TWI222968B - Cross-linking monomers for photoresist, and process for preparing photoresist polymers using the same - Google Patents

Description

1222968 A7 B7 五、發明說明（I) 發明領域 本發明關於一種用於光阻劑聚合物的交聯單體，及使 用其製備光阻劑聚合物的方法。更特別的說，本發明關於 一種用於能明顯改善光姐劑共聚物聚合比例的光阻劑聚合 物的交聯單體，及關於使用其製備光阻劑共聚物的方法。 發明背景 近來，化學放大類型（chemical amplification) D U V (深紫外線）光阻劑已被證明在半導體製造之製備微 線路方法上具有非常高的敏感性。這些光阻劑是由混合光 酸產生劑和具有酸不安定結搆之聚合物基質巨分子製f而 得。 依據此一光阻劑的反應機制，當K 一光源照射光酸產 生劑會產生酸，聚合物基質的主鐽或支鐽上的曝光部份和 所產生的酸反應，因而解聚（decompose)或交聯（ cross-link)，如此聚合物的極性會明顯的改變。極性改 變會導致在顯像（developing)溶疲中曝光區或未曝光區 溶解度的不同，如此在一基板上的光罩形成一正或負圖像 〇 於一些光阻劑中，在一聚合物的主鏈或支鐽上的官能 基是和基質中其它聚合物的主鐽或支鏈產生交聯的，因此 ，可在光阻劑中加入一交_劑K提昇聚合物間的交聯。 然而，交聯單體也可用於提昇組成光阻劑聚合物單體 間的鐽结，如此可增加光阻劑聚合物的產率。例如，當在 一 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^22968 A7 B7 五、發明說明（> ) 聚合化反應時使用2 0克的單體，而沒有使用交聯劑，約 可產生分子量約6000的聚合物4 ♦ 8克（產率：24 % )。當單體的數量增加至4 0克時，所得聚合物的數量 只有約6克（亦即產率突然降低至約1 5 % )，如此，為 了大量製備光阻劑聚合物，必須使用一交聯單體，K增加 產率及可商業化生產光阻劑聚合物。發明概要本發明的目的是提供一種用於光阻劑聚合物的交聯單 體，其能明顯的改善光阻劑聚合物的聚合產率。 光 備— 製。 體物 單合 聯聚 交劑 該阻 用光 使的 種得 一 製 供所 提其 是由 的及 ΕΕΠ , 一 法 另方 的 的 明物 發合 本聚 劑 阻 形 所 體 單 聯 交 述 上 用 使 。 種物 一 成 供組 提劑 是阻 的光 目的 一 得 另而 的備 明製 發物 本合 聚 成 物 成 組 劑 阻 光 述 上 用 使 種1 供 提 為 的 巨1 另 又 明 發 本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元明得得說述 體說所所细上 導要 34 詳到：> 半簡例例的達體 1 的元實實明 了單式 得圖是是發為聯學 製 12 交化 所 圖1的 < 件 像 像 圖 圖 劑劑 阻阻 光光 之之 式 學 fh 述 下 種1 供 提 明 發 本 的 § 明的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------訂---------線 1222968 A7 _____ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ • R· 个=〇 其中R '和R 〃互不相關的分別為 從1至1 0的數；及R是選自直鏈或含 氫或甲基； 支鐽的C i 畢

C 烷基’直鏈或含支鏈的Ci-Cl0酯，直鍵或含

支鐽的C

C

酮，直鏈或含支鍵的C 酸’直鍵或含支鐽的c i 一 C ί 〇縮醛 有至少一羥基之c i — C i 〇烷基，直 至少一羥基之Ci 一 Ci 0酯，直鐽或 一經基之Ci ~Ci 〇嗣，直鏈或含支 基之C i 一 C 1 〇狻酸，及直鏈或含支 基之C ί 一 C i 〇縮醛。 ，直鍵或含鐽的含 鏈或含支鐽的含有 含支鍵的含有至少 鏈的含有至少一羥 鐽的含有至少一羥 為了達成本發明的目的，提供一種製1一光阻劑共聚 物的方法，包括步驟（a )將兩種或多 化學式1的交聯單體溶解於一有機溶劑 一聚合化起始劑或聚合催化劑至结果溶 -6 一 種光阻劑共單體及 中，及（b )加入 液中，K誘發聚合 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1222968 A7 __B7 _ 五、發明說明（ι|>) 化反應。 發明人投入大量的研究而達成上述本發明的目的，發 現了化學式1的化合物可使得光阻劑聚合物和另一聚合物 交聯，因而改善了聚合物的聚合化產率。本發明的交聯單 體於改善具有非環烯烴主鐽之共聚物的聚合化產率特別有 效。 化學式1化合物具有兩個雙鍵，且每一個雙鍵和其它 光阻劑單體结合形成交聯，因此提昇光阻劑聚合物的聚合 化產率。 較佳地，化學式1的交聯單體是化學式2的1 ，3 —

I 丁二醇二丙烯酸酯或化學式3的1 ，4一丁二醇二丙烯酸 酯： <化學式2 > --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

一 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 6 9 2 2 2

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> 3 式 學 化 V

『如—olsls丨L-J 姐 ♦光 統 傳 成 合 在 可 法 方 的 化 合 聚 劑 阻 備光 製 ， 的明 ¾發 合本 聚據 劑依 阻 光 詛 光 它 其 至 體 單 聯 交 的 ix 式 學 化 ! 入 加 中 。 序成 程達 的而 物中 聚體 共單 劑劑 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 述下一應應 下況及反反 如情物一化 由 的合入 合 在物化加聚 > , 聚的及發 4 如共 4 ，誘式 例劑式中 Μ 學 姐學劑中化 光化溶液 < 備 種 製多 物或 生種 衍兩 烴將 烯由 族是 環法 脂方 之的 4 化 式合 學聚 化， 機溶 有果 一 结 於述 解上 溶至 體媒 單觸 聯屬 交金 的或 1 劑 式始 學起 化基

3 .R 2 R 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） ------------- I I---— It---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1222968 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（b ) 其中k和η互不相關的分別為1或2 ; p是0至5的 ^ , R 5和R s互不相關的分別代表氫或甲基，R ^ ， R 2 ，R 3和R 4互不相關的分別代表氫，直鐽或含支_ 的Ci —Ci 〇烷基，直鏈或含支鏈的Ci 一 Ci 〇酯， 直鏈或含支鐽的Ci 一 Ci 〇酮，直鐽或含支鏈的Ct〜 Ct 〇羧酸，直鏈或含支鏈的Ci —Ci 〇縮醛，直鐽或 含鐽的含有至少一羥基之Ci —Ct 〇烷基，直鏈或,支 鏈的含有至少一羥基之C 1 一 C i 〇酯，直鍵或含支鐽的 含有至少一羥基之Ci —Ci 〇酮，直鏈或含支鐽的含有 至少一羥基之Ci 一 Ci 〇羧酸，及直鏈或含支鐽的含有 至少一羥基之C i — C i 〇縮醛。 此聚合化反應需要在溫度在6 0 °C和1 3 0 °C間，& 在氮氣或氩氣氣氛壓力0 · 000 1和5a tm間進行反 應。 體聚合反應或溶液聚合反應也可用作聚合化的方丨去， 及環己_，甲基乙基嗣，苯，甲苯，二噁烷，四氫呋0南， 丙二醇甲基醚乙酸酯，及/或二甲基甲醯胺，或其混合勸 可用作聚合化溶劑。聚合化起始劑可為苯甲醯過氧化物， 2，2’ 一偶氮雙異丁膳（AIBN)，乙醯過氧化物， 月桂基過氧化物，叔一 丁基過乙酸酯，叔一 丁基過氧化氮 — — — — — — — — — — — — ·1111111 ^ « — — — — — — I— (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} -9- 1222968 A7 __B7 _五、發明說明（7 ) ，二一叔丁基過氧化物，或類似物。 依據本發明的聚合化方法製得的所欲光阻劑聚合物可 由下述化學式5所代表： <化學式5 >

ch2- R2 R3 Γ c 0 =0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ch2- R2 r3 R.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中k和n互不相關的分別代表1或2 ; m代表一從 1至1 0的數；p代表從0至5的數；R ' ，R 〃 ，R s 和R 6互不相關的分別為氫或甲基；R是選自直鏈或含支 鏈的Ci 一 Ci 〇烷基，直鐽或含支鐽的Ci —Ct。酯 ，直鐽或含支鏈的Ci — Ci 〇酮，直鏈或含支鐽的Ci 一 Ci 〇狻酸，直鏈或含支鐽的Ci 一 Ci 〇縮醒，直鐽 或含鏈的含有至少一羥基之C i 一 C i 〇烷基，直鏈或含 支鐽的含有至少一羥基之Ci 一 Ci 〇酯，直鐽或含支鐽 的含有至少一羥基之C i 一 C i 〇酮，直鏈或含支鐽的含 一 10 - I I I I--—訂1111111 ^^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 1222968 A7 B7 五、發明說明（I) 有至少一羥基之Ci 一 Ci 〇狻酸，及直鏈或含支鍵的含 有至少一羥基之C i 一 C i 〇縮醛；R 1 ，R 2 ，R 3和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R 4互不相關的分別選自氫，直鐽或含支鐽的C 1 一

Ci 〇烷基，直鐽或含支鐽的Ci 一 Ci 〇酯，直鐽或含 支鏈的Ci 一 Ci 〇嗣，直鏈或含支鐽的Ci —Ci 〇羧 酸，直鍵或含支鏈的C i 一 C i 〇縮醛，直鐽或含鐽的含 有至少一羥基之Ci 一 Ci 〇烷基，直鏈或含支鐽的含有 至少一羥基之Ci -Ci 〇酯，直鐽或含支鐽的含有至少 一羥基之Ci 一 Ci 〇嗣，直鏈或含支鍵的含有至少一羥 基之Ci 。羧酸，及直鏈或含支鐽的含有至少一羥 ♦ 基之C Γ 一 C i 〇縮醛；及a : b : c的比例較佳的是1 一 5 0 莫耳 ％ : 1 0 — 5 0 莫耳％ : 0 ♦ 1 — 2 0 莫耳 ％ 〇 化學式5所代表光阻劑聚合物的分子量較佳的是從 3000 至 100000 之間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明所製得的光阻劑聚合物在照像製版的效能 上和沒有交聯單體所形成的聚合物差別不大，然而，當使 用本發明的交聯單體時，聚合化的產率明顯的增加。 例如，在聚合化反應時，當使用2 0克的共單體而沒 有使用交聯劑，可得約4 ♦ 8克之具有分子量6 0 0 0的 聚合物（產率：2 4 % )。當所使用的共單體的數量增加 至4 0克時，所得聚合物的量只有約6克（亦即，當使用 更大量的反應物時，產率突然降低至約1 5 % )。因此， -11 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222968 A7 B7 五、發明說明) 單純的只增加反應物的量並不適合大量製造共聚物的方法 〇 換句話說，在使用本發明的交聯單體操作相同的聚合 化方法的情況下，聚合化時使用2 0克的共單體’可得約 7克具有分子量約1 2 0 0 0的聚合物（產率·♦ 3 5 % ) ，當共單體增加至4 0克時，所得聚合物的量為約1 4克 (產率：3 5 %，亦即在聚合化產率上沒有明顯的變化） 。所得光阻劑共聚物的分子量為1 2000，及其聚分散 度（Ρ ο 1 y d i s p e r s i t y)約為 2。 如上所述，當使用本發明的交聯單體操作聚合化f應 時可得到較高的產率，因此可大規模的製備光阻劑聚合物 0 光阻劑組成锪的製備 依據本發明，光詛劑組成物可由混合本發明的光阻劑 聚合物和一有機溶劑製備而得，可使用的溶劑為環己_， 甲基3 —甲氧基丙酸酯，乙基3 —乙氧基丙酸酯，丙二醇 甲基醚乙酸酯，2 —甲氧基乙酸乙酯，2 —庚酮，異丁基 甲基酮，或其它傳統有機溶劑。

少量的光酸產生劑也可加至此光阻劑組成物中。合適 光酸產生劑的例子包括：硫化物或鑰型式的光酸產生劑， 像二苯基碘化物六氟磷酸鹽，二苯基碘化物六氟砷酸鹽， 二苯基碘化物六氟綈酸鹽，二苯基p -甲氧基苯基三氟甲 烷磺酸鹽，二苯基p —甲苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基P 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） --------tr---------^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1222968 A7 B7 五、發明說明（丨C) 一異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基ρ —叔一丁基苯基 二氣甲院碼酸鹽，三苯基銃六氟磷酸鹽，三苯基銃六氟砷 酸鹽’三苯基銃六氟銻酸鹽，三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽， 二丁基蔡基銃三氟甲烷磺酸鹽，及類似物。 光阻劑圖像的形成 $據本發明所製得的光阻劑組成物可旋轉塗覆至矽晶 元上’ Μ形成一薄光阻劑薄膜，然後在一烤箱或熱盤上κ 溫度7 0 °C至2 0 0 1C，較佳地8 Ο υ至1 5 0 °C 〃軟烤 (soft-baked) " 1至5分鐘，之後使用深紫外線曝光器 或激發雷射曝光器之經圖像化的光源曝躧。所使用的#源 也可為ArF ，KrF ，E —光束，X —射線，EUV ( 極紫外線），D U V (深紫外線），或類似光源，曝光光 源的能量較佳的是從1至1 OOrnj/ cm2 ϋ 然後，將此薄光阻劑薄膜在溫度1 0 t至2 0 0 1C間 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 後一烘烤（post-baked 較佳的是在1 0 0 °C至 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 0 Ό間，结果所得物質再K 2 ♦ 3 8 w t %或2 · 5 w t %的T M A Η顯像水溶液浸漬一預定的時間，較佳的 是4 0秒鐘，如此可得一超微圖像。 具有高度整合性的半導體元件可使用本發明的光阻劑 圖像製造。 上述的說明只是揭示相關於使用一交聯單體製備一光 姐劑共聚物或光阻劑組成物方法的特定實施例，必須了解 的是本發明並不局限於這些例子，同時也包括了使用本發 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222968 A7 __B7 五、發明說明（（I) 明的交聯單體於製備傳統光阻劑共聚物或光阻劑組成物的 任何方法。 較佳實施例的詳细描述 本發明將κ下述實例更詳細的描述，但必須提醒的是 本發明並不局限於這些實例。 實例1 :聚（順丁烯二酸酐/ 2 —羥基乙基5 —原冰片烯 一2—狻酸酯/叔一丁基5—原冰片烯一2—羧酸酯/5 一原冰片烯一 2 —羧酸/1 ，3 —丁二醇二丙烯酸酯）的 合成 首先將（i ) 2 —羥基乙基5 —原冰片烯一 2 —濟酸 酯（〇♦1莫耳），（i丨）叔一丁基5—原冰片烯一2 一羧酸酯（0*85莫耳），（i i i) 5 —原冰片烯一 2—羧酸（0.05莫耳），（iv)1，3-丁二醇二 丙烯酸酯（0·1莫耳）〔其是化學式2範園内的交聯單 體〕，及（ν )順丁烯二酸酐（1 ♦ 〇莫耳）溶於四氫呋 喃中。 加入2，2 ' —偶氮雙異丁膳（A I Β Ν )( 6 · 1 6克）至结果溶液中當作聚合化反應起始劑’接著 在氮氣或氬氣氣氛之下，K溫度6 7 °C使混合物反應1 0 小時，所得聚合物由乙醚或己烷中沈澱，乾燥後可得化學 式6的聚（順丁烯二酸酐/ 2 —羥基乙基5 —原冰片烯一 2 —羧酸酯/叔一丁基5 —原冰片烯一 2 —羧酸酯/ 5 — 原冰片烯一 2 —羧酸/1，3 —丁，二醇二丙燏酸酯）（產 - 1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐) ---------------------^---------00 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 五、發明說明（I、 率：以％): ^化擧式β >

莫耳比例 a 1 : a 2 : a 3 : b : c 為 0 ♦ 4 0 5 : 〇·〇48:〇*〇24:0·476:0*〇47〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例2 :聚（順丁烯二酸酐/ 2 —羥基乙基5 —原冰片烯 一 2 —羧酸酯/叔一丁基5 —原冰片烯一 2 —羧酸酯/ 5 一原冰片烯一 2 —羧酸/ 1 ，4 一丁二醇二丙烯酸酯）的 合成 重覆實例1的步驟，但使用1 ，4 一丁二醇二丙烯酸 酯代替1 ，3 —丁二醇二丙烯酸酯，如此可得化學7的聚 (順丁烯二酸酐/ 2 —羥基乙基5 —原冰片烯一 2 —狻酸 酯/叔一丁基5 —原冰片烯一2 —羧酸酯/ 5 —原冰片烯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 1222968 Α7 __ ' Β7 五、發明說明（D ) 一2-羧酸/1，4一丁二醇二丙烯酸酯）： <化學式7 >

莫耳比例 a 1 : a 2 : a 3 : b : c 為 0 ♦ 4 0 5 : 0*048：0*024： 0*476： 0*047 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #衣 -------訂---------線 實例3 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將實例1所得的化學式6光姐劑聚合物（3 ♦ 5 7克 )溶解於乙基3—乙氧基丙酸酯中（25克），加入三苯 基銃三氟甲烷磺酸鹽（〇，02克）當作光酸產生劑，且 Μ 0 ♦ 1 0 /i m的過濾器過濾结果混合物，K製得一光咀 劑組成物。 上述所製得的光阻劑組成物旋轉塗覆於矽晶元上，且 K 1 1 0 υ的溫度〃軟一烤"9 0秒鐘，然後K具有能量 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1222968 A7 B7 五、發明說明（ ο 以 後 之完 ， 烤 光烘 照| 器後 光當 曝。 射秒 雷 ο F 9 Γ 元 Α 晶 的烤 m I C 後 \ 度 J 溫 m的 o P 4 0 至 1 像 顯。 中 } 液 1 溶 圖 水 ί Η 像 Α 圖 Μ 的 T S 的/ % L t wrn 8/i 3 4 • 1 2 ♦ 於 ο 置得 其可 將 ， ， 秒 後 ο 成 4 實 : 覆 4 重 例 實 的 3 光 7 式 學 ib 的 得 製 2 Hy 實 用 使 但 驟 圖 劑 阻 光 。 一 像 成圖 形微 可超 ， 的 物 S 合 \ 聚 L 的 得Γη 所 α 1 4 例 ^_ 實 ♦ 替 ο 代一 物為 合 2 聚圖 劑。 阻像 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I---訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐）

Claims (1)

1222968 0980025 ABCD 六、申請專利範圍 基之C ! 一 C I 〇親酸，及直鏈或含支鍵的含有至少一羥 基之C 1 — C 1 0 縮|室。 2 ♦如申請專利範圍第1項之光姐劑共聚物，其中該 脂環烯烴衍生物包括下逑化學式4的化合物， <化學式4 > (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁)

其中k.和η互不相關的分別為1或2 ; p是0至5的 數，R $和R 6互不相關的分別代表氫或甲基，R i ， R z ，R 3和R 4互不相關的分別代表氫，直鏈或含支鏈 的C 1 一 C I 〇综基，直鐽或含支鏈的C i 一 C i 〇酯， 直鏈或含支鏈的C t 一 C i 0酮，直鏈或含支鏈的C i 一 C 1 〇羧酸，直鐽或含支鍵的C i 一 C 1 〇縮醛，直鍵或 含鏈的含有至少一經基之c i 一 c i 〇 i完基，直鍵或含支 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1222968 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 1222968 C5q8 8 59 ABCD 六、申請專利範圍 1至1 0的數；p代表從0至5的數；R ' ，R 〃 ，R 5 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 和R 6互不相關的分別為氫或甲基；R是選自直鐽或含支 鍵的C ί 一 C i 0烷基，直鐽或含支鏈的C : 一 C i 〇酯 ，直鏈或含支鏈的C 1 一 C 1 〇嗣，直鍵或含支鍵的C i 一 C i 0羧酸，直鏈或含支鏈的C ί 一 C i。縮醛，直鏈 或含鏈的含有至少一羥基之C i 一 C 1 0烷基，直鏈或含 支鍵的含有至少一羥基之C 1 — C 1 0酯，直鏈或含支鏈 的含有至少一羥基之C i 一 C 1 0酮，直鏈或含支鏈的含 有至少一羥基之C i 一 C 1 〇羧酸，及直鏈或含支鏈的含 有至少一羥基之C 一 C t 0縮醛；R i ，R 2 ，R 3和 R 4互不相關的分別選自氫，直鏈或含支鍵的C ^ 一 C 1 〇 i完基，直鍵或含支鍵的C 1 一 C jl 〇酯，直鏈或含 支鏈的C i 一 C ! 0嗣，直鏈或含支鐽的C i 一 C i 〇羧 酸，直鏈或含支鏈的C ^ 一 C i 〇縮醛，直鐽或含鏈的含 有至少一羥基之C ί. - C 1 0燒基，直鍵或含支鏈的含有 至少一羥基之C i 一 C i c，酯，直鏈或含支鏈的含有至少 一羥基之C i 一 C 1。酮，直鍵或含支鏈的含有至少一 S 基之C !_ 一 C 1。淺酸，及直鐽或含支鏈的含有至少一經 基之C j. 一 C i 〇縮醛；及a : b : C的比例是1 一 5〇 莫耳％ : 1 〇 — 5 0莫耳96 : 0 · 1 — 2 0莫耳％。 5 ·如申請專利範圜第4項之光阻劑聚合物，包括聚 (順丁 _二酸酐./ 2 —羥基乙基5 —原冰片烯一 2 —羧酸 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） 1222968 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 酯/叔一丁基5 —原冰片烯一 2 —狻酸酯/ 5 —原冰片烯 一 2 —羧酸/ 1 ，3 —丁二醇二丙烯酸酯）；或聚（順丁 烯二酸酐/ 2 —羥基乙基5 -原冰ϋ烯一 2 —羧酸酯/叔 一丁基5 —原冰片烯一 2 —羧酸酯/ 5 —原冰片烯一 2 — 狻酸/ 1 ，4 一丁二醇二丙烯酸酯）。 6 ♦—種製備一光阻劑共聚物的方法，包括步驟（a )將兩種或多種光阻劑共單體及下逑化學式1之光阻劑交 聯簞體溶解於一有機溶劑中，及（b )加入一聚合化起始 劑或聚合催化劑，Μ誘發聚合化反應， <化學式1 > (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁)

j m =Γ R" 其中R <和R 〃互不相關的分別為氫或甲基；m是一 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1222968 058825 ABCD 々、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 從1至1 0的數；及R是選自直鏈或含支鍵的C i 一 C i 0烷基，直鏈或含支鐽的C i 一 C i。酯，直鐽或含 支_的C i 一 C 1 0酮，直_或含支鍵的C 1 一 C i 〇羧 酸，直鐽或含支鏈的Ci 一 Ci 〇縮醛，直鏈或含鏈的含 有至少一羥基之C ^ 一 C i 〇烷基，直鍵或含支鏈的含有 至少一羥基之C i 一 C i 0酯，直鏈或含支鏈的含有至少 一羥基之C i 一 C I。SH，直鏈或含支鍵的含有至少一羥 基之C 一 C ; 0狻酸，及直鍵或含支鏈的含有至少一羥 基之C i 一 C i 0縮醛。 7 ♦如申請專利範圍第6項之製備光阻劑共聚物的方 法，其中步驟（b )是在氮氣或氬氣氣氛之下進行。 8 ·如申請專利範圍第6項之製備光阻劑共聚物的方 法，其中步驟（b )是在溫度6 0 °C和1 3 0 °C間進行。 9 ·如申請專利範圍第6項之製備光阻劑共聚物的方 法，其中步驟（b )是在壓力0 ♦ 0 0 0 1和5 a t m間 進行。 1 〇 ·如申請專利範圍第6項之製備光阻劑共聚物的 方法，其中該用於聚合化反應之有機溶劑是一種或多種溶 劑，選自環己酮，甲基乙基酮，苯，甲苯，二噁烷，四氫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1222968 3q88 95 ABCD 々、申請專利範圍 呋喃，丙二醇甲基醚乙酸酯，及/或二甲基甲醯胺。 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 1 1 +如申請專利範圍第6項之製備光阻劑共聚物的 方法，其中該聚合化起始劑是一種或多種化合物，選自2 ，2 / —偶氮雙異丁腈（八181^)，乙醯過氧化物，月 桂基過氧化物，叔一 丁基過乙酸酯，叔一丁基過氧化氫， 二一叔丁基過氧化物。 1 2 ♦—種光阻劑組成物，包括（ί ) 一種如申請專 利範圍第1項之光阻劑共聚物，及（i i ) 1 Ο 0 - 2〇Ο Ο %光阻劑共聚物重量的有機溶劑。 1 3 ♦如申請專利範圍第1 2項之光阻劑組成物，其 另外包括一 0，1 一 1 0 %光阻劑共聚物重量之光酸產生 劑。 1 4 ♦如申請專利範圍第1 3項之光阻劑組成物，其 中該光酸產生劑是一種或多種化合物，選自二苯基碘化物 六氟磷酸鹽，二苯基碘化物六氟砷酸鹽，二苯基碘化物六 氟綈酸鹽，二苯基Ρ —甲氧基苯基三氟甲烷磺酸鹽，二苯 基Ρ —甲笼基三氟甲烷磺酸鹽，二苯基Ρ —異丁基苯基三 氟甲烷磺酸鹽，二苯基Ρ —叔一丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽 ，三苯基銃六氟磷酸鹽，三苯基銃六氟砷酸鹽，三苯基銃 一 7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1222968 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 六氟銻酸鹽，三苯基毓三氟串烷磺酸鹽，二丁基萘基銃三 氟甲烷磺酸鹽。 1 5 + —種形成一光阻劑圖像的方法，包括步驟（a )將節申請專利範圍第1 2項之光阻劑組成物塗覆至一晶 元上，步驟（b )使用一經圖像化光源之曝光器照光，及 步驟（c )將照光後的晶元顯像。 1 6 ♦如申請專利範圍第1 5項之形成光阻劑圖像的 方法，其中步驟（b )是使用選自A r F ，K r F ，E — 光束，X —射線，E U V (極紫外線）及D U V (深紫外 線）的光源進行。 1 7 ♦如申請專利範圍第1 6項之方法，其在步驟（ b )之前或之後進一步包括烘烤步驟。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之方法，其中該烘烤 步驟是在溫度5 0 °C和2 0 0 °C間進行。 1 9，如申請專利範圚第1 5項之方法，其中該顯像 步驟（c )是使用T M A Η (四甲基胺氫氧化物）水溶液 進行。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 、\ία 線