TWI261296B - Method of fabricating an array substrate for an OLED - Google Patents
Method of fabricating an array substrate for an OLED Download PDFInfo
- Publication number
- TWI261296B TWI261296B TW94132644A TW94132644A TWI261296B TW I261296 B TWI261296 B TW I261296B TW 94132644 A TW94132644 A TW 94132644A TW 94132644 A TW94132644 A TW 94132644A TW I261296 B TWI261296 B TW I261296B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- organic light
- emitting diode
- array substrate
- layer
- diode array
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 51
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 17
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 240000003473 Grevillea banksii Species 0.000 claims 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 2
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 2
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
1261296 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種有機發光二極體顯示器的製造方法，且特別有關 於一種有機發光二極體陣列基板的製造方法。 【先前技術】
白知有枝發光一極體顯不器(organic hght emitiing di〇de _1吵；〇LED display)之陣列基板可以區分為發光_電路區。上述有機發光二極體顯示 器之陣列基板的製造方法主要包括··形成_電晶體(&in film transistor; TFT)二形縣素電極、以及形成有機發光二極體。其中，細電晶體的製 程通常包括下列步驟··在基板之整個表面上形成緩衝層' 多晶補、間極 、、巴、、水層閘極、層間介電層。在薄膜電晶體完成之後，接著形成晝素電極(透 明陽極），且此晝素電極與薄膜電晶體呈電性連接。之後，再於發光區上形 成有機發光層(EL)、以及反射式陰極，而完成有機發光二極體的製作。 在上述方財，祕會_ t航學氣她触(piasma_entaeed cvd; PECVD)形成前述相關膜層，因此所製得之有機發光二極體顯示器之陣列 ^板表面上胃畜積雙縫晶體結構巾，進而影響元件之性 【發明内容】 随本發明之目的输上述_提供—財機發光二極體 中的il反的抑方法’其侧退火處理的方式而改善電荷累積於陣列基板 Ί的情況。 、告方= 目的I本發明提供i有機發光二極體陣列基板的製 ^ ^驟·提供一基板，分為一發光區和一電路區。在該電 路區形成-主動♦利簡化學氣相沈積法（PE,)或其它化學氣
0773-A31742TWF 5 !261296 相沈積法而形成一j曼t|層(passivati〇n layer)於該主動元件與哼美板之上 成-晝素電極於該保護層之上，其中該晝素電極與魅動;ς形成 化學氣相沈積法（PECVD)或其它化學氣概積法而形 晝素定義層(pixel define layer)於該畫素電極之上。進行_ 二 基板之發光區上形成一有機電激發光元件。 处。亚在該 、本發_用退火處_方式，可以改善起因於仙上述綠化風 沈積法形絲護層與畫素定義㈣魅過量f聚電 ^目 片 田1貝々、夕日日吵屬聞 氧化層荨結構内所造成的缺陷態(如兔…她)問題。
為讓本發明之上述和其他目的、概、和優點能更_易懂， 舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 寸 【實施方式】 比較例 第1A〜1G圖係缘示根據一比較例之有機發光二極體陣列基板⑽ 製程剖面圖。該方法包括下列主要步驟： 首先，如第1A圖所示，提供一基板1〇1，分為一發光區l和一電路區 c。接著，在上述基板101上形成一緩衝㈣3。接著，在上述電路區c形 成-主動元件，包括多晶秒層1〇5、間極絕緣層1〇7、閘極⑴、層: 層109、以及資料線113。 5 电 接著，如第1B與lc圖所示，利用電漿化學氣相沈積法 m_mwnhanCed CVD; PECW)而形成一保護層㈣—on ^㈣⑽於 上述主動7L件與上述基板ωΐ之上。在其它實施例中，上述保護層1 形成方法包括其它化學氣相沈積法。其中，上述保護層U9包括氧化物。 經過上述賴鮮氣概積麵讀，過魏錄電荷m錢由接觸面
積較大之金屬電極(如資料線113)收集並傳導堆積至多晶碎層奶及閑極絕 緣層107等區域内，影響元件之操作性能。 0773-A31742TWF 6 1261296 接著，如第ID圖所示，形成一畫素電極(作為陽極)⑵於上述保護層 W之上。其中’上述畫素電極121藉由上述資料線ιΐ3而與上述主動以: 形成電性連接。 接著，如第1E與第1F圖所示，利用電漿化學氣相沈積法i23(pEcvD) 而先成-畫素定義層(pixd defme layer; PDL)125於上述畫素電極⑵之 上在其它貫施例中，上述畫素定義層m的形成方法包括其它化學氣相 沈積法。㈣上述電槳化學氣相沈積步驟之後，過量的賴電荷也會藉著 上述接觸面積較大的晝素電極121收集經資料線113傳導堆積至多晶石夕層 105及閘極、纟s緣層107等區域内，影響元件之操作性能。 接著，如第1G圖所示，在上述發光區L上依序形成-有機發光層129、 第2圖麟示第1G圖之有機發光二極體陣列基板上之囊⑺電晶 汲極電流⑹隨閘極電塵（Vg)變化的關係圖，其中γ軸為汲極電流(曰 X軸為附顺（Vg)。其中，上述有機發光二極體陣聽板可鄭 複數個面板，而第2 _隨機選取不同面板上之任意福沉電晶體，= 其錄電流（Id)隨閘極龍（Vg)變化所得之關係圖。由第2圖可以得^ 不同曲線之間的差異非常大，也就是說彻比較例之方法所製造之于： 光二極體_基板上之視⑽電晶體的特性並不均__。如此—來二 影響整體元件的操作性能。 析嚴重 第3圖係纷示第1G圖之有機發光二極體陣列基板上之pM〇s電 祕電流（Id)隨閘極電壓（Vg)變化的關係圖，其中¥轴紐極電流曰曰
X軸為_壓（Vg)。其中，上述有贿光二極體陣聽板可以切· 複數個硫，而第3圖舰機馨不同吨上之任意pM〇s電晶體，_ 其沒極電流（Id)隨閘極電壓（Vg)變化所得之關係圖。由第3圖可以DI 不同曲線之間的差異非常大，也就是說_比較例之方法所製造之 光二極體陣列基板上之pMQS電晶_特性並不均_。如此―來，將/ 0773-A31742TWF 7 1261296 影響整體元件的操作性能 實施例 第4A〜4H圖係緣示根據本發明—較佳實施例之有機發光二極體陣列 基板200之製程剖面圖。 首先，如第4A圖所*，提供-基板2〇卜分為一發光區L和一電路區 C。接著，在上述基板201上形成一緩衝層2〇3。接著，在上述電路區c形 成-主動元件，包括多晶石夕層205、閘極絕緣層2〇7、間極m、層間介電 層209、以及資料線213。 接著，如第4B與4C圖所示，利用電漿化學氣相沈積法2i5 (pEcvD) 而形成-保護層(p— layer)219於上述主動元件與上述基板2〇ι之 上。在其它實施例中，上述保護層219❺形成方法包括其它化學氣相沈積 法。其中’上述保護層219包括氧化物或氮化物。經過上述電漿化學氣相 沈積步驟之後，過量的電漿電荷抓錢由接觸面雜大之金屬電極(如資 料線耶收集並傳導堆積至多晶销2〇5及閘極絕 ; 響元件之操作性能。 飞鬥心 接者’如弟4D圖所示’形成一晝素電極(作為陽極)221於上述保護層 9之上。其中，上述晝素電極221 ^ 曰 形成電性連接。 糾上“ W2U而與上述主動元件 而开4F騎示’彻電漿化學氣相沈積法如（PECVD) 上。Ϊ^ ^ ♦ 一 P_5於上述晝素電極功之 六籍、/、匕只_中，上述畫素定義層225的形成方法包括其它化學氣相 沈積法。經過上述雷爿斤 予乳相 上述接觸面積較大的二素::尤積步驟之後，過量的電漿電荷也會藉著 2〇5及間極絕緣層2〇7旦等㈢内收集經資料線213傳導堆積至多晶石夕層 P ㊈域内’影響元件之猶性能。 者士第4G圖所不，進行—退火處理226。退火處理可在真空中進
0773-A31742TWF 8 1261296 。在3有魏、1111、或氬氣的氣體中進行。退火處理可包括 ’在高(fumaee)進行，或在 中 退火^理可在斌至赋之下進行，可進行15分鐘至㈣分鐘。例如， 退人处料在含有亂氣的爐子(0彻)中，於至崎的溫度下進行^ 至240分鐘。 、’工過上述退火處理226之後，可以消除上述閘極氧化層浙及多晶石夕 等區域内過量的堆積電荷，及修補其所造成的缺陷狀態㈣⑽
她），箱时上述起因於使賴⑽戦倾輕録定義層 «電漿《蓄積於多晶铺與氧化層特翻所造成的缺陷能 (defect state)問題。 心 接著’如第4H圖所示，在上述發光區L上形成一有機發光層22 及一陰極231。 、一第5圖係4示第4H圖之有機發光二極體陣列基板上之祖^電晶體之 汲極電流（Id)隨閘極電壓（Vg)變化的關係圖，其中γ轴為沒極電流⑹、 X—轴為_« (Vg)。其中，上述有機發光二極體陣舰板可以切割為 複數個面板，而第5圖係隨機選取不同面板上之任意碰⑽電晶體，測 •其沒極電流（Id)隨閑極電壓（W變化所得之關係圖。由第5圖可以得知二 不同曲線之間的差異非常小，也就姻實施例之方法所製造之有機於 •光二極體陣列基板上之顧)S電晶體的特性相當均一，明顯提高整: 的操作性能。 件 第6圖係緣不第4H圖之有機發光二極體陣列基板上之pMOS電晶體之 汲極電版（Id)i^閘極電璧（％)變化的關係圖，其中Y軸為沒極電流⑹、 =軸為閘極電屢（Vg)。其中，上述有機發光二極體陣列基板可以切割為 稷數個面板，而第6圖係隨機選取不同面板上之任意pM〇s電晶體，測試 其沒極電流（Id)隨間極電屬（^)變化所得之關個。由第6圖可以得知， 不同曲線之間的差異非常小，也就是說利用實施例之方法所製造之有機發
0773-A31742TWF 9 1261296 體陣列基板上ipM〇S電晶體的特性相當均一，明顯提高元件的操 (、、;、本毛明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作任意: 更動閏飾因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 【圖式簡單說明】 第1A〜1G圖係给示根據一比較例之有機發光二極體陣列基板之製程 剖面圖。 、μ ®仏、曰示第1G®之有機發光二極體陣列基板上之碰⑺電晶體之 汲極電流（Id) 閘極電壓（Vg)變化的關係圖。 第3圖係纷示第1G圖之有機發光二極體陣列基板上之PM〇S電晶體之 沒極電流（Id)隨閘極電壓（Vg)變化的關係圖。 第4A〜4H圖係緣示根據本發明一較佳實施例之有機發光二極體陣列 基板之製程剖面圖。。 第5圖係、、、曰不第4H圖之有機發光二極體陣列基板上之祖^電晶體之 沒極電流（Id)隨閘極電壓（Vg)變化的關係圖。 第6圖係、、、曰不第4H圖之有機發光二極體陣列基板上之_〇^電晶體之 沒極電流（Id)隨_電壓（Vg)變化的關係圖。 【主要元件符號說明】 1〇1〜基板； 1〇5〜多晶矽層； 109〜層間介電層； U3〜資料線； 100〜有機發光二極體陣列基板； 103〜緩衝層； 107〜閘極絕緣層； 111〜閘極；
0773-A31742TWF 10 1261296 115〜電漿化學氣相沈積法； 119〜保護層； 123〜電漿化學氣相沈積法； 129〜有機發光層； 200〜有機發光二極體陣列基板； 203〜緩衝層； 207〜閘極絕緣層； 211〜閘極； 215〜電漿化學氣相沈積法； 219〜保護層； 223〜電漿化學氣相沈積法； 226〜退火處理； 231〜陰極； L〜發光區。 117〜電漿電荷； 121〜晝素電極， 125〜晝素定義層； 131〜陰極； 201〜基板； 205〜多晶矽層； 209〜層間介電層； 213〜資料線； 217〜電漿電荷； 221〜畫素電極； 225〜晝素定義層； 229〜有機發光層； C〜電路區，
0773-A31742TWF
Claims (1)
- ^61296 十、申請專利範圍： ^一種有機發光二極體陣列基板的製造方法，包括下列步驟： 提供一基板，分為一發光區和一電路區； 在該電路區形成一主動元件； 利用電漿化學氣相沈積法（PECVD)而形成一保護層①狀聊曲⑽丨吖句 於該主動元件與該基板之上； 形成一晝素電極於該保護層之上，其中該畫素電極與該主動元件形成電 性連接； 乂 ^ _ 开^成一晝素定義層(pixel define layer)於該晝素電極之上； 進行一退火處理；以及 在邊發光區上形成一有機發光層以及一陰極。 ， 2·如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 法，其中該晝素定義層的形成方法更包括電漿化學氣相沈積法。 、3·如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 去，其中該退火處理係在真空中、氧氣、氮氣、或氬氣中進行。 4·如申請專利範圍第丨項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 .法，其中該退火處理包括快速退火處理(RTA)，在高溫爐管你舰㈣進行， 或在爐子(oven)中進行。 5·如申請專利範圍第丨賴述之有機發光二極體_基板的製造方 法，其中該退火處理係在2〇(rC至650它之下進行。 6.如申請專利範1||第5項所述之有機發光二極體_基板的製造方 法，其中該退火處理係進行15分鐘至24〇分鐘。 人 7·如申請專利範圍第！項所述之有機發光二極體陣列基板 方 法，其中娜護層包括氧化物或氮化物。 8·如申請專利範圍第！項所述之有機發光二極體陣列基 法，其中《素絲層包括氧錄。 " 0773-A31742TWF 12 1261296 9.種有機發光二極體陣列基板的製造方法，包括下列步驟： 提供一基板，分為一發光區和一電路區； 在δ亥電路區形成一主動元件； 形成一保護層於該主動元件與該基板之上； 形成一晝素電極於該保護層之上，其中該晝素 性連接； 電極與該主動元件形成義層於該晝素電極 利用電漿化學氣相沈積法(PECVD)而形成一晝素定 之上； 進行一退火處理；以及 在该發光區上形成一有機發光層以及一陰極。 4 ι〇·如申請專纖圍第9項之有機發光二極斷列基板的製造方 法’其中該退火處理係在真空中、氧氣'氮氣、或氬氣中進行。 11.如申凊專她圍第9項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 法，其中舰火處理包括快速敎處雖TA)，在高溫爐管㈣進行， 或在爐子(oven)中進行。 、12·如中請專利範圍第9項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 法，其中該退火處理係在2〇〇。(：至65〇。(：之下進行。 I3·如申W專她圍第丨2項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 法，其巾該退火處理係進行15分輕，分鐘。 如申叫專她1]第9項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 法，其中該賴層包括氧化物或氮化物。 15’如申明專利軸第9項所述之有機發光二極體陣列基板的製造方 法，其中该晝素定義層包括氧化物。 0773-A31742TWF 13
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW94132644A TWI261296B (en) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | Method of fabricating an array substrate for an OLED |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW94132644A TWI261296B (en) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | Method of fabricating an array substrate for an OLED |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI261296B true TWI261296B (en) | 2006-09-01 |
| TW200713659A TW200713659A (en) | 2007-04-01 |
Family
ID=37876141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW94132644A TWI261296B (en) | 2005-09-21 | 2005-09-21 | Method of fabricating an array substrate for an OLED |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI261296B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI393282B (zh) * | 2009-08-11 | 2013-04-11 | Univ Nat Taiwan | 具有電極反轉結構之可撓性光電元件及其製作方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107146809A (zh) * | 2017-05-16 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
-
2005
- 2005-09-21 TW TW94132644A patent/TWI261296B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI393282B (zh) * | 2009-08-11 | 2013-04-11 | Univ Nat Taiwan | 具有電極反轉結構之可撓性光電元件及其製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200713659A (en) | 2007-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7193584B2 (ja) | トランジスタ、及び表示装置 | |
| CN1311562C (zh) | 发光器件 | |
| CN1217417C (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2021040143A (ja) | 発光装置 | |
| TW200816489A (en) | Manufacturing of flexible display device panel | |
| CN1421907A (zh) | 薄膜晶体管的制造方法 | |
| TW201236155A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| CN1581439A (zh) | 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 | |
| TW201119028A (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| TW200823584A (en) | Low temperature poly silicon liquid crystal display | |
| TWI261296B (en) | Method of fabricating an array substrate for an OLED | |
| WO2008018737A1 (en) | Manufacturing method for flexible element using laser and flexible element | |
| CN104576654B (zh) | 显示装置 | |
| JP2006332606A (ja) | 薄膜トランジスタの作製方法、その薄膜トランジスタを用いた表示装置及びその表示装置が組み込まれた電子機器 | |
| TW201123458A (en) | Thin film transistor | |
| CN1914733A (zh) | 变电阻元件和使用其的非易失性存储器 | |
| TW200903840A (en) | Optoelectronic device and the forming method thereof | |
| CN100421234C (zh) | 有机发光二极管阵列基板的制造方法 | |
| Cherenack | Fabricating silicon thin-film transistors on plastic at 300 c | |
| TW200805508A (en) | Method for fabricating thin film transistor | |
| TW200832736A (en) | Manufacturing method of GaN series light-emitting diode | |
| Mascher et al. | Nanoscale Luminescent Materials 5 | |
| TW200812130A (en) | Method for fabricating a pixel structure of organic electroluminescent display | |
| CN110867378A (zh) | 改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构 | |
| JP2008108652A (ja) | 有機デバイスの製造方法および有機デバイス |