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TW202036553A - 儲存裝置及資訊處理裝置 - Google Patents

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TW202036553A
TW202036553A TW108129433A TW108129433A TW202036553A TW 202036553 A TW202036553 A TW 202036553A TW 108129433 A TW108129433 A TW 108129433A TW 108129433 A TW108129433 A TW 108129433A TW 202036553 A TW202036553 A TW 202036553A
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木村樹
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日商東芝記憶體股份有限公司
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Abstract

本發明係一種儲存裝置及資訊處理裝置，其中，實施形態係提供：可謀求自資訊處理裝置供給至儲存裝置之電力的增加的儲存裝置及資訊處理裝置。 實施形態之儲存裝置(1)係包含基板(100)，和設置於基板(100)，包含缺口(106)之第1連接器(101)，和設置於基板(100)之非揮發性記憶體(103)。儲存裝置(1)係更包含：設置於基板(100)上，鄰接於缺口(106)的第1導電部(107)。

Description

儲存裝置及資訊處理裝置
本發明之實施形態係有關儲存裝置及資訊處理裝置。 [關連申請] 本申請係享有將日本專利申請2019-53087號(申請日：2019年3月20日)作為基礎申請的優先權。本申請係經由參照此基礎申請而包含基礎申請之所有內容。
作為儲存裝置之一，知道有SSD(Solid State Drive)。SSD係連接於個人電腦或伺服器等之資訊處理裝置。在SSD連接於資訊處理裝置之狀態中，SSD係自資訊處理裝置加以供給電力。
實施形態係提供：可謀求自資訊處理裝置供給至儲存裝置之電力的增加的儲存裝置及資訊處理裝置。 實施形態之儲存裝置係包含：基板，和設置於前述基板，設置有缺口之第1連接器，和設置於前述基板之非揮發性記憶體。儲存裝置係更加包含設置於前述第1連接器上，鄰接於前述缺口的第1導電部。 實施形態之資訊處理裝置係包含：可連接於上述儲存裝置之第1連接器的第2連接器，和設置於前述第2連接器，可連接於前述儲存裝置之第1導電部的第2導電部，和連接於前述第2導電部之電源電路。
以下，參照圖面同時加以說明實施形態。然而，圖面係為模式性或概念性，而各圖面的尺寸及比率等係未必限定為與現實之構成同一者，並且，為了簡略化，即使有同一或相當部分，亦有未附上符號之情況。另外，對於有關實施形態之構成要素併記有複數的名稱，並且，在該構成要素的說明中，亦有併記複數的表現者。 圖1係顯示有關本發明之實施形態之SSD1之資訊處理裝置2之構成的模式圖。 在本實施形態中，對於資訊處理裝置2為個人電腦的情況加以說明。但，資訊處理裝置2係不限定為個人電腦，而例如，亦可為伺服器，平板電腦，智慧電視或汽車導航系統。更且，作為有關實施形態之資訊處理裝置之形態，有著預先連接SSD(導入)之形態，或未連接SSD(未加以導入)但，之後可連接(可導入)之形態。 SSD1係具備：印刷電路板100，連接器(第1連接器)101，介面電路102，NAND型快閃記憶體103，控制器104及DRAM105。連接器101，介面電路102、NAND型快閃記憶體103，控制器104及DRAM(dynamic random access memory)105係安裝於印刷電路板100上。 印刷電路板(基板)100係包含印刷電路的板。印刷電路係包含：印刷配線及搭載於其上方的構件(例如，阻抗，電容器，電晶體)之電路。 連接器101係設置於印刷電路板100之長度方向的一端部(第1端部)E1。在本實施形態中，連接器101係具有依照形式因素之一之M.2(電腦內部擴充卡及相關連接器規範)之形狀，而作為包含複數之電源銷(第1電源銷)及複數的信號銷(第1信號銷)之邊緣連接器而加以構成。然而，對於圖1係為了簡略，僅一個電源銷附上參照符號108，而僅一個之信號銷附上參照符號109。 介面電路102係依據串列通信之一的PCI Express(登錄商標)(PCIe)之規格的介面。 NAND型快閃記憶體103係非揮發地記憶資料之非揮發性記憶體之一。NAND型快閃記憶體103係以稱為包含複數之記憶單元的分頁之單位，進行資料的寫入，讀出。對於各分頁，分配有固有的物理位址。NAND型快閃記憶體103係以稱為含有複數的分頁之區塊的單位而消去資料。然而，NAND型快閃記憶體103(NAND型快閃記憶體晶片)的數係亦可為複數。 控制器104係總括性地控制SSD1之各機能部。 DRAM105係揮發性記憶體的一例，而使用於NAND型快閃記憶體103之管理資訊的保管或資料之兌現等。 資訊處理裝置2係具備：連接器201，介面電路202，控制器203，和DRAM204、和匯流排205、和電源電路206，配線207及CPU208。在資訊處理裝置2中，控制器203，DRAM204及CPU208係藉由匯流排205而相互加以連接。 連接器201係可連接於連接器101之構成。當將連接器201連接於連接器101時，資訊處理裝置2係連接於SSD1。介面電路202係進行與SSD1之介面處理。在本實施形態中，介面電路202係依據PCIe之規格的介面。控制器203係控制介面電路202。DRAM204係記憶元件，而在資訊處理裝置2與SSD1之間，收送訊信號時，作為緩衝部而使用。電源電路206係生成電壓之電路。在本實施形態中，電源電路206係依序自資訊處理裝置2的外部所供給之電力而生成內部電壓。配線207係連接電源電路205與連接器201。CPU208係總括性地控制控制器203或DRAM204等之資訊處理裝置2之各部。 SSD1係可與資訊處理裝置2連接。更詳細係資訊處理裝置2係具備：連接器(第2連接器)201，而於此連接器201可連接SSD1之連接器101。在本實施形態中，連接器101係因作為邊緣連接器而加以構成之故，資訊處理裝置2之連接器201係作為對應於上述邊緣連接器的插座而加以構成。連接器201係包含對應於連接器101之複數的電源銷及複數的信號電源銷之複數的連接器(插腳輸出)。 對於連接器201之鍵部分(嵌合於缺口106之部分)201a係設置有擴張電源端子(第2導電部)209。對於擴張電源端子209係後述之。 電源電路206與介面電路202係藉由配線207而連接。介面電路202係藉由配線(為了簡略化，而未圖示)，加以連接於擴張電源端子209。然而，電源電路的個數係亦可為2以上。不同的電源電路係供給電力於不同的構件。 在連接SSD1之連接器101於資訊處理裝置2的連接器201之狀態中，自資訊處理裝置2之電源電路206供給電力至SSD1。 SSD1及資訊處理裝置2係作為匯流排方式，採用串列通信之一的PCI Express(登錄商標)(PCIe)即可。此情況，在SSD1與資訊處理裝置2之間所使用的邏輯介面係AHCI (Advanced Host Controller Interface)。另外，作為匯流排方式，取代PCIe而採用SATA亦可。此情況，在SSD1與資訊處理裝置2之間所使用的邏輯介面係例如，AHCI (Advanced Host Controller Interface)。 控制器203係將自CPU208，藉由匯流排205而收訊之指令･資料等，藉由介面電路202，連接器201，連接器101及介面電路102而送訊至SSD1之控制器104。控制器104係將DRAM105作為緩衝記憶體而使用之同時，依據指令，寫入資料至NAND型快閃記憶體103，以及自NAND型快閃記憶體103讀出資料，之後將對於指令的回應，送訊至控制器203。控制器203係自控制器104收訊回應，將所收訊之回應，藉由匯流排205而送訊至CPU208。 圖2係顯示SSD1之連接器(第1連接器)101及資訊處理裝置2之連接器(第2連接器)201的平面圖。對於圖2係顯示鍵ID為M之邊緣連接器。參照符號106係顯示因應鍵ID的種類而決定位置之缺口(凹陷，凹部)。缺口106係自端部E2朝向端部E1而凹陷。端部E2係顯示與端部E1對向之連接器101的端部。缺口106之前端側(端部E1側)的輪廓係例如，自印刷電路板100之上方而視，包含U字的形狀。 然而，鍵ID係有A~M之12種。圖3係顯示鍵ID與銷與對應介面之關係的表。在圖3中，銷係顯示形成有缺口的範圍。例如，於銷8至銷15為止之範圍，形成有缺口，而於該範圍未有銷之情況，鍵ID係為A。另外，亦有於一個邊緣連接器有二個鍵ID之情況。此情況，對於邊緣連接器係於二個範圍有著缺口。例如，某個邊緣連接器的鍵ID為有B與M之二個之情況，對於其邊緣連接器係於銷12至銷19為止之範圍，和銷59至銷66為止之範圍的二個範圍，有著缺口。 圖4係顯示有關本發明之實施形態之擴張輸入端子的斜視圖。圖4之斜視圖係以圖2之二點虛線所圍繞之範圍的斜視圖。對於連接器101上係鄰接於缺口106而設置有擴張輸入端子(第1導電部)107。對於擴張輸入端子107係供給有電力(電流，電壓)。 另外，如圖4所示，擴張輸入端子107之側面S1(附有砂狀之陰影的範圍)與該面S1下的缺口106之側面S2(附有砂狀之陰影的範圍)係構成一個面(曲面)。 然而，使用有著二個缺口之連接器的情況，使用二個之擴張輸入端子。即，擴張輸入端子的數量係與缺口的數量相同。 擴張輸入端子107係例如，包含金(Au)等之導電材料的導電構件。該導電構件係例如，使用鍍敷而加以形成。擴張輸入端子107之尺寸及形狀係在連接器101為M.2規格與保持互換之範圍內，可做適宜變更。 擴張輸入端子107係藉由配線(未圖示)，電性連接於構成SSD1之複數的構件(例如，NAND型快閃記憶體103，控制器104，DRAM105)之至少一個。 圖5係顯示有關本發明之實施形態之擴張電源端子的斜視圖。擴張電源端子209係設置於鍵部分201a上的電極。連接器201係例如，設置於個人電腦的資訊處理裝置2的母板。擴張電源端子209之尺寸及形狀係在連接器201(鍵部分201a)為M.2規格與保持互換之範圍內，可做適宜變更。 圖6係顯示有關本發明之實施形態之擴張輸入端子及擴張電源端子的斜視圖。當於連接器201插入連接器101時，擴張輸入端子107係連接於擴張電源端子209。 圖7係顯示有關本發明之實施形態之連接器201(Socket 3(Key M))的銷配置之一例的表。9個銷2，4，12，14，16，18，70，72，74係作為電源銷而加以分配。此等電源銷係連接於電源電路206。 在此，允許流動於1個電源銷之電流係最大為0.5[A]之故，而使用圖7之銷配置的連接器201係可將最大4.5[A]之電流，供給至SSD者。然而，可供給至SSD的電壓係為3.3[V]。 在現狀的規格中，SSD的最大電流係2.5[A]。今後，當PCIe之性能提升時，SSD的最大電流係有可在連續變更為3.5[A]、而在峰值變更為6.0[A]之可能性。對於為了實現變更後的最大電流，係例如，考慮降低SSD之連接器的電源銷與印刷電路板之間的接觸阻抗者。但降低接觸阻抗至可實現變更後之最大電流的程度為止情況係為困難。 在此，本發明之實施形態的情況，在連接有SSD1之連接器101與資訊處理裝置2的連接器201之狀態中，電性連接SSD1之擴張輸入端子107與資訊處理裝置2的擴張電源端子209。其結果，自電源電路206，藉由配線207，擴張電源端子209等，亦對於擴張輸入端子107，供給電力。隨之，有關本發明之實施形態之SSD1係比較於未具有擴張輸入端子107之其他的SSD，可謀求自資訊處理裝置2所供給之電力的增加者。 隨之，有關本發明之實施形態之SSD1及資訊處理裝置2係各自保持M.2規格與保持互換性，具有可對應於伴隨今後的PCIe性能提升之最大電流的增加之優點。更且，採用M.2規格以外之形式因素的情況，採用PCIe以外之匯流排方式的情況，亦可得到同樣的優點者。 圖8係顯示有關本發明之實施形態的Socket 1~3之型式的圖。Socket 3之型式係有2242、2260、2280及22110。另外，本發明之實施形態係除了Socket 3以外，亦可適用於Socket 2。Socket 2之型式係有2230、2242、2260、2280及22110。 上述之實施形態的上位概念，中位概念及下位概念的一部分或全部，及未在上述之其他的實施形態係例如，可在以下的複數的附記，及該複數之附記的任意組合(明確排除矛盾之組合)而表現。 [附記1] 一種儲存裝置，其特徵為具備：基板， 和設置於前述基板，具有缺口的第1連接器， 和設置於前述第1連接器上，鄰接於前述缺口的第1導電部， 設置於前述基板的非揮發性記憶體。 [附記2] 如附記1記載之儲存裝置，其中，前述基板係包含第1端部， 前述第1連接器係設置於前述第1端部。 [附記3] 如附記2記載之儲存裝置，其中，前述缺口係設置於與前述第1端部對向之前述第1連接器的第2端部，且自前述第2端部朝向於前述第1端部而凹陷。 [附記4] 如附記1乃至附記3任一項記載之儲存裝置，其中，前述第1導電部係包含鍍敷層。 [附記5] 如附記1乃至附記4任一項記載之儲存裝置，其中，前述第1導電部係包含鍍敷層。 [附記6] 如附記1乃至附記5任一項記載之儲存裝置，其中，前述資訊處理裝置係具備：第2連接器，和第2導電部， 前述第1連接器係可連接於前述第2連接器， 前述第1導電部係可連接於前述第2導電部。 [附記7] 如附記6記載之儲存裝置，其中，在前述第1連接器則連接於前述第2連接器，而前述第1導電部則連接於前述第2導電部之狀態中，自前述第2連接器供給電力至前述第1連接器，自前述第2導電部供給電力至前述第1導電部。 [附記8] 如附記7記載之儲存裝置，其中，前述第1連接器係包含第1電源銷及第1信號銷， 自前述第2連接器供給電力至前述第1電源銷。 [附記9] 如附記1乃至附記8任一項記載之儲存裝置，其中，前述第1連接器係依照M.2規格。 [附記10] 一種資訊處理裝置，其特徵為具備：可連接於如附記1乃至附記4任一項記載之儲存裝置之第1連接器的第2連接器， 和設置於前述第2連接器，可連接於前述第1連接器的第2導電部， 和連接於前述第2導電部的電源電路。 [附記11] 如附記10記載之資訊處理裝置，其中前述第1連接器係連接於前述第2連接器。 雖已說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未特意限定發明之範圍者。此等新穎之實施形態係可由其他種種形態而加以實施，在不脫離發明的內容範圍，可進行種種省略，置換，變更者。此等實施形態或其變形係與包含於發明範圍或內容之同時，包含於記載於申請專利範圍之發明與其均等的範圍。
E1:第1端部 E2:第2端部 P1:輪廓的一部分 1:SSD(儲存裝置) 2:資訊處理裝置 100:印刷電路板 101:連接器(第1連接器) 102:介面電路 103:NAND型快閃記憶體 104:控制器 105:DRAM 106:缺口 107:擴張輸入端子(第1導電部) 201:連接器(第2連接器) 201a:鍵部分 202:介面電路 203:控制器 204:DRAM 205:匯流排 206:電源電路 207:配線 208:CPU 209:擴張電源端子(第2導電部)
圖1係顯示有關本發明之實施形態之SSD之資訊處理裝置之構成的模式圖。 圖2係顯示有關本發明之實施形態之SSD之連接器及資訊處理裝置之連接器構成的平面圖。 圖3係顯示鍵ID與銷與對應介面之關係的表。 圖4係顯示有關本發明之實施形態之擴張輸入端子的斜視圖。 圖5係顯示有關本發明之實施形態之擴張輸入端子的平面圖。 圖6係顯示有關本發明之實施形態之擴張輸入端子及擴張電源端子的斜視圖。 圖7係顯示有關本發明之實施形態之連接器的銷配置之一例的表。 圖8係顯示有關本發明之實施形態的Socket 1~3之型式的圖。
E1:第1端部
1:SSD(儲存裝置)
2:資訊處理裝置
100:印刷電路板
101:連接器(第1連接器)
102:介面電路
103:NAND型快閃記憶體
104:控制器
105:DRAM
106:缺口
107:擴張輸入端子(第1導電部)
108:電源銷
109:信號銷
201:連接器(第2連接器)
201a:鍵部分
202:介面電路
203:控制器
204:DRAM
205:匯流排
206:電源電路
207:配線
208:CPU
209:擴張電源端子(第2導電部)

Claims (11)

  1. 一種儲存裝置，其特徵為具備：基板， 和設置於前述基板，具有缺口的第1連接器， 和設置於前述第1連接器上，鄰接於前述缺口的第1導電部， 設置於前述基板的非揮發性記憶體。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之儲存裝置，其中，前述基板係包含第1端部， 前述第1連接器係設置於前述第1端部。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之儲存裝置，其中，前述缺口係設置於與前述第1端部對向之前述第1連接器的第2端部，且自前述第2端部朝向於前述第1端部而凹陷。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之儲存裝置，其中，前述第1導電部係包含鍍敷層。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之儲存裝置，其中，前述第1連接器及前述第1導電部係可連接於資訊處理裝置。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之儲存裝置，其中，前述資訊處理裝置係具備：第2連接器，和第2導電部， 前述第1連接器係可連接於前述第2連接器， 前述第1導電部係可連接於前述第2導電部。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之儲存裝置，其中，在前述第1連接器則連接於前述第2連接器，而前述第1導電部則連接於前述第2導電部之狀態中，自前述第2連接器供給電力至前述第1連接器，自前述第2導電部供給電力至前述第1導電部。
  8. 如申請專利範圍第7項記載之儲存裝置，其中，前述第1連接器係包含第1電源銷及第1信號銷， 自前述第2連接器供給電力至前述第1電源銷。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之儲存裝置，其中，前述第1連接器係依照M.2規格。
  10. 一種資訊處理裝置，其特徵為具備：可連接於如申請專利範圍第1項乃至第4項任一項記載之儲存裝置之第1連接器的第2連接器， 和設置於前述第2連接器，可連接於前述第1連接器的第2導電部， 和連接於前述第2導電部的電源電路。
  11. 如申請專利範圍第10項記載之資訊處理裝置，其中，前述第1連接器係連接於第2連接器。
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