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TW202330878A - 液晶介質 - Google Patents

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TW202330878A
TW202330878A TW111139445A TW111139445A TW202330878A TW 202330878 A TW202330878 A TW 202330878A TW 111139445 A TW111139445 A TW 111139445A TW 111139445 A TW111139445 A TW 111139445A TW 202330878 A TW202330878 A TW 202330878A
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哈拉德 賀奇曼
蒙妮卡 鮑爾
卡佳 克麗斯提娜 迪因
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德商馬克專利公司
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Abstract

本發明係關於一種具有負介電各向異性之液晶介質,其包括如技術方案1中所定義之a)一種或多種式I化合物 b)一種或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之群之化合物, 及c)一種或多種式III化合物

Description

液晶介質
本發明係關於具有負介電各向異性之液晶(LC)介質及其於光學、電光及電子目的(例如在LC顯示器中)之用途。
目前使用之液晶顯示器(LCD)模式之一係TN (「扭轉向列」)模式。然而,TN LCD具有強對比度視角依賴性之缺點。
此外,已知所謂的VA(「垂直配向」)顯示器具有更寬視角。VA顯示器之LC單元含有介於兩個透明電極之間之LC介質層,其中該LC介質通常具有負介電各向異性。在斷路狀態下,該LC層之分子與電極表面垂直配向(垂直)或具有傾斜垂直配向。在對兩個電極施加電壓時,LC分子發生平行於該等電極表面之重新配向。
亦已知所謂的IPS (「共平面切換」)顯示器,其含有介於兩個基板之間之LC層,其中兩個電極僅排列於兩個基板中之一者上,並較佳具有相互交叉之梳狀結構。在對該等電極施加電壓時,藉此在該等電極之間產生具有與該LC層平行之顯著分量之電場。此導致層平面中之LC分子重新配向。
此外,已經報導所謂的FFS (「邊緣電場切換」)顯示器(尤其參見S.H. Jung等人,Jpn. J. Appl. Phys.,第43卷,第3期,2004,1028),其在同一個基板上含有兩個電極,一個電極以梳狀方式結構化且另一個電極未結構化。從而產生強力之所謂的「邊緣電場」,即接近電極邊緣之強電場,且,在整個單元中,電場兼具強垂直分量及強水平分量。FFS顯示器具有低對比度視角依賴性。FFS顯示器通常含有具有正介電各向異性之LC介質及通常由聚醯亞胺組成之配向層,該配向層為該LC介質分子提供平面配向。
FFS顯示器可作為主動矩陣或被動矩陣顯示器操作。在主動矩陣顯示器之情況下,個別像素通常係由積體非線性主動元件(諸如例如,電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」))編址,而在被動矩陣顯示器之情況下,個別像素通常係藉由先前技術抑制之多種方法編址。
此外已揭示FFS顯示器(參見S.H. Lee等人,Appl. Phys. Lett. 73(20),1998,2882-2883及S.H. Lee等人,Liquid Crystals 39(9),2012,1141-1148),其具有與FFS顯示器相似之電極設計及層厚度,但包括具有負介電各向異性之LC介質層而非具有正介電各向異性之LC介質。該具有負介電各向異性之LC介質與該具有正介電各向異性之LC介質相比顯示更少傾斜及更大扭轉定向之更有利的導軸定向,結果此等顯示器具有較高透射率。該等顯示器另外包括較佳由聚醯亞胺組成之配向層,該配向層係置於與該LC介質接觸之基板中至少一者上且引起該LC介質之LC分子的平面配向。此等顯示器亦稱作「超亮FFS (UB-FFS)」型顯示器。此等顯示器需要具有高可靠度之LC介質。
在更新近類型之VA顯示器中,LC分子之均勻配向受限於LC單元內之複數個相對小域。此等域(亦稱作傾斜域)之間可存在向錯。具有傾斜域之VA顯示器相較於習知VA顯示器具有更高之對比度及灰度視角獨立性。此外,因為不再需要另外處理(諸如例如,藉由摩擦)該電極表面以達成處於接通狀態之分子的均勻配向,所以此類型之顯示器更容易製造。取而代之,該傾斜或預傾角之優先方向係藉由該電極之特殊設計予以控制。
在所謂的MVA(「多域垂直配向」)顯示器中,此通常係藉由具有導致局部預傾斜之突出物之電極來達成。因此,在施加電壓時,LC分子於該單元之不同的所界定區域中以不同方向與電極表面平行配向。由此達成「受控制」之切換,並防止形成干擾性向錯線。雖然此配置改良顯示器之視角,其導致其透光度降低。MVA之另一種開發方案係僅在一個電極側使用突出物,同時其相對之電極具有狹縫,由此改良透光度。狹縫化電極在施加電壓時於LC單元中產生非均勻電場,意味著仍達成受控制之切換。就進一步改良透光度而言,可增加狹縫與突出物之間之間隔,但此進而將導致反應時間延長。在所謂的PVA(「圖案化VA」)顯示器中,突出物變的完全多餘,其中兩個電極係藉助於相對側上之狹縫加以結構化,導致對比度增加及透明度提高,但技術上來說係困難的及其使顯示器對機械影響(「輕敲」等)更敏感。然而,就許多應用,諸如例如監視器及尤其TV螢幕而言,需要縮短反應時間並改良顯示器之對比度及亮度(透射率)。
另一種開發係所謂的PS(「聚合物持續」)或PSA(「聚合物持續配向」)類顯示器,就此而言,有時亦使用術語「聚合物穩定」。其中,將少量(例如0.3重量%,通常為<1重量%)之一種或多種可聚合化合物(較佳可聚合單體化合物)添加至LC介質,並在將該LC介質填入該顯示器之後,在視需要施加電壓於該顯示器之電極之情況下通常藉由UV光聚合作用使其原位聚合或交聯。聚合作用係在LC介質展現液晶相之溫度(通常在室溫下)進行。已證實將可聚合液晶原或液晶化合物(亦稱為反應性液晶原或「RM」)添加至LC混合物係特別合適的。
同時,PS(A)原理被用於不同習知LC顯示器模式中。因此,已知例如PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS及PS-TN顯示器。RM之聚合作用就PS-VA及PS-OCB顯示器而言較佳在施加電壓下發生,且就PS-IPS顯示器而言在具有或不具有(較佳不具有)施加電壓下發生。如可在測試單元中證實,PS(A)方法導致單元中之預傾斜。就PS-VA顯示器而言,預傾斜對反應時間有正影響。就PS-VA顯示器而言,可使用標準MVA或PVA像素及電極佈線。此外,然而,亦可(例如)僅使用一個結構化電極側且沒有突出物,此可顯著簡化生產並同時獲得極佳對比度及極佳透光度。
PS-VA顯示器描述於例如EP 1 170 626 A2、US 6,861,107、US 7,169,449、US 2004/0191428 A1、US 2006/0066793 A1及US 2006/0103804 A1中。PS-OCB顯示器描述於例如T.-J- Chen等人,Jpn. J. Appl. Phys. 45,2006,2702-2704及S. H. Kim, L.-C- Chien, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2004, 7643-7647中。PS-IPS顯示器描述於例如US 6,177,972及Appl. Phys. Lett. 1999, 75(21), 3264中。PS-TN顯示器描述於例如Optics Express 2004, 12(7), 1221中。
在藉由引起上述預傾角之相分離及聚合RM形成之層下方,PSA顯示器通常在形成顯示單元之一個或兩個基板上含有一配向層,該配向層在聚合物穩定步驟前提供LC分子之初始配向。該配向層通常施加於電極(其中存在此等電極),從而該層與LC介質接觸並引發LC分子之初始配向。該配向層可包括或由以下組成:例如,聚醯亞胺,其亦可經摩擦,或可藉由光配向法製備。
如上文所述之習知LC顯示器,PSA顯示器可作為主動矩陣或被動矩陣顯示器操作。如從先前技術中可知,在主動矩陣顯示器之情況下,個別像素通常藉由積體非線性主動元件(諸如例如電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」))編址,而在被動矩陣顯示器之情況下,個別像素通常藉由多種方法編址。
特定言之就監測器及尤其TV應用而言,仍需最佳化LC顯示器之反應時間且亦需最佳化對比度及亮度(因此亦為透射率)。本文中PSA方法可提供明顯優勢。特定言之在PS-VA、PS-IPS及PS-FFS顯示器之情況下,可縮短與測試單元中之可測量預傾角相關之反應時間而不對其他參數造成顯著不利影響。
在先前技術中觀察到之另一個問題係,習知LC介質在LC顯示器(包括但不限於PSA類型之顯示器)中之使用通常導致顯示器中出現波紋,特別是當LC介質填充至使用滴下式注入(ODF)法製造之顯示單元中時。此現象亦稱為「ODF波紋」。因此,希望提供降低ODF波紋之LC介質。
在先前技術中觀察到之另一個問題係,用於顯示器(包括但不限於PSA類型之顯示器)中之LC介質通常展現高黏度,且因此高黏度導致高切換時間。為了降低LC介質之黏度及切換時間,先前技術中已建議加入具有烯基之LC化合物。然而,觀察到含有烯基化合物之LC介質通常顯示可靠性及穩定性降低及VHR降低,特別是在暴露於UV輻射後。特別是用於PSA顯示器中,此係相當大的缺點,因為PSA顯示器中RM之光聚合通常是藉由暴露於UV輻射進行的,其可導致LC介質中之VHR下降。
特別是鑒於行動裝置,對高透射率之顯示器有很大需求,其使得可使用強度較低之背光,並從而延長電池壽命。當然,或亦達成具有更高亮度及具有特別是在環境光下經改良對比度之顯示器。
此外,對顯示器及用於此等顯示器之LC介質有很大需求,此等顯示器具有高比電阻值、同時具有大工作溫度範圍、短反應時間(即使在低溫下)及低臨界電壓、低預傾角、多種灰度、高對比度及寬視角,UV暴露後VHR具有高可靠性及高值,且在可聚合化合物之情況下,在LC主體混合物中具有低熔點及高溶解度。在用於行動應用之PSA顯示器中,特別需要具有顯示低臨界電壓及高雙折射之LC介質。
本發明係基於提供視需要包括反應性液晶原(RM)之新穎合適LC介質用於顯示器之目標,其不具有上述缺點或至較低程度之缺點。
特定言之,本發明係基於LC介質之目標,其使顯示器具有高透射率並同時具有非常高之比電阻值、高VHR值、高可靠性、低臨界電壓、短反應時間、高雙折射、減少或防止顯示器中發生「影像殘留」及「ODF波紋」,且在包括RM之介質之情況下儘可能快速完全地快速聚合並顯示RM在用作PSA顯示器中主體混合物之LC介質中的高溶解度。
此等目標已根據本發明藉由本申請案中描述之材料及製程達成。特定言之,已發現,令人驚訝的是,使用如下所述之液晶主體允許達成上述之有利效果。
本發明係關於一種液晶介質,其包括 a)一種或多種式I化合物 其中 R 1表示正丁基或正戊基; b)一種或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之群之化合物, 其中 R 2A、R 2B、R 2C及R 2D各彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基,其各為未經取代或至少經鹵素單取代,其中此等基團中之一個或多個CH 2基團可以使O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、 、-C C、-CF 2O-、-OCF 2-、-OC-O-或-O-CO-置換; L 1及L 2各彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2; Y表示H、F、Cl、CF 3、CHF 2或CH 3; Z 2、Z 2B及Z 2D各彼此獨立地表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2CF 2-、-CF=CF-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO- p表示0、1或2 q表示0或1,及 v表示1、2、3、4、5或6 及 c)一種或多種式III化合物 其中 R 31及R 32各彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之烷基或烷氧基,其中此等基團中之一個或多個CH 2基團可以使O原子彼此不直接連接之方式彼此獨立地經 、-C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-、-O-、-CO-O-或-O-CO-置換,且其中一個或多個H原子可經鹵素置換, A 3每次出現時彼此獨立地表示1,4-伸苯基,其中一個或兩個CH基團可經N或1,4-伸環己基或1,4-伸環己烯基置換,其中一個或兩個不相鄰之CH 2基團可經-O-或-S-置換,其中該等基團可經鹵原子單或多取代, n表示0、1或2, Z 3每次出現時彼此獨立地表示-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-CH 2-、-CH 2CH 2-、-CH≡CH-、-C≡C-或單鍵, L 31及L 32各彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2,及 W表示O或S, 及d)視需要反應性液晶原。
此外本發明係關於一種LC顯示器,其包括上下文所述之LC介質。
此外本發明係關於一種用於製備如上下文所述之LC介質的製程,該製程包括以下步驟:混合一種或多種式I及III化合物與一種或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之化合物,及視需要與反應性液晶原混合,及與另外LC化合物及/或與添加劑混合。
此外本發明係關於根據本發明之LC介質在PSA顯示器中之用途,特別是在含有LC介質之PSA顯示器中之用途,藉由使可聚合化合物在PSA顯示器中(較佳在電場或磁場中)原位聚合而在LC介質中產生傾角。較佳可聚合化合物,亦稱為反應性液晶原(RM)描述於例如EP 3 839 008 A1之段落[0094]、[0155]及第111至129頁中,其以引用之方式併入本文中。
此外本發明係關於一種LC顯示器,其包括根據本發明之IPS、FFS、UB-FFS、UBplus、VA或PS-VA類型的LC介質。
此外本發明係關於根據本發明之LC介質在聚合物穩定SA-VA顯示器中之用途,及係關於一種包括根據本發明之LC介質之聚合物穩定SA-VA顯示器。
此外本發明係關於VA或PSA類型之LC顯示器,其包括兩個基板,至少一個基板係透光的,在各基板上設置一個電極或僅在兩個基板之一上設置兩個電極,並在該等基板之間有一LC介質層,該層包括如上下文所述之一種或多種可聚合化合物及LC組分,其中該等可聚合化合物在顯示器之該等基板之間聚合。
此外本發明係關於一種用於製造如上下文所述之LC顯示器的製程,該製程包括以下步驟:在顯示器之基板之間填充或以其他方式提供LC介質,其視需要包括如上下文所述之一種或多種可聚合化合物,及視需要使該等可聚合化合物聚合。
較佳實施例係附屬技術方案之標的,且亦可取自本描述。
根據本發明之PSA顯示器具有兩個電極,較佳呈透明層之形式,其施加至一個或兩個基板上。在一些顯示器中,例如在PS-VA顯示器中,一個電極施加至兩個基板中之各基板上。
在一較佳實施例中,可聚合組分在LC顯示器中聚合,同時向該顯示器之電極施加電壓。
該等可聚合組分之可聚合化合物較佳藉由光聚合,極佳藉由UV光聚合而聚合。
令人驚訝的是,使用根據本發明之液晶介質使顯示器具有經改良透射率,同時保持有關製程相關參數之極佳性能,即在PSA顯示器之情況下,快速而完整之UV光聚合反應,特別是在從300至380 nm範圍內,且特別是在320 nm以上之較長UV波長下,即使不添加光引發劑,亦將快速產生大而穩定的預傾角,減少顯示器中之影像殘留及ODF波紋、高可靠性及高VHR值及一般快速反應時間、低臨界電壓及高雙折射以及在戶外使用暴露在環境中時之高可靠性。
特別是,根據本發明的介質的特點係具有優異的低溫穩定性(LTS)。
根據本發明之LC介質在用於VA或FFS顯示器時顯示以下有利特性: - 顯示器之經改良透射率, - 高透明溫度, - 高電壓保持率, - 快速切換, - 足夠的耐熱及/或抗UV穩定性,特別是在戶外使用時 - 極佳LTS。
根據本發明之LC介質在用於PSA顯示器時顯示以下有利特性: - 顯示器之經改良透射率 - 高透明溫度, - 在某個製程視窗內產生合適傾斜, - 快速聚合,導致UV製程後RM殘留最少, - UV製程後之高電壓保持率, - 良好傾斜穩定性, - 足夠的耐熱及/或抗UV穩定性,特別是在戶外使用時, - 快速切換。
特定言之,根據本發明之液晶介質顯示有利之低旋轉黏度對展曲彈性常數之比率γ 1/K 1。此有助於改良切換行為,特別是在低驅動電壓下,其對於實現節能顯示器非常有用。
式IIA、IIB、IIC及IID之較佳化合物如下所示:
其中參數a表示1或2,alkyl及alkyl*各獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,而alkenyl表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,且(O)表示氧原子或單鍵,較佳氧原子。alkenyl較佳表示CH 2=CH-、CH 2=CHCH 2CH 2-、CH 3-CH=CH-、CH 3-CH 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 3-CH=CH-或CH 3-CH=CH-(CH 2) 2-。
式IID之極佳化合物係選自以下子式: 其中v表示1、2、3、4、5或6。
在一較佳實施例中,該介質包括一種或多種式IID-10a化合物 其中該等出現基團及參數具有上文式IID下給出之含義,及 R 2表示 ,其中r係0、1、2、3、4、5或6且s係1、2或3。
式IID-10a之較佳化合物係IID-10a-1至IID-10a-14化合物。
根據本發明之更佳介質包括式IIA-2、IIA-8、IIA-10、IIA-16、IIA-18、IIA-40、IIA-41、IIA-42、IIA-43、IIB-2、IIB-10、IIB-16、IIC-1、IID-4及IID-10之一種或多種化合物。
根據本發明之極佳介質包括一種或多種式IIB-2化合物 其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,且(O)表示氧原子或單鍵,特別是化合物IIB-2-1及IIB-2-2:
根據本發明之較佳介質包括至少一種式IIC-1化合物, 其中alkyl及alkyl*具有上述含義,較佳以0.5重量%至5重量%之量,特別為1重量%至3重量%之量。
特定言之,該介質包括選自以下子式之一種或多種式IIA-2化合物:
或者,較佳除式IIA-2-1至IIA-2-5化合物外,該介質包括一種或多種式IIA-2a-1至IIA-2a-5化合物:
特定言之,該介質包括選自以下子式之一種或多種式IIA-10或IIA-52化合物:
或者,較佳除了式IIA-10-1至IIA-10-5化合物外,該介質包括一種或多種式IIA-10a-1至IIA-10a-5化合物:
特定言之,該介質包括選自以下子式之一種或多種式IIB-10化合物:
或者,較佳除了式IIB-10-1至IIB-10-5之化合物外,該介質包括一種或多種式IIB-10a-1至IIB-10a-5化合物:
式III之化合物較佳選自式III-1、III-2及/或III-4之化合物 其中該等出現之基團具有上文式III下給出之相同定義,且較佳地 R 31及R 32各彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,或具有2至15個C原子之烯基,更佳其中之一者或兩者表示具有1至7個C原子之烷氧基,及 L 31及L 32較佳表示F。
根據本發明之液晶介質較佳包括式III-2之一種、兩種或多種化合物。在一較佳實施例中,該液晶介質含有至少一種式III-1化合物及至少一種式III-2化合物。在另外較佳實施例中,該液晶介質含有至少一種式III-2化合物及至少一種式III-3化合物。
較佳地,式III-1化合物係選自式III-1-1至III-1-10 (較佳式III-1-6)化合物之群, 其中 alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,alkoxy及alkoxy*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基,及L 31及L 32各彼此獨立地表示F或Cl,較佳均為F。
較佳地,式III-2化合物係選自式III-2-1至III-2-10 (較佳式III-2-6)化合物之群, , 其中 alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,alkoxy及alkoxy*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基,及L 31及L 32各彼此獨立地表示F或Cl,較佳均為F。
視需要該介質包括一種或多種式IIIA-1及/或IIIA-2化合物 其中L 31及L 32具有與式III下給出之相同含義,(O)表示O或單鍵, R IIIA表示具有多達7個C原子或基團Cy-C mH 2m+1之烷基或烯基, m及n相同或不同地為0、1、2、3、4、5或6,較佳1、2或3,極佳1, Cy表示具有3、4或5個環原子之環脂族基團,其視需要經各具有最多3個C原子之烷基或烯基,或經鹵素或CN取代,且較佳表示環丙基、環丁基、環戊基或環戊烯基。
式IIIA-1及/或IIIA-2之化合物可替代地或與式III之化合物一起包含在該介質中,較佳另外地包含在該介質中。
式IIIA-1及IIIA-2之極佳化合物如下: 其中alkoxy表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基或替代地具有–(CH 2) nF,其中n係2、3、4或5,較佳C 2H 4F。
在本發明之一較佳實施例中,該介質包括一種或多種式III-3化合物 其中 R 31、R 32相同或不同地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,其中此等基團中之一個或多個CH 2基團視需要各獨立地以O原子不直接相互連接之方式經-C C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-、 、-O-、-CO-O-或-O-CO-置換,且此外,其中一個或多個H原子可經鹵素置換。
該等式III-3化合物較佳係選自式III-3-1至III-3-10化合物之群: 其中R 32表示具有1至7個C原子之烷基,較佳乙基、正丙基或正丁基,或替代地環丙基甲基、環丁基甲基或環戊基甲基或替代地–(CH 2) nF,其中n係2、3、4或5,較佳C 2H 4F。 在本發明之一較佳實施例中,該介質包括一種或多種式III-4至III-6 (較佳式III-5)化合物, 其中該等參數具有上文給出之含義,R 31較佳表示具有1至7個C原子之直鏈烷基且R 32較佳表示具有1至7個C原子之烷氧基。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質包括選自式III-7至III-9 (較佳式III-8)化合物之群之一種或多種式III化合物, 其中該等參數具有上文給出之含義,R 31較佳表示具有1至7個C原子之直鏈烷基且R 32較佳表示具有1至7個C原子之烷氧基。
在一較佳實施例中,該介質包括一種或多種式IV化合物, 其中 R 41表示具有1至7個C原子之未經取代烷基或具有2至7個C原子之未經取代烯基,較佳為正烷基,特別佳為具有2、3、4或5個C原子,及 R 42表示具有1至7個C原子之未經取代烷基或具有1至6個C原子之未經取代烷氧基,兩者均較佳具有2至5個C原子,具有2至7個C原子之未取代烯基,較佳具有2、3或4個C原子,更佳乙烯基或1-丙烯基,且特別是乙烯基, 其中式I之化合物被排除在式IV及其子式外。
式IV之化合物較佳係選自式IV-1至IV-4化合物之群, 其中 alkyl及alkyl'彼此獨立地表示具有1至7個C原子,較佳具有2至5個C原子之烷基, alkenyl表示具有2至5個C原子,較佳具有2至4個C原子,特別佳2個C原子之烯基, alkenyl'表示具有2至5個C原子,較佳具有2至4個C原子,特別佳具有2至3個C原子之烯基,及 烷氧基表示具有1至5個C原子,較佳具有2至4個C原子之烷氧基。
較佳地,該介質包括一種或多種選自式IV-1-1至IV-1-4化合物之化合物
極佳地,根據本發明之介質包括式IV-1-1化合物。
極佳地,根據本發明之介質包括一種或多種式IV-2-1及/或IV-2-2化合物
在一較佳實施例中,根據本發明之介質包括一種或多種式IV-3化合物, 其中極佳烷基表示具有1至7個C原子之烷基,特別是正乙基或正丙基,極佳正丙基,及烯基表示 ,其中m係0、1或2,較佳0,而n係0、1或2,較佳0或1,
特定言之係選自式IV-3-1至IV-3-6化合物,極特別佳係式IV-3-2化合物:
在一較佳實施例中,該介質特別包括除式IV-3-1至IV-3-6化合物外之一種或多種式IV-3-7至IV-3-9化合物
較佳地,式IV-3-7至IV-3-9化合物在根據本發明之介質中之濃度係小於5%或小於4%或小於3%,極佳為0%至1%,特別是0%。
極佳地,根據本發明之介質包括一種或多種式IV-3化合物及一種或多種式IV-1化合物,其中式IV-1化合物之總濃度在1%至30%範圍內。
極佳地,根據本發明之介質包括式IV-4化合物,特別是選自式IV-4-1至IV-4-3化合物,特別是式IV-4-3化合物
在一較佳實施例中,根據本發明之介質包括選自式I-1至I-4化合物之一種或多種式I化合物與選自式IA-1至IA-18化合物之群之一種或多種化合物之組合: 其中alkyl表示甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或正戊基。
根據本發明之液晶介質較佳包括一種或多種式IVa化合物, 其中 R 41與R 42各彼此獨立地表示具有多達12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烯氧基,及 表示 , Z 4表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-C 4H 8-、-CF=CF-。
較佳式IVa化合物如下所示: 其中 alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。
根據本發明之介質較佳包括至少一種式IVa-1及/或式IVa-2化合物,極佳式IVa-2化合物,特別是化合物IVa-2,其中烷基表示正丙基且alkyl*表示甲基。
式IVa化合物在整個混合物中之比例較佳小於5重量%,極佳小於2重量%。
較佳地,該介質包括一種或多種式IVb-1至IVb-3化合物 其中 alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,及 alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
式IV-1至IV-3化合物在整個混合物中之比例較佳小於3重量%,特別小於2重量%。
在式IVb-1至IVb-3化合物中,式IVb-2化合物特別佳。
極特別佳聯苯係 其中alkyl*表示具有1至6個C原子之烷基,且較佳表示正丙基或正丁基。根據本發明之介質特別佳包括一種或多種式IVb-1-1及/或IVb-2-3化合物。
在式IVb-1-1化合物中,烷基表示較佳丙基、丁基及戊基及最佳丙基。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質包括一種或多種式V化合物 其中 R 51、R 52表示具有1至7個C原子之烷基、具有1至7個C原子之烷氧基、或具有2至7個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基, 相同或不同地表示 , Z 51、Z 52各彼此獨立地表示-CH 2-CH 2-、-CH 2-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵,及 n係1或2。
式V化合物較佳係選自式V-1至V-17化合物: 其中R 51及R 52具有上文式V指定之含義。 R 51及R 52各彼此獨立地表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或具有2至7個C原子之烯基。
較佳介質包括一種或多種式V-1、V-3、V-4、V-6、V-7、V-10、V-11、V-12、V-14、V-15、V-16及/或V-17化合物,極佳V-16化合物,特別是式V-16化合物,其中R 51表示正丙基且R 52表示乙基。
在本發明之一較佳實施例中,該介質另外包括一種或多種式VI化合物 其中R 6及R 62具有如技術方案1中所定義之R 2A之含義,且R 62替代地表示F、Cl、CF 3或OCF 3,較佳F,且L 61、L 62、L 63、L 64、L 65及L 66獨立地表示H或F,其中L 61、L 62、L 63、L 64、L 65及L 66中之至少一者表示F。
式VI化合物較佳選自式VI-1至VI-21,特別是選自式VI-4: 其中R 6表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基,(O)表示-O-或單鍵,且m係0、1、2、3、4、5或6,且n係0、1、2、3或4。 R 6較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。
特別佳係式VI-1、VI-2、VI-4、VI-20及VI-21化合物。
極佳地,根據本發明之介質包括式IV-4化合物,特別是式IV-4-1化合物: 其中R 6及m具有上述定義之含義,且較佳R 6表示甲基、乙基、正丙基、正丁基或正戊基,且m係2、3或4。
在一本發明之較佳實施例中,該介質另外包括一種或多種式VIA化合物 其中R 6及R 62具有如技術方案1中所定義之R 2A之含義且R 62替代地表示替代地表示F、Cl、CF 3或OCF 3,較佳F,且L 61、L 62、L 63、L 64、L 65及L 66獨立地表示H或F,其中L 61、L 62、L 63、L 64、L 65及L 66中之至少一者表示F,及 Z 61及Z 62獨立地表示單鍵、-CH 2-CH 2-、-CH 2-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或-CF 2-O-,但Z 61≠Z 62
極佳地,根據本發明之介質包括式VIA-1及/或式X化合物 其中R 6及m具有上述定義之含義,且較佳R 6表示甲基、乙基、正丙基、正丁基或正戊基,且m係2、3或4。在一個特別佳實施例中,R 6表示正丙基,且m表示2。
在本發明之一較佳實施例中,該介質另外包括一種或多種式VII-1至VII-9化合物 其中 R 7表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之直鏈烯基,及 w係1至6之整數。
特別佳為包括至少一種式VII-9化合物之混合物。
下面列出另外較佳實施例:
a)包括至少一種式Z-1至Z-8化合物之液晶介質, 其中R具有式IIA中R 2A之含義,且烷基表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。 在一較佳實施例中,根據本發明之液晶混合物含有至少一種式Z-8化合物。
b)根據本發明之較佳液晶介質包括一種或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質諸如例如式N-1至N-5化合物, 其中R 1N及R 2N各彼此獨立地具有R 2A之含義,較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基,及 Z 1及Z 2各彼此獨立地表示-C 2H 4-、-CH=CH-、-(CH 2) 4-、-(CH 2) 3O-、-O(CH 2) 3-、-CH=CHCH 2CH 2-、-CH 2CH 2CH=CH-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2-或單鍵。
c)較佳混合物包括一種或多種選自以下之群的化合物:式BC之二氟二苯并二氫吡喃化合物、式CR之苯并二氫吡喃及式PH-1及PH-2之氟化菲, 其中R B1、R B2、R CR1、R CR2、R 1、R 2各彼此獨立地具有R 2A之含義。c係0、1或2。R 1及R 2較佳彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基。 特別佳的式BC及CR化合物係BC-1至BC-7及CR-1至CR-5化合物, 其中 alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,及 alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。 極特別佳為包括式BC-2、BF-1及/或BF-2中一種、兩種或三種化合物之混合物。
d)較佳混合物包括一種或多種式In茚滿化合物, 其中 R 11、R 12及R 13各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基, R 12及R 13替代地表示鹵素,較佳F, 表示 i表示0、1或2。 較佳式In化合物係式In-1至In-16化合物,如下所示: 。 特別佳係式In-1、In-2、In-3及In-4化合物。
e)較佳混合物另外包括一種或多種式L-1至L-12化合物, 其中 R、R 1及R 2各彼此獨立具有上述式IIA中R 2A之含義,且alkyl表示具有1至6個C原子之烷基。參數s表示1或2。 式L-1至L-11化合物較佳以5至15重量%,特別是5至12重量%,且極特別佳8至10重量%之濃度使用。
f)較佳混合物另外包括一種或多種式IIA-Y化合物 其中R 11及R 12具有上述式IIA中針對R 2A給出之含義中之一者,及L 1及L 2相同或不同地表示F或Cl,及L 3表示H或CH 3。 較佳式IIA-Y化合物係選自由以下子式組成之群 其中alkyl及alkyl*各獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基;alkoxy表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基;alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基,且O表示氧原子或單鍵。alkenyl及alkenyl*較佳表示CH 2=CH-、CH 2=CHCH 2CH 2-、CH 3-CH=CH-、CH 3-CH 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 3-CH=CH-或CH 3-CH=CH-(CH 2) 2-。 特別佳式IIA-Y化合物係選自由以下子式組成之群: 其中alkoxy及alkoxy*具有上文定義之含義且較佳表示甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基或正戊氧基。
g)該介質另外包括選自式P-1至P-4化合物之一種或多種化合物: 其中 R P表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之烯基,較佳烷基 X P表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、F、Cl、CF 3、OCF 2H、OCF 3、OCHFCF 3、OCF 2CHFCF 3、OCH=CF 2,較佳F、OCF 3或CF 3、CH 3L P1、L P2及L P3各彼此獨立地表示H或F。 下面列出較佳式P1至P4化合物: 其中R P具有上文給定之含義。較佳R P表示烷基或烯基,特別是乙基、丙基、丁基、戊基、CH 2=CH-、CH 2=CHCH 2CH 2-、CH 3-CH=CH-、CH 3-CH 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 2-CH=CH-、CH 3-(CH 2) 3-CH=CH-或CH 3-CH=CH-(CH 2) 2-且alkyl表示具有1至6個碳原子之直鏈烷基。
h)在一較佳實施例中,根據技術方案1之混合物含有至少一種選自式IIA-18、IIA-42、IIA-49、IIA-51、IIA-52、IID-4、IID-10、III-3、III-4、IIIA-1-3、IVb-1、IV-b-2、VIA-1、X、V-11、V-17、Z-8及IIA-Y化合物之群的化合物。 較佳地,本發明之介質包括一種或多種式H化合物 其中 Ar表示具有4至40個C原子,較佳6至30個C原子之芳族或雜芳烴基; Sp表示間隔基團; R S表示H、具有1至12個C原子之烷基或具有2至12個C原子之烯基; Z S表示-O-、-C(O)O-、-(CH 2)z-或-(CH 2)zO-或單鍵; HA表示 ; R H表示H、O∙、CH 3、OH或OR S,較佳H或O∙; R S1、R S2、R S3及R S4相同或不同地表示具有1至6個C原子,較佳具有1至3個C原子之烷基,極佳CH 3; G表示H或R S或基團Z S-HA; z係1至6之整數;及 q係3或4。
在式H中,芳基較佳表示具有4至40個C原子之芳族或雜芳烴基,其包括一個、兩個、三個或四個包含可直接連接或經由具有1至12個C原子之伸烷基連接基團之縮合環的芳環,其中一個或多個H原子視需要經具有1至6個C原子之烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之烯基,或經CN、CF 3或鹵素置換,且其中一個或多個CH 2基團可各彼此獨立地以使O或S原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-NH-、-N(C 1-C 4-烷基)-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CH=CH-或-C C-置換。
較佳芳基係苯、萘、蒽、聯苯、間三聯苯、對三聯苯及(苯基烷基)苯,其中烷基係具有1至12個C原子之直鏈烷基。
式H化合物描述於EP3354710 A1及EP3354709 A1中。
式H化合物較佳係選自式H-1、H-2及H-3化合物: 其中R H具有上文給出之含義,且較佳表示H或O∙,及 n係0至12之整數,較佳5、6、7、8或9,極佳7,及 Sp表示間隔基團,較佳具有1至12個C原子之伸烷基,其中一個或多個不相鄰-CH 2-基團可經-O-置換。
較佳式H-1化合物係選自式H-1-1化合物:
其中R H具有上文給出之含義,且較佳表示H或O∙,且n係0至12之整數,較佳5、6、7、8或9,極佳7。
較佳式H-2化合物係選自式H-2-1化合物: 其中R H具有上文給出之含義,且較佳表示H或O∙,及 n2在每次出現時相同或不同地(較佳相同)係1至12之整數,較佳2、3、4、5或6,極佳3,且R S在每次出現時相同或不同地(較佳相同)表示具有1至6個C原子之烷基,較佳正丁基。
較佳式H-3化合物係選自式H-3-1化合物: 其中R H具有上文給出之含義,且較佳表示H或O∙,及 n係0至12,較佳5、6、7、8或9,極佳7之整數。
較佳地,根據本發明之介質包括選自式ST-1至ST-18化合物之群之化合物: 其中 R ST表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,其中此外,此等基團中之一個或多個CH 2基團可彼此獨立地以使O原子彼此不直接鍵聯之方式經-C≡C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-、 、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換且此外,其中一個或多個H原子可經鹵素置換, 每次出現時相同或不同地表示 , Z ST各彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-CH 2-、-CH 2CH 2-、-(CH 2) 4-、-CH=CH-、-CH 2O-、-C 2F 4-、-CH 2CF 2-、-CF 2CH 2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C C-或單鍵, L 1與L 2各彼此獨立地表示F、Cl、CH 3、CF 3或CHF 2, p表示0、1或2, q表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
在式ST化合物中,特別佳為式ST-1及ST-3化合物,且特定言之: 其中n=1、2、3、4、5、6或7,較佳n=3 其中n=1、2、3、4、5、6或7,較佳n=3 其中n=1、2、3、4、5、6或7,較佳n=1或7
在式ST-3a及ST-3b之化合物中,n較佳表示3。在式ST-2a之化合物中,n較佳表示7。
根據本發明之極特別佳混合物包括式ST-2a-1、ST-3a-1、ST-3b-1、ST-8-1、ST-9-1及ST-12之化合物之群之一種或多種穩定劑:
式ST-1至ST-19化合物較佳各以基於混合物之0.005至0.5%之量存在於本發明之液晶混合物中。
若本發明之混合物包括式ST-1至ST-18化合物之群之兩種或多種化合物,則在兩種化合物之情況下,濃度相應增加至基於該等混合物之0.01至1%。
然而,式ST-1至ST-18化合物之總比例不應超過基於根據本發明之混合物之2%。
根據本發明之介質較佳具有負介電各向異性。在較佳實施例中,該介質另外包括一種或多種化合物
本文中使用之術語「可靠性」意謂顯示器在時間及不同應力負載(諸如輕負載、溫度、濕度、電壓)下之性能品質,且包括熟習LC顯示器領域之技術人員已知之顯示效果(諸如影像殘留(區域及線條影像殘留)、波紋、污漬等。作為用於分類可靠性之標準參數,通常使用電壓保持率(VHR)值,其係用於在測試顯示器中維持恆定電壓之量度。在其他因素中,高VHR係LC介質之高可靠性的前提條件。
除非另有指示,否則術語「PSA」係在下文中當涉及一般聚合物持續配向型顯示器時使用,及術語「PS」係當涉及特定顯示器模式(如PS-VA、PS-TN及諸如此類)時使用。
同樣,除非另有指示,否則術語「RM」係在下文中當涉及可聚合液晶原或液晶化合物時使用。
如本文使用,術語「活性層」及「可切換層」意謂電光顯示器(例如LC顯示器)中之層,其包括一種或多種具有結構及光學各向異性之分子(如例如LC分子),該等分子一經外部刺激(如電或磁場)即改變其等方向,導致該層對偏振光或非偏振光之透射率變化。
如本文中所用,術語「傾斜」及「傾角」應理解為意謂LC介質之LC分子相對於LC顯示器(此處較佳為PSA顯示器)中單元之表面的傾斜配向。本文中之傾角表示在LC分子之縱向分子軸(LC指向矢)與形成LC單元之平面平行外板之表面之間的平均角度(<90°)。傾角之低值(即,偏離90°角之大偏差)對應於本文中之大傾斜。適用於測量傾角之方法給定於實例中。除非另有指示,否則上下文揭示之傾角值係關於此測量方法。
如本文中所使用,術語「反應性液晶原」及「RM」應理解為意謂含有液晶原或液晶構架及一個或多個連接至其之官能基的化合物,該等官能基適用於聚合且亦稱為「可聚合基團」或「P」。
除非另外說明,否則如本文中所用之術語「可聚合化合物」應理解為意謂可聚合單體化合物。
如本文中所用,術語「低分子量化合物」應理解為意謂為單體及/或與「聚合化合物」或「聚合物」相反之並非藉由聚合反應製備之化合物。
如本文中所使用,術語「不可聚合化合物」應理解為意謂不含有適用於在通常應用於RM聚合之條件下聚合之官能基的化合物。
如本文中所用之術語「液晶原基團」為熟習此項技術者已知且描述於文獻中,且意謂一種由於其吸引及排斥相互作用之各向異性而基本上有助於在低分子量或聚合物質中產生液晶(LC)相的基團。含有液晶原基團之化合物(液晶原化合物)自身不必一定具有LC相。液晶原化合物亦可僅在與其他化合物混合後及/或在聚合後展現LC相行為。典型液晶原基團係例如剛性棒狀或盤狀單元。與液晶原或LC化合物結合使用之術語及定義之概述在Pure Appl. Chem. 2001, 73(5), 888及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368中給出。
如本文中所用,術語「光學活性」及「對掌性」對於能夠誘導向列主體材料中之螺旋間距的材料(亦稱為「對掌性摻雜劑」)而言為同義詞。
如本文中所用,術語「間隔基團」(下文中亦稱為「Sp」)為熟習此項技術者已知且描述於文獻中,參見例如Pure Appl. Chem. 2001, 73(5), 888及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele, Angew. Chem. 2004, 116, 6340-6368。如本文中所用,術語「間隔基團」或「間隔基」意謂在可聚合液晶原化合物中連接液晶原基團與可聚合基團之可撓性基團,例如伸烷基。
在專利申請案全文中,1,4-伸環己基環及1,4-伸苯基環描述如下: 伸環己基環係反式-1,4-伸環己基環。 上下文中, 表示反式-1,4-伸環己基環。 在基團 中,顯示於兩個環原子之間之單鍵可連接至該苯環之任何空缺位置。
上下文中,「有機基團」表示碳或烴基。
「碳基」表示含有至少一個碳原子之單或多價有機基,其不含其他原子(諸如例如-C≡C-)或視需要含有一個或多個另外原子(諸如例如N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge(例如,羰基等)。術語「烴基」表示另外含有一個或多個H原子及視需要含有一個或多個雜原子(諸如例如N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge)的碳基。
「鹵素」表示F、Cl、Br或I,較佳F或Cl。
-CO-、-C(=O)-及-C(O)-表示羰基,即
碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團為例如,芳基、烯基或炔基。具有超過3個C原子之碳基或烴基可為直鏈、分支鏈及/或環狀且亦可包含螺連接或縮合環。
術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等亦涵蓋多價基團,例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等。
術語「芳基」表示芳族碳基或自其衍生之基團。術語「雜芳基」表示含有一個或多個雜原子,較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge之如上文所定義之「芳基」。
本文中,烷基係直鏈或分支鏈且具有1至15個C原子,較佳係直鏈且除非另有指示,否則具有1、2、3、4、5、6或7個C原子,且因此較佳為甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基或正庚基。
本文中,分支鏈烷基係具有第二及/或第三,較佳第二碳原子之烷基,且其較佳為異丙基、第三丁基、異丁基、異戊基、2-甲基己基或2-乙基己基、2-甲基丙基、2-戊基、3-戊基、2-甲基丁基、3-甲基丁基。
本文中,環烷基意指其中亞甲基經環脂族基團置換的環脂族基團或烷基(即環烷基烷基或烷基環烷基烷基),其可為飽和或部分不飽和,並較佳表示環丙基、甲基環丙基、環丁基、甲基環丁基、環戊基、甲基環戊基、環戊-1-烯基、環丙基甲基、環丙基乙基、環丁基甲基、環丁基乙基、環戊基甲基、環戊基乙基、環戊-1-烯基甲基。
本文中,烷氧基係直鏈或分支鏈且含有1至15個C原子。其較佳為直鏈且除非另有指示,否則具有1、2、3、4、5、6或7個C原子且因此較佳為甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基或正庚氧基。
本文中,烯基較佳係具有2至15個C原子之烯基,其係直鏈或分支鏈的並含有至少一個C-C雙鍵。其較佳為直鏈,並具有2至7個C原子。因此,其較佳為乙烯基、丙-1-或-2-烯基、丁-1-、-2-或-3-烯基、戊-1-、-2-、-3-或-4-烯基、己-1-、-2-、-3-、-4-或-5-烯基、庚-1-、-2-、-3-、-4-、-5-或-6-烯基。若C-C雙鍵之兩個C原子經取代,則烯基可為E及/或Z異構體(反式/順式)之形式。一般而言,較佳為各別E異構體。在烯基中,丙-2-烯基、丁-2-及-3-烯基及戊-3-及-4-烯基係特別佳的。
在本文中,炔基意謂具有2至15個C原子之炔基,其係直鏈或分支鏈的並含有至少一個C-C三鍵。1-及2-丙炔基及1-、2-及3-丁炔基係較佳。
較佳碳及烴基係具有1至40個,較佳1-20個,極佳1至12個C原子之視需要經取代的、直鏈的、分支鏈的或環狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基及烷氧基羰氧基,具有5至30個,較佳6至25個C原子之視需要經取代之芳基或芳氧基,或具有5至30個,較佳6至25個C原子之視需要經取代之烷基芳基、芳基烷基、烷基芳氧基、芳基烷氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰氧基及芳氧基羰氧基,其中一個或多個C原子亦可經雜原子(較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge)置換。
另外較佳碳及烴基係C 1-C 20烷基、C 2-C 20烯基、C 2-C 20炔基、C 3-C 20烯丙基、C 4-C 20烷二烯基、C 4-C 20多烯基、C 6-C 20環烷基、C 4-C 15環烯基、C 6-C 30芳基、C 6-C 30烷基芳基、C 6-C 30芳基烷基、C 6-C 30烷基芳氧基、C 6-C 30芳基烷氧基、C 2-C 30雜芳基、C 2-C 30雜芳氧基。
特別佳為C 1-C 12烷基、C 2-C 12烯基、C 2-C 12炔基、C 6-C 25芳基及C 2-C 25雜芳基。
另外較佳碳基及烴基為具有1至20個,較佳1至12個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基,其係未經取代或係經F、Cl、Br、I或CN單-或多取代,且其中一個或多個不相鄰CH 2基團可各彼此獨立地以使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式經-C(R x)=C(R x)-、-C≡-、-N(R x)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換。
R x較佳表示H、F、Cl、CN,具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基鏈,其中此外,一個或多個不相鄰C原子可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換,且其中一個或多個H原子可經F或Cl置換,或表示視需要經取代之具有6至30個C原子之芳基或芳氧基或視需要經取代之具有2至30個C原子之雜芳基或雜芳氧基。
較佳之烷基為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十二烷基、三氟甲基、全氟正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等。
較佳烯基為例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基等。
較佳之炔基為例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基等。
較佳之烷氧基為例如甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基等。
較佳胺基為例如二甲胺基、甲胺基、甲基苯胺基、苯胺基等。
芳基及雜芳基可為單環或多環,亦即,其可含有一個環(諸如例如苯基)或兩個或更多環,其亦可為稠合(諸如例如萘基)或共價鍵聯(諸如例如聯苯),或含有稠合及鍵聯環之組合。雜芳基含有一個或多個雜原子,較佳係選自O、N、S及Se。
特別佳係具有6至25個C原子之單、雙或三環芳基及具有5至25個C原子之單、雙或三環雜芳基,其視需要含有稠環且視需要經取代。此外,更佳係5、6或7員芳基及雜芳基,其中此外,一個或多個CH基可以O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式經N、S或O置換。
較佳之芳基為例如苯基、聯苯、聯三苯、[1,1':3',1'']聯三苯-2'-基、萘基、蒽、聯萘、菲、9,10-二氫-菲、芘、二氫芘、䓛、苝、稠四苯、稠五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺二茀等。
較佳雜芳基為例如,5員環(諸如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、噁唑、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑)、6員環(諸如吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪)、或縮合基團(諸如吲哚、異吲哚、吲嗪、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹噁啉并咪唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、異噁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、喋啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并噠嗪、苯并嘧啶、喹噁啉、吩嗪、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲啶、啡啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻吩、苯并硫雜重氮噻吩)或此等基團之組合。
上述及下述芳基及雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫代烷基、氟、氟烷基或另外芳基或雜芳基取代。
(非芳族)脂環族及雜環基團涵蓋飽和環(即,彼等僅含單鍵者)及部分不飽和環(即,彼等亦可含有多鍵者)。雜環狀環含有一個或多個雜原子,較佳選自Si、O、N、S及Se。
(非芳族)脂環族及雜環基團可為單環,即,僅含有一個環(諸如例如環己烷),或多環,即,含有複數個環(諸如例如十氫萘或雙環辛烷)。特別佳係飽和基團。此外,較佳係具有5至25個環原子之單、雙或三環基團,其視需要含有稠環且視需要經取代。此外,較佳係5、6、7或8員碳環,此外,其中一個或多個C原子可經Si置換及/或一個或多個CH基可經N置換及/或一個或多個不相鄰CH 2基可經O-及/或S-置換。
較佳之脂環族及雜環基團為例如5員基團(諸如環戊烷、四氫呋喃、四氫硫代呋喃、吡咯啶)、6員基團(諸如環己烷、環己矽烷、環己烯、四氫哌喃、四氫硫代哌喃、1,3-二噁烷、1,3-二噻烷、哌啶)、7員基團(諸如環庚烷)及稠合基團(諸如四氫萘、十氫萘、茚烷、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-甲橋茚滿-2,5-二基)。
較佳之取代基為例如溶解度促進基團(諸如烷基或烷氧基)、吸電子基團(諸如氟、硝基或腈)、或用於提高聚合物之玻璃化轉化溫度(Tg)之取代基,特別係龐大基團(諸如例如第三丁基或視需要經取代之芳基)。
較佳取代基(下文中亦稱為「L」)為例如F、Cl、Br、I、-CN、-NO 2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R x) 2、-C(=O)Y 1、-C(=O)R x、-N(R x) 2、直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基,其各具有1至25個C原子,其中一個或多個H原子可視需要經F或Cl置換,具有1至20個Si原子之視需要經取代之矽烷基,或具有6至25個,較佳6至15個C原子之視需要經取代之芳基, 其中R x表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基,其中一個或多個不相鄰CH 2-基團視需要以使O及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換,且其中一個或多個H原子各視需要經F、Cl、P-或P-Sp-置換,及 Y 1表示鹵素。
「經取代之矽烷基或芳基」較佳意謂經鹵素、-CN、R 0、-OR 0、-CO-R 0、-CO-O-R 0、-O-CO-R 0或-O-CO-O-R 0取代,其中R 0表示H或具有1至20個C原子之烷基。
特別佳之取代基L為例如F、Cl、CN、NO 2、CH 3、C 2H 5、OCH 3、OC 2H 5、COCH 3、COC 2H 5、COOCH 3、COOC 2H 5、CF 3、OCF 3、OCHF 2、OC 2F 5,再者苯基。
對於PSA顯示器之生產,LC介質中所含之可聚合化合物藉由視需要在向電極施加電壓之同時,在LC顯示器之兩個基板之間之LC介質中原位聚合來聚合或交聯(若一種化合物含有兩個或多個可聚合基團)。
根據本發明之PSA顯示器之結構對應於PSA顯示器之通常幾何形狀,如在開頭引用之先前技術中所描述的。此外,沒有突起之幾何形狀係較佳,特別是彼等其中濾色片側之電極係非結構化且僅TFT側之電極有狹槽者。PS-VA顯示器之特別合適且較佳的電極結構描述於例如US 2006/0066793 A1中。
根據本發明之LC介質可另外包括一種或多種另外組分或添加劑,較佳選自以下清單,包括但不限於共聚單體、聚合引發劑、抑制劑、穩定劑、界面活性劑、潤濕劑、潤滑劑、分散劑、疏水劑、黏著劑、流動改良劑、消泡劑、除氣劑、稀釋劑、活性稀釋劑、助劑、著色劑、染料、顏料及奈米顆粒。
根據本發明之LC介質較佳包括一種、兩種或三種對掌性摻雜劑,極佳為一種對掌性摻雜劑。
特別佳為包括一種、兩種或三種可聚合化合物(亦稱為反應性液晶原(RM))之LC介質。
此外特別佳為具有對掌性向列LC相之LC介質。
較佳LC介質中可聚合化合物(RM)之比例為從>0至<5%,極佳為從>0至<1%,最佳為從0.01至0.5%。
較佳實施例,單獨或彼此組合,如下所列。根據本發明之介質較佳包括 -式I化合物,濃度在從0.5%至15%範圍內,較佳為1%至10%,極佳為從2%至7%; -式III之一種、兩種、三種或多種化合物,較佳為式III-1及/或III-2,更佳式III-2,總濃度在從2%至15%,更佳從3%至12%,極佳從4%至10%且特別是在從5%至8%範圍內; -式IIA之一種或多種化合物,總濃度在從10%至40%,更佳從15%至35%且極佳從18%至28%或從20%至25%範圍內; -式IIA-2之一種或多種化合物,總濃度在從1%至12%,更佳從2%至8%且極佳從3%至6%範圍內; -式IIA-10之一種或多種化合物,總濃度在從10%至30%,更佳從12%至25%且極佳從15%至20%範圍內; -式IIB之一種或多種化合物,較佳為式IIB-2及/或IIB-10,總濃度在從10%至30%,更佳從12%至25%且極佳為從14%至19%範圍內; -式IIB-2之一種或多種化合物,總濃度在從1%至12%,更佳從2%至8%且極佳為從3%至6%範圍內; -式IIB-10之一種或多種化合物,總濃度在從5%至25%,更佳從8%至18%且極佳為從10%至15%範圍內; -式IIA之一種或多種化合物及式IIB之一種或多種化合物,較佳係選自式IIA,-2、IIA-10、IIB-2及IIB-10,較佳總濃度在從25%至55%,更佳從32%至50%且極佳為從35%至42%範圍內; -式IIA-2之一種或多種化合物及式IIB-2之一種或多種化合物,總濃度在從3%至20%,更佳從4%至15%且極佳為從6%至11%範圍內; -式III之一種或多種化合物及式IIA、IIB、IIC及IID之一種或多種化合物,總濃度在從25%至65%,更佳從35%至55%且極佳為從40%至50%範圍內; -式IV-1之一種或多種化合物,較佳為化合物IV-1-1,總濃度在從5%至40%,更佳從10%至30%且極佳為從15%至23%範圍內; -式IV-3之一種或多種化合物,較佳為式IV-3-2及/或IV-3-5,總濃度在從5%至25%,更佳從10%至20%且極佳為從12%至16%範圍內; -式I之一種或多種化合物及式IV-3-2化合物,總濃度在從3%至20%,更佳從6%至15%且極佳為8%至12%範圍內; -式I之一種或多種化合物及式IV-3-2化合物及式IV-1-1化合物,總濃度在從15%至45%,更佳從22%至40%,極佳從26%至34%,且特別在從28%至32%範圍內; -式IV-3-6化合物,總濃度在從0%至5%範圍內,較佳0%; -式I之一種或多種化合物及選自式IV及IVa之一種或多種化合物,總濃度在從20%至50%,更佳從28%至45%且極佳從33%至40%範圍內; -式I之一種或多種化合物及選自式IV及IVa之一種或多種化合物及式V之一種或多種化合物,總濃度在從35%至60%,更佳從38%至52%且極佳從40%至48%範圍內; -式IVa及/或IVb之一種或多種化合物,總濃度在從5%至18%,更佳從7%至15%且極佳從8%至13%範圍內; -式V之一種或多種化合物,較佳為式V-16,總濃度在從1%至12%,更佳從2%至10%,仍更佳從3%至10%且極佳從4%至8%範圍內。
特別佳混合物概念如下所示:(在表A至D中使用首字母縮略詞予以解釋。此處之n及m各彼此獨立地表示1至6)。
根據本發明之混合物較佳包括 - PYP-n-m,特定言之為PYP-2-3及/或PYP-2-4,基於總體混合物計,其濃度較佳>5%,特定言之為8至30%, 及/或 - CPY-n-Om,特定言之為CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2,基於總體混合物計,其濃度較佳係>5%,特定言之10至30%, 及/或 - B-nO-Om及/或B(S)-nO-Om,其濃度較佳係1至15, 及/或 - CY-n-Om,較佳為CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2及/或CY-5-O4,基於總體混合物計,其濃度較佳係> 5%,特定言之15至50%, 及/或 - CCY-n-Om,較佳為CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2,基於總體混合物計,其濃度較佳係> 5%,特定言之10至30%, 及/或 - CLY-n-Om,較佳為CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3,基於總體混合物計,其濃度較佳係> 5%,特定言之10至30%, 及/或 - LY-n-Om,較佳為LY-3-O2,基於總體混合物計,其濃度較佳係>5%,特定言之10至30%, 及/或 - CCOY-n-Om,較佳為CCOY-3-O2,基於總體混合物計,其濃度較佳係>5%,特定言之10至30%, 及/或 - CLOY-n-Om,較佳為CLOY-3-O2,基於總體混合物計,其濃度較佳係>5%,特定言之10至30%, -  CK-n-F,較佳為CK-3-F、CK-4-F及/或CK-5-F,基於總體混合物計,其濃度較佳係> 5%,特定言之5至25%, 及/或 至少兩種式PY-n-Om化合物,較佳為PY-1-O2及PY-3-O2。
此外,特別佳係根據本發明之混合物,其包括以下混合物概念: (n及m各彼此獨立地表示1至6。) - CPY-n-Om及CY-n-Om,基於總體混合物計,其濃度較佳為10至80%, 及/或 - CPY-n-Om及CK-n-F,基於總體混合物計,其濃度較佳為10至70%, 及/或 - CPY-n-Om及PY-n-Om,較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2,基於總體混合物計,其濃度較佳為10至40%, 及/或 - CPY-n-Om及CLY-n-Om,基於總體混合物計,其濃度較佳為10至80%, 及/或 - CC-3-V1,較佳為3至15%之量 及/或 - PGIY-n-Om,較佳為3至15%之量, 及/或 - CC-n-2V1,較佳為3至20%之量。
根據本發明之液晶介質較佳具有從≤-20℃至≥70℃,特別佳從≤-30℃至≥71℃,特別佳為從≤-40℃至≥72℃之向列相係有利的。
在較佳實施例中,根據本發明之介質具有70℃或更高,更佳72℃或更高,且特定言之73℃以上之透明點溫度。
本文中,在給定溫度下「具有向列相」之表達意謂在低溫下沒有觀察到層列相及結晶,且在另一方面,在給定溫度下加熱向列相時不發生透明(相變為各向同性相)。低溫調查係在相應溫度之流量式黏度計中進行,並藉由儲存在具有對應於電光使用之層厚度之測試單元中至少100小時來檢查。若在相應測試單元中,在-20℃溫度下之儲存穩定性為1000 h或更長,則該介質稱作在此溫度下係穩定的。在-30℃及-40℃之溫度下,相應時間分別為500 h及250 h。在高溫下,在毛細管中藉由習知方法測量透明點。
該液晶混合物較佳在20℃下具有至少60 K之向列相範圍及最多30 mm 2∙s - 1的流動黏度ν20。
該混合物在-20℃或更低,較佳在-30℃或更低,極佳在-40℃或更低之溫度下係向列的。
根據本發明之介質具有在0.085至0.120範圍內,較佳從0.095至0.115,特定言之為從0.100至0.110範圍內之雙折射。
在一較佳實施例中,該介質具有在0.1005至0.1080,較佳從0.1020至0.1075,特定言之為從0.1035至0.1060範圍內之雙折射。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質具有∆ε為-2.4至-5.0,較佳為-2.6至-4.5,特定言之為-2.7至-4.0之介電各向異性。
在一極佳實施例中,根據本發明之液晶混合物具有∆ε為-2.9至-3.3之介電各向異性。
20℃下之旋轉黏度γ1較佳在70至200 mPas範圍內,更佳為90至150 mPa s。
20℃下之旋轉黏度γ1較佳為100 mPas或更低。
根據本發明之介質具有在12至16 pN範圍內之彈性常數K 1
在一較佳實施例中,根據本發明之介質之旋轉黏度對展曲彈性常數之比率γ 1/K 1為7.2 mPa∙s pN -1或更低。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質之旋轉黏度對展曲彈性常數之比率γ 1/K 1在從6.6 mPa∙s pN -1至7.4 mPa∙s pN -1,較佳從6.9 mPa∙s pN -1至7.2 mPa∙s pN -1範圍內。
根據本發明之液晶介質具有相對低之臨界電壓(V 0)值。其較佳在從1.7 V至3.0 V,特別佳≤ 2.6 V,且特別佳≤ 2.4 V。
對於本發明,術語「臨界電壓」係關於電容式臨界值(V 0),亦稱為弗雷德里克臨界值(Freedericks threshold),除非另有明確指示。
此外,根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有較高電壓保持率值。
一般而言,具有低編址電壓或臨界電壓之液晶介質展現比具有較高編址電壓或臨界電壓之液晶介質更低的電壓保持率,反之亦然。
對於本發明,術語「介電正化合物」表示具有∆ε > 1.5之化合物,術語「介電中性化合物」表示彼等具有1.5 ≤ ∆ε ≤ 1.5之化合物,且術語「介電負化合物」表示彼等具有∆ε < 1.5之化合物。該等化合物之介電各向異性在此藉由將10%之化合物溶於液晶主體中並測定所得混合物在至少一個測試單元中之電容來測定,其在各情況下具有20 μm之層厚度,在1 kHz下為垂直及均勻之表面配向。測量電壓通常為0.5 V至1.0 V,但始終低於所研究之各別液晶混合物之電容式臨界值。
本發明指示之所有溫度值均以℃為單位。
根據本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用,諸如例如,VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物持續VA)及PS-VA (聚合物穩定VA)。此外,其適用於具有負∆ε之IPS (共平面切換)及FFS (邊緣電場切換)應用。
毫無疑問,對熟習此項技術者而言,根據本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包括化合物(例如,其中H、N、O、Cl及F經相應同位素置換)。
根據本發明之化合物可藉由描述於文獻(例如,在標準著作諸如Houben-Weyl, Methoden der Organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart)中之已知方法或類似方法在已知且適用於該等反應之反應條件下合成。在此亦可使用本身已知但此處未提及之變體。特定言之,其可如以下反應方案所述或類似方案製備。用於製備該等發明性化合物之另外方法可從實例中得出。
上文未明確提及之其他液晶原化合物可視需要及有利地用於根據本發明之介質中。此等化合物為熟習此項技術者已知。
對於本發明及在以下實例中,液晶化合物之結構用首字母縮略詞之方式表示,其按照下表A至C轉化為化學式。所有基團C mH 2m+1、C nH 2n+1、及C lH 2l+1或C mH 2m-1、C nH 2n-1及C lH 2l-1均為直鏈烷基或伸烷基,在各情況下分別具有n、m及l個C原子。較佳n、m及l彼此獨立地為1、2、3、4、5、6或7。表A顯示化合物之核之環元素代碼,表B列出橋聯單元,且表C列出分子之左側及右側端基之符號的含義。首字母縮略詞由環元素之代碼及可選連接基團,隨後第一個連字符及左側端基之代碼,及第二個連字符及右側端基之代碼組成。表D顯示化合物之說明性結構及其各別縮寫。
A :環元素
   C      
           
   D    DI
           
   A    AI
           
   P      
           
   G    GI
   U    UI
           
   Y      
   P(F, Cl)Y    P(Cl,F)Y
           
   np        
           
   n3f      nN3fI  
           
   th      thI  
           
   tH2f    tH2fI
           
   o2f    o2fI
           
   dh        
   B    B(S)
           
   O    S
           
   K    KI
           
   L    LI
           
   F    FI
           
Bh Bh(S)
     
Bf Bf(S)
     
Bfi Bfi(S)
B :橋聯單元
E -CH 2-CH 2-      
V -CH=CH-      
T -C≡C-      
W -CF 2-CF 2-      
B -CF=CF-      
Z -CO-O- ZI -O-CO-
X -CF=CH- XI -CH=CF-
O -CH 2-O- OI -O-CH 2-
Q -CF 2-O- QI -O-CF 2-
C :端基
在左側個別地或呈組合 在右側個別地或呈組合
-n- C nH 2n+1- -n -C nH 2n+1
-nO- C nH 2n+1-O- -On -O- C nH 2n+1
-V- CH 2=CH- -V -CH=CH 2
-nV- C nH 2n+1-CH=CH- -nV -C nH 2n-CH=CH 2
-Vn- CH 2=CH- C nH 2n- -Vn -CH=CH-C nH 2n+1
-nVm- C nH 2n+1-CH=CH-C mH 2m- -nVm - C nH 2n-CH=CH-C mH 2m+1
-N- N≡C- -N -C≡N
-S- S=C=N- -S -N=C=S
-F- F- -F -F
-CL- Cl- -CL -Cl
-M- CFH 2- -M -CFH 2
-D- CF 2H- -D -CF 2H
-T- CF 3- -T -CF 3
-MO- CFH 2O - -OM -OCFH 2
-DO- CF 2HO - -OD -OCF 2H
-TO- CF 3O - -OT -OCF 3
-A- H-C≡C- -A -C≡C-H
-nA- C nH 2n+1-C≡C- -An -C≡C-C nH 2n+1
-NA- N≡C-C≡C- -AN -C≡C-C≡N
-(cn)- -(cn)
-(cn)m- -m(cn)
           
           
在左側僅呈組合 在右側僅呈組合
-…n…- -C nH 2n- -…n… -C nH 2n-
-…M…- -CFH- -…M… -CFH-
-…D…- -CF 2- -…D… -CF 2-
-…V…- -CH=CH- -…V… -CH=CH-
-…Z…- -CO-O- -…Z… -CO-O-
-…ZI…- -O-CO- -…ZI… -O-CO-
-…K…- -CO- -…K… -CO-
-…W…- -CF=CF- -…W… -CF=CF-
其中n及m各為整數,且三點「…」係此表中其他縮寫之占位符。
除了式I、IIA、IIB、IIC及/或IID、IVa、IVb及V之化合物外,根據本發明之混合物視需要包括表D中所列化合物之一種或多種化合物。
使用以下縮寫: (n、m、k及l各彼此獨立地為整數,較佳1至9,較佳1至7,且k及l可能亦可為0,且較佳為0至4,更佳為0或2,最佳為2,n較佳為1、2、3、4或5,在組合「-nO-」中,其較佳為1、2、3或4,較佳為2或4,m較佳為1、2、3、4或5,在組合「-Om」中,其較佳為1、2、3或4,更佳為2或4。組合「-lVm」較佳為「2V1」。)
D
CAIY-n-Om
  
CCH-nm
  
CCH-nOm
CC-n-V
  
CC-n-Vm
  
CC-n-lV
  
CC-n-lVm
  
CC-V-V
  
CC-V-lV
  
CC-V-Vm
  
CC-Vk-lV
  
CC-nV-lV
CC-nV-Vm
  
CC-n-VV
  
CC-n-VVm
  
CVC-n-V
  
CVC-n-Vm
  
PCH-nm
  
PCH-nOm
  
PP-n-m
  
PP-n-Om
  
CCP-n-m
  
CCP-n-Om
  
CCP-V-m
  
CCP-nV-m
  
CCP-Vl-m
  
CCP-nVl-m
  
CCOC-n-m
  
CCZC-n-m
  
 
CCVC-n-m  
 
CCVC-n-V
  
CCVC-n-lV
  
CLP-n-m
  
CLP-V-n
  
BCH-nm
  
CPG-n-m
  
CGP-n-m
  
PGP-n-m
  
PGP-n-lV
PGP-n-lVm
  
PGP-n-nap
  
PPY-n-Om
  
            CCPC-nm
  
CBC-nm
  
CBC-nmF
  
CPGP-n-m
  
CY-V-n
  
CY-V-On
  
CY-nV-m
  
CY-nV-Om
  
CY-Vl-m
  
CY-Vl-Om
  
CY-nVl-m
  
CY-nVl-Om
  
PY-V-n
  
PY-V-On
  
PY-nV-m
  
PY-nV-Om
  
PY-Vl-m
  
PY-Vl-Om
  
PY-nVl-m
  
PY-nVl-Om
  
PEPY-n-Om
  
CCY-V-n
  
CCY-V-On
CCY-nV-m
  
CCY-nV-Om
  
CCY-Vl-m
  
CCY-Vl-Om
  
CCY-nVl-m
  
CCY-nVl-Om
  
CPY-V-n
CPY-V-On
CPY-nV-m
  
CPY-nV-Om
  
CPY-Vl-m
  
CPY-Vl-Om
  
CPY-nVl-k
  
CPY-nVl-Om
  
CY-n-m
  
CY-n-Om
  
CVY-n-m
  
CVY-V-n
  
CZY-n-Om
  
COY-n-m
  
COY-n-Om
  
Y-n-m
  
Y-n-Om
  
Y-nO-Om
  
PY-n-m
  
PY-n-Om
  
CCY-n-m
  
CCY-n-Om
  
CCY-n-mOl
  
CCZY-n-Om
  
CCOY-n-m
  
CCOY-n-Om
  
CLOY-n-Om
  
CPY-n-m
  
CPY-n-Om
  
PGIY-n-Om
  
PYP-n-m
  
PYP-n-V
  
PYP-n-lV
  
PYP-n-Vm
  
PYP-n-lVm
  
CP(F,Cl)-n-Om
  
CLY-n-m
  
CLY-n-Om
  
LY-n-Om
  
CK-n-F
  
B-n-m
  
B-n-lV
  
B-Vn-lV
  
B-n-Om
  
B-nO-Om
  
CB-n-Om
  
PB-n-Om
  
B(S)-nO-Om
  
COB(S)-n-Om
  
B(S)-(c3)nO-Om
  
B(S)-(c5)nO-Om
  
B(S)-(c5en)nO-Om
  
B(S)-(c5)nO-Om(c3)
表E顯示較佳用於根據本發明之混合物中之對掌性摻雜劑。
E
C 15
  
CB 15
  
CM 21
  
R S-811 / S-811
  
CM 44
  
CM 45
  
CM 47
CN
  
R-1011 / S-1011
  
R-2011 / S-2011
  
R-3011 / S-3011
  
R-4011 / S-4011
  
R-5011 / S-5011
在本發明之一較佳實施例中,根據本發明之介質包括一種或多種選自表E之化合物之群的化合物。
F
表F顯示根據本發明之LC介質中較佳可用作反應性液晶原化合物之實例化合物。若根據本發明之混合物包括一種或多種反應性化合物,則其較佳以0.01至5重量%之量使用。亦可需要添加引發劑或兩種或多種引發劑之混合物進行聚合。該引發劑或引發劑混合物較佳以基於該混合物之0.001至2重量%之量添加。合適的引發劑為例如Irgacure (BASF)或Irganox (BASF)。
在一較佳實施例中,根據本發明之混合物包括一種或多種可聚合化合物,較佳選自式RM-1至RM-102之可聚合化合物。此類型之介質特別適用於PS-FFS及PS-IPS應用。在表D中所示之反應性液晶原中,化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-9、RM-17、RM-42、RM-48、RM-68、RM-87、RM-91、RM-98、RM-99及RM-101為特別佳。
此外,式M及式RM-1至RM-102之反應性液晶原或可聚合化合物亦適合作為穩定劑。在此情況下,該等可聚合化合物不聚合,而以>1%之濃度添加至該液晶介質中。
實例
本發明藉由以下非限制性工作實例詳細說明。
使用以下縮寫及符號: V 020℃下之電容臨界電壓[V], n e在20℃及589 nm下之異常折射率, n o在20℃及589 nm下之尋常折射率, ∆n    在20℃及589 nm下之光學各向異性, ε 在20℃及1 kHz下之垂直於指向矢之介電常數, ε 在20℃及1 kHz下之平行於指向矢之介電常數, ∆ε    在20℃及1 kHz下之介電各向異性, cl.p., T(N,I) 透明點[℃], γ 1在20℃下之旋轉黏度[mPa∙s], K 1彈性常數,在20℃下之「展曲」變形[pN], K 2彈性常數,在20℃下之「扭轉」變形[pN], K 3彈性常數,在20℃下之「彎曲」變形[pN]。
除非另有明確注明,否則本申請案中之所有濃度均以重量百分比表示且係關於相應混合物作為一個整體,其包括不含溶劑之所有固體或液晶組分。
除非另有明確注明,否則本申請案中指示之所有溫度值(諸如例如,熔點T(C,N)、從層列相(S)至向列(N)相之轉化T(S,N)以及透明點T(N,I))均以攝氏度(℃)表示。M.p.表示熔點,cl.p.=透明點。此外,C=結晶態,N=向列相,S=層列相,I=各向同性相。此等符號之間之資料表示轉化溫度。
所有物理性質根據及已根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」Status Nov. 1997, Merck KGaA, Germany測定,並適用於20℃之溫度,且∆n在589 nm及∆ε為1 kHz處測定,除非在各情況下另有明確指示。
本發明之術語「臨界電壓」係關於電容式臨界值(V 0),亦稱為弗雷德里克臨界值,除非另有明確指示。在該等實例中,一般而言,光學臨界值通常亦可於10%相對對比度(V 10)下提供。
除非另有說明,否則製備測試單元及測量其電光及其他性質之方法均藉由下文中描述之方法或其類似方法進行。
用於測量電容式臨界電壓之顯示器係由兩個距離為25 µm之平面平行玻璃外板組成,各玻璃外板在內部有一個電極層,及在頂部有一個未經摩擦之聚醯亞胺配向層,其影響液晶分子之垂直配向。
除非另有指示,否則在20℃下測定VHR (VHR 20),並在100℃之烘箱中在日本東洋株式會社之LCM-1型(O0004)市售儀器中5分鐘後測定(VHR 100)。除非更精確地指示,否則所用電壓具有在1 Hz至60 Hz範圍內之頻率。
在「Suntest CPS+」(德國Heraeus之商用儀器)中使用氙氣燈NXE1500B研究UV照射之穩定性。除非明確指示,否則將經密封測試單元照射2.0 h,無需另外加熱。在300 nm至800 nm波長範圍內之照射功率為765 W/m 2V。使用邊緣波長為310 nm之UV「截止」濾光片模擬所謂的窗玻璃模式。在各系列實驗中,針對各條件至少研究四個測試單元,並將相應結果表示為相應個別測量值之平均值。
為研究低溫穩定性(亦稱為「LTS」),即大量LC混合物在低溫下防止個別組分自發結晶或層列相發生之穩定性,視情況而定,將幾個密封瓶(各含有約1 g材料)儲存在一個或多個給定溫度下,通常為-10℃、-20℃、-30℃及/或-40℃,且無論是否觀察到相變,均定期進行目視檢查。一旦給定溫度下之第一個樣品顯示變化時間,就記錄。距離上次檢查(其中未觀察到任何變化)之時間記錄為各別LTS。
使用日本東洋株式會社之市售LC材料特徵測量系統型號6254,使用具有3.2 μm單元間隙之AL16301聚醯亞胺(JSR Corp., Japan)之VHR測試單元測量離子密度(從中計算電阻率)。該測量係在60℃或100℃之烘箱中儲存5分鐘後進行。
使用Mettler Thermosystem FP900測量透明點。使用Abbe Refractometer H005 (鈉光譜燈Na10在589 nm,20℃下)測量光學各向異性(∆n)。使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃ (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)下測量介電各向異性(∆ε)。使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃ (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)下測量接通電壓(V 0)。使用TOYO LCM-2 (0002)在20℃ (具有JALS-2096-R1之γ1負單元)下測量旋轉黏度(γ 1)。使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃ (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)下測量彈性常數(K 1,展曲)。使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005)在20℃ (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)下測量K 3:彈性常數(K 3,彎曲)。
以下具有負介電各向異性之混合物實例特別適用於具有至少一個平面配向層之液晶顯示器,諸如例如IPS及FFS顯示器,特別是UB-FFS (=超亮FFS)且適用於VA顯示器。
混合物實例
向列LC主體混合物M1至M9具有下表中給出之組成及物理性質:
混合物 M1
CPP-3-2 6.0 %    T (N,I)[°C]: 74.5
CC-3-V1 8.0 %    Δn (589 nm, 20°C):                0.1035
CC-3-V2 6.0 %    n e(20°C, 589.3 nm):   
CCH-13 18.5 %    n o(20°C, 589.3 nm):   
CCH-24 3.0 %    Δε (1 kHz, 20°C):                   -3.0
CCY-3-O1 8.0 %    ε ||(1 kHz, 20°C):                   3.4
CCY-3-O2 10.0 %    ε (1 kHz, 20°C):                   6.5
CPY-2-O2 2.0 %    K 1[pN], (20°C):                     14.0
CPY-3-O2 10.0 %    K 3[pN], (20°C):                     15.6
CY-3-O2 4.5 %    γ 1[mPa·s], (20°C):                 98
PCH-3O1 11.0 %    V 0[V], (20°C):                       2.39
PY-1-O2 4.5 %    LTS [h] (龐大, -20°C) 1000
PGIY-2-O4 2.0 %         
B(S)2O-O5 3.5 %         
B(S)2O-O4 3.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M2
BCH-32 6.0 %    T (N,I)[°C]: 74
CC-3-V1 8.0 %    Δn (589 nm, 20°C):                0.1041
CC-3-V2 6.0 %    n e(20°C, 589.3 nm):   
CCH-13 18.5 %    n o(20°C, 589.3 nm):   
CCH-24 4.0 %    Δε (1 kHz, 20°C):                   -3.0
CCY-3-O1 8.0 %    ε ||(1 kHz, 20°C):                   3.4
CCY-3-O2 9.0 %    ε (1 kHz, 20°C):                   6.4
CPY-2-O2 2.0 %    K 1[pN], (20°C):                     13.8
CPY-3-O2 10.0 %    K 3[pN], (20°C):                     15.1
CY-3-O2 4.5 %    γ 1[mPa·s], (20°C):                 97
PCH-3O1 10.0 %    V 0[V], (20°C):                       2.37
PY-1-O2 4.5 %    LTS [h] (龐大, -20°C) 1000
PGIY-2-O4 3.0 %         
B(S)2O-O5 3.5 %         
B(S)2O-O4 3.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M3
BCH-32 6.0 %    T (N,I)[°C]: 74
CC-3-V1 8.0 %    Δn (589 nm, 20°C):                0.1042
CC-3-V2 6.0 %    n e(20°C, 589.3 nm):   
CCH-13 18.5 %    n o(20°C, 589.3 nm):   
CCH-24 3.0 %    Δε (1 kHz, 20°C):                   -3.1
CCY-3-O1 8.0 %    ε ||(1 kHz, 20°C):                   3.5
CCY-3-O2 9.0 %    ε (1 kHz, 20°C):                   6.6
CPY-2-O2 3.0 %    K 1[pN], (20°C):                     13.8
CPY-3-O2 10.0 %    K 3[pN], (20°C):                     15.1
CY-3-O2 4.5 %    γ 1[mPa·s], (20°C):                 98
CP-3-O1 10.0 %    V 0[V], (20°C):                       2.33
PY-1-O2 3.5 %    LTS [h] (龐大, -20°C) 1000
PGIY-2-O4 3.0 %         
B(S)2O-O5 3.5 %         
B(S)2O-O4 3.0 %         
Y-4O-O4 1.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物M4含有化合物B(S)-2O-O1(c5)
混合物 M4
BCH-32 6.0 %    T (N,I)[°C]: 73.5
CC-3-V1 8.0 %    Δn (589 nm, 20°C):                0.1041
CC-3-V2 6.0 %    n e(20°C, 589.3 nm):   
CCH-13 18.5 %    n o(20°C, 589.3 nm):   
CCH-24 3.0 %    Δε (1 kHz, 20°C):                   -3.1
CCY-3-O1 8.0 %    ε ||(1 kHz, 20°C):                     
CCY-3-O2 9.0 %    ε (1 kHz, 20°C):                     
CPY-2-O2 3.0 %    K 1[pN], (20°C):                     13.9
CPY-3-O2 10.0 %    K 3[pN], (20°C):                     15.1
CY-3-O2 4.5 %    γ 1[mPa·s], (20°C):                 101
PCH-3O1 10.0 %    V 0[V], (20°C):                       2.33
PY-1-O2 3.5 %    LTS [h] (龐大, -20°C) 1000
PGIY-2-O4 3.0 %         
B(S)-2O-O1(c5) 3.5 %         
B(S)2O-O4 3.0 %         
Y-4O-O4 1.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物M5含有化合物CPY-(c3)2-O2:
混合物 M5
BCH-32 6.0 %    T (N,I)[°C]: 72.5
CC-3-V1 8.0 %    Δn (589 nm, 20°C):                0.1036
CC-3-V2 6.0 %    Δε (1 kHz, 20°C):                   -2.9
CCH-13 18.5 %    γ 1[mPa·s], (20°C):                 101
CCH-24 4.0 %         
CCY-3-O1 8.0 %         
CCY-3-O2 9.0 %         
CPY-2-O2 4.0 %         
CPY-(c3)2-O2 8.0 %         
CY-3-O2 4.5 %         
PCH-3O1 10.0 %         
PY-1-O2 4.5 %         
PGIY-2-O4 3.0 %         
B(S)2O-O5 3.5 %         
B(S)2O-O4 3.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M6
混合物M6由98.87%之混合物M1、0.03%之化合物ST-3a-1及0.10%之化合物H-1-1組成
混合物 M7
混合物M7由98.965%之混合物M1、0.03%之化合物ST-3a-1及0.005%之化合物H-1-1組成
混合物 M8
BCH-32 7.0 %    T (N,I)[°C]: 73.5
CC-3-V1 7.0 %    Δn (589 nm, 20°C]: 0.1040
CC-3-V2 7.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCH-13 20.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.6
CCH-24 0.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.2
CCY-3-1 6.0 %    K 1[pN, 20°C]: 14.1
CCY-3-O2 10.5 %    K 3[pN, 20°C]: 15.8
CPY-2-O2 6.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.36
CPY-3-O2 11.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 104
CY-3-O2 11.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PCH-3-O1 4.0 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: 696
PY-1-O2 5.5 %         
PGIY-2-O4 1.0 %         
B(S)-2O-O5 2.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M9
CPP-3-2 1.0 %    T (N,I)[°C]: 75
CC-3-V1 7.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1044
CC-3-V2 7.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.4
CC-1-3 22.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.6
CC-2-4 2.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.2
CCY-3-1 10.5 %    K 1[pN, 20°C]: 14.7
CCY-3-O2 10.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.9
CPY-2-O2 9.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.37
CPY-3-O2 12.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 103
CP-3-O1 5.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PY-1-O2 8.5 %         
PY-2-O2 2.0 %         
B(S)-2O-O5 3.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M10
B(S)-2O-O4 5.0 %    T (N,I)[°C]: 74
B(S)-2O-O5 5.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1120
B(S)-2O-O6 0.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CCY-3-O2 11.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.7
CPY-2-O2 12.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.1
CPY-3-O2 2.0 %    K 1[pN, 20°C]: 15.4
PYP-2-3 2.5 %    K 3[pN, 20°C]: 14.9
CC-3-V1 8.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.32
CC-4-V1 20.0 %         
CCH-25 2.0 %         
CCH-301 18.0 %         
PP-1-2V1 8.0 %         
PY-1-O2 6.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物實例 P3
混合物實例P3由99.595%之混合物M3、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物 M11
PCH-302 16.0 %    T (N,I)[°C]: 75.5
CCH-34 11.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1125
CCH-25 5.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.7
COY-3-O2 11.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 7.5
CCOY-2-O2 5.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.8
CCOY-3-O2 5.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 137
CCOY-4-O2 4.0 %    K 1[pN, 20°C]: 15.7
PP-1-5 8.0 %    K 3[pN, 20°C]: 16.5
BCH-32 5.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.17
BCH-52 3.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CCP-3-1 6.0 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: 1000
CPY-3-O2 10.0 %         
B(S)-2O-O5 4.0 %         
B(S)-2O-O4 3.0 %         
CY-3-O2 4.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M12
PCH-302 17.0 %    T (N,I)[°C]: 75.5
CCH-34 11.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1126
CCH-25 7.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 4.1
COY-3-O2 4.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 8.1
CCOY-2-O2 4.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -4.0
CCOY-3-O2 3.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 146
CCOY-4-O2 6.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.6
PP-1-5 5.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.6
BCH-32 3.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.08
CPY-2-O2 7.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CPY-3-O2 12.0 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: 1000
B(S)-2O-O4 3.0 %         
B(S)-2O-O5 4.0 %         
CLP-3-T 3.0 %         
CY-3-O2 10.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M13
B(S)-2O-O4 2.0 %    T (N,I)[°C]: 74.5
B(S)-2O-O5 2.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1026
CC-3-V1 8.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.3
CC-4-V1 20.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.3
CCH-24 3.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.0
CCH-25 2.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 98
CCH-301 0.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.3
CCH-34 4.5 %    K 3[pN, 20°C]: 16.0
CCH-35 1.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.46
CCY-3-O2 10.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CPY-2-O2 7.5 %         
CPY-3-O2 9.5 %         
CY-3-O2 15.5 %         
CY-3-O4 2.0 %         
PCH-302 4.0 %         
PP-1-2V1 7.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M14
BCH-32 6.0 %    T (N,I)[°C]: 74
CC-3-V1 8.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1042
CC-3-V2 6.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCH-13 18.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.6
CCH-24 3.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.1
CCY-3-O1 8.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 98
CCY-3-O2 9.0 %    K 1[pN, 20°C]: 13.8
CPY-2-O2 3.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.1
CPY-3-O2 10.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.33
CY-3-O2 4.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PCH-301 10.0 %         
PY-1-O2 3.5 %         
PGIY-2-O4 3.0 %         
B(S)-2O-O5 3.5 %         
B(S)-2O-O4 3.0 %         
Y-4O-O4 1.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M15
BCH-32 6.0 %    T (N,I)[°C]: 74.5
CC-3-V1 8.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1040
CC-3-V2 6.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCH-13 18.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.6
CCH-24 3.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.1
CCY-3-O1 8.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 98
CCY-3-O2 9.0 %    K 1[pN, 20°C]: 13.9
CPY-2-O2 3.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.3
CPY-3-O2 10.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.34
CY-3-O2 4.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PCH-301 10.5 %         
PY-1-O2 3.5 %         
PGIY-2-O4 2.5 %         
B(S)-2O-O5 3.5 %         
B(S)-2O-O4 3.0 %         
Y-4O-O4 1.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M16
CC-3-V1 7.5 %    T (N,I)[°C]: 73.5
CC-4-V1 20.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0989
CCH-24 9.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CCP-3-1 10.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.9
CCY-3-O1 7.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.3
CCY-3-O2 11.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 94
CY-3-O2 12.0 %    K 1[pN, 20°C]: 14.9
B(S)-2O-O5 4.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.3
B(S)-2O-O4 3.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.27
PP-1-3 3.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PY-1-O2 8.0 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: > 672
PY-2-O2 3.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M17
CCP-V-1 12.0 %    T (N,I)[°C]: 74
CCP-V2-1 6.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1039
CCY-4-O2 12.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CPY-2-O2 9.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.5
B(S)-2O-O4 0.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -2.9
CC-3-V1 11.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 98
CC-4-V1 3.0 %    K 1[pN, 20°C]: 13.2
CCH-24 4.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.9
CCH-35 6.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.39
CY-3-O2 10.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PCH-301 9.0 %         
PY-1-O2 10.0 %         
PY-2-O2 6.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M18
BCH-32 2.5 %    T (N,I)[°C]: 73.5
CCP-V2-1 4.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1035
CCY-3-O2 11.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CLY-3-O2 1.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.8
CPY-3-O2 5.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.3
CC-3-V1 11.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 90
CCH-24 8.0 %    K 1[pN, 20°C]: 15.4
CCH-35 4.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.2
CY-3-O2 6.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.28
PY-3-O2 6.0 %         
PY-1-O2 7.5 %         
PY-2-O2 4.0 %         
CC-4-V1 22.0 %         
B(S)-2O-O4 3.0 %         
B(S)-2O-O5 4.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M19
CC-3-V1 7.5 %    T (N,I)[°C]: 74.5
CC-4-V1 20.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0978
CCH-24 9.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCP-3-1 11.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.7
CCY-3-O1 6.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.2
CCY-3-O2 11.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 92
CY-3-O2 13.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.0
B(S)-2O-O5 4.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.5
B(S)-2O-O4 3.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.33
PP-1-3 4.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PY-1-O2 6.5 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: 1000
PY-2-O2 3.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M20
CC-3-V1 8.0 %    T (N,I)[°C]: 72.5
B(S)-2O-O4 0.75 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1026
CC-4-V1 18.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.4
CCH-24 8.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.5
CCH-301 4.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.1
CCY-3-O2 11.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 104
CPY-3-O2 8.75 %    K 1[pN, 20°C]: 14.3
CPY-2-O4 6.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.1
CPY-2-O2 7.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.34
CY-3-O2 15.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CY-3-O4 4.5 %         
PP-1-2V1 8.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M21
B(S)-2O-O5 0.25 %    T (N,I)[°C]: 74
CC-3-V1 8.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1039
CC-4-V1 26.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCH-24 2.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.5
CCH-301 4.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.0
CCY-3-O1 7.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 103
CPY-3-O2 12.5 %    K 1[pN, 20°C]: 14.0
CPY-2-O2 9.5 %    K 3[pN, 20°C]: 15.1
CY-3-O2 15.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.36
CY-3-O4 7.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: > 1000
PYP-2-3 3.0 %         
PP-1-2V1 5.25 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M22
B(S)-2O-O4 4.0 %    T (N,I)[°C]: 74.5
B(S)-2O-O5 5.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1020
CC-3-V1 8.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.4
CC-4-V1 20.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.4
CCH-24 4.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.0
CCH-303 4.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 91
CCH-34 5.0 %    K 1[pN, 20°C]: 16.2
CCH-35 5.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.8
CCY-3-O2 1.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.34
CLY-3-O2 9.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CPY-2-O2 1.5 %         
CPY-3-O2 12.0 %         
CY-3-O2 13.0 %         
PP-1-4 8.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M23
B(S)-2O-O5 1.5 %    T (N,I)[°C]: 74.5
CC-3-V1 8.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0901
CC-4-V1 20.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCH-301 7.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.7
CCH-24 3.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.2
CCP-3-1 5.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 100
CCY-3-O1 8.0 %    K 1[pN, 20°C]: 14.2
CCY-3-O2 11.0 %    K 3[pN, 20°C]: 16.3
CCY-5-O2 4.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.38
CPY-2-O2 1.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CY-3-O2 14.5 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: 1000
PCH-302 5.0 %         
PY-1-O2 10.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M24
B(S)-2O-O5 4.0 %    T (N,I)[°C]: 74
CC-3-V1 8.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1039
CC-4-V1 22.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.4
CCH-24 8.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.5
CCH-25 5.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.1
CCY-3-O2 8.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 98
CPY-3-O2 12.0 %    K 1[pN, 20°C]: 14.2
CY-3-O2 15.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.2
CY-3-O4 6.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.26
PYP-2-3 11.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
Σ 100.0 %         
混合物 M25
CC-3-V1 7.5 %    T (N,I)[°C]: 74
CC-4-V1 20.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0982
CCH-24 8.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCP-3-1 13.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.7
CCY-3-O1 6.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.2
CCY-3-O2 9.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 97
CY-3-O2 13.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.0
B(S)-2O-O5 4.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.2
PP-1-3 4.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.30
PY-1-O2 6.0 %    LTS 龐大 [h, -10°C]: 1000
PY-2-O2 3.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
4.0 %    LTS 龐大 [h, -30°C]: 1000
Σ 100.0 %         
混合物 M26
B(S)-2O-O5 5.0 %    T (N,I)[°C]: 75
CCP-3-1 14.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0980
CCY-3-O1 2.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CCY-3-O2 9.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.9
B(S)-2O-O4 4.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.3
CC-3-V1 8.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 93
CC-4-V1 20.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.4
CCH-24 10.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.1
CY-3-O2 11.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.26
PY-1-O2 3.5 %    LTS 龐大 [h, -10°C]: 1000
PY-2-O2 10.0 %         
CLY-3-O2 1.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M27
B(S)-2O-O5 5.0 %    T (N,I)[°C]: 75
CCP-3-1 14.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0977
CCY-3-O1 3.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CCY-3-O2 9.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.9
4.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.4
CC-3-V1 8.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 96
CC-4-V1 19.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.0
CCH-24 10.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.9
CY-3-O2 11.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.22
PY-1-O2 4.0 %    LTS 龐大 [h, -10°C]: 1000
PY-2-O2 9.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CLY-3-O2 1.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M28
B(S)-2O-O5 5.0 %    T (N,I)[°C]: 75
CCP-3-1 14.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.0973
CCY-3-O1 3.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CCY-3-O2 6.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.8
7.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.3
CC-3-V1 8.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 96
CC-4-V1 19.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.4
CCH-24 10.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.9
CY-3-O2 11.5 %    V 0[V, 20°C]: 2.26
PY-1-O2 4.0 %    LTS 龐大 [h, -10°C]: 1000
PY-2-O2 5.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
PCH-302 4.0 %         
CLY-3-O2 1.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M29
B(S)-2O-O5 4.0 %    T (N,I)[°C]: 75
CC-4-V1 6.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1011
CC-3-V1 8.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.4
CCH-23 6.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.6
CCH-24 7.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.1
CCP-3-1 9.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 110
CCY-3-O1 7.0 %    K 1[pN, 20°C]: 15.0
CCY-3-O2 8.0 %    K 3[pN, 20°C]: 16.5
CLY-3-O2 1.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.42
CPY-3-O2 4.5 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CY-3-O2 12.0 %         
PCH-302 9.0 %         
PGIY-2-O4 5.0 %         
CY-5-O2 8.0 %         
PP-1-2V1 5.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M30
B(S)-2O-O4 5.0 %    T (N,I)[°C]: 74.5
B(S)-2O-O5 4.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1031
CC-3-V1 9.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.5
CC-4-V1 16.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.7
CCH-303 7.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.2
CCH-35 5.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 100
CCH-24 6.0 %    K 1[pN, 20°C]: 16.7
CCY-3-O2 11.0 %    K 3[pN, 20°C]: 16.5
CLP-3-T 1.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.40
CPY-3-O2 11.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CY-3-O2 15.0 %         
CY-3-O4 1.5 %         
PP-1-2V1 8.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M31
B(S)-2O-O4 2.0 %    T (N,I)[°C]: 74.5
B(S)-2O-O5 2.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1026
CC-3-V1 8.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.3
CC-4-V1 20.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.3
CCH-24 3.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.0
CCH-25 2.5 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 98
CCH-301 0.5 %    K 1[pN, 20°C]: 15.3
CCH-34 4.5 %    K 3[pN, 20°C]: 16.0
CCH-35 1.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.46
CCY-3-O2 10.0 %    LTS 龐大 [h, -20°C]: 1000
CPY-2-O2 7.5 %         
CPY-3-O2 9.5 %         
CY-3-O2 15.5 %         
CY-3-O4 2.0 %         
PCH-302 4.0 %         
PP-1-2V1 7.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M32
B(S)-2O-O5 2.0 %    T (N,I)[°C]: 74.3
BCH-32 3.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1055
CCP-3-1 9.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.7
CCY-3-O1 2.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 7.3
CCY-3-O2 11.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.6
CLY-3-O2 1.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 112
CPY-3-O2 9.5 %    K 1[pN, 20°C]: 13.7
CC-3-V1 6.0 %    K 3[pN, 20°C]: 15.7
CC-4-V1 8.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.20
CCH-24 3.0 %         
CCH-34 9.5 %         
CY-3-O2 15.5 %         
PCH-301 5.0 %         
PY-1-O2 3.5 %         
PY-2-O2 11.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M33
B(S)-2O-O5 3.0 %    T (N,I)[°C]: 74.2
BCH-32 2.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1053
CCP-3-1 9.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CCY-3-O2 8.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.9
CLY-3-O2 1.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.3
CPY-2-O2 5.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 104
CPY-3-O2 9.5 %    K 1[pN, 20°C]: 13.7
CC-3-V1 6.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.8
CC-4-V1 8.0 %         
CCH-24 6.5 %         
CCH-34 9.5 %         
CY-3-O2 13.0 %         
PCH-301 5.0 %         
PY-1-O2 1.5 %         
PY-2-O2 12.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M34
B(S)-2O-O5 2.0 %    T (N,I)[°C]: 84.4
BCH-32 6.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1028
CCP-3-1 9.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.6
CCY-3-O1 8.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 6.9
CCY-3-O2 11.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.4
CCY-5-O2 6.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 134
CLY-3-O2 1.0 %    K 1[pN, 20°C]: 14.4
CPY-3-O2 4.5 %    K 3[pN, 20°C]: 17.1
CC-3-V1 6.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.38
CCH-24 6.0 %         
CCH-34 3.0 %         
CCH-301 8.5 %         
CY-3-O2 10.0 %         
PCH-301 5.0 %         
PCH-302 3.0 %         
PY-2-O2 10.0 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M35
B(S)-2O-O4 4.5 %    T (N,I)[°C]: 74.5
B(S)-2O-O5 4.5 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1168
BCH-32 6.5 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.7
CC-3-V1 6.5 %    ε [1 kHz, 20°C]: 7.0
CCH-24 5.0 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.3
CCH-301 8.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 101
CCH-34 9.0 %    K 1[pN, 20°C]: 14.8
CCH-35 5.0 %    K 3[pN, 20°C]: 14.7
CCP-3-1 13.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.22
CLY-3-O2 3.5 %         
CPY-3-O2 8.5 %         
CY-3-O2 5.0 %         
PY-1-O2 7.5 %         
PY-2-O2 11.0 %         
PYP-2-3 2.5 %         
Σ 100.0 %         
混合物 M36
B(S)-2O-O5 4.0 %    T (N,I)[°C]: 75
BCH-32 7.0 %    Δn [589 nm, 20°C]: 0.1022
CC-3-V1 6.0 %    ε ||[1 kHz, 20°C]: 3.7
CCH-25 5.0 %    ε [1 kHz, 20°C]: 7.1
CCH-34 9.5 %    Δε [1 kHz, 20°C]: -3.4
CCP-3-1 8.0 %    γ 1[mPa·s, 20°C]: 115
CCY-3-O1 7.5 %    K 1[pN, 20°C]: 14.0
CCY-3-O2 3.5 %    K 3[pN, 20°C]: 15.2
CCY-4-O2 10.0 %    V 0[V, 20°C]: 2.21
CLY-3-O2 1.0 %         
CY-3-O2 15.0 %         
PCH-302 12.0 %         
PY-2-O2 11.5 %         
Σ 100.0 %         
為提高可靠性,根據實例M11至M36之混合物可另外用選自下述化合物a)至h)之群之一種、兩種或三種穩定劑來穩定,其中該穩定劑在各情況下以基於總混合物之0.01至0.04%之量添加。
可聚合混合物實例
混合物實例 P1混合物實例P1由99.595%之混合物M1、0.40%之化合物RM-1 及0.005%之化合物ST-3a-1組成
混合物實例 P2混合物實例P2由99.595%之混合物M2、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物實例 P3混合物實例P3由99.595%之混合物M3、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物實例 P4混合物實例P4由99.595%之混合物M4、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物實例 P5混合物實例P5由99.595%之混合物M6、0.40%之化合物RM-1及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物實例 P6混合物實例P6由99.595%之混合物M1、0.40%之化合物RM-19及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物實例 P7混合物實例P7由99.595%之混合物M2、0.40%之化合物RM-19及0.005%之化合物ST-3b-1組成。
混合物實例 P8混合物實例P8由99.595%之混合物M3、0.40%之化合物RM-35 及0.005%之化合物ST-3a-1組成
混合物實例 P9混合物實例P9由99.595%之混合物M4、0.40%之化合物RM-156 及0.005%之化合物ST-3a-1組成。
混合物實例 P10混合物實例P10由99.595%之混合物M5、0.40%之化合物RM-157 及0.005%之化合物ST-3b-1組成。

Claims (18)

  1. 一種液晶介質,其包括a)一種或多種式I化合物 其中 R 1表示正丁基或正戊基; b)一種或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之群之化合物, 其中 R 2A、R 2B、R 2C及R 2D各彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基,其各為未經取代、或至少經鹵素單取代,其中此等基團中之一個或多個CH 2基團可以使O原子彼此不直接連接之方式經-O-、-S-、 、-C C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-OC-O-或-O-CO-置換; L 1及L 2各彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2; Y表示H、F、Cl、CF 3、CHF 2或CH 3; Z 2、Z 2B及Z 2D各彼此獨立地表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-; p表示0、1或2; q表示0或1,及 v表示1、2、3、4、5或6; 及c)一種或多種式III化合物 其中 R 31及R 32各彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之烷基或烷氧基,其中此等基團中之一個或多個CH 2基團可各以使O原子彼此不直接連接之方式彼此獨立地經 、-C C-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH=CH-,經-O-、-CO-O-或-O-CO-置換,且其中一個或多個H原子可經鹵素置換, A 3每次出現時彼此獨立地表示1,4-伸苯基,其中一個或兩個CH基團可經N或1,4-伸環己基或1,4-伸環己烯基置換,其中一個或兩個不相鄰之CH 2基團可經-O-或-S-置換,其中該等基團可經鹵原子單或多取代, Z 3每次出現時彼此獨立地表示-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-CH 2-、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-C 0C-或單鍵, L 31及L 32各彼此獨立地表示F、Cl、CF 3或CHF 2, W表示O或S,及 N表示0、1或2。
  2. 如請求項1之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式IIB-2化合物 其中alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基,且(O)表示氧原子或單鍵。
  3. 如請求項2之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式IIB-2化合物,其中alkyl表示甲基或丙基且alkyl*表示乙基。
  4. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式IV-3化合物, 其中alkyl表示具有1至7個C原子之烷基,且alkenyl表示 ,其中m係0、1或2且n係0、1或2。
  5. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式IV-1化合物, 其中 alkyl及alkyl’相同或不同地表示具有1至7個C原子之烷基,其總量在從1%至30%範圍內, 其中不包括式I化合物。
  6. 如請求項5之液晶介質,其中式IV-1中之alkyl表示甲基且alkyl’表示正丙基。
  7. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式IVa化合物, 其中 R 41與R 42各彼此獨立地表示具有多達12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烯氧基,及 表示 , Z 4表示單鍵、-CH 2CH 2-、-CH=CH-、-CF 2O-、-OCF 2-、-CH 2O-、-OCH 2-、-COO-、-OCO-、-C 2F 4-、-C 4H 8-或-CF=CF-。
  8. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包含一或多種式V化合物 其中 R 51、R 52表示具有1至7個C原子之烷基、具有1至7個C原子之烷氧基、或具有2至7個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基, 相同或不同地表示 , Z 51、Z 52各彼此獨立地表示-CH 2-CH 2-、-CH 2-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵,及 n係1或2。
  9. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式VI化合物 其中R 6及R 62具有如請求項1中所定義之R 2A之含義,且R 62替代地表示F、Cl、CF 3或OCF 3,及 L 61、L 62、L 63、L 64、L 65及L 66獨立地表示H或F,其中L 61、L 62、L 63、L 64、L 65及L 66中之至少一者表示F。
  10. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式P1至P4化合物 R P表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之烯基 X P表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、F、Cl、CF 3、OCF 2H、OCF 3、OCHFCF 3、OCF 2CHFCF 3或OCH=CF 2L P1、L P2及L P3各彼此獨立地表示H或F。
  11. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種選自下式化合物之群之化合物 其中該等參數係如請求項1、8及9中所定義 及 alkyl及alkyl*各彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基 alkenyl及alkenyl*各彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基, (O)alkyl*或(O)-alkyl表示烷基*或O-烷基* m表示0、1、2、3、4、5或6 R具有如式IIA中R 2A之含義 R 11及R 12各彼此獨立地具有式IIA中針對R 2A給定之含義中之一者 L 1及L 2各彼此獨立地表示F或Cl L 3表示H或CH 3(O)表示O或單鍵 R IIIA表示具有多達7個C原子或基團Cy-C mH 2m+1之烷基或烯基, m及n相同或不同地為0、1、2、3、4、5或6 Cy表示具有3、4或5個環原子之環脂族基團,其視需要經各具有最多3個C原子之烷基或烯基,或經鹵素或CN取代。
  12. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種式H化合物 其中 Ar表示具有4至40個C原子之芳族或雜芳烴基; Sp表示間隔基團; R S表示H、具有1至12個C原子之烷基或具有2至12個C原子之烯基; Z S表示-O-、-C(O)O-、-(CH 2)z-或-(CH 2)zO-或單鍵; HA表示 ; R H表示H、O 、CH 3、OH或OR S; R S1、R S2、R S3及R S4相同或不同地表示具有1至6個C原子之烷基; G表示H或R S或基團Z S-HA; z係1至6之整數;及 q係3或4。
  13. 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包括一種或多種選自染料、摻雜劑及反應性液晶原之群之化合物。
  14. 一種液晶顯示器,其包括如請求項1至13中任一項之液晶介質。
  15. 如請求項14之顯示器,其中該顯示器係VA、IPS、FFS、PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器。
  16. 一種如請求項1至13任一項之液晶介質在VA、IPS、FFS、PS-VA、PS-IPS或PS-FFS顯示器中之用途。
  17. 一種如請求項1至13任一項之液晶介質於節能LC顯示器中之用途。
  18. 一種製備如請求項1至13任一項之液晶介質之方法,其包括以下步驟:混合式I及式III之一種或多種化合物,及較佳與一種或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之化合物混合,及視需要與一種或多種反應性液晶原混合,及視需要與其他LC化合物及/或添加劑混合。
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