JP3368091B2 - 投影露光装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びデバイスの製造方法Info
- Publication number
- JP3368091B2 JP3368091B2 JP09030295A JP9030295A JP3368091B2 JP 3368091 B2 JP3368091 B2 JP 3368091B2 JP 09030295 A JP09030295 A JP 09030295A JP 9030295 A JP9030295 A JP 9030295A JP 3368091 B2 JP3368091 B2 JP 3368091B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- optical system
- projection
- shaped light
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- H10P76/00—
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
スの製造方法に関し、例えばICやLSI等の半導体デ
バイスやCCD等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示
デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造する工程のう
ちリソグラフィー工程に使用される際に好適なものであ
る。
高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う半
導体ウエハの微細加工技術の進展も著しい。この微細加
工技術としてマスク(レチクル)の回路パターン像を投
影光学系により感光基板上に形成し、感光基板をステッ
プアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置(ス
テッパー)が種々と提案されている。
回路パターンを所定の縮小倍率を持った投影光学系を介
してウエハ面上のある位置(ショット)に縮小投影して
転写を行い、1回の投影転写終了後、ウエハが載ったス
テージを所定の量移動させて別の位置に再び転写を行う
ことを繰り返して、ウエハ全面の露光を行っている。
いて微細な回路パターンの転写を行う際、該投影光学系
を構成するレンズが露光用の紫外光の一部を吸収して、
レンズが熱的に膨張して、その表面形状が変化したり、
更にはレンズの内部の温度分布が一様でなくなりレンズ
内部に不均一な屈折率分布が生じてくる場合がある。こ
の結果、該投影光学系の結像特性が変化してくるという
問題があった。
(a)については、焦点位置の変動に合わせてステージ
を光軸方向に移動させることにより、又、問題点(b)
については該投影光学系を構成する光学エレメントの一
部を移動させて結像倍率の変動を補正することによって
各々対応している。
心部に比較して周辺部の温度が低くなることを防止する
為にレンズの周辺部を加熱することによって、レンズ内
部の温度分布を一様に保って投影光学系の光学特性の変
動を最小限に抑えようとする方法を特開平5−3472
39号公報で提案している。
面積の拡大に対応して、通常のステッパーよりも露光領
域(画面サイズ)を広くとることが可能な所謂ステップ
アンドスキャン方式の投影露光装置が種々と提案されて
いる。
光装置は、スリット状の露光領域を有し、ショットの露
光は投影光学系に対してレチクルとウエハとを走査する
ことにより行っている。そして1つのショットの走査露
光が終了すると、ウエハが載ったステージを所定量移動
させてウエハ上の次のショットの走査露光を行なう。こ
れを繰り返してウエハ全体の露光を行っている。
式の投影露光装置の要部斜視図である。図中、101は
回路パターンの描かれているレチクル、102は投影レ
ンズ、103はウエハWが載せられた可動のステージで
ある。106はアパーチャーであり、スリット開口10
5を有し、レチクル101に近接配置している。104
は照明光束である。
ル101上の回路パターンを投影レンズ102を介して
ステージ103上のウエハWに転写する際、レチクル1
01の直前に設けたスリット開口105を有するアパー
チャー106により形成したスリット状の照明光束でレ
チクル101を照明している。これによりレチクル10
1のうちスリット状の照明光束の当たった部分の回路パ
ターンのみがウエハ面W上に投影転写されるようにして
いる。
を矢印107の方向に所定の速度でスキャンすると同時
に、レチクル101のスキャン速度に投影レンズ102
の結像倍率を乗じた速度でステージ103を矢印108
の方向にスキャンすることによってレチクル101上の
回路パターン全体をウエハW上に投影転写している。
109に示す通りに定めたとき、投影レンズ102の光
軸110はz軸方向、スリット開口105の長手方向は
y軸方向、レチクル101及びステージ103のスキャ
ン方向はx軸方向となる。
の回路パターン全体の転写終了後にステージ103を所
定の量だけ移動、即ちステップしてウエハW上の異なる
ショットに上記の方法で改めてレチクル101面上の回
路パターンの転写を繰り返している。
ステッパー方式(スキャンを行わない方式)に比較して
露光領域が広くとれる理由を図37を用いて説明する。
露光領域は投影レンズの収差が良好に補正された範囲と
して制限される。そこで今、投影レンズの収差が補正さ
れている範囲を図37(A)の円121(半径:r)で
表し、回路パターンが正方形の範囲に収まっているとす
る。そうすると露光領域は円121に内接する最大の正
方形、即ち図37(A)中の線分122のように一辺の
長さが
のステッパーに於ける露光領域となる。尚ここでは、座
標系123のx,y軸を図中のように正方形122の直
交する2つの辺の方向に一致するように定めている。
された円121に内接する矩形の形状を正方形から長方
形に変化させていけば、長方形124の長辺(y軸方
向)の長さは2rに近づく。このとき長方形124でx
軸方向に回路パターンをスキャンすることによりパター
ン全体を転写すれば、露光領域はスキャン可能な長さを
sとして、面積2rsで決定され、上記の面積2r2 よ
り大きく取れる。ステップアンドスキャン方式は以上の
ようにして露光領域の拡大を図っている。
うにスリット状の照明光束を用いて投影露光をしている
為、投影レンズ102内部を透過する光束も光軸110
に関して回転対称にはならない。例えば典型的な場合で
は、図38に示すようy軸方向に伸びた温度分布にな
る。図38中で、131は投影レンズ102を構成する
光学エレメントの一部をx,y面内に描いたものであ
り、斜線部132は実際に光束が透過する範囲を摸式的
に示してある。
収すると熱的変化により光学特性が変化することが問題
となる。特に図38に示すように、投影レンズの光軸に
関して回転対称でない熱吸収(温度分布)がある場合に
は、レンズの波面収差が回転非対称となり、焦点位置,
結像倍率等の光学特性が回転非対称となり、非点収差等
の回転非対称な収差が生じる。従って、投影レンズの解
像力が低下する。
一性、四重極照明等の新たな照明方法の普及等を考える
と、投影レンズの温度分布が光軸に関して回転対称にな
ることは多く、非回転対称な波面収差が発生する機会も
多い。
小さくすることができる投影露光装置及びデバイスの製
造方法を提供することにある。
光装置は第1物体をスリット状の光で照明する手段と、
前記スリット状の光で照明された前記第1物体のパター
ンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1物体
及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影光学系
に対して走査する手段と、前記スリット状の光で前記パ
ターンを投影することにより前記投影光学系に生じる前
記投影光学系の光軸方向に関する前記パターンの結像位
置の非回転対称性を、実質的に補正する補正手段とを有
していることを特徴としている。請求項2の発明の投影
露光装置は第1物体をスリット状の光で照明する手段
と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体のパ
ターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1
物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影光
学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で前
記パターンを投影することにより前記投影光学系に生じ
る前記パターンに対する結像倍率の非回転対称性を、実
質的に補正する補正手段とを有していることを特徴とし
ている。請求項3の発明の投影露光装置は第1物体をス
リット状の光で照明する手段と、前記スリット状の光で
照明された前記第1物体のパターンを第2物体上に投影
する投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を前記ス
リット状の光及び前記投影光学系に対して走査する手段
と、前記スリット状の光で前記パターンを投影すること
により前記投影光学系に生じる波面収差の非回転対称性
を、実質的に補正する補正手段とを有していることを特
徴としている。
をスリット状の光で照明する手段と、前記スリット状の
光で照明された前記第1物体のパターンを第2物体上に
投影する投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を前
記スリット状の光及び前記投影光学系に対して走査する
手段と、前記スリット状の光で前記パターンを投影する
ことにより前記投影光学系に生じる光学特性の非回転対
称性を、実質的に補正する補正手段と、を有し、 前記補
正手段は、前記露光により前記投影光学系の光学エレメ
ントに生じた前記投影光学系の光軸に関して非回転対称
な温度分布を略回転対称な温度分布に変換する温度制御
手段と、前記露光による前記光学エレメントの温度分布
の変化に関連した制御データを格納した記憶手段と、を
備え、前記温度制御手段は、露光時間と露光エネルギー
と前記制御データとを用いて前記光学エレメントの温度
分布を制御することを特徴としている。請求項5の発明
の投影露光装置は第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補
正手段とを有し、前記補正手段は、前記投影光学系の光
学エレメントを前記投影光学系の光軸に対して偏心させ
る光学エレメント駆動手段を備えることを特徴としてい
る。請求項6の発明の投影露光装置は第1物体をスリッ
ト状の光で照明する手段と、前記スリット状の光で照明
された前記第1物体のパターンを第2物体上に投影する
投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を前記スリッ
ト状の光及び前記投影光学系に対して走査する手段と、
前記スリット状の光で前記パターンを投影することによ
り前記投影光学系に生じる光学特性の非回転対称性を、
実質的に補正する補正手段と、を有し、前記補正手段
は、前記投影光学系の光学エレメントの面形状を変化さ
せる面形状変更手段を備えることを特徴としている。 請
求項7の発明の投影露光装置は第1物体をスリット状の
光で照明する手段と、前記スリット状の光で照明された
前記第1物体のパターンを第2物体上に投影する投影光
学系と、前記第1物体及び第2物体を前記スリット状の
光及び前記投影光学系に対して走査する手段と、前記ス
リット状の光で前記パターンを投影することにより前記
投影光学系に生じる光学特性の非回転対称性を、実質的
に補正する補正手段とを有し、前記補正手段は、前記投
影光学系の透明な平行平面板の前記投影光学系の光軸に
対する傾き角を変化させる傾き角変更手段を備えること
を特徴としている。請求項8の発明の投影露光装置は第
1物体をスリット状の光で照明する手段と、前記スリッ
ト状の光で照明された前記第1物体のパターンを第2物
体上に投影する投影光学系と、前記第1物体及び第2物
体を前記スリット状の光及び前記投影光学系に対して走
査する手段と、前記スリット状の光で前記パターンを投
影することにより前記投影光学系に生じる光学特性の非
回転対称性を、実質的に補正する補正手段と、前記第1
物体を光軸外に複数個の開口を備える絞りを介して照明
する手段と、を有することを特徴としている。請求項9
の発明の投影露光装置は第1物体をスリット状の光で照
明する手段と、前記スリット状の光で照明された前記第
1物体のパターンを第2物体上に投影する投影光学系
と、前記第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及
び前記投影光学系に対して走査する手段と、前記スリッ
ト状の光で前記パターンを投影することにより前記投影
光学系に生じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補
正する補正手段と、を有し、前記第1物体のパターンは
場所により密度が異なることを特徴としている。請求項
10の発明の投影露光装置は第1物体をスリット状の光
で照明する手段と、前記スリット状の光で照明された前
記第1物体のパターンを第2物体上に投影する投影光学
系と、前記第1物体及び第2物体を前記スリット状の光
及び前記投影光学系に対して走査する手段と、前記スリ
ット状の光で前記パターンを投影することにより前記投
影光学系に生じる光軸方向に関する前記パターンの結像
位置の非回転対称性を、実質的に補正する補正手段と、
前記非回転対称性が補正された前記投影光学系の結像位
置と前記第2物体の表面を合致させるフォーカシン グ手
段と、を有することを特徴としている。請求項11の発
明の投影露光装置は第1物体をスリット状の光で照明す
る手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物
体のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前
記第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記
投影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の
光で前記パターンを投影することにより前記投影光学系
に生じる前記投影光学系による前記パターンの結像倍率
の非回転対称性を、実質的に補正する補正手段と、前記
非回転対称性が補正された前記投影光学系の結像倍率を
所望の倍率に調整する倍率調整手段と、を有することを
特徴としている。請求項12の発明の投影露光装置は第
1物体をスリット状の光で照明する手段と、前記スリッ
ト状の光で照明された前記第1物体のパターンを第2物
体上に投影する投影光学系と、前記第1物体及び第2物
体を前記スリット状の光及び前記投影光学系に対して走
査する手段と、前記スリット状の光で前記パターンを投
影することにより前記投影光学系に生じる前記投影光学
系による前記パターンの結像倍率及び前記投影光学系の
光軸方向に関する前記パターンの結像位置の非回転対称
性を、実質的に補正する補正手段と、前記非回転対称性
が補正された前記投影光学系の結像位置と前記第2物体
の表面を合致させるフォーカシング手段と、前記非回転
対称性が補正された前記投影光学系の結像倍率を所望の
倍率に調整する倍率調整手段と、を有することを特徴と
している。
て前記補正手段は、更に、前記スリット状の光で前記パ
ターンを投影することにより前記投影光学系に生じる前
記投影光学系の光軸方向に関する前記パターンの結像位
置の非回転対称性を実質的に補正することを特徴として
いる。
体をスリット状の光で照明する手段と、前記スリット状
の光で照明された前記第1物体のパターンを第2物体上
に投影する投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を
前記スリット状の光及び前記投影光学系に対して走査す
る手段と、前記スリット状の光で前記パターンを投影す
ることにより前記投影光学系に生じる前記走査の方向と
該走査方向に直交する方向に関する前記投影光学系の光
軸方向に関する前記パターンの結像位置の差を実質的に
補正する補正手段とを有していることを特徴としてい
る。請求項15の発明の投影露光装置は第1物体をスリ
ット状の光で照明する手段と、前記スリット状の光で照
明された前記第1物体のパターンを第2物体上に投影す
る投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を前記スリ
ット状の光及び前記投影光学系に対して走査する手段
と、前記スリット状の光で前記パターンを投影すること
により前記投影光学系に生じる前記走査の方向と該走査
方向に直交する方向に関する前記パターンに対する結像
倍率の差を実質的に補正する補正手段とを有しているこ
とを特徴としている。請求項16の発明の投影露光装置
は第1物体をスリット状の光で照明する手段と、前記ス
リット状の光で照明された前記第1物体のパターンを第
2物体上に投影する投影光学系と、前記第1物体及び第
2物体を前記スリット状の光及び前記投影光学系に対し
て走査する手段と、前記スリット状の光で前記パターン
を投影することにより前記投影光学系に生じる前記走査
の方向と該走査方向に直交する方向に関する波面収差の
差を実質的に補正する補正手段とを有していることを特
徴としている。
体をスリット状の光で照明する手段と、前記スリット状
の光で照明された前記第1物体のパターンを第2物体上
に投影する投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を
前記スリット状の光及び前記投影光学系に対して走査す
る手段と、前記スリット状の光で前記パターンを投影す
ることにより前記投影光学系に生じる前記走査の方向と
該走査方向に直交する方向に関する光学特性の差を実質
的に補正する補正手段と、を有し、 前記補正手段は、前
記露光により前記投影光学系の光学エレメントに生じた
前記投影光学系の光軸に関して非回転対称な温度分布
を、略回転対称な温度分布に変換する温度制御手段と、
前記露光による前記光学エレメントの温度分布の変化に
関連した制御データを格納した記憶手段と、を備え、前
記温度制御手段は、露光時間と露光エネルギーと前記制
御データとを用いて前記光学エレメントの温度分布を制
御することを特徴としている。請求項18の発明の投影
露光装置は第1物体をスリット状の光で照明する手段
と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体のパ
ターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1
物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影光
学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で前
記パターンを投影することにより前記投影光学系に生じ
る前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関する
光学特性の差を実質的に補正する補正手段とを有し、前
記補正手段は、前記投影光学系の光学エレメントを前記
投影光学系の光軸に対して偏心させる光学エレメント駆
動手段を備えることを特徴としている。請求項19の発
明の投影露光装置は第1物体をスリット状の光で照明す
る手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物
体のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前
記第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記
投影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の
光で前記パターンを投影することにより前記投影光学系
に生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に
関する光学特性の差を実質的に補正する補正手段とを有
し、前記補正手段は、前記投影光学系の光学エレメント
の面形状を変化させる面形状変更手段を備えることを特
徴としている。 請求項20の発明の投影露光装置は第1
物体をスリット状の光で照明する手段と、前記スリット
状の光で照明された前記第1物体のパターンを第2物体
上に投影する投影光学系と、前記第1物体及び第2物体
を前記スリット状の光及び前記投影光学系に対して走査
する手段と、前記スリット状の光で前記パターンを投影
することにより前記投影光学系に生じる前記走査の方向
と該走査方向に直交する方向に関する光学特性の差を実
質的に補正する補正手段とを有し、前記補正手段は、前
記投影光学系の透明な平行平面板の前記投影光学系の光
軸に対する傾き角を変化させる傾き角変更手段を備える
ことを特徴としている。請求項21の発明の投影露光装
置は第1物体をスリット状の光で照明する手段と、前記
スリット状の光で照明された前記第1物体のパターンを
第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1物体及び
第2物体を前記スリット状の光及び前記投影光学系に対
して走査する手段と、前記スリット状の光で前記パター
ンを投影することにより前記投影光学系に生じる前記走
査の方向と該走査方向に直交する方向に関する光学特性
の差を実質的に補正する補正手段と、前記第1物体を光
軸外に複数個の開口を備える絞りを介して照明する手段
と、を有することを特徴としている。請求項22の発明
の投影露光装置は第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段と、を有
し、前記第1物体のパターンは場所により密度が異なる
ことを特徴としている。請求項23の発明の投影露光装
置は第1物体をスリット状の光で照明する手段と、前記
スリット状の光で照明された前記第1物体のパターンを
第2物体上に投影する投影光学系と、前記第1物体及び
第2物体を前記スリット状の光及び前記投影光学系に対
して走査する手段と、前記スリット状の光で前記パター
ンを投影することにより前記投影光学系に生じる前記走
査の方向と該走査方向に直交する方向に関する光軸方向
に関する結像位置の差を実質的に補正する補正手段と、
前 記結像位置の差が補正された前記投影光学系の結像位
置と前記第2物体の表面を合致させるフォーカシング手
段と、を有することを特徴としている。請求項24の発
明の投影露光装置は第1物体をスリット状の光で照明す
る手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物
体のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前
記第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記
投影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の
光で前記パターンを投影することにより前記投影光学系
に生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に
関する前記投影光学系による前記パターンの結像倍率の
差を実質的に補正する補正手段と、前記結像倍率の差が
補正された前記投影光学系の結像倍率を所望の倍率に調
整する倍率調整手段と、を有することを特徴としてい
る。請求項25の発明の投影露光装置は第1物体をスリ
ット状の光で照明する手段と、前記スリット状の光で照
明された前記第1物体のパターンを第2物体上に投影す
る投影光学系と、前記第1物体及び第2物体を前記スリ
ット状の光及び前記投影光学系に対して走査する手段
と、前記スリット状の光で前記パターンを投影すること
により前記投影光学系に生じる前記走査の方向と該走査
方向に直交する方向に関する前記投影光学系による前記
パターンの結像倍率及び光軸方向に関する前記パターン
の結像位置の差を実質的に補正する補正手段と、前記結
像位置の差が補正された前記投影光学系の結像位置と前
記第2物体の表面を合致させるフォーカシング手段と、
前記結像倍率の差が補正された前記投影光学系の結像倍
率を所望の倍率に調整する倍率調整手段と、を有するこ
とを特徴としている。
いて前記補正手段は、更に、前記スリット状の光で前記
パターンを投影することにより前記投影光学系に生じる
前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関する前
記投影光学系の光軸方向に関する前記パターンの結像位
置の差を実質的に補正することを特徴としている。
明において前記投影光学系の波面収差を測定する測定手
段を有することを特徴としている。請求項28の発明は
請求項5、6、18又は19の発明において前記光学エ
レメントはミラーを含むことを特徴としている。請求項
29の発明は請求項5、6、18又は19の発明におい
て前記光学エレメントはレンズを含むことを特徴として
いる。請求項30の発明は請求項6又は19の発明にお
いて前記光学エレメントは透明な平行平面板を含むこと
を特徴としている。 請求項31の発明は請求項6又は1
9の発明において前記面形状変更手段は、前記露光によ
り前記光学エレメントに生じた面形状の非回転対称性を
補正することを特徴としている。
請求項1〜31の何れか1項記載の投影露光装置を用い
てデバイスパターンを基板に露光する段階と、該ウエハ
を現像する段階とを含むことを特徴としている。
の投影露光装置に適用した際の実施例1の要部概略構成
を表している。
め座標系を1のように決めておく。即ちx,z軸は紙面
内にあり、y軸は紙面と直交する方向にある。
ン方式の投影露光装置の本体部分と、該投影露光装置の
投影光学系に発生する波面収差を計測する計測部分に大
別できる。そこでまず投影露光装置の本体部分の各要素
を説明する。2は紫外光を発する露光用の光源、3は光
源2からの光のON/OFF制御を行うシャッター、4
は入射する光束を直線偏光(例えば紙面内に偏光面を有
する)に変換する偏光板、5はハーフミラー、6は照明
レンズ、7はy方向に伸びたスリット状の開口を有する
アパーチャー、8は回路パターンの描かれているレチク
ル(第1物体)、9は縮小投影レンズ(投影光学系)、
そして10はウエハ(第2物体)Wの載置されているス
テージである。
光板4を通り、直線偏光となりハーフミラー5で反射
し、照明レンズ6で集光されて、アパーチャー7を介し
てレチクル8上の回路パターンを照明している。又、レ
チクル8とステージ10は共にxy平面に平行に置かれ
ており、レチクル8を矢印11で示す方向にスキャンす
ると同時にステージ10を矢印12で示す方向にレチク
ル8のスキャン速度に投影倍率を乗じた速度比でスキャ
ンすることにより、レチクル8上の回路パターン全体を
ステージ10に載ったウエハW上に投影転写している。
そして、該ウエハWを公知の現像処理工程を介してこれ
より半導体デバイスを製造している。
ー7をレチクル8の直前に配置しているが、レチクル8
上にy方向に長く伸びたスリット状の照明光束が当たっ
ているようにすれば良く、例えばアパーチャー7を照明
光束中でレチクル8と光学的に共役な位置に設ける構成
としても良い。
温度調整装置13,14を設けており、後述するように
制御手段15と装置13,14を用いて投影レンズ9を
構成するレンズのレンズ内部の温度分布を調整するよう
にしている。又、ステージ10にはフォーカス調整装置
16を設けており、投影レンズ9のピント位置の変化
(フォーカスエラー)に対して、制御手段15からの指
示によってウエハWの高さの調整ができるようにしてい
る。
明する。20はレーザー等の高コヒーレンスの光束を発
する光源、21はコリメーターレンズで光源20からの
光を平行光としている。22は光源20からの光のON
/OFF制御を行うシャッター、23はハーフミラー、
24は平面ミラーで参照光を得ている。25は偏光板で
入射する光束を直線偏光(紙面と垂直方向に偏光面を有
する。)としている。26は結像用レンズであり、CC
Dカメラ27に干渉縞を形成している。28は演算手段
であり、CCDカメラ27からの信号を用いて後述する
ように投影レンズ9の波面収差を求めている。
リメーターレンズ21で平行光束に変換され、シャッタ
ー22を介して矢印30で示す向きにハーフミラー23
に入射する。前記光束の略半分はハーフミラー23で反
射し、矢印31の方向に向きを変え、平面ミラー24で
矢印32の方向に反射された後、再びハーフミラー23
に入射し、このうちハーフミラー23を透過した光束は
矢印33で示すように結像レンズ26で集光され、CC
Dカメラ27に入射する。即ち、この経路を通った光束
は投影レンズ9の波面収差を干渉法によって計測する際
の参照光となる。
ーフミラー23に入射した光束の残り半分はハーフミラ
ー23を透過し、矢印34で示す向きに進行し、偏光板
25で直線偏光に変換された後、ハーフミラー5を透過
して照明レンズ6,アパーチャー7を介して投影レンズ
9へと導かれる。そして投影レンズ9を透過した光束は
ステージ10上のウエハ表面Waで反射され、再び投影
レンズ9を透過した後、矢印35で示すように元の経路
を逆にたどり、ハーフミラー23で反射されて矢印36
で示す向きに進行方向を変えて結像レンズ26で集光さ
れ、CCDカメラ27に入射する。この経路を通った光
束には投影レンズ9の波面収差の情報が含められてお
り、前記矢印33のように進行する参照光束とCCDカ
メラ27面上で干渉させ、該CCDカメラ27で干渉縞
を観測することにより投影レンズ9で発生している波面
収差の量を求めている。
ワイマングリーン型の干渉計の一部として組み込むこと
により、投影レンズ9の波面収差を計測している。前記
干渉縞はCCDカメラ27によって画像データに変換さ
れ、演算手段28によって波面収差の非対称性及び大き
さ等を算出している。そして前記算出された波面収差の
データを制御手段15に送り、制御手段15は前記波面
収差量が小さくなるように補正手段としての温度調整装
置13,14及びフォーカス調整装置16の制御を行
う。
光板25の働きについて説明する。露光用の光源2を発
した光は前述の通りレチクル8を照明し、投影レンズ9
を通してステージ10上のウエハWに達し、該ウエハ表
面Waに塗られたレジストを感光させるが、その光束の
一部はウエハ表面Waで反射された投影レンズ9を逆方
向に透過する。この光束の一部はこの後ハーフミラー5
を透過してノイズ光となり波面収差計測用のCCDカメ
ラ27にまで到達する。このときの光束は波面収差計測
時の計測精度を劣化させる原因となる。
束を、例えば図1の紙面内に偏光面を有する直線偏光に
変換すると共に、波面収差計測用のレーザー光に対して
図1の紙面と垂直方向に偏光面を有する光束のみを透過
させる偏光板25を設けている。そうすることにより、
光源2を出てウエハ表面Waで反射した光のうち波面収
差計測用のCCD27に向かう成分を偏光板25で遮蔽
している。
3,14について説明する。温度調整装置13,14は
投影レンズ9内のレンズエレメントが露光光を吸収する
ことにより温度分布が光軸に関して回転非対称になって
しまうのを補正する為に設けている。その第1の方法と
してはレンズエレメントの周辺で温度が低い部分に外部
から熱を与えることにより、レンズ全体の温度分布を光
軸に関して回転対称になるようにしている。又、第2の
方法としてはレンズエレメントの周辺で温度が高い部分
を外部から冷却することにより全体の温度分布が光軸に
関して回転対称になるようにしている。
では温度調整装置として前者を加熱手段、そして後者を
冷却手段と呼ぶことにする。
加熱手段を用いる場合について主な説明を行う。図2は
図1中の投影レンズ9を構成する光学エレメントの一部
をxy面の断面で描いたものであり、その際、座標軸は
40に示すようにとってある。図中41はレンズ、斜線
部42は光束が透過する範囲を表している。
に伸びたスリット状の光束でパターンの照明を行ってい
るので、投影レンズ9の内部を透過する光束は、該投影
レンズ9の光軸を含んだx,z面(図2中の点線43で
表す)、及び前記光軸を含んだy,z面(同点線44)
に関して対称性を有するが、前記光軸に関する回転対称
性は持たない、即ち典型的な場合には、図2中の斜線部
42に示すような分布となる。その場合、x軸方向,y
軸方向で熱吸収による温度分布が非対称になり、大きな
非点収差の原因となる。
では上昇温度の低い部分に温度調整装置として加熱手段
を設け、レンズ内部の温度分布が前記光軸に関して回転
対称になるように加熱し、補正することを特徴としてい
る。その為、本実施例では加熱手段をレンズ周辺部のう
ち点線43及び点線44に関して対称な位置に設置して
いる。レンズ周辺部に2個の加熱手段13及び14を設
ける場合には、上昇温度が小さく且つ上記の対称性を満
たす位置、即ち図2に示す位置としている。
状及び加熱手段13,14で修正を行った後の温度分布
と形状について説明する。
が透過すると、該光束の一部が吸収され、温度分布は図
3で示すようになる。図3は温度の等高線分布を摸式的
に示したものであり、中心部ほど温度が高くなってい
る。
に変形した後のレンズ形状の断面を示している。図4は
レンズ41の中心軸50を含んだ断面のうち、座標系5
1で示されるようにx,z面方向の形状を表す。図4中
の52は変形前のレンズ形状であり、斜線部53,54
は熱により膨張した部分である。図5は図4と同一のレ
ンズを座標系1で示すようにy,z方向の断面で表示し
たものである。斜線部56,57は熱により膨張した部
分であるが、図4と比較すると横方向に長く拡がってい
る。
度分布、形状について説明を行う。本実施例では図3に
示した温度分布を有するレンズ41に対して、レンズ4
1周辺の温度の低い位置に設けた加熱手段13,14の
加熱量を最適に制御することによってレンズ41の温度
分布が図6に示すように中心に関して対称となるように
している。
形状を示している。図7は図4と同様のレンズ41の
x,z方向の断面である。図中、斜線部60,61が熱
により膨張した部分を表す。一方、図8は図5と同様、
レンズ41のy,z方向の断面を表す。図中、斜線部6
2,63が熱によって膨張した部分である。この場合、
温度分布、形状変化ともx,y方向での非対称性は現れ
ないので、波面収差が回転対称となり、非点収差は発生
せず、結像位置や倍率のx,y方向に関する不一致も生
じない。
発熱体を適切な熱抵抗を持った物質を介してレンズエレ
メントに接触させた構成とし、その制御を該発熱体に供
給される電圧又は電流を変化させることにより行ってい
る。
率の光軸に関する非回転対称性は補正されるが、この種
の光学特性の予め決めた位置や値からのずれは残ってい
る。従って、結像位置のずれについては、ウエハステー
ジを光軸方向に移動して補正し、倍率のずれについては
投影光学系の光学エレメントやレチクルを光軸方向に移
動して補正する。
14として冷却手段を用いる場合について図9を用いて
説明する。図9は、図2を用いて説明したように、レン
ズ41の斜線部42を露光光が透過する様子を示してい
る。そしてその際にはy方向に伸びた範囲で温度の上昇
が起こることは前述の通りである。ここで温度調整装置
としての2つの冷却手段13′,14′をレンズ41の
周辺部のうち、図9に示す位置に設け、その部分の温度
を制御することにより、レンズ41の温度分布を図6で
説明したように中心に対して対称な形に補正している。
周辺部の冷却手段を装着した位置に冷却した気体を吹き
付け、その気体の温度及び吹き付け量を制御手段15に
よって制御する構成を用いている。
4又は13′,14′及びフォーカス調整装置16の制
御の方法について説明する。図10は投影レンズ9に発
生する波面収差に対応した干渉縞を表し、CCDカメラ
27によって得られるものである。図10(A)はスリ
ット状の照明光束を用いた露光によって投影レンズ9に
非点収差が発生している状態である。図10(B)は温
度調整装置13,14又は13′,14′を動作させる
ことにより、非回転対称な波面収差を、光軸に関して回
転対称となるように補正を行ったものである。図10
(B)の状態では、球面収差が多少発生して投影レンズ
9の最良のフォーカス位置が変動してしまっているの
で、フォーカス調整装置16によりステージ10の上下
方向の位置を微調整することにより、CCDカメラ27
から出力される干渉縞を図10(C)の状態、即ちほと
んど無収差で干渉縞が現れない状態に調整している。
タは演算手段28に送られ、そこで干渉縞の非回転対称
性、大きさ等を表すデータを制御手段15に送ってい
る。制御手段15は前記波面収差の非回転対称性、大き
さ等のデータからそれらの量が減少するように温度調整
装置13,14又は13′,14′及びフォーカス調整
装置16の制御を行っている。このような制御を行うこ
とにより、投影レンズ9の結像位置,結像倍率と収差の
回転非対称性を補正することができる。
に計測される波面収差のデータは再び同様の処理により
制御手段15の制御にフィードバックしている。即ち、
一連の制御系をフィードバック系とし、高精度に投影レ
ンズ9で発生した非回転対称な波面収差を補正すること
ができる構成としている。
で構成される光学系を念頭に説明を行ったが、投影光学
系として屈折レンズ,ビームスプリッター,反射ミラー
系を組み合わせたカタディオプティック光学系を用い、
その屈折レンズ部分、ビームスプリッター部分及び反射
ミラーの部分に本発明を同様に適用することができる。
レンズエレメントの周辺部に設けるとして主な説明を行
っているが、その数は2つに限ったものではない。投影
光学系が複数個の光学エレメントから構成されている場
合、本発明を適用するのはその内の1つの光学エレメン
トに限る必要はなく、2つ以上の光学エレメントに対し
て同時に本発明を適用し、温度調整装置の制御も本発明
を適用した各光学エレメント毎に独立に行うことが可能
である。
フミラー5を用いることにより、回路パターン焼き付け
の為の露光と投影レンズの波面収差の計測を同時に行え
るようにしているが、光をより効率的に使う為に、露光
と波面収差の計測を時系列的に反復して行う構成とする
こともできる。即ち、ハーフミラー5の代わりに通常の
ミラー5aを用いて光源2からの光束が全て照明レンズ
6に導かれるようにして露光を行う。その際、シャッタ
ー22は閉じておく。
ー5aを取り除き、更にシャッター22を開けて光源2
0からの光束が投影レンズ9に入射して波面収差の計測
を行う。次に再び前記ミラー5aを挿入すると共にシャ
ッター3を開け、同時にシャッター22を閉じることに
より露光を開始する。
質的には露光と波面収差の計測を同時に行うのと略同様
の精度で投影レンズ9に発生する波面収差の補正を行う
ことが可能になる。そしてこの場合には偏光板4及び偏
光板25は不要になる。
対称な温度分布や形状を有するレンズをレンズ周辺部よ
り加熱又は冷却を行うことによって波面収差の非回転対
称性を補正しているが、加熱と冷却を組み合わせても良
い。
には補正手段としてレンズに力学的な力を加えることに
よっても可能である。例えば図11に示すようにレンズ
41に対して斜線部42のような形状の光束が入射する
場合、前述の通りx方向とy方向ではレンズは異なった
形状となる。そこで、レンズ内部の屈折率分布の非回転
対称性が無視できる場合には、図中矢印70及び71で
示す方向に力学的な力を加えることにより、レンズ41
の形状を光束が透過する中心部付近でz軸に関して略回
転対称となるようにしても良い。
あり、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置を示
している。図中、201は第1物体としてのレチクル
(マスク)であり、その面上には回路パターンが形成さ
れている。202は縮小投影レンズ(投影光学系)、2
03は可動のステージであり、第2物体としてのウエハ
Wを載置している。204は照明系(不図示)からの照
明光束である。
スリット開口205が設けてあり、レチクル201に近
接配置している。尚アパーチャー206(スリット開口
205)はレチクル201の直前に設ける他に照明光学
系(不図示)中でレチクル201と光学的に共役な位置
に設けても良い。207はx,y,z軸を示す座標系を
示している。
あり、投影レンズ202の所定のレンズ(光学エレメン
ト)の周辺部に設けている。223はコントローラ(制
御手段)であり、メモリ224からの情報に基づいて加
熱手段221,222の加熱を制御している。211〜
214は光線であり、レチクル201上の回路パターン
からの回折光がステージ203上のウエハWに到達する
までを摸式的に描いている。
リット状に照明したレチクル201面上の回路パターン
を投影レンズ202によりウエハWに投影露光してい
る。本実施例では投影光学系202の光軸208をz軸
方向に、スリット開口205の長手方向をy軸方向と一
致するようにとっている。
共にxy平面に平行に配置しており、図24に示すのと
同様にレチクル201を不図示の移動ステージに載せて
x軸方向にスキャンすると同時にステージ203をレチ
クル201のスキャン速度に投影レンズ202の投影倍
率を乗じた速度でx軸方向に同期してスキャンすること
により、レチクル201上の回路パターン全体をステー
ジ203に載ったウエハW上に投影転写している。そし
て該ウエハに公知の現像処理を行い、半導体デバイスを
得ている。
露光に伴い、投影レンズ202を構成するレンズが露光
光を吸収したときの光学特性の変化をレンズに照射され
るスリット状の光束の状態を考慮して、レンズの周辺部
の所定位置に加熱手段221,222を設け、コントロ
ーラ223によりメモリ224からの情報(データ)に
基づいて加熱制御することにより温度分布を均一にして
効果的に防止している。
特徴について説明する。
する光学エレメントの一部をxy断面で描いた概略図で
ある。図中、231はレンズ、斜線部232は投影露光
に伴いレンズ中を光束が透過する範囲を表している。
y軸方向に伸びたスリット状の光束でレチクル201面
上の回路パターンの照明を行っている。この為、投影レ
ンズ202の内部を透過する光束は光軸208を含んだ
x,z面(図13中、点線233で表す)、及び光軸2
08を含んだy,z面(同点線234)に関して対称性
を有するが、光軸208に関する回転対称性は持たな
い、即ち典型的な場合には図13中の斜線部232に示
すような分布となる。
よる温度分布が非回転対称になり、結像位置や倍率等の
光学特性が非回転対称となる。特に、温度分布の非回転
対称に基づいて非点収差が多く発生してくる。
レンズ表面での非対称な温度分布に対して、上昇温度の
低くなるスリット開口205の短手方向(スリット開口
205の長手方向と直交する方向の部分)に複数の加熱
手段221,222を設け、レンズ内部の温度分布を光
軸208に関して回転対称になるように補正している。
即ち、加熱手段221,222をレンズ231の周辺部
のうち点線233及び点線234に関して対称な位置に
設置している。
手段を設ける場合には、上昇温度が小さく且つ上記の対
称性を満たす位置、即ち図13に示すx方向の位置とす
るのが良い。
c,222a〜222cを設けて精度の高い温度制御を
行う場合を示しており、この場合にも加熱手段221a
〜221c,222a〜222cは上記の対称性を満た
す位置に設置している。
の加熱制御について説明する。
まず加熱を行わない場合の温度分布を正確に求め分布の
非対称性を補正する為に最適な加熱量を求めている。レ
ンズが露光光を吸収することによる温度上昇、変形を実
験的に測定し、該測定量に基づいて加熱手段221,2
22を制御しても良いが、本実施例では図13での斜線
部232に示したようなレンズに非回転対称な熱吸収が
あった場合の温度分布と形状の変化をシミュレーション
によって求めている。例えば投影露光開始後の時間と透
過光束の総エネルギー等の関数として表されるように求
めている。
それに伴い形状が変化するという過程は、有限要素法を
用いて精度良くシミュレーションできることは良く知ら
れている。図15はこの有限要素法の為の解析モデルの
説明図である。
4に関してそれぞれ対称性を持つので、解析モデルは図
13のレンズ232の面積の1/4の部分、即ち図15
に示した部分を考えれば良い。図15はレンズの面積の
うち1/4の部分を有限要素法解析の為にメッシュ状に
分割した状態を摸式的に示しており、斜線部242で熱
吸収が起こっているとしている。
た投影光学系202の光軸である。適当な境界条件を設
定して有限要素法解析を行うことにより、上記のような
熱吸収があった場合の温度分布は、例えば図16に示す
ように求められる。
色の濃さが温度に対応している。図16から明らかのよ
うにレンズ231の中心部から周辺にいくに従って温度
が下がっていること、分布の形状がy軸方向の伸びてい
ること等が読み取れる。
熱的に変形した後のレンズ形状の断面図を示す。
の断面を示す。図17において、241は変形前のレン
ズ形状であり、斜線部242,243は熱により膨張し
た部分である。同様に図18はy,z方向の断面であ
り、斜線部244,245は熱により膨張した部分であ
る。以上の方法によって加熱手段221,222を動作
させない場合にレンズに発生する温度分布、形状変化を
求めている。
た非対称な温度、形状分布が発生しないように、加熱手
段221,222によりレンズに与えるべき熱量を決定
している。その際には有限要素法のシミュレーションで
与える熱量はトライアンドエラーで最適な値を決めてい
る。そのように決定されたデータは、図12中のメモリ
224に記憶し、露光中はコントローラ223がメモリ
224からのデータに基づいて加熱手段221,222
を制御するようにしている。
ム線等の発熱体を適切な熱抵抗を持った物質を介してレ
ンズエレメントに接触させた構成とし、その制御は該発
熱体に供給される電圧又は電流を変化させることにより
行っている。
加熱手段221,222を加熱制御することによって得
られるレンズの温度分布及び形状変化を示す。
51に加える熱量を最適になるように制御した際に得ら
れる温度分布の説明図である。加熱手段221,222
によりレンズ251のうちの熱吸収による温度上昇が少
ない部分に熱を加えることにより、図19に示すような
x,y軸方向で略対称な温度分布を得ている。
軸208を含むx,z面方向の断面図である。図中、2
52は変形前のレンズ形状、斜線部253,254は熱
によって膨張した部分を表す。
示す光軸208を含むy,z面方向の断面図である。図
中、252は変形前のレンズ形状、斜線部255,25
6は熱によって膨張した部分を表す。この場合、温度分
布、形状変化ともx,y方向での非対称性は現れないの
で、従来の技術で補正することが難しい非点収差は発生
しない。尚、加熱手段の代わりに、又は組み合わせて、
図9で示したような冷却手段を用いても良い。
ある。
略構成を表している。この後の説明を容易にする為、予
め座標系を301のように決めておく。
せられる照明光束、303は回路パターンの描かれてい
るレチクル、304は縮小投影レンズ、そして305は
ウエハの載置されているステージを表す。ここで、レチ
クル303及びステージ305はxy面に平行、投影レ
ンズ304の光軸はz軸に平行になるように配置してい
る。
パターンを照明し、図中306及び307で示す回折光
が発せられる。そして回折光306,307は投影レン
ズ304を介して夫々像空間の光束308,309へと
変換され、ステージ305に載置された半導体ウエハW
上に回路パターンを結像する。前記ウエハW上には照明
光束302の波長に対して化学変化を起こすレジストが
塗布されており、レチクル303上の回路パターンの転
写を行う。
実施例の本質となる温度制御装置であり、投影レンズ3
04を構成するレンズエレメントの周辺部に設けられて
いる。ここで温度制御装置310〜313はメモリ31
5に蓄えられた情報に基づいてコントローラ314によ
って制御される。
て図23に示したものを考える。図23はレチクル30
3を座標軸301で示すようにxy面内で描いたもので
あり、周辺の黒い部分では照明光束302は完全に遮光
される。簡単の為レチクル303上に2つの領域32
2,323を考え、322は光遮光部よりも光透過部を
多く含むパターンから構成され、323は逆に光透過部
よりも光遮光部を多く含むパターンから構成されるとす
る。その為、領域322と323を比較すると透過する
光量は全体として領域322の方が領域323よりも多
くなっている。領域322と323はその部分を透過し
て投影レンズ304に入射する光量の違いを示してい
る。
光306,307を異なった本数で示したのは回折光3
06,307が夫々図23中の相異なる領域322,3
23のパターンからの回折光であることを分かり易くす
る為である。
ンからの回折光が投影レンズ304に入射する様子を説
明したものである。図24において、326は投影レン
ズ304を構成するレンズエレメントの1枚をxy面内
で示したものである。簡単の為、レンズエレメント32
6として投影レンズ304の内部でレチクル303に近
い部分に配置されているものを考える。するとそこに入
射する光束は、レチクル303上の領域322に対応す
る部分では大きく、領域323に対応する部分では小さ
くなり、摸式的に示すと図24中の斜線部327のよう
になる。
材が熱を吸収して光学特性の変動が生ずる。図24で3
27で示した部分に光束が入射して熱が吸収されるとそ
こにできる温度分布は図25に示すものとなる。
軸であり、レンズエレメント326の温度分布を色の濃
淡によって示している。中央の色の濃い部分ほど温度が
高いことを表す。温度分布が図25のように光軸に関し
て非回転対称になってしまうと、そこで発生する波面収
差(結像位置,結像倍率)が問題となることは前述した
通りである。
温度制御装置を用いることにより、図25のような非回
転対称な温度分布の補正を行うものである。ここでレン
ズエレメント326はレチクル303に近い位置に配置
されているとしているので、レンズエレメント326は
温度制御装置310によって温度の制御が行われるとす
る。
立に制御することが可能な加熱手段であり、全体として
温度制御装置310を構成している。加熱手段332〜
339はレンズエレメント326の周辺部に密着して等
間隔に配置され、夫々はニクロム線等の抵抗体を内蔵し
て、そこに流す電流を制御することによって温度の調整
を行うものである。
6の周辺部のうち、温度の低い部分に配置されている加
熱手段332,333,335,336の温度を主とし
て上昇させることにより、図26に示すような光軸に関
して対称な形状の温度分布に変換することができる。こ
こで加熱手段332〜339に与える電流の量は、図2
2中のコントローラ314によって制御される。
トに関しても、同様の構成を持った温度制御装置311
〜313を用いることにより、光軸に関して非対称に発
生する温度分布を補正することが可能になる。温度調整
装置を用いるだけでは光軸に関して回転対称な温度分布
や形状変化に伴なう光学特性の変化は補正できないが、
この種の光学特性の変化はステージ又は光学系を構成す
る光学エレメントの一部を移動させるという従来の方法
で補正することが可能なことは前述の通りである。ここ
で温度制御装置の数として310〜313の4つに限ら
れたものでないことは言うまでもない。
03上の回路パターンの情報、各回路パターンからの回
折光によって投影レンズ304中の各レンズエレメント
に発生する温度分布の情報、それらの温度分布を補正す
る為に温度制御装置310〜313に与える熱量の情
報、等が保存されており、コントローラ314はそれら
の情報に基づいて温度制御装置310〜313の制御を
行う構成となっている。
25の332〜339で示したように温度の低い部分の
温度を上昇させる加熱手段を用いたが、図9に示したよ
うな温度の高い部分の温度を低下させる冷却手段を用い
ても同様の効果が得られる。
ある。本実施例はステッパに適用した際の概略構成を表
している。
342は光源を含む照明光学系、343,344は照明
光束、345は回路パターンの描かれたレチクル、34
6は縮小投影レンズ、347は不図示のウエハが載置さ
れたステージを表し、レチクル345上の回路パターン
が投影レンズ346を介して前記ウエハW上に転写され
るのは実施例3と同様である。
8を挿入して照明用の光束を制限し、照明レンズ349
を介して前記2つの斜入射照明光束343,344を得
ているのが特徴である。アパーチャ348は通常の場合
において照明光学系の有効光源面、即ちレチクル345
とは光学的にフーリエ変換の関係にあり、一方、投影レ
ンズ346の瞳位置(図中点線350で示す)とは光学
的に共役な関係になる位置に配置される。
に示すものが用いられる。図28中、361は座標軸で
あり、アパーチャ348がxy面に平行に設置されるこ
とを表す。アパーチャ348には2つの開口362,3
63が設けられており、前記開口を透過した光束が照明
レンズ349を介して2つの照明光束343,344と
してレチクル345上の回路パターンを互いに対称な光
路に沿って斜め方向から照明する構成となっている。こ
のような照明方法を採用することにより、レチクル34
5上でx方向に繰り返し周期を有する周期パターンの解
像度が向上する。
8として図29のように4つの開口364〜367を有
するものを用いることにより、レチクル345上でx方
向に繰り返し周期を有するパターンと共にy方向に繰り
返し周期を有するパターンの解像度を向上させることも
できる。
理由については、例えば“Proc.SPIE No.1674 Optical/
Laser Microlithography V,P.92(1992) ”等に詳しく記
載されているのでここでは説明を省略する。
ズ346の瞳位置350と共役な位置に設置されるの
で、前記アパーチャ348の開口部の像が、投影レンズ
346の内部の瞳位置350の近傍に形成されることに
なる。その影響を図30を用いて説明する。
るレンズエレメントのうちの1枚を表す。アパーチャ3
43として図28に示したものを用いると、レンズエレ
メント372には斜線374,375の位置に光束が集
中的に入射することになり、その結果、レンズエレメン
ト372の温度分布は図31に示すように光軸に関して
非回転対称な分布になってしまう。
とを表すのは前述の図25及び図26の説明の場合と同
様である。図31中の381〜388は実施例3で33
2〜339として説明したものと同様の加熱手段であ
り、この場合には加熱手段381,385の温度を主と
して上昇させることにより、レンズエレメント372の
温度分布を図26で説明したような回転対称な形に補正
することができる。
ものを用いれば、レンズエレメント372には図32の
斜線391〜394で示す部分に光束が集中的に入射す
るようになり、その結果、レンズエレメント372の温
度分布は図33に示すようになる。この場合には、加熱
手段381,383,385,387の温度を主として
上昇させることにより、レンズエレメント372の温度
分布を図26で示すように対称な形に補正することがで
きる。
示した加熱手段は、全体として図27で351で示す温
度制御装置を構成している。温度制御装置351はメモ
リ353の情報に基づいてコントローラ352によって
制御されるのは実施例3と全く同様であるので説明を省
略する。
温度の低い部分の温度を上昇させる加熱手段を用いた
が、図9に示したような温度の高い部分の温度を低下さ
せる冷却手段を用いても同様の効果が得られることは言
うまでもない。
分布、形状変化の発生によって引き起こされる光学特性
の変化は、従来と同様にステージ又は光学系を構成する
光学エレメントの一部を移動させることにより補正して
いる。
で構成されている場合について説明したが、投影光学系
として屈折レンズ、ビームスプリッター、反射ミラー系
を組み合わせたカタディオプティック光学系でも良く、
その屈折レンズ部分、ビームスプリッター部分、及び反
射ミラーの部分に本発明同様に適用することができる。
又、投影光学系が反射ミラー系のみで構成される場合に
も適用することができる。
から構成されている場合、加熱制御手段をそのうちの1
つの光学エレメントに限って設ける必要はなく、2つ以
上の光学エレメントに対して同時に適用しても良い。
又、このときの加熱制御手段の制御を各光学エレメント
毎に独立に又は並列的に行っても良い。
用いる冷却手段としては冷却空気や液体窒素や液体酸素
等を供給する冷却手段を用いる。
補正し、回転対称な波面(収差)を供給する手段として
は、投影光学系のレンズやミラーを光軸に対して偏心さ
せる手段や、投影光学系中に設置した透明平行平面板を
光軸に対して所望の角度で傾ける手段等も使える。
補正し、回転対称な波面(収差)を供給する別の手段と
しては、投影光学系の凹面鏡,凸面鏡,平面鏡の反射面
を裏面側から押したり引いたりしてアクチュエーター等
で変形させる手段や、投影光学系中に設置した透明平行
平面板をアクチュエーター等で変形させる手段がある。
デバイスの製造方法の実施例を説明する。
体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造のフロ
ーを示す。
スの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ
5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジス
ト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
た光学特性の非回転対称性を補正することができ、従っ
て、高い解像力が得られる。
ト
ト
置の概略図
露光装置による露光領域の説明図
ける投影光学系のレンズの光透過領域の説明図
Claims (32)
- 【請求項1】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる前記投影光学系の光軸方向に関する前記パターンの
結像位置の非回転対称性を、実質的に補正する補正手段
とを有していることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項2】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる前記パターンに対する結像倍率の非回転対称性を、
実質的に補正する補正手段とを有していることを特徴と
する投影露光装置。 - 【請求項3】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる波面収差の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段とを有していることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項4】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段と、を有し、 前記補正手段は、前記露光により前記投影光学系の光学
エレメントに生じた前記投影光学系の光軸に関して非回
転対称な温度分布を略回転対称な温度分布に変換する温
度制御手段と、前記露光による前記光学エレメントの温
度分布の変化に 関連した制御データを格納した記憶手段
と、を備え、 前記温度制御手段は、露光時間と露光エネルギーと前記
制御データとを用いて前記光学エレメントの温度分布を
制御することを特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項5】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段とを有し、 前記補正手段は、前記投影光学系の光学エレメントを前
記投影光学系の光軸に対して偏心させる光学エレメント
駆動手段を備えることを特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項6】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段と、を有し、 前記補正手段は、前記投影光学系の光学エレメントの面
形状を変化させる面形状変更手段を備えることを特徴と
する 投影露光装置。 - 【請求項7】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段とを有し、 前記補正手段は、前記投影光学系の透明な平行平面板の
前記投影光学系の光軸に対する傾き角を変化させる傾き
角変更手段を備えることを特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項8】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段と、前記第1物体を光軸外に複数個の開口を備える
絞りを介して照明する手段と、を有することを特徴とす
る投影露光装置。 - 【請求項9】 第1物体をスリット状の光で照明する手
段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体の
パターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記第
1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投影
光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光で
前記パターンを投影することにより前記投影光学系に生
じる光学特性の非回転対称性を、実質的に補正する補正
手段と、を有し、 前記第1物体のパターンは場所により密度が異なること
を特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項10】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる光軸方向に関する前記パターンの結像位置の非回
転対称性を、実質的に補正する補正手段と、前記非回転
対称性が補正された前記投影光学系の結像位置と前記第
2物体の表面を合致させるフォーカシング手段と、を有
することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項11】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記投影光学系による前記パターンの結像倍率の
非回転対称性を、実質的に補正する補正手段と、前記非
回転対称性が補正された前記投 影光学系の結像倍率を所
望の倍率に調整する倍率調整手段と、を有することを特
徴とする投影露光装置。 - 【請求項12】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記投影光学系による前記パターンの結像倍率及
び前記投影光学系の光軸方向に関する前記パターンの結
像位置の非回転対称性を、実質的に補正する補正手段
と、前記非回転対称性が補正された前記投影光学系の結
像位置と前記第2物体の表面を合致させるフォーカシン
グ手段と、前記非回転対称性が補正された前記投影光学
系の結像倍率を所望の倍率に調整する倍率調整手段と、
を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項13】 前記補正手段は、更に、前記スリット
状の光で前記パターンを投影することにより前記投影光
学系に生じる前記投影光学系の光軸方向に関する前記パ
ターンの結像位置の非回転対称性を実質的に補正するこ
とを特徴とする請求項2記載の投影露光装置。 - 【請求項14】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する前記投影光学系の光軸方向に関する前記パターンの
結像位置の差を実質的に補正する補正手段とを有してい
ることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項15】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する前記パターンに対する結像倍率の差を実質的に補正
する補正手段とを有しているこ とを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項16】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する波面収差の差を実質的に補正する補正手段とを有し
ていることを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項17】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段と、を有
し、 前記補正手段は、前記露光により前記投影光学系の光学
エレメントに生じた前記投影光学系の光軸に関して非回
転対称な温度分布を、略回転対称な温度分布に変換する
温度制御手段と、前記露光による前記光学エレメントの
温度分布の変化に関連した制御データを格納した記憶手
段と、を備え、 前記温度制御手段は、露光時間と露光エネルギーと前記
制御データとを用いて前記光学エレメントの温度分布を
制御することを特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項18】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段とを有
し、 前記補正手段は、前記投影光学系の光学エレメントを前
記投影光学系の光軸に対して偏心させる光学エレメント
駆動手段を備えることを特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項19】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段とを有
し、 前記補正手段は、前記投影光学系の光学エレメントの面
形状を変化させる面形状変更手段を備えることを特徴と
する 投影露光装置。 - 【請求項20】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段とを有
し、 前記補正手段は、前記投影光学系の透明な平行平面板の
前記投影光学系の光軸に対する傾き角を変化させる傾き
角変更手段を備えることを特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項21】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段と、前記
第1物体を光軸外に複数個の開口を備える絞りを介して
照明する手段と、を有することを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項22】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより 前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光学特性の差を実質的に補正する補正手段と、を有
し、 前記第1物体のパターンは場所により密度が異なること
を特徴とする 投影露光装置。 - 【請求項23】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する光軸方向に関する結像位置の差を実質的に補正する
補正手段と、前記結像位置の差が補正された前記投影光
学系の結像位置と前記第2物体の表面を合致させるフォ
ーカシング手段と、を有することを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項24】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する前記投影光学系による前記パターンの結像倍率の差
を実質的に補正する補正手段と、前記結像倍率の差が補
正された前記投影光学系の結像倍率を所望の倍率に調整
する倍率調整手段と、を有することを特徴とする投影露
光装置。 - 【請求項25】 第1物体をスリット状の光で照明する
手段と、前記スリット状の光で照明された前記第1物体
のパターンを第2物体上に投影する投影光学系と、前記
第1物体及び第2物体を前記スリット状の光及び前記投
影光学系に対して走査する手段と、前記スリット状の光
で前記パターンを投影することにより前記投影光学系に
生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方向に関
する前記投影光学系による前記パターンの結像倍率及び
光軸方向に関する前記パターンの結像位置の差を実質的
に補正する補正手段と、前記結像位置の差が補正された
前記投影光学系の結像位置と前記第2物体の表面を合致
させるフォーカシング手段と、前記結像倍率の差が補正
された前記投影光学系の結像倍率を所望の倍率に 調整す
る倍率調整手段と、を有することを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項26】 前記補正手段は、更に、前記スリット
状の光で前記パターンを投影することにより前記投影光
学系に生じる前記走査の方向と該走査方向に直交する方
向に関する前記投影光学系の光軸方向に関する前記パタ
ーンの結像位置の差を実質的に補正することを特徴とす
る請求項22記載の投影露光装置。 - 【請求項27】 前記投影光学系の波面収差を測定する
測定手段を有することを特徴とする請求項3又は16記
載の投影露光装置。 - 【請求項28】 前記光学エレメントはミラーを含むこ
とを特徴とする請求項5、6、18、19の何れか1項
記載の投影露光装置。 - 【請求項29】 前記光学エレメントはレンズを含むこ
とを特徴とする請求項5、6、18、19の何れか1項
記載の投影露光装置。 - 【請求項30】 前記光学エレメントは透明な平行平面
板を含むことを特徴とする請求項6又は19記載の投影
露光装置。 - 【請求項31】 前記面形状変更手段は、前記露光によ
り前記光学エレメントに生じた面形状の非回転対称性を
補正することを特徴とする請求項6又は19記載の投影
露光装置。 - 【請求項32】 請求項1〜31の何れか1項記載の投
影露光装置を用いてデバイスパターンを基板に露光する
段階と、該ウエハを現像する段階とを含むことを特徴と
するデバイスの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09030295A JP3368091B2 (ja) | 1994-04-22 | 1995-03-23 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
| DE69531644T DE69531644T3 (de) | 1994-04-22 | 1995-04-12 | Projektionsbelichtungsgerät und Herstellungsverfahren für eine Mikrovorrichtung |
| EP95302420A EP0678768B2 (en) | 1994-04-22 | 1995-04-12 | Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method |
| US08/425,614 US5805273A (en) | 1994-04-22 | 1995-04-20 | Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method |
| KR1019950009495A KR100187348B1 (ko) | 1994-04-22 | 1995-04-22 | 주사투영노광장치 및 마이크로디바이스의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-107869 | 1994-04-22 | ||
| JP10786994 | 1994-04-22 | ||
| JP09030295A JP3368091B2 (ja) | 1994-04-22 | 1995-03-23 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002169089A Division JP3652325B2 (ja) | 1994-04-22 | 2002-06-10 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088178A JPH088178A (ja) | 1996-01-12 |
| JP3368091B2 true JP3368091B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=26431800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09030295A Expired - Fee Related JP3368091B2 (ja) | 1994-04-22 | 1995-03-23 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5805273A (ja) |
| EP (1) | EP0678768B2 (ja) |
| JP (1) | JP3368091B2 (ja) |
| KR (1) | KR100187348B1 (ja) |
| DE (1) | DE69531644T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100909455B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2009-07-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Families Citing this family (100)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6250532B1 (en) * | 1991-10-18 | 2001-06-26 | United States Surgical Corporation | Surgical stapling apparatus |
| US5883704A (en) * | 1995-08-07 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system |
| JPH09167735A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| US6335784B2 (en) * | 1996-01-16 | 2002-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan type projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| US6449004B1 (en) * | 1996-04-23 | 2002-09-10 | Minolta Co., Ltd. | Electronic camera with oblique view correction |
| KR0166852B1 (ko) * | 1996-05-21 | 1999-01-15 | 문정환 | 반도체 노광 공정용 축소 투영 렌즈의 디스토션 보정 장치 |
| JPH1027743A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Canon Inc | 投影露光装置、デバイス製造方法及び収差補正光学系 |
| JPH1098162A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US6829041B2 (en) * | 1997-07-29 | 2004-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and projection exposure apparatus having the same |
| DE19807094A1 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Zeiss Carl Fa | Optische Anordnung und Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie mit passiver thermischer Kompensation |
| US7274430B2 (en) | 1998-02-20 | 2007-09-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical arrangement and projection exposure system for microlithography with passive thermal compensation |
| US7112772B2 (en) * | 1998-05-29 | 2006-09-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with adaptive mirror and projection exposure method |
| DE19827602A1 (de) * | 1998-06-20 | 1999-12-23 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur Korrektur nicht-rotationssymmetrischer Bildfehler |
| DE19827603A1 (de) | 1998-06-20 | 1999-12-23 | Zeiss Carl Fa | Optisches System, insbesondere Projektions-Belichtungsanlage der Mikrolithographie |
| US6312373B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-11-06 | Nikon Corporation | Method of manufacturing an optical system |
| DE19859634A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-06-29 | Zeiss Carl Fa | Optisches System, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie |
| JP3315658B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2002-08-19 | キヤノン株式会社 | 投影装置および露光装置 |
| JP3796368B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
| JP3796369B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2006-07-12 | キヤノン株式会社 | 干渉計を搭載した投影露光装置 |
| JP3774590B2 (ja) | 1999-05-28 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3548464B2 (ja) | 1999-09-01 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び走査型露光装置 |
| DE19956353C1 (de) * | 1999-11-24 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
| DE19963588C2 (de) * | 1999-12-29 | 2002-01-10 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
| DE19963587B4 (de) * | 1999-12-29 | 2007-10-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektions-Belichtungsanlage |
| DE10000191B8 (de) * | 2000-01-05 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektbelichtungsanlage der Mikrolithographie |
| TW550377B (en) * | 2000-02-23 | 2003-09-01 | Zeiss Stiftung | Apparatus for wave-front detection |
| US20050136340A1 (en) * | 2000-07-21 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and methods, patterning structure and method for making a patterning structure, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1246014A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| DE10040998A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
| JP3862497B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6937394B2 (en) | 2001-04-10 | 2005-08-30 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Device and method for changing the stress-induced birefringence and/or the thickness of an optical component |
| KR100689705B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 투영 렌즈 온도 조절 수단을 구비하는 노광장치 |
| KR20040015251A (ko) | 2001-05-15 | 2004-02-18 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 불화물 결정 렌즈들을 포함하는 렌즈 시스템 |
| US7239447B2 (en) * | 2001-05-15 | 2007-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective with crystal lenses |
| DE10123725A1 (de) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren |
| DE10140208C2 (de) | 2001-08-16 | 2003-11-06 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
| KR100654784B1 (ko) * | 2001-08-31 | 2006-12-08 | 캐논 가부시끼가이샤 | 레티클과 광학특성의 측정방법 |
| DE10162796B4 (de) * | 2001-12-20 | 2007-10-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie photolithographisches Fertigungsverfahren |
| JP2003303751A (ja) | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Canon Inc | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法 |
| WO2004036316A1 (en) * | 2002-10-15 | 2004-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical arrangement and method of specifying and performing a deformation of an optical surface of an optical element being part of the optical arrangement |
| DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| JP4018564B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 光学系、及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法 |
| WO2004099877A1 (de) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische messvorrichtung und betriebsverfahren für ein optisches abbildungssystem |
| JPWO2005022614A1 (ja) | 2003-08-28 | 2007-11-01 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| EP1513021B1 (en) * | 2003-09-04 | 2007-10-03 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of compensating for thermal deformation in a lithographic apparatus |
| EP1513017A1 (en) | 2003-09-04 | 2005-03-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7142314B2 (en) * | 2003-11-19 | 2006-11-28 | Wafertech, Llc | Wafer stage position calibration method and system |
| JP4666908B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、計測方法及びデバイス製造方法 |
| WO2005078774A1 (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| EP1716455B1 (de) * | 2004-02-20 | 2011-05-11 | Carl Zeiss SMT GmbH | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
| US7369697B2 (en) * | 2004-06-17 | 2008-05-06 | Intel Corporation | Process variable of interest monitoring and control |
| JP4843272B2 (ja) * | 2004-07-31 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム |
| US7375794B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP5266641B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2006324311A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Canon Inc | 波面収差測定装置及びそれを有する露光装置 |
| US20080204682A1 (en) * | 2005-06-28 | 2008-08-28 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| DE102005031792A1 (de) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür |
| WO2007017089A1 (en) | 2005-07-25 | 2007-02-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
| DE102006021797A1 (de) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
| JP5462625B2 (ja) * | 2006-08-14 | 2014-04-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 瞳ミラーを有する反射屈折投影対物器械、投影露光装置及び方法 |
| US20080049202A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography |
| DE102006045075A1 (de) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Steuerbares optisches Element |
| DE102006059823A1 (de) * | 2006-12-11 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Lastfall-Aberrationsvermessung und Justageverfahren |
| DE102008006687A1 (de) | 2007-01-22 | 2008-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Verbessern von Abbildungseigenschaften eines optischen Systems sowie optisches System |
| CN101589342A (zh) | 2007-01-22 | 2009-11-25 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 改善光学系统成像特性的方法以及光学系统 |
| WO2008116886A1 (de) | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Korrektur optischer elemente mittels flach eingestrahltem korrekturlicht |
| JP2009010131A (ja) | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE102008040218A1 (de) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Drehbares optisches Element |
| KR101428136B1 (ko) | 2007-08-03 | 2014-08-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈, 투사 노광 장치, 투사 노광 방법 및 광학 보정 플레이트 |
| US8064151B2 (en) | 2007-08-14 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and thermal optical manipulator control method |
| WO2009026970A1 (en) | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography |
| EP2048540A1 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | Carl Zeiss SMT AG | Microlithographic projection exposure apparatus |
| DE102008042926A1 (de) | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Vorrichtung mit verbessertem Abbildungsverhalten sowie Verfahren zum Verbessern des Abbildungsverhaltens einer optischen Vorrichtung |
| DE102007051291B4 (de) * | 2007-10-24 | 2010-02-11 | Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh | Adaptierbares optisches System |
| JP2009152251A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| DE102008054779A1 (de) | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
| DE102008017645A1 (de) | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats |
| DE102008000990B3 (de) * | 2008-04-04 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung und Verfahren zum Prüfen einer derartigen Vorrichtung |
| DE102008002247A1 (de) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen einer optischen Eigenschaft eines optischen Systems |
| WO2009152959A1 (en) | 2008-06-17 | 2009-12-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus for semiconductor lithography comprising a device for the thermal manipulation of an optical element |
| DE102009033818A1 (de) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Temperiervorrichtung für eine optische Baugruppe |
| NL2003818A (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| JP5511199B2 (ja) | 2009-02-25 | 2014-06-04 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| KR20120018196A (ko) | 2009-05-16 | 2012-02-29 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학 교정 배열체를 포함하는 반도체 리소그래피를 위한 투사 노광 장치 |
| DE102009029776B3 (de) * | 2009-06-18 | 2010-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element |
| NL2005009A (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-31 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| DE102009029673A1 (de) | 2009-09-22 | 2010-11-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Manipulator zur Positionierung eines optischen Elementes in mehreren räumlichen Freiheitsgraden |
| DE102010029651A1 (de) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern |
| JP5661172B2 (ja) | 2010-04-23 | 2015-01-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | リソグラフィ系の光学要素の操作を含むリソグラフィ系を作動させる方法 |
| NL2008704A (en) | 2011-06-20 | 2012-12-28 | Asml Netherlands Bv | Wavefront modification apparatus, lithographic apparatus and method. |
| DE102011080052A1 (de) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, optisches System mit Spiegel und Verfahren zur Herstellung eines Spiegels |
| JP2014157892A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Canon Inc | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
| DE102013209814B4 (de) | 2013-05-27 | 2015-01-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Struktur mit daran angeordneten Stegen und Verfahren zur Herstellung derselben |
| DE102017206256A1 (de) * | 2017-04-11 | 2018-10-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System |
| DE102017217121A1 (de) * | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung eines optischen Systems und Temperierungsverfahren |
| CN108227407B (zh) * | 2018-02-28 | 2020-08-21 | 南昌航空大学 | 一种基于相干图像反馈的数字光成型方法 |
| JP6951498B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2021-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法および物品製造方法 |
| US11474439B2 (en) * | 2019-06-25 | 2022-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article |
| DE102021212971A1 (de) * | 2021-11-18 | 2023-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren |
| DE102023204235A1 (de) * | 2023-05-08 | 2024-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Lithographiesystem mit abspaltbaren Linsen |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2325953A1 (fr) * | 1975-09-29 | 1977-04-22 | Thomson Brandt | Senseur optique de focalisation et dispositif de focalisation comportant un tel senseur |
| DE3125449A1 (de) * | 1981-06-27 | 1983-02-03 | Klaus Dipl.-Phys. Dr. 6104 Seeheim-Jugenheim Blasche | "verfahren und vorrichtung zur steuerbaren abbildung eines lichtstrahls mit zwei beweglichen spiegeln" |
| US4888614A (en) * | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
| EP0480616B1 (en) * | 1990-10-08 | 1997-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus with an aberration compensation device of a projection lens |
| US5424552A (en) * | 1991-07-09 | 1995-06-13 | Nikon Corporation | Projection exposing apparatus |
| US5424803A (en) * | 1991-08-09 | 1995-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method |
| CA2077572C (en) * | 1991-09-07 | 1998-08-18 | Masahito Niibe | Method of and apparatus for stabilizing shapes of objects, such as optical elements, as well as exposure apparatus using same and method of manufacturing semiconductr devices |
| JP2708300B2 (ja) * | 1991-10-21 | 1998-02-04 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法 |
| JP3144069B2 (ja) * | 1992-06-12 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| EP0581118B1 (en) * | 1992-07-15 | 1999-04-21 | Nikon Corporation | Light source for a heterodyne interferometer |
| US5459000A (en) * | 1992-10-14 | 1995-10-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Image projection method and device manufacturing method using the image projection method |
| JP2750062B2 (ja) * | 1992-12-14 | 1998-05-13 | キヤノン株式会社 | 反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
| JP3359123B2 (ja) * | 1993-09-20 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 収差補正光学系 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP09030295A patent/JP3368091B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-12 EP EP95302420A patent/EP0678768B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-12 DE DE69531644T patent/DE69531644T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-20 US US08/425,614 patent/US5805273A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-22 KR KR1019950009495A patent/KR100187348B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100909455B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2009-07-28 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69531644T3 (de) | 2010-05-06 |
| US5805273A (en) | 1998-09-08 |
| EP0678768B2 (en) | 2009-09-23 |
| DE69531644T2 (de) | 2004-06-24 |
| EP0678768A2 (en) | 1995-10-25 |
| DE69531644D1 (de) | 2003-10-09 |
| JPH088178A (ja) | 1996-01-12 |
| EP0678768B1 (en) | 2003-09-03 |
| KR950030216A (ko) | 1995-11-24 |
| KR100187348B1 (ko) | 1999-04-15 |
| EP0678768A3 (en) | 1996-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3368091B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP3395280B2 (ja) | 投影露光装置及び方法 | |
| US6235438B1 (en) | Projection exposure method and apparatus | |
| JP4352458B2 (ja) | 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法 | |
| JP3186011B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイス製造方法 | |
| US6456377B1 (en) | Method for measuring optical feature of exposure apparatus and exposure apparatus having means for measuring optical feature | |
| US7083290B2 (en) | Adjustment method and apparatus of optical system, and exposure apparatus | |
| JP2000277412A (ja) | 干渉計を搭載した投影露光装置 | |
| WO2005022614A1 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
| KR20060108523A (ko) | 광학장치 및 그것을 구비한 노광장치 | |
| US6278514B1 (en) | Exposure apparatus | |
| US6639651B2 (en) | Fabrication method for correcting member, fabrication method for projection optical system, and exposure apparatus | |
| JP3218478B2 (ja) | 投影露光装置及び方法 | |
| JP4692862B2 (ja) | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPH07230949A (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3762323B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3652325B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| EP1037266A1 (en) | Projection exposure method and apparatus | |
| JPWO2002042728A1 (ja) | 投影光学系の収差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
| JP2004158786A (ja) | 投影光学系及び露光装置 | |
| TWI301635B (en) | Measuring apparatus and exposure apparatus having the same | |
| JP2008172004A (ja) | 収差評価方法、調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
| JP2002139406A (ja) | 光学特性計測用マスク、光学特性計測方法、及び露光装置の製造方法 | |
| JP4537087B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法 | |
| JP2004273860A (ja) | 露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081108 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091108 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101108 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111108 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121108 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131108 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |