!twf.doc/e 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種封裝結構(chip package)，且特別 是有關於一種使用可撓性基板(flexible substrate)的封裝結 構。 【先前技術】 在目前的封裝技術中，晶片主要是經由打線接合(wire bonding)技術、覆晶接合(flip chip)技術或是捲帶自動接合 (tape automated bonding，TAB)技術，來與晶片承載器電性 連接。在這些接合技術中，由於捲帶自動接合技術具有： 能在可撓性基材上直接進行電性的測試、能夠利用可撓性 基材來完成電子元件的立體組裝以及能夠製作出薄型且小 型的晶片封裝體等等優點，因此經由捲帶自動接合技術所 製作的晶片封裝體已被廣泛地應用於個人電腦、液晶電 視、助聽器以及記憶卡等等電子產品中。 圖1是習知之晶片封裝體的剖面示意圖。請參照圖1， 晶片封裝體100包括一可撓性基板11〇、一線路層12q、一 晶片130、多個凸塊14〇以及封裝膠體15〇。可撓性基板 110的材質為聚乙醯胺（polyimide)。線路層12〇配置於 可撓性基板110之一表面112上。線路層12〇具有多個内 引腳122、多條跡線124以及多個外引腳126,其中内引腳 122分別經由這些跡線124來與對應之外引腳丨26電性連 曰曰片130配置於線路層120上，並且經由這些凸塊mo 工2929氣· j這些内引腳122電性連接。一般而言，習知技術是將 心壓機的壓頭（pressure head) 16〇壓合於可撓性基板 =之相對於表面112之—表面114上，並且經由壓頭土 16〇 r可撓性基板110所施加的壓力以及熱量以使得晶片 - 經由這些凸塊140電性連接於内引腳122。封裝膠體15〇 • 配置於表面112上。封裝膠體15〇配置於晶片13〇的外圍 並且將這些凸塊140包覆於其内。此外，封裝膠體15〇更 Φ 充滿於可撓性基板110與晶片130之間的間隙。 旦士值得，意的是，當壓頭160對可撓性基板110施加熱 里時，熱量的傳遞路徑主要是經由可撓性基板110以及線 路層120而傳遞至這些凸塊14〇上。然而，由於可撓性基 板110的材質為聚乙醯胺，其具有相當高的熱阻（thermal resistance)，因此在不傷及可撓性基板u〇的條件之下， 習知技術需要較長的時間才能將這些凸塊刚的溫度提升 至適合熱壓的溫度。是以晶片封裝體100的生產效率較低。 此外，具有較高熱阻的可撓性基板11()亦容易造成壓 • 頭160傳遞至這些凸塊14〇的熱量不均勻，以使得這些凸 塊140在同一時間内被加熱至不同的溫度。如此一來，部 分的凸塊14()就容易在不適當的熱壓溫度下與内引腳122 接合，進而造成線路層120與晶片130之間電性連接的品 質的瑕疵。 另外曰曰片封裝體之位於表面112上的内引腳122 與跡線124亦可能會造成封裝膠體150無法充分地充滿可 撓性基板110輿晶片130之間的間隙。請參照圖2,其為 129294^8twf.doc/e 圖1之封轉體未充分地填充於可撓絲板與；之間的 間隙的示意圖，其中為了說明上的方便晶片13()是被透明 化並且以虛線表示日日日片13G的輪廓。在形成封裝勝體15〇 的過程中，當液態的膠體流入可撓性基板110與晶片 之間的間隙時，由於表面112上配置有多條内引腳122以 及多條跡線124,因此液態的膠體會受到較大的流動阻力 (flow resistance)。如此一來，液態的膠體就不容易將可 撓性基板110與晶片130之間的間隙填滿，因而容易使封 裝膠體150中產生孔洞(v〇id)A。 圖3是習知之另一種晶片封裝體的剖面示意圖。晶片 封裝體200包括一可撓性基板21〇、一線路層22〇、一線路 層230、多個導電插塞240、一晶片25〇、多個凸塊26〇以 及封裝膠體270。可撓性基板210的材質為聚乙醯胺，其 具有彼此相對的一表面212與一表面214。線路層220配 置於表面212上，並且線路層220具有多個外引腳222與 多條跡線224。線路層230配置於表面214上，並且線路 層230具有多個内引腳232與多條跡線234。這些導電插 基240分別貫穿可撓性基板21〇，並且將線路層22〇電性 連接於線路層230。如此一來，這些内引腳232就可以經 由這些跡線234、這些導電插塞240以及這些跡線224來 電性連接於外引腳222。晶片250經由這些凸塊260電性 連接於内引腳232上。封裝膠體270配置於表面214上， 其中封裝膠體270配置於晶片13〇的外圍並且將這些凸塊 14〇包覆於其内。此外封裝膠體270更填充於可撓性基板 ：twf.doc/e 210與晶片250之間的間隙。
與前述的理由相同，由於可撓性基板21〇的材質為聚 乙醯胺，因此在不傷及可撓性基板210的條件之下，習知 技術品要較長的日^間才此將這些凸塊260的溫度提升至適 合熱壓的溫度。是以晶片封裝體200的生產效率偏低。並 且具有較高熱阻的可撓性基板210亦容易造成壓頭16〇傳 遞至這些凸塊260的熱量不均勻，内引腳232與晶片25〇 之間電性連接的品質亦容易產生瑕疲。 另外，由於表面214上配置有多條内引腳232以及多 條跡線234，因此在形成封裝膠體27〇時，容易使得液態 的封裝膠體270無法充分地充滿可撓性基板與晶片 ，之間的間隙，而在液態的封裝膠體270固化後：撓性 ，板210與晶片25〇之間產生類似於圖2之孔洞 【發明内容】 本發明的目的就是在提供一種晶片 與内引腳之間的具有較可靠的電性連接。 -中曰曰片
目的是提供—種晶片封細，其中封裝 可撓性基板與晶片之間的間隙。 多個導ΐ插夷、ri晶片封裳體，其包括—可撓性板、 此相對:一;二。可撓性基板具有彼 引腳，且這__八=表面上。線路層具有多個内 12929458twf.d〇c/e ，並藉由這些凸塊與這 片配置於可撓性基板之第二表面上 些導電插塞接合。 本發明提出-種晶片封裝體，其包括一可撓性基板' 多個導電插塞、-線路相及。可撓性基板具有彼 此相對的-第-表面以及—第二表面。這些導電插塞貫穿 可撓性基板。線路層位於第—表面上，並且線路層盘這些 導電插塞電性連接。晶片具有—主動表面以及多個位於^ 動表面上之凸塊。晶片g己置於可撓性基板之第二表面上， 並透過這些凸塊與這些導電插塞躲連接。這些凸塊 和導電插塞重疊。 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，這些凸 塊分別和導電插塞完全或部分重疊。 — 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，上述之 線路層更包括歸跡線以及多個外引腳，並且這些跡線是 連接於這些内引腳以及這些外引腳之間。 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，更包括 一異方性導電膠(ACP)或異方性導電膜(ACF)。異方性導带 膠配置於可撓性基板與晶狀Fa1，喊這些凸塊與 電插塞電性連接。 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，更包括 一兩階段特性（B stage)膠材，配置於可撓性基板與晶片 之間，以使這些凸塊與這些導電插塞電性連接。、曰 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，其中這 些凸塊疋兩階段（B stage )導電凸塊。 吕 12 92 94^twf.doc/e 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封襄體 含-導電縣金屬，配置於凸塊與導電插塞之間，^ 電膠或金屬以使這些凸塊與這些導電插塞電性連接。 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，更勺 -非導電聚合材質。非導電聚合材質配置於 二 晶片之間，以經由非導電聚合材#之固化，使得這^=
電性連接於這些導電插塞。 A
依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，更包括 一底膠。底膠配置於可撓性基板與晶片之間，以包 些凸塊。 上述這 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體 些導電插塞更突出於第二表面外。 ^ 依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，更包括 -封裝膠體配置於第二表面上，以包覆住晶片。另外，封 裝膠體更可以具有—開口，而且關Π暴露出；之與主 動表面相對之背面。
依照本發明的較佳實施例所述之晶片封裝體，上述可 撓性基板的材質是高分子材料，其中此高分子材料例如是 聚乙酿胺。 由於本發明之晶片和内引腳分別位於可撓性基板的 相=兩側，並且由於導電插塞是直接與凸塊電性接觸，因 t田本發明經由熱壓製程而使晶片經由凸塊而電性連接於 '、包插基日守，凸塊的溫度可以更快速地升高到適合熱壓的 随度。是以在不傷害可撓性基板的條件下，本發明可以快 129294^twf.doc/e 速地並且確貫地將晶片電性連接於内引腳。另外，由於本 發明之晶片與可撓性基板之間僅具有多個凸塊，因此形成 封裝膠體的時候，液態的縣膠體可以充分地充滿晶片與 可撓性基板之間的間隙。 Μ ^為讓本發明之上述和其他目的、特徵和伽能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 圖4是本發明一貫施例之晶片封裝體的剖面示意圖。 請參照圖4，晶片封裝體3〇〇主要包括一可挽性基板31〇、 多個導電插塞320、-線路層33〇以及一晶片34〇。可挽性 基板310具有彼此相對的一第一表面312以及一第二表面 314。可撓性基板31〇的材質例如是聚乙醯胺或是其他種類 的具可撓性的高分子材質。這些導電插塞32〇貫穿可撓性 ，板310並且導電插塞32〇的材質例如是金屬材質。在本 貫施例中導電插塞32〇具有突出於第二表面314的一半圓 形突出部322。 線路層330疋由金屬材質所形成，其配置於第一表面 312上，並且線路層33〇包括多個内引腳Μ]、多條跡線 334以及多個外引腳336。導電插塞32〇與分別與這些内引 腳332電性連接，而這些外引腳336適於經由適當的外部 連接&子來與其他的電路元件電性連接。 晶片340具有一主動表面342，並且晶片34〇還具有 位於主動表面342上的多個凸塊344，其中這些凸塊344 11 129294^twf.doc/e 例如是金凸塊、兩階段（B stage)導電凸塊或是其他的導 電凸塊。這些凸塊344分別與這些導電插塞32〇電性連接， 以使得晶片340可以經由凸塊344、導電插塞320、内引腳 332、跡線334以及外引腳336來與晶片封裝體3〇〇以外的 電路元件電性連接。 承上述，本實施例將晶片340電性連接於導電插塞32〇 的方法疋先將熱壓機的壓頭160壓合於内引腳332上。經 由壓頭160施加於内引腳332的壓力以及熱量，使得晶片 340電性連接於導電插塞320。更詳細地說，由於内引腳 332以及導電插塞320均由金屬材質所形成，且凸塊與導 電插塞係直接完全重疊，或者是部分重疊，因此自壓頭16〇 所輸出的熱量可經由内引腳332以及導電插塞32〇而更快 速、直接地傳導至凸塊344。如此一來，導電插塞mo以 及凸塊344的溫度便能夠被快速地提升至熱壓所需的溫 度，並且完成導電插塞320以及凸塊344之間的連結。 此外’晶片封裝體300更可以包括一封裝膠體， 其中封裝膠體350的材質為樹脂（resin)或是其他種類的 保護樹脂。封裝膠體350配置於第二表面314上，並且圍 繞於晶片340的周圍。此外，封裝膠體350更填充於晶片 340與可挽性基板310之間的間隙。封裝膠體且有一 開口 352,其中開口 352暴露出晶片340之相對於=動表 面342的背面346。如此一來，晶片34〇所發出的熱量的 部份便可以經由開口 352而與外界環境進行熱交換了本實 施例形成封裝膠體350的方法是經由點膠機（dispensi=g 12 !twf.doc/e tool)將液態的封裝膠體35〇配置於晶片34〇的周圍，以 使封裝膠體350填充於晶片34〇與可撓性基板31〇之間的 間隙。之後，將液態的封裝膠體35〇固化，而得到固態的 谬體350。值得注意的是，由於本實施例之線路層⑽ 疋位，第一表面312上，並且在第二表面314上不具有跡 線或是引腳，因此相較於習知技術言，本實施例的封裝膠 體=〇在晶片340與可撓性基板31〇之間的間隙流動時不 會文到跡線或是引腳的阻礙。是以封裝膠體35〇會受到較 小的流動阻力。 圖5是本發明另—實施例之晶片封裝體的剖面示意 圖。請共同參照圖4與圖5，晶片封裝體3〇1與晶片封裝 體3〇〇之間主要的差異在於，晶片封裝體3〇1之導電插塞 320突出於第二表面314的突出部是一鲜塾324。詳細地 說:本發明主要的精神是在於導電插塞與凸塊之間的完全 重疊或，部分重疊’是以在上述的實施例中導電插塞32〇 突出於第二表面314的突出部可以是半圓形突出部奶、 銲墊324或是其他種外型的突出結構。在導電插塞32〇與 凸塊344之間完全重疊或部分重疊，並且彼此電性連接的 情況下，導電插塞320亦可以不突出於第二表面314外。 另外，晶片封裝體301更可以包括一層異方性導電膠 (ACP)或者是異方性導電膜(ACF)36〇，以使得凸塊⑽可 以經由異方性導電膠360内的導電粒子362而與銲塾324 電性連接。 當然，本發明所提出的晶片封裝體除了可以在晶片與 13 12929始 twf.doc/e =性基板之間配置—層異方性㈣ 層非導電聚合材質或是-層底膠於兩者之間=1己= 別如圖6與® 7所示。首先請參照圖6，晶片二 與晶片封裝體301之間主、衣體302 之曰片340盘要的異在晶片封裝體搬 之曰曰片340 ”可撓性基板31〇之間是配 材質別。如此-來，本實施例便可以經由^ =:二 们川受熱固化後的體積會產生收縮的特性，使=。32材4 14凸塊344之間的接合更為緊密。 明芩照圖7，晶片封裝體3〇3與晶片封裝體3〇1之間 主要的差異在於晶片封裝體303之晶片340與可撓性基板 310之間是配置一層底膠38〇，其中底膠38〇將這些凸塊包 覆於其内。如此一來，底膠380便可以作為晶片34〇與可 撓性基板310之間的緩衝，以避免晶片34〇與可撓性基板 310之間的電性連接關係受到熱應力的作用而遭到破壞。 此外，在本實施例中銲墊324與凸塊344之間更可以配置 層V電膠或金屬390，以使得銲墊324經由導電膠390 末與凸塊344電性連接。當然，上述之實施例並非用以限 定本發明，在本發明之其他實施例中更可以在晶片34〇與 可撓性基板310之間配置一層兩階段性膠或是其他種類的 間隙物（interposer)。 由於本發明之晶片和内引腳分別位於可撓性基板的 相對兩側，並且由於導電插塞是直接與凸塊電性接觸，因 此當本發明經由熱壓製程而使晶片經由凸塊而電性連接於 導電插塞時，凸塊的溫度可以快速地升高到熱壓所需的溫 14 !twf.doc/e 度。疋以在不傷害可撓性基板的條件下，本發明可以 地並且確實地將晶片電性連接於内引腳。 、逑 另外由於本發明之晶片與可撓性基板之間僅具夕 個凸塊，因此形成封I膠體的時候，液態的封歸^ ^ 充分地充滿晶片與可撓性基板之間的間隙。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並 限疋本發明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 ^範圍内’當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之= 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是習知之晶片封裝體的剖面示意圖。 圖2是圖i之封裝膠體未充分地填充於 晶片之間的間隙的示意圖。 -性基板與 圖3,習知之另一種晶片封裝體的剖面示意圖。 圖 =4是2^—實補之^職_邮示意圖。 圖5疋本發明另—實施例之晶片封裝體的剖面示意 圖 圖6是本發明又—實施例之晶片狀體的剖面示意 圖7 圖 是本發明再一實施例之晶片封裝體的 剖面示意 【主要元件符號說明】 1〇〇 ·晶片封裝體 I10 :可撓性基板 15 ,doc/e :表面 :表面 :線路層 :内引腳 :跡線 :外引腳 :晶片 :凸塊 :封裝膠體 :壓頭 :晶片封裝體 :可撓性基板 :表面 :表面 :線路層 :外引腳 :跡線 :線路層 :内引腳 :跡線 :導電插塞 •晶片 :凸塊 :封裝膠體 ：twf.doc/e :晶片封裝體 :晶片封裝體 :晶片封裝體 :晶片封裝體 :可撓性基板 :導電插塞 :半圓形突出部 :銲墊 :線路層 :内引腳 :跡線 :外引腳 •晶片 :主動表面 :凸塊 :背面 ••第一表面 ••第二表面 :封裝膠體 :開口 :異方性導電膠 :導電粒子 :非導電聚合材質 :底膠 :導電膠 孔洞 17