TWI343225B - - Google Patents

Description

1343225 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 程及系於一種晶片式表面黏著型元件絕緣製 /、、‘，。構，尤指一種製作具有良好絕緣與保f功 緣製程結構之製程。 Ί 隻功成之絕 【先前技術】 b㈣型元件⑽極為t遍地應料各 ::，所採用的材料更具有多樣性並不 Ώ而加以調整。表面點著型 :件的不 組裝後，必須藉由鐸接製程完成此一 線路機板 ，使用的端電極特性自然是要求重點之：二:二易於： -銲接介二：：程後通常利用電輪成型 部線路機板進行浮接紐裝並利用該録接介面層與外 對於本體材料絕緣性較差之表面黏著 =層的電鍵製程時，因為本體材料 交差= 况下會使電錢製成變得複雜、困難。 差· 特殊的電鍍條件設定加、 材料可藉由 ^ 凡成，但°卩份元件材料即使碉效 = 成電極銲接介面結構= 難達成電之鋅接性與可靠性仍很 丨田，，，°構相冋要求的品質與水準。 而白知技咖中，可利用特殊的材料與製程來提高本體 1343225 材枓之絕緣性，例如本體上完整被覆—層以玻璃成分為主 的保護絕緣層，然後利用製作端電極結構之高溫燒結製 程，猎由端電極導體的燒入完成與功能主結構内電極之連 接二但由於玻璃材料經由被覆、燒結等製程後，除了耐鹼 t此力lx差之外，$玻璃之絕緣效果會因成型的結構厚度 與玻璃密度不均勾而導致絕緣性不佳的問題。 休用保言隻絕緣 / 〜’丨xu艰札W脑將兀件被覆

作端電極；此一製程的問題在於，保護絕緣材 ;:斗白，披復作業溫度低，因此後製裎的端電極材料必須使用 ，溫型’但低溫製程之端電極卻造成元件特性上的不利影

Lit，由於表面黏著型元件外觀一般為長方體結構， 歧決邊角被㈣題，此製程方式必須將元件以—個接一 個的方式進行，使整體產能無法進一步提昇。 另外，對於繞線式電感元件，其結構係為線圈導 接外露於本體基材之上，加上元件整體結構的特殊， =絕緣層之製作非常困難；此外，一些功能應用較為特 〜3如積層表面黏著麵敏變阻器以及積層表面黏 者1阿壓私谷元件，兩者在線路機板實際使用時必須額外 考慮7〇,本體表面對於雜質、座度的吸附問題，否則將會 產生過南的漏電流而致使元件失效。 緣是，本發明人有感上述缺失之可改善，提出一種嗖 計合理且有效改善上述缺失之本發明。 【發明内容】 7 1343225 元件絕緣勺在；楗供―種晶片式表面黏著型 凡件，、，邑錢裎及其結構，該絕緣製裎係利用—單端产 程以批次的方式製作保護絕緣 ^ 產能。 “稱進而“製程效率與 本發明之再一目的，在於提供— ，製程及其結構，使該晶片式表二 覆一抗酸鹼且耐濕性佳的絕緣結構。 半上披 為了達成上叙目的，本發明係提供 黏著型元件絕緣製程，步驟如下：步驟」：”表面 晶片式表面黏著型元件，其中該至少=至>、一個 元件具有-本體部、一位於該本體部表二黏著型 一位於該本體部另—端二7側部以及 二側部上分別蓋設有一第一導電 ·-側部與該第

電極；步驟二：提供一未固化之絕；二:：第二導電端 -單端浸泡步驟，以將該至少—步驟三：提供 人該未固化之絕緣材料一預定時二：：：黏著型元件浸 覆於該第二導電端電極上之絕緣H 乂咏四·去除批 本發明亦提俾—ML 構，包括··—本體部得ΐ絕緣結 以及該本趙部另—端設有一第二—而::有一弟-侧部 部之第一導電端雷托.# —盍設於該第一側 Μ 一盖設於該第二側心g 電極，以及一包覆該本體部之 二之弟—導電端 於該第一導電端電極與該第二;該絕緣層成型 預定厚度。 电而电極之間且具有一 8 上343225 本赉明具有以下有益的效果：双 程，可利用絕緣效果佳及用奴明提出之絕緣製 構，且該絕緣結構具有厚】材料製作-絕緣結 所製作之絕緣結構能使元件更性，故本發明 為使能更進一步療解本發之特性。 閲以下有關本發明之詳細說明與寺^技術内容，請參 供參考與說明用，並非用來對本發明加::::圖式僅提 f實施方式】 清蒼閱第一圖，本發明係桴 元体妒㈣和 力仏钕供—種晶片式表面黏著型 兀件圪緣製程，該絕緣製程可製 古p 土 絕緣層於一曰片彳本^ „ 问，，巴，，彖性、抗酸鹼之 型電容元侔首土 70件之表面’例如表面黏著 心Γ么圖）或—表面黏著型薄膜繞線式電

如第三圖)，但本發明不以上述為限。第二A

弟一 β圖顯示本發明所提出之絕緣製程之第一實施 例’其包括如下步驟·· 、 步驟U)··提供至少一個晶片式表面黏著型元件，豆 為二：表面黏著型電容元件i ’其中該至少一表面黏著 型電容70件1具有—本體部1 1、-位於該本體部i工— 端之第-側部i 2以及一位於該本體部丄端之第 二側部1 3 ’且該第一侧部工2與該第二側部工3^分別 蓋設有一第一導電端電極2 〇與一第二導電端電極2 1。該表面黏著型電容元件丄内部設有内電極】丄〇，而 該第一導電端電極2 〇與該第二導電端電極2丄係與該 9 1343225 内電極11〇達成電性連接。 本發明係先將該第一導電端電極2 〇與該第 =電極2 1製作於該表面黏著型電容元“上，再利用本 r月提出之絕緣製程製作一絕緣層結構；藉此，該第一導 m20以及該第二導電端電極2 i與該内電極i 應用較高溫的製程’以提高元件之特性。而 10與該第一導電端電極2〇 =電=之連接技術以及該第一導電端電極2〇: 極21之成型技術係為本領域者所熟关: 技街’故不在此詳加說明。 令二?提供一未固化之絕緣材料3 (請參閱第四圖)。 =化幾材料3可為液態環氧樹脂、

L 不以上述為限。在本實施例中，該未固化H 2料3係置放於—槽體6巾4該未固化之絕緣材料3 有一預定黏度以及一預定組成濃度，以利下-步驟之進 以將(請參考第四“)， 緣姑料/ 者型電容元件1浸入該未固化之絕 =枓3:預定時間。本發明係以批次披覆的方式進行本 戶M k供具有尚製程效率的單端披覆製程。如第四a 亥至少一表面黏著型電容元件1之該第-導 3 = 定裝置5 ’且以直立的方式將每 守、Ά者型電容凡件工浸入該未固化之絕緣材料3，而 的深度可隨著晶片式表面黏著型元件種類之不同而 10 1343225 加以調整；以本實施例來說，係將每—表面黏著型電容元 件1之該第二導電端電極2丨與該本體部工丄浸入該 固化之絕緣材料3。 而由於在本步射，僅有-端之電極（該第二導電端 電極^ )浸入該未固化之絕緣材料3，故稱之為單 覆（或早端浸入）步驟。而在該第二導電端電極2丄與該 本體部11浸入-段時間後，即將該等表面黏著型電容= 件1取出該未固化之絕緣材料3，且由於該 材料具有-預定黏度3,該未固化之絕緣材料3即可= =該第二導電端電極2 i與該本體部工丄之表面而形成 ^化之絕緣層30 ;該等晶片式表面黏著型元件浸入該 求而加以輕 謂絕緣結構之厚度需 步驟（c):去除批覆於該第二導電端電極2工 固化之絕緣層3 0。在此步驟，中，可丨 、 弟一 極2 1上之未固化之絕緣層3()去除。 劑的使用需與步驟⑴中之絕緣材料相配合，例二 驟⑴中使用光阻劑進行披覆，則本步驟中則可以使； 相對應的光阻清洗劑 ^使用 M )b 设々、°茨弟一導電端電極2 1上 、，巴、，彖材料（光阻劑）加以去除 * 而错由此一步驟，該絕緣 才= 堇披編專表面黏著型電容元Μ 〇與第二導電端電極21U1兩側之卜導電端電極2 而在去除批覆於該L導電端電極2 i上之未固化 “43225 之絕緣層30之後，更提供一固化步驟， 體部1 1上之未固化之絕緣層？ 〇加 ，^於§亥本 〃有預疋厗度W之絕緣層30，。該預定厚度 R類型的晶片式表面黏著型元件加以變化，例如一般 的絕緣厚度在3-5 “ ,π ;而高^件之厚度需求約在$〇-5〇 另外，本步㈣不限㈣化該絕緣料之方法 2使用加熱或是紫外絲射的方式以使上述絕緣材料 匕。而该固化後所形成的絕緣層3〇,即為本發明中且 =酸鹼度、高絕緣性以及耐濕性優良之絕緣結構，而可 二、因兀件本體表面對於雜質、溼度的吸附問題而產 & MU明所提出之絕緣製程所製作 一’巴’咏曰3 0具有表面光滑的優點，且其層膜的厚度、 被度均勻’尤其可滿足高壓電容在使用上的要求。 另外’在步驟（c)之後更進一步包括一成型步驟， :如一電鍍製程以分別成型-第-銲接介面層4 ◦與一 ^二銲接介面層41於該第-導電端電極2〇與該第二 二电端電極21上。本發明即是利用單端浸泡的製程形成 1有優良耐酸驗度、高絕緣性以及耐濕性之絕緣結構於 為晶片式表面黏著型元件之本體部工工，使該具有絕緣層 之曰a片式表面黏著型凡件可利用後續之成型步驟 製作銲接所需要的銲接介面層。 "月參考第二圖至第三]3圖，並配合第四圖及第四A ，，本么明之第二貫施例則將該絕緣製程應用於一表面黏 著型相繞線式電感元件1，。與第-實施例不同之處在 12 ^4J225 於’該表面黏著型薄臈繞線式電感元件上，具有一本體部 1 1，而在β本H部1 !㈣分別設有較 寬之第-則2以及-第二側部13，且該第一=

f與该第一側部1 3上分別蓋設有-第-導電端電極2 〇與一第二導電端電極21。另一方面，該本體部ιι± 包覆有一線圈導體1 4，且該線圈導體1 4則利用雷射加 工或其他機械加工方式成型有螺旋狀紋路，以形成一表面 黏著型薄膜繞線式電感元件2，。 同樣地，將複數個表面黏著型薄膜繞線式電感元件 ^以早端浸泡的方式製作絕緣結構；亦即將該等表面黏 者型溥膜繞線式電感元件i，之—端（例如第—導電端電 極2 0) @定於-心裝置5 ’且以直立的方式將每一表 :黏著型薄膜繞線式電感元件1’浸入該未固化之絕緣 =枓3 ’再將批覆於該第二導電端電極2丄上之未固化之 七緣層3 0加以去除。<後再將批覆於該本體部丨丄上之 未固化之絕緣層3◦固化形成-絕緣層30，。而在此實 施例中，由於該線圈導體工4具有一第一厚度[，故在固 ί步驟之後，該絕緣層3 Q’的第二厚度W2必須大於該 弟厚度W1以提供良好的絕緣功能。 、本發明亦提供一種依上述絕緣製程形成一絕緣結構 於sa片式表面黏著型元件，其包括：一本體部1 1，其 Λ本月豆4 1 1 —端設有一第一側部1 2以及該本體部 g1，一端設有一第二側部i 3;一蓋設於該第一側部丄 之第一導電端電極2 0 ; —蓋設於該第二側部1 3之第 13 1343225 ;導電::極21 ;以及一包覆該本體部i k 與該第二導電端電極21之間且具有一預 紅上所述，本發明具有下列諸優點： 緣」、ί於本發明係在端電極之製作完成之後才進行& 程，故後端的低溫絕緣結構製程並不會限制ΐ •電極I作溫度的範圍；亦即可利用較高溫的製程 电極或連接端電極與内電極，使應 :，巧 表面黏著型元件在功能上更具有耐突波電… 2、 另一方面，本製程可利用批次的方 ’可大幅提昇絕緣結構製作的整體效率，進 回日日片式表面黏著型元件的產能。 疋 3、 本發明利用絕緣效果佳及用途廣之絕 絕緣結構’以提供高絕緣性、_驗性耐^ 佳的保護絕緣結構。 “、、、性 Α明惟^上所述僅為本發明之較佳實施例，非意欲褐限本 i所^保護範圍’故舉凡運用本發明說明書及圖式内 圍化，均同理皆包含於本發明之權利保護範 圖式簡單說明】 S =本發明之晶片式表面黏著型元件絕緣製程之流 第二圖係本發明之表面黏著型電容元件之示意圖。 14 1343225 第二Λ圖係本發明之晶片式表面黏著型元件絕緣製程 第一實施例之流程示意圖。 王 第一 Β圖係第二Α圖之a部分之放大圖。 第三圖係本發明之表面黏著型薄膜繞線式 意圖。 u干之不 之i片式表面黏著型元件絕緣製程之 弟一貫把例之流程不意圖。 乂 第三B圖係第三A圖之β部分之放大圖。 第四圖係本發明之晶片式表面 製程之示意圖。 仵批久進仃絕緣 第四Α圖係本發明之單端浸泡步驟之示意圖。 【主要元件符號說明】 表面黏著型電容元件 表面黏著型薄膜繞線式電感元件 ΐι〇 内電極 1 1， 1 2 1 4 2 0 3 3 0 4 〇 5 6 本體部 1 ^ 第二側部 第二導電端電極 絕緣層 第二銲接介面層 第一側部 13 線圈導體 第一導電端電極 2 j 未固化之絕緣材料 未固化之絕緣層 3〇 第一知接介面層 41 固定褽置 槽體 1343225 W 預定厚度 W1 第一厚度 W2 第二厚度

Claims (1)

1. J^225 十、申請專利範園： 1、：種晶片式表面黏著型元 步驟-：提供至少 ，，包括.· 該至少-晶片式表面黏==型元件，其中 位於該本體部一端之第 牛/、有—本體部、— 部另一端之第二側部，且以及—位於該本體 ;分別設有-第-導電端電該;，部 極； 、弟一導電端電 供，化之絕緣材料； 表面丸:供—早端浸泡步驟，以將該至少—曰月弋 ::黏:r件浸入該未固化之絶緣材二 7四：去除批覆於該第二導電端電極上之絕緣材 項所述之晶片式表面黏著-元件 腊、其中該未固化之笔緣材料係為液態環氧樹 液恶石夕膠或液態光阻。 絕IS，圍中第2:員所述之晶片式表面黏著型元件 度。、中該未^化之絕緣材料具有-預定黏 4 專利範圍第1項所述之晶片式表面黏著型元件 其巾該單端浸泡㈣係將每—晶片式表面 置者型元件之該第一導電端電極固定於一固定裝 且以直立的方式將每一晶片式表面黏著型元件浸 17