TWI243411B - Semiconductor memory device, display device, and portable electronic apparatus - Google Patents

Description

1243411 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於—半導體記憶元件、-顯示元件、斑-可 攜式電子裂置有關。更明確而言，本發明有關半導體記憶 70件，其中每個包括具有電荷或極性保持功能的-記憶功 能單元的場效電晶體可配置，及有關—顯示元件與一可攜 式電子裝置，其每個具有此—半導體記憶元件。 【先前技術】 用 專先 决閃5己憶體典型是當作_非揮發性記憶體使 如圖28所示，在一快閃記憶體中，-浮動間9〇2、一絕 膜907與一字線(控制間)9〇3是經由一閑絕緣膜而在一半 體基板901上形成。在浮動 卞靭闲川2的兩鳊，一源極線904盥 位元線905是透過一擴散區 ， 一 - ^ m 猎此構成一記憶單元 一疋件隔離區域906是在記情置分游+ γ ^ 己^早兀形成（參考例如日本未」 查專利案號 ΗΕΙ 5(1993)_304277)。 記二單元可根據在浮動間9〇2的有些電荷量而保持〗 7 過配置記憶單元構成的一記憶 選擇一特殊字線盘一特硖仞〜括β 早幻f 透义 > ^寺殊位疋線及應用一預定電壓，重寫 項取一想要記憶單元的操作可執行。 ”’、 在此一快閃記憶體中，告 -,^ 田在子動閘的電荷量變化時，顯 不如圖29所示的一汲極 ” ^ 電級（Id)_閘極電壓（Vg)特性。當在 子動閘的負電荷量增加時 幾丰盥撿4 λ, 一 值曰i曰加，且1d-Vg曲線是 成子舁i曰加Vg方向平行而改變。

O:\9I\9I174.DOC -6 - 1243411 ,《而，在此一快閃記憶體中，需要配置絕緣膜907,用以 攸功能觀點將浮動閘902從字線9〇3分開。此外，不容易減 少閘絕緣膜的厚度’為了要避免浮動閘902的漏電荷。因 ，、，、不容易有效減少絕緣膜9()7與閘絕緣膜的厚度，而且會 疋減少§己憶單元尺寸的障礙。 【發明内容】 本么明7C以考慮、能提供一較佳帛導體記憶元件與一較佳 可攜式電子裝置的問題及其目的而達成。 本1明可提供-半導體記憶元件，其包括·· 一記憶單元， 其具有經由一閘絕緣膜而在半導體層上形成的一問極·，一 通道區域’其是配置在閘極下面；一擴散區域，其是配置 在通道區域的兩端，並具有與通道區域相反的-傳導類 里，及。己隐功此單7C，其是在閘極兩端形成，並具有保持 電何功I ’及-放大n ’記憶單元與放大器是彼此連接， 所以記憶單元的一輸出是輸入放大器。 隨著此一結構，既然記憶單元的一輸出是輸入放大器， 所以能讀取在記憶單元巾儲存的資訊。在記憶單元中，記 憶功能單元的記憶體功能、與閘絕緣膜的一電晶體操作功 能是從彼此分開。結果，透過減少閘絕緣膜尺寸而可容易 抑制短通道影響，而能保毅夠記憶功能。此外，當與 EEPROM的情況相比較，透過重寫而在擴散區域之間流動 的電流值會改變較大。因此，有助於在半導體記憶元件的 寫狀態與抹除狀態之間區別。 隨著此一結構，記憶單元可透過與—正常電晶體形成處

O:\91\91174.DOC 1243411 理非常相容的一處理形成。因此，當與透過將一傳統快閃 記憶體當作一非揮發性記憶單元使用、及形成記憶單元結 a t $由電晶體製成的放大器情況相比較，光罩數量與 處理數1可明顯減少。結果，在記憶單元與放大器上的一 曰曰片良率可形成並改善。因為此，所以可減少製造成本， 並可獲得一非常可靠、便宜半導體記憶元件。 k另觀點，本發明亦提供一半導體記憶元件，該半導 體記憶元件包括：一記憶單元，其具有經由一閘絕緣膜而 在半導體層上形成的—閘極；—通道區域，其是配置在閑 極下面；-擴散區4，其是配置在通道區域的兩端，並且 有與通道區域相反的—料類型；及記憶功能Μ，盆是 在閘極的兩端形成，並具有保持電荷功能；及一放大器， 該等記憶單元是成對，I兮笪 疋风对且该荨成對記憶單元的輸出是輸入 相同放大器。 隨著此一結構’類似前述半導體記憶元件的效果可獲 得。此外，既然成對的記憶單元輸出是輸入相同放大器； 所以在具有類似裝置結構的兩個記憶單元中流動電流之間 的差可偵測。因此，讀握你认π Α 一 貝釭作的可信度能獲改善。 此外，本發明亦提供合併兪 σ併則述+導體記憶元件的一顯示 元件與一可攜式電子裝置。 隨著此一結構，例如，扃制 … __ 在1造—顯示器面板之後使用本 發明半導體記憶元件來儲在狄 一 乡正纟、、員示器變化資訊的情況 中，一致的影像品質可在產品或顯示元件中獲得。而且’ 用以同時形成記憶單元與—邏輯電路的處理是簡單的，所

O:\91\91174.DOC 1243411 以可抑制製造成本。操作速度可透過高速讀操作而獲改 口 便且與咼效率顯示元件、與一便宜高效率可攜式電 子裝置可獲得。 本發明的這些及其他目的可從下列詳細描述而變得更顯 然。然而，可了解到，既然在本發明的精神與範圍中的各 種不同憂化與修改能使熟諳此技者從此詳細描述變得更顯 斤本鲞明較佳具體實施例的詳細描述與特殊範例提 供只是說明。 【實施方式】 本發明的一半導體記憶元件主要是由一記憶單元盥一放 大器構成。 ' 圯憶早兀主要是由一半導體層、一閘絕緣膜、一閘極、 「通道區域、一擴散區域與一記憶功能單元構成。在此， 通道區域正常是與半導體層相同的傳導類型區，並表示在 閘極下面的一區域。擴散區域表示與通道區域的傳導類型 相反的傳導類型區。 、 而言，本發明的記憶單元是由下列構成：當作掮 區域的一第一傳導類型區、當作通道區域的一第二傳導 型的區域、在第-與第二傳導類型區邊緣上沉積的，己惰 能單元、與經由I絕緣膜或—絕緣膜提供的—電極。本 :記憶單it是由下列構成：纟閘絕、緣膜形成的閘極、^ 憶功能單元閘極相反端上沉積的兩個擴散區域、與在間 下面沉積的一通道區域。 在本發明的半導體元件中，半導體層是在當作半導儀

O:\91\91174.DOC 1243411 的半導體基板形成（最好是在半導體形成的第一傳導類型 的井區上）。 ' 只要半導體基板用於一半導體元件’它便未被特別限 制，而且其範例包括由例如矽、鍺或類似材料的一元件半 導體、或例如石夕鍺、GaAs、InGaAs、ZnSe、或咖的一複 合半導體製成的一 出結構基板。t-基板在它表面上具 有一半導體層時，例如隔離物上矽（s〇I)基板、—藍寶石矽 (SOS)基板、與-多層SOI基板、或其上具有_半導體層的 玻璃或塑膠基板之各種不同基板可使用。特別是，一矽基 板與一 SOI基板在它的表面上具有一半導體層是較好。雖然 從其流過的有些電流量會變化，但是半導體基板或半導體 層可以是單晶（例如由形成晶膜生長）、複晶、或無定形晶。 在半導體層上，最好是形成―元件隔離區域。此外，單 層或多層結構可由例如一電晶體、一電容器與一電阻的元 件、由-些元件形成的電路、—半導體元件、與—層間絕 緣膜組合。元件隔離區域可由例如一 [〇(：〇8膜、一溝渠氧 化物膜與一 STI膜的各種不同元件絕緣膜的任一者形成。半 導體層可以是？朗傳導類型。在半導體層中，最好是形成 第-傳導類型（P或N型）的至少—井區。在此領域的一已知 範圍中的雜質濃度能當作在半導體層與井區中的雜質濃度 使用。在將SQI基板當作半導體層使用的情況中，井區可在 表面半導體層形成，而且一主體區可在通道區域下面提供。 只要閘絕緣膜或絕緣膜通常用於半導體元件，它便不會 特別被限制，而且其範例包括例如一矽氧化物膜或一矽氮

O:\9I\91174.DOC -10- 1243411 化物膜的一絕緣膜的單層膜 一 且θ膜或例如一鋁氧化物 Μ、一鈦氧化物膜、一鈕氧 ^ ^ π ^ 虱化物膑或一鈐氧化物膜的高誘 電性固定膜。特別是，一矽 虱化物膜疋較佳。閘絕緣膜具 有例如大約1至2〇毫微米的厚 古 又1岡雖而且最好是大約1至ό 笔被米。閘絕緣膜是在閘極下 你甲』位卜面形成、或以大（寬）於閘極形 成0 一半導體元件、或在閘絕緣膜 的底端部分具有一凹部形狀中形成。閑極最好是以整體形 式形成μ整體形式形成的閑極係表示閑極包含不是分開 及以整體形式形成的單層或多層傳導膜。閘極在它側壁具 有-側壁絕緣膜。通常，只要它側壁用於半導體元件，它 便不會特別受限制，且其範例包括—傳導膜，例如由多晶 碎製成的單層或多展胺 /丨丄 、 ㈢飞夕層膑例如鋼或鋁的金屬、例如鎢、鈦 或金屬元素的—高耐火金屬、及具高对火金屬的石夕化物。 閘極的適當厚度是例如大約5〇至4〇〇毫微米。一通道區域能 在閘極下面形成。 換5话說，記憶功能單元包含一膜（以下，稱為，，電荷保 持功此膜）、或具有保持電荷功能的一通道區域、累積與 保持電何的功能、電荷陷井功能或保持一電荷極化狀態的 功能。具有前述功能的元件範例包括：矽氮化物；石夕；一 石夕S欠鹽玻璃’其包括例如磷或硼的雜質；矽碳化物；礬土； 一问誘電性材料’例如銓氧化物、誥氧化物或金屬元素氧 化物’鋅氧化物，鐵電；金屬#。因此，記憶功能單元可 透過例如下列單層或疊層結構形成：包括矽氮化物膜的一

O:\9I\91174.DOC -11 - 1243411 緣膜’具有傳導膜或半導體層的—、絕緣膜，·包括至少一 討體或半導體點的-絕緣膜；或者，包括鐵電膜的一絕緣 膜，其中内部電荷係透過一電場而極化，且極化狀態可以 保持^寺別是，既然存在許多電荷陷井位準，所以石夕氮化 物膜最好是用於石夕氮化物膜可獲得一大磁滞特性的理由。 此外’電荷保持時間能較長，且由於漏路徑的發生而不致 使電荷浅漏的問題發生，所以保持特性是很好。此外，石夕 風化物是在LSI處理中當作標準使用的材料。 儲存與保持的可信度可透過使用絕緣膜而提升，其中該 絕緣膜具有例如可當作記憶功能單元的石夕氮化物膜的電荷 保持功能。既_氮化物膜是__隔離物，即使在 漏發生在部分石夕氮化物膜的情況，在整個石夕氮化物膜中的 電荷不會立即遺失。在配置複數個記憶單元的情況中，即 使當在記憶單元之間的距離縮短’且相鄰記憶功能單元彼 此接觸ϊ不像是fp倍六合b @ 9 ^力此早兀疋由導體製成的情況，在記 憶功能單元中儲存的資訊不會遺失。此外，一接觸塞子可 配置接近記憶功能單元。在某些情況’接觸塞子能與記憶 功能早π重疊配置。因此，有助於記憶單元尺寸減少。 具有電荷保持功能的膜不會始終必須具有一膜定形，為 了=增加儲存與保持的可信度。最好是，偏具有電荷保持 力二膜月匕在絶緣腰上不連續存在。具體而言，材料在點 减中具有電荷保持功能，其中該等點是散佈在不容易將 電荷保持在例如矽氧化物的材料。 最好是使用具有傳導膜、或當作—記憶功能單元的半導

O:\91\91174.DOC -12- 1243411 體層的絕緣膜，其理由是將電荷量注入導體或半導體可任 意控制，並可容易獲得多位準值。 此外，最好是使用包括至少一導體、或當作記憶功能單 元料導體點的絕緣膜，其理由是透過電荷的直接隨通而 更谷易執行寫與抹除，並可達成將功率消耗減少。 或者，如同一記憶功能單元，極化方向根據電場而改變 的例如PZT或PLZT鐵電膜可使用。在此情況，電荷是透過 極化而實質在鐵電膜的表面產生，並保持在此狀態。因此， 最好是既然鐵電膜可獲得一磁滞現象，且此磁滞現象是類 似電荷從具有記憶功能及電荷陷㈣膜外部供應的一膜， 所以因此它是最好的。此外’不需要將電荷從膜外部注入， 為了要將電荷保持在鐵電膜，而且磁滯現象特性只可透過 將在膜中的電荷極化而獲得，所以寫/抹除能以高速執行。 當絕緣膜構成記憶功能單元時’具有抑制電荷跳脫的一 區域或功能的膜是適當的。具有抑制電荷跳脫功能的膜範 例包括矽氧化物膜。 在記憶功能單元中包括的電荷保持膜是直接或經由一絕 緣膜而配置在閘極的兩端’並直接或經由―閘絕緣膜而配 置在半導體層(半導體基板、井區、主體區或源極/汲極區、 或擴散區域）。最好是，在閘極兩端的電㈣持膜的形成能 直接或經由-絕緣膜而覆蓋閘極的所有或—部分閘極的。 應用範例中，在閘極在它下端具有一凹部的情況，電 何保持膜的形成可直接或經由—絕緣膜而完全 凹部。

O:\91\91174.DOC -13- 1243411 如稍後的描述，閘極最好是只在記憶功能單元的側壁上 形成，或不覆蓋記憶功能單元的頂部。透過此配置，一接 觸基子可配置接近閘極，所以有助於減少記憶單元尺寸。 可容易具有此簡單配置的記憶單元製造，所以可改善製造 良率。 在將一傳導膜當作電荷保持膜使用的情況中，最好是， 傳‘膜疋經由一絕緣膜配置，所以電荷保持膜不會直接與 半導體層（半導體基板、井區、主體區、源極/汲極區或擴散 區域）或一閘極接觸。例如，傳導膜與絕緣膜的疊層結構； 點形式的傳導膜散佈在絕緣膜的結構；傳導膜配置在閘側 壁上形成的一部分侧壁絕緣膜中的結構將描述。 源極/汲極區可當作源極與汲極區的功能，並具有與半導 體層或井區相反的傳導_。在接合中，最好是，在源極/ 汲極區（擴散區域）與半導體層或井區的雜質濃度之間的差 車父大，《了使熱電子或熱電洞能以低電壓有效產生，且高 速知作肖b以低電壓執行。源極/汲極區的接合深度不會受到 特別限制，❻I可根據獲得料導體記憶元件效率或類似 而予以適當調整。在將一 S0I基板當作一半導體基板使用的 情況中，源極/汲極區的接合深度小於表面半導體層的厚 度。最好是，擴散區域的接合深度幾乎是與表面半導體層 相同。 源極/汲極區的配置能與閘極的一端重疊，如此能符合閘 極的一端，或從閘極的一端偏移。根據在記憶功能單元中 累積的電荷S，因為在電荷保持相同下面的偏移區域反轉

O:\91\91174.DOC •14- 1243411 容易會明顯改變，所以偏移的情況是特別好，當電壓運用 在閘極時，記憶效果能增加，且一短通道效果能減少。然 而§擴散區域偏移較大時，在源極與汲極之間的驅動電 流會顯著減少。因此，最好是偏移量，即是，接近在閘長 度方向的該等閘極端之一者的源極/汲極區距離是短於在 與閘長度方向平行的方向中擴充電荷保持膜的厚度。特別 重要的是具有記憶功能單元中電荷保持功能的至少一部分 膜或區域是與一部分源極/汲極區重疊。此是因為當作半導 體記憶裝置元件的記憶單元的本質可透過一電場而將的資 汛的貧訊重寫，其中電場能根據只存在記憶功能單元側壁 部分的閘極、與源極/汲極區之間的電壓差而應用在記憶功 能單元。 一部分的源極/汲極區能以高於通道區域表面或低於閘 臉隔離面的位準來擴充。於此情況，在半導體基板中形成 的源極/汲極區上，源極/汲極區與傳導膜的整合是疊層是較 適當。傳導膜是由例如多晶矽或無定形矽、矽化物、前述 金屬、高耐火金屬等的半導體製成。特別是，多晶矽是最 好。既然多晶矽的雜質擴散速度較快於半導體層，所以容 易在半導體層的源極/汲極區接合深度較淺，並可抑制短通 道影響。在此情況，最好是，一部分源極/汲極區的配置能 插入與閘極合作的至少一部分記憶功能單元。 本發明的記憶單元可透過一正常半導體處理而形成，例 如類似在閘極側壁上形成具有單層或疊層結構的側壁間隔 物之一方法。該方法的具體範例包括：一方法是用以形成 O:\91\91174.DOC -15 - 1243411 問極或電極，·其後，形成包括電荷保持膜的單層 膜’例如=荷歸膜、電荷則m轉、絕緣膜/電; 保持膜+或、％緣膜/電荷保持膜/絕緣膜，·及在適當情況下將 形成的膜钱刻回，如此债*t ^ 、 …、川如此便此在-側壁間隔物形狀中留下 版’方法疋用㈣成-絕緣臈或電荷保持膜 ?:編刻回，以在側壁間隔物形狀中留下媒，·一方： 置、巴、«材科，其中由—電荷 的微粒是散佈在包括閉極的半導體層上，並 = 將材料蝕刻回，如此會在一 i兄下 UU·Μ. 土間隔物形狀中留下絕緣膜 膜、、’疋用以形成一閘極，其後，形成單層膜或 :層膜，亚使用一光罩將膜圖案化。根據另一方法，在形 :閘極或電極之前，電荷保持膜、電荷 緣膜/電料㈣、、—電荷保制W會形成 開口疋在變成這些膜通道區域的—區域上， 材料膜是在開口的整個表 一 ^ 表面上形成，且閘極材料是在包括 開口的一形狀中圖案化， 憶功能單元。 切開口’歧形錢極與記 在透過配置本發明記丨咅置 α χ月己f思早兀而構成記憶單元的情況中， :早：的最好模式能滿足所有需求：例如，①整合複數 ==早凡閘極’並具有—字線的功能；②記憶功能單元 , 隔離物，特別是一矽氮化物膜 2何保持，記憶功能單元；④記憶功能單元是由一氧化 閘絕緣^乳化物-(〇N〇)膜構成，且石夕氮化物膜具有幾乎與 甲、、巴、、、'面平行的一表面；⑤在記憶功能單元中的石夕氮

O:\91\91174.DOC -16 - 1243411 化物膜是經由，化物膜而從 盘 離；⑥具有保持電荷的區域（例如，且古、Γ通道區域隔 與在記憶功能單元的-擴散區域重疊;：二物膜的區域) 與閘絕緣膜表面平行的石夕氮化物膜^通二將具有幾乎 分開的絕緣膜厚度與閑絕 、…或半導體層 記憶翠元的操作是透過單一彼此是’·⑧寫/抹除- 在記憶功能單元上用於寫/抹⑨電極(字線)不具有 W… 抹除知作的功能，·及⑩在與記情 的：::：的擴散區域接觸部分中，可提供與擴散區域 足任1Γ反的高雜質濃度區域。足以使記憶單元可滿 足任何需求。 在記憶單元使能滿足需求③與⑨的情況中，其對於下列理 由疋非*有用。1·先’位元線接觸能配置接近在字線側壁 上的記憶功能單元、或甚至當在記憶單元之間距離縮短， 複數個記憶功能單元不會彼此干擾，並可保存儲存的資 訊二因此’有助於減少記憶單元尺寸。在記憶功能單元中 電荷保持區域是由一導體製成的情況，當在記憶單元之間 的距離減少牯，由於電容耦合所以干擾會在電荷保持區域 之間發生，使得可保存儲存的資訊。 在記憶功能單元中的電荷保持區域是由一隔離物（例 如，矽氮化物膜）製成的情況中，它會使記憶功能單元的產 生於母個§己憶單元是無關。例如，在經由複數個記憶單元 共用的單一字線兩端上形成的記憶功能單元於每個記憶單 元是不必然要被隔離。在一字線兩端上形成的記憶功能單 元是由共用字線的複數個記憶單元所共用。結果，不需要 O:\91\91174.DOC -17- 1243411 用以隔離記憶功能單元的光學與餘刻，並簡化製造處理。 此外，用於放置於光顯影處理的最低限度、與透過钱刻用 以減少膜的最低限度能減少。因此，當與在記憶功能單元 中的電荷保持區域是由一導體(例如，多晶石夕膜)製成的情況 相比較，即使當記憶功能單^在相同微製造位準上形 成，佔用區域的-記憶單元能減少。在記憶功能單元中的 電荷保持區域是由-導體製成的情況，需要用以隔離每個 記憶單元的記憶功能單元的光學與蝕刻處理，且需要用以 放置在光學顯影處理的最低限度及透過兹刻而將膜減 最低限度。 而且’既然具有輔助寫與抹除操作功能的電極不存在纪 憶功能單元，且裝置結構簡#，處理數量減少，所以製造 良率可提升。因此。有助於一電晶體能以—邏輯電路或一 類比電路的元件構成’並可獲得便宜的半導體記憶元件。 本發明在不僅能滿足需求③與⑨的情況，而且在需求⑥的 情況是更有用。 明確而言，寫與抹除可透過將在記憶功能單元的電荷保 持q域與擴散.區域重疊而以非常低電壓執行。具體而言， 隨著5伏或更少的低電塵，寫與抹除操作可執行:、動作：電 Γ計的觀點亦是一非常大的效果。既然不需要在不像似 =己憶體的晶片中產生高電壓’所以需要佔用大區域的 山何泵電路可省略’或者它的比例大小可減少。特別是， 當小規模容量的記憶體於邏輯LSI中為了調整而提供時，至 ;在己隐。P刀0 #用區域，用以驅動—記憶單元的週邊

O:\91\91174.DOC -18 - 1243411 電路佔用區域會超過一記憶單元的佔用區域。結果，一記 憶單元的電荷泵電路省略或減少大小對於減少晶片尺 最有效。 另-方面，在不能滿足需求③的情況中，即是，在 體將電荷保持在記憶功能單元的情況，即使在不能滿足需 长/月確而5 ’即使當在記憶功能單元的導體與擴散區 域不彼此重疊’但是寫操作能以高速執行。此是因為在記 憶功能單元的導體可透過電容與閘極耦合而有助於寫操 作。 在不能滿足需求⑨的情況中’明確而言，在具有輔助寫 與抹除操作功能的電極存在於記憶功能單元的情況中，即 使當不能滿足需求⑥’明確而言’即使當在記憶功能單元 :隔離物與擴散區域是不彼此重疊，但是寫操作能以高速 執行。 簡而言之’在不能滿足需求③或⑨的情況中，即使當不能 滿足需求⑥’但是寫操作能以高速執行。然而，不:滿: 需求③或⑨會始-記憶單元的佔用區域增加。從前述可清楚 看出，能同時滿足需求③、⑥與⑨是較好。 ㈣㈣+’—電晶體能與—記憶單 疋的-端或兩端串聯；或者’記憶單元能安裝在具一邏輯 電晶體的相同晶片i。在此本發明半導體元件，特別是記 憶單元可透過具有高相容性的處理、與形成例如_電:體 或-邏輯電晶體的正常標準電晶體處理而形成的情況曰，曰他 們可同時形成。因此，用以形成記憶單元與_電晶體戋一

OA91\9U74.DOC -19- 1243411 邏輯電晶體的處理是非常簡單，且結果能獲得一便宜的植 入裝置。 在本發明的半導體記憶元件中，記憶單元能將兩個或多 個值的資訊儲存在一記憶功能單元。因此，記憶單元能當 作用以儲存四個或多個值資訊的一記憶單元使用。記憶單 元/、此儲存一進位資料。依據記憶功能單元的一可變電(I且 放應，€憶單元亦允許當作具有一選擇電晶體與一記憶電 晶體功能的記憶單元使用。 本發明的半導體記憶元件可透過與一邏輯裝置、一邏輯 免路等的組合而廣泛使用’其類似：一資料處理系統，例 如-個人電腦、—筆記型規模的電腦、—膝上型電腦… 個人辅助/發射器、一迷你電腦、—工作站、一主訊框… 器/電腦、任何其他類型的一電腦系統等；當作資料 =糸、，“相—電子料，例如—巾 :體、或—資料記憶元件；一通信裝置，例如-電話…

Hs 數據機或一路由器；一影像# 干而& +、 〜像顯不裝置，例如一顯 描胸一、、 辦至凌置，例如-印表機、-掃 "?是P機；一影像拾取裝置，你I 4 、 一數位攝麥^. 例如一視訊攝影機或 聽攝〜機，一娛樂裝置，例如 放器；一資# Μ 逛戲栈斋或一音樂播 貝口fl、、冬端機，例如一可推 或一電子字並 r柘式貧訊終端機、一手錶 東子予典；一車輛安裝裝置， —汽車音響系統；一 /飞車導航系統或 一動書影像、4^-衣 从將資訊記錄/再生，例如 勒旦如像、—靜態影像或音樂；— 一微波、一電、i γ ^列如一洗衣機、 .相、一_、—盤塾、-真空吸塵器或—

O:\91\91174.DOC -20- 1243411 或壓力計；及一可推钕卑衣置、一浴室刻度 了 b式β己憶元件，例如一丨 特別是，能右4收1 C卡或一圮憶卡。 冑效將半導體記憶元件應 置，例如可鞞★+ ^ ^式電子裝 可攜式資訊終端機、1C卡、π卡 “…可攜式遊戲機器、數 播放器、可择彳立你κ 』攜式動晝 半導體计放器、電子字典與手錶。本發明的 …件可依需要以電子裝置之可分離的至 刀控制電路或資料儲存路提供。 邛 以下’本發明的半導體記憶元件、顯示元件與可 +裝置的具體實施例將參考附圖詳細描述。 第一具體實施例 如圖1所示的記 第一具體實施例的半導體記憶元件具有 憶單元1。 記憶單元1具有在p型井區1〇2形成的一閘極1〇4，其中該p 型井區102是經由一閘絕緣膜1〇3而在丨導體基板1〇1表面 形成。在閘極104上面與側面配置保持電荷的陷入位準及當 作一電荷保持膜使用的矽氮化物膜1〇9。在矽氮化物膜1〇9 中，閘極104的兩側壁的一些部分是當作實際保持電荷的記 憶功能單元105a與105b使用。記憶功能單元可視為電荷是 貫際透過記憶功能單元或電荷保持膜的重寫操作累積。在 閘極104兩端的P型井區1 〇2，分別當作一源極區與一沒極區 功能的N型擴散區域l〇7a與l〇7b可形成。該等擴散區域1〇7a 與107b的每一者具有一偏移結構。明確而言，擴散區域1〇7a 與107b不會到達在閘極104下面的區域121、與在通道區域 O:\91\91174.DOC -21 - 1243411 電荷保持膜結構部分下面的偏移區域120。 用以貝貝保持電荷的記憶功能單元l〇5a與l〇5b是在閘極 104的兩側土的—些部分。因此，矽氮化物膜1〇9只在對應 一些部分的區域中形忐 成（ > 考圖2A)。該等記憶功能單元 105a與105b的每—去目士 者具有一結構，其中每個是由一導體或 半導體製成，且具有一 ^ Ά -L· Ο 毛从水尺寸的一些細微粒1 i 1是在一 絕緣膜112以類似非】查诗# \ & a 声連、、，貝點刀佈（參考圖2B)。當細微粒u i 具有小於1毫微米尺寸時，_ 丁 里化效應會太大，所以它會變 成不谷易使電荷到（隧通）小點。當尺寸超過⑺毫微米時，一 顯著量化效應不會在室溫出|。因Λ，細微粒⑴的直徑最 子疋在彳之1毛微米到1 〇氅微米的範圍。當作一電荷保持膜使 用的石夕氮化物膜⑽可在閘極側面以—側壁間隔物形狀予 以形成（看圖3)。 ⑽記憶單元寫操作的原理將在圖3與4描述。所有記憶功能 早兀13 la與131b具有保持電荷功能的情況將描述。 ，’寫”在此表示當記憶單元是N通道類型時，將電子注入記 憶功能早7C 131a與13 lb。以下，假設記憶單元是_道類型 將描述。 如圖3所示，N型的第一擴散區域1〇以是設定成一源極， 且N型的第二擴散區域1〇71)是設定成一汲極，為了要將電子 注入（寫）第=記憶功能單元131b。例士口，〇伏特1運用在第 一擴散區域107a與P型井區1〇2，+5伏特是運用在第二擴散 區域107b，且+5伏特是運用在閘極ι〇4。在此電壓參數下， 一反轉層226是從第一擴散區域1〇7a(源極）擴充，但是不會

O:\91\91174.DOC •22- 1243411 弟於放5域〗〇7b(汲極），且一夹 透過一高雷p ^ ^ + 人止點會發生。電子能 極），廿絲士 a j弟一擴散區域107b(汲 亚、又成所明熱電子（高能量傳 熱電子注入_專¥电子）。寫入是透過將 合在笛.广己feW7Ll31b而執行。既然熱電子不 曰在弟一錢功能單元131晴近產生，所以寫不會執行。 如則述，透過將電子注入第 能執行。 弟。“…早兀mb，寫便 極另二方面，如圖4所示’第二擴散區域咖是設定成源 弟擴散區域107a是設定成汲極，為了要將電子注 入(寫)第-記憶功能單元131。例如，〇 散區域⑺几與？型井區102，+5伏 在弟一擴 ^ 3伙特疋運用在第一擴散區域 二a，且+5伏特是運时閘極1G4。電子會注人第-記憶功 此早το 131a ’且寫可透過將源極與汲極區交換而執行，如 此不同於將電子注入第二記憶功能單元13比的情況。 記憶單元抹除操作的原理現將參考圖5與6描述。 在第一記憶功能單元ΠΙα中所儲存抹除資訊的第一方法 中，在第一擴散區域10乃與1>型井區1〇2之間的？1^接合是逆 偏壓；此外，.如圖5所示，透過將正電壓（例如，+5伏特）應 用到第一擴散區域107a及將〇伏特應用到p型井區1〇2，負電 壓（例如，-5伏特）便能運用在閘極1〇4。此時，在pN接合閘 極104附近，由於應用負電壓的閘極影響，特別是電位梯度 會變成尖銳。結果，熱電洞（高能量的正電洞）能透過帶間隧 通而在PN接合的P型井區102端產生。熱電洞會被吸引到具 有一負電位的閘極104 ;結果，電洞會注入第一記憶功能單 O:\91\91174.DOC -23- 1243411 士3U。如此，在第一記憶功能單元131a的資訊會被抹除。 ^充夠將0伏特應用到第二擴散區域107b。 斤在抹除第二記憶功能單元131b儲存資訊的情況中，當將 第擴政區支或#電位與第二擴散區域的電位交換 操作便會執行。 ]迷 在抹除第一記憶功能單元131a儲存資訊的第二方法中， 如圖6所示，正電壓（例如，+4伏特）是運用在第一擴散區域 、 〇伏特疋運用在第二擴散區域107b，負電壓（例如，一4 伏特）是運用在閘極104，且正電壓（例如，+0 8伏特）是運用 在P型井區102。此時，順向電壓是在P型井區102與第二擴 散區域107b之間應用，且電子會注入？型井區1〇2。注入的 電子會擴散到在P型井區102與第一擴散區域1〇乃之間的PN 接合，其中電子是透過一強電場而加速，藉此變成熱電子。 透過熱電子，一電子_電洞對便可在pN接合產生。明確而 吕，在P型井區102中注入的電子會變成一觸發器，且熱電 洞能透過在在P型井區1〇2與第二擴散區域1〇7b之間應用順 向電壓而在放置於相反端的pN接合中產生。在？]^接合中產 生的熱電洞會被吸引到具有負電位的閘極丨〇4 ;結果，正電 洞會注入第一記憶功能單元131a。 根據方法’而且是透過帶間隧通只將不足以產生熱電洞 運用在P型井區與第一擴散區域107a之間的PN接合情況，從 第二擴散區域107b注入的電子會變成一觸發器，以在pn接 合產生一正電子電洞對，藉此產生熱電洞。因此，在抹除 操作的電壓會減少。特別是，在偏移區域12〇(參考圖〇存在

O:\91\91174.DOC -24- 1243411 的情況中’ PN接合的可透過應用負電位的閘極而變得尖銳 的衫響能較低。結果，雖然不容易透過帶間隧通產生熱電 洞’但是透過第二方法，可克服缺點，並可使用低電壓實 施抹除操作。 在抹除第一記憶功能單元13 la儲存資訊的情況中，+5伏 特必須以第一抹除方法而運用在第一擴散區域107a，然而 +4伏特在第二抹除方法是足夠的。如前述，根據第二方法， 抹除時的電壓會減少，所以功率消耗可減少，並可抑制由 於熱載體而使記憶單元惡化。 在任何抹除方法中，過度抹除不會在記憶單元中容易發 生。在此的過度抹除係表示增加記憶功能單元所累積正電 /同數里的一現象，臨界減少而不會飽和。過度抹除在一快 閃記憶體所代表EEPR〇M中是一大問題。特別是，在臨界 變成負值的情況，變成不能選擇一記憶單元的重要故障會 發生。另一方面，在本發明半導體記憶元件的記憶單元中， 而且在大量正電洞累積在記憶功能單元的情況，只有電子 會在記憶體功能單元下面感應，但是影響不容易影響到在 閘絕緣膜下面的通道區域電位。既然在抹除時的臨界值是 由在閑絕緣膜下面的電位決定，所以可抑制過度抹除的發 生。 此外’ §己fe單元的讀操作原理是在圖7描述。 在讀取如圖7所示第-記憶功能單元ma中儲存資訊的 情況中，第-擴散區域107&是設定成一源極，第二擴散區 域l〇7b是設定成-；:及極，且電晶體允許在飽與區域操作。

O:\91\91174.DOC -25- 1243411 例如，〇伏特是運用在第一擴散區域⑺化與？型井區102， + 1·8伏特是運用在第二擴散區域1〇7b，且+2伏特是運用在 閘極104。在此時電子不會累積於第一記憶功能單元13 “的 情況中，汲極電流會流動。另一方面，在電子累積於第一 記憶功能單元13 la的情況，一反轉層不會容易在第一記憶 功能單元13 la附近形成，所以汲極電流不會流動。因此， 透過偵測汲極電流，可讀取在第一記憶功能單元131&中儲 子勺資σίΙ既然夾止點是在汲極附近的區域發生，所以在 第二記憶功能單元l31b中是否出現累積的電荷不會影響汲 極電流。 a 在靖取於第二記憶功能單元13 lb中儲存資訊的情況中， 第一擴散區域107b是設定成一源極，第一擴散區域1〇以是

設定成一汲極，且電晶體是在飽和區域操作。足以例如將Q 伏特應用到第二擴散區域1071)與1>型是充份井區102，+18 伏特應用到第一擴散區域107a，及將+2伏特應用到閘極 104。在第二記憶功能單元131b中儲存的資訊可透過讀交換 讀取在第一記憶功能單元131a中儲存資訊的情況的源極與 没極區而讀取。 在未使用閘極104覆盍的一通道區域（偏移區域12〇)保留 在未使用閘極104覆蓋的通道區域情況，一反轉層可根據在 記憶功能單元13 la與13 lb是否出現過度電荷而銷散或形 成；結果是，會獲得磁滯現象（臨界變化）。然而，當偏移區 域120太寬時，汲極電流便會明顯減少’且讀速度會變成較 慢。因此，最好是決定偏移區域120的寬度，以獲得足夠2 O:\91\91174.DOC -26- 1243411 滯現象與讀取速度。 而且在擴散區域l〇7a與l〇7b到達閘極104端的情況中，即 是’擴散區域與咖是與閘極104重疊，電晶體的臨界 值便不容易受到寫操作而變化。然而，在源極/汲極端的寄 生阻抗會明顯改變，且汲極電流會明顯少（等於或超過—數 位）。因此，讀取可透過偵測汲極電流而執行，並可獲得如 同一圮憶功能。在需要大記憶磁滯現象效果的情況，最好 是擴散區域1〇7&與107b與閘極1〇4是不重疊（偏移區域12〇 存在）。 透過前述操作方法’兩個位元可以是每_電晶體選擇性 寫入/抹除。一記憶單元陣列能透過將一字線貨^連接到記 憶單元的閘極1()4、將—第—位元線BL1連接到第—擴散區 域l〇7a、將-第二位元線虹2連接到第二擴散區域觸、及 配置記憶單元而構成。 、在：述操作方法中，每一電晶體的二位元寫入與抹除可 透過父換源極與；^極而執行。或者’電晶體可透過固定源 極與汲極而以1位元記憶操作。在此情況，共同固定電壓能 運用在源極與沒極區之—，所以連接到源極/没極區的位元 線數量可減少到一半。 從前述可明_菩山 一 員看出，在本發明半導體記憶元件的記憶單 几> 中’記 ’('δ'工士 At — ^犯早凡可以是閘絕緣膜獨立地形成，而且是 在閘極的兩端开彡士、 h ^成，所以可做2位元運算。既然每個記憶功 月b早元是由閘極 ^離，所以可有效抑制重寫時的干擾。此 外，既然閘絕绫瞪3 //χ二 緣膜疋攸記憶功能單元隔離，所以它能以較

O:\91\91174.DOC -27- 1243411 缚形成，ϋ可抑制—短通道影響。因此，可減少記憶單元 尺寸；因此’可容易達成半導體記憶元件。 弟一具體貫施例 :了如圖8所示该等記憶功能單元％ 1與每一者是由 $電何保持區域（其是_電荷累積區域且可以是具有保持 電荷力此的膜）與用以抑制電荷跳脫的一區域（或具有抑 制電荷跳脫功能的一膜U盖& ^ a ^ 膜）構成之外，根據弟二具體實施例的 半導體記憶元件的一記憶單元具有實質類似圖1記憶單元i 的結構。 從改善記憶體保持特性的觀點，最好是記憶功能單元包 括：具有保持電荷功能的—電荷保持膜；及—絕緣膜。在 第一具體實施例中，具有電荷陷井位準的矽氮化物膜M2是 當作電荷保持膜使用，及具有避免在電荷保持所累積電荷 消散功能的矽氧化物膜241與243是當作絕緣膜使用。記憶 功此單元包括電荷保持膜與絕緣膜，藉使避免電荷消散， 並改善保持特性能。當與記憶功能單元只由電荷保持膜構 成的情況相比較，電荷保持膜量可適當減少，在電荷保持 膜中的電荷運動可調整，及由在資訊保持期間的電荷運動 而舍生的特性變化能被抑制。此外，在重寫操作時，電荷 注入效率可透過使用矽氮化物膜242是由矽氧化物膜241與 2 4 3插入的結構而變得較高，所以可執行較高速操作。在記 憶單元中’矽氮化物膜242能使用一鐵電取代。 用以保持在記憶功能單元261與262中電荷（矽氮化物膜 242)的區域是與擴散區域212與213重疊。重疊在此是表示

O:\91\91174.DOC -28- 1243411 用以保持電荷（石夕氮化物膜242)的一部份至少是存在至少一 部分的擴散區域212與213。一參考數字211表示一半導體基 板，一參考數字214表示一閘絕緣膜，一參考數字217表示 一閘極，及一參考數字271表示在閘極217與擴散區域212與 213之間的一偏移區域。雖然未顯示，但是在閘絕緣膜214 下面的半導體基板211表面是當作一通道區域使用。 將描述在當作一些區域以將電荷保持在記憶功能單元 261與262的矽氮化物膜242與擴散區域212與213重疊時，效 果可獲得。 ^ 汝圖9所示，在δ己憶功能單元262附近的區域中，當在閘 極217與擴散區域213之間的偏移量是|丨，且在閘極通道長 f方向截面的記憶功能單元262寬度是冒2時，在記憶功能 單7G262與擴散區域213之間的重疊量能以W2_W1表示。它 重要的是透過矽氧化物膜242構成的記憶功能單元是與 擴散區域213的重疊，即是，可滿sW2>wl的關係式。 在圖9中，在遠離記憶功能單元262的矽氮化物膜242的閘 極217端上的一末端能符合在遠離閘極217端上的記憶功能 單元262端，所以記憶功能單元262的寬度是定義為w2。 如圖ίο所示，當在遠離記憶功能單元262a的矽氮化物膜 242a的閘極端上的一末端不符合在遠離閘極端上的記憶功 月匕單元262端，W2可疋義為從閘極端到遠離矽氮化物膜μ] 閘極端上一端的距離。 圖11顯示當記憶功能單元262的寬度W2固定在1〇〇毫微 米，且偏移量W1是在圖9記憶單元的結構中改變時的汲極

O:\91\91174.DOC -29- 1243411 電流Id。在此，汲極電流是由裝置模擬獲得，此假設記憶 功能單元262是在抹除狀態（累積電洞），且擴散區域212與 2 1 3是分別當作源極與汲極使用。 從圖11可明顯看出，在W1是1 〇〇毫微米或更大的範圍（即 疋’石夕氮化物膜2 4 2與擴散區域213不彼此重疊）中，汲極電 流會明顯減少。既然汲極電流值是幾乎與讀操作速度成比 例’所以記憶效率能以100毫微米或更大的Wi而明顯惡 化。另一方面’在矽氮化物膜242與擴散區域213彼此重疊 的範圍中，汲極電流的減少是溫和的。因此，在考慮亦是 大眾製造變化的情況，如果當作具有保持電荷功能膜的至 少一部分矽氮化物膜242未與源極與汲極區重疊，便不容易 獲得實際記憶功能。 在I置模擬結果的基礎上，記憶單元陣列可透過將W2固 定在100毫微米，並將W1設定成如設計值的6〇毫微米與100 毫微米而製造。在W1是60毫微米的情況，矽氮化物膜242 與擴散區域212與2 13是以如設計值4〇毫微米而彼此重疊。 在W1是1〇〇毫微米的情況，沒有如同一設計值的重疊。記 憶單元陣列的讀時間可測量，且最壞情況考慮變化是彼此 相比較在W1 δ又定成如一設計值60毫微米，讀存取時間便 能如同另一情況一樣快1〇〇倍。實際上，讀存取時間最好是 每-位元是職微秒或更少。當Wl，2時，情況便不能 達成在亦考慮產品變化的情況，最好是毫微 米。 右要以類似第-具體實施例的方式來讀取在記憶功能單

O:\91\91174.DOC -30- 1243411 元261(區域281)中館存的資4 田 7貝Λ 瑕好是將擴散區域212設定 成一源極，將擴散區域2 η机 匕又疋成一汲極區，及在較接近在 通道區域的汲極區踹报士、 , ? 鳊形成一夾止點。明確而言，在讀取兩 個記憶功能單元之一中綠左从次 、、、 心中儲存的貧訊時，最好是在較接近通 l區域的# 3己&功能單元的—區域中形成夾止點。隨著 配置’而不管記憶功能單元262的儲存狀態，在記憶功能單 兀261中儲存的資訊能以高靈敏度偵測，且它是一大因素以 達成2位元運算。 另方® S將貝訊只儲存在兩個記憶功能單元之一的 情況、或在相同儲存狀態使用兩個記憶功能單元的情況， 不是始終需要在讀取時形成夾止點。 雖然未在圖8顯示，但是最好是在半導體基板2ιι的表面 形成-井區（在N通道裝置的情況是p型井）。透過形成井 區’當在記憶操作最適宜的通道區域中設定雜質濃度（重寫 操作與讀操作）時，它會變成容易控制其他電特性（抗電壓、 接合電容與短通道效應）。 從改善一記憶體保持特性的觀點，最好是記憶功能單元 々包括具有保持電荷功能的—電荷保持膜；及-絕緣膜。在 =二具體實施例中，具有電荷陷井績準的錢化物膜⑷ 是當作電荷保持膜使用’且具有避免在電荷保持中所累積 電荷消散功能的矽氧化物膜241與243是當作絕緣膜使用。 ，憶功能單元包括電荷減膜與絕緣膜，藉使避免電荷消 散，並改善保持特性。當與只由電荷保持膜構成的記憶功 能單元的情況相比較，電荷保持膜量能適當減少，在電荷

O:\91\91174.DOC -31- 1243411 保持膜中的電荷運動可調整 的電荷運動而發生特性變化 並抑制由於在資訊保持期間 己U功此早TL最好包括在幾乎與閘絕緣膜表面平行配 的電荷保持膜。換句話說，最好是在記憶功能單元中電荷 保持膜的上表面位準的放置是與閘絕緣膜的上表面位平 行。具體而言’如圖12所示，當作記憶功能單元262電荷保 氮化_ 242a具有幾乎與閘絕緣膜214表面平行 的表面。換句話說，最好是矽氮化物膜242a是在與對應 閘絕緣膜214表面位準平行的一位準形成。 Μ移d域2 71的反轉層的構成容易度可根據在石夕氮化 :_42a中累積的有些的電荷量而受到幾乎與在記憶功能 早元262的閘絕緣膜214表面平#的石夕氮化物膜2仏有效控 制。因此，記憶效果可增加。即使在偏移量（W1)變化的情 况’透過形成幾乎與閘絕緣膜214表面平行的矽氮化物膜 242a，記憶效果的變化可維護相當小，且記憶效果的變化 可被抑制。而且，在矽氮化物膜24。的向上電荷運動可受 抑制，並可抑㈣由於在資訊保持期間的電荷運動發生的特 性變化。 最好是，記憶功能單元262包括一絕緣膜（例如，在矽氧 化物膜244偏移區域271上的部分），以將幾乎與閘絕緣膜 214表面平行的矽氮化物膜24仏從通道區域（或井區）分開。 透過絕緣膜，可抑制在電荷保持膜中累積的電荷消散，並 獲得具有較佳保持特性的一記憶單元。 從半導體基板的表面到電荷保持膜中所累積電荷的距離 O:\91\91174.DOC -32- 1243411 可透過控㈣氮化物臈2仏的厚度及控制切氮化物膜 24^(在石夕氧化物膜244偏移區域⑺上的部分）下面的絕緣 膜厚度而幾乎維護不變1心t，從半導體基板的表面 到在電荷保持膜中所累積電荷的距離能控制在從錢化物 膜242a下面的絕緣膜最小厚度值到在錢化物賴&下面 的絕緣膜最大的厚度值與錢化物膜2仏的最大厚度值加 總的-耗圍。結果’透過在錢化物膜⑷中所累積電荷產 生的電力線雄度可幾乎受控制，並明顯減少記憶單元的記 憶效果變化。 第三具體實施例 在第三具體實施例的半導體記憶元件的記憶功能單元 262具有一形狀，其中當作一電荷保持膜的矽氮化物膜242 成乎具有一致性厚度，且幾乎與如圖13(區域281)所示的閘 絕緣膜214的表面平行配置，且進一步幾乎與閘極217(區域 282)的側面平行。在正電壓運用在閘極217的情況，在記憶 功旎單元262的電力線283會如如箭所示通過矽氮化物膜 242兩次（區域282與281)。當負電壓運用在閘極217時，電力 線的方向會變成相反。在此，矽氮化物膜242的誘電性常數 是大約6，且矽氧化物膜241與243的誘電性常數是大約4。 口此在電力線2 8 3方向的§己憶功能單元2 6 2的有效誘電性 常數是較高，且在電力線兩端的電位差當與只存在電荷保 持膜區域28 1相比較更能減少。換句話說，應用在閘極2 i 7 的大部分電壓是用來提高在偏移區域271的電場。 電荷在重寫操作中注入矽氮化物膜242的為什麼理由是 O:\91\91174.DOC -33 - 1243411 因為產生的電荷能被在偏移區域271的電場所吸弓卜因此， 注入記憶功能單元262的電荷會在重寫操作增加，且速 度可透過包括由箭號282所示的電荷保持膜而增加。’’’’、 在石夕氧化物膜243部分亦是石夕氮化物膜的情況，即是，在 電荷保持膜的位準不與對應閘絕緣膜214表面的位準平行 的情況，在魏化物膜中的電荷向上運動會變得較明顯， 且保持特性會惡化。 最好是’電荷保持膜是以例如具有-非常高誘電性常數 的姶氧化物的高電介體製成，而不是由石夕氮化物製成。 最好是記憶功能單元進一步包括一絕緣膜(在石夕氧化物 膜241偏移區域271上的部分），用以將幾乎平行於閘絕緣膜 的表面的電荷保持膜從通道區域（或井區）分開。透過絕緣 膜，可抑制在電荷保持膜中累積的電荷消散坷，並可進一 步改善保持特性。 最好是’記憶功能單元進一步包括一絕緣膜（與在石夕氧化 物膜2 41的閘極217接觸部分）1以將間極從幾乎與閘極側 面平行的擴充的電荷保持膜分開。絕緣膜可避免電荷從閘 極注入電荷保持膜，因此可避免電特性的變化。因此，能 改善記憶單元的可信度。 此外在類似第二具體實施例的方式中，最好是將在矽 虱化物膜242(在矽氧化物膜24丨中偏移區域27丨的部分）下面 的絕緣膜厚度控制在常數，並將在間極側面（與梦氧化物膜 241的間極2 1 7接觸的部分）上的絕緣膜厚度控制在常數。結 果，透過在矽氮化物膜242中累積的電荷所產生的電力線密

O:\9I\91174.DOC -34- 1243411 度可幾乎受控制’並可避免電荷洩漏。 第四具體實施例 在苐四具體實施例中蔣 J ^將“述閘極、記憶功能單元、盥 在一半導體記憶元件 ^ ^ σ己隐早70的源極與汲極區之間距離 的最佳化。 如圖14的顯示，一表考车 一 /号子το Α表不長在通道長度方向的_ 切口表面中的閘極長度’一參考字元B表示在源極與没極區 (通道長度)之間的距離，及-參考字元C表示從該等記憶功 ，早凡之—者—端到另—記憶功能單元-端的距離，即 是，在通道長度方向的切口表面中，在該等記憶功能單元 之其中一者具有保持電荷功能的一膜端(在遠離閘極的— 端）到另-記憶功能單元具有保持電荷功能的—膜端（在遠 離閘極的一端）之間的距離。 在此-記憶單元中，B<C是最好。透過滿A此一關係式， 偏移區域27i會存在通道區域閘極2ητ面部分與擴散區域 212與213之間。結果，反轉的容易度可透過在記憶功能單 元261與262⑼氮化物膜242)中累積的電荷而在整個偏移區 域271有效擺動。因此，記憶效果能增加，特別是可實施較 高速讀操作。 在閘極217與擴散區域212與213是從彼此偏移的情況，即 是，在滿足A<B關係式的情況中，當電壓運用在閘極時， 在偏移區域的反轉容易度可根據在記憶功能單元中累積的 電荷量而明顯變化，所以記憶效果可增加，並可減少短通 道影響。 O:\91\91174.DOC -35- 1243411 然而，只要記憶效果出現，偏移區域271不會始終必須存 在。而且，在偏移區域271不存在的情況中，如果在擴散區 域212與213的雜質濃度是相當低，記憶效果便會呈現在記 憶功能單元261與262(矽氮化物膜242). 因此，最好是A<B<C。 第五具體實施例 除了一 SOI基板當作如圖1 5所示第二具體實施例中的半 導體基板使用之外，在第五具體實施例的半導體記憶元件 的記憶單元具有一實質類似第二具體實施例的結構。 在記憶單元中，一嵌埋氧化物膜288是在一半導體基板 286形成，且一 SOI層疋在肷埋氧化物膜288形成。在;soi層， 擴散區域212與213可形成，且另一區域是一主體區287。 亦透過記憶單元’可獲得類似第二具體實施例記憶單元 這些的動作與效果。此外，在擴散區域212與213與主體區 287之間的接合能力會明顯著降低，所以可達成元件的較高 速操作與較低功率消耗。 第六具體實施例 如圖16所示，.除了一p型高濃度區域291加入相鄰於N型擴 散區域212與2 1 3的通道端之外，在第六具體實施例的半導 體記憶元件中的一記憶單元具有實質類似第二具體實施例 記憶單元的結構。 明確而言，在P型高濃度區域291的一 P型雜質（例如，硼） 的濃度是咼於在區域292的一 P型雜質的濃度。在p型高濃度 £域2 91的適當p型雜質濃度是例如大約$ χ 1 〇 17至1 χ 1 〇 19 O:\91\91174.DOC -36- 1243411 cnT。區域292的p型雜質濃度可設定成例如5xi〇le至 cm'3 〇 透過提供Ρ型高濃度區域291，在擴散區域212與213與半 導體基板211之間的接合在記憶單元261與262下面會變成 銳利。結果，熱載體能在寫與抹除操作中容易產生，寫與 抹除操作的電壓能減少；或者，寫操作與抹除操作能以高 速執行。而且，既然在區域292的雜質濃度是相當低，所以 當記憶體是在抹除狀態時，臨界值會較低，而且沒極電流 會較大。結果’可改善讀取速度。以，可獲得具低重寫L 電壓或高重寫速度與高讀取速度的記憶單元。 在圖16中’透過在源極/没極區附近與記憶功能單元下面 (即是’不在閘極下面）提供ρ型高濃度區域291，所有電曰 體的臨界值會明顯增加。增加的程度會高於p型高濃度區^ 位在閘極下面的十月況。在寫電荷（當電晶體是N通道類型 電子時）累積在記憶功能單元的情況中，差會變得較大。、另 在足夠抹除电荷（當電晶體是N通道類型的正電洞） 累積在記憶功能單元的情況’所有電晶體的臨界值會減少 到由在閘極下面通道區域（區域292)中的雜質濃度所決定的 。界值gp疋，在抹除操作的臨界值不是因ρ型高濃度區 域291的雜質漢度而定’然而在寫操作的臨界值會明顯受影 a 口此/、有在寫才木作的臨界值會明顯受擺動，而且記 憶效果(在寫操作的臨界值與在抹除操作的臨界值之間的 差）可透過在。己f思功月b早π下面、與在源極/没極區附近配置 Ρ型高濃度區域291而明顯增加。

O:\91\91174.DOC '37- 1243411 弟七具體貫施例 除了如圖17所示之外，纟第七具體實施例的半導體記憶 儿件中的一記憶單元具有實質類似帛三具體實施例的結 構’將電何保持膜（石夕氮化物膜242)從通道區域或井區分開 的矣巴緣膜厚度（Τ1)是比問絕緣膜厚度（丁2)更小。 。閉絕緣膜214的厚度丁2在重寫記憶體操料具有從抗電 [要求的下限值。然而，絕緣膜的厚度τι能以小於丁2達成， 而與抗電壓的要求無關。 對於下列理由而言，在記憶單元會有較高與T1有關的彈 性設計。 在記憶單元中，用以將電荷保持膜從通道區域或井區分 開的絶緣膜不會Φ閘極與通道區域或井區插人。結果，對 :用以將電荷保持膜從通道區域或井區分開的絕緣膜而 a，在閘極與通道區域或井區之間動作的一高電場不會直 接動作’但是從側面方向的閘極散佈的一相當低電場會動 作、纟σ果，T1旎夠以小於T2達成，而不管隔閘離膜對抗電 壓的要求。 透過使T1車父薄’將電荷注入記憶功能單元會變得更容 易，β寫操作與抹除操作的電壓可減少；或者，寫操作與抹 ㈣作能以高速執行。既然當電荷累積切氮化物膜242 時’在通道區域或井區中感應的電荷量會增加，所以可增 加記憶效果。 曰 在記憶功能單元中的-些電力線包括不會通過如在圖i 3 的-箭號284所示錢化物膜242的一短電力線。在相當短

O:\91\91174.DOC -38- 1243411 電力線上，電場強度是相當高，所以沿著電力線的電場在 重寫操作上會扮演一重要角色。透過減少T1，矽氮化物膜 242是配置在圖的下方，且透過箭號283表示的電力線會通 過矽氮化物膜。結果，在沿著電力線284的記憶功能單元中 的有效誘電性常數會增加，且在電力線兩端的電位差能進 一步減少。因此，應用到閘極2丨7的一大部分電壓可用來增 加在偏移區域的電場，而且寫操作與抹除操作會變得較快。 對照下，例如，在由一快閃記憶體所象徵的EEPR〇M中， 將、/于動閘與通道區域或井區分開的絕緣膜是由從通道區域 或井區的閘極（控制閘）插入，所以來自閘極的一高電場可直 接動作。因此，在EEPROM中，將浮動閘從通道區域或井 區分開的絕緣膜厚度可受控制，並可禁止記憶單元功能的 最佳化。從前述可清楚看出，用以增加T1彈性的必要理由 疋將電何保持膜從通道區域或井區分開的絕緣膜不會在閘 極與通道區域或井區之間插入。 從前述可清楚看出，透過設定T1<T2，寫與抹除操作的電 壓旎減少，會寫操作與抹除操作能以高速執行，此，記憶 效果可增加，而不致使記憶的抗電壓性能惡化。 更明確而言，絕緣膜厚度丁1是0.8毫微米或更大，且此透 過製程達成的一致性或相等厚度可維持在一預定位準，並 限制使保持特性不會非常惡化。 具體而g，在設計規則中需要高抗電壓的一液晶驅動器 LSI的情况中，若要驅動液晶面板TFT，正常需要最大15至 1 8伏特電壓，所以閘氧化物膜正常不能變薄。在液晶驅動

O:\91\91174.DOC -39- 1243411 LSI上安l用於影像調整的一非揮發性記憶體的情況，在 本發明的記憶單元中’將電荷保持膜（石夕氮化物膜242)從通 道區域或井區分開的絕緣膜厚度可最佳設計，而與閘絕緣 膜厚度無關。例如’厚度可於具有毫微米閘極長度(字 線見度）的一圮憶單元以Tl==2〇毫微米與τ2=ι〇毫微米個別 °又疋所以具有鬲寫效率的記憶單元可實施（當Τ1大於一正 系鋒輯電晶體的厚度時，為什麼短通道效應不會產生的理 由是因為源極與汲極區是從閘極偏移）。 第八具體實施例 除了如圖18所示之外，在第八具體實施例的半導體記憶 兀件中的一圮憶單元具有實質類似第二具體實施例的結 構’將電何保持膜(矽氮化物膜242)從通道區域或井區分開 的、、、巴緣膜厚度（Τ1)是大於問絕緣膜的厚度（丁2)。 由於避免單το的短通道影響，所以閘絕緣膜214的厚度丁2 具有-上限值。然而’絕緣膜的厚度^能以大於Τ2達成， 而不管避免短通道影響的要求。明心言，當比例處理減 少（當閘絕緣膜厚度減少進展）時，將電荷保持膜（石夕氮化物 膜242)從通道區域或井區分開的絕緣膜厚度的最佳設計是 與閘中離膜厚度無關。因此，可獲得記憶功能單元不擾亂 比例化的效果。 如前述，設計Τ1的彈性在記憶單元中較高的為什麼理由 是’將電荷保持膜從通道區域或井區分開的絕緣膜是不會 由閘極與通道區域或井區插入。結果’丁㈣厚度會大於丁 2， 而不顧避免閘絕緣膜的短通道影響是否要求。

O:\91\91174.DOC -40- 1243411 λ透過使T1較厚，可避免在記憶功能單元中累積的電荷消 散，並可改善記憶體的保持特性。 因此，透過设定T1>T2，保持特性可改善，而不致使記憶 體的短通道影響惡化。 在考慮重寫速度減少方面’絕緣膜的厚度^^最好是2〇毫 微米或更小。 具體地’在由-快閃記憶體所象徵的傳統非揮發性記憶 體中&擇閘極是當作—寫抹除閘極使用，且對應寫抹 除閘極的-閘絕緣膜（包括一浮動閘）亦當作一電荷累積膜 使用。既然尺寸減少（一膜變薄是抑制短通道影響不可缺少 的）的要求與確保可信度（以抑制保持電荷茂漏，將浮動間從 井區的通道區域分開的絕緣膜厚度不能減少到大約7毫微 米或更小）的要求是否定的，所以是不容易將尺寸減少。實 際上，根據國際半導體技術發展藍圖（ITRS)，不能預期減 少大約G.2微米或更小的實際閘長度。在記憶單元中，既然 T1與T2能如前述個別設計，所以尺寸減少是可能的。 时例如，對於具有45毫微米的_閘極長度（字線寬度）的記憶 單元而s，T2=4t微米與Tl=7毫微米是個別設定，並可實 施不會產生短通道效應的一記憶單元。短通道效應在甚至 當Τ 2設定成比一比正常邏肖電晶冑的厚纟更厚的為什麼理 由是原因源極/汲極區會從閘極偏移。 既然源極/汲極區會從記憶單元的閘極偏移，所以當與一 正常邏輯電晶體相比較時，有進一步助於尺寸減少。 既然用以協助寫與抹除的電極不存在記憶功能單元的上 O:\91\91I74.DOC -41 - 1243411 面部分，所以在用以協助寫與抹除的電極與通道區域或井 區之間的-高電場是不會直接在將電荷保持膜從通道區域 或井區分開的絕緣膜上動作，但是只有散佈在從間極水平 方*向的-相低電場會動作。結果，記憶單元的閘長度減少 到等於或小於相同處理產生的—邏輯電晶體閘長度是可實 第九具體實施例 。第九具體實施例是有關在重寫一半導體記憶元件的記憶 單元時的電特性變化。 " 在N通道類型記憶單元中，當在一 ^ 田牡 口己憶功能早兀的電荷量 匕化時’如圖19所#的一汲極電流⑽閘極電壓㈤特性 (實際測量值）便會呈現。 k圖19可明顯看出，在從一抹除狀態（實線嵐行—寫操作 的情況，不僅臨界值會增加，而且—㈣梯度會在子林界 =域中明顯減少。結果，而且在—閘極電壓（vg)相當高的 一區域中’在抹除狀態與寫狀態之間的沒極電流比會較 南。例如，而且在Vg=2.5伏特，可維持兩個數位或更多的 電流比。特性是明顯不同於一快閃記憶體(圖29)的情況。 ，然閑極與擴散區域是從彼此補償，所以此一特性的外 觀會是一發生的奇特現象，而且閘 且閘冤场不容易到達偏移區 域。當記憶單元是在一寫狀帶時， T 即使當一正電壓運用在 閘極，一反轉層會非常不 J %你尤隐功能早兀下面在偏 移區域形成。此是Id_v曲線梯度 、、 不又牡馬狀怨中的子臨界值區 域是溫和的原因。

O:\91\91174.DOC •42- 1243411 一 一方面，當記憶單元是在一抹除狀態時，高密度電子 會在偏移區域感應。此外，當〇伏特運用在閘極（即是，當 1極疋在一關閉狀態）時，電子不會在閘極下面的通道中感 應（結果，一關閉狀態電流會較小）。此是Id_Vg曲線梯度在 抹除狀恶中的子臨界區域是銳利的原因，而且目前增加的 率（電導）在臨界或更大的區域是較高。 從前述可了解，在本發明半導體記憶元件的記憶單元 中，在寫操作與抹除操作之間的汲極電流比特別可以較高 達成。 ^ 第十具體實施例 第十具體實施例是與加入重寫與讀取電路的配置第一至 第八具體實施例任一者的複數個記憶單元的半導體記憶元 件有關，且有關半導體記憶元件的操作方法。 此半導體記憶元件包括：如圖20的電路圖所示，一記憔 單元陣列區域321; —電路部分，用以將一預定重寫或讀電' 壓應用到記憶單元的每一者；一感測放大器；及一電路部， 用以連接感測放大器與記憶單元。其他週邊電路並未顯°示。 在配置記憶單元的區域321中，記憶單元3〇laA至 3〇UD、…、與301nA至301nD表示在第一至第八具體實施 例任-者描述的記憶單元。記憶單元具有兩個記憶功能單 元。在圖20中，只有箭號A與B是顯示在記憶單元3〇iaA， 為了要從彼此區別記憶功能單元。箭號並未顯示在其他圮 憶單元。 兩個選擇電晶體是連接在每個記憶單元的兩端。例如， O:\91\91174.DOC -43 - 1243411 k擇電aa體302 a A與3 Ο 3 a A是分別與記憶單元3 〇 l a A串聯。 。己丨思單元3 01 a A至3 01 aD的閘極是經由一字線3 〇 § a而彼此 連接。其他記憶單元的閘極亦經由一字線而同樣彼此連 接。選擇電晶體302aA至302aD是經由一選擇電晶體字線 309a而彼此連接，且選擇電晶體3〇3aA至3〇3aD是經由一選 擇電晶體字線310而彼此連接。其他選擇電晶體的閘極是亦 經由選擇電晶體字線而同樣彼此連接。 该等選擇電晶體302aA至302nA的每一者連接到一第位 元線316A1，且該等選擇電晶體3〇3&八至3〇311八的每一者連 接到第二位元線3 16A2。其他選擇電晶體的每一者同樣連接 到第一或第二位元線。 一對工作選擇電晶體304與305連接到每個位元線。工作 選擇電晶體304與305連接到第一電壓輸入端317A1至 317D1或第二電壓輸入端317a2至317D2。工作選擇電晶體 304與305的閘極是分別連接到工作選擇線312與313。隨著 使用此配線，在選取工作選擇線3 12的情況中，例如，第一 位元線3 1 6 A1連接到第一電壓輸入端3丨7 a丨，且第二位元線 3 1 6A2連接到第二電壓輸入端3丨7A2。在選取工作選擇線 313的情況，例如，第一位元線316A1連接到第二電壓輸入 端317A2，且第二位元線316八2連接到第一電壓輸入端 3 1 7A1即疋，對位元線3 16A1與3 1 6A2連接到不同電壓 輸入端。透過改變選取一工作選擇線，連接的一電壓輸入 端可改變。 兩對位元線（例如，一對位元線316八1與316八2、及一對位 O:\91\91174.DOC -44- 1243411 元線316B1與316B2)是經由開關電晶體而連接到具有兩個 輸入端感測放大器的輸入端之一與另一輸入端。更明確而 言，他們是依下列連接。 第一位元線3 16A1至3 16D1連接到第一開關電晶體306。 第二位元線316A2至316D2連接到第二開關電晶體307。開 關電晶體306與307的閘極分別連接到開關電晶體選擇線 314與315。在此配線，在選取開關電晶體選擇線314的情 況，例如一感測放大器3 18 AB的該等輸入端之一是連接到 苐位元線3 1 6 A1 ’且感測放大裔318AB的另一輸入端連接 到第一位元線3 16B。在選取開關電晶體選擇線3丨5的情況， 例如感測放大器3 1 8 AB的該等輸入端之一是連接到第二位 元線3 16 A2 ’且感測放大态3 1 8 AB的另一輸入端連接到第一 位元線316B2。 如一感測放大器，偵測來自記憶單元輸出電流的一放大 器可使用。例如，可使用一差動放大器。 在圖20中，配置有四對位元線。然而，任意數量對位元 線能配置使用。在圖20中，兩雙位元線於此理由可連接到 一感測放大器，如稍後描述，選取的兩個記憶單元可成對， 並連接到一感測放大器的輸入端之一、或另一輸入端。 在記憶單it到此-半導體記憶元件應用的另—範例中， 一記憶單元連接到一感測放大器的輸入端之一，且一外部 參考單元連接到感測放大器的另一輸入端。 使半導體記憶元件操作的一方法將扣、+、 . ^ 不次將掐述。半導體記憶元 件的操作包括-重寫操作與-讀操作。此外，^寫操作包

O:\91\91174.DOC -45- 1243411 括一寫操作與一讀操作。 首先寫操作的方法將描述。如一寫操作範例，將資訊 寫到圮憶單元3 〇 1 a a的情況將描述。 $工作選擇線312可選取，且工作選擇電晶體3〇4是設定成 ‘通狀悲。例如，第一位元線316入1連接到第一電壓輸入端 7A1且第一位元線3 16A2連接到第二電壓輸入端 3 1 7A2。其他位元線同樣連接。 此外，選擇電晶體字線3〇9&與31如可選取。記憶單元 3〇laA的擴散區域（源極與汲極）之一（在記憶功能單元a的 一端）因此是連接到第一電壓輸入端317八丨，且另一區域（在 記憶功能單元B端）連接到第二電壓輸入端317八2。連接到字 線308a的記憶單元3〇laB至3〇UD是以類似前述方式連接。 用於寫的預定電壓是應用到字線3〇8a及第一.與第二電壓 輸入端317八1與317八2的每一者。首先’例如，”伏特是運 用在字線3〇8a。此外，+5伏特是運用在第一電壓輸入端 ，且〇伏特是運用在第二電壓輸入端3i7A2,藉此執 行選擇性寫到記憶單元301aA的記憶功能單元端。曰 當預定電壓此時運用在其他電壓輸人端時，資訊亦可寫 到記憶單元301aB至3〇laI^對於資訊未寫入的一記憶單2 而言，足以將0伏特應用到電壓輸入端或設定一開啟狀態凡 在記憶單元301aA的記憶功能單元8端上寫入資訊的情 況中，足以選取選擇線313，以取代選取工作選擇線Η]，月 並在類似電壓應用情況下執行類似選擇操作。亦可交換、 用在第一電壓輸入端317A1的電壓、與運用在第二電壓輪2

O:\91\91174.DOC -46- 1243411 端3 1 7A2的電遷。 抹除紅作的方法現將描述。在此，如一抹除操作範例， 抹除在記憶單㈣laAtf訊的情況將描述。 技在類似寫知作的方式中，工作選擇線312可被選取，工作 選擇電晶體304是設定成—導通狀態，且選擇電晶體字線 a” 3 l〇a可被選取。用以抹除的預定電壓是應用字線 3〇8a及第與第二電壓輸入端317A1與317A2的每一者。首 先例士 5伏特疋運用在字線308a，+5伏特是運用在第 -電壓輸入端317A1，且〇伏特是運用在第二電慶輸入端 317A2 ’藉此的在記憶單元3〇UA的記憶功能單元端上執行 選擇性抹除。 輸入端時’在記憶單元 對於資訊不被抹除的一 當預定電壓此時運用在其他電壓 3 01 aB至3 01 aD中的資訊亦可抹除。 記憶單元而言，足以將〇伏特應用到電壓輸入端或設定一開 啟狀態。 在記憶單元301aA的記憶功能單元B端上抹除資訊的# 況中，足以選取選擇線313，以取代選取工作選擇線Η] ' 並在類似電壓應用下，執行類似選擇操作。亦可交換運用 在第一電壓輸入端317A1的電壓與運用在第二電壓輸入綠 3 1 7A2的電塵。 讀操作的方法現將描述。在此，如一讀操作範例，在圮 憶單元301aA中儲存的讀取資訊的情況將描述。 ° 在圮憶單元301 aA的記憶功能單元a端上讀取儲存次二 的情況中，工作選擇線3 13是選擇使工作選擇 貝° ^干电日日體3〇5導 O:\91\91174.DOC -47- 1243411 通，且開關電晶體選擇線3 14是選擇使第一開關電晶體3〇6 導通。此外，適於讀操作的例如+2伏特電壓是運用在字線 308a。其後，例如，+1.8伏特是運用在第一電壓輸入端 317A1。第二電壓輸入端317八2是設定成一開啟狀態。 根據則述選擇操作與電壓應用情況，電流是從第一電壓 輸入端317A1經由記憶單元3〇laA而流到感測放大器3i8ab 輸入端之一。透過偵測電流值，在記憶單元3〇4八中儲存的 資訊可決定。在此範例中，記憶單元3〇laA的記憶功能單元 A端是當作源極使用，所以在記憶功能單元中累積的有些的 電何置會影響到在記憶單元3〇laA中流動的電流值。因此， 只有在記憶功能單元端上儲存的資訊可選擇性讀被取。 如第九具體實施例的描述，在本發明的半導體記憶單元 中，在§己憶單元，在寫入時間的汲極電流與在抹除時的汲 極電流之間的汲極電流比能以特別高達成。因此，它變成 較容易從彼此區別寫狀態與抹除狀態。 在讀取記憶單元301 aA的記憶功能單元B端上所儲存資 汛的情況中，工作選擇線312可選取，以取代選取工作選擇 線313，開關電晶體選擇線315的選取可取代選取開關電晶 體選擇線3 14，且其他選擇操作與電壓應用情況可類似前述 操作與情況而執行。 在項操作時，透過將例如+1.8伏特的一讀取電壓應用到 第一電壓輸入端3 17B1，根據在記憶單元301 aB中儲存資訊 的電流可輸入感測放大器3 18 AB的另一輸入端。因此，在 具體貫施例中，在記憶單元301 aA的流動電流與在記憶單元

O:\91\9im.DOC -48- 1243411 3 Ο 1 aB的流動電流之間的差可透過感測放大器3 l 8 AB彳貞 測。在此情況，1位元或2位元資訊是由兩個記憶單元儲存。 如讀操作的說明中提到，在記憶單元中流動電流的方向是 相反，且在記憶功能單元A與B中儲存的資訊在讀操作時是 個別讀取，2位元運算可透過兩個記憶單元執行。另_方 面，當在記憶單元中流動電流方向的每一者於讀操作時是 限制在一方向，1位元運算便由兩個記憶單元執行。 圖21A至21D顯示由兩個記憶單元執行2位元運算的觀令 圖。在圖21A至21D中，例如，記憶單元601A與601B與一减 測放大器61 8AB 1(618AB2)是分別對應在圖20中的記憶單 元301aA與301aB及感測放大器318AB。存在記憶單元與感 測放大器之間的裝置並未顯示。雖然兩個感測放大考 618AB1與618AB2是在圖21A至21D顯示，類似圖20的半導 體記憶元件，在一感測放大器與記憶單元之間的連接可透 過使用一開關電晶體與一工作選擇電晶體而轉變。 圖2 1A至21D顯示兩個記憶單元的四可可能狀態（兩位 元）。在任何情況，對應類似”L與Η，，或”H與L”相對資訊的電 流輸入感測放大器的兩個輸入端。透過偵測電流差，儲存 的資訊便可讀取。 圖22A與22B顯示由兩個記憶單元執行的i位元運算觀念 圖。在此情況，在記憶單元中流動的電流方向在讀操作時 不疋相反，所以只有一感測放大器618AB會寫入。圖22A與 22B顯示兩個記憶單元的兩個可能狀態（1位元）。在任何情 況，對應類似” L與H”或” Η與L”的相反資訊的電流是輸入感 O:\91\91174.DOC -49- 1243411 測放大器的兩個輸入媳 一 π iu铷八螭。取好是，如圖22a與22B所示，相 同資訊是儲存在每個印倍@ _ 。己U早兀的兩個記憶功能單元。透過 配置，可改善讀操作的可信声。 _ #貝αΚ此透過使用一記憶單元連接到感測放大器的 輸入端之―、及一外部參考單元連接到感測放大器的^一 輸入端的結構而儲存在一記憶單元。 類似具體實施例，然曰 — 、 取好疋兩個記憶單元（成對記憶 早 輸出能輸人相同感測放大器。在此-結構情況 中，透過偵測在具有相同裝置結構的兩個記憶單元中流動 電流之間的差來讀取在圮愔 貝％仕Z fe早兀中儲存的資訊。另一方 =’例如，在使用具有如同一外部參考的正常結構的一電 =二况’在記憶單元溫度特性與正常結構電晶體溫度特 間=差會變成使讀操作可信度惡化的原因。因此，讀 操作可“度可透過將成對 — 測放大器而改善。 ⑤70、雨+以輸入相同感 在具體實施例的半導體記憶元件中， 分別連接到每個記憶單元的每一端^曰曰體疋 , J母舳因此，在重寫操作時， .―位7"線的重寫電a是只應用在選取的單-記憶單 =而不是運用在連接到相同位_對的其他記憶單元。 ，—非選擇單元的錯誤重寫可在重寫操作中避免。 擇ΐ讀操^夺、’可減少一非選擇單元的關閉狀態加入-選 單7c的項電流、及讀摔作邊際、读小&好目 η木作遭卜、減）的問題。當字線數量 特別^ 相同位元線的單元數量較大時，此效果會 寻別、員者。而且，在一撰遥雪日 * &擇電曰曰體只在每個記憶單元的一

O:\91\91174.DOC -50- 1243411 端提供的情況，一非選擇單元的關閉狀態電流可在讀操作 中減少。 字線308a至308η可透過使用一上面金屬線連接到記憶單 元的閘極而形成。然而，最好是記憶單元（至少成對的記憶 單)的閘極是完全當作一字線功能，且成對的記憶單元可 在閘極的兩端共用記憶功能單元。例如，當一線性多晶矽 電極在複數個半導體層的主動區域、與多晶矽電極的主動 區域上擴充，且半導體層的主動區域是由一閘絕緣膜分開 % ’多晶矽可當作在每個主動區域上的閘極功能使用，且 線性多晶矽電極本身具有一字線的功能。在此情況，用以 連接閘極與上面金屬線的接觸可明顯減少，且半導體記憶 元件的整合度可增加。既然閘極可共用記憶功能單元，所 以不需要隔離每個記憶單元的記憶功能單元。因此，製造 處理可簡化，並可獲得一便宜、非常可靠的半導體記憶元 件。 最好是，在具體實施例的半導體記憶元件中，一邏輯電 晶體亦安裝在相同半導體晶片上。 既然用以形成具體實施例記憶單元的程序是高度與一正 常標準電晶體形成處理相容，所以用以安裝半導體記情元 件的處理，即是，記憶單元與邏輯電晶體是非常簡單。如 圖25顯不，在如同一邏輯電路部分或一類比電路部分元件 的標準電晶體，通常，在它側壁上具有由一絕緣膜製成的 側壁間隔物714的一閘極713是經由一閘絕緣膜712而在一 半導體基板711形成，且一源極區717與一汲極區718是在間 O:\91\91174.DOC -51 - 1243411 極71 3的兩端形成。源極區7 17與汲極區71 8的每一者具有一 輕度、/儿積汲極（LDD)區域719。因此，標準電晶體的結構是 類似在半導體記憶元件中的一記憶單元。為了要將標準電 晶體改變成記憶單元，例如，充份將記憶功能單元的功能 加入側壁間隔物714，且不形成LDD區域719。 更具體而言’充份改變側壁間隔物714以具有類似例如圖 8記憶功能單元261與262每一者的結構。在此情況，矽氧化 物膜241與243與矽氮化物膜242的膜厚度結構比可適當調 整，所以冗憶單元可適當操作。即使當構成一標準邏輯部 刀的電日日體側壁間隔物具有類似例如圖8記憶功能單元 261與262的結構，只要側壁間隔物的總厚度（即是，矽氧化 物膜241與243與矽氮化物膜242的總厚度）適當，且操作可 在重寫操作不會開始的一電壓範圍内執行，電晶體效率便 不會惡化。 充伤庄入雜質以在形成一閘極之後與在形成記憶功能單 側壁間隔物）之前形成LDD區域，為了要纟當作一標準邏 輯部分元件的電晶體中形成㈣區域。gut，在用以形成 LDD區域而注人雜質時，只透過使用光阻將記憶單元遮 罩，記憶單元與標準電晶體可同時及容易形成。 根據先前技術的-快閃記憶體的形成處理是明顯不同於 標準邏輯處理。因此，當與快閃記憶體#作_非揮發性記 憶體使用，且使用-邏輯電路與—類比電路—起形成的傳 統情況相比較時’在本發明的半導體記憶元件中，光罩數 量與處理數量可明顯減少。結果，一非揮發性記憶單元與

O:\91\91174.DOC -52- 1243411 一邏輯電路與一類比電路一起形成的一晶片良率可獲改 善，降低製造成本，並可獲得一便宜、非常可靠的半導體 記憶元件。 在具體貫施例的半導體記憶元件中’最好是，彼此不同 的值是儲存在連接到一感測放大器的兩個記憶單元，且在 讀取時’在兩個記憶單元中流動的電流值之間的差可透過 感測放大器而發現。在彼此不同的值儲存在連接到一咸測 放大器的兩個記憶單元的情況中，讀取的可信度能高於一 δ己憶單元與一外部參考單元連接到一感測放大器的情況。 讀取速度可改善，且一讀取電流值可減少。理由是為什麼 當彼此不同值儲存在連接到一感測放大器的兩個記憶單元 4 ,凟取的可#度能增加是如下述。既然兩個記憶單元的 重寫次數能彼此一致，即使在一特性變化的發生是與裝置 惡化有關的情況，所以在兩記憶單元的特性變化是幾乎相 同，且在兩個記憶單元中流動的電流值之間的差是不容易 改變。對於一類似的理由而纟，在兩個記憶單元中流動的 電抓值之間的差可維持較大，所以可改善讀取速度。對於 類似的理由而3 ’容易達成高造感測放大器的靈敏度， 並減少讀取電流值。如果讀取的電流值減少，記憶單元的 閘I度便此減y，且一記憶單元陣列的整合可提升。將彼 此不同值儲存在連接到_感測放大器的兩個記憶單元的操 及在項取日守，透過感測放大器偵測在兩個記憶單 元中流動電流值 間的差在使用本發明半導體記憶元件的 情況是較好。

O:\91\91174.DOC -53 · 1243411 ，第九具體實施例的描述，在本發明的記憶單元中，特 別是在寫操作的汲極電流與在抹除操作的汲極電流之間的 比率會較高。結果，在兩個記憶單元中流動的電流值：會 車父大，並可實施高速讀取。或者，即使當記憶單元的間宽 度減少，所需的電流值的差可獲得。結果，透過減少記憶 早疋的閘寬度，增加記憶單元陣列的整合度是特別容易。 在連接到一感測放大器的兩個記憶單元中，該等記憶功 能單元之一⑷與另一記憶功能單元（b)可獨立重寫·（操: 圖2m21D顯示的方法）。在此情況，最好是將彼此不同的 值儲存在記憶功能單元⑷，及將彼此不同的值儲存在記憶 功能單元（B)。2位元資訊可藉由兩個記憶單元而儲存。初 步形成在記憶單元中流動的電流方向能在讀操作時反轉的 結構是必需的。 或者’連接到一感測放大器的兩個記憶單元可操作，所 以記憶功能單元⑷與（B)的儲存狀態會變成相同（操作在圖 22錢22B顯示的方法）。在此情況，^資訊可透過兩個 記憶單元而儲存。讀操作的可信度可透過在兩端上產生記 憶功能單元儲存狀態而進一步增加。 明確而言’在讀操作，沒極電流能與在源極端的記憶功 能單元電荷量靈敏反應，但是對於在汲極端的記憶功能單 元電荷量是不靈敏。然而’記憶單元的汲極電流是受到在 汲極端的記憶功能單元的電荷量影響。影響會產生一干擾 效應’供應給感測放大器的電流值會擺動，且讀電流的最 低限度增加。因此，能減少供應給感測放大器的電流值變

O:\91\91174.DOC -54- 1243411 步增加，所 一感測放大 化’且讀操作的可信度可透過執行操作而進一 以記憶功能單元（A)與（B)的儲存狀態在連接到 器的兩個記憶單元會變成相同。 如在具體貫施例中所使用的記情置 早7L，最好使用第七具 體實施例的記憶單元。明確而言，脾责w , 將電何保持膜（矽氮化物 膜242)從通道區域或井區分開的絕緣臈厚度（丁1)最好a】 於閉絕緣膜的厚度⑽，而且可以是〇8毫微米或更大？寫 操作與抹除操作的電壓可減少，或寫操作與抹除操作可透 過使用具體實施例的半導體記憶元件的—記憶單元而以較 高速執行。既，然記憶單元的記憶效果可增加，所以可實施 半導體記憶元件的高讀取速度。 如同用於具體實施例的記憶單元，最好是❹第八具體 實施例的記憶單S。明確而言，將電荷保持膜㈣氮化物膜 242)從通道區域或井區分開的絕緣膜厚度（τι)最好是厚於 閘絕緣膜的厚度（Τ2)，而且是2〇毫微米或更小。而不會使 記憶單元的短通道影響惡化’保持特性可透過使用具體實 施例的此-半導體記憶元件的記憶單元而改善。即使當半 導體記憶元件.的整合能增加，但是可獲得充份的儲存與保 持效率。 在具體實施例使用的記憶單元中，如第二具體實施例的 描述，最好是，用將電荷（矽氮化物膜242)保持在記憶功能 單兀261與262的區域是與擴散區域212與213重疊。半導體 記憶兀件的足夠高讀取速度可透過使用具體實施例的此一 半導體記憶元件的記憶單元而達成。

O:\91\91174.DOC -55 - 1243411 在具體實施例使用的記儕 的描述，記憶功能單元最女:包^^在第二具體實施例 配置的—電荷保持膜。去此―、乎㈣、％緣膜表面平行 半導體記憶元件時，可:少:=單元用於具體實施例的 以可抑制在半導體記产思早兀的δ己憶效果變化，所 你干ν體5己饫兀件 在保持資訊的記憶單元中㈣^ ^化。此外，可抑制 記憶元件的儲存與保持特性。<，所以可改善半導體 在用於具體實施例的記憶單元_ 描述，最好是記憶功能單元包 /二』貫施例的 配置的-電荷保持膜，且 囬十仃 的一部分。當此―^單 成乎與間極側面平行擴充 元侔日士 隐早70用於具體實施例的半導體記情 70件4，記憶單元的重寫讳厗奋^ ^ 杜沾舌命 罵迷度會增加，所以半導體記憶元 件的重寫操作能以較高速執行。 如在具體實施例中使用的記憶單元，最好是在最佳 中使用前述的記憶單元。透過記憶單元，可體 憶元件的最好效率。 义 第十一具體實施例 除了選擇電晶體未配置之外，第十—具體實施例的半導 體圯憶7L件是類似第十具體實施例的半導體記憶元件。 圖23疋/、不同於圖2〇的一記憶單元陣列區域π〗的半導 體δ己憶元件電路圖。工作選擇電晶體4〇4與4〇5、工作選擇 線412與413、第一電壓輸入端斗^八丨至‘^叫、第二電壓輸 入端417Α2至417D4、一第一開關電晶體4〇6、一第二開關 電晶體407、開關電晶體選擇線414與415、感測放大器 O:\91\91174.DOC -56- 1243411 η是類似第十具體實施例 418八^舆418(：〇、與字線4〇心至4〇8 的半導體記憶元件（圖2〇)。 …、與401 nA至401 nD是分別直

β。此，需要設計記憶單元，所以除了選擇字線之外， 連接到字線的記憶單元不會重寫。 5己 fe 單元 401aA至 401aD、...、g 接連接到第一位元416AU416D1 在具體實施例的半導體記憶元件中，既然沒有選擇電晶 體，所以整合可大量增加。因此，製造成本可明顯減少， 並可獲得一便宜半導體記憶元件。 在本發明的記憶單元中，EEPR〇M問題的抹除是不會發 生。結果，特別最好是使用一半導體記憶元件的本發明記 憶單元，且該半導體記憶元件具有複數個字線，且沒有類 似有關下列理由的此具體實施例的選擇電晶體。在臨界值 由於。己f思單元（例如，記憶單元4〇丨aA)之一的抹除而變成負 值的情況，第一位元線416A1與第二位元線416A2始終會在 傳導狀態。在位元線之間連接的記憶單元是不會被選取。 弟十一具體貫施例 第十二具體實施例的半導體記憶元件可透過進一步增加 一 5己丨思單元陣列區域5 21的整合而獲得。 在圖24中，參考字元501aA1至5〇laA4、5〇laBi至 501aB4、與501ηΒ1至501nB4表示記憶單元，參考字元5〇8a

O:\91\91174.DOC •57· 1243411 至508η表示字線，且參考字元BA1sba5與BB1至BB5表示 位元線。記憶單元配置在半導體記憶元件的部分是不同於 第十與第十一具體實施例每一者部分是與每一位元線是由 屬於相鄰欄的記憶單元共用的點。具體而言，位元線A〕至 A4與位元線B 2至B 4是共用。雖然在四個攔中的記憶單元 構成在具體實施例中的一區塊，所以本發明並未限制攔數 量° 在半V體a己憶元件，讀操作能透過在例如屬於不同方塊 的圮憶單元501 aAl與501 bBl的兩個記憶單元中流動的電 流供應給輸入端之一與一感測放大器的另一輸入端，並偵 測在電流值之間的差而執行。在此情況，例如，感測放大 器之一輸入端與位元線八丨是彼此連接，且另一輸入端與位 疋線B1是彼此連接。此外，適於讀操作（例如，+ι·8伏特） 的電壓疋運用在位it線Α2與Β2。在圖24的虛線顯示在此時 流動的電流路徑。在路徑中的流動電流是供應給感測放大 器的兩個輸入端，且在電流之間的差可被偵測。在圖24中， 用以連接記憶單元、電壓輸入端與感測放大器的電路並未 顯示。 在具體實k例的半導體記憶元件，位元線是由屬於相鄰 攔的記憶單元共用，所以整合可大量增加。因此，製造成 本可大量減少，並可獲得一便宜半導體記憶元件。 第十三具體實施例 例如，如圖26所示的一半導體記憶元件應用範例，提到 一液晶面板影像調整的可重寫非揮發性記憶體。

O:\91\91174.DOC -58- 1243411 -液晶面板1001是透過—液晶驅動器1〇〇2驅動。在液晶 驅動器1 002中，提供一非揮發性記憶體i 003、- SRAM i _ 與一液晶驅動器電路1 0 0 S。非松A L， 包浴⑽5非揮發性記憶體1003是由本發 明的記憶單元構成，而且最好是由第十至第十三具體實施 例的任何半導體記憶元件構成。非揮發性記憶體则可從 外部重寫。在非揮發性記憶體1〇〇3中儲存的資訊是在一裝 置的電源啟動時轉移給SRAM 1GG4。液晶驅㈣電路祕 可依需要從srAM 1004讀取儲存的資訊。透過提供SRAM， 可達成儲存資訊的高讀取速度。 液晶驅動器贈可如圖26所示外部連接到液晶面板 1001，或在液晶面板1001形成。 ▲在液阳面板中，透過將多級電魔應用到像素而顯示色 凋可改。在特定電遷與顯示色調之間的關係是根據產品 而改變。結果，在產品完成之後，用以修正在每個產品中 變化”訊可儲存，且修正可在資訊的基礎上達成，藉此 使產品的影像品質可—4 ^ ^ 、了致11達成。因此，最吼是構成用以 儲子修正資訊的一可重寫非揮發性記憶體。如非揮發性記 憶體^最，是使用本發明的記憶單元。特別是使用整合本 發明§己憶單元66 ^ ϊ Z： ^ I _ 十至第十三具體實施例的任何半導體記 憶元件。 σ 、、成α己隐單兀與一液晶驅動器等的處理是容易的， 、ΰ字本H㈣吕己憶單元當作液晶面板影像調 性記憶體使用，所LV π收/ & 幻非禪表 …可~低製造成本。第十至第十三具體 貝也1、壬何半導體記憶元件的記憶體比例是相當小，且

O:\9I\91174.DOC -59- 1243411 广。可l度或—疋性重要的情況。既'然兩個記憶單元 (成對的記憶體單元）的輪出是輸入相同感測放大器，且在具 、犬員似4置結構的兩個記憶單元的流動電流之間的差可谓 所以讀操作能穩定與可靠執行。結果，每位元的一區 &可增加。然而，當與另一電路區域相比較，而當記憶體 &例很小k ’逐漸增加比例是允許的。通常，—液晶面板 影像調整的非揮發性記憶體具有例如一些〇㈣的容量， 且其記憶體比例是相當小。因此’特別最好將第十至第十 :具體實施例的任何半導體記憶元件當作液晶面板影像調 正的非揮發性記憶體使用。 第十四具體實施例 圖27顯示如同一可攜式電子裝置的可攜式電話，其中該 可攜式電話裝配有該半導體記憶元件。 可攜式電話主要是由一控制電路811、一電池812、一射 y員(RF)電路813、一顯示器814、一天線815、一信號線…、 電源線817等構成。在控制電路811中，裝配本發明的半 :體記憶元件。控制電路811最好使用具有與一記憶體電路 單70相同結構單凡、與如第十具體實施例描述的一邏輯電 路單元的積體電路。此有助於積體電路的製造，而且可 攜式電子裝置的製造成本可特別減少。 可攜式電子裝置的操作速度能增加，並透過使用可執行 南速讀才呆作的半導體記憶元件而降低製造成本，且其同時 安裝-記憶體部分、與一邏輯電路部分的處理對於一可攜 式電子衣置疋容易的。因此，一便宜高可信度、與高效率

O:\91\91174.DOC -60- 1243411 可攜式電子裝置可獲得。 既然本發明的半導體記憶元件可構成，所以一記憶單元 的一輪出能輸入一放大器，可讀取在記憶單元中儲存的資 訊。 无。己fe單元具有§己憶功能單元的記憶體功能、與閘電 一膜的電aa體操作功能，而不會使記憶體功能惡化，所 从閘絕緣膜可變薄，且短通道效應可被抑制。 、此外，相較於一EEPR0M，在擴散區域之間的電流值可 透過大里重寫而改變。因此，半導體記憶元件的寫狀態與 抹除狀態可從彼此而容易區別，所以能改善可信度。 而且’記憶單元形成處理是高度與正常電晶體形成處理 相容=因此，當與透過將傳統快閃記憶體當作一非揮發性 記：單，形成、並將放大器當作一正常電晶體形成而構成 半導體記憶元件的情況相比較，光罩數量、與處理數量可 :顯減少。因&，放大器與非揮發性記憶單元同時安裂的 晶片良率可改善，並降低成本，且可獲得便宜非常可靠半 ^體σ己ftTL件。在半導體記憶元件中，除了上述效應之外， 成“己隐單兀的輸出會輸入相同放大器，所以在具有相同 裝置結構的兩個記憶單元中電流流動之間的差可_。 因此，讀操作的可信度可改善。 在成對記憶單亓n + X , μ 勺閑極元全如同-字線功能，且成對記 〜早兀兀王八用在閘極兩端記憶功能單元的情況，用以連 1 ★的配線可簡化，半導體記憶元件的整合可增加 而要將母個§己憶單元的記憶功能單元分開，並簡化製造處

O:\91\91174.DOC -61 - 1243411 理。 當記憶單元能在記憶功能單元中累積不同電荷量的第一 ’、弟一儲存狀悲中重寫，且在讀取時，成對記憶是之一是 =儲存狀態，且另-記憶單元允許在第二儲存狀態中 二日二彼此不同的資訊可儲存在連接到一放大器的兩個 §己憶早二結果’當與將-記憶單元與-外部參考單元連 :到運异放大器的情況相比較，讀取的可信度可較高。 靖取速度可改善，並降低讀取電流值。 一—思單元中，當在一閘極兩端形成的兩個記憶功能單 :的每-者能在記憶功能單元所累積不同電荷量的第一與 第儲存狀恶中重寫，在讀取時，屬於相同記憶單元的兩 :記憶：能單元的儲存狀態是相@，且在屬於他成對記憶 單元Ί另—者的記憶功能單元中儲存的資訊是彼此不 同，在讀取時，該等記憶功能單元之-與連接到-放大器 的兩個記憶單元的另—記憶功能單元的儲存狀態是相同， 斤乂 "貝“作的可^度可更增加。在複數個成對記憶單元連 接㈣㈣大器的情況’成對記憶_連接到不同字線， 且一預定成對記憶單元的—輸出是輸人能透過選擇一字線 而輸入放大器，半導體記憶元件的整合便可更增加。 或多個電晶體串聯到記憶單元的情況，在讀取時的 問題是-未選擇記憶單元的關閉狀態電流會加人，以讀取 一選擇記憶單元的電流，且讀操作減少的最低限度可減少。 在記憶功能單元形成而使它的至少-部分與-部分擴散 區域重豐的情况，半導體記憶元件的足夠高讀取速度可達

O:\91\91174.DOC -62- 1243411 成。 在記憶功能單$ ~ 4 而#丄, 包括具有保持電荷功能的m声 面幾乎盘一閜的从1 』 肤 且具表 /、 、、、巴緣膜表面平形的情況，$彳立-- 效應變化可減少， 记丨思早兀的圮憶體 且半V體記憶元件的讀取恭 / 抑制。既然儲存及伴持資1…千〜取⑽變化可雙 所以可改盖半導/的§己憶單元特性變化可減少， 文。丰¥體記憶元件的儲存保持特性。 在具有保持電荷功 況，記憶單元的重寫速度會=因置==面:行的情 的重寫操作會增加。 Ά體3己憶7G件 當記憶功能單元呈古_ π k 0 八有、、、巴緣膜，用以將具有保持雷片# 能的一膜從一通道區蛣弋主 ’、 可力 、匚域或丰ν體層分開，且 閘絕緣膜薄，並具有崎微 斤“合6 又木次更大的厚度，半導體記憶 π件的寫刼作電壓與抹除操 ㈢减 >，或者，寫與抹除握 作能以較高速執行。既秋士时_ y…、 、 仃既然s己丨思早兀的記憶效果可增加，所 以可達成半導體記憶元件的高讀取速度。 在記憶功能單元呈有一绍綠 ，、有、、、巴緣膑，以將具有保持電荷功能 的一膜從通道區域^J丰婁舻思八0日 b U + V體層分開，且絕緣 膜厚，並具有20毫微米或更小 Ί巴緣 的乂子度’而不致使記憔罩开 的短通道影響惡化，可改盖保 心早兀 、 。/、持特性。、、、吉果，即使當增加 記憶元件的整合時’可獲得足夠儲存與保持特性。 既然本發明的-顯^件具有半導體記憶元件，所以在 製造顯示面板之後’非揮發性記憶單元可用來儲存用⑽ ，一——小/ |不口口 ’貞運 性。而且’用以形成一記憶單元與一邏輯電路部分 正顯示變化的資訊’藉此使顯示元件產品的影像品質達成 一致 +士0 品 0 ， m ” TT/ L、

O:\91\91174.DOC -63- 1243411 處理是容易的，所以可將製造成 # # ^ -T -, 成本抑制。因此，可獲得— 便且與可罪顯示元件。既然特 ^ 0 〇 ^ ^ ^ ^ j “式電子裝置的本 ?月電子裝置具有半導體記憶元件，所以可容易形成一己 體部份與一邏輯電路部分的處理’改善電子裝置的操作 速度，、減少製造成本，及獲得便宜與可#的顯示元件。 【圖式簡單說明】 “ 弓（第一具體貫施例）半導體記憶元件的一 記憶單元的主要部分截面圖，· 圖2A與2B疋構成本發明（第一具體實施例）半導體記憶元 件的另一記憶單元的主要部分截面圖； 圖3與4描述構成本發明（第一具體實施例）半導體記憶元 件的記憶單元寫操作； 圖5與6祂述構成本發明（第一具體實施例）半導體記憶元 件的§己憶單元抹除操作圖，· 圖7描述構成本發明（第一具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元讀操作圖； 圖8是構成本發明（第二具體實施例）半導體記憶元件的— 記憶單元主要部分截面圖； 圖9是在圖8記憶單元的一主要部分放大截面圖； 圖10是使圖8的記憶單元變形的另一單元主要部分放大 截面圖； 圖11顯示構成本發明(第二具體實施例)半導體記憶元件 的一記憶單元電特性圖； 圖12是構成本發明（第二具體實施例）半導體記憶元件的

O:\91\91174.DOC -64- 1243411 另一記憶單元主要部分截面圖； 圖13是構成本發明（第三具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖14疋構成本發明（往前具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖1 5是構成本發明（第五具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖16是構成本發明（第六具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖17是構成本發明（第七具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖18是構成本發明（第八具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖19疋構成本發明（第九具體實施例）半導體記憶元件的 一記憶單元主要部分截面圖； 圖20是本發明（第十具體實施例）的一半導體記憶元件電 路圖； 圖21A至21D顯示本發明（第十具體實施例）半導體記憶元 件的兩個記憶單元執行兩位元運算觀念圖； 圖22 A與22B顯示本發明（第十具體實施例）半導體記憶元 件的兩個記憶單元執行的一位元運算觀念圖； 圖23與24是本發明（第十一與第十二具體實施例）的半導 體記憶元件電路圖； 圖25是一標準電晶體的主要部分截面圖；

O:\91\91174.DOC -65 - 1243411 圖26疋組合成本發明（第十三具體實施例）半導體記憶元 件的一液晶裝置方塊圖； 圖27疋組合成本發明（第十四具體實施例）半導體記憶元 件的一可攜式電子裝置方塊圖； 圖28是先前技術的一快閃記憶體主要部分截面圖； 圖29顯示先前技術的一快閃記憶體的電特性圖。 【圖式代表符號說明】 記憶單元 104 、 713 閘極 103 、 214 、 712 閘絕緣膜 109 > 242 矽氮化物膜 105 記憶功能單元 107 N型擴散區域 120 、 271 偏移區域 121 區域 102 P型井區 101 、 211 、 711 、 901 半導體基板 111 細^教粒 112 > 907 絕緣膜 131 旱兀 226 反轉層 261 、 262 、 301 、 401 、 601 記憶功能單元 281 區域 212 、 212 、 231 擴散區域 O:\91\91174.DOC -66- 1243411 241 、 243 217 317 、 417 302 、 303 、 304 、 305 316 306 、 406 、 307 、 407 318 、 418 、 618 315 416 714 717 718 719 501 508 、 903 1001 1002 1004 1005 1003 815 813 817 812 石夕氧化物膜 閘極 電壓輸入端 選擇電晶體 位元線 開關電晶體 感測放大器 選擇線 第一位元 側壁間隔物 源極區域 >及極區 輕度沉積汲極區域 記憶單元 字線 液晶面板 液晶驅動器 靜態隨機存取記憶體 液晶驅動電路 非揮發性記憶體 天線 射頻電路 電源線 電池 O:\91\91174.DOC -67- 1243411 814 顯示器 816 信號線 811 控制電路 902 浮動閘 906 元件隔離區域 904 源極線 905 位元線 O:\91\91174.DOC -68-

Claims (1)

1243411 第093103334號專利申請案 令文申請專利範圍替換本(94年5月） 拾、申請專利範園： 1.:種半導體記憶元件，該半導體記憶元件包括：一記憶 八有、’’呈由—閘絕緣膜而在一半導體層形成的一 間極；一通道區域，其配置在該閉極下面；-擴散區域， 其配置在該通道區域的兩端，並具有與該通道區域相反 的傳導類型，與s己憶功能單元，其是在該閉極的兩端 形成’並具有保持電荷功能；及一放大器、該記憶單元 與該放大器是彼此連接，所以該記憶單元的一輸出能輸 入該放大器。 2. 如申請專利範圍第i項之半導體記憶元件，其中一或多個 電晶體是串聯到該記憶單元。 3. 如申請專利範圍第i項之半導體記憶元件，其中該記憶功 此早疋能形成’所以至少一部分記憶功能單元能與一部 分擴散區域重叠。 (如申請專利範圍第i項之半導體記憶元件，其中該記憶功 ^早凡包括具有保持電荷功能的一膜，且其表面是幾乎 與一閘絕緣膜的表面平行。 5. ^料利範圍第4項之半導體記憶元件，其中該具有保 持電何功能的臈是配置幾乎與該閑極端面平行。 6. 2請專利範圍第4項之半導體記憶元件，其中該記憶功 =元具有用以將膜分開的-絕緣膜，其中該膜具有保 寺來自該通道區域或該半導體層電荷的功能，且該 膜比該間絕緣膜薄，並具有0.8毫微米或更大的厚度。、、 1243411 7·如申請專利範圍第4項之半導體記憶元件，其中該記憶功 能單元具將膜分開的一絕緣膜，其中該膜具保持來自該 通道區域或該半導體層電荷的功能，具該絕緣膜比該閘 絕緣膜厚，並具有2〇毫微米或更小的厚度。 8·種顯不元件，其係具有顯示面板及顯示面板用驅動器 者’該驅動器具有非揮發性記憶體、SRAM及驅動器電 路，其特徵在於： 該非揮發性記憶體包含如申請專利範圍第1項之半導 體記憶元件，且係配置為可將記憶於該非揮發性記憶體 中之資訊，經該SRAM由該驅動器電路讀出。 9· 一種可攜式電子裝置，其係具有經電源線連接於電池之 控制電路及射頻電路、由信號線連接於該控制電路之顯 不器及該射頻電路、及經該信號線連接於該射頻電路之 天線者，其特徵在於： 該控制電路包含如申請專利範圍第1項之半導體記憶 元件。 10· —種半導體記憶元件，該半導體記憶元件包括··一記憶 單元，其具有經由一閘絕緣膜而在一半導體層形成的一 閘極；一通道區域，其配置在該閘極下面；一擴散區域， 其配置在該通道區域的兩端，並具有與該通道區域相反 的一傳導類型；與記憶功能單元，其是在該閘極的兩端 形成，並具有保持電荷功能；及一放大器、該等記憶單 元是成對’且該等成對記憶單元的輸出被輸入相同放大 器0 O:\91\91174-940512.DOC 1243411 u·如中請專利範圍第1G項之半導體記憶元件，其中該等成 L己隐體單元的閘極的整個功能如同一字線，且該等成 思單元疋元王共用在該等閘極兩端上的該等記憶功 能單元。 心 12·:申請專利範圍第10項之半導體記憶元件，其中該記憶 早元在該等記憶功能單元累積不同電荷量的第一與第二 =存狀i中是可重寫’而且在讀取時’該等成對記憶單 疋之-是在第-儲存狀態，且另—記憶單元允許在第二 儲存狀態操作。 13·如申請專利範圍第10項之半導體記憶元件，其中該記憶 單疋在一閘極兩端形成的兩個記憶功能單元每一者中累 積不同電荷量的第一與第二儲存狀態中是可重寫，在讀 取時，屬於相同記憶單元的兩個記憶功能單元的一儲存 狀態是相同，且在屬於該等成對記憶單元的一與另一者 的記憶功能單元中所儲存的資訊彼此不同。 14·如申請專利範圍第10項之半導體記憶元件，其中複數個 成對記憶單元連接到相同放大器，該等成對記憶單元連 接到不同字線，且一預定成對記憶單元的一輸出能透過 選擇一字線而輸入該放大器。 15.如申請專利範圍第1〇項之半導體記憶元件，其中該等一 或多個電晶體是與該記憶單元串聯。 16·如申請專利範圍第1〇項之半導體記憶元件，其中該記憶 功能單元能形成，所以至少一部分記憶功能單元能與一 部分擴散區域重疊。 O:\91\91174-940512.DOC 1243411 17·如申請專利範圍第丨n 、之半導體記憶元件，：a：中今$ 1音 功能單元包括具有保持 〃中該4 伞彻99 电何功犯的一膜，且其表面是幾 乎/、一閘絕緣膜的表面平行。 18. 如申請專利範圍第17項之半導體記憶元件，其㈣且有 保持電荷功能的膜配置是幾乎與閘極側面平行。〃 19. 如申請專利範圍第17項 、半導體β己憶70件，其中該記憶 單元具有—絕緣膜，用以將具有保電荷功能的膜從 該通道㈣或半導體層分開，而且該絕緣膜是比該閉絕 緣膜薄’且具有0.8毫微来或更大的厚度β 20. 如申請專利範圍第17項之半導體記憶元件，其中該記憶 功能單元具有-絕緣膜，以將具有保持電荷功能的膜從 該通道區域或半導制分開，且該絕制是*該閉絕緣 膜厚，並具有20毫微米或更小的厚度。 21. —種顯示元件，其係包含顯示面板及顯示面板用驅動器 者’該驅動器包含非揮發性記憶體、SRAM及驅動器電 路，其特徵在於： 該非揮發性記憶體包含如申請專利範圍第10項之半導 體記憶元件，且係配置為可將記憶於該非揮發性記憶體 中之資訊，經該SRAM由該驅動器電路讀出。 2 2 · —種可攜式電子裝置，其係包含經電源線連接於電池之 控制電路及射頻電路、由信號線連接於控制電路之顯示 器及該射頻電路、及經該信號線連接於該射頻電路之天 線者，其特徵在於： 該控制電路包含如申請專利範圍第10項之半導體記憶 元件。 O:\91\91174-940512.DOC