TWI286355B - Apparatus and method for treating a substrate electrochemically while reducing metal corrosion - Google Patents

Description

1286355 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關積體電路製造之領域，更詳今+ y σ ’ 係有 關在基板上沉積金屬及/或從基板移除金屬之各種樂生步 驟的過程中，以電化學方法處理基板者。 【先前技術】 積體電路（ic)之多層互連技術中所使用的材料為、薄+ 導體及薄膜絕緣體。為了製造導電薄膜，已廣泛地以叙和 紹合金結合作為絕緣體之二氧化矽（Si〇2)一起使用。為了 進一步提升裝置性能，就1C的信號傳輸延遲及功率消耗而 言，可結合低k介電材料的銅現在越來越普遍取代鋁和二 氧化矽。此外，銅技術之應用會導致所需要的金屬化層: 數減少。在製造多層互連系統方面，電鍍和無電鍍覆形式 之鑛覆及反向製程，亦稱為電拋光製程，已成為廣泛❹ 的金屬沉積/移除技術。 為了獲得金屬層所要求的品質，典型係於電化學金屬 鐘覆製程巾❹各種化H在絲城覆金屬所使用的 許多電解液之中，無機酸係作為鑛覆溶液之主要成分。硫 酸或嶙酸細各種濃度廣泛地使用。不論所供應的硫酸和 碟酸的漠度，已知硫酸和砩酸會敍刻銅。當半導體基板上 所形成之金屬區域處可輕易地得到氧時，會進一步提高姓 刻速率’如同在習知鐘覆制 級復裏知中由於周圍空氣含有的氧所 導致的情形一樣。 由於氧、二氧化硫（可微量存在於周圍環境中）及水（包 (修正本）92358 5 1286355 3在以水稀釋的酸中)的存在，可能會發生在半導體基板上 所形成之金屬顯著程度的氧化及褪色。這種情況在後續輸 '儲存冲洗和清洗動作（其所有動作都在潮濕條件下， 2 口之在促使銅氧化及褪色的條件下進行）的過程中，甚至 曰更惡化。而對於進行相當類似電鍍的電拋光製程（但其中 的離子流為&向者）之含銅基板也有㈣的情形。 由於銅越來越普遍用於半導體製造，而且如上所述， 由於曝露的銅表面具有容易和氧反應形成腐钱及趟色的傾 向因此這種腐蝕及褪色並且可能會傾向於損害所得到表 面的品質或是對於後續製程步驟有不利的影響。有鑑於上 述内谷’纟+導體基板上鍍覆及電拋光銅顯然&完成之後 的積體電路之可靠度的關鍵。 因此，存在著對於在不過度降低表面品質的情況下， 形成和處理金屬層（特別是銅層）之裝置與方法的需求。 【發明内容】 本發明係針對減少與鍍覆及/或電拋光含金屬基板之 如之中及之後的暴露金屬表面接觸之氧及二氧化硫的量 之方法與I置。ϋ由顯著降低在欲處理或欲以其他方法處 理之基板的整個表面上之氧及/或二氧化硫的分壓，可降低 暴露金屬表面與這些反應性周圍成分發生化學反應的機 率。 根據本發明之一具體實例，電化學方法處理基板之處 理工具包括-鍍覆反應器及一包圍該鍍覆反應器之罩蓋， 該罩蓋係定義出含有内部氣體氣氛（gas atm〇sphere)之内 (修正本）92358 6 1286355 體積。藉此，係配詈与·置， 置4罩座以貝質上避免與周圍大氣的氣 體交換。 根據本發明之另一具體實例，電化學方法處理基板之 處理工具包括-鍍覆反應器及一供氣系統，該供氣系統係 配置將惰性氣流（flow of inert gas)提供至該鐘覆反應器， 以減少該鍵覆反應器中氧濃度及二氧化疏濃度之至少其中 之一。 根據本發明之另一具體實例，電化學方法處理基板之 方法包括提供配置用以電化學方法處理基板之處理工具。 其次’形成圍繞該基板之氣體氣氛，其中該氣體氣氛比圍 繞該處理工具的周圍大氣具有較低的氧濃度。 【實施方式】 本發明之說明具體實例敘述如下。為了清楚起見，並 非全部貫際實施的特徵均見述於本說明書中。當然應瞭解 在任何XI類貫際具體實例的開發中，必須做出許多特定實 施上的決定以達到開發者的特定目標，例如遵守與系統有 關和與商業有關的限制，這些限制會因實施方式而異。再 者，應瞭解雖然這類開發的努力可能既複雜又費時，不過 對於熟習此項技術者而言仍然可能是一項得以獲致本揭示 内容之效益的例行工作。 在下述中’參考第1圖更詳細敘述銅鍍覆和電拋光中 所涉及的化學。然而，除非在後附申請專利範圍中已明確 提出這類限制，否則不應將本發明視為限制在使用銅。 銅在空氣中氧化形成氧化銅已為吾人所熟知。在二氧 7 (修正本）92358 1286355 化碳（C〇2)的存在下，鋼合 - fr仆汰/cn、 T此θ形成所謂的綠色碳酸銅。在 4 ( 2)的存在下，該二氧化硫可能存在於空氣中， :可能會形成硫酸鹽。因此，根據方程式二 = 可能經過各種一 =CU )而為化合物之-部分。這些反應較佳係於氧和 水的存在下發生’而氧和水通常也存在於周圍空氣中。 式 1 〇2 + 2H2〇 + 4e、40H~ 式 la 2Cu 2Cu2+ + 4e~ 式 2 2H+ + 2e- H2 式i表示在所謂的氧腐姓中得到的化學反應。該方程 式表不空氣中存在或水中溶解的氧會導致氧化程序。式！ 中所需要的電子係消耗掉例如式la程序之電子， 成 Cu2+。 第1圖更清楚說明此種情形，其中係描緣所謂的銅電 位與PH值座標圖。該電位與阳值座標圖係將銅，其氧化 物CU2〇和CU〇及銅離子（Cu++)的電化學電位表示為pH值 的函數。該圖表示代表Cu、Cu2〇、Cu〇及Μ的四個個 別區域。這些區域係由表示相鄰區域化合物之平衡狀態的 線所分開。該平衡可沿著該圖中的線而存在於兩種化合物 之間’或是存在於分隔不同對化合物的線之交點四周的三 種化口物之間。式1的氧還原之氧化還原電位也示於第i 圖的電位與PH值座標圖中。在整個pH區域上，氧還原之 氧：還原電位係高於Cu2〇和Cu〇形成為保護層的銅平衡 之氧化還原電位。因此’在氧的存在下，根據 < 丄，取決 8 (修正本）92358 1286355 於PH值\銅會氧化形成氧化鋼（Cu0)或銅離子（Cu++)。 式2係說明另一個可能情形，該式之對應電化學電位 亦示於第1圖之電位與pH值座標圖中。的程序通常 稱為氫腐蝕’係由於將2H+還原為H2而發生。從電化學電 位已知銅比氫更具有惰性。這項事實係藉由第工圖之電位 與PH值座標圖中，式2的氧化還原函數所表示…沿著整 個pH區域2的氧化還原電位曲線係位於元素銅的區 域内部。 經證明銅的氧化程序較佳係於氧和水的存在下發生 3 4CuO + SO2 + 3H2O + 0.5〇2 — CuS04 · 3Cu(OH)2 ο 式 式3表示在二氧化硫^匕）、水和氧的存在下生成苛性 銅。苛性銅在水中具有良好的溶解度。因此，根據式3的 反應移除氧化銅（CuO)保護層可能會造成該銅層進一步的 侵蝕。以類似的方式，在濕氣、氧和二氧化碳（c〇2)的存在 下可能會產生銅的碳酸鹽。 因此在’乂及處理具有曝露銅區域之基板的製程階段 期間’使二氧化硫的量及/或氧的量及/或二氧化碳的量及/ 或濕氣的量減到最少在本發明中極為重要。特別是在電錄/ 電拋光基板中所涉及之製程會持續地產生促使銅表面氧化 的環境條件。 因此，本發明係以產生欲進行需要電化學處理之製程 耘序的基板所需的局部環境的概念為基礎，其中大量減少 二氧化硫及/或氧及/或二氧化碳的量，藉此使式3的平衡 向氧化銅（左侧）移動、並減少式！、1&和2的銅氧化。可利 (修正本）92358 9 1286355 用將實質上惰性的氣體（例如氮、氬等）供給至所考慮的處 /、或至少供給至處理工具的相關部分，形成圍繞欲處 理=基板的實質上惰性的氣氛來達成。藉由形成實質惰性 乳虱，與周圍大氣相比，二氧化硫及/或氧及/或二氧化碳 在整個基板表面上的分壓係顯著降低，並且降低暴露金屬 表面與這些反應性成分發生化學反應的機率。降低該分壓 亦可容許從製程液體（例如電解液，如超純水形態的水等） 私除這些環境氣體至某種程度，在儲存和搬運該製程液體 時’這些環境氣體可能已溶解在該製程液體中。 參考第2a和2b圖，在此敘述本發明之說明具體實例。 在第2a圖中’電化學方法處理基板之處理工具2〇〇之部分 包括鍍覆反應器210，該鍍覆反應器在本實例中可為包含 可旋轉基板夾具211和陽極213之電鍍反應器，該可旋轉 基板夾具211適用於容納及夾住基板212，該陽極具有其 中形成用以在處理基板212時導入電解液的入口 214。此 外’在陽極2 13和基板夾具211之間可配置擴散元件2 i 5。 在本具體實例中，電鍍反應器210代表所謂的噴泉式電鍍 反應器。然而，使用特殊類型的電鍍反應器並非本發明之 必要者，因此根據本發明可使用任何類型的鍍覆反應器， 包括配置用以進行電拋光（亦即反向電鍍程序）的裝置。可 配置鍍覆反應器210以定義出電鍍反應器210操作過程中 包含内部氧體氣氛的内體積216，在習知設備中該内部氣 體氣氛含有實質上對應於周圍大氣的氣體混合物。於一具 體實例中，與習知設備相反，電鍍反應器2 1 0包括配置將 10 (修正本）92358 1286355 惰性氣體（例如氮、氬或稀有氣體等）供給至内體積2〗6的 供氣系統21 7。供氣系統2〗7包括以其一端連接至惰性氣 體來源220及以另一端連接至内體積216之第一供應管線 218。此外，可提供第二供應管線219，其一端連接至内體 積216及其另一端連接至排放源（未圖示）。第一及第二供 應管線21 8、219雖然所圖示為連接至電鍍反應器21〇的上 端部及下端部，但亦可用任何適當的方式加以配置，取決 於處理工具200中用以將惰性氣體饋入内體積216所使用 的鍍覆反應器2 1 0類型。 在操作過程中，惰性氣體（例如氮氣）可由惰性氣體來 源220經由第一供應管線218供給至内體積216之中，在 電鍍反應器210内部形成實質惰性氣氛，藉此顯著減少二 氧化硫和氧的量。應注意本文中所使用的“實質惰性氣體氣 氛”係用以敘述其氧濃度與周圍大氣（通常是無塵室中的大 氣。)之氧濃度偏離至少20%的氣氛，因此其最大氧濃度約為 1 6〇/°，較佳為低於5°/❶，且更佳為低於1 %。隨後，可將基 板212载入電鍍反應器210中並可藉由基板夾具211容納 ，，二。根據處理工具200的類型，可使内體積216之内 P貫貝h性氣氛與周圍大氣接觸，以便進行某種程度量的 氣體交換。 於一具體貫例中，係由供氣系統2 1 7產生某種 程f量的超壓，藉此形成從内體積216向開口（未圖示）的 氣流，由於該氣流而將基板212載入基板夾具211中。依 此方式，使得從周圍大氣導入内體積216的氧和二氧化硫 (修正本）92358 11 1286355 減到最少。可將藉由形成連續氣流之某種程度量的超壓有 利地保持在操作時並未配置使内體積216隔絕周圍大氣而 ^分密封的電鑛反應器210巾。將基板212安置在基板央 /、211上之後’及或許在關閉用於基板傳送至基板夾具2 u 的開口之後，可操作供氣系統218， 線-使其吹洗内體積…進一步減少丄= f入電鍍反應器210期間可能已導入之氧和二氧化硫的 量。接著，開始運轉電鑛反應器21〇，其令與習知設備相 ^ ’該電鍍製程在實質惰性内部氣體氣氛中進行，因此顯 著減，在欲鑛覆於基板212上之銅表面處的腐㈣程。 第孔圖不意地表示具有連接至電鍍反應器210之附加 製程模組的處理工具2〇〇β在第2b圖中，處理工具2⑼還 包括電鍍反應器210下游的沖洗站23〇及沖洗站23〇下游 的錢站250。電鑛反應器21G、沖洗站23()及乾燥站㈣ 係藉由如箭頭261所示之配置以供基板輸送的複數個基板 輪送模組260所連接。處理工具2〇〇還包括定義出内體積 202的罩蓋2()1。於一具體實例中，係配置罩蓋加以實質 防止與關大氣的氣體交換，而在另—具體實例中，罩 蓋201的目的係顯著減少内體積2〇2與周圍大氣的氣體交 換。罩蓋201可包括在個別製程模組與站之間形成某種程 度分隔的複數個擋板203。 於一具體實例中，如第2 b圖所描繪者，供氣系統2 i 7 另外包括配置將惰性氣體供給到至少一部分之製程站 210、230、250及輸送模組26〇的複數個供應管線2〇4。於 (修正本）92358 12 1286355 另一具體實例中，尤其是當罩蓋201隔絕周圍大氣而實質 上完全密封内體積202時，可提供一或多個排放管線（未圖 示）以形成連續氣流。請注意第2b圖所描繪之具體實例僅 為說明用之態樣，在不脫離本發明之範疇的情況下，可進 行許多變化及修飾。例如，根據製程站210、230、250及 輸送模組260的配置，可用許多方式改變擋板203之裝置、 設計和排列。特別是，沖洗站230及乾燥站250係圖示為“開 放”系統，而在另一具體實例中，這些站可包含製程室，該 製程室可具有需要提供額外供應管線（例如供應管線2丨8、 2 1 9)的個別圍壁。此外，輸送模組26〇可包含任何類型的 晶圓搬運裝置，因此可設計擋板2〇3以便容許相鄰製程站 的裝载和卸載作業，同時減少相鄭站與模組之間的氣體交 換。在另一具體實例中，尤其是當沖洗站230及乾燥站25〇 分別包括具有圍壁的製程室時，可完全省略擋板2〇3。 在操作過程中，將具有在參考第2a圖所述之條件下電 鍍之鋼表面的基板212傳送至電鍍反應器21〇下游的製程 模組260。由於實質惰性氣體氣氛係藉由供應管線2〇4在 形成内體積202之中，因此實質上會防止先前已鍍覆銅的 潮濕敏感表面與氧及/或二氧化硫接觸。特別是，基板 典^包括完成鍍覆製程時的電解液薄膜，而内體積2〇2中 勺見貝丨月性氣體氣氛在輸送至沖洗站〇的過程中，可降 低新㈣之銅表面的腐钱機率。由於基板212係於實質惰 f生氣體氣氛中在沖洗站23()及乾燥站謂中處理，沖洗站 23〇及乾燥站250包括在這些製程站之間的輸送，所以在 (修正本）92358 13 ΐ2^6355 鍍覆後製程中也會使銅的腐餘減到最少。 應注意根據製程需求，處理工具2〇〇可包括更多的模 組，如第2b圖所示。例如，沖洗站23〇可代表處理含有精 牷金屬化層之基板所需要的任何清洗站。此外，其他具體 實例，尤其是涉及“濕式，，處理基板212的製程站，可包括 用以持續地減少對應局部氣氛之濕氣的排放管線，例如電 鍍反應器210的第二供應管線21 9。

如第2b圖所示的模組結構，在不過度影響相鄰製程封 與模組之氣體氣氛的情況下，還可分別進出製程站及/或賴 送模組。例如處理工具200的模組配置利用如第一和最後 輪送模組260,在不過度損害剩餘内體積2〇2中之惰性氣 體氣氛的情況下，可容許將基板裝載至處理工具2〇〇或從 該處理工具將基板卸載。 第2c圖示意地表示本發明之另一說明實例，直中處理 工具200之供氣系、统217包括酉己置用以從該惰性_

除氧及/或二氧化硫的反應器221。反應器221可為任何^ 型的化學及/或物理反應器，該反應器包含例如可容許用此 項技術中已為吾人所熟知的方法移除氧及/或二氧化硫之 催化劑。由於主要量的惰性氣體可重新製造及再利：，因 此當處理工具200需要供應大量的惰性氨 曰主& "丨王虱體或是供應相當 吁貝的h性氣體（例如氬或其他稀有氣體）時， 係特別有利。當使用如第2c圖所示的供氣 /、_士、^ 佳係配置罩蓋201使洩漏至周圍 _二 7時，較 少。 乱妁h性氣體減到最 (修正本）92358 14 1286355 第2d圖示意地表示處理工具200的進一步變化。在第 2d圖中，處理工具200包括連接至控制單元270的複數個 感測元件27 1，該控制單元係依序有效連接至包含惰性氣 體來源220之供氣系統217。感測元件271可包括壓力感 測器、氧感測器、二氧化硫感測器等。可將感測元件27 j 提供給一或多個製程站210、230、250及輸送模組260。 可配置控制單元270以接收感測元件271的信號輸出及根 據所接收之感測信號進行程序控制。例如供氣系統2丨7可 包括適當裝置以調整通過供應管線2〇4或供應管線218和 21 9的流體流動。對應裝置在此項技術中已為吾人所熟 知，可包括閥件、泵、風扇等。 接著控制單元270可相應地調整一或多個此等流動調 整裝置，以控制管線2〇4、218、219中的流體流動，藉此 並控制内體積202内部的氣氛。例如，在第一輸送模組26〇 處’例如將基板載入個別製程站或將外部供應之基板載入 處理工具200時，暫時增加流入電鍍反應器21〇的流體， 可有利於有效減少擴散進入電鍍反應器2 1 0中的氧及/或 —氧化硫。同樣也可控制在其他製程站23 0、250及輸送模 、、、260中的貫質惰性氣體氣氛。此外，根據感測元件工 所提供的測量結果控制該實質惰性氣體氣氛，可將供給至 工具200之惰性氣體的量減少至實際上所需要的量， 因而節省資源。 因此，本發明有效提供能降低在電化學方法處理基板 ^如電鑛、電搬光等）所涉及之製程中銅腐飯的機率，其 (修正本）92358 15 1286355 中藉由連續氣流及/或提供罩莫 从^ μ ^ 仏成圍繞該基板的實質惰 性氣體氣氛，該罩蓋係定義出 *〕貫貝〜 體積，該實質惰性氣體氣氛在誃卢挪 ^ 爷卢搜丁目 〇x ^ 工具的内部或至少在 該處理工具之一部分的内部。鱼 的其他製程，例如基板之穿冑7予方法處理基板相關 也最好在貫質惰性氣氛内部 子 ^ Φ. θ ^ 返仃應〉主意可在個別處理工 具申或疋在配置用以實施兩個

整以更多個製程，或甚至是完 2:1矛王％序的處理工具中决# A 仃這些製程，本發明係涵芸 任何類型的處理工具。 ’、^ 應注意雖然參考銅鍍覆爽4 H 又復笊敘述本發明，但本發明之原 理也可輕易地應用在電化學方 甘+一α s有銅以外之金屬的 "〃 I貝惰性氣氛係有利於提升製程品質。 ^述之特定具體實例僅作為說明之用，如同熟習此項 技術者所顯而易見，本發明 、 用不同但卻等效的方式加以 修飾及貫施，而得到本文中 π〗不文中所教不之效益。例如上 步驟可用不同順序加以垂# ll 衣狂 m斤加％& °此外’除了下列申請專利範 圍所述者以外，並；^咅胃^ ^ 不W圖限制本文中所示之架構或設計的 細節。因此顯而易貝以μ - ▲、 上所揭不之特定具體實例可加以改 變=修飾’且此等變化全部均視為在本發明之㈣與精神 的fe圍内故本文所尋求之保護範圍係如下列巾請 圍所提出者。 #Ei 【圖式簡單說明】 多考下歹j A明並結合附圖可瞭解本發明，附圖中 的參照數字等同於相同的元件，其中： (修正本）92358 16 1286355 第1圖表示銅的電位與1?11值座標圖（p〇urbaix diagram)； 第2a圖表不根據本發明之一說明具體實例之電化學 方法處理基板之處理工具之示意圖的簡化部分； 第2b圖示意地表示第2a圖之處理工具的圖，該處理 工具包括電化學方法處理基板中所涉及的其他製程站； 第2c圖表示根據本發明之具有再循環惰性氣體之處 理工具的不意圖；及 第μ圖表示包括第2a圖之處理工具的系統之示意 圖，該系統係容許根據本發明之另一說明具體實例的改進 僵吕本發明可容許各種㈣及替代形式，但已利用 ^中的實例表示及本文詳細說明本發明之料具體實例 二而應瞭解本文中特定具體實例之說明並不意 發明限制在已揭示的特定形式上，但是相反地，並目： 在Γ函蓋落人如後附巾請專利範圍所界定之本發明之精 與料之範圍内的所有修飾、等效及替代方案。胃 【主要元件符號說明】 200 處理工具 202 内體積 204 供應管線 211 基板夾具 213 陽極 215 擴散元件 201 罩蓋 203 擋板 210 鍍覆反應器 212 基板 214 入口 216 内體積 (修正本）92358 17 1286355 217 供 氣 系 統 218 第 一 供 應 管 線 219 第 二 供 應管線 220 惰 性 氣 體 來 源 230 沖 洗 站 250 乾 燥 站 260 送 模 組 261 箭 頭 270 控 制 單 元 271 感 測 元 件 18 (修正本）92358

Claims (1)

1. 第92117062號專利申請案 23

   1286355 拾、申請專利範圍： 一一 一一———j 1 · 一種電化學方法處理基板之處理工具，包括： 鍍覆反應器； 罩盍’該罩蓋包圍該鑛覆反應器以定義出含有内部 氣體氣氛之内體積，其中’：該罩蓋係配置以實質上避免 與周圍大氣的氣體交換；及 控制單元，該控制單元用於控制該内體積中之該内 部氣體氣氛之形成。 2.如申請專利範圍帛i項之處理工具’復包括供氣系統， 其係配置將惰性氣體導入該内體積以便在其中形成實 質惰性氣體氣氛。 復包括輸送模組、 •如申請專利範圍第1項之處理工具， 基板清洗站、基板乾燥站及化學品儲存槽之至少其中之 ，其中，該罩蓋係配置以包圍至少部分該輸送模組、 基板清洗站、基板乾燥站及化學品儲存槽之至少其中之 — 〇 4.::請專利範圍f i項之處理工具，其中，該内部氣體 氣氛包括氮氣及稀·有氣體之至少其中之一。 工具，其中，該供氣系統 用以將惰性氣體供給至該 5 ·如申請專利範圍第2項之處理j 復包括入口管線及排放管線，用 内體積及從該内體積排放氣體。

   除氧和二氧化硫之至少其中之一。 (修正本）92358 19 1286355 第92117062號專利申請案 (96年3月23曰） 7 ·如申请專利範圍篦^ ^ ^ ^ ^ 弟6項之處理工具，其中，該供氣系統 包括複數個入〇答 線’以便將惰性氣體提供至該内體積 内部之一或多個指定位置。 8 ·如申清專利範圍繁 、 弟1項之處理工具，其中，該罩蓋係配 置以便將該内體縫八、— 月足積刀成複數個區間，其中相鄰體積區間 之間的氣體交換係減少的。 9 ·如申δ奢專利範圍繁7 〆班、 弟2項之處理工具，其中，該供氣系統 係配置以便在該你；學 w 鍍復反應盗中形成連續惰性氣流。 10 ·如申請專利範圍第 00 系員之處理工具，復包括連接至該控 制早π之一或多個感測元件。 11 ·如申請專利範圍第 固弟10項之處理工具，其中，該一或多 個感測元件包括氧感測器及壓力感測器之至少其中之 12.如申請專利範圍第11項之處理工具，其中，該處理工 具復包括供氣系統及控制單元，該控制單元係操作上連 ，^供m以控制該供氣系統之操作，以便調整 虱浪度、該内體積中的壓力及通過該供氣系統的氣體流 速之至少其中之一。 1 3 ·種電化學方法處理基板之處理工具，包括·· 鍍覆反應器； 供氣系統，其係配置將惰性氣流提供至該鍍覆反應 器，以減少該鍍覆反應器中的氧濃度及二氧化硫濃度之 至少其中之一；及 控制單元，該控制單元係操作上連接至該供氣系統 (修正本）92358 20 355 第92117062號專利申請案 主3月23曰） 从控制該供氣系統之操作。 參%專利範圍第13項之處理工具，其中，該供氣系 匕括含有氮氣及稀有氣體之至少其中之一的惰性氣 體來源。 衾申明專利範圍第14項之處理工具，其中，該供氣系 ^ 至夕、個氣體出口’其係配置用以在該鍵覆反應 ι时中形成圍繞基板的實質惰性氣氛。 16·:申請專利範圍第13項之處理工具，復包括設置在該 h丨生氣流中之輪送模組'清洗站及乾燥站之至少其中之 —0 17.如申請專利範圍第13項之處理工具包括配置以包 圍至少部分該鍍覆反應器之罩蓋。 如申明專利乾圍第丨7項之處理工具，其中，該罩蓋係 配置以κ貝上防止由該罩蓋所定義之内體積與周圍大 氣的氣體交換，其中該罩蓋包括出π以形成該内體積内 部之該惰性氣流。 19·如申請專利範圍第17項之處理工具，其中，該罩蓋係 配置以包圍至少部分該輸送模組、清洗站及乾燥站之至 少其中之一。 20.-種電化學方法處理基板之方法，該方法包括以下步 驟： 提供配置用以電化學方法處理基板之處理工具； 形成圍繞該基板之氣體氣氛，其中，該氣體氣氛比 圍繞該處理工具的周圍大氣具有較低的氧濃度；及 (修正本）92358 21 ⑽6355 第92117062號專利申請案< (96年3月23日] 測該氣體氣氛，並以該氣體氣 控制該氣體氣氛之形成。 的制為基準而 •如申凊專利範圍第2〇 ^ έ7 4. ^ ^ 其中，形成該氣體氣 汎包括將惰性氣體供給至該基板。 2.如申睛專利範圍第2丨 衽备# 、万套其中，該惰性氣體包 氮乳及稀有氣體之至少其中之一。 23·如申睛專利範圍第2〇 ^ ^ ^ 貝之方法其中，形成該氣體氣 二=供減少該氣體氣氛與周圍大氣的氣體交 、之罩盍以定義出内體積。 利範圍第2〇項之方法，其中，積測該氣體氣 :包括债測該氣體氣氛之遂力、氧濃度及二氧化硫濃度 之至少其中之一。 25.如申請專利範圍第24項之方 貝 < 万去，其中，以該氣體氣氛 0 — 1準㈣㈣氣體氣氛之形成包括以該氣體 氣氛之壓力、氧濃.度及二氧化硫濃度之至少其中之一的 偵測為基準，控制該氣體氣氛之形成。 (修正本）92358 22