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TWI868279B - 液晶介質 - Google Patents

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TWI868279B
TWI868279B TW109144469A TW109144469A TWI868279B TW I868279 B TWI868279 B TW I868279B TW 109144469 A TW109144469 A TW 109144469A TW 109144469 A TW109144469 A TW 109144469A TW I868279 B TWI868279 B TW I868279B
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史分 克里斯丁 勞特
蒙妮卡 鮑爾
賽巴斯汀 侯梅爾
克莉絲汀 薇絲
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德商馬克專利公司
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Abstract

本發明係關於一種液晶(LC)介質，其包含式I化合物 及 一或多種選自如請求項1中所定義之式IIA、IIB、IIC及IID之化合物之群的化合物，

Description

液晶介質
本發明係關於一種液晶(LC)介質，且係關於LC介質用於光學、電光及電子目的，特定言之在LC顯示器中，尤其在IPS、FFS、VA或PS-VA顯示器中之用途。
目前使用之一種液晶顯示器(LCD)模式為扭轉向列(「twisted nematic；TN」)模式。然而，TN LCD之缺點為對比度對視角具有強依賴性。
另外，已知所謂豎直對準(「vertically aligned；VA」)顯示器具有較寬視角。VA顯示器之LC單元在兩個透明電極之間含有LC介質層，其中LC介質通常具有負介電各向異性。在關斷狀態下，LC層之分子垂直於電極表面(垂直地)對準或具有傾斜的垂直對準。在對兩個電極施加電壓後，發生與電極表面平行之LC分子之再對準。
此外，已知光學補償彎曲(「optically compensated bend；OCB」)顯示器，其係基於雙折射效應且具有具備所謂「彎曲」對準及通常正介電各向異性之LC層。在施加電壓後，發生垂直於電極表面之LC分子之再對準。另外，OCB顯示器通常含有一或多個雙折射光阻滯膜以防止在黑暗狀態下彎曲單元之透光度不合需要。相較於TN顯示器，OCB顯示器具有較寬視角及較短響應時間。
亦已知所謂共平面切換(「in-plane switching；IPS」)顯示器，其在兩個基板之間含有LC層，其中兩個電極配置於兩個基板中之僅一者上且較佳具有互相嚙合之梳形結構。在對電極施加電壓後，從而在其之間生成具有與LC層平行之顯著分量的電場。此使層平面中之LC分子再對準。
此外，已報導所謂的邊緣場切換(「fringe-field switching，FFS」)顯示器(尤其參見S.H. Jung等人, Jpn. J. Appl. Phys., 第43卷, 第3,2004,1028號)，其在同一基板上含有兩個電極，該等電極中之一者以梳形方式經結構化且另一者未經結構化。從而生成強的所謂「邊緣場」，亦即接近電極之邊緣的強電場，及遍及單元之具有強豎直分量以及強水平分量兩者的電場。FFS顯示器對對比度具有低視角依賴性。FFS顯示器通常含有具有正介電各向異性之LC介質，及通常聚醯亞胺之對準層，該對準層向LC介質之分子提供平面對準。
FFS顯示器可作為主動矩陣式或被動矩陣式顯示器操作。如自先前技術已知，在主動矩陣式顯示器之情況下，個別像素通常藉由諸如電晶體(例如薄膜電晶體(「thin-film transistor；TFT」))之積體非線性主動元件來定址，而在被動矩陣式顯示器之情況下，個別像素通常藉由多工方法來定址。
此外，已揭示FFS顯示器(參見S.H. Lee 等人，Appl. Phys. Lett. 73(20), 1998, 2882-2883及S.H. Lee 等人，Liquid Crystals 39(9), 2012, 1141-1148)具有與FFS顯示器類似的電極設計及層厚度，但包含具有負介電各向異性之LC介質層而非具有正介電各向異性之LC介質層。相較於具有正介電各向異性之LC介質，具有負介電各向異性之LC介質展示更有利的指向矢定向，即傾斜更小且扭轉定向更大，因此此等顯示器具有更高的透射率。顯示器進一步包含設置於基板中之至少一者上之對準層，較佳聚醯亞胺之對準層，其與LC介質接觸且誘導LC介質之LC分子的平面對準。此等顯示器亦稱為「超亮度FFS (Ultra Brightness FFS；UB-FFS)」模式顯示器。此等顯示器需要具有高可靠性之LC介質。
如下文中所用之術語「可靠性」意謂顯示器在時間期間及不同應力負荷，諸如光負荷、溫度、濕度、電壓下之效能品質，且包含在LC顯示器領域中為熟習此項技術者已知之顯示器效應，諸如影像殘留(image sticking) (區域及線影像殘留)、雲紋、yogore等。作為用於對可靠性進行分類之標準參數，通常使用電壓保持率(voltage holding ration；VHR)值，其為使測試顯示器中之電壓維持恆定之量度。在其他因素中，較高VHR為LC介質之較高可靠性的前提條件。
在較新類型之VA顯示器中，LC分子之均勻對準限於LC單元內之複數個相對較小域中。向錯(disclination)可存在於亦稱為傾斜域之此等域之間。相較於習知VA顯示器，具有傾斜域之VA顯示器之對比度及灰度具有更大視角獨立性。另外，此類型之顯示器更易製造，此係由於不再需要諸如藉由摩擦對電極表面進行額外處理以使分子在接通狀態下均勻對準。相反，傾斜或預傾斜角之較佳方向係由電極之特殊設計來控制。
在所謂的多域豎直對準(「multidomain vertical alignment；MVA」)顯示器中，此通常係藉由具有造成局部預傾斜之突起的電極來達成。因此，在施加電壓後LC分子在單元之不同限定區域中在不同方向上與電極表面平行對準。由此達成「可控」切換，且防止干擾性向錯線之形成。儘管此配置改良顯示器之視角，然而，其使得其透光度降低。MVA之進一步發展在僅一個電極側上使用突起，而相對電極具有狹縫，其改良透光度。在施加電壓後狹縫電極在LC單元中生成非均質電場，其意謂仍達成受控切換。就對透光度之進一步改良而言，可增加狹縫與突起之間的間隔，但此又會造成響應時間延長。在所謂圖案化VA (「patterned VA；PVA」)顯示器中，使突起變得完全多餘，因為兩個電極均藉助於相對側上之狹縫來結構化，其使得對比度增加及透光度改良，但技術上較困難且使得顯示器對機械影響(「輕拍(tapping)」等)更敏感。然而，就許多應用(諸如監視器及尤其TV螢幕)而言，需要縮短顯示器之響應時間且改良對比度及亮度(透射)。
另一發展為所謂聚合物持續(「polymer sustained；PS」)或聚合物持續對準(「polymer sustained alignment；PSA」)型顯示器，就其而言，亦間或使用術語「聚合物穩定化(polymer stabilised)」。其中，將少量(例如0.3重量%，通常＜1重量%)一或多種可聚合化合物，較佳可聚合單體化合物添加至LC介質中，且在將LC介質填充至顯示器中之後，通常藉由UV光聚合原位聚合或交聯，視情況同時向顯示器之電極施加電壓。聚合在LC介質呈現液晶相所處之溫度下，通常在室溫下進行。已證實向LC混合物中添加可聚合液晶原基或液晶化合物，亦稱為反應性液晶原基(reactive mesogen)或「RM」尤其適合。
除非另外指定，否則一般而言當提及聚合物持續對準型顯示器時，在下文中使用術語「PSA」，且當提及特定顯示模式如PS-VA、PS-TN及其類似模式時，使用術語「PS」。
同樣，除非另外指定，否則當提及可聚合液晶原基或液晶化合物時，在下文中使用術語「RM」。
同時，PS(A)原理用於多種習知LC顯示模式。因此，已知例如PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS及PS-TN顯示器。RM之聚合，就PS-VA及PS-OCB顯示器而言，較佳地利用施加電壓來進行，且就PS-IPS顯示器而言，利用或不利用施加電壓(較佳地，不利用)來進行。如測試單元中可證實，PS(A)方法導致單元預傾斜。舉例而言，在PS-OCB顯示器之情況下，彎曲結構可能經穩定化，以使得不需要或可降低偏移電壓。就PS-VA顯示器而言，預傾斜對響應時間具有正效應。就PS-VA顯示器而言，可使用標準MVA或PVA像素及電極佈局。然而，另外，亦有可能例如用僅一個結構化電極側且無突起來控制，其顯著簡化製造且同時產生極佳對比度且得到極佳透光度。
此外，已證實所謂posi-VA顯示器(「正VA」)為尤其適合模式。如在經典VA顯示器中，在不施加電壓時之初始狀態下，posi-VA顯示器中LC分子之初始定向為垂直的，亦即實質上與基板正交。然而，相比於經典VA顯示器，在posi-VA顯示器中，使用具有正介電各向異性之LC介質。如在通常所用之IPS顯示器中，posi-VA顯示器中之兩個電極經配置於兩個基板中之僅一者上，且較佳展現互相嚙合且梳狀(交叉指)之結構。藉由對交叉指電極施加電壓，其形成實質上平行於LC介質層之電場，LC分子轉移至實質上平行於基板之定向。在posi-VA顯示器中，藉由向LC介質中添加在顯示器中聚合之RM，聚合物穩定化亦經證實為有利的，如藉此可實現切換時間之顯著減少。
PS-VA顯示器描述於例如EP 1 170 626 A2、US 6,861,107、US 7,169,449、US 2004/0191428 A1、US 2006/0066793 A1及US 2006/0103804 A1中。PS-OCB顯示器描述於例如T.-J- Chen等人, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 2006, 2702-2704及S. H. Kim, L.-C- Chien, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 2004, 7643-7647中。PS-IPS顯示器描述於例如US 6,177,972及Appl. Phys. Lett. 1999, 75(21), 3264中。PS-TN顯示器描述於例如Optics Express 2004, 12(7), 1221中。
在由引起上述預傾斜角之相分離且聚合之RM形成的層下，PSA顯示器通常含有對準層，例如聚醯亞胺之對準層，其在聚合物穩定步驟之前提供LC分子之初始對準。
摩擦聚醯亞胺層已長期用作為對準層。摩擦製程引起多種問題，如雲紋、污染、靜電放電問題、殘渣等。因此，代替摩擦聚醯亞胺層，提議使用藉由光對準，利用對準表面之光誘發定向排序製備之聚醯亞胺層。此可藉助於偏光經由光分解、光二聚(photodimerization)或光異構化(photoisomerization)來達成。
然而，仍需要包含光反應性基團之經適合衍生之聚醯亞胺層。大體而言，用於製造此類聚醯亞胺層，處理聚醯亞胺及改良凸塊或聚合物層之工作量及成本相對較大。
此外，觀察到聚醯亞胺對準層與LC介質之某些化合物之不利相互作用通常使得顯示器之電阻降低。適合且可用的LC化合物之數目因此顯著地減少，在損害旨在藉由使用該等LC化合物改良類似於視角依賴性、對比度及響應時間之顯示參數的情況下。因此需要省略聚醯亞胺對準層。
對於一些顯示模式而言，此藉由將自對準劑或添加劑添加至LC介質來達成，其藉由自組裝機制誘導所需對準，例如原位垂面或平面對準。因而，可省略基板中之一者或兩者上之對準層。此等顯示模式亦稱為「自對準(self-aligned或self-aligning)」 (SA)模式。
在SA顯示器中，將少量(通常0.1至2.5%)之自對準添加劑添加至LC介質。適合的自對準添加劑為例如具有有機核基團及附接至其上之一或多種極性錨定基團之化合物，其可與基板表面相互作用，使得基板表面上之添加劑對準且亦在LC分子中引起所需對準。較佳自對準添加劑包含例如液晶原基基團及經一或多個極性錨固基團封端之直鏈或分支鏈烷基側鏈，該一或多個極性錨固基團例如選自羥基、羧基、胺基或硫醇基。自對準添加劑亦可含有一或多個可在類似於用於PSA製程之RM的條件下聚合的可聚合基團。
迄今已揭示SA-VA顯示器及SA-FFS顯示器。尤其用於SA-VA型顯示器之引發垂直對準的適合自對準添加劑揭示於例如US 2013/0182202 A1、US 2014/0138581 A1、US 2015/0166890 A1及US 2015/0252265 A1中。
SA模式亦可與PSA模式組合使用。用於此類組合模式之顯示器之LC介質因此含有一或多種RM及一或多種自對準添加劑兩者。
如同上述習知LC顯示器，PSA顯示器可作為主動矩陣式或被動矩陣式顯示器操作。如自先前技術已知，在主動矩陣式顯示器之情況下，個別像素通常藉由諸如電晶體(例如薄膜電晶體(「TFT」))之積體非線性主動元件來定址，而在被動矩陣式顯示器之情況下，個別像素通常藉由多工方法來定址。
PSA顯示器亦可包含形成顯示器單元之基板中之一者或兩者上的對準層。對準層通常應用於電極上(在存在此類電極之情況下)以使得其與LC介質接觸且誘導LC分子之初始對準。對準層可包含例如聚醯亞胺或由其組成，其亦可經摩擦或可藉由光對準方法製備。
特定言之，就監視器及尤其TV應用而言，持續需要最佳化LC顯示器之響應時間以及對比度及亮度(因此，亦需要最佳化透射率)。PSA方法在此處可提供顯著的優勢。特定言之，在PS-VA、PS-IPS、PS-FFS及PS-posi-VA顯示器之情況下，可達成響應時間之縮短(其與測試單元中可量測之預傾斜相關)，而不對其他參數產生顯著副作用。
本發明係基於以下目標：在用於顯示器之LC介質中提供新穎的適合材料，其視情況包含反應性液晶原基(RM)，不具有或以降低程度具有上文所指定之缺點。特定言之，此項技術中仍需要具有高可靠性之液晶介質。
此外，本發明之目標為提供除熟習此項技術者已知之現有介質之外的替代介質，以拓寬可用材料的範圍，從而允許更具體地最佳化特定顯示器。
此等目標已根據本發明藉由如在本申請案中描述之材料及方法而達成。特定言之，已意外地發現，使用如下文中所述之液晶主體可達成如上文所提及之有利效應。
本發明係關於一種液晶介質，其包含一或多種式I化合物 其中 RL 表示H、具有1至15個C原子之直鏈或分支鏈烷基或烷氧基，其中此等基團中之一或多個CH2 基團可各自彼此獨立地經 、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-O-、-CO-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換， XL 表示F、Cl、CN、CHF2 、CF3 、OCF3 ，或相同或不同地具有RL 之含義中之一者， YL 表示H、F、Cl或CH3 ， 且介質進一步包含一或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之化合物之群的化合物， 其中 R2A 、R2B 、R2C 及R2D 各自彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF3 單取代或經鹵素至少單取代之烷基或烯基，其中另外，此等基團中之一或多個CH2 基團可經-O-、-S-、,、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-OC-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換， L1 至L4 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ， Y           表示H、F、Cl、CF3 、CHF2 或CH3 ，較佳為H或CH3 ，尤其較佳為H， Z2 、Z2B 及Z2D 各自彼此獨立地表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-CF=CF-、-CH=CHCH2 O-， p            表示0、1或2， q            在每次出現時相同或不同地表示0或1，且 v            為1至6之整數， 其中具有以下組成之混合物X-1及X-2混合物 X-1 ：
CC-3-V1 8.0%
CC-4-V1 20.0%
CC-3-O1 10.5%
CC-3-O3 2.0%
CC-3-4 0.5%
CCY-3-O2 11.0%
COB(S)-2-O4 7.5%
CLP-3-T 1.0%
CPY-3-O2 10.5%
CY-3-O2 15.5%
CY-3-O4 3.5%
PP-1-2V1 10.0%
Σ 100.0%
混合物 X-2 ：
B(S)-2O-O4 2.0%
B(S)-2O-O5 4.0%
CC-3-V 37.0%
CC-3-V1 3.0%
CCP-V-1 14.5%
CCY-3-O2 11.5%
CCY-5-O2 3.0%
COB(S)-2-O4 10.0%
CY-3-O2 14.0%
CLP-3-T 1.0%
Σ 100.0%
排除在外。
混合物X-1及X-2展示於歐洲專利申請案第19199422.7號中，其中在表1至表3及表A中解釋用於指明混合物組分之首字母縮寫詞。首字母縮寫詞與本文所用及下表A、B、C及D中所解釋之首字母縮寫詞一致。
相較於現有技術水平已知之包含一或多種式IIA、IIB、IIC或IID之化合物但無式I化合物的介質，藉由顯著改良之可靠性區分根據本發明之介質。特定言之，UV光負荷之後的電壓保持率(VHR)得到改良。
式I化合物較佳經選擇以形成式I-1、I-2及I-3、較佳I-1及I-2之化合物之群： 其中 RL1 及RL2 相同或不同地具有上文針對式I所給出之含義，且較佳表示分別具有1至7個C原子或2至7個C原子之烷基或烯基，其中CH2 基團可經環丙烷-1,2-二基置換。
在式IIA、IIB及IID之化合物中，Z2 可具有相同或不同含義。在式IIB化合物中，Z2 及Z2B 可具有相同或不同含義。在式IID化合物中，Z2 及Z2D 可具有相同或不同意義。
在式IIA、IIB、IIC及IID之化合物中，R2A 、R2B 、R2C 及R2D 各自較佳地表示具有1至6個C原子之烷基，尤其為CH3 、C2 H5 、n -C3 H7 、n -C4 H9 、n -C5 H11 。
在式IIA、IIB及IID之化合物中，L1 、L2 、L3 及L4 較佳表示L1 = L2 = F，且L3 = L4 = F，此外L1 = F，且L2 = Cl，L1 = Cl，且L2 = F，L3 = F，且L4 = Cl，L3 = Cl，且L4 = F。式IIA及IIB中之Z2 及Z2B 較佳各自彼此獨立地表示單鍵，此外-C2 H4 -橋。
若在式IIB中，Z2 = -C2 H4 -或-CH2 O-，則Z2B 較佳為單鍵，或若Z2B = -C2 H4 -或-CH2 O-，則Z2 較佳為單鍵。
在式IID中，Z2D 較佳為單鍵。
在式IIA、IIB及IID之化合物中，(O)Cv H2v + 1 較佳表示OCv H2v + 1 。在式IIC化合物中，(O)Cv H2v + 1 較佳表示Cv H2v + 1 。
在式IIC化合物中，L3 及L4 較佳各自表示F。
較佳式IIA、IIB、IIC及IID之化合物如下所指定： 其中參數a表示1或2，alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl表示具有2-6個C原子之直鏈烯基，且(O)表示氧原子或單鍵。烯基較佳表示CH2 =CH-、CH2 =CHCH2 CH2 -、CH3 -CH=CH-、CH3 -CH2 -CH=CH-、CH3 -(CH2 )2 -CH=CH-、CH3 -(CH2 )3 -CH=CH-或CH3 -CH=CH-(CH2 )2 -。
根據本發明之尤其較佳混合物包含一或多種式IIA-2、IIA-8、IIA-10、IIA-16、II-18、IIA-40、IIA-41、IIA-42、IIA-43、IIB-2、IIB-10、IIB-16、IIC-1、IID-4及IID-10之化合物。
式IIA及/或IIB之化合物在整體混合物中之比例較佳為至少20重量%。
本發明之尤其較佳介質包含至少一種式IIC-1化合物，， 其中alkyl及alkyl*具有上文所指定之含義，較佳地以＞3重量%、尤其＞5重量%且尤其較佳5至25重量%之量。
在一較佳實施例中，根據本發明之介質包含一或多種式III化合物 其中 R11 及R12 各自彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中此等基團中之一或多個CH2 基團可各自彼此獨立地經、-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、經-O-、-CO-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換， A1 在每次出現時彼此獨立地表示 a)     1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中一或兩個不相鄰CH2 基團可經-O-或-S-置換， b)     1,4-伸苯基，其中一或兩個CH基團可經N置換，或 c)     來自基團螺[3.3]庚烷-2,6-二基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基的基團， 其中基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代， n      表示0、1或2，較佳為0或1， Z1 在每次出現時彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-CH2 -、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-CH2 O-、-C2 F4 -、-CH2 CF2 -、-CF2 CH2 -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵，且 L11 及L12 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ，較佳為H或F，最佳為F，且 W     表示O或S。
在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式III-1及/或III-2之化合物 其中存在之基團具有與上文根據式III所給出相同之含義，且較佳地 R11 及R12 各自彼此獨立地表示具有至多15個C原子之烷基、烯基或烷氧基，更佳地，其中之一者或二者表示烷氧基，且 L11 及L12 各自較佳地表示F。
在一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式III-1-1至III-1-11、較佳式III-1-6之化合物之群的式III-1化合物， , 其中 alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷基，alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子之直鏈烯基，alkoxy及alkoxy*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷氧基，且L11 及L12 各自彼此獨立地表示F或Cl，較佳均為F。
在一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式III-2-1至III-2-11、較佳式III-2-6之化合物之群的式III-2化合物， ， 其中 alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷基，alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子之直鏈烯基，alkoxy及alkoxy*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷氧基，且L1 及L2 各自彼此獨立地表示F或Cl，較佳均為F。
在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式IIIA-1及/或IIIA-2之化合物 其中L11 及L12 具有與上文根據式III所給出相同之含義，(O)表示O或單鍵， RIIIA 表示具有至多7個C原子之烷基或烯基或基團-Cm H2m + 1 Cy， m及n相同或不同地為0、1、2、3、4、5或6，較佳為1、2或3，極佳為1， Cy表示具有3、4或5個環原子之環脂族基，其視情況經各自具有至多3個C原子之烷基或烯基或經鹵素或CN取代，且較佳表示環丙基、環丁基或環戊基。
代替式III化合物或除其以外，較佳除其之外，介質中含有式IIIA-1及/或IIIA-2之化合物。
式IIIA-1及IIIA-2之極佳化合物為以下： 其中alkoxy表示具有1-6個C原子的直鏈烷氧基。
在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式III-3化合物 其中 R11 、R12 相同或不同地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中此等基團中之一或多個CH2 基團彼此獨立地視情況經-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH、 、-O-、-CO-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換。
式III-3化合物較佳選自式III-3-1至III-3-10之化合物之群： 其中R12 表示具有1至7個C原子之烷基，較佳為乙基、正丙基或正丁基，或可替代地為環丙基甲基、環丁基甲基或環戊基甲基。
在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種式III-4至III-6、較佳式III-5之化合物， 其中參數具有上文所給出之含義，R11 較佳表示直鏈烷基，且R12 較佳表示烷氧基，其各自具有1至7個C原子。
在一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式III-7至III-9、較佳式III-8之化合物之群的式III化合物， 其中參數具有上文所給出之含義，R11 較佳表示直鏈烷基，且R12 較佳表示烷氧基，其各自具有1至7個C原子。
在一較佳實施例中，介質包含一或多種式IV化合物 其中 R41 表示具有1至7個C原子的未經取代之烷基或具有2至7個C原子、較佳為正烷基、尤其較佳具有2、3、4或5個C原子的未經取代之烯基，且 R42 表示具有1至7個C原子的未經取代之烷基或具有1至6個C原子的未經取代之烷氧基，其兩者較佳具有2至5個C原子；具有2至7個C原子、較佳具有2、3或4個C原子的未經取代之烯基；更佳為乙烯基或1-丙烯基且尤其為乙烯基。
式IV化合物較佳選自式IV-1至IV-4之化合物之群， 其中 alkyl及alkyl'   彼此獨立地表示具有1至7個C原子、較佳具有2至5個C原子之烷基， alkenyl           表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤其較佳2個C原子之烯基， alkenyl'          表示具有2至5個C原子、較佳具有2至4個C原子、尤其較佳具有2至3個C原子之烯基，且 alkoxy            表示具有1至5個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基。
較佳地，介質包含一或多種選自式IV-1-1至IV-1-4之化合物之群的化合物
極佳地，根據本發明之介質包含一或多種式IV-2-1及/或IV-2-2之化合物
極佳地，根據本發明之介質包含式IV-3化合物，尤其選自式IV-3-1至IV-3-5之化合物
極佳地，根據本發明之介質包含式IV-4化合物，尤其選自式IV-4-1及IV-4-2之化合物
液晶介質較佳另外包含一或多種式IVa化合物， 其中 R41 及R42 各自彼此獨立地表示具有至多12個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基，且表示 ， Z4 表示單鍵、-CH2 CH2 -、-CH=CH-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-C4 H8 -、-CF=CF-。
較佳式IVa化合物如下所指定： 其中 alkyl及 alkyl*              各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。
根據本發明之介質較佳包含至少一種式IVa-1及/或式IVa-2之化合物。
式IVa之化合物在整體混合物中之比例較佳為至少5重量%。
較佳地，介質包含一或多種式IVb-1至IVb-3之化合物 其中 alkyl及alkyl*             各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且 alkenyl及alkenyl*      各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
式IVb-1至IVb-3之聯苯在整體混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其為≥5重量%。
在式IVb-1至IVb-3之化合物中，式IVb-2之化合物係尤其較佳的。
尤佳之聯苯為 其中alkyl*表示具有1至6個C原子之烷基，且較佳表示正丙基。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式IVb-1-1及/或IVb-2-3之化合物。
在一較佳實施例中，介質包含一或多種式V化合物 其中 R51 及R52 彼此獨立地具有針對R41 及R42 所給出之含義中之一者，且較佳表示具有1至7個C原子之烷基，較佳表示正烷基，尤其較佳表示具有1至5個C原子之正烷基、具有1至7個C原子之烷氧基，較佳表示正烷氧基，尤其較佳表示具有2至5個C原子之正烷氧基、具有2至7個C原子、較佳具有2至4個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基，較佳表示烯氧基，
、 相同或不同地表示
     
  
     
  
其中
較佳表示，
Z51 、Z52 各自彼此獨立地表示-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，較佳為-CH2 -CH2 -、-CH2 -O-或單鍵，且尤其較佳為單鍵，且 n 為1或2。
式V化合物較佳選自式V-1至V-16之化合物： 其中R1 及R2 具有上文針對R2A 所指定之含義。R1 及R2 較佳各自彼此獨立地表示直鏈烷基或烯基。
較佳介質包含一或多種式V-1、V-3、V-4、V-6、V-7、V-10、V-11、V-12、V-14、V-15及/或V-16之化合物。
根據本發明之混合物極尤其較佳包含式V-10、V-12、V-16及/或IV-1之化合物，尤其其量為5%至30%。
較佳式V-10化合物如下所指定：
根據本發明之介質尤其較佳包含式V-10a及/或式V-10c之化合物以及一或多種式IV-1化合物。式V-10a及/或V-10b之化合物以及一或多種選自式IV-1化合物的化合物之總比例為5%至40%，極尤其較佳為15%至35%。
極尤其較佳混合物包含化合物V-10a及IV-1-3及/或IV-1-4
以整體混合物計，化合物V-10a及IV-1-3及/或IV-1-4較佳以15%至35%、尤其較佳15%至25%且尤其較佳18%至22%之濃度存在於混合物中。
極尤其較佳混合物包含化合物V-10b及IV-1-3及/或IV-1-4：
以整體混合物計，化合物V-10b及IV-1-3及/或IV-1-4較佳地以15%至35%、尤其較佳15%至25%且尤其較佳18%至22%之濃度存在於混合物中。
極尤其較佳混合物包含以下三種化合物：。
以整體混合物計，化合物V-10a、V-10b及IV-1-1較佳以15%至35%、尤其較佳15%至25%且尤其較佳18%至22%之濃度存在於混合物中。
較佳混合物包含至少一種選自以下化合物之群的化合物， 其中R41 及R42 以及R51 及R52 具有上文所指定之含義。較佳地，在化合物V-6、V-7及IV-1中，R41 及R51 表示分別具有1至6個或2至6個C原子之烷基或烯基，且R42 及R52 表示具有2至6個C原子之烯基。
較佳混合物包含至少一種式V-6a、V-6b、V-7a、V-7b、IV-4-1、IV-4-2、IV-3a及IV-3b之化合物： 其中alkyl表示具有1至6個C原子之烷基，且alkenyl表示具有2至6個C原子之烯基。
式V-6a、V-6b、V-7a、V-7b、IV-4-1、IV-4-2、IV-3a及IV-3b之化合物較佳以1至40重量%、較佳5至35重量%且極尤其較佳10至30重量%之量存在於根據本發明之混合物中。
在本發明之一較佳實施例中，介質另外包含一或多種式VI-1至VI-9之化合物 其中 R7 各自彼此獨立地具有如技術方案5中針對R2A 所指定之含義中之一者，且 w及x               各自彼此獨立地表示1至6。
尤其較佳為包含至少一種式V-9化合物之混合物。
在本發明之一較佳實施例中，介質另外包含一或多種式VII-1至VII-21之化合物， 其中 R表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基，(O)表示-O-或單鍵，且m為0、1、2、3、4、5或6，且n為0、1、2、3或4。
R較佳地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
根據本發明之介質較佳包含2至30重量%、尤其5至20重量%之量的式VII-1至VII-21之聯三苯。
尤其較佳為式VII-1、VII-2、VII-4、VII-20及VII-21之化合物。在此等化合物中，R較佳表示各自具有1至5個C原子之烷基，進一步表示烷氧基。在式VII-20化合物中，R較佳表示烷基或烯基，尤其烷基。在式VII-21化合物中，R較佳表示烷基。
若混合物之Δn值≥ 0.1，則聯三苯較佳地用於根據本發明之混合物中。較佳混合物包含2至20重量%之一或多種選自化合物VII-1至VII-21之群的聯三苯化合物。
更佳實施例列於以下： a)     包含至少一種式Z-1至Z-7之化合物的液晶介質， 其中R及alkyl具有上文針對式III所指定之含義。
b) 根據本發明之較佳液晶介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之物質，諸如式N-1至N-5之化合物， 其中R1N 及R2N 各自彼此獨立地具有針對R2A 所指定之含義，較佳表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈烯基，且 Z1 及Z2 各自彼此獨立地表示-C2 H4 -、-CH=CH-、-(CH2 )4 -、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-CH=CHCH2 CH2 -、-CH2 CH2 CH=CH-、-CH2 O-、-OCH2 -、-COO-、-OCO-、-C2 F4 -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 -或單鍵。
c) 較佳混合物包含一或多種選自以下之群的化合物：式BC之二氟二苯并𠳭烷化合物、式CR之𠳭烷、式PH-1及PH-2之氟化菲， 其中 RB1 、RB2 、RCR1 、RCR2 、R1 、R2 各自彼此獨立地具有R2A 之含義。c為0、1或2。R1 及R2 較佳彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基或烷氧基。
根據本發明之混合物較佳包含3至20重量%之量、尤其3至15重量%之量的式BC、CR、PH-1、PH-2之化合物。
尤其較佳式BC及CR之化合物為化合物BC-1至BC-7及CR-1至CR-5， 其中 alkyl及alkyl*          各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且 alkenyl及 alkenyl*                 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。
極尤其較佳為包含一種、兩種或三種式BC-2、BF-1及/或BF-2之化合物的混合物。
d) 較佳混合物包含一或多種式In之茚烷化合物， 其中 R11 、R12 、 R13 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基， R12 及R13 另外表示鹵素，較佳表示F，表示 ， i 表示0、1或2。
較佳式In化合物為如下所指定之式In-1至In-16之化合物： 。
尤其較佳為式In-1、In-2、In-3及In-4化合物。
式In及子式In-1至In-16之化合物較佳以≥ 5重量%、尤其5至30重量%且極尤其較佳5至25重量%之濃度用於根據本發明之混合物中。
e) 較佳混合物另外包含一或多種式L-1至L-5之化合物， ， 其中 R及R1 各自彼此獨立地具有以上式IIA中針對R2A 所指定之含義，且alkyl表示具有1至6個C原子之烷基。參數s表示1或2。
較佳以5至50重量%、尤其5至40重量%及極尤其較佳10至40重量%之濃度採用式L-1至L-5之化合物。
f)  較佳混合物另外包含一或多種式IIA-Y化合物 其中R11 及R12 具有以上式IIA中針對R2A 所給出之含義中之一者，且L1 及L2 相同或不同地表示F或Cl。
較佳式IIA-Y化合物選自由以下子式組成之群 其中，Alkyl及Alkyl*各自彼此獨立地表示具有1-6個C原子之直鏈烷基，Alkoxy表示具有1-6個C原子之直鏈烷氧基，Alkenyl及Alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2-6個C原子之直鏈烯基，且O表示氧原子或單鍵。Alkenyl及Alkenyl*較佳表示CH2 =CH-、CH2 =CHCH2 CH2 -、CH3 -CH=CH-、CH3 -CH2 -CH=CH-、CH3 -(CH2 )2 -CH=CH-、CH3 -(CH2 )3 -CH=CH-或CH3 -CH=CH-(CH2 )2 -。
尤其較佳式IIA-Y化合物選自由以下子式組成之群： 其中Alkoxy及Alkoxy*具有上文所定義之含義，且較佳表示甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基或正戊氧基。
根據本發明之液晶介質在本文中亦稱為液晶主體混合物，適合於在聚合物穩定化顯示器中使用。為此目的，根據本發明之介質視情況包含一或多種式P之可聚合化合物 P-Sp-A1 -(Z1 -A2 )z -R P 其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： P             可聚合基團， Sp           間隔基團或單鍵， A1 、A2 芳族基、雜芳族基、脂環族基或雜環基，較佳具有4至25個環原子，其亦可含有稠合環且其未經取代或經L單取代或多取代， Z1 -O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH2 -、-CH2 O-、-SCH2 -、-CH2 S-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CF2 S-、-SCF2 -、-(CH2 )n1 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-(CF2 )n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH2 -CH2 -CO-O-、-O-CO-CH2 -CH2 -、-CR0 R00 -或單鍵， R0 、R00 H或具有1至12個C原子之烷基， R             H、L或P-Sp-， L             F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個不相鄰CH2 -基團視情況經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，以此方式使得O-及/或S-原子不直接地彼此連接，且其中一或多個H原子各自視情況經P-Sp-、F或Cl置換， z              0、1、2或3， n1            1、2、3或4。
如本文所用，術語「主動層」及「可切換層」意謂電光顯示器(例如LC顯示器)中之層，該層包含一或多個具有結構及光學各向異性之分子，例如LC分子，其在外部刺激(如電場或磁場)後改變其定向，從而導致層對偏振或非偏振光之透射率改變。
如本文所用，術語「傾斜」及「傾斜角」應理解為意謂LC介質之LC分子相對於LC顯示器(此處較佳為PSA顯示器)中之單元之表面的傾斜對準。此處傾斜角表示LC分子(LC指向矢)之縱向分子軸與形成LC單元之平面平行外部板之表面之間的平均角度(＜90°)。此處低傾斜角值(亦即與90°角之大偏差)對應於大傾斜。量測傾斜角之適合方法在實例中給出。除非另外指定，否則上文及下文所揭示之傾斜角值係關於此量測方法。
如本文所用，術語「反應性液晶原基」及「RM」應理解為意謂一種化合物，其含有液晶原基或液晶構架及一或多個適用於聚合且亦稱為「可聚合基團」或「P」之與該化合物附接的官能基。
除非另外說明，否則如本文所用之術語「可聚合化合物」應理解為意謂可聚合單體化合物。
如本文所用，術語「低分子量化合物」應理解為意謂為單體及/或並非藉由聚合反應製備之化合物，與「聚合化合物」或「聚合物」相反。
如本文所用，術語「不可聚合化合物」應理解為意謂不含有適用於在通常應用於RM聚合反應之條件下聚合之官能基的化合物。
如本文所用之術語「液晶原基基團」為熟習此項技術者已知且描述於文獻中，且意謂由於其吸引及排斥相互作用之各向異性而基本上有助於低分子量或聚合物質中液晶(LC)相產生的基團。含有液晶原基基團之化合物(液晶原基化合物)自身不必一定具有LC相。就液晶原基化合物而言，亦有可能僅在與其他化合物混合之後及/或在聚合之後呈現出LC相行為。典型液晶原基基團為例如剛性棒狀或圓盤狀單元。與液晶原基或LC化合物結合使用之術語及定義之概述在Pure Appl . Chem . 2001, 73(5), 888及C. Tschierske、G. Pelzl、S. Diele,Angew . Chem . 2004 , 116, 6340-6368中給出。
如本文所用，術語「光學活性」及「對掌性」對於能夠誘導向列主體材料中之螺旋間距的材料(亦稱為「對掌性摻雜劑」)而言為同義詞。
如本文所用之術語「間隔基團」(下文亦稱為「Sp」)為熟習此項技術者已知且描述於文獻中，參見例如Pure Appl . Chem . 2001, 73(5), 888及C. Tschierske, G. Pelzl, S. Diele,Angew . Chem . 2004 , 116, 6340-6368。如本文所用，術語「間隔基團」或「間隔基」意謂可撓性基團，例如伸烷基，其將可聚合液晶原基化合物中之液晶原基基團與可聚合基團連接。
在上文及下文中，表示反-1,4-伸環己基環。
在基團中，展示於兩種環原子之間的單鍵可附接至苯環之任何游離位置。
在上文及下文中，「有機基團」表示碳基或烴基。
「碳基」表示含有至少一個碳原子之單價或多價有機基團，其中此基團不含有其他原子(諸如-C≡C-)或視情況含有一或多個其他原子，諸如N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge (例如，羰基等)。術語「烴基」表示另外含有一或多個H原子及視情況一或多個雜原子(諸如N、O、S、B、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基。
「鹵素表示F、Cl、Br或I，較佳為F或Cl。
-CO-、-C(=O)-及-C(O)-表示羰基，亦即。
碳基或烴基可為飽和或不飽和基團。不飽和基團為例如芳基、烯基或炔基。具有超過3個C原子之碳基或烴基可為直鏈、分支鏈及/或環狀基團，且亦可含有螺鍵聯或縮合環。
術語「烷基」、「芳基」、「雜芳基」等亦涵蓋多價基團，例如伸烷基、伸芳基、伸雜芳基等。
術語「芳基」表示芳族碳基或自其衍生之基團。術語「雜芳基」表示含有一或多個雜原子的如上文所定義之「芳基」，該等雜原子較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge。
較佳之碳基及烴基為具有1至40、較佳1至20、極佳1至12個C原子的視情況經取代之直鏈、分支鏈或環狀烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基及烷氧基羰氧基；具有5至30、較佳6至25個C原子的視情況經取代之芳基或芳氧基；或具有5至30，較佳6至25個C原子的視情況經取代之烷基芳基、芳基烷基、烷基芳氧基、芳基烷氧基、芳基羰基、芳氧基羰基、芳基羰氧基及芳氧基羰氧基，其中一或多個C原子亦可經較佳選自N、O、S、Se、Te、Si及Ge之雜原子置換。
更佳碳基及烴基為C1 -C20 烷基、C2 -C20 烯基、C2 -C20 炔基、C3 -C20 烯丙基、C4 -C20 烷基二烯基、C4 -C20 聚烯基、C6 -C20 環烷基、C4 -C15 環烯基、C6 -C30 芳基、C6 -C30 烷基芳基、C6 -C30 芳基烷基、C6 -C30 烷基芳氧基、C6 -C30 芳基烷氧基、C2 -C30 雜芳基、C2 -C30 雜芳氧基。
尤其較佳為C1 -C12 烷基、C2 -C12 烯基、C2 -C12 炔基、C6 -C25 芳基及C2 -C25 雜芳基。
更佳碳基及烴基為具有1至20、較佳1至12個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中一或多個不相鄰CH2 基團可以使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-C(Rx )=C(Rx )-、-C≡C-、-N(Rx )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換。
Rx 較佳表示H、F、Cl、CN、具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中另外，一或多個不相鄰C原子可經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中一或多個H原子可經F或Cl置換，或表示具有6至30個C原子的視情況經取代之芳基或芳氧基，或具有2至30個C原子的視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基。
較佳烷基為例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、第二戊基、環戊基、正己基、環己基、2-乙基己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、正壬基、正癸基、正十一基、正十二基、十二烷基、三氟甲基、全氟正丁基、2,2,2-三氟乙基、全氟辛基、全氟己基等。
較佳烯基為例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基等。
較佳炔基為例如乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、辛炔基等。
較佳烷氧基為例如甲氧基、乙氧基、2-甲氧基乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、2-甲基丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基等。
較佳胺基為例如二甲胺基、甲胺基、甲基苯胺基、苯胺基等。
芳基及雜芳基可為單環或多環基團，亦即其可含有一個環(諸如苯基)或兩個或更多個環，該等環亦可稠合(諸如萘基)或共價鍵結(諸如聯苯)，或含有稠環與鍵聯環之組合。雜芳基含有一或多個較佳選自O、N、S及Se之雜原子。
尤其較佳為具有6至25個C原子之單環、雙環或三環芳基及具有5至25個環原子之單環、雙環或三環雜芳基，其視情況含有稠環且視情況經取代。此外，較佳為5員、6員或7員芳基及雜芳基，其中另外，一或多個CH基團可經N、S或O以使得O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯的方式置換。
較佳芳基為例如苯基、聯苯、聯三苯、[1,1':3',1'']聯三苯-2'-基、萘基、蒽、聯萘、菲、9,10-二氫-菲、芘、二氫芘、䓛、苝、稠四苯、稠五苯、苯并芘、茀、茚、茚并茀、螺二茀等。
較佳雜芳基係例如5員環，諸如吡咯、吡唑、咪唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、四唑、呋喃、噻吩、硒吩、㗁唑、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑；6員環，諸如吡啶、嗒𠯤、嘧啶、吡𠯤、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤；或稠合基團，諸如吲哚、異吲哚、吲哚𠯤、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、嘌呤、萘咪唑、菲咪唑、吡啶咪唑、吡𠯤咪唑、喹喏啉咪唑、苯并㗁唑、萘并㗁唑、蒽并㗁唑、菲并㗁唑、異㗁唑、苯并噻唑、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、喹啉、異喹啉、喋啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、苯并異喹啉、吖啶、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、苯并嗒𠯤、苯并嘧啶、喹喏啉、吩𠯤、萘啶、氮雜咔唑、苯并咔啉、啡啶、啡啉、噻吩并[2,3b]噻吩、噻吩并[3,2b]噻吩、二噻吩并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并噻二唑并噻吩或此等基團之組合。
上文及下文所提及之芳基及雜芳基亦可經烷基、烷氧基、硫烷基、氟、氟烷基或其他芳基或雜芳基取代。
(非芳族)脂環族基及雜環基涵蓋飽和環(亦即僅含有單鍵之彼等環)以及部分不飽和環(亦即，亦可含有多重鍵之彼等環)兩者。雜環含有一或多個較佳選自Si、O、N、S及Se之雜原子。
(非芳族)脂環族基及雜環基可為單環，亦即，僅含有一個環(諸如，環己烷)；或為多環，亦即，含有複數個環(諸如，十氫萘或二環辛烷)。尤其較佳為飽和基團。此外，較佳為具有5至25個環原子之單環、雙環或三環基團，其視情況含有稠合環且視情況經取代。此外，較佳為5員、6員、7員或8員碳環基，其中另外，一或多個C原子可經Si置換及/或一或多個CH基團可經N置換及/或一或多個不相鄰CH2 基團可經-O-及/或-S-置換。
較佳脂環基及雜環基為例如5員基團，諸如環戊烷、四氫呋喃、四氫硫代呋喃、吡咯啶；6員基團，諸如環己烷、環己矽烷、環己烯、四氫哌喃、四氫硫代哌喃、1,3-二㗁烷、1,3-二噻烷、哌啶；7員基團，諸如環庚烷；及稠合基團，諸如四氫萘、十氫萘、茚烷、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、八氫-4,7-甲橋茚烷-2,5-二基。
較佳取代基為例如可溶性促進基團，諸如烷基或烷氧基；拉電子基團，諸如氟、硝基或腈；或用於增加聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)之取代基，尤其龐大基團，諸如第三丁基或視情況經取代之芳基。
下文中亦稱作「LS 」之較佳取代基係例如F、Cl、Br、I、-CN、-NO2 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(Rx )2 、-C(=O)Y1 、-C(=O)Rx 、-N(Rx )2 、各自具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子可視情況經F或Cl、具有1至20個Si原子的視情況經取代之矽烷基、或具有6至25、較佳6至15個C原子的視情況經取代之芳基置換， 其中Rx 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個不相鄰CH2 -基團視情況經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，以此方式使得O-及/或S-原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各自視情況經F、Cl、P-或P-Sp-置換，且 Y1 表示鹵素。
「經取代之矽烷基或芳基」較佳意謂經鹵素、-CN、R0 、-OR0 、-CO-R0 、-CO-O-R0 、-O-CO-R0 或-O-CO-O-R0 取代，其中R0 表示H或具有1至20個C原子之烷基。
尤其較佳取代基L為例如F、Cl、CN、NO2 、CH3 、C2 H5 、OCH3 、OC2 H5 、COCH3 、COC2 H5 、COOCH3 、COOC2 H5 、CF3 、OCF3 、OCHF2 、OC2 F5 ，此外為苯基。
A1 及A2 極佳表示其中L具有上文所指定之含義中之一者，且r表示0、1、2、3或4，尤其為，
可聚合基團P為適用於聚合反應(諸如自由基或離子鏈聚合、加成聚合或聚縮合)或聚合物類似反應(例如加成或縮合至主聚合物鏈上)之基團。尤其較佳為用於鏈聚合之基團，尤其含有C=C雙鍵或-C≡C-參鍵之彼等基團，及適用於開環聚合之基團，諸如氧雜環丁烷或環氧基。
較佳基團P選自由以下組成之群 CH2 =CW1 -CO-O-、CH2 =CW1 -CO-、 、CH2 =CW2 -(O)k3 -、CW1 =CH-CO-(O)k3 -、CW1 =CH-CO-NH-、CH2 =CW1 -CO-NH-、CH3 -CH=CH-O-、(CH2 =CH)2 CH-OCO-、(CH2 =CH-CH2 )2 CH-OCO-、(CH2 =CH)2 CH-O-、(CH2 =CH-CH2 )2 N-、(CH2 =CH-CH2 )2 N-CO-、HO-CW2 W3 -、HS-CW2 W3 -、HW2 N-、HO-CW2 W3 -NH-、CH2 =CW1 -CO-NH-、CH2 =CH-(COO)k1 -Phe-(O)k2 -、CH2 =CH-(CO)k1 -Phe-(O)k2 -、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W4 W5 W6 Si-，其中W1 表示H、F、Cl、CN、CF3 、具有1至5個C原子之苯基或烷基，尤其H、F、Cl或CH3 ，W2 及W3 各自彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、甲基、乙基或正丙基，W4 、W5 及W6 各自彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W7 及W8 各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，其視情況經一或多個除P-Sp-外的如上文所定義之基團L取代，k1 、k2 及k3 各自彼此獨立地表示0或1，k3 較佳表示1，且k4 表示1至10之整數。
極佳基團P選自由以下組成之群 CH2 =CW1 -CO-O-、CH2 =CW1 -CO-、 、CH2 =CW2 -O-、CH2 =CW2 -、CW1 =CH-CO-(O)k3 -、CW1 =CH-CO-NH-、CH2 =CW1 -CO-NH-、(CH2 =CH)2 CH-OCO-、(CH2 =CH-CH2 )2 CH-OCO-、(CH2 =CH)2 CH-O-、(CH2 =CH-CH2 )2 N-、(CH2 =CH-CH2 )2 N-CO-、CH2 =CW1 -CO-NH-、CH2 =CH-(COO)k1 -Phe-(O)k2 -、CH2 =CH-(CO)k1 -Phe-(O)k2 -、Phe-CH=CH-及W4 W5 W6 Si-，其中W1 表示H、F、Cl、CN、CF3 、具有1至5個C原子之苯基或烷基，尤其H、F、Cl或CH3 ，W2 及W3 各自彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、甲基、乙基或正丙基，W4 、W5 及W6 各自彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W7 及W8 各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe表示1,4-伸苯基，k1 、k2 及k3 各自彼此獨立地表示0或1，k3 較佳表示1，且k4 表示1至10之整數。
極尤其較佳基團P選自由以下組成之群：CH2 =CW1 -CO-O-，尤其CH2 =CH-CO-O-、CH2 =C(CH3 )-CO-O-及CH2 =CF-CO-O-，此外為CH2 =CH-O-、(CH2 =CH)2 CH-O-CO-、(CH2 =CH)2 CH-O-、。
更佳可聚合基團P選自由以下組成之群：乙烯基氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧雜環丁烷及環氧基，最佳選自丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基。
若間隔基團Sp不同於單鍵，則其較佳地具有式Sp''-X''，使得各別基團P-Sp-符合R-Sp''-X''-，其中 Sp"   表示具有1至20、較佳1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-N(R0 )-、-Si(R0 R00 )-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R00 )-CO-O-、-O-CO-N(R0 )-、-N(R0 )-CO-N(R00 )-、-CH=CH-或-C≡C-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯， X"    表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-N(R0 )-、-N(R0 )-CO-、-N(R0 )-CO-N(R00 )-、-OCH2 -、-CH2 O-、-SCH2 -、-CH2 S-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CF2 S-、-SCF2 -、-CF2 CH2 -、-CH2 CF2 -、-CF2 CF2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR0 -、-CY2 =CY3 -、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-或單鍵， R0 及R00 各自彼此獨立地表示H或具有1至20個C原子之烷基，且 Y2 及Y3 各自彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。 X"較佳為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0 -、-NR0 -CO-、-NR0 -CO-NR00 -或單鍵。
典型的間隔基團Sp及-Sp"-X"-係例如-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -O-CO-、-(CH2 )p1 -CO-O-、-(CH2 )p1 -O-CO-O-、-(CH2 CH2 O)q1 -CH2 CH2 -、-CH2 CH2 -S-CH2 CH2 -、-CH2 CH2 -NH-CH2 CH2 -或-(SiR0 R00 -O)p1 -，其中p1為1至12之整數，q1為1至3之整數，且R0 及R00 具有上文所指定之含義。
尤其較佳基團Sp及-Sp"-X"-為-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -O-CO-、-(CH2 )p1 -CO-O-、-(CH2 )p1 -O-CO-O-，其中p1及q1具有上文所指定之含義。
在各情況下，尤其較佳基團Sp"為直鏈伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。
在本發明之一較佳實施例中，式P及其子式之化合物含有經一或多個可聚合基團P取代之間隔基團Sp，以使得基團Sp-P對應於Sp(P)s ，其中s ≥ 2 (分支鏈可聚合基團)。
根據此較佳實施例之較佳式P化合物為其中s為2之彼等化合物，亦即含有基團Sp(P)2 之化合物。根據此較佳實施例之極佳式P化合物含有選自下式之基團： -X-alkyl-CHPP                                   S1 -X-alkyl-CH((CH2 )aa P)((CH2 )bb P)          S2 -X-N((CH2 )aa P)((CH2 )bb P)                    S3 -X-alkyl-CHP-CH2 -CH2 P                      S4 -X-alkyl-C(CH2 P)(CH2 P)-Caa H2aa+1 S5 -X-alkyl-CHP-CH2 P                            S6 -X-alkyl-CPP-Caa H2aa+1 S7 -X-alkyl-CHPCHP-Caa H2aa+1 S8 其中P如式P中所定義， alkyl 表示單鍵或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈伸烷基，其未經取代或經F、Cl或CN單取代或多取代，且其中一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(R0 )=C(R0 )-、-C≡C-、-N(R0 )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯，其中R0 具有上文所指定之含義， aa及bb   各自彼此獨立地表示0、1、2、3、4、5或6， X 具有針對X"所指定之含義中之一者，且較佳為O、CO、SO2 、O-CO-、CO-O或單鍵。
較佳間隔基團Sp(P)2 選自式S1、S2及S3。
極佳間隔基團Sp(P)2 選自以下子式： -CHPP                                      S1a -O-CHPP                                  S1b -CH2 -CHPP                               S1c -OCH2 -CHPP                             S1d -CH(CH2 -P)(CH2 -P)                    S2a -OCH(CH2 -P)(CH2 -P)                 S2b -CH2 -CH(CH2 -P)(CH2 -P)             S2c -OCH2 -CH(CH2 -P)(CH2 -P)          S2d -CO-NH((CH2 )2 P)((CH2 )2 P)         S3a
在如上文及下文所述之式P及其子式之化合物中，P較佳地選自由以下組成之群：乙烯基氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧雜環丁烷及環氧基，最佳選自丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基。
更佳為如上文及下文所述之式P及其子式之化合物，其中存在於化合物中之所有可聚合基團P具有相同含義，且極佳表示丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基，最佳為甲基丙烯酸酯基。
在如上文及下文所述之式P及其子式之化合物中，R較佳表示P-Sp-。
更佳為如上文及下文所述之式P及其子式之化合物，其中Sp表示單鍵或-(CH2 )p1 -、-O-(CH2 )p1 -、-O-CO-(CH2 )p1 或-CO-O-(CH2 )p1 ，其中p1為2、3、4、5或6，且若Sp為-O-(CH2 )p1 -、-O-CO-(CH2 )p1 或-CO-O-(CH2 )p1 ，則O-原子或CO-基團分別鍵聯至苯環。
更佳為如上文及下文所述之式P及其子式之化合物，其中至少一個基團Sp為單鍵。
更佳為如上文及下文所述之式P及其子式之化合物，其中至少一個基團Sp與單鍵不同，且較佳選自-(CH2 )p1 -、-O-(CH2 )p1 -、-O-CO-(CH2 )p1 或-CO-O-(CH2 )p1 ，其中p1為2、3、4、5或6，且若Sp為-O-(CH2 )p1 -、-O-CO-(CH2 )p1 或-CO-O-(CH2 )p1 ，則O-原子或CO-基團分別鍵聯至苯環。
式P中之極佳基團-A1 -(Z-A2 )z -選自下式 其中至少一個苯環經至少一個基團L取代且苯環視情況另外經一或多個基團L或P-Sp-取代。
式P及其子式之較佳化合物選自以下較佳實施例，包括其任何組合： - 化合物中之所有基團P具有相同含義， - -A1 -(Z-A2 )z - 選自式A1、A2及A5， - 化合物準確地含有兩個可聚合基團(由基團P表示)， - 化合物準確地含有三個可聚合基團(由基團P表示)， - P選自由以下組成之群：丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基及氧雜環丁烷，極佳為丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基， - P為甲基丙烯酸酯基， - 所有基團Sp為單鍵， - 基團Sp中之至少一者為單鍵且基團Sp中之至少一者不同於單鍵， - Sp在不同於單鍵時為-(CH2 )p2 -、-(CH2 )p2 -O-、-(CH2 )p2 -CO-O-、-(CH2 )p2 -O-CO-，其中p2為2、3、4、5或6，且O-原子或CO-基團分別連接至苯環， - Sp為單鍵或表示-(CH2 )p2 -、-(CH2 )p2 -O-、-(CH2 )p2 -CO-O-、-(CH2 )p2 -O-CO-，其中p2為2、3、4、5或6，且O-原子或CO-基團分別連接至苯環， -  R表示P-Sp-， -  R不表示或含有可聚合基團， -  R不表示或含有可聚合基團，且表示具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個不相鄰CH2 -基團視情況經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，以此方式使得O-及/或S-原子彼此不直接連接，且其中一或多個H原子各視情況經F、Cl或La 置換， -  L或L'表示F、Cl或CN， -  L為F。
適合且較佳式P化合物選自下式： 其中個別基團具有以下含義： P1 、P2 及P3 各自彼此獨立地表示丙烯酸酯基或甲基丙烯酸酯基， Sp1 、Sp2 及Sp3 各自彼此獨立地表示單鍵或具有上文及下文針對Sp所指定之含義中之一者的間隔基團，且尤其較佳表示-(CH2 )p1 -、-(CH2 )p1 -O-、-(CH2 )p1 -CO-O-、-(CH2 )p1 -O-CO-或-(CH2 )p1 -O-CO-O-，其中p1為1至12之整數，其中另外，基團P1 -Sp1 -、P2 -Sp2 -及P3 -Sp3 -中之一或多者可表示Raa ，其限制條件為存在之基團P1 -Sp1 -、P2 -Sp2 -及P3 -Sp3 -中之至少一者不同於Raa ， Raa 表示H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經C(R0 )=C(R00 )-、-C≡C-、-N(R0 )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P1 -Sp1 -置換，尤其較佳表示具有1至12個C原子的直鏈或分支鏈之視情況單氟化或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且分支鏈基團具有至少三個C原子)， R0 、R00 在每次出現時各自彼此獨立地且相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基， Ry 及Rz 各自彼此獨立地表示H、F、CH3 或CF3 ， X1 、X2 及X3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-或單鍵， Z1 表示-O-、-CO-、-C(Ry Rz )-或-CF2 CF2 -， Z2 及Z3 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2 O-、-OCH2 - 、-CF2 O-、-OCF2 -或-(CH2 )n -，其中n為2、3或4， L                  在每次出現時，相同或不同地表示F、Cl、CN或具有1至12個C原子的直鏈或分支鏈之視情況單氟化或多氟化烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，較佳為F， L'及L"          各自彼此獨立地表示H、F或Cl， k               表示0或1， r               表示0、1、2、3或4， s               表示0、1、2或3， t                表示0、1或2， x               表示0或1。
尤其較佳為式P2、P13、P17、P22、P23、P24、P30、P31及P32之化合物。
更佳為三反應性化合物P15至P30，尤其P17、P18、P19、P22、P23、P24、P25、P26、P30、P31及P32。
在式P1至P32化合物中，基團較佳為 ， 其中L在每次出現時相同或不同地具有上文或下文所給出之含義中之一者，且較佳為F、Cl、CN、NO2 、CH3 、C2 H5 、C(CH3 )3 、CH(CH3 )2 、CH2 CH(CH3 )C2 H5 、OCH3 、OC2 H5 、COCH3 、COC2 H5 、COOCH3 、COOC2 H5 、CF3 、OCF3 、OCHF2 、OC2 F5 或P-Sp-，極佳為F、Cl、CN、CH3 、C2 H5 、OCH3 、COCH3 、OCF3 或P-Sp-，更佳為F、Cl、CH3 、OCH3 、COCH3 或OCF3 ，尤其為F或CH3 。
根據本發明之介質包含一或多種對掌性摻雜劑。較佳地，此等對掌性摻雜劑之螺旋狀扭轉力(HTP)絕對值在1 μm- 1 至150 μm- 1 之範圍內，較佳在10 μm- 1 至100 μm- 1 之範圍內。在介質包含兩種或更多種對掌性摻雜劑之情況下，其HTP值可具有相反符號。此條件對於一些特定實施例為較佳的，因為其允許以某一程度補償各別化合物之對掌性，且因此可用於補償裝置中所得介質之各種溫度依賴性特性。然而，一般而言，較佳為根據本發明之介質中存在之所有對掌性化合物之其HTP值最佳地具有相同符號。
較佳地，根據本申請案之介質中存在之對掌性摻雜劑為液晶原基化合物，且最佳地，其獨立地呈現中間相。
在本發明之一較佳實施例中，介質包含兩種或更多種皆具有相同HTP代數符號之對掌性化合物。
個別化合物之HTP之溫度依賴性可或高或低。可藉由以對應比率混合具有不同HTP溫度依賴性之化合物來補償介質之間距的溫度依賴性。
對於光學活性組分，熟習此項技術者可使用大量對掌性摻雜劑，其中一些為可商購的，諸如壬酸膽固醇酯、R-811及S-811、R-1011及S-1011、R-2011及S-2011、R-3011及S-3011、R-4011及S-4011、或CB15 (皆來自Merck KGaA, Darmstadt)。
尤其適合的摻雜劑為含有一或多個對掌性基團及一或多個液晶原基基團，或一或多個與對掌性基團形成液晶原基基團之芳族或脂環族基團的化合物。
適合對掌性基團為例如對掌性分支鏈烴基、對掌性乙二醇、聯萘酚或二氧雜環戊烷，此外選自由以下組成之群的單價或多價對掌性基團：糖衍生物、糖醇、糖酸、乳酸、對掌性取代二醇、類固醇衍生物、萜類衍生物、胺基酸或具有幾個、較佳1-5個胺基酸之序列。
較佳對掌性基團為糖衍生物，諸如葡萄糖、甘露糖、半乳糖、果糖、阿拉伯糖及右旋糖；糖醇，諸如山梨糖醇、甘露糖醇、艾杜糖醇(iditol)、半乳糖醇或其脫水衍生物，尤其二脫水己糖醇，諸如二脫水山梨糖醇(1,4:3,6-二脫水-D-山梨糖醇酐、異山梨糖醇)、二脫水甘露糖醇(異山梨糖醇)或二脫水艾杜糖醇(異艾杜糖醇)；糖酸，諸如葡萄糖酸、古洛糖酸(gulonic acid)及酮古洛糖酸(ketogulonic acid)；對掌性取代二醇基團，諸如單或寡乙二醇或丙二醇，其中一或多個CH2 基團經烷基或烷氧基取代；胺基酸，諸如丙胺酸、纈胺酸、苯基甘胺酸或苯丙胺酸，或具有1至5個此等胺基酸之序列；類固醇衍生物，諸如膽固醇基或膽酸基團；萜類衍生物，諸如䓝基、新䓝基(neomenthyl)、莰基、蒎基、孟烯基、異長葉基、小茴香基、卡瑞基(carreyl)、桃金娘烯基(myrthenyl)、諾蔔醇基(nopyl)、香葉草基(geraniyl)、芳樟醇基(linaloyl)、苨肉基(neryl)、香茅基(citronellyl)或二脫水香茅基。
根據本發明之介質較佳包含選自已知對掌性摻雜劑之群的對掌性摻雜劑。適合之對掌性基團及液晶原基對掌性化合物描述於例如DE 34 25 503、DE 35 34 777、DE 35 34 778、DE 35 34 779及DE 35 34 780、DE 43 42 280、EP 01 038 941及DE 195 41 820中。實例亦為下表F中所列之化合物。
較佳根據本發明使用之對掌性化合物係選自由下文展示之式組成之群。
尤佳為選自由下式A-I至A-III及A-Ch之化合物組成之群的對掌性摻雜劑： 其中 Ra11 、Ra12 及Rb12 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯，且其中另外，一或多個H原子可各自經F、Cl、Br、I或CN置換，較佳為烷基，更佳為正烷基，其限制條件為Ra12 不同於Rb12 ， Ra21 及Ra22 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換，較佳均為烷基，更佳為正烷基， Ra31 、Ra32 及Rb32 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵聯，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換，較佳為烷基，更佳為正烷基，其限制條件為Ra32 不同於Rb32 ； Rz 表示H、CH3 、F、Cl或CN，較佳為H或F， R8 具有上文所給出之Ra11 的含義中之一者，較佳為烷基，更佳為具有1至15個C原子之正烷基， Z8 表示-C(O)O-、CH2 O、CF2 O或單鍵，較佳為-C(O)O-， A11 如下文A12 所定義，或可替代地表示 A12 表示， 較佳為或， 其中 L12 在每次出現時彼此獨立地表示鹵素、CN或具有至多12個C原子之烷基、烯基、烷氧基或烯氧基，且其中一或多個H原子視情況經鹵素、較佳甲基、乙基、Cl或F、尤其較佳F置換。 A21 表示 A22 具有針對A12 所給出之含義 A31 具有針對A11 所給出之含義， 或可替代地表示 A32 具有針對A12 所給出之含義。 n2         在每次出現時相同或不同地為0、1或2，且 n3         為1、2或3，且 r           為0、1、2、3或4。
尤其較佳為選自由下式之化合物組成之群的摻雜劑： 其中 m           在每次出現時相同或不同地為1至9之整數，且 n            在每次出現時相同或不同地為2至9之整數。
尤其較佳式A化合物為式A-III化合物。
更佳摻雜劑為下式A-IV之異山梨糖醇、異甘露糖醇或異艾杜糖醇之衍生物：
其中基團 為
(二脫水山梨糖醇)、
(二脫水甘露糖醇)或
(二脫水艾杜糖醇)，
較佳為二脫水山梨糖醇， 及對掌性乙二醇，諸如二苯基乙二醇(氫化安息香)，尤其下式A-V之液晶原基氫化安息香衍生物： 包括未展示之(S , S )對映異構體， 其中 及各自彼此獨立地為1,4-伸苯基，其亦可經L或1,4-伸環己基單取代、二取代或三取代， L         為H、F、Cl、CN或具有1-7個碳原子之視情況存在之鹵化烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰氧基， c         為0或1， X        為CH2 或-C(O)-， Z0 為-COO-、-OCO-、-CH2 CH2 -或單鍵，且 R0 為具有1-12個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基。
式IV化合物之實例為：
式A-IV化合物描述於WO 98/00428中。式A-V化合物描述於GB-A-2,328,207中。
極尤其較佳摻雜劑為：對掌性聯萘衍生物，如WO 02/94805中所描述；對掌性聯萘酚縮醛衍生物，如WO 02/34739中所描述；對掌性TADDOL衍生物，如WO 02/06265中所描述；及具有至少一個氟化橋聯基團及末端或中心對掌性基團之對掌性摻雜劑，如WO 02/06196及WO 02/06195中所描述。
尤其較佳為式A-VI之對掌性化合物 其中 X1 、X2 、Y1 及Y2 各自彼此獨立地為F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、具有1至25個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、NRx -、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換，以此方式使得O及/或S原子彼此不直接鍵結；具有至多20個碳原子之可聚合基團或環烷基或芳基，其可視情況經鹵素、較佳F或經可聚合基團單取代或多取代， x1 及x2 各自彼此獨立地為0、1或2， y1 及y2 各自彼此獨立地為0、1、2、3或4， B1 及B2 各自彼此獨立地為芳族六員環或部分或完全飽和脂族六員環，其中一或多個CH基團可經N置換，且一或多個不相鄰CH2 基團可經O或S置換， W1 及W2 各自彼此獨立地為-Z1 -A1 -(Z2 -A2 )m -R，且兩者中之一者可替代地為R1 或A3 ，但兩者不同時為H，或為 或, U1 及U2 各自彼此獨立地為CH2 、O、S、CO或CS， V1 及V2 各自彼此獨立地為(CH2 )n ，其中一至四個不相鄰CH2 基團可各自經O或S置換，且V1 及V2 中之一者，且在
為之情況下 均為單鍵，
n 為1、2或3， Z1 及Z2 各自彼此獨立地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NRx -、-NRx -CO-、-O-CH2 -、-CH2 -O-、-S-CH2 -、-CH2 -S-、-CF2 -O-、-O-CF2 -、-CF2 -S-、-S-CF2 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CF2 -CF2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、C≡C-、此等基團中之兩者之組合，其中沒有兩個O及/或S及/或N原子彼此直接鍵結，較佳為-CH=CH-COO-、或-COO-CH=CH-、或單鍵， Rx 表示具有1至6個C原子之烷基， A1 、A2 及A3 各自彼此獨立地為1,4-伸苯基，其中一或兩個不相鄰CH基團可經N、1,4-伸環己基置換，其中一或兩個不相鄰CH2 基團可經O或S、1,3-二氧雜戊環-4,5-二基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基置換，其中此等基團中之各者可經L單取代或多取代，且另外A1 為單鍵， L 為鹵素原子，較佳為F、CN、NO2 、具有1-7個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子可各自經F或Cl置換， m 在各情況下獨立地為0、1、2或3，且 R及R1 分別各自彼此獨立地為H、F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、具有1或3至25個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，其可視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中一或多個不相鄰CH2 基團可各自經-O-、-S-、-NH-、-NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換，其中沒有兩個O及/或S原子彼此直接鍵結，或為可聚合基團。
尤其較佳為式A-VI-1之對掌性聯萘衍生物 其中環B、R0 及Z0 係針對式A-IV及A-V所定義，且b為0、1或2， 尤其選自下式A-VI-1a至A-VI-1c之彼等： 其中環B、R0 及Z0 係針對式A-VI-1所定義，且 R0 為如針對式A-IV所定義或H或具有1至4個碳原子之烷基，且 b      為0、1或2， 且Z0 尤其為-OC(O)-或單鍵。
LC介質中之一或多種對掌性摻雜劑之濃度較佳在0.001%至20%、較佳0.05%至5%、更佳0.1%至2%及最佳0.5%至1.5%之範圍內。此等較佳濃度範圍尤其適用於對掌性摻雜劑S-4011或R-4011 (均來自Merck KGaA)且適用於具有相同或類似HTP之對掌性摻雜劑。對於具有相較於S-4011較高或較低HTP絕對值之對掌性摻雜劑，此等較佳濃度必須降低，分別根據其HTP值相對於S-4011之HTP值之比率按比例增加。
根據本發明之LC介質或主體混合物的間距p較佳在5至50 μm、更佳8至30 μm且尤其較佳10至20 μm之範圍內。
較佳地，根據本發明之介質包含選自式ST-1至ST-19之化合物之群的穩定劑。 其中 RST 表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中另外，此等基團中之一或多個CH2 基團可各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、、-O-、-CO-O-、-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換，表示 ZST 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-CH2 -、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-CH2 O-、-C2 F4 -、-CH2 CF2 -、-CF2 CH2 -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵，且 L1 及L2 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ， p 表示1或2， q 表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
在式ST化合物中，特別較佳為下式之化合物 其中n = 1、2、3、4、5、6或7，較佳地，n = 1或7 其中n = 1、2、3、4、5、6或7，較佳地，n = 3 其中n = 1、2、3、4、5、6或7，較佳地，n = 3
在式ST-3a及ST-3b之化合物中，n較佳表示3。在式ST-2a化合物中，n較佳表示7。
根據本發明之極尤其較佳混合物包含一或多種來自式ST-2a-1、ST-3a-1、ST-3b-1、ST-8-1、ST-9-1及ST-12之化合物之群的穩定劑：
按混合物計，式ST-1至ST-19之化合物較佳地各自以0.005%至0.5%之量存在於根據本發明之液晶混合物中。
若根據本發明之混合物包含兩種或更多種來自式ST-1至ST-18之化合物之群的化合物，則就兩種化合物而言，按混合物計，濃度相應地增加至0.01-1%。
然而，按根據本發明之混合物計，式ST-1至ST-18之化合物的總比例不應超過2%。
根據本發明之混合物較佳包含 -  一或多種式I化合物，較佳選自式I-1、I-2及I-3之化合物，其總濃度較佳在0.1%至10%、更佳0.5%至8%或1%至5%、尤其較佳2%至4%之範圍內， 及/或 - 一或多種式IIA化合物，其總濃度較佳在5%至30%、更佳7%至25%、尤其較佳10%至20%之範圍內； 及/或 - 一或多種式IIA及IIB化合物，其總濃度較佳在30%至45%之範圍內； 及/或 - 一或多種式I及式IV之化合物，其總濃度較佳在35%至60%、更佳40%至55%、尤其較佳45%至50%之範圍內； 及/或 - 一或多種式I及式IV及IVb之化合物，其總濃度較佳在35%至70%、更佳40%至65%、尤其較佳45%至60%之範圍內； 及/或 - 一或多種式IIA及IIB及III-2之化合物，其總濃度較佳在30%至65%、更佳35%至60%、尤其較佳40%至55%之範圍內。
特定言之，介質包含 -  一或多種化合物CY-n-Om，尤其CY-3-O4、CY-5-O4及/或CY-3-O2，其總濃度較佳在5%至30%、較佳10%至20%之範圍內； 及/或 -  CPY-n-Om，尤其CPY-2-O2、CPY-3-O2及/或CPY-5-O2，按整體混合物計，其濃度較佳＞ 5%，尤其7%至20%， 及/或 -  一或多種化合物CCY-n-Om，較佳CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1及/或CCY-5-O2，按整體混合物計，其濃度較佳＞ 3%，尤其5%至15%； 及/或 -  CLY-n-Om，較佳CLY-2-O4、CLY-3-O2及/或CLY-3-O3，按整體混合物計，其濃度較佳＞ 5%，尤其10%至30%，極佳15%至20%； 及/或 -  CPY-n-Om及CY-n-Om，按整體混合物計，其濃度較佳為10%至80%， 及/或 -  CPY-n-Om及PY-n-Om，較佳CPY-2-O2及/或CPY-3-O2及PY-3-O2或PY-1-O2，按整體混合物計，其濃度較佳為5%至20%，更佳為10%至15%， 及/或 -  CCVC-n-V，較佳CCVC-3-V，按整體混合物計，其濃較佳為2%至10%， 及/或 -  CC-V-V，以整體混合物計，其濃度較佳為5%至50%。 及/或 - 式CC-3-V1及/或CC-4-V1之化合物，其總濃度在5%至40%、更佳15%至35%、尤其較佳20%至30%之範圍內， 及/或 - 一或多種式B-nO-Om及/或B(S)-nO-Om之化合物，尤其化合物B(S)-2O-O5，其濃度較佳在2%至10%之範圍內，以及化合物CC-3-V1及/或化合物CC-4-V1，其總濃度在10%至30%、較佳15%至20%之範圍內。 及/或 - 0.1%至3%化合物PPGU-3-F， 及/或 -  化合物B(S)-(c5)1O-O2：。
本發明進一步係關於一種具有主動矩陣定址之電光顯示器，其特徵在於其含有如技術方案1之液晶介質作為介電質，且其中顯示器為VA、SA-VA、IPS、U-IPS、FFS、UB-FFS、SA-FFS、PS-VA、PS-OCB、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS、PS-posi-VA、PS-TN、聚合物穩定化SA-VA或聚合物穩定化SA-FFS顯示器。
根據本發明之液晶介質之向列相較佳≤ -20℃至≥ 70℃、尤其較佳≤ -30℃至≥ 80℃、極尤其較佳≤ -40℃至≥ 90℃為有利的。
根據本發明之介質之清澈溫度為70℃或更高，較佳為74℃或更高。
表述「具有向列相」在本文中意謂：一方面，在對應溫度下在低溫下未觀測到近晶相及結晶，且另一方面，在加熱時自向列相仍不會出現清澈現象。低溫下之研究在對應溫度下於流量式黏度計中進行，且藉由儲存於層厚度對應於電光用途之測試單元中至少100小時來進行檢驗。若在對應測試單元中於-20℃溫度下之儲存穩定性為1000小時或更長時間，則稱該介質在此溫度下穩定。在-30℃及-40℃之溫度下，對應時間分別為500小時及250小時。在高溫下，利用習知方法在毛細管中量測清澈點。
較佳地，液晶混合物之向列相範圍為至少60 K，且在20℃下之流動黏度ν20 為至多30 mm2 · s- 1 。
混合物在-20℃或更低之溫度下、較佳在-30℃或更低下、極佳在-40℃或更低下為向列型。
液晶混合物之雙折射率Δn值通常介於0.07與0.16之間、較佳介於0.08與0.15之間、極佳介於0.09與0.14之間。
在本發明之一較佳實施例中，介質之雙折射率在0.090至0.110、較佳0.095至0.105、尤其0.100至0.105之範圍內。
在另一較佳實施例中，根據本發明之介質之雙折射率為0.120或更大，較佳在0.125至0.145、更佳0.130至0.140之範圍內。
根據本發明之液晶混合物之介電各向異性Δε為-1.5至-8.0、較佳-2.0至-4.0、尤其-2.5至-3.5。
20℃下之旋轉黏度γ1 較佳≤ 120 mPa·s，尤其≤ 100 mPa·s。
在一較佳實施例中，20℃下之旋轉黏度γ1 ≤ 100 mPa·s，尤其≤ 95 mPa·s。
根據本發明之液晶介質具有相對較低之臨限電壓(V0 )值。其較佳在1.7 V至3.0 V之範圍內，尤其較佳≤ 2.7 V且極尤其較佳≤ 2.5 V。
對於本發明，除非另外明確指定，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V0 )，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。
另外，根據本發明之液晶介質在液晶單元中具有高電壓保持率值。
一般而言，相比於具有較高定址電壓或臨限電壓之液晶介質，具有較低定址電壓或臨限電壓之液晶介質呈現較低電壓保持率，且反之亦然。
對於本發明而言，術語「介電正性化合物」表示Δε ＞ 1.5之化合物，術語「介電中性化合物」表示-1.5 ≤Δε≤1.5之化合物，且術語「介電負性化合物」表示Δε ＜ -1.5之化合物。在本文中，化合物之介電各向異性藉由以下步驟測定：將10%化合物溶解於液晶主體中，且測定所得混合物在至少一個測試單元中之電容，測試單元之層厚度在各情況下為20 µm且在1 kHz下具有垂面及沿面的表面對準。量測電壓通常為0.5 V至1.0 V，但始終低於所研究之各別液晶混合物之電容臨限值。
關於本發明所指定之所有溫度值以℃為單位。
根據本發明之混合物適用於所有VA-TFT應用，諸如例如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA (聚合物持續VA)及PS-VA (聚合物穩定化VA)。其此外適用於具有負Δε之IPS (共平面切換)及FFS (邊緣場切換)應用。
根據本發明之顯示器中之向列型液晶混合物一般包含兩種組分A及B，其自身由一或多種個別化合物組成。
組分A具有顯著負介電各向異性且為向列相提供≤ -0.5之介電各向異性。除一或多種式I化合物以外，其較佳包含式IIA、IIB及/或IIC之化合物，此外一或多種式IV-1化合物。
組分A之比例較佳介於45%與100%之間，尤其介於60%與85%之間。
對於組分A，較佳選擇一種(或多種)Δε值≤ -0.8之個別化合物。必定為，此值愈負，在整個混合物中比例A愈少。
組分B具有明顯向列態，且在20℃下，流動黏度不超過30 mm2 · s- 1 、較佳不超過25 mm2 · s- 1 。
多種適合材料為熟習此項技術者由文獻已知。尤其較佳為式O-17化合物。
組分B中之尤其較佳個別化合物為20℃下之流動黏度不超過18 mm2 · s- 1 、較佳不超過12 mm2 · s- 1 之極低黏度向列液晶。
組分B為單變性或互變性向列型，無近晶相且能夠在降至極低溫度時阻止液晶混合物中出現近晶相。舉例而言，若將各種高向列態材料添加至近晶液晶混合物中，則此等材料之向列態可經由所達成之近晶相的抑製程度進行比較。
混合物亦可視情況包含組分C，其包含具有Δε ≥ 1.5之介電各向異性之化合物。按整體混合物計，此等所謂的正性化合物通常以≤ 20重量%之量存在於負介電各向異性的混合物中。
除一或多種式I化合物以外，介質較佳包含4至15種、尤其5至12種且尤其較佳＜ 10種式IIA、IIB及/或IIC之化合物及視情況存在之一或多種式IV-1化合物。
除式IB化合物及式IIA、IIB及/或IIC及視情況存在之IV-1之化合物以外，其他成分亦可以例如整體混合物之至多45%、但較佳至多35%、尤其至多10%之量存在。
其他成分較佳選自向列型或向列原基物質，尤其選自以下之類別的已知物質：氧偶氮苯、苯亞甲基苯胺、聯苯、聯三苯、苯甲酸苯酯或苯甲酸環己酯、環己烷甲酸苯酯或環己烷甲酸環己酯、苯基環己烷、環己基聯苯、環己基環己烷、環己基萘、1,4-雙環己基聯苯或環己基嘧啶、苯基二㗁烷或環己基二㗁烷、視情況經鹵化之芪、苯甲基苯基醚、二苯乙炔及經取代之肉桂酸酯。
適合作為此類型液晶相之成分的最重要化合物可由下式IV表徵： R20 -L-G-E-R21 IV 其中L及E各自表示來自由以下形成之群的碳環或雜環系統：1,4-二取代苯及環己烷環、4,4'-二取代聯苯、苯基環己烷及環己基環己烷系統、2,5-二取代嘧啶及1,3-二㗁烷環、2,6-二取代萘、二氫萘及四氫萘、喹唑啉及四氫喹唑啉， G表示      -CH=CH-     -N(O)=N- -CH=CQ-    -CH=N(O)- -C≡C-        -CH2 -CH2 - -CO-O-       -CH2 -O- -CO-S-        -CH2 -S- -CH=N-       -COO-Phe-COO- -CF2 O-        -CF=CF- -OCF2 -        -OCH2 - -(CH2 )4 -      -(CH2 )3 O- 或C-C單鍵，Q表示鹵素，較佳氯或-CN，且R20 及R21 各自表示具有至多18個、較佳至多8個碳原子之烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或此等基團中之一者可替代地表示CN、NC、NO2 、NCS、CF3 、SF5 、OCF3 、F、Cl或Br。
在大多數此等化合物中，R20 及R21 彼此不同，此等基團中之一者通常為烷基或烷氧基。所提出之取代基的其他變化形式亦係常見的。多種該等物質或其混合物亦為可商購的。所有此等物質可藉由根據文獻已知之方法製備。
對於熟習此項技術者不言而喻，根據本發明之VA、IPS或FFS混合物亦可包含其中(例如)H、N、O、Cl及F已經對應同位素置換之化合物。
按混合物計，視情況將式P化合物以較佳0.01重量%至5重量%、尤其較佳0.2重量%至2重量%之濃度添加至根據本發明之混合物中。此等混合物亦可視情況包含引發劑，如例如在U.S. 6,781,665中所述。較佳地將引發劑，例如來自BASF之Irganox-1076，以0%至1%之量添加至包含可聚合化合物之混合物中。此類型之混合物可用於所謂的聚合物穩定型VA模式(PS-VA)或PSA (聚合物持續VA)，其中意欲在填充顯示面板之後在液晶混合物中進行反應性液晶原基之聚合。其前提條件在於LC主體之液晶化合物不會在反應性液晶原基之聚合條件下(亦即，一般在暴露於320至360 nm之波長範圍內之UV時)發生反應。含有烯基側鏈之液晶化合物，諸如CC-3-V，在用於RM之聚合條件(UV聚合)下不呈現反應，因此，在本文中，該等化合物不被視為RM。
根據本發明之化合物可在已知且適於該等反應之反應條件下藉由或類似於描述於文獻(例如描述於標準著作中，諸如Houben-Weyl, Methoden der Organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart)中之已知方法來合成。亦可在本文中使用本身已知但未在本文中提及之變化形式。特定言之，其可如以下反應流程中所描述或類似於以下反應流程而製備。製備本發明化合物之其他方法可獲自實例。
上文未明確提及之其他液晶原基化合物亦可視情況且有利地用於根據本發明之介質中。該等化合物為熟習此項技術者已知。
以下實例用來解釋本發明而不限制本發明。然而，其向熟習此項技術者展示較佳混合物概念與較佳使用之化合物及其各別濃度及其彼此之組合。此外，實例說明可獲得之特性及特性組合。
對於本發明而言及在以下實例中，藉助於首字母縮寫詞指定液晶化合物之結構，其中根據下表A至表C進行化學式之轉化。所有基團Cn H2n + 1 、Cm H2m + 1 及Cl H2l + 1 或Cn H2n 、Cm H2m 及Cl H2l 均為直鏈烷基或伸烷基，在各情況下分別具有n、m及l個C原子。較佳地，n、m及l彼此獨立地為1、2、3、4、5、6或7。表A展示化合物之原子核之環元素的編碼，表B列出橋聯單元，且表C列出分子之左右端基之符號的含義。首字母縮寫詞由以下構成：具有視情況鍵聯基團之環元素的編碼，隨後第一連字符及左側端基的編碼，以及第二連字符及右側端基之編碼。表D展示化合物之說明性結構連同其各別縮寫。表 A ：環元素 表 B ：橋聯單元
E -CH2 -CH2 -      
V -CH=CH-      
T -C≡C-      
W -CF2 -CF2 -      
B -CF=CF-      
Z -CO-O- ZI -O-CO-
X -CF=CH- XI -CH=CF-
O -CH2 -O- OI -O-CH2 -
Q -CF2 -O- QI -O-CF2 -
表 C ： 端基
在左側單獨地或以組合形式 在右側單獨地或以組合形式
-n- Cn H2n+1 - -n -Cn H2n+1
-nO- Cn H2n+1 -O- -On -O- Cn H2n+1
-V- CH2 =CH- -V -CH=CH2
-nV- Cn H2n+1 -CH=CH- -nV -Cn H2n -CH=CH2
-Vn- CH2 =CH- Cn H2n - -Vn -CH=CH-Cn H2n+1
-nVm- Cn H2n+1 -CH=CH-Cm H2m - -nVm - Cn H2n -CH=CH-Cm H2m+1
-N- N≡C- -N -C≡N
-S- S=C=N- -S -N=C=S
-F- F- -F -F
-CL- Cl- -CL -Cl
-M- CFH2 - -M -CFH2
-D- CF2 H- -D -CF2 H
-T- CF3 - -T -CF3
-MO- CFH2 O - -OM -OCFH2
-DO- CF2 HO - -OD -OCF2 H
-TO- CF3 O - -OT -OCF3
-A- H-C≡C- -A -C≡C-H
-nA- Cn H2n+1 -C≡C- -An -C≡C-Cn H2n+1
-NA- N≡C-C≡C- -AN -C≡C-C≡N
-(cn)- -(cn)
-(cn)m- -m(cn)
     
     
在左側僅以組合形式 在右側僅以組合形式
- … n … - -Cn H2n - - … n … -Cn H2n -
- … M … - -CFH- - … M … -CFH-
- … D … - -CF2 - - … D … -CF2 -
- … V … - -CH=CH- - … V … -CH=CH-
- … Z … - -CO-O- - … Z … -CO-O-
- … ZI … - -O-CO- - … ZI … -O-CO-
- … K … - -CO- - … K … -CO-
- … W … - -CF=CF- - … W … -CF=CF-
其中n及m各為整數，且三個點「…」為來自此表之其他縮寫之占位符。
除式I、IIA、IIB、IIC及/或IID之化合物以外，根據本發明之混合物較佳包含如下所提及之化合物中之一或多種化合物。
使用以下縮寫： (n、m、k及l各自彼此獨立地為整數，較佳為1至9，較佳為1至7，k及l可能亦可為0，且較佳為0至4，更佳為0或2，且最佳為2，n較佳為1、2、3、4或5，在組合「-nO-」中其較佳為1、2、3或4，較佳為2或4，m較佳為1、2、3、4或5，在組合「-Om」中其較佳為1、2、3或4，更佳為2或4。組合「-lVm」較佳為「2V1」。)表 D 表 E 表E展示可添加至根據本發明之LC介質中之對掌性摻雜劑。 表 F
表F展示可用於根據本發明之LC介質中的說明性反應性液晶原基化合物(RM)。
在一較佳實施例中，根據本發明之混合物包含一或多種可聚合化合物，較佳選自式RM-1至RM-144之可聚合化合物。在此等化合物中，化合物RM-1、RM-4、RM-8、RM-17、RM-19、RM-35、RM-37、RM-39、RM-40、RM-41、RM-48、RM-52、RM-54、RM-57、RM-64、RM-74、RM-76、RM-88、RM-102、RM-103、RM-109、RM-117、RM-120、RM-121、RM-122及RM-145至RM-153尤其較佳。
在一較佳實施例中，根據本發明之混合物包含一或多種選自式RM-145至RM-152、極佳選自式RM-147至RM-152之可聚合化合物。表 G
表G展示用於豎直對準的自對準添加劑，其可以連同式P之可聚合化合物一起用於根據本發明之SA-VA及SA-FFS顯示器之LC介質中：
在一較佳實施例中，根據本發明之LC介質、SA-VA及SA-FFS顯示器與一或多種式P之RM組合包含一或多種選自式SA-1至SA-48、較佳選自式SA-14至SA-48、極佳選自式SA-20至SA-34及SA-44之SA添加劑。
工作實例： 以下實例意欲解釋本發明而不限制本發明。在實例中，m.p.表示熔點，且T( N , I ) 表示以攝氏度為單位的液晶物質之清澈點；此外：C表示結晶固體狀態，S表示近晶相(指數表示相類型)，N表示向列型狀態，Ch表示膽固醇型相，I表示各向同性相，Tg 表示玻璃轉移溫度。兩個符號之間的數字表示以攝氏度為單位的轉化溫度。
用於測定單一化合物之光學各向異性Δn之主體混合物為商業混合物ZLI-4792 (Merck KGaA)。使用商業混合物ZLI-2857測定介電各向異性Δε。待研究化合物之物理資料由在添加待研究化合物之後主體混合物之介電常數的變化及外推至100%所用化合物獲得。一般而言，視溶解度而定，將10%待研究化合物溶解於主體混合物中。
除非另外指定，否則份數或百分比資料表示重量份或重量百分比。
在上文及下文中： Vo 表示在20℃下之電容臨限電壓[V]， ne 表示在20℃及589 nm下之異常折射率， no 表示在20℃及589 nm下之普通折射率， Δn                   表示在20℃及589 nm下之光學各向異性， ε⊥ 表示在20℃及1 kHz下，垂直於指向矢之介電電容率， εǀǀ                   表示在20℃及1 kHz下，平行於指向矢之介電電容率， Δε                   表示在20℃及1 kHz下之介電各向異性， cl.p.，T(N,I)    表示清澈點[℃]， γ1 表示在20℃下量測之旋轉黏度[mPa·s]， K1 表示在20℃下「傾斜」變形之彈性常數[pN]， K2 表示在20℃下之「扭曲」變形之彈性常數[pN]， K3 表示在20℃下「彎曲」變形之彈性常數[pN]，及 LTS                 表示如所規定以測試單元或整體測定之低溫穩定性(向列相)。
除非另外明確指出，否則本申請案中關於溫度(諸如熔點T(C,N)、自近晶(S)相至向列(N)相之轉變T(S,N)及清澈點T(N,I)或cl.p.)所指定之所有值以攝氏度(℃)進行指定。
對於本發明，除非另外明確指定，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V0 )，亦稱為弗雷德里克臨限值。在實例中，如一般常用，亦可針對10%相對對比度指定光學臨限值(V10 )。
用於量測電容臨限電壓之顯示器由兩個間距為20 µm之平面平行的玻璃外板組成，其各自在內側上具有電極層且在頂部具有未摩擦之聚醯亞胺對準層，其實現液晶分子之垂直邊緣對準。
用於量測傾斜角之顯示器或測試單元由兩個間距為4 µm之平面平行的玻璃外板組成，其各自在內側上具有電極層且在頂部具有聚醯亞胺對準層，其中兩個聚醯亞胺層彼此反向平行地摩擦，且實現液晶分子之垂直邊緣對準。
藉由用具有經定義強度之UV光照射預定時間而在顯示器或測試單元中聚合可聚合化合物，其中同時向顯示器施加電壓(通常10 V至30 V交流電，1 kHz)。在實例中，除非另外指定，否則使用金屬鹵化物燈及100 mW/cm²之強度來聚合。使用標準儀錶(具有UV感測器之高端Hoenle UV儀錶)量測強度。
使用來自Axometrics之米勒矩陣偏光計「AxoScan」測定傾斜角。本文中低值(亦即與90°角之大偏差)對應於大傾斜。
除非另外說明，否則術語「傾斜角」意謂LC指向矢與基板之間的角度，且「LC指向矢」意謂在具有均勻定向之LC分子層中，LC分子之光學主要軸之較佳定向方向，在棒狀、單軸向正雙折射LC分子之情況下，對應於其分子長軸。
除非另外指定，否則VHR係在20℃下(VHR20 )及在來自TOYO Corporation, Japan的市售儀器模型LCM-1 (O0004)中在100℃下(VHR100 )在烘箱中5分鐘之後測定。除非更確切地指定，否則所用電壓之頻率在1 Hz至60 Hz範圍內。
VHR量測值之精確性視各別VHR值而定。精確性隨著值減小而減小。一般在各種量值範圍中之值的情況下觀測到之偏差以其數量級而編譯於下表中。
VHR範圍 偏差(相對)
VHR值 ΔG VHR/VHR /%
自 至 大致
99.6% 100% +/- 0.1
99.0% 99.6% +/- 0.2
98% 99% +/- 0.3
95% 98% +/- 0.5
90% 95% +/- 1
80% 90% +/- 2
60% 80% +/- 4
40% 60% +/- 8
20% 40% +/- 10
10% 20% +/- 20
對UV照射的穩定性在來自德國Heraeus的商業儀器「日光測試CPS+ (Suntest CPS+)」中使用氙氣燈NXE1500B研究。除非明確指定，否則密封測試單元經照射2.0小時而無需額外加熱。300 nm至800 nm波長範圍內的照射功率為765 W/m2 V。具有310 nm之邊緣波長的UV「截斷」濾波器按順序使用以模擬所謂的窗玻璃模式。在各系列實驗中，針對各條件研究至少四個測試單元，且各別結果經指定為對應個別量測之平均值。
通常藉由暴露(例如，藉由UV照射或藉由LCD背光)引起的電壓保持率(ΔVHR)之減小根據以下方程式(1)來測定：。
為了研究低溫穩定性，亦稱為「LTS」，亦即整體中之LC混合物針對個別組分在低溫下之自發性結晶或近晶相之出現的穩定性，視具體情況，將各自含有約1 g材料之若干密封瓶子儲存於一或多個給定溫度下，通常為-10℃、-20℃、-30℃及/或-40℃下，且以規則間隔用肉眼檢驗是否觀測到相變。一旦第一個樣品在給定溫度下展示變化，就標註出時間。直至最後檢驗之前未觀測到變化的時間經標註為各別LTS。
使用來自日本Toyo Corporation之市售LC材料特徵量測系統型號6254、使用具有單元間隙為3.2 µm之AL16301聚醯亞胺(日本JSR公司)之VHR測試單元量測離子密度，根據其計算電阻率。在儲存於60℃或100℃下之烘箱中5 min後執行量測。
所謂的「HTP」表示在LC介質中光學活性或對掌性物質之螺旋扭轉力(以µm為單位)。除非另外指定，否則HTP係以在20℃之溫度下之市售向列型LC主體混合物MLD-6260 (Merck KGaA)進行量測。
清澈點使用Mettler Thermosystem FP900來量測。光學各向異性(Δn)使用Abbe-Refraktometer H005 (在589 nm，20℃下之鈉頻譜燈Na10)來量測。介電各向異性(Δε)在20℃下使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005) (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)來量測。接通電壓(V0 )在20℃下使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005) (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)來量測。旋轉黏度(γ1 )在20℃下使用TOYO LCM-2 (0002) (具有JALS-2096-R 1之γ1負單元)來量測。彈性常數(K1 ，張開)在20℃下使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005) (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)來量測。K3 ：彈性常數(K3 ，彎曲)在20℃下使用LCR-Meter E4980A/Agilent (G005) (具有JALS 2096-R1之ε平行單元)來量測。
除非另外明確指出，否則本申請案中之所有濃度均以重量百分比指定，且係關於包含所有固體或液晶組分之整個對應混合物(無溶劑)。除非另外明確指定，否則所有物理特性均根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月, 德國Merck KGaA測定，且適用於20℃之溫度。
以下具有負介電各向異性之混合物實例尤其適用於具有至少一個平面對準層之液晶顯示器，諸如例如IPS及FFS顯示器，尤其UB-FFS (=超亮FFS)，且適用於VA顯示器。
混合物實例及比較實例 如下表所給定製備及研究比較混合物C1至C4及混合物實例M1至M95。比較混合物 C1
B(S)-2O-O4 3.5%    清澈點/℃：                           74.0
B(S)-2O-O5 4.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1031
CPP-3-2 1.5%    Δε (1 kHz，20℃)：              -3.0
CC-3-V1 7.0%    K1 (pN，20℃)：                   15.5
CC-4-V1 16.5%    K3 (pN，20℃)：                   15.6
CC-3-O1 11.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.40
CC-3-O3 2.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 96
CC-3-4 4.5%    初始VHR [%]：                    99.2
CC-3-5 5.0%    2小時日光測試之後 的VHR [%]：                        86.0
CCY-3-O2 7.0%      
CPY-2-O2 5.5%      
CPY-3-O2 11.5%      
CY-3-O2 13.5%      
PP-1-2V1 7.0%      
Σ 100.0%      
比較混合物 C2
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.2
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1270
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.0%    K1 (pN，20℃)：                   14.5
CC-3-V 26.0%    K3 (pN，20℃)：                   15.1
CC-3-V1 8.0%    V0 (20℃)/ V：                       2.48
CCP-3-1 11.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 80
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 5.0%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 4.0%      
Σ 100.0%      
比較混合物 C3
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                           73.4
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1257
B(S)-2O-O6 4.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 5.5%    K1 (pN，20℃)：                   13.9
CC-3-V 32.5%    K3 (pN，20℃)：                   14.1
CC-3-V1 2.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.40
CCP-V-1 16.5%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 75
COB(S)-2-O4 1.5%      
CPY-2-O2 6.0%      
PP-1-2V1 3.5%      
PY-1-O2 12.5%      
PYP-2-3 5.5%      
Σ 100.0%      
比較混合物 C4
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.1
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1164
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.0%    K1 (pN，20℃)：                   14.1
CC-3-V 31.0%    K3 (pN，20℃)：                   14.7
CC-3-V1 8.0%    V0 (20℃)/ V：                       2.47
CCP-3-1 12.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 72
CLY-3-O2 3.0%      
CPY-2-O2 5.0%      
PY-1-O2 11.0%      
PY-2-O2 7.0%   
Σ 100.0%      
混合物實例 M1
B(S)-2O-O4 3.0%    清澈點/℃：                                           79.0
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：                           0.1028
CC-3-V1 8.0%    Δε (1 kHz，20℃)：                              -3.2
CC-4-V1 14.0%    K1 (pN，20℃)：                                   16.9
CC-3-O1 7.0%    K3 (pN，20℃)：                                   16.2
CC-3-4 3.0%    V0 (20℃)/ V：                                       2.39
CC-3-5 5.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                                  125
CCY-3-O2 7.5%    初始VHR [%]：                                     99.3
CLP-3-T 9.0%    2小時日光測試之後的VHR [%]：       95.2
CPY-2-O2 4.5%      
CPY-3-O2 11.5%      
CY-3-O2 15.0%      
CY-3-O4 5.5%      
PY-1-O2 2.0%      
Σ 100.0%      
混合物 M2
B(S)-2O-O4 3.5%    清澈點/℃：                                      75.5
B(S)-2O-O5 4.0%    Δn (589 nm，20℃)：                       0.1036
CC-3-V1 8.0%    Δε (1 kHz，20℃)：                          -2.8
CC-4-V1 16.5%    K1 (pN，20℃)：                               16.0
CC-3-O1 11.5%    K3 (pN，20℃)：                               15.8
CC-3-O3 2.0%    V0 (20℃)/ V：                                   2.49
CC-3-4 4.5%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                             96
CC-3-5 5.0%    初始VHR [%]：                                99.4
CCY-3-O2 6.5%    2小時日光測試之後的VHR [%]：  96.2
CLP-3-T 1.0%      
CPY-2-O2 7.5%      
CPY-3-O2 11.0%      
CY-3-O2 11.5%      
PP-1-2V1 7.5%      
Σ 100.0%      
混合物 M3
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                                      75.0
B(S)-2O-O5 4.0%    Δn (589 nm，20℃)：                       0.1038
CC-3-V1 8.0%    Δε (1 kHz，20℃)：                          -3.2
CC-4-V1 20.0%    K1 (pN，20℃)：                               17.0
CC-3-O3 11.0%    K3 (pN，20℃)：                               16.9
CC-3-4 5.0%    V0 (20℃)/ V：                                   2.43
CCY-3-O2 11.5%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                             99
CLP-3-T 1.0%    初始VHR [%]：                                99.3
CPY-3-O2 10.0%    2小時日光測試之後的VHR [%]：  93.8
CY-3-O2 15.0%      
CY-3-O4 1.0%      
PP-1-2V1 8.5%      
Σ 100.0%      
混合物 M4
B(S)-2O-O4 3.5%    清澈點/℃：   75.0
B(S)-2O-O5 4.0%    Δn (589 nm，20℃)：   0.1024
CPP-3-2 2.5%    Δε (1 kHz，20℃)：      -3.0
CC-3-V1 7.0%    K1 (pN，20℃)：           15.2
CC-4-V1 16.5%    K3 (pN，20℃)：           15.3
CC-3-O1 11.5%    V0 (20℃)/ V：               2.40
CC-3-O3 2.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：          97
CC-3-4 4.5%    初始VHR [%]：             99.3
CC-3-5 5.0%    2小時日光測試之 後的VHR [%]：             95.5
CCY-3-O2 5.0%      
CLP-3-F 1.0%      
CPY-2-O2 6.5%      
CPY-3-O2 11.5%      
CY-3-O2 14.0%      
PP-1-2V1 5.5%      
Σ 100.0%      
混合物 M5
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                                      75.0
B(S)-2O-O5 4.0%    Δn (589 nm，20℃)：                       0.1022
CC-3-V1 8.0%    Δε (1 kHz，20℃)：                          -2.9
CC-4-V1 17.0%    K1 (pN，20℃)：                               16.5
CC-3-O1 7.5%    K3 (pN，20℃)：                               16.2
CC-3-4 4.5%    V0 (20℃)/ V：                                   2.48
CC-3-5 5.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                             98
CCY-3-O2 7.5%    初始VHR [%]：                                99.3
CLP-3-F 9.0%    2小時日光測試之後的VHR [%]：  95.2
CPY-3-O2 9.0%      
CY-3-O2 12.0%      
CY-3-O4 3.0%      
PY-1-O2 5.0%      
PP-1-2V1 3.5%   
Σ 100.0%      
實例混合物M1至M5與介質C1之比較展示根據本發明之液晶介質之VHR顯著改良。混合物 M6
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                           71.0
B(S)-2O-O5 4.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1022
CC-3-V1 8.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.5
CC-4-V1 17.0%    K1 (pN，20℃)：                   17.0
CC-3-O1 7.5%    K3 (pN，20℃)：                   16.9
CC-3-4 5.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.64
CC-3-5 6.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 88
CCY-3-O2 5.5%      
CLP-3-F 9.0%      
CPY-3-O2 7.0%      
CY-3-O2 12.0%      
CY-3-O4 2.0%      
PY-1-O2 5.0%      
PP-1-2V1 6.5%   
Σ 100.0%      
混合物 M7
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.0
B(S)-2O-O5 3.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1369
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -3.0
CC-3-V 24.5%    K1 (pN，20℃)：                   15.4
CC-3-V1 8.0%    K3 (pN，20℃)：                   16.0
CCP-3-1 12.0%    V0 (20℃)/ V：                       2.43
CPY-3-O2 11.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 93
PP-1-2V1 3.0%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-3-O2 5.5%      
PYP-2-3 10.0%      
PYP-2-4 3.0%      
CLP-3-T 1.0%   
Σ 100.0%      
混合物 M8
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.7
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1274
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.0%    K1 (pN，20℃)：                   14.8
CC-3-V 25.5%    K3 (pN，20℃)：                   15.1
CC-3-V1 8.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 80
CCP-3-1 10.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.49
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 4.5%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 4.5%      
CLP-3-T 1.0%   
Σ 100.0%      
混合物 M9
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.8
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1376
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.45
CC-3-V 28.5%    K1 (pN，20℃)：                   14.6
CCP-3-1 9.5%    K3 (pN，20℃)：                   14.7
CPY-2-O2 11.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 86
PP-1-2V1 7.0%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 2.5%      
PYP-2-3 5.0%      
CLP-3-T 1.0%   
Σ 100.0%      
混合物 M10
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.4
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1274
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.0%    K1 (pN，20℃)：                   14.8
CC-3-V 25.5%    K3 (pN，20℃)：                   15.1
CC-3-V1 8.0%    V0 (20℃)/ V：                       2.49
CCP-3-1 10.5%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 80
CLP-3-T 1.0%      
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 4.5%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 4.5%      
Σ 100.0%      
混合物 M11
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.3
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1373
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.0%    K1 (pN，20℃)：                   14.4
CC-3-V 23.5%    K3 (pN，20℃)：                   14.6
CC-3-V1 6.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.44
CCP-V-1 9.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 84
CLP-3-T 1.0%      
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 6.5%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 2.5%      
PYP-2-3 5.0%   
Σ 100.0%      
混合物 M12
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.1
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1371
B(S)-2O-O6 2.5%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 11.0%    K1 (pN，20℃)：                   14.9
CC-3-V 22.0%    K3 (pN，20℃)：                   14.8
CC-3-V1 9.0%    V0 (20℃)/ V：                       2.45
CCP-3-1 5.5%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 87
CLP-3-T 3.0%      
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 5.0%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 4.5%      
PYP-2-3 5.0%   
Σ 100.0%      
混合物 M13
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           74.3
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1378
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.6
CPP-3-2 11.5%    K1 (pN，20℃)：                   15.1
CC-3-V 21.5%    K3 (pN，20℃)：                   14.4
CC-3-V1 8.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.44
CCP-3-1 4.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 91
CLP-3-T 5.0%      
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 3.5%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 6.0%      
PYP-2-3 5.0%   
Σ 100.0%      
混合物 M14
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                           74.1
B(S)-2O-O5 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1261
B(S)-2O-O6 4.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.7
CPP-3-2 5.5%    K1 (pN，20℃)：                   13.8
CC-3-V 32.0%    K3 (pN，20℃)：                   14.2
CC-3-V1 2.5%    V0 (20℃)/ V：                       2.42
CCP-V-1 16.5%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 74
CLP-3-T 0.5%      
COB(S)-2-O4 1.5%      
CPY-2-O2 6.0%      
PP-1-2V1 3.5%      
PY-1-O2 12.5%      
PYP-2-3 5.5%   
Σ 100.0%      
混合物 M15
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                           73.2
B(S)-2O-O5 3.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1257
B(S)-(c5)1O-O2 2.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.6
B(S)-2O-O6 4.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 83
CPP-3-2 5.5%      
CC-3-V 32.0%      
CC-3-V1 2.5%      
CCP-V-1 16.5%      
CLP-3-T 0.5%      
COB(S)-2-O4 1.5%      
CPY-2-O2 6.0%      
PP-1-2V1 3.5%      
PY-1-O2 12.5%      
PYP-2-3 5.5%   
Σ 100.0%      
混合物 M16
B(S)-2O-O4 5.0%    清澈點/℃：                           71.2
B(S)-2O-O5 3.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1250
B(S)-(c5)1O-O2 2.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.6
B(S)-(c5)1O-O3 2.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 87
B(S)-2O-O6 2.0%      
CPP-3-2 5.5%      
CC-3-V 32.0%      
CC-3-V1 2.5%      
CCP-V-1 16.5%      
CLP-3-T 0.5%      
COB(S)-2-O4 1.5%      
CPY-2-O2 6.0%      
PP-1-2V1 3.5%      
PY-1-O2 12.5%      
PYP-2-3 5.5%   
Σ 100.0%      
混合物 M17
B(S)-2O-O4 4.0%    清澈點/℃：                           72.1
B(S)-(c5)1O-O2 5.0%    Δn (589 nm，20℃)：           0.1369
B(S)-2O-O6 3.0%    Δε (1 kHz，20℃)：              -2.6
CPP-3-2 11.0%    γ1 (20℃)/ mPa·s：                 88
CC-3-V 23.5%      
CC-3-V1 6.5%      
CCP-V-1 9.0%      
CLP-3-T 1.0%      
CPY-2-O2 11.0%      
PP-1-2V1 6.5%      
PY-1-O2 12.0%      
PY-2-O2 2.5%      
PYP-2-3 5.0%   
Σ 100.0%      
儘管根據本發明之介質中之式I化合物的穩定化效應出人意料，但可藉由使用穩定劑尤其針對組合熱及光負荷進一步改良介質之穩定性。
以下混合物M18至M54另外含有如上文所指定之穩定劑。表中給出之主體混合物之量及穩定劑之量總計為100重量%。 表1：包含穩定劑之混合物.
混合物 主體混合物 穩定劑(混合物中之百分比)
M18 M1 ST-3a-1之0.03%
M19 M2 ST-12之0.02%
M20 M3 ST-3b-1之0.01%
M21 M4 ST-2a-1之0.03%及ST-3a-1之0.02%
M22 M5 ST-2a-1之0.03%
M23 M6 ST-9-1之0.015%
M24 M7 ST-8-1之0.015%
M25 M8 ST-12之0.03%
M26 M9 ST-8-1之0.03%
M27 M1 ST-3a-1之0.25%
M28 M2 ST-8-1之0.02%及ST-3a-1之0.01%
M29 M3 ST-8-1之0.02%及ST-3a-1之0.1%
M30 M4 ST-3a-1之0.01%
M31 M5 ST-8-1之0.025%
M32 M6 ST-12之0.025%
M33 M7 ST-9-1之0.02%及ST-3b-1之0.02%
M34 M8 ST-3b-1之0.04%及ST-9-1之0.01%
M35 M9 ST-3a-1之0.02%及ST-3b-1之0.05%
M36 M1 ST-3a-1之0.02%及ST-8-1之0.01%
M37 M2 ST-3a-1之0.02%及式化合物之0.3%
M38 M3 ST-17之0.01%
M39 M4 ST-3b-1之0.05%及ST-12之0.15%
M40 M5 ST-8-1之0.02%
M41 M6 ST-12之0.02%
M42 M7 ST-3b-1之0.01%
M43 M8 ST-2a-1之0.03%及ST-3a-1之0.02%
M44 M9 ST-2a-1之0.03%
M45 M1 ST-9-1之0.015%
M46 M2 ST-8-1之0.015%
M47 M3 ST-12之0.03%
M48 M4 ST-8-1之0.03%
M49 M5 ST-3a-1之0.25%
M50 M6 ST-8-1之0.02%及ST-3a-1之0.01%
M51 M7 ST-8-1之0.02%及ST-3a-1之0.1%
M52 M8 ST-3a-1之0.01%
M53 M9 ST-8-1之0.025%
M54 M9 ST-17之0.01%
對掌性向列型混合物M55由混合物M18之99.20%及對掌性摻雜劑S-2011之0.80%組成：
混合物M55突出之處為UV負荷下的極高穩定性，且其展示改良之切換時間。混合物 M56
CC-3-V1 8.0    清澈點[℃]： 75.2
CC-4-V1 12.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1042
CCH-301 14.0    Δε [1 kHz，20℃]： -3.0
CCH-34 3.5    V0 [V，20℃]： 2.40
CCY-3-O2 8.0    γ1 [mPa s，20℃]： 119
CCY-4-O2 3.5    K1 [pN，20℃]： 14.6
CLP-3-T 5.5    K3 [pN，20℃]： 15.6
CPY-2-O2 8.0    LTS整體[h，-20℃]： 1000
CPY-3-O2 12.0         
CY-3-O2 14.0         
PP-1-2V1 1.0         
PY-1-O2 9.5         
PYP-2-3 1.0         
Σ 100.0         
混合物 M57
CCH-301 8.0    清澈點[℃]： 75.3
CCH-303 3.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1054
CCH-34 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.8
CCP-3-1 8.0    V0 [V，20℃]： 2.39
CCP-3-3 9.0    γ1 [mPa s，20℃]： 143
CCP-V2-1 7.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CLP-3-T 5.0    K3 [pN，20℃]： 14.5
CPY-2-O2 8.0    LTS整體[h，-20℃]： 1000
CPY-3-O2 8.5         
CY-3-O4 10.0         
CY-5-O2 10.0         
CY-5-O4 9.0         
PPGU-3-F 0.5         
PY-1-O2 2.0         
PY-3-O2 8.0         
Σ 100.0         
混合物 M58
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 74.9
B(S)-2O-O5 4.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1045
CC-3-V1 8.0    Δε [1 kHz，20℃]： -3.0
CC-4-V1 13.0    V0 [V，20℃]： 2.41
CCH-301 6.0    γ1 [mPa s，20℃]： 112
CCH-34 5.0    K1 [pN，20℃]： 16.7
CCH-35 5.5    K3 [pN，20℃]： 15.6
CCY-3-O2 6.5    LTS整體[h，-20℃]： 1000
CLP-3-T 9.0         
CPY-2-O2 2.5         
CPY-3-O2 10.0         
CY-3-O2 14.5         
CY-3-O4 5.0         
PP-1-2V1 2.0         
PY-1-O2 4.0         
Σ 100.0         
混合物 M59
B(S)-2O-O4 4.5    清澈點[℃]： 72.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1167
B(S)-2O-O6 3.5    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CC-3-V 38.0    V0 [V，20℃]： 2.47
CCP-3-1 4.5    γ1 [mPa s，20℃]： 69
CCP-V-1 15.0    K1 [pN，20℃]： 14.2
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 8.5         
PY-1-O2 10.0         
Σ 100.0         
混合物 M60
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 74.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1382
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.0
CPP-3-2 12.0    V0 [V，20℃]： 2.81
CC-3-V 29.0    K1 [pN，20℃]： 14.9
CCP-V-1 15.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 1.0         
PP-1-2V1 10.5         
PY-1-O2 10.0         
PYP-2-3 8.0         
Σ 100.0         
混合物 M61
B(S)-2O-O4 4.5    清澈點[℃]： 73.9
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1514
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 12.0    V0 [V，20℃]： 2.47
CC-3-V 18.5    K1 [pN，20℃]： 14.6
CCP-V-1 16.0    K3 [pN，20℃]： 14.9
CLP-3-T 0.5         
CPY-2-O2 4.0         
PP-1-2V1 11.5         
PY-1-O2 12.5         
PY-2-O2 3.5         
PYP-2-3 8.0         
Σ 100.0         
混合物 M62
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 68
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1260
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CPP-3-2 1.0    V0 [V，20℃]： 2.44
CC-3-V 30.0    K1 [pN，20℃]： 13.5
CC-3-V1 5.5    K3 [pN，20℃]： 14.1
CCP-V-1 16.5         
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 1.0         
CPY-2-O2 5.5         
PP-1-2V1 7.0         
PY-1-O2 13.0         
PYP-2-3 6.0         
Σ 100.0         
混合物 M63
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 74
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1269
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 4.5    V0 [V，20℃]： 2.44
CC-3-V 34.0    K1 [pN，20℃]： 15.2
CCP-V-1 15.5    K3 [pN，20℃]： 14.3
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 11.0         
PP-1-2V1 12.0         
PY-1-O2 8.0         
Σ 100.0         
              
混合物 M64
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 73.7
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1375
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 7.0    V0 [V，20℃]： 2.44
CC-3-V 28.0    K1 [pN，20℃]： 14.1
CCP-V-1 16.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 1.0         
CPY-2-O2 5.5         
PP-1-2V1 7.5         
PY-1-O2 12.5         
PYP-2-3 8.0         
Σ 100.0         
混合物 M65
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 73.9
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1383
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CPP-3-2 12.0    V0 [V，20℃]： 2.43
CC-3-V 35.0    K1 [pN，20℃]： 15.4
CCP-V-1 3.5    K3 [pN，20℃]： 13.8
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 11.0         
PP-1-2V1 12.5         
PY-1-O2 5.5         
PYP-2-3 6.0         
Σ 100.0         
混合物 M66
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 72.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1262
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CC-3-V 35.0    V0 [V，20℃]： 2.46
CC-3-V1 1.0    K1 [pN，20℃]： 15.1
CCP-V-1 16.5    K3 [pN，20℃]： 14.3
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 11.0         
PP-1-2V1 12.5         
PY-1-O2 6.0         
PYP-2-3 3.5         
Σ 100.0         
混合物 M67
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 73.3
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1206
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CC-3-V 36.5    V0 [V，20℃]： 2.44
CC-3-V1 3.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CCP-V-1 16.5    K3 [pN，20℃]： 14.3
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 11.0         
PP-1-2V1 9.5         
PY-1-O2 6.5         
PYP-2-3 2.5         
Σ 100.0         
混合物 M68
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 73.9
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1212
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 3.5    V0 [V，20℃]： 2.72
CC-3-V 29.5    K1 [pN，20℃]： 13.8
CC-3-V1 8.5    K3 [pN，20℃]： 14.6
CCP-V-1 16.0         
CLP-3-T 0.5         
CPY-2-O2 9.0         
PP-1-2V1 2.0         
PY-1-O2 13.0         
PYP-2-3 4.0         
Σ 100.0         
混合物 M69
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 73
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1209
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CC-3-V 39.5    V0 [V，20℃]： 2.45
CCP-V-1 16.5    K1 [pN，20℃]： 14.5
CLP-3-T 0.5    K3 [pN，20℃]： 13.9
COB(S)-2-O4 10.5         
PP-1-2V1 9.0         
PY-1-O2 6.0         
PYP-2-3 4.0         
Σ 100.0         
              
混合物 M70
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1259
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
B-2O-O5 3.0    γ1 [mPa s，20℃]： 72
CC-3-V 31.5         
CC-3-V1 7.5         
CCP-V-1 15.0         
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 9.0         
PP-1-2V1 10.0         
PY-1-O2 3.5         
PYP-2-3 6.5         
Σ 100.0         
混合物 M71
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.2
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1165
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CC-3-V 32.5    γ1 [mPa s，20℃]： 73
CC-3-V1 7.5         
CCP-V-1 15.0         
CCP-V2-1 4.0         
CLP-3-T 0.5         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 7.5         
PY-1-O2 10.0         
Σ 100.0         
混合物 M72
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 73.8
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1170
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CC-3-V 36.0    V0 [V，20℃]： 2.51
CC-3-V1 8.0    γ1 [mPa s，20℃]： 71
CCP-V-1 12.5    K1 [pN，20℃]： 14.6
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 15.3
COB(S)-2-O4 14.0         
PP-1-2V1 10.5         
PY-1-O2 5.0         
Σ 100.0         
              
混合物 M73
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.3
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1267
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.5
CC-3-V 30.5    V0 [V，20℃]： 2.55
CC-3-V1 8.0    γ1 [mPa s，20℃]： 73
CCP-V-1 14.5    K1 [pN，20℃]： 15.3
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.8
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 10.0         
PY-1-O2 6.5         
PYP-2-3 6.5         
Σ 100.0         
混合物 M74
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.1
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1170
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.5
CC-3-V 32.5    V0 [V，20℃]： 2.56
CC-3-V1 8.0    γ1 [mPa s，20℃]： 70
CCP-V-1 15.0    K1 [pN，20℃]： 15.2
CCP-V2-1 3.0    K3 [pN，20℃]： 15.1
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 8.5         
PY-1-O2 9.0         
Σ 100.0         
混合物 M75
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.3
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1168
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.8
CC-3-V 31.5    V0 [V，20℃]： 2.45
CC-3-V1 8.5    γ1 [mPa s，20℃]： 72
CCP-V-1 15.0    K1 [pN，20℃]： 14.9
CCP-V2-1 3.5    K3 [pN，20℃]： 15.0
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 6.5         
PY-1-O2 11.0         
Σ 100.0         
混合物 M76
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 75.3
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1175
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CPP-3-2 1.5    γ1 [mPa s，20℃]： 71
CC-3-V 37.5    K1 [pN，20℃]： 14.8
CCP-V-1 15.0    K3 [pN，20℃]： 14.7
CCP-V2-1 5.0         
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 7.5         
PY-1-O2 9.5         
Σ 100.0         
混合物 M77
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 75.3
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1176
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.8
CC-3-V 36.0    γ1 [mPa s，20℃]： 72
CC-3-V1 1.5    K1 [pN，20℃]： 14.9
CCP-V-1 15.0    K3 [pN，20℃]： 14.7
CCP-V2-1 5.0         
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
CPY-2-O2 1.5         
PP-1-2V1 7.0         
PY-1-O2 10.0         
Σ 100.0         
混合物 M78
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1275
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.3
CPP-3-2 12.0    γ1 [mPa s，20℃]： 73
CC-3-V 33.5    K1 [pN，20℃]： 15.7
CC-3-V1 8.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
CCP-3-1 3.0         
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 10.0         
PY-1-O2 7.0         
PYP-2-3 2.5         
Σ 100.0         
混合物 M79
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 73.7
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1276
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.5
CPP-3-2 11.5    γ1 [mPa s，20℃]： 75
CC-3-V 31.5    K1 [pN，20℃]： 15.7
CC-3-V1 8.0    K3 [pN，20℃]： 14.6
CCP-3-1 5.0         
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 9.5         
PY-1-O2 9.5         
PYP-2-3 1.0         
Σ 100.0         
混合物 M80
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1274
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.5
CC-3-V 36.0    γ1 [mPa s，20℃]： 74
CCP-V-1 15.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CCP-V2-1 1.5    K3 [pN，20℃]： 14.3
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 9.5         
PY-1-O2 6.5         
PYP-2-3 7.5         
Σ 100.0         
混合物 M81
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.5
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1273
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CC-3-V 35.0    γ1 [mPa s，20℃]： 76
CCP-V-1 15.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CCP-V2-1 2.5    K3 [pN，20℃]： 14.2
CLP-3-T 1.0         
COB(S)-2-O4 10.0         
PP-1-2V1 8.0         
PY-1-O2 8.5         
PYP-2-3 7.0         
Σ 100.0         
混合物 M82
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 73.9
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1386
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CC-3-V 12.5    V0 [V，20℃]： 2.63
CC-3-V1 8.0    γ1 [mPa s，20℃]： 89
CCP-3-1 14.0    K1 [pN，20℃]： 15.4
CCP-V-1 10.0    K3 [pN，20℃]： 16.9
CCP-V2-1 5.0         
CLP-3-T 1.0         
PP-1-2V1 9.5         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 8.0         
PYP-2-3 7.0         
Σ 100.0         
混合物 M83
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1378
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CC-3-V 27.5    V0 [V，20℃]： 2.46
CC-3-V1 8.5    γ1 [mPa s，20℃]： 82
CCP-V-1 10.5    K1 [pN，20℃]： 15.3
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.6
COB(S)-2-O4 9.5         
PP-1-2V1 10.0         
PY-1-O2 6.0         
PYP-2-3 14.0         
Σ 100.0         
混合物 M84
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 73.8
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1370
CPP-3-2 11.5    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
BCH-52 4.0    V0 [V，20℃]： 2.44
CC-3-V 27.0    γ1 [mPa s，20℃]： 85
CC-3-V1 8.5    K1 [pN，20℃]： 14.7
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.2
COB(S)-2-O4 8.5         
CPY-2-O2 4.5         
PP-1-2V1 8.0         
PY-1-O2 11.5         
PY-2-O2 1.5         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M85
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 72.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1374
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CC-3-V 21.0    V0 [V，20℃]： 2.54
CC-3-V1 9.0    γ1 [mPa s，20℃]： 82
CCP-3-1 1.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CCP-V-1 10.0    K3 [pN，20℃]： 15.5
CCP-V2-1 5.0         
CLP-3-T 1.0         
CPY-2-O2 9.0         
PP-1-2V1 10.0         
PY-1-O2 12.0         
PYP-2-3 9.0         
Σ 100.0         
混合物 M86
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 71.2
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1368
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CC-3-V 27.5    V0 [V，20℃]： 2.50
CC-3-V1 8.5    γ1 [mPa s，20℃]： 77
CCP-V-1 11.0    K1 [pN，20℃]： 14.4
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
COB(S)-2-O4 7.5         
PP-1-2V1 10.0         
PY-1-O2 7.5         
PYP-2-3 14.0         
Σ 100.0         
混合物 M87
B(S)-2O-O4 5.0    清澈點[℃]： 75
B(S)-2O-O5 4.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1377
B(S)-2O-O6 3.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CPP-3-2 11.5    V0 [V，20℃]： 2.47
CC-3-V 22.0    γ1 [mPa s，20℃]： 91
CC-3-V1 8.0    K1 [pN，20℃]： 15.1
CCP-3-1 4.5    K3 [pN，20℃]： 14.5
CLP-3-T 5.0         
CPY-2-O2 11.0         
PP-1-2V1 3.5         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 5.5         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M88
B(S)-2O-O4 4.5    清澈點[℃]： 74.5
B(S)-2O-O5 4.5    Δn [589 nm，20℃]： 0.1378
B(S)-2O-O6 3.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.6
CPP-3-2 11.5    V0 [V，20℃]： 2.45
CC-3-V 28.0    γ1 [mPa s，20℃]： 86
CCP-3-1 8.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CLP-3-T 3.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
CPY-2-O2 11.0         
PP-1-2V1 5.5         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 4.0         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M89
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.6
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1375
B(S)-2O-O6 3.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.5
CPP-3-2 11.5    V0 [V，20℃]： 2.55
BCH-52 1.5    γ1 [mPa s，20℃]： 83
CC-3-V 30.5    K1 [pN，20℃]： 14.6
CCP-3-1 7.0    K3 [pN，20℃]： 14.6
CLP-3-T 1.0         
CPY-2-O2 11.0         
PP-1-2V1 8.0         
PY-1-O2 12.5         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M90
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 73
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1376
CPP-3-2 11.5    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
BCH-52 2.0    V0 [V，20℃]： 2.42
CC-3-V 26.5    γ1 [mPa s，20℃]： 85
CC-3-V1 8.5    K1 [pN，20℃]： 14.3
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.3
COB(S)-2-O4 5.5         
CPY-2-O2 10.0         
PP-1-2V1 8.0         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 1.0         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M91
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 73.4
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1377
B(S)-2O-O6 3.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 11.0    V0 [V，20℃]： 2.45
CC-3-V 22.5    γ1 [mPa s，20℃]： 84
CC-3-V1 8.0    K1 [pN，20℃]： 14.3
CCP-V-1 8.0    K3 [pN，20℃]： 14.6
CLP-3-T 1.0         
CPY-2-O2 11.0         
PP-1-2V1 7.0         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 2.5         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M92
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1373
B(S)-2O-O6 3.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 11.5    V0 [V，20℃]： 2.45
CC-3-V 29.0    γ1 [mPa s，20℃]： 84
CCP-3-1 9.0    K1 [pN，20℃]： 14.4
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 14.6
CPY-2-O2 11.0         
PP-1-2V1 7.0         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 2.5         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M93
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.8
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1324
B(S)-2O-O6 3.0    Δε [1 kHz，20℃]： -2.7
CPP-3-2 11.5    V0 [V，20℃]： 2.44
CC-3-V 29.5    γ1 [mPa s，20℃]： 81
CC-3-V1 3.5    K1 [pN，20℃]： 14.3
CCP-3-1 8.0    K3 [pN，20℃]： 14.4
CLP-3-T 1.0         
CPY-2-O2 11.0         
PP-1-2V1 4.0         
PY-1-O2 12.0         
PY-2-O2 2.5         
PYP-2-3 5.0         
Σ 100.0         
混合物 M94
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74.5
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1486
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -3.0
CPP-3-2 8.5    V0 [V，20℃]： 2.38
CC-3-V 23.5    γ1 [mPa s，20℃]： 99
CCP-3-1 9.0    K1 [pN，20℃]： 14.8
CCY-3-O2 6.5    K3 [pN，20℃]： 15.5
CLP-3-T 1.0         
PP-1-2V1 7.5         
PY-1-O2 10.0         
PY-3-O2 6.0         
PYP-2-3 12.0         
PYP-2-4 3.0         
Σ 100.0         
混合物 M95
B(S)-2O-O4 4.0    清澈點[℃]： 74
B(S)-2O-O5 5.0    Δn [589 nm，20℃]： 0.1357
B(S)-2O-O6 4.0    Δε [1 kHz，20℃]： -3.0
CC-3-V 31.0    V0 [V，20℃]： 2.38
CCP-3-1 8.0    γ1 [mPa s，20℃]： 89
CCY-3-O2 12.5    K1 [pN，20℃]： 15.0
CLP-3-T 1.0    K3 [pN，20℃]： 15.5
PP-1-2V1 8.0         
PY-1-O2 10.5         
PYP-2-3 10.0         
PYP-2-4 6.0         
Σ 100.0         
根據本發明之介質尤其適用於PSA-VA顯示器中之應用，如以下使用實例中可證實。
可聚合混合物實例 比較混合物實例 CP1 比較混合物實例CP1由比較混合物C2之99.595%、化合物RM-1之0.40% 及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
比較混合物實例 CP2 比較混合物實例CP2由比較混合物C3之99.595%、化合物RM-1之0.40% 及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
比較混合物實例 CP3 比較混合物實例CP3由of 比較混合物C4之99.595%、化合物RM-1之0.40% 及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P1 混合物實例P1由混合物M-10之99.595%、化合物RM-1之0.40% 及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P2 混合物實例P2由混合物M-11之99.595%、化合物RM-1之0.40%及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P3 混合物實例P3由混合物M-12之99.595%、化合物RM-1之0.40%及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P4 混合物實例P4由混合物M-13之99.595%、化合物RM-1之0.40%及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P5 混合物實例P5由混合物M-14之99.595%、化合物RM-1之0.40%及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P6 混合物實例P6由混合物M-14之99.595%、化合物RM-19之0.40%及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
混合物實例 P7 混合物實例P7由混合物M-14之99.595%、化合物RM-19之0.40% 及化合物ST-3b-1之0.005%組成。
混合物實例 P8 混合物實例P8由混合物M-14之99.595%、化合物RM-35之0.40% 及化合物ST-3a-1之0.005%組成。
使用實例 A 關於介質對於VA型之聚合物穩定化顯示器(PS-VA)之適用性研究介質。
將上文所示可聚合混合物填充至PSA測試單元中，在施加電壓下使RM聚合，且量測若干特性，如殘餘RM含量、壓力之後之VHR及傾斜角生成。
VHR 量測 在室溫下使用C型螢光UV燈(305 nm至355 nm)進行UV暴露80分鐘，隨後CCFL背光(BL)負荷維持至多12天之前及之後，在60℃下在VA-VHR測試單元中量測可聚合混合物CP1、CP2及P5之VHR值。結果展示於表2中。表 2 - VHR 值
   CP1 CP2 P5
60℃下之VHR (%) VHR /%
初始 99.6 99.6 99.5
80分鐘UV之後 74.2 89.6 91.4
1天BL之後 95.8 94.0 96.5
5天BL之後 85.9 88.4 93.8
12天BL之後 - 73.6 88.9
介質CP1、CP2及P5之組成在物理參數及混合物組分方面非常類似，且僅在化合物CLP-3-T存在之情況下有所不同。自表2可見，可聚合混合物CP1、CP2及P5之初始VHR值大致處於相同水準。在UV暴露之後，混合物CP1及CP2展示VHR顯著降低，而即使在12天的背光負荷之後，介質P5仍維持高的VHR。
因此，UV暴露之後具有較高VHR之混合物P5尤其適用於具有高可靠性及UV穩定性之PSA顯示器。
預傾斜 在PS-VA製程期間，藉由UV引發之反應性液晶原基之聚合生成傾斜角。將可聚合混合物CP3及P5中之每一者插入VA e/o測試單元中。測試單元包含經反平行摩擦之VA-聚醯亞胺對準層(JALS-2096-R1)  LC層厚度d為大約4 µm。
藉由晶體旋轉實驗(Autronic-Melchers TBA-105)用50 mW/cm2 之UV照射長達120秒(能量劑量6J)之後測定預傾斜角。結果顯示於表3中。表 3 - UV 負荷之後之傾斜角
混合物 1J 之後 之傾斜角 3J 之後 之傾斜角 6J 之後 之傾斜角
CP3 89.1 88.4 86.3
P5 89.3 88.3 85.0
可以看出，介質P5所生成之傾斜角與自現有技術水平的比較介質CP3所觀測到之值相當。
聚合速率 在具有給定強度及燈頻譜之UV暴露後，在給定UV暴露時間後，藉由測定混合物中之殘餘、未聚合之RM的殘餘含量(以重量%計)來量測聚合速率。給定時間間隔之後的殘餘RM含量愈小，聚合愈快。為此目的，將可聚合混合物填充至由鹼石灰玻璃製成的光電測試單元中，塗佈來自Varitronix之大約200 nm厚的ITO層及30 nm之VA-聚醯亞胺層，單元間隙為6-7 µm。測試單元用C型螢光UV燈(305 nm至355 nm)照射，引起RM聚合。照射時間在下文表中給出。
聚合之後，打開測試單元，且將混合物溶解且藉由2 mL乙基甲基酮自測試單元沖洗離開以及藉由高效液相層析法(HPLC)分析。結果展示於表4中。 表4 -殘餘RM
混合物 UV 時間 / 分鐘 40 80
CP3 殘餘RM/% 0.0256 0.0076
P5 0.0143 0.0043
從表4可以看出，根據本發明之介質P5之聚合速率有利地較高，且適用於工業應用。

Claims (16)

  1. 一種液晶介質，其具有負介電各向異性且包含總濃度在0.5%至2%範圍內的一或多種式I化合物：
    Figure 109144469-A0305-13-0001-1
     其中RL 表示H、具有1至15個C原子之直鏈或分支鏈烷基或烷氧基，其中此等基團中之一或多個CH2基團可各自彼此獨立地經
    Figure 109144469-A0305-13-0001-3
    、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CH-、-O-、-CO-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換，XL 表示F、Cl、CN、CHF2、CF3、OCF3，YL 表示H、F、Cl或CH3，及一或多種選自式IIA、IIB、IIC及IID之化合物之群的化合物，
    Figure 109144469-A0305-13-0001-4
    Figure 109144469-A0305-13-0001-5
    Figure 109144469-A0305-13-0002-6
    Figure 109144469-A0305-13-0002-7
     其中R2A、R2B、R2C及R2D 各自彼此獨立地表示H、具有至多15個C原子的未經取代、經CN或CF3單取代或經鹵素至少單取代之烷基或烯基，其中另外，此等基團中之一或多個CH2基團可經-O-、-S-、
    Figure 109144469-A0305-13-0002-9
    、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直接鍵聯的方式置換，L1至L4 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2，Y 表示H、F、Cl、CF3、CHF2或CH3，Z2、Z2B及Z2D各自彼此獨立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF=CF-或-CH=CHCH2O-，p表示0、1或2，q表示0或1，且v 表示1、2、3、4、5或6，其中排除具有以下組成之混合物X-1及X-2混合物X-1：
    Figure 109144469-A0305-13-0003-10
    Figure 109144469-A0305-13-0004-11
     混合物X-2
    Figure 109144469-A0305-13-0004-12
    Figure 109144469-A0305-13-0005-13
  2. 如請求項1之介質，其中該一或多種式I化合物的總濃度係在0.5%至1%範圍內。
  3. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含一或多種式III化合物
    Figure 109144469-A0305-13-0005-14
     其中R11及R12 各自彼此獨立地表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中此等基團中之一或多個CH2基團可各自彼此獨立地經
    Figure 109144469-A0305-13-0005-15
    、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH=CH-、經-O-、-CO-O-或-O-CO-以使得O原子彼此不直 接鍵聯的方式置換，且其中另外，一或多個H原子可經鹵素置換，A1 在每次出現時獨立地表示a)1,4-伸環己烯基或1,4-伸環己基，其中一或兩個不相鄰CH2基團可經-O-或-S-置換，b)1,4-伸苯基，其中一或兩個CH基團可經N置換，或c)來自群組螺[3.3]庚烷-2,6-二基、1,4-雙環[2.2.2]伸辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基及茀-2,7-二基的基團，其中基團a)、b)及c)可經鹵素原子單取代或多取代，n 為0、1或2，Z1 在每次出現時獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2O-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵，且L11及L12 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3或CHF2，且W 表示O或S。
  4. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含一或多種式IV化合物
    Figure 109144469-A0305-13-0006-16
     其中R41 表示具有1至7個C原子之烷基或具有2至7個C原子之烯基，且R42 表示具有1至7個C原子之烷基或具有1至6個C原子之烷 氧基或具有2至7個C原子之烯基。
  5. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含一或多種選自下列式之化合物之群的化合物：
    Figure 109144469-A0305-13-0007-17
    Figure 109144469-A0305-13-0007-18
    Figure 109144469-A0305-13-0007-19
    Figure 109144469-A0305-13-0007-20
    Figure 109144469-A0305-13-0007-21
  6. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含一或多種式IVb-1至IVb-3之化合物
    Figure 109144469-A0305-13-0007-22
    Figure 109144469-A0305-13-0007-23
    Figure 109144469-A0305-13-0007-24
     其中 alkyl及alkyl* 各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之烷基，且alkenyl及alkenyl* 各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之烯基。
  7. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含一或多種式V化合物
    Figure 109144469-A0305-13-0008-25
     其中R51、R52表示具有1至7個C原子之烷基、具有1至7個C原子之烷氧基或具有2至7個C原子之烷氧基烷基、烯基或烯氧基，
    Figure 109144469-A0305-13-0008-26
    、
    Figure 109144469-A0305-13-0008-27
    相同或不同地表示
    Figure 109144469-A0305-13-0008-28
    Figure 109144469-A0305-13-0008-29
    、
    Figure 109144469-A0305-13-0008-30
    或
    Figure 109144469-A0305-13-0008-31
    Z51、Z52 各自彼此獨立地表示-CH2-CH2-、-CH2-O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-或單鍵，且n 為1或2。
  8. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含對掌性摻雜劑。
  9. 如請求項1或2之介質，其中該介質包含一或多種式P之可聚合化合物P-Sp-A1-(Z1-A2)z-R P 其中P 表示可聚合基團，Sp 表示間隔基團或單鍵，A1、A2 相同或不同地表示芳族基、雜芳族基、脂環族基或雜環基，其亦可含有稠合環，且其未經取代或經L單取代或多取代，L 表示F、Cl、-CN、P-Sp-或具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中一或多個不相鄰CH2-基團未經置換或經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以使得O-及/或S-原子彼此不直接連接之方式置換，且其中一或多個H原子各自未經置換或經P-Sp-、F或Cl置換，Z1 表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n1-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-、-CH2-CH2-CO-O-、-O-CO-CH2-CH2-、-CR0R00-或單鍵，R0、R00 相同或不同地表示H或具有1至12個C原子之烷基，R 表示H、L或P-Sp-，z 為0、1、2或3，n1 為1、2、3或4。
  10. 如請求項9之介質，其中該等式P之可聚合化合物經聚合。
  11. 一種製備如請求項1至10中任一項之液晶介質的方法，其包含以下步 驟：使一或多種選自由如請求項1之式I、IIA、IIB、IIC、IID組成之群的化合物與一或多種液晶原基或液晶化合物混合、且與或不與如請求項9之可聚合化合物混合、且與或不與一或多種添加劑混合。
  12. 一種液晶顯示器，其包含如請求項1至10中任一項之介質。
  13. 如請求項12之液晶顯示器，其中該顯示器為PSA顯示器。
  14. 如請求項13之液晶顯示器，其中該顯示器為PS-VA、PS-IPS、PS-FFS、PS-UB-FFS、聚合物穩定化SA-VA或聚合物穩定化SA-FFS顯示器。
  15. 如請求項12之液晶顯示器，其中該顯示器為VA、IPS、U-IPS、FFS、UB-FFS、SA-FFS或SA-VA顯示器。
  16. 一種如請求項1至10中任一項之液晶介質在電光顯示器中之用途。
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