TWI352685B - Mems device and method of making the same - Google Patents

Description

1352685 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關一種微機電系統(microelectr〇mechanical system MEMS)裝置及其製法，特別是有關一種具有側向通氣孔 之MEMS裝置及其製法。 【先前技術】 • MEMS裝置包括具有微機電的基板與微電子電路整合在一 (此種裝置可形成例如微感應器(micr〇sens〇rs)或微驅動器 (microactuators) ^ ^ f ^#^(electrostrictive) > 熱電、壓電、壓阻(piezoresistive)等效應來操作。廳廳裝置可 藉由微電子技術例如微影、氣相沉積、及侧等，於絕緣層或其 他之基板上製得。近來’有使用與習知之類比及數位CM〇s (互 補式金氧半)電路之同類型的製造步驟(例如材料層的沉積與材 φ 料層的選擇性移除)來製造MEMS。 近年來’利用微型金屬網的密封製程製造微麥克風及微揚聲 為。後封的金屬網的作用如同可變電容器的移動片，因此可做為 微=克風，微揚聲器。要使密封的金屬網操作為微麥克風及微揚 聲器’此密封的金屬、網必須要能夠推動空氣以製造聲波；如同大 型的麥克風及揚聲H，必須有縣元件推動^氣以製造聲波。而 在微揚聲H與微麥克風的情形，若在㈣之金屬網下方的空室無 通氣孔(vent h〇le)或其他開口通到周圍環境，密封之金屬網將因、 13-52685 無法d至内的空氣而無法往内移動，而又因為形成真空狀態 而無法往外移動。因此，需要有通氣孔的設置。 ㊄知技術在製造通氣孔時，是從背後㈣基板㈣ic〇n substrate)蝕牙。例如’美國專利第6,936,524號揭示一種mems 裝置的製法’包括如第丨圖及第2 _示之若干步驟。第i醜 不經由石夕釋放(sllicon rdease)製程形成網孔(廳h)後，將引導性 • 的開口(pil〇t 〇Penings)擴大以形成通氣孔之情形。其中，矽基板 12上表面堆疊有一第一介電層14、一第一金屬層16、一第二介 電層20、一第二金屬層22、一第三介電層26、一第三金屬層28、 一頂層介電層32、及一光阻層38。第一金屬層16業經圖案化， 以使一部分形成微型金屬網18之結構。第二及第三金屬層22及 28均在微型金屬網18上方處形成開口，露出微型金屬網18。光 阻層38遮盍第二金屬層28上方，以保護不欲姓刻的部分。石夕基 _ 板12的下表面則經由一黏著劑34與一第一承載晶圓(carrier wafer) 36黏合。如此，從石夕基板12的上表面進行一深反應離子 蝕刻（deep reactive-ion etching，DRIE)製程後，接著進行一反應 離子蝕刻(reactive-ion etching ’ RIE)製程、電感耦合電漿反應性 離子蝕刻（inductively coupled p丨asma reactive ion etching，ICP RIE) 製程、或XeF2蝕刻製程24，對矽基板12部分蝕刻，以將微型 金屬網18釋出，並形成通氣孔40。第2圖顯示另一實施例，在 將矽基板12上表面以保護層45保護及經由一黏著劑42與一第 -一承載晶圓44黏合後，從梦基板12之下表面經由一光阻遮罩 丄 UZ08：) 4曰6對石夕基板η進行RIE或DRIE製程48，形成通氣孔4〇。但 •疋石夕，板厚度-般約有微米左右，縱然經製造裎序多次研磨 y還剩下大於_微米的厚度。要將此厚度触冑，不論是從正 面或背面進行，都是一個費時的製程。 因此’應該仍需要-種新穎的刷^裂置結構及其製法， 以方便的製造此等裝置。 八 【發明内容】 本毛明之一目的是提供一種新穎的]VIEMS裝置及其製法， 以便利的製造此等裝置。 ” 於本發明之—方面，本發明之細奶裝置包含有一基板； EMS ’、、。構’ 5又置於基板上；以及—通氣結構，設置於基板

播結構位於基板的同一面上，通氣結構與擺MS結 冓IW者-第-敍刻停止結構互相緊鄰。赃_結構包含有至少 电極叹置於基板t或絲上；及—微型金屬網，設置於基板 上ΓΓΓ金屬網與基板之間形成―第—空室。通氣結構包含有 一金屬層，設置於基板上方，金朗與絲 _ 經㈣—侧停止結構二方=: 通’及減個通氣孔，貫穿金屬層而與第二空室相連通。 於本發明之另一方面 8 1^52685 板MEMS、.，。構’设置於基板上，以及-通氣結構，設置於 • 土板上” MEMS結構位於基板的同一面上。通氣結構與懸 結構隔著H娜止結獻姆鄰。MEMS結構包含有至 V電極π置於基板中或基板上；及—微型金屬網設置於基 板上方微型i屬網與基板之間形成一空室。通氣結構包含有至 (氣孔〃被® _停止結構或—第二侧停止結構所圍 、凡八中4至）-通乳孔經由該第—㈣停止結構及該第二银刻 • 停止結構之下方與該空室相連通。

於本發明之又-方面，本發明之製造舰廳裝置之方法包 括下列步驟。提供-基底，其包含有一 MEMS區域、及一通氣 孔區域(vemh〇ieregion)鄰接於MEMS區域，廳Ms區域之基板 中或基板上設置有-電極。於基底上形成複數個層間介電層。於 複數個層間介電層之-層間介電層中形成—微型金屬網，並對庫 於廳區域之電極上方，微型金屬網不位於底層層間介電声 及頂層層間介電層。於對應於微型金屬網之上方的—層間介電^ 中形成-金屬硬遮罩。於通氣孔區域與廳廳區域之間之複數 個層間介電層之-較低層中往上至頂層層間介電層為止依序交 替堆疊複數個金屬層與複數個渠狀插塞以形成一第—餘刻停止 結構’但第-姓刻停止結構的底部係高於底層層間介電層及τ不高 於微型金屬網。於通氣孔區域之複數個層間介電層之—較低層往 上至-較高种依序交替堆4複數個金屬層與複數個渠二插^ 以形成H刻停止結構，但第二_停止結構的底部高魏 9 13-52685 層層間介電層’第二⑽停止結構為網格狀。進行—釋放製程， 以移除MEMS區域及通氣孔區域之複數個層間介電層 .MEMS區域形成一鏤空的微型金屬網，於通氣孔區域之第一及 .第二蝕刻停止結構之網格形狀中形成至少一通氣孔，及使第一及 第一蝕刻停止結構之下方被蝕空。於微型金屬網上塗覆一振動 膜。 與習知之技術比較之，本發明之MEMS裝置具有側向之通 氣孔，並且，通氣結構與MEMS結構是設置於基板的同一面， 在製造時，可使通氣孔的釋放製程與MEMS結構金屬網的釋放 製程從基板的同一面同時進行，並且，所進行的是介電層(例如 氧化矽)的蝕刻’因此蝕刻製程所需的時間相對於矽的蝕刻較 短，製造便利。並且與MOS等邏輯結構之製程整合容易。 【實施方式】 下述舉出具體實施例來說明本發明。 第3及4圖顯示依據本發明之MEMS裝置之一具體實施 例。第3圖顯示其示意頂視圖。如第3圖所示，MEMS裝置50 可包括一 MEMS區域102及一通氣孔區域1〇4，並可進一步包 括一邏輯區域106。MEMS區域102設置有一 MEMS結構52， 例如微麥克風裝置或微揚聲器裝置等等。通氣孔區域1〇4設置有 一通氣結構54 ’其包括例如通氣孔74，形成而貫穿於複數層圖 案化之金屬層(所示為第五金屬層M-5)及渠狀插塞(所示為第五 10 13-52685

濩環，可將其設置成圍繞住MEMS區域， 區域，以於釋放製裎中保護 MEMS區域以外之結構， 此種結構在美國專利申請案第 •讓6,286號(與本案具有相同之申請人與相同之發明人)說明書 中有清楚說明，將其全文併人本文以供參考。 曰 帛4圖顯示第3圖之赃祕裝置沿著AA，線段之剖面示意 圖。如第4圖所示，本發明之MEMS裝置5〇，包含有一基板料、 - MEMS結構52設置於基板64上之MEMS區域1〇2，以及-L氣'、·σ構54 a又置於基板64上之通氣孔區域，與MEMS結 φ 構52位於基板64的同一面上。通氣結構54與MEMS結構52 隔著一蝕刻停止結構的互相緊鄰。MEMS結構52包含有至少 一電極結構68及微型金屬網70。電極結構68，設置於基板64 上。於其他之實施例中，也可以設置於基板中。微型金屬網7〇 "又置於基板64上方，與基板64有一距離。微型金屬網7〇與基 板64之間形成一個空的空室72。微型金屬網7〇可塗覆一振動 膜78。通氣結構54包含有至少一通氣孔74,其被蝕刻停止結構 66或一蝕刻停止結構％所圍繞。通氣孔74可有複數個，可呈 陣列狀排列。蝕刻停止結構66底部與蝕刻停止結構76底部與基 1352685 板64有—段距離，俾使通氣孔74與空室72 振動膜78振動時，可擠壓空室72之空 \通如此在 ‘流動至通氣孔74排出。 一擠廢的空氣可側向 應注意的是，第4圖所示之蝕刻停止社 數個金屬層(例如第一金屬膚M]、第二全屬及76各包括複 層-3、第四一第五金屬 及複數個渠狀插塞(例如第一渠狀插塞v_卜巨^叩） 第二渠狀插塞V-3、第四渠狀插v 土 V2 β 乐五渠狀插塞V-5)互相 :=;:Τ結構66及76之底部不高於微型_ H 且亭止結構66之底部不與基板 64連接’例如，第4圖中，钱刻停止結構66及76並不由所謂 接觸插塞開始製作而接觸基板’而是由第一金屬潛則開始製 # 作。以此方式，使得在層間介電層釋放後，空室72與通氣孔％ 叮通過蝕刻停止結構66及76而相連通。 ，,可叹置另蝕刻停止結構圍繞整個MEMS結構 52與通氣結構54的外圍，做為保護環的功能，防止應MS結 構52與通㈣⑼则結構麵放製針損壞，例如侧停 止、U冓82及8G，其係從第—層間介電層胁〗開始進行渠狀接 觸插塞的設置’然後往上交替堆4金屬層與渠狀插塞所形成。 Μ_ & 1 5G可進一步包括一邏輯結構設置於基板64上 12 ^52685 之邏輯區域H)6 ’與MEMS結構52位於基板 通氣結構54與MEMS結構52之—者與邏輯=一面上。 止結構80相鄰。第5及6圖顯示配置之實 &者一钱刻停 於只是於臟S結料之-側形成，也可;構54不限

區域而形成。邏輯結構62則可僅與通氣結構54 ;二繞MEMS _MS結構52相鄰，或是與細峨結構％ 相不與 包含有-金助連線結構。金屬㈣線。·結構可 層、插塞、及層間介電層。 T。括魏個金屬 ，上述，_停止結構66之配置是使得其底料高於微型 金屬網70及通氣孔74二者，及不與基板&連接。詳士之，若 微型金屬網7〇是顧第三金屬層Μ领製得，_^止结ς 66可由第一層金_ Μ心第二層金屬層'或第三層金屬 層M-3開始製造。故而，通氣孔74可設置於第三層金屬層曰m_3、 φ 第四層金屬層M_4、第五層金屬層M_5、或是頂層金屬層M_Top。 通氣孔74的位置則設置在不低於微型金屬網7〇，及不低於 蝕刻停止結構66之底部之金屬層内。如此，可利用蝕刻停止結 構66與蝕刻停止結構76、或蝕刻停止結構76與蝕刻停止結構 80所圍成的二間而形成。例如，第4圖顯示通氣孔％是設置於 頂層金屬層Μ-Top，及通過由頂層金屬層M-T0p、金屬層My 至M-5及渠狀插塞ν-丨至v_5所構成之蝕刻停止結構％，而形 成開口。第7圖則顯示另一具體實施例。於裝置55中， 13 通氣孔74曰< m 第四金屬金屬層M_4,及通過由第三金屬層則、 '形成開^ 私狀插塞V-3所構成之綱停止結構％，而 8圖通第氣 = ㈣孔㈣繼她，其卜例可參閱第 圖所不<MEMS裝置85之通氣結構84之% 圖。通二〇==⑽顺之询面 再者’通氣結構的通氣孔健並無特別限 示之職S裝置9。之示意剖面圖，其通氣結構二^ 侧狀通纽86，_—金觸料。_職孔86具=一 的Ι^αΓ狀通氣孔86下方並無進-步的_停止結構 、。又· /、土板64有一段距離，形成一空的空室92,其盥办 66 J 72 於製造本發明之碰㈣裝置時，可單獨製得咖 通氣結構、及邏輯結構，但是健·半導縣_金屬内連線 製程’自對應的同-金屬層一起製得，較為便利與經濟第 】】至】顿_之-翅實施例進—步_本翻之製造細^ 裝置之方法。如第u圖所示，提供一基板64，例如半導體基板， 1352685 其又可為例如矽基板。基板64包含有一 MEMS區域1〇2、及一 通氣孔區域104鄰接於MEMS區域1〇2，可進一步包含一邏輯 區域106。MEMS區域1〇2之基板上設置有電極結構68，其係 由間極69及位於閘極69與基板64之間的閘極介電層71所構 成。 接著，如第12圖所示，進行一金屬内連線製程，即，依序 _ 於基板64上形成-第一層間介電層江⑸，於第一層間介電層 ILD-1上形成一圖案化之第一金屬層μ」，其構成蝕刻停止結構 之#刀，在第一金屬層Μ-1上形成一第二層間介電層ILD_2， 在第一層間介電層ILD-2巾形錢數個渠狀介質孔，及填入插塞 材料形成第-渠狀插塞V]’底部接觸第—金屬層M_卜層間介 電層材料可為例如氧化石夕，可利用例如習知之沉積製裎製得。金 屬層可利關如f知之銅製程或!g製程製得，亦可使用鑲嵌或雙 籲賴製程。以相同方式形成第二金屬層M_2層疊於第一渠狀插 塞V]上、及依序形成第三層間介電層ILD_3、第二渠狀插塞 V-2。接著，形成圖案化之第三金屬層M_3。第三金屬層⑹進 -步於MEMS區域102中包括一微型金屬網之圖案。以相同方 式形成第四《介電層ILD_4、第三渠狀插終3僅位於触刻停 止結構之第三金屬層M-3上，圖案化之第四金屬層此4層疊於 第三渠狀插終3上、第五層間介電層删、第四渠狀插 V-4。然後，形成圖案化之第五金屬層M_5，其進一步包括一土 為触刻用的金屬硬遮單77的部分位於對應於微型金屬網70的上 15 =然後形成第六層間介電層ILD_6，在第六層間介電層ILD6 /形成:复數個第五渠狀_ v_5，底部接觸第五金制Μ。然 後於第”層間介電層ILD_6上形成圖案化之頂層金屬層 Μ-Top，使接觸第五渠狀插塞v_5。 應/主思的疋’MEMS結構與通氣結構之間的侧停止結構， 底。p與基板至少要有一段距離，但不一定如上述從第一層間介電 •層的上表面開料造’岐可視需求喊，俾使此侧停止結構 的底部不高於微型金屬網，也不高於通氣孔即可。 可同時糊上述製程以製造邏輯區域1〇6的M〇s元件或金 屬=連線結構。因此’於本發明巾，金屬層及和介電層厚度及 材貝可”白知之層間介電層結構之金屬層及層間介電層相同或 類似。另外，須注意的是，當製造圍繞MEMS區域與通氣孔區 籲域的飯刻停止結構時，應由第—層間介電層開始製造渠狀接觸插 塞(contact)，然後往上製造連續堆疊的金屬層與渠狀插塞，俾以 形成完整的蝕刻停止結構，達到保護功能。 接著，請參閱第13 ®，進行一釋放製程。首先，對細⑽ 區域1〇2及通氣孔區域1〇4進行„異向性的深反應離子餘刻製 之氧化魏侧製程，分別以第五金屬層M_5之金屬硬遮罩、^ 及頂層金屬層m_Tgp為料，對各賴介㈣進彳该刻， 停止於基板64上，侧出開口 79及開口 81。然後進入: J 金屬 16 1352685 除殘留的金屬硬遞罩77。接著，請參閱第Μ •列;r L __氣制製程’使用例如氫敦酸银 =咖MS區域102的各層間介電層及通氣孔區域1〇4 =層^電層’但是位於_停止結構66、％ _間介電 $不會被細。如此，在MEMS _ _ 與基板64具有一距離，而成為 才=，錢_域⑽形成通氣孔74，並與空室72 最後’於微型金屬網7〇上弗赤 絪70如下曰Μ⑭ 成動膜78以覆蓋微型金屬 •勝即可付到依據本發明之Mems褒置％，如第*圖所示之 結構。當振動膜為矽材質時，亦可 拟㈣w 兀7於Μ型金屬網之圖案化金屬層 开4後即軸之’域在_進行釋轉_，料是 關係，並不會隨著氧化石夕材質的钮刻而被钱除。 第15及丨6圖!_據本發明之製_Μ_之方法之 示意圖。在通氣孔是網狀通氣孔86的情形， 是:狀氣孔於MEMS結構&及通氣結構54上，由於 t=%即使尚未凝固_膜材料，也不會掉： 通祕的開π中。然後，請參閱第16圖 各到赚 化之光阻層93,露出通氣結構5 氣=上形成—圖案 將其鋪㈣。再將一剝除二=: 1352685 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範 .圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】

第1及2圖顯示習知技術之製造MEMS裝置金屬網之二個 實施例之示意圖。 第3圖顯示依據本發明之MEMS裝置之一具體實施例之示 意頂視圖。 不 第4圖顯示第3圖之MEMS裝置沿著AA，線段之示意剖面 圖。 第5及6圖分別顯示依據本發明之MEMS結構、通氣結構、 與邏輯結構的配置之二個實施例之示意圖。 一立第7圖顯示依據本發明iMEMS裝置之另一具體實施例之 弟8圖顯示依據本發明之MEMS裝置之又一具體實施 頂視圖。 第9圖顯示第8圖之MEMS裝置沿著BB’線段之示意剖面 一第圖顯示依據本發明之MEMS裝置之仍又一具體實施 之示意剖面圖。 第11至14圖顯示依據本發明之製造MEMS裝置之方法之 18 1352685 一具體實施例之示意圖。 第15及16圖顯示依據本發明之製造MEMS裝置之方法之 另一具體實施例之示意圖。

【主要元件符號說明】 12 石夕基板 14 第一介電層 16 第一金屬層 18 微型金屬網 20 第二介電層 22 第二金屬層 24 製程 26 第三介電層 28 第三金屬層 32 頂層介電層 34 黏著劑 36 承載晶圓 38 光阻層 40 通氣孔 42 黏著劑 44 承載晶圓 45 保護層 46 光阻遮罩 48 製程 50 MEMS裝置 52 MEMS結構 54 通氣結構 55 MEMS裝置 62 邏輯結構 64 基板 66 1虫刻停止結構 68 電極結構 69 閘極 70 微型金屬網 71 閘極介電層 72 空室 74 通氣孔 76 名虫刻停止結構 77 金屬硬遮罩 78 振動膜 79 開口 19 1352685

80 1虫刻停止結構 82 飯刻停止結構 85 MEMS裝置 88 通氣結構 92 空室 102 MEMS區域 106 邏輯區域 M-2 第二金屬層 M-4 第四金屬層 M-Top 頂層金屬層 V-2 第二渠狀插塞 V-4 第四渠狀插塞 ILD-1 第一層間介電層 ILD-3 第三層間介電層 ILD-5 第五層間介電層 81 開口 84 通氣結構 86 網狀通氣孔 90 MEMS裝置 93 光阻層 104 通氣孔區域 M-1 第一金屬層 M-3 第三金屬層 M-5 第五金屬層 V-1 第一渠狀插塞 V3 第三渠狀插塞 V-5 第五渠狀插塞 ILD-2 第二層間介電層 ILD-4 第四層間介電層 ILD-6 第六層間介電層 20

Claims (1)

1. 十、申請專利範圍： h —種微機電系統(MEMS)裝置，包含有： 一基板； -MEMS結構，設置於該基板上，該她應結構包含有： 至少—電極’設置於該基板中或該基板上，及 一微型金屬網’設置於該基板上方，該微型金屬網與該基板 之間形成一第一空室；以及 •=氣結構，設置於該基板上，與該_廳結構位於該基板的 同一面上，該通氣結構與該MEMS結構隔著一第一姓刻停止於 構互相緊鄰，該通氣結構包含有： 一，屬層，設置於該基板上方，該金屬層與該基板之間形成 第二至，且該第二空室與該第一空室經由該第一蝕刻停 止結構之下方相連通，及 複數個通氣孔(vent _，貫穿該金屬層而與該第二空室相連 • 通。 士申°月專利㈣* 1項之MEMS裝置，其中該等通氣孔排列 成陣列狀。 3. 如申凊專利範圍第1項之MEMS裝置，其中該MEMS結構之 微型金屬網塗覆—振動臈。 4. 如申凊專利範圍第1項之MEMS裝置，其中該第-触刻停止 21 —構，括複數個麵層及減個渠狀插塞互滅替堆疊，而該第 餘刻彳τ止結構之底部不高於該微型金屬網及該通氣孔二者，及 不與4基板連接’俾使該m與該第二空室相連通。 5·如申晴專利範圍第1項之MEMS裝置，進一步包括一第二蝕 刻停止結構圍繞該MEMS結構與該通氣結構。 6.如申請專利範圍第1項之MEMS裝置，進一步包括一邏輯結 構設置於該基板上’與該MEMS結構位於該基板的同一面上， 該通氣結構及該MEMS結構之至少一者與該邏輯結構隔著一第 三蚀刻停止結構相鄰，該邏輯結構包含有一金屬内連線結構，該 金屬内連線結構包括複數個金屬層、複數個插塞、及複數個層間 介電層。 7. 如申請專利範圍第6項之MEMS裝置，其中該MEMS結構之 微变金屬網與該邏輯結構之金屬内連線結構之其中一金屬層是 由同一金屬層製得。 8. 如申請專利範圍第7項之MEMS裝置，其中該MEMS結構之 微塑金屬網與該邏輯結構之金屬内連線結構之一第三金屬層是 由同一金屬層製得。 9. 如申請專利範圍第6項之MEMS裝置，其中該通氣結構之金 22 13-52685

   屬層與該邏輯結構之金屬内連線結構之其中—金屬層 金屬層製得。 日疋 二如申請專利範圍第9項之MEMS裝置，其中該通氣結構之 金屬層與該邏輯結構之金屬内連線結構之最上層金屬° —金屬層製得。 9 ° • :1. *申請專利範圍第6項之MEMS裝置，其中該通氣結構位於 該MEMS結構與該邏輯結構之間。 12.如申請專利範圍第6項之MEMS裝置，其中該通氣結構與 該邏輯結構各緊鄰該MEMS結構。 13· —種微機電系統(MEMS)裝置，包含有： —基板； 一 MEMS結構，設置於該基板上，該MEMS結構包含有. 至少一電極’設置於該基板中或該基板上，及 —微型金屬網’設置於該基板上方，該微型金屬網與該基 板之間形成一空室；以及 一通氣結構，設置於該基板上，與該MEMS結構位於該基板的 同一面上，該通氣結構與該MEMS結構隔著一第一蝕刻停止結 構互相緊鄰，該通氣結構包含有至少一通氣孔，其被該第一|虫刻 停止結構或一第二蝕刻停止結構所圍繞，其中該至少一通氣孔經 23 丄妁2685 由戎第一蝕刻停止結構及該第二蝕刻停止相連通。 結構之下方與該空 室 1《如申請專利範圍第13項之MEMS裝置 至少一通氣孔係包括複數個通氣孔排列成_。構之 It申—請專利範㈣13項之廳啊置，其中該通氣結構之 以至^ 一通氣孔為多格金屬網孔。 其中該MEMS結構 16.如申請專利範圍第13項之MEMS裴置， 之微型金屬網塗覆一振動膜。 7.如申請翻範圍第13項之MEMS裝置，其中該第—餘刻停 ，結構包括複數個金屬層及複數觸狀插塞互相交替堆疊，而該

   第-_停止結構之底料高於纖型金屬網及該至少一通氣 孔二者，及不與該基板連接，俾使該空室與該至少—通氣孔相連 通。 18.如申請專利範圍帛13項之ΜΕ·裝置，進一步包括一第三 蝕刻停止結構圍繞該MEMS結構與該通氣結構。 19·如申請專利範圍第13項之MEMS裝置，進一步包括一邏輯 姑構設置於絲板上，無細敗_位於縣板的同一面 上，該通氣結構及該MEMS結構之至少一者與該邏輯結構隔著 24 1352685 一第二蝕刻停止結構相鄰，該邏輯結構包含有一金屬内連線結 構，忒金屬内連線結構包括複數個金屬層、複數個插塞、及複數 個層間介電層。 2〇·如申凊專利範圍第19項之MEMS聚置，其中，該MEMS 結構之微型金屬網與該邏輯結構之金屬内連線結構之其中一金 屬層是由同一金屬層製得。 21.如申請專利範圍第20項之MEMS裝置，其中，該MEMS 結構之微型金屬網與該邏輯結構之金屬内連線結構之一第三金 屬層是由同一金屬層製得。 22·如申請專利範圍第19項之MEMS裝置，其中，該第一钱刻 止結構各包括複數個金屬層及複數個渠狀插塞互相交替堆 疊，而該第一蝕刻停止結構之底部不高於該微型金屬網及該至少 通氧孔二者，及不與該基板連接，俾使該空室與該至少一通氣 孔相連通，職第停止結構之錢層及渠狀插塞之至少— 者是與該邏賴構之金屬叫線結_金制及減之至少— 者疋同'層。 23.如申請專利範圍第19項之^ ^ ^ 、之MEMS裝置，其中§亥通氣結構位 於該MEMS結構與該邏輯結構之間。 25 1352685 从如。申請專利範圍第19項之MEMS裳置，其中該通氣結構與 忒邏輯結構各緊鄰該MEMS結構。 .25. —種製造微機電系統(MEMS)裝置之方法，包括： 提供-基底，其包含有一 MEMS區域、及—通氣孔㈣响區 域鄰接於該MEMS區域，該MEMS區域之基板中或基板上設置 有一電極； # 於該基底上形成複數個層間介電層； 於該等層間介電層之一層間介電層中形成一微型金屬網，其對應 於該MEMS區域之電極上方，該微型金屬網不位於該等層間介 電層之底層及頂層； 於對應於5亥微型金屬網之上方的一層間介電層中形成一金屬硬 遮罩； 於該通氣孔區域與該MEMS區域之間之該等層間介電層之一較 • 低層中往上至該等層間介電層之頂層中依序交替堆疊複數個金 屬層與複數個渠狀插塞以形成一第一钱刻停止結構，使該第一敍 刻停止結構的底部高於該等層間介電層之底層及不高於該微型 金屬網； 於該通氣孔區域之該等層間介電層之一較低層中往上至該等層 間介電層之一較高層中依序交替堆疊複數個金屬層與複數個渠 狀插塞以形成一第二蝕刻停止結構，使該第二餘刻停止結構的底 部高於該等層間介電層之底層，該第二|虫刻停止結構為網格狀； 進行一釋放製程’以移除該MEMS區域及該通氣孔區域之該等 26 1352685 層間介電層，俾以於該MEMS區域形成一鏤空的微型金屬網， 於該通氣孔區域之該第一及該第二蝕刻停止結構之網格形狀中 形成至少一通氣孔，及使該第一及第二蝕刻停止結構之下方被蝕 空；及 於該微型金屬網上塗覆一振動臈。 26^如中請專利範圍第25項之方法，其中該通氣結構之至少一 通氣孔進一步為一網狀通氣孔。 ^如申請專利範圍第26項之方法，其中於該微型金屬網上塗 振動膜之步驟，係於該微型金屬網與該纟戰通氣孔上形成該 振動臈，再驗於該峨通氣孔上的振動膜移除。 28.如申請專利範圍第2 拉〇 ，射和了轉放製程以同 時形成該至少-通氣孔及該微型金屬網。 29·如申請專利範圍第25項之方法，進一 停止結構同步於該純均成—邏輯結構 步包括與該第一蝕刻 接於該通氣孔區域c 鄰 27