TWI286871B - EUV light source optical elements - Google Patents

Description

1286871 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關極遠紫外線(EUV)光產生器，其從一源材 5料所生成的一電漿來提供EUV光並加以收集及導引至一焦 點以譬如20奈米左右及以下的波長供EUV光源產生室外 部使用（譬如使用於半導體積體電路製造光微影程序進行 機具）。 相關申請案 10 本申請案係為20〇4年11月1日提交名稱為“LPP EUV光 源”的美國專利申請案Ν〇·ΐ〇/979,945號（事務所案號 Νο.2004-0088-01);及2〇〇4年7月27日提交名稱為“EUV光 源”的美國專利申請案Ν〇·1〇/9〇〇,839號（事務所案號

No.2004-0044-01);及2〇〇4年3月17日提交名稱為“高重覆率 15 LPP EUV光源”的美國專利申請案Ν〇·10/803,526號(事務所 案號Νο.2003-0125-01);及2〇〇4年3月1〇日提交名稱為“用於 EUV光之收集器”的美國專利申請案ν〇 10/798,740號（事務 所案號Νο.2003-0083-01)之部分接續案，上述各案的揭示以 引用方式併入本文中。 20 【先前技術】 發明背景 已知對於譬如諸如13.5奈米等約20奈米左右或以下的 波長之有時亦稱為軟性X射線的極遠紫外線(EUV)光而言， 將需要反射性光學元件，譬如用以收集及聚焦自一源材料 1286871 生成的一電漿所產生之EUV光。在掠射的入射角或多層鏡 面(MLM)的所謂正常入射角之相關波長下，將需要反射器 以收集及聚焦從電漿發射之光，不論其為一對電極之間的 放電所產生之-放電產生式電漿(DPP)或輻照一標靶材料 5來產生電漿的經聚焦雷射束所產生之一雷射產生式電漿 (LPP)皆然。 ’ 在生成用於發射EUV光的電漿之程序中，生成電漿的 數種惡劣產物係在電漿周圍釋入Euv光源產生室的環境 中’其潛在可能對於包含譬如收集器/導引器光學元件等材 1〇料造成很大損傷，譬如來自電漿形成之熱量、高能離子及 散射的碎屑諸如未在電⑽成程序中解離之原子咸源材料 的堆塊等。熱量、高能離子及/或源材料係可能以數種方式 損傷光學it件，包括簡單地將其加熱、穿透其内、及譬如 損傷^構完整性及/或光學性質諸如紙轉作反射此等短 ^波長的光線之機械力學、將其顧或侵餘及/或擴散至其 内。源材料可特別對於譬如一構成MLM的至少一層之材料 (譬如鐘及石夕)具有反應性，故特別是在升高溫度時可能需要 採行步驟來降低反應性的潛在效應，及/或譬如藉由蓋覆層 或藉由中間擴散障壁層或兩者使材料保持分離。即便對於 諸如錫、或銦或氤等較不具反應性的源材料，亦可能需要 解決溫度穩定性、離子植入及擴散問題。 此外，對於光源室之碎屑控管的本質係可能導致 其中MLM堆積體及其保護覆塗(蓋覆)層需運作及保護下方 二元多層堆積體之環境的惡劣性增高。需要達成此作用而 1286871 同時不顯著地減損整體反射性。所採用的技術可能譬如係 為將反射器加熱至諸如超過500。(：等升高溫度，以自反射器 表面蒸發碎屑及/或利用一諸如鹵素蝕刻劑等蝕刻劑來從 反射斋表面I虫刻碎屑及/或在反射器表面附近生成一屏蔽 5電漿，如上文參考的共同審查中專利申請案所進一步描述。 申請人提出可用來將光學元件對於入射EUV光的反射 性及光學元件在惡劣環境中的壽命予以最佳化之多種不同 的MLM配置及材料，其中由於更換光學元件時需破壞光源 室密封件所導致之困難且由於更換此等光學元件的費用， 1〇譬如在光學元件一次必須停留一年或更久或至少數個月之 一光源室中緊鄰於收集器/導引器及其他光學元件處，電漿 產生式EUV光源每秒操作係可發生約丨6〇〇〇至48〇〇〇的電漿 形成。 ，已經有人討論鋰與其他材料的相容性及鋰擴散，但未 15就M L M予以討論且尤其未就對於供E U V光源所用的適當 收集器/導引器提供反應性電漿源材料予以討論、且具體來 說未就鋰電漿源材料予以討論。艾克哈特(M.Eckhardt)等人 “摻雜對於Li在Si(100)中的體塊擴散之影響”，Surf· Sci· 319, 219-223(1994)係討論摻雜對於以在^結晶内的體塊擴散之 20影響。他們陳述了對於一 η型摻雜Si(l〇〇)表面而言，在低於 1000 K(=730°C)的溫度下沒有進入體塊内之鋰擴散。申請人 提出：當對於電漿的源材料身為一諸如鋰等反應性元素 時，應用此原理來提供適當的EUV光學反射元件。 溶合社群已經使用氧化釔藉由一塗層來保護第一反應 1286871 器壁不受到熱鋰。利弗莫爾工作國家實驗室（Livermore

Laboratories National Laboratories(LLNL))亦已經研究了

Mo/Y多層物在7至12奈米波長範圍之反射。然而，申請人 尚未獲知有人對於一電漿產生式EUV光源中之收集器/導 5引森或其他光學裝置使用紀來保護光學裝置譬如不受到一 諸如鋰等反應性源材料所影響。 亦請見“絕緣陶兗材料與液體增殖堆的相容性”，三山 (Mitsuyama)等人，Fusion Eng· Des.39-40,811(1998);品特 (Pint)等人，“熔合反應器結構材料之高溫相容性議題”， 10 Fusion Sci· Technol.44,433-440(2003);撒拉非特（Sarafat)等 人，“冷卻劑結構材料相容性”，Report，Apex meeting，03_24-2000 ;克洛依特（Kloidt)等人，

Appl.Phys.Lett.58(23)，2601-2603(1991)。 他人已經討論MLM材料及性質，但未就電漿產生式 15 EUV光源且未就反應性源材料予以討論、尤其未就採用链 作為一電漿源材料予以討論。數件專利案及文件已經討論 MLM材料及蓋覆層，但未就電漿產生式EUV收集器/導引器 及其他EUV源室光學裝置之需求予以討論，譬如相對升高 溫度之溫度穩定性需求，亦未就一反應性EUV電漿材料且 20尤其是鋰予以討論。LLNL集團（LLNL group)的巴杰特(Bajt) 等人在 Optics Letters，Vol.28，Ν〇·22(2003 年 11 月 15 曰），ρ·2249之巴杰特(Bajt)等人的“用於成像一具有ιι·9奈米 的鎳狀sn雷射之近紅外線輸出之Μο:Υ多層鏡面技術”；及柯 迥瑞坦納汪屈（Kjornrattanawanich)的Ph.D論文（加州大學戴 1286871 維斯分校，Report UCRL-LR-150541 (2002))“鉬 /錄及鉬 /紀多 層鏡面之反射係數、光學性質及穩定性，，中已經顯示出：不具 障壁層的Mo/YMLM對於250°C具有熱穩定性。如果釔層只 有很少量的氧或者如果其基本上無氧，則]^〇/¥多層亦可能 5在250 °C以上的溫度呈現穩定，如同柯迥瑞坦納汪屈 (Kjornrattanawanich)的論文所顯示，其中觀察到Μο/γ鏡面 加熱（退火)之後在橫剖面傳輸電子顯微鏡照片中對於Μο/γ 多層具有較高對比。2004年4月20日發證予辛袼(Singh)等人 名稱為“用於EUV光學元件之蓋覆層，，的美國專利案 10 6,724,462號係討論用於未受到一電漿產生sEUV光源内之 環境嚴格考驗的微影工具環境之EUV反射器且其在選擇反 射器的適當材料時必須加以考慮，譬如包括為求更正常的 入射角在多層鏡面與反射層之掠射的入射角之間的選擇、 反射器表面的形狀及對於電漿之鄰近性、電漿源材料、所 15採行的碎屑移徙步驟譬如用於碎屑蒸發的升高溫度、鹵素 碎屑蝕刻、碎屑擴散等。取而代之，，462號專利案及其他 文件所選用的材料係幾乎專門地基於將採用Euv光供光阻 曝光之一微影工具的一相對較無菌且原始環境中之反射率 予以最大化，其中譬如將蓋覆層選擇成為對於譬如暴露於 2〇空氣等之周遭環境“相對較具惰性，，。類似效果請見2003年 12月2日發證予畢可克(Bijkerk)等人名稱為“具有保護層系 統之多層系統及製造方法，，的美國專利案6,656,575號，其亦 有關用於EUV反射态之微影工具環境。2002年9月1〇曰發 證予辛袼(Singh)等人名稱為“具增強反射率之多層極遠紫 1286871 外線鏡面”的美國專利案6,449,086號係有關中間層材料及 “相對較具惰性”材料之一蓋覆層且具有相同的效果。2001 年5月8日發證予巴杰特(Bajt)等人名稱為“用於極遠紫外線 應用之MoRu/Be多層”的美國專利案6,228,512號係有關 * 5 MoRu/Be MLM二元層及降低粗糙度以及將用於潛在可能 〆 _ 暴露於水蒸氣的系統之中間層與氧化物蓋覆層予以互混。 2004年8月24日發證予巴杰特(Bajt)等人名稱為“用於EUV 多層之最佳化的蓋覆層”的美國專利案6,780,496號係包括 # 一含有RU及一底塗層的二元蓋覆層以防止RU擴散至底二 10 元層内，且為了抵抗譬如一微影工具環境中之氧化而選用 Ru 〇 竹中（Takenaka)等人的“Mo/Si、MoSi2/Si及Mo5Si3/Si多 層軟X射線鏡面之抗熱性”，J.Appl.Phys.78,5227(1995)係討 論MosSis/Si的組合，而非申請人所提出之 15 Si-MoSi2-Mo5Si3-MoSi2的組合。 L發明内容I • 發明概要 本發明係揭露用於形成DPP或LPP電漿產生式EUV光 源光學元件之裝置及方法，譬如包含MLM堆積體之反射 20咨，其中MLM堆積體係採用各種不同的二元層材料及包括 使用在電衆產生式EUV光源室中之單一與二元蓋覆層等蓋 覆層’特別是在其中電漿源材料可與諸如一鋰電漿源材料 等一或多種MLM材料起反應之處。 圖式簡單說明 10 1286871 第1圖係示意且未依實際比例地顯示一多層鏡面 (MLM)； 第2圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之一態樣之一MLM結構及組成物，其中譬如改良了第 5 1圖的MLM ; 第3圖係示意且未依實際比例地顯示一多層鏡面； 第4圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之態樣之一MLM結構及組成物，其中譬如改良了第3 圖的MLM ; 10 第5圖示意且未依實際比例地顯示本發明的一實施例 之態樣，其利用與鐘相容的塗層譬如纪（譬如呈氧化紀y2〇3 形式）來作為譬如用於EUV多層堆積體收集器/導引器鏡面 之保護塗層 第6圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 15 施例之態樣之一 M L Μ結構及組成物； 第7、8及9圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的 一實施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 第10圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 2〇 第11圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 、施例之態樣之一 M L Μ結構及組成物； 第12圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 第13圖顯示對於該等數層之一Y/Mo/si/Mo MLM的反 1286871 射率。 n -j 較佳實施例之詳細說明 現在參照第1圖，圖中示意且未依實際比例地顯示一先 5前技術的厘04 20結構及組成物，包括一釕蓋覆層22及一下 方的中間層24且其譬如可為一源材料擴散障壁層24，可能 基於其抵抗一選用材料或其化合物的擴散之能力而加以選 擇，該選用材料譬如為諸如鋰等用於EUV電漿的源材料。 MLM 20可包含複數個二元層3〇，其由一譬如一鉬層32等吸 10收層及一諸如矽製的間隔層34所構成。 源材料係擴散經過擴散障壁層24且進入二元層3〇内且 形成於一諸如矽化鋰等源材料矽化物的層32及33之間，其 會造成Mo及/或Si在Mo/Si介面處之祕度。這會減損二元 層30在升高溫度的熱穩定性，亦將影響個別二元層如及 15 MLM整體之反射率。 第2圖示意且未依實際比例地顯示類似第】圖之一 MLM 20, ’其中譬如梦製的間隔㈣係由—間隔層％，取 代，其可包含摻雜有-譬如型摻雜物等將與裡起反應 的材料之—層譬如石夕的間隔材料。此石夕化物㈣，隨後可具 20有阻絕諸如㈣反應性源材料擴散過經摻_層34,之作 用，故可防止譬如石夕化物層形成於仏與^之間的曰介面因 此各別二元層30及麵20,的整體效力具有遠為較小的破 壞。 藉由對於'經摻雜層34,的效力施加阻絕或至少顯著 12 1286871 地降低諸如鋰等反應性源材料擴散經過多層鏡㈣，中之 矽層34’ ’鋰將不會穿透深入經n摻雜的&層34，，或在 邊界形成一^化物。 譬如藉由導人諸如-_摻雜物等摻雜物材料之用於 5反射約13·5奈米EUV左右的EUV光之一多層鏡面2〇,二元層 30的Si材料34’將降低鋰的溶解度。這消除（或至少強烈地降 低)矽層34’受到鋰擴散之穿透或強烈地降低Mo/以介面上之 矽化物的成形。譬如Mo/Si介面等二元層3〇材料的介面上之 反應區及互混的降低係可保存用於產生較高反射率及較好 10 熱穩定性之更敏銳界定的多層邊界。 根據本發明的一實施例之態樣，其可適用至其他熟知 類型的Mo/Si多層且亦適用於所提出的高溫穩定性多層鏡 面選項（譬如具有諸如薄擴散/互混障壁層等其他介面層之 MoSi2/Si、Mo2C/Si或Mo/Si多層等）。並且，在此處，如果 15 一諸如鋰等反應性源材料接觸到譬如一諸如Si層等間隔層 的材料，則會譬如發生一矽化物成形及互混。再者，這會 降低多層邊界之對比而導致MLM反射率及熱穩定性降 低。除了單純的Mo/Si外，間隔層材料譬如與一η型摻雜物 之摻雜係可在這些其他形式的MLM二元層中具有相同的 20有利效果。 即便是藉由蓋覆住譬如包含一 Si間隔層34及一銦吸收 層32之下方的二元層30之譬如釕製的多層鏡面保護蓋覆層 22 ’諸如鋰等反應性源材料仍可譬如經由蓋覆金屬層22的 顆粒邊界及空隙且甚至經由諸如鉬層3 2等下方的吸收層3 2 13 1286871 而牙透至下方的石夕層34,。鐘隨後可擴散至^層34,的體塊 内。因為域度無法超過溶解度，Li進人Si_擴散速率係 據鍾在Si巾的溶解度而^。溶解度對於較高溫度及對於 5鰣型掺雜的Si係較高。因此，特定言之，對於以升高溫度 5私作之MLM而言，使用經n型摻雜（譬如摻雜有麟)的以將是 有利的方式，因為如此將減低溶解度且因此降低經進入石夕 内之體塊擴散。 MLM塗層的Si間隔層34,係受到n型摻雜（電阻係數 10-30Ω公分）。如果藉由_諸如磁控濺鍍等雜技術來產 10生塗層，例如可利用_適當經η型摻雜的錢鍍標乾來達成此 作用。甚至在較高溫度嗜進入以層34,的擴散係減低。 現在參照第3圖，圖中示意且未依實際比例地顯示_ MLM 40，MLM辦包含建造在一適當基材42上之複數個 元層50 ’且其可譬如包含石夕、碳化石夕或鉑。複數個二元 15層50可各包含-諸如錮製的吸收料及一諸如石夕製的· 扣。複數個二元㈣可被—二元蓋覆層6Q所蓋覆 蓋覆層60譬如係由-釕製的頂蓋覆層以及配置於其下方之 一諸如碳化㈣職物錢化物、植聽或U述各物 的化合物或合金製之源材料擴散障壁層64所製成。二元蓄 2〇覆層60轉而可覆蓋有一塗層66，塗層％譬如包含諸_ = 反應性源材料本身。 凡經孤復層004此係為緊鄰於利用Mlm仙所形成的 收集器/導引器之鋰生成電漿的直接產物，譬如利用二藉由 可能諸如為料源材料製成的錄之—雷射束輻照來^發 14 1286871 電漿之一 LPP。諸如身為]Lpp Euv光源但亦可能為Dpp EUv 光源等EUV光源之收集器/導引器鏡面4〇將可能被一層％ 所覆盍，層66譬如含有起自該源之數個原子層的鋰。如果 鋰塗層66只有數奈米厚，則根據申請人的受讓者之調查， 5鏡面40反射率將未顯著地降低。藉由一譬如可抵抗一諸如 鍾等反應性源材料的侵襲及譬如抵抗氧化（譬如釕）之^^蓋 覆層60來終止此塗層，可能係為腐蝕及/或氧化之一種解決 方案。 然而，如第4圖所示，申請人提出將一相對較透明的間 10隔層70放置在諸如一Ru蓋覆層60等蓋覆抗氧化及腐蝕層的 頂上，其可保存多層鏡面40,的雙層間隔，且因此導致峰值 反射率的較小降低。可能譬如包含材料的一化合物且阻絕 其擴散之此層70係亦需要能抵抗鋰暴露。如下文更詳細地 描述，藉由將相對較透明的間隔層70放置在^^層62上，係 15可能形成一在幫助MLM 40,的反射率方面表現很像下方的 二元MLM堆積體二元層5〇之二元蓋覆層72。 一收集器/導引器鏡面係可由一在譬如約25〇〇c至5〇〇 °C左右高溫下具穩定性的多層堆積體所形成，其可包括一 元層的Mo及/或其化合物及Si及/或其化合物譬如編叫⑻ 2〇 或M〇2C/Si，且亦包括譬如Mo/X/Si/X，其中X代表一可作為 間際擴散障壁層之化合物薄膜。然而，所有這些可能的堆 積體可包含一可與一諸如鋰等反應性源材料起反應之元 素’譬如’易受諸如鋰侵襲且與其起化學反應之&或石夕化 合物層。Mo及/或Mo化合物層可能未完全地抑制鋰擴散至 15 1286871 下方層。優先沉積在譬如由諸如C、B4c、BN、SiC、ZrB2、 NbB2 ' ZfN、NbN、Si3N4等硼化物或碳化物或氮化物所組 成的一很薄擴散障壁頂上之一釕蓋覆層係可保護位居下方 之層不受到鋰侵襲。即便MLM收集器/導引器受到加熱，為 5 了蒸發包含諸如鋰等反應性源層之經沉積的碎屑，由於來 自DPP/LPP源之鋰通量暴露，數個原子層的鋰沉積可累積 在其表面上。一鋰的單層（單一原子層）之層厚度譬如可約為 0.3奈米。鐘的數個單層將未能吸收很多13·5奈米的euv 光，譬如，一20奈米厚的鋰之單通傳輸係約為8〇%左右。 10然而，經層將降低塗層的反射性。這部分係因為鐘吸收層 沉積在多層堆積體上的“錯誤地點，，所致。此外，Ru層可具 有空隙，鋰可經由這些空隙抵達下方的以層而在其中引發 化學反應導致多層堆積體的反射性質劣化。 如第4圖所示，具有對於約13·5奈米左右及高溫穩定性 15加以最佳化的複數個二元層50之多層鏡面40,係必須保護 其不受到譬如一諸如鐘等反應性源材料之擴散、反應及腐 #。可如第3圖所示譬如藉㈣製成的至少一保護蓋覆層6〇 來達成此作用。多層鏡面，譬如對於〜13 5奈米加以最佳化 之MLM40,通常係需要石夕間隔層52。然而，如果鏡面4〇，暴 20露於一諸如鋰等反應性源材料，需保護矽層52不受鋰侵 襲。因為蓋覆層62中的RU不受鐘侵襲，可藉由一釕蓋覆層 6〇來達成此作用，釕歷層6〇可藉由_薄擴散障壁層 最後的Si層52分離。尚且，鐘將不會擴散至Ru層内及/或經 過障壁層64到達下方的二元MLM層5〇。‘然而，Ru蓋覆層以 16 1286871 可只有數奈米厚，藉以不顯著地降低MLM 40的反射率。譬 如由硼化物或碳化物所組成之一譬如小於丨奈米厚之很薄 的擴散障壁層64係可幫助在Si與Ru蓋覆層之間提供一經良 好界定的層邊界。 5 然而’為了不顯著地降低MLM 40的整體反射率，如第 4圖所示，如果保護蓋覆層62本身為一二元層72，可如第4 圖的經改良MLM 40,所顯示獲得進一步的改良。根據本發 明的一實施例之態樣之此結構係可具有類似於一MLM 40, 的二元吸收/間隔層50之作用。此蓋覆二元層72係可包含一 10吸收層62,其譬如第3圖所示*Ru蓋覆層62構成；及一適當 的間隔層70，其可含有一反應性源的化合物，譬如一鈮酸 鐘(LiNb〇3)層 70。 選用的二元蓋覆二元層72間隔層7〇係可經過選擇對於 諸如13.5等選定的EUV波長具有相當高的透明性，藉以作 15為一盍覆二元層72間隔層7〇且亦用以阻絕諸如鋰等反應性 源材料擴散經過蓋覆二元層72間隔層7〇及進入下方層62内 且進一步進入含有需要防止諸如鋰等反應性源材料與其起 反應之諸如矽等材料之下方二元層5〇内。諸如鈮酸鋰等反 應性源材料的化合物亦可使源材料具有部分額外的累積， 20不論是否與下方層起反應皆然。不論是否具反應性，諸如 鋰且亦可能為錫、銥或氙等源材料在LiNb〇3層7〇頂上之累 積係將發生於正確位置以在譬如含有鋰的蓋覆二元層乃吸 收層70内產生干涉。MLM 4〇，的整體反射率將未受顯著影 響。也就是說，基於反射率用途，構成一二元蓋覆層72^ 17 1286871 形成於吸收Ru層上的間隔層70係具有類似於下方二元層5〇 之功用，因為其包含不論是否具反應性之電漿源材料的一 相對較透明（對於所需要的EUV波長)化合物，且可容納進一 步源材料的額外沉積，譬如包含數個原子單層的源材料(其 5 亦可擴散至源材料化合物内，容納甚至更多個數個單層的 沉積，而不功能性改變源材料化合物（譬如LiNb03)的效 能，但亦包括其他也許較不具反應性的源材料化合物，譬 如錫、銥或氙的化合物）。譬如包含一鈮酸鋰膜之此層74的 另一優點係在於:鈮酸鋰膜具有穩定性且在鋰環境中不起 10 反應。 鋰可擴散至LiNb〇3層74内，但達到一均衡。易言之， 蓋覆二元層72的頂層70基本上就像一Mo/Si多層50，但蓋覆 二元層72係由具有較有利化學作用且可保護譬如包含 Mo/Si二元層50的下方多層鏡面二元層5〇不受鐘侵襲之Ru 15 及LiNb〇3所構成。Ru/LiNb〇3蓋覆二元層72在約13·5奈米左 右之反射及透射性質並不像一Mo/Si雙層50—樣好，但其對 於鐘侵襲的抵抗性不只可以彌補此缺點。藉由額外在蓋覆 Ru層70底下具有一擴散障壁層64，如第4圖所示，可進一步 降低裡至下方矽層52的擴散且可增加對於鋰侵襲之保護， 20同日守比起如第3圖所示只有一Ru蓋覆層62的情形可使MLM 40’獲得更好之整體反射率。 根據用於改良整體多層堆積體反射能力之上文描述， 可將一間隔層70放置在釕層62上方，其可自]^][^]^ 4〇，對於 經的暴露來接收沉積的Μ，層62、70係包含一蓋覆-元声 18 1286871 ]隔層70㈣選擇可與㈣目容。提絲酸鐘係部分 地絲數項有㈣性質。當源材料為㈣所使狀諸如錕 酸鋰荨選定材料係很穩定且不具反應性；因為其已經含有 等源材料’其可安全地承受諸如鐘等源材料的暴露/ 扠由於其化學穂定性，其係為可在空氣中無問題地操 作夕數成種鋰化合物之一；其在至少約高達10〇〇〇c的溫 度下具有優良的溫度穩定性；其主要係為一光電材料(壓電 性、鐵電性、非線性晶體）；可使用扁平晶圓或彎曲表面作 為基材，譬如用以藉由連同LiNb〇3的頂蓋覆層7〇一起之多 1〇層的塗覆來形成MLM。可利用多種不同程序(CVD、雷射沉 積、濺鍍技術)藉由多晶及非晶以及磊晶成長來產生諸如鈮 酸鋰等材料的薄膜。鈮酸鋰及其他可能選用的材料係在相 關的EUV波長下很具透明性，譬如，鈮酸鋰在13·5奈米幾 乎與矽一樣透明。鋰將擴散至LiNb〇3内，但將達到一均衡。 15另一很薄(〈1奈米）的間際擴散障壁層76亦可選擇性導入譬 如包含Ru層64及LiNb〇3層70之蓋覆二元層72的層62、70之 間，以減少鋰更進一步擴散至下方矽層。譬如包含此處對 於該等層所描述材料之此障壁層76係可改良對於鐘侵襲之 保護。藉由Ru層62約2.5奈米的層厚度及LiNb03層約4.4奈 20米的厚度，獲得對於13.5奈米光之“正確，，的雙層厚度比。在 鏡面40’的使用期間，累積在其表面上之鋰此時將位於“對 的”位置中，亦即由於一吸收層62上出現間隔層70而相距下 方層邊界具有正確間隔。 可藉由兩種一般途徑來達成高度反射性表面：最直接 19 1286871 的途徑係利用一在其單調性形式中具有先天反射性之材料 (譬如鋁、銀或金）。第二途徑係建構具有交替厚度與折射率 之多重的薄層堆積體。後者系統類型一般係稱為一介電鏡 面，因為高反射係數並非經由材料的先天高反射率加以達 5成，而是經由依據各層厚度與折射率η而定之光學干涉程序 達成。即便相關材料具有先天透明性，精密建構的薄膜堆 積體仍可導致對於可見光>99%的反射係數，但對於Ευν則 較小。 申請人亦提議使用在13·5奈米具有>70%反射率之一介 10電多層鏡面，譬如使用具有交替密度的一石夕化合物之層， 譬如各有不同密度之交替層的SiOSiC可應付高溫(2700°C) 且可被摻雜以依需要來改良電傳導性或諸如擴散阻撓性等 其他性質。因為SiC/SiC堆積體具有相同組成物，層的熱間 際擴散對於譬如高達70CTC或甚至更高的應用將不成問 15題。因為SiC可經由摻雜製成電傳導性，此堆積式鏡面亦可 能具有DC或RF偏壓。 現在參照弟5圖，圖中根據本發明的一實施例之態樣來 不意且未依實際比例地顯示申請人所提議使用諸如釔（譬 如氧化記Y2〇3的形式）等與經相容之塗層來作為用於 20多層堆積體收集器/導引器鏡面或其他EUV反射性光學裝 置之保護塗層。一譬如以如上述諸如包含M〇、M〇si2&si 層等二兀層的多層為基礎之高溫多層鏡面8〇對於防止鋰侵 襲而言可能並不穩定。類似於本發明的一實施例之上述態 樣，根據本發明的一實施例之另一態樣，釔及鉬可能比上 20 1286871 述釕及鈮酸鋰的蓋覆二元層更加適合。 如上述，亦因為保護層必須具有良好的EUV性質，高 溫多層鏡面(MLMs)係需要一與鋰相容之保護層，藉以防止 與經及保護層起反應。在此同時，此等材料必須對於euv 5輻射相當透明，且最頂層亦應對於源材料（譬如雷射電漿源 所產生的鋰及鋰離子)之濺鍍具有良好穩定性。釔、鍅、翻 及其他過渡金屬係相對於裡具有較低的濺鑛良率且對於鐘 反應具有惰性。此外，其對於13.5奈米EUV輻射仍相當透 明。可使用一諸如Mo/Y等多層或諸如Mo/Z/Y/Z等障壁層來 10 作為對抗反應性源材料之保護，譬如一對於鐘的保護層。 同樣地，也許可使用只有單層的此過渡金屬，諸如γ、ΖΓ、 Nb、Mo、Ru、Rh或Rd等；或層狀之譬如等此過渡金屬的 氮化物或矽化物，諸如ZrC、YN、ZrN、BN、Si3N4、B4C 等；或此過渡金屬的矽化物諸如MoSi2等。 15 參照第5圖，未依實際比例地顯示根據本發明的一實施 例之態樣的一MLM 80結構及配置之示意圖。釔可使用在一 二元蓋覆層90中，譬如作為一 MLM 80的間隔層92或頂部。 MLM 80亦可包含複數個二元層82,其譬如包含一翻製之吸 收層84及一譬如矽製之間隔層86，全部在一基材88上形成 20 一多層堆積體。二元蓋覆層90連同其釔間隔層92及鉬吸收 層94係可對抗沉積在MLM 80上的一諸如鋰等反應性源材 料之不利影響，可與上文對於第4圖所描述實施例相似地來 控管該等不良效應。 因為紀層92不與鋰起反應且如果此頂層92的表面產生 21 1286871 氧化以形成譬如一y2〇3層95，類似於上述的銳酸叙，氧化 紀層95相對於所沉積的鐘係具有穩定性。同樣地，諸如Zr 或Mo及其氧化物等上述之其他過渡金屬，譬如一頂層的 Zr02及Mo〇3係皆可具有吸收鐘沉積之作帛，而紀、鍅或翻 5可保護T方的石夕層不受鐘侵襲。如果譬如紀及麵層％％ 被譬如含有碳化物、氮化物或溴化物的薄鋰擴散障壁層％ 所分離，可更加進一步降低鋰的擴散且層92、94將在諸如 400C-500 C+等高溫下更加穩定。然❿，申請人相信在此 應用中，Mo及Y即便在升高溫度下亦未互混且不需要一互 10混障壁層96，但鋰擴散障壁層96可能仍有用。這可能利於 在堆積體的Μ 〇及Y層之間不必採用一中間互混阻撓薄膜。 一Μο/Υ雙層蓋覆層90將對於13.5奈米輻射具有相當高的反 射率。然而，其在反射13.5奈米輻射方面並不像以以為基礎 的鏡面同樣好。然而，申請人提議，如第5圖所示，以一或 15多個且譬如數個如上述且如第5圖所示之Mo及Υ的二元蓋 覆層90(—範例中顯示單一的二元蓋覆層9〇)來塗覆一以為 Si基礎的南溫多層鏡面而未大幅損失反射率。另一可能方 式係使用一無Si的多層，其在整體MLM 80中僅基於譬如 Mo及Y層或是Mo及Y層及對抗鋰擴散的適當障壁層諸如 20 ZrC、YN、ZrN或其他氮化物或硼化物等，並利用譬如γ層 作為頂蓋覆層，也許亦有一 Y2O3的塗層95。 如上述，一高溫多層鏡面（譬如MoSi2/Si或Mo/C/Si/C) 或部分其他多層堆積體係可塗覆有含鉑、纪之對於裡的保 護性蓋覆二元層，也許亦具有一薄擴散障壁層，其作為一 22 1286871 互混障壁層、一鋰擴散障壁層或兩者。釔或鉬可為最頂層。 MLM 80的結構可包含一或數個週期性的Μ〇·γ二元層且其 在Mo與Υ之間具有（或不具有）薄障壁層。可在最頂層上的塗 覆程序之後（譬如當鏡面暴露於空氣時）自動地形成一薄氧 5化釔(Y2〇3)層（或一氧化物層）。不論為何者情形，釔、 鉬及氧化釔係可抵抗鋰侵襲。根據本發明的一實施例之態 樣，可對於Y層使用高度無氧的釔且可在一具有諸如約 <10托耳左右等报低基壓力的塗覆系統中達成塗覆，藉以 譬如在處理期間防止可能易產生較高的層粗糙度且因此造 10成介面粗糙度之氧化物層塗覆。為了增加熱穩定性及減少 鋰擴散經過Mo/Y蓋覆二元層，在各％〇與¥層之間可具有薄 的p早壁層。薄的障壁層可增加與Y層之間的對比，亦對 於鋰具有擴散障壁之作用藉以防止鋰穿透及擴散至多層堆 積體的較低層。障壁層的良好選項係為特定的氮化物、碳 15 化物及蝴化物（諸如si办4、bn、ZrN、NbN、C、ZrC、NbC、

SiC、B4C、ZrB2、NbB2、YN、YB6)。Mo層頂上之薄障壁 層可與Y層上的薄障壁層不同（或相同）。此等障壁層的厚度 可為相同（或不同）。亦可譬如在Mo或在Y層頂上（亦即在二 兀層之間而非MLM堆積體的每層之間）只使用一障壁層（而 20 非各者使用一個）。 為了使多層鏡面堆積體在13.5奈米具有高的反射率， 釔層的厚度接近4奈米，Mo層的厚度接近2.0奈米，障壁層 厚度可小於1奈米，譬如約為〇·5奈米。如果釔層本身具有 很低的氧含量，形成頂釔層之氧化釔層的厚度可能小於2奈 23 1286871 米厚，否則完整的釔層可能氧化。最頂層可大於4奈米。最 頂層可為諸如釔、鍅、鉬或釕等多種不同過渡金屬的任一 者。其亦可形成氧化物，譬如在釔的案例中其可為γ2〇3， 且其約2奈米厚並在MLM第一次暴露於空氣之後產生。當 5 LPP光源操作時，經塗覆的鏡面係可覆蓋一很薄(<1奈米） 層的經吸附經。 譬如在保護性二元蓋覆層中，可使用釔作為所謂的間 隔件（代替正常MLM所用的矽）並使用鉬作為“吸收器”。代 替釔之其他可能的間隔層係可為釔_銃合金，銳或鈣或鈣_ 10锆’因為這些物質及其氧化物(Ysc03、CaO、SC2O3、CaZrO) 可抵抗鋰侵襲且對於13·5奈米EUV輻射仍呈透明但不像γ 及Υ2〇3—樣透明。釔係為即使在80(rc下對抗受到熱鋰的反 應最具有熱力學穩定性之物質之一。 或者，並不以Mo/Z/Y/Z來塗覆一以矽為基礎的高溫多 15層鏡面，其中2代表一薄障壁層，申請人提議根據本發明的 一實施例之態樣只使用一 Mo/z/Y/z多層MLM堆積體來建 構一與鋰相容的高溫MLM，其中譬如以釔作為最頂層，而 不使用任何的矽層。亦可省略障壁層z。申請人相信在此構 造中，即便在升高溫度下，仍很少具有層的互混，因此至 20少可能消除一項對於薄中間層的需求，亦即阻止此互混導 致熱學不穩定性。單通EUV在13.5奈米經過一丨奈米厚的声 之透射對於Si係為99.83%、對於Si〇2亦即對於以矽為美礎 的材料係為99.0%、且對於γ係為99.79%、對於to;係為 98.97%、對於γΒό亦即對於以釔為基礎的材料係為99 $斤。 24 1286871 根據本發明的一實施例之態樣，申請人提議高溫多層 鏡面及對於裡的保護性塗層係可在生產製程期間施加至處 於升高基材溫度之基材。其作用在於增強沉積期間所吸附 原子的活動性’因此導致較低的層粗糙度。表面上較高的 5活動性係產生較平坦的塗層及介面。因為高溫塗層可在譬 如40(TC到600。〇範圍等較高溫度下持久，其亦可在這些溫 度下產生。 在多層生產（塗覆）製程期間，基材可保持在升高溫度， 譬如位於約300°C至500°C範圍中某處。因此增強了沉積程 1〇序期間的原子活動性。除了導致介面的平坦化及層粗糙度 的降低之外，這也將產生亦為有利之略微更密集的層。申 凊人提議在層沉積程序期間將基材保持在較高溫度，而非 在室溫的沉積之後使用一升高溫度的後續退火。 一在高達600°C於13.5奈米顯示穩定反射率之藉由交 15替MoSl2及以層所組成的高溫多層鏡面之一範例中，係利用 上述方式加以製造。亦可利用此方式製造其他類型的高溫 穩定性MLM塗層。然而，對於部分]^]；^^，譬如不具有諸如 互混阻撓層等中間層在此等升高溫度下並不穩定之譬如一 正常的Mo/Si多層鏡面，在這些高溫下沉積並無幫助，但會 2〇在生產製程期間（譬如藉由互混）導致多層結構之嚴重劣化。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人提議使用 MoSWSi多層塗層，原因在於至少部分地因為““^及以呈 相平衡且因此在兩材料之間的邊面處形成穩定的介面而無 互混，故這些多層具有良好的熱穩定性所致。亦可使用其 25 1286871 他吸收/間隔多層，其亦為如上述擁有供EUV應用所用之 MLM多層的其他性質之材料，且亦為呈相平衡之材料。 MoSh中的Mo含量可能必須增加以升高反射率。其他材料 可包括譬如與MoSh層“内側”所使用的Most呈相平衡之 5 Mo5Si3 ，亦即作為多層結構吸收層之一 MoSh/MosSiVMoSh/Si。對於此系統，所有介面係製作在呈 現相平衡的層之間，Mo含量係增加而反射率因此更高。根 據本發明的一實施例之態樣，使用MosSi3作為一多層結構 中的主吸收裔’其中Si係為間隔件。M05Si3連同Si間隔件在 10 —多層堆積體中提供比MoSi2更高的反射率。層結構係 為.Si-MoSi2-M〇5Si3-MoSi2-Si-MoSi2，M〇5Si3-MoSi2等等。這 形成一二元（吸收器/間隔件）層，其具有一諸如M〇5Si3等額 外吸收器，其可能譬如藉由與Si呈現相平衡而在介面處不 與嵌夾在較低吸收器之間的Si間隔層相容，但Si層介面係與 15 Mosi2“正常，，吸收層亦即正常MoSi2層“内側，，相容，因此造 成只有互混及擴散相容層（譬如呈現相平衡的層）位於彼此 旁邊並在所需要的波長下提供較好的反射率。藉此大致防 止了由於在升高溫度於層之間的擴散所造成之互混，對於 多層鏡面的高溫應用在通常使用Μο/Si鏡面塗層之EUV波 20 長範圍的該部分中，致使多層塗層對於高達約700。(：的溫度 更加穩定。對於具有一諸如鋰DPP或LPP源等反應性源材料 之應用’可能如上述需要與Si〇2不同之對於裡相容的蓋覆 層。 正常的Mo/Si多層鏡面係由於間際擴散/互混而在 26 1286871 100-200°C以上的溫度產生劣化，因此若無可降低反射率的 互混障壁層則呈現高溫不穩定性。MoSh/Si塗層在高溫下具 穩定性，但由於其光學性質，Most層未提供足夠的對比且 峰值反射率不太高。利用Moji3可增加多層堆積體中的此 5對比’因為(相較於MoSi2)其光學性質更類似Mc^M〇5Si3/Si 多層的理論反射率在13.5奈米（譬如對於N=80層）可超過 R=70%。主Mo^Si3與Si層之間的薄層MoSi2並未大幅降低此 數值。 根據本發明的一實施例之態樣，如第6圖所示，可藉由 10 包含Si-MoSi2-]V[〇5Si3-MoSi2之N個接連的二元層104來塗覆 基材102以使一MLM 100形成於一基材1〇2上，其中Si層106 係為相對較透明（在約13.5奈米左右）的間隔層而嵌夾層n〇 譬如包含一位於兩層114之間的Mc^Si3層112，兩層114係皆 與相鄰Si層106介面相容且與相鄰的M〇5Si3層i 12介面相 15容’且其譬如由MoSh製造，其中層數n位於譬如4〇至120 範圍中的某數值。類似於一般的]^〇/以多層，身為矽的最頂 層可在暴露於空氣之後於頂部形成一薄形譬如約2奈米厚 的Si〇2蓋覆層120。然而，亦可考慮利用諸如釔、鉬、釕、 鍺或鈀及其化合物與組合等其他如同此處所述的蓋覆層來 20形成此處所討論之譬如單一蓋覆層或二元蓋覆層。 MLM 100的個別層厚度可對於各別使用波長予以最佳 化。對於13.5奈米的最佳化，總體Si_M〇sirM〇5Si3_M〇Si2 二元層104的厚度譬如可能約為69奈米左右。以層1〇6厚度 譬如可約為4奈米。MoSL嵌夾層114的厚度譬如可約為1奈 27 1286871 米或更小’通常約為0.5奈米或甚至更小。Mo5Si3嵌夾層的 厚度譬如可約為2奈米藉以對於選定波長提供正確的總厚 度及吸收器與間隔件比值，譬如約6.9奈米總厚度及約〇·4 奈米吸收器厚度係對於13.5奈米提供一吸收器與間隔件厚 5度比。如果需要較高保護，蓋覆層120的厚度應約為ca. 3至 4奈米或更大。 根據本發明的一實施例之態樣，因為Si及Y在約13.5奈 米左右為高度透明且在多層堆積體中作為間隔件，如果Si 或Y為蓋覆層’其最好沉積在MoSi2-M〇5Si3層-M〇Si2吸收器 1〇甘欠夾層104頂上。另一方面，如果使用跑、仙 、Rh或Pd作 為盍覆層’因為其作為吸收層，故其最好沉積在Si層106頂 上。 _ 實補之態樣，巾請人提制用m〇Ru a金形成非晶層而非多晶層之事實。因為鋰可沿著多晶 15層中的顆粒邊界穿透，非晶.層可遠比多晶層更良好地作為 擴政阻、、邑器，譬如阻撓鐘擴散。如第7、8及9圖所示，用以 阻絶經擴散之對於W奈米Euv輕射具有高反射之一多層 系、、先130、13G’及13G”係可在對抗經的反應方面具有穩定性 ，亦在高溫下具有穩定性。其本身可如第 圖所示為一高溫 〇多層塗層，或者其可如第8圖所示在此多層塗層頂（蓋覆)上 ^如第9圖所示在—使用秒及/切化合物之更高反射性 ⑴皿夕層塗層頂（盍覆)上身為一保護性多層塗層。 諸如紀及錯等特定元素係與軸容(不與經起反應)且 亦對於13.5奈米輻射呈高度透明。其一合金可使用在多層 28 1286871 堆積體的“間隔”層134中。使用一構成層134的Y-Zr合金作 為“間隔”層。諸如鉬及釕等特定元素亦不會與鋰容易且直 接地起反應。可使用其一合金作為第7至9圖所示的多層堆 積體130、130,及130”中之“吸收，，層136材料。亦可使用一 5 M〇-Ru合金作為“吸收”層136。然而，諸如γ、Zr、M〇、Ru 氧化物等過渡金屬的氧化物係易受到鋰插夾，亦即鋰會穿 透譬如暴露於空氣之後形成於多層堆積體13〇、，、丨30” 頂上之原生氧化物層。因此，根據本發明的一實施例之態 樣’可施加一額外的擴散障壁蓋覆層138。ZrN&YN係為此 10盍覆障壁層138之良好的候選材料。因為在最頂蓋覆障壁層 138處仍可能發生部分的鐘插夾，根據本發明的一實施例之 態樣，申請人提議在吸收層136與間隔層134之間使用類似 的障壁中間層140,藉以阻止鋰擴散至較低的層134、I% 内。Mo-Rii合金將形成一非晶層，其亦比多晶勵層更良好 15地阻絕鋰擴散。此層的非晶性本質亦顯著地降低粗糙度。 鍅的某些經氧化合金公知係為“經氧化釔穩定化的二氧化 錯”(YSZ)且可作為高溫障壁塗層，作為一蓋覆層138或中間 層140或兩者。其在低於約5〇〇°C的溫度未經歷任何相位變 化。其亦在其他薄膜頂上形成磊晶層，因此相對於鋰擴散 20 更良好地受到密封。層粗糙度亦降低。YSZ層亦具有比純 Zr或Zr02更小的顆粒尺寸。所產生之吸收層及間隔層兩者 的降低粗糙度係導致較高的EUV反射率。 譬如第7至9圖所示的一多層塗層130、130’及130”係可 施加有譬如一Mo-Ru合金吸收層136，Mo-Ru合金吸收層136 29 1286871 可譬如包含約40%的Mo及60%的Ru。此組成物則近似為 M〇4Ru0。作為吸收層136之Mo-Ru可譬如約為2至3奈米厚。 Y-Zr合金可以約4至4.5奈米的厚度用來作為間隔層134。對 於YSZ，組成物通常為20%或更少的紀及或更多的&。 5 但因為釔在13.5奈米比Zr更透明，其可能在合金中較佳具有 比20%更高的相對紀含量及比80%更低的結含量，用以達成 最大反射率。Y-Zr合金層預期具有比純釔層更低的顆粒尺 寸及介面粗糙度。ZrN係為約〇·5奈米厚之一很薄的中間障 壁層140的一實施例，其施加於Y-Zr及Mo-Ru層之間藉以阻 10 絕互混及擴散。其他緩衝層材料可為氮化物諸如yn、BN、 ShN4等或碳化物諸如ZrC、BK、NbC或Mo2C等或碳或是硼 化物諸如ZrB2、YB6、MoB2、NbB2等或硼。 為了在13·5奈米具有高的法向入射反射率，最佳的總 雙層間隔(Y-Zr層及Mo-Ru層加上緩衝層）約為7.2奈米。不論 15 是否被緩衝層分離之交替層的Mo-Ru及Y-Zr之多層塗層係 可施加在收集器鏡面基材132頂上作為一在鋰暴露下呈穩 定性之高溫蓋覆塗層。或者，其可施加在一以石夕為基礎的 二元層高溫多層塗層頂上，如上述及第9圖所示，作為對於 鋰暴露之一保護塗層。 2〇 最頂層可為如第7圖所示的Y-Zr合金。其將在暴露於空 氣時由於氧化而形成一原生經氧化的氧化釔-二氧化錯層 138。蓋覆障壁層138亦可由如同中間障壁層140所使用之相 同的ZrN形成於譬如第7圖所示之一 Y-Zr合金層頂上，或形 成於一 Mo-Rii合金層136頂上藉以譬如第8圖所示防止氧 30 1286871 化。 蓋覆或中間障壁層亦可包含兩薄層，諸如約0.3奈米厚 的ZrN及約〇.3奈米厚的γ。或者，中間障壁層14〇可只由Zr 製成，而最頂蓋覆障壁層138僅由ZrN或YN製成。

5 依據層合金組成物而定，一使用Mo-Ru/ZrN/Y-Zr/ZrN 的一二元層且具有中間障壁層之多層鏡面的峰值反射率係 可約為R=50%左右。其對於具有高釔含量之γ-zr層及對於 具有局銦含量的Mo-Rii層可能較高。 根據本發明的一實施例之一態樣，申請人提議使用一 10 MgF2蓋覆層作為一鋰擴散障壁層或一抗蝕刻劑層，譬如抵 抗一提供用來從收集器/導引器或其他光學裝置的外層移 除源材料之鹵素蝕刻劑諸如Br等，亦即對於在MgF2蓋覆層 底下餘刻MLM層的溴作為障壁之用。如第1〇圖所示的MLM 150之鏡面結構係譬如可為一基材154上之複數個二元層 15 152，其覆蓋有譬如沉積在譬如複數個標準MoSi2/Si二元層 152頂上之一 1〇奈米層的MgF2之一蓋覆層156。MgF2蓋覆層 係可譬如在MoSh/Si二元層152頂上提供一比一經Ru蓋覆 的MLM中所提供者更好之蓋覆層，其包含如先前技術所公 知的Most吸收層158及Si間隔層160，但未提供相同水準之 20對抗鋰擴散的保護，此外可能沒有同樣的溫度穩定性且亦 無法抵抗溴蝕刻。 現在參照第11圖，顯示根據本發明的一實施例之態樣 之一MLM 160結構及組成物，其譬如利用一雙二元mlm堆 積體或另外考慮一包括一嵌夾式吸收層之二元層，其譬如 31 1286871 包含一紀間隔層162及一MO吸收層164，及另一下方的石夕間 隔層166及另一下方的M0吸收層164。此系列的雙二元層 可在整個MLM 160堆積體中重覆至基材161，其中最頂 部的Y層162作為一蓋覆層或具有如此處所述的其他單一或 5 二元蓋覆層。此結構亦可視為一二元MLM堆積體層，其具 有一作為亦包含Y層162的二元層一部分之嵌夾式 Mo/Si/Mo吸收層168。雙二元蓋覆層170如第11圖所示亦可 形成下方的重覆性雙二元堆積體層170,，譬如用以形成整 體的堆積體或大致整體的堆積體，其一優點在於:由於雙二 10兀蓋覆層170效能譬如由於擴散或邊界中間層/區不穩定 性、互混或類似作用而變得劣化，下個具有與原來相同的 構造之下方的雙二元蓋覆層係形成下個雙二元蓋覆層，自 堆積體往下朝向基材161依此類推。第u圖所示的示範性雙 一元層之厚度如第11圖所示在(Y/M〇/Si/M〇)N MLM 160中 15從上往下譬如可為4·19奈米的Y、2.75奈米的Mo、4.16奈米 的Si及2.84奈米的Mo。 第13圖顯示具有25個重覆的四層堆積體168之總層數 (亦即約100層）之此系統在13·5奈米之反射率的圖形。第13 圖亦頒示此型四層堆積體藉由進一步添加譬如1〇〇至2〇〇層 及更多層來保持高度反射性，且堆積體如果原為2〇〇左右的 層數其將不會減小，而隨著鏡面壽命成為1〇〇左右個層數時 則會降低。 現在茶照第12圖，示意且未依實際比例地顯示根據本 么月的貝施例之悲樣位於一基材181上之一MLM 180。 32 1286871 MLM 180可包含一蓋覆吸收層182，其可譬如包含Mo且可 鋪覆於譬如包含一Y蓋覆間隔層184之一間隔層上，而共同 形成一二元蓋覆層185。MLM 180的體塊則可包含複數個吸 收層182，複數個吸收層182譬如可包含Mo且可各鋪覆於一 5 諸如SiC間隔層等間隔層上，其譬如具有譬如此處所述的硼 化物或氮化物或類似物諸如SiB等製成之一互混邊界中間 層192，而共同形成二元MLM堆積體層188。亦根據本發明 的一實施例之態樣，一擴散邊界二元堆積層190譬如係由與 二元蓋覆及擴散障壁層185相同的材料構成，亦即譬如為一 10 Mo吸收層182及一Y間隔層184之二元蓋覆層185。 熟習該技術者可從上文瞭解目標係在於：對於用以產 生位於譬如13.5奈米左右EUV範圍中具有所需要波長的光 之來自一電漿源材料形成一電漿之EUV光源產生室中沉積 在光學元件上之一諸如鋰等反應性源材料，防止其穿透深 15入多層鏡面堆積體内且譬如在該處與MLM堆積體的一或 多層中之石夕起反應，此反應終將破壞多層鏡面反射率且顯 著地減損MLM在操作環境中之所需要壽命。一項問題在於: 經將直接地經過體塊或經過顆粒邊界或沿著塗層的缺陷而 容易地擴散通過許多材料。即便其可能不與一蓋覆層的材 2〇料起反應，其仍可穿透而隨後與蓋覆層以下之層起反應。 這會相對較快速地破壞多層結構或至少將反射係數降低至 不可接受的小數值。鏡面受到加熱之事實將進一步地便利 反應進行’因為其提供了額外能量來刺激各別的化學反 應。因此，根據本發明的一實施例之態樣，申請人提議使 33 1286871 用即便在400°C至50〇。〇升高溫度下仍不肖鐘顯著地起反 應及/或將防止鋰擴散至較低層之薄塗層。施加的原理係得 自熔合社群，其中利用障壁塗層來保護通常為釩合金的第 -壁不受到來自轉向器⑷赠㈣系統的熱液態鐘，其中的 5需求係略為類似於鋰相容性高溫多層塗層之需求，申請人 提出對於EUV收集器/導引器反射元件之改良以使其更良 好地適合在採用一反應性源金屬來產生〇]?1>或Lpp電漿之 環境中操作，且其中EUV光產生且必須收集及導引至一焦 點之該環境之需求，亦即諸如對於多層鏡面堆積體中所選 10用材料及所需要波長的有效操作之需求等考量因素。申請 人已經將高的EUV傳輸及良好的薄膜性質、低互混、低粗 才造度、良好的層成長等因素皆列入考慮。 另一資訊來源係為表面科學社群的研究工作。其已經 研究一般而言來自單晶表面之鋰層的吸附、反應、擴散及 15脫附，譬如在半導體積體電路晶圓處理材料科學中之應 用。根據本發明的一實施例之態樣，申請人已經考慮到譬 如多層塗層暴露於周遭空氣時的氧化之態樣。一般而言， 具有兩種可能性。一薄的氧化物層係形成而對於進一步氧 化提供一有效障壁，且此塗層近似被_通常為薄形的氧化 2〇物層所“密封，，，譬如在經矽層終止的多層塗層之案例中， 其通常在頂上展現一 2奈米厚的穩定性Si〇2層且無進一步 氧化。第二種可能性係為氧化物層厚度持續成長，譬如對 於Mo/Si多層的案例，當鉬為頂層時，由於暴露於空氣，氧 將持續穿透一Mo層直到其完全氧化為止。反射率隨後係減 34 1286871 J因為M〇〇3氧化物比Mo頒著更強烈地吸收13奈米guv 輕射。根據本發明的實施例之態樣，申請人已經考慮將這 些原理衍用至對於EUV收集ϋ/導引器鏡面及其他反射器 元件之MLM。 5 鋰對於Si〇2比起體塊^來說較不具反應性，然而，至少 對於單晶表面，Li的吸附/反應及擴散對於經n型摻雜的以 係遠為較弱。在升高溫度（譬如大於約25〇t：)下，Si〇2頂層 可更容易地触起反應。Si及Li起反應以形成具有各種不同 理想配比混合物之LiSi(矽化物)化合物。體塊矽對於Li具有 1〇有限的可反應性，但電化學反應係在高於約40(TC左右發 生。然而，對於奈米材料，這可在約室溫左右發生，其很 可月b由於較同的表面能所導致。Si〇2可為室溫下對於鋰擴 政的一 P早壁，但在升高溫度下則可能不再如此。因此，由

Si/Si〇2所終止之多層係很可能易與鋰反應而不適合鋰環境 15中的高溫MLM塗層。然而，如同上述，需要或許亦含有額 外薄反應障壁/間際擴散層之一或數個保護層來作為保護 之用。 可能單獨地使用Mo來作為譬如_Mo/Si MLM鏡面之 單盍覆層。然而，Mo會氧化而導致約1〇-12%的反射率損 失。鋰可與氧化鉬起反應並形成u〇2或鉬酸鋰(Li2M〇〇4)且 其亦可導致反射率損失，但亦可能終將導致鋰暴露下之穩 定狀況。 因為先前在其他鋰環境中已經成功地使用1111蓋覆層， 申4人亦將一釕蓋覆層視為可行方案。然而，由於Ru直接 35 1286871 地沉積在一Si層頂上，可形成有一間際擴散及一矽化釕互 混層，其必須在EUVMLM鏡面應用中加以解決。為了防止 此現象，LLNL集團已經建議將一薄b4C層放置在Ru蓋覆層 下方。Ru層具有抗氧化之優點。然而，鋰可擴散至（且或許 5會經過）釕層内，至少具有對於單晶ru表面的Li擴散之研 究’且其建議此情形將成立。在13.5奈米下，釕幾乎與鉬 同樣透明，但不盡然如此。 具有其他過渡金屬可作為蓋覆層的選項。Rh及Pd具有 較小的氧化趨勢但較強烈地吸收13.5奈米輻射。Nb及Zr將 10 形成一氧化物層但元素本身較透明。隨著週期表中從Zr至Y 到從Sr至Rb，EUV透射性係增加。然而，元素的Rb並非最 佳選項，因為其譬如與鋰相對較具反應性且亦在低溫時融 化。然而，也許可考慮諸如RbCl等Rb的化合物。LLNL的蒙 特坎(Montcalm)等人已經測試出Mo/Sr多層塗層具有不太 15 理想的結果。即便施加一保護性碳塗層，反射率在暴露於 空氣之後仍強烈地減小。由於具有相對較高的13.5奈米 EUV透明性，諸如ZrC或ZrB2等锆化合物至少對於薄障壁層 來說在保護較低的層及防止Li擴散方面係為良好的選項。 釔及釔化合物似乎很有潛力可使用在根據本發明的一 20 實施例之態樣的應用中。LLNL集團的巴杰特(Baijt)等人獲 得良好濺鍍標靶之後已經成功地製造出Mo/Y，且其具有更 好的UHV磁控濺鍍條件。其人對於7至12奈米且主要約n.5 奈米左右的區域來製造及研究這些多層。Mo/Y MLM係在 從6至15奈米的相當寬廣區域中（至少理論上)表現良好，但 36 1286871 其在12.4-15奈米範圍並未達到Mo/Si的反射率。已經發現在 研究案例(對於11.5奈米的MLM)中，作為頂層的M。係比頂 上的釔更好，且亦比一Pd蓋覆層更好。如果在頂部處，釔 層明顯完全地氧化，則也許下方部分的M〇亦然。在釔的沉 5積及氧化物競逐期間真空系統的氧化背景對於達成反射率 而言係很重要。諸如250、380及480它等升高溫度的退火之 後，Mo與Y層之間的TEM結果中係具有較好的對比，但對 於所研究的系統來說反射率只穩定到25〇°C。具有略為較高 氧贶逐之錢鍍標輕係比具有很低含氧量的紀Μ〇/γ mlm提 10供了更高的EUV反射率。氧可具有平坦化的效果。根據本 發明的一貫施例之悲樣，申請人相信，用來作為賤鏟標把 的很不含氧之記係將導致只形成有一薄（約2奈米厚）的 Y2〇3層，且下方的釔因為相對較無氧而將不受侵襲。這亦 可藉由較無氧的釔層（無氧的濺鍍標靶）導致較好的高溫穩 15 定性。 其他有用資訊係來自於溶合社群。需要有一絕緣性抗 叙塗層來分離熱液態鋰與飢合金壁，此處所用的氧化物層 係包括:Α12〇3、MgO、AIN、BN、CaO、Y2〇3、BeO、Er203、 Sc2〇3、CaZrO、YscO、Si3N4、LiA103、Hf02、Zr02及其他， 20已經顯示其部分可在諸如高於500°C且甚至高達1000°C等 升高溫度下有效地用於此等應用中。CaO及A1N係為排在前 面的高溫選項，但CaO層對於EUVMLM應用可能具有某些 缺點，譬如高溫的質量損失。Y2〇3及Sc203似乎為對於熱鋰 最穩定的氧化物，譬如氧化釔(Y2〇3)可能最具有熱力學穩 37 1286871 定性且很少有腐蝕。其他可能的氧化物係為Er203、YSc03 及CaO 〇相反地，Si〇2只譬如對於Sn_25L々金具有邊緣性 的穩定度。若已知密度，可計算出譬如i奈米厚度的單層之 13·5奈米透射率，舉例言之，譬如對於Si的單通透射係為 5 99.83%、對於γ為99.79%、對於Υ203為98.97%、對於Sc203 為98.23%、對於丫36為99.64%、對於CaO為98.76%。一 YLi02 層有可能形成於氧化釔上。 在乙或紀化合物對於鋰具有良好性質且很少顯現出反 應。根據本發明的一實施例之態樣，申請人提議使用諸如 10六蝴化紀等釔化合物來作為薄中間層以供多層堆積體中的 擴散及互混阻撓之用。根據本發明的一實施例之態樣，申 請人亦考慮使用在釔暴露於空氣後所形成的一 γ2〇3層來作 為一蓋覆層。相對於鋰離子的喷濺阻抗性而言，γ應與類似 的過渡金屬一樣好且譬如比Si更好。 15 根據本發明的一實施例之態樣，申請人亦考慮藉由被 薄障壁層所分離之保護層的Mo及γ來塗覆一高溫多層（諸 如MoSh/Si)，以提供溫度穩定性（譬如經由互混阻撓）及對於 鐘的一擴散障壁。因為Mo/Y也許高於250°C即不穩定，可 能需要一障壁層。可使用碳或hC，但碳在較高溫度下可能 20開始擴散。其他可能的障壁層係包括ZrC、ZrB2、ΥΒ6、 SiB0及其他。因為釔係為在13 5奈米具有相當高透射率之合 理良好的間隔材料，其很適合EUV收集器/導引器中的應用 及一 MLM堆積體中的其他反射性應用。 根據本發明的一實施例之態樣，蓋覆層已經考慮用來 38 1286871 提供對抗諸如裡等反應性源材料之保護。因為諸如氧化釔 等部分氧化物層在高溫下對於以具穩定性而其他則可能不 然’故已經考慮採用氧化。已經提出單一保護層及多層保 遵堆積體兩者’且提出使用一具有一候選材料之經^〇2終 5 止的高溫多層鏡面。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人已經揭露且申 凊專利範圍係有關諸WMLMs等電漿產生式EUV反射光學 裝置’其在多層堆積體中使用以層來譬如作為多層堆積體 中的一二元層之一單層，諸如堆積SM〇/si二元層，或作為 10代替Si之一經w/ n型摻雜的Si，諸如一Mo/Si堆積體，藉以 防止鐘擴散至Si層内並防止矽化物形成以及用於在表面上 形成一隔離層以防止擴散之M0與Si層摻雜物之間的下方 障壁層之互混。 申請人亦已經揭露且申請專利範圍係有關一以電漿為 15基礎的EUV光源反射元件，其包含一具有一保護性蓋覆層 之MLM，保護性蓋覆層本身係包含一相對較透明性雙層之 一具有週期數(periodic number) 5得自族3-9的金屬諸如RU 以及含有一諸如經等反應性電漿源材料的一化合物之一 層，其可包含此化合物的一氧化物諸如LiNb03等來代替一 20蓋覆層中的一普通金屬諸如Rii頂層。含鋰的層將不會被η 侵襲顯著地影響。金屬及化合物可形成一具有正確的定 位、厚度間距及吸收器與間隔件比率及各別折射率之二元 蓋覆層，以保存MLM週期及相位移，藉以消除或降低由於 二元蓋覆層所致之MLM的反射率損失。二元蓋覆層的層材 39 !286871 料可經過選擇譬如由於化學氣相沉積為理想配比或材料未 笑到顯著互混而處於相平衡。根據本發明的一實施例之態 樣’申請人提議亦將一真空放置在MLM的二元蓋覆層之 間’譬如Ru/LiNb〇3二元蓋覆層與一譬如含石夕之下方的二元 層之間，其方式係譬如藉由矽形成一格柵（未圖示）且 然後以該矽層上的二元蓋覆層作為二元或單一蓋覆層，採 取措施來防止一諸如鋰等反應性電漿源材料沿著蓋覆層行 進’格栅及真空的作用係將層各別地分離以允許真空形 成’並防止與一諸如裡等反應性源材料產生擴散/交互作 10用。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人亦提出且申請 專利範圍係有關譬如具有一MLM堆積體之MLM，MLM堆 積體譬如具有交替密度的SiC層且可能基於電傳導性亦受 到摻雜，其到約70CTC左右仍將具有良好的熱穩定性。此材 料係為硬性，具有低的熱膨脹係數及良好的熱傳導性、及 鬲密度與融化溫度。密度係控制折射率且因而控制各別不 P密度層的厚度以形成MLM堆積體之各別的二元層。 譬如可使用於相對波長而言並不小之粗糖材料顆粒。此實 扣施例譬如可形成多孔性且具有呈現不足以生成多重反射^ 面的不夠密集或填實狀顆粒結構之顆粒性質之材料。對於 諸如錫或銦等财具反雜的«_料，譬如部分地由 於較低溫度操作及較低的反應性，故擴散問題可顯^ 低。雖然Li將侵襲Si，但不清楚其對於沉的侵麵程度。Y 且，譬如可連同本申請案或先前技術所討論的其他蓋覆= 40 1286871 術利用一Ru或Mo製的蓋覆層之適當蓋覆來保護鏡面表 面。-SiC介電性多層堆積體鏡面的其他優點係為:低的熱 膨脹係數、很硬且剛性的材料、高的熱傳導性、高密度(與 真空相谷性）、尚的融化溫度。由於具有可將材料拋光之供 5 應商，亦可能拋光SiC。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人提議譬如經由 一 CVD程序交替地沉積多孔且密集的sic層以生成多層鏡 面堆積體。或者，可能沉積密集的siC及利用電化學蝕刻或 他種方式在其中形成孔。多孔性Sic將具有較高的η，其中 10較密的SiC將具有較低的η。蝕刻程序的一精修例將可在sic 蝕刻期間改變電化學位能，以譬如產生一3-]3孔隙結構。高 電流密度蝕刻將產生更具多孔性的siC。 一可得自Trex的CVD程序係能夠產生以Trex專屬cVD 程序為基礎之薄片狀材料。譬如藉由在反應器中週期性更 15改8^沉積化學作用（譬如修改供給氣體），可能產生一薄片 狀陶瓷的交替密度層。 另一構造概念可包含藉由在適當時間混入不同摻雜物 來改變CVD程序，這些摻雜物可具有調整各別層的折射率 及傳導性之作用。基本上，最後的鏡面將是SiC，但具有數 20種陶瓷摻雜物來調整密度及電傳導性。因為Si及SiC(自我擴 散)在SiC中的擴散很慢，此概念應可消除關於13.5奈米輻射 鏡面在升高溫度下的熱損害之擔憂。因為這些材料具有金 屬性本質（非化合物），熱劣化係被擴散所驅動並可在譬如 3〇〇°C至500°C或更高溫度下使用之Mo/Si鏡面中觀察到。可 41 1286871 利用間層來改良M〇/si鏡面譬如對於>5〇〇〇c的操作且對於 一 SiC堆積體鏡面亦可能證實為有效。 可藉由沉積一交替層然後模製至一凸緣來製造一拋物 形反射器。因為Sic可具傳導性，可加熱或dc/rf偏壓收集 5 、么、β /糸用。一 SiC多層堆積體鏡面可被電阻性加熱。因 為材料為剛性’可預期其在所需要的400至500°C+操作溫度 下並不會嘁化或軟化。根據本發明的一實施例之態樣，申 請人亦提議成長一體塊Sic鏡面且使Sic堆積體在拋光鏡面 之後沉積於其上。可使用SiC膜的一RU或Mo蓋覆層來防止 10與一諸如鋰等反應性源材料之反應。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人提出且申請專 利範圍係有關一電漿產生式EUV光源MLM，其譬如包含氧 化釔及鉬來作為對於下方EUV MLM反射表面之一頂蓋覆 二兀層，其亦可為γ/Μ〇二元層或其他二元層。或者，申請 15人提議對於MLM的整體堆積體使用Μο/Υ二元層，譬如使用 中間障壁層以允許在高達4〇〇至5〇〇艺及更高溫度下對於整 體反射性堆積體使用Μ〇/γ堆積體。並且，以si為基礎的堆 積體係可塗覆有Mo、Y的二元蓋覆層且也許亦塗覆一用於 二元蓋覆層之擴散障壁層，其中γ作為最頂層，其隨後當暴 2〇露於空氣時亦可形成一 γ2〇3層（γ及γ2〇3皆可抵抗鋰）且在 13.5奈米對於EUV具有充分透明性以成為二元蓋覆層中及/ 或MLM堆積體整體中之一間隔層。Μο/Υ及/或Mo/氧化釔二 元層可譬如具有比MoSi MLM更好的熱性質，而在總反射 率方面也許有部分犧牲。藉由在較低層中使用MoSi且在頂 42 1286871 上使用釔鏡面層係可減緩反射率損失。現今可生產具有對 於EUV MLMs有效的有限足夠氧含量之Μ〇/γ層。以Μ〇/γ 為基礎的一元蓋覆層係可分散於整體]^]^]^中藉以譬如容 許頂蓋覆層被破壞之案例。如果鋰停留在一各別二元層的 5擴散邊界層中，可能導致反射率增加，但EUV的吸收亦增 加。MLM可容忍_部分流人而仍能王作，但@為吸收升 高，鋰擴散將降低對比且間隔相對於選定的Ευν λ受到修 改，而鋰進入中間障壁層内之擴散亦會改變粗糖度，而影 響反射率及熱穩定性。然而，一已經含鐘的間隔件可容忍 10更多擴散而對於鏡面性質具有較小損害。根據本發明的此 貝知例可用來作為此等障壁層之材料清單係包括氟化物諸 如MgF、LiF、SiOF，氧化物諸如Er2〇3、HF〇2、Ta2〇，耐 火金屬氧化物，稀土金屬氟化物、氮化物及氧化物且其譬 如具有奈米厚度，絡氟化物、氮化物及氧化物及石夕化物。 15 根據本發明的—實施例之蓋覆，申請人已經揭露且申 ^請專利範圍係有關下列： 在頂上具有原生氧化記（或心二氧化錯)層的紀（或紀_ 錯合金)所組成之保護層，以防止經的擴散/插夹/穿透並保 護較低（高溫）多層鏡面塗層不會受到鋰一 M能係為由一具有（譬如ca.3奈米厚）釕作為_頂覆塗層及3 如ca.4奈米厚）記作為底冑塗層之雙層所組成之一保護層 (或者’ Ru-Mo合金作為頂覆塗層或被⑹覆蓋的編作為一釔 (或釔-結合金)頂覆塗層上之頂覆塗層）。 根據本發明的-實施例之態樣，申請人已經揭露且申 43 1286871 請專利範圍係有關摻雜有N或在一 N 2環境中反應性濺鍍之 一Si〇2，以生成一氮氧化矽擴散障壁層。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人已經揭露且申 請專利範圍係有關在M L Μ堆積體層沉積期間加熱基材來 5 增加沉積在層中之原子的活動性以減少上表面粗糙度，其 終將導致多層堆積體中較良好的溫度穩定性。由於沉積密 度增高’所產生的層亦受到增強。如此可允許高達約600°C 具有更好反射率之增強的利用。亦使表面粗糙度產生減小 而促進介面障壁功能及增高反射率。正常Μο/Si的加熱會在 10升高溫度產生更多互混，但諸如MoSi2/Si、Mo2C/Si、 Mo/SiC、Mo/SiB6等較不易互混的層及Μο/X/Si/X(其中X為 C、SiC、Si氮化物及Si氮氧化物及硼化物及氮硼化物）之間 的障壁層，沉積期間對於加熱可能具有較少互混。此作用 亦可適用下列狀況’譬如Y及其化合物、氮化物、侧化物、 15碳化物及氮氧化物係為良好的擴散障壁並在很薄的層中具 有低的反射率及低吸收。這些材料譬如可藉由將矽氧化生 成的Si〇2加以摻雜氮、硼或氮化硼而形成。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人已經揭露且申 請專利範圍係有關使用一嵌夾式MosSi3主吸收層且其在一 20 MoSi2-M〇5Si3-M〇Si2-Si MLM堆積體中具有M〇Si2* 夾層來 增加主吸收層中的Mo量（Si為間隔層）以具有較好的EUV反 射率且亦維持與彼此邊界彼此呈現相平衡之層以在高達約 7〇〇°C下藉由避免邊界互混來增強高溫穩定性。 根據本發明的一實施例之態樣，申請人已經揭露且申 44 1286871 請專利範圍係有關Mo_RlL^Y_Zr合金層之一多層堆積體，其 具有或不具有一障壁層且該障壁層可為ZrN或其他氮化 物、碳化物或硼化物且藉由ZrN或其他氮化物或碳化物或硼 化物或Y-Zr作為蓋覆二元層的最頂層，且如果ZrN為最頂 5層，下方一元層的吸收層作為對於蓋覆層之介面。 並且’擴散障壁層可為非晶性，譬如用以降低鋰擴散。Y_Zr 間隔件合金，經釔穩定化的鍅可作為很好的穩定器障壁層。 申請人亦已提議使用作為一鋰擴散及mlm 泰鹵素蝕刻障壁層，而成為對於釕的改良方式。如讓渡予本 10申請案的共同受讓人之上文引述共同審查中的專利申請案 所述，可取得各種不同的碎屑控管策略來保護會受到（譬如 MLM收集器）惡劣環境之諸如反射器等£11¥源室收集器光 ，轉置，其-範例係利用室中所包含的鹵素來餘刻電浆形 成的碎屑譬如碎屑源材料或也許更重要地在於移除可能更 15難藉由其他所描述技術加以移除之碎4源材料的化合物及 類似化合物。基於此原因，申請人提出用於mlm之蓋覆 籲 I ’其可抵抗電漿源材料擴散且亦可抵抗侧劑的钱刻， 譬如-用來從MLM外蓋覆層飯刻㈣碎屬之_素。如上 述，其可包括含有鹵素的塗層，譬如含版塗層，諸如 20或LiF等。 熟習該技術者瞭解，上文所揭露本發明的實施例之態 樣預定係僅為較佳實施例而不以任何方式限制本發明的揭 示且尤其不單限制為-特定較佳實施例。可對於熟習該技 術者將可瞭解及認知之所揭露發明的實施例之所揭麵 45 1286871 、，出許夕t：化及修改。巾請專利範圍預定在範圍與意義上 涵蓋本發明的實施例之所揭露態樣且亦涵蓋熟習該技術者 所知的均等物及其他修改與變化。除了上述本發明的實施 例之所揭露及請求態樣外，可實行下列事項。在大的二元 5層中，不論其在本申請案中描述為蓋覆層或堆積體層或週 J |±一凡擴散阻絕層並藉由適當性質的選用材料來構成 MLM層且特別是組合的吸收及間隔層而且申請人已經提 八P刀示範〖生尺寸，然而，熟習該技術者將瞭解諸如厚度 等尺寸可改變且瞭解如何對於適當反射率適當地決定此等 10尺寸，且亦很瞭解可對於ls·5奈米除外之Euv範圍的目標 中〜波長來達成反射率。其亦可對於相同材料產生改變， 言如依據形成各種不同層之塗層的沉積方式而定，譬如影 響所沉積層的材料密度之上述方式，及折射率可能被修改 之其他方式’其中包括改變摻雜物、改變結晶結構譬如從 非日日糸改成日日糸專。熟習該技術者亦將瞭解，如此處所述’ 虽提到一特定材料可用來作為一 MLM中的一層之一材料 的範例日守’熟習該技術者瞭解此材料的化合物及合金時常 對於E U V源室反射性光學裝置多層反射器擁有相同或足夠 相似的性質’且因此亦可替代所申請專利範圍中所具體揭 20露或引述之材料。亦瞭解，如同上文對於至少一實施例説 明之本申請案且包括申請專利範圍中所使用的二元層係依 需要而預定地涵蓋且如熟習該技術者所瞭解涵蓋了身為^ 二兀層的組件之“嵌夾式，，及其他多重層，譬如上文討論的 欲夾式吸收層，藉以譬如利用如上文討論之較好的介面相 46 1286871 平衡。 t圖式簡單說明3 第1圖係示意且未依實際比例地顯示一多層鏡面 (MLM)； 5 第2圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之一態樣之一MLM結構及組成物，其中譬如改良了第 1圖的MLM ; 第3圖係示意且未依實際比例地顯示一多層鏡面； 第4圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 10 施例之態樣之一 MLM結構及組成物，其中譬如改良了第3 圖的MLM ; 第5圖示意且未依實際比例地顯示本發明的一實施例 之態樣，其利用與鋰相容的塗層譬如釔（譬如呈氧化釔Y2〇3 形式）來作為譬如用於EUV多層堆積體收集器/導引器鏡面 15 之保護塗層； 第6圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 第7、8及9圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的 一實施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 20 第10圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 第11圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 第12圖示意且未依實際比例地顯示根據本發明的一實 47 1286871 施例之態樣之一 MLM結構及組成物； 第13圖顯示對於該等數層之一 Y/Mo/Si/Mo MLM的反 射率。 【主要元件符號說明】 20…先前技術的多層鏡面(MLM) 20’，40’5100，150，160，180—多層 鏡面(MLM> 22…多層鏡面保護蓋覆層，釕蓋覆層 24…中間層，擴散障壁層 30,82,104,152…二元層 32…源材料ε夕化物的層，翻吸收層 33…源材料矽化物的層 34,34’，70,86,92，134···間隔層 40…收集器/導引器鏡面，多層鏡 面(MLM) 42,88，102，154，161，181 …基材 50· · .Mo/Si多層，二元吸收/間隔層 52，166···石夕間隔層 54,62,70,84〜吸收層 60…二元蓋覆層，釕蓋覆層 62…釕製的頂蓋覆層 64…源材料擴散障壁層 66…塗層 72…蓋覆二元層 74 …LiNb03 層 76…間際擴散障壁層 80···,高溫多層鏡面(MLM) 90· · ·二元蓋覆層雙層蓋覆層 95…Y203塗層 94〜#目吸收層 96…互混障壁層，薄鐘擴散障壁層 106…Si層 110…欲夾層 112 …Mo5Si3 層 114"*MoSi2 嵌夾層 120."SiO2蓋覆層 130，130’，130，’〜多層系統 132···收集器鏡面基材 13 6…吸收層，Mo-Ru合金層 138···擴散障壁蓋覆層 140···中間障壁層 156···蓋覆層 158"*MoSi2 吸收層 162··^乙間隔層 48 1286871 164···Μο吸收層 168···嵌夾式Mo/Si/Mo吸收層 170…雙二元蓋覆層 170’…雙二元堆積體層 182···蓋覆吸收層，Mo吸收層 184…Y蓋覆間隔層 185…二元蓋覆層 188···二元MLM堆積體層 190···擴散邊界二元堆積層 192···互混邊界中間層

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Claims (1)

1. ;I286871 ^ ^ ^ 第94105587號專利申請案 - 十、申請專利範圍： 申請 yiULJgL^ 正木 95.08.02 %年8月2日修(更)正本 1. 一種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層堆積體，其包含該多層堆積體中之至少一二 元層，該至少一二元層係包含掺雜一第二材料之一第一 5 材料。 2. 如申請專利範圍第1項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一材料包含一介電材料。 3. 如申請專利範圍第1項之電漿產生式EUV光源反射元 10 件，進一步包含： 該至少一層包含一間隔層。 4. 如申請專利範圍第2項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該至少一層包含一間隔層。 15 5.如申請專利範圍第1項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一材料包含矽。 6. 如申請專利範圍第5項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 20 該第二材料包含一 η型摻雜物。 7. 如申請專利範圍第6項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該至少一二元層中之至少一層係為一包含石夕之組 合0 50 1286871 8. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層鏡面堆積體，其包含： 一蓋覆層，其包"一二元蓋覆層，該二元蓋覆層係 包含一含有一 EUV透明金屬之第一層及一含有一 EUV 5 吸收材料之第二層，該EUV吸收材料係包含一反應性 EUV電漿源材料的一化合物。 9. 如申請專利範圍第8項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： • 該反應性EUV電漿材料包含鋰。 10 10.如申請專利範圍第9項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該化合物包含族3-9中週期數5金屬的至少一者。 11. 如申請專利範圍第10項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 15 該化合物包含一該化合物的氧化物。 12. 如申請專利範圍第11項之電漿產生式EUV光源反射元 •件，進-步包含： 該化合物包含LiNb03。 13. 如申請專利範圍第12項之電漿產生式EUV光源反射元 20 件，進一步包含： 在該二元蓋覆層中該第一層包含一間隔層而該第 二層包含一吸收層。 14. 如申請專利範圍第13項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 51 1286871 該第二層包含一頂層。 15. 如申請專利範圍第14項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 一真空包含層，其位於該二元蓋覆層與該多層堆積 5 體的其餘部分之間。 16. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層鏡面堆積體，其包含一第一層的一材料而形 成一吸收層以及一第二層的該材料而形成一間隔層，該 第一層具有與該第二層不同之一密度。 10 17.如申請專利範圍第16項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一及第二層的至少一者受到摻雜以改良電傳 導性。 18. 如申請專利範圍第17項之電漿產生式EUV光源反射元 15 件，進一步包含： 該材料係為矽的一化合物。 19. 如申請專利範圍第18項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該材料包含Si及C的一組合。 20 20.如申請專利範圍第19項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該材料包含SiC。 21. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層鏡面堆積體，其包含一二元蓋覆層，該二元 52 1286871 蓋覆層係包含一 Mo吸收層及一含有紀的間隔層。 22.如申請專利範圍第21項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： ‘ 該間隔層包含釔的一化合物。 5 23.如申請專利範圍第21項之電漿產生式EUV光源反射元 件，包含： 該間隔層包含氧化釔。 24.如申請專利範圍第23項之電漿產生式EUV光源反射元 # 件，進一步包含： 10 該多層鏡面堆積體包含複數個二元層，該等複數個 二元層包含與該二元蓋覆層相同之材料。 25.如申請專利範圍第24項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該多層鏡面 堆積體包含複數個二元層，該等複數個二元層包含至少 15 一與該二元蓋覆層不同之材料。 26. 如申請專利範圍第25項之電漿產生式EUV光源反射元 _ 件，進一步包含： 該至少一材料包含矽。 27. 如申請專利範圍第26項之電漿產生式EUV光源反射元 _ 20 件，進一步包含： • 該多層鏡面堆積體係包含具有與該二元蓋覆層相 同的材料之至少一其他二元層以及具有至少一與該二 元蓋覆層不同的材料之至少一其他二元層之一組合。 28. 如申請專利範圍第27項之電漿產生式EUV光源反射元 53 1286871 件，進一步包含： 至少一中間擴散障壁層，其介於一二元層中的一第 一層與一二元層中的一第二層中間。 29·如申請專利範圍第28項之電漿產生式EUV光源反射元 5 件，進一步包含： 該t間擴散障壁層包含一氟化物或一氧化物。 30·如申請專利範圍第29項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該中間層包含一選自包括下列各物的群組之材料: ίο 稀土金屬氟化物、氮化物及氧化物、耐火金屬氟化物、 氮化物及氧化物、其他氮化物、蝴化物及碎化物。 31· —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層鏡面堆積體，其包含一蓋覆層，該蓋覆層係 包含一紀-結合金或一記•二氧化錯合金。 15 32.如申請專利範圍第31項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該蓋覆層包含一二元蓋覆層，該二元蓋覆層包含一 金屬性吸收層。 33·如申請專利範圍第32項之電漿產生式EUV光源反射元 2〇 件，進一步包含： 該金屬性吸收層包含Ru。 34·如申請專利範圍第32項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 一二元蓋覆層，其包含位於一含有Ru的頂塗覆層底 54 1286871 下之該釔-锆或釔-二氧化錘層。 35.如申請專利範圍第33項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該頂塗覆層包含一 Ru合金。 5 36.如申請專利範圍第33項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該Ru合金包含Ru-Mo。 37. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一氮氧化矽擴散障壁層。 10 38.如申請專利範圍第37項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該氮氧化矽層係藉由N摻雜一 3丨02層或藉由在一氮 環境中反應性濺鍍一 Si02層而形成。 39. 如申請專利範圍第38項之電漿產生式EUV光源反射元 15 件，進一步包含： 該擴散障壁層包含一蓋覆層。 40. 如申請專利範圍第39項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該擴散障壁層包含一二元蓋覆層的一部分。 20 41. 一種用於製造一電漿產生式EUV光源反射元件之方 法，包含： 在多層鏡面堆積體層沉積期間加熱該基材以增加 被沉積在該層上中之原子的活動性及減少該上表面的 粗糙度。 55 1286871 42. 如申請專利範圍第41項之方法，進一步包含： 該加熱步驟亦達成該層密度的增加。 43. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 複數個二元層’其包含一含有一欲夾式吸收層之吸 5 收層，該欲夾式吸收層包含一吸收材料的一第一化合物 而介於一含有該吸收材料的一第二化合物之第一後夾 吸收層與一含有該吸收材料的一第三化合物之第二嵌 夾吸收層中間。 44. 如申請專利範圍第43項之電漿產生式EUV光源反射元 10 件，進一步包含： 該吸收材料的第二化合物係與該吸收材料的第三 化合物相同。 45. 如申請專利範圍第44項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 15 該第一化合物及該第二化合物的介面係處於相平 衡而該第一化合物及該第三化合物的介面處於相平衡。 46. 如申請專利範圍第45項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一化合物係包含比該第二化合物或該第三化 20 合物具有一更高百分比之負責該第一化合物的吸收件 特徵化之一吸收材料組份。 47. 如申請專利範圍第46項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一化合物係為一第一金屬矽化物而該第二及 56 1286871 第三化合物的至少一者為一第二金屬矽化物。 48.如申請專利範圍第47項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一化合物為Mo5Si3而該第二及第三化合物為 5 M0S12 0 4 9.如申請專利範圍第4 8項之電漿產生式E U V光源反射元 件，進一步包含： 該二元層係包含一含有一材料之間隔層，其與該第 二及第三材料之介面係處於相平衡。 10 50. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層鏡面堆積體，其包含複數個二元層，各該二 元層係包含一含有一間隔材料合金之間隔層及一含有 一吸收材料合金之吸收層。 51.如申請專利範圍第50項之電漿產生式EUV光源反射元 15 件，進一步包含： 一中間障壁層，其位於各該間隔層與吸收層之間。 52.如申請專利範圍第51項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該間隔材料 合金係包含Y-Zr而該吸收材料層包含Mo-Ru。 20 53.如申請專利範圍第52項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 一中間障壁層，其包含一選自包括下列各物的群組 之材料：侧化物、氮化物及碳化物。 54.如申請專利範圍第53項之電漿產生式EUV光源反射元 57 1286871 件，進一步包含： 一二元蓋覆層，其包含與該間隔層及該吸收層相同 之材料且其中頂層包含一間隔層。 55. 如申請專利範圍第54項之電漿產生式EUV光源反射元 5 件，進一步包含： 該障壁層包含一非晶材料。 56. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 一多層鏡面堆積體，其包含複數個二元層，各該二 元層係包含一含有一間隔材料合金之間隔層及一含有 10 一吸收材料合金之吸收層；及 一頂擴散障壁層，其包含一選自包括下列各物的群 組之材料：氮化物、化物及碳化物；及 該頂擴散障壁層配置於該吸收材料合金頂上。 57. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 15 一多層鏡面堆積體，其包含複數個二元層及一蓋覆 層，該蓋覆層係包含一經擴散障壁層及一鹵素钱刻障壁 層。 58. 如申請專利範圍第57項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 20 該障壁層包含一含氟的材料。 59. 如申請專利範圍第58項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該障壁層包含MgF2或LiF。 60. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 58 1286871 一雙二元蓋覆層，其包含第一二元蓋覆層，該第一 二元蓋覆層係包含一具有一鋪覆於一含有一第一吸收 層材料的吸收層上之第一間隔層材料之間隔層，及一第 二二元蓋覆層，該第二二元蓋覆層係包含一具有一鋪覆 5 於一含有一第二吸收層材料的吸收層上之第二間隔層 材料之間隔層。 61. 如申請專利範圍第60項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一吸收材料係與該第二吸收材料相同而該第 10 一間隔材料與該第二間隔材料不同。 62. 如申請專利範圍第61項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該雙二元蓋覆層係大致重覆於整體該反射元件以 在該雙二元蓋覆層下形成位居下方之雙二元堆積體層。 15 63.如申請專利範圍第62項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 接連的位居下方之雙二元堆積體層，其在包含一原 始雙二元蓋覆層之一位居上方的雙二元蓋覆層或目前 形成該雙二元蓋覆層之一中間的位居上方之雙二元堆 20 積體層惡化時係形成一雙二元蓋覆層。 64. 如申請專利範圍第63項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一間隔層包含釔。 65. 如申請專利範圍第64項之電漿產生式EUV光源反射元 59 1286871 件，進一步包含： 該第一間隔層包含名乙。 66. 如申請專利範圍第65項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 5 該第一及第二吸收材料包含Mo。 67. 如申請專利範圍第66項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第二間隔材料包含Si。 68. —種電漿產生式EUV光源反射元件，包含： 10 一二元蓋覆層，其包含一含有一吸收器之間隔層， 該吸收器係包含一鋪覆於一含有一第一間隔層材料之 間隔層上方之第一吸收層材料； 複數個規則的二元堆積體層，其包含一第二吸收 層，該第二吸收層係包含一位居該二元蓋覆層下方之第 15 二吸收材料，及一含有一第二間隔材料之間隔層；及 散佈一包含該第一吸收材料及該第一間隔材料之 經散佈的二元堆積體層於該等複數個二元堆積體層之 間。 69. 如申請專利範圍第68項之電漿產生式EUV光源反射元 20 件，進一步包含： 該等經散佈的二元堆積體層係為週期性散佈。 70.如申請專利範圍第69項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該等複數個規則的堆積體層係包含一中間互混邊 60 1286871 界層。 71. 如申請專利範圍第70項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該等複數個規則的堆積體層係包含一中間互混邊 5 界層。 72. 如申請專利範圍第71項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 該第一吸收材料包含Mo而該第一間隔材料包含Y。 73. 如申請專利範圍第72項之電漿產生式EUV光源反射元 10 件，進一步包含： 該第二吸收材料包含Mo而該第二間隔材料包含一 石夕化合物。 74. 如申請專利範圍第73項之電漿產生式EUV光源反射元 件，進一步包含： 15 該矽化合物為SiC。 75. —種用於形成一電漿產生式EUV光源反射元件之方 法，包含： 提供一多層堆積體，其包含具有一第一材料之該多 層堆積體中的至少一二元層，並以一第二材料來摻雜該 20 第一材料。 61