TWI250069B - Assembly structure of case and the assembling method therefor - Google Patents
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Description
1250069
【發明所屬之技術領域】 本案係關於一種殼體接合結構及其接合方法,尤 種可j =體陰影或流紋⑴〇 w m a ρ k )且可於殼體組‘ 增^ m ^電距離(Creese MM纖Ο之殼體接ί 結構及其接合方法。 η 【先前技術】 在曰#生活中人們經常會使用到各式各樣的電子 ^ r,.廷些電子裝置或其配件由於需要將其内部的 電^兀件或線路做適當的隔離與保護,因此都會利用殼 將,些電子7L件與線路包覆,以避免直接與外界接觸。由 於殼體接合結構設計與接合方式會間接地影響到電子裝置 或其配件之外觀與電氣特性,因此如何設計適當之殼體接 a、、、口 ϋ人接二方式於疋成為相關產業之重要研發方向。 凊參閱第一圖’其係顯示傳統殼體接合結構示意圖。 如第一圖所示,傳統之殼體接合結構係藉由一上殼體1與 下设體2彼此接合所構成。該上殼體丨具有一接合部丨j, 该接合部11自其外側面丨丨〇至内側面丨丨丨方向依序形成一第 了凸部112、一第一凹槽113與一第二凸部114。另外,下 殼體2亦具有一接合部21,該接合部21自其外侧面21()至内 侧面211方向依序形成一第_凹部212、一第一凸部213與 一第二凹部214,且分別與上殼體1之第一凸部112、第一 凹槽113與第二凸部114相對。另外,下殼體2之第一凸部
1250069 ----------------------------------- 五、發明說明(2) "' -- 213上具有一凸肋215,且下殼體2之第一凸部213的寬度略 J、於上设體1之第一凹槽丨13的寬度,藉此當上下殼體1,2 接合時’下殼體2之第一凸部213便可伸入上殼體1之第一 凹槽11 3。
請再參閱第二圖(&) —(b),其係顯示第一圖所示結構 之接合方式示意圖。如第二圖(a)所示,當欲進行殼體接 合時,首先將上殼體2之第一凸部112、第一凹槽113與第 =凸部114分別與下殼體2之第一凹部212、第一凸部213與 第二凹部2 1 4相對,然後利用超音波原理,將音波藉由超 音波塑膠熔接機的焊頭(Horn)直接在殼體上面產生超高頻 率的音波震動,使上下殼體1、2彼此產生劇烈摩擦後,於 瞬間使下殼體2第一凸部213上的凸肋215熔入上殼體1之第 一凹槽113内壁,如第二圖(b)所示,藉此以達成上下殼體 1、2接合之目的。
然而’不論是採用何種殼體接合結構,上下殼體1、2 都需經由塑膠射出成型之步驟產生。就塑膠射出成型業界 所知’塑膠射出成型產品經常會有成品破裂、產生陰影或 流紋(flow mark)、成品表面不光澤或成品變形等等缺 點。其中,造成射出成型品產生流紋之原因包括原料溶融 不仏、模具溫度太低、射出速度太快或太慢、射出壓力太 南或太低或成品斷面厚薄相差太大等因素;而造成射出成 型品產生陰影之原因則為殼體接合部肉厚不均。由於陰影 或流紋的產生會影響到殼體接合的美觀,因此如何減少陰 影或流紋便為一重要的考量因素。
第10頁 1250069 五、發明說明(3) 請再參閱第一圖,於傳統殼體接合結構中,上殼體1 之接合部11自其外侧面11 0至内侧面111方向由於產生第一 凸部112與第一凹槽113之段差,使得上殼體1於接合部11 的斷面厚薄相差太多或是殼體肉厚不均,因此當上殼體1 射出成型後便會於接合部11之外側面11 〇產生陰影1 2 〇或流 紋。當第一凸部112與第一凹槽113之段差越大,所形成之 陰影1 2 0或流紋範圍亦相對地增加,如此當上下殼體1、2 結合後於殼體之外表面就會存在很明顯的陰影或流紋且殼 體表面亦較不光滑。此外,當上下殼體1、2接合後,其接 合部11、12間所形成之電氣間隙爬電距離(creepage distance)仍不夠長,因此亦可能有電氣漏電之情形產 生’間接地影響到電子裝置或其配件之電氣特性。 因此’如何避免上述習知技術的缺失,且發展一種可 減少殼體陰影或流紋(f l〇w mark)且可於殼體組合後增加 電氣間隙攸電距離(ereepage distance)之殼體接合結構 及其接合方法,實為目前迫切需要解決之問題。 【發明内容】 本案之主要目的為提供一種適用於 二殼體接合結構及其接合方法,可減少殼體陰件 (flow mark)且於殼體組合後增加電氣間隙爬電距離 (creepage distance),藉此以增加電子裝置或苴配 殼體美觀以及電氣特性。 、 之 為達上逯目的,本案提供一種殼體接合結構,其至少
第11頁 1250069 五、發明說明(4) 包括:一上殼體,其具有一接合部,該接合部自其外側面 至内侧面方向依序具有一第一凹部、一第一凸部、一第一 凹槽與一第二凸部;以及一下殼體,其具有一接合部,該 接合部自其外側面至内侧面方向依序具有一第一凹部、一 第一凸部與一第二凹部。其中,該上殼體之該第一凹部與 該第一凸部相對於該下殼體之該第一凹部,且該上殼體之 該第一凹槽與該第二凸部分別與該下殼體之該第一凸部與 該第二凹部相對,藉此使該上殼體與該下殼體彼此相接 合。 根據本案之構想,其中該下殼體之該第一凸部上更具 有一凸肋,以於該上殼體與該下殼體相接合時,使該凸肋 植入該上殼體之該第一凹槽内壁。較佳者,該下殼體之該 第一凸部之寬度小於該上殼體之該第一凹槽之寬度。尤佳 者,該上殼體與該下殼體係藉由超音波熔接方式相接合。 根據本案之構想9其中該上殼體與該下殼體亦可措由 卡合或螺絲鎖合方式相接合。 為達上述目的,本案另提供一種殼體接合結構,其至 少包括:一上殼體,其具有一接合部,該接合部自其外側 面至内侧面方向依序具有一第一凹部、一第一凸部、一第 一凹槽與一第二凸部;以及一下殼體,其具有一接合部, 該接合部自其外侧面至内側面方向依序具有一第一凸部、 一第一凹槽、一第二凸部與一第一凹部。其中,該上殼體 之該第一凹部、該第一凸部、該第一凹槽與該第二凸部分 別相對於該下殼體之該第一凸部、該第一凹槽、該第二凸
第12頁 1250069 五、發明說明(5) 部與該第一凹部,藉此使該上殼體與該下殼體彼此相接 合。 根據本案之構想,其中該上殼體之該第一凸部上更具 有一凸肋,以於該上殼體與該下殼體相接合時,使該凸肋 植入該下殼體之該第一凹槽内壁。較佳者,該上殼體之該 第一凸部之寬度小於該下殼體之該第一凹槽之寬度。尤佳 者,該下殼體之該第二凸部之寬度小於該上殼體之該第一 凹槽之寬度,且該上殼體與該下殼體係藉由超音波熔接方 式相接合。 根據本案之構想,其中該上殼體與該下殼體亦可藉由 卡合或螺絲鎖合方式相接合。 為達上述目的,本案又提供一種殼體接合方法,其至 少包括步驟:(a)形成一上殼體與一下殼體,其中該上殼體 具有一接合部,該接合部自其外側面至内側面方向依序具 有一第一凹部、一第一凸部、一凹槽與一第二凸部;且該 下殼體具有一接合部,該接合部自其外側面至内側面方向 依序具有一第一凹部、一第一凸部與一第二凹部;以及(b) 將該上殼體之該第一凹部與該第一凸部相對於該下殼體之 該第一凹部,且該上殼體之該第一凹槽與該第二凸部分別 與該下殼體之該第一凸部與該第二凹部相對,並使該上下 殼體相互接合。 根據本案之構想,其中該下殼體之該第一凸部上更形 成一凸肋,以於該上殼體與該下殼體相接合時,使該凸肋 植入該上殼體之該第一凹槽内壁。
第13頁 1250069 五、發明說明(6) 根據本案之構想,其中該步驟(a )係以射出成型方式 進行。 為達上述目的,本案再提供一種殼體接合方法,其至 少包括步驟:(a)形成一上殼體與一下殼體,其中該上殼體 具有一接合部,該接合部自其外侧面至内側面方向依序具 有一第一凹部、一第一凸部、一第一凹槽與一第二凸部; 且該下殼體具有一接合部,該接合部自其外側面至内侧面 方向依序具有一^第一凸部、一第一凹槽、一第二凸部與一 第一凹部;以及(b )將該上殼體之該第一凹部、該第一凸 部、該凹槽與該第二凸部分別與該下殼體之該第一凸部、 該第一凹槽、該第二凸部與該第一凹部相對,並使該上殼 體與該下殼體彼此相接合。 根據本案之構想,其中該上殼體之該第一凸部上更形 成一凸肋,以於該上殼體與該下殼體相接合時,使該凸肋 伸入該下殼體之該第一凹槽内壁。 根據本案之構想,其中該步驟(a)係以射出成型方式 進行。 本案得藉由下列圖式及詳細說明,俾得一更深入之暸 解: 圖示簡單說明 第一圖:其係為傳統殼體接合結構示意圖。 第二圖(a)及(b):其係為第一圖所示結構之接合方式 示意圖。
1250069 五、發明說明(7) 第三圖:其係為本案較佳實施例之殼體接合結構示意 圖。 第四圖(a)-(b):其係為第三圖所示結構之接合方式示 意圖。 第五圖:其係為本案另一較佳實施例之殼體接合結構 不意圖。 第六圖(a)-(b):其係為第五圖所示結構之接合方式示 意圖。 第七圖:其係顯示殼體接合後之結構示意圖。 圖示元件符號說明 1 :上殼 體 11 : 接合部 110 外 侧 面 111 : :内 側面 112 第 一 凸 部 113 : :第 一凹 槽 114 第 二 凸 部 120 : :陰 影 2 :下殼 體 21 : 接合部 210 : :外 側 面 211 内 側面 212 : :第 一 凹 部 213 第 一凸 部 214: :第 二 凹 部 215 凸 肋 3 :上殼 體 31 : 接合部 310 外 侧 面 311 内 側面 312 第 一 凹 部 313 第 一凸 部 314 第 一 凹 槽 315 第 二凸 部 4 :下殼 體 41 : 接合部
第15頁 1250069 五、發明說明(8) 410 外 侧 面 411 内 侧 面 412 第 一 凹 部 413 第 凸 部 414 第 二 凹 部 415 凸 肋 5 :上殼 體 51 : 接合部 510 外 側 面 511 内 侧 面 512 第 一 凹 部 513 第 一 凸 部 514 第 一 凹 槽 515 第 二 凸 部 6 :下殼 體 61 : 接合部 610 外 側 面 611 : :内 侧 面 612 第 一 凸 部 613 : :第 一 凹 槽 614 第 二 凸 部 615 : :第 一 凹 部 【實施方式】 請參閱第三圖,其係顯示本案較佳實施例之殼體接合 結構示意圖。如第三圖所示,本案之殼體接合結構係由一 上殼體3與一下殼體4彼此接合所構成。該上殼體3具有一 接合部3 1,該接合部3 1自其外侧面3 1 0至内側面3 11方向依 序形成一第一凹部312、一第一凸部313、一第一凹槽314 以及一第二凸部315。另外,下殼體4亦具有一接合部41, 該接合部41自其外侧面41 0至内側面411方向依序形成一第 一凹部412、一第一凸部413與一第二凹部414。於此實施 例中,上殼體3之第一凹部312與第一凸部313皆相對於下 殼體4之第一凹部412,且其寬度約略相等。另外,上殼體
第16頁 1250069 五、發明說明(9) 3之第一凹槽314與第二凸部315則分別與下殼體4之第一凸 部413與第二凹部414相對。此外,下殼體4之第一凸部4 13 上具有一凸肋415,且下殼體4之第一凸部413的寬度略小 於上嫒體3之第一凹槽314寬度,藉此當上下殼體3、4接合 時,下殼體4之第一凸部4丨3便可伸入上殼體3之第一凹槽 314。 。月參閱第四圖(a ) — ( b ),其係顯示第三圖所示結構之 接合方式示意圖。如第四圖(a)所示,當欲進行殼體接合 時,百先將上殼體3之第一凹部312與第一凸部313、第一 二9#、3 I! ’ M &第^凸部31 5分別與下殼體4之第-凹部 、古馬if弟^凸^部413與一第二凹部414相對,然後利用超音 在双體上面產生超高頻率的音波震動,使上下殼體3、4彼 此產生劇烈摩擦後,於瞬間使下殼體4第一凸部U 3上 肋415、熔入上殼體3之第一凹槽314内辟 、 干,蕤卜卜,ν、去々 . 内壁’如第四圖(b)所 不猎此以達成上下殼體3、4接合之目的^ 士在 接合方式並不限於上述實施例所提 2 =本案之 舉例而言,當下殼體4第一凸部二=音波炼合而已。 更可以上下殼體3,4接合部31,41間的肋415忽略時, 以螺絲鎖合等方式,達到相同之目二。勺凹凸部緊配卡合或 由第三圖可瞭解,無論是上殼Q 些殼體之接合部31、41從其外側面^ $下设體4,由於這 凹部後凸部之結構設計,如此當上=側面的方向都是先 陰影或流紋便不易產生於上殼體3或^體3、4射出成型時 下设體4之外側面
1250069 五、發明說明(10) 310、410。因此當上下殼體3、4不論是利用超音波熔合, 卡合或螺絲鎖合等方式接合都不會在殼體之接合處產生陰 影或流紋。此外,由於上殼體3與下殼體4接合後,形成於 接合部3 1、4 1間的間隙距離明顯地較習知技術增長,因此 也增加了電氣間隙爬電距離(creepage distance),進而 增強其電氣特性。 請參閱第五圖,其係顯示本案另一較佳實施例之殼體 接合結構示意圖。於此實施例中,殼體接合結構亦由一上 设體5與一下殼體6彼此接合所構成。該上殼體5具有一接 合部5 1,該接合部5 1自其外侧面5 1 0至内側面5 11方向依序 形成一第一凹部512、一第一凸部513、一第一凹槽514以 及一第二凸部515。另外,下殼體6亦具有一接合部61,該 接合部6 1自其外側面6 1 0至内側面6 11方向依序形成一第一 凸部612、一第一凹槽613、一第二凸部614與一第一凹部 615。於此實施例中,上殼體5之第一凹部512與下殼體6之 第一凸部612相對,另外上殼體5之第一凸部513、第一凹 槽514與第二凸部515則分別與下殼體6之第一凹槽613、第 二凸部614與第一凹部615相對。此外,上殼體5之第一凸 部513上具有一凸肋516,且上殼體5之第一凸部513的寬度 略小於下殼體6之第一凹槽6 13寬度。下殼體6之第二凸部 614之見度略小於上殼體5之第一凹槽514之寬度,藉此當 上下殼體5、6接合時,上殼體5之第一凸部513可伸入下殼 體6之第一凹槽613 ’且下殼體6之第二凸部614可伸入上殼 體5之第一凹槽514。
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五、發明說明(11) 請參閱第六圖(a ) - ( b ),其係顯示第五圖所示結構之 接合方式示意圖。如第六圖(a )所示,當欲進行殼體接人 時,首先將上殼體5之第一凹部512、第一凸部513、第二 凹槽514以及第二凸部515分別與下殼體6之第一凸部612、 第一凹槽6 1 3、第二凸部6 1 4與第一凹部6 1 5相對,然後利 用超音波原理,將音波藉由超音波塑膠熔接機的焊頭^ (Horn)直接在设體上面產生超高頻率的音波震動,使上下 殼體5、6彼此產生劇烈摩擦後,於瞬間使上殼體5第一凸 部513上的凸肋516熔入下殼體6之第一凹槽613内壁,如第 六圖(b)所示,藉此以達成上下殼體5、6接合之目的。當 然,此實施例之接合方式並不限於上述實施例所提到的胃超 音波熔合而已。舉例而言,當上殼體5第一凸部513上的凸 肋516忽略時,更可以上下殼體5,6接合部51,61間的凹 凸部緊配卡合或以螺絲鎖合等方式,達到相同之目的。此 外,於此實施例中,上下殼體5、6各接合部51、61於接合 處之輪廓,亦可如第五圖所示,於各凹部或各凸部内壁做 斜角或段差變化,藉此可於上下殼體5、6接合後增加電氣 間隙爬電距離。 由第五圖可瞭解,由於上殼體5之接合部5丨從其外側 面510至内側面511的方向是先凹部後凸部之結構設計,因 此當上殼體5射出成型時陰影或流紋便不易產生於上殼體5 之外側面5 1 0。此外,由於上下殼體5、6接合部5 1、6 1於 其接合面之特殊輪廓(PR〇F ILe)設計,使得下殼體6之第一 凸部6 1 2之而度可較傳統技術短,寬度可較傳統技術長,
第19頁 1250069 五、發明說明(12) 因此下殼體6之截面厚薄差距較小(殼體肉厚較平均),使 陰影或流紋車父不易形成於下殼體6之外側面6 1 〇。因此,去 上下殼體5、6不論是利用超音波熔合,卡合或螺絲二 方式接合後都不易在殼體之接合處產生陰影或流紋'。再、 則,由於上殼體5與下殼體6接合後,形成於接合部“、 間的間隙距離明顯地較習知技術長,因此也增加了電氣間 隙攸電距離(creepage distance),進而增強1電氣特、曰 請參閱第七圖’其係顯示本案較佳實施例之殼體接合 結構於接合後之示意圖。如第七圖所示,當妒 藉由接合部51、61接合後其不只具有足夠之定著二]且复 掉落測試(Drop Test)更可高達丨·^,因此可增加電子穿、 置或其配件在使用者操作環境下之性能及承受衝擊的能、 力。 綜上所述,本案之殼體接合結構係藉由上下殼體接a 部於接合面之特殊輪廓設計達成,#由這樣的结構設計: 接^方式不只可以減少殼體射出成型時產生陰影或流紋與 使殼體較為光滑,且可以增加電氣間隙爬電距離 (creepage distance)與増加其電氣特性。因此, 具產業之價值,爰依法提出申請。 本案得由熟悉本技藝之人士任施匠思而為諸般修飾, 然白不脫如附申請專利範圍所欲保護者。
第20頁 1250069 圖式簡單說明 第一圖:其係為傳統殼體接合結構示意圖。 第二圖(a)及(b):其係為第一圖所示結構之接合方式示意 圖。 第三圖:其係為本案較佳實施例之殼體接合結構示意圖。 第四圖(a)-(b) ·.其係為第三圖所示結構之接合方式示意 圖。 第五圖:其係為本案另一較佳實施例之殼體接合結構示意 圖。 第六圖(a)-(b):其係為第五圖所示結構之接合方式示意
圖。 第七圖:其係顯示殼體接合後之結構示意圖。
第21頁
Claims (1)
1250069 六、申請專利範圍 1. 一種殼體接合結構,其至少包括: 一上殼體,其具有一接合部,該接合部自其外側面至 内側面方向依序具有一第一凹部、一第一凸部、一第一凹 槽與一第二凸部;以及 一下殼體,其具有一接合部,該接合部自其外側面至 内側面方向依序具有一第一凹部、一第一凸部與一第二凹 部, 其中,該上殼體之該第一凹部與該第一凸部相對於該 下殼體之該第一凹部,且該上殼體之該第一凹槽與該第二 凸部分別與該下殼體之該第一凸部與該第二凹部相對,藉 此使該上殼體與該下殼體彼此相接合。 2. 如申請專利範圍第1項所述之殼體接合結構,其中該下 殼體之該第一凸部上更具有一凸肋,以於該上殼體與該下 殼體相接合時,使該凸肋植入該上殼體之該第一凹槽内 壁。 3. 如申請專利範圍第1項所述之殼體接合結構,其中該下 殼體之該第一凸部之寬度小於該上殼體之該第一凹槽之寬 度。 4. 如申請專利範圍第1項所述之殼體接合結構,其中該上 殼體與該下殼體係藉由超音波熔接方式相接合。 5. 如申請專利範圍第1項所述之殼體接合結構,其中該上 殼體與該下殼體係藉由卡合與螺絲鎖合方式其中之一相接 合。 6. —種殼體接合結構,其至少包括:
第22頁 1250069 六、申請專利範圍 一上殼體,其具有一接合部,該接合部自i外側面至 内侧面方向依序具有一第一凹部、一第一凸部、、一第一凹 槽與一第二凸部;以及 弟 下八又體,其具有一接合部,該接合部自JL外側面至 内侧面方向依序具有—第一凸部、一第一」 部與一第一凹部, ^ 其中,該上殼體之該第一凹部、該第一凸第一 凹槽與該第二凸部分別 丨不 ^ w 1刀別相對於該下设體之遠第一凸部、該 第凹槽、该第二凸部與該第一凹部,藉此使該上殼體與 該下殼體彼此相接合。 ^如申請專利範圍第6項所述之殼體接合結構,其中該上 :又體之4第一凸部上更具有一凸肋,以於該上殼體與該下 殼體相接合時,使該凸肋植入該下殼體之該第一凹槽内 壁。 如申請專利範圍第6項所述之殼體接合結構,其中該上 设體之該第一凸部之寬度小於該下殼體之該第一凹槽之寬 度。 9^如申凊專利範圍第6項所述之殼體接合結構,其中該下 双體之該第二凸部之寬度小於該上殼體之該第一凹槽之寬 度。 ·如申請專利範圍第6項戶斤述之殼體接合結構,其中該上 殼體與該下殼體係藉由超音波熔接方式相接合。 11 ·如申請專利範圍第6項所述之殼體接合結構,其中該上 殼體與該下殼體係藉由卡合與螺絲鎖合方式其中之一相接
1250069 案號 92133951 A_Ά 曰 修正 六、申請專利範圍 接合部,該接合部自其外侧面至内側面方向依序具有一第 凹部 第一凸部 第一凹槽與一第二凸部 殼體具有一接合部,該接合部自其外側面至内側 ;且該下 面方向依 序具有一第一凸部 第一凹槽、一第二凸部與一第一凹 部;以及 k該第一 、該第一 殼體與該 其中該 殼體與該 一凹槽内 其中該 其中該 〇 其中該 中之一相 (b )將該上殼體之該第一凹部、該第一凸部 凹槽與該第二凸部分別與該下殼體之該第一凸部 凹槽、該第二凸部與該第一凹部相對,並使該上 下殼體彼此相接合。 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之殼體接合方法 上殼體之該第一凸部上更形成一凸肋,以於該上 下殼體相接合時,使該凸肋伸入該下殼體之該第 后奢〇 1 9.如申請專利範圍第1 7項所述之殼體接合方法, 步驟(a )係以射出成型方式進行。 2 0.如申請專利範圍第1 7項所述之殼體接合方法, 上殼體與談下殼體係藉由超音波溶接方式相接合 2 1.如申請專利範圍第1 7項所述之殼體接合方法, 上殼體與該下殼體係藉由卡合與螺絲鎖合方式其 接合。
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