TWI248425B - Inorganic particle-containing composition for plasma display panel, transfer film, and plasma display panel production process - Google Patents

Description

1248425 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電漿顯示面板用之含有無機粒子之組成 物、轉印膜及電漿顯示面板之製造方法。 【先前技術】 近年，平板狀螢光顯示體的電漿顯示器備受矚目。圖1 所示係交流型電漿顯示面板（以下稱「P D P」）的剖面形狀模 型圖。同圖中，1與2係相對向S己置的玻璃基板，3係分隔 壁，利用玻璃基板1、玻璃基板2及分隔壁3劃分形成單 元（c e 1 1 )。4係固定於玻璃基板1上的透明電極，5係在降 低透明電極4電阻之目的下，形成於透明電極4上的匯流 電極，6係固定於玻璃基板2上的位址電極，7係保持於單 元内的螢光物質，8係在玻璃基板1表面上形成覆蓋著透 明電極4與匯流電極5狀態的介電質層，9係在玻璃基板2 表面上形成覆蓋著位址電極6狀態的介電質層，1 0係由如 氧化鎂所構成的保護膜。此外，在彩色PDP方面，為獲得 高對比影像，便有在玻璃基板與介電質層之間，設置彩色 濾光片（紅色、綠色、或藍色）、黑矩陣等。 此種PDP介電質、分隔壁、電極、螢光體、彩色濾光片、 及黑條紋（矩陣）之製造方法，適合採取在基板上形成含感 光性無機粒子之樹脂層，藉由對此膜隔著光罩照射紫外線 而顯影，使基板上殘留著圖案，然後再對其進行燒成的光 微影法等。 上述光微影法在原理上乃屬圖案精度優越，特別在採用 6 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 轉印膜的方法中，可形成膜厚均勻性與表面均句性均優越 的圖案。但是，在燒成膜形成材料層的步驟中，若未設定 為高溫且長時間的燒成條件，且充分地執行膜形成材料層 熔融的話，膜形成材料層將容易發生龜裂，而設定高溫中 長時間的燒成條件，對燒成爐將形成頗大負擔，並將造成 生產性降低的問題。故，期待膜形成材料層的低溫、短時 間内之燒成步驟。 【發明内容】 本發明乃有鑑於上述情事而所構思。 本發明之第1目的在於提供一種可在低溫、短時間的燒 成步驟中，適當地形成表面平滑性優越之P D P構成要件（如 分隔壁、電極、電阻體、介電質層、螢光體、彩色濾光片、 或黑矩陣）的含有無機粒子之組成物。 本發明之第2目的在於提供一種能製造出膜形成材料層 可撓性優越之轉印膜的含有無機粒子之組成物。 本發明之第3目的在於提供一種能製造出膜形成材料層 轉印性（對基板的加熱密接性）優越之轉印膜的含有無機粒 子之組成物。 本發明之第4目的在於提供一種可在低溫及短時間的燒 成步驟中，有效率地形成表面平滑性優越的PDP構成要件 之轉印膜。 本發明之第5目的在於提供一種膜形成材料層可撓性優 越的轉印膜。 本發明之第6目的在於提供一種膜形成材料層轉印性 7 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 (對基板的加熱密接性）優越的轉印膜。 本發明之第7目的在於提供一種可在低 成步驟中，有效率地形成表面平滑性優越 的PDP之製造方法。 本發明之第8目的在於提供一種可在低 成步驟中，有效率地形成構成要件之高位 PDP之製造方法。 本發明之第9目的在於提供一種可在低 成步驟中，有效率地形成膜厚較大之介電 造方法。 本發明之第1 0目的在於提供一種可在4 燒成步驟中，有效率地形成大型面板所要 PDP之製造方法。 本發明之第1 1目的在於提供一種可在4 燒成步驟中，具有膜厚均句性優越之介電 造方法。 本發明之第1 2目的在於提供一種可在{ 燒成步驟中，具有表面平滑性優越之介電 造方法。 本發明之含有無機粒子之組成物，其特 無機粒子，以及[B]含有具下述式（1)所示 體（以下稱「聚合體[B - 1 ]」）的黏結樹脂。 子對黏結樹脂的吸附，且在燒成時縮短無 離，因此認為可在低溫、短時間内進行燒 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 溫及短時間的燒 之PDP構成要件 溫及短時間的燒 置精度之PDP的 溫及短時間的燒 質層的PDP之製 &溫及短時間的 求之介電質層的 i溫及短時間的 質層的PDP之製 k溫及短時間的 質層的PDP之製 徵在於包含有[A ] 重複單位之聚合 藉此增強無機粒 機粒子間的距 成0 8

X •1248425

(式中，X係指氫原子或曱基；R1係指單鍵、亞曱基、或 碳數2〜5伸烷基；η係指1〜6整數。） 本發明之含有無機粒子之組成物亦可再含有[C ]含有放 射線感光性成分之組成物（以下稱「含放射線感光性成分組 成物」）。 本發明之轉印膜之特徵在於，具有由上述含有無機粒子 之組成物所獲得的膜形成材料層。 本發明之第1種P D Ρ之製造方法（以下稱「P D Ρ之製造方 法（1 )」），其特徵係包含有：將由本發明之含有無機粒子之 組成物所獲得的膜形成材料層，轉印於基板上，再藉由對 經轉印過的膜形成材料層施行燒成，而在上述基板上形成 介電質層的步驟。 本發明之第2種PDP之製造方法（以下稱「PDP之製造方 法（2 )」），其特徵係包含有：將由本發明之含有無機粒子之 組成物所獲得的膜形成材料層，轉印於基板上，並在經轉 印過的膜形成材料層上形成光阻膜，再對該光阻膜施行曝 光處理而形成光阻圖案潛像（latent image)，對該光阻膜 施行顯影處理而使光阻圖案顯影化，再對該膜形成材料層 施行蝕刻處理而形成對應著光阻圖案的圖案層，藉由對該 圖案層施行燒成處理，而形成由分隔壁、電極、電阻體、 9 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 介電質層、螢光體、彩色濾光片、及黑矩陣中所選擇構成 要件的步驟。 再者，本發明之第3種P D P之製造方法（以下稱「P D P之 製造方法（3 )」），其特徵係包含有：在支撐膜上形成光阻 膜、與由本發明之含有無機粒子之組成物所獲得膜形成材 料層的層積膜，將支撐膜上所形成的層積膜轉印於基板 上，再對構成該層積膜的光阻膜施行曝光處理而形成光阻 圖案潛像，對該光阻膜施行顯影處理而使光阻圖案顯影 化，再對該膜形成材料層施行蝕刻處理而形成對應著光阻 圖案的圖案層，藉由對該圖案層施行燒成處理，而形成由 分隔壁、電極、電阻體、介電質層、螢光體、彩色濾光片、 及黑矩陣中所選擇構成要件的步驟。 再者，本發明之第4種PDP之製造方法（以下稱「PDP之 製造方法（4 )」），其特徵係包含有：將由本發明之含放射線 感光性無機粒子組成物所獲得膜形成材料層，轉印於基板 上，再對該膜形成材料層施行曝光處理而形成圖案之潛 像，對該膜形成材料層施行顯影處理而形成圖案層，再藉 由對該圖案層施行燒成處理，而形成由分隔壁、電極、電 阻體、介電質層、螢光體、彩色濾光片、及黑矩陣中所選 擇構成要件的步驟。 【實施方式】 以下，針對本發明之含有無機粒子之組成物（以下簡稱 「組成物」），進行詳細說明。 本發明組成物，通常係含有無機粒子、黏結樹脂、及溶 10 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 劑。聚合體[B - 1 ]係含於黏結樹脂中。 <無機粒子> 構成本發明組成物之無機粒子的組成無機物質並無特 別限制，可配合由該組成物所形成燒結體的用途（P D P構成 要件的種類）適當選擇。 其中，相關供形成構成PDP之「介電質層」或「分隔壁」 用組成物中所含的無機粒子，可舉例如：軟化點3 5 0〜7 0 0 °C (最好4 0 0〜6 0 0 °C )範圍内的玻璃粉末。當玻璃粉末之軟化 點低於3 5 0 °C之情況時，在對由該組成物所形成膜形成材 料層施行燒成步驟時，因為在黏結樹脂等有機物質尚未完 全分解去除的階段，玻璃粉末便已熔融，因而所形成介電 質層中將殘留部分有機物質，結果介電質層將被著色，有 光穿透率降低的傾向。反之，當玻璃粉末之軟化點超過7 0 0 °C之情況時，因為需要較高於7 0 0 °C的高溫進行燒成，因 而玻璃基板將容易發生扭曲等狀況。 較佳的玻璃粉末之具體例，可例示如：（1 )氧化鉛、氧化 硼及氧化矽（P b 0 - B 2 0 3 - S i 0 2系）之混合物；（2 )氧化鉛、氧 化硼、氧化矽及氧化鎂（P b 0 - B 2 0 3 _ S i 0 2 - M g 0系）之混合物； (3 )氧化鉛、氧化硼、氧化矽及氧化鋁（P b 0 - B 2 0 3 - S i 0 2 - A 12 0 3 系）之混合物；（4 )氧化鉛、氧化硼、氧化矽及氧化鈣 (P b 0 - B 2 0 3 - S i 0 2 - C a 0系）之混合物；（5 )氧化斜、氧化鋅、 氧化石朋及氧化石夕（P b 0 - Ζ η 0 - B 2 0 3 - S i 0 2系）之混合物等等。 該等玻璃粉末亦可含於（併用）供形成介電質層與分隔 壁以外之構成要件（如：電極、電阻體、螢光體、彩色濾光 11 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 片、或黑矩陣）之組成物中。在供獲得該等面板材料用之含 有無機粒子之樹脂組成物中，玻璃熔塊（g 1 a s s f r i t )含有 量係相對於無機粒子總量，通常為9 0重量％以下，最好 5 0〜9 0重量％。 供形成構成P D P的「電極」用組成物中所含有無機粒子’ 可舉例由如Ag、Au、Al、Ni、Ag-Pd合金、Cu、Cr等所構 成金屬粒子。 該等金屬粒子亦可在供形成介電質層用組成物中，依與 玻璃粉末併用的形式含有。介電質層形成用組成物中之金 屬粒子含有量，係相對於無機粒子總量，通常為1 0重量％ 以下，最好0.1〜5重量％。 供形成構成PDP之「電阻體」用組成物中所含有無機粒 子，有如由Ru〇2等所構成粒子。 供形成構成PDP的「螢光體」用組成物中所含有無機粒 子，可舉例如由 Y 2 0 3 : E U 3 +、Y 2 S i 0 5 : E U 3 +、Y 3 A 1 5 Ο 1 2 : E U 3 +、 YV〇/i:Eu3+、（Y，Gd)B〇3:Eu3+、Zn3(P〇4)2:Mn 等紅色用螢光物 質；Zn2Si〇4:Mn、BaAl】2〇i9:Mn、BaMgAlM〇23:Mn、 LaPO^(Ce，Tb)、Y3(Al，Ga)5〇12:Tb 等綠色用螢光物 質；Y2Si〇5:Ce、BaMgAli〇Oi7:Eu2+、BaMgAlH〇23:Eu2+、 (Ca，Sr，Ba)"(P〇4)GCl2:Eu2+、（Zn，Cd)S:Ag 等藍色用螢光 物質所構成粒子。 供形成構成PDP的「彩色濾光片」用組成物中所含有無 機粒子，可舉例如由F e 2 0 3、P b 3 0 /1等紅色用物質、C r 2 0 3等 綠色用物質、2 ( A 1 2 N a 2 S i 3 0 i ◦) · N a 2 S ^等藍色用物質所構成 12 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 粒子。 供形成構成PDP的「黑矩陣」用組成物中所含有無機粒 子，可舉例如由Μ η、F e、C r等所構成粒子。 〈黏結樹脂〉 構成本發明組成物之黏結樹脂，係含有聚合體[B - 1 ]之 樹脂。黏結樹脂可單獨為聚合體[B - 1 ]，亦可為與其他聚合 體的混合物。其他聚合體最好使用上述聚合體[B - 1 ]以外的 丙稀酸樹脂。 聚合體[B - 1 ]係具有上述式（1 )所示重複單位的聚合 體，最好為丙烯酸樹脂。黏結樹脂乃藉由含有丙烯酸樹脂， 便可在所形成膜形成材料層中，發揮對基板的優越（加熱） 密接性。所以，當將本發明組成物塗佈於支撐膜上，而製 造轉印膜之情況時，所獲得轉印膜係膜形成材料層轉印性 (對基板的加熱密接性）優越者。 構成本發明組成物的丙烯酸樹脂（聚合體[B - 1 ]及其他 聚合體），可從具有適當地黏結性而可黏結無機粒子，且經 膜形成材料之燒成處理（4 0 0〜6 0 0 °C )便可完全氧化去除的 (共）聚合體中選擇。 上述式（1 )所示重複單位係藉由使下述式（i )所示單體 進行（共）聚合而形成。 X H2C=C (i)

13 312/發明說明書(補件)/93-07/93 Π 0493 1248425 (式中，X、R 1及η之定義係如同上式（1 )。） 上式（1 )中，R 1特別以單鍵或亞曱基為佳。此外，η特別 以1為佳。 上式（i )所示單體之具體例，可舉例如：（曱基）丙烯酸縮 水甘油酯、/?-(曱基）丙烯酸曱基縮水甘油酯、（曱基）丙烯 醯基曱基氧化環己烯、3，4 -(曱基）丙烯酸環氧環己基曱酯 等。 聚合體[B - 1 ]係最好為上式（i )所示單體、與其他單體之 共聚合體，其他單體最好為其他（曱基）丙烯酸酯化合物。 相關的其他（曱基）丙烯酸酯化合物之具體例，可舉例 如：（曱基）丙烯酸曱醋、（甲基）丙烯酸乙S旨、（曱基）丙烯酸 丙6旨、（曱基）丙稀酸異丙酯、（曱基）丙稀酸丁 0旨、（曱基） 丙烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（曱基）丙烯酸庚 酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（曱基）丙烯酸異戊酯、（曱基）丙 烯酸己酯、（曱基）丙烯酸庚酯、（曱基）丙烯酸辛酯、（甲基） 丙烯酸異辛酯、（曱基）丙烯酸乙基己酯、（曱基）丙烯酸壬 酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（曱基）丙烯酸異癸酯、（曱基）丙 烯酸十一烷酯、（曱基）丙烯酸十二烷酯、（甲基）丙烯酸月 桂酯、（甲基）丙烯酸硬脂酯、（曱基）丙烯酸異硬脂酯等（甲 基）丙烯酸烷酯； (甲基）丙烯酸羥基乙酯、2 -(曱基）丙烯酸羥基丙酯、 3 -(曱基）丙烯酸羥基丙酯、2 -(曱基）丙烯酸羥基丁酯、 3-(曱基）丙烯酸羥基丁酯、4-(曱基）丙烯酸羥基丁酯等（甲 基）丙烯酸羥基烷酯； 14 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 (曱基）丙烯酸苯氧基乙酯、2 -羥基-3-苯氧基丙基（曱基） 丙烯酸酯等（曱基）丙烯酸苯氧基烷酯； 2-(曱基）丙烯酸甲氧基乙酯、2-(曱基）丙烯酸乙氧基乙 酯、2-(曱基）丙烯酸丙氧基乙酯、2-(曱基）丙烯酸丁氧基 乙S旨、2-(曱基）丙烯酸甲氧基丁酯等（曱基）丙烯酸烷氧基 烧S旨； 聚乙二醇單（曱基）丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇（曱基）丙 烯酸酯、曱氧基聚乙二醇（曱基）丙烯酸酯、（曱基）丙烯酸 苯氧基聚乙二醇酯、壬基苯氧基聚乙二醇（曱基）丙烯酸 酯、聚丙二醇（曱基）丙烯酸酯、曱氧基聚丙二醇（曱基）丙 烯酸酯、乙氧基聚丙二醇（曱基）丙烯酸酯、壬基苯氧基聚 丙二醇（曱基）丙烯酸酯等（曱基）丙烯酸聚伸烷二醇酯； (曱基）丙烯酸環己酯、4-(甲基）丙烯酸丁基環己酯、（甲 基）丙烯酸二環戊酯、（曱基）丙烯酸二環戊烯酯、（曱基） 丙烯酸二環戊烯酯、（曱基）丙烯酸二環戊二烯酯、（曱基） 丙烯酸冰片酯、（曱基）丙烯酸異冰片酯、（曱基）丙烯酸三 環癸烯酯等（甲基）丙烯酸環烷酯； (曱基）丙烯酸芊醋、（曱基）丙烯酸四氫糠酯等。該等（曱 基）丙烯酸酯化合物可單獨使用，或混合使用2種以上。 該等之中，最好為（曱基）丙烯酸烷酯、（曱基）丙烯酸羥 基烷酯、及（曱基）丙烯酸烷氧基烷酯，尤其作為（曱基）丙 烯酸酯化合物，以（甲基）丙烯酸丁酯、（曱基）丙烯酸乙基 己酯、（曱基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸異癸酯、2-(甲 基）丙烯酸乙氧基乙酯、及2-(甲基）丙烯酸羥基丙酯為佳。 15 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 除（甲基）丙烯酸酯化合物之外的其他單體，僅要能與上 述（曱基）丙烯酸酯化合物共聚合之化合物的話便可，其餘 並無特別限，可舉例如：（曱基）丙烯酸、乙烯基苯曱酸、 順丁烯二酸、乙烯基苯二曱酸等不飽和羧酸類；乙烯基苄 基曱醚、乙烯基縮水甘油醚、苯乙烯、α -曱基苯乙烯、丁 二稀、異戊二稀等含乙稀基之自由基聚合性化合物。 再者，在利用後述光微影法的PDP構成要件之形成中， 當膜形成材料層之蝕刻處理中需要鹼可溶性之情況時，上 述其他共聚合性單體（共聚合成分），最好含有具羧基之單 體。上述具羧基之單體的具體例，可舉例如：丙烯酸、曱基 丙烯酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、衣康酸、檸康酸 (citraconic acid)、曱基延胡索酸（mesaconic acid)、肉 桂酸、琥珀酸單（2 -(曱基）丙烯醯氧基乙基）酯、ω -羧基-聚己内酯單（曱基）丙烯酸酯等。該等之中，最好為甲基丙 稀酸。 其中，較佳的鹼可溶性樹脂之具體例，可舉例如：（曱基） 丙烯酸系樹脂、羥基苯乙烯樹脂、酚醛樹脂、聚酯樹脂等。 此種鹼可溶性樹脂中，較佳者乃為上述具羧基之單體， 與如（曱基）丙烯酸烷酯、（甲基）丙烯酸羥基烷酯、及（甲基） 丙烯酸烷氧基烷酯的共聚合體，較佳的（曱基）丙烯酸酯可 舉例如：（曱基）丙烯酸丁酯、（曱基）丙烯酸乙基己酯、（曱 基）丙烯酸月桂酯、（曱基）丙烯酸異癸酯、2 -(曱基）丙烯酸 乙氧基乙酯、2 -(曱基）丙烯酸羥基丙酯。 在聚合體[Β - 1 ]中，上式（i )所示單體之使用比率，係相 16 312/發明說明書(補件)/93-07/93 ] 10493 1248425 對於總單體1 Ο 0重量份，通常為ο . 1〜5 0重量份，最好 0.1〜10重量份，尤以1〜5重量份為佳。 聚合體[Β - 1 ]的分子量，利用凝膠滲透層析儀（以下稱 「G P C」）所測量聚苯乙烯換算的重量平均分子量（以下簡稱 「重量平均分子量」），最好為4 , 0 0 0〜3 0 0，0 0 0，尤以 1 0，0 0 0 〜2 0 0，0 0 0 為佳。 再者，可與聚合體[Β - 1 ]混合使用的其他聚合體，最好 為含有其他（甲基）丙烯酸酯化合物的聚合體。 黏結樹脂總體中，上式（1 )所示重複單位的比率，通常 為0 . 1〜5 0重量％，最好0 . 1〜1 0重量％，尤以1〜5重量％為佳。 此外，黏結樹脂總體中，源自（甲基）丙烯酸酯的重複單位 (包含上式（1)所示重複單位在内）比率，最好在70重量％ 以上，尤以9 0重量％以上為佳。 本發明組成物中之黏結樹脂含有比率，係相對於無機粒 子1 0 0重量份，最好為5〜8 0重量份，尤以5〜3 0重量份為 佳。當黏結樹脂比率低於5重量份之情況時，便無法確實 黏結保持著無機粒子，反之，當此比率超過8 0重量份之情 況時，燒成步驟將需要較長的時間，且所形成燒結體（如介 電質層）將無法具有充分的強度與膜厚。 <溶劑> 在本發明組成物中通常含有溶劑。上述溶劑最好為與無 機粒子間具親和性，對黏結樹脂的溶解性佳，且可賦予所 獲得組成物適當黏性的溶劑，經由乾燥可容易蒸發除去者。 相關溶劑的具體例，可舉例如：二乙酮、曱丁酮、二丙 17 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 酮、環己酮等酮類；正戊醇、4 -曱基-2 -戊醇、環己醇、二 丙酮醇等醇類；乙二醇單曱醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單 丁醚、丙二醇單曱醚、丙二醇單乙醚等醚系醇類；醋酸正 丁酯、醋酸戊酯等不飽和脂肪族單羧酸烷酯類；乳酸乙酯、 乳酸正丁酯等乳酸酯類；甲基纖維素醋酸酯、乙基溶纖劑 醋酸酯、丙二醇單甲醚醋酸酯、3 -乙氧基丙酸乙醋等醚系 酯類等等。該等可單獨使用，或組合使用2種以上。 本發明組成物中的溶劑含有比率，就從組成物黏度維持 在較佳範圍的觀點而言，最好相對無機粒子1 〇 〇重量份， 在4 0重量份以下，尤以5〜3 0重量份為佳。 <分散劑> 本發明組成物最好含有分散劑。該分散劑最好為下式（2 ) 所示碎烧偶合劑[含飽和烧基之（烧基）烧氧基碎烧]。 H2P+1CP-Si—^0CmH2m+1) Σ ^η^2η+1 (2) 3-a (式中，ρ係指3〜2 Ο整數，m係指1〜3整數，η係指1〜3 整數，a係指1至3的整數。） 在上式（2 )中，表示飽和烷基之碳數的ρ係設定為3〜2 0 的整數，最好為4〜1 6的整數。 即使含有ρ小於3的含飽和烧基之（烧基）烧氧基石夕烧， 仍將有所獲得膜形成材料層無法顯現出充分可撓性的情 況。反之，ρ值超過2 0的含飽和烷基之（烷基）烷氧基矽烷 的分解溫度偏高，在所獲得膜形成材料層的燒成步驟中， 因為於有機物質（上述矽烷衍生物）尚未完全分解去除的階 18 312/發明說明書(補件)/93-07/93〗】0493 1248425 段中，玻璃粉末便將熔融，因而所形成介電質層中將 部分的有機物質，結果便有介電質層之光穿透率降低 況。 上式（2 )所示矽烷偶合劑的具體例，可舉例如：正丙 曱基甲氧基矽烷、正丁基二甲基甲氧基矽烷、正癸基 基曱氧基矽烷、正十六烷基二曱基曱氧基矽烷、正二 基二曱基曱氧基矽烷等、飽和烷基二曱基曱氧基矽烷 二Ι,ιιι^Ι,η^Ι) •’ 正丙基二乙基甲氧基矽烷、正丁基二乙基曱氧基矽 正癸基乙基曱氧基矽烷、正十六烷基二乙基甲氧基矽 正二十烷基二乙基曱氧基矽烷等飽和烷基二乙基曱氧 烧類（a = 1，m = 1，η = 2 ); 正丁基二丙基甲氧基矽烷、正癸基二丙基曱氧基矽 正十六烧基二丙基曱氧基石夕烧、正二十烧基二丙基曱 石夕烧等飽和烧基丙基曱氧基石夕烧類（a = 1，m = 1，η = 3 ); 正丙基二曱基乙氧基矽烷、正丁基二曱基乙氧基矽 正癸基二曱基乙氧基矽烷、正十六烷基二曱基乙氧基 烷、正二十烷基二曱基乙氧基矽烷等飽和烷基二曱基 基石夕烧類（a = 1，m = 2，η = 1 ); 正丙基二乙基乙氧基石夕烧、正丁基二乙基乙氧基石夕 正癸基二乙基乙氧基矽烷、正十六烷基二乙基乙氧基 烷、正二十烷基二乙基乙氧基矽烷等飽和烷基二乙基 基石夕烧類（a二1，in = 2，η = 2 ); 正丁基二丙基乙氧基矽烷、正癸基二丙基乙氧基矽 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 殘留 的狀 基二 二曱 十烷 類（a 烧、 烧、 基妙 烧、 氧基 烧、 矽 乙氧 烷、 矽 乙氧 院、 19 1248425 正十六烷基二丙基乙氧基矽烷、正二十烷基丙基 烷等飽和烷基二丙基乙氧基矽烷類（a = 1，in = 2，η = 正丙基二曱基丙氧基矽烷、正丁基二曱基丙氧 正癸基二甲基丙氧基矽烷、正十六烷基二曱基丙 完、正二十烧基二曱基丙氧基石夕烧等飽和烧基二 基石夕烧類（a =l，m = 3，n = l); 正丙基二乙基丙氧基矽烷、正丁基二乙基丙氧 正癸基二乙基丙氧基矽烷、正十六烷基二乙基丙 烷、正二十烷基二乙基丙氧基矽烷等飽和烷基二 基石夕烧類（a =l，m = 3，n = 2); 正丁基二丙基丙氧基矽烷、正癸基二丙基丙氧 正十六烧基二丙基丙氧基石夕烧、正二十烧基丙基 坑等飽和烧基二丙基丙氧基石夕烧類（a =l，m = 3，n = 正丙基甲基二甲氧基矽烷、正丁基甲基二甲氧 正癸基甲基二甲氧基矽烷、正十六烷基甲基二曱 烷、正二十烷基曱基二曱氧基矽烷等飽和烷基甲 基石夕烧類（a =2，m=l，n = l); 正丙基乙基二甲氧基矽烷、正丁基乙基二甲氧 正癸基乙基二甲氧基矽烷、正十六烷基乙基二曱 烷、正二十烷基乙基二曱氧基矽烷等飽和烷基乙 基石夕烧類（a = 2，in = 1，η = 2 ); 正丁基丙基二甲氧基矽烷、正癸基丙基二甲氧 正十六烷基丙基二曱氧基矽烷、正二十烷基丙基 矽烷等飽和烷基丙基二曱氧基矽烷類（a = 2，m = 1， 312/發明說明書(補件)/93-07/931 ] 0493 乙氧基矽 3)； 基石夕烧、 氧基矽 曱基丙氧 基石夕纟完、 氧基矽 乙基丙氧 基石夕烧、 丙氧基石夕 3)； 基石夕烧、 氧基矽 基二甲氧 基矽烷、 氧基矽 基二甲氧 基矽烷、 二曱氧基 η = 3 ); 20 1248425 正丙基曱基二乙氧基矽烷、正丁基曱基二乙氧基矽烷、 正癸基曱基二乙氧基矽烷、正十六烷基曱基二乙氧基矽 烷、正二十烷基曱基二乙氧基矽烷等飽和烷基曱基二乙氧 基石夕烧類（a =2，πι = 2，γι 二 1)， 正丙基乙基二乙氧基矽烷、正丁基甲基二乙氧基矽烷、 正癸基乙基二乙氧基矽烷、正丙基曱基二曱氧基矽烷、正 二十烷基二曱基曱氧基矽烷等飽和烷基乙基二乙氧基矽烷 類（a =2,111二 2，n = 2); 正丁基丙基二乙氧基矽烷、正癸基丙基二乙氧基矽烷、 正十六烷基丙基二乙氧基矽烷、正二十烷基丙基二乙氧基 矽烷等飽和烷基丙基二乙氧基矽烷類（a = 2，m = 2，η = 3 ); 正丙基曱基二丙氧基矽烷、正丁基曱基二丙氧基矽烷、 正癸基甲基二丙氧基矽烷、正十六烷基甲基二丙氧基矽 烷、正二十烷基曱基二丙氧基矽烷等飽和烷基曱基二丙氧 基石夕烧類（a二2，m=3，n=l); 正丙基乙基二丙氧基石夕烧、正丁基乙基二丙氧基石夕纟完、 正癸基乙基二丙氧基矽烷、正十六烷基乙基二丙氧基矽 烷、正二十烷基乙基二丙氧基矽烷等飽和烷基乙基二丙氧 基石夕烧類（a = 2，m = 3，η二2 ); 正丁基丙基二丙氧基矽烷、正癸基丙基二丙氧基矽烷、 正十六烷基丙基二丙氧基矽烷、正二十烷基丙基二丙氧基 石夕烧等飽和烧基丙基二丙氧基石夕：)：完類（a = 2，m = 3，η = 3 ); 正丙基三曱氧基矽烷、正丁基三曱氧基矽烷、正癸基三 曱氧基矽烷、十六烷基三曱氧基矽烷、正二十烷基三曱氧 21 312/發明說明書(補件)/93-07/931 ] 0493 1248425 基矽烷等飽和烷基三曱氧基矽烷類（a = 3，m = 1 ); 正丙基三乙氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、正癸基三 乙氧基矽烷、正十六烷基三乙氧基矽烷、正二十烷基三乙 氧基矽烷等飽和烷基三乙氧基矽烷類（a = 3，m = 2 ); 正丙基三丙氧基矽烷、正丁基三丙氧基矽烷、正癸基三 丙氧基石夕烧、正十六烧基三丙氧基石夕烧、正二十烧基三丙 氧基矽烷等飽和烷基三丙氧基矽烷類（a = 3，m = 3 )等。該等 可單獨使用，或組合使用2種以上。 該等之中，最好為如：正丁基三曱氧基矽烷、正癸基三 曱氧基矽烷、十六烷基三曱氧基矽烷、正癸基二曱基曱氧 基矽烷、正十六烷基二曱基曱氧基矽烷、正丁基三乙氧基 石夕烧、正癸基三乙氧基石夕烧、正十六烧基三乙氧基石夕纟完、 正癸基乙基二乙氧基矽烷、正十六烷基乙基二乙氧基矽 烷、正丁基三丙氧基矽烷、正癸基三丙氧基矽烷、十六烷 基三丙氧基石夕烧等。 本發明轉印膜之膜形成材料層中，矽烷偶合劑含有比 率，係相對於玻璃粉末1 0 0重量份，最好為0 . 0 0 1〜1 0重量 份，尤以0 · 0 0 1〜5重量份為佳。若矽完偶合劑比率低於 0 . 0 0 1重量份之情況時，將無法充分發揮提昇玻璃粉末分 散安定性的效果，且無法充分地發揮所形成膜形成材料層 之可撓性提昇效果。反之，若此比率超過1 0重量份的情況 時，在保存所獲得玻璃塗劑組成物之際，將有黏度隨時間 上升，且矽烷偶合劑彼此間引發反應，導致燒成後的光穿 透率降低之原因的情況發生。 22 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 <可塑劑> 在本發明組成物中，為使所形成膜形成材料層突顯出良 好的可撓性與燃燒性，最好含有可塑劑。該可塑劑最好為 由下式（3 )所示化合物所構成的可塑劑。

(3) (式中，R 2與R 5分別係指相同或互異之碳數1〜3 0烷基； R 3與R 4分別係指相同或互異之亞甲基或碳數2〜3 0伸烷 基；s係指0〜5數值；t係指1〜1 0數值。） 依照具備含有可塑劑之膜形成材料層的轉印膜的話，即 便將其彎曲，仍不致在該膜形成材料層表面上發生微小龜 裂（裂痕），且該轉印膜的柔軟性優越，可輕易地將其捲取 為滾筒狀。 特別係由上式（3 )所示化合物所構成可塑劑，因為將可 利用熱而輕易地分解去除，所以對該膜形成材料層施行燒 成而所獲得介電質層的光穿透率將不致降低。 在上式（3)中，R2或R5所示烷基、及R3或R4所示伸烷基， 可為直鏈狀亦可為分支狀，而且可為飽和基亦可為不飽和 基。 R 2或R 5所不烧基的碳數係設定為1〜3 0 ’最好為2〜2 0 ’ 尤以4〜1 0為佳。 當該烷基的碳數超過3 0之情況時，可塑劑對構成本發 明溶劑的溶解性將降低，將有無法獲得良好可撓性的狀況。 23 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 上式（3 )所示化合物之具體例，可舉例如：己二酸二丁 酯、己二酸二異丁醋、己二酸二-2-乙基己醋、壬二酸二- 2-乙基己醋、癸二酸二丁酯、己二酸二丁基二乙二醇酯等。 最好η為2〜6所示化合物。 本發明轉印膜之膜形成材料層中，可塑劑含有比率在相 對於玻璃粉末1 0 0重量份之下，最好為0 . 1〜2 0重量份，尤 以0 . 5〜1 0重量份為佳。當可塑劑比率低於0 . 1重量份之情 況時，將有無法充分提昇膜形成材料層可塑性的狀況。反 之，當此比率超過2 0重量份之情況時，採用所獲得組成物 所形成的膜形成材料層黏著性（黏性）將過大，具備此種膜 形成材料層的轉印膜處置性將惡化。 在本發明組成物中，除上述必要成分之外，尚可含有任 意成分之如：黏著性賦予劑、表面張力調整劑、安定劑、消 泡劑等各種添加劑。 <放射線感光性成分〉 本發明之含有無機粒子之組成物，亦可為含有放射線感 光性成分的含放射線感光性含有無機粒子之組成物。該放 射線感光性成分較佳者可例示如：（a )多官能性單體與放射 線聚合起始劑之組合、（b )三聚氰胺樹脂與利用放射線照射 而形成酸的光酸產生劑之組合，上述（a )組合中，特別以多 官能性（甲基）丙烯酸酯與放射線聚合起始劑之組合為佳。 構成放射線感光性成分之多官能性（曱基）丙烯酸酯之 具體例，可舉例如：乙二醇、丙二醇等伸烷二醇之二（曱基） 丙烯酸酯類；聚乙二醇、聚丙二醇等聚伸烷二醇之二（曱基） 24 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 丙烯酸酯類；二末端羥基聚丁二烯、二末端羥基聚異丙烯、 二末端羥基聚己内酯等二末端羥基化聚合體之二（曱基）丙 烯酸酯類； 甘油、1，2，4 - 丁三醇、三羥曱基烷、四羥曱基烷、季戊 四醇、二季戊四醇等三價以上多元醇之聚（甲基）丙烯酸酯 類；三價以上多元醇之聚伸烷二醇加成物之聚（曱基）丙烯 酸酯類；1，4 -環己二醇、1，4 -苯二醇類等環式多元醇之聚 (曱基）丙烯酸醋類；聚a旨（曱基）丙烯酸S旨、（甲基）丙烯酸 環氧酯、（曱基）丙烯酸胺基曱酸酯、醇酸樹脂（曱基）丙烯 酸酯、矽樹脂（曱基）丙烯酸酯、螺環樹脂（曱基）丙烯酸酯 等寡聚（曱基）丙烯酸類等等。該等可單獨使用，或組合使 用2種以上。 再者，構成放射線感光性成分的放射線聚合起始劑之具 體例，可舉例如：苄、苯偶姻、二苯曱酮、莰醌、2 -羥基-2 -曱基-1-苯基丙：(：完-1-8同、1-經基環己基苯g同、2，2-二曱氧 基-2 -苯基乙醯苯、2 -曱基-[4 ’ -(硫代曱基）苯基]-2 -嗎啉 -1-丙酮、2-苄基-2-二曱胺基-1-(4 -嗎啉苯基）-丁 -1-酮等 羰化合物；偶氮異丁腈、4 -疊氮苯甲醛 (4 - a z i d 〇 b e n z a 1 d e h y d e )等偶氮或疊氮化合物；硫醇二硫化 物等有機硫化物；苯曱醯過氧化物、二第三丁基過氧化物、 第三丁基過氧化氫、氫過氧化物異丙苯（cumene hydro peroxide)、對曱烷過氧化氫等有機過氧化物；1，3_雙（三 氣曱基）-5 - ( 2 ’ -氣笨基）- 1，3 , 5 -三嗉、2 - [ 2 - ( 2 -呋喃基）] 乙烯基]-4, 6-雙（三氣曱基）-1,3,5-三嗉等三鹵化曱烷 25 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 類；2，2 ’ -雙（2 -氯苯基）4，5，4 ’，5 ’ -四苯基1，2 ’ -聯二咪唑 等咪唑二聚物等。該等可單獨使用，或組合使用2種以上。 含有無機粒子之組成物之一例，若以較佳介電質層形成 用組成物為例的話，無機粒子（玻璃粉末）可例如含有以下 述成分為必要成分的組成物：由氧化錯、氧化侧、氧化石夕、 氧化名弓（P b 0 - B 2 0 3 - S i 0 2 - C a 0系）所構成混合物1 0 0重量份， 黏結樹脂之曱基丙烯酸丁酯/曱基丙烯酸乙基己酯/曱基丙 烤酸經基丙S旨/曱基丙稀酸縮水甘油S旨共聚物5〜3 0重量 份；分散劑之正癸基三曱氧基矽烷0 . 1〜5重量份；可塑劑 之二-2 -壬二酸乙基己酯0 . 1〜1 0重量份；及溶劑之丙二醇 單曱5〜30重量份。 本發明之組成物係將上述無機粒子、黏結樹脂、特定化 合物、溶劑、以及任意成分，採用輥混練機、攪拌機、均 質攪拌機等混練機進行混練便可調製得。 依上述所調製得本發明組成物，係具有適於塗佈之流動 性的糊狀組成物，黏度通常為1，0 0 0〜3 0，0 0 0 m P a · s，最好 為 3, 000〜10, 000 m Pa· s° 本發明組成物特別適用使用於供製造以下詳述轉印膜 (本發明轉印膜）。 再者，本發明組成物亦可適用於先前週知膜形成材料層 之形成方法，即利用網板印刷法等將該組成物直接塗佈於 基板表面上，經使塗膜乾燥而形成膜形成材料層的方法。 <轉印膜> 本發明之轉印膜係適用於p D P構成要件之形成步驟（特 26 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 別係介電質層之形成步驟）的複合膜，乃具備有將本發明組 成物塗佈於支撐膜上，再藉由使塗膜乾燥而形成的膜形成 材料層。 換句話說，本發明之轉印膜係在支撐膜上形成含有無機 粒子、黏結樹脂、及特定化合物之膜形成材料層而構成。 再者，本發明之轉印膜亦可將後述光阻膜形成於支撐膜 上，再於其上塗佈著本發明組成物，經乾燥而構成者（層積 膜）。 此外，本發明之轉印膜亦可為採用含有放射線感光性無 機粒子組成物所構成的放射線感光性轉印膜。 (1)轉印膜構造： 圖2 A所示係經捲繞成捲筒狀的本發明之轉印膜之概略 剖面圖，圖2 B所示係該轉印膜層構造剖面圖[圖2 A之部分 詳細圖]。 圖2所示轉印膜係本發明轉印膜之一例，使用供形成構 成P D P之介電質層用的複合膜，通常由下述所構成：支撐膜 F 1、形成可剝離此支撐膜F 1表面的膜形成材料層F 2、以 及設計成可輕易剝離此膜形成材料層F 2表面的覆蓋膜 F 3。覆蓋膜F 3乃隨膜形成材料層F 2性質，亦有未使用的 情況。 構成轉印膜之支撐膜F 1，最好具有对熱性與而ί溶劑性， 且具有可撓性的樹脂膜。藉由支撐膜F 1具可撓性，便可採 用輥塗機、刮刀塗佈機等，塗佈糊狀組成物（本發明組成 物），藉此便可形成膜厚均句的膜形成材料層，且可將所形 27 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 成膜形成材料層依捲繞成捲筒狀之狀態保存、供應。 構成支撐膜F 1的樹脂，可舉例如：聚對苯二曱酸乙二 酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚醯亞胺、聚乙 稀醇（P〇1 y v i n y 1 a 1 c 〇 h ο 1 )、聚氯化乙稀、聚敗化乙烯等 含氟樹脂、尼龍、纖維素等。支撐膜F 1厚度設定為如 20 〜ΙΟΟμηι 〇 構成轉印膜的膜形成材料層F 2係經燒成而形成玻璃燒 結體（介電質層）的層，乃含有必要成分的玻璃粉末（無機粒 子）、黏結樹脂、及特定化合物。 膜形成材料層F 2厚度乃隨玻璃粉末含有率、面板種類 或大小而異，例如設定為5〜200μπι，最好為10〜ΙΟΟμίϋ。當 此厚度低於5 μ in之情況時，最後所形成介電質層的膜厚過 小，無法確保預期的介電特性。通常，若此厚度為5〜2 0 0 μ m 的話，便可充分確保大型面板所要求的介電質層膜厚。 構成轉印膜的覆蓋膜F 3係供保護膜形成材料層F 2表面 (與玻璃基板間之接觸面）用的薄膜。最好此覆蓋膜F 3亦屬 於具有可撓性的樹脂膜。形成覆蓋膜F 3的樹脂，可例示如 形成支撐膜F 1的樹脂。覆蓋膜F 3厚度設定為如2 0〜1 0 0 μιιι。 (1 )轉印膜之製造方法 本發明之轉印膜係在支撐膜（F 1 )上形成膜形成材料層 (F 2 )，並藉由在該膜形成材料層（F 2 )上設置（壓接）覆蓋膜 (F 3 )便可製得。 膜形成材料層之形成方法可例如：將含有無機粒子、黏 結樹脂、分散劑、可塑劑及溶劑的本發明組成物，塗佈於 28 312/發明說明書(補件)/93-07/93 ] 10493 1248425 支撐膜上，經乾燥塗膜後，去除上述部分（或全部）溶劑的 方法。 將本發明組成物塗佈於支撐膜上的方法，就從可效率佳 地形成膜厚較大（如2 Ο μ m以上）、膜厚厚度均勻性優越之 塗膜的觀點而言，較佳的方法可舉例如：利用輥塗機施行塗 佈的方法、刮漿刀法等利用刮刀塗佈機的塗佈方法、利用 簾塗佈機進行塗佈的方法、利用現塗佈機施行塗佈的方法 等等。 再者，最好對經塗佈本發明組成物的支撐膜表面施行脫 膜處理。藉此便可在轉印膜形成材料層之後，輕易地從該 膜形成材料層上剝離支撐膜。 支撐膜上所形成依本發明組成物所構成塗膜，經乾燥而 去除部分（或全部）溶劑，而形成構成轉印膜的膜形成材料 層。利用本發明組成物所構成塗膜的乾燥條件，例如設定 為4 0〜1 5 0 °C中、0 . 1〜3 0分鐘程度。經乾燥後的溶劑殘存比 率（膜形成材料層中之溶劑含有比率），通常設定在1 0重量 %以下，就從使膜形成材料層發揮對基板的黏著性、及適度 的形狀保持性觀點而言，最好為0 . 1〜5重量％。 最好亦對在依上述所形成膜形成材料層上，所設置（通 常為熱壓接）的覆蓋膜表面施行脫膜處理。藉此，在轉印膜 形成材料層之前，便可輕易地從該膜形成材料層剝離覆蓋 膜。 (1 )膜形成材料層之轉印（轉印膜之使用方法）： 支撐膜上之膜形成材料層，乃一次轉印於基板表面上。 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 29 1248425 因為依照本發明轉印膜的話，藉由此種簡單地操作，便可 確實地在玻璃基板上形成膜形成材料層，所以可達介電質 層等P D P構成要件之形成步驟中的製程改善（高效率化）效 果，而且可達提昇所形成構成要件品質（例如：突顯介電質 層中安定的介電特性）的功效。 < P D P之製造方法（1 )(介電質層之形成）> 本發明的P D P之製造方法（1 )係包含有.·將構成本發明轉 印膜之膜形成材料層，轉印於基板表面上，再藉由對經轉 印的膜形成材料層施行燒成，而在上述基板表面上形成介 電質層的步驟。 若例示依如圖2所示構造之轉印膜，形成的膜形成材料 層之轉印步驟一例，則如下述： 1 .將捲繞於捲筒狀態下的轉印膜，裁剪為配合基板面積 的大小。 2 ·從經裁剪過之轉印膜從膜形成材料層（F 2 )表面剝離 覆蓋膜（F 3 )之後，再重疊轉印膜俾使基板表面抵接膜形成 材料層（F 2 )表面。 3 .在重疊於基板上的轉印膜上移動加熱輥而熱壓接。 4 ·從經熱壓接而固定於基板上的膜形成材料層（F 2 )，剝 離去除支撐膜（F 1 )。 藉由如上述操作，支撐膜（F 1 )上的膜形成材料層（F 2 )便 轉印於基板上。其中，轉印條件係設定為如：加熱輥表面溫 度6 0〜1 2 0 °C 、由加熱棍所產生的報壓1〜5 k g / c in 2、加熱輥 移動速度Ο · 2〜1 Ο · 0 m /分。如此般之操作（轉印步驟）係可藉 30 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 由疊合裝置進行。另外，基板亦可先預熱，預熱溫度可設 定為如4 0〜1 0 0 °C 。 經轉印形成於基板表面上的膜形成材料層（F 2 )，經燒成 便形成無機燒結體（介電質層）。其中，燒成方法可舉例如： 將經轉印形成膜形成材料層（F 2 )的基板，配置於高溫環境 下的方法。藉此，膜形成材料層（F 2 )中所含有機物質（如： 黏結樹脂、殘留溶劑、分散劑、可塑劑、各種添加劑）將被 分解而去除，無機粒子則將熔融並進行燒結。燒成溫度亦 隨基板熔融溫度、膜形成材料層中之構成物質等而不同， 例如設定為3 0 0〜8 0 0 °C ，尤以4 0 0〜6 0 0 °C為佳。 < P D P之製造方法（2 )(利用光阻法之構成要件的形成）> 本發明的P D P之製造方法（2 )係包含有.·將構成本發明轉 印膜之膜形成材料層，轉印於基板上，再經轉印的膜形成 材料層上形成光阻膜，並對該光阻膜施行曝光處理而形成 光阻圖案的潛像，對該光阻膜施行顯影處理俾使光阻圖案 顯影化，然後再對該膜形成材料層施行蝕刻處理，而形成 對應著光阻圖案的圖案層，藉由對該圖案層施行燒成處 理，而形成選擇自分隔壁、電極、電阻體、介電質層、螢 光體、彩色濾光片、及黑矩陣中的構成要件之步驟。 或者，將光阻膜、與由本發明之含有無機粒子之組成物 所獲得膜形成材料層的層積膜，形成於支撐膜上，再將支 撐膜上所形成層積膜轉印於基板上，對構成該層積膜的光 阻膜施行曝光處理而形成光阻圖案的潛像，對該光阻膜施 行顯影處理俾使光阻圖案顯影化，然後再對該膜形成材料 31 3丨2/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 層施行蝕刻處理，而形成對應著光阻圖案的圖案層，藉由 對該圖案層施行燒成處理，而形成選擇自分隔壁、電極、 電阻體、介電質層、螢光體、彩色濾光片、及黑矩陣中的 構成要件之步驟。 以下，針對將PDP構成要件的「分隔壁」，形成於背面 基板上之表面的方法進行說明。在此方法中，藉由：〔1〕 膜形成材料層之轉印步驟、〔2〕光阻膜之形成步驟、〔3〕 光阻膜之曝光步驟、〔4〕光阻膜之顯影步驟、〔5〕膜形成 材料層之蝕刻步驟、〔6〕利用分隔壁圖案之燒成步驟，而 在基板表面上形成分隔壁。 圖3與圖4所示係供形成分隔壁之一連串步驟的概略剖 面圖。在圖3與圖4中，11係玻璃基板，在此玻璃基板上， 等間隔排列著供產生電漿用的電極1 2，並在玻璃基板1 1 表面上將介電質層1 3形成被覆著電極1 2的狀態。 另外，在本發明中，「將膜形成材料層轉印於基板上」 的態樣，除如上述轉印於玻璃基板1 1表面的態樣之外，涵 蓋轉印於上述介電質層1 3表面的態樣。 (1 )膜形成材料層之轉印步驟： 若例示膜形成材料層之轉印步驟一例的話，便如下述： 在剝離轉印膜的覆蓋膜（未圖示）之後，如圖3所示，在 介電質層1 3表面上，將轉印膜2 0重疊為抵接膜形成材料 層2 1表面的狀態，將此轉印膜2 0利用加熱輥等而熱壓接 之後，再從膜形成材料層2 1上剝離去除支撐膜2 2。藉此， 便如圖3 C所示，形成介電質層1 3表面上轉印膜形成材料 32 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 層2 1並密接的狀態。其中，轉印條件係設定為如：加熱輥 表面溫度8 0〜1 4 0 °C 、由加熱輥所產生的輥壓1〜5 k g / c m 2、 加熱輥移動速度Ο . 1〜1 Ο . 0 m /分。另外，玻璃基板1 1亦可 先預熱，預熱溫度可設定為如4 0〜1 0 0 °C 。 (1 )光阻膜形成步驟： 在此步驟中，如圖3 D所示，在經轉印膜形成材料層2 1 的表面上形成光阻膜3 1。構成此光阻膜3 1的光阻，可為 正型光阻亦可為負型光阻中任一種。 光阻膜3 1係利用如網板印刷法、輥塗佈法、旋轉塗佈 法、流塗法等各種方法塗佈著光阻之後，經將塗膜施行乾 燥之後便可形成。其中，塗膜之乾燥溫度通常設定為 6 0〜1 3 0 °C程度。 再者，亦可藉由將支撐膜上所形成光阻膜，轉印於膜形 成材料層2 1表面上而形成。依照此種形成方法的話，便可 減少光阻膜之形成步驟數，且因為所獲得光阻的膜厚均勻 性較優越，所以可均勻地對施行該光阻膜的顯影處理及膜 形成材料層之蝕刻處理，所形成分隔壁高度與形狀將形成 均勻狀態。 光阻膜31膜厚通常設定為0.1〜40μιη，最好0.5〜20μη]。 (1 )光阻膜曝光步驟： 在此步驟中，如圖3 Ε所示，在膜形成材料層2 1上所形 成光阻膜3 1表面上，隔著曝光用遮罩Μ，選擇性照射（曝 光）紫外線等放射線，而形成光阻圖案的潛像。在同圖中， ΜΑ與MB分別係指曝光用遮罩Μ中的光穿透部與遮光部。 33 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 其中，紫外線照射裝置並無特別限制，可使用上述光微 影法中所使用的紫外線照射裝置、製造半導體及液晶顯示 裝置時所使用的曝光裝置等。 另外，當藉由轉印光阻膜而形成之情況時，最好在光阻 膜上所被覆支撐膜尚未剝離的狀態下，施行曝光步驟。 (1 )光阻膜顯影步驟： 在此步驟中，藉由對經曝光過的光阻膜施行顯影處理， 俾使光阻圖案（潛像）顯影化。 其中，顯影處理條件可配合光阻膜3 1種類等，適當選 擇顯影液種類、組成、濃度、顯影時間、顯影溫度、顯影 方法（例如：浸潰法、搖晃法、淋塗法、噴塗法、槳式法）、 顯影裝置等。 經此顯影步驟，便如圖4 F所示，形成由光阻殘留部3 5 A、 光阻去除部35B所構成光阻圖案35(對應著曝光用遮罩Μ 的圖案）。 此光阻圖案3 5係具有下一步驟（蝕刻步驟）中的蝕刻遮 罩作用，光阻殘留部3 5 Α的構成材料（經光硬化的光阻）， 必須為對钱刻液的溶解速度較小於膜形成材料層2 1構成 材料。 (1 )膜形成材料層之餘刻步驟： 在此步驟中，對膜形成材料層施行蝕刻處理，而形成對 應著光阻圖案的分隔壁圖案層。 換句話說，如圖4 G所示，在膜形成材料層21中，將光 阻圖案3 5對應著光阻去除部3 5 B的部分溶解於蝕刻液中， 34 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 俾選擇性去除。其中，圖4G所示係蝕刻處理中的狀態。 然後，若繼續施行蝕刻處理的話，便如圖4H所示，將 膜形成材料層2 1中的既定部分完全去除，而裸露出介電質 層1 3。藉此便形成由由材料層殘留部2 5 A、材料層去除部 2 5 B所構成的分隔壁圖案層2 5。 其中，蝕刻處理條件可配合膜形成材料層2 1種類等， 而適當地選擇蝕刻液種類、組成、濃度、處理時間、處理 溫度、處理方法（例如：浸潰法、搖晃法、淋塗法、噴塗法、 槳式法）、處理裝置等。 另外，蝕刻液為能使用如同顯影步驟中所使用顯影液相 同的溶液，藉由選擇光阻膜3 1與膜形成材料層2 1的種類， 便可連續地實施顯影步驟與蝕刻步驟，可達利用步驟簡單 化而提昇製造效率的效果。 其中，構成光阻圖案3 5的光阻殘留部3 5 A，最好在蝕刻 處理之際將逐漸溶解，在形成分隔壁圖案層2 5的階段（蝕 刻處理結束時）被完全去除。 另外，即便蝕刻處理後部分（或全部）殘留光阻殘留部 3 5 A的話，該光阻殘留部3 5 A將依接著的燒成步驟而去除。 (1 )分隔壁圖案層之燒成步驟： 在此步驟中，對分隔壁圖案層2 5施行燒成處理而形成 分隔壁。藉此，材料層殘留部2 5 A中的有機物質將燒失而 形成分隔壁，在如圖4 I所示，於介電質層1 3表面形成分 隔壁4 0的面板材料5 0中，便將利用分隔壁4 0所區隔的空 間（源自材料層去除部2 5 B的空間），而形成電漿作用空間。 35 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 其中，燒成處理溫度必須為材料層殘留部2 5 A的有機物質 被燒失的溫度，通常為4 0 0〜6 0 0 °C 。此外，燒成時間通常 設為1 0〜9 0分鐘。 < P D P之製造方法（3 )(利用光阻法之較佳實施態樣）> 本發明的PDP之製造方法，並不僅限於圖3與圖4所示 方法。 其中，供形成P D P構成要件用的其他較佳方法（P D P之製 造方法③），可舉例如下述（1 )〜（3 )步驟的形成方法。 (1 )藉由在支撐膜上形成光阻膜之後，在該光阻膜上塗 佈本發明之含有無機粒子組成物，經乾燥而層積形成膜形 成材料層。其中，當形成光阻膜與膜形成材料層之際，可 使用輥塗機等，藉此便可在支撐膜上形成膜厚均勾性優越 的層積膜。 (2 )將支撐膜上所形成的光阻膜、與膜形成材料層之層 積膜，轉印於基板上。其中，轉印條件係如同上述「膜形 成材料層之轉印步驟」中的條件。 (3 )施行如同上述「光阻膜之曝光步驟」、「光阻膜之顯 影步驟」、「膜形成材料層之蝕刻步驟」、及「分隔壁圖案層 之燒成步驟」。此時，如前所述，最好光阻膜的顯影液、與 膜形成材料層的蝕刻液設為相同溶液，俾可連續地實施「光 阻膜之顯影步驟」與「膜形成材料層之蝕刻步驟」。 依照如上述方法的話，因為膜形成材料層與光阻膜係一次 轉印於基板上，所以可因步驟簡單化而更加提昇製造效率。 < P D P之製造方法（4 )(採用放射線感光性轉印膜之構成要 36 3 12/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 件的形成）> 本發明的P D P之製造方法（4 )係包含有：將構成本發明放 射線感光性轉印膜的膜形成材料層，轉印於基板上，再對 該膜形成材料層施行曝光處理而形成光阻圖案的潛像，對 該膜形成材料層施行顯影處理而形成圖案層，藉由對該圖 案層施行燒成處理，而形成選擇自分隔壁、電極、電阻體、 介電質層、螢光體、彩色濾光片、及黑矩陣中的構成要件 之步驟。 在此方法中，若以例如分隔壁之形成方法為例的話，在 上述「膜形成材料層之轉印步驟」之後，便依據「光阻膜 之曝光步驟」、「光阻膜之顯影步驟」的條件，形成圖案層， 然後再利用「分隔壁圖案之燒成步驟」，在基板表面上形成 分隔壁。 在上述P D P之製造方法（1 )〜（4 )各步驟說明中，雖針對 形成PDP構成要件的「分隔壁」之方法進行說明，但是亦 可依據此方法，形成構成PDP的電極、電阻體、介電質層、 螢光體、彩色濾光片、及黑矩陣等。 <實施例> 以下，針對本發明實施例進行說明，惟本發明並不僅限 於該等。另夕卜，在下述中，「份」係指「重量份」。 (實施例1 ) C 1 )玻璃糊狀物組成物（含有無機粒子之組成物）的調製： 將玻璃粉末（無機粒子）之由氧化鉛、氧化硼、氧化矽、 氧化妈（P b 0 - B 2 0 3 - S i 0 2 - C a 0系）所構成混合物（軟化點5 6 0 37 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 °C ) 1 Ο 0份，黏結樹脂之甲基丙烯酸丁酯（B M A ) / 2 -甲基丙烯 酸乙基己酯（EHMA)/2-甲基丙烯酸羥基丙酯（HPMA)/甲基丙 婦酸縮水甘油S旨（GMA)共聚合體（重量比30/60/5/5、重量 平均分子量1 0 5，0 0 0 ) 1 7份，及分散劑之正癸基三曱氧基矽 烷1 . 0份，及可塑劑之二-2 -壬二酸二乙基己S旨2 . 5份，以 及溶劑之丙二醇單甲醚7. 3份、3 -乙氧基丙酸乙酯1 1 . 5 份，採用分散機進行混練，而調製黏度1，6 0 0 mPa · s ( 2 0 r p m、東機產業製、T V - 3 0式黏度計）的本發明組成物。 (2 )轉印膜之製造及評估（可撓性及處置性）： 將上述（1 )所調製本發明組成物，採用刮刀塗佈機塗佈 於預先施行脫膜處理過之由聚對苯二曱酸乙二酯（P E T )所 構成支樓膜（寬度400mm、長度30m、厚度38μπι)上，將所 形成塗膜在1 0 0 °C中施行5分鐘乾燥處理而去除溶劑，藉 此便在支撐膜上形成厚度9 0 μ m的膜形成材料層。其次， 在該膜形成材料層上，貼覆著預先施行脫膜處理過之由 PET所構成覆蓋膜（寬度400mm、長度30m、厚度38μπι)， 藉此便製得具有如圖2所示構造的本發明轉印膜。 所獲得轉印膜具有柔軟性，可輕易地施行捲取成捲筒狀 的操作。此外，即便將此轉印膜彎折，在膜形成材料層表 面上仍不致發生裂痕（彎曲龜裂）情況，該膜形成材料層屬 於具優越可撓性。 再者，從此轉印膜上剝離覆蓋膜，並將該轉印膜（支撐 膜與膜形成材料層之層積膜），在未加壓下重疊成膜形成材 料層表面抵接於玻璃基板表面的狀態，其次，嘗試從玻璃 38 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 基板表面剝落該轉印膜，結果該膜形成材料層顯示出對玻 璃基板適度的黏著性，而且可在該膜形成材料層上不致引 起凝聚破壞的情況下，剝落轉印膜，具有轉印膜用的優越 處置性（處理性）。 (3 )膜形成材料層之轉印： 從依上述（2 )所獲得轉印膜上剝落覆蓋膜之後，在2 1吋 面板用玻璃基板表面（匯流電極之固定面）上，將該轉印膜 (支撐膜與膜形成材料層的層積膜）重疊成抵接著膜形成材 料層表面的狀態，對此轉印膜利用加熱輥施行熱壓接。其 中，壓接條件設定為：加熱輥表面溫度9 0 °C 、輥壓 2 k g / c m2、加熱輥移動速度0 . 8 m /分。 待熱壓接處理結束後，從玻璃基板表面上所固定（加熱 黏著）的膜形成材料層上，剝離去除支撐膜，便完成該膜形 成材料層的轉印。 在此轉印步驟中，當剝離支撐膜之時，膜形成材料層不 致發生凝聚破壞情況，該膜形成材料層具有十分大的膜強 度。而且，經轉印過的膜形成材料層，對玻璃基板表面具 有良好的黏著性。 (4 )膜形成材料層之燒成（介電質層之形成）： 將經上述（3 )而轉印形成著膜形成材料層的玻璃基板， 配置於燒成爐内，依每分鐘1 0 °C的比例昇溫至爐内溫度 5 7 0 °C為止之後，再於5 7 0 °C中施行1 0分鐘燒成處理，便 在玻璃基板表面上，形成由玻璃燒結體所構成介電質層。 經測量此介電質層膜厚（平均膜厚與公差），結果在 39 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 4 4μπl土0.4μπl範圍内，屬於膜厚均勻性優越者。 此外，針對所獲得介電質表面，採用非接觸式膜厚計（菱 光公司製、Ν Η - 3 )施行3次元測量，並依據J I S規格（B 0 6 0 1 ) 求取表面粗糙度（Ra、Ry、Rz)，結果Ra二0.06μπι、

Ry二0·43μπι、R ζ = Ο . 2 1 μ m j屬於表面平滑性優越者。 (實施例2〜6 ) 除在實施例1中，將黏結樹脂分別改採用表1所示共聚 合體之外，其餘均如同實施例1 ( 1 )般的調製得玻璃糊狀物 組成物，採用所獲得各玻璃糊狀物，如同實施例1 ( 2 )般的 形成轉印膜。所獲得轉印膜均具有柔軟性，可輕易地施行 捲繞成捲筒狀的操作。而且，即便將此轉印膜彎曲，在膜 形成材料層表面上仍不致發生裂痕（彎曲龜裂）情況，該膜 形成材料層屬於具優越可撓性。 採用所獲得轉印膜，如同實施例1 ( 3 )般的施行轉印，結 果不管採用哪一轉印膜的情況下，當剝離支撐膜之時，膜 形成材料層均可不致發生凝聚破壞現象，該膜形成材料層 具有十分大的膜強度。而且，經轉印過的膜形成材料層對 玻璃基板表面具有良好的黏著性。 再者，如同實施例1 ( 4 )般的形成介電質層，並針對所獲 得介電質層表面，如同實施例1般的求取表面粗链度（R a、 R y、R z )。R a、R y、R z值與實施例1之測量值一併記於表1 中 〇 表1 實施例黏結樹脂之共聚合比（重量比）表面粗糙度 40 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 BMA EHMA HPMA GMA R a Ry R z 1 30 60 5 5 0· 06 0. 43 0.21 2 30 57.5 10 2.5 0· 06 0. 42 0.23 3 30 55 10 5 0· 06 0. 43 0.21 4 30 52.5 10 7.5 0. 07 0. 44 0.25 5 30 50 10 10 0.12 1 . 12 0.65 6 30 40 10 20 0. 10 0· 62 0.34 (比較例） 除將黏結樹脂的份數設為1 7份，並取代曱基丙烯酸丁 酯/ 2-甲基丙烯酸乙基己酉旨/ 2-甲基丙烯酸羥基丙醋/曱基 丙烯酸縮水甘油酯共聚合體（重量比30/60/5/5、重量平均 分子量105，000)，改採用甲基丙烯酸丁酯/ 2-曱基丙烯酸 乙基己酯/ 2-曱基丙烯酸羥基丙酯共聚合體（重量比 3 0 / 6 0 / 1 0、重量平均分子量1 5 0，0 0 0 )之外，其餘均如同實 施例，調製得黏度1，2 0 0 mPa· s(20rpm、東機產業製、TV-30 式黏度計）組成物。採用所獲得組成物，如同實施例般的製 造轉印膜，經評估結果雖具有良好的可撓性與處置性，但 是經如同實施例般形成介電質層且求取表面粗糙度（R a、

Ry、Rz)，結果 R a =0·31μπι、R y = 2 . 6 1 μπι - R z = 1 . 1 0 μπι j 屬 於表面平滑性差劣者。 雖參照特定實施形態詳盡地說明本發明，但是在不脫逸 本發明精神與範疇之前提下，尚可進行各種變更、修正， 乃熟習此技術者可輕易思及。 本案乃根據2 0 0 3年4月2 4曰申請的曰本專利申請案（曰 本專利特願2003-119490)，並將其内容取入參考於其中。 41 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 (產業上之可利用性） 依照本發明組成物的話，將達下述效果： (1 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可適當地形成表面 平滑性優越之P D P構成要件（如：分隔壁、電極、電阻體、 介電質層、螢光體、彩色濾光片、黑矩陣）。 (2 )可製造具優越可撓性之膜形成材料層的轉印膜。 (3 )可製造膜形成材料層轉印性（對基板的加熱黏著性） 優越之轉印膜。 依照本發明轉印膜的話，將達下述效果： (1 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可有效率地形成表 面平滑性優越的P D P構成要件（特別係介電質層）。 (2 )膜形成材料層可撓性優越，在該膜形成材料層表面 上不致發生彎曲龜裂（裂痕）情況。 (3 )柔軟性優越，可輕易地執行捲取為捲筒狀的操作。 (4 )膜形成材料層顯示適當的黏著性，處置性（處理性） 良好。 (5 )膜形成材料層之轉印性（對基板的加熱黏著性）優 越。 依照本發明之製造方法的話，將達下述效果： (1 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可有效率地形成表 面平滑性優越之P D P構成要件（如：分隔壁、電極、電阻體、 介電質層、螢光體、彩色濾光片、黑矩陣）。 (2 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可有效率地形成構 成要件位置精度較高的PDP。 42 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 (3 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可有效率地形成膜 厚較大的介電質層。 (4 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可有效率地形成大 型面板所要求的介電質層。 (5 )在低溫、短時間的燒成步驟中，可有效率地形成具 備有膜厚均勻性與表面平滑性均優越之介電質層的PDP。 【圖式簡單說明】 圖1為交流型電漿顯示面板之剖面形狀模型圖。 圖2A為本發明之轉印膜之概略剖面圖；圖2B為該轉印 膜之層構造剖面圖。 圖3 A〜3 E為本發明製造方法中，分隔壁形成步驟（轉印 步驟、光阻膜形成步驟、及曝光步驟）之一例的概略剖面圖。 圖4 F〜4 I為本發明製造方法中，分隔壁形成步驟（顯影 步驟、蝕刻步驟、及燒成步驟）之一例的概略剖面圖。 (元件符號說明） 1 玻璃基板 2 玻璃基板 3 分隔壁 4 透明電極 5 匯流電極 6 位址電極 7 螢光物質 8 介電質層 9 介電質層 43 312/發明說明書(補件)/93-07/93〗10493 1248425 10 保 護 層 11 玻 璃 基 板 12 電 極 13 介 電 質 層 2 0 轉 印 膜 2 1 膜 形 成 材 料 層 22 支 撐 膜 25 分 隔 壁 圖 案 層 25A 材 料 層 殘 留 部 25B 材 料 層 去 除 部 3 1 光 阻 膜 35 光 阻 圖 案 35A 光 阻 殘 留 部 35B 光 阻 去 除 部 40 分 隔 壁 50 面 板 材 料 F 1 支 撐 膜 F2 膜 形 成 材 料 層 F3 覆 蓋 膜 Μ 曝 光 用 遮 罩 ΜΑ 光 穿 透 部 MB 遮 光 部 44 3丨2/發明說明書(補件)/93-07/93110493

Claims (1)

1248425 拾、申請專利範圍： 1 . 一種電漿顯示面板用之含有無機粒子之組成物，其特 徵係包含有： [A ]無機粒子；以及 [B ]含有具下述式（I )所示重複單位之聚合體[B - 1 ]的黏 結樹脂；

(式中，X係指氫原子或曱基；R1係指單鍵、亞甲基、或 碳數2〜5伸烷基；η係指1〜6整數）。 2 .如申請專利範圍第1項之含有無機粒子之組成物，係 再含有[C ]放射線感光性成分。 3 .如申請專利範圍第1項之含有無機粒子之組成物，係 再含有可塑劑。 4 .如申請專利範圍第1項之含有無機粒子之組成物，係 再含有矽烷偶合劑。 5 .如申請專利範圍第1項之含有無機粒子之組成物，其 中，[Β - 1 ]聚合體係使下式（i )所示單體，與從（曱基）丙烯 酸烧S旨、（曱基）丙稀酸經基烧酯、（曱基）丙稀酸烧氧基烧 酯中至少選擇1種，進行共聚合而獲得的聚合體； 45 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 X 1248425 I ,·、 h2c=c (i)

(式中，X、R1及n之定義係如同上述式（I))。 6 .如申請專利範圍第1項之含有無機粒子之組成物，其 中，上述[A ]無機粒子，係含有軟化點3 5 0〜7 0 0 °C的玻璃粉 末。 7 . —種轉印膜，其特徵係具有由申請專利範圍第1項之 含有無機粒子之組成物所獲得的膜形成材料層。 8 . —種轉印膜，其特徵係具有光阻膜，與由申請專利範 圍第1項之含有無機粒子組成物所獲得膜形成材料層的層 積。 9 . 一種電漿顯示面板之製造方法，其特徵係包含有：將 由申請專利範圍第1項之含有無機粒子組成物所獲得膜形 成材料層，轉印於基板上，再藉由對經轉印過的膜形成材 料層施行燒成，而在上述基板上形成介電質層的步驟。 1 0 . —種電漿顯示面板之製造方法，其特徵係包含有：將 由申請專利範圍第1項之含有無機粒子組成物所獲得膜形 成材料層，轉印於基板上，並在經轉印過的膜形成材料層 上形成光阻膜，再對該光阻膜施行曝光處理而形成光阻圖 案潛像，對該光阻膜施行顯影處理而使光阻圖案顯影化， 再對該膜形成材料層施行蝕刻處理而形成對應著光阻圖案 的圖案層，藉由對該圖案層施行燒成處理，而形成由分隔 壁、電極、電阻體、介電質層、螢光體、彩色濾光片、及 46 312/發明說明書(補件)/93-07/93110493 1248425 黑矩陣中所選擇構成要件的步驟。 1 1 . 一種電漿顯示面板之製造方法，其特徵係包含有：在 支撐膜上形成光阻膜、與由申請專利範圍第1項之含有無 機粒子組成物所獲得膜形成材料層的層積膜，將支撐膜上 所形成的層積膜轉印於基板上，再對構成該層積膜的光阻 膜施行曝光處理而形成光阻圖案潛像，對該光阻膜施行顯 影處理而使光阻圖案顯影化，再對該膜形成材料層施行蝕 刻處理而形成對應著光阻圖案的圖案層，藉由對該圖案層 施行燒成處理，而形成由分隔壁、電極、電阻體、介電質 層、螢光體、彩色濾光片、及黑矩陣中所選擇構成要件的 步驟。 1 2 . —種電漿顯示面板之製造方法，其特徵係包含有：將 由申請專利範圍第2項之含有無機粒子組成物所獲得膜形 成材料層，轉印於基板上，再對該膜形成材料層施行曝光 處理而形成圖案之潛像，對該膜形成材料層施行顯影處理 而形成圖案層，再藉由對該圖案層施行燒成處理，而形成 由分隔壁、電極、電阻體、介電質層、螢光體、彩色濾光 片、及黑矩陣中所選擇構成要件的步驟。 47 312/發明說明 *：(補件)/93-07/93110493