，B，C 成分） TIn :因非曝光用光造成之中央像散變動的時間常數 [sec] (n = a，B，C 成分）

Sln:因非曝光用光造成之中央像散變動的飽和值…/則 (n=A，B，C 成分）

Pl(t):時刻t〜t+At之非曝光用光照射量[w] pIm(t).時刻t〜t+At之非曝光用光對各區域之照 43 1352832 射量[W] (m = Al, A2) 具體而言，該成像特性運算部，於步驟1〇7中從記憶 部讀出式（2)(模式2)，於步驟1〇8中從式（2)算出非曝光 用光LB之照射量⑴’從式⑶算出非曝光用光lb對各 區域之照射量Pi»(t)。計算結果在主控制系統24内從成像 特性運算部供應至成像特性控制部。 於其次之步驟109中，該成像特性運算部，透過圖u 之非曝光用光照射機構40對透鏡32之各區域以照射量 pln(t)、在取樣間隔之間照射非曝光用光lb。於次步籲 驟no中（實質上係與步驟109並行），@ u之控制部41B 透過光電感測器52A〜52H測量該間隔At之間非曝光用光 LB對各區域之實際的照射量Pir⑴，將測量結果供應至主 控制系統24内之成像特性運算部。該成像特性運算部， 根據非曝U光LB之實際的照射量&⑴使用與式⑽（模 式1)相同之模式3(步驟！⑴，計算非曝光用光LB之照射 造成之像差變動量(㈣112)。計算非曝光用光之照射造 成之像差變動所使用之照射量，可以是實際測量之照射量φ PIR(t)之間隔中的平均質 '該間隔^中之代表值、或 該照射量之控制目標值Ρι⑴之任一者。不過，在使用實 測照射量p〗R⑴時，在非曝光用光LB之目標照射量(為修 正像差所需之照射量）與實際之照射量不同之情形下，其 偏差值會反映至次一曰曰 m 目&照射篁’因此能降低照射量控制 精度對像差的影響。又，因非曝光用& LB造成之像差變 動之計算’係對以曝光用光IL所計算之像差相同之像差 44 ⑸2832 進行。亦即，步帮112巾，該成像特性運 =曝光用光LB之照射所修正之非旋轉對稱的修正;： :之變動量(此處’係中央像散、⑴)、以及因非曝光用象 之照射所產生之旋轉對稱的修正對象像差 :如係計算焦點F,⑴ '倍率Μι⑴、像面f曲、 慧形像差、及球面像差。 受 之二：二成！特性運算部，分離出以非曝光用光lb :.，、、射所修正之非旋轉對稱的修正對象像差之變動 央像散AI(t))(步驟113)，於步驟iq 使用該中央像散跡於次一步驟114=;= =部，將以步…計算之因非曝光用光lb = ^之旋轉對稱的像差變動量（焦點Mt)、倍率所 曲生等）、與以步驟104所計算之因曝光用光IL之昭 =產：之旋轉對稱的像差變動量(㈣ ME(t)、像面彎曲等）予 货丰 Μ⑴等如下式。 相加°相加後的焦點⑼、倍率 F ⑴=FE⑴+ Fi⑴ ...（4a) M(t) = ME(t) + Ml(t) …(4B) 算部於：相Π115 47 ’主控制系統324内之成像特性運 异Ρ將相加後之旋轉對稱像差 …以外修正之像差的變動量二，㈣= =…修正之像差的變動量削之3 訊供應至成像特性控制部。於次 ）之資 性^部m方法算出用以修正該像J變= 45 (m)、μ⑴等)之成像特性修正機構 本例中係算出圖2之透鏡L1〜_驅動量 訊供應至圖2之控制部17。 將該驅動置資 部17驅動透鏡L1〜•"驟U7中控制 L5,修正旋轉對稱之修正 但，此時，中央傻埤〆 對象的像差。 央像政，係以步驟1〇9之非 射來加以修正。之德 光LB之照 之後’動作回到步驟1〇1， 及像差修正動作，直到曝光結束。 反覆進仃曝光 如前所述，根據本例，係 瞧#爾冰π 係以既疋之取樣間隔根據 曝先用先IL之照射量測量值 ^ θ ^ 值术彳算非奴轉對稱之像差的 逢動置，以產生抵消其之非 F疋轉對柄之像差的方式設定非 曝光用光LB之照射量。因此，处〜 此月b谷易的且正確的計算非 曝光用光LB之照射量，其社要作收a 卉，，·。果，能將非絢爛歸於平淡對 減至極少°此外’因非曝光用光LB之照射所產 生之旋轉對稱之像差’由於已與照射曝光用光il所產生 之旋轉對稱之像差-起以成像特性修機構16加以修正， 因此像差之變動量變得極少’能值維持良好的成像特性。 又，在照射非曝光用光LB所產生之中央像散變動、 與照射曝光用A IL所產生之中央像散變動相較，時間常 數較遲之情形時，例如亦可考慮以非曝光用光照射圖14 之透鏡32上被X方向之偶極照明（曝光用光iL)m照明之 &域34A ’來修正中央像散。 [非曝光用光之照射量控制方法（2 )] 其次’參照圖25之流程圖說明圖23之非曝光用光之 照射量控制方法的變形例。本例中，雖亦使用與圖1之投 46 1352832 影曝光裝置大致相同之投影曝光裝置來進行曝光，但本例 中係於非曝光用光lb所照射之透鏡32設置溫度感測器(未 圖不）’測量透鏡32側面之例如8個位置之實際的溫度變 化。又，作為該溫度感測器，除熱敏電阻等接觸型的溫度 兀件之外，亦可使用例如藉檢測紅外線來大致以非接觸方

式直接測1圖1之非曝光用光LBA〜LBH所照射區域之溫度 的紅外線感測器（監視器）等。 脈X 此變形例中，在圖25之步驟1〇1之曝光後，與步驟ι〇2 之曝光量測量至像差變動量之計算為止的動作並 仃’於步驟119巾’實際測量圖！之投影光學系統中透 鏡32之溫度τ⑴，將測量資料供應至主控制系统μ内之 成像特性運算部。例如，在進行偶極照明時之溫度, 係圖14之透鏡32沿又軸之區域34A外側側面溫度、愈:l Y軸之區域63C，63D外側側面溫度的差。此時，事先求出 =投影光學系統14内透鏡32之溫度T(t)作為輸入 '以非 旋轉對稱之像差（此處’係中央像散）之變動量作為輸出求 出新的模式2’該成像特性運算部，在步驟119後之步驟 中使用該新的模式2求出中央像散之變動量。於次—步驟 1〇8令，該成像特性運算部從式（2)計算非曝光用光之 照射量p丨⑴。在此之後蒂步驟108〜112、及步驟⑽、以 及步驟112後之步驟114〜117之動作與圖23之例相同。 此圖25之變形例中，在步驟119所測量之透鏡犯之溫声 T⑴中’由於曝光用光^之照射所產生的影響外亦包= 非曝光用光LB之照射所產生的影響，因此如圖23之例般， 47 1352832 於步驟106中，不需要求出步驟105中所計算之因曝光用 光所造成之像差變動、與步驟113中所計算之非曝光用光 所造成之像差變動的差。是以，不需進行複雜的計算，即 能修正非旋轉對稱的像差。 [非曝光用光之照射量控制方法（3)；] 其次，參照圖26之流程圖說明圓25之非曝光用光之 照射量控制方法的變形例。本例中，雖亦使用與圖1之投 影曝光裝置大致相同之投影曝光裝置來進行曝光，但本例 中例如係在Z傾斜載台19上設有用來以影像處理方式測量 投影光學系統14之像（空間像）的空間像感測器。又，此變 形例，於圖26中，對應圖25之步驟119之動作，係以步 驟120加以置換。於此步驟12〇巾，例如使用該空間像感 測器來測量以非曝光用光LB之照射所修正之像差(此處， 為中央像散）因曝光用光IL之照射所產生的變動量AE(t)。 為此，作為一例，係預先於標、線片u上設置χ方向及γ方 向之us圖案’於步驟12"，使該等us圖案在投影光 學系統U之絲AX上移動，交互的求㈣等投影像之隹 點位置即可。又，實際上，步驟12〇之像差變動量之測量， 最好是能與步驟101之曝光同時、或在其後極短的時間(例 如1咖程度）進行測量。此外，步驟120後之步驟1〇7所 I:之模A 2 ’係以像差變動量之實測值作為輸入、以非 :、.用光之照射量作為輸出的模式，於步冑108中使用此 模式來決定非曝光用光之昭 作與圖25之例相同照射1。在此之後的像差修正動 48

1JDZ6JZ 又’上述空間像感測器， ~ 14005(對應美國專利公開 者0 例如可使用曰本專利特開2002 第2002/ 0041377號）所揭示 曰根據此變形例，由於係實際測量修正對象之像差的變 動1，因此能藉由非曝光用光之照射高精度修正該像差。 [非曝光用光之照射量控制方法（4)] 此控制方法，係於^之曝光中持續使用積分儀感測 态6及反射！感測器7來測量通過投影光學系統μ之曝光 用光11的照射量。並使用圖U之非曝光用光照射機構40, 僅…射與曝光用光IL相同照射量之非曝光用^、或照射 乘^既定比例係數所得之照射量的非曝光帛lb。此時，為 了能使所發生之非旋轉對稱的像差盡可能的小，只要能事 先就各照明條件求出圖11之8個非曝光用光LBA〜LBH之 照射罝相對曝光用光IL之照射量的比例係、數即可。又， 旋轉對稱的像差之修正方法與上述控制方法相同。此控制 方法雖無法九全修正非旋轉對稱的像差，但可降低該像 差。此外，照射量的控制方法非常簡單。 再者，上述非曝光用光照射量之控制方法（丨）〜（4)， 可配合各種像差的容許值、圖案之轉印精度等，組合使用 複數種控制方法，亦可分別選擇各控制方法。 [非曝光用光之照射時序、校準、非曝光用光之發光 停止] 非曝'光用光之照射時序，可考量以下之時序。惟，非 曝光用光之照射量係以上述控制方法來決定。 49 (】）視像差變動進行照射。 (2) 與曝光用光之照射同步照 (3) 在圖1之晶圓載 ’用光° ⑷在晶圓之更換中進行:射。進中照射非曝光用光。 (5) 在像差變動達到臨界值時進 、 實測值或計算值來與臨界值比較。…°像差變動係以 (6) 在切換照明條件時進行照射。_ (7) 隨時照射。 又，在使用非曝光用光LB之昭 ^ ^ y, …、射！與像差變動的模 式采修正像差之情形時，有 „ M n & 先纖、光學系統等之時 ’間變化而使該模式產生變化。此 氺丨 時 了藉由照射非曝光用 ^測里此時之像差變動，來求得新的模式。如此，即 忐進行該模式之校準。 又，當用來進行非曝光用光之導光的光學系統產生某 種問題’非曝光用光應照射於投影光學系统14之透鏡作 卻持續-定時間以上未照射之狀態時，圖1之主控制系統 24(判定裝置）最好是能停止光源系統41之非曝光用光的照 射。例如，主控制系統24,可在非曝光用光lba〜lbh至 透鏡32之照射中，光電感測器52A〜52H之至少一個所檢 測出之光量在既定量以下時，即判斷發生光纖束46A〜46H 之斷線或劣化之情形，而停止從光源系統41照射非曝光 用光。此時，可預先在照射機構44A〜44H之射入側設置光 閘（shutter)構件等，來遮斷非曝光用光LBA〜 LBII之光路。 [殘留非旋轉對稱之像差的情形] 50 1352832 在因非曝光用光之昭旦 „ Λ …、射里不足、或非曝光用光之取樣 間隔過長之情形等的影塑 求* ν θ而殘留非旋轉對稱之像差的情 形時，例如，可控制焦點位置等，以# & $ > # # a k ι寻以使要求咼精度曝光之 圖案像差變少。例如，尤热& a丄 灼如在殘留中央像散時，若與γ方向之 ▲圖案相較X方向之L&s圖案之像差需高精度加以修正 的話’可藉由將晶圓面之焦點位置配纟L&s圖案像之焦點 位置進行控制m方向之⑽圖案會產生散焦，但χ 方向之L&S圖案之像可在最佳焦點位置曝光。 [關於非曝光用力之照射以外所造成之非旋轉對稱的 像差等] 針對投影光學系統14周圍之氣壓變化、溫度變化、 以及投影光學系、統14之調整誤差等曝光用光之照射以外 的原因所產生之非旋轉對稱之像差，亦可根據殘留之像差 來決定非曝光用光之照射量’據以修正該像差。若係氣壓 變化或溫度變化之其他的話，可藉由預先求出該等變化與 像差變化的模式，來修正起因於該等變化之像差。若係投 影光學系統14調整後之殘留像差的話，可測量該像差， 藉由非曝光用光之常時發光以抵消該像差之方式來加以修 正。若常時發光有危險的話’可在移至曝光動作之時間點、 例如在晶圓搬送途中開始非曝光用光之照射，而僅在曝光 動作中照射非曝光用光。 此外’上述實施形態中，由於光纖束46Α〜46Η及照射 機構44Α〜44H之至少一部分係配置在投影光學系統14之 附近，因此為避免對投影光學系統14造成熱的影響，最 51 1352832 =能以隔熱材料包覆該等機構、或以調溫機構進行溫度 人上述貫施形態中，作 係就修正中央像散之情 ㈣㈡之像ϋ，主要 統14之部分光學構件⑼說明’但亦可對投影光學系 m t 非曝光用光，據以調整中少傻 之非旋轉對稱的像差’例如可調整X方…方白 -構件差i及移像等。此場合，照射非曝光…B之光 于構件，並不限於投影弁學条 π 件，而最好㈣面附近的光學構 的調整（修正）作為調整對象之非 方疋轉對稱之像差者0 又’為調I X方向與γ方向之倍率差等非旋轉對稱的 像差’亦可對標線片R照射光線’以調整標線片R之伸縮 狀態。 又，上述各實施形態中，亦可在照射機構4乜〜“Η内 配置偏光板，將照射於投影光學系統14之部分光學構件（透 鏡32)之非曝光用光LB，作成由p偏光成分或5偏光成分 所構成之直線偏光。此時，最好是能使被偏光板分離之直 線偏光的一部分射入光電感測器52A〜52H，根據其檢測結 果來控制非曝光用光（直線偏光）的照射量。如此，即使非 曝光用光LBA〜LBH之偏光狀態在光源系統41與照射機構 44A〜44H間之光纖束46A〜46H產生變化，亦能以高精度 控制非曝光用光（直線偏光）LB照射於投影光學系統14之 部分光學構件（透鏡32)的照射量。再者，使用直線偏光來 作為非曝光用光LB時，以使用由P偏光成分構成之直線偏 52 1352832 光較佳。由於由p偏光成分構成之直線偏光在入射面（透 鏡32之透鏡面）之反射少，因此能以更高的精度控制非曝 光用光LB照射於投影光學系統14之部分光學構件（透鏡32) 的照射量❶又，作為偏光板，亦可使用偏光棱鏡或偏光濾 鏡。此外，被偏光板分離之其他不使用之偏光成分之光係 排出至外部。此時，為避免被偏光板分離之其他偏光成分 之光對投影光學系統14等造成熱的不良影響，最好是能 使用鋼管等進行廢熱處理。 又，上述實施形態中，係對投影光學系統14之一部 籲 分之透鏡32照射非曝光用光LB，而作為投影光學系統14 ’ 可使用包含反射元件與折射元件之構成的折反射型投影光 學系統、或以反射元件構成的反射型投影光學系統。此時， 綴#對投影光學系統之部分反射元件之曝光用光比能射入 之區域（有效區域）内照射非曝光用光LB。 又，使用包含反射元件與折射元件之構成的折反射型 投影光學系統時’接近標線片或晶圓之透鏡，由於曝光用 光IL會通過偏向一側之區域而易於產生非旋轉對稱之像 φ 差（移像等），在此情形下’亦可藉由對投影光學系統之部 分光學構件照射非曝光用光LB ’來調整該非旋轉對稱之像 照射非曝光用光之區域，可使用光學系統來加以擴大 或縮小、或藉由變更視野光閣之開口形狀等來改變其形 狀。又，亦可將非曝光用光照射機構作為可動式。藉由上 述方式，可因應各種照明條件(曝光用光在光瞳面附近之 53 1352832 通過區域）、視野光闌之開口形狀、或標線片之圖案存在 率的差異等。 如上述般’本案實施形態之投影曝光裴置，係將由複 數個透鏡構成之照明光學系統、投影光學系統裝入曝光裝 置本體並進行光學調整後，將由多數個機械零件構成之標 線片載台及晶圓載台安裝於曝光裝置本體，連接線路與管 線’進一步進行綜合調整（電氣調整、動作確認等）來加以 製造。又’該曝光裝置之製造以在溫度及清潔度等受到管 理的無塵室中進行較佳。 籲 又’使用上述實施形態之投影曝光裝置來製造半導體 元件時，此半導體元件’係經元件之功能'性能設計步驟， 根據此步驟製作標線片的步驟，從石夕材料形成晶圓之步 驟，使用上述實施形態之投影曝光裝置進行對準並將標線 片之圖案曝光至晶圓的步驟’蝕刻等形成電路圖案之步 驟，元件組裝步驟（切割製程、結合製程、封裝製程），以 及檢查步驟206而製造。 又，本發明不僅能應用於以掃描曝光型之投影曝光裝 _ 置，亦同樣能應用於以步進器等之一次曝光型之投影曝光 裝置進行曝光之情形。此外’亦可應用於使用含反射光學 系統與折射光學系統之投影光學系統的曝光裝置，及例如 國際公開（WO)第99/ 49504號等中所揭示之浸沒型曝光裝 置般透過液體對晶圓照射曝光用光的曝光裝置。又，作為 本發明之投影曝光裝置之用途，並不限於半導體製造用之 曝光裝置’例如’亦能廣泛適用於形成為方型玻璃板之液 54 1352832 晶顯示元件’或電槳顯示器等之顯示裝置用的曝光裝置， 或用以製造攝影元件（CCD等）、微機器、薄膜磁頭及DNA 晶片等各種元件之曝光裝置。此外，本發亦能適用於使用 微影製程來製造形成有各種元件之光罩圖案的光罩（光 罩、標線片等）之曝光步驟（曝光裝置）。 此外，本發明並不限於上述之實施形態，當然可在不 脫離本發明之主旨範圍内獲得各種構成。 又’本申請案係以2003年8月28曰申請之曰本特願 2003-20921 1號主張優先權，本說明書引用該内容。 修 根據本發明之元件製造方法，例如即使使用偶極照明 或小σ照明等亦能常時將成像特性維持於良好狀態，因此 能以高生產率製造高積體度之元件。 【圖式簡單說明】 第1圖，係顯示本發明之實施形態例之投影曝光裝置 之概略構成的部分剖斷圖。 第2圖，係顯示第丨圖中之成像特性修正機構16之構 成例的部分剖斷圖。 籲 第3(A)、3(B)圖，（Α)係顯示X方向之l&s圖案的圖， (Β^係顯示X方向之偶極照明時在投影光學系統光瞳面上之 光量分佈的圖。 第4(A)、4(B)圖，（Α)係顯示Υ方向之us圖案的圖， (B)係顯示γ方向之偶極照明時在投影光學系統光瞳面上之 光量分佈的圖。 第5圖，係顯示X方向之偶極照明時透鏡之溫度分佈 55 1352832 的圖。 第6圖，係顯示γ方向之偶極照明時透鏡之溫度分佈 的圖。 第7圖’係顯示X方向之偶極照明時透鏡之形狀變化、 沿X轴的側視圖。 第8圖，係顯示X方向之偶極照明時透鏡之形狀變化、 沿Y軸的側視圖。 第9圖’係投影光學系統14之中央像散的圖。 第10圖’係顯示標線片上混合存在之X方向及γ方向 之L&S圖案例的放大俯視圖。 第11圖，係顯示第1圖中之非曝光用光照射機構4〇 之構成例的部分剖斷圖。 第12(A)、12(B)圖’（A)係顯示第11圖之非曝光用光 照射機構40之投影光學系統14内之構成的部分剖斷前視 圖，（B)係顯示（A)之變形例的圖。 第13圖，係顯示X方向之偶極照明時中央像散之時間 變化例的圖。 第14圖，係顯示本發明之實施形態中，X方向之偶極 籲 照明時對透鏡之曝光用光及非曝光用光之照射區域的俯視 圖。 第15圖’係顯示第14圖之透鏡因溫度上昇所產生之 形狀變化的截面圖。 第16圖，係顯示小σ照明時在投影光學系統光瞳面 之光量分佈例的圖。 56 1352832 第17圖’係顯示本發明之實施形態中，小σ照明時 對透鏡之曝光用光及非曝光用光之照射區域的俯視圖。 第18圖，係顯示僅使用視野光闌之開口之端部區域 時之開口的圖。 第19圖，係顯示使用第18圖之開口進行照明時，投 影光學系、统内接近標線片t透鏡之曝光用$之照明區域的 俯視圖。 第20圖，係顯示第19圖之透鏡因溫度上昇所產生之 形狀變化的截面圖。 第21圖，係顯示本發明之一實施形態例中，使用第 圖之開口進行照明時透鏡上之非曝光用光之照射區域的俯 視圖。 第22圖，係顯示第21圖之透鏡因溫度上昇所產生之 形狀變化的截面圖。 第23圖，係顯示本發明之一實施形態例中，非曝光 用光之照射動作例的流程圖。 第24圖，係顯示中央像散及非曝光用光之照射量變 化例的圖。 第25圖，係顯示本發明之一實施形態例中，非曝光 用光之另一照射動作例的流程圖。 第26圖’係顯示本發明之一實施形態例中，非曝光 用光之再一照射動作例的流程圖。 【主要元件符號說明】 1 曝光光源 57 1352832 2 第1複眼透鏡 3 振動鏡 4 第2複眼透鏡 5 分束器 6 積分儀感測器 7 反射量感測器 8 視野光闌 8a 視野光闌之開口 9 反射鏡

10 聚焦透鏡 11 標線片 12 標線片載台 13 標線片側AF感測器 14 投影光學系統 14F 突緣部 14Fc, 14Fd 開口

15 孔徑光闌 16 成像特性修正機構 17 控制部 18 晶圓 19 Z傾斜載台 20 晶圓載台 21 照射量感測器 22 晶圓側AF感測器 58 1352832 23 環境感測器 24 主控制糸統 25 照明系統孔徑光闌 25a 驅動馬達 26A 第1偶極照明用孔徑光闌 26B 第2偶極照明用孔徑光闌 32 透鏡 40 非曝光用光照射機構 41 光源系統 42 反射鏡光學系統 43 光電感測器 44A产 -44H 照射機構 45A ^ -45H 電流鏡 47, 51會聚透鏡 48 分束器 49 光導引部 50 保持架 61V, 61H 曲線 62, 63C, 63D 圓形區域 ΑΧ 光軸 IL 曝光用光 ILS 照明光學系統 LB, LBA〜LBH 非曝光用光 PP 光瞳面

Claims (1)

1352832 1352832

十、申請專利範圍： 1種曝光方法，係包含：對形成有轉印用圖案之第 1物體透過切換該第1物體之照明條件之照明光學系統以第 1光束”以該第1光束透過該第i物體及投影光學系咣 使第2物體曝光；該投影光學系統具有第i部分㈣第、 光束照射且對應於該照明條件之切換而變化之第i 件、及複數個第2光學構件； 對該投影光學系統之該第1光學構件之第2部分，以 不透過該投影光學系統之該複數個第2 射與該第1光束不同波長帶之第2光束，來修正該投影光 學系統之光學特性；及 元 、在該第2光束射入該第2部分之前，檢測該第2光束 以控制该第2部分上之該第2光束 學特性； Μ之照射1 ’來修正該光 根據對應於該照明光學系統所進行之照明條件之 而變化之該第1部分’來切換該第2部分之位置。 、 正因利範圍第1項之曝光方法，其中，係為修 ^亥第1先束之照明所產生之該投影光學系統之非旋轉 對稱的像差，而照射該第2光束。 3·如中請專利範圍第2項之曝光方法，其中 光學構件，係配置於該投影光學系統之光瞳面附近。- =構2請專利範圍第2項之曝光方法，其+，與該第 被先=被此不同之該複數個第2光學構件之至少一個， 第先束以非旋轉對稱之光量分佈照明。 60 1352832 月25曰修正替換頁 5·如申請專利範圍第2項之曝光方法，其中，係藉由 該第2光束之照射，將該非旋轉對稱之像差轉變為旋轉對 稱之像差。 6·如申請專利範圍第5項之曝光方法，其中，係修正 因該第2光束之照射所產生之該投影光學系統之旋轉對稱 的像差。 7.如申請專利範圍第2項之曝光方法，其中，係視該 第1光束之照射量來照射該第2光束。 8·如申請專利範圍第7項之曝光方法，其中，係根據 該第1光東之照射量計算非旋轉對稱之像差的發生量； 根據該計算結果來照射該第2光束。 • 9·如申請專利範圍第2項之曝光方法，其中，係為 ;肖因該第1光束照射所產生之非旋轉對稱之像差，而照射 該第2光束。 1〇·如中請專利範圍帛2項之曝光方法，其中，係測 ΐ a亥投影光學系統之非旋轉對稱 < 像差； 根據該測量結果來照射該第2光束。 1 1 ·如申請專利範圍帛2項之曝光方法，其中，係為 抵消在切換該照明條件時所產生之非旋轉對稱之像差，而 照射該第2光束。 12·如申請專利範圍帛2項之曝光方法，其中，在即 使照射該第2光束，亦殘存非旋轉對稱之像差時，配合被 要求更高精度曝光之方向的像差來調整曝光條件。 13·如中請專利範圍第！項之曝光方法，其中，該第丄 1352832 1〇〇年4月上5日修正替換頁 及第2光束分別為脈衝光， 照射該第2光束。 與該第1光束之發光時序同步 14 ·如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中，係臣七 測因該第1光束之照明所產生之該投影光學系統之溫度變 化； & 根據該監測結果來照射該第2光束。

15·如申請專利範圍第i項之曝光方法，其中，係為 抵消因該投影光學系統周圍之氣壓或溫度之變動所產生之 非旋轉對稱的像差’而照射該第2光束。 16 ·如中請專利範圍帛1項之曝光方法，纟中，係為 抵消因該投影光學系統之調整所殘留之靜的非旋轉對稱之 像差，而照射該第2光束。 Π·如申請專利範圍帛丨項之曝光方法，其中，係 抵消因該第"勿體之圖案之密度分佈所產生之非旋轉對 的像差’而照射該第2光束。 18 ·如申請專利範圍帛1項之曝光方法，其中，係.

不進行該第1光束之照明的期間’停止該第2光束之照射 19·如申請專利範圍第i項之曝光方法，其中，該第 係照射於該第丨光學構件，藉“光學構件來吸收 M上的能量。 20 ·如申請專利範圍第j 光束係二氧化碳雷射光。 21 ·如申請專利範圍第i 予構件係具有入射面之透鏡 項之曝光方法，其中，該第2 項之曝光方法，其中，該第1 ’該第1光束係照射於該第1 62 丨100年4月25日修正替換頁 部分，該第2光束係照射於該第— 22·如申請專利範圍第】項之曝光方法其中 】 光干構件係被作為該第2 古，6 第2先束之直線偏光照射，且檢測哕 線偏光以控制該第1光學構件之照射。 " 23·如巾請專利範圍帛1項之曝光方法，其進 含為調整該投影光學系站 步匕 尤干系統之旋轉對稱之像差，而移動咳禎 數個第2光學構件之至少一個； 動4複

該投影光學系統之非旋轉對稱之像差，係藉由該第2 光束對該第1光學構件之照射而調整。 24·如申請專利範圍第23項之曝光方法，其中 2部分，係包含盘祐兮绝；& 土 _ H、被該第1先束照射之該入射面之該第i部 分彼此不同之該第1光學構件之入射面的—部分。 25. —種元件製造方法，其特徵在於： 包含使用中請專利範圍帛1項之曝光方法，將元件圖 案轉印至物體上之製程。 26 · —種曝光裝置，其特徵在於，具備：

照明光學系統，其具有切換形成有轉印用圖案之第！ 物體之照:月條件之成形光學系統’且以第1光束照明該第i 物體’能藉由該成形光學系統變化該帛1光束在光瞳面上 之光量分佈，以切換該照明條件； 投影光學系統，具有第1部分被該第1光束照射且對 應於該照明條件之切換而變化之第】&學構件、及複數個 第2光學構件，將該被照明之圖案投影至第2物體； 照射系統，其射出部配置於該投影光學系統上且對 63 1352832 > Λ ,, 修正替換頁 該投影光學系.統之該第1光學構件之^^ 該投影光學系統之該複數個第2光 、不透過 第1光束不同波長帶之第2光束，來修：式』射與该 之光學特性，該照射系統具有在該第2 九干糸統 部分之前檢測該第2光束之檢測器；/束射入至該第2 控制系統，連接於該照射系統，控制該第2部分上之 該第2光束之照射量’以根據該檢測器之檢測結果來修正 該光學特性； 根據對應於該照明條件之切換而變化之該帛^部分，_ 來切換該第2部分之位置。 27·如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該控 制系統’係藉由該第2光束對該第！光學構 修正因該第U束之照明所產生之該投影光„統:非= 轉對稱的像差。 28 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該第 1光學構件，係配置於該投影光學系統之光瞳面附近。 29 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，進一鲁 步具備用以修正該投影光學系統之旋轉對稱像差的像差修 正系統； 該控制系統，係控制該照射系統及像差修正系統之動 作’以修正該投影光學系統之像差。 3〇 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，進一 步具備檢測該第1光束之照射量的第i光電感測器； 該控制系統，係根據該第1光電感測器之檢測結果來 64 1352832 100年4月25日修正替換頁 控制該第2光束之照射量。 31·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，進一 步具備測量該投影光學系統之溫度的溫度感測器； 該控制系統’係根據該溫度感測器之測量結果來控制 該照射系統》 32 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，進一 步具備測量含該投影光學系統周圍之氣壓及溫度等環境條 件的環境感測器； 根據該環境感測器之測量結果，來控制該照射系統。馨 33 ·如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，具備 在不進行該第1光束之照明期間，停止該第2光束之照射 • 的判定系統。 ^ 34 ·如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該投 :光學系統，具有保持該第丨光學構件及該複數個第2光 構件之鏡筒’該鏡筒具備用來引導該第2光束之開口部。 匕35.如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其中，該鏡 筒”備用來支持該鏡筒之突緣部，該開口部係設於該突緣馨 部或其附近。 ’ 36如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該第 2光束係二氧化碳雷射光。 37如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該第 I構件係具有入射面之透鏡，該第1光束係照射於該第 。刀，該第2光束係照射於該第2部分。 38 ·如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中，該第 65 100年4月25曰修正替換頁 1光學構件係被作為該第2 二峻傯氺二 — 吉始抱止 尤末之直線偏光照射，且檢測該 直線偏先以控制該第U學構件之照射。 39 ·如申請專利範圍第26項之曝光裝置，其中 步包含為調整該投影#風 進 ^ 先學系統之旋轉對稱之像差而稃動β 複數個第2光學構件 向移動泫 子傅仟之至少—個之驅動系統； 該投影光學系統之非 # ^ ^ 非紅轉對稱之像差，係藉由該第2 先束對該第1光學構件之照射而調整。 第2 40·如申請專利範圍第39項之曝光裝置 2部分，係包含與被該第 該第 八分 光束照射之該入射面之哕坌,Λ 分彼此不同之該第丨光 该第1部 冓件之入射面的一部分。 41 · 一種元件絮拌士，+ ^方法’其特徵在於： 包含使用申請專利範 轉印至物體上的製程。第26項之曝光裝置將元件圖案 十一、圖式： 如次頁

66