TWI345270B - A semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

134*5270 九、發明說明：

【發明所屬技術領域;J 相關申請案的交叉引述 本申請案係基於並主張於2006年7月18日提申在先之 5日本專利申請案2006-195054之優先權，其全部内容併入本 文中作為參考資料。 發明領域 本發明係有關一種包含一種用於預防濕氣侵入一種晶 片的防潮環之半導體裝置’以及該半導體裝_置的一種製造 !〇 方法。 發明背景 第1圖是一種半導體裝置的一種橫截面圖。如第1圖中 所顯不的’ §亥半導體裝置包含被形成於一種半導體晶圓1上 I5 之主動元件’例如. 一種MOS電晶體2、一種導體所構成的 一種配線層3、一種插頭5，以及層間絕緣薄膜4。 第2圖是一種平面圖，其顯示具有一種完全相同的電路 圖案之多數個積體電路6(在下文中被提及為晶片）被形成於 一種單一晶圓1上的情形。此一晶圓1沿著被提供介於該等 2〇 晶片6之間的該切割線7而被切成小方塊以藉此分割豆等成 為個別的晶片。在藉由切割加工而被分割的各晶片6的側壁 表面，該層間絕緣薄膜4 ’例如：被顯示於第1圖中的，的 橫截面係被暴露。該層間絕緣薄膜4，例如：氧化;ε夕，具有 自空氣中吸收濕氣的本質。設若濕氣自該晶片6的側壁表面 5 自外。p空氣進入内部，導體所構成的一種配線層3和一種 插頭被腐蝕的問題產生以及該積體電路的特性從而惡化。 以一種防潮環環繞晶片6的外周邊的技術是已知的。此 種防潮環連續不斷地係的沿著個別的晶片6的外周邊被 形成俾以擋住濕氣含量可以進入該晶片6的途徑。 第3圖是於一種晶圓上形成的多數個晶片之一種部分 放大的平面圖。各晶片6包含元件，例如：一種m〇s電晶體、 一種具有一種配線層的内部電路8被形成的一個區域，以及 —種環繞該内部電路8形成的防潮環9。一條切割線7係被提 供介於晶片6之間。 第4圖是沿著第3圖中的線A-A'之一種橫截面圖。於該 内部電路8區域中的晶圓1之表面上，一種m〇S電晶體2係被 形成。並且，於該内部電路8的區域中，一種多層配線結構 係被形成，其包括被連接至該MOS電晶體2之配線層L1至L6 以及連接該等配線層之插頭P1至P6。介於該等配線層之 間’層間絕緣層D1至D8係被形成。於該層間絕緣薄膜D8 上’ 一種鈍化薄膜20係被形成。 該防潮環9係由該等防潮環導體圖案（conductor pattern) LSI至LS6之一種層壓層，其係由與該等配線層L1至L6完全 相同的一種傳導層所構成，以及該等防潮環導體圖案PS1 至PS6組成。 該防潮環9具有與該内部電路8之多層配線結構完全相 同的一種層的結構，以及也可以利用本技藝中一般的加工 與該内部電路8同時地被形成。於許多情況中，該防潮環係 1346270 被固定至一種預定的電位，例如：大地電位。 研究已經引導進入藉由如下方式構成之一種裝置，使 用多數個同一的晶片被形成的一種半導體製程而結合多數 個晶片與該晶圓上的配線，代替以切割加工分割晶片。 5 第圖5(A)和5(B)是於一種晶圓上、藉由配線以連接多 數個晶片的方法之解釋圖。第5(A)圖是一種供用於製造裝 置的標線片（reticle)，於其上每個晶片要分別地被切成小方 塊。該標線片l〇a包括一種内部電路圖案8被形成的區域以 及一條切割線7的區域。多數個具有一種同一的電路圖案之 10 晶片係利用該標線片10a而被形成於該晶圓上。該切割線7 係被形成介於該等晶片之間以及各晶片係藉由切割加工予 以分割。 第5(B)圖是一種供用於製造一種單一裝置的標線片， 其係藉由以配線連接該晶圓上之相鄰的晶片。該内部電路8 15 的結構係與被顯示於第5(A)圖中的該標線片之該内部電路 8的完全相同。在該切割線7的一部件上被提供的區域8c 中，該連接配線係被形成以連接相鄰的晶片。晶片對晶片 連接配線係藉由使用標線片10b而與該内部電路8的配線同 時地形成。於此事例中，切割並未沿著介於晶片之間的該 20 切割線7來執行。 於此說明書中，一種藉由分別地分割晶片而構成的裝 置被稱為一種單芯裝置，而一種藉由以包含多數個晶片的 單元而分割晶片所構成的裝置被稱為一種多芯裝置。 在工作期間，半導體裝置的一個製造者係依照來自使 7 13+5270 用者的需求而被要求製造單芯裝置或多芯裝置。準備需要 的標線片組俾以在一個短的時間期間内實現製造和標線片 的供應對於製造者是值得嚮往的，即使在一種單芯或多芯 裝置要求可能發出的事例中。 5 為了一種單芯裝置的製造，製備包括一種環繞各晶片 之防潮環圖案的一組標線片是必須的。舉例而言，於一種 具有6層的配線之裝置的事例中，大約15個用於配線加工的 標線片是必須的。關於一種多芯裝置的防潮環結構的修飾 是必須的，以及不同於單芯裝置所使用的那些標線片之一 10 組的標線片必須要準備。大約15個配線必須的標線片必須 要額外地準備。 就此，必須用於單芯裝置和多芯裝置2者的製造之一組 標線片總計大約是30個標線片，以及用於此等標線片的製 備所需要的成本變得非常昂貴。 15 【發明内容】 發明概要 依照本發明的一種態樣，一種半導體裝置包括多數個 晶片，其包含分別地環繞該等多數個晶片之多數個第一防 潮環，一種環繞全體的多數個晶片之第二防潮環，以及一 20 種用於連接該等多數個晶片至彼此的配線。 圖式簡單說明 第1圖是相關技藝中的一種慣用的半導體裝置的一種 橫截面圖； 第2圖是一種平面圖，其顯示多數個包括一種同一的電 8 Ι3Φ5270 路圖案之積體電路係被形成於一個晶圓上的狀態； 第3圖是一種平面圖，其顯示被形成於一個晶圓上的多 數個晶片之一放大部件； 第4圖是沿著第3圖中的線A-A'之一種橫截面圖； 5 第5(A)和（B)圖是顯示供使用於一種方法中的標線 片，其係用於形成單芯裝置和用於在該晶圓上以配線連接 用於形成多芯裝置之多數個晶片； 第6(A)-(C)圖係顯示於本發明的第一個實施例中之防 潮環的佈局之外觀的圖； 10 第7(A)-(E)圖是加工圖，其顯示沿著第6(B)圖中的線 A-A'之橫截面圖； 第8圖是沿著第6(B)圖中的線A-A'之一種橫截面圖； 第9圖是沿著第6(B)圖中的線B-B’之一種橫截面圖； 第10圖是沿著第6(C)圖中的線C-C’之一種橫截面圖； 15 第11圖是沿著第6(C)圖中的線D-D’之一種橫截面圖； 第12圖疋顯不·^種配線層的·種虛擬圖案之圖， 第13 (A) - (C)圖是顯示本發明的第二個實施例之圖； 第14圖是沿著第13(B)圖中的線A-A’之一種橫截面圖； 第15(A)-(C)圖是顯示本發明的第三個實施例之圖； 20 第16(A)-(C)圖是顯示本發明的第四個實施例之圖； 第17圖是顯示本發明的第五個實施例之一個圖。 I：實施方式3 較佳實施例之詳細說明 [第一個實施例] 9 於一種單芯裝置的製造中，切割係沿著介於該第一内 . 。卩電路和該第二内部電路之間的切麟予以實施。—種第 v 防騎和第二防潮環係各別被連續不斷地形成以環繞該 第一内部電路和該第二内部電路。 Μ • 5 於—種多芯裝置的製造中，-種第-孔徑係被提供給 . 料―防_的-部纽-種第二隸係被提供給該第: 防潮環的-部件，以及用於連接該等第一和第二内部電路 • 之連接配線係經由該第一和第二孔徑而形成。該第_内部 電路和該第二内部電路構成該多芯裝置而不沿著被分配於 10該第一内部電路和該第二内部電路之間的該切割線被切斷 且^刀離。一種第三防潮環連續不斷地環繞該第一内部電 路、第二内部電路，和連接配線。 於製造一種單芯裝置的事例中，該第一防潮環圍繞該 第一内部電路以及該第二防潮環圍繞該第二内部電路以預 15防濕氣的侵餘。並且，於製造一種多芯裝置的事例中該 • 第三防潮環圍繞該第一内部電路、第二内部電路，和連接 配線以預防濕氣的侵蝕。藉由利用防潮環的此佈局，一種 單芯裝置和一種多芯裝置2者均能自一組比相關技藝中所 使用的標線片為較少的標線片而被製造。 20 第6(AHC)圖係顯示防潮環的佈局之圖。第6(A)圖顯示 具有一種同一的電路結構、被包括於一個射域(shot)内之多 數個晶片。一個射域意指以單一暴露照射的晶圓上的一個 區域，於暴露晶圓上的標線片的事例中，其等係藉由一種 步進機予以移動。於此實施例中，2個相鄰的晶片係被使用 10 來製造一種多芯裝置。 參見第6(A)圖，提供一種第一内部電路u，一種被提 供以環繞該第-㈣電路U的—麵域之第_防潮環13, —種鄰接該第-内部電純之第二内部電仙，一種被提 供以壤繞該第二⑽電路12的—麵域之第二防潮環^， 一條被提供介於該第-防潮環13和該第二防潮㈣之間的 切割線16，以及-種環繞該第—防潮環13、第二防潮環14 和切割線16之第三防潮環15。 第6(B)圖顯示-種利用該防潮環的佈局而製造的單芯 裝置。第6(C)關示-種_該_環的佈局而製造的多 芯裝置。 於該單芯裝置中，該第-防潮環13係連續不斷地被形 成環繞該卜内部電路㈣獲得充分的_的特性以保護 該第-内部電路。同樣地，該第二防潮物係連續不斷地 被形成環繞該第二内部電路12。 於製造-種多这裝置的事例中，該第一内部電路狀 该第二内部電路12係以一種連接配線17予以連接。該第三 防潮環15係連續不斷地被形成環繞該第一内部電路η、第 二内部電路12和連接§&線17以獲得充分的防潮的特性。此 多芯裝置可以只，如同務後會解釋的，藉由修飾用於製造 該單芯裝置的多數個標線片的一部件而被製造。 第7(A)至7(E)圖是沿著第6(B)圖中的線Α_Α，之橫截面 圖。供用於製造一種皁芯裝置之方法將被解釋。 於第6(B)圖中之線Α-Α，橫穿過内部電路丨丨的區域、該 1345270 第一防潮環13在兩處’以及該第三防潮環15在一處。然而， 於第7 (A)至7 (E)圖中，將只參照該第一防潮環丨3的_處以及 該内部電路11的區域之橫截面做出闡釋。 於第7(A)圖中，元件隔離區40、41係以，舉例而言，STI 5 (淺溝槽隔離）方法於該晶圓1的該内部電路11被形成的區域 中予以形成。於以該等元件隔離區40、41所界定出之一個 主動區域中，一種以30 nm的閘極長度，舉例而言，之m〇s 電晶體2係被形成。並且’於該内部電路1丨的區域中，一種 包括被連接至該MOS電晶體2之一種配線層和一種插頭的 10 多層配線結構係被形成。 於第7(B)圖中’ 一種絕緣薄膜D1係，舉例而言，以CVD (化學氣相沉積）方法而被沈積於該晶圓1的整個表面。一種 氧化矽薄膜、一種低介電常數薄膜’例如：Si〇F薄膜，或 SiOC薄膜能被使用作為此種絕緣薄膜d卜接著，一種要形 15成一種插頭的接觸孔C1係被形成至該絕緣薄膜1)1。該絕緣 薄膜D1選擇性地，舉例而言，以乾式蝕刻法被移除，以及 —種直徑50 nm的接觸孔C1也被形成以暴露該河〇3電晶體 2的一種電極。 以相同的蝕刻加工，一種防潮環的—個溝cu係被形成 2〇於6亥曰曰片的周圍的該絕緣薄膜11之内。該防潮環之溝c 11 的寬度合意地係被設定為與該接觸孔(^的直徑相同的程 度。 於第7(c)圖中，一種傳導層係被沈積於該接觸孔〇1内 以形成該插頭，和該防潮環的該溝C11以及於該絕緣薄膜 12 1345270 D1上。之後，被沈積於該絕緣薄膜D1上之插頭P1的傳導展 係，舉例而言，以CMP(化學機械研磨）法予以移除。以此力 工，該插頭P1係被形成於該接觸孔C1之内。同時地，讀防 潮環導體圖案PS1係被形成於該溝C11之内。鎢、鋁，彳 5 可以被使用作為傳導層。並且，CVD法和濺鍍法或者類似 物能被使用作為薄膜形成法。 一種配線層L1和一種防潮環導體圖案LSI係被形成於 該絕緣薄膜D1上。作為該配線層L1和防潮環導體圖案Lsi 之傳導層’鋁和銅可以被使用。於銅被使用作為該傳導層 10 的事例中’ 一種配線層係以嵌刻（damascene)法予以形成。 於第7(D)圖中，一種絕緣薄膜D2首先被沈積於整個表 面上。作為該絕緣薄膜D2，一種低介電常數薄膜，例如： 氧化矽薄膜，SiOF薄膜，和si〇C薄膜能被使用於在下面的 絕緣薄膜D1的事例中。之後，一種配線槽C2和一種防潮環 15 溝C12係以一種触刻加工予以形成。 於第7(E)圖中’一種傳導性薄膜係被沈積於該配線槽 C2，防潮環槽C12之内和於該絕緣薄膜D2上。之後，於該 絕緣薄膜D2上的傳導性材料以CMP法予以移除，以及和且 一種鋼構成的配線層L1係被形成於該配線槽C2之内。同時 20地’一種防潮的傳導性圖形LSI係被形成於該防潮環槽C12 内。 相似的加工被重複以形成一種具有一種多層配線結構 之内部電路11和一種第一防潮環丨3 ^以相同的加工，一種 第三防潮環15也被形成，縱然其並未被圖示於於第7(A)至 13 1345270 7(E)圖中。關於該配線層成型加工，以一種同時發生的CMP 加工以形成該配線層和插頭之所謂的雙重嵌刻法也可以被 利用。 第8圖是沿著第6(B)圖中的線A-A'之一種橫截面圖。如 5 上所解釋的，該第一防潮環13和該第三防潮環15具有如該 内部電路11的多層配線結構之相同的層壓結構，以及係以 和該内部電路11的形成之相同的加工同時地被形成。於一 種絕緣薄膜D8上，一種鈍化薄膜20係被形成以預防濕氣自 晶片的上部表面的侵蝕。作為該鈍化薄膜20，一種Si3N4 10 薄膜或類似物可以被使用。 第9圖是沿著第6(B)圖中的線B-B’之一種橫截面圖。該 第一防潮環13和該第三防潮環15係由該等防潮環導體圖案 LSI至LS6，其等係由像是該内部電路11的該等配線層L1至 L6之相同的導體層所構成的，以及該等防潮環導體圖案PS1 15 至PS6,其等係由像是該等插頭P1至P6之相同的導體層所構 成的，所組成。 於第6(B)圖中，該第三防潮環15係以切割加工予以分 割，所以不形成一種密閉的圈。然而，保護該第一内部電 路11之防潮特性係藉由係連續不斷地環繞該第一内部電 20 路11形成的該第一防潮環13予以維持。 一種使用防潮環的佈局而製造的多芯裝置將被解釋如 下。 第10圖是沿著第6(C)圖中的線C-C'之一種橫截面圖。於 此圖示中，於第7圖和第8圖中之類似的參考號碼代表類似 14 1345270 的元件以及相同的解釋不於此重複。 第1〇圖描繪該第-防潮環13和該第二防潮環14，其等 係由如同該等内部電路的該等配線層相同的插頭和料層 (⑸至脱以及LS1至LS6)所構成。該第—防潮環13和該第 5二防潮環14係如於第7圖和第8圖的事例中、利用形成該第 -内部電路11和該第二㈣電路12之插頭隐崎配線層 L1至L6的加工而同時地被形成。 介於單芯裝置的製造方法和多芯裝置的製造方法之間 的差異是PS3層、LS3層和PS4層係不於該區域之内被形 10成，在該處該連接配線17係被形成介於該等防潮環區域之 間用於該多芯裝置的連結。 一種第一孔徑30係於形成該第一防潮環13之該導體層 壁的一部件之内予以形成。一種第二孔徑31也於相對的第 二防潮環14的一部件之内予以形成。 15 用於連接該第一内部電路11和該第二内部電路12之該 連接配線17係被形成以通經於該第一防潮環13之内形成的 該第一孔徑30以及於該第二防潮環14之内形成的該第二孔 徑31。該連接配線17係利用對應至該配線層L3的傳導層而 形成。 20 於此實施例中，該防潮環的一個孔徑係被形成於PS3 層、LS3層，和PS4層之内以及該連接配線係利用L3層而形 成。哪一層應該被用來形成孔徑和連接配線不是要點。於 是，此等元件可以自任何一個單一層或以多數個任何層予 以形成。此外，配線層的總數目不限於此實施例中使用的 15 配線層的數目。 第11圖是沿著第6(c)圖中的線D-D'之一種橫截面圖。 ~種導體壁係由該等防潮環導體圖案？3至!^6以及LSI至 LS6所構成，其等係由如同插頭P1至P6以及配線層L1至L6 之相同的導體層構成的。並且，該第一孔徑30係被形成於 此導體壁之内以及通經該第一孔徑之該連接配線Π也被形 成。 於第10圖和第11圖中，因該第一孔徑30和該第二孔徑 31係各別地被形成於該第一防潮環13和該第二防潮環14之 内’此等環對於確保防潮的特性以保護該第一内部電路11 和該第二内部電路12是不足夠的。並且，因該連接配線17 亦被形成於該第一防潮環13和該第二防潮環14的外側，自 該第一防潮環13或該第二防潮環14確保防潮的保護是不可 能的。 如第6(C)圖中所顯示的，因該第三防潮環15係連續不 斷地形成環繞該第一防潮環13、防潮環14和連接配線17， 此等電路之防潮的保護是被保證的。 於多芯裝置中，各別地提供該第一孔徑3〇和該第二孔 徑31給該第一防潮環13和該第二防潮環14是必須的。因 此’在圖案中具有與單芯裝置的圖案差異的標線片必須為 了在防潮環導體圖案之間的PS3層、LS3層和PS4層準備。 該等防潮環導體圖案PS1、LSI、PS2 ' LS2、LS4、PS5 ' LS5、PS6 ’和LS6之圖案係與單芯裝置的完全相同，以及 此等層能利用單芯裝置的標線片來製造。 當製造單芯裝置必須的一組標線片已經準備好時’多 芯裝置可以只藉由重新創造對應至PS3層' LS3層，和PS4 層的3個標線片而被製造。 第6圖顯示一種外觀，其中該等防潮環13、14，和15 的角是被去角的’俾以避免應力的集中至防潮環的角落以 及提高在光刻法加工和蝕刻加工中尺寸的正確性。然而， 即便當防潮環的角係被形成為直角的形狀時，理所當然的 本發明也能被使用。 第12圖是顯示一種配線層的一種虛擬圖案之圖。於此 事例中，嵌刻加工的平坦化能藉由以下方式提升，藉由分 配一種銅線的虛擬圖案至一種内部電路和一種防潮環圖案 不存在的區域以及藉由均等化配線圖形的密度。此技術可 以被併入至本發明。 [第二個實施例] 第13圖是一種顯示本發明的第二個實施例之圖。於此 圖示中，像是於第一個實施例中的那些相同的參考號碼代 表相似的元件以避免其之複製的解釋。依據第13圖的佈局 圖，該第一内部電路11，該第二内部電路12以及環繞各別 的内部電路之該第一防潮環13和該第二防潮環14係相似於 第個貫把例被形成。係被提供介於該第一防潮環13和該 第二防潮環14以及該第三防潮環15之間的該切割線16也以 形成環繞該第一内部電路11、第二内部電路12和切割線16〇 一種係被連接至該第一内部電路u之第一襯墊組22被 分配於該第一防潮環13之内。以相同的方式，一種連接至 該第二内部電路12之第二襯塾組23係被分配於該第二防潮 環14之内。此等襯墊組不被分配於該第一防潮環13和該第 二防潮環14外部的區域中。 第14圖是沿著第ι3(Β)圖中的線A_A，之一種橫截面 圖° 一種襯墊電極係被形成於在該鈍化薄膜2〇之内形成的 孔椏之下。該襯墊電極係由該第一内部電路丨1的一種配線 層L6所構成。 於製造單芯裝置的事例中，該第一襯墊組22的襯墊電 極係座落於由該第一防潮環13圍繞的區域中。自該晶片的 侧壁進人之m系由該第—防潮環13所屏蔽。並且，自該 曰曰片的上部件進入之濕氣幾乎由該鈍化薄膜2〇和作為該襯 塾電極之L6層所屏蔽。襯塾電極的表面有時被來自空氣的 濕f腐餘的一點點，但是因作為傳導層之L6層屏蔽濕氣， 濕氣不進人配線層的底層和MOS電晶體的周圍區域。 〃於製造多芯裝置的事例中，自晶片的侧壁進入的濕氣 係由第13(C)圖f所顯㈣該第三防潮_所屏蔽。自晶片 的上部件進人的濕氣幾乎由該純化薄㈣和作為該概塾電 極之L6層所屏蔽。

[弟三個實施例J =圖是顯示本發明的第三個實施例之圖。於此圖示 同的個實施例的那些相似的參考號碼代表相 二的解釋。第15圖揭示環繞該第一内部 ^方'％13，環繞該第二内部電路12之今第-防潮環Η’被提供介於該第—防潮仙㈣第二防 1345270 之間的該切割線16，以及環繞該第一内部電路11的全體部 件、第二内部電路12和切割線16的該第三防潮環15。該第 三防潮環15的一部件係共有地被使用作為該第一防潮環13 和該第二防潮環14的一部件。 5 於製造單芯裝置的事例中，該第一和第二防潮環各別 連續不斷地被形成環繞該第一内部電路11和該第二内部電 路12的外周邊。 於製造多芯裝置的事例中，該第三防潮環係連續不斷 地被形成環繞該第一内部電路11、第二内部電路12和切割 10 線16的區域。 於第一和第二個實施例中，該第三防潮環15被分配於 該第一防潮環13和該第二防潮環14外部的區域中。因此， 該防潮環係被形成於一個更廣大的區域之内，導致於該晶 片區域内的增大。然而，於第三個實施例中，因該第三防 15 潮環15的一部件係共有地與該第一防潮環13和該第二防潮 環14的一部件予以使用，分配防潮環必須的區域能被抑制。 [第四個實施例] 第16(A)至16(C)圖是顯示本發明的第四個實施例之 圖。於此等圖中，與第一個實施例至第三個實施例中的那 20 些相似的參考號碼代表相同的元件以避免複製的解釋。藉 由連接2個晶片形成的多芯裝置的一個實例已經於第一至 第三個實施例中被解釋，但是藉由連接4個晶片形成的多芯 裝置將於此第四個實施例中解釋。 關於第16(A)圖，該第一内部電路11、第二内部電路 19 第一内σ卩電路18和第四内部電路19係被分配以形成一 種單夕心裝置。一種第一防潮環13、第二防潮環14、第 二防潮環20，和第四防潮環21係被提供於各別的内部電路 的各個之外周邊。在該等第—至第四防潮環之中的各防潮 環係被提供以該切割線16。此外，-種第五防潮環24係被 刀配衣’矣„亥等第一至第四防潮環的全體部件以及該等切割 線16。

於製造單芯裝置的事例中，該第五防潮環2 4係如第6 (Β) 圖中所顯示的沿著該切割線16被分開。其間，該第一防潮 10裒13係α個封閉的環的形狀予以形成以確保該第一内部 電路13之防潮的保護。雖然，未圖示於此圖示中，該等第 二至第四防潮環也以—個封閉的環的形狀予以形成以各別 地確保第二至第四内部電路之防潮的保護。 15

20 ν於製&多芯裝置的事例中，包含4個積體電路之4個晶 =系士第圖16(C)中所顯示的經由—個孔徑而連接，其係被 提供給形成料第__至第贿潮環之導體壁的—個部件。 =種經由孔經而用於連接該等内部電路之連接配線Η係以 目似於第_和第11圖的該等裝置之方式被形成。因該第 ==4係被形成為環繞該等第一至第四防潮環和各連 之個環的形狀，第一至第四内部電路和各連接 配線17之_的㈣驗雜。 和各連接 發明1^—種帶有4個；的多芯裝置的製造之外，改造本 個理所：一種帶有6個或8個晶片的多芯裝置的製造也是-虽然的事。總之，單芯裝置和多芯裝置2者之製造能 20 1345270 以標線片的最小的修飾被實現，其係藉由提供多數個同一 的晶片至唯一的一個標線片以及接而沿著接受切割加工之 切割線來分配多種的防潮環。 [第五個實施例] 5 第17圖顯示本發明的第五個實施例的一個圖。於此圖 示中，相似於第一至第四個實施例中的那些之參考號碼被 稱為相似的元件以避免複製的解釋。根據第17圖，一種第 一内部電路11、第二内部電路12,以及第一防潮環13和第 二防潮環14，環繞各別的内部電路，係被形成。該切割線 10 16係被提供介於該第一防潮環13和該第二防潮環14之間。 並且，該第三防潮環15被分配以圍繞該第一内部電路11、 第二内部電路12和切割線16。 於第17圖中，第一至第三防潮環係以雙層的方式予以 分配，其各包含一個内側環和外側環。不利的防潮特性的 15 破裂係藉由以一種内和外側之雙重的結構提供該等防潮環 而被改善。即，當切割加工沿著該切割線16予以實施時， 裂缝一般於切割加工期間產生於層間絕緣薄膜内。設若此 一種裂缝到達防潮環的内部，濕氣將經由裂缝滲透防潮 環。然而，藉由使用於第五個實施例中提出雙重的防潮環， 20 於切割加工產生的裂縫將不會滲透雙重的環以及防潮的保 護從而被維持。 雙重的結構中形成的該等防潮環的寬度不需要是完全 相同的以及此寬度可以依要求而被調整。並且，以雙重方 式形成全部的第一至第三防潮環不總是必須的。舉例而 21 1345270 言，一種修飾也可以被考慮，其係藉由以雙重方式形成該 第一防潮環13和該第二防潮環14以及以單一方式形成該第 三防潮環。 該等第一至第五個實施例已經如上被說明以及經由其 5 等所欲的組合去使用各別的的實施例也是可能的。舉例而 言，藉由組合第四和第五個實施例而於4個晶片構成的多芯 裝置内構成第一至第五防潮環之一種雙重的結構是可能 的。防潮環的橫截面形狀不限定於顯示於第8圖中之形狀或 類似物以及其他的形狀，舉例而言，多數個PS被形成為LSI 10 之一種形狀能被使用。 前述只被視為本發明的的原理之作例證的。再者，因 許多的修飾和變化將容易地在本技藝中具有技術的那些人 心中出現，限制本發明至顯示和說明的精確的解釋和申請 案是非所欲的，以及於是，全部適合的修飾和均等物可以 15 被認為落在附隨的申請專利範圍和其等之均等物中之本發 明的範疇之内。 【圖式簡單說明】 第1圖是相關技藝中的一種慣用的半導體裝置的一種 橫截面圖； 20 第2圖是一種平面圖，其顯示多數個包括一種同一的電 路圖案之積體電路係被形成於一個晶圓上的狀態； 第3圖是一種平面圖，其顯示被形成於一個晶圓上的多 數個晶片之一放大部件； 第4圖是沿著第3圖中的線A-A’之一種橫截面圖； 22 1345270 第5(A)和（B)圖是顯示供使用於一種方法中的標線 片，其係用於形成單芯裝置和用於在該晶圓上以配線連接 用於形成多芯裝置之多數個晶片； 第6(A)-(C)圖係顯示於本發明的第一個實施例中之防 5 潮環的佈局之外觀的圖； 第7(A)-(E)圖是加工圖，其顯示沿著第6(B)圖中的線 A-A1之橫截面圖， 第8圖是沿著第6(B)圖中的線A-A’之一種橫截面圖；

第9圖是沿著第6(B)圖中的線B-B'之一種橫截面圖； 10 第10圖是沿著第6(C)圖中的線C-C'之一種橫截面圖； 第11圖是沿著第6(C)圖中的線D-D’之一種橫截面圖； 第12圖是顯示一種配線層的一種虛擬圖案之圖； 第13(A)-(C)圖是顯示本發明的第二個實施例之圖； 第14圖是沿著第13(B)圖中的線A-A’之一種橫截面圖； 15 第15(A)-(C)圖是顯示本發明的第三個實施例之圖； 第16(A)-(C)圖是顯示本發明的第四個實施例之圖； 第17圖是顯示本發明的第五個實施例之一個圖。 【主要元件符號說明】 1.. .半導體晶圓 2.. .MOS電晶體 3.. .配線層 4.. .層間絕緣薄膜 5.. .插頭 6.. .積體電路/晶片 7.. .切割線 8.. .内部電路 8c...區域 9.. .防潮環

Ii、L2、L3、L4、L5、L6 ...配線層 23 1345270 P卜 P2、P3、P4、P5、P6...插頭 17…連接配線 D 卜 D2、D3、D4、D5、D6、 40、41...元件隔離區 D7、D8...層間絕緣層/層間絕 C1...接觸孔 緣薄膜 C11...溝 20…鈍化薄膜 C2...配線槽 LSI、LS2、LS3、LS4、LS5、 C12…防潮環溝 LS6...防潮環導體圖案 30...第一孔徑 PS1、PS2、PS3、PS4、PS5、 31…第二孔徑 PS6...防潮環導體圖案 22...第一襯墊組 10a, 10b...標線片 23...第二襯墊組 11...第一内部電路 18...第三内部電路 12...第二内部電路 19...第四内部電路 13...第一防潮環 20...第三防潮環 14...第二防潮環 21...第四防潮環 15...第三防潮環 24...第五防潮環 16...切割線 24

Claims (1)

1345270 10 15

/£^乙月慈曰修正本 第096122731號申請案申請專利範圍修正本 100.2.25 十、申請專利範圍： 1. 一種包括多數個晶片的半導體裝置，其包含： 多數個分別地環繞該等多數個晶片之第一防潮 環，各該第一防潮環包括一壁； 一環繞全部多數個晶片之第二防潮環；以及 一連接該等多數個晶片至彼此之互連線； 其中各該壁包括一穿過該壁的孔，且該互連線通經 該孔。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中該等多數個 晶片各包括座落於該等晶片的各個之該第一防潮環之 内的一種概塾。 3. —種半導體裝置，其包含： 一第一内部電路； 一鄰接至該第一内部電路之第二内部電路； 一環繞該第一内部電路之第一防潮環，其包括一第 一環繞該第二内部電路之第二防潮環，其包括一第 二壁； 一連接該第一内部電路與該第二内部電路之互連 20 線；以及一環繞該第一内部電路、該第二内部電路，和 該配線之第三防潮環； 其中該第一壁包括一穿過該第一壁的第一孔，該第 二壁包括一穿過該第二壁的第二孔，且該互連線通經該 第一孔和第二孔。 25 1345270 第096122731號申請案申請專利範圍修正本 100.2.25 4. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其包含： 一被連接至該第一内部電路之第一襯墊； 一被連接至該第二内部電路之第二襯墊； 其中該第一襯墊係被分配於該第一防潮環之内，以 5 及該第二襯墊係被分配於該第二防潮環之内。

5. 如申請專利範圍第3項之半導體裝置，其中該等第一至 第三防潮環的任一者包括2個防潮環，其包含一環繞一 内環之外環。

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