TWI285769B - Regeneration method of liquid crystal display device - Google Patents

Description

1285769 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關液晶顯示裝置之玻璃基板的再現方法， 其特徵爲··從其表面上依序形成有選自黑格陣膜、濾色膜 、表塗膜、ITO膜、聚醯亞胺膜、金屬膜、合金膜、氧化 膜、氮化膜及密封劑膜之至少一以上的玻璃基板，選擇性 去除一或多數之膜。 【先前技術】 液晶顯示裝置具配置有透明電極、偏光板等之二以上 玻璃板，該玻璃板間夾置液晶物質。於是，賦予該透明電 極電荷，即可因該液晶物質之轉向，穿透光之偏光方向亦 變動，利用偏光板，控制光之穿透/非穿透。於細分化之 區域作上述控制，即可作文字、影像之顯示。液晶顯示裝 置更具有，用以作電荷控制之薄膜電晶體（TFT)，用以使 文字、影像著色之彩色濾光片等。 第1 2圖係呈示液晶顯示裝置之一例的構造之剖視圖。 該例中，位於光之射入側的玻璃基板1 1，及位於光之 射出側的玻璃基板1係相向配置。 於玻璃基板1之一面係形成有格子狀或帶狀之黑格陣 膜（下稱BM膜）2，該BM膜2之格子上或帶上形成具紅（R)、 綠（G)、藍（B)各色之濾色膜（下稱CF膜）3。並且，CF膜3之 上形成有透明樹脂所成之表塗膜（下稱0C膜）4。而BM膜2 通常係由金屬及/或金屬氧化物或合成樹脂所成’ CF膜3係 -6- (2) (2)1285769 由例如丙烯酸共聚物系彩色樹脂所成。而該0C膜4表面上 依序形成有，透明電極ITO膜（銦錫氧化物）5，及用以排列 液晶分子群於一定方向之定向膜聚醯亞胺膜（下稱PI膜）6 。玻璃基板1之另一側形成有偏光膜7。如該玻璃基板1， 依序形成一或多數BM膜2 、CF膜3 、0C膜4 、：[TO膜5 及PI膜6之玻璃基板，在以下之本說明書中稱作彩色濾光 片側玻璃基板。 於玻璃基板1 1之一面，隔特定間隔形成有TFT元件12 。TFT元件12之表面上依序形成有ITO膜15及PI膜16。該 TFT元件12多採用反交錯a-Si TFT，而反交錯^8丨TFT有 通道保護型及通道邊緣型二類。 玻璃基板1 1之另一面形成有偏光膜1 7。 如該玻璃基板11，依序形成一或多數TFT元件12， IT 0膜1 5及PI膜16之玻璃基板，在以下之本說明書中稱作 TFT元件側玻璃基板。 PI膜6與16之間封入有液晶8，爲調整、維持該PI膜6 與16之間隔，於PI膜6與16之間配置有間隔物9。 液晶顯示裝置中，通常在從該玻璃基板11之液晶8側 之反側以持光照射之狀態下，ITO膜5及15之間對應於影像 施加電壓變化液晶8之排列，藉光的穿透/非穿透之控制’ 即可顯示影像。 上述之彩色濾光片側玻璃基板及TFT側玻璃基板，惟 有符合特定品質標準者方才採用於液晶顯示裝置。該品質 標準高，無法符合品質標準即無法用於液晶顯示裝置，經 (3) 1285769 廢棄處置者所在多有。因而，由該廢棄處置物全部去除形 成在玻璃基板上之各膜，或僅去除不符品質標準之部份， 將玻璃基板再現，將該再現物再度利用於彩色濾光片側玻 璃基板及TFT側玻璃基板等之製造。 又，對T F T側玻璃基板，爲製造裝置之維修等停止製 造後，再開始連續製造之前，首先使用成膜條件設定用玻 璃基板（下稱模擬基板）作製造，確認製造裝置之各設定條 件。該模擬基板係使用，於玻璃基板全面形成金屬膜及合 金膜（Ta、Mo、W、Ti、Cr、A1等，及其合金）、氧化膜 (SiOx、Ta205、Al2〇3、ITO)、氮化膜（SiNx)等所成之單層 膜或層合膜，PI膜等，或以密封劑沿圖型塗布者。通常， 該模擬基板不成爲產品，多係用於同目的一或多次後廢棄 。因而，須由該廢棄之模擬基板全部或部份去除所形成之 各種膜等，再現玻璃基板。 發明所欲解決之課題 向來，由玻璃基板去除各種膜等，係使用剝離液。例 如，由Cr製之BM膜、CF膜及ITO膜3者之彩色濾光片側玻 璃基板’全部或部份去除此等膜時，係將該彩色濾光片側 玻璃基板浸浸於表1所示之剝離液槽。 (4) (4)1285769 表1 膜之種類 剝 離 液 硝 酸 姉 銨 與 硝 酸 之 混 合 液 Ci*製BM膜 硝 酸 鈽 銨 與 過 氯 酸 之 混 合水 溶液 含 全 氟 燒 基 酸 之 王 水 CF膜 驗 性 水 溶 液 含 全 氟 烷 基 酸 之 可 性 鈉 水溶 液 鹽 酸 與 硝 酸 之 混 合 液 氯 化 鐵 與 鹽 酸 之 混 合 液 ITO膜 稀 鹽 酸 含 鋅 粉 之 鹽 酸 碘 化 氫 與 磷 酸 之 混 合 液 但以該方法去除種種膜時，有例如下述之問題。 (1) 僅只ITO膜之品質不符時，無法不損傷CF膜而僅 去除ITO膜。 (2) 同時去除CF膜及ITO膜時，無法壓低BM膜及玻璃 基板之侵蝕量，例如使一次之處理中，玻璃基板之侵刻量 在5奈米（50埃）以下。 於是，上述三膜以外，對形成有〇C膜及PI膜之彩色濾 光片側玻璃基板，亦去除品質不符標準之部份的膜或全部 膜，以謀玻璃基板之再現，可不損傷應予保留之膜，玻璃 基板，再現玻璃基板之剝離液尙未得見。 又，於TFT側玻璃基板及模擬基板，一般亦浸入剝離 -9- (5) (5)1285769 液槽以去除TFT元件，特定膜或密封劑，但使用習知剝離 液時，如同彩色濾光片側玻璃基板，有傷及欲予保留之膜 ，侵蝕玻璃基板等之問題。 【發明內容】 本發明係鑑於以上實情，其目的在提供，使用特定之 剝離液，可僅選擇性去除不符品質標準之一或多數膜，不 傷及應予保留之膜，無侵蝕玻璃基板等問題的液晶顯示用 彩色濾光片側玻璃基板，TFT側玻璃基板及模擬基板等之 玻璃基板的再現方法。 更具體而言，本發明之目的在提供以下（1)至（7)之玻 璃基板的再現方法。 (1) 玻璃基板正面有PI膜，其下有ITO膜形成時，用 含中性有機溶劑，或中性有機溶劑及多元醇及/或水之溶 液，可不損傷ITO膜底下之膜，僅去除PI膜之彩色濾光片 側玻璃基板及TFT側玻璃基板的再現方法。 (2) 玻璃基板正面有ITO膜，其下有0C膜及/或CF膜 形成時，用含鹵素系無機酸或有機酸，或此等及多元醇之 水溶液，可不傷及0C膜底下之膜，僅去除IT 0膜的彩色濾 光片側玻璃基板之再現方法。 (3) 玻璃基板正面有0C膜，其下有CF膜及BM膜形成 時，用含無機酸之水溶液，有機或無機鹼性水溶液，可不 傷及BM膜及玻璃基板，去除0C膜及CF膜之彩色濾光片側 玻璃基板的再現方法。 -10- (6) (6)1285769 (4) 於玻璃基板形成有金屬及/或金屬化合物製之BM 膜時，使用無機酸、有機酸或含硝酸鈽銨之水溶液，可不 侵蝕玻璃基板，去除BM膜之彩色濾光片側玻璃基板的再 現方法。 (5) 形成有ITO膜，TFT元件時，使用無機酸、有機 酸或含硝酸鈽銨之水溶液，可完全去除形成之膜的TFT側 玻璃基板之再現方法。 (6) 其特徵爲：玻璃基板上形成有PI膜、ITO膜、金 屬膜、合金膜、氧化膜及氮化膜之一或多數時，利用中性 有機溶劑，或含中性有機溶劑及多元醇及/或水之溶液浸 泡玻璃基板去除PI膜，利用鹵素系無機酸或有機酸，或含 此等及多元醇之水溶液浸泡玻璃基板去除ITO膜，以無機 酸、有機酸或含硝酸鈽銨之水溶液浸泡基板，去除PI膜及 ITO膜以外之膜，可不侵蝕玻璃基板去除所有膜的模擬基 板之再現方法。 (7) 於玻璃基板形成有密封劑膜時，用含無機酸或有 機酸之水溶液，可不侵蝕玻璃基板，僅去除密封劑的模擬 基板之再現方法。 用以解決課題之手段 第一發明係在提供其特徵爲：從依序形成有BM膜、 CF膜、〇C膜' ITO膜及PI膜之一或多數的玻璃基板之形成 膜側的外層側，用特定剝離液選擇性去除該膜之一或多數 的玻璃基板之再現方法。在此，BM膜係用以作彩色濾光 -11 - (7) (7)1285769 片間各色之遮光，通常係形成格子狀或帶狀，但不限於此 。CF膜係由R、B、G各色之濾色膜所成，係形成於玻璃基 板上以顯示特定色，爲落實各色濾色膜間之遮光，以如第 12圖所示，搭於BM膜而形成爲佳。0C膜係爲被覆該CF膜 之表面而設，ITO膜係爲用作透明電極，PI膜係爲使液晶 定向而設之定向膜。第一發明之玻璃基板，可係通常之液 晶顯示裝置用彩色濾光片側玻璃基板。第一發明之玻璃基 板可僅形成有選自BM膜、CF膜、0C膜、ITO膜及PI膜之 一，亦可依序形成有多數膜。或亦可依序形成所有之BM 膜、CF膜、0C膜、ITO膜及PI膜。 從第一發明中如此形成之膜的外層側膜，選擇性去除 一或多數膜。結果可僅去除不符品質標準之一或多數膜， 在保留合乎品質標準之膜的狀態下可再現玻璃基板，故可 有效再利用於液晶顯示裝置用玻璃基板之製造等。 第二發明係其特徵爲：將外層側爲PI膜之形成有PI膜 及ITO膜之玻璃基板，浸泡於含選自碳原子數4至10之環酯 及碳原子數3至1 0之羥基經取代之脂族醚的至少其一之有 機溶劑，或含該有機溶劑及多元醇及/或水之溶劑，選擇 性去除該PI膜的該玻璃基板之再現方法。藉該第二發明之 再現方法，可對ITO膜不產生造成電阻値變化之損傷及污 染，而僅選擇性去除PI膜。該第二發明適用之玻璃基板有 ，液晶顯示裝置用彩色濾光片側玻璃基板及TFT側玻璃基 板，若外層側係PI膜時，具有PI膜、ITO膜以外之膜或元 件者亦可。 -12- (8) (8)1285769 碳原子數4至10之環狀酯及碳原子數3至10之羥基經取 代之脂族醚係中性有機溶劑，其例如r - 丁內酯、甲基溶 纖劑等。浸泡玻璃基板之溶劑係以r - 丁內酯、甲基溶纖 劑及此等之混合溶劑爲佳，尤以含τ -丁內酯50重量％以 上之溶劑爲佳。 第三發明係其特徵爲：將外層側爲ITO膜之形成有ITO 膜及〇C膜及/或CF膜之玻璃基板，浸泡於（1)含一以上選自 氫溴酸、氫碘酸及氯磺酸之鹵素系無機酸之水溶液，（2) 含一以上選自草酸、乙酸及甲酸之有機酸之水溶液，或 (3)含該鹵素系無機酸或有機酸及多元醇之水溶液，選擇 性去除該ITO膜之玻璃基板的再生方法。 藉該第三發明之再現方法，可於CF膜無造成穿透率及 色度變化等之損傷，僅選擇性去除ITO膜。該第三發明適 用之玻璃基板有液晶顯示裝置用彩色濾光片側玻璃基板， 若係外層側爲1丁〇膜者，則具CF膜、ITO膜、OC膜以外之 膜亦可。 第四發明係其特徵爲：將外層側係OC膜，形成有OC 膜、CF膜以及含金屬及/或金屬氧化物之BM膜之玻璃基板 浸泡於（1)含選自鹽酸、硝酸、硫酸及磷酸之一以上的無 機酸水溶液，或（2)含選自N-甲基-2-吡咯烷酮、氫氧化四 甲銨、氫氧化鉀、氫氧化鈉及肼之一以上的鹼性水溶液’ 去除該BM膜以外之例如OC膜、CF膜之玻璃基板的再現方 法。 藉第四發明之再現方法，可不損傷該BM膜及玻璃基 -13- (9) (9)1285769 板，去除0C膜、CF膜等其它膜。該第四發明適用之玻璃 基板有液晶顯示裝置用彩色濾光片側玻璃基板。 第五發明係其特徵爲：將僅形成有含金屬及/或金屬 氧化物的BM膜之玻璃基板浸泡於（1)含選自鹽酸、硝酸、 硫酸、磷酸、氯磺酸、草酸、乙酸及甲酸之至少其一的水 溶液，或（2)含硝酸鈽銨液之水溶液，去除該BM膜之玻璃 基板的再現方法。 藉第五發明之再現方法，可不侵蝕玻璃基板，僅去除 BM膜。該第五發明適用之玻璃基板有液晶顯示裝置用彩 色濾光片側玻璃基板。 第六發明係在提供，其特徵爲：從依序形成有TFT元 件、IT〇膜及PI膜之一或多數之玻璃基板，形成膜及元件 之側的外層側，用特定剝離液，選擇性去除該膜或元件之 一或多數的玻璃基板之再現方法。在此，TFT元件可係通 常用於液晶顯示裝置等之薄膜電晶體，ITO膜及PI膜係各 同於上述第一發明中之ITO膜及PI膜。 第六發明之玻璃基板，係通常用作液晶顯示裝置用之 TFT側玻璃基板者。 第六發明中係由如此形成之膜的外層側，選擇性去除 其一或多數。結果，可僅去除品質不符標準之一或多數膜 ’在保留品質合乎標準之膜或元件的狀態下，再現玻璃基 板’故可有效再利用於液晶顯示裝置用玻璃基板之製造等 〇 第七發明係其特徵爲：將外層側係IT〇膜，形成有IT〇 -14 - (10) (10)1285769 膜及TFT元件之玻璃基板，或外層側爲ITO膜，形成有1丁〇 膜，TFT元件以及選自金屬膜、合金膜、氧化膜及氮化膜 之一以上的玻璃基板，浸泡於（1)含選自鹽酸、氫溴酸、 氫碘酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯磺酸、草酸、乙酸及甲酸 之至少其一的水溶液，或（2)含硝酸鈽銨之水溶液之玻璃 基板的再現方法。 藉該第七發明之再現方法，可不侵蝕玻璃基板，去除 所有上述之膜。該第七發明適用之玻璃基板有，液晶顯示 裝置用TFT側玻璃基板。 第八發明係在提供，其特徵爲：從依序形成有PI膜、 ITO膜、金屬膜、合金膜、氧化膜、氮化膜及密封劑膜之 一或多數的玻璃基板之形成膜之側的外層側，用特定剝離 液，選擇性去除該膜之一或多數的玻璃基板之再現方法。 在此，ΙΤΟ膜及ΡΙ膜各係同於上述第一發明之ΙΤΟ膜及ΡΙ膜 〇 第八發明之玻璃基板係通常用作液晶顯示裝置之製造 用的模擬基板者。 第八發明中，從如此形成之膜的外層側，選擇性去除 其一或多數。結果，可僅選擇性去除品質不符標準之一或 多數之膜，在保留品質合乎標準之膜的狀態下再現模擬基 板，故可有效再利用作模擬基板。 第九發明係形成有ΡΙ膜、ΙΤΟ膜、金屬膜、合金膜、 氧化膜及氮化膜之一或多數的玻璃基板之再現方法，其特 徵爲：包括（1)浸泡該玻璃基板於含選自碳原子數4至10之 -15- (11) (11)1285769 環酯及碳原子數3至10之羥基經取代之脂族醚之至少其一 之有機溶劑，或含該有機溶劑及多元醇及/或水之溶劑， 以去除PI膜之過程，（2)浸泡該玻璃基板於含選自鹽酸、氫 溴酸、氫碘酸及氯磺酸之一以上的鹵素系無機酸之水溶液 ，含選自草酸、乙酸及甲酸之一以上的有機酸之水溶液， 或含該鹵素系無機酸或該有機酸，及多元醇之水溶液，去 除ITO膜之過程，以及（3)浸泡該玻璃基板於含選自鹽酸、 硝酸、磷酸、氯磺酸、草酸、乙酸及甲酸之至少其一的水 溶液，或含硝酸鈽銨之水溶液，去除PI膜及ITO膜以外之 膜的過程之至少一過程。 第九發明之玻璃基板通常係用作液晶顯示裝置製造用 之模擬基板者。 第九發明中，可不侵蝕玻璃基板，去除所有不符品質 標準之膜。 第十發明係其特徵爲：將僅形成有密封劑之玻璃基板 ，浸泡於含選自鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯磺酸、草酸 、乙酸及甲酸之至少其一的水溶液，去除該密封劑之該玻 璃基板的再生方法。 第十發明之玻璃基板係通常用作液晶顯示裝置之製造 用的模擬基板者。 第十發明中，可不侵蝕玻璃基板，僅去除密封劑。 【實施方式】 發明之實施形態 -16- (12) (12)1285769 以下藉實施例及圖面具體說明本發明。但實施例並非 用以限定本發明之範圍。 實施例1 第1圖及第2圖係例示液晶顯示裝置之彩色濾光片側玻 璃基板之剖視圖。第1圖係施行本實施例之再現處理前， 彩色濾光片側玻璃基板之剖視圖。而第1圖及第2圖係藉顯 微鏡相片確認之示意圖。此於第3至6圖，及第9至11圖亦 馨 同。 如第1圖，處理前之玻璃基板1，依序形成有BM膜2， CF膜3，〇C膜4， ITO膜5及厚2微米之PI膜6。 將該玻璃基板1，以60 °C、2小時浸泡於注有r -丁 內酯100%)所成之剝離液槽後提起、水洗。然後投入單片 或淸洗機作純水淸洗，及氣刀乾燥。 第2圖係作以上處理後的彩色濾光片側玻璃基板之剖 視圖。第1圖不有PI膜6 ’而％ 2圖不無PI膜6 ’僅選擇性去 除PI膜6。並且確認，於ITO膜5無造成電阻値之變化及污 染等之損傷發生。並確認玻璃基板1未受侵蝕。 實施例2 第3圖及第4圖係例示液晶顯示裝置之彩色濾光片側玻 璃基板之剖視圖。第3圖係施行本實施例之再現處理前彩 色濾光片側玻璃基板之剖視圖。 如第3圖，處理前之玻璃基板I，依序形成有B Μ膜2 -17- (13) (13)1285769 、（:？膜3 、〇C膜4及厚度1000埃之ITO膜5。以40 °C，2 小時浸泡該玻璃基板1於注入氫碘酸、乙二醇及水的重量 比30 /3 0 /40之混合溶劑所成之剝離液槽後提起、水洗。 然後，投入單片式淸洗機作純水淸洗及氣刀乾燥。 第4圖係施行以上處理後之彩色濾光片側玻璃基板之 剖視圖及表面狀態之相片。第3圖示有IT〇膜5，第4圖示無 ITO膜5，僅選擇性去除ITO膜5。並確認，於CF膜3無造成 穿透率及色度變化等之損傷發生。並確認，玻璃基板1未 受侵鈾。 而本實施例之剝離液，亦可取代上述，改用含草酸、 乙酸及甲酸之一或多數及多元醇的水溶液。 實施例3 第5圖及第6圖係例示液晶顯示裝置之彩色濾光片側玻 璃基板之剖視圖。第5圖係施行本實施例之再現處理前的 彩色濾光片側玻璃基板之剖視圖。 如第5圖，處理前之玻璃基板1，依序形成有厚度2000 埃之Ch•製BM膜2，厚度1.5微米之CF膜3及厚度1微米之〇C 膜4 〇 以60 °C，2小時浸泡該玻璃基板1於注入N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)、氫氧化四甲銨（TMAH)及水之重量比30 /3 0 /40的混合溶劑所成之剝離液之儲槽後提起、水洗。然 後投入單片式淸洗機作純水淸洗及氣刀乾燥。 第6圖係施行以上處理後的彩色濾光片側玻璃基板之 -18- (14) (14)1285769 剖視圖。第5圖中可確認BM膜2 、0?膜3及0C膜4 ;第6圖 僅示BM膜2，CF膜3及0C膜4已去除。而玻璃基板1亦確認 未受侵蝕。 第7圖示，附有三種厚度之BM膜2，各重複多次實施 例3之再現處理（以實施例3之剝離液處理）時，BM膜2之厚 度與處理次數之關係。厚度乃從玻璃基板1的BM膜2於特 定位置之厚度以探針式表面粗度計測出之厚度。 第8圖示，多次重複實施例3之再現處理時，BM膜2之 〇D値（光學濃度）與處理次數之關係。0D値係以光穿透濃 度計測定之値。 由第7圖及第8圖知，即使處理次數增加，BM膜2之厚 度及0D値大略固定。由0D値之係固定，知BM膜2未受侵 蝕，由BM膜2自玻璃基板1之厚度係固定，知玻璃基板1未 受侵蝕。 而本實施例之剝離液，可取代上述，改用含選自鹽酸 、硝酸、碳酸、磷酸及氯磺酸之一或多數的水溶液，或含 選自氫氧化鉀、氫氧化鈉及肼之一或多數的水溶液。 又，當BM膜2非Cr製而係樹脂製時，藉上述本實施例 之處理，BM膜2連同CF膜3及0C膜4均可去除。此時，玻璃 基板1可再利用作母玻璃。 形成於玻璃基板1之Ci·製BM膜，可藉浸泡該玻璃基板 1於含選自鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、草酸、乙酸及甲酸 之一或多數之水溶液，或含硝酸鈽銨之水溶液予以去除。 如上示，施行實施例1至3之所有處理，可將第1圖所 -19- (15) 1285769 示之彩色濾光片側玻璃基板之所有膜完全去除。並且， BM膜2及玻璃基板1幾無侵蝕，該玻璃基板1可有效再利用 實施例4 第9圖係液晶顯示裝置的TFT側玻璃基板之一例，係施 行本實施例之再現處理前的剖視圖。 如第9圖，處理前之玻璃基板11依序形成有TFT元件12 ，厚1 000埃之ITO膜15及厚2微米之PI膜16。 如同實施例1選擇性去除PI膜16(此時ITO膜未見受損） ，如同實施例2選擇性去除ITO膜15後，浸泡於80 °C之硫 酸2小時，然後80 °C之磷酸2小時，以剝離TFT元件12 。藉該處理，TFT元件12，ITO膜15及PI膜16即完全由玻璃 基板11去除。並確認基板11未受到侵鈾。 亦即，由本實施例可知，從TFT側玻璃基板，TFT元 件12，ITO膜15及PI膜16均可去除，並且玻璃基板11幾乎 不受侵蝕，故該玻璃基板1 1可有效再利用。 實施例5 第1 0圖係模擬基板之一例，於玻璃基板2 1上形成有金 屬膜1 8。 浸泡該模擬基板於80 °C之硫酸2小時，然後80 °C 之磷酸2小時，可完全去除金膜1 8。並可確認玻璃基板2 1 未受侵蝕。 -20- (16) (16)1285769 而本實施例之剝離液可取代上述，改用含選自草酸、 乙酸及甲酸之一或多數的水溶液，或硝酸鈽銨。 實施例6 第1 1圖係模擬基板之一例，其於玻璃基板2 1上塗布有 經圖型化之密封劑1 9。 浸泡該模擬基板於80 °C之硫酸2小時，然後於80 °C之磷酸2小時，可完全去除密封劑1 9。並確認玻璃基板 2 1未受侵蝕。 而本實施例之剝離液可取代上述，改用含選自草酸、 乙酸及甲酸之一或多數的水溶液。 由上述第九發明之說明可知，於模擬基板形成有PI膜 、ITO膜、金屬膜、合金膜、氧化膜及氮化膜之一或多數 時，例如PI膜可藉浸泡上述玻璃基板於含r -丁內酯及/或 甲基溶纖劑之有機溶劑，或該有機溶劑與水之混合溶劑去 除，ITO膜可藉浸泡於含選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸及氯 磺酸之一以上鹵素系無機酸之水溶液，或含選自草酸、乙 酸及甲酸之一以上有機酸的水溶液去除，PI膜及ITO膜以 外之膜，可藉浸泡於含選自鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯 磺酸、草酸、乙酸及甲酸之至少其一的水溶液，或含硝酸 鈽銨之水溶液去除，所有膜均可從該玻璃基板去除。 亦即，如由以上實施例可知，由模擬基板，金屬膜1 8 、合金膜、氧化膜、氮化膜、ITO膜、聚醯亞胺膜及密封 劑1 9均可去除，且因可幾無玻璃基板2 1之侵鈾，可將該玻 ~ 21 - (17) (17)1285769 璃基板2 1有效再利用。 發明效果 如以上之說明，根據本發明，可將形成於液晶顯示裝 置用之彩色濾光片側玻璃基板，TFT側玻璃基板及模擬基 板之所有膜、元件去除。並且，可僅選擇性去除製程中品 質標準不符之膜及形成之膜，而保留品質合乎標準之膜， 可有效再現液晶顯示裝置用之彩色濾光片側玻璃基板、 TF丁側玻璃基板及模擬基板。 亦即，利用本發明之再現方法，可由製造中之不良彩 色濾光片側玻璃基板、TFT側玻璃基板及模擬基板，僅去 除品質不符標準之膜、元件，加以再利用。並且可由判定 作廢之上述玻璃基板去除所有膜，予以再利用。 更具體之例有，根據第一、第六及第八發明，可僅選 擇性去除不符品質標準之一或多數膜，可在保留品質合乎 標準之膜等的狀態下，有效再利用玻璃基板。 根據第二發明，可不於ITO膜產生造成電阻値變化之 損傷及污染，僅選擇性去除PI膜，亦無玻璃基板之侵蝕。 根據第三發明，可不對彩色濾光片側玻璃基板等之CF 膜有造成穿透率及色度變化之損傷，僅選擇性去除IT〇膜 ，亦幾無玻璃基板之侵蝕。 根據第四發明，玻璃基板幾無侵蝕，可去除品質不符 標準的ΒΜ膜以外之膜。 根據第五發明，玻璃基板幾無侵蝕，可僅去除ΒΜ膜 -22- (18) (18)1285769 根據第七發明，由TFT側玻璃基板，可對玻璃基板幾 無侵蝕，去除所有品質不符標準之膜。 根據第九發明，可幾無玻璃基板之侵鈾，由模擬基板 去除所有品質不符標準之膜。 根據弟十發明，可幾無玻璃基板之侵鈾，僅去除密封 劑。 【圖面之簡單說明】 第1圖本發明實施例1中，再現處理前的彩色濾光片 側玻璃基板之剖視圖。 第2圖本發明實施例1中，再現處理後的彩色濾光片 側玻璃基板之剖視圖。 第3圖本發明實施例2中，再現處理前的彩色濾光片 側玻璃基板之剖視圖。 第4圖本發明實施例2中，再現處理後的彩色濾光片 側玻璃基板之剖視圖。 第5圖本發明實施例3中，再現處理前彩色濾光片側 玻璃基板之剖視圖。 第6圖本發明實施例3中，再現處理後彩色濾光片側 玻璃基板之剖視圖。 第7圖 BM膜厚與處理次數之關係圖。 第8圖 BM膜0D値與處理次數之關係圖。 第9圖本發明實施例4中，再現處理前TFT側玻璃基 -23- (19) (19)1285769 板之剖視圖。 第1 0圖本發明實施例5中模擬基板之剖視圖。 第1 1圖本發明實施例6中模擬基板之剖視圖。 第1 2圖液晶顯示裝置之一例的構造剖視圖。 【符號說明】 1 、11 、21 玻璃基板 2 BM膜 3 CF膜 4 〇C膜 5 、15 IT〇膜 6 、 16 ΡΙ膜 7 偏光膜 8 液晶 9 間隔物 10 光 12 TFT元件 18 金屬膜 19 密封劑 -24-

Claims (1)

1285769 拾、申請專利範圍 第92 1 00647號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國96年3月29日修正 1 . 一種玻璃基板的再現方法，其特徵爲：依序形成 有黑格陣膜、濾色膜、表塗膜、IT Ο膜及聚醯亞胺膜之一 或多數之玻璃基板，由其形成膜側之外層側，使用不傷及 應予保留之膜及玻璃基板之特定剝離液，選擇性去除該膜 之一或多數， 其中於玻璃基板至少形成有聚醯亞胺膜及ITO膜並使 聚醯亞胺膜在外層側，特定剝離液係含選自碳原子數4至 1 〇之環酯及碳原子數3至1 0之羥基經取代之脂族醚之至少 其一之有機溶劑，或含該有機溶劑及多元醇及/或水之溶 劑，浸泡該玻璃基板於該剝離液，選擇性去除該聚醯亞胺 膜。 2. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板的再現方法，其 中碳原子數4至10之環酯及碳原子數3至10之羥基經取代之 脂族醚，係選自r -丁內酯及甲基溶纖劑之一以上。 3. 如申請專利範圍第1項之玻璃基板的再現方法，其 中於玻璃基板至少形成有IT0膜及表塗膜及/或濾色膜而使 ITO膜在外層側，特定剝離液係（1)含一以上選自鹽酸、氫 溴酸、氫碘酸及氯磺酸之鹵素系無機酸之水溶液，（2)含 一以上選自草酸、乙酸及甲酸之有機酸之水溶液，或（3) 含該鹵素系無機酸或該有機酸、及多元醇之水溶液，浸泡 1285769 該玻璃基板於該剝離液，選擇性去除該ITO膜。 4 .如申請專利範圍第1項之玻璃基板的再現方法，其 中於玻璃基板至少形成有表塗膜、濾色膜，以及，含金屬 及/或金屬氧化物之黑格陣膜，並使表塗膜在外層側，特 定剝離液係（1 )含選自鹽酸、硝酸、硫酸及磷酸之一以上 的無機酸之水溶液，或（2 )含選自Ν -甲基-2 -吡略烷酮、氫 氧化四甲銨、氫氧化鉀、氫氧化鈉及哄之一以上的鹼性水 溶液，浸泡該基板於該剝離液，去除該黑格陣膜以外之膜 〇 5 .如申請專利範圍第1項之玻璃基板的再現方法，其 中於玻璃基板僅形成含金屬及/或金屬氧化物之黑格陣膜 ，特定剝離液係（1)含選自鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯 磺酸、草酸、乙酸及甲酸之至少其一之水溶液，或（2)含 硝酸鈽銨之水溶液，浸泡該玻璃基板於該剝離液，去除該 黑格陣膜。 6. —種玻璃基板的再現方法，其特徵爲：由依序形 成有TFT元件、ΙΤΟ膜及聚醯亞胺膜之一或多數之玻璃基 板形成有膜及元件側之外層側，使用不傷及應予保留之膜 及玻璃基板之特定剝離液，選擇性去除該膜或元件之一或 多數， 其中於玻璃基板至少形成有ITO膜及TFT元件而ITO膜 在外層側，或形成有ITO膜、TFT元件以及選自金屬膜、 合金膜、氧化膜及氮化膜之一以上而ITO膜在外層側，特 定剝離液係（1 )含選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硝酸、硫 -2- 1285769 酸、磷酸、氯磺酸、草酸、乙酸及甲酸之至少其一之水溶 液，或（2)含硝酸鈽銨之水溶液，浸泡該玻璃基板於該剝 離液。 7 . —種玻璃基板的再現方法，其特徵爲：由依序形 成有聚醯亞胺膜、ITO膜、金屬膜、合金膜、氧化膜、氮 化膜及密封劑膜之一或多數之玻璃基板，形成有膜之側之 外層側，使用不傷及應予保留之膜及玻璃基板之特定剝離 液，選擇性去除該膜之一或多數， 其中包括（1)浸泡該玻璃基板於含選自碳原子數4至10 之環酯及碳原子數3至1 0之羥基經取代之脂族醚的至少其 一之有機溶劑，或含該有機溶劑及多元醇及/或水之溶劑 ，去除聚醯亞胺膜之過程，（2)浸泡該玻璃基板於含一種 以上選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸及氯磺酸等鹵素系無機酸 之水溶液，含一以上選自草酸、乙酸及甲酸等有機酸之水 溶液，或含該鹵素系無機酸或該有機酸，及多元醇之水溶 液，去除ITO膜之過程，以及（3)浸泡該玻璃基板於含選自 鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯磺酸、草酸、乙酸及甲酸之 至少其一之水溶液，或含硝酸鈽銨液之水溶液，去除聚醯 亞胺膜及ITO膜以外之膜的過程中至少其一過程。 8 .如申請專利範圍第7項之玻璃基板的再現方法，其 中碳原子數4至10之環酯及碳原子數3至10之羥基經取代之 脂族醚，係選自T -丁內酯及甲基溶纖劑之一以上。 9.如申請專利範圍第7項之玻璃基板的再現方法，其 中於玻璃基板僅形成有密封劑，特定剝離液係含選自鹽酸 -3- 1285769 、硝酸、硫酸、磷酸、氯磺酸、草酸、乙酸及甲酸之至少 其一之水溶液，浸泡該玻璃基板於該剝離液，去除該密封 劑。 -4 -