1352369 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種電子發射器件及其製備方法，尤其涉 及一種基於奈米碳管的熱發射電子器件及其製備方法。 【先前技術】 從1991年曰本科學家Iijima首次發現奈米碳管以來 (請參見 Helical microtubules of graphitic carbon, Nature, 參Siimio Iijima, v〇l 354, p56(1991))，以奈米碳管為代表的奈 米材料以其獨特的結構和性質引起了人們極大的關注。近 幾年來，大量有關其在電子發射器件、感測器、新型光學 材料、軟鐵磁材料等領域的應用研究不斷被報導。 先前的電子發射器件依據電子發射原理的不同，可以 分為熱發射電子器件和熱發射電子器件。先前技術中的熱 發射電子器件，包括一絕緣基底，複數個電子發射單元設 置於該絕緣基底上，及複數個行電極引線與複數個列電極 引線设置於該絕緣基底上。其中，所述的複數個行電極引 線”複數個列電極引線分別平行且等間隔^置於絕緣基底 士。所述複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交又 Γ置且在仃電極弓1線與列電極引線交又處由—介質絕緣 層隔離，以防止短政。生L k 相鄰的列電極引線开成=相鄰的行電極引線與每兩個 、’’ V成凋格，且每個網格定位一個電子 射::電子發射單元包括-行電極與-列電極及 電極對應且間該行電極與列電極上。該行電極與列 1352369 、 先前技術中的熱發射電子器件通常包括複數個單個熱 .電子發射單元組裝而成。熱電子發射單元一般包括一熱電 —·子發射體和兩個電極^所述熱電子發射體設置於兩個電極 之間並與所述兩個電極電接觸。通常採用金屬、硼化物材 料或者氧化物材料作為熱電子發射體材料。將金屬加工成 帶狀或者極細的絲，通過焊接等技術將金屬固定到所述兩 個電極之間。或者將以硼化物材料或者氧化物材料製成的 鲁漿料直接塗覆或者等離子噴塗在一加熱子上；通過焊接等 技術將加熱子固定到所述兩個電極之間。然而，由於製備 工藝和熱電子發射體材料所限制，很難將複數個單個熱電 子發射單元集成為熱發射電子器件，而不能實現發射性能 均勻一致且具有複數個熱電子發射單元的大面積陣列形式 的平面顯示裝置。而且，以金屬、硼化物材料或者鹼土金 屬碳酸鹽材料製作的熱電子發射體難以做到較小的尺寸， 從而限制了其在微型器件方面的應用。由於含金屬、硼化 鲁物材料或者鹼土金屬碳酸鹽材料的塗層具有相當高的電阻 率’所製備熱電子發射單元在加熱而發射時產生的功耗比 較大，限制了其對於快速開關的响應，因此不適合於高清 晰度和高亮度的應用。 有雲於此，提供一種具有優良的熱發射性能，可用于 同清晰度和高亮度的平板顯示和邏輯電路等複數個領域的 熱發射電子器件及其製備方法實為必要。 【發明内容】 一種熱發射電子器件’其包括：一絕緣基底；複數個 1352369 行電極引線與列電極引線分別平行且等間隔設置於絕緣基 底上，該複數個行電極引線與複數個列電極引線相互交= 設置，每兩個相鄰的行電極引線與每兩個相鄰的列電 線形成-個網格，且行電㈣線與列電極引線之間電絕 緣；複數個熱電子發射單元，每個熱電子發射單元對應， 個網格設置，每個熱電子發射單元包括一第一電極、: =電極和一熱電子發射體’該第一電極與第二電極間隔設 置於母個網格t，訪別與料行電㈣線和㈣極 電連接，所述熱電子發射體與所述第—電極和第二電極 連接，所述熱電子發射料—奈米碳㈣膜結構。 一種熱發射電子器件的製備方法，其包括以下步驟. 提供-絕緣基底；在該絕緣基底上製備複數個平 隔設置的行電極引線與列電極引線’且每兩個相鄰的行‘ 極引線與列電極引線相互交叉形成一網格；在上述網格中 複數個第一電極與複數個第二電極，且每個網格 一電極與一第二電極;形成-奈米 碳官薄膜結構覆盍上述含有電極和電極引線的絕緣基底上 作為熱電子發射體；切割並去除多餘的奈米碳管薄膜社 構：保留每個網格中覆蓋所述第一電極與第二電極的二： 碳管薄膜結構，從而得到一熱發射電子器件。 '、 與先前技術相比較’所述的熱發射電子器件及 方法可通過鋪設覆蓋奈米碳管薄膜結構製備複數個均 佈的熱電子發射單it，方法簡單。因採用奈米碳管薄^ 故具有優異的熱電子發射性能。而且，所述奈米碳管薄膜 1352369 結構電阻率低，在較低的熱功率下即可實現熱電子的發 - ^ 射，降低了所述熱發射電子器件在加熱時發射電子而產生 的功耗，可用于高清晰度和高亮度的平板顯示和邏輯電路 等複數個領域。 【實施方式】 以下將結合附圖詳細說明本技術方案熱發射電子器件 及其製備方法。 請參閱圖1，本技術方案實施例提供一種熱發射電子 器件200，包括一絕緣基底202，複數個熱電子發射單元 220設置於該絕緣基底202上，及複數個行電極引線204 與複數個列電極引線206設置於該絕緣基底202上。所述 複數個行電極引線204與列電極引線206分別平行且等間 隔設置於絕緣基底202上。所述複數個行電極引線204與 複數個列電極引線206相互交叉設置，而且，在行電極引 線204與列電極引線206交叉處設置有一介質絕緣層 鲁216，該介質絕緣層216將行電極引線204與列電極引線 206電隔離，以防止短路。每兩個相鄰的行電極引線204 與每兩個相鄰的列電極引線206形成一網格214，且每個 網格214定位一個熱電子發射單元220。 所述複數個熱電子發射單元220對應設置於上述網格 214中，且每個網格214中設置一個熱電子發射單元220。 每個熱電子發射單元220包括一第一電極210, 一第二電 極212，及一奈米碳管薄膜結構208。每一行的網格214 中的第一電極210與同一行電極引線204電連接，每一列 1352369 =二叫的第二電極212與同一列電極引線2〇6電連 袼214 ^電極210與第二電極212間隔設置於每個網 f2心，並與所述奈米碳管薄膜結構綱電連接。所述 薄膜結構綱至少部分通過所述第—電極21〇與 一厂電極212與絕緣基底搬間隔設置。本實施例中，同 订的熱電子發射單元22()中的第—電極2ig與同一行電 一引線綱電連接，同—列的熱電子發射單元220中的第 一電極212與同一列電極引線2〇6電連接。 :述的絕緣基底202為一絕緣基底，如陶£基底、玻 f基底、樹脂基底、石英基底等。絕緣基底2〇2大小與厚 又不限’本領域技術人員可以根據實際需要選擇。本實施 例中’絕緣基底202優選為-玻璃絕緣基底，其厚度為大 於1毫米’邊長大於1厘米。進一步’所述絕緣基底皿 的表面具有複數個對應於所述網格214設置的凹槽。該凹 槽等大且等間隔地分佈於所述絕緣基底2〇2表面。所述夺 米碳管薄膜結構208通過所述絕緣基底2〇2表面的凹槽= 二述絕緣基底202間隔設置，從而不會將加熱所述奈米碳 官薄膜結構208而產生的熱量傳導進大氣中，使所述熱發 射電子器件200具有優異的熱電子發射性能。 所述複數個行電極引線204與複數個列電極引線2〇6 為一導電體，如金屬層等。本實施例中，該複數個行電極 引線204與複數個列電極引線206優選為採用導電漿料印 刷的平面導電體，且該複數個行電極引線2〇4與複數個列 電極引線206的行距和列距為300微米〜5〇〇微米。該行電
11 < S 1352369 極引線204與列電極引線206的寬度為3〇微米〜1〇〇微米， 厚度為10微米〜50微米。本實施例中，該行電極引線2〇4 與列電極引線206的交叉角度為1〇度到9〇度，優選為9〇 度。本實施例中，通過絲網印刷法將導電漿料印刷於絕緣 基底202上製備行電極引線2G4與列電極引線裏。該導 電漿料的成分包括金屬粉、低熔點玻璃粉和粘結劑。其中， 該金屬粉優選為銀粉，該钻結劑優選為松油醇或乙基纖維 素。該導電聚料中’金屬粉的重量比為5〇〜9〇%，低溶點 玻璃粉的重量比為2〜1G%，钻結劑的重量比為1〇〜4〇%。 所述第一電極210與第二電極212為一導電體，如金 屬層等。本實施例中，該第-電極21〇與第二電極212為 一平面導電體，其尺寸依據網格214的尺寸蚊。該第一 和第二電極212直接與上述電極引線連接，從而 實現電連接。所述第-電極21〇與第二電極212的長度為 0:米〜90微米’寬度為3〇微米〜6〇微米’厚度為忉微 所述第一電極210與第二電極212之間的間 =為150微米〜微米。本實施例中，所述第一電極 二與第二電極212的長度優選為6〇微求，寬度優選為 210、愈^ ^選為2〇微米。本實施例中，所述第一電極 印刷：ί Μ的材料為導電襞料，通過絲網印刷法 /^緣基底202上。該導電襞料的成分與 線所用的導電漿料的成分相同。 电不5丨 所述奈米碳管薄臈結構包括一奈米 夕兩個重疊設置的奈米碳管薄 、- 目屬膜該奈米碳管薄膜中的
12 1352369 、一奈米碳管沿同一方向擇優取向排列。所述單層奈米碳管薄 膜中的奈米碳管沿從所述第一電極210向所述第二電極 —212延伸的方向排列。所述重疊設置的奈米碳管薄膜中相 鄰的兩個奈米碳管薄膜中的奈米碳管的排列方向具有一交 又角度cx，0%c^9〇。。所述奈米碳管薄膜包括複數個首尾 相連且擇優取向排列的奈米碳管束，相鄰的奈米碳管束之 間通過凡德瓦爾力連接。該奈米碳管束包括複數個長度相 鲁等且相互平行排列的奈米碳管，相鄰奈米碳管之間通過凡 德瓦爾力連接。 本技術方案實施例中，由於採用CVD法在4英寸的 基底上生長超順排奈米碳管陣列，並進行進一步地處理得 到一奈米碳管薄膜，故該奈米碳管薄膜的寬度為〇 〇1厘米 〜10厘米，厚度為10奈米〜1〇〇微米。所述奈米碳管薄膜 可根據實際需要切割成具有預定尺寸和形狀的奈米碳管薄 膜。可以理解，當採用較大的基底生長超順排奈米碳管陣 釀列時，可以得到更寬的奈米碳管薄膜。上述奈米碳管薄膜 中的奈米碳管為單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管或者多壁奈 米石厌官。當奈米碳管薄膜中的奈米碳管為單壁奈米碳管 時該單壁奈米碳管的直徑為0.5奈米〜50奈米。當奈米 反笞薄膜中的奈米碳管為雙壁奈米碳管時，該雙壁奈^碳 :，直徑為1.〇奈米〜5〇奈米。當奈米碳管薄膜中的奈米 碳管為多壁奈米碳管時，該多壁奈米碳管的直徑為U奈 米〜50奈米。所述奈米碳管薄膜結構208與第一電極21〇 和第二電極212的電連接方式可以為通過一導電膠電連 13 1352369 '接’也可以通過分子間力或者其他方式實現。 、 另外，所述熱發射電子器件200的每個熱電子發射單 兀220可以進一步包括至少一固定電極設置於所述第一電 ，210和第二電極212，將所述奈米碳管薄膜結構2〇8固 定於所述第一電極210和第二電極212。 請參閱圖2,本技術方案實施例提供一種上述熱發射 電子器件200的製備方法，具體包括以下步驟： φ 步驟一：提供一絕緣基底2〇2。 所述的絕緣基底202為一玻璃絕緣基底。進一步，通 過刻蝕在所述絕緣基底202表面形成複數個等大且等間隔 設置的凹槽。 步驟一.在該絕緣基底202上製備複數個平行且等間 隔設置的行電極引線204與列電極引線2〇6，該行電極引 線204與列電極引線2〇6交又設置，且每兩個相鄰的行電 極引線204與每兩個相鄰的列電極引線2〇6相互交又形成 鲁一網格214。 可以理解’也可以在所述絕緣基底202上形成複數個 網格214後再通過刻蝕在所述絕緣基底2〇2表面形成複數 個等大且等間隔設置的凹槽。該複數個凹槽分別與複數個 網格214對應並設置於所述絕緣基底2〇2上。 可以通過絲網印刷法、蒸鍵法或濺射法等方法製備複 數個灯電極引線204與複數個列電極引線2〇6。本實施例 中，採用絲網印刷法製備複數個行電極引線204與複數個 列電極引線206,其具體包括以下步驟： 14 C S ) 丄妁2369 ' 首先，採用絲網印刷法在絕緣基底202上印刷複數個 平行且等間隔設置的行電極引線2〇4。 .· 其次，採用絲網印刷法在行電極引線204與待形成的 幻電極引線206交叉處印刷複數個介質絕緣層216。 最後，採用絲網印刷法在絕緣基底202上印刷複數個 平行且等間隔設置的列電極引線2〇6，且複數個行電極引 線204與複數個列電極引線2〇6才目互交叉形成複數個網格 214 ° 可以理解，本實施例中，也可以先印刷複數個平行且 等間隔設置的列電極引線施，再印刷複數個介質絕緣層 216，最後印刷複數個平行且等間隔設置的行電極引線 204，且複數個行電極引線2〇4與複數個列電極引線2恥 相互交叉形成複數個網格214。 步驟三：在所述絕緣基底202上製備複數個第一電極 210與複數個第二電極212，在每個網格214中間隔設置一 鲁第一電極210與一第二電極212。 。又 製備複數個第一電極210與第二電極212可以通過絲 網印刷法、蒸鍍法或濺射法等方法實現。本實施例中，採 用絲網印刷法製備在每一行的網格214中行電極弓丨線2〇4 上製備一第一電極210,該第一電極210與同一行電極引 線204形成電連接；通過絲網印刷法、蒸鍍法或濺射法在 每一列的網格214中列電極引線206上製備一第二電極 212，該第一電極212與同一列電極引線2〇6形成電連接。 所述第一電極210與第二電極212之間保持一間距，用於 15 設置奈米碳管薄臈結構208 e所 丨叹·第—電極210盘第二雪 極212的厚度大於行電極引線2 /、 声，α_丄 與列電極引線206的厚 度，以利於後續步驟中設置奈米 饰站 ,-.,, 唧g溥膜結構208。可以 理解’本實知例中，也可以將所印刷的 應的列電極引線206直接接觸，從杳 且莜丧蜩從而實現電連接，第二電 極212與對應的行電極引線2〇 且筏接觸，從而實現電連 接0
步驟四：形成一奈米碳管薄膜結構期 電極和電極引線的絕緣基底加上作為熱電子發射體。 所述形成-奈米碳管薄膜結構2〇8覆蓋上述含有電極 和電極引線的絕緣基底皿上作為熱電子發射體的方法具 體包括以下步驟： (1)製備至少一奈米碳管薄膜。 首先，提供一奈米碳管陣列，優選地，該陣列為超順 排奈米碳管陣列。 籲 ㈣施例中’奈米碳管陣列的製備方法採用化學氣相 ^積法，其具體步驟包括：（a)提供—平整基底，該基底 可選用P型或N型矽基底，或選用形成有氧化層的矽基 底本實轭例優選為採用4英寸的矽基底；（b)在基底表 面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用鐵（h )、 錄（Co )、鎳（Ni )或其任意組合的合金之一；（c )將上 述形成有催化劑層的基底在700°C〜900°C的空氣中退火約 3〇分鐘〜90分鐘；（d)將處理過的基底置於反應爐中，在 保護氣體環境下加熱到50(TC〜74(TC，然後通入碳源氣體 C S > 16 1352369 反應約5分鐘~30分鐘’生長得到奈米碳管陣列，其高度 大於100微米。該奈米碳管陣列為複數個彼此平行且垂直 •於基底生長的奈米碳管形成的純奈米碳管陣列。該奈米碳 管陣列的面積與上述基底面積基本相同。通過上述控制生 長條件’該超順排奈米碳管陣列中基本不含有雜質，如無 定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。 上述碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烧等化學性質較活 鲁潑的碳氫化合物’本實施例優選的碳源氣為乙炔；保護氣 體為氮氣或惰性氣體，本實施例優選的保護氣體為氬氣。 可以理解，本實施例提供的奈米碳管陣列不限於上述 製借方法，也可為石墨電極恒流電弧放電沈積法、 蒗 發沈積法等。 ^ 其-人’採用一拉伸工具從奈米碳管陣列中拉取獲得一 奈米碳管薄膜。 該奈米碳管薄膜的製備具體包括以下步驟：（a)從上 _述奈米碳管陣列中選定一定寬度的複數個奈米碳管片斷， 本實施例優選為採用具有一定寬度的膠帶接觸奈米碳管陣 列以選定一定寬度的複數個奈米碳管束；（b)以一定速度 =基本垂直于奈米碳管陣列生長方向拉伸複數個該奈米^ 官束’以形成一連續的奈米碳管薄臈。 在上述拉伸過程中，該複數個奈米碳管束在拉力作用 下&拉伸方向逐漸脫離基底的同時，由於凡德瓦爾力作 用，該選定的複數個奈米碳管束片斷分別與其他奈米碳管 束片斷首尾相連地連續地被拉出，從而形成一奈米碳管薄 17 1352369 膜f奈米兔管薄膜包括複數個首尾相連且定向排列的奈 米碳=束，且複數個首尾相連且定向排列的奈米碳管束形 成:米碳官線。該奈米碳管束包括複數個平行排列的奈 米碳官，且奈米碳管的排列方向基本平行于奈米碳管薄膜 的拉伸方向。 (2)將上述至少一奈米碳管薄膜鋪設於上述含有電極 和電極引線的絕緣基底2〇2上形成一奈米碳管薄膜結構 208 ° 所述將至少一奈米碳管薄膜鋪設於所述含有電極和電 極引線的絕緣基底202的方法包括以下步驟：將一奈米碳 管薄膜或者至少兩個奈米碳管薄膜平行且無間隙沿從所述 第電極210向所述第二電極212延伸的方向直接鋪設於 所述含有電極和電極引線的絕緣基底2〇2的表面。進一步 還可將至少兩個奈米碳管薄臈依據奈米碳管的排列方向以 一父又角度α重疊鋪設於所述含有電極和電極引線的絕緣 φ基底202的表面，〇%α$9〇。。 可以理解，所述將至少一奈米碳管薄膜鋪設於所述含 有電極和電極引線的絕緣基底2〇2的方法還可以包括以下 步驟·提供-支樓體；將至少兩個奈米碳管薄膜平行且無 間隙沿從所述第一電極210向所述第二電極212延伸的 向直接鋪設於所述支樓體表面’得到一奈米碳管薄膜結構 208 ;去除支稽體外多餘的奈米碳管薄膜；採用有機溶劑處 理該奈米峻官薄膜結構208 ;將使用有機溶劑處理後的奈 米碳管薄膜結構208從所述支樓體上取下，形成 ^ 18 c S ) 1352369 、的奈米碳管薄膜結構208 ;將該奈米碳管薄膜結構2〇8鋪 設於所述含有電極和電極引線的絕緣基底202的表面。進 一步還可將至少兩個奈米碳管薄膜依據奈米碳管的排列方 向以一交又角度α重疊鋪設於所述支撐體表面， 0°S〇^90°。由於本實施例提供的超順排奈米碳管陣列中的 奈米碳管非常純淨，且由於奈米碳管本身的比表面積非常 大，所以該奈米碳管薄膜本身具有較強的粘性，該奈米碳 暴官薄膜可利用其本身的粘性直接粘附於支撐體。 本實施例中，上述支撐體的大小可依據實際需求確 定。當支撐體的寬度大於上述奈米碳管薄膜的寬度時，可 以將至少兩個奈米碳管薄膜平行且無間隙或/和重疊鋪設 於所述支撐體，形成一自支撐的奈米碳管薄膜結構2〇8。 一本實施例令，由於本實施例步驟四中提供的超順排奈 米碳管陣列中的奈米碳管非常純淨，且由於奈米碳管本身 的比表面積非常大，所以該奈米碳管薄膜結構本身具有較 籲強的㈣。該奈米碳管薄膜可利用其本身的枯性直接枯附 於所述含有電極和電極引線的絕緣基底2〇2的表面。或者 在所述所述含有電極和電極引線的絕緣基底2〇2的表面塗 敷一層導電膠；將至少-奈米碳管薄膜於整個含有電極和 電極引線的絕緣基底202上，使所述至少一奈米碳管薄膜 與所述含有電極和電極引線的絕緣基底2〇2的表面電連 接，將大於絕緣基底202面積的奈米碳管薄膜剪去。 一本實施例令，進一步包括採用絲網印刷法製備至少一 固定電極（圖中未顯示）設置於所述第—電極細與第二電 19 < S ) 1352369 極212，將奈米碳管薄膜結構208牢固地固定於所述第一 電極210第二電極212上。 另外，本實施例還可進一步在將奈米碳管薄膜直接鋪 設於所述含有電極和電極引線的絕緣基底形成一奈米碳管 薄膜結構208的步驟之後採用有機溶劑處理該奈米碳管等 膜結構208。具體的，可通過試管將有機溶劑滴落在所述 奈米碳管薄膜結構208表面浸潤整個奈米碳管薄膜結構 籲208。或者，也可將奈米碳管薄膜結構2〇8整個浸入盛有有 機溶劑的容器尹浸潤。該有機溶劑為揮發性有機溶劑如 乙醇、甲醇、賴、二氣乙貌或氣仿，本實施财優選採 用乙醇。該奈米碳管薄膜經有機溶劑浸潤處理後，在揮發 '^機溶劑的表面張力的作用下’奈米碳管薄膜結構咖 中的平行的奈米碳管片斷會部分聚集成奈米碳管束，因 此，該奈米碳管薄膜表面體積、，純降低，且 好的機械強度及韌性，應用右 八 ^ 膜性能更加優異。』有機騎丨處理後的奈米碳管薄 步驟五·切割並去除多餘的 保留每個網格214中覆蓋 “ 4膜、〜構208， 212的奈米碳管薄膜結構，從—，21G與第二電極 2〇〇。 從而侍到一熱發射電子器件 所述切割並去除多餘 為雷射燒㈣或電子束碳管薄膜結構通的方法 射燒钱法切_述奈 2 °本實施例中，優選採用雷 步驟： 、反B溥膜結構208，具體包括以下 20 1352369 疋寬度的雷射光束沿著每個行電 204進行掃描。該步驟 丁电極Μ線 乂驟的目的係去除不同行的電極（包括 第一電極210與第-雷杌。n、 、匕栝 遍m+ )之間的奈米碳管薄膜結構 八 〔雷射光束的寬度等於位於不同行的兩個彳目 鄰的第二電極212夕P卩认日日 丁刃两個相 ^ 之間的仃間距離，為100微米〜500微米。 206谁:旙^用一定寬度的雷射光束沿著每個列電極引線 進仃知描，去除不同列的電極（包括第-電極210與 第-電極212)之間的奈米碳管薄臈結構剔。從而保留每 個:格f14中覆蓋所述第一電極210與第二電極212的奈 米碳管薄膜結冑2〇8。其中，所述雷射光束的寬度等於位 於不同列的兩個相鄰的第一電極21〇之間的行間距離，為 100微米〜500微米。 ㈤本實施例令，上述方法可以在大氣環境或其他含氧的 裒境下進行。採用雷射燒餘法去除多餘的奈米碳管，所用 的雷射功率為10瓦〜50瓦，掃描速度為10毫米/分鐘〜1000 #毫米/分鐘。本實施例中，優選地，雷射功率為3〇瓦掃 描速度為100毫米/分鐘。 與先前技術相比較，所述的熱發射電子器件具有以下 優點：其一，採用奈米碳管薄膜作為熱電子發射體，該奈 米碳管薄膜中的奈米碳管均勻分佈，所製備的熱發射電子 器件可以發射均勻而穩定的熱電子流；其二，奈米碳管薄 膜與絕緣基底間隔設置，絕緣基底不會將加熱所述奈米碳 官薄膜而產生的熱量傳導進大氣中，故所製備的熱發射電 子器件的熱電子發射性能優異；其三’所述奈米礙管薄膜 21 Ϊ352369 結構的尺寸小可直接鋪設覆蓋所述電極， 器件中熱電子發射單元的微型化，從而。現熱發射電子 高亮度的平板顯示和邏輯電路等複數個清晰度和 綜上所述，本發明確已符合發明利之要 提出專利申請。惟，以上所述者僅為太恭】之要件遂依法 工所义有偟為本發明之較佳實施例， 自不能以此限制本案之中請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝 之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵 蓋於以下申請專利範圍内。
C S > 22 1352369 【圖式簡單說明】 r' 圖1係本技術方案實施例的熱發射電子器件的結構示 > •意圖。 圖2係本技術方案實施例的熱發射電子器件的製備方 法的流程示意圖。 【主要元件符號說明】 熱發射電子器件 200 絕緣基底 202 行電極引線 204 列電極引線 206 奈米碳管薄膜結構 208 第一電極 210 第二電極 212 網格 214 介質絕緣層 216 熱電子發射單元 220 23