TWI290769B

TWI290769B - Thin film transistor and method of forming the same

Info

Publication number: TWI290769B
Application number: TW94124049A
Authority: TW
Inventors: Wen-Kuang Tsao; Hung-I Hsu
Original assignee: Chunghwa Picture Tubes Ltd
Priority date: 2005-07-15
Filing date: 2005-07-15
Publication date: 2007-12-01
Also published as: TW200703653A

Description

I29〇mt. doc/006 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明是有關於一種半導體元件及其费作太本，日胜別是有關於一種薄膜電晶體及其製作方法、/ ' 【先前技術】、薄膜電晶體(TFT)-般包括間極、閉絕綾彦^ 與源極/汲極，其通常在顯示器中，上j (LCD)，是作為關元件之用。通常，^疋液晶顯示器 =極。閘極是由铭、鉻，、心等二，或疋由複數金屬層所組成。早至屬曰容』二當二屬:成開極時，_ 致在後續的靖程中無法有效地進;η導因㈣嶋超“ _證源则室。此外’上述問題也同樣會發生在形成【發明内容】 H ^明提Α —轉膜電晶體，其具錄低綱 W或線電阻的間極與源極/汲極。妹fir，出—觀膜電晶體的形成方法，其係使用 -几氧口抗知蝕的材料來形成閘極和(或)源桎/汲極。 1290769 15380twf.doc/006 本發明係提種細電晶體，此_電晶體包括間極、閘絕緣層、半導體層以及源極/没極。開極係配置於基底上，其中，閘極包括至少一層氮化鉬鈮合金。間絕緣層係形成於基底上以覆蓋閘極。半導體層係配置於基底土之閘絕緣層上。源極/汲極係配置於半導體層上。 ’ 本發明另提出一種薄膜電晶體，此薄膜電晶體包括閘 ‘ 極、閘絕緣層、半導體層以及源極/汲極。閘極係配置於基 φ 底上。閘絕緣層係形成於基底上以覆蓋間極。半導體層係配置於基底上之閘絕緣層上。源極/汲極係配置於半導體層上，其中，源極/汲極包括至少一層氮化鉬鈮合金。 ^在本發明一實施例中，上述之間極係由鉗鈮合金層與氮化錮銳合金層所組成。在本發明一實施例中，上述之閘極係由第一氮化鉗鈮合金層、鉬鈮合金層與第二氮化鉬鈮合金層所組成^ f本發明一實施例中’上述之源極/汲極係由鉬錕合金層與氮化鉬鈮合金層所組成。籲在本發明一實施例中，上述之源極/汲極係由第一氮化，鉬鈮合金層、鉬鈮合金層與第二氮化鉬鈮合金層所組成。 • 本發明另提出一種薄膜電晶體的形成方法，此方法先於基底上形成閘極。其中，閘極包括至少一層氮化姐鈮合金。然後’於基底上形成閘絕緣層以覆蓋閘極。之後，於基底上的閘絕緣層上配置半導體層。接下來，於半導體層上配置源極/汲極。 θ 本發明又提出一種薄膜電晶體的形成方法，此方法係 1290769 15380twf.doc/006 ，於基底上形成·。接著，於基底娜紐絕緣層以覆孤閘極之後，於基底上的閘絕緣層上形成半導體層。接下來，於半導體層上形成源極/沒極。其中，源極級極包括至少一層氮化翻銳合金。在本發明一實施例中，上述之閘極和(或)源極/汲極係 • 町狀步獅成。錢於絲上軸娜合錢。然後 • f“目，合錢物氮化轉，⑽成lUb舰合金層。接 Φ 者將氮化鉬銳合金層圖案化以形成閘極和(或)源極/;;及極。 y在本發明之一實施例中，上述之閘極和(或)源極/汲極係以下述之步_成。首先於基底上形成第—鉬抵合金層二然後於第-銦鈮合金層上形成第二鉬鈮合金層。接著對第合金層進行氮化步驟m纖合金層上形成氮化鉬鈮合金層。之後將氮化鉬鈮合金層與第一銦鈮合金層圖案化以形成閘極和（或)源極/汲極。少在本發明之一實施例中，上述之閘極和（或)源極/汲極係以下述之步驟形成。首先，於基底上形成第一翻銳合金 • ^ °，後’對第’銳合金層進行第-氮化步驟，以形成，第一氮化鉬鈮合金層。接著，於第一氮化鉬鈮合金層上形 • ^二減合金層。之後，於第二氮化赌合金層上形成第三翻鈮合金層。賴，對第三域合金層進行第二氮化步，，以於第二鉬鈮合金層上形成第二氮化翻鈮合金層。接著’將第二氮化錮鈮合金層、第二銦鈮合金層與第一氮化銦鈮合金層醜化，⑽成閘極和㈤賴/汲極。本發明之薄膜電晶體的電極（閘極和（或)源極/沒極) 1290769 15380twf.doc/006 包括至少-層氮化銦銳合金，其因為在減合金的表面上有-層氮化物保護賴，所以與習知技術中舰的金屬合金比較起來，較為穩定’以致於電極對於氧化與侵钕具有較佳的抵抗性。 ▲為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顧易懂’下文特舉較佳實補，並配合作詳細說 • 明如下。 ^ 【實施方式】圖1 %示為依照本發明一較佳實施例之薄膜電晶體的剖面示意圖。請參照圖卜薄膜電晶體包括閘極102、間絕緣層104、半導體層105以及源極/汲極11〇。閘極搬係配置於，底100上，而閘絕緣層1〇4係配置於基底1〇〇上方以復盍閘極102。閘絕緣層1〇4例如是由氧化石夕層、氮化發層或氧切層與氮财層的組合層_成。半導體層 105係配置於閘極102上方的閉絕緣層1〇4上。源極/雜 110係配置於半導體層105上。在本實施例中，芈導體_ • 105例如包括形成於閘絕緣層1〇4上的通道層1〇6與形· 於通道層106和源極/汲極no之間的歐姆接觸層1〇8。特別是，依照本發明之一較佳實施例，閘極1〇2包括至少一層氮化鉬鈮合金。換句話說，閘極1〇2可以是單層的氮化鉬鈮合金或包括至少一層氮化鉬鈮合金的複合層。若閘極102為單層，則閘極1〇2係由氮化鉬鈮合金層所組成。在本實施例中，形成單層之閘極1〇2的方法如以下步驟。首先，在濺鍍製程室、蒸鍍製程室或其他習知的沈積 1290769 I5380twf.doc/006 至中2於基底100上形成一層鉬鈮合金層。對錮鈮合金層進行氮化步驟，以形成氮化翻鈮合金層。舉例來說，減，驟可以是在形成鉬鈮合金層之後於上述沈積室中通入氮，，或是在沈積鉬鈮合金層的時候於上述沈積室中通入氮氣。之後，利用微影製程與蝕刻製程將氮化錮鈮合全層圖案化’以形成閘極102。 • 若閘極102為雙層結構，則閘極1〇2係由銦鋸合金層 φ 1〇2a與氮化鉬鈮合金層10沘所組成。請參照圖2A，在本例中’形成雙層閘極102的方法如以下步驟。首先，於基底100上形成第一鉬鈮合金層102a。然後，於第一錮鈮合金層102a上形成第二鉬銳合金層（未繪示）。對第二鉬銳合金層進行氮化反應步驟，以形成氮化鉬銳合金層1〇2b。之後’將氮化銦鈮合金層l〇2b與第一鉬鈮合金層102a圖案化’以形成閘極102。第一鉬鈮合金層1〇2a與第二錮铌合金層係以先前所述的方法所形成，而氮化反應步驟也是以先前所述的相同方法進行。鲁右閘極為二層結構’則閘極102係由第一氮化翻鈮合金層102c、鉬鈮合金層l〇2d以及第二氮化鉬鈮合金層102e所組成，請參照圖3A。在本實施例中，形成三層之閘極102的方法如以下步驟。首先，於基底1〇〇上形成第一鉬銳合金層（未繪示）。接著，對第一鉬銳合金層進行如之剞所述之氣化步驟’以形成第一氮化銦銳合金層 102c。然後，於第一氮化銦銳合金層i〇2c上形成第二銦鈮合金層102d。接著，於第二鉬鈮合金層i〇2d上形成第三 I29〇769fd_ 钥銳合金層（未繪示）。之後，對第三銦鈮合金層進行如之前所述之氮化步驟，以形成第二氮化鉬鈮合金層1〇2e。然後’將第二氮化顧鈮合金層l〇2e、第二鉬銳合金層i〇2d 以及第一氮化鉬鈮合金層l〇2c圖案化，以形成間極1〇2。在另一實施例中，源極/汲極110包括至少一層氮化鉬銳合金，請參照圖1。換句話說，源極/汲極則可以是單層的氮化鉬鈮合金或包括至少一層氮化錮鈮合金的複合層。若源極/没極110為單層，則源極/汲極11〇孫由氮化鉬鈮合金層所組成。同樣地，形成單層源極/汲極^錄的方法如以下步驟。首先，在濺鍍製程室、蒸鍍製程室或其他熟知的沈積室中，於閘絕緣層104上形成錮鈮合金層，以覆蓋半導體層105。對鉬鈮合金層進行氮化步驟，以形成氮化鉬鈮合金層。舉例來說，氮化步驟可以是在形成鉬鈮合金層之後於上述沈積室中通入氮氣，或是在沈積鉬鈮合金層的時候於上述沈積室中通入氮氣。之後，將氮化鉬鈮合金層圖案化，以形成源極/沒極110。若源極/汲極110為雙層結構，則源極/汲極11〇係由鉬鈮合金層ll〇a與氮化鉬鈮合金層11〇b所組成，請參照圖2B。同樣地，形成雙層之源極/汲極110的方法如以下步驟。首先，於閘絕緣層104上形成第一鉬鈮合金層11〇&，以覆蓋半導體層105。然後，於第一鉬鈮合金層11〇a上形成第二鉬銳合金層（未繪示）。第二鉬鈮合金層進行氮化步驟，以形成氮化鉬鈮合金層ll〇b。之後，將氨化鉬鈮合金層110b與第一鉬鈮合金層110a圖案化，以形成源極/汲極 Ι29〇769_/〇〇6 110。第-缺合金層110a與第二翻錕合金層係以先前所述的方法所形成，而氮化步驟也是以先前所述的相同方法進行。當源極/汲極110為三層結構，則源極級極11〇係由第-氮化純合金層llGe、_合金層麵以及第二氮化钼銳合金層llGe所組成，請參關3B。觸地，形成二層之源極/汲極110的方法如以下步驟。首先，於問絕緣層1〇4亡形成第-麟合金層(未繪示}，以覆蓋半導體層 10:。對f -錮鈮合金層進行如之前所述之氮化步驟，以形成第一氮化鉬鈮合金層ll〇c。然後，於第一氮化鉬鈮合金層110c上形成第二鉬鈮合金層11〇d。接著，於第二顧鈮合金層110d上形成第二錮錕合金層（未緣示）。對第三鉬銳合金層進行如之前所述之氮化步驟，以形成第二氮化鉬鈮合金層110e。然後，將第二氮化錮鈮合金層11〇e、第二鉬鈮合金層110d以及第一氮化鉬鈮合金層11〇c圖案化，以形成源極/汲極110 〇在另一實施例中，閘極102與源極/汲極110皆包括至少一層氮化钥鈮合金層。換句話說，閉極102與源極翁極 110白可以疋單層的氮化錮銳合金或包括至少一層氣化銦鈮合金的複合層。上述包括至少一層氮化鉬鈮合金層的複合層，可以是雙層結構或三層結構，請參照圖2A、圖2B、圖3A以及圖2B。值得注意的是，因為在鉬鈮合金的表面上係有一層氮化物保護薄膜，所以氮化鉬鈮合金層與習知技術中的金屬 π ⑧ 1290769 15380twf.doc/006 t金比較域更_1峨雜躺蘇錢對於氧化與侵姓具有較佳的抵抗性。換句話說，包括至__| 層：薄f電晶體的電極對於氧化與侵餘^^ 日士，人寺別疋，若形成三層的閘極或三層的源極/没極二仙銳合金層中間’嫩卜錮鈮δi層的沈積製程以及氨化反應步驟，可反應室(原位）中進行。若形成雙層結構或三層可以在相同的反應室(原位)中進行。因此，本或)源極/汲極的製程並不複雜^ 此外’增她的含量，切叫錢於氧化的抵抗性，但是具有增加鈮含量_銳合絲材則相當昂貴。在本發财，以對舰合金行步驟^ $增力補合金中的齡量，所以具有節膽示哭Ϊ，若本發明之是作為液晶顯丁时的開關几件時，且當使用雙層或三層的搞_以士在後續各畫素結構的接觸窗開口的飿刻製程鉬鈮合金層還可以當作蝕刻終止層。 ^^ 限疋本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離太鉻脱、，圍内，當可作些許之更動與潤舞，因此本二月之” 範園當視伽之申料觀m所界定者轉。V之呆濩 ⑧ 12 1290769 【圖式簡單說明】

圖1繪示為依照本發明一剖面示意圖。圖2A繪示為依照本發明另體的雙層閘極的剖面示意圖。圖2B 1示為依照本發明再—較佳實施例之薄膜電體的雙層源極/汲極的剖面示意圖。、 Βθ 圖3Α繪示為依照本發明又一較佳實施例之薄膜電晶體的三層閘極的剖面示意圖。圖3Β 4示為依照本發明又—較佳實施例之薄膜電晶體的三層源極/汲極的剖面示意圖。【主要元件符號說明】 100 ·基底 102 :閘極 102a、102d、ll〇a、110d :鉬鈮合金層 102b、102c、102e、110b、110c、110e :氮化鉬鈮合金層 104 :閘絕緣層 1〇5 :半導體層 106 :通道層 108 :歐姆接觸層 110 :源極/汲極

(D 13

Claims

I290769 twf.doc/006 十、申請專利範圍： L一種薄膜電晶體，包括：一閘極，置於一基底上，其中該閘極包括至少化翻銳(Mo-Nb)合金；一閘絕緣層，形成於該基底上，以覆蓋該閘極；一半導體層’配置於該閘極上之該閘絕緣層上；以及一源極/汲極，配置於該半導體層上。

2·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極包括：一鉬錕合金層；以及一鼠化鉬銳合金層，配置於該錮銳合金層上。 3·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該閘極包括：一第一氮化鉬銳合金層；一銦銳合金層，配置於該第一氮化鉬鈮合金層上；以

一層氮一弟一氮化銦銳合金層’配置於該銦鈮合金層上。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體，其中該源極/汲極包括至少一層氮化鉬鈮合金。 5·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體，其中該源極/汲極包括：一銦銳合金層；以及一氮化鉬錕合金層，配置於該鉬銳合金層上。 6·如申請專利範圍第4項所述之薄膜電晶體，其中該丨 twf.doc/006 1290769 15380t\ 源極/汲極包括：一第一氮化鉬銳合金層；一症目鈮合金層，配置於該第一氮化鉬鈮合金層上;以及一第二氮化鉬鈮合金層，配置於該鉬鈮合金層上。 7 · 一種薄膜電晶體，包括：一閘極；一閘絕緣層，配置於該基底上，以覆蓋談閘極；一半導體層，配置於該閘極上之該閘絕緣層上;以及一源極/汲極，配置於該半導體層上，其中該源極/汲極包括至少一層氮化铜銳合金。 8·如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體，其中該源極/汲極包括：一錮銳合金層；以及一氮化銦銳合金層，配置於該钥銳合金層上。 9·如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體，其中該源極/¾極包括：一第一氮化鉬銳合金層；一銦銳合金層，配置於該第一氮化錮銳合金層上；以及一苐二氮化銦銳合金層，配置於該鉬銳合全層Ji。 10·—種薄膜電晶體形成方法，包括：於一基底上形成一閘極，其中該閘極包括至少一層氮化翻銳合金； ⑤ 15 1290769 15380twf.doc/006 於該基底上形成—閘絕緣層以覆蓋該間極; 於該半導體層上形成一源極/没極。法 η·如申請專_圍第10項所述之賴糕體形成方其中形成該閘極的步驟包括：於該基底上形成一錮鈮合金層；對該鉬銳合金層進行—氮化步驟以形成一氣化錢二金層’其巾該氮化步料麵成該減合鑛之後進行；以及將該氮化贿合金層圖案化⑽成該_。 *，f利_第10項所述之薄膜電晶體形成爹法，/、中形成該閘極的步驟包括：於為基底上形成一銦銳合金層；合金ί:亥ί 二二:氮化步驟以形成-氮化鉬銳行；以及沈積該銦鈮合金層的時候進將該氮化恤合金層圖案化以形成該·。 13.如申請專利範圍第體忐古法，其中形成該·的步驟包括：體域方於該基底上形成一第一錮銳合金声· 於該第一銦鈮合金層上形成一第^滅鈮合合展. 銳合行—竊轉咖g—銦形成該i二二:===層以Γ該氮化步驟是在 ⑧ 16 1290769 一 15380twf.doc/006 將該氮化錮鈮合金層與該第一钼鈮合金層圖案化以形成該閘極。 14·如申請專利範圍第1〇項所述之薄膜電晶體形咸方法，其中形成該閘極的步驟包括：於該基底上形成一第一錮鈮合金層; 於該第一鉬鈮合金層上形成一第二鉬鈮合金層；對該第二鉬鈮合金層進行一氮化步驟以於該第一鉬鈮合金層上形成-氮化娜合金層，其中該氮化步驟是在沈積該第二鉬錕合金層的時候進行；以及、將該氮化鉬鈮合金層與該第一鉬鈮合金層圖索化以形成該閘極。 Γη 丄5·如甲請專利範圍第川項所法’其中形成該閘極的步驟包括：於该基底上形成一第一翻銳合金層; 對該第-銷鈮合金層進行一第^化步驟以形成— =鼠化峽合金層，其中該第—氮化步驟可以是在形成 =一f化錮鈮合金層上形成-第二銷銳合金層; 合金層上形成—第三_合金層；二鳴合金層進行—第二氮化步㈣於該第翁仆立_上形成一第二氮化鉬鈮合金層，a中咳第二 ν驟可以是在形成該第三鉬鈮合金層之後i行了以^ 將該第二氮化銷銳合金層、該㈣ 17 1290769 15380twf.doc/006 -氮化贿合金層圖案細形成該_。 16.如申凊專利範圍第1〇項所述之薄膜電晶體形成方法，其中形成該閘極的步驟包括：於η玄基底上形成一第一錮銳合金層; ^ ^ it $ ^ iLib ^ 鈮合金層之後進行，或是在沈__鉬_金層的時候進行；於该ί一氮化鉬鈮合金層上形成一第二錮鈮合金層; 於該錮鈮合金層上形成一第三鉬鈮合金層；對該第三域合金層進行一第二氮化步驟以於該第合金層上形成一第二氮化錮鈮合金層，其中該第二及V驟可以疋在沈積該第三銦鈮合金層的時候進行;以 —一將忒第一氮化鉬鈮合金層、該第二鉬鈮合金層與該第鼠化錮鈮合金層圖案化以形成該閘極。^ 生，申印專利範圍第10項所述之薄膜電晶體形成方 /、中形成該源極/没極的步驟包括：層；於該_緣層上形成—銦錕合金相覆蓋該半導體人入^銦銳合金層進行—氣化步驟以形成—氮化鉬錕 =€ ’其巾該氮化步驟可以是在形成該敏合金層之後 %订，以及將該氮化_合金層随化以形顏源極級極。、18·如^專她圍帛10項所述之薄膜電晶體形成方法，其中形成該源極/汲極的步驟包括·· 層於該閘絕緣層上形成一钥銳合金層以覆蓋該半專體對該_合金層進行一氮化步驟以形成-氮化祕合金層，其中該氮化步驟可以是在沈積該_合金層的時候進行；以及 . ....'.. 將該氮化鉬鈮合金層圖案化以形成該源極/汲極。、10 法，其中形成該源極/汲極的步驟包括·· 導體Γ關絕緣層上形成—第―1目錕合金層以覆蓋該半於該第厂錮銳合金層上形成一第二翻銳合金層； 4尸入第二翻鈮合金層進行—氮化步驟以於談第一錮 ❿ 成一氮化_合金層，其中該氮化步驟可以疋在形成该弟二鉬鈮合金層之後進行；以及將該氮化錮銳合金層與第-銦k合全斧圄幸化卿成該源極/汲極。口孟層圖案化以形 20·如申請專利範圍第10項所诚々 ‘ 法’其中形成該源極/汲極的步驟‘:缚膜電晶體形成方於該閘絕緣層上形成一第—鉬入導體層； 13 i 層以覆蓋該半於該第-域合金層上形成一第二人八廢. 對該第二鉬鈮合金層進行一氮半4口，氣化步驟以於該第一鉬 ⑧ 19 以 ‘層圖案化以形

1290769 15380twf.doc/006 鈮合金層上形成一氮化鉬銳合金層，甘山是在沈積該第二賊合金層的時候進^/·=化步驟可將該氮化鉬鈮合金層與第一鉬鈮合金及成該源極/沒極。 “ 法，範圍第10項所述之薄膜電晶體形成方法’其中形成该源極/>及極的步驟包括：導體=閘絕緣層上形成—第—錮銳合金層以覆蓋該半第-對rfz合金層㈣—第—氮姆驟以形成一 t鼠化織合金層，其巾該第—氮化轉誠是在形成鈮合金層之後進行，或是在沈積該第—減合全層的時候進行；於該第-氮化峨合金層上形成一第二翻絲金層；於該第二鉬鈮合金層上形成一第三錮鈮合金層；一對該第三鉬鈮合金層進行一第二氮化步驟^於該第一錮錕5金層上形成一第二氮化翻銳合金層，其中該第二氮化步驟了 IX疋在形成該第三I目铌合金層之後進行;以及斤將该第二氮化鉬鈮合金層、該第二鉬鈮合金層與該第一氮化銦銳合金層圖案化以形成該源極/汲極。、22·如申請專利範圍第10項所述之薄膜電晶體形成方法’其中形成該源極/汲極的步驟包括：於該閘絕緣層上形成一第一鉬鈮合金層以覆蓋該半導體層；對該第一鉬鈮合金層進行一第一氮化步驟以形成一 ⑧ 20 1290769 15380twf.doc/0〇6 層的時候進行於該第-氮化錮銳合金層上形成一第二_合金層; 於該第二鉬銳合金層上形成一第三翻銳合金層; 對該第三純合金層進行—第二氮化步驟以於該第了翻銳合金層上形成-第二氮化雜合金層，其中該第二乳化步驟可以是在沈積該第三纟鳴合金層的時候進行；以及 ’將該第二氮化錮鈮合金層、該第二雜合金層與該第 —氮化鉬鈮合金層圖案化以形成該源極/汲極。 23·一種薄膜電晶體形成方法，包括：於一基底上形成一閘極；於該基底上形成一閘絕緣層以覆蓋該閘極於該閘極上之該閘絕緣層上形成一半導體層；以及於5亥半導體層上形成一源極/汲極，其中該源極級極包括至少一層氮化鉬鈮合金。、、24.如申請專利範圍第23項所述之薄膜電晶體形成方法’其中形成該源極/汲極的步驟包括·· 於該閘絕緣層上形成一鉬鈮合金層以覆蓋該半導體 _對該翻銳合金層進行-氮化步驟以形成一氣化減合金層’其中該氮化步驟可以是在形成該鉬銳合金層之祕進行；以及 21 1290769 15380twf.doc/006 將該氮化鉬鈮合金層圖案化以形成該源極/汲極。 25·如申請專利範圍第23項所述之薄膜電晶體形成方法’其中形成该源極/>及極的步驟包括：於該閘絕緣層上形成一鉬鈮合金層以覆蓋該半導體層；對该鉬鈮合金層進行一氮化步驟以形成一氮化鉬鈮合金層，其中該氮化步驟可以是在沈積該鉬銳合金層的時候進行；以及將該氮化錮銳合金層圖案化以形成該源極/没極。、26·如申明專利範圍第23項所述之薄膜電晶體形成方法，其中形成該源極/汲極的步驟包括·· Γ °现％簡上形成—*—纟晚合金職覆蓋該半導體層；於該第-銦銳合金層上形成一第二銦媒合全層; 奸入f二_合金層進行—氮化步驟以於該第一錮疋在y成該弟—鉬鈮合金層之後進行·以及成該㈣合金層衫-顺合金韻案化以形如申請專利範圍第23項所述薄物法，其中形成該源極/汲極的步驟包^賴^日體形成方於該閘絕緣層上形成一第一入人应導體層；鉬鈮合金層以覆蓋該半於該第一銦鎚合金層上形成一第二她合金層; 22 I29〇769£d〇c/006 妒入亥第二鉬鈮合金層進行一氮化步驟以於該第-鉬成—氮化赌合金層’其中該侧步驟可以疋在/尤積u亥苐一錮銳合金層的時候進行·以及成該==贱合金層鮮金層圖·以形法it申:月專利觀圍*23項所述之薄膜電晶蠢形成方忐，其中形成該源極/汲極的步驟包括·· 導^該_緣層上形成—第—喊合金層以覆蓋該半第-金層進行—第—氮化步驟以形成一兮第ΐΓΠ ，其巾該第—氮化步驟可以是在形成層:：;金層之後進行’或是在沈積該第-舰合金於该弟二鉬鈮合金層上形成一第三鉬鈮合全声. 二相銳合金層進行—第二氮化步驟^ 4口孟層上形成一第二氮化鉬鈮合金層，1中爷第二成該第三錮銳合金層之後進行^ 兮當/弟—統她合金層、該第二氮化銦鈮合金声盘氮化舰合金層_切職娜極後極。、…、 29·如申請專利範圍第23 磁法，其中形成該源極她的步驟=賴嗔形成方導體層Γ閉巴、表層上形成一第一銦銳合金層以覆蓋該半 23 1290769 15380twf.doc/006 對該第一鉬鈮合金層進 ^ 第一氮化鉬鈮合金層，龙中 "一鼠化步驟以形成— 該第-贿合金層之後化步驟可以是在形成層的時候進行； $疋在沈積该第一鉗銀合金，^氮化_合金層上形成—第二姻於该第-賊合金層上形成—第三崎合金層； -對該第三鈿r匕合金層進行一第二氮化步驟以於該第了鉬鈮合金層上形成一第二氮化鉬鈮合金層，其中讀第二氮化步驟可以是在沈積該第三鉬鈮合金層的時^進行；= 及將該第二氮化鉬鈮合金層、該第二氮化鉬鈮合金層與該第一氮化鉬鈮合金層圖案化以形成該源極/汲極。 24