TWI269110B - Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel - Google Patents

Description

1269110 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一用於液晶顯示器之薄膜電晶體陣列面 板’且具體言之，係關於一包括兩類用於產生水平電場之 場產生電極的薄膜電晶體陣列面板。 【先前技術】 在美國專利第5,598,285號中揭示了用於藉由使用水平電 場驅動液晶之一習知技術。 在美國專利第5,598,285號中所揭示之一液晶顯示器 (LCD)包括用於產生水平電場之像素電極及共同電極。該 LCD具有一問題，即液晶分子之性能在接近像素之頂部及 氐P4刀處產生失真，此處共同電極與一連接至共同電極 用於傳送共同訊號之儲存電極線彼此鄰近。失真可藉由擴 展一黑矩陣來覆蓋，但其減少了孔徑比。 展郯近資料線之共同電極來解決此問題，但其 另外，存在一問題，即在一用於將電壓施加至該等像素 電極之資料線與平行於該資料線之像素電極或共同電極之 間的耦合使液晶驅動失真並導致光泄漏及串擾。可藉由擴 ’但其亦減少孔徑

延伸，故難以增加該等電極之數目。 【發明内容】 貝料綠延伸，即 之像素之長邊緣 本發明提供一 種薄膜電晶體陣列面板，其包括：在一基 1269110 2形成且包括複數個傾斜部分及複數個閉極之複數個間 =;在該閉極線上之第一絕緣層；一在該第一絕緣層上 錄4 =半導體層，至少在該半導體層上形成且與該等閘極 目又μ界疋梯形像素區域之複數個資料線，·與該等資料 =之複數個沒極；至少在半導體層之未用資料線及汲 ^之部分上形成之第二絕緣層；在該第二絕緣層上形 、且連接至該等汲極之複數個像素電極，每一像素區域中 安置至少兩個該等像素電極，·及在該第二絕緣層形成，盘 该等像素電極交錯排列並連接至該等汲極之複數個共同電 極’每—共同電極具有-與該等像素電極之一邊緣隔開並 大體上與5亥專像素電極之邊緣平行之邊緣。 該$閘極線在該等像素區域之邊界附近可為f曲的。 该寺共同電極與該等像素電極可大體上平行於該等閘極 線之傾斜部分延伸。 >薄膜電晶體陣列面板可進一步包括複數個儲存電極線， 该等電極線具有複數個大體上平行於該等資料線延伸之第 一部分。 薄膜電晶體陣列面板可進—步包括複數個訊號線，該等 訊號線疊加該等儲存電極線以形成儲存電容器。 該等像素電極與該等共同電極可包括透明材料。 薄膜電晶體陣列面板可進一步包括複數個彩色濾光器， 忒等濾光器安置於鈍化層下方並位於該等像素區域中。 本發明提供一種液晶顯示器，其包括··第一面板；面向 忒第-面板之第二面板；及一在該第一面板與該第二面板 1269110 之間插入的液晶層。第—面板包括··在一基板上形成且包 括複數個傾斜部分及複數個閉極之複數個間極線；在該間 極線上之第-絕緣層；一在該第一絕緣層上形成之半導^ 層；至少在該半導體層上形成且與該等間極線相交以界定 梯形像素區域之複數個資料線；與該等資料線分開之複數 個放極；至少在半導體層之未用資料線及沒極覆蓋之部分 上形成之第二絕緣層；在該第二絕緣層上形成且連接至哼 等沒極之複數個像素電極，每一像素區域中安置至少兩個 ，等像素電極；及在該第二絕緣層形成，與該等像素電極 又錯排列並連接至該等沒極之複數個共同電極，每一共同 電極八有與邊等像素電極之_邊緣隔開並大體上與該等 像素電極之邊緣平行之邊緣。 呑亥液晶顯示哭】隹—ok. ^ I . . 口口 V匕括一雄、封層，其安置成包圍第二 面板且封閉液晶層。 ❿ 。亥液曰曰顯不|§進一步包括一光阻斷構件，其定位在密封 層内並界疋-用於顯示影像之顯示區域。 。亥光阻斷構件可包括有機材料且其藉由絲刻法被圖案 化。 5亥液晶顯示^隹__LK Λ, I-. > ,y 進步包括包括與光阻斷構件相同層之複 數個隔片。 :亥寺片可具有不同於光阻斷構件之高度。 斷構件可具有複數個凹陷處（depression)。 【貫施方式】 中現將參考其中展示本發明之較佳實施例之隨 93677 1269110 附圖式來更全面地描述本發明。然而，本發明可以許多不 同形態來體現且不應解譯為限制於本文中所說明之該等實 施例。 在该等圖式中，為清楚起見而放大了層、膜及區域之厚 度。自始至終相同數字代表相同元件。應瞭解，當一元件 (諸如層、膜、區域或基板）被稱作，，在，，另一元件”上，，時， 其可直接位於其他元件上或亦可存在介入元件。相反，當 一元件被稱作”直接在”另一元件，，上，，時，則不存在介入2 件。 現在，將因此參考該等隨附圖式來描述根據本發明之實 施例的液晶顯示器（LCD)及薄膜電晶體（TFT)陣列面板。 參看圖1及圖2詳細描述根據本發明之一實施例之咖。 且 圖1係根據本發明之—實施例之lcd的示意俯視圖 圖2係圖1所示之LCD之沿線ΙΙ-Π，所取之剖視圖。 麥看圖1及圖2 ’根據本發明之一實施例之咖包括相互 面對且其中具有一間隙之下部與上部面板100與200;—液 晶層300，其充滿在下部面板1〇〇與上部面板200之間的間 隙且包括複數個液晶分子，該等液晶分子大體上平行地盘 面板100與200之表面對齊；-密封層_，其插入下部面 =上部面板200之間並密封液晶層；及一安置在密封 層400内之光阻斷屌 0(其被稱作”黑矩陣”），其界定-顯 不影像之顯示區地，0 I β — 次且阻斷该顯示區域周圍之光泄漏。光 阻斷層500較佳由有機 ^ 200之間間隙的隔片之 板氣 93677 1269110 當製造LCD時，在上部面板2〇〇(其亦被稱作反向面板）上 形成光阻斷層500及密封層400，且在下部面板ι〇〇(其亦被 稱作TFT陣列面板）上形成複數個訊號線及複數個TFT。光 阻斷層500及密封層400兩者或任一個可在”丁陣列面板1〇〇 上形成。 詳言之，在TFT陣列面板100上提供複數個閘極線及複 數個資料線，該等線界定具有梯形形狀之複數個像素區 域，且複數個像素電極與共同電極相互平行對齊。連接至 该等共同電極之複數個儲存電極線平行於該等資料線延伸 並延伸至該等像素區域之長邊緣。在無電場時，液晶分子 垂直於該等資料線及該等共同訊號線對齊，且該等閉極線 包括與該等資料線相交之複數個橫向部分及平行於該等共 同電極延伸之複數個傾斜部分。 首先，參看圖3與圖4，現描述用於根據本發明之第一實 施例之LCD之TFT陣列面板。 、 圖3係肖於根據本發明之一實施例的l⑶之π 丁陣列面 板中的像素之示意佈局圖，且圖4係圖3所示之TFT陣列面 板之沿線IV-IV’所取之剖視圖。 >看圖3及圖4，在—絕緣基板m上形成複數個間極線 121及與該等閘極線121分開之複數個儲存電極線131。、 用於傳送閉訊號之閉極線121大體上以一橫向方向延伸 ==分開。每1極線121之複數個部分形成閘極 閘極123可自間極、_支。每-間極線⑵包括 父錯連接之複數個傾斜部分及複數個橫向部分。該等傾斜 93677 •】0 - 126911ο 自左至右包括上升部分盘下降 縱h ^ 刀一 Μ爹口ρ刀且其以橫向方向及 縱向方向交錯排列。每一 β . Αί 位琛121可包括一用於與另一 曰3 外部設備接觸之末端部分（夫展+、 _ . 丨刀（禾展不）。该等閘極123可 自5亥等閉極線121分支。 每一儲存電極線1 3丨大體 ^ ^ ^ ^铋向方向延伸且其大體上 =近兩個閘極線121等距。每—儲存電極線⑶包括向上 個：：延伸之複數個縱向分支132及具有較大面積之複數 κ張部分134。每一擴張部分134自左至右具有一上升邊 、、及一下降邊緣，其大體上平行於閘極線121之上升部分 與下降部分。上升邊緣面向該等閘極線121之上升部分且 :降邊緣面向該等閘極線121之下降部分。使用諸如通用 電：之預疋電壓來供應該等儲存電極線丨3 i。 八口亥等閘極、線121與該等儲存電極線131較佳由^及^合 孟諸如八§與入8合金之含Ag金屬，諸如(:^與“合金之含 Cu金屬、Cr、Mo、Mo合金、Ta、或Ti製成。其可具有多 層:结構。閘極線⑵與儲存電極線131可包括具有不同物理 特试之兩個薄膜’即一下部薄膜與一上部薄膜。上部薄膜 車乂佳由包括诸如A1與A1合金之含乂金屬之低電阻率金屬製 成以用於減少該等閘極線121與該等儲存電極線13丨中的訊 就延日守或電壓降。另一方面，下部薄膜較佳由諸如心、

Mo、Mo合金、Ta、及Ti之材料製成，該等材料具有較好 物理、化學、及與其他材料（例如）銦錫氧化物（ITO)及銦辞 氧化物（IZO)之電性接觸特徵。下部薄膜材料與上部薄膜 材料之較好例示性化合物為cr&A1_Nd合金。 93677 1269110 另外，该等閘極線121與該等儲存電極線131之側面相對 於基板110之表面為傾斜的，且其傾斜角在大約20至80度 之範圍内變化。 在閘極線121與儲存電極線131上形成一較佳由氮化矽 (SlNx)製成之閘絕緣層14〇。 .在閘絕緣層140上形成較佳由加氳非晶系矽（簡寫為 si”）或多晶矽製成之半導體島狀物15〇且其與該等閘極a] 反向安置。在該等半導體島狀物150上形成較佳由較重摻 雜^類里雜貝之矽或n +加氫a_si製成之複數對之歐姆接點 163與165。每對歐姆接點163與165皆係定位在該等半導體 島狀物150上。半導體島狀物15〇及歐姆接點163可以縱向 方向延伸。 5亥等半導體島狀物150及歐姆接點丨63與丨65之側面相對 於基板no之表面傾斜，且其傾斜角較佳在約3〇至8〇度之 間的範圍内。 在歐姆接點163與165與閘極絕緣層14〇上形成複數個資 料線171與複數個汲極1 7 5。 傳送資料電壓之資料線丨7丨大體上以縱向方向延伸且與 該等閘極線121相交以界定梯形像素區域。每一資料線i7i 可包括-用於與另-層或一外部設備接觸之末端部分（未 展示）。 每-資料線171之複數個分支延伸至歐姆接點163上以形 成面向該等汲極175之末端部分的複數個源極173。該等源 極Π3與該等汲極175中的每—對相互分開且相對於間極 12- 1269110 123相互反向。一閘極123、一源極173、及一汲極^乃與一 半導體島狀物150—起形成一 TFT，其具有一在半導體島狀 物150中形成之安置在源極173與汲極175之間的通道。 母一汲極175包括一縱向部分172，其以縱向方向自歐姆 接點165延伸以與儲存電極線131之一分支132重疊；及一 杈向部分1 76，其以橫向方向延伸以與該等儲存電極線丨3工 重疊。該橫向部分176具有一擴張部分m，其與儲存電極 線131之擴張部分134重疊且大體上具有與擴張部分η#相 同之平坦形狀。 該等資料線171與該等汲極175較佳由諸如心、M〇、m〇 合金、Ta或Ti之類的難溶金屬製成。其可包括較佳由m〇、 Mo合金或Cr製成之一下部薄膜，及一定位於其上且較佳 由含A1金屬或含Ag金屬製成之上部薄膜。 如該等閘極線121與該等儲存電極線13丨，該等資料線 171與該等汲極175相對於基板丨1〇之表面具有錐形側面， 且其傾斜角在大約30至80度之範圍内。 僅在下方的半導體島狀物15〇與上覆的資料線i7i及其上 上覆之汲極175之間插入歐姆接點163與165且減少其中之 接點電阻。該等半導體島狀物15〇包括未用資料線丨^及汲 極175覆盍之複數個曝露部分，諸如定位在源極Η〗與汲極 1 7 5之間的部分。 在資料線m、汲極175、及半導體條紋151之曝露部分 上形成複數個紅、綠及藍彩色渡光器R、gab。各個彩色 濾光器R、（5及3之大體上安置在鄰近之兩個資料線171之 93677 -13- 1269110 間且以縱向方向延伸。彩色濾光器R、G及B不安置在具有 閘極線121與資料線171之末端部分的周邊區域上。儘管圖 4展示鄰近彩色濾光器R、G及B之邊緣精嫁地相互匹配， 但杉色濾光器R、G及B可相互隔離。彩色濾光器R、（}及B 可在该等資料線171上相互疊加以阻斷光泄漏，且在該情 形下’其邊緣較佳相對於基板之表面傾斜。 可在％色濾光器R、G及B下方安置一較佳由無機絕緣材 料（诸如二氧化矽或氮化矽）製成之層間絕緣層（未展示）。 在衫色濾光器R、G及B上形成一鈍化層18〇。該鈍化層 180較佳由氮化矽或具有較好平直特徵之有機材料製成。 忒鈍化層1 80與彩色濾光器R、（^及B具有曝露該等汲極 175之縱向部分172之複數個三重接點孔182。另外，該鈍 化層I80與彩色濾光器R、G及B可具有曝露閘極線121與資 料線1 71之末端部分複數個接點孔（未展示）。 在純化層1 8 0上形成複數個像素電極19 2與19 4及一共同 電極網，該網包括複數個縱向晶體管管座及連接至該等鄰 近縱向晶體管管座中至少一個的複數個共同電極191、193 及195。為增加光之透射，像素電極192與194及共同電極 網可由透明導電材料（例如1丁〇與12〇)製成。 像素電極192與194藉由該等接點孔182實體並電連接至 该等汲極175之縱向部分使得像素電極19〇自汲極175接收 資料電壓。每一像素電極194疊加一儲存電極線131之擴張 部分134及一汲極175之擴張部分174，且包括大體上分別 平行於擴張部分134之上升邊緣與下降邊緣延伸之兩個分 93677 -14- 1269110 支196。（為便於描述，分支196亦被稱作像素電極）。大體 上為直線之每一像素電極192安置在閘極線12丨之傾斜部分 與像素電極196之間，且大體上與其平行。 每一共同電極195連接至一縱向晶體管管座且疊加一儲 存電極線131。共同電極195安置在像素電極194之分支196 之間，且具有平行於該等分支196之上升邊緣與下降邊 緣。每一共同電極191連接至鄰近的縱向晶體管管座且覆 盍閘極線121之傾斜部分使得共同電極191之兩個邊緣關於 閘極線121相互反向安置且平行於傾斜部分延伸。大體上 為直線的每一共同電極193安置在鄰近像素電極丨92與196 之間且大體上與其平行延伸。 因此，該等共同電極191、193與195及該等像素電極 與196交錯排列且該等共同電極191、193與195及該等像素 電極192與196之邊緣大體上相互平行。 連接至汲極175之像素電極192與196與鄰近之共同電極 191、193及195形成一液晶電容器’在關閉TFT之後，該液 晶電容器儲存所施加的電塵。冑供一平行連接至液晶電容 器之被稱作”儲存電容器”的額外電容器以用於增加電壓儲 存容量。藉由使用儲存電極線131疊加像素電極192與194 來建構該儲存電容^。藉由將連接至該等像素電極⑽與 194並定位在該等像素電極192與194下方的該等汲極175延 伸至該等儲存電極線131/且與該等儲存電極線ΐ3ι疊加以 用於降低端子之間的距離及藉由在汲極Π5與儲存電極線 131處提供擴張部分以用於增加疊加區域來增加該儲存電 1269110 容器之電容，即儲存電容。 可在鈍化層180上形成複數個接點輔助元件（未展示）且 其可藉由在鈍化層180與彩色濾光器R、〇與B上提供之接 點孔連接至該等閘極線121與該等資料線171之末端部分。 在鈍化層180上形成一用於對齊液晶分子之對齊層（未展 不）。可較佳地以一垂直於該等資料線丨7丨之方向研磨該對 齊層。 共同電極191、193與195及像素電極192與194可分別由 如閘極線121與資料線171相同之層形成。該等共同電極 191、193與195及該等像素電極192與196較佳地具有等於 或低於大約2,0〇〇A之厚度以用於防止歸因於高度差異之對 準不足。 ，在用於根據本發明之該實施例之LCD的TFT陣列面板 中，彩色濾光益R、G及B與鈍化層1 8 〇由低介電有機材料 製成並插入電極191、192、193、196與195與閘極線121及 資料線171之間以減弱其中的側電場，且因此該等電極 191、192、193、196與195可疊加該等閘極線121與該等資 料線171以增加孔徑比。 另外’安置在TFT陣列面板100上之彩色濾光器r、g及b 可減少對準限界以防止孔徑比之減少。 此外，彳諸存電極線131之縱向分支132平行於資料線171 沿像素區域之長邊緣延伸且判定研磨方向使得液晶分子在 無電場時垂直該等資料線171對齊。因此，由在該等資料 線171與该等儲存電極線1 3 1之縱向分支1 32之間的電壓差 93677 -16- 1269110 異所產生之電場使液晶分子處於其起始定向且相應區域顯 示黑色以防止側面串擾。 另外，由於共同電極191、193與195及像素電極192與 196不同於先前技術以像素區域之長邊緣方向排列，所以 可易於調整該等電極191、192、193、196與195之數目。 此外，由於定位在該等像素區域之邊緣附近之像素電極 與共同電極平行於由閘極線121與資料線171界定之像素區 域之邊緣延伸，所以有效顯示區域可擴大至該等像素區域 之角。而且，定位在該等像素區域之中心附近（此處產生 損壞影像品質之紋理）之儲存電容器防止像素區域之透射 減少以最大化該等像素區域之透射。 參看圖5A至9B以及圖3與圖4 ,現將詳細描述製造圖3與 圖4中所不之根據本發明之一實施例的TFT陣列面板之方 法。 圖5A、6A、7A、8A與9A係在其一製造方法之中間步驟 中的圖3及圖4中所示之根據本發明之一實施例的TFT陣列 面板之佈局圖，且圖5B、6B、7B、8B及9B係圖5A、6A、 7A、8A及9A中所展示之分別沿線vB_vb，、VIB-VIB，、 VIIB-VIIB’、VIIIB-VIIIB’、ΐχ-ΐχ’所取之 TFT 陣列面板之 剖視圖。 芩看圖5A與5B，藉由光蝕刻在絕緣基板i 1〇上形成包括 複數個閘極123之複數個閘極線丨21，及包括複數個縱向分 支132與擴張部分134之複數個儲存電極線131。 參看圖6A與6B，在順序沈積一閘絕緣層14〇、一内在^ 93677 1269110

Si層、及一外在a-Si層之後，光蝕刻該外在a_si層及該内在 a-Si層以在該閘絕緣層ι4〇上形成複數個外在半導體島狀物 160及複數個内在半導體島狀物15〇。 茶看圖7A與7B，藉由光蝕刻形成包括複數個源極173之 複數個資料線171及包括具有擴張部分174之複數個縱向部 分172與橫向部分176的複數個汲極175。 其後’移除外在半導體島狀物16〇上未用資料線171與汲 極175覆蓋之部分，以完成複數個歐姆接點島狀物163與 165 ’並曝露内在半導體島狀物條紋丨5〇。為使半導體島狀 物150之曝露部分穩定，較佳地在其後進行氧電漿處理。 如圖8A與8B中所示，形成一層間絕緣層（未展示）且按順 序塗覆並圖案化包括紅、綠及藍色素之感光薄膜，以形成 具有曝露汲極175之縱向部分172之開口的複數個紅、綠及 藍彩色濾光器R、G、及B。一起沈積並圖案化一鈍化層 1 80及該層間絕緣層與閘絕緣層14〇，以形成具有傾斜側壁 之複數個接點孔182。 最後，如圖3與4中所示，藉由沈積並光蝕刻一具有約為 4〇〇入至500入之厚度的ITO或IZO層而在鈍化層18〇上形成複 數個像素電極192與194、一包括共同電極191、193與195 之共同電極網，以及複數個接點輔助元件（未展示 參看圖10，現將詳細描述一用於根據本發明之另一實施 例之LCD之TFT陣歹U面板。 圖1 〇係用於根據本發明之另一實施例之LCD之例示性 TFT之剖視圖。 93677 -18- 1269110 如圖10中所示，一用於根據該實施例之LCD之TFT陣列 面板之層狀結構幾乎與圖4中所示之層狀結構相同。亦 即’在一基板11 〇上形成包括複數個閘極12 3之複數個閘極 線121與包括複數個縱向分支132及擴張部分134之複數個 儲存電極線1 3 1，且在其上順序形成一閘極絕緣層丨4()、複 數個半導體島狀物150、及複數個歐姆接點島狀物163及 165。在歐姆接點163與165上形成包括複數個源極173之複 數個資料線171與包括具有擴張部分174之複數個縱向與橫 向部分172與176之複數個汲極175，並在其上形成一鈍化 層1 80。在該鈍化層} 8〇與閘絕緣層} 4〇上提供複數個接點 孔182 ’且在該鈍化層18〇上形成複數個像素電極192與194 及一包括複數個共同電極191、193與195之共同電極網。 不同於圖4所示之TFT陣列面板，根據該實施例之TFT陣 列面板不包括彩色濾光器。可在一反向面板上提供該等彩 色濾光器。 圖3與圖4所示之TFT陣列面板之諸多上述特點可適用於 圖10所示之TFT陣列面板。 參看圖11，將詳細描述一用於根據本發明之另一實施例 之LCD之TFT陣列面板。 圖Π係用於根據本發明之另一實施例之Lcd之例示性 TFT陣列面板之剖視圖。 如圖11所示，用於根據該實施例之LCD之丁 !^丁陣列面板 之層結構幾乎與圖4中所示之層結構相同。即，在一基板 no上形成包括複數個閘極123之複數個閘極線121與包括 93677 -19- 1269110 複數個縱向分支132及擴張部分134之複數個儲存電極線 13 1，且在其上順序形成一閘絕緣層140、複數個半導體 150、及複數個歐姆接點163及165。在歐姆接點163與165 上形成包括複數個源極173之複數個資料線171與包括具有 擴張部分174之複數個縱向及橫向部分172與176之複數個 >及極17 5 ’且在其上形成複數個彩色渡光器R、g及B與一 鈍化層180。在該鈍化層180與閘絕緣層140上提供複數個 接點孔1 8 2 ’且在该純化層1 8 0上形成複數個像素電極19 2 與194及一包括複數個共同電極191、193與195之共同電極 網0 不同於圖4中所示之TF T陣列面板，除其中提供tf 丁之半 導體150之外，該等半導體15〇具有與該等資料線171及該 等汲極175以及下方的歐姆接點163與165幾乎相同之平坦 形狀。即，該等半導體150包括一些未用資料線i7i與汲極 175覆蓋之曝露部分，例如定位在該等源極173與該等汲極 17 5之間的部分。

根據-實施例之TFT陣列面板之製造方法使用一光蝕刻 方法處理同時形成資料線171、汲極175、半導體Mi、及 歐姆接點161與165。 叫木开啕取決於位置 度，且詳言之，其具有厚度漸降之第一與第二部分。 部分定位在將被資料線171與汲極175佔用之導線區域 且第二部分定位在TFT之通道區域上。 藉由幾種技術獲得光阻之取決於位置之厚度，例如 93677 -20 - 1269110 “曝光罩及透明區域與光阻斷不透明區域上提供半透明 區或《亥半透明區域可具有_狹縫圖案、一晶格圖案、一 :有中間透射率或中間厚度之薄膜。當使用一狹縫圖案 打，狹縫之寬度或在狹縫之間的距離較佳小㈣於光_ 法之曝光☆之解析度。另__實例係使用可回流之光阻。詳 言之’―旦藉由使用僅具有透明區域與^透明區域之一正 常曝光罩形成由可回流材料製成之光阻圖案時，其遭受回 流處理以流動至無光阻之區域上，因此形成薄部分。 因此，藉由省略光蝕刻法步驟而簡化了製造處理。 圖3與圖4中所示之TFT陣列面板之諸多上述特點可適用 於圖11中所示之TFT陣列面板。 首先，現參看圖12至14描述一用於根據本發明之一實施 例之LCD之反向面板。 圖12係根據本發明之一實施例之LCD之示意佈局圖，且 圖13與圖14係圖12中所示之分別沿線χιιι_χιπ^χιν_χιν， 所取之LCD之反向面板之剖視圖。 參看圖12至14，在一絕緣基板210上形成一用於封閉一 液晶層之密封層400、一用於阻斷光泄漏之光阻斷層5〇〇、 及用於支持在TFT陣列面板1〇〇與反向面板2〇〇之間的間隙 之複數個柱狀隔片550。 密封層400沿基板210之邊界延伸且具有用於注入液晶之 入口’該等入口在液晶之注入後被密封。 光阻斷層500及隔片550較佳由包含黑色素之有機材料製 成。然而，其亦可由金屬或金屬氧化物製成。 93677 -21 - 1269110 光阻斷層安置在-藉由密封層4⑼封閉之區域中且沿 密封層延伸以界定-顯示區域。光阻斷層具有安置在 密封層400之入口的反向以用於促進液晶之注入的複數個 凹陷處520。光阻斷層500還具有安置在凹陷處52()反向之 其他凹陷處。 隔片550安置在顯示區域中且有規則地分佈。考虞在 TF 丁陣列面板100中形成之元件之高度，料隔⑶何且 有大於光阻斷層500之厚度。在該情形下，藉由使用具有 半透明區域及光透射透明區域及光阻斷不透明區域之光罩 來圖案化光阻斷層500及該等隔片55〇。料透明區域可具 有，圖案、一晶格圖案、—具有中間透射率或中間厚 度之薄臈。另外’可藉由使用上文所述之光罩形成該等凹 陷處520。 由於其上不存在彩色濾光器，該結構有助於反向面板 200之構成。另外，光阻斷層5〇〇防止液晶直接接觸密封層 4〇〇，因此藉由密封層4〇〇防止液晶之污染。 隹八、;、已《看5亥專較佳貫施例詳細描述了本發明，但是熟 ^此項技術者將瞭解可對其進行各種改進及替代而不背離 如隨附申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範_。 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明之一實施例之LCD之示意俯視圖； 圖2係圖1所示<LCD之沿線π_π，所取之剖視圖； °系在用於根據本發明之一實施例的LCD之TFT陣列 面板中的像素之示意佈局圖； 93677 -22- 1269110 圖4係圖3所示之TFT陣列面板之沿線IV_iV|所取之剖視 圖； 圖5八、6八、7八、8八及9入係圖3及圖4中所示之其中根據 本發明之一實施例的製造方法之中間步驟中的τ F T陣列面 板之佈局圖； 圖 5Β、6Β、7Β、8Β及 9Β係圖 5Α、6Α、7Α、8Α及 9Α 中 所不之分別沿線 VB-VB'、VIB-VIB'、ViiB-VIIB,、VIIIB- VIIIB’、ΐχ-ΐχ’所取之TFT陣列面板之剖視圖； 圖1 〇係用於根據本發明之另一實施例之L c D之例示性 TFT之剖視圖； 圖11係用於根據本發明之另一實施例之LCD之例示性 TFT之剖視圖； 圖12係根據本發明之一實施例之LCD之示意佈局圖；及 圖13及圖14係圖12中所示之分別沿線χιπ_χπι，與χιν_ XIV’所取之LCD之相對面板之剖視圖。 【主要元件符號說明】

93677 110 絕緣基板 121 閘極線 123 閘極 131，132, 134, 136 儲存電極線 174 擴張部分 140 閘絕緣層 150 半導體 151 半導體島狀物 -23- 之側面 1269110 160 外在a-Si層 163, 165 歐姆接點 171 資料線 172, 174, 175, 176 汲極 173 源極 180 鈍化層 182 接點孔 192, 194, 196 像素電極 191， 193, 195 共同電極 100, 200 面板 210 絕緣基板 300 液晶層 400 密封層 500 光阻斷層 520 凹陷處 550 隔片 R，G， B 色彩濾光器

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Claims (1)

1269110 十、申請專利範圍： 1 · 一種薄膜電晶體陣列面板，其包含： 在-基板上形成且包括複數個傾斜部分及複數個閑極 之複數個閘極線； 一在該閘極線上之第一絕緣層； 一在該第一絕緣層上形成之半導體層； ，至少在該半導體層上形成且與該等閘極線相交以界定 梯形像素區域之複數個資料線； 與該等資料線分開之複數個汲極； 一至少在該半導體之未受該等資料線與該等汲極覆蓋 之部分形成之第二絕緣層； 在該第二絕緣層上形成且連接至該等汲極之複數個像 素電極，每一像t區域安置至少兩個言亥等像素電極；及 在該第二絕緣層上形成，與該等像素電極交錯排列， 連接至π亥專;及極之複數個共同電極，每一共同電極具 有一與該等像素電極之一邊緣隔開且大體上與該等像素 電極之邊緣平行之邊緣。 2.如明求項丨之薄膜電晶體陣列面板，其中該等閘極線在 接近该等像素區域之邊界處係彎曲的。 3 ·々巧求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該等共同電極 人4等像素電極大體上平行於該等閘極線之傾斜部分延 伸。 女明求項1之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含具有 大體上平行於該等資料線延伸之複數個第一部分之複數 1269110 個儲存電極線。 •，叫求項4之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含與該 6等=存電極線重疊以形成儲存電容器之複數個訊號線。 明求項1之薄膜電晶體陣列面板，其中該等像素電極 與該等共同電極包含透明材料。 7·如請求項丨之薄膜電晶體陣列面板，其進一步包含安置 在4鈍化層下方並位於該等像素區域中的複數個彩色渡 光器。 8· 一種液晶顯示器，其包含： 一第一面板； 一面向該第一面板之第二面板；及 一在該第一面板與該第二面板之間插入之液晶層， 其中該第一面板包括： 在-基板上形成且包括複數個傾斜部分及複數個間極 之複數個閘極線； 一在該閘極線上之第一絕緣層； 一在该第一絕緣層上形成之半導體層； 、，至少在該半導體層上形成且與該等閘極線相交以界定 梯形像素區域之複數個資料線； 與该等資料線分開之複數個汲極； -至少在該半導體層之未受該等資料線與該等汲極覆 蓋之部分上形成之第二絕緣層； 在該第二絕緣層上形成且連接至該等沒極之複數個像 素電極，每一像素區域安置至少兩個該等像素電極；及 93677 1269110 在該第二絕緣層上形成，與該等像素電極交錯排列且 連接至該等汲極之複數個共同電極，每一共同電極具有 一與該W象素電才虽之一邊緣隔開且大體上與該等像素電 極之邊緣平行之邊緣。 9. 10. 11. 12. 13. 14. 如請求項8之液晶顯示器，其進一步包含一安置於該第 二面板周圍且封閉該液晶層之密封層。 如請求項9之液晶顯示器，其進一步包含一定位在該密 子d内且界疋一用於顯示影像之顯示區域之光阻斷構 件。 女明求項10之液晶顯示器，其中該光阻斷構件包含有機 材料且其係藉由光蝕刻法圖案化。 如明求項11之液晶顯示器，其進—步包含包括與該光阻 斷構件相同之層的複數個隔片。 令明求項12之液晶顯示器，其中該等隔片具有不同於該 光阻斷構件之高度。 月求項13之液晶顯示器，其中該光阻斷構件且有複數 個凹陷處。 /、 93677