JP2001010894A - 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 - Google Patents
結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法Info
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 22
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical group Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長
装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法
において、エピタキシャル成長において面内の膜厚均一
性および不純物濃度均一性を向上させること。 【解決手段】 高温状態の基板Ｗ上に反応ガスを流して
基板表面に結晶を成長させる際に、基板を載置領域１２
ａの表面に載置した状態で加熱される板状の結晶成長用
サセプタ１２であって、前記載置領域の周縁部は、その
単位面積当たりの熱容量が載置領域の中央部より小さく
されている。
装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法
において、エピタキシャル成長において面内の膜厚均一
性および不純物濃度均一性を向上させること。 【解決手段】 高温状態の基板Ｗ上に反応ガスを流して
基板表面に結晶を成長させる際に、基板を載置領域１２
ａの表面に載置した状態で加熱される板状の結晶成長用
サセプタ１２であって、前記載置領域の周縁部は、その
単位面積当たりの熱容量が載置領域の中央部より小さく
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等の基板上にエピタキシャル成長を行う際に基板を支持
する結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、
およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法に関す
る。
等の基板上にエピタキシャル成長を行う際に基板を支持
する結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、
およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＭＯＳデバイス用のシリコン・ウ
ェーハとして、極めて低い抵抗率のシリコン基板上に、
所定の不純物濃度で単結晶シリコン薄膜（エピタキシャ
ル層）を気相成長させたエピタキシャル・ウェーハが用
いられている。このエピタキシャル・ウェーハは、引上
結晶ウェーハに生じるＣＯＰ(Crystal Originated Part
icle)等の結晶欠陥の影響が抑制でき、ＭＯＳデバイス
のゲート酸化膜の歩留まりが向上するとともに、寄生容
量低減、ソフトエラーの防止、ゲッタリング能力の向上
等の優れた特性を備えることができる。
ェーハとして、極めて低い抵抗率のシリコン基板上に、
所定の不純物濃度で単結晶シリコン薄膜（エピタキシャ
ル層）を気相成長させたエピタキシャル・ウェーハが用
いられている。このエピタキシャル・ウェーハは、引上
結晶ウェーハに生じるＣＯＰ(Crystal Originated Part
icle)等の結晶欠陥の影響が抑制でき、ＭＯＳデバイス
のゲート酸化膜の歩留まりが向上するとともに、寄生容
量低減、ソフトエラーの防止、ゲッタリング能力の向上
等の優れた特性を備えることができる。
【０００３】このエピタキシャル・シリコンの製造にお
いては、シリコン・ウェーハの大口径化に伴い、従来の
バッチ式ではなく枚葉式のエピタキシャル結晶成長装置
が主に使用されるようになり、３００ｍｍ等の大口径用
のものが開発されている。この枚葉式装置では、チャン
バ内に水平状態に配された一つのサセプタ上にシリコン
基板を載置するとともに、周囲に配設した赤外線ランプ
等の加熱源によって主にサセプタを加熱させ、該サセプ
タからの熱で載置したシリコン基板を高温状態にしてい
る。
いては、シリコン・ウェーハの大口径化に伴い、従来の
バッチ式ではなく枚葉式のエピタキシャル結晶成長装置
が主に使用されるようになり、３００ｍｍ等の大口径用
のものが開発されている。この枚葉式装置では、チャン
バ内に水平状態に配された一つのサセプタ上にシリコン
基板を載置するとともに、周囲に配設した赤外線ランプ
等の加熱源によって主にサセプタを加熱させ、該サセプ
タからの熱で載置したシリコン基板を高温状態にしてい
る。
【０００４】そして、サセプタを回転させながら高温状
態のシリコン基板上に反応ガスを流すことにより、気相
成長を行っている。なお、上記従来のサセプタ１は、図
７に示すように、シリコンカーバイドで表面がコーティ
ングされたカーボンを円形平板状に形成したものであ
り、その下面に形成された嵌合穴１ａに石英製の支持部
２を差し込んでチャンバ内に回転可能に支持されてい
る。
態のシリコン基板上に反応ガスを流すことにより、気相
成長を行っている。なお、上記従来のサセプタ１は、図
７に示すように、シリコンカーバイドで表面がコーティ
ングされたカーボンを円形平板状に形成したものであ
り、その下面に形成された嵌合穴１ａに石英製の支持部
２を差し込んでチャンバ内に回転可能に支持されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のエピタキシャル結晶成長手段では、以下のような課
題が残されている。すなわち、エピタキシャル・ウェー
ハにおいても、より高い歩留まり及び信頼性の向上が求
められているため、特に、ウェーハ全面にわたってさら
に均一な膜厚および抵抗値が要望されている。従来の手
段で成長させたエピタキシャル層の膜厚分布を調べる
と、図８の（ａ）に示すように、周縁部が中央部に比べ
て厚くなる現象があるとともに、抵抗値の分布を調べる
と、図８の（ｂ）に示すように、中央部より周縁部が低
くなる現象があり、これらの不均一性を是正する必要が
ある。周縁部の膜厚が厚くなる要因の一つとしては、周
縁部における反応ガスの流れの乱れによると考えられ、
また、周縁部の抵抗値が低下する要因の一つとしては、
いわゆるオートドープ現象が考えられる。このオートド
ープ現象とは、ボロンが高濃度に添加された低抵抗シリ
コン基板上にエピタキシャル層を成長する場合、基板の
エッジ部分から蒸発したボロンが表面周縁部のエピタキ
シャル層に取り込まれてしまい不純物濃度が高くなって
抵抗値が下がる現象である。なお、エピタキシャル層の
膜厚および抵抗値は、温度やガスの流れ等に影響を受け
るため、ランプのパワーを周縁部に対して中央部を相対
的に大きくする方法や、ウェーハ中央部にチャンバ上部
からボロンを供給して中央部の抵抗値を下げて均一化を
図る方法等の提案がされているが、これらだけでは特に
局所的な外周部の均一性を向上させることが困難であっ
た。
来のエピタキシャル結晶成長手段では、以下のような課
題が残されている。すなわち、エピタキシャル・ウェー
ハにおいても、より高い歩留まり及び信頼性の向上が求
められているため、特に、ウェーハ全面にわたってさら
に均一な膜厚および抵抗値が要望されている。従来の手
段で成長させたエピタキシャル層の膜厚分布を調べる
と、図８の（ａ）に示すように、周縁部が中央部に比べ
て厚くなる現象があるとともに、抵抗値の分布を調べる
と、図８の（ｂ）に示すように、中央部より周縁部が低
くなる現象があり、これらの不均一性を是正する必要が
ある。周縁部の膜厚が厚くなる要因の一つとしては、周
縁部における反応ガスの流れの乱れによると考えられ、
また、周縁部の抵抗値が低下する要因の一つとしては、
いわゆるオートドープ現象が考えられる。このオートド
ープ現象とは、ボロンが高濃度に添加された低抵抗シリ
コン基板上にエピタキシャル層を成長する場合、基板の
エッジ部分から蒸発したボロンが表面周縁部のエピタキ
シャル層に取り込まれてしまい不純物濃度が高くなって
抵抗値が下がる現象である。なお、エピタキシャル層の
膜厚および抵抗値は、温度やガスの流れ等に影響を受け
るため、ランプのパワーを周縁部に対して中央部を相対
的に大きくする方法や、ウェーハ中央部にチャンバ上部
からボロンを供給して中央部の抵抗値を下げて均一化を
図る方法等の提案がされているが、これらだけでは特に
局所的な外周部の均一性を向上させることが困難であっ
た。
【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、エピタキシャル成長において面内の膜厚均一性お
よび不純物濃度均一性を向上させることができる結晶成
長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピ
タキシャル・ウェーハとその製造方法を提供することを
目的とする。
ので、エピタキシャル成長において面内の膜厚均一性お
よび不純物濃度均一性を向上させることができる結晶成
長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピ
タキシャル・ウェーハとその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の結晶成長用サセプタでは、高温状態の基板上に
反応ガスを流して基板表面に結晶を成長させる際に、基
板を載置領域の表面に載置した状態で加熱される板状の
結晶成長用サセプタであって、前記載置領域の周縁部
は、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の中央部よ
り小さくされている技術が採用される。
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の結晶成長用サセプタでは、高温状態の基板上に
反応ガスを流して基板表面に結晶を成長させる際に、基
板を載置領域の表面に載置した状態で加熱される板状の
結晶成長用サセプタであって、前記載置領域の周縁部
は、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の中央部よ
り小さくされている技術が採用される。
【０００８】この結晶成長用サセプタでは、載置領域の
周縁部が、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の中
央部より小さくされているので、加熱された際に周縁部
が中央部に比べて温度が低くなり、載置される基板もそ
の周縁部が中央部に比べて低い温度になる。すなわち、
エピタキシャル層の膜厚は温度が低くなると薄くなるこ
とから、周縁部の膜厚が相対的に低い温度によって従来
より薄く是正され、面内全体における膜厚の均一性が高
くなる。また、エピタキシャル層の抵抗値（特にドーパ
ントがボロンの場合）は温度が低くなると高くなる傾向
（ボロンが取り込まれ難くなる）があるとともに、周縁
部の温度が下がってエッジから出る添加不純物（ボロン
等）の取り込みが少なくなることから、周縁部の抵抗値
が低い温度によって従来より高く是正され、面内全体に
おける抵抗値の均一性が高くなる。
周縁部が、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の中
央部より小さくされているので、加熱された際に周縁部
が中央部に比べて温度が低くなり、載置される基板もそ
の周縁部が中央部に比べて低い温度になる。すなわち、
エピタキシャル層の膜厚は温度が低くなると薄くなるこ
とから、周縁部の膜厚が相対的に低い温度によって従来
より薄く是正され、面内全体における膜厚の均一性が高
くなる。また、エピタキシャル層の抵抗値（特にドーパ
ントがボロンの場合）は温度が低くなると高くなる傾向
（ボロンが取り込まれ難くなる）があるとともに、周縁
部の温度が下がってエッジから出る添加不純物（ボロン
等）の取り込みが少なくなることから、周縁部の抵抗値
が低い温度によって従来より高く是正され、面内全体に
おける抵抗値の均一性が高くなる。
【０００９】請求項２記載の結晶成長用サセプタでは、
請求項１記載の結晶成長用サセプタにおいて、前記載置
領域の周縁部は、その肉厚が載置領域の中央部より薄く
されている技術が採用される。
請求項１記載の結晶成長用サセプタにおいて、前記載置
領域の周縁部は、その肉厚が載置領域の中央部より薄く
されている技術が採用される。
【００１０】この結晶成長用サセプタでは、載置領域の
周縁部が、その肉厚が載置領域の中央部より薄くされて
いるので、周縁部の単位面積当たりの熱容量を容易にか
つ高精度に中央部より小さくすることができる。
周縁部が、その肉厚が載置領域の中央部より薄くされて
いるので、周縁部の単位面積当たりの熱容量を容易にか
つ高精度に中央部より小さくすることができる。
【００１１】請求項３記載の結晶成長用サセプタでは、
請求項１または２記載の結晶成長用サセプタにおいて、
前記載置領域の周縁部は、その表面または裏面の少なく
とも一方に溝が形成されている技術が採用される。
請求項１または２記載の結晶成長用サセプタにおいて、
前記載置領域の周縁部は、その表面または裏面の少なく
とも一方に溝が形成されている技術が採用される。
【００１２】この結晶成長用サセプタでは、載置領域の
周縁部が、その表面または裏面の少なくとも一方に溝が
形成されているので、溝の位置の肉厚が薄くなり、周縁
部全体としての単位面積当たりの熱容量を中央部より小
さくすることができる。
周縁部が、その表面または裏面の少なくとも一方に溝が
形成されているので、溝の位置の肉厚が薄くなり、周縁
部全体としての単位面積当たりの熱容量を中央部より小
さくすることができる。
【００１３】請求項４記載の結晶成長用サセプタでは、
請求項１から３のいずれかに記載の結晶成長用サセプタ
において、前記載置領域の中央部は、裏面に凸部が形成
されている技術が採用される。
請求項１から３のいずれかに記載の結晶成長用サセプタ
において、前記載置領域の中央部は、裏面に凸部が形成
されている技術が採用される。
【００１４】この結晶成長用サセプタでは、載置領域の
中央部の裏面に凸部が形成されているので、凸部の位置
の肉厚が厚くなり、中央部の単位面積当たりの熱容量を
周縁部より大きくすることができ、相対的に周縁部の温
度が低くなる。
中央部の裏面に凸部が形成されているので、凸部の位置
の肉厚が厚くなり、中央部の単位面積当たりの熱容量を
周縁部より大きくすることができ、相対的に周縁部の温
度が低くなる。
【００１５】請求項５記載の結晶成長用サセプタでは、
請求項１から４のいずれかに記載の結晶成長用サセプタ
において、前記載置領域の単位面積当たりの熱容量は、
前記載置領域の表面が加熱される際に加えられる輻射熱
の面内分布に応じて設定されている技術が採用される。
請求項１から４のいずれかに記載の結晶成長用サセプタ
において、前記載置領域の単位面積当たりの熱容量は、
前記載置領域の表面が加熱される際に加えられる輻射熱
の面内分布に応じて設定されている技術が採用される。
【００１６】この結晶成長用サセプタでは、載置領域の
単位面積当たりの熱容量が、載置領域の表面が加熱され
る際に加えられる輻射熱の面内分布に応じて設定されて
いるので、ランプ配置等によって加えられる輻射熱の分
布に偏りがある場合でも、その強度分布をも考慮した熱
容量分布によって膜厚および抵抗値の面内均一性を高精
度に得ることができる。例えば、加えられる輻射熱の分
布が半径方向で均一ではなく変化している場合には、こ
れに対応して周縁部の厚さを半径方向に変化させること
により、さらに上記特性の面内均一性に適した熱容量に
設定することが可能になる。
単位面積当たりの熱容量が、載置領域の表面が加熱され
る際に加えられる輻射熱の面内分布に応じて設定されて
いるので、ランプ配置等によって加えられる輻射熱の分
布に偏りがある場合でも、その強度分布をも考慮した熱
容量分布によって膜厚および抵抗値の面内均一性を高精
度に得ることができる。例えば、加えられる輻射熱の分
布が半径方向で均一ではなく変化している場合には、こ
れに対応して周縁部の厚さを半径方向に変化させること
により、さらに上記特性の面内均一性に適した熱容量に
設定することが可能になる。
【００１７】請求項６記載の結晶成長装置では、基板を
サセプタに載置して高温状態にし、基板上に反応ガスを
流して基板表面に結晶を成長させる結晶成長装置であっ
て、前記サセプタは、請求項１から５のいずれかに記載
の結晶成長用サセプタである技術が採用される。
サセプタに載置して高温状態にし、基板上に反応ガスを
流して基板表面に結晶を成長させる結晶成長装置であっ
て、前記サセプタは、請求項１から５のいずれかに記載
の結晶成長用サセプタである技術が採用される。
【００１８】この結晶成長装置では、サセプタが請求項
１から５のいずれかに記載の結晶成長用サセプタである
ので、膜厚および抵抗値の面内均一性に優れたエピタキ
シャル・ウェーハを製造することができる。
１から５のいずれかに記載の結晶成長用サセプタである
ので、膜厚および抵抗値の面内均一性に優れたエピタキ
シャル・ウェーハを製造することができる。
【００１９】請求項７記載のエピタキシャル・ウェーハ
では、基板表面に結晶膜をエピタキシャル成長してエピ
タキシャル・ウェーハを製造する方法であって、前記基
板を請求項１から５のいずれかに記載の結晶成長用サセ
プタの上に載置して高温状態にし、反応ガスを流して前
記結晶を前記基板表面に成長させる技術が採用される。
また、請求項８記載のエピタキシャル・ウェーハの製造
方法では、基板表面に結晶膜がエピタキシャル成長され
たエピタキシャル・ウェーハであって、請求項７記載の
エピタキシャル・ウェーハの製造方法によって前記基板
上に前記結晶が成長された技術が採用される。
では、基板表面に結晶膜をエピタキシャル成長してエピ
タキシャル・ウェーハを製造する方法であって、前記基
板を請求項１から５のいずれかに記載の結晶成長用サセ
プタの上に載置して高温状態にし、反応ガスを流して前
記結晶を前記基板表面に成長させる技術が採用される。
また、請求項８記載のエピタキシャル・ウェーハの製造
方法では、基板表面に結晶膜がエピタキシャル成長され
たエピタキシャル・ウェーハであって、請求項７記載の
エピタキシャル・ウェーハの製造方法によって前記基板
上に前記結晶が成長された技術が採用される。
【００２０】このエピタキシャル・ウェーハとその製造
方法では、基板を上記結晶成長用サセプタの上に載置し
て高温状態にし、反応ガスを流して結晶を基板表面に成
長させているので、結晶膜の膜厚および抵抗値の面内均
一性に優れている。
方法では、基板を上記結晶成長用サセプタの上に載置し
て高温状態にし、反応ガスを流して結晶を基板表面に成
長させているので、結晶膜の膜厚および抵抗値の面内均
一性に優れている。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る結晶成長用サ
セプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシ
ャル・ウェーハとその製造方法の第１実施形態を、図１
および図４を参照しながら説明する。これらの図にあっ
て、符号１１はチャンバ、１２はサセプタ、１３はサセ
プタ回転軸部材を示している。
セプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシ
ャル・ウェーハとその製造方法の第１実施形態を、図１
および図４を参照しながら説明する。これらの図にあっ
て、符号１１はチャンバ、１２はサセプタ、１３はサセ
プタ回転軸部材を示している。
【００２２】図１および図２は、本実施形態の枚葉式エ
ピタキシャル結晶成長装置を示すものであって、該エピ
タキシャル結晶成長装置は、中空の円形気密容器である
石英製のチャンバ１１と、チャンバ１１内に設置される
サセプタ１２と、該サセプタ１２を回転可能に支持する
石英製のサセプタ回転軸部材１３とからなり、その他に
図示していないがチャンバ１１の上方および下方に複数
配置されサセプタ１２およびシリコン基板Ｗを加熱する
ハロゲンランプと、チャンバ１１の上方および下方に配
置されサセプタ１２の温度を測定するパイロメータまた
は熱電対とを備えている。
ピタキシャル結晶成長装置を示すものであって、該エピ
タキシャル結晶成長装置は、中空の円形気密容器である
石英製のチャンバ１１と、チャンバ１１内に設置される
サセプタ１２と、該サセプタ１２を回転可能に支持する
石英製のサセプタ回転軸部材１３とからなり、その他に
図示していないがチャンバ１１の上方および下方に複数
配置されサセプタ１２およびシリコン基板Ｗを加熱する
ハロゲンランプと、チャンバ１１の上方および下方に配
置されサセプタ１２の温度を測定するパイロメータまた
は熱電対とを備えている。
【００２３】また、このエピタキシャル結晶成長装置
は、チャンバ１１の外側部に互いに対向して設けられた
反応ガスのガス導入部１６およびガス排出部１７と、図
示していないがチャンバ１１の外側部に設けられチャン
バ１１内のサセプタ１２上に外部からシリコン基板Ｗを
搬入出するウェーハ搬入出部とを備えている。前記サセ
プタ回転軸部材１３は、図示しない回転駆動機構に接続
されている。
は、チャンバ１１の外側部に互いに対向して設けられた
反応ガスのガス導入部１６およびガス排出部１７と、図
示していないがチャンバ１１の外側部に設けられチャン
バ１１内のサセプタ１２上に外部からシリコン基板Ｗを
搬入出するウェーハ搬入出部とを備えている。前記サセ
プタ回転軸部材１３は、図示しない回転駆動機構に接続
されている。
【００２４】前記サセプタ１２は、シリコンカーバンド
によって表面が被覆されたカーボンで形成されており、
図３および図４に示すように、表面にシリコン基板Ｗが
載置される円板状の載置領域１２ａと、載置領域１２ａ
の外周に円環状に一体に形成された周辺領域１２ｂとか
ら構成される。前記載置領域１２ａの表面と周辺領域１
２ｂの表面との間には、シリコン基板Ｗの厚さ程度の段
差が設けられ、載置領域１２ａの表面にシリコン基板Ｗ
が載置された際には、周辺領域１２ｂの表面とシリコン
基板Ｗの表面とがほぼ同一平面上に位置するように設定
されている。
によって表面が被覆されたカーボンで形成されており、
図３および図４に示すように、表面にシリコン基板Ｗが
載置される円板状の載置領域１２ａと、載置領域１２ａ
の外周に円環状に一体に形成された周辺領域１２ｂとか
ら構成される。前記載置領域１２ａの表面と周辺領域１
２ｂの表面との間には、シリコン基板Ｗの厚さ程度の段
差が設けられ、載置領域１２ａの表面にシリコン基板Ｗ
が載置された際には、周辺領域１２ｂの表面とシリコン
基板Ｗの表面とがほぼ同一平面上に位置するように設定
されている。
【００２５】載置領域１２ａの裏面には、その周縁部に
断面矩形状の円環状溝１２ｃがサセプタ１２と同軸に形
成されている。すなわち、円環状溝１２ｃにおける肉厚
は、載置領域１２ａの中央部より薄く、本実施形態で
は、円環状溝１２ｃでの肉厚が中央部の約１／２に設定
されている。周辺領域１２ｂの裏面には、円周方向に嵌
合穴１２ｄが形成されており、各嵌合穴１２ｄにサセプ
タ回転軸部材１３が挿入されてサセプタ１２が支持され
る。
断面矩形状の円環状溝１２ｃがサセプタ１２と同軸に形
成されている。すなわち、円環状溝１２ｃにおける肉厚
は、載置領域１２ａの中央部より薄く、本実施形態で
は、円環状溝１２ｃでの肉厚が中央部の約１／２に設定
されている。周辺領域１２ｂの裏面には、円周方向に嵌
合穴１２ｄが形成されており、各嵌合穴１２ｄにサセプ
タ回転軸部材１３が挿入されてサセプタ１２が支持され
る。
【００２６】前記ガス導入部１６は、反応ガスの供給源
（図示略）に接続され、本実施形態で用いる反応ガス
は、ソースガスとしてのトリクロルシランとＰドーパン
トガスとしてのジボランとキャリアガスとしての水素ガ
スとからなり、ガス導入部１６からチャンバ１１内に供
給される。前記ガス排出部１７は、反応ガスの処理装置
（図示略）等に接続され、該処理装置等にチャンバ１１
内で使用された反応ガスが排出されて処理される。な
お、エピタキシャル成長を行うシリコン基板Ｗとして
は、図３に示すように、ボロンが高濃度にドーピングさ
れた低抵抗基板(0.01〜0.03Ω・cm)Ｗ０の裏面にＣＶＤ
酸化膜であるＬＴＯ(Low Temperature Oxide)が設けら
れたＭＯＳ用のものが使用され、表面にエピタキシャル
層（結晶膜）Ｅが成長される。
（図示略）に接続され、本実施形態で用いる反応ガス
は、ソースガスとしてのトリクロルシランとＰドーパン
トガスとしてのジボランとキャリアガスとしての水素ガ
スとからなり、ガス導入部１６からチャンバ１１内に供
給される。前記ガス排出部１７は、反応ガスの処理装置
（図示略）等に接続され、該処理装置等にチャンバ１１
内で使用された反応ガスが排出されて処理される。な
お、エピタキシャル成長を行うシリコン基板Ｗとして
は、図３に示すように、ボロンが高濃度にドーピングさ
れた低抵抗基板(0.01〜0.03Ω・cm)Ｗ０の裏面にＣＶＤ
酸化膜であるＬＴＯ(Low Temperature Oxide)が設けら
れたＭＯＳ用のものが使用され、表面にエピタキシャル
層（結晶膜）Ｅが成長される。
【００２７】次に、本発明に係る結晶成長用サセプタと
これを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウ
ェーハとその製造方法の第１実施形態におけるエピタキ
シャル結晶成長方法について説明する。
これを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウ
ェーハとその製造方法の第１実施形態におけるエピタキ
シャル結晶成長方法について説明する。
【００２８】まず、エピタキシャル成長を行うシリコン
基板Ｗをウェーハ搬入出部からチャンバ１１内に搬入す
るとともに、サセプタ１２の載置領域１２ａ表面に載置
する。この後、シリコン基板Ｗの温度を所定温度（１１
３０℃）にまでハロゲンランプによって昇温し、水素ベ
ークを行って自然酸化膜の除去と表面欠陥の除去を行
う。なお、シリコン基板Ｗは、主にハロゲンランプの赤
外線によって加熱されたサセプタ１２からの熱で高温状
態となる。
基板Ｗをウェーハ搬入出部からチャンバ１１内に搬入す
るとともに、サセプタ１２の載置領域１２ａ表面に載置
する。この後、シリコン基板Ｗの温度を所定温度（１１
３０℃）にまでハロゲンランプによって昇温し、水素ベ
ークを行って自然酸化膜の除去と表面欠陥の除去を行
う。なお、シリコン基板Ｗは、主にハロゲンランプの赤
外線によって加熱されたサセプタ１２からの熱で高温状
態となる。
【００２９】そして、引き続き、反応ガスをガス導入部
１６からチャンバ１１内に供給し、エピタキシャル成長
をシリコン基板Ｗの表面上に行う。このとき、反応ガス
は、ガス導入部１６から対向するガス排出部１７へと一
方向に流れるとともに、シリコン基板Ｗ表面上で結晶成
長に供された後にガス排出部１７から外部に排出され
る。なお、成長時に、サセプタ１２およびシリコン基板
Ｗは回転駆動機構によってサセプタ回転軸部材１３を介
して回転させられる。図３に示すように、表面にエピタ
キシャル層Ｅを所定厚さまでエピタキシャル成長した
後、反応ガスの供給を停止するとともに降温し、ウェー
ハ搬入出部からエピタキシャル成長が行われたシリコン
基板Ｗ、すなわちエピタキシャル・ウェーハＷをチャン
バ１１内から取り出す。
１６からチャンバ１１内に供給し、エピタキシャル成長
をシリコン基板Ｗの表面上に行う。このとき、反応ガス
は、ガス導入部１６から対向するガス排出部１７へと一
方向に流れるとともに、シリコン基板Ｗ表面上で結晶成
長に供された後にガス排出部１７から外部に排出され
る。なお、成長時に、サセプタ１２およびシリコン基板
Ｗは回転駆動機構によってサセプタ回転軸部材１３を介
して回転させられる。図３に示すように、表面にエピタ
キシャル層Ｅを所定厚さまでエピタキシャル成長した
後、反応ガスの供給を停止するとともに降温し、ウェー
ハ搬入出部からエピタキシャル成長が行われたシリコン
基板Ｗ、すなわちエピタキシャル・ウェーハＷをチャン
バ１１内から取り出す。
【００３０】本実施形態では、サセプタ１２の載置領域
１２ａ周縁部に円環状溝１２が形成されているため、周
縁部の単位面積当たりの熱容量が載置領域１２ａの中央
部より小さくされている。このため、加熱された際に周
縁部が中央部に比べて温度が低くなり、載置されるシリ
コン基板Ｗもその周縁部が中央部に比べて低い温度にな
る。
１２ａ周縁部に円環状溝１２が形成されているため、周
縁部の単位面積当たりの熱容量が載置領域１２ａの中央
部より小さくされている。このため、加熱された際に周
縁部が中央部に比べて温度が低くなり、載置されるシリ
コン基板Ｗもその周縁部が中央部に比べて低い温度にな
る。
【００３１】すなわち、成長されるエピタキシャル層Ｅ
の膜厚は、温度が低くなると薄くなることから、周縁部
の膜厚が相対的に低い温度により従来より薄く是正さ
れ、面内全体における膜厚の均一性が高くなる。また、
エピタキシャル層Ｅの抵抗値は、温度が低くなるとボロ
ンが取り込まれ難くなって高くなる傾向があるととも
に、周縁部の温度が下がってシリコン基板Ｗのエッジか
ら出るボロンの取り込みが少なくなることから、周縁部
の抵抗値が低い温度により従来より高く是正され、面内
全体における抵抗値の均一性が高くなる。なお、本実施
形態では、エピタキシャル層Ｅの抵抗率ρを9〜11Ω・c
mに制御したエピタキシャル・ウェーハＷが製造され
る。
の膜厚は、温度が低くなると薄くなることから、周縁部
の膜厚が相対的に低い温度により従来より薄く是正さ
れ、面内全体における膜厚の均一性が高くなる。また、
エピタキシャル層Ｅの抵抗値は、温度が低くなるとボロ
ンが取り込まれ難くなって高くなる傾向があるととも
に、周縁部の温度が下がってシリコン基板Ｗのエッジか
ら出るボロンの取り込みが少なくなることから、周縁部
の抵抗値が低い温度により従来より高く是正され、面内
全体における抵抗値の均一性が高くなる。なお、本実施
形態では、エピタキシャル層Ｅの抵抗率ρを9〜11Ω・c
mに制御したエピタキシャル・ウェーハＷが製造され
る。
【００３２】次に、本発明に係る結晶成長用サセプタと
これを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウ
ェーハとその製造方法の第２実施形態を、図５を参照し
ながら説明する。
これを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウ
ェーハとその製造方法の第２実施形態を、図５を参照し
ながら説明する。
【００３３】第２実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、サセプタ１２の載置領域１２ａ
周縁部に断面矩形状の円環状溝１２ｃが形成されている
が、第２実施形態では、図５の（ａ）に示すように、サ
セプタ２１の載置領域２１ａ周縁部に溝深さが半径方向
外方に漸次深くなる円環状溝２１ｂが形成されている点
である。
は、第１実施形態では、サセプタ１２の載置領域１２ａ
周縁部に断面矩形状の円環状溝１２ｃが形成されている
が、第２実施形態では、図５の（ａ）に示すように、サ
セプタ２１の載置領域２１ａ周縁部に溝深さが半径方向
外方に漸次深くなる円環状溝２１ｂが形成されている点
である。
【００３４】すなわち、本実施形態では、ランプ配置等
によって載置領域２１ａの表面に加えられる輻射熱の分
布に偏りがある場合に、その強度分布に対応した熱容量
に設定するために、円環状溝２１ｂを形成することによ
って、載置領域２１ａの周縁部の厚さを半径方向外方に
徐々に薄くテーパ状に変化させ、半径方向における単位
面積当たりの熱容量を制御している。これによって、輻
射熱の分布に偏りがあっても膜厚および抵抗値の面内均
一性を向上させることができる。
によって載置領域２１ａの表面に加えられる輻射熱の分
布に偏りがある場合に、その強度分布に対応した熱容量
に設定するために、円環状溝２１ｂを形成することによ
って、載置領域２１ａの周縁部の厚さを半径方向外方に
徐々に薄くテーパ状に変化させ、半径方向における単位
面積当たりの熱容量を制御している。これによって、輻
射熱の分布に偏りがあっても膜厚および抵抗値の面内均
一性を向上させることができる。
【００３５】また、本実施形態の他の例として、図５の
（ｂ）に示すように、サセプタ３１の載置領域３１ａ表
面が加熱される際に加えられる輻射熱の面内分布に応じ
て、載置領域３１ａ周縁部の円環状溝３１ｂが半径方向
外方に漸次浅くなるように形成してもよい。なお、図５
の（ａ）に示す例では、円環状溝２１ｂによって半径方
向外方に熱容量が漸次小さくなるように設定しているの
で、半径方向に急激な温度差が生じずシリコン基板Ｗに
スリップが発生することを防止することができる。
（ｂ）に示すように、サセプタ３１の載置領域３１ａ表
面が加熱される際に加えられる輻射熱の面内分布に応じ
て、載置領域３１ａ周縁部の円環状溝３１ｂが半径方向
外方に漸次浅くなるように形成してもよい。なお、図５
の（ａ）に示す例では、円環状溝２１ｂによって半径方
向外方に熱容量が漸次小さくなるように設定しているの
で、半径方向に急激な温度差が生じずシリコン基板Ｗに
スリップが発生することを防止することができる。
【００３６】次に、本発明に係る結晶成長用サセプタと
これを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウ
ェーハとその製造方法の第３実施形態を、図６を参照し
ながら説明する。
これを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウ
ェーハとその製造方法の第３実施形態を、図６を参照し
ながら説明する。
【００３７】第３実施形態と第１実施形態との異なる点
は、第１実施形態では、サセプタ１２の載置領域１２ａ
周縁部に円環状溝１２ｃが形成されているが、第３実施
形態では、図６に示すように、サセプタ４１の載置領域
４１ａ中央部に裏面側に突出した凸部４１ｂが形成され
ている点である。
は、第１実施形態では、サセプタ１２の載置領域１２ａ
周縁部に円環状溝１２ｃが形成されているが、第３実施
形態では、図６に示すように、サセプタ４１の載置領域
４１ａ中央部に裏面側に突出した凸部４１ｂが形成され
ている点である。
【００３８】また、第３実施形態では、凸部４１ｂの中
心、すなわち回転中心（載置領域４１ａの中心位置）に
支持ピン（支持棒）１３ｃを挿入する嵌合穴４１ｃが形
成されている点で第１実施形態と異なっている。なお、
周辺領域４１ｄには、第１実施形態と同様に、その裏面
にサセプタ回転軸部材１３を挿入する嵌合穴４１ｅが形
成されている。したがって、サセプタ回転軸部材１３
は、中心に支持ピン１３ｃが一本立設されている。
心、すなわち回転中心（載置領域４１ａの中心位置）に
支持ピン（支持棒）１３ｃを挿入する嵌合穴４１ｃが形
成されている点で第１実施形態と異なっている。なお、
周辺領域４１ｄには、第１実施形態と同様に、その裏面
にサセプタ回転軸部材１３を挿入する嵌合穴４１ｅが形
成されている。したがって、サセプタ回転軸部材１３
は、中心に支持ピン１３ｃが一本立設されている。
【００３９】本実施形態では、載置領域４１ａの中央部
の裏面に凸部４１ｂが形成されているので、凸部４１ｂ
の位置の肉厚が厚くなり、中央部の単位面積当たりの熱
容量を周縁部より大きくすることができ、相対的に周縁
部の温度が低くなる。また、凸部４１ｂに嵌合穴４１ｃ
が形成されているので、成長時において嵌合穴４１ｃに
支持ピン１３ｃを挿入した状態でサセプタを回転させて
も、回転中心が支持ピン１３ｃで支持されているために
偏心が防止されて偏心による膜厚および抵抗値の不均一
を防止することができる。さらに、嵌合穴４１ｃにおけ
る熱容量の低下を凸部４１ｂ全体として補うことがで
き、中央部の温度低下を抑制することができる。
の裏面に凸部４１ｂが形成されているので、凸部４１ｂ
の位置の肉厚が厚くなり、中央部の単位面積当たりの熱
容量を周縁部より大きくすることができ、相対的に周縁
部の温度が低くなる。また、凸部４１ｂに嵌合穴４１ｃ
が形成されているので、成長時において嵌合穴４１ｃに
支持ピン１３ｃを挿入した状態でサセプタを回転させて
も、回転中心が支持ピン１３ｃで支持されているために
偏心が防止されて偏心による膜厚および抵抗値の不均一
を防止することができる。さらに、嵌合穴４１ｃにおけ
る熱容量の低下を凸部４１ｂ全体として補うことがで
き、中央部の温度低下を抑制することができる。
【００４０】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。上記各実施形態では、円環状溝を載置
領域の裏面に形成したが、表面に形成しても構わない。
この場合、載置されるシリコン基板との接触面積の減少
等による温度分布の変化も考慮して円環状溝が形成され
る。また、加熱方式としてハロゲンランプによって主に
サセプタを赤外線で加熱したが、他の加熱方式や加熱源
を採用しても構わない。例えば、高周波誘導コイルによ
る高周波加熱で主にサセプタを加熱してもよい。
含むものである。上記各実施形態では、円環状溝を載置
領域の裏面に形成したが、表面に形成しても構わない。
この場合、載置されるシリコン基板との接触面積の減少
等による温度分布の変化も考慮して円環状溝が形成され
る。また、加熱方式としてハロゲンランプによって主に
サセプタを赤外線で加熱したが、他の加熱方式や加熱源
を採用しても構わない。例えば、高周波誘導コイルによ
る高周波加熱で主にサセプタを加熱してもよい。
【００４１】さらに、上記各実施形態では、枚葉式のエ
ピタキシャル装置に適用したが、これに限定されるもの
ではなく、他の方式（種々のバッチ式等）に適用しても
構わない。また、載置領域の周縁部の肉厚を薄くするた
めに一つの円環状溝を形成したが、円環状以外の形状の
溝を形成しても構わない。例えば、複数のドット状穴か
らなる溝や半径方向に放射状に延在した線状溝等を形成
してもよい。また、複数の円環状溝から構成される溝で
も構わない。
ピタキシャル装置に適用したが、これに限定されるもの
ではなく、他の方式（種々のバッチ式等）に適用しても
構わない。また、載置領域の周縁部の肉厚を薄くするた
めに一つの円環状溝を形成したが、円環状以外の形状の
溝を形成しても構わない。例えば、複数のドット状穴か
らなる溝や半径方向に放射状に延在した線状溝等を形成
してもよい。また、複数の円環状溝から構成される溝で
も構わない。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
請求項１記載の結晶成長用サセプタによれば、載置領域
の周縁部が、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の
中央部より小さくされているので、載置領域および基板
の周縁部が中央部に比べて温度が低くなり、面全体に温
度分布が均一な場合に比べてエピタキシャル層の膜厚を
均一化させることが可能になる。また、周縁部の温度が
下がってエッジから出る添加不純物の取り込みが少なく
なることから、周縁部の低抵抗化が防止され、面内全体
における抵抗値の均一性を高くすることができる。
請求項１記載の結晶成長用サセプタによれば、載置領域
の周縁部が、その単位面積当たりの熱容量が載置領域の
中央部より小さくされているので、載置領域および基板
の周縁部が中央部に比べて温度が低くなり、面全体に温
度分布が均一な場合に比べてエピタキシャル層の膜厚を
均一化させることが可能になる。また、周縁部の温度が
下がってエッジから出る添加不純物の取り込みが少なく
なることから、周縁部の低抵抗化が防止され、面内全体
における抵抗値の均一性を高くすることができる。
【００４３】請求項２記載の結晶成長用サセプタによれ
ば、載置領域の周縁部が、その肉厚が載置領域の中央部
より薄くされているので、周縁部の単位面積当たりの熱
容量を肉厚の調整で容易にかつ高精度に中央部より小さ
くすることができ、適切な熱容量分布によって膜厚およ
び抵抗値の均一性をさらに向上させることができる。
ば、載置領域の周縁部が、その肉厚が載置領域の中央部
より薄くされているので、周縁部の単位面積当たりの熱
容量を肉厚の調整で容易にかつ高精度に中央部より小さ
くすることができ、適切な熱容量分布によって膜厚およ
び抵抗値の均一性をさらに向上させることができる。
【００４４】請求項３記載の結晶成長用サセプタによれ
ば、載置領域の周縁部が、その表面または裏面の少なく
とも一方に溝が形成されているので、溝の位置の肉厚が
薄くなり、周縁部全体としての単位面積当たりの熱容量
を中央部より小さくすることができ、簡便な構成で適切
な熱容量分布を得ることができる。
ば、載置領域の周縁部が、その表面または裏面の少なく
とも一方に溝が形成されているので、溝の位置の肉厚が
薄くなり、周縁部全体としての単位面積当たりの熱容量
を中央部より小さくすることができ、簡便な構成で適切
な熱容量分布を得ることができる。
【００４５】請求項４記載の結晶成長用サセプタによれ
ば、載置領域の中央部の裏面に凸部が形成されているの
で、凸部のある中央部の単位面積当たりの熱容量が周縁
部より大きくなり、相対的に周縁部の温度が低くなっ
て、面内の膜厚および抵抗値の均一化を図ることが可能
になる。
ば、載置領域の中央部の裏面に凸部が形成されているの
で、凸部のある中央部の単位面積当たりの熱容量が周縁
部より大きくなり、相対的に周縁部の温度が低くなっ
て、面内の膜厚および抵抗値の均一化を図ることが可能
になる。
【００４６】請求項５記載の結晶成長用サセプタによれ
ば、前記単位面積当たりの熱容量が、載置領域の表面が
加熱される際に加えられる輻射熱の面内分布に応じて設
定されているので、ランプ配置等によって加えられる輻
射熱の分布に偏りがあっても、その強度分布に対応した
熱容量に設定されるために、さらに膜厚および抵抗値の
面内均一性を向上させることができる。
ば、前記単位面積当たりの熱容量が、載置領域の表面が
加熱される際に加えられる輻射熱の面内分布に応じて設
定されているので、ランプ配置等によって加えられる輻
射熱の分布に偏りがあっても、その強度分布に対応した
熱容量に設定されるために、さらに膜厚および抵抗値の
面内均一性を向上させることができる。
【００４７】請求項６記載の結晶成長装置によれば、サ
セプタが請求項１から５のいずれかに記載の結晶成長用
サセプタであるので、膜厚および抵抗値の面内均一性に
優れたエピタキシャル・ウェーハを安定にかつ高歩留ま
りで容易に製造することができ、高品質なエピタキシャ
ル・ウェーハを低コストで供給することが可能になる。
セプタが請求項１から５のいずれかに記載の結晶成長用
サセプタであるので、膜厚および抵抗値の面内均一性に
優れたエピタキシャル・ウェーハを安定にかつ高歩留ま
りで容易に製造することができ、高品質なエピタキシャ
ル・ウェーハを低コストで供給することが可能になる。
【００４８】請求項７記載のエピタキシャル・ウェーハ
および請求項８記載のエピタキシャル・ウェーハの製造
方法によれば、基板を上記結晶成長用サセプタの上に載
置して高温状態にし、反応ガスを流して結晶を基板表面
に成長させているので、結晶膜の膜厚および抵抗値の面
内均一性に優れ、以降の半導体製造プロセスにおいても
歩留まりを向上させることができる。
および請求項８記載のエピタキシャル・ウェーハの製造
方法によれば、基板を上記結晶成長用サセプタの上に載
置して高温状態にし、反応ガスを流して結晶を基板表面
に成長させているので、結晶膜の膜厚および抵抗値の面
内均一性に優れ、以降の半導体製造プロセスにおいても
歩留まりを向上させることができる。
【図１】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第１実施形態におけるエピタキシャル結
晶成長装置を示す全体断面図である。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第１実施形態におけるエピタキシャル結
晶成長装置を示す全体断面図である。
【図２】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第１実施形態におけるサセプタを示す断
面図である。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第１実施形態におけるサセプタを示す断
面図である。
【図３】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第１実施形態におけるエピタキシャル・
ウェーハを示す断面図である。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第１実施形態におけるエピタキシャル・
ウェーハを示す断面図である。
【図４】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第２実施形態におけるサセプタの２つの
例を示す要部断面図である。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第２実施形態におけるサセプタの２つの
例を示す要部断面図である。
【図５】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第３実施形態におけるサセプタを示す断
面図である。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の第３実施形態におけるサセプタを示す断
面図である。
【図６】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の従来例におけるサセプタを示す断面図で
ある。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の従来例におけるサセプタを示す断面図で
ある。
【図７】 本発明に係る結晶成長用サセプタとこれを用
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の従来例におけるエピタキシャル層の半径
方向に対する抵抗率および層厚の分布を示すグラフ図で
ある。
いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハと
その製造方法の従来例におけるエピタキシャル層の半径
方向に対する抵抗率および層厚の分布を示すグラフ図で
ある。
１１ チャンバ １２、２１、３１、４１ サセプタ １２ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ 載置領域 １２ｃ、２１ｂ、３１ｂ 円環状溝 ４１ｂ 凸部 Ｗ シリコン基板（成長後はエピタキシャル・ウェー
ハ）
ハ）
フロントページの続き (72)発明者 山岡 智則 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 新屋敷 浩 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 手塚 和男 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 AB02 BA04 DB05 EA06 EB01 EB04 ED04 EG04 HA06 5F045 AC05 AF03 BB02 BB04 DP04 DP28 EB15 EK03 EK14 EM02
Claims (8)
- 【請求項１】 高温状態の基板上に反応ガスを流して基
板表面に結晶を成長させる際に、基板を載置領域の表面
に載置した状態で加熱される板状の結晶成長用サセプタ
であって、 前記載置領域の周縁部は、その単位面積当たりの熱容量
が載置領域の中央部より小さくされていることを特徴と
する結晶成長用サセプタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の結晶成長用サセプタにお
いて、 前記載置領域の周縁部は、その肉厚が載置領域の中央部
より薄くされていることを特徴とする結晶成長用サセプ
タ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の結晶成長用サセ
プタにおいて、 前記載置領域の周縁部は、その表面または裏面の少なく
とも一方に溝が形成されていることを特徴とする結晶成
長用サセプタ。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の結晶
成長用サセプタにおいて、 前記載置領域の中央部は、裏面に凸部が形成されている
ことを特徴とする結晶成長用サセプタ。 - 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の結晶
成長用サセプタにおいて、 前記載置領域の単位面積当たりの熱容量は、前記載置領
域の表面が加熱される際に加えられる輻射熱の面内分布
に応じて設定されていることを特徴とする結晶成長用サ
セプタ。 - 【請求項６】 基板をサセプタに載置して高温状態に
し、基板上に反応ガスを流して基板表面に結晶を成長さ
せる結晶成長装置であって、 前記サセプタは、請求項１から５のいずれかに記載の結
晶成長用サセプタであることを特徴とする結晶成長装
置。 - 【請求項７】 基板表面に結晶膜をエピタキシャル成長
してエピタキシャル・ウェーハを製造する方法であっ
て、 前記基板を請求項１から５のいずれかに記載の結晶成長
用サセプタの上に載置して高温状態にし、反応ガスを流
して前記結晶を前記基板表面に成長させることを特徴と
するエピタキシャル・ウェーハの製造方法。 - 【請求項８】 基板表面に結晶膜がエピタキシャル成長
されたエピタキシャル・ウェーハであって、 請求項７記載のエピタキシャル・ウェーハの製造方法に
よって前記基板上に前記結晶が成長されたことを特徴と
するエピタキシャル・ウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11179022A JP2001010894A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11179022A JP2001010894A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001010894A true JP2001010894A (ja) | 2001-01-16 |
Family
ID=16058755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11179022A Withdrawn JP2001010894A (ja) | 1999-06-24 | 1999-06-24 | 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001010894A (ja) |
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- 1999-06-24 JP JP11179022A patent/JP2001010894A/ja not_active Withdrawn
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