TWI271845B

TWI271845B - Electrostatic discharge protection device

Info

Publication number: TWI271845B
Application number: TW091106186A
Authority: TW
Inventors: Shi-Tron Lin; Wei-Fan Chen
Original assignee: Winbond Electronics Corp
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2007-01-21
Also published as: US20030184933A1; US7075154B2

Description

1271845 五、發明說明（1) 本發明係有關於一種靜電放電保護裝置，特別有關於一種具有更高靜電防護性能之靜電保護裝置，能夠避免因用以釋放靜電之電晶體群未全部進入「跳通」狀態（snaj) back)所造成之靜電防護性能降低現象。 N型金氧半場效電晶體（nmosFET)係一十分有效之靜電放電保護裝置。以其閘極連接至一閘極驅動信號為例， NMOSFETT可用做互補金氧半（CM〇s)緩衝器中之拉降 down)電路以驅動一輸出電壓。再以其閘極連接至地點為例，NM0SFET可以在靜電襲擊時，保護一輸入接腳或是電源匯流排不受損害。 ,〇在;IPS模式之靜電放電事件中，一積體電路接腳係承受一暫態之靜電放電正電壓，而低電位vss之電源接腳係位於=零電位（接地電位）。NM0SFET之靜電放電保護作用，要，仰賴在其汲極及源極間因「跳通」（snap back)現象而導通大量之靜電放電電流。在此靜電放電過程之初，位於沒極接合面之大I p ^ # • 安。向之大電％所引起之衝擊離子化（impact :〇niZatl〇n)現象會同時產生多數（majority)與少數 :inor i ty )載子。少數載子會被收，^ ^ ^ ^ ^ 流向基底或P井區之拯縮,、夕歎載子則才接觸自（c〇ntact)而在p 局部電位。當美麻夕民如；才（^内形成一 Q v 士広基底之局部電位較鄰近之N+源極電位莴屮〇 8 V時，源極接合面#形π , τ往电位同出0 · 按口曲便开/成順向偏壓。順偏注入少數載子$Ρ # f 士只娜心你極接合面會 ^ _ 井&中。部份注入之少數載子名其危士被重新結合（recombinpH、 ^ 双戟十在基底中〇d〇mDined)，而其他的則到一步地加強了衝擊離； /及極接a面進了衝擎離子化的現象。依此循環的結果，第4頁 0492-7385TlVf(n)； 90-164； Vincent.ptd 1271845

而開始導通大 NMOSFET便會進入一種低阻抗之跳通狀辦量之靜電放電電流。 &

:第1A及1B圖所示，在一多閘極指之靜電放電裝置之 ^ i二ί非所有的問極指都可以在靜電襲擊時發生跳通現^。延是因為有少數的閘極指可能已經快速地進入了低阻抗之跳通狀態，使得汲極與源極間之電壓差降低至題⑽ 之觸發電壓（Trigger V〇ltage)之下。如此將阻止其他的閘極才曰進仃導通。於是，在這種只有少數閘極指能夠導通靜電放電電流之情形下，NM0SFET之實際有效線閘極寬度被縮小’靜電放電之保護能力也降低。 §某一閘極指因靜電襲擊而被導通時，整條閘極指均處於導通狀態。這是由於一種連鎖現象（cascading e ^ f e c t)所k成’思即當局部之源極接合面處於順向偏壓日守’會注入大量的載子至基底中而流向汲極接合面，如此又產生了更多的多數載子流回P型護環而提高了鄰近P井區 f，位。於是，鄰近之源極區亦發生順向偏壓之現象。就疋藉由這種連鎖效應，整條閘極指均進入了跳通狀態。此例亦適用於當P井區為p型基底之實例。

經由實驗得知，在PS模式之靜電放電中，當NM0S具有車父長之閘極指（如第2圖所示之兩條1 〇〇 // m之閘極指）時會具有較第1A圖中1〇條2〇閘極指之NM0S高之靜電放電保護能力。其中，第2圖及第1A圖中之NM0S具有相同之總閘極指寬度’即200 /zm。此種現象是由於在一 PS模式之靜電放電事件中，多而短之閘極指將造成只有少數或部份閘極

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指進入跳通狀態之現象。傳統MOSFET為主、具有自我靜電放電保護能力之輪出入結構中，一般均具有多個NM0S及PM0S電晶體。如第3A及 3B圖所示，拉降用之NM〇SFET會包含多個閘極元件，有此連接至輸出電晶體用之閘極信號，而有些連接至低電位~ VSS或接地點之電源匯流排，以做為輸入端之靜電放電保護結構。同樣地，拉升用之PM0SFET亦會包含多個閘極元件，有些連接至輸出電晶體用之閘極信號，而有些連接至高電位VDD之電源匯流排，以做為輸入端或輸出入端之靜電放電保護結構。在這種傳統靜電放電保護方式中，由多晶石夕元件所形成之閘極元件一般均是各自搞接至一閘極传號或是電源匯流排。為了解決傳統多而短之閘極指所造成之靜電放電保護能力降低之問題，本發明提供一種相當於具有長型閘極扑之靜電放電保護裝置’可以利用長閘極指連鎖效應之優曰點，消除傳統結構中之缺點。本發明之第一目的在於提供一種靜電放電保護裝置，形成於-基底包括-第—絕緣區，形成於該基底上； -主動區’被該第-絕緣區包圍；一第二絕緣區，形成於該基底上並被該主動區環繞；一第一閘極，形成於該主動區中，具有一第一端延伸至該第一絕緣區上方及一延伸至該第二絕緣區上方；—沒極區，形成於該主動^中及該第-閘極之第-侧；一源極區，开)成於該主動區中及該第-閘極之第二侧汲極接觸窗，將該汲極區電性耦

1271845 五、發明說明（4) 接至一第一節點接至一第二節點本發明之第形成於一基底上一主動區，被該該基底上且被該區中，具有一第緣區上方；一第及第四端，分別第三閘極，形成別延伸至該第一位於一直線上。本發明之第一基底上，包括以及一第一導電體具有一第一端區電性耦護裝置，基底上；，形成於於該主動及第二絕有一第三，以及'一六端，分二閘極係 :以及—源極接觸窗，將該源極目的在於提供一種靜電放第包括一第一絕緣區，形成於該絕緣區包圍；一第二絕緣區動區環繞；一第一閘極，形成 =及第二端，分別延伸至該第一一間極，形成於該主動區中，具延伸至該第一及第二絕緣區上方於該主動區中，具有一第五及第絕緣區上方。其中，該第一及第二目的在於提供一種半導體裝置一第一及第二絕緣區，形成於該體，形成於該基底上。其中，該與該第一絕緣區重疊，以及一第，形成於基底上；第一導電二端與該第二絕緣區重疊藉此，本發明利用在主動區中形成一絕緣區，並形成位於同「直線上且在該第二絕緣區上相互隔離之兩個閘極L使得本發明之靜電放電保護裴置相當於具有一個長閘極指之效果，而可以利用長閘極指連鎖效應，消除了傳統結構中之缺點。實施例第4A、4B、4C及4D圖顯示了本發明第一實施例中之靜

4 1271845 五、發明說明（5) 電放電保護裝置。第4B、4C及4D圖分別為第4A圖中沿線 AA’ 、BB’及CC’切割所得之剖面圖。請同時參閱第4A、 ' 4C及4D圖，本實施例中之靜電放電保護裝置係形成於基底41上’包括形成於基底41上之絕緣區421、形成於基底41上並被絕緣區421包圍之主動區43、形成於基底41上並被主動區4 3環繞之絕緣區4 2 2、形成於主動區4 3中之閘

極（導電體）441、442、443、形成於主動區43中及閘極441 之一側之汲極區4 5 1、形成於主動區4 3中及閘極4 4另一侧之源極區4 5 2、將汲極區4 5 1電性耦接至一節點4 6 1之汲極接觸窗471、以及將源極區452電性耦接至一節點462之源極接觸窗472。其中，閘極441之一端延伸至絕緣區421上方（與絕緣區421重疊），而另一端延伸至絕緣區422上方 (與絕緣區422重疊）。閘極442之一端延伸至絕緣區421上方（與絕緣區421重疊），而另一端延伸至絕緣區422上方 (與絕緣區4 2 2重疊）。閘極4 4 3之兩端均延伸至絕緣區4 21 上方（與絕緣區4 21重疊）。閘極4 4 3電性麵接至閘極4 4 2。

沒極接觸窗4 71係位於閘極4 4 1、4 4 3或閘極4 4 2、4 4 3之間，包括至少一排與閘極441、442或443平行之接觸窗。汲極與源極接觸窗471、472可以是由鋁所製成之接觸窗 (A1 contact)或疋嫣插塞（Tungsten plug)。閘極441 係麵接至一閘極輸入信號，且閘極442可經由一阻抗481麵接或直接連接至節點4 6 2。阻抗4 8 1可為一電阻性元件。問極 442、443亦可以經由阻抗482耦接或直接連接至節點。阻抗482可為一電容性元件。此外，閘極441與閘極442係

1271845 五、發明說明⑹ ' ----— 大致位於一直線上而形成相當於一長形閘極指，共區4 5 1及源極區4 5 2，可蕤* /^ Λ 〆極』糟由在源極_閘極、汲極-閘極接人面么生/之連鎖效應而同時進入跳通狀態。閘極44ι2 : 均係由位於閘極氧化層49上之多晶矽層所構成。閘極將位於主動區43中之汲極區451及另一源極區453分離。在本實施例中，絕緣區422係被主動區43完全包圍而與絕緣區421完全分離。節點461可為一銲墊（pad)，而節點4 62可為一電源匯流排。基底為p型矽基底或是一N型井區。其中，當源極區452、453及汲極區451均為N型濃摻雜區時，節點462可為一低電位VSS電源匯流排；而當源極區 4 5 2、4 5 3及汲極區4 5 1均為P型濃摻雜區時，節點4 6 2可為兩電位V D D電源匯流排。閘極此外，絕緣區& 2 2可以是 '場氧化層或是其他適用於在積體電路中做為絕緣用之材質所構成，其可以使用與絕緣區421相同之結構所形成。依習知技術，場氧化層可以由LOCOS或淺溝隔離層等方式所形成。本實施例之靜電放電保護裝置除了可做為輸入保護/裝置外，根據輸出電晶體之電流驅動力需求，閘極442及443 亦可以麵接至閘極輸入信號而形成一個較大的輸出電晶體’而閘極441則耦接至電源匯流排以形成一較小的輸入保護裝置。閘極4 41、4 4 2、4 4 3之總閘極寬度必需符合靜電放電規格之需求，例如在2 K V之人體模型靜電放電中，形成輸入與輸出電晶體之總閘極寬度必需至少有2 〇〇 # m。第5A ' 5B及5C圖顯示了本發明第二實施例中之靜電放

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$保遵裝置。第5B及5C圖分別為第5A圖中沿線乂乂，及γγ，切士所得之剖面圖。請同時參閱第5Α、5Β及5C圖，本實施例中之靜電放電保護裝置與第4Α、4B、4C、4D圖中之靜電放電保護裝置具有類似之結構，不同處係在沒極區451中分佈有被汲極區451環繞之島狀物5〇。為了說明之簡潔，兩者中相同之元件係使用相同之符號且不再重複贅述。該島狀物之形成方式可參照中華民國第82〇94號專利。、日島狀物5〇係成陣列排列而形成一具有至少一個島狀物或是多排島狀物之島狀物陣列，至少分佈於汲極區451内且"於/及極接觸窗4 71與閘極4 41、4 4 2、4 4 3或絕緣區4 2 2 之一之間。島狀物50可以是形成於一氧化層51之上之多晶 =元件501，與閘極441以同樣之製程同時形成。汲極接g 窗4 71則由至少一個接觸窗之接觸窗陣列所組成，閘極 441、442及絕緣區422形成一第一元件組，島狀物陣列包括一排位於接觸窗陣列及第一元件組間之島狀物5〇。島狀物5 0之存在可以分散在汲極區4 51中之電流，增加各局部區域之靜電放電效能之一致性。 σ 第6Α、6Β及6C圖顯示了本發明第三實施例中之靜電放電保護裝置。第6Β及6C圖分別為第6Α圖中沿線DD，&ΕΕ，切割所得之剖面圖。請同時參閱第6人、6Β及6(：圖，其與第 5Α、5Β及5C圖所顯示之靜電放電保護裝置類似，但其島狀物50係由場氧化層5〇2(如第6Β及6C圖所示）所構成。、這此島狀物5 0較佳地是經由與絕緣區4 2 1相同之製程同時形成。該絕緣區421可以是由LOCOS或淺溝隔離層（Shallow

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Trench Isolation)所形成。第7A、7B及7C圖顯示了本發明第四實施例中之靜電放電保護裝置。第7B及7C圖分別為第7A圖中沿線GG，&FF，切割所得之剖面圖。請同時參閱第7A、7B及7(：圖，其中之靜，放電保護裝置與第5A、5B及5C圖所顯示之靜電放電保護裝置類似，不同處在於其絕緣區42 2之型態。為了說明之簡潔’兩者中相同之元件係使用相同之符號且亦不再重複贅述。其中’絕緣區4 2 2係絕緣區4 2 1延伸至主動區4 3内之一延伸部。因此，絕緣區422形成一自絕緣區421延伸出來且部份被主動區4 3包圍之一半島結構。第8A、8B及8C圖顯示了本發明第五實施例中之靜電放電保護裝置。第8B及8C圖分別為第7A圖中沿線HH，及KK，切割所得之剖面圖。請同時參閱第8A、8B及8(：圖，其中之靜電放電保護裝置與第6A、6B及6C圖所顯示之靜電放電保護裝置類似，不同處在於其絕緣區42 2之型態，及在主動區 43中增加一閘極444。為了說明之簡潔，兩者中相同之元件係使用相同之符號且亦不再重複贅述。其中，閘極444形成於主動區43内，閘極443之兩端分別延伸至絕緣區4 2 1及4 2 2之上方（分別與絕緣區4 21及4 2 2 重疊），而閘極4 4之兩端亦分別延伸至絕緣區4 21及4 2 2上方。此外’閘極4 41、4 4 2係大致位於一直線上，而閘極 44 3、444係大致位於另一直線上。閘極441連接至閘極 443 ’閘極442連接至閘極444。一部份之汲極接觸窗471位

0492-7385TWf(n) ； 90-164 ； Vincent.ptd 第 11 頁 1271845 五、發明說明（9) 於閘極441、443之間，且另一部份之汲極接觸窗471係位於閘極442、444之間。島狀物陣列則包括一組分散之島狀物5 0，絕緣區4 2 2延伸至此組分散島狀物之中。第9圖顯示了本發明第六實施例中之靜電放電保護置。其亦與第第6A、6BA6C圖所顯示之靜電放電保護袭t 2似，不同處在於其絕緣區422係延伸至島狀物陣列之、綜合上述，本發明提供一種相當於具有長型閘極指 f電放電保護裝置’利用在主動區中形成一絕緣區 =位=致同一直線上且在此絕緣區上相互：極，組成-個類似一長閘極指結構，而可觸動時之連鎖效應，消除了傳統結構中之缺點。攻靜電雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，麸苴定J發明’任何熟習此技藝者，在不脫離神和棘圍内，當可作些許之更動盥 X月之精護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。發明之保 1271845 圖式簡單說明以下

就圖式説明本發明之一種靜電放電保護裝置之實施例。圖式簡單說明第1 A、1 B圖顯示〆傳統多閘極指之靜電放電裝置之結構；第2圖顯示一長閘極指之靜電放電裝置之結構；第3A、3B圖顯示傳統以M0SFET為主、具有自我靜電放電保護能力之輸出入保護裝置結構； + 第4A、4B、4C及4D圖顯示了本發明第一貫施例中之靜電放電保護裝置；第5A、5B及5C圖顯示了本發明第二實施例中之靜電放電保護裝置；第6A、6B及6C圖顯示了本發明第三實施例中之靜電放電保護裝置；第7A、7B及7C圖顯示了本發明第四實施例中之靜電放電保護裝置；第8A、8B及8C圖顯示了本發明第五實施例中之靜電放電保護裝置；第9圖顯示了本發明第六實施例中之靜電放電保護裝置。 [符號說明] 41〜基底； 421、422〜絕緣區； 43〜主動區；

0492-7385TWf(n) ； 90-164 ； Vincent.ptd 第13頁 1271845 圖式簡單說明 441 、442 、443 、 444〜閘極； 4 5 1〜汲極區； 4 5 2、4 5 3〜源極區； 4 6 1、4 6 2〜節點； 4 7 1〜汲極接觸窗； 4 7 2〜源極接觸窗； 481、482〜阻抗； 4 9〜閘極氧化層； 5 0〜島狀物。

0492-7385TWf(n) ； 90-164 ； Vincent.ptd 第14頁

Claims

1271845 六、申請專利範圍 1 · 一種靜一第一絕一主動區一第二絕一第一閘至該第一絕緣方；側；側；以及電放電保護裝置，形成於一基底上，包括：緣區，形成於該基底上；，形成於該基底上並被該第一絕緣區包圍；緣區，形成於該基底上並被該主動區環繞；極，形成於該主動區中，具有一第一端延伸區上方及一第二端延伸至該第二絕緣區上一沒極區，形成於該主動區中及該第一閘極之第一源極區，形成於該主動區中及該第一閘極之第一汲極接觸窗，將該汲極區電性耦接至一第一節點；一源極接 2·如申請其中該第二絕 3·如申請其中更包括一具有一第三端該第二絕緣區觸窗，將該源極區電性搞接至一第二節點。專利範圍第1項所述之靜電放電保護裝置，緣區係被該主動區完全包圍。專利範圍第1項所述之靜電放電保護裝置，形成於該主動區中之弟二閘極’該第二閘極延伸至該第一絕緣區上方及一第四端延伸至上方0 4·如申請專利範圍第3項所述之靜電放電保護裝置其中該第一及第二閘極係位於同/直線上。 5·如申請專利範圍第3項所述之靜電放電保護裝置，其中該第一及第二閘極均係由/位於一閘極氧化層上方之

0492-7385TWf(η) » 90-164 i Vincent.ptd 1271845 六、申請專利範圍多晶矽層所形成。 6·如申請專利範圍第丨項其中更包括一形成於該主動員巴所中4之靜電放電保護裝置’ 具有一第五及第六端，每中之第三閘極，該第三閘極絕緣區上方，且該沒極接觸H及第六端係延伸至該第-間。安觸自係位於該第一及第三閘極之其中該第17 :範圍，6項所述之靜電放電保護裝置，區分以。甲β :位於该主動區中之該汲極區及另-源極 1中兮：申;:f利靶圍第6項所述之靜電放電保護裝置， ”中該弟二閘極電性耦接至該第一閘極。直Λ ;申請專利範圍第6項所述之靜電放電保護裝置，中該苐二閘極電性耦接至該第二閘極。 JL由j #如申明專利範圍第1項所述之靜電放電保護裝置， ;争耦：δ : :!極係耦接至一閘極輸入信號，且該第二閘極係耦接至該第二節點。 lj ·如申明專利範圍第9項所述之靜電放電保護裝置， /、该第二閘極經由一第一阻抗耦接至該第二節點。 1 2·如申請專利範圍第丨丨項所述之靜電放電保護裝置’其中該第一阻抗係一電阻性元件。 1 3.如申請專利範圍第9項所述之靜電放電保護裝置，其中該第二閘極更經由一第二阻抗耦接至該第一節點。 1 4·如申請專利範圍第1 3項所述之靜電放電保護裝置’其中該第二阻抗係一電容性元件。

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1 5 ·如申请專利範圍第1 其中該第一節點係一銲墊。所述之靜電放電保護裝置， 1 6 ·如申ό青專利範圍第1 其中該第二節點係一電源匯】：述之靜電放電保護裝置， 1 7 ·如申凊專利範圍第1 其中該源極及汲極區係各Α刑/之靜電放電保護裝置， -低電位VSS電源匯流排為i摻雜區’且該第二節點係 18·如申請專利範圍第其中該源極及區所;^靜電㈣㈣裝置，係一高電位VDD電源匯^排型推雜區，且該第二節點其中t勹；申一 ^目專^利範圍第1項所述之靜電放電保護裝置’ i^ B 有至少一島狀物之島狀物陣列，分佈於該且介於該没極接觸窗與該第一㈣、第二絕緣區苴中爭/红申明專利範圍第3項所述之靜電放電保護裝置， i極區=Η島狀物陣列，具有至少一島狀物，分佈於該極、i 1邑=該汲極接觸窗與至少該第一閘，、第二閘往弟一絕緣區之一之間。置，直中1申请專利範圍第2 0項所述之靜電放電保護裝列，i第ί汲極接觸窗係一具有複數接觸窗之接觸窗陣 , 二6 —、第二閘極及該第二絕緣區形成一第一元件組，該島壯仏咕f , 卞杜红π > 物陣列包括一排位於該接觸窗陣列及該第一元件組間之島狀物。疋如申睛專利範圍第1 9項所述之靜電放電保護裴

1271845 六、申請專利範圍 XJJJ ’其中該島狀物陣列包括複數排之島狀物。 2 3 ·如申請專利範圍第1 9項所述之靜電放電保護裝 f ’其中該島狀物陣列包括一第一島狀物，該第一島狀物匕括一形成於一氧化層之上之多晶矽元件。 2 4 ·如申凊專利範圍第1 9項所述之靜電放電保護裝，其中該島狀物陣列包括一第一島狀物，該第一島狀物包括一場氧化層。 25·如申請專利範圍第19項所述之靜電放電保護裝其中該島狀物陣列包括一第一島狀物，該第一島狀物，、經由與該第一絕緣區相同之製程所形成。 26·々如申請專利範圍第1項所述之靜電放電保護裝置，二中該第二絕緣區係該第一絕緣區延伸至該主動區延伸部。 2 7.如^申明專利範圍第2 6項所述之靜電放電保護裝邱I ^第—絕、緣區形成一自該第一絕緣區延伸出來且 4伤被该弟二主動區包圍之一半島結構。 2 8 · 士申明專利範圍第工項所述之靜電放電保護裝置， :門形成於該主動區内之一第三及第四閘極，該第 ΚΪίΓΪΐ及第六端，分別延伸至該第-及第二絕至該第一及第二絕緣區上方冑“及第…分別延伸晉H申7專利範圍第28項戶斤述之靜電放電保護裝置’其中該第一閘極連接至嗜筮一至該第四閘極。埂接至該第二開極’該第二閘極連接

0492-7385TWf(η) » 90-164 1 Vincent.ptd 第18頁 1271845 六申請專利範圍置’其中該V:專二粑窗圍/28項所述之靜電放電保護裝 -汲極接觸窗位於咳第_::第-及第三閘極之間’且另 Ή 、汲第—及第四閘極之間。置，其中該第月一專利粍一圍第28严所述之靜電放電保護裝 χ弟及第一閘極係位於一直後上，兮楚-四閘極亦係位於另一直線上4線上3第二及第 3 2.如申請專利範圍第3項所述之靜電放電保護裝置， ^該島狀物陣列包括一組分散之島狀物，該第二絕緣區延伸至該組分散島狀物之中。、基底上，包 33· —種靜電放電保護裝置，形成於括：一第一絕緣區，形成於該基底上；一主動區，被該第一絕緣區包圍；一第二絕緣區，形成於該基底上且被該主動區環繞；一第一閘極，形成於該主動區中，具有一第一及第二端，分別延伸至該第一及第二絕緣區上方；一第二閘極，形成於該主動區中，具有一第三及第四端，分別延伸至該第一及第二絕緣區上方；以及一第三閘極，形成於該主動區中，具有一第五及第六端，分別延伸至該第一絕緣區上方；其中，該第一及第二閘極係位於一直線上。 3 4 ·如申請專利範圍第3 3項所述之靜電放電保護裝置，其中該第三閘極與該第一及第二閘極平行。 35·如申請專利範圍第33項所述之靜電放電保護裝

0492-7385TWf(n) ； 90-164 ； Vincent.ptd 第19頁 1271845 六、申請專利範圍置其中"亥基底具有一第一導電性，該靜電放電保護裝置更包括：第/辰摻雜區，具有一第二導電性，形成於該主動區中及該第一閘極之一第一側；一第二濃摻雜區，具有該第二導電性，形成於該主動區中及該第一閘極之一第二侧；一第一接觸窗，將該第一濃摻雜區電性耦接至一第一節點；以及一第二接觸窗，將該第二濃摻雜區電性耦接至一第二節點。 3 6 ·如申睛專利範圍第3 5項所述之靜電放電保護裝置’其中該第一接觸窗包括一排至少與該第一、第二、第三閘極之一平行之接觸窗。 37·如申請專利範圍第36項所述之靜電放電保護裝置’其中該第一接觸窗包括一排與該第一、第二及第三閘極平行之接觸窗。 3 8 ·如申請專利範圍第3 6項所述之靜電放電保護裝置’其中該排接觸窗係位於該第一及第三閘極之間。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項所述之靜電放電保護裝置’其中該排接觸窗更位於該第二及第三閘極之間。 40·如申請專利範圍第33項所述之靜電放電保護裝置，其中該第一閘極係耦接至一第一節點，該第二閘極係耦接至一第二節點。 41 ·如申請專利範圍第4 0項所述之靜電放電保護裝

0492-7385TWf(n) ； 90-164 ； Vincent.ptd 1271845 六、申請專利範圍置，其中該第三閘極係耦接至該第一、第二節點之一。 42·如申請專利範圍第4〇項所述之靜電放電保護裝置’其中該第一節點係一銲墊，該第二節點係一電源匯流排。 4 3 ·如申請專利範圍第3 5項所述之靜電放電保護裝置’其中更包括至少一島狀物，位於該主動區中且被該第一濃摻雜區環繞。 44·如申請專利範圍第43項所述之靜電放電保護裝置’其中該至少一島狀物包括一第一島狀物，且該第一島狀物包括一場氧化層。 4 5.如申請專利範圍第43項所述之靜電放電保護裝置，其中該至少一島狀物包括一經由與該第一絕緣區相同製程所形成之第一島狀物。 46·如申請專利範圍第43項所述之靜電放電保護裝置，其中該至少一島狀物包括一第一島狀物，且該第一島狀物包括一位於一氧化層上之多晶矽元件。 4 7 ·如申請專利範圍第4 3項所述之靜電放電保護裝置，其中該至少一島狀物包括一經由與該第一閘極相同之製程所形成之第一島狀物。 48.如申請專利範圍第43項所述之靜電放電保護裝置，其中該至少一島狀物包括一第一島狀物，該第一島狀物係與該第一絕緣區及第一閘極之一同時形成。 49·如申請專利範圍第43項所述之靜電放電保護裝置，其中該第一接觸窗係一第一接觸窗陣列，該島狀物包

0492-7385TWf(n) ; 90-164 ; Vincent.ptd 第 21 頁 1271845 六、申請專利____ 括複數第一 > "" .二閉极之；，位於該第一接觸窗陣列及該第-、第 5〇 κ ^ ^ 置，其中誃5睛專利範圍第49項所述之靜電放電保護裝第一接觸二'一島狀物更包括複數第二島狀物，位於嗜 ^觸固陣列及該第三閘極之間。彳於及置，其中如/請專利範圍第35項所述之靜電放電保護裝該靜雷访Ϊ第一濃摻雜區更位於該第三閘極之一第一側，該餘，放電保護裝置更包括：三濃摻雜區，具有該第二導電性，形成於該主動 ° ^第三閘極之一第二側；節 —第三接觸窗，將該第三濃摻雜區電性耦接至該第二 I 〇 52 一種半導體裝置，形成於一基底上，包括：第—及第二絕緣區，形成於該基底上；以及一第一導電體，形成於該基底上；疊其中，該第一導電體具有一第一端與該第一絕緣區重以及一第二端與該第二絕緣區重疊。 ^々53·如申請專利範圍第52項所述之半導體裝置，其中該第及第二絕緣區係完全分離。 54·如申請專利範圍第項所述之半導體裝置，其中更包括：一第一摻雜區，位於該第〆導電體之一第一側；以及一第二摻雜區，位於該第〆導電體之一第二側。 55·如申請專利範圍第54項所述之半導體裝置，其中

1271845 六、申請專利範圍更包括= 一第一接觸窗，將該第一摻雜區電性耦接至一第一節點；以及一第二接觸窗，將該第二摻雜區電性耦接至一第二節點。 5 6.如申請專利範圍第5 2項所述之半導體裝置，其中該第一導電體係由一多晶矽層所形成。 5 7.如申請專利範圍第52項所述之半導體裝置，其中該第一導電體僅具有兩端。 5 8.如申請專利範圍第52項所述之半導體裝置，其中更包括一第二導電體，具有一與該第一絕緣區重疊之第一端以及一與該第二絕緣區重疊之第二端。 59.如申請專利範圍第58項所述之半導體裝置，其中該第一及第二導電體係位於一直線上。 6 0.如申請專利範圍第58項所述之半導體裝置，其中該第一及第二導電體係相互平行。 6 I如申請專利範圍第58項所述之半導體裝置，其中該第一及第二導電體均由位於一薄氧化層上之多晶矽層所形成。

0492-7385TWf(n) ； 90-164 ； Vincent.ptd 第23頁