TWI290755B

TWI290755B - Wiring substrate for mounting semiconductors, method of manufacturing the same, and semiconductor package

Info

Publication number: TWI290755B
Application number: TW094122846A
Authority: TW
Inventors: Hideya Murai; Tadanori Shimoto; Takuo Funaya; Katsumi Kikuchi; Shintaro Yamamichi
Original assignee: Nec Corp; Nec Electronics Corp
Priority date: 2004-07-07
Filing date: 2005-07-06
Publication date: 2007-12-01
Also published as: US20110003472A1; US8198140B2; TW200625559A; JP2006049819A; US7816782B2; US20060012048A1; JP3961537B2

Description

l29〇755 九、發明說明： [發明所屬之技術領域】本發明係有關於一種用以安裝半導體的佈線基板以快速且高密度地安裝不同型態之裝置，特別有關於一種具有高速或優良可靠度之封裝或模組及其製法，以及使用該佈線基板之半導體封裝。【先前技術】

近年來隨著高積集度、高速以及多功能之半導體裝釁之趨勢，電極數隨之增加，且線路間距亦跟著縮小。於安裝半導體之佈線基板中可安裝半導體裝置，例如其可在較過去高密度且高速之條件下安裝半導體裝置並具有較佳之可靠度。目前用以、安裝半導體的佈線基板，例如日本專利申請號第2001-284783所述之增層式基板 (built-up substrate) 可利用連續層壓法 (successively-laminating method)於捣心印刷電路板（c〇re printed circuit board)上形成高密度佈線層，以及於日本專利申明號苐2003 - 347738所述之共同層疊基相 (collectively-laminated substrate)，其係藉由共同層壓具有逢屬層以及介層孔於其中之樹脂薄板所組成。、第1圖係-增層式基板之剖面圖，如圖所示—多層金屬線於-以核心基板1G3為基底之絕緣層中。其中—導電金屬線i〇L =核心基板1G3之上表面，而其他導電金屬線⑽則形成基板逆之下表面該些導電金屬線1〇2藉由通孔ι〇ι貫穿該絕= =彼此連接。於核心基;1G3之上、下表面分別形成層間絕緣層^ 再於該絕緣層1()5上分別形成導電金屬線⑽。此外，一= =07形成於層間絕緣層⑽上以覆蓋部分之導電金屬線⑽。隔 ==層層1〇5中以電性連刪此外，若需要額外之複合層則利用依序重複形成層間絕緣層 2143-7221-PF;Ahddub 5 1290755 ί05以及導電金屬線ι〇6之步驟來形成複合層金屬龙構。第2A-2C圖係形成共同層疊基板（collectively-laminated substrate)之剖面流程圖。係根據習知技術之共同層疊基板其形成方式如第2A圖所示，於一概脂薄板ill上形成導電金屬線112以及形成一連接導電金屬線112之介層孔113於該樹脂薄板111中。接著請參照第2B、2C圖，利用共同層疊相同之複數層掛脂薄板111 以形成一共同層疊基板114 〇習知技術之增層式基板與共阁層疊基板之結構係於一絕緣層上形成一導電金、屬#，複數個用以安裝於半導體之電極銲墊亦形成於絕緣層上。近幾年來隨著金屬基板之高密度與minute wiring之趨勢’形成導電金屬線之方法亦由钱刻銅箔之移除法（subtractive method)轉變為添加法（additive method)，該方法係利用電極圖案化阻層並沉積與層疊電解電艘層。然而’利用添加法所形成之電極銲墊之缺點在於所形成之高度不均，因此使電極銲墊之上表面不平坦而呈凸狀，進而使具有大量引腳半導體裝置安裝困難，並使導線縮小不易。此外，雖然有許多案例之銲錫阻隔層1〇7形成於電極銲墊上，但是當電極銲墊高度極不均勻下’欲minute銲錫阻隔層以及增加開口直徑之精確度變得十分困難。此外，隨著電極銲墊之minute，電極銲墊與絕緣層間之接觸區域隨之縮小，電極銲墊與絕緣層間之附著力亦隨之降低，值得注思的是在咼溫步驟中形成無鉛銲錫之安裝半導體裝置步驟中會有電極銲墊自絕緣層剝落的問題。為解決上述問題，本發明提出一種形成金屬佈線結構以及電極鮮墊以安裝半導體裝置於高平坦&並以金屬板形成之支撐主體的方法以及安裝半導體裝置於電極銲墊上的方法（日本專射請號第 2002-83893)。然而為了使安裝半導體裝置具有高密度並兼顧高效能以及現代夕功此之可動式②備’於金屬線基板之上、下表面安裝半導體裝置之需求亦隨之增加。雖然於日本專财請號第·_83893中提到之 2143-7221-PF;Ahddub 6 1290755 傳統金屬線基板已充分說明半導體裝置安裝於一於-基板之上下表面高密度安裝半導體裝置仍就困】/、而貫際上此外’為達到局可罪度之半導體封裝，則必須使用低熱膨脹率以及低彈性率之層間絕緣層以形成安裝半導體之金屬基板。然而上述之傳統金屬基板在所使用之複數個絕緣層具有不同之物理特性時，仍存在低結構可靠度的問題。【發明内容】有鑑於上述問題’本發明之目的在提供一種用以安裝半導體的 ❿佈線基板及其製法以及-半導體封裝體，有效率地增加接點數目並同時具備高整合度、高速度與/或多重功能之半導接點間距，所以便可安裝具高密度、於基材兩表面具優良可靠度之半導體裝置。本發明提供一種用以安裝半導體的佈線基板，包括：一絕緣層；複數個金屬線形成於該絕緣層中；複數個電極銲墊，其中該些銲墊表面係利用曝露該絕緣層上表面與下表面以形成，且至少部分之電極銲墊侧面埋藏於絕緣層中；以及一介層孔，以使該些金屬線與電極銲墊彼此電性連接。 φ 纟發明利用將金屬基板之上下表面之電極銲墊係埋藏於絕緣層中，以避免上、下表面之電極鋅墊之高度不均，並使半導體装置高雄度且咼速地女裝於佈線基板之兩面。此外，由於電極銲塾侧面埋藏於絕緣層中因此可改善電極銲墊與絕緣層間之附著力，而獲得與半導體裝置具有優良電性連接可靠度之安裝半導體之佈線基板。絕緣層包括：一位於佈線基板上表面之第一絕緣層；一位於佈線基板下表面之第二絕緣層；以及一唯一或複數個位於佈線基板内部之第三絕緣層。第三絕緣層包括：複數個埋藏於第三絕緣層上表面與下表面中之金屬線；以及連接上表面金屬線與下表面金屬線之複數個介層孔。電極銲墊分別曝露於第一絕緣層佈線基板之上表面與第二絕緣層佈線基板之下表面，並且至少部份電極銲墊側面埋藏 2143-7221-PF;Ahddub 7 1290755 於第一絕緣層或第二絕緣層中。由於有複數個金屬線與複數個介層孔埋藏於埋藏中之第三絕緣層的上表面與下表面，而第一絕緣層位於第三絕緣層之上表面且第二絕緣層位於第三絕緣層之下表面，如此一來可避免由於半導體裝置運轉所反覆產生之熱負載與偏壓剝除個別絕緣層間之界面而使得用以安裝半導體的佈線基板之可靠度提高。相對地，由於傳綠佈線基板的金屬線位於内部絕緣層之上表面與下表面而存在一個問題，當由於半導體裝置運轉所伴隨產生之熱負載產生剝除個別絕緣層間界面的應力，特別是對高度複數層結構而言，而使得絕緣層間之界面被剝除。 ® 此外，第一、第二絕緣層可由相同材質製成或第一、第二絕緣層個別由不同材質製成。再者，本發明提供一種用以安裝半導體的佈線基板更包括一具有金屬線以及介層孔之第四絕緣層，該第四絕緣層至少設置於該第一、第三絕緣層之間或該第二、第三絕緣層之間。如上所述，由於構造上的優勢，本發明中並未發現絕緣層間之界面被剝除的現象，所以可結合具不同物理性質之絕緣層，因此，此用以安裝半導體的佈線基板具有依應用需求而調整的優點，特別是甚至具有複數個金屬線與介層孔的第四絕緣層位於第一、第三絕 ®緣層之間或第二、第三絕緣層之間，亦由於構造上的優勢而並未發現第三、第四絕緣層間有界面被剝除的現象，所以更提高了安全可靠度。結合不同絕緣層之具體效應在於如果至少構成第一、第二絕緣層之一的材質強度高於構成第三、第四絕緣層的材質時，可避免由於熱膨脹係數的差異使得佈線基板的表面爆裂。此外，若至少構成第一絕、第二絕緣層之一的材質之熱膨脹係數小於構成第三、第四絕緣層的材質之熱膨脹係數，或至少構成第一、第二絕緣層之一的材質之彈性係數小於構成第二、第四絕緣層的材質之彈性係數時，便會降低安裝半導體裝置以及安裝依據本發明之用以安裝半導體的 2143-7221-PF;Ahddub 8 佈線基板於母板的應力，而改善整個元件單元的可靠度。此外，為避免當安裝半導體裝置時由於熱膨脹係^的差異使得佈線基板的表面爆裂，構成第一絕緣層的材質強度可大於構成第三、第四絕緣層的材質強度，並且為降低母板的應力，構成第二絕緣層的材質之彈性係數需小於構成第三、第四絕緣層的材質之彈性係數’其中第7、第一絕緣層可由不同材質構成，如此一來，結合複數個絕緣層以具有最大應用可靠度便顯得相當容易。並且，至少一個電極銲墊之露出表面設置於與該絕緣層之上、下表面同一水平面上’或設置於讓絕緣層上、下表面之凹陷位置中，或設置於該絕緣層上、下表面之突出位置中。若電極銲墊之露出表面設置於與該絕緣層之上、下表面同一水平面上，則半導體元件係透過金凸塊來電性連接，而得到於較大細微間距時具高度精確連接之半導體封裝體。若電極銲墊之露出表面設置於該絕緣層上、下表面之凹陷位置中，則可得到於較大細微間距時具高度精確連接之半導體封裝體，其中半導體元件係透過金屬線連接或採用銲錫來安裝。而若電極銲墊之露出表面設置於該絕緣層上、下表面之突出位置中，則可避免當安裝銲錫球或母板時銲錫球製:壞爆裂，如此可製得具更優良可靠度之半導體封裝體。此外，依據本發明之用以安裝半導體的佈線基板具有一支擇體設置於該絕緣層上、下表面至少之一，而依據本發明之用以安裝半導體的佈線基板具有一銲錫阻隔層設置於該絕緣層之上下表面至少交，* 〇依據本發明之用以安裝半導體的佈線基板的構造中，至少一電極銲墊之部分表面以絕緣層覆蓋。埋藏於絕緣層中之電極銲墊之部分表面以絕緣層覆蓋，由於採用大部分電極銲墊埋藏於樹脂中之構造，使得電極銲墊末端幾乎不會爆裂，而具優良可靠度。而由於開放之絕緣層具銲錫阻隔層之效用，對構成電極銲墊或金屬線之金屬的黏性與蝕刻一支撐體後再形成鍀錫阻隔層之方法相較起來更具優勢，因此，可形成一穩定銲錫 2143-7221-PF;Ahddub 9 1290755 阻隔層，同時在確定電極銲墊位置後於電極銲墊上形成缺口，如此於電極銲墊上形成缺口便具高度精確性。再者，支撐體設置於該絕緣層上、下表面至少之一，而銲錫阻隔層亦設置於該絕緣層上、下表面至少之一。於本發明中’例如，絕緣層係由形成絕緣層上表面之複數個電極銲墊、一第一絕緣層以及複數個金屬線與介層孔於一第广支撐基板上之第一絕緣層内;形成絕鍊層下表面之複數個電極銲墊、一第二絕緣層以友複數値金屬線與介層孔於一第二支撐基板上之第二絕緣層内;利定第”與第二絕料之方式使彼此整合；以及移整，或部份之該第…第二支縣底，其中，支揮基板係由金屬基板製成。由於複數個電極銲㈣形成於第—支縣板與第二支揮上’使電極銲塾之露出表面具有精確位置而易於高密度封存。於本發明中，形成於該第一絕緣層中之該介層孔上表面大小盘了了，面大顿_與形成於該第二崎層巾之該介層孔上表面^ 〜w、下表面大小的關係相反，如，形成於該第—絕緣層中之該 =孔上表面較其下表面小，且形成於該第二絕緣層中之該介層= 下表面較其上表面小。 =製造介層孔上表面與下表面大小之差異，而使介層孔上表面面間之ί屬線密度不同，且具有較高金屬線密度的-端之表 :尺寸較小’由於存在此—趨勢，使f射光束或光束射人—側之介 2直徑通常容㈣大，其中雷射介層孔由雷射光束造成，而光束束造成，於第一絕緣層中之由雷射光束造成的雷射介二孔或由从核的絲介層孔之人射方向與第二絕緣層中之由雷射光束造成的雷射介層孔或由光束造成的光束介層孔之人射方向相反，藉以控制上表面與下表面大小使之相反。點之效能半導縣置中，由於作為與佈線基板的連接隔相當窄小’且可預期會愈來愈窄小的情形下’ Κ建斜導體裝置安裝位置的上表面與下表面之介層孔尺寸 2143-7221-PF;Ahddub 10 需縮小。因為依據本發明來安裝半導體時，可_線基板之 =裝-半導體裝置，此時最好是第_絕緣層上之介層孔上表^ 、車又下表面尺寸小’且第二絕緣層上之介層孔下表面尺寸較上表面尺寸小。依據本Μ之半導體龍體包括：㈣錢半導體的佈線基板，以及半導體裝置安裝於該佈線基板上以形成安裝半導體。電極銲墊之露絲®設置於半導職1纖之處’佈絲板之複數個電極銲塾設置在與絕緣層上或下㈣謂—絲h 上或下表面延伸之溝槽中。〜另一半導體封裝體安裝於母板上，此半導體封裝體包括：用以安裝半導體的佈線基板；以及半導體裝置安裝於該佈線基板上以形成女裝半導體。電極銲墊之露出表面設置於半導體裝置安裝之處，佈線基板之複數個電極銲墊設置在與絕緣層上或下表面之同一表面上，或没置於絕緣層上或下表面延伸之溝槽中，且當電極銲塾之露出表面具有一凸塊以連接安裝之母板，其中母板係設置於突出絕緣層之上、下表面之處。. 第一種用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，包括：形成具有支撲基底之兩金屬線基底，固定中間層以使具有一支樓基底之兩金屬線基底之頂層表面，呈面對面（face-t〇-face)之狀態；以及移除部份或全部之支撐基底。形成每一具有支撐基底之金屬線基底的方式包括··形成一導電層於支撐基底上以作為電極銲墊；形成一絕緣層於導電層上；形成一或多個中間層於絕緣層上；形成複數個介層孔於中間層中以形成一或複數個中間層之頂層表面；以及填充導體於這些介層孔中以形成複數個導電柱。每一中間層之形成方式包括：形成複數個介層孔於絕緣層中；形成一金屬線於絕緣層上；以及形成其他絕緣層於金屬線上。導體是導體糊或銲料。本發明中，由於用以安裝半導體的佈線基板係以面對面 (face-to-f ace)之狀態緊黏形成於支撐基底上之兩金屬線基底而構 2143-7221-PF;Ahddub 11 1290755

姻廣廬勤全 1 y '…球签槪°丹有，以形成具尚密多，以及高可靠度之安裝與傳統之逐免蓋後製座技教下，且有可於短時間内構或良屢為屢逍優點。八絕緣=财法更包括於形鱗之前於續基底上形成一下層以此方法’由於下層_層為第成於支揮基底上者，且形成一做為她之金屬層，於支撐基底上之下層絕緣層便有加強飯刻阻隔層的功能’因此，當侧銅層時，襯塾與金屬線被勉刻溶液 φ破壞的可能性可忽略，便可獲得具高度可靠度之封裝體基材。同時，由於開放之下層絕緣層具銲料阻隔層的功能，所以與蝕刻支撐基底後再形成一銲料阻隔層之方法相較下，與金屬黏合以形成一概&或複數個金屬線之緊密度更佳，所以便可形成一穩定之銲料阻隔層，且同時於確認襯墊位置後可於襯墊上形成一開口，其中於襯墊上形成一開口之精確度非常高。依慣例’若佈線基板於一非常高溫且高壓之條件下製成薄板，且兩佈線基板係以面對面（f ace—to- f ace)之狀態緊黏形成於支撐基底上，則會有先形成於支撐基底上之佈線基板變形且可靠度較低的 0問題。為改善此一現象，本發明以構成最上層表面絕緣層平面，於絕緣層中形成複數個介層孔洞，填充如導體糊與銲料之導體於這些介層孔洞中以形成複數個介層孔，然後分別依介層孔來製成薄板而獲得電性連接。由於複數個平坦表〜面緊緊黏接，甚至於低溫且低壓之條件下亦可使兩佈線基板以面對面（face-to-face)之狀態緊黏形成於支撐基底上，且可得到具高精確度以及優良可靠度之用以安裝半導體的佈線基板。本發明之第二種用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，包括：形成具有一支撐基底之兩金屬線基底；固定中間層以使具有一支撐基底之兩金屬線基底之頂層表面，呈面對面（face-ΐο-face)之狀態；以及移除部份或全部之支撐基底。形成每一具有支撐基底之 2143-7221-PF;Ahddub 12 1290755 金屬線基底的方式包括：形成一導電層於支撐基底上以作為電極銲墊；形成一絕緣層於導電層上；形成一或多個中間層於絕緣層上；形成複數個介層孔於中間層中以形成一或複數個中間層之頂層表面；以及填充導體於這些介層孔洞中以形成複數個介層孔；以及於絕緣層上形成一金屬線以作為一頂層表面。每一中間層之形成方式必括：形成複數個介層孔於絕緣層中；形成一金屬線於絕緣層上；以及形成其他絕緣層於金屬線上。

於第二種方法中，由於填充導體於絕緣層中之介層孔洞中的步驟，只有需要在複數個支推基底中之任一個，所以具有減少製程步驟的優點，雖然與上述之第一種方法相較下，此方法的精確度或多或少較低’然而’因為形成於支撐基底上之兩金屬線基底係於適當之低溫以及低壓的條件下以面對面（face-to—face)之狀態緊黏，埋藏導體之絕緣屬的特性是相當重要的，意即，可於低硬化溫度與低薄板化壓力下形成之絕緣層是比其他種類絕緣層為佳的，因此，可以低成本製成具優良可靠度之用以安裝半導體的佈線基板。第二種方法更包括於形成導電層之前於支撐基底上形成一絕緣層。 9 本發明中，因為於絕緣層中形成介層孔並填充導體於介層孔洞中的步驟只需操作於複數個支撐基底中之柱一個的唯一金屬^其^ 、上，所以具省略這些步驟的優點，且於支撐基底上之下層絕緣作為加強蝕刻阻隔層的功能。其中封裝體具高度可靠度，且與黏合以形成複數個襯墊以及金屬線之緊密度佳，因此，伴隨^墊_ 成開口之精確度非常高。 ^ 此外，於支撐基底上形成一下層絕緣層之方法亦包括形成一口於位於至少-或多部分之導電層之下層絕緣層部分以作為移_幵份或全部之支撑基底後之複數個電極銲墊，雖然形成此類開口的法很多，但以位置精確度以及形成難易度而言，以雷射蝕^赤蝕刻法形成最佳。 χ古或乾依據本發明之製造用以安裝半導體的佈線基板的方法所採用之 2143—7221-PF;Ahddub 13 1290755 支撐基底的特色在於，具有一薄層金屬層斑一厚度較前者厚之支撐金屬層。〃支撐基底係由一薄層金屬層與一厚度較前者厚之支撐金屬層所構成’可選擇只移除較厚之支撐金屬層而只殘留薄層金屬層於基底側’亦可製造往後需要時以蝕刻等方法移除之相當薄之金屬層。再者，以雷射法於支撐基底上形成一絕緣層以及於絕緣層中形成一開口時，以雷射法形成之開口中殘留一薄層金屬層，然後完成去污製程。此方法中，由於除介層孔開口外之部分皆以薄層金屬層覆蓋’不後發生於去污製程中所使用之去污劑破壞樹脂的情形，並鲁且去污劑所造成之污染現象亦可減輕。為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：【實施方式】以下請配合圖示說明本發明實施例之用以安裝半導體的佈線基板及其製造方法以及半導體封裝體。首先，請參照第3圖，其係顯示用以安裝半導體的佈線基板之剖面圖，以說明本發明第一實施例。根據第一實施例於用以安裝半鲁導體佈線基板5中，設有金屬線2與連接上、下層金屬線2之介層孔3於絕緣層1中。於基板5之上、下表面形成電極鋒墊$，在此即疋形成於絕緣層1之上下表面。其中至少部分之電極鲜塾侧壁係埋藏於絕緣層1中。其中絕緣層1係㈣疊複數層絕緣層所組成，而金屬線2則利用形案化導電層於各狀絕緣層上卿成之。此外介層孔3 形成於絕緣層中並與較低層金屬線2連接，而於 ^ 材料以形成介層孔3。組成絕緣層1之各層材料彼此相同。在此對於絕緣層料並無特殊的限制，只要於銲接時具較佳之埶阻《材性。然而在此以具有較佳熱阻之樹之較佳，例如·俨，化于阻抗特及氧樹脂、聚亞 2143-7221-PF;Ahddub 14 1290755 醯胺、液晶聚合物等具有高波離轉換溫度以及較佳之機械特性（例如：層應例）破損延長率等。為改良當安裝半導體時之處理便易性= 此所形成之絕緣層厚度為0.3微米或更低，該絕緣層1材料以彎曲恢復率（bending resiliency ratio)高者較佳，例如具有樹脂之含浸玻璃布或人造纖維布等。由於用於安裝半導體之佈線基板5係建橼而得的，因此於基板 5上、下表面之電桎銲墊4埋藏於絕緣層1中並儘可能避免高度上的不平均，以及僅可能的以高密度及高速之方式安裝於基板上、下表面之半導體裝置。此外，由於電極銲墊4側壁埋藏於以相同材料所組成之絕緣層1中，因此可改善用以安裝半導體的佈線基板5與電極銲墊4以及絕緣層1間之附著力，並在半導體裝置連接上具有優良的可靠度。請參照第4A-4C圖，其係顯示根據本發明第一實施例之用以安裝半導體的佈線基板剖面圖。首先電極辉墊4形成於絕緣層1之上、下表面以使每一電極銲墊4a之露出面設置在如第4A圖所示之絕緣層1的上、下表面。請參照第4B圖，其係顯示電極銲墊4b之露出面設置在絕緣層1的上、下表面之凹陷處，而第4C圖之電極鲜墊 4c露出面設置在絕緣層1的上、下表面並突出於該表面。如第4A圖所示，電極銲墊4a之露出面設置在與絕緣層丨上、下表面同一水平面上，在此可利用形成金凸塊於其上以安裝半導體裝置，由於電極銲墊4之高度平均因此可於高準確性以及較低間距 (minute pitches)下完成半導體裝置之連接。此外，如第4B圖所示，電極銲墊4b之露出面設置在絕緣層1的上、下表面之凹陷處，在此例中可利用形成金線連結或銲錫於其上以安裝半導體裝置，在此因為電極銲墊4b設置於絕緣層之凹陷處因此可避免金凸塊或銲錫過度變形，進而可於高樹以及較小間距下達成半導體裝置之連接。此外，如第4C圖所示，電極銲墊4c之露出面設置在絕緣層i的上、下表面突起處，在此例中可利用形成錫球於其上再安裝^板，藉此可避免具有錫球之基板的破裂並可使半導體封裝具有極佳的^靠 2143-7221-PF;Ahddub 15 1290755 度0 請參照第5A、5B圖，其係顯示根據本發明實施例之變形之用以安裝半導體的佈線基板剖面圖。首先如第5A圖所示，形成電極銲墊於絕緣層之上、下表面，而該銲墊之部分表面覆蓋有絕緣層。另一方面如第5B圖所示，設置於絕緣層下表面（該圖之下側）之電極銲墊露出面覆蓋有絕緣層，而設置於絕緣層上表面（該圖之上侧)之電極銲墊露出面則與絕緣層同一水平面。於第5A、5B圖中，於絕緣層上、下表面之電極銲塾中，部分表面覆蓋有絕緣層之銲墊設置於絕緣層 1上、下表面之凹陷處，然而本發明並不限於此。請參照第6A-6C圖，其係顯示根據本發明第一實施例之另一變形之用以安裝半導體的佈線基板剖面圖。如第6A圖所示一夫撐體6 設置於絕緣層1上、下表面之至少之一上。透過支樓體6的設置以避免用以安裝半導體的佈線基板5因安裝半導體裝置之熱過程而變形或扭曲，進而提高半導體之安裝效率。此外如第6B圖所示，形成銲錫阻隔層7於絕緣層i上、下表面之至少之一上。特別是根據本發明實施例之用以安裝半導體的佈線基板中，由於電極銲墊4高度均勻因此可快速的形成銲錫阻隔層？。此外如第6C圖所示，形成支撐體8於至少部分之銲錫阻隔層面。接著，根據本發明實施例說明半導體封裝。如第7A—7C圖所示係顯示根據本發明實施例之半導體封裝剖面圖。根據本發明實施= 之半導體封裝14,如第7A圖所示一半導體裝置^利用凸塊9安努於佈線基板5上，並連接電極銲墊4至半導體裝置u，將另_ p x 體裝置11 一側與電極銲墊4相互重疊與連接，而半導體裝置^導一側則係透過銲接導線10與電極銲墊4電性連接。此外/外1另 13則係透過一導電黏著劑12連接至封裝結構14。 #接腳電極銲墊4設置於安裝半導體裝置n之處以形成如示之電極銲墊4a，其中該銲墊之露出表面與絕緣層丨之上、所共水平面，或者形成如第4B圖所示之具有露出表面之 :表面設置於自絕緣層i之上、下表面凹陷之處，以達到高速與 2143-7221-PF;Ahddub 16 •1290755 - 半導體封裝。此外，於本發明實施例中指出安裝半導體裝置之範例，其係利用凸塊9之覆晶連接以及配置金屬線10之銲接導線 - (wire—bonding)連接。然而，除此之外亦可使用捲帶式晶粒接合法 (Tape Automated Bonding，TAB)或帶狀接合法（ribbon bonding method) ° 另外，更可依需要形成一鑄模15如第7B圖所示。如第7C圖所示半導體封裝20係固定於母板19上，該母板19 具有一電極銲墊17以及一銲錫阻隔層18於其表面上。接著如第4C 圖所示，具有一露出面設置於絕緣層1上表面並突出該表面之電極籲銲墊4c，該電極銲墊4c設置於半導體封裝20之上表面上。藉由鋒錫球16使母板19之電極銲墊17與電極銲墊4c相互連接以將封裝 • 20安裝於母板19上。如第4B圖所示，具有露出面在絕緣層丨上表 • 面之凹陷處的電極銲墊4b設置於半導體封裝20之上表面，其中半導體裝置11透過凸塊9安裝於電極銲墊4b上。此外，如第4A圖所示其有一露出面設置於絕緣層1下表面並突出該表面之電極銲墊 4a，該電極銲墊4a設置於半導體封裝20之下表面上且半導體裝置 11透過凸塊9安裝於電極銲墊4a上。在此透過凸塊9連接半導體裝置11之電極銲墊4以作成電極銲墊4a或4b較佳，而固定於銲錫 •球16安裝處之電極銲墊4則係作成電極銲墊4a或4c，藉此半導體裝置11可於高速與高密度下進行安裝，並避免自銲錫球16基底之 • 破裂。因此，可提供優良可靠度之半導體封裝14。接著’根據本發明第二實施例說明用以安裝半導體之佈線基 - 底。如第8A、8B圖所示，係顯示根據本發明第二實施例說明用以安裝半導體之佈線基底。請參照第8A圖，提供一根據本發明之用以安裝半導體的佈線基板29，該基板包括：一絕緣層24其中具有至少一第一絕緣層21設置於上表面、一第二絕緣層22設置於下表面，以及一第三絕緣層23設置於其中，此外第三絕緣層23具有金屬線 25埋藏於其上、下表面並具有介層孔26以進一步地使金屬線相互電性連接，而絕緣層24表面設有電極銲墊27且該電極銲電之至少 2143-7221-PF;Ahddub 17 • 1290755 側埋藏於絕緣層24中，且電極銲墊27藉由介層孔28與金屬線 25彼此電性連接。如上所述以及第4A圖所示，電極銲墊27可以埋藏於絕緣層24中並具有表面露出於該絕緣層24之上或下表面；如 • 第4B圖所示’電極銲墊27亦可埋藏於絕緣層24中並具有露出表面凹陷於該絕緣層24之上或下表面；或者如第4C圖所示，電極銲墊 27亦可埋藏於絕緣層24中並具有露出表面凸出於該絕緣層24之上或下表面。傳統上佈線基板係以層疊材質不同於内層絕緣層之其他絕緣層形成，由於傳統佈線基板結構之金屬係設置於内層絕緣層之上下表鲁面’因此會產生應力並因操作該半導體裝置時該熱膨脹係數之不同而造成絕緣層間的剝落，進而由金屬線端造成整個結構上附著力不良。 • 根據本發明實施例形成用以安裝半導體之佈線基底29以形成金屬線25埋藏於中間之第三絕緣層上、下表面。因此儘管絕緣層 24由材料不同於第三絕緣層之第一絕緣層21與第二絕緣層22組成’第三絕緣層23之整個表面會因操作半導體裝置所重複產生之熱負荷與偏壓而產生剝落應力，本發明可由佈線端完全避免層間之剝落。 % 因此’根據本發明實施例之用以安裝半導體之佈線基底29，適用於該目的之光學物性材料可選自設置於絕緣層上表面之第一絕緣 ' 層21、設置於其下表面之第二絕緣層22,以及設置於其中間部份之第三絕緣層23。此外’如第8B圖所示，根據本發明實施例之用以安裝半導體之佈線基底29可藉由形成金屬線3()與介層孔31於第一絕緣層中、第二絕緣層22中以及第三絕緣層23中以製成多層佈線基板。在此亦可利用用以安裝半導體之佈線基底29以於佈線基板5 上固定半導體以形成半導體封裝14、2〇。半導體裝置設置於用以安裝半導體的佈線基板29之兩側，而第三絕緣層23係擇自具有高彈性率之堅硬材料以使其便於處理，此外該材料相對於形成在第一、 2143-7221-PF;Ahddub 18 .1290755 第二絕緣層21、22上之第三絕緣層23具有較高之層應力或較低之熱膨脹率，因此可避免用以安裝半導體的佈線基板29，因安裝半導 • 體裝置時熱膨脹率不同而造成表面破裂。此外，用以安裝半導體的佈線基板29係固定在一母板上，該母板具有半導體裝置固定於佈線基板29之第一絕緣層21上，除了半導體裝置外銲錫球亦固定於第二絕緣層22上，在此第三絕緣層23選用高彈性率之間應材料以改善處理讀度’而第-絕緣層21則顧較高層應力或較低熱膨脹率材料，而第二絕緣層22材料則較第三絕緣層23材料之禪性率低。利用絕緣層彼此相互不同的材料，:可形成可靠度理想之用以安裝丰 • 導體的佈線基板29 〇接著說明本發明第三實施例，請參照第9圖其剖面圖。根據本發明實施例之具有絕緣層的佈線基板52具有一絕緣材料47包括第絕緣層41没置於其上表面、第二絕緣層42設置於其下表面、第二絕緣層43設置於其中，以及第四絕緣層46設置於第一絕緣層41 與第三絕緣層43間或第二絕緣層42及第三絕緣層43之間，而金屬線44與介層孔45形成於第四絕緣層46中。金屬線48埋藏於第三絕緣層43之上、下表面並透過形成於第三絕緣層42中之介電層49 電性連接。表面露出之電極銲墊及其至少部分側部埋藏於絕緣層 47中，且係於該絕緣層47之上下表面，其中電極銲塾50可透過介層孔52與金屬線44彼此電性連接。 ‘ 本發明實施例之佈線基板52包括埋藏於絕緣層47中間部分之第二絕緣層43上、下表面之金屬線狀，以及埋藏於第四絕緣層之金屬線44。因此，第三、第四絕緣層43、46表面會因操作半導體裝置所重複產生之熱負荷與偏壓而產生剝落應力，儘管絕緣層47 中之所有層係利用彼此不同之材料形成，亦可完全避免絕緣層之層間由金屬線端剝落。本發明實施例之佈線基板52可形成半導體封裝14、20，如在用以安裝半導體的佈線基板5、29。固定半導體裝置於安裝半導體之佈線基板52的兩側，其中第三絕緣層43擇自具有彈性率之堅硬 2143-7221-PF；Ahddub 19 1290755 43、46具較高層應力或較低熱膨脹率之=1弟三、第四絕緣層 ::佈線基板52因—時表裝導體裝置外銲鎮球亦固定於第二絕緣層】、緣層41上’除了半選用高禪性率之間應材料以改善處理方，^此第三絕緣層43 用較高層應力或較低熱膨脹率材料，第二^ Η四絕緣層46則選三、第四絕緣層43、46具較彈性率材料# θ42係擇自相對於第接著說明本發明第四實施例，請參_ 明第四實施例之用以安裝半導體的面圖^顯示本發基板中，設置於第'絕緣層中之介層孔94板9=:發:之佈線下表面’而設置於第二絕緣層中之介層孔94、9 於其其上表面。利用介層孔製程可以形下表面尺寸小於或利用感光難之黃光製程。 ❹利用雷射通常’利用雷射照射步驟或曝光步驟會與其相對側的大小不同。因此所形成於一二:二： 9L95T^i :r =9。5的下表面尺寸小於上表面的，以形成半導體連接密度改善之在此若該介層孔94、95之行狀為_形，該孔之尺寸可由盆上表示之H介層孔亦可為環狀而該尺寸可㈣ ⑽如根月實施例之佈線基板中的介層孔可讀填充之介層孔 94(如第1()圖鮮），或順紐之介層孔95(如第η圖所幻。於填 2143-7221-pF；Ahddub 20 1290755 充介層孔94之例子中金屬線可設置於其上，由於介層孔上可設計金屬線以及銲塾因此該填充的介層孔係堆疊的。因此在填充的介層孔案例中可改善金屬線密度，而在順應性之介層孔案例中，該介層孔可釋放應力此外亦可利用溫度循環改善可靠度。此外’第10、11圖中之介層孔94、95的上下表面尺寸關係亦可相反。本發明佈線基板中的介層孔可擇自不同形狀。例如，圓挺型之介層孔其上平表面尺寸相同、啤酒桶型（barrei type)介層孔之中間處凸起、手:鼓型（hand-drum type)介層孔之中間處則較窄、圓錐形···等。其中圓柱型介層孔容易利用鑽孔機器形成、啤酒桶型介鲁層孔雖然中間凸起上、下表面積較小但其電阻較小，此種介層孔之金屬線密度可較圓柱型介層孔增加。手鼓型（hand-drum type)介層孔之中間狹窄上、下部分面積係與金屬線之連接點，而該連接處一般會變弱變大因此該介電層可改善可靠度。利用雷射光束形成之介層孔以及利用光線形成之光線介層孔的入射側直徑一般很容易增加。然而亦可利用材料的不同、雷射光的放射條件以及曝光條件來抑制其形狀。接著，係說明本發明實施例之用以安裝半導體的佈線基板。首先說明本發明第五實施例。如第12A-12E圖以及13A-13C圖所示， 0其係說明本發明實施例之用以安裝半導體佈線基板之步驟流程圖。如第12A圖所示，首先作為電極銲墊62之導電層利用電鍍法形成於支撐基底61上。此時，如第12B圖所示利用蝕刻於支撐基底61中形成凹陷63並具有導電層埋藏於該凹陷中。因此，電極銲墊64部分的埋藏於支撐基底61中。如第12C圖所示形成阻障層65於支撐基底61上，接著形成導電層於阻障層65上。因此可形成具有阻障層65之雙層結構電極銲墊66。接著，請參照第12D圖，一絕緣層67a形成於支撐基底61上，其中導電層62、64、66如上所述，此外更包括介層孔68形成於絕緣層67a中。之後如第12E圖所示形成金屬線69於絕緣層67a上，並於介層孔中填充導電材料，接著形成使電極銲墊62以及金屬線 2143-7221-PF;Ahddub 21 .1290755 69a跋此連接之介層孔68b。此外，如第13A圖所示之多重金屬線層之形成包括：於絕緣層 67a上形成絕緣層6巧、於絕緣|67b中形成介層孔咖以及形成金属線6?)°重複上述步驟則可形成所需層數之多重層結構。接著請參照第13Β圖利用研磨以及去除最上層金屬绛69b表面以形成具有支撐基底以及絕緣層67a、67b之佈線基板73。形成介層孔68c可利用形成金屬線69b以及填充導電材料於介層孔中而成’而其形成方式並不限於此，介層孔68c可利用填充到電材料於其中而成。V 、，著，請參照第13C圓，各自具有支撐基底之兩佈線基板73 相重豐以使絕緣層67b相接觸並相黏附以使介層孔68c暴露於相互之面對的絕緣層67b表面上。接者如苐14A圖所示，當所有支撐基底61經由钕刻移除則可得到一佈線基板75其電極銲墊62露出於該基板上、下表面並具有多重金屬佈線基板於其内部。請參照第14B圖若部分支撐基底61形成於上表面並作成支撐體 76則可得一具有支撐體76之佈線基板75。此外如第14(：圖所示可依需要形成銲錫阻隔層77於設置半導體之佈線基板75兩侧之理想位置。在此支撐基底61材料並無特殊限制。若該材料最後需移除則以符合運作特點者較佳。支撐基底61特殊材料，例如以金屬銅、銅合金、不鏽鋼、鋁…等較佳。此外較佳介層孔68c材料可有效的連接並藉由熱與壓力連接至介層孔咖喊具有支撐基底之佈線基板73 相互黏附。嚴格而言介層孔.係-導電材料其係具有金屬微粒之樹脂或銲錫···等。另外，絕緣層67a、67b雖然熱阻效應與化學阻抗效應等為製程中的必要條件，在此亦可選擇無上述問題之理相材料。〜如第13C圖所示，於製作安裝半導體之佈線基板之方法中，由於具有捕絲之兩舞紐73，具有W尺寸献性之絕緣層與 2143-7221-PF;Ahddub 22 1290755 金屬線形成於支揮基板61上，該基板以面對面之方式相黏附。如第 14A圖所示一高密度且高速之安裝半導體的佈線基板75，其中電極銲墊62位置有良好之精確度。此外，由於兩絕緣層67b以面對面的方式且平坦的彼此黏附於金屬線69丑上，因此不需利用熱或壓力來變形絕緣層67b以黏附兩表面。因此可以特別低溫與特別低壓力黏 / 附+述絕鍊層，於黏附時整偭具有支撐基底之佈線基板73不變形因此可形成具有高可靠度之甩以安裝奢#體的佈線基板75。此外，如第12B圖所示一四陷63進一步地蝕刻形成於支撐基板中，並填充一導電材料於該凹陷63中以形成電極銲墊64。如第15A 圖所示一用以女裝半導體的佈線基板，其表面露出之電極銲塾64 利用務除部份或整傭支撐基底6丨以突出於絕緣層78之上、下表面。九另一方面，如第12c圖所示電極銲墊66之形成包括另提供一阻障層65於支撐基底61上並層疊一導電層於其上以形成用以安裝半導體的佈線基板’其中該電極銲墊66之露出表面係凹陷於絕緣層 78之上、下表面（如第15B圖所示），該凹陷係利用移除全部或部分之支撐基底61以及阻障層65而成。，著，請參照第16A-161圖說明本發明第六實施例，其係指出製作女裝半導體之佈線基板的順序步驟剖面圖。首先昭 •圖—下層絕緣層93形成於支躲板61上。如第⑽心為電塾62之導電層形成於下層絕緣層93上。接著請參照第16C一 161圖形成如第-實施例以及第7圖所示之金屬線層且兩基板彼此相黏附然後移除支撐基底。第16H圖係顯示支撐基板移除之狀態，第 161圖係顯示形成一開口於底層絕緣層⑽中以露出墊極銲墊⑽，該開口可利甩雷射或乾蝕刻形成。口接著，說明本發明第7實施例，請參照第i7A—i7D圖以及第 18A-18C圖其係、顯示根據用以安裝半導體的佈線基板的第五實施例之步驟流程剖面圖。、首如第17A圖所示利用圖案化支撐基底81上之導電層以形成電極銲藝82。此外，如上述利用钱刻製程於支撲基板81中形成 2143-7221.PF;Ahddub 23 1290755 凹陷，並形成道或部分支》導電層以填充該凹陷。接著如下所述，利用移除整個極銲I。|基底81以形成具有露出面突出於絕緣層上下表面之電 82之導^1外形成阻障層於支撲基底81上並形成用以作為電極鲜塾形層’其中利用移除整個或部分支撐基底81以及阻障層以二表面露出之電極銲墊於絕緣層上、下表面之凹陷處。下文月如第17A调所示之形成於支撐基底81上的電極銲塾82案、接著’如第17B爾所示，形成絕緣層83於支撐基底81上且形成-通至電極銲墊82之介層孔83a。接著請參照第17C圖，於絕緣層83上形成金屬線85。於此案例中金屬線85之導電材料填充於介層孔83a中，藉以形成介層孔 84進而使金屬線85與電極銲墊82連接。因此，可形成具有支撐基底之佈線基板86。 ϋ月參照弟17D圖，一絕緣層83b形成於金屬線85以及絕緣層 83上且金屬線85a形成於絕緣層83b上。此時，介層孔84a形成於絕緣層83b中。藉由重複形成絕緣層、金屬線以及介層孔之步驟以形成具有支撐基底之多重層佈線基板86。接著，請參照第18A圖形成絕緣層87於第17C圖之具有支撐基底之佈線基板86上且於絕緣層87中形成介層孔。此外，藉由填充導電材料於介層孔中以形成介層孔88，進而形成具有介層孔88與支撐基底之佈線基板90，而該填充材料可使用導電糊料或銲錫。接著，請參照第18B圖將第17C圖之具有支撐基底的佈線基底 86與第18A圖之具有支撐基底的佈線基底90以彼此面對面之方式相黏附。接著請參照第18C圖，藉由移除整個支撐基底81以露出電極銲墊82，進而形成用以安裝半導體的佈線基板92。此外，如第14B圖所示部份之支撐基底81藉由留下部分並除去其他部分以形成具有一支撐體76之佈線基板92。此外，如第14C 圖所示一銲錫阻隔層77形成於佈線基板92之上、下兩侧的理想位 2143-7221-PF;Ahddub 24 • 1290755 第4A-4C圖係分別繪示出根據第一實施例之變化於導體的佈線基板之剖面圖。 A讀半第5A與5B圖係繪示出根據第一實施例之其他變化半導體的佈線基板之剖面圖。、用从安裝㈣ί Γ其f圖鱗示出根據本發明之第—實施例之用以安Μ道體的佈線基板之剖面蕾〆 … 文夏半導第7A-7C圖係分別繪示出根據本發彻+』第8Α與8Β圖係分別繪示出根據本發明裝半導體的佈線基板之剖面圖。 ^ ^例之用以安第9圖係繪示出根據本發明之第三實以丰^ 佈線基板之剖面圖。文裝+導體的第10圖騎示出根據本發明之第四實施例之用以安筆道的佈線基板之剖面圖。褒半導體第11圖係繪示出根據本發明之第四實施例之用以安的佈線基板之剖面圖。、半導體第12Α- 12Ε圖係繪示出根據本發明之第五實施例之製造裝半導體之方法的佈線基板之剖面圖。女第13A-13C圖係繪示出根據本發明之第五實施例之製造用裝半導體之方法的佈線基板之剖面圖，其中纷示出第12 女者之接續步驟。 9不第14A-14C圖係繪示出根據本發明之第五實施例之製造用以裝半導體之方法的佈線基板之剖面圖，其中繪示出第13c圖所泠者之接續步驟。 3 第15A-15B圖係繪示出根據本發明之第五實施例之製造裝半導體之方法的佈線基板之剖面_。 t J嫩-„根據本發明之施例之製裝半導體之找的佈線基板之製程步驟 I 女第17A_17D圖雜示出根據本發明之第七實施例之製造用以安 2143-7221-PF;Ahddub 26 1290755 裝半導體之方法的佈線基板之製程步驟順序之剖面圖。第18A-18C圖係繪示出根據本發明之第七實施例之製造用以安裝半導體之方法的佈線基板之製程步驟順序之剖面圖，其中繪示出第17D圖所繪示者之接續步驟。【主要元件符號說明】 1〜絕緣層; 2~金屬線； 3〜介層孔； 4〜電極鲜塾； 4a〜電極鋅墊； 4b〜電極鋅墊； 4c〜電極銲墊； 5〜佈線基板； 6〜支撐體; 7〜銲錫阻隔層； 8〜支撐體； 9〜凸塊； 10〜銲接導線； 11〜半導體裝置； 12〜導電黏著劑； 13〜外部接腳； 14〜封裝結構； 15〜鑄模； 16〜鲜錫球； 17〜電極銲墊； 18〜銲錫阻隔層； 19〜母板； 20〜半導體封裝； 21〜第一絕緣層； 22〜第二絕緣層； 2 3〜第三絕緣層； 24〜絕緣層； 25〜金屬線； 26〜介層孔； 27〜電極銲墊； 28〜介層孔； 29〜佈線基底； 30〜金屬線； 31〜介層孔； 41〜第一絕緣層； 43〜第三絕緣層； 42〜第二絕緣層； 44〜金屬線； 45〜介層孔； 47〜絕緣層； 46〜第四絕緣層； 48〜金屬線； 49〜介電層； 50〜電極銲墊； 52〜介層孔； 61〜支撐基底； 2143_7221-PF;Ahddub 27 1290755 62〜電極銲墊； 63〜凹陷； 64〜電極銲墊； 65〜阻障層； 67a〜絕緣層； 66〜雙層結構電極銲墊 67b〜絕緣層； 68〜介層孔； 68a〜介層孔； 68b〜介層孔； 68c〜介層孔； 6 9 B«〜金屬線， 6 9b〜金屬線；_ 73〜佈線基板； 75〜佈線基板； 76〜支撐體； 77〜銲錫阻隔層； 78〜絕緣層； 81〜支撐基底； 8 2〜電極鲜塾； 83〜絕緣層; 83a〜介層孔； 83b〜絕緣層； 84〜介層孔； 84a〜介層孔； 85〜金屬線； 85a〜金屬線； 86〜多重層佈線基板； 87〜絕緣層； 88〜介層孔； 90〜佈線基板； 92〜佈線基板； 9 3〜下層絕緣層； 94〜介層孔； 95〜介層孔； 101〜通孔； 102〜導電金屬線； 103〜核心基板； 104〜貫穿孔； 105〜層間絕緣層； 106〜導電金屬線； 107〜銲錫阻隔層； 111〜樹脂薄板； 113〜介層孔。 112〜導電金屬線； 2143—7221-PF;Ahddub 28

Claims

十、申請專利範圍： 1· 一種用以安裝半導體的佈線基板，包括· 一絕緣層；複數個金屬線，形成於該絕緣層中；面歲=個電極銲墊’其中該些銲塾表面係利用曝露該絕緣層上表 ^下表面以形成’且至少部分之電極銲塾側面埋藏於絕緣層七一介層孔，以使該些金屬線與電極銲墊彼此電性連接。其中t如申請專利範圍第1項所述之用以安裝半導體的佈線基板，肀該絶緣層包括·· 第絕緣層’設置於該金屬線基底之上表面；第二絕緣層，設置於該金屬線基底之下表面；以及診楚，一或複數個第三絕緣層，設置於該金屬線基底之内部，其中 /第二絕緣層，包括：複數個埋藏式金屬線，於該第三絕緣層之上、下表面；以及蝥八複數個介層孔，以使該金屬線上、下表面相互連接，該電極銲少A =路出於該第二絕緣層_之該金屬線基底的上、下表面，且至分之該側表面埋藏於該第一絕緣層或該第二絕緣層中。其3·如申請專利範圍第2項所述之用以安裝半導體的佈線基板，該第一、第二絕緣層係由相同材料組成。其4·如申請專利範圍第2項所述之用以安裝半導體的佈線基板，一、中該第一、第二絕緣層係由不同材料組成。更勹5·如申請專利範圍第2項所述之用以安裝半導體的佈線基板，彀^括一具有金屬線以及介層孔之第四絕緣層，該第四絕緣層至少 Λ於該第一、第三絕緣層之間或該第二、第三絕緣層之間。其6·如申凊專利範圍第5項所述之用以安裝半導體的佈線基板， Μ該第一、第二絕緣層至少4一係由應力高，於該第三、第四絕緣曰之材料所形成。 2143-7221-PF;Ahddub 29 '1290755 其中該料利腳第5項所狀用以安裝半導體的佈線基板，四银、第二絕緣層至少之一係由熱膨脹係數低於該第三、第、、緣層之材料所形成。其中兮=凊專利範圍第5項所述之用以安裝半導體的佈線基板， i緣料緣層至少之—係由彈性係數低於該第三、第四的佈ΙΐΓ請專利範圍第1至8項巾任—柄述之㈣安裝半導體、、、土板’其中該電極銲墊之露出表面設置於與該絕緣層之上、卜表面同一水平面上。

的佈範圍第1至8項中任一項所述之用以安装半導體布線基板，其中該電極銲墊之露出表面設置於該絕緣面之凹陷位置中。㈢工下表如巾請專利顧第1至8項中任—項所述之用以安褒的佈線基板，其中該電極銲墊之露出表面設置於該絕緣層^ 面之突出位置中。 Θ 卜表如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之用以安的佈線基板，其中該電極銲墊之部分露出表面以該絕緣層^蓋。_ 13·如申請專利範圍第丨至8項中任一項所述之用以安的佈線基板，更包括—支撐體設置於該絕緣層上、下表面至^之^體如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之用以安裝的佈線基板，更包括一銲錫阻-隔層設置於該絕緣層之上下^面至+ 15·如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之用以安襞的佈線基板，其中該絕緣層之形成包括： - 形成該絕緣層上表面之複數個電極銲墊、一第一絕緣層以、數個金屬線與介層餘-第-支撲基底上之該第—絕緣層^乂及複形成該絕緣層下表面之複數個電極銲墊、一第二絕 i 、數個金屬線與介層孔於一第二支撐基底上之該第二絕緣層；=及複利用固定該第一與該第二絕緣層之方式使彼此整合；以及 2143-7221-PF;Ahddub 30 1290755 形成一或多個中間層於該絕緣層上，該每一中間層之形成方式包括：形成複數個介層孔於該絕緣層中； - 形成一金屬線·於該絕緣層上；以及形成其他絕緣層於該金屬線上；形成複數個介層孔於該中間層中以形成該一或複數個中間層之頂層表面；以及填充導體於談些介層孔中以形成複導電柱；、固定該中間層以使具有一支撐基底之該兩金屬線基底之頂層表面，呈面對面（face-to-face)之狀態；以及 ® 移除部份或全部之該支撐基底。 21. —種用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，包括： , 形成具有一支撐基底之兩金屬線基底，每一該金屬線基底之形成方式包it : 形成一導電層於該支撐基底上以作為電極銲墊；形成一絕緣層於該導電層上；形成一或多個中間層於該絕緣層上，該每一中間層之形成方式 . / 包括：形成複數個介層孔於該絕緣層中； ® 形成一金屬線於該絕緣層上；以及形成其他絕緣層於該金屬線上；形成複數個介層孔於該中間層中以形成該一或複數個中間層之頂層表面；填充導體於該些介層孔中以形成複數個導電柱；以及形成一金屬線於該絕緣層上以形成一頂表面；固定該中間層以使真有一支撐基底之該兩金屬線基底之頂層表面，呈面對面（face-to-face)之狀態；以及移除部份或全部之該支撐基底。 22. 如申請專利範圍第20或21項所述之用以安裝半導體的佈線 2143-7221-PF;Ahddub 32 1290755 基板的装⑫方》1包括於形成該導電層之前該支撐基底上形成一下層絕緣層。 ' 23·如申請專利範圍第20或21項所述之用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，更包括於喊_開^於部分之該下層絕緣層中，其㈣絕緣層設置於至少該導電層之—或多辩卩份上，以於移除部份或全部之該支撐基底後形成一或多個電極銲塾。 24·如申請專利範圍第2〇或21項所述之用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，其中該開口係以雷射蝕刻法或乾蝕刻法形成。 25.如申睛專利範圍第2〇或21項所述之用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，其中該導籠是盖體糊或銲料。 26_如申明專利範圍第2〇或21項所述之用以安裝半導體的佈線基板的製造方法，其巾顧_具有薄層金制之支縣底與以一厚度較前者厚之支撐金屬層作為該支撐基底。

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