TW201903908A - 半導體封裝結構的製作方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種半導體封裝結構的製作方法，其包括下列步驟：提供多個分別包括一內引腳部以及一外引腳部的導線架單元。依序將多個內引腳部、第一接著材料、晶片、第二接著材料及散熱座分別置入第一模具的多個容置空間內。加熱連接導線架單元、晶片及散熱座。進行一封裝步驟，使導線架單元的內引腳部、晶片及散熱座的局部被封裝體所包覆。截斷外引腳部彼此相互連接的部分。

Description

半導體封裝結構的製作方法

本發明涉及一種半導體封裝結構的製作方法，特別是涉及一種依序連接導線架單元的內引腳部、晶片以及散熱座，而能夠有效提高製程良率的半導體封裝結構的製作方法。

積體電路一般係設計在一正常電壓範圍下運作。然而，在例如靜電放電(ESD)的狀況下，電壓快速地發生瞬變，此時無法預期與無法控制的高電壓可能意外地擊穿電路。在類似積體電路發生負載過大電壓的這類損傷狀況時，就需要使用暫態電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor，TVS)來提供保護功能。其中，有些TVS的應用領域係必須在相當密集空間內處理相當高電壓(超出100VAC，例如265VAC或415VAC之RMS電壓的半導體裝置等)。有鑑於此等TVS元件往往需要消耗相當大的功率，且會因此產生大量的熱能，因此通常會將TVS晶片安裝至散熱座，並通過所述散熱座電連接至電子裝置的電路上。

以JEDEC固態技術協會(JEDEC Solid State Technology Association)所發布的DO-218(AB)元件為例，現有的TVS半導體製程，往往係先將一晶片電/熱連接至一散熱座後，再將一導線架單元(lead frame)通過迴銲(Reflow)等方式連接於所述晶片上，並於完成整體封裝後，裁切並彎折所述導線架單元，以形成供外部電路與其電性連接的一接觸部。在前述的現有製程中，在連接導線架單元與晶片的步驟，經常發生導線架單元偏移的狀 況，以至於造成導線架單元與晶片間的電/熱連接性不佳，嚴重影響製程良率。由以上說明可知，顯然有必要針對現有的製程做進一步的改良。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種半導體封裝結構的製作方法，以期藉由本方法能提高半導體封裝結構的製程良率。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種半導體封裝結構的製作方法，其包括下列步驟：提供多個導線架單元，其中，各所述導線架單元分別包括一內引腳部以及一外引腳部，多個所述外引腳部彼此相互連接；將多個所述導線架單元的多個所述內引腳部分別置入一第一模具的多個容置空間內；將一第一接著材料置於所述內引腳部的頂面；將一晶片置於所述第一接著材料的頂面；將一第二接著材料置於所述晶片的頂面；將一散熱座置於所述第二接著材料的頂面；進行加熱，以使所述導線架單元與所述晶片通過所述第一接著材料相互連接，且使所述晶片與所述散熱座通過所述第二接著材料相互連接；將相互連接的所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座置入一第二模具，以使得所述導線架單元的所述內引腳部、所述晶片以及所述散熱座的局部被一封裝體所包覆；以及，截斷所述外引腳部彼此相互連接的部分。如此，由於在前述製程中是先連接所述導線架單元與所述晶片，再將所述散熱座與所述晶片相互連接，在所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座相互連接的過程中，能夠通過所述散熱座本身的重量，使得連接過程的穩定度提高，避免發生偏移現象，進而能有效提高所生產的半導體封裝結構的良率。

更進一步地，所述容置空間具有一段差部，所述段差部將所 述容置空間區分為一上層空間與一下層空間，所述導線架單元與所述晶片被置入所述下層空間內，所述散熱座被置入所述上層空間內。如此，通過所述段差部所區分出的所述上層空間以及所述下層空間，能在前述製程中，避免位在所述上層空間的所述散熱座，對位在所述下層空間的所述導線架單元以及所述晶片，造成過大的壓迫，而能夠避免所述導線架單元或所述晶片受損或變形。

更進一步地，所述段差部的高度小於進行所述加熱步驟前的所述導線架單元、所述第一接著材料、所述晶片以及所述第二接著材料的整體高度，且所述段差部的高度大於進行加熱步驟後的所述導線架單元、所述第一接著材料以及所述晶片的整體高度。如此，通過對所述段差部的高度的適當設計，可以確保在所述散熱座被置入所述上層空間後、進行所述散熱座與所述晶片間的相互連接之前，使得所述散熱座能夠確實接觸所述第二接著材料，以避免所述散熱座與所述晶片間的電/熱連接效果不佳，此外，也可以在進行所述散熱座與所述晶片間的相互連接之後，確保所述導線架單元或所述晶片不會受到所述散熱座的過度壓迫，而能夠避免所述導線架單元或所述晶片因此受損或變形。

更進一步地，在將多個所述內引腳部分別置入多個所述容置空間的步驟前，還進一步包括：對所述內引腳部的一延伸部進行彎折，以使所述延伸部形成有一第一彎折部以及一第二彎折部，所述第二彎折部介於該第一彎折部與該外引腳部之間，且所述延伸部還包含一側翼部，其中所述側翼部位於所述第二彎折部的一側並朝向垂直於所述第二彎折部的方向延伸。如此，在所述封裝體包覆所述內引腳部時，能使所述封裝體與所述導線架單元間的結合更加穩固，進而能在後續對所述外引腳部進行彎折的過程中，通過所述導線架單元的所述第一彎折部以及所述第二彎折部，避免施加在所述接觸部的外力所產生的拉扯應力，影響所述導線架單元及所述晶片間的連接關係。此外，通過設置於所述延 伸部的所述側翼部與所述封裝體間的相互嵌卡，也能夠進一步增加所述導線架單元與所述封裝體間的結合穩定度。

更進一步地，所述第一接著材料以及所述第二接著材料為焊料凸塊。如此，可以通過加熱的步驟使所述導線架單元與所述晶片通過所述第一接著材料相互連接，且使所述晶片與所述散熱座通過所述第二接著材料相互連接。

更進一步地，所述提供多個導線架單元的步驟包含：沖壓一金屬料帶以形成所述多個導線架單元，其中所述金屬料帶具有均一的厚度。如此，相較於現有技術採用多件式、不同厚度料片或金屬異形材製作導線架單元的技術方案，採用具有均一厚度的所述金屬料帶，能以較簡便的方式製成符合相關規格規範的產品，因此能有效提高產品的競爭力。

更進一步地，其中於所述截斷所述外引腳部彼此相互連接的部分的步驟之後，更包含下列步驟：對所述外引腳部進行彎折，以使所述外引腳部形成一接觸部。如此，便能夠通過所述接觸部與外部電路電性連接。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種半導體封裝結構的製作方法，其包括下列步驟：提供一導線架單元，其中，所述導線架單元包括一內引腳部以及一外引腳部；提供一模具，所述模具具有一容置空間，且所述容置空間包含一上層空間與一下層空間；依序將所述內引腳部、一第一接著材料、一晶片置入所述下層空間內；放置一第二接著材料於所述晶片上，其中所述第二接著材料部分或完全位於所述上層空間內；將一散熱座置入所述上層空間內並與所述第二接著材料直接接觸；進行一加熱步驟，使所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座相互連接；以及進行一封裝步驟，將使所述導線架單元的所述內引腳部、所述晶片以及所述散熱座的局部被一封裝體所包覆。如此，由於在前述製程中是先將所述導線架單元與所述 晶片置入所述下層空間內，再將所述散熱座置入所述上層空間內，並使所述導線架單元、所述晶片與所述散熱座相互連接，在所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座相互連接的過程中，能夠通過位在上層空間內的所述散熱座本身的重量，使得連接過程的穩定度提高，避免發生偏移現象，進而能有效提高所生產的半導體封裝結構的良率。

更進一步地，其中所述加熱步驟包括：於所述放置所述第二接著材料於所述晶片上的步驟前，先進行一第一加熱步驟，使所述導線架單元與所述晶片通過所述第一接著材料相互連接；以及於所述將該散熱座置入該上層空間內的步驟後，進行一第二加熱步驟，使所述晶片與所述散熱座通過所述第二接著材料相互連接。如此，通過兩次的加熱連接步驟，能避免所述第一接著材料以及所述第二接著材料的總高度變化過劇，因而能夠增加連接過程的穩定度，進而能夠進一步提高生產的良率。

更進一步地，其中所述半導體封裝結構為一暫態電壓抑制器的封裝結構。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的半導體封裝結構的製作方法，其能通過“將所述散熱座置於所述晶片以及所述導線架單元的所述內引腳部的上方”的技術方案，以使得本發明能通過所述散熱座本身的重量，讓所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座間在連接過程中，彼此間相互連結的穩定度提高，避免發生偏移現象，進而能有效提高所生產的半導體封裝結構的良率。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

Z‧‧‧半導體封裝結構

1‧‧‧導線架單元

11‧‧‧內引腳部

111‧‧‧晶片連接部

112‧‧‧延伸部

113‧‧‧側翼部

12‧‧‧外引腳部

12'‧‧‧接觸部

A‧‧‧第一彎折部

B‧‧‧第二彎折部

C‧‧‧固定通孔

2‧‧‧晶片

3‧‧‧散熱座

4‧‧‧第一接著材料

5‧‧‧第二接著材料

6‧‧‧第一模具

61‧‧‧容置空間

611‧‧‧上層空間

612‧‧‧下層空間

62‧‧‧段差部

7‧‧‧封裝體

H1‧‧‧第一高度

H2‧‧‧第二高度

H3‧‧‧第三高度

M‧‧‧金屬料帶

圖1為本發明實施例的導線架單元、晶片及散熱座與第一模具的 爆炸示意圖。

圖2為本發明實施例的第一模具的局部立體示意圖。

圖3為本發明實施例的導線架單元、晶片及散熱座相互連接前的剖面示意圖。

圖4為本發明實施例的導線架單元、晶片及散熱座相互連接後的剖面示意圖。

圖5為本發明實施例的半導體封裝結構立體示意圖。

圖6為本發明實施例的半導體封裝結構的製作方法流程圖。

圖7為本發明實施例的導線架單元、晶片及散熱座的另一爆炸示意圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“半導體封裝結構的製作方法”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

[實施例]

請搭配參閱圖1至圖5以及圖7所示之元件符號，並參閱圖6所示之流程圖。本發明提供一種半導體封裝結構Z(如圖5所示)的製作方法，其包括下列步驟：首先，配合圖1以及圖6所示，圖1提供一金屬料帶M，並且通過沖壓金屬料帶M以形成多個導線架單元1(步驟S100)。其中，各導線架單元1分別包括內引腳部11以及外引腳部12，多 個外引腳部12彼此相互連接。請配合圖7所示，內引腳部11包括晶片連接部111以及延伸部112，在本發明的較佳實施例中，在沖壓金屬料帶M以形成多個導線架單元1後，亦可針對導線架單元1的內引腳部的延伸部112進行彎折，以使延伸部112形成有第一彎折部A及第二彎折部B(步驟S102)。

更進一步言之，請再次配合圖7所示，在本發明的較佳實施例中，在前述步驟S100中，金屬料帶M被沖壓形成多個導線架單元1時，在延伸部112的一側還包括一側翼部113。具體地說，側翼部113位於第二彎折部B的一側，且朝向垂直於第二彎折部B的方向延伸，此外，在延伸部112上對應於側翼部113的位置尚可開設固定通孔C。然而必須要特別說明的是，本發明並不以前述作法為限，實際施作時，也可以不設置側翼部113，或是可不將延伸部112彎折成為第一彎折部A及第二彎折部B，或是可不在延伸部112上開設固定通孔C，前述技術特徵皆是為了更進一步增進本發明所能達成的功效，並非本發明最主要目的所不可或缺的必要技術特徵。

附此一提者，在本發明的較佳實施例中，金屬料帶M具有大致相同的厚度，換言之，其具備均一的厚度。因此，相較於現有技術所採用的多件式、不同厚度料片或金屬異形材製作導線架的技術方案，本發明的較佳實施例所採用具有均一厚度的金屬料帶M，能以較簡便的方式製成符合相關規格規範的產品，因此能有效提高產品的競爭力。

請再次搭配參閱圖1以及圖6所示，在完成前述步驟S100以及步驟S102後，將多個導線架單元1的多個內引腳部11分別置入第一模具6的多個容置空間61內(步驟S104)。

以下針對第一模具6的結構，以及第一模具6的多個容置空間61做更進一步的介紹。請搭配參閱圖2所示，在本發明的較佳實施例中，容置空間61具有段差部62，段差部62將容置空間61 區分為上層空間611與下層空間612，在前述步驟S104中，導線架單元1的內引腳部11是被置入下層空間612中。

請搭配參閱圖2、圖3、圖4以及圖6所示，在完成前述步驟S104後，依序將多個第一接著材料4、多個晶片2、多個第二接著材料5以及多個散熱座3分別置入第一模具6的多個容置空間61內(步驟S106)。詳細言之，是將第一接著材料4置於內引腳部11的晶片連接部111的頂面，並將晶片3置於第一接著材料4的頂面；接著，將第二接著材料5置於晶片3的頂面，並將散熱座3置於第二接著材料5的頂面。在本發明的較佳實施例中，第一接著材料4以及第二接著材料5為焊料凸塊。因此，可以通過加熱的步驟使導線架單元1與晶片2通過第一接著材料4相互連接，且使晶片2與散熱座3通過第二接著材料5相互連接。前述加熱步驟可以一次完成，也可以在放置第二接著材料5於晶片2上的步驟前，先加熱第一接著材料4(第一加熱步驟)，以使導線架單元1與晶片2相互連接，嗣，再放入第二接著材料5以及散熱座3，並且在將散熱座3置入上層空間611內的步驟後，經由迴銲(第二加熱步驟)使導線架單元1、晶片2以及散熱座3相互連接。需要說明的是，第一接著材料4以及第二接著材料5也可以選用其他能夠同時提供電/熱連接效果的其他材料。

再請搭配參閱圖2、圖3、圖4以及圖6所示，在本發明的較佳實施例中，導線架單元1與晶片2是被置入第一模具6的下層空間612內，散熱座3則是被置入第一模具6的上層空間611內，至於第二接著材料5，則是完全位於上層空間611內，或部份位於上層空間611內、部份位於下層空間612內。此外，請參閱圖3所示，段差部62的高度(第一高度H1)小於進行所述加熱步驟前的導線架單元1、第一接著材料4、晶片2以及第二接著材料5的整體高度(第二高度H2)，且段差部62的高度大於進行加熱步驟後的導線架單元1、第一接著材料4以及所述晶片2的整體高度 (第三高度H3)。如此，由於第一高度H1(即，段差部62的高度)小於第二高度H2(即，進行所述加熱步驟前的導線架單元1、第一接著材料4、晶片2以及第二接著材料5的整體高度)，因此，在進行所述加熱步驟前，可以確保在散熱座3被置入上層空間611後能夠確實且直接地接觸第二接著材料5，進而能夠避免散熱座3無法充分接觸第二接著材料5，而導致散熱座3與晶片2間的電/熱連接效果不佳；此外，由於，第一高度H1(即，段差部62的高度)大於第三高度H3(導線架單元1、第一接著材料4以及所述晶片2的整體高度)，因此，在進行散熱座3與晶片2間的相互連接之後，散熱座3能夠抵靠於段差部62的頂面，而能夠進一步確保導線架單元1及/或晶片2不會受到散熱座3的過度壓迫，據此，能夠避免導線架單元1或晶片2因此受損或變形。

接下來，請搭配參閱圖1、圖5以及圖6所示，在完成前述步驟S106後，進行一封裝步驟，使導線架單元1的內引腳部11、晶片2以及散熱座3的局部被封裝體7所包覆。具體而言，是將相互連接的導線架單元1、晶片2以及散熱座3置入第二模具(圖式未顯示)，並注入例如環氧樹脂的封裝材料，以進行使得導線架單元1的晶片連接部111、晶片2以及散熱座3的局部被封裝體7所包覆的封裝步驟(步驟S108)。完成前述步驟後，截斷外引腳部12彼此相互連接的部分，並針對外引腳部12進行彎折，以使外引腳部12形成接觸部12’(步驟S110)。據此，通過前述步驟S100至步驟S110，即完成本發明半導體封裝結構Z的製作。在本發明的較佳實施例中，所述半導體封裝結構Z為一暫態電壓抑制器的封裝結構，但本發明並不以此為限。

由於在前述製作方法中，是先連接導線架單元1與晶片2，再將散熱座3與晶片2相互連接，因此，在導線架單元1、晶片2以及散熱座3相互連接的過程中，能夠通過散熱座3本身的重量，穩固地施加一個下壓力，使得整個相互連接的過程中，整體結構 的穩定度提高，而能夠有效避免發生偏移的現象，進而能有效提高所生產的半導體封裝結構Z的良率，使得無論在晶片連接部111與晶片2之間，或晶片2與散熱座3之間，都能夠有良好的電/熱連接。

值得一提的是，請搭配參閱圖5、圖6以及圖7所示，如同前述，在本發明的較佳實施例中，在沖壓金屬料帶M以形成多個導線架單元1時，可將內引腳部的延伸部112彎折形成第一彎折部A及第二彎折部B，且延伸部112還包含一位於第二彎折部B的一側並朝向垂直於第二彎折部B的方向延伸的側翼部113。

據此，通過形成於延伸部112的第一彎折部A以及第二彎折部B，在通過封裝體7包覆內引腳部11時，能使封裝體7與導線架單元1間的結合更加穩固，進而能在後續對外引腳部12進行彎折的過程中(即，前述步驟S110)，藉由導線架單元1的第一彎折部A以及第二彎折部B與封裝體7之間的相互嵌卡，避免施加在接觸部12’的外力所產生的拉扯應力，影響導線架單元1及晶片2間的連接關係。此外，通過設置於延伸部112的側翼部113與封裝體7間的相互嵌卡，也能夠進一步增加導線架單元1與封裝體7間的結合穩定度。更進一步言，在通過封裝體7包覆導線架單元1的步驟中，還能夠使封裝體7穿過延伸部112的固定通孔C，而使封裝體7的一部分嵌入至固定通孔C中，進而形成固定柱的結構，以進一步阻斷靠近接觸部12’一端的外部應力向封裝體7的內側傳遞，而能夠更有效地避免導線架單元1及晶片2間的連接關係受到拉扯應力的負面影響。換言之，前述將延伸部112彎折成為第一彎折部A及第二彎折部B，或在延伸部112上開設固定通孔C，或在延伸部112一側設置側翼部113的技術特徵，都能夠進一步直接或間接地提高所製成的半導體封裝結構Z中，導線架單元1與晶片2之間，或晶片2與散熱座3之間的連接良率。

[實施例的有益效果]

本發明的有益效果在於，本發明所提供的半導體封裝結構的製作方法，其能通過“將所述散熱座置於所述晶片以及所述導線架單元的所述內引腳部的上方”的技術方案，以使得本發明能通過所述散熱座本身的重量，讓所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座間在連接過程中，彼此間相互連結的穩定度提高，避免發生偏移現象，進而能有效提高所生產的半導體封裝結構的良率。

此外，本發明所提供的半導體封裝結構的製作方法，其能通過“所述容置空間具有一段差部，所述段差部將所述容置空間區分為一上層空間與一下層空間”以及“所述段差部的高度小於進行所述加熱步驟前的所述導線架單元、所述第一接著材料、所述晶片以及所述第二接著材料的整體高度，且所述段差部的高度大於進行加熱步驟後的所述導線架單元、所述第一接著材料以及所述晶片的整體高度”的技術方案，以確保在所述散熱座能夠確實接觸所述第二接著材料，而避免所述散熱座與所述晶片間的電/熱連接效果不佳，且確保所述導線架單元或所述晶片不會受到所述散熱座的過度壓迫，而能夠避免所述導線架單元或所述晶片因此受損或變形。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

1. 一種半導體封裝結構的製作方法，其包括：提供多個導線架單元，其中，各所述導線架單元分別包括一內引腳部以及一外引腳部，多個所述外引腳部彼此相互連接；將多個所述導線架單元的多個所述內引腳部分別置入一第一模具的多個容置空間內；將一第一接著材料置於所述內引腳部的頂面；將一晶片置於所述第一接著材料的頂面；將一第二接著材料置於所述晶片的頂面；將一散熱座置於所述第二接著材料的頂面；進行加熱，以使所述導線架單元與所述晶片通過所述第一接著材料相互連接，且使所述晶片與所述散熱座通過所述第二接著材料相互連接；進行一封裝步驟，使所述導線架單元的所述內引腳部、所述晶片以及所述散熱座的局部被一封裝體所包覆；以及截斷所述外引腳部彼此相互連接的部分。
2. 如請求項1所述的半導體封裝結構的製作方法，其中，所述容置空間具有一段差部，所述段差部將所述容置空間區分為一上層空間與一下層空間，所述導線架單元與所述晶片被置入所述下層空間內，所述散熱座被置入所述上層空間內。
3. 如請求項2所述的半導體封裝結構的製作方法，其中，所述段差部的高度小於進行所述加熱步驟前的所述導線架單元、所述第一接著材料、所述晶片以及所述第二接著材料的整體高度，且所述段差部的高度大於進行加熱步驟後的所述導線架單元、所述第一接著材料以及所述晶片的整體高度。
4. 如請求項1所述的半導體封裝結構的製作方法，其中，在將多個所述內引腳部分別置入多個所述容置空間的步驟前，還進一步包括：對所述內引腳部的一延伸部進行彎折，以使所述延伸部形成有一第一彎折部以及一第二彎折部，其中，所述第二彎折部介於該第一彎折部與該外引腳部之間，且所述延伸部還包含一側翼部，其中所述側翼部位於所述第二彎折部的一側並朝向垂直於所述第二彎折部的方向延伸。
5. 如請求項1所述的半導體封裝結構的製作方法，其中，所述第一接著材料以及所述第二接著材料為焊料凸塊。
6. 如請求項1所述的半導體封裝結構的製作方法，其中，所述提供多個導線架單元的步驟包含：沖壓一金屬料帶以形成所述多個導線架單元，其中所述金屬料帶具有均一的厚度。
7. 如請求項1所述的半導體封裝結構的製作方法，其中於所述截斷所述外引腳部彼此相互連接的部分的步驟之後，更包含下列步驟：對所述外引腳部進行彎折，以使所述外引腳部形成一接觸部。
8. 一種半導體封裝結構的製作方法，其包括：提供一導線架單元，其中，所述導線架單元包括一內引腳部以及一外引腳部；提供一模具，所述模具具有一容置空間，且所述容置空間包含一上層空間與一下層空間；依序將所述內引腳部、一第一接著材料及一晶片置入所述下層空間內；放置一第二接著材料於所述晶片上，其中所述第二接著材料部份或完全位於所述上層空間內； 將一散熱座置入所述上層空間內並與所述第二接著材料直接接觸；進行一加熱步驟，使所述導線架單元、所述晶片以及所述散熱座相互連接；以及進行一封裝步驟，使所述導線架單元的所述內引腳部、所述晶片以及所述散熱座的局部被一封裝體所包覆。
9. 如請求項8所述的半導體封裝結構的製作方法，其中，所述加熱步驟包括：於所述放置該第二接著材料於所述晶片上的步驟前，先進行一第一加熱步驟，使所述導線架單元與所述晶片通過所述第一接著材料相互連接；以及於所述將該散熱座置入該上層空間內的步驟後，進行一第二加熱步驟，使所述晶片與所述散熱座通過所述第二接著材料相互連接。
10. 如請求項8所述的半導體封裝結構的製作方法，其中所述半導體封裝結構為一暫態電壓抑制器的封裝結構。