TW202502103A - 電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種基材與薄膜銅層的密合力優異且用於形成電路板的後段製程中所需的蝕刻性及抗電鍍液性佳的電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜。電路板用導電性薄膜，依次具備基材、和覆蓋基材並包括含有帶核金屬的帶核金屬層的披覆層，帶核金屬層具有矽，帶核金屬以分散的狀態設置在基材上，披覆層包含薄膜銅層，在該基材上均勻地層疊了帶核金屬的情況下，帶核金屬層的平均厚度為小於等於1.5nm。
Description
本發明係有關電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜。更詳細而言，本發明係有關基材與薄膜銅層的密合力優異且用於形成電路板的後段製程中所需的蝕刻性及抗電鍍液性佳的電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜。
習知已開發了一種用於撓性電路板等的層疊體（如日本專利文獻1～2所示）。這種層疊體要求在耐熱環境下基材與薄膜銅層之間具有優異的密合力。
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2007-130995號公報
專利文獻2：日本專利特開2017-76586號公報
然而，日本專利文獻1～2中記載的層疊體在用於形成電路板的後段製程中，耐蝕刻性和抗電鍍液性不佳。
本發明有鑒於上述現有技術而發明之，本發明的目的在於提供一種基材與薄膜銅層的密合力優異且用於形成電路板的後段製程中所需的蝕刻性及抗電鍍液性佳的電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜。
本發明人乃特潛心研究利用在基材上設置包含有矽的帶核金屬的帶核金屬層，使帶核金屬分散並調整帶核金屬層的平均厚度，可以得到不僅基材與薄膜銅層的密合力優異，而且用於形成電路板的後段製程中所需的蝕刻性及抗電鍍液性也佳的電路板用導電性薄膜，終於完成了本發明。亦即，在解決上述問題的本發明的電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜中，主要包括以下構造。
（1）、一種電路板用導電性薄膜，依次具備基材、和覆蓋該基材並包括含有帶核金屬的帶核金屬層的披覆層，該帶核金屬層具有矽，該帶核金屬以分散的狀態設置在該基材上，該披覆層包含薄膜銅層，在假設該帶核金屬均勻地層疊在該基材上的情況下，該帶核金屬層的平均厚度為小於等於1.5nm。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜在基材與薄膜銅層之間的密合力優異的同時，具有用在形成電路板的後段製程中所需要的優異的蝕刻性、以及優異的抗電鍍液性。
（2）、如（1）所述之電路板用導電性薄膜，其中，該披覆層在該基材側還包括有鎳合金層。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜的基材與薄膜銅層之間的密合力更優異。
（3）、如（1）或（2）所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層設置在該薄膜銅層上。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜的基材與薄膜銅層之間的密合力更優異。
（4）、如（2）所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層設置在該鎳合金層上。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜的基材與薄膜銅層之間的密合力更優異。
（5）、如（1）至（4）任一項所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層的表面電阻值大於等於1.0×10
10/□。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜的帶核金屬層不具有導電性，為一種海島結構狀的不連續膜。因此，電路板用導電性薄膜在後段製程中具有更優異的蝕刻性。
（6）、如（1）至（5）任一項所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層的電阻率值為大於等於1.0×10
-3Ω·m。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜的帶核金屬層不具有導電性，為一種海島結構狀的不連續膜。因此，電路板用導電性薄膜在後段製程中具有更優異的蝕刻性。
（7）、一種電路板用薄膜，包括有如（1）至（6）任一項所述之電路板用導電性薄膜，和設置在該薄膜銅層上的電鍍銅層。
根據這樣的構造，電路板用導電性薄膜適用於電路板的用途。
根據本發明，可以提供基材與薄膜銅層的密合力優異且用於形成電路板的後段製程中所需的蝕刻性及抗電鍍液性佳的電路板用導電性薄膜及電路板用薄膜。
＜電路板用導電性薄膜＞
（第1實施例）
本發明之一實施例的電路板用導電性薄膜依次具備：基材、和覆蓋基材並包含帶核金屬的帶核金屬層的披覆層。帶核金屬層包含矽。帶核金屬以散布的狀態設置在基材上。披覆層包括薄膜銅層。假設在基材上均勻地層疊了帶核金屬的情況下，帶核金屬層的平均厚度為小於等於1.5nm。以下，將對各自的結構進行說明。
第1圖繪製本實施例的電路板用導電性薄膜1的剖面示意圖。如第1圖所示，本實施例的電路板用導電性薄膜1依次具備：基材2、含有帶核金屬3的帶核金屬層4、以及薄膜銅層5。在第1圖中，元件符號7表示設置在電路板用薄膜9（後述）上的電鍍銅層。此外，披覆層6覆蓋基材2並包括帶核金屬層4以及薄膜銅層5。在本實施例中，薄膜銅層5是披覆層的一個示例。
•對基材
基材並沒有特別限定。只要是能夠形成薄膜銅層（後述）或帶核金屬層的基材即可。舉例來說，基材可以是氟樹脂薄膜（PTFE薄膜、PFA薄膜等）、LCP薄膜、PI薄膜、透明PI薄膜、MPI薄膜、COP薄膜、聚酯系薄膜、烯烴系薄膜等。其中，基材較佳為PTFE膜、透明PI膜、LCP膜，更佳為PTFE。
基材中可以添加習知的添加劑，例如抗靜電劑、紫外線吸收劑、增塑劑、潤滑劑、著色劑等。另外，基材也可以是在一側或兩側預先塗布了矽烷偶聯劑、丙烯酸、聚酯、環氧樹脂等樹脂層的基材。
另外，作為預處理步驟，也可以對基材進行等離子處理。舉例來說，預處理步驟包括利用最大功率密度為0.5至20(W/cm
2)的高壓脈衝所產生的氬和氧等離子的兩步驟處理。由此，基材與薄膜銅層的密合力優異。所得到的電路板用導電性薄膜在可撓性印刷電路板（FPC）中的撓性覆銅箔積層板（FCCL）等技術領域中，在加工步驟、產品出貨後具有優異的可靠性。
基材的厚度並沒有特別限定，舉例來說，基材的厚度較佳為大於等於4μm，更佳為大於等於12μm，更佳為大於等於25μm。另外，基材的厚度較佳為小於等於300μm，更佳為小於等於250μm，更佳為小於等於200μm。當基材的厚度在上述範圍內時，電路板用導電性薄膜在加工過程中具有優異的操作性和彎曲性。另外，電路板用導電性薄膜容易適用於可彎曲的電路板用的用途。另外，基材的平均厚度可以根據薄膜的用途進行適當調整。例如，在要求更薄、高彎曲性的用途中，基材的平均厚度可以選擇接近6μm的厚度。另外，從絕緣性、高可靠性、操作性來考慮，基材的平均厚度可以選擇接近300μm的厚度。
•帶核金屬層
本實施例的帶核金屬層是設置在薄膜銅層上的層，設置在基材上並包含具有矽的帶帶核金屬。
帶核金屬只要含有矽即可，並沒有特別限定。舉例來說，帶核金屬可以是SiCo (Si-50 Co，Si∶Co=50 wt%∶50 wt%)、SiC (Si-50C，Si∶C=50 wt%∶50 wt%)、Si (Si=100 wt%)、SiCoNx (SiCo的氮化物)、SiCoOx (SiCo的氧化物)、SiCNx (SiC的氮化物)、SiNx (Si的氮化物) 等。其中，帶核金屬較佳為SiCo、SiC等。利用使用這些帶核金屬，電路板用導電性薄膜具有優異的密合力。另外，在上述中，「Si-50 Co」及「Si-50C」均為濺鍍靶的組成比。在本實施例中，確認了使用這些靶成膜時的濺鍍膜中的組成比也與靶的組成比相同。
在本實施例中，對帶核金屬中的矽含量沒有特別限定。舉例來說，在帶核金屬中，矽含量較佳為大於等於30質量%，更佳為大於等於40質量%，再更佳為大於等於45質量%。另外，矽含量在帶核金屬中可以為100質量%。當矽含量在上述範圍時，電路板用導電性薄膜的基材與薄膜銅層的密合力優異。另外，當矽含量在上述範圍時，電路板用導電性薄膜在電路形成時的蝕刻中，更容易維持表面絕緣性。
在本實施例中，帶核金屬以分散的狀態設置在基材上。在本實施例中，例如利用觀察剝離界面的SEM照片，確認帶核金屬層中的帶核金屬的痕跡，能夠掌握帶核金屬是否處於分散狀態。另外，帶核金屬是否處於分散狀態，也可以利用確認未形成由帶核金屬形成的連續膜來確認。例如，當在基材上以預定的膜厚形成帶核金屬層來測定表面電阻值時，將隨著膜厚的增加，從不連續膜往連續膜變化。轉變為連續膜後，表面電阻值大幅降低。其結果，算出此時的膜厚，並利用採用比該膜厚小的膜厚，能夠掌握帶核金屬分散的狀態。更具體而言，在本實施例的電路板用導電性薄膜中，帶核的金屬層的膜厚為0.6 nm時的表面電阻值約為1.0×10
14(Ω/□) ，而帶核的金屬層的膜厚為1.6 nm時的表面電阻值約為23×10
6(Ω/□)。由此可知，在本實施例的電路板用導電性薄膜中，當帶核金屬層的膜厚（平均厚度）為小於等於1.5nm時，帶核金屬能夠以適當分散的狀態存在。
另外，在本實施例中，帶核金屬實質上不含有Ti、Al及Ni。由於帶核金屬實質上不含Ti，因此在製作配線時的電路加工形成步驟中，具有優異的蝕刻特性。另外，由於帶核金屬實質上不含Al，因此在電解鍍銅步驟中，Al不會溶解，其結果是密合力不會降低。另外，由於帶核金屬實質上不含Ni，因此可以降低製造時的成本。
回到帶核金屬層的說明，帶核金屬層中的帶核金屬的含量並沒有特別限定。舉例來說，帶核金屬的含量較佳為大於等於95質量%，更佳為大於等於99質量%，再更佳為大於等於99.5質量%。另外，在本實施例中，帶核金屬層中也可以包含除了帶核金屬以外不可避免地含有的雜質。
在本實施例中，帶核金屬層的表面電阻值較佳為大於等於1.0×10
10Ω/□，更佳為大於等於1.0×10
11Ω/□，再更佳為大於等於為1.0×10
12Ω/□。當帶核金屬層的表面電阻值在上述範圍時，帶核金屬層不具有導電性，且可成為具有海島結構狀的不連續膜。因此，電路板用導電性薄膜在後段製程中具有更優異的蝕刻性。另外，在本實施例中，將薄膜在氯化亞鐵水溶液中浸漬15秒後，使用LCR Hi-Tester（LCR Hi-Tester 3532-50，日置電機（股）製），在測定電壓為直流500 V下測定表面絕緣性，從而測定表面電阻值。
第2圖繪製帶核金屬層的膜厚與表面電阻值的關係圖表。該圖表是作為樣品，在基材（PET薄膜，厚度50μm）上作為帶核金屬層，按照預定的厚度透過磁控濺鍍成膜形成SiCo膜（Si-50 Co），接著，透過磁控濺鍍成膜形成薄膜銅層（厚度0.12μm），接著，透過電解電鍍，對電鍍銅層（厚度20μm）進行圖案形成，對所得到的樣品，透過與上述相同的方法進行蝕刻處理後，測定表面電阻值而繪製的圖表。如第2圖所示，從各測定結果的近似曲線可以看出，當SiCo膜的膜厚為小於等於1.5nm時，表面電阻值可以達到1.0×1010（Ω/□）。如上所述，本實施例的電路板用導電性薄膜在帶核金屬層的膜厚為小於等於1.5nm時，顯示出優異的絕緣性，因此可以說具有優異的蝕刻性。另外，第2圖是根據SiCo膜，但使用Si單體、Si與其他金屬的合金、含有Si的其他化合物等代替SiCo時也同樣。特別是，Si單體、以及Si與其他金屬的合金的氧化物、氮化物、氧氮化物等的電阻值比Si單體、以及Si與其他金屬的合金的電阻值高。因此，在帶核金屬層的膜厚為小於等於1.5nm的情況下，表面電阻值可以達到1.0×10
10(Ω/□)。
此外，帶核金屬層的電阻率值較佳為大於等於1.0×10
-3Ω·m，更佳為大於等於1.0×10
-2Ω·m，再更佳為大於等於1.0×10
-1Ω·m。當帶核金屬層的電阻率值在上述範圍時，帶核金屬層不具有導電性，可以成為海島結構狀的不連續膜。因此，電路板用導電性薄膜在後段製程中具有更優異的蝕刻性。
對帶核金屬層的厚度並沒有特別限定，舉例來說，帶核金屬層的厚度較佳為大於等於0.1nm，更佳為大於等於0.2nm，再更佳為大於等於0.3nm。另外，帶核金屬層的厚度為小於等於1.5 nm即可，較佳為小於等於1.3nm，更佳為小於等於1.0nm。當帶核金屬層的厚度在上述範圍時，電路板用導電性薄膜可以兼顧具有密合力和蝕刻特性。特別是，當帶核金屬層的厚度超過1.5 nm時，電路板用導電性薄膜的蝕刻特性受損，另外，由於膜厚變厚而使生產性惡化且經濟性容易受損。
在本實施例中，帶核金屬層具有微細的凹凸。另外，上述帶核金屬層的厚度是假定在基材上均勻地層疊有帶核金屬時的平均厚度。在本實施例中，帶核金屬層的平均厚度可以使用X射線螢光測定裝置來測定。具體而言，首先，準備形成有複數個水平的預定厚度的帶核金屬層的基板，利用接觸式步距規測定複數個水平的預定厚度的帶核金屬層的物理膜厚。另外，使用X射線螢光測定裝置（XRF、Primini（桌上型波長分散式X射線螢光分析裝置)、日本Rigaku股份有限公司製造)，透過定量分析來測定複數個水平的預定厚度的帶核金屬層中的帶核金屬層的量。根據接觸式步距規測定的膜厚和使用有XRF的定量分析測定的帶核金屬層材料的量，製作校準曲線。透過使用XRF對薄膜進行定量分析，檢測源自帶核金屬層的各元素成分，將10處的測定值的平均值作為平均厚度。帶核金屬層的平均厚度可以認為是上述微細的凹凸輪廓中的平均值。即使帶核金屬層是不連續膜並以分散的狀態存在也同樣適用。
在基材上設置帶核金屬層的方法沒有特別限定，例如，帶核金屬層可以透過乾式電鍍法來設置。在乾式電鍍法中，可以舉出：濺鍍法、磁控濺鍍法、真空蒸鍍法、離子束法、CVD法。從膜厚控制的觀點來看，較佳為磁控濺鍍法。
•薄膜銅層
薄膜銅層設置於帶核金屬層上。
薄膜銅層的厚度並沒有特別限定。例如，薄膜銅層的厚度較佳為大於等於50nm，更佳為大於等於60nm，再更佳為大於等於70nm。另外，薄膜銅層的厚度較佳為小於等於5μm，更佳為小於等於3μm，再更佳為小於等於2μm。當薄膜銅層的厚度在上述範圍時，電路板用導電性薄膜容易透過電解鍍銅而被厚膜化。另外，電路板用導電性薄膜的生產性優異。
設置薄膜銅層的方法並沒有特別限定，舉例來說，薄膜銅層可以透過習知的真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等物理蒸鍍法或化學蒸鍍法等來形成。蒸鍍條件可以根據所希望的薄膜銅層的厚度適當採用習知的條件。
以上的本實施例的電路板用導電性薄膜，在基材與薄膜銅層之間的密合力優異的同時，還具有用在形成電路板的後段製程中所需的優異的蝕刻性、以及優異的抗電鍍液性。
（第2實施例）
本發明之一實施例的電路板用導電性薄膜，在與第1實施例相關的上述電路板用導電性薄膜中，披覆層除了薄膜銅層以外，在基材側還設置有鎳合金層。帶核金屬層是設置在鎳合金層上。亦即，在本實施例中，是將薄膜銅層及鎳金屬層作為披覆層而設置的例子。由此，本實施例的電路板用導電性薄膜的基材與薄膜銅層之間的密合力更佳。該注意的是在以下的說明中，將適當地省略與第1實施例共同的事項的描述。
第3圖繪製本實施例的電路板用導電性薄膜1a的剖面示意圖。如第3圖所示，本實施例的電路板用導電性薄膜1a依次具備：基材2a、包含帶核金屬3a的帶核金屬層4a、鎳合金層8及薄膜銅層5a。另外，在第3圖中，元件符號7a是在電路板用薄膜（後述）上設置的電鍍銅層。此外，披覆層6a覆蓋基材2，並包括帶核金屬層4a、鎳合金層8以及薄膜銅層5a。
•鎳合金層
鎳合金層設置在帶核金屬層和薄膜銅層之間。
對構成鎳合金層的鎳合金沒有特別限定，舉例來說，鎳合金中含有的合金成分為Cu、Cr、Ti、Mo、Fe等。其結果，鎳合金例如為Ni-Cu合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Ti合金等。透過採用此等作為鎳合金，電路板用導電性薄膜的密合力更加優異。另外，關於鎳及其他合金成分，例如，「Ni-35 Cu」及「Ni-7 Cr」均為濺鍍靶的組成比。在本實施例中，確認了使用這些靶成膜時的濺鍍膜中的組成比也與靶的組成比相同。
鎳合金層中的鎳合金的含量並沒有特別限定，例如，鎳合金的含量較佳為大於等於95質量%，更佳為大於等於99質量%，再更佳為大於等於99.5質量%。另外，在本實施例中，鎳合金層中也可以含有鎳合金以外不可避免地含有的雜質。
鎳合金層的厚度並沒有特別限定。舉例來說，鎳合金層的厚度較佳為大於等於3nm，更佳為大於等於4nm，再更佳為大於等於5nm。另外，鎳合金層的厚度較佳為小於等於100 nm，更佳為小於等於50nm，再更佳為小於等於25nm。當鎳合金層的厚度在上述範圍時，電路板用導電性薄膜具有優異的密合力和生產性。
另外，在本實施例中，帶核金屬是否處於散布在基材上的狀態，例如可以透過觀察剝離界面的SEM照片並確認帶核金屬層中的帶核金屬的痕跡來掌握。第4圖繪製本實施例的電路板用導電性薄膜的具體例子（後述的實施例39）的剝離界面的SEM照片（金屬側）。具體而言，將後述的實施例39中製作的電路板用導電性薄膜的基材與帶核金屬層的界面剝離。然後，從金屬層一側獲取SEM照片，從而可以掌握帶核金屬的痕跡。如第4圖所示，帶核金屬層4a散布有複數個作為帶核金屬的痕跡的凹部3b。
設置鎳合金層的方法並沒有特別限定。舉例來說，鎳合金層可以透過習知的真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等物理蒸鍍法或化學蒸鍍法等形成。蒸鍍條件可以根據所希望的鎳合金層的厚度適當採用習知的條件。
以上的本實施例的電路板用導電性薄膜，在基材與薄膜銅層之間的密合力優異的同時，還具有用在形成電路板的後段製程中所需的優異的蝕刻性、以及優異的抗電鍍液性。另外，本實施例的電路板用導電性薄膜透過設置鎳合金層，使基材與薄膜銅層之間的密合力更優異。
＜電路板用薄膜＞
如第1圖所示，在本發明之一實施例中，電路板用薄膜9包括：上述電路板用導電性薄膜1；和在薄膜銅層5上設置的電鍍銅層7。以下將分別進行說明。另外，在以下的說明中，由於構成電路板用薄膜的電路板用導電性薄膜與上述電路板用導電性薄膜相同，因此適當省略了共同事項的說明。
•電鍍銅層
電鍍銅層設置於薄膜銅層上。
設置電鍍銅層的方法並沒有特別限定。舉例來說，電鍍銅層可以透過電場電鍍法來設置。電場電鍍條件可以根據所希望的電鍍銅層的厚度，適當採用習知的條件。
另外，在製作電路板時，透過對電鍍銅層進行圖案化，從而形成電路圖案。在形成電路圖案時，一般為使用蝕刻溶液。於此，已切割圖案的配線之間必須彼此絕緣。因此，在蝕刻時，不僅是電鍍銅層、薄膜銅層，其下面的帶核金屬層（以及鎳合金層）也必須用蝕刻溶液去除。如上所述，刻蝕後的帶核金屬層的表面電阻值可以大於1.0×10
10Ω/□。因此，可以說電路板用薄膜被充分蝕刻，具有優異的蝕刻性。
電鍍銅層的厚度並沒有特別限定。舉例來說，電鍍銅層的厚度較佳為大於等於1μm，更佳為大於等於2μm。另外，電鍍銅層的厚度較佳為小於等於50μm，更佳為小於等於30μm。當電鍍銅層的厚度在上述範圍時，電路板用薄膜可以兼具有低電阻化和生產性。
以上，根據本實施例的電路板用薄膜，使用了上述電路板用導電性薄膜。上述的電路板用導電性薄膜在基材與薄膜銅層之間具有優異的密合力的同時，還具有用於形成電路板的後段製程中所需的優異的蝕刻性、以及優異的抗電鍍液性。因此，所得到的電路板用薄膜適用於電路板的用途。
［實施例］
以下，透過實施例更具體地說明本發明。本發明不限於此等實施例。另外，只要沒有特別限定，「%」表示「質量%」，「份」表示「質量份」。
＜實施例1＞
以PTFE薄膜（氟樹脂基材，V7990，Valqua (股) 製造）為基材，並使用高壓脈冲電源，在表1所示的成膜條件下，在氬氣環境下，透過Si-50 Co的高壓脈冲濺鍍進行成膜。接著，在表1所示的成膜條件下進行薄膜銅層的成膜，製作出電路板用導電性薄膜。另外，帶核金屬層的平均厚度是使用X射線螢光測定裝置測定的厚度。具體而言，首先，準備形成有複數個水平的預定厚度的帶核金屬層的基板，並透過接觸式步距規測定複數個水平的規定厚度的帶核金屬層的物理膜厚，使用X射線螢光測定裝置（XRF、Primini（桌上形波長分散式X射線螢光分析裝置）、(股) Rigaku製）並透過定量分析測定複數個水平的預定厚度的帶核金屬層中的帶核金屬層的量，由透過接觸式步距規測定的膜厚和使用XRF 進行定量分析測定的帶核金屬層材料的量來製作校準曲線，使用XRF 對薄膜進行定量分析，檢測源自帶核金屬層的各元素成分，並取10個位置的測定值的平均值作為平均厚度，從而計算出厚度。
＜實施例2～5、比較例1～7＞
除了變更為表1中記載的配方及條件以外，其他將按照與實施例1相同的方法製作了電路板用導電性薄膜。另外，在表1及後述的表2～表3中，基材的前處理在氬環境下實施了等離子處理。
＜實施例6～9、比較例8～15＞
除了將基材變更為PI薄膜（聚酰亞胺基材，Kapton100 EN，日本東麗·杜邦 (股) 製）、以及變更為表2中記載的配方及條件以外，其他按照與實施例1相同的方法製作了電路板用導電性薄膜。
＜實施例10～12、比較例16～21＞
除了將基材變更為COP薄膜（環烯聚合物基材，Kapton ZF-16，日本ZEON (股) 製）、以及變更為表3中記載的配方及條件以外，其他按照與實施例1相同的方法，製作了電路板用導電性薄膜。
＜實施例13＞
以PTFE薄膜（氟樹脂基材，V7990， Valqua (股) 製造）為基材，使用高壓脈衝電源，在表4～表5記載的成膜條件下，在氬氣環境下透過SiCo的高壓脈衝濺鍍進行成膜。接著，在表1所示的成膜條件下進行鎳合金層及薄膜銅層的成膜，製作了電路板用導電性薄膜。
＜實施例14～31、比較例22～28＞
除了變更為表4～表5中記載的配方及條件以外，其他按照與實施例13相同的方法，製作了電路板用導電性薄膜。另外，在表4～表5及後述的表6～表7中，基材的預處理在氬氣環境下實施了等離子處理。
＜實施例32～39、比較例29～36＞
除了將基材變更為PI薄膜（聚酰亞胺基材，Kapton 100 EN，日本東麗·杜邦 (股) 製) 、以及變更為表6 (包括表6-1及表6-2) 中記載的配方及條件以外，其他按照與實施例13相同的方法，製作了電路板用導電性薄膜。
＜實施例40～51、比較例37～46＞
除了將基材變更為COP膜（環烯烴聚合物基材、Kapton ZF-16、日本ZEON (股) 製)、以及變更為表7 (包括表7-1及表7-2) 中記載的配方與條件之外，其他按造與實施例13相同的方法，製作了電路板用導電性薄膜。。
對於上述實施例和比較例中得到的電路板用導電性薄膜，按照以下的方法進行了各種評估。結果如表1～表7所示。
（1）密合力
對薄膜的成膜面側，透過電解電鍍將銅電鍍到20μm的厚度，並設置電鍍銅層。之後，切成寬度為5mm的短條狀，使用剝離強度試驗機（自動拉伸試驗機，AGS-100G，日本島津製作所 (株) 製造），在180°剝離下以50mm/min的速度拉伸測定基材與包含電鍍銅層的金屬側的剝離力（剝離強度）。另外，在本試驗中，測定了剝離基材與金屬層的界面時的負荷。在這種情況下，由於在最弱的部分發生剝離，因此可以認為剝離可能發生在基材與金屬層（薄銅層或鎳合金層）之間的界面處或由於基材的材料失效而發生。
（2）蝕刻性
將薄膜浸漬在氯化鐵水溶液中15秒後，使用LCR Hi-Tester（LCR Hi-Tester 3532-50，由日本日置電機 (股) 製）並在DC 500V的量測電壓下測量表面絕緣性能，並根據以下評估標準來評估蝕刻性。
（評估標準）
○：在氯化鐵水溶液中浸漬（15秒）後，薄膜的表面電阻值為大於等於1.0×10
10Ω/□。
× ：在氯化鐵水溶液中浸漬（15秒）後，薄膜的表面電阻值小於1.0×10
10Ω/□。
（3） 抗電鍍液性
在薄膜上設置帶核金屬層和薄銅層後，在電解鍍銅步驟中透過將其浸入到電鍍液（五水硫酸銅水溶液）中指定時間來進行電解鍍銅時，評估薄膜上是否存在薄膜。
（評估標準）
○：浸漬於電鍍液（硫酸銅五水合物水溶液）後，薄膜上殘留有薄膜。
× ：浸漬於電鍍液（硫酸銅五水合物水溶液）後，無法維持在薄膜上形成薄膜的狀態，帶核金屬層和薄銅層剝離或溶解。
如表1至表7所示，本發明實施例的電路板用導電性薄膜和電路板用薄膜均在基材與薄膜銅層之間具有優異的密合力，並且具有用在形成電路板的後段製程中所需的優異的蝕刻性和抗電鍍液性。
1,1a:電路板用導電性薄膜
2,2a:基材
3,3a:帶核金屬
3b:凹槽
4,4a:帶核金屬層
5,5a:薄膜銅層
6,6a:披覆層
7,7a:鍍銅層
8:鎳合金層
9:電路板用薄膜
第1圖繪製本發明之一實施例（第1實施例）的電路板用導電性薄膜的剖面示意圖。
第2圖繪製電路板用導電性薄膜中的帶核金屬層的膜厚與表面電阻值的關系圖表。
第3圖繪製本發明之一實施例（第2實施例）的電路板用導電性薄膜的剖面示意圖。
第4圖繪製本發明之一實施例的電路板用導電性薄膜的具體例子（後述的實施例39）的剝離界面的SEM照片（金屬側）。
1:電路板用導電性薄膜
2:基材
3:帶核金屬
4:帶核金屬層
5:薄膜銅層
6:披覆層
7:鍍銅層
9:電路板用薄膜
Claims (7)
- 一種電路板用導電性薄膜，依次具備：基材、和覆蓋該基材並包括含有帶核金屬的帶核金屬層的披覆層，該帶核金屬層具有矽，該帶核金屬以分散的狀態設置在該基材上，該披覆層包含薄膜銅層，在該基材上均勻地層疊了該帶核金屬的情況下，該帶核金屬層的平均厚度為小於等於1.5nm。
- 如請求項1所述之電路板用導電性薄膜，其中，該披覆層在該基材側還包括有鎳合金層。
- 如請求項1或2所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層設置在該薄膜銅層上。
- 如請求項2所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層設置在該鎳合金層上。
- 如請求項1或2所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層的表面電阻值大於等於1.0×10 10Ω/□。
- 如請求項1或2所述之電路板用導電性薄膜，其中，該帶核金屬層的電阻率值為大於等於1.0×10 -3Ω·m。
- 一種電路板用薄膜，包括有請求項1或2所述之電路板用導電性薄膜，和設置在該薄膜銅層上的電鍍銅層。
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