TWI292443B - Substrate-holder - Google Patents

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1292443 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種基板支件，特別是用在使半導體材料磊 晶沈積在一基板上所用之設備中，其具有一種基板放置側 及一與該放置側相遠離之支件反側。本發明亦涉及一種依 據申請專利範圍第26項前言之半導體材料沈積所用之設 備。 本發明主張德國專利申請案件102 6 1 362.1 -43之優先 權，其所揭示之內容此處作爲參考。 【先前技術】 此種基板支件例如已用在金屬有機氣相磊晶（MOVPE)過 程中。就氮化物化合物之沈積而言，一種由石墨所構成之 基板支件典型上具有一種SiC塗層。該基板然後放置在該 SiC塗層上。 此種形式之基板支件之缺點是：在高溫時進行沈積期間 會在基板表面上形成一種溫度不均勻現象。該半導體材料 沈積在該基板表面上。由多種發出輻射之半導體材料所發 出之發射波長是與沈積時之溫度很有關係，該沈積溫度等 於基板之表面溫度。例如，由以GaN爲主之材料（特別是 GalnN)所發出之發射波長是與溫度很有關係。此種沈積典型 上是在70(TC至800°C之間的溫度中進行。爲了確保已沈積 之半導體材料具有一種儘可能狹窄之發射波長分佈（且最後 使已製成之組件之發射波長之改變量很小），則須在該基板 表面上達成一種儘可能均勻之溫度分佈。就GalnN之沈積 1292443 而言’例如所期望之溫度分佈是溫度差小於5°C。沈積 AlInGaN時對溫度特別敏感，此時溫度差大於5°C時會在該 AlInGaN組件之發射波長中造成很大之改變。 除了基板半導體表面上之溫度分佈以外，基板之材料和 其平坦性，導熱性以及應力亦對基板之表面溫度有重大之 影響。藍寶石基板上之磊晶是與SiC基板上之磊晶有很大 之不同，其原因是會在基板表面上形成極不相同之溫度曲 線（Profile)且因此亦會在已沈積之半導體材料中形成一種 寬度不同之波長分佈。SiC基板表面上之溫度分佈因此與藍 寶石基板上者有很大之不同，這樣另外會使已沈積之半導 體材料有很大之波長間距。 大部份之半導體製造商使用藍寶石作爲AlInGaN材料系 統所用之生長基板。由於此一原因，一般之設備製造商之 基板支件是針對藍寶石基板而設計，此時不會發生上述之 問題。因此，目前爲止亦未有任何措施（該措施特別是用來 使基板表面溫度均勻化且因此亦使已沈積之半導體材料之 發射波長均勻化）已爲人所知。 【發明內容】 本發明之目的是發展一種基板支件或發展一種上述形式 之設備，其允許半導體材料之沈積而得到一種儘可能狹窄 之發射波長分佈。 該目的以具有申請專利範圍第1項特徵之基板支件或以 具有申請專利範圍第26項特徵之設備來達成。本發明有利 之其它形式描述在申請專利範圍各附屬項中。 1292443 本發明之設計方式是：使用一種具有溫度補償結構之基 板支件，其可在該基板支件上已存在之基板之整個基板表 面上達成一種確定之溫度曲線或特別是達成一種很均勻之 溫度；或使用一種磊晶沈積半導體材料所用之設備，該設 備包含此種基板支件。 上述形式之溫度補償結構在基板支件表面上產生適當之 溫度不均勻性，其另可使基板表面上之溫度分佈平滑化。 在基板之較熱之位置上於該基板支件中形成一種溫度補償 結構，其對這些位置具有相對應之冷卻作用。反之，在在 基板之較冷之位置上於該基板支件中形成一種溫度補償結 構，其可使較多之熱量傳送至該基板。以此種方式可補償 該基板表面上之溫度不均勻性。 該基板藉由對流，熱傳導及/或熱輻射而被加熱。典型上 使用一種電阻式加熱或感應式加熱。在電阻式加熱中，該 基板支件例如直接經由一種加熱線（即，加熱體）而被加熱。 在感應式加熱中，一種導電之基板支件藉由基板支件中以 感應方式所產生之電流而被加熱。該基板支件此處同時亦 爲加熱體。在以上二種情況中，在已直接定位之基板中大 部份之熱由基板支件藉由熱傳導而傳送至該基板。在此種 構造中爲了達成儘可能廣之均勻之溫度曲線，則須儘可能 在該基板之整個下部表面上在基板和該基板支件之間確保 一種良好之接觸。 另一有利之實施形式之設計方式是：須在該基板支件上 設定該基板，以便在該基板和該基板支件之間形成一種間 1292443 隙。此間隙之大小須選擇成使熱傳送主要是藉由熱輻射來 進行，且熱傳導可廣泛地被忽略。因此，該基板可有利地 主要是藉由熱輻射和對流來加熱。在此種情況下爲了均勻 地加熱，則基板支件和基板之間之間距在整個基板上須儘 可能保持定値。由於該基板在加熱期間可彎曲，則該基板 可直接與該基板支件相接觸，其中一較熱之位置藉由基板 表面上直接之熱傳導而形成。爲了防止此種接觸，則須選 取基板支件和基板之間之間隙，使該間隙大於基板所期望 之彎曲量。該間隙可有利地藉由基板設定結構（例如，一種 設定環）而產生。 該基板通常是位於該基板支件之一凹口中。該基板之邊 緣區因此可由下側加熱或由側邊加熱且因此較該基板之中 央還熱。爲了補償該邊緣之過熱，則較佳是使一種連續之 環形槽整合在該基板設定側或整合在該基板支件之反側。 若該基板支件和該熱源藉由一種間隙而相隔開，則該槽 較佳是在該基板支件之反側上。支件反側上之槽用來使直 接位於該槽上方之基板支件且因此亦使該基板支件之圍繞 該槽之區域都較該基板支件之其餘區域還冷。該基板支件 中之此種較冷區域之形成是由於下述原因所造成··熱由熱 源傳送至該基板支件之基板設定側時大部份是經由熱傳導 來進行（其中該熱傳導是與至熱源之距離有關）且基板支件 和該熱源之間之間距在該槽中較其它位置者還大。較佳是 選取該間隙成較小，使熱傳送主要是藉由熱傳導來進行， 且熱輻射可忽略。該基板須定位在該基板支件上，使其直 1292443 接位於該基板支件上或例如在一種定位環上位於該基板支 件上方。此外，該基板（其與該基板支件之間可具有間隙或 不具有間隙）可完全或一部份覆蓋該槽上方之區域或配置 在該區域之旁。 反之，當該熱源直接與該基板支件相接觸或該基板支件 本身是熱源時，則一種連續之環形槽較佳是位於該基板支 件之基板設定側上。在此種形式中，該基板之至少一部份 可定位在該槽上方。有利之方式是該槽完全被覆蓋，以便 使半導體材料不會沈積在基板之下側上。基板下側上之半 導體材料在進一步對該半導體組件加工時是一種問題。該 基板亦可在邊緣和該槽之間覆蓋該基板支件之區域。上述 之配置亦能與該基板支件和基板之間之間隙相組合。 在另一有利之實施形式中，該基板支件之基板設定側設 有多個槽，其相互間之間距及/或其深度須配合該基板之溫 度曲線。即，通常各槽之間之間距在溫度較高之區域中小 於溫度較低之區域中者。同理，可設定各槽之深度，使溫 度較高之區域所具有之槽之深度較該溫度較低之區域中者 還深。 該基板支件可有利地在該基板設定側上或該半導體反側 上具有一種組織，其由一種三維圖樣所構成。此種圖樣例 如是一種陰影線，其由微細之平行溝渠所成。相交之陰影 線和其它圖樣（其例如亦可包含溝槽）亦是適當的。在溫度較 高之區域中，該圖樣配置成較溫度較低之區域中者還緊 密。在此種情況下，較緊密之圖樣對應於一種圖樣，其中 -10- 1292443 各圖樣元素（例如，溝渠及/或溝槽）配置成較靠近且情況需 要時以較小方式來形成。 有利之方式是使該基板支件之基板設定側設有多個連續 之步級，以形成一種連續之步階（即，一種連續之步階式之 起伏）。此種形式在該基板加熱時主要是藉由熱傳導來較佳 化，即，當該基板和基板支件之間存在一種足夠小之間隙 時可較佳化。該步級之深度須配合該基板之溫度曲線，使 較深之步級存在於該基板之各區域（其中存在著較高之溫度） 之下方，較小之步級則配置在溫度較低之區域中。 另一實施形式在該基板支件之基板設定側上具有凹口， 基板之至少一部份配置於該凹口中或凹口上方。此種形式 在與基板設定結構相結合時特別有利，此乃因該設定成較 深之基板之下側所沈積之半導體材料較少。 該基板支件之表面粗糙性或平坦性較佳是與所使用之基 板有相同之數量級。 該基板支件較佳是由SiC純材料所構成以取代傳統之以 SiC來塗佈之石墨。這樣可使該基板支件有較佳之導熱性且 因此有較均勻之溫度，較長時間之支撐性（其是針對該塗層 和石墨之間之熱應力所造成之失效）以及較簡單之（化學和 機械上之）淨化過程。由SiC純材料所構成之該基板支件事 後又可再加工及/或定出輪廓（例如，以材料加工雷射來達 成）。 上述二種或多種實施形式之組合亦是可行的。 【實施方式】 -11- 1292443 本發明以下將依據第1至9圖中之實施例來詳述。 相同或作用相同之各元件在各圖中是以相同之參考符號 來表示。各圖未按比例繪製，以便可更清楚。 第la、lb圖所示之基板支件1在下側上具有一種槽4， 其圍繞該基板支件1之邊緣。例如，該基板支件1由SiC 純材料所構成且具有大約7 mm之厚度。槽4亦可配置在該 基板支件之上側。槽4例如可以是3.5 m m深和2 · 5 m m寬。 但該寬度亦可多達該基板支件1之半徑之80%。槽4例如可 具有四角形之橫切面。槽4之大小和橫切面可依據溫度曲 線而改變，以便在該基板支件1上達成一種均勻之溫度分 佈。該基板2位於該基板支件1上，半導體材料施加於基 板2上。該基板支件1下方配置一種熱源11來對該基板支 件1加熱。該熱源11未顯示在第la、lb圖中而是顯示在 2a至2d圖中。 該熱源1 1較佳是藉由間隙1 2而與該基板支件1相隔開， 此乃因該基板支件1之加熱是藉由輻射來進行。該基板支 件1之在該槽4上方之部份被加熱之程度小於該基板支件1 之其餘部份，此乃因其離該輻射源（即，熱源11)較遠之故。 該槽4以連續之方式圍繞該基板支件1之邊緣（請參閱第lb 圖）。本實施例中該基板2直接在該基板支件1上定位在直 接位於該槽4上方之區域旁。 第2a至2d圖顯示該基板2,基板支件1和該槽4之其它 可能之相對配置關係圖。第2a至2d圖顯示該基板1(其直 接位於該基板支件1上），槽4上方之區域（其一部份被覆 -12- 1292443 蓋，請參閱第2a圖）以及介於槽4和邊緣之間之位於槽4上 方之各區域（其被覆蓋，請參閱第2b圖）。第2c、2d圖顯示 基板2，其藉由間隙8而與該基板支件1相隔開。該間隙8 例如藉由一種（未顯示之）設定結構而產生。第2c圖中該.槽 上方之區域未由基板2所覆蓋且第2d圖中該區域以及該槽 4和邊緣之間之區域之一部份是由基板2所覆蓋。基板2之 其它位置亦可被覆蓋。 在第二實施形式中，第1，2圖所示之槽4在邊緣上配置 在該基板支件1之上側（請參閱第3圖）。此種配置可更良好 地適合於以熱傳導方式來加熱（例如，接觸式加熱或感應式 加熱），此乃因該基板2之通常較熱之邊緣區可配置在該槽 4上方。該基板2之邊緣區被加熱之程度不如該基板2之直 接與該基板支件1相接觸之部份。例如，第3圖中所顯示 之基板2完全覆蓋該槽4,因此在該基板2之下側和該基板 支件1之間形成一種封閉之例如以氣體塡入之間隙。 該基板2亦可一部份覆蓋該槽4或至少一部份覆蓋該槽4 和該邊緣之間之基板支件表面（請參閱第4a至4c圖）。該槽 4較佳是完全被覆蓋，使得在半導體材料沈積期間該基板2 之下側上不會沈積該半導體材料。該基板2亦可藉由間隙8 而與該基板支件1相隔開（請參閱第4d、4e圖）。藉由一種（未 顯示之）設定結構而產生該間隙8。當該基板2之整個邊緣 區位於緊隨該邊緣之設定結構上時，則該基板2之下側須 受到保護使不會沈積該半導體材料，否則該間隙8會因此 而閉合。 1292443 第5圖顯示第三實施例。該基板支件1在上側或下側上具 有一種由多個小的槽4所形成之輪廓。各槽4例如具有25 // m之寬度和1 00 # m之深度。各槽4例如是環形的且以 同心方式配置著，使該基板支件1之邊緣區中各槽4之間 之間距小於基板支件1之中央區中者，此乃因邊緣區所具 有之溫度通常較中央區中者還高。各槽4之間之準確之間 距（即，各槽之密度）須配合該基板2或該基板支件1之溫度 曲線。該基板2之溫度與該基板2之常溫相差越大，則各 槽4之配置密度越大。爲了在該基板2上產生一種儘可能 穩定之溫度曲線，則該輪廓須很精細。該基板支件1例如 由SiC純材料所構成。該基板支件1亦可由上側具有SiC 塗層之石墨所構成，但該SiC塗層較佳是較該槽4之深度還 厚。亦可使該輪廓配置在該基板支件之下側上。 第6a、6b所示之基板支件1在邊緣之上側上具有一種設 定結構（例如，一種環形之設定步級5)，其配置在該基板支 件之設定面中之凹口中。藉由此種邊緣設定而在基板支件1 和基板2之間形成一種明確之間隙8。該間隙8至少須夠 大，以便在該基板彎曲時（磊晶之前及磊晶期間）仍可持續地 藉由熱輻射來進行熱傳送。 該設定步級例如具有1 mm之寬度且位於該凹口底部上方 0.5 mm處，即，在此種情況下該間隙8具有0 · 5 mm之厚度。 該凹口較佳是較該設定步級還深（即，在本例子中更深〇·5 mm)，使至少該基板2之位於該設定步級上之下側所處之位 置較該基板支件1之邊緣區還深（請參閱第6a圖）。 -14- 1292443 第6a圖顯示一凹口中一種具有設定步級之基板支 其中該基板2所處之位置該基板支件1之邊緣區者 但該基板表面由該基板支件1之邊緣區凸出。該凹 須像該基板2之表面一樣大，使該凹口可容納該基板 實施例中另設有一如第1圖所示之槽4，但未必需要 之設定結構亦可行。 第7a、7b、7c圖中顯示上述實施例之一種變形。 平台6用來與切口 7相連繫以支撐該基板2,該基板 至少一基板設定面9，其平行於該基板支件表面。該 然後在該平台6之切口 7中位於基板設定面9上， 該基板2和該基板支件1之間產生一種間隙8。各切 配合該基板邊緣之形式。各切口 7可以是大約1.5 (即，該平台之直徑之一半）且大約1 mm深。各平台 於該基板支件表面大約3 mm。由於由基板支件1至 2之熱傳送主要是以熱輻射來達成，則該間隙8較佳 基板2之由於熱應力所造成之預期之彎曲量還厚。 第8a、8b圖顯示另二種不同之實施例，其中該基 之基板設定側具有多個連續之同心步級1 0。第8a圖 板2在基板支件1之邊緣區中位於一設定步級5上 基板支件1之中央區中位於該基板支件表面上。該 件1和基板2之間之未設定之區域中之間隙8因此 的。在該間隙足夠小時，熱傳送主要是藉由通過該 熱傳導以及該基板2之中央區中和各設定步級中之 熱傳導來達成。該基板2當然可以只定位在該設定 件1， 還深， 口至少 [2。本 。其它 此處各 2具有 基板2 以便在 口 7可 mm寬 6凸出 該基板 是較該 板支件 中該基 且在該 基板支 是環形 間隙之 接觸式 步級5 1292443 上而不會使該基板2與中央之基板支件表耳相接觸（請參閱 第8b圖）。在此種情況下形成一種圓形之間隙8，其具有連 續地成步級之不同之深度。 各步級1 0之深度依據該基板支件1之溫度曲線來調整’ 因此可達成一種儘可能均勻之溫度曲線。由於該基板支件1 之邊緣通常較基板支件1之中央區還熱，則該基板支件1 和該基板2之間之間距較大且因此使熱傳送量較小。反之’ 該基板支件1之中央區中之溫度通常較低且由於此一原因 使該中央區配置成與該基板支件1相接觸或靠近該基板支 件1。 第9圖顯示另一實施例之一部份，其中該基板支件1之基 板設定面具有一種組織。該組織例如由溝渠（其圖樣具有陰 影線）所構成。各溝渠以不同方式互相隔開。在基板2之溫 度較高之區域中，各溝渠之間之間距在該基板支件1之相 對應之區域（即，圖樣較密集之區域）中小於溫度較低之區域 中者。由於該基板支件1之邊緣區通常具有較高之溫度， 則第9圖中所示之基板支件1設有一種較中央區中者還密 集之圖樣。各溝渠之深度亦可配合該基板2之溫度曲線， 此時較深之溝渠位於該基板支件1之面對該基板2之較熱 區域之各區域中。反之，較平坦之溝渠（或無任何溝渠）位於 該基板支件1之面對該基板2之較冷區域之各區域中。此 種組織亦可包含溝槽或其它圖樣。 本發明之保護範圍不限於各實施例中所述者。反之，本 發明包含每一種新的特徵以及各特徵之每一種組合，其特 1292443 別是包含各申請專利範圍中各特徵之組合，當這些組合未 明顯地顯示在各申請專利範圍中時亦然。 【圖式簡單說明】 第la、lb圖分別爲本發明之基板支件之第一實施例之切 面圖和俯視圖。 第2a至2d圖本發明之基板支件之第一實施例之不同形 第3圖 式之切面圖。 本發明之基板支件之第二實施例之俯視圖。 第4a至4e圖本發明之基板支件之第二實施例之不同形 第5圖 式之切面圖。 本發明之基板支件之第三實施例之俯視圖。 胃6a至6c圖分別爲本發明之基板支件之第四實施例之 切面圖或俯視圖。 第7a至7c圖 分別爲本發明之基板支件之第五實施例 之切面圖和俯視圖。 第8a、8b圖本發明之基板支件之第六實施例之切面圖。 第9圖 本發明之基板支件之第七實施例之俯視圖。 主要元件二 1 L符號表： 基板支件 2 基板 3 半導體材料 4 槽 5 步級 6 平台 -17- 1292443 7 切口 8 間隙 9 基板設定面 10 同心步級 11 熱源 12 間隙

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Claims (1)

1. 爹(〆)正本 第 92137055 號 「基板支件」專利案 (2007年7月修正） 拾、申請專利範圍： 1. 一種基板支件（1)，特別是用於使半導體材料（3)以磊晶方 式沈積在一基板（2)上所用之設備中，該基板支件（1)具有 一基板設定側和一遠離該設定側之半導體反側，其特徵 爲：該基板支件（1)具有一種溫度補償結構，其在包含一 種加熱或冷卻之過程中使一種位於該基板支件（1)上或位 於其附近中之基板（2)之整個基板面上達成一種明確之溫 度曲線，且該溫度補償結構在整個基板面上造成一種儘可 能均勻之溫度。 2. 如申請專利範圍第1項之基板支件（1)，其中該溫度補償 結構在基板設定側中及/或支件反側中是一個或多個三維 之結構。 3. 如申請專利範圍第2項之基板支件（1)，其中該三維之結 構藉由至少一在邊緣附近中延伸之槽（4)來形成。 4. 如申請專利範圍第3項之基板支件（1)，其中該槽（4)之寬 度最多是該基板支件之半徑之80%且該槽（4)之深度小於 該基板支件（1)之厚度或小於一種存在於該基板設定側上 之塗層之厚度。 5. 如申請專利範圍第3項之基板支件（1)，其中該槽（4)配置 成環形或同心之形式。 6. 如申請專利範圍第4項之基板支件（1)，其中該槽（4)配置 成環形或同心之形式。 7. 如申請專利範圍第3至6項中任一項之基板支件（1)，其 1292443 中各槽（4)之間之間距在各區域（其中在上述過程，特別是 半導體材料之生長，期間或該過程之後存在著較高之溫度） 中較在溫度較低之各區域中者還小。 8. 如申請專利範圍第3至6項中任一項之基板支件（1)，其 中各槽（4)之深度在生長半導體材料期間存在著較高溫度 之各區域中較存在著較低溫度之各區域中者還大。 9. 如申請專利範圍第3至6項中任一項之基板支件（1)，其 中各槽（4)之橫切面是四角形，圓形，圓形或上述這些形 式之一之一部份。 10. 如申請專利範圍第1或2項之基板支件（1)，其中該溫度 補償結構具有一種組織。 11. 如申請專利範圍第1〇項之基板支件（1)，其中該組織含有 多個溝渠及/或溝槽，其相互間之間距須配合該基板支件 (1)之溫度曲線，使各溝渠及/或溝槽之間之間距在生長半 導體材料期間存在著較高溫度之各區域中較存在著較低 溫度之各區域中者還小。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之基板支件（丨），其中該組織含有 多個溝渠及/或溝槽，其深度須配合該基板支件（1)之溫度 曲線，使各溝渠及/或溝槽在生長半導體材料期間存在著 較高溫度之各區域中之深度較存在著較低溫度之各區域 中者還大。 13.如申請專利範圍第10項之基板支件（1)，其中該組織含有： -溝渠，其至少一'部份相交， -溝渠，其至少一部份互相平行而配置著， -溝渠，其至少一部份成彎曲狀， -溝渠，其成點狀，圓形狀或長方六面體形狀， 1292443 -溝渠’其具有點狀，圓形狀或長方六面體形狀之組合， -或含有溝渠及/或溝槽，其具有上述各種形式之至少二種 之組合。 1 4 ·如申請專利範圍第i或2項之基板支件（1 )，其中該溫度 補償結構含有多個由不同深度所形成之連續之步級。 1 5 .如申請專利範圍第1 〇項之基板支件（丨），其中該溫度補償 結構含有多個由不同深度所形成之連續之步級。 16·如申請專利範圍第14項之基板支件（1)，其中各步級以同 心方式配置在中央。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項之基板支件（1 )，其中各步級以同 心方式配置在中央。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之基板支件（1 )，其中設有各步級 之表面含有一種連續之成步級之起伏。 19. 如申請專利範圍第15項之基板支件（1)，其中設有各步級 之表面含有一種連續之成步級之起伏。 20. 如申請專利範圍第14項之基板支件（1)，其中各步級之深 度須配合該基板支件（1)之溫度曲線，使各步級在生長半 導體材料期間存在著較高溫度之各區域中之深度較存在 著較低溫度之各區域中者還大。 21. 如申請專利範圍第15項之基板支件（1)，其中各步級之深 度須配合該基板支件（1)之溫度曲線，使各步級在生長半 導體材料期間存在著較高溫度之各區域中之深度較存在 著較低溫度之各區域中者還大。 22. 如申請專利範圍第1項之基板支件（1)，其中該基板設定 側具有一種基板設定結構，藉此在已設定之基板中在該 基板（2)和該基板支件（1)之間形成一種間隙（8)。 1292443 23.如申請專利範圍第22項之基板支件（Π ’其中須形成該基 板設定結構，使只有該基板（2)之邊緣或邊緣側之各區域 位於該設定結構上且該基板（2)在其餘區域中未與該基板 支件（1)相接觸。 24 .如申請專利範圍第2 2項之基板支件（1 )，其中該基板設定 結構是一種圍繞該基板之步級。 25. 如申請專利範圍第23項之基板支件（1) ’其中該基板設定 結構是一種圍繞該基板之步級。 26. 如申請專利範圍第22至25項中任一項之基板支件（1) ’ 其中該基板設定結構包含至少一種基板繫住區以支撐該 基板（2)，其在該基板支件表面上方具有一種基板設定面 (9)。 27. 如申請專利範圍第6項之基板支件（1)，其中該基板繫住 區由一種具有切口（7)之半球或平台（6)所構成，其具有至 少一與該基板支件表面平行且位於上方之基板設定面 (9)。 2 8.如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板支件（1)，其 中在該基板支件（1)之基板設定側上設有一凹口，其至少 足夠大，使該基板（2)之至少一部份可平行於基板支件（1) 之設定面而配置在該凹口中。 29.如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板支件（1)，其 中在該基板支件（1)之表面含有一種小於10 //m之粗糙 度。 3〇·如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板支件（1)，其 中在該基板支件（1)具有至少一種已硏磨及/或已拋光之 表面。 1292443 31.—種以磊晶方式生長半導體材料（3)於基板（2)上所用之 設備，其包含：至少一反應器，一種氣體混合系統和一 種排氣系統，該反應器具有：至少一基板支件（1)，一用 於該基板支件（1)之載體，以及一加熱用之裝置’其特徵 爲：該基板支件（1)是依據申請專利範圍第1至30項中任 一項之基板支件（1)所形成。 1292443 柒、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（6C )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 1 基板支件 2 基板 4 槽 5 步級 8 間隙 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：