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TWI286331B - Method production of peeling layer paste and method of production of a multilayer type electronic device - Google Patents

Method production of peeling layer paste and method of production of a multilayer type electronic device Download PDF

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TWI286331B
TWI286331B TW094127093A TW94127093A TWI286331B TW I286331 B TWI286331 B TW I286331B TW 094127093 A TW094127093 A TW 094127093A TW 94127093 A TW94127093 A TW 94127093A TW I286331 B TWI286331 B TW I286331B
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TW
Taiwan
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layer
suspension
weight
sheet
paste
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Application number
TW094127093A
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English (en)
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TW200614297A (en
Inventor
Tamotsu Ishiyama
Shigeki Sato
Original Assignee
Tdk Corp
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Publication date
Application filed by Tdk Corp filed Critical Tdk Corp
Publication of TW200614297A publication Critical patent/TW200614297A/zh
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Description

1286331 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 件之製造方法 本發明係關於為製造積層_電容料之積層型電子零件所使用 之剝離層肖糊料之製造方法，與使職_層雜料之積層型電子零 【先前技術】 近年來’由於電子機II之小型化，積層_電容器等之積層型電 子零件之小型化· *性能化進步，積層型電子零件之層間介電體（夹在 |對之内^電極間之介電體層）厚度在以下，積層數超過麵層。 在如此之電子零件之製程中，燒成後形成介電體層之生胚板片之厚度 變的極薄之故（通常在丨· 以下），在藉由印刷工法形成電極層時， 由於電極層用糊料之溶劑造成生胚板片溶解，形成所謂板片衝擊現 象。由於此板片衝擊現象會直接造成生胚板片缺陷，短路不良，為了 推進薄層化，此為不得不解決之課題。 為了解決如此之板片衝擊，在專利文獻卜日本專利特開昭 63-51616號公報，專利文獻2，特開平3_25〇612號公報，專利文件3， =平7·26號公報中，提案··另外準備將電極層用糊料以既定圖 •樣形成在支持體薄膜上後，使其乾燥而可得到之乾式型的電極層，將 =乾式型之電極層’轉寫於各生胚板片表面，或是生胚板狀積層體 表面之既定圖樣之電極層之轉寫法。 去2:1’丨Γ利文獻1〜3之技術中，有難以將既定圖樣之電極層從 Π:之課題。因此，本發明者們，提案了在支持薄膜與既定 1 ίίί,間，形成使電極層之剝離性向上之_層之技術（參照 專利文獻4，特開2003-197457號公報）。 然而’一般而言，此種之剝離層需要極薄地形成，具體而言，以 絲職練。此鋪_，只為了燒成後使 其此作為,，電體層之機能而設，頂多只是為了使既定圖樣之電極層之 2030-7321-PF;Ahddub 5 1286331 地很厚的情況下，燒成 士.f4'使具有較形成之剝離層厚度還薄之粒徑之陶莞粉 為了使 末，均一地分散於剝離層形成用糊料中。 之情;==ΓΓ末’藉由先前之技術來製作剝離層糊料 有部分的陶姆凝集之情況。使用含有部 =…-〜之制離層用糊料來形成剝離層之情況，該剝離層之膜 變厚的傾向，變的難以形成均—之剝離層。由於 既定圖樣之電極層，電極塗膜之密度或表面狀態也 曰α 充刀發揮乾式電極之優點是很困難的。 擠出層爾使轉狀蝴，觸目凹板塗布機， =機#之裝置塗布’乾燥來形成，為了使最終之剝離層之厚度 以下而使剝離層用糊料之塗布厚度薄，除了減少對於前述 f裝置之_供給之外，還需要降低糊料之不揮發分濃度。又，作 為剝離層用掏料之不揮發分，可考慮為分散劑（溶劑）以外之成分。具 體來說’有必要使用不揮發分濃度為15重量％以下之糊料，要將如此 之不揮發分濃度極低之蝴料（或是懸浮液），安定性良好地在一次 ，製程中製造是很_的^因此，必須重複懸浮液之分散、稀释 來漸漸地使不揮發分濃度降低。 然而，在㈣浮_釋之階段中，有時會產生所謂溶劑衝擊之凝 集現象，關於將不揮發分濃度極低之懸浮液高分散化，一直是一個課 題0 ”又，在專利文獻5，特許33857455號公報中，係關於為形成在燒 成後形成介電體層之生胚板片所使狀生純片關料 料高分散化之方法。具體而言，提案··雜合使用玉石❻ 散媒體之媒體形分散方法，與以1〇〇kg/cm2以上之壓力來分散之高壓分 散法來使陶錄末在轉巾分散之方法。在此專利讀5巾，由於係 以為了形成在薄也是有數之生胚板片之糊料為對象，白 料中之有機載射之黏結劑之含有量設定為少量。這是因為若生胚板 2030-7321-PF;Ahddub 6 1286331 【發明效果】 若使用藉由本發明方法所製造之剝離層用糊料’可對於形成電極 層用之電極層用糊料或形成空白圖樣層用之空白圖樣層用糊料形成不 會板片衝擊的剝離層。 根據本發明方法所製造之剝離層用糊料，不會有陶瓷粉末的部分 的凝集，分散性優良。因此不僅可使所形成之剝離層之膜厚均一，且 可使剝離層表面更進一步的平滑。 根據本發明方法所製造之剝離層用糊料，由分散劑以外之成分所 構成之不揮發份的濃度很低。因此，以0.2"m以下之極薄層來形成剝 離層為可能。 使用根據本發明方法所製造之剝離層用糊料來形成之剝離層，表 面被平滑化。因此，可使積層時之電極塗膜之表面粗度小，抑制積層 時之缺陷（構造缺陷）之發生，而可減輕最終所得到之積層型電子零件 之短路不良。 【實施方式】 在本實施形態中，係舉例積層陶瓷電容器作為積層型電子零件來 說明。 積層陶瓷電容器 如第1圖所示，與本發明之一實施形態有關之積層陶瓷電容器2， 係具有由介電體層10與内部電極層12相互積層而構成之電容器元件 本體4。在此電容器元件本體4之兩側端部上，形成著一對與在元件 本體4内部交互配置之内部電極層12各自導通之一對的外部電極6、 8 °内部電極層12係使其各侧端面交互露出電容器本體4之對向之2 端部之表面來積層。一對的外部電極6、8，係形成於電容器本體4之 兩端部，與交互配置之内部電極層12之露出端面連接，來構成電容器 回路。 告各器本體4之外形與尺寸並沒有特別限制，可以根據用途來適 虽&疋’通常’外形幾乎為長方體形狀，尺寸通常可為長（0· 4〜5. 6mm) 2030-732l^pF;Ahddub 9 1286331 χ寬（〇· 2〜5. Omm)x高（〇· 2〜1· 9咖）左右。 擔層1G ’係如第2圖（〇等所示燒成生胚板片1Ga後形成， t妙=沒有制限定，麻為鈦购、舰舰及/或鈦賴等之介 電體材料所構成。介電體層10之厚度，在本實施形態中，以薄層化到 5//m以下為佳，而以薄層化到3/^以下更佳。 =部電極層12，係燒成如第2圖⑻或第2圓（〇等所示之電極層 用糊料所構成之既定圖樣之電極層12a來形成。内部電極層12之厚 度，以薄層化到以下為佳，而以薄層化到1〇//瓜以下更佳。 3電極6、8之材質，通常使用銅或銅合金、鎳或鎳合 外部電極層6、8之一^ 積層陶瓷電容器之製造方法 -例接著，說贿本實施形態有關之積層喊電容11 2之製造方法之 剝離層之形成 離/iitr形態中，首先，如第2剛所示，在載片別上將剝 乂 0. 2卵以下，更佳的情況為以〇1_以下之厚度（乾燥 來形成。作為載片20，可使用例如PET薄膜等。在載片 舱 =形成側表面上’為改善_性，覆膜了以氧切或醇酸樹脂等為^ t離型劑為佳。狀2G之厚度，並沒有特別限^，細5〜1〇〇_ 形成於載片20上之剝離層22之厚度若超過Q. 2⑽ 夕
12a有破知之虞。另一方面，剝離層22之厚度若過薄， B 到形成此的效果，所以在本實施形態中該下限以Q 〇 】 =‘、、、去传 〇.〇5/zm更佳。 ·㈣為佳，而以 度之方法即 用糊料所用 剝離層22之形成方法，只要可以均_地形成上述厚 可、’並沒有特別蚊，在本實施形態中係舉例使用制離層 之塗布法之情況(例如藉由線棒塗布機或切割塗布機）。曰 2030-7321-PF;Ahddub 10 1286331 剝離層用糊料 在本實施形態中所使狀剝離糊料，係由喊粉末以及 載劑作為主成分而構成，更包含可塑劑與離型劑。 所包含之陶瓷粉末 作為陶瓷粉末，可使用與後述之生胚板片1〇a 相同組成之物。 >陶錄末之平均粒徑，以較剝離層22之厚度小者為佳。具體而 言，使用0.2//m以下者為佳，使用〇.1_以下者更佳。平均粒斤若 超過0.2/zm則無法使剝離層22之厚度在〇.2wm以下。另一方面了陶
瓷粉末之平均粒徑若太小，則產生分散不良等之不良，所以在本實施 形態中，該下限以在0.01/zm為佳。 陶瓷粉末’在剝離層糊料中之不揮發分濃度，如後述，以包含在 15重量％以下之範圍為佳，而在1〇重量％以下更佳。 有機載劑，係含有黏結劑與分散劑。 作為黏結劑’例如’可使用聚乙稀乙縮駿系樹脂、丙稀基系樹脂、 纖維素系樹脂、乙酸乙烯樹脂等任一種。作為聚乙烯乙縮醛系樹脂\ 可舉出例如聚乙烯乙酰聚甲醛，聚乙烯乙縮駿（聚甲醛基R=CH〇、^乙 烯醇縮丁醛（聚甲醛基R=C3H7)、聚乙烯醇縮甲醛（聚甲醛基R==H)、聚乙 烯苄叉、聚乙烯苯基聚甲醛、聚乙烯丙酰、聚乙烯己醛、聚乙稀节叉 等。 在本實施形態中，係以特定之丙烯基樹脂與聚乙烯乙縮醛樹脂為 主成分之情況為例。 首先，在本實施形態之第1觀點中，使用以特定成分之丙烯基樹 脂為主成分之黏結劑。黏結劑中之丙烯基樹脂含有量，以在95重量％ 以上為佳，而以1〇〇重量％更佳。可以非常微量來與丙稀基樹脂組合來 使用之樹脂，有：乙基纖維素、聚乙烯乙縮醛樹脂等。作為聚乙稀乙 縮搭樹脂’可舉出上述之物。 在第1觀點中所使用之丙烯基樹脂，係由丙烯酸酯單體單位與甲 基丙烯酸酯單體單位（以下，有時也簡稱為（曱基）丙烯酸酯單體單位） 為主成分之共聚物所構成。丙烯酸酯單體單位與甲基丙烯酸酯單體單 2030-7321-PF；Ahddub 11 1286331 比1例如使用前者為丙烯酸丁基單體單位，後者為甲基丙稀 匕土早體單位之情況時，以重量％為基準，例如可為10〜30:90〜70左 1為（甲基）丙烯酸酯單體’可舉出：（甲基）丙烯酸甲基、（曱基） 、文乙基（甲基）丙烯酸丙基、（甲基）丙烯酸η—丁基、（甲基）丙 美）丙異丁^、（甲基）丙稀酸t_丁基、（甲基）丙烯酸2一乙己基、（甲 1、、1缔酉夂辛基等’在本實施形態中，組合最終之樹脂狀態下之玻璃轉 、>m度（Tg)為室溫以上之單體來使用為佳。 旦Μ丙烯基树月曰中之（甲基）丙烯酸酯單體單位之合計含有量，以95重 二1 乂上。為佳，而以100重量％更佳。可以非常微量來與（甲基）丙烯酸 單位組合使用之第三之單體單位，只要是可與（甲基）丙婦酸酯 聚合，即可，並沒有特別限定，例如可舉出··（甲基）丙稀 仰單^單位、芳香族乙烯單體單位、酸乙稀酯單體單位、乙烯醚單體 早位ί。作，芳香族乙料體，可舉出：苯乙稀、乙稀基甲基、α-:基苯乙烯等。作為酸乙烯酯單體，可舉出乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯 荨。作為乙稀醚單體，可舉出：甲基乙烯趟、乙基乙_、錄乙烯 正丁醚等。 、在第1觀點所使用之丙烯酸樹脂，酸價（中和丙烯酸樹脂lg中之 游離酸所需要之K0H之呢數）為1〜10mgKOH/g，而以5〜10mgKOH/g為 佳^丙烯酸樹脂之酸價雖與时粉末之分散有_，但丙烯酸樹脂之 酸知在上述|&圍以外時，陶竞粉末之分散性極差。實際上在未滿 lmgK(^H/g時’陶瓷粉末不會分散。另一方面，若超過1〇呢腿/g，則 發生凝集效果，不僅分散性變差，箱離力有變重之傾向所以不佳。 丙烯酸樹脂之酸價，可調整（甲基）丙烯酸單體單位之配合量來調 整例如，右使丙稀酸單體單位或甲基丙稀酸單體單位之配合量增加， 則酸饧上升，相反的，若使其減少則酸價有下降之傾向。丙烯酸樹脂 之k彳貝，可根據jis—K0070之方法來測定。 在第1觀點中所使用之丙烯酸樹脂之重量平均分子量（Mw)，並沒 有特別限定，使用凝膠滲透色譜（Gpc)之聚苯乙烯換算值，以在13萬 2030-7321~PF;Ahddub 12 1286331 較佳的情況是80〜170MPa之壓力，以及4〇〇〜63〇m/s，較佳的是 400〜580m/S之流速，使上述2次懸浮液互相衝突之方法來進行高壓= 散處理為佳。藉由在此條件進行高壓分散處理，可對於上述2次懸浮 液施加1·5χ106〜1.3xl07(l/s)之努切速度，其結果，可使上述2次懸 子液中之陶£粉末，以平均粒徑為G ()5〜1()/Zm之範圍，不僅超微粒 化’且透過分散劑在分散體安定地微分散。 藉由濕式傭研磨’可將上述2次縣液以高雖縣之流路 到以密封狀態配置在耐鮮器内之喷嘴，藉由使該2次懸浮液之對向 流相互衝突、合流’可使該2次懸浮液中之陶甍粉末粉碎成超微粒子 丨狀之同時，與分制_起高分散且域度地微分散絲浮液中。 又，作為粉體之微粒化裝置，以往以來，騎皆知有乾式或 之喷射研磨。乾式喷射研耗_由在氣城峨處理物f之粒之 ，或粒子與流路壁之衝突而使粒子微粒化，濕式噴射研磨係指藉由在 Γ目理物質之粒子之間或粒子與流路壁之衝突而使粒子微粒 2，在濕式翁研磨之情況時，除了上述敏所造成之絲化 產生之空蝴流.剪切等之複合的處理作用，可顯 者促進陶瓷粉末之微粒化。 傕4本態所使用之濕式噴射研磨，係總稱具備：以任意方法 J發生’在使2次懸浮液之間之衝突產生之同時，有效 於间壓.南速所產生之亂流·剪切以及㈣效果等，使2次縣 子液中之陶纽末微粒化，促進破碎·分散之機能之裝置。 〜 ，為如此之濕式喷射研磨’有高壓均漿器，具體而言，係藉由柱 等，處，(在本實施形態中為2次懸浮液)從喷嘴喷 面衝衝朗固定板之方式’紐被喷射之被處理液互相從正 微粒侧且㈣之破碎’-邊被粉碎為超 2030-7321~PF；Ahddub 17 1286331 作為在本實施形態中使狀濕式噴射研磨機，可使用以「 漿器」在市面上販售之利關板所產生之高速嘴射 =句 製、藍尼公司製、蘇阿比公司製、日本機精公司製等）开;=么司 =流路内使其高速衝突型機（「微流化機」微流化指數公司製為= 二為90。位相連通之-字型之流路内產升高速衝突形機（「夺 吏 不未化機公司製）、在同-喷嘴内使流體之間發生複數次之衝突^ ，（「奈米製造機」sgm製）、在偏平流 ^ 突型機（「水」水科技公司製），或是，使從對向 : 室:出型機(「極限機」杉野機械公司製)、股份公司吉納斯以= u納斯PY」在市面上所販賣之超高速.高壓濕式噴射研磨機等。 八濕式研磨機’由於個職置形式的特性，陶絲末之粉碎、 2生Ϊ許ίί ’但相較於以往使用之媒體型分散機作為分 L if 常高的效率來進行微粒化與微分散，而可得到 為極為女定之超微粒子分散體之剝離層用糊料。 為使微分散高齡散處理後之_層_料巾微分散之陶究 2均粒徑在G·以下，在濕式喷料磨機中之超高壓高速處理 种必須確保流速為働m/s以上姻彻m/s更佳，以及勤為睛& =上’而以IGGMPa以上為佳。流速未滿働m/s以及壓力未滿腑& 時’剝離層用糊料中之陶变粉末之平均粒徑難以解碎至Q. _以下， 而無法達成本發明之效果。 、愈提高，作時之Μ力、流速，由濕式喷射研磨所形成之解碎·微 刀散效果愈间’根據情況，將陶莞粉末之平均粒程超微細化至〇· W程 度以下也是可能的。然而，過度提高壓力或流速，則設備之耐壓性或 耐磨耗性等變的極職烈，不僅設備f變的鼓且喷嘴部之壽命也變 的極短、，聊使將岐粉末之平均粒徑超微細化至以下，實 用上也並不㉟將性能更提高，所以，若考慮實用性，則由濕式喷射研 磨所造成之處理時之勤之上限為·胸，而以17GMPa較佳，流速 之上限為630m/s，而以580m/s較佳。 在本發明中，只要可確保上述流速以及壓力，濕式喷射研磨機之 2030-7321-PF;Ahddub 18 1286331 具體構造等並沒有特別限定。但是，為了達成本發明之目的而較佳的 為使喷射之被處理懸浮液互相從正面衝突之方式的裝置，例如杉野機 器公司製以商品名「極限機」來在市面上販售之超高速·高壓濕式喷 射研磨機。只要使用此裝置，可容易地達成前述之超高速·高壓之處 理條件，根據處理條件可以1次之路徑或是根據必要進行2次以上之 路徑之重複處理，陶瓷粉末為超微粒子狀，且可容易地得到均一且安 定分散之分散體。然後，若使用如此之濕式喷射研磨機，相較於以往 使用之媒體型分散機作為分散裝置來進行分散處理之情況，可顯著地 提高破碎·分散之效果，可在短時間之處理得到作為極為安定之超微 粒子分散體之剝離層用糊料。 以下，簡單說明商品名「極限機」之構造。如第u圖所示，適合 用於本實施形態之濕式喷射研磨機1〇〇，係包括：壓力容器1〇1、在容 器内分歧之懸浮液之流入流路102、103、透過中央之合流部1〇6而^ 向配置之104、105、從合流部1〇6將微粒化之懸浮液原料取出之流出 流路107。因此，在财壓容器内，藉由使高壓懸浮液分歧為2流路， 在密封狀態下向對象配置之喷嘴104、105壓送懸浮液，可使加速之懸 浮液在合流部106内對向衝突，粉碎來進行超微粒子化與分散。 將2次懸浮液高壓分散處理而可得到之超微粒子狀分散體來作為 剝離層用糊料，係如前述使平均粒子徑為〇· _〜& 2//m之極微係的陶 瓷籾末均一地为散至分散體之物，具有高度之分散性與分散安定性。 其結果，可均一形成極薄之剝離層。 將如以上所得到之剝離層用糊料，塗布於載片2G上，之後乾燥形 成剝離層22。乾燥溫度’並沒有特別限定，以5〇〜1〇(rc為佳，乾燥時 間’以1〜10分為佳。 電極層之形成 (2)接著’如第2圖（B)所示，在形成於載片2〇上之剝離層22之 表面上，形成燒成後如第1圖所示之成為内部電極層12之既錢樣之 電極層（内部電極圖樣）12a。 電極層12a之厚度，以ohom為佳，而以〇 ι〜i 〇m程度 2030-7321-PF;Ahddub 19 -1286331 使用如以上之介電體糊料，藉由刮刀成型法 及空白_24之表面上，形成生胚板片1〇心在Ha 接著層之形成 ⑸在本實施形態中，接著，除了上述載片20之外，也可如第3 =所示，另外準備在載片26之表面上由接著層28形成之接著層轉 寫用板片來作為第2支持板片。 載片26可由與載片2〇相同材質之板片來構成。接著層狀之厚 度，以在〇· 3_以下為佳，且較包含於生胜板#1〇 均粒徑還薄為佳。對於?R志品—拉#麻〇〇 瓦丁刀冬I十 T、戰片26表面之接者層28之形成方法，只要可 拉二均形成之方法即可，並沒有特別限定，在本實施形態中，使用 接者層用糊料’使關如棒狀塗布法、切布法、逆輥塗布法、浸 潰塗布法、順輥塗布法等之方法。 在本實施形態中所使用之接著層用糊料，含有有機載劑與可塑 有機載>彳係3有黏結劑與溶劑。黏結劑可同於生胚板片Ik中所 含有之黏結劑，也可不同。溶舰沒有特賴定，可以使用如上述之 ，常之有機溶劑。作為可_，並沒有特職定，可舉㈣苯二甲酸 -曰己酸磷齩酉曰、乙二醇類等。在接著層用糊料中，可以含有與 生胚板片10a中所包含之陶£粉末相同組成之陶聽末，更可含有:书 唑啉系除帶電劑等之除帶電劑。 接著層轉’聽上述各成分，鱗磨機等混練，藉由懸浮液化 來形成。 此接著層用糊料，藉由上述各種塗布方法來塗布·形成在載片邡 面上來作為第2支持板片，之後，接著層28係根據必要而乾燥。 積層體單位之形成 (6)接著’如第2圖（c)所示，在形成在電極層他以及空白圖樣 層=4上之生胚板片10a之表面上，形成接著層28，得到如第3圖⑹ 所示之積層體單位Ula〇 在本實施形態中，採用轉寫法作為接著層28之形成方法。亦即， 如第3圖（A)、第3圖⑻所示，將如上述所準備之接著層轉寫用板片 2030-732l-PF;Ahddub 23 1286331 .•之接著層28，屡入生胚板片伽之表面，加熱縛，之後藉由 26剝離，如第3圖㈤所示，將接著層別轉寫於生胚板片他之表面， .得到積層體早位Ula。藉由轉寫法來形成接著層28，可以有效防 著層成分對於生胚板;MGa、或是電極層心或空白_層24之渗入。 因此，不會有對生胚板片10a、或是電極層似或空白圖樣層 合造成f影響之虞慮。更且，即使在薄薄地形成接著層28之情況，= 因為接者層之成分不會滲入到生吨片1〇a、或是電極層他或 圖樣層24 ,所以可以保持高接著性。 轉寫時之加熱溫度，以在4(Moot為佳，又，加壓力以〇. 2~15咖 為佳。加Μ ’可藉由按絲續，也可藉㈣延來減，而 對之滾輪來加壓為佳。 生胚晶片之形成 曰片接I藉由將所得到之積層體單位㈣複數積層，來形成生庇 -la K(A) ^ 4 M(B) m目所不，透過接著層28，藉由將各積層體單 mv"下’對於積層方法來做說明。 與藉由積層體單位Ula *目同/二·來ΪΓ 層5單位Ula， 著，從積層體單位Uib剝離载片2〇之另一積層體早位Ulb°接 剝離之狀態。在本實施形態中’積層^單位肌為載片2〇被 形成於載片20上，所以可以容易^層體早位勸係透過剝離層22 片2〇之剝離。而且，在剝離時易且也良H行從積層體單位猶之載 24破損。又，剝離層22係與 也不會使電極層他或空白電極層 但是如果是少量程度的話，即^G；；起從積層體單位肌剝離為佳， 即使在這樣的情況，該殘存之：子，層體單位Ulb側也沒關係。 層12也非常薄，而且，剝離；’相較於生胚板片⑽或電極 生胚板片10a相同，係由介電;^所3有之介電體，由於在燒成後與 題。 層10之一部所構成的，所以不會成問 2〇3〇-7321-PF；Ahddub 24 1286331 接著，如第4圖（B)所示，將剝除了栽 =單位Ula，透過積層體單位Ula之接著層28接‘:；與 :第5圖⑴、第5圖⑻所示’同樣的，在積層體單位：接者， 積J體單位Ulc，透過積層體單位Ulb之接著層28，接著積 體單=重複此第5圖⑷、第5 _所示之製程，積層複數二積二 最後，在此積層體之上面以及/或下面，積層外 2最終加壓，之後，將積層體切斷成既定尺寸，形成生胚晶片板：: 生以謂咖為佳’加熱温度以.靴為佳。 、⑻將所得到之生胚晶片，進行脫黏結劑處理、燒成處理， 必要進行使介電體層再氧化之熱處理。然後，在所形成之燒結體4 之陶瓷元件4上，印刷或轉寫外部電極用糊料，燒成，形成外部電2 8來製造積層陶瓷電容器2。將所製造之積層陶究電容器2,葬由 烊接等實裝於印刷電路基板上等，而使用於各種電子機器等。玲 本實施形態之作用 要使用在本實施形態所製造之剝離層用糊料，就可以形成對於 $成電極層12a用之電極層用糊料或形成空白圖樣層24用之空白圖樣 φ層用掏料，不會產生板片衝擊之剝離層22。 ， 在本實施形態中所製造剝離層用糊料，陶瓷粉末不會有部分性的 凝集’分散性優良。因此，不僅可以使所得到之剝離層22之膜厚均一，’ 更可使剝離層22表面更進' —步地平滑。 在本實施形態中所製造之剝離層用糊料，由分散劑以外之成分所 構成之不揮發分之濃度低。因此，以〇 以下之極薄層來形成剝離 層22是可能的。 、 使用藉由本實施形態所製造之剝離層用糊料來形成之剝離層22， 其表面被平滑化。因此，可以使積層時之電極塗膜之表面粗度變小， 抑制積層時之缺陷（構造缺陷）之發生，而可減輕最終所得到之積層陶 瓷電容器2之短路不良。 2030-732l-PF;Ahddub 25 1286331 其他實施形態 以上，對於本發明之實施形態作一說明，但本發明並不僅限定上 述之貫施形態，可以在不逸脫本發明之要旨之範圍内作各種之改變。 例如，本發明之方法，並不僅限於積層陶瓷電容器之製造方法， 也可作為其他之積層型電子零件之製造方法來適用。 接著層28之形成方法，並不限定於轉寫法，不將接著層用糊料塗 布於作為第2支持板片之載片26之表面，而直接塗布於生胚板片1〇a 上，使其乾燥來形成接著層28也可。
積，體單位之積層方法，係如第6圖所示，也可事先將載片2〇從 積層體單位Ula嶋，在外制生胚板片30(將沒有形成電極層之生 胚板片複數積層之較厚之積層體）上，形成積層體單位他而積層。 又，積層體單位之積層方法，係如第7圖、第8圖所示，形成積 層體單位後，也可採用將载片2G _之製程。亦即，如第？圖⑴、 第7圖⑻所示，首先，在外層用生胚板片3〇上，將沒有剝離掉載片 20之積層體單位Ula，透過接著層28接著，積層。接著，如第7圖⑹ 所示，將載片20從積層體單位Ula剝離。接著，如第8圖⑷〜第8圖 (〇所示，同樣的，在積層體單位Ula上，將另一積層體單位⑽，透 過積層體單位勵之接著層28，接著，積層。然後，藉由重複此第8 圖⑷〜第8圖⑹所示之製程，來積層複數之積層體單位。接著，在此 積層體之上面，積層外層用生胚板片，進行最終加壓，之後，將 體切斷成既定尺寸，而可形成生胚晶片。又，在採用第7圖、第^ 所示之製程之情況中，藉由使接著層28之接著力較剝離層22之黏著 力強，可以使載片20選擇性的並且容易剝離，所以特別有效。 【實施例】 ’但本發明並不限定於 以下，根據更詳細之實施例來說明本發明 這些實施例。 實施例1 剝離層用糊料之製作 添加物懸浮液之製作 2030-7321-PF;Ahddub 26 1286331 乾燥’來形成生胚板片，而得到具有電極層12a以及空白圖樣層24之 生，板片10a。塗布速度為5〇m/min•，乾燥係使用爐内溫度為8〇。〇之 乾燥爐來進行。使生胚板片在乾燥時之膜厚成為丨，來形成。 接著層之形成、接著層之轉寫 、首先，準備另—PET薄膜（第2支持板片），在此PET薄膜上，將 上，之接著層用糊料，藉由切割塗布機塗布，接著，藉由乾燥而形成 接著層。塗布速度為7〇m/min·，乾燥係使用爐内溫度為8〇〇c之乾燥爐 來進行。使接著層在乾燥時之膜厚成為1//m來形成。又，上述第2支 持板片，係不同於第1支持板片，使用在表面上施以藉由氧化石夕系樹 脂之剝離處理之PET薄膜。 接著，在所製作之具有電極層12a以及空白圖樣層24之生胚板片 上’藉由第3圖所示之方法，轉寫接著層28，形成積層體單位. ^寫時，係使用-對之滾輪，其加壓力為〇.胳，轉寫溫度為㈣， 轉寫速度為2m/min，可確認到轉寫可良好地進行。 生胚晶片之製作 首先 胁度成形為10_之複數片之外層用生胚板片，使声 ㉟來積層，形錢成後成為積層電容器之蓋^ :(盍子層）之外層。又，在外層用生胚板片上，使用在上述所製造之 生胚板片驗料，形成乾燥後之厚度為1Q/nn之生胚板片。 接著，在其上，藉由第3圖、第4圖所示之方法，積層 =所製造之積層體單b更在其上，將厚度成形為 之 之外層用生胚板片，使積層時之厚度能形成約5_來積#， =成為積層電容器之蓋部分（蓋子層）之外層4後，將^ ‘ =體以1。嶋以抓之條件加壓成形，之後，藉由蝴加」二 斷’來得到燒成前之生胚晶片。 積 燒結體之製作 接著，將最_層體轉成岐尺寸，絲絲結 以及退火（熱處理），製作晶片形狀之燒杜 屍成 ^ ： 50t/^ ^ ： 240〇c . 5 保得時間·8小時、氣氛氣體： 2030-7321-PF;Ahddub 34 1286331 行=t在升溫速度：3GGt/小時、保持溫度·· 、 二2小時、冷卻速度:3〇(rc/小時、氣氛氣
之N畜乂 L 時、氣氛氣體：控制在露點2〇〇C t /進行。订。又，氣巩氣體之加濕’係使用加濕器，在水溫為卜75 ’將In-Ga合 ，而得到第1 接著，將晶片形狀之燒結體之端面藉由喷砂研磨後 金糊料塗布於端部’之後，藉由進行燒成形成外部電極 圖所示之構成之積層陶瓷電容器之試料。
短路不良率之測定 短路不良率’鮮備5G個電容輯料，調細定發生短路不良之 具體而5，係使用絕緣電阻計（惠普公司製E2377A多用電表） =定電阻值’以電阻值撤—下之試料為短路不良試料，對於全測 疋试料’短路不良試料之比率為短路不良率^在本實施财，短路不 良率為10%以下之情況為良好。其結果，短路不良率，係如表1以及 表2所示，除了試料6以外，其餘皆為1〇%以下，可得到良好之結果。 如此’短路不良率少，應該是因為電極層基底之剝離層表面狀^良好 之故。亦即，藉由可以使電極層表面之粗度小，可確認到可大&減低 電容器試料之短路不良率。又，試料6之短路率會變成1〇〇% ^該是 因為剝離層中之黏結劑量過多，其結果，在燒成時發生内部龜裂，而 產生脫層所造成的。 比較例2 剝離層之形成，除了使用比較例1之剝離層用糊料（表1之試料 Ό來進行之外，同於實施例4，得到積層陶瓷電容器之試料。然後， 同於實施例4，測定短路不良率。其結果，短路不良率為8〇%，可確認 到實施例4之有意義性。 “ 【圖式簡單說明】 第1圖係與本發明之一實施形態有關之積層陶瓷電容器之概略剖 2030-7321-PF;Ahddub 35 1286331 - 面圖。 •、第2圖（A)〜第2圖（c)係表示與本發明之一實施形態有關之電極声 乂及生胜板片之形成方法之重要部份剖面圖。 第3圖（A)〜第3圖（c)係表示與本發明之一實施形態有關之接 . 之形成方法之重要部份剖面圖。 θ 4圖（A)、第4圖（B)以及第5圖（A)、第5圖（B)係表示與本發 實施形態有關之具有電極層之生胚板片之積層方法之重^部ς 1 第 / 明之一 剖面圖 第6圖（Α)、第6圖（Β)係表示與本發明之其他實施形態有關之具 •有電極層之生胚板片之積層方法之重要部份剖面圖。 /、 第7圖（Α)〜第7圖（C)以及第8圖（Α)〜第8圖（C)係表示與本發明 之其他實施形態有關之具有電極層之生胚板片之積層方法之重要部份 剖面圖。 第9圖（Α)係表示實施例1之剝離層之表面狀態之SEM照片，第9 圖（B)係表示比較例1之剝離層之表面狀態之兕从照片。 第10圖（A)係表示形成於實施例1之剝離層表面之電極層或空白 圖樣層表面之粗度曲線。 第10圖（B)係表示形成於比較例1之剝離層表面之電極層或空白 圖樣層表面之粗度曲線。 第11圖係表示在本實施形態中為進行高壓分散處理，較佳之使用 濕式噴射研磨之一例之概念圖。 【主要元件符號說明】 2〜積層陶瓷電容器；4〜電容器本體； 6、8〜外部電極； 1〇〜介電體層； 10a〜生胚板片； 12a〜内部電極層； 12〜既定圖樣之電極層；20〜載片； 22〜剝離層； 24〜空白圖樣層； 26〜載片； 28〜接著層； 2030-7321-PF;Ahddub 36 1286331
30〜外層用生胚板片；50〜空白圖樣部分； 100〜濕式喷射研磨機；Ula、Ulb、Ulc〜積層體單位； 101〜壓力容器； 102、103〜流入流路； 104、105〜喷嘴； 106〜合流部； 107〜流出流路。 2030-7321-PF;Ahddub 37

Claims (1)

  1. ltoHW^57irriT^~ 年月日修(幻正替換頁 ,¾¾ 27093號申請專利範圍修正本 ^ 十、申請專利範圍： .件，5種H層Λ糊料之製造方法，製造祕製造積層型電子零 分散劑=揮好濃度為3。重量似上之丨趙雜之製:「劑以及 • 對讀1次料液添加黏結劑漆溶液來稀釋前述1次懸浮液，準 ==Γ15重量%以下，且前述黏結劑之含有量相對: • ，重量份為12重量份以上之2次懸浮液之製程；以及 】JtTV二懸浮液施以濕式喷射研磨，對於前述2纷浮液施加 1· 5x10 1· 3xlG (ι/s)之剪切速度之高壓分散處理製程。 鲁 ―2·如申請專利範圍第1項之剝離層用糊料之製造方法，其中，前 述高壓分散處理係在8Q〜2_Pa之壓力以及働._之流速 述2次懸浮液互相衝突之方法來進行。 3· -種剝離層用糊料之製造方法，製造用於製造積層型電子 件，包括： 準備包含平均粒徑為〇· i，以下之陶兗粉末、黏結劑以及分散劑 之不揮發分濃度為30重量％以上之1次懸浮液之製程； 對6前述1次懸浮液施以濕式喷射研磨，對於前述丨次懸浮液施加 1.5x10〜1.3xl07(I/s)之剪切速度之第丨高壓分散處理製程； • 對刖述第1冋慶分散處理後之懸浮液添加黏結劑漆溶液來稀釋前 述第1高j分散處理後之懸浮液，準備前述不揮發分濃度為15重量％ 以下，且前述減劑之含有量相對於前義錄末⑽重量份為12重 量份以上之2次懸浮液之製程；以及 對前述2次懸浮液再度施以濕式喷射研磨，對於前述2次懸浮液 施加1·5χ106〜1.3xl〇7(】/s)之剪切速度之第2高壓分散處理製程之剝 離層用糊料之製造方法。 4·如申清專利範圍第3項之剝離層用糊料之製造方法，其中，前 述第1以及第2高壓分散處理係在8〇〜2〇〇MPa之壓力以及4〇〇 63〇m/s 之流速，使則述1次以及2次懸浮液互相衝突之方法來進行。 ·. 2030-7321-PF1 38 1286331 Γ 二：專利範圍第w-項之剝JsSir1 蝴，城於前娜粉 6· 一種積層型電子零件之製造方法，包括·· 1支持板片之表面上形成G.2_以下之剝離層之製程· 離層之表面上以既定圖樣來形成電極層之製程；， 片之製=極層表面上形成生胚板片，而得到具有電極層之生胚板 ====;板片，來形成生胚晶片之製程;以及 其特徵在於： 使用藉由前述申請專利範圍第j至 剝離層用糊料來作為形成前述剝離層用之剝離層用=方法所製造之
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