1352415 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種半導體裝置，特別係有關於— 種無外接腳式半導體封裝構造。 【先前技術】 無外接腳式半導體封裝構造是利用一晶片承座承載 晶片並以導線架之導腳電性連接晶片，以導腳之下表面 φ 作為對外電性連接’故不需要由封膠體側邊往外延伸之 外接腳，例如導腳排列在晶片承座四周邊之四方爲平無 外接腳封裝（Quad Flat Nonleaded，QFN)以及導腳排列 在晶片承座兩對應側邊之薄小外形無外接腳封裝（Thin Small Outline Nonleaded，TSON)。為了達到良好的散熱 效能，晶片承座應具有良好導熱性並使其尺寸遠大於晶 片。因此，整體半導體封裝構造無法縮小封襄尺寸。此 外，會有沖線與分層的問題。 •請參閱第1圖所示，習知無外接腳式半導體封裝構 造100包含一晶片承座110、複數個導腳120、一晶片 130、複數個金屬線140以及一封膠體丨50。該晶片承 座110係具有一黏晶表面111以及一散熱表面112，通 常該黏晶表面ill係等於或微大於該散熱表面112，用 以黏設該晶片130。該些導腳120係排列在該晶片承座 110之周邊，並每一導腳120具有一上表面m以及一 下表面122。該晶片丨30係具有複數個電極131 ’並利 用一黏晶膠1 6 〇之黏貼’使該晶片1 3 0設置在該晶片承 6 1352415 座110上。該些金屬線140係打線形成並電性連接該晶 片130之該些電極131至該些導腳12〇之該上表面 121。該封膠體150係密封該晶片13〇與該些金屬線 140，並顯露該晶片承座110之該散熱表面112以及該 些導腳120之該下表面122。請參閱第1圖所示，依散 熱需求的提咼’該晶片承座110必須更大於該晶片 120，造成該晶片130之該些電極131與該些導腳120 的距離增加，並且該無外接腳式半導體封裝構造1〇()之 尺寸無法縮小。當連接在該些電極131與該些導腳12〇 之間的金屬線140的長度越長，在該封膠體15〇之形成 過程中越容易產生沖線問題。又金屬線14〇係為昂貴的 高純度金線’其長度越長則封裝成本越高。此外，在熱 循環試驗中，在該晶片承座 110之黏晶表面111在該 片120之外的區域與該封膠體15〇之間的界面容易產生 分層。 【發明内容】
與電性接觸至晶片承座。
體封裝構造，以便於 目的係在於提供一種無外接腳式半導 以便於黏晶膠流入導腳之延長接指與晶片 7 1352415 , > . 承座之縫隙。 . 本發明之另—目的係在於提供一種無外接腳式半導 體封裝構造以阻擋黏晶膠流佈至延長接指之打線表 面。 本發明之另一目的係在於提供一種無外接腳式半導 體封裝構造，以阻擋黏晶膠流佈至晶片承座之顯露表 面。 本發明之另一目的係在於提供一種無外接腳式半導 _ 體封裝構造，避免B曰片承座在晶片周邊產生應力分層。 本發明之另一目的係在於提供一種無外接腳式半導 體封裝構造’避免黏晶膠外露。 本發明之另一目的係在於提供一種無外接腳式半導 體封裝構造’避免產生封穋氣泡。 本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方 案來實現的。依據本發明所揭示之一種無外接腳式半導 體封裝構造，主要包含一晶片承座、複數個導腳、一晶 籲 片、複數個金屬線以及一封膠體。該晶片承座係具有一 内層圖案與一外層圖案，其中該内層圖案係小於該外層 圖案，以致使該内層圖案之周邊形成複數個缺口。每一 導腳係具有一延長接指與一外接墊，其中該些延長接指 係延伸至該些缺口内並局部重疊於該外層圖案之周 邊。該晶片係設置於該晶片承座之該内層圖案上，該晶 片係具有複數個電極。該些金屬線係連接該晶片之該些 電極與該些導腳之該些延長接指。該封膠體係密封該晶 1352415 片與該些金屬線並電性絕緣地結合該些導腳與該晶片 承座，但顯露該些導聊之該些外接墊與該晶片承座之該 外層圖案。 本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術 措施進一步實現。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，可另包含一 黏晶膠，其係形成於該晶片與該内層圖案之間。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該黏晶膠係 可更形成於該些缺口内並黏著接觸該些延長接指。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該内層圖案 與該些缺口之間係可形成為倒斜角。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該些延長接 指係可具有位於該些缺口内之一第一截面銳角。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該晶片承座 之該外層圖案係可具有一位於該封膠體底面之第二截 面銳角。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該些金屬線 之材質係可包含金。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該些延長接 指之厚度係可小於該晶片承座之厚度之二分之一。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中’該晶片承座 之該内層圖案之厚度係可大於該外層圖案之厚度。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該晶片承座 之該内層圖案之面積係可大致與該晶片之設置表面相 9 1352415 等並且該内層圖案之周邊係為銘窗狀。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該封膠體係 可填滿該些外接墊與該外層圖案之間的縫隙。 在則述之無外接腳式半導體封裝構造中，該些外接墊 與該外層圖案之間的縫隙係可大於該些延長接指與該 外層圖案之縫隙。 在前述之無外接腳式半導體封裝構造中，該些導腳在該 些延長接指與該些外接墊之間係可形成有一内凹弧角。 【實施方式】 依據本發明之一具體實施例，請參閱第2圖所示， 具體揭示一種無外接腳式半導體封裝構造200,主要包 3日日片承座210、複數個導腳22〇、一晶片230、複 數個金屬線240以及一封膠體25〇。其中，該晶片承座 210與該些導腳22〇係可由一導線架取得並具有相同材 質，以降低製造成本。該晶片承座21〇與該些導腳22〇 之材質係可為易於蝕刻之金屬，例如銅、鐵或其合金。 晴參閱第2、3及4圖所示，該晶片承座21〇係具有 内層圖案211與一外層圖案212。其中，該内層圖案 1 1係小於該外層圖案2〗2 ’以致使該内層圖案2丨丨之 周邊形成複數個缺口 213 (如第5、6及7圖所示）。在本 實施例中’該内層圖案211之形狀如第3圖所示；該外 Q案212之形狀如第4圖所示。該晶片承座21〇係可 為倒τ形。該内層圖案2丨丨係作為與該晶片23〇黏貼之 内表面’其係可概呈矩形，以供該晶片23〇之設置。請 10 1352415 參閱第2及3圖所示，較佳地，該晶片承座210之 層圖案211之面積係可大致與該晶片230之設置表 等並且該内層圖案211之周邊係為鋸齒狀，可以減 内層圖案211在該晶片230之外的周邊面積，以避 晶片承座210在該晶片230周邊的區域與該封膠體 產生應力分層。在本實施例中，該晶片230之設置 即為該晶片230之背面，以黏貼至該内層圖案21 1 具體地，該晶片承座210之該内層圖案211之厚度 大於該外層圖案212之厚度。請參閱第5及6圖所 該些導腳220係排列在該晶片承座210之周邊。 請參閱第2圖所示，每一導腳2 20係具有一延 指221與一外接墊222。該外接墊222具有一外表 顯露於該封膠體25〇之底部’以供對外接合。該延 指22 1之厚度係小於該外接墊222之厚度》在本實 中，該延長接指221之厚度係可小於該外接墊222 度之二分之一。該延長接指221之長度係可大於該 墊222之長度。並且，如第6及7圖所示，該些延 指22 1係延伸至該些缺口 2 1 3内並局部重疊於該外 案212之周邊。因此’該些導腳220之截面係可呈 n形，即橫置L形（如第7圖所示），並往該内層圖案 之方向延伸（如第 2圖所示）而局部重疊在該外層 212之上。在本實施例中，該些延長接指221之厚 該外層圖案212之厚度以及由該些延長接指221至 層圖案2 1 2之垂直縫隙S2係可為相等，以使該些 該内 面相 少該 免該 250 表面 〇更 係可 示， 長接 面， 長接 施例 之厚 外接 長接 層圖 r或 211 圖案 度、 該外 延長 1352415 接指221之厚度概為該些導腳220之厚度的三 ’不與該外層圖案212電性接觸。 請參閱第2圖所示，該晶片230係設置於 座210之該内層圖案211上，該晶片230係具 電極231，例如銲墊，其係形成於主動面。該 係以該些電極231遠離該晶片承座210之方式 晶片承座2 10上，該些電極23 1係可位於該晶 主動面之周邊。在本實施例中，可利用一黏晶 _ 著該晶片230之一背面至該内層圖案211，以 為該晶片230之設置表面。 請參閱第2圖所示，該些金屬線2 4 0係連 230之該些電極231與該些導腳22〇之該些 2 2 1 ’以達到該晶片2 3 〇與該些導腳2 2 0之間 接。s玄些金屬線240係可為打線形成，其打線 形成方式係可以超音波接合、熱壓接合或熱超 • 等方式將該些金屬線之兩端連接在該晶片 導腳220以形成電性連接。在本實施例中，該 2 40係為金線。因此，利用該些延長接指221 金屬線240對該些導腳22〇的連接點，該些名 的長度可以有效縮短’以降低封裝成本以及种 請參閱第2圖所示，該封膠體25〇係密封寫 與該些金屬線240並電性絕緣地結合該些導胸 晶片承座210，但顯露該些導腳22〇之該些対 與該晶片承座210之該外層圖案212。該封膠 分之一且 該晶片承 有複數個 晶片230 設置於該 片230之 膠260黏 該背面作 接該晶片 延長接指 的電性連 接合點的 音波接合 230與該 些金屬線 改變該些 -屬線240 線風險。 :晶片230 220與該 接墊222 體250之 1352415 * 形成方式係可選自於模封（或稱轉移成形）與印刷等方 . 法之其中之一。由於該封膠體250係顯露該外層圖案 2 12,又該外層圖案212的面積能大幅擴大而與該些導 腳220局部重疊，故該外層圖案212能將該晶片2切所 產生的熱能傳遞至外界，以增加散熱效果。較佳地，該 些導腳220在該些延長接指221與該些外接墊222之間係 可形成有一内凹弧角223，用以導引該封膠體25〇以避免 _ 在空隙填充時產生孔隙與氣泡。 因此’藉由局部縮小該晶片承座2丨〇之設計（即該内 層圖案2 1 1小於該外層圖案2丨2)以及該些延長接指22 i 係延伸並重疊於該外層圖案2 i 2，能在維持一定的散熱 致能之條件下，有效縮短該些金屬線2 4 0之長度，以降 低元件成本與沖線風險並可避免該内層圖案211在該 晶片230周邊的區域產生應力分層，亦可縮小整體封裝 尺寸°該無外接腳式半導體封裝構造2〇〇可更適用於尺 籲 寸較小之晶片。並且’該外層圖案2 1 2係顯露於該封膠 體250’故可增進該晶片承座21〇之散熱效能。請同時 參閱第1與2圖’本發明之該晶片承座21〇之戴面係為 倒T形’習知晶片承座！ i 〇為τ形，本發明之晶片承座 210之外層圖案212之外露面積遠大於習知結構，故本 發明之無外接腳式半導體封裝構造2〇〇相較於習知無 外接腳式半導體封裝構造更具有較佳地散熱效果。 請參閱第2圖所示，在本實施例中，該黏晶膠260， 可形成於該晶片230與該内層圖案211之間。該黏晶膠 13 1352415 260係可利用網印或針筒點膠等方法塗佈在該晶片承座 210之該内廣圖案211上，用以黏貼該晶片23〇輿該内 層圖案2 11。該黏晶膠26〇係可選自於B階膠體與液感 膠之其中之一。較佳地，該黏晶膠2 6 〇係可更形成於該 些缺口 213内並黏著接觸該些延長接指221，利用固化 後之該黏晶膠2 6 0固定該些延長接指2 2 1，以避免打線 晃動並接觸該外層圖案212。光佳地，該内層圖案211 之周邊至該些缺口 2 1 3之間係可形成為倒斜角2 1 4 ’有 助於該黏晶膠260流入該些導腳220之該些延長接指 22 1與該晶片承座2 10之缝隙S2。請參閱第7圖所示’ 該些延長接指221係可具有位於該些缺口 213内之〆第 一截面銳角224，用以阻擋該黏晶膠260流佈至·該座延 長接指221之打線表面。請再參閱第7圖所示，該晶片 承座210之該外層圖案212係可具有一位於該射膠體 2 5〇底面之第二截面銳角215，用以阻擋該黏晶膠260 流佈至該外層圖案212之顯露表面。 請再參閱第7圖所示，較佳地，該些外接墊222與 該外層圖案2 1 2之間的縫隙S1係可大於該些延長接指 221與該外層圓案212之縫隙S2 ’以避免該黏晶膠26〇 流至上述縫隙S 1。該封膠體250係可填滿該些外接墊 222與該外層圖案2丨2之間的縫隙s卜以避免該黏晶膠 260外露（如第2圖所示）。 以上所述’僅是本發明的較佳實施例而已，並非對 本發明作任何形式上的限制，本發明技術方案範圍當依 14 工352415 所附申請專利範圍為準。任何熟悉本專業的技術人員可 利用上述揭示的技術内容作出些許更動或修飾為等同 變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的内 容’依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡 單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的 範圍内。 【圖式簡單說明】
第1圖：習知無外接腳式半導體封裝構造之截面示意圖。 第2圖：依據本發明之—具體實施例，一種無外接腳式 半導體封裝構造之戴面示意圖。 第3圖：依據本發明之一具體實施例，該無外接腳式半 導體封裝構造之晶片承座之内層圖案示意圖。 第4圖：依據本發明之一具體實施例，該無外接腳式半 導體封裝構造之晶片承座之外層圖案示意圖。 圖依據本發明之一具體實施例，該無外接腳式半 導體封裝構造在設置晶片之前所使用導線架之平 面示意圖。 第6 依據本發明之一具體實施例，該無外接腳式半 導體封裝構造在設置晶#之前之導線架局部示意 第 圖.依據本發明之一且魏眘始η '、體實施例，該無外接腳式半 導體封裝構造沿第6圖7_7剖 Γ ± ^ d切碌之截面不意圖。 1主要兀件符號說明】 園 ⑽半導體封裝構造 15 1352415 110 晶片承座 111黏晶表面 112 散熱表面 120 導腳 121上表面 122 下表面 130 晶片 131電極 140 金屬線 150封膠體 160 黏晶膠 200 無外接腳式半導體封裝構造 210 晶片承座 211内層圖案 212 外層圖案 213 缺口 214倒斜角 215 第二截面銳角 220 導腳 221延長接指 222 外接墊 223 内凹弧角 224第一截面銳角 230 晶片 231電極 240 金屬線 250封膠體 260 黏晶膠 SI 縫隙 S2 縫隙
16