TWI279434B

TWI279434B - Tunable composition and method for chemical-mechanical planarization with aspartic acid/tolyltriazole

Info

Publication number: TWI279434B
Application number: TW093130137A
Authority: TW
Inventors: Junaid Ahmed Siddiqui; Timothy Frederick Compton; Bin Hu; Robin Edward Richards
Original assignee: Dupont Air Prod Nanomaterials
Priority date: 2003-10-10
Filing date: 2004-10-05
Publication date: 2007-04-21
Also published as: JP2008166754A; JP4081064B2; US20050076578A1; TW200513527A; US7153335B2; JP2005167204A

Description

1279434 九、發明說明：發明所屬之技術領域本發明大體上係關於在半導體晶圓上的金屬基材之化學機械研磨方法（CMP)及用於該方法之漿料組合物。具體而言，本發明係關於CMP漿料組合物，無論含不含過氧化氫都可保持長時間安定，即使在酸性條件下亦同，又該組人物的特徵包含使含銅、钽及介電材料之基材在CMp加工期間用於钽之移除，相對於銅，具有高度選擇性。本發明對於需要高纽相對於銅的選擇性及可微調性之步驟2銅的 CMP特別有用。先前技術現在用於半導體基材之平坦化的化學機械平坦化方法 (化學機械研磨法，CMP)已廣為熟於此藝之士所知，而且在許多專利與公開文獻刊物L皆曾經述及。底下有一些關於 CMP的介紹性參考資料：chemtech，1988年，二月，第 38 至 46 頁，由 B· L· Mueller 與 j· S· Steckenrider 所著的「用於積體電路的研磨面」；以及Η· Landis等人所著，固體薄膜，第220卷（1992年），第i頁。在典型的CMP方法中，係放置使基材（例如，晶圓）與黏貼於托盤的旋轉研磨墊接觸。CMP漿料，一般都屬於研磨性且化學反應性混合物，係於基材的CMp加工期間供應至研磨墊。在CMP方法期間，使墊子（固定於托盤）與基材方疋轉，同時以晶圓承載系統或研磨頭部對基材施壓（向下的 1279434 作用力）。該漿料以化學及機械的方式與要平坦化的基材膜基於塾子相對於基材的轉動位移，產生交互作用而完成平坦化（研磨）程序。依此方法持續進行研磨直到移除基材上的期望膜為止，而通常的目的在於使基材有效地平坦化。典型的金屬CMP漿料包含懸浮於氧化性、水性媒介中的研磨材料，例如二氧化;5夕或氧化鋁。以矽為主的半導體裝置，例如積體電路（ICs)，一般都包括二氧化矽介電層。在該二氧化矽基材上形成多層電路跡線，一般都由鋁或鋁合金或銅構成，的圖案。 CMP加工經常用以移除並且在半導體製造的不同階段中使過多的金屬平坦化。舉例來說，製造多層銅互連件或二氧化矽基材上的平面銅電路跡線之一方法稱之為金屬鑲嵌法。一般運用半導體製造方法都藉由電化學金屬沈積，接著銅的CMP加工而形成多層銅互連件、金屬化的銅線或銅導孔。在典型的方法中，以習知的乾式蝕刻法使中間層介電質（ILD)表面圖案化而形成垂直與水平互連件的導孔與溝槽，並且連結至次層互連件結構。圖案化的ild表面以鈦或鈕等黏著促進層及/或氮化鈦或氮化鈕等擴散阻障層塗覆於ILD表面上及經蝕刻的溝槽與導孔内。然後利用以下的方式以銅覆蓋該黏著促進層及/或擴散阻障層，例如，利用銅晶種層，接著利用以電化學的方式沈積的鋼層。持續進行電沈積直到該結構填滿沈積金屬為止。最後，曰使用CMP加工移除銅頂蓋層、黏著促進層及/或擴散阻障層，直到暴露出該介電質（二氧化石夕及/或低k材料）表面架高部 1279434 分的平坦矣1 、一向為止。利用形成電路互連件的導電銅填滿導孔與溝槽剩餘的部分。右欲進仃單步驟鋼的CMp加卫時，為了避免或使金屬特徵圖案之凹狀扭曲或介電質之浸蚀降至最低，所以金屬二障層材料的移除速率要顯著地高於介電材料的移除速率I吊都很重要。或者，可使用多步驟之銅的CMP方法，該方法涉及最初銅超載物的移除及平坦化，指的就是步驟 1之銅的CMP方法，技装a 安接者阻P早層的CMP方法。該阻障層的 CMP方法經吊指阻障層或步驟2之銅的。⑽方法。以前咸相信銅與黏著促進層及/或擴散阻障層的移除速率都必需〇幅地超過介電f的移除速率，以便在該介電質的架高部 1暴露出來時’有效铸止研磨。銅的移除速率對介電美底的移除速率之比率稱之為含銅、叙及介電材料之基材進订CMP加工期間，銅之移除相對於介電質的「選擇性」。组的移除速率對介電基底的移除速率之比率稱之為⑽加工_钮之移除相對於介電質的「選擇性」。若使用對於銅和ί旦之移除相對於介雷曾且古綠的CMP漿料，銅層 -易過度研磨而在銅導孔與溝槽中產生效應。此特徵圖案扭曲基於半導體狀狃曲」限制的理由而無法接受。 “之微影限制與其他另一不適用於半導體製造的特徵圖案扭曲稱之為「读介電質場與銅導孔或溝槽的緻密陣列之間的形㈣八。在CMP時’緻密陣列中的材料可以比介電質周圍 %更快的速率移除或浸蝕。這將造成〇电負％與緻密銅陣 1279434 列之間的形貌差異。一般使用的CMP漿料有兩種作用，化學成分與機械成分:槳料選擇的重要考量係「純態#刻速率」。純態蚀刻速率係銅單單被化學成分溶解的速率，並且必須要明顯低於同時涉及化學成分與機械成分時的移除速率。大的純態姓刻速率會導致銅溝槽與銅導孔凹狀扭曲，因此，較佳地，鈍態蝕刻速率係低於每分鐘1 〇奈米。現在已經揭示許多用於銅的CMP之系統。接下來列舉一些例示性的實施例。Kumar等人在名為「在甘油為主的漿料中化學機械研磨鋼」（材料研究協會座談會議程，1996 年）的文章中揭示包含甘油與研磨性氧化鋁粒子的漿料。 Gutmann等人在名為「利用氧化物與聚合物中間層介電質化學機械研磨銅」（固體薄膜，1995年）的文章中揭示以氫氧化鋁或硝酸為主的漿料，該漿料包含充當銅分解抑制劑的苯并三唑（BTA)。Luo等人在名為r用於化學機械研磨鋼的氧化ί呂之安定化」（藍米爾（Langmuir)，1996年）的文章中揭示氧化鋁-硝酸鐵漿料，該漿料包含聚合性界面活性劑舆 BTA。Carpio等人在名為「對銅的CMP漿料化學之初步研究」（固體薄膜，1995年）的文章中揭示包含氧化鋁或二氧化矽粒子、硝酸或氫氧化鋁，以及充當氧化劑的過氧化氫或過錳酸鉀之漿料。關於銅的CMP，此技術的現況涉及使用二步驟方法完成在製造1C晶片時的局部與全面平坦化。在銅的CMP方法之步驟1期間’移除超載的銅。然後在銅的CMP方法之 1279434 步驟2中接著移除阻障層並且同時完成局部與全面平坦化。大體而言，在移除步驟丨中超載的銅之後，經研磨的晶圓表面會因為在晶圓表面不同位置處的步階高度差異而有不均勻的局部與全面平坦度。低密度特徵圖案傾向於具有車乂同的銅步階局度，而高密度特徵圖案傾向於具有低步驟高度。由於步驟1之後的步階高度差異，所以步驟2銅的CMP中非常需要對於鈕相對於銅之移除速率及銅相對於氧化物之移除速率具有選擇性之漿料。鈕的移除速率對銅的移除速率之比率稱之為含銅、钽及介電材料之基材進行 CMP加工期間，麵之移除相對於銅的「選擇性」。關於鋼的化學機械研磨機構有許多的理論。Zeidler等人所者：文章(微電子工程，1997年)提出在銅上形成鈍態層的化學成分，該化學成分可使銅轉變成氧化銅。氧化銅具有與金屬㈣同的機械性質，例如密度與硬度，而且鈍化會：I研磨部分的研磨速率。以上由Gutmann等人所著的文早揭不以機械成分研磨銅架高的部分，然後再以化學成分溶解經研磨的材料。該化學成分也會使凹陷的銅區域鈍化，使該部分的分解降至最低。、言種可研磨層的一般類型。第一層係中間層介^ 免（ILD) ’例一备一虱化矽及氮化矽。第二層係鎢、鋼、等金屬層，帛u、$ 用以連結主動元件。、屬的CMP之例子中，化學作用一二形式其中之一巧應抹耳。第一機構中，溶液中的化學物質W S曰1反應而在今屬隹鱼屬表面上連續地形成氧化層。這_般者 1279434 需要添加過氧外& 的撬林化乳、硝酸鐵等等之氧化劑至該溶液。粒子的機械研磨作丨丁旦用會連續地並同時地移除此氧化層。均衡考在匕 _一 1〇Γ^ ^ 獲得移除速率與研磨面品質的最佳結果。么第一機構中，並未形成保護性氧化層。而是該溶液 ▲的、且成成分以化學的方式攻擊並且使該金屬溶解，同時 β機械作用大部分都是藉由以下的方法以機械方式增進分解速率的方法’例如使更多表面積連續地暴露於化學攻擊底下，藉由粒子與金屬之間的摩擦提高局部溫度（可提高分解速率）以及藉由降低混合與降低邊界層的厚度而增進反應物與產物到達與離開表面的擴散現象。儘管先前技藝的CMP系統可自二氧化矽基材上移除銅頂蓋層，但該系統並不符合半導體工業的嚴格要求。這些舄求了 w %如下。弟一，需要高的銅移除速率以符合生產篁的要求。帛二，橫跨整個基材都必須要有優㈣形貌均勻度。最後，CMP方法必須使局部凹狀扭曲及浸蝕效應減至最小以符合迄今漸增的微影需求。發明内容有一具體例中，本發明係研磨組合物，其包含： a) 研磨劑；以及 b) 具有以下化學式之N_醯基_N_烴氧烷基天冬胺酸化合物：

RtR2N-C(R3)-COORe

I R4C(R5)-COOR7 1279434 式中Ri係含約6至約30個碳原子之烴氧烷基，R2係含約 < 2至約3〇個碳原子之經羧基取代的醯基，或以鹼金屬鹼、驗土金屬驗、胺或前述之任意混合物至少部分地中和此基團’而且R3、R4、R5、r6及r7各自獨立地選自氫或含約1 至約30個碳原子的烴基。另一具體例中，本發明係包含以下步驟的研磨方法： A) 放置使基材與研磨墊接觸； B) 遞送研磨組合物，其包含： a) 研磨劑；以及 · b) 具有以下化學式之N—醯基_N_烴氧烷基天冬胺酸化合物：

RiR2N-C(R3)-COORe

I FUC(Fy-COOR7 式中Rl係含約6至約30個碳原子之烴氧烷基，I係含約 2至約30個碳原子之經羧基取代的醯基，或以鹼金屬鹼、鹼土金屬鹼、胺或前述之任意混合物至少部分地中和此基 _ 團，而且Rs、I、Rs、L及各自獨立地選自氳或含約1 至约30個碳原子的烴基；以及 C) 以該研磨組合物研磨基材。又另一具體例中，本發明係研磨組合物，其包含·· 、 a) 研磨劑；以及 b) 具有以下化學式之曱苯基三唑衍生物： 11 1279434

式中心及Rz係獨立地為氫或經取代或未經取代的Ci_c8 ，基。適當的取代基包括’但不限於羥基、氯、漠、碘、8 氟、C1-C：4烷氧基、羧基及胺基。1及I皆可帶有一或更多取代基。 / 實施方式已有人發現包含a)研磨劑及b) N_酿基_N_煙氧烧基天冬胺酸化合物之CMP研磨組合物用於组之移除時，相對於銅’具有高度選擇性’因此特別適用於步驟2鋼的CMp 加工。再者，對於這些CMP研磨組合物的選擇性可視指定組合物中的天冬胺酸的含量而加以微調。選擇性與可微調CMP漿料本發明之選擇性與可微調的CMp漿料包含a)研磨劑 )N醯基氧烷基天冬胺酸化合物。用於金屬 CMP應用時，本發明的⑽漿料復包含^氧化劑。用於有些需要特別高组相對於銅的選擇性之應用時，本發明的 CMP漿料復包含d)芳香族三唑化合物或其衍生物：視情況需要地’也可包括其他添加物。視清人若存在於本發明的組成物中時，適當的芳香族三哇化合物包括，作；不限於，具以下化學式的甲苯基三唑衍生物： 12 1279434 c)具有以下化學式之甲笨基三唑衍生物：

烷氟式中H 112係獨立地為氫或經取代或未經取代的基。適當的取代基包括，但不限於羥美、 1 8 土乳、>昊、蛾、、Cl-c4烧氧基、叛基及胺基UR2 多取代基。 π A更 ::的(未經改質的)研磨劑及經有機金屬改質的研磨可用於本發明。適合之未經改質的研磨劑包括，氧=二二氧切、氧化銘、氧化敘、氧化錄、氧化錯、 (::/形成產物，及其混合物。未經改質的研磨劑 L金屬二)利用有機金屬化合物處理而製得之經有機二=研磨劑也可用於本發明。用於改質的適當有 =:Γ括醋…酸'及丙酸紹。適合的研磨 :限於，膠狀產物、細煙產物及其混合物。明之較佳研1切料用於本發及其他二氧化”散ΓΓΓ可為，例如，，該研磨劑二:：’較佳的二氧—。濃度存在於漿料；:、重里之約2重量％至約30重量％的量之約4重旦。更明確地說，該研磨劑係以漿料總重磨解係以襞度存在°最佳地，該研里之約5重量。/❶至約20重量％的濃度存 13 1279434 在0 在本發明含氧化劑之具體合的氧。％ ^ ~ 该乳化劑可為任何適虱化劑。適合的氧化劑包括 ^ 合物，其包含至少一過畜…；如-或更多過氧化括，例如，過氧化物土 _ _0_)。適合的過氧化合物包硫酸鹽)、二：、過硫酸鹽(例如，過-硫酸鹽及過二適合的氧化劑包括，例如，經1及^合物。其他溴酸蹿、的鹵化物（例如，氯酸鹽、類及1、… 虱1"鹽、過填酸鹽、過碘酸鹽及其酸類及其混合物等）、過蝴酸、 (例如過醋酸、過苴审缺· 過奴酸鹽、過氧酸合物等 &、鄰-氣過苯甲酸、其鹽類、其混物4)、過錳酸鹽、過鉻酸鹽、如，鐵氰化釦）、曼、、日人鈽化合物、鐵氰化物（例 /、此口物等。較佳的氧化劑包括，過氧化 =[、_過氧化氧、過氧化納、過氧化苯甲醯、過氧化二 =丁基、過㈣、過m硫酸1酸及其鹽類，及其混合物。 &在本發明關於金屬CMP的組合物中，以KM過氧化風）作為車又佳的乳化劑。過氧化氫的漢度較佳係浆料總重量之約0.2重量％至約5重量％。可加入CMP锻料組合物的其他化學物質包括，例如，界面活性劑、pH調整劑、酸類、腐钱抑制劑、含敦化合物、螯合劑、含氮化合物及鹽類。可加入漿料組合物的適合界面活性劑包括，例如，任何Hitb藝之士熱知的多數非離子型、陰離子型、陽離子 * 界面/舌性劑。該界面活性劑化合物可以衆料總重 1279434 量之約〇重量。/〇至約i重量％之濃度存在漿料組合物中，又較佳地約重量％至約重量％。較佳的界面活性劑類型係非離子型、陰離子型或其混合物，且最佳地以漿料總重量之約10 ppm至約1000 ppm之濃度存在。以非離子型界面活性劑為最佳。較佳的非離子型界面活性劑係 SUrfynol'1〇4E，其係 2,4,7,9·四甲基·5_癸炔 _4,7_ 二醇及乙二醇之50: 50重量百分比混合物（賓夕凡尼亞州，亞林鎮，

Air Products and Chemicals 公司）。 pH調整劑係用以改良研磨組合物的安定性，改良在處 _ 理及使用時的安全性，或符合不同規定的要求。可用以降低本發明之研磨組合物的pH之pH調整劑包括，但不限於，氫氣酸、硝酸、硫酸、氯醋酸、酒石酸、丁二酸、檸檬酸、蘋果酸、丙二酸、不同的脂肪酸、不同的聚羧酸及其混合物。可用以提高本發明之研磨組合物的之pH調整劑包括，但不限於，氫氧化鉀、氫氧化鈉、氨水、氳氧化四曱銨、乙二胺、哌嗪、聚乙烯亞胺、改質的聚乙烯亞參胺及其混合物。本發明之研磨組合物的pH並無特別限制，但通常調整到pH 3至10。在金屬CMP的應用中，根據本發明，一般都以含驗性 - 或中性pH值的組合物為宜。在此例中，適合的漿料約 . 6.5至約1〇，較佳地約8至約1〇，更佳地約8·5至約。可添加至該漿料組合物之適合的酸化合物包括，但不限於，甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、乳酸、氫氣酸、硝酸、磷酸、硫酸、氫氟酸、 15 1279434 ，果酸、酒石酸、葡萄糖酿酸、摔樣酸、苯二甲酸、焦兒茶酸、焦掊齡竣酸、沒食子酸、單寧酸及其混合物。這些酸化合物皆可以聚料總重量之約。重量％至約！重量％的濃_ 度存在於漿料組合物中。、要提高漿料之Μ與M化合物及銅相對於二氧化石夕的移除速率’可添加含就化合物至該漿料組合物。適合的含氟化合物包括，但不限於，氟化氫、過氟酸、驗金屬氟化物鹽、驗土金屬敦化物鹽、氣化錢、氣化四甲基錢、二敦化銨、- iL化乙二銨、三氟化二乙三銨及其混合物。含氣化合物可以漿料總重量之約〇重量％至約5重量％的濃度存在於該漿料中，較佳地以約〇·1〇重量％至約2重量％的濃度存在。較佳的含氟化合物係氟化銨，其最佳係以漿料總重 ΐ之約0重量％至約i重量％的濃度存在。可添加至該漿料組合物之適合的螯合劑包括，但不限於，乙二胺四醋酸（EDTA)、冰羥乙基乙二胺三醋酸 (NHEDTA)、硝基三醋酸（NTA)、二乙三胺五醋酸（DpTA)、 ^ 乙醇二甘胺酸、三羥曱基甲基甘胺酸及其混合物。該螯合劑可以約〇重量％至約3重量％的濃度存在於該漿料中，較佳地以漿料總重量之約〇〇5重量％至約〇·2〇重量％的濃度存在。較佳的螯合劑係EDTA，且最佳係以漿料總重量之約 · 〇·〇5重量％至約〇_2〇重量。/❶的濃度存在。可添加至該漿料組合物之適合的含氮化合物包括，但不限於，氫氧化銨、羥基胺、一乙醇胺、二乙醇胺、，三乙醇胺一乙二醇胺、N-經乙基派嗓、聚乙浠亞胺、經改質 16 1279434 的聚乙烯工胺及其混合物。該含氮化合物可以約〇重量％至=1重:1%的濃度存在於該漿料中，較佳地係以漿料總 ==之、、勺O.Oi重量％至約〇 2〇重量％的濃度存在。較佳的含=化合物係氫氧化銨，且最佳係以漿料總重量之約001 重量％至約01重量％的濃度存在。可視情況需要添加至該漿料組合物之適合的鹽類包括，但不限於，過硫酸銨、過硫酸鉀、亞硫酸鉀、碳酸鉀、硝酸銨、氫苯二甲酸_、硫酸經胺及其混合物。該鹽類彳以为0重$ %至約10重量％的濃度存在於該漿料中，且較料總重量之約0重量％至約5重量％的濃度存在。較佳的鹽係硝酸銨，且最佳係以漿料總重量之約0重 ΐ %至約〇· 15重量❶/。的濃度存在。還有其他可添加至該漿料組合物的化學物質係生物製劑，例如殺菌劑、生物殺滅劑及殺黴菌劑，特別是pH在約 6至9左右時。適合的生物殺滅劑包括，但不限於，苯并異噻唑啉_3-酮；2-(羥甲基）胺基乙醇；153_二羥甲基春 _5,5-二甲基乙内醯脲；卜經甲基·5,5_二曱基乙内醯脲；％碘-3-丙炔基丁基胺基甲酸酯；戊二醛；丨，2•二溴j扣二氰基丁烷；5-氯-2-甲基_4_異噻唑啉_3_酮；2_甲基_4_異噻唑啉 · -3 - 及其混合物。相關方法本發明的相關方法必須使用上述用於基材之化學機械平坦化的組合物（如先前揭示的），該基材包含金屬與介電 17 1279434 材料。此方法中，基材（例如，晶圓）面向下放在研磨墊上，該研磨墊固定地黏貼於CMP研磨機之可旋轉托盤上。依此方式，放置使要研磨並且平坦化的基材與研磨墊直接接觸。使用晶圓承載系統或研磨頭部將基材固持於定位，並且在CMP加工期間對基材背側施加向下的壓力，同時使托盤與基材旋轉。在CMP加工基間在研磨墊上施加（通常連續地）研磨組合物（漿料）以有效移除材料而使基材平坦化。本發明的組合物及相關的方法可有效用於各式各樣基材之CMP，該基材包括含介電部分的基材，該介電部分包含介電常數低於3.3的材料（低k材料）。基材中適合的低k 膜包括，但不限於，有機聚合物、摻碳的氧化物、經氟化的矽玻璃（FSG)、無機多孔性氧化物類材料及有機無機混成材料。代表性的低k材料及用於此等材料之沈積方法總歸如下。販售廠商註冊名稱沈積方法材料 Air Products and Chemicals MesoElk® 旋塗法有機無機混成材料 Applied Materials Black Diamond CVD 摻碳的氧化物 Dow Chemical SiLK™, Porous SiLK™ 旋塗法有機聚合物 Honeywell Electronic Materials NANOGLASS® E 旋塗法無機氧化物類 Novellus Systems CORAL® PECVD 摻碳的氧化物 PECVD =電漿強化化學氣相沈積法 CVD =化學氣相沈積法 18 1279434 同樣地’本發明的組合物與相關的方法可有效用於含，不同金屬之基材的CMP，該金屬包括，但不限於，钽、鈦、 . 鎢及銅。本發明的組合物及相關方法在步驟2之銅的cMp 應用中可提供極高钽相對於銅的選擇性。儘管不受限於任何特定的理論，但本發明者相信以下的考量可解釋為何包含a)研磨劑及b) N-醯基_N_烴氧烷基天冬胺酸化合物及/或甲苯基三唑衍生物，及c)氧化劑 (例如，H2〇2)的研磨組合物可提供具有高鈕相對於銅的選 · 擇性之預期特性的漿料，而且在步驟2之銅的CMP中，可微調該研磨組合物之銅相對於鈕的選擇性。以下將說明這些添加物如何與步驟1之銅的CMP結合。現代的CMP技術使用二步驟方法達到在製造IC晶片時的局部和全面平坦化。在步驟i之銅的CMp期間，在ic 製造加工期間移除超載的銅。在步驟！中移除超載的銅之後’由於® f化晶圓上的高密度與低密度特徵圖案之間有步階商度差異，所以研磨表面仍無法達到局部和全面平自 φ 度。在步驟1中移除超載的銅之後，需要高纽相對於銅的選擇性以相局部和全面平坦化。要挑戰的任務係維持冑㈣除能力’同時達到高组相對於銅的選擇性並保護位置較低的銅部分。若研磨期間未對位置較低的銅部分加以保護，這將造成-般稱之為「凹狀扭曲」的缺陷。在步驟2 的研磨期間可提高钽相對於銅的選擇性之漿料在晶片製造加工期間可藉著提供寬廣的過度研磨窗部而降低「凹狀扭曲」0 19 1279434 在本發明中，有某些腐腐蝕抑制劑，例如，CDX2 128 (康乃狄袼州，諾瓦克市，King Industries股份有限公司）及/ 或CDX2165(康乃狄袼州，諾瓦克市，KingIndustries股份有限公司）’可提供保護以防銅腐餘和銅移除，並在CMP 加工期間提供低的銅鈍態蝕刻速率，同時維持高的鈕移除速率’藉此提供高鈕相對於銅的選擇性。除了提供高鈕相對於銅的選擇性之外，本發明亦教導如何藉由改變Cmp聚料組合物中的腐蝕抑制劑之選擇及/或濃度而「調整」鈕相對於銅的選擇性之方法。後面的特徵提供了銅的Cmp加工當中的步驟2與步驟1之調整彈性。本發明將進一步藉由以下的實施例加以證實。詞彙組成部分 CS CDX2128

Syton® OX-K (DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C.) 矽膠腐餘抑制劑-N-醯基-N-烴氧烧基天冬胺酸化合物，該化合物係水溶性胺基酸衍生物（康乃狄格州’諸瓦克市，King Industries股份有限公司）由此類產品的產品雜誌取得的CDX2 128通式如下： 20 1279434

式中並未進一步明確地揭示R、R，及R”。頒予King Industries股份有限公司之美國專利案號第5,275,749號’發明名稱「充當腐蝕抑

制劑的N-酿基-N-烴氧烷基天冬胺酸酯」中有揭示此及相關的化合物。 CDX2165 腐姓抑制劑-曱苯基三嗤衍生物（康乃狄格州，諾瓦克市，King lndustries股份有限公司）由此類產品的產品雜誌取得的CDX2165通式如下：

PETEOS 四乙氧基石夕烧的電漿強化沈積，介電質氧化物層。

Politex®研磨墊CMP期間使用的研磨墊，由德拉威州，紐華克市的Rodel股份有限公司供應。 S104E Surfynol® 104E- 2,4,7,9-四甲基-5-癸炔 _4 7_ 二醇及乙二醇（溶劑)之50 ·· 50重量百分比現 21 1279434 合物，由賓夕凡尼亞州，亞林鎮，Air Products and Chemicals 公司販售。 TEOS 四乙基正矽酸鹽

Tricine N-[叁（羥甲基）曱基]甘胺酸，CAS # 5704-04-1 該三羥甲基曱基甘胺酸的結構如下： HOCH2

HOCH2——G——NH-CH2-C00H U〇/ll2 參數總論 A:埃—長度的早位 BP:背壓，以psi為單位 CMP:化學機械平坦化=化學機械研磨 CS :載具速度 DF :向下作用力：化學機械平坦化期間施加的壓力，單位psi min :分鐘 ml :毫升 mV :毫伏特 psi :每平方对碎 PS :研磨機具的托盤轉動速度，單位rpm(每分鐘轉數） SF :漿料流速，毫升/分鐘移除速率及選擇性 1279434

Cu RR 4.5 psi 銅移除速率 Cu RR 2 psi 銅移除速率 Ta RR 2 psi 组移除速率 CMP機具以4·5 pSi向下施壓時測量刻的 CMP機具以2 psi向下施壓時測量到的 CMP機具以2 psi向下施壓時測量到的 TEOSRR2psi CMp機具以2 psi向下施壓時測量到的 TEOS移除速率 PETEOS RR 2 psi CMP JL lv o . > PSI IMP機具以2 psi向下施壓時測量到的 PETEOS移除速率

la:Cu Sel 鈕：銅選擇性在相同條件作用下 CMP實驗期間之组的移除量對銅的移除量之比率 TEOS:CuSel TE〇s:銅選擇性-在相同條件作用下’在CMP實驗期間之TE〇s(介電材移除量之比率。對銅實施例總論

除非另行指明’否則所有的百分比皆為重量百分比化學機械平坦化（CMP)方法論在以下所示的實施例中，使用略槐从從用以下挺供的的步騍邀徐驗條件進行CMP實驗。，、焉 23 1279434 度量衡學以加州，95035-7418，苗比達市，七葉樹路1550號之 Nanometrics 有限公司製造的 Nanometrics，# 9200 型，測量PETEOS的厚度。金屬膜利用加州，95014，庫比蒂諾市歐安利博士路 20565 號之 Creative Design Engineering 有限公司製造的ResMap CDE，168型，加以測量。此ResMap 機具係四點探針型面電阻機具。利用個別機具在距離邊緣 3毫米處進行二十五及四十九點極性掃描。 CMP機具所用的CMP機具係由加州，95054，聖塔克拉克市，布拉耳士大道3050號之Applied Materials公司製造的 Mirra®。在托盤上使用亞利桑那州，85034，鳳凰城，東威肯士街3804號之有限公司供應的Rodel Politex®浮凸研磨墊研究毯覆式晶圓研磨。研磨二十五片仿氧化物（藉由 TEOS前驅物、PETEOS之電漿強化CVD沈積）晶圓以侵入研磨墊。為了改變機具設定與研磨墊侵入，以基準條件利用 DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C.供應的 Syton® OX-K矽膠研磨二PETEOS監視器。在研究毯覆式晶圓時，分數組模擬連續膜移除：先銅、再钽，最後是PETEOS。機具中間點條件如下：工作台速度：123 rpm ;頭部速度：112 rpm ;膜壓：2.0 psi ;管内壓力：0·0 psi ;漿料流速：200毫升/分鐘。 1279434 晶圓使用以電化學方式沈積的銅、钽及peteos晶圓進行研磨實驗。這些毯覆式晶圓係由加州，19126，坎貝爾大道 U50 號之 Silicon Valley Microelectronics 公司購得。膜厚度規格總歸如下： PETEOS : 15,000 A，在矽上。銅：10,000 A電鍍銅/1，000 A銅晶種/250 A鈕，在石夕上鈕：2000 A /5,000 A熱氧化物，在矽上。 ζ電位測量 ζ電位測量使用羅德島州02886，瓦立克市，以楝，耐德街i i號之colloidal Dynamics股份有限公司製造的膠體動力學儀器進行。此儀器可測量膠體粒子，例如經表質的矽膠粒子，之ζ電位（表面變化）。表面覆蓋量測用以下的方法測量經醋酸鋁改質量。在製備經醋酸鋁改# >的表面覆蓋暇3夂鋁改質的矽膠期間子矽膠顆粒中。（用於製備知黾鋁加入去離 ΗΤ-50(加w，喀兹膠的初始矽膠係Syt0_ 谷鉍巴市，DuP〇nt Air L.L.C·)，該初始矽膠星 c s NanoMaterials 加醋酸鋁會使去離子宅伏特之負ζ電位。）添伏特至毫伏特，取決二=電位從接近零的值(_5毫、ΡΗ)變成”2至36毫伏特。達到 25 1279434 全表面覆蓋之後’接著會觀察到不會再改變。由測到物位…改質的”之ζ電位 ‘電位為表面改質期間，醋預定量的二氧化矽之用量的函數所、0 致所畫成的滴定曲線，奴定經表面改質的矽膠表面上的、 99.9%。曰齩鋁表面覆蓋百分比接近實施例1至7

在這些實施例中’使用如前文說明的方法、裝置及加工過程製備並測試表1中所示的⑽漿料組合物。這些 CMP聚料組合物包合在协士存於水性媒介中之經鉀安定化的矽膠 (100 奈米顆粒，由 Precision ·」τ τ S10n Colloids，L.L.C·供應（喬治亞州，卡特斯、維爾鎮））、氟化紹、Surfynol@ 104E、過氧化氫、 CDX2128及/或CDX2165。這些實施例的cMp漿料成分用里不於表1中。在各例中，組合物的其餘部分皆為去離子水。在乂些實施例中，腐蝕抑制劑（CDX2128及CDX2165) 的量變化如下（及表1): 實^例表1，控制組，CDX2128% = 0重量％只加例2_表1，CDX2128% = 0.1重量％實施例3_表1，CDX2128% = 0.2重量％實施例 4-表 1，CDX2128% = 0.3 重量0/〇實施例5_表1，CDX2128% = 0.4重量％實施例表 1，CDX2128% = 0·1 重量％，CDX2165% = 〇·1重量％ 26 1279434 貫施例 7-表 1，CDX2128% = 0.2 重量％ , CDX2165% = 0.2重量％在這些實施例中，向下的作用力（膜壓力）係2 psi。對這些當中之各漿料組合物進行CMP加工並提供記錄於表1中的結果。要特別地注意的是，由實施例丨至7中收集到的資料，顯然地，當腐蝕抑制劑的濃度提高時，钽相對於銅的選擇性便由〇·85提高至13。這些實施例亦暗示鈕相對於銅的選擇性可利用步驟2之銅的CMp漿料之寬廣的操作視窗而調整成任何值。表1 :腐#抑制劑含量對於鈕相對於銅的選擇性之影響* 樣品實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 二氧化矽顆粒(重量 %)*** 7 7 7 7 7 7 V w W 4 7 NH4F(重量％) 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 S104E(重量％) 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 CDX 2128(重量 0.1 0.2 0.3 0.4 0.1 0.2 CDX 2165(重量 °/〇) 01 0.2 H2〇2(重量 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 H20(重量％) 91.41 91.31 91.21 91.11 91.01 91.21 91.01 PH 8 8 8 8 8 8 8 Cu RR 2 psi(埃/分鐘） 753 177 160 159 162 52 48 Ta RR 2 psi(埃/分鐘） 637 588 598 600 592 571 624 Ta:Cu Sel(2 psi 時） 0.85 3.3 3.7 3.8 3.7 11.0 13.0 *成分百分比(重量％)空白表示該成分的含量為〇重量百分比。 ***經鉀安定化的矽膠·100奈米顆粒。 1279434 實施例8至11 實施例8至11的CMP漿料組合物包含存於水性媒介中之經钟安定化的碎膠（名為Syton® OX-K的45奈米顆粒 (加州，嗔兹巴市，DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C·))、過氧化氫、CDX2128及/或CDX2165。這些實施例的CMP漿料成分用量示於表1中。在各例中，組合物的其餘部分皆為去離子水。這些實施例皆使用如前文說明的方法、裝置及加工過程製備並測試。在這些實施例中，腐蝕抑制劑（CDX2128)的量變化如下 (及表2): 實施例8_表2，CDX2128% = 0重量。/〇實施例9-表2，CDX212 8% = 0.4重量％實施例10-表2，CDX2128% = 0.6重量％實施例11-表2，CDX2128% = 1.0重量％在這些實施例中，向下的作用力（膜壓力）係2 psi。

表2 :腐蝕抑制劑(CDX2128)對於钽相對於銅的選擇性之影響樣品實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 二氧化矽顆粒(重量 12 12 12 12 CDX 2128(重量％) 0 0.4 0.6 1.0 H202(重量 0.6 0.6 0.6 0.6 S104E(重量％) 0.07 0.07 0.07 0.07 NEUF(重量％) 0.22 0.22 0.22 0.22 1120(重量％) 87.1 86.7 86.5 86.1 pH 8 8 8 8 Cu RR 2 psi(埃 / 分鐘） 532 65 61 63 840 759 749 692 Ta:Cu Sel(2 psi 時） 1.5 11.6 12.2 10.9 絲經鉀安定化的矽膠-45奈米顆粒 28 1279434 對這些當中之各漿料組合物進行CMP加工並提供記錄於表2中的結果。顯然地，由表2的資料顯示，當cdx2i28 的濃度由0.4%提高至1%時，鈕相對於銅的選擇性便由i 5 提高至10.9，並且在CDX2128的濃度為〇.6%時，具有又更高值12.2。實施例12至15 這些實施例使用以先前實施例之相同方法進行，但所用的漿料組合物有些不同。實施例12至15的CMp漿料组合物包含存於水性媒介中之經鉀安定化的石夕膠（名為 Syton® OX-K的45奈米顆粒（加州，喀兹巴市，Dup〇nt Air Products NanoMaterials L.L.c.))、Surfyn〇1@ 1〇4E、過氧化風、CDX2128及/或CDX2165。CMP漿料成分用量示於表 3中。這些實施例當中之CDX2128& CDX2165的量及皆如表3所示般變化。在各例中，組合物的其餘部分皆為去離子水。在這些實施例中，向下的作用力（膜壓力）係2 psi 〇

對适些當中之各㈣組合物進行CMP加卫並提供記錄於表3中的結果。顯然地，由表3所示的結果(與表i和2 的結構相比較），高含量之經卸安定化的石夕膠固體及高pH 可使紐相對於銅的還擇性降至較低值。 29 1279434 表3 :含/不含CDX2128、CDX2165對於钽：銅的選擇性之影響樣品實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 二氧化矽顆粒(重量％)*** 15 15 15 15 S104E(重量％) 0.07 0.07 0.07 0.07 CDX 2128(重量 °/〇) 0.2 0.2 0 CDX 2165(重量％) 0.2 0.2 0 H202(重量％) 1.3 1.3 1.3 1.3 H2o(重量％) 83.23 83.43 83.43 83.63 PH 9.6 9.7 9.7 9.7 〇111112?8丨(埃/分鐘） 114 125 426 790 TaRR2psi(埃/分鐘） 612 587 545 640 PETEOSRR (埃/分鐘） 796 640 732 944 Ta:Cu Sel(2 psi 時） 5.4 4.7 1.3 0.8 Ta:PETEOS Sel(2 psi 時） 0.8 0.9 0.7 0.7 ##經鉀安定化的矽膠-45奈米顆粒。 · 實施例16至22 表4中，歸納實施例16至22所用的不同成分之組合物；這些不同的組合物包含不同類型之經表面改質的矽膠。實施例16 :經鉀安定化的矽膠，不含CDX2128。該經钟安定化的石夕膠係 Syton® OX_K (DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C.) o 30 1279434 實施例17 :經鉀安定化的矽膠，含CDX2128。該經鉀安定化的矽膠係Syton® 〇X_K (DuPont Air Products

NanoMaterials L.L.C·) 〇實施例18和19 :經硼酸改質的矽膠，含〇 · i 〇/0 CDX2128。該經硼酸改質的石夕膠係使用以下的步驟製備：經硼酸改質的二氧化矽之製備··以1公升的2〇%硫酸溶液清洗將近1公斤的Amberlite® IR-120離子交換樹脂 (賓夕凡尼亞州’費城，Rohm and Hass公司）。授拌混合物，並使樹脂沈澱。倒出水層，並以1〇公升去離子水清潔。再使混合物沈澱’然後倒出水層。重複此步驟直到倒出來的水沒有顏色為止。此步驟可提供酸態樹脂。將Syton® HT50 (12公斤，將近2.27加侖，加州，喀茲巴市 ’ DuPont Air Products NanoMaterialsL.L.C.)置於裝配擾動器之5加侖混合槽中。將2·5〇2公斤的去離子水加入該槽’並且使該溶液混合數分鐘。經測量該溶液的pH將近1 〇·2。配合持續的ρίί監控，添加小量的酸態樹脂，同時使多次添加期間保持穩定的pH。分數次小量添加附帶的樹脂’直到pH降至pH uo至2·2〇。一旦達到此pH的極限並且在此範圍内保持穩定，就不要再添加樹脂，並攪拌該此曰物達1至1 · 5小時。接著使混合物通過5 〇〇目的篩網以移除樹脂’並且供應經去離子的Syton®HT_50。在裝配攪動器及加熱器的10加侖混合槽中緩慢地添加硼酸粉末，直到所有都加入水中，然後攪動混合物丨5小時’並且將混合物的溫度提高到55至6yc的溫度而製備 31 1279434

加克棚酸粉末（賓夕凡尼州15275，匹茲堡公園巷觸號的Fisher Scientific公司）在5.55公斤的去離子水中的溶液。然後以將近200毫升/分鐘的速率添加經去離子的稀釋 Syton® HT-50，並且使溫度維持在52t以上同時攪動混合物，將經去離子的稀釋δγοηΘΗΤ_5〇(14.5公斤）緩慢地2 至硼酸溶液中，歷時約1>2小時。完成添加之後，在6〇。。時加熱並持續授拌混合物5.5小時。接著以1微米過濾器過遽最後得到的溶液以提供經硼表面改質的矽膠。使用Colloidal Dynamics儀器（羅德島州〇2886，瓦立克市，E8楝，耐德街U號），歷經15天，為此經硼表面改質的矽膠的膠質安定性建立特徵。經發現在15天測試期間，此經硼酸改質的矽膠都具有固定的pH(將近6·6)及（電位（將近-58毫伏特）。這個受到含硼的化合物占據之經表面改質的矽膠之百分比將近98%。

實施例20和21 :含〇. 1% CDX2128之經醋酸鋁改質的石夕膠。使用以下的步驟製備經醋酸鋁改質的矽膠：使用以下的步驟製備經醋酸鋁表面改質的矽膠。使去離子水（10,507克）和驗性醋酸鋁（使硼酸安定化，1，284克，等同35_3重量％氧化鋁）（威斯康辛州，密爾瓦基市，Aldrich Chemicals公司）在裝配高剪切攪動裝置的乾式混合容器（可盛裝將近12至1 5加侖）中結合。擾動混合物直到所有的固體都完全溶解以提供反應混合物A。在單獨乾淨的乾燥容器中，配合溫和的攪動使去離子水（10,663 克）及8}^〇1^111：_5 0 (22,687克，將近4.31加命， 32 1279434 加州’嗔兹巴市，DuPont Air Products NanoMaterials L.L.C·) 結合在一起，並徹底地混合。利用室溫時的溫和攪動與持々的pH監控’將數湯匙的irc-120離子交換樹脂（將近 3，9〇7克’（威斯康辛州，密爾瓦基市，Aldrich Chemicals 公司））加至最後的混合物中。在添加各批樹脂之後，使反應整體的pH安定化數分鐘。添加數批附加的樹脂，直到 PH達到2·0〇±〇·〇5為止。在達到目的pH2之後不久，過濾反應混合物以移除樹脂珠粒，並且提供反應混合物B。利用高剪切攪動並且在室溫時，以固定速率將反應混合物B加至反應混合物a中歷時1小時。一旦完成添加，持績尚首切授動3 0分鐘以提供經醋酸銘表面改質的發膠。測量得到經醋酸鋁表面改質的矽膠之pH為4·6，而且測量得到ζ電位為+30至+40毫伏特。由測量得到的ς電位，用Colloidal Dynamics儀器估計表面覆蓋率為99.9%。對這些當中之各漿料組合物進行CMP加工並提供記錄於表4中的結果。顯然地，在相同條件下，經表面改質的石夕膠會影響到鈕相對於銅的選擇性。有趣的是，經鉀安定化的矽膠獲得最高的钽相對於銅的選擇性，接著是經氧化鋁改質的矽膠，反而能使硼酸安定化並且經醋酸鋁改質的石夕膠獲得較低的鈕相對於銅的選擇性。因此，可使用不同之經表面改質的二氧化矽與腐蝕抑制劑結合而進一步增進鉅相對於銅的微調性。 33 1279434 表4 :經表面改質的二氧化矽對於钽相對於銅的選擇性之影響，CDX2128的濃度為0.10% 樣品實施例 16, Syton® 0X-K，控制組# 實施例 17， Syton® 0X-K# 實施例 18，經硼改質的二氧化矽## 實施例 19，經硼改質的二氧化矽## 實施例 20,經氧化鋁改質的二氧化石夕** 實施例21，經氧化鋁改質的二氧化矽** 實施例 22，經醋酸鋁改質的二氧化矽漏二氧化矽顆粒（重量 10 10 10 20 10 20 10 NH4F(^|%) 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 0.22 S104E(重量％) 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 CDX2128(^|%) 0 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0〇又2165(重量％) 0 0 0 0 0 0 0 H2〇2(重量％) 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.3 比0(重量％) 88.41 88.31 88.31 78.31 88.31 78.31 88.31 pH 8 8 8 8 8 8 8 〇11^2?3丨(埃/分鐘） 783 73 110 361 61 91 82 丁&11112卩8丨(埃/分鐘） 584 595 451 858 433 839 580 Ta:CuSel(2psi 時） 0.7 8.2 4.1 2.4 7.1 9.2 7.0

#經鉀安定化的矽膠-45奈米顆粒。 ##經硼酸改質的矽膠 **經氧化鋁改質的矽膠，DPI 06 ###經醋酸鋁改質的矽膠。預言性實施例23 此預言性實施例23包含以下的成分： 1) 經鉀安定化的矽膠=1 0重量％固體 2) 氟化鋁 =0_22重量％ 3) S104E = 0.07 重量％ 34 1279434 4) H2〇2 = 1.3 重量％氧丙基-N-3- 5) 充當改質的CDX2128時，Ν-3-幾基4 環己氧丙基天冬胺酸二異丁二酯=〇丨0/。在實施例17說明的相同研磨條件下卜預期的預測研磨 V、吉· 銅移除速率將近73埃/分鐘，鈕移除速率將近595埃〆分鐘。、鈕相對於銅的選擇性將近8.2

相似的預言性實施例包括在研磨組合物中充當經改質的CDX2 128成分之其他化合物；此等實施例包括用以下經取代的化合物取代預言性實施例23中的N-3-緣基-丨_氧丙基環己氧丙基天冬胺酸二異丁二酯成分。預測預言性實施例24至3 1的研磨結果與預言性實施例23的結果將近相同。

預言性實施例24 - N-3-羧基-1-氧丙基-N_3-異癸氧丙基天冬胺酸二異丁二酯預言性實施例25 - N-3-羧基-1-氧丙基-N-3-辛氧丙基天冬胺酸二異丁二酯預言性實施例26 - N-3-羧基-1-氧丙基-N-3-癸氧丙基天冬胺酸二異丁二酯預言性實施例2 7 - N- 3 -緩基-1-氧丙基_>1_3-十四氧丙基天冬胺酸二異丁二酯預言性實施例2 8 - N-3 -竣基-1-氧丙基-N-3 -十六氧丙基天冬胺酸二異丁二酯 35 1279434 預s性貫施例29 _ N-3-羧基_丨_氧丙基_N-3-十五氧丙基天冬胺酸二異丁二g旨預言性實施例30 N_3_羧基-1·氧丙基_Ν_3·十三氧丙基天冬胺酸二異丁二酿預言性實施例31 - Ν_3_羧基-1-氧丙基_Ν_3_十二氧丙基天冬胺酸二異丁二酯。實施例3 2至3 4 這些實施例使用以先前實施例之相同步驟進行，但所用的漿料組合物有些不同。實施例32至34的CMP漿料組合物包含存於水性媒介中之經鉀安定化的矽膠（名為 Syton® ΟΧ-Κ的45奈米顆粒（加州，喀茲巴市，Dup〇nt Products NanoMaterials l.L.C·))、Surfynol® 104E、過氧化氳、CDX2165。在表5中，實施例32係不含CDX2165的控制組實驗，實施例33組合物包含〇1%CDX2i65，而且實施例34組合物包含〇·2% CDX2165。CMp漿料的其他成为含置如| 5所示。在各例中，組合物的其餘部分皆為去離子水。用於這些實施例中的向下作用力（膜壓力）係2ρ^。對廷些t中之各漿料組合物進行c M p加工並提供記錄於表5中的結果。顯然地，如表5所示，若提高cdx2i65 的濃度，可見到銅的移除速率會由467埃/分鐘降至i98埃 /刀鐘，而且可見到鈕相對於鋼的選擇性由提高至3 36 1279434 表5 : CDX2165對於钽：銅的選擇性之影響樣品實施例32 實施例33 實施例34 二氧化矽顆粒(重量％)*** 15 15 15 S104E(重量％) 0.07 0.07 0.07 CDX 2128(重量％) 0.0 0.0 0.0 0〇又2165(重量％) 0.0 0.1 0.2 H202(重量％) 1.3 1.3 1.3 H20(重量％) 83.63 83.53 83.43 PH 9.6 9.7 9.7 〇1收2?3丨(埃/分鐘） 467 442 198 502 503 594 PETEOSRR (埃/分鐘） 808 857 918 Ta:Cu Sel(2 psi 時） 1.07 1.13 3.0 Ta:PETEOS Sel(2 psi 時） 0.62 0.58 0.64 儘管本發明已經結合其具體例加以說明，但顯然根據先前的說明，有許多替代案、修飾及變化對熟於此藝之士而言將變得顯而易見。因此，欲包含所有此等落於後附申請專利範圍的精神和廣義範圍内之替代案、修飾及變化。 37

Claims

1279434 十、申請專利範圍： 1 · 一種研磨組合物，包含： a)研磨劑；以及具有以下化學式之醯基_N_烴氧烷基天冬胺酸化合物： RiR2N-C(R3)-COORe 1 气 R4C(R5)-COOR7 》 R1係含約6至約30個碳原子之烴氧烷基，r2係含約 v、、個奴原子之經緩基取代的醢基，或以驗金屬鹼、土金屬鹼、胺或前述之任意混合物至少部分地中和此基團，而且R τ> 3、R4、R5、R6及R7各自獨立地選自氫或含約1 至約30個碳原子的烴基。申明專利範圍第1項之組合物，其中該天冬胺酸化合物中的I係⑴6-^8)烴氧基（C3-C6)烷基。 3·如申請專利範圍第2項之組合物，其中該天冬胺酸化合物中的Ri係選自環己氧丙基、3_辛氧丙基、異辛氧丙基^3-癸氧丙基、3_異癸氧丙基、3_(Ci2_Ci6)烷氧丙基或前述之任意組合。 4.如申請專利範圍第3項之組合物，其中在天冬胺酸化合物中的R!係3-環己氧丙基。 5·如申晴專利範圍第3項之組合物，其中在天冬胺酸化合物中的H 3-異癸氧丙基。 6·如申請專利範圍第1項之組合物，其中在天冬胺酸化合 38 1279434 匆中的R2係合約2至約18個碳原子之經飽和或不飽和㈣取代㈣基’或以胺、驗金屬驗或驗土金厲驗至少中和之含約2至約18個碳原子之經叛基取代的酿基。 7·如申請專利範圍第6項之組合物，其中&係選自3邊基氧丙基，或以選自3_辛氧丙基胺、3_癸氧丙基胺、 (I2 u)烷氧丙基胺、鹼金屬鹼或鹼土金屬鹼或前述之任意組合的胺部分地中和之3邊基小氧丙基。片申明專利圍第7項之組合物’其中該驗金屬驗係氮 >納氣氧化鉀、氫氧化鋇或前述之任意組合。 9’如申料利範圍第6項之組合物，其中R2係選自3_羧基小fl_2-十二烯丙基，或以選自％辛氧丙基胺、％癸 "土胺3<Cl2_Ci6)烷氧丙基胺、鹼金屬鹼或鹼土金屬鹼或刖述之任意組命的胺部分地中和之3_羧基小氧 -2-十二烯丙基。知中μ專利圍第9項之組合物’其中該驗金屬驗係氯氧化納纟氧化鉀、氫氧化鋇或前述之任意組合。 u·如申請專利範圍第！項之組合物，其中在天冬胺酸化合物中的R3、I及R5皆為氫。 12.如申請專利範圍第！項之組合物，其中在天冬胺酸化合物中的R6及R7係各自含約3至約6個碳原子之相同或不同的烷基。 13·如申請專利範圍第12項之組合物，其中Ml各自係 2_甲基丙基。 39 1279434 14.如申請專利範圍第1項物中# 1項之組合物，其中在天冬胺酸化合

而且R2係3-羧基-1- 係氫，基、3 _ 氧丙基。如申請專利範圍第i項之組合物，其中R^R7各自係 2-甲基丙基，尺3、1及1各自係氫，Ri係選自％異癸氧丙基’而且反2係3_羧基—^氧丙基。 16 ·如申明專利範圍第i項之組合物，其中該組合物復包含 e)氧化劑。 17·如申請專利範圍第！項之組合物，其中該組合物復包含 d) 芳香族三唑化合物或其衍生物。 18·如申請專利範圍第I?項之組合物，其中該芳香族三唾化合物或其衍生物係曱苯基三唑衍生物。 19·如申請專利範圍第1項之組合物，其中該組合物復包含 e) 三羥曱基甲基甘胺酸。 20·—種研磨方法，其包含以下的步驟·· A) 放置使基材與研磨墊接觸； B) 遞送研磨組合物，其包含： a) 研磨劑；以及 b) 具有以下化學式之N-醯基-N•烴氧烷基天冬胺酸化合物： 1279434 RiRgN-CiRsVCOORe R4C(R5)-COOR7 式中I係含約6至約3〇個碳原子之烴氧烷基，&係含約 2至約30個碳原子之經羧基取代的醯基，或以鹼金屬鹼、鹼土金屬鹼、胺或前述之任意混合物至少部分地中和此基團，而且R3、I、Rs、I及I係各自獨立地選自氫或含約1至約30個碳原子的烴基；以及 C)以該研磨組合物研磨基材。 21.如申請專利範圍第2G項之方法，其中該天冬胺酸化合物中的Rl係（C6_C18)烴氧基（C3-C6)烷基。 Μ.如申請專利範圍第21項之方法，其中該天冬胺酸化合物中的Rl係選自環己氧丙基、3_辛氧丙基、3·異辛氧丙基二3_癸氧丙基、3_異癸氧丙基He㈣氧丙基或前述之任意組合。其中在天冬胺酸化合 23.如申請專利範圍第22項之方法物中的&係3-環己氧丙基。其中在天冬胺酸化合 24·如申請專利範圍第22項之方法物中的1係3-異癸氧丙基。其中在天冬胺酸化合 25·如申請專利範圍第20項之方法 =2广…個碳原子之：二 1八地中彳4 “屬驗或驗土金屬驗至少醯I。約2至約18個碳原子之經叛基取代的 41 1279434 26·如申請專利範圍第 κ 乐項之方法，其中R2係選自3-羧基 -1·氧丙基，或以選自3_辛氧丙基胺、3_癸氧丙基胺、 3 (C12 C16)燒氧丙基胺、驗金屬驗或驗土金屬驗或前述之任意組合的胺部分地中和之3•叛基小氧丙基。利範圍第％項之方法，其中該驗金屬驗係氮乳化納、氧氧化鉀、氫氧化鋇或前述之任意組合。 28.如^請專利範圍第25項之方法，其中R2係選自3-叛基 _1Ή二稀丙基’或以選自3_辛氧丙基胺、3_癸氧丙基胺、3-(Cl2_Cl6)烷氧丙基胺、鹼金屬鹼或鹼土金屬驗或前述之任意組合的胺部分地中和之域基小氧冬十二烯丙基。 29·如申請專利範圍第28 ，、法’其中該驗金屬驗係氫乳匕、、氳氧化鉀、氫氧化鋇或前述之任意組合。 30.如申請專利範圍第2〇 ^ ^ , 項之方去，其中在天冬胺酸化合物中的R3、R4及R5皆為氳。 31·如申請專利範圍第2〇項之方 Φ u 、，/、中在天冬胺酸化合物中的心及R?係各自含約3 不同的、 μ個故原子之相同或 32·如申請專利範圍第31方 2_甲基丙基。項之方法，其中、及…係 33·如申請專利範圍第2〇項之方 ,,.^ ^ 击，、中在天冬胺酸化合物中的Re及R7各自係2 总於η , 土丙基’ R3、及R5各自係虱，Rl係選自3-辛氧丙基、3_ 六乳内暴、3_十四負雨基、3-(C12-C16)燒氧丙基或1 次，、組合，而且尺2係3-羧基-；[_ 42 1279434 氧丙基。女申明專利範圍第2〇項之方法，其中&及&各自係 2甲基丙基，R3、R4及各自係氫，&係選自弘異癸氧丙基，而且汉2係3_羧基氧丙基。 35. 如申明專利範圍第2〇項之方法，其中該研磨組合物復包含c)氧化劑。 36. 如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該研磨組合物復包含^芳香族三唑化合物或其衍生物。 37. 如申請專利範圍第36項之方法，乃次，其中該芳香族三唑化合物或其衍生物係甲苯基三唑衍生物。 38·如申請專利範圍第20項之方沬甘| 万去，其中該組合物復包含 e)三經甲基甲基甘胺酸。 3 9 · —種研磨組合物，其包含： a) 研磨劑；以及 T本基二唑衍生物··

b) 具有以下化學式之甲1 CH ^ ^ 取代或未經取代的r p 烷基。 C^c} 40.如申請專利範圍第39項之組含C)氧化劑。〃中該組合物復包項之組合物，其中該組合物復 41 ·如申請專利範圍第3 9 包 43 1279434 含d)三羥甲基曱基甘胺酸。 44