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TW201903028A - 膜、組成物的製造方法、硬化物的製造方法及膜的製造方法 - Google Patents

膜、組成物的製造方法、硬化物的製造方法及膜的製造方法 Download PDF

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TW201903028A
TW201903028A TW107116785A TW107116785A TW201903028A TW 201903028 A TW201903028 A TW 201903028A TW 107116785 A TW107116785 A TW 107116785A TW 107116785 A TW107116785 A TW 107116785A TW 201903028 A TW201903028 A TW 201903028A
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宮本剛志
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日商住友化學股份有限公司
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Abstract

本發明係關於由包含(1)、(2)及(4)的組成物所構成的膜，具有海島狀相分離構造；於前述海島狀相分離構造，(4)存在於海狀的疏水性區域，(1)及(2)存在於島狀的親水性區域；前述島狀的親水性區域為0.1μm以上100μm以下。
(1)為具有發光性的半導體微粒子；(2)為矽氮烷或其改質物；(4)為聚合性化合物或聚合物。

Description

膜、組成物的製造方法、硬化物的製造方法及膜的製造方法
本發明係關於膜、組成物的製造方法、硬化物的製造方法及膜的製造方法。
本案係基於2017年5月17日在日本申請之特願2017-097962號，主張優先權，此處援用其內容。
近年，提高對包含具有發光性的半導體微粒子的膜的關注。由於已知半導體微粒子因接觸水蒸氣而劣化，要求對水蒸氣具有耐久性的膜以及前述膜的製造所使用的組成物的開發。
所以，作為前述組成物的製造方法，例如有報導具有InP以ZnS被覆的半導體微粒子與全氫化聚矽氮烷混合，藉由乾燥，得到以全氫化聚矽氮烷被覆的半導體微粒子的步驟；使經前述全氫化聚矽氮烷被覆的半導體微粒子分散於甲苯，得到分散液的步驟；以及於前述分散液混合UV硬化樹脂的步驟之製造方法(專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2014/196319號
但是，使用上述專利文獻1記載的組成物製造的膜，對水蒸氣的耐久性不一定足夠。
而且，上述專利文獻1記載的組成物的製造方法，因需要許多步驟，於量產的情況，有高成本的問題。
本發明，係有鑑於上述課題，以提供對水蒸氣具有耐久性的膜為目的。再者，提供對水蒸氣具有耐久性的組成物、硬化物及膜，配合用簡單的步驟製造的方法為目的。
為了解決上述課題，本發明人等專心檢討的結果，完成以下的本發明。
亦即，本發明的實施態樣包括下述[1]~[9]的發明。
[1]膜，其係由包含(1)、(2)及(4)的組成物所構成的膜，具有海島狀相分離構造；於前述海島狀相分離構造，(4)存在於海狀的疏水性區域，(1)及(2)存在於島狀的親水性區域；前述島狀的親水性區域為0.1μm以上100μm以下；(1)為具有發光性的半導體微粒子； (2)為矽氮烷或其改質物；(4)為聚合性化合物或聚合物。
[2]如[1]記載的膜，其中(1)為具有以A、B及X為構成成分的鈣鈦礦型結晶構造的化合物；(A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的六面體的各頂點的成分，且為1價陽離子；X表示於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的八面體的各頂點的成分，且為自鹵化物離子及硫氰酸離子所組成之群組選擇的至少1種的陰離子；B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點的六面體及將X配置於頂點的八面體的中心的成分，且為金屬離子)。
[3]如[1]或[2]記載的膜，其中發光波長PLtop與帶端Eg的能量值的差D為0.2以下。
[4]組成物的製造方法，包括：在(3)的存在下，混合(1)、(2)及(4)的步驟；(1)為具有發光性的半導體微粒子；(2)為矽氮烷或其改質物；(3)為溶劑；(4)為聚合性化合物或聚合物。
[5]如[4]記載的組成物的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；以及將前述分散液與(2)及(4)混合的步驟。
[6]如[5]記載的組成物的製造方法，包括： 使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2)混合而得到混合液的步驟；以及將前述混合液與(4)混合的步驟。
[7]如[5]記載的組成物的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合而得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理而得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；以及將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4)混合的步驟；其中(2’)為矽氮烷。
[8]硬化物的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合而得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理而得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4”)混合而得到組成物的步驟；以及從前述組成物除去(3)的步驟；其中(1)為具有發光性的半導體微粒子；(2’)為矽氮烷；(3)為溶劑；(4”)為聚合物。
[9]膜的製造方法，包括： 使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合而得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理而得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4”)混合而得到組成物的步驟；塗佈前述組成物於基板而得到塗佈膜的步驟；以及從前述塗佈膜除去(3)的步驟；其中(1)為具有發光性的半導體微粒子；(2’)為矽氮烷；(3)為溶劑；(4”)為聚合物。
根據本發明，可提供對水蒸氣具有耐久性的膜以及對水蒸氣具有耐久性的組成物、硬化物及以簡單的步驟製造膜的方法。
1a、1b‧‧‧積層構造體
2‧‧‧發光裝置
3‧‧‧顯示器
10‧‧‧膜
20、21‧‧‧基板
22‧‧‧密封材
30‧‧‧光源
40‧‧‧液晶面板
50‧‧‧稜鏡片
60‧‧‧導光板
第1圖係表示關於本發明的積層構造體的一實施態樣的剖面圖。
第2圖係表示關於本發明的顯示器的一實施態樣的剖面圖。
第3圖係實施例1取得之關於本發明的硬化物(膜)的 TEM相片。
第4圖係實施例2取得之關於本發明的硬化物(膜)的TEM相片。
第5圖係實施例3取得之關於本發明的硬化物(膜)的TEM相片。
第6圖係實施例5取得之關於本發明的硬化物(膜)的TEM相片。
第7圖係實施例7取得之關於本發明的硬化物(膜)的TEM相片。
以下，顯示實施態樣而詳細地說明本發明。
(1)半導體微粒子
本發明的半導體微粒子，具有發光性。所謂「發光性」，係指發光的性質。發光性較理想地為藉由電子的激發而發光的性質，更理想地為藉由因激發光之電子的激發而發光的性質。激發光的波長例如可為200nm~800nm，亦可為250nm~700nm，亦可為300nm~600nm。
以下，關於(1)，顯示實施態樣而說明(1-1)包含II-V族化合物的半導體微粒子、包含II-VI族化合物的半導體微粒子、包含III-IV族化合物的半導體微粒子、包含III-V族化合物的半導體微粒子、包含III-VI族化合物的半導體微粒子、包含IV-VI族化合物的半導體微粒子及包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子以及(1-2)包含鈣 鈦礦化合物的半導體微粒子。再者，(1)不限定於以下的半導體微粒子。
從得到良好的量子產率的觀點，(1)為包含含有鎘(12族)元素的化合物之半導體微粒子、包含含有銦(13族)元素的化合物之半導體微粒子及包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子較理想，包含含有銦(13族)元素的化合物之半導體微粒子及包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子更理想，從粒徑調控不嚴格要求而容易得到半值寬度的窄發光峰的點，包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子更加理想。
(1-1)包含II-V族化合物的半導體微粒子、包含II-VI族化合物的半導體微粒子、包含III-IV族化合物的半導體微粒子、包含III-V族化合物的半導體微粒子、包含III-VI族化合物的半導體微粒子、包含IV-VI族化合物的半導體微粒子及包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子
II-V族化合物係指包含II族元素與V族元素的化合物；II-VI族化合物係指包含II族元素與VI族元素的化合物；III-IV族化合物係指包含III族元素與IV族元素的化合物；III-V族化合物係指包含III族元素與V族元素的化合物；III-VI族化合物係指包含III族元素與VI族元素的化 合物；IV-VI族化合物係指包含IV族元素與VI族元素的化合物；I-III-VI族化合物係指包含I族元素、III族元素與VI族元素的化合物。
此處，I族係指週期表的11族，II族係指週期表的2族或12族，III族係指週期表的13族，IV族係指週期表的14族，V族係指週期表的15族，VI族係指週期表的16族(以下相同)。
再者，於本說明書，所謂「週期表」係指長週期型週期表。
該等化合物，分別可為二元系，亦可為三元系，亦可為四元系。
(包含II-V族化合物的半導體微粒子)
作為二元系的II-V族化合物，例如可列舉Zn3P2、Zn3As2、Cd3P2、Cd3As2、Cd3N2及Zn3N2。
三元系的II-V族化合物，可為包含選自週期表的2族或12族的元素(第1元素)的1種以及選自週期表的15族的元素(第2元素)的2種之三元系的II-V族化合物，可為包含選自週期表的2族或12族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的15族的元素(第2元素)的1種之三元系的II-V族化合物。作為三元系的II-V族化合物，例如可列舉Cd3PN、Cd3PAs、Cd3AsN、Cd2ZnP2、Cd2ZnAs2及Cd2ZnN2等。
四元系的II-V族化合物，可為包含選自週期表的2族或12族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的15族的元素(第2元素)的2種之四元系的II-V族化合物。作為四元系的II-V族化合物，例如可列舉CdZnPN、CdZnPAs及Cd2ZnAsN等。
包含II-V族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的2族或12族及15族以外的元素，作為摻雜元素。
(包含II-VI族化合物的半導體微粒子)
作為包含週期表的12族元素的二元系的II-VI族化合物，例如可列舉CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe及HgTe等。
作為包含週期表的2族元素的二元系的II-VI族化合物，例如可列舉MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe及BaTe。
三元系的II-VI族化合物，可為包含選自週期表的2族或12族的元素(第1元素)的1種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的2種之三元系的II-VI族化合物，可為包含選自週期表的2族或12族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的1種之三元系的II-VI族化合物。作為三元系的II-VI族化合物，例如可列舉CdSeS、CdSeTe、CdSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe及CdHgTe。
四元系的II-VI族化合物，可為包含選自週期表的2族或12族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的16 族的元素(第2元素)的2種之四元系的II-VI族化合物。作為四元系的II-VI族化合物，例如可列舉CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe及CdHgSTe。
包含II-VI族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的2族、12族及16族以外的元素，作為摻雜元素。
(包含III-IV族化合物的半導體微粒子)
作為二元系的III-IV族化合物，例如可列舉B4C3、Al4C3及Ga4C3。
三元系的III-IV族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的1種以及選自週期表的14族的元素(第2元素)的2種之三元系的III-IV族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的14族的元素(第2元素)的1種之三元系的III-IV族化合物。
四元系的III-IV族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的14族的元素(第2元素)的2種之四元系的III-IV族化合物。
包含III-IV族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的13族及14族以外的元素，作為摻雜元素。
(包含III-V族化合物的半導體微粒子)
作為二元系的III-V族化合物，例如可列舉BP、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AlN及BN。
三元系的III-V族化合物，可為包含選自週期表的13 族的元素(第1元素)的1種以及選自週期表的15族的元素(第2元素)的2種之三元系的III-V族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的15族的元素(第2元素)的1種之三元系的III-V族化合物。作為三元系的III-V族化合物，例如可列舉InPN、InPAs、InPSb及InGaP等。
四元系的III-V族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的15族的元素(第2元素)的2種之四元系的III-V族化合物。作為四元系的III-V族化合物，例如可列舉InGaPN、InGaPAs及InGaPSb等。
包含III-V族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的13族及15族以外的元素，作為摻雜元素。
作為本發明的一方面，作為III-V族化合物，較理想為InP。
(包含III-VI族化合物的半導體微粒子)
作為二元系的III-VI族化合物，例如可列舉Al2S3、Al2Se3、Al2Te3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、GaTe、In2S3、In2Se3、In2Te3及InTe。
三元系的III-VI族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的1種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的2種之三元系的III-VI族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的1種之三元系的III-VI族化 合物。作為三元系的III-VI族化合物，例如可列舉InGaS3、InGaSe3、InGaTe3、In2SSe2及In2TeSe2。
四元系的III-VI族化合物，可為包含選自週期表的13族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的2種之四元系的III-VI族化合物。作為四元系的III-VI族化合物，例如可列舉InGaSSe2、InGaSeTe2及InGaSTe2。
包含III-VI族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的13族及16族以外的元素，作為摻雜元素。
(包含IV-VI族化合物的半導體微粒子)
作為二元系的IV-VI族化合物，例如可列舉PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe及SnTe。
三元系的IV-VI族化合物，可為包含選自週期表的14族的元素(第1元素)的1種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的2種之三元系的IV-VI族化合物，可為包含選自週期表的14族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的1種之三元系的IV-VI族化合物。
四元系的IV-VI族化合物，可為包含選自週期表的14族的元素(第1元素)的2種以及選自週期表的16族的元素(第2元素)的2種之四元系的IV-VI族化合物。
包含IV-VI族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的14族及16族以外的元素，作為摻雜元素。
(包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子)
作為包含三元系的I-III-VI族化合物的半導體微粒子，例如可列舉GuInS2。
包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子，亦可包含週期表的11族、13族及16族以外的元素，作為摻雜元素。
(1-2)包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子
作為半導體微粒子之一例，例如可列舉包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子。
鈣鈦礦化合物，係A、B及X為構成成分之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
於本發明，A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的六面體的各頂點的成分，為1價陽離子。
X係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的八面體的各頂點的成分，為自鹵化物離子及硫氰酸離子所組成之群組選擇的至少1種的陰離子。
B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點的六面體及將X配置於頂點的八面體的中心的成分，為金屬離子。
作為A、B及X為構成成分之鈣鈦礦化合物，無特別限制，可為具有3維構造、2維構造、擬2維構造的任一構造的化合物。
於3維構造的情況，鈣鈦礦化合物的組成式表示為ABX(3+δ)。
於2維構造的情況，鈣鈦礦化合物的組成式表示為A2BX(4+δ)。
此處，δ為對應B的電荷平衡而可適當地變更的數，-0.7以上0.7以下。
例如A為1價陽離子、B為2價陽離子、X為1價陰離子的情況，前述化合物成為電中性(亦即前述化合物的電荷為0)地選擇δ。
於上述3維構造的情況，B為中心、頂點為X之BX6表示的共有頂點八面體的3維網絡。
於上述2維構造的情況，B為中心、頂點為X之BX6表示的點八面體，藉由共有同一平面的4個頂點的X，形成2維連接的BX6所構成的層與A所構成的層交替積層的構造。
B為對X可作為八面體配位的金屬陽離子。
於本說明書，鈣鈦礦型結晶構造，可藉由X射線繞射圖形確認。
於前述3維構造的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的情況，於X射線繞射圖形，通常確認在2θ=12~18°的位置來自(hkl)=(001)的峰或在2θ=18~25°的位置來自(hkl)=(110)的峰。較理想為確認在2θ=13~16°的位置來自(hkl)=(001)的峰或在2θ=20~23°的位置來自(hkl)=(110)的峰。
於前述2維構造的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的情況，於X射線繞射圖形，通常確認在2θ=1~10°的位置來自(hkl)=(002)的峰。較理想為可確認在2θ=2~8°的位置來自(hkl)=(002)的峰。
鈣鈦礦化合物，較理想為下述一般式(P1)表示的鈣鈦礦化合物。
ABX(3+δ)(-0.7≦δ≦0.7)…(P1)
A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的六面體的各頂點的成分，為1價陽離子。
X係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的八面體的各頂點的成分，為自鹵化物離子及硫氰酸離子所組成之群組選擇的至少1種的陰離子。
B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點的六面體及將X配置於頂點的八面體的中心的成分，為金屬離子。
(A)
鈣鈦礦化合物中，A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的六面體的各頂點的位置的成分，為1價陽離子。作為1價陽離子，例如可列舉銫離子、有機銨離子或脒鎓離子(amidinium ion)。於鈣鈦礦化合物，A為銫離子、碳原子數為3以下的有機銨離子或碳原子數為3以下的脒鎓離子的情況，一般鈣鈦礦化合物具有ABX(3+δ)表示的3維構造。
鈣鈦礦化合物中的A為銫離子或有機銨離子較理想。
作為A的有機銨離子，具體地例如下述一般式(A1)表示的陽離子。
一般式(A1)中，R6~R9分別獨立表示氫原子、可具有胺基作為取代基的烷基或可具有胺基作為取代基的環烷基。但是，R6~R9不同時為氫原子。
R6~R9表示的烷基，分別獨立地可為直鏈狀，可為分支鏈狀，亦可具有胺基作為取代基。
於R6~R9為烷基的情況，碳原子數分別獨立地通常為1~20，較理想為1~4，更理想為1~3，更加理想為1。
R6~R9表示的環烷基，分別獨立地可具有烷基，亦可具有胺基，作為取代基。
R6~R9表示的環烷基的碳原子數，分別獨立地通常為3~30，較理想為3~11，更理想為3~8。碳原子數，也包含取代基的碳原子數。
作為R6~R9表示的基，分別獨立地為氫原子或烷基較理想。
藉由可包含於一般式(A1)的烷基及環烷基的數少，以及烷基及環烷基的碳原子數小，可得到發光強度高的具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
於烷基或環烷基的碳原子數為4以上的情況，可得到一部分或全體具有2維及/或擬2維(quasi-2D)的鈣鈦礦型結晶構造之化合物。2維的鈣鈦礦型結晶構造無限大地積 層時，變成等同於3維鈣鈦礦型結晶構造(參考文獻：P.P.Boix等人、J.Phys.Chem.Lett.2015,6,898-907等)。
包含於R6~R9表示的烷基及環烷基之碳原子數的合計數為1~4較理想，R6~R9中之一者為碳原子數1~3的烷基，R6~R9中之3者為氫原子更理想。
作為R6~R9表示的烷基，可例示甲基、乙基、正-丙基、異丙基、正-丁基、異丁基、第2丁基、第3丁基、正-戊基、異戊基、新戊基、第3戊基、1-甲基丁基、正-己基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、正-庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊基、2,4-二甲基戊基、3,3-二甲基戊基、3-乙基戊基、2,2,3-三甲基丁基、正-辛基、異辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基。
作為R6~R9表示的環烷基，分別獨立地可列舉在R6~R9表示的烷基例示的碳原子數3以上的烷基形成環者，作為一例，可例示環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、降莰基、異莰基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、三環癸基等。
作為A表示的有機銨離子，較理想為CH3NH3 +(亦稱為甲基銨離子)、C2H5NH3 +(亦稱為乙基銨離子)或C3H7NH3 +(亦稱為丙基銨離子)，更理想為CH3NH3 +或C2H5NH3 +，更加理想為CH3NH3 +。
作為A表示的脒鎓離子，例如下述一般式(A2)表示的脒鎓離子。
(R10R11N=CH-NR12R13)+…(A2)
一般式(A2)中，R10~R13分別獨立表示氫原子、可具有胺基作為取代基的烷基或可具有胺基作為取代基的環烷基。
R10~R13表示的烷基，分別獨立地可為直鏈狀，可為分支鏈狀，亦可具有胺基作為取代基。
於R10~R13表示的烷基的碳原子數，分別獨立地通常為1~20，較理想為1~4，更理想為1~3。
R10~R13表示的環烷基，分別獨立地可具有烷基，亦可具有胺基，作為取代基。
R10~R13表示的環烷基的碳原子數，分別獨立地通常為3~30，較理想為3~11，更理想為3~8。碳原子數，也包含取代基的碳原子數。
作為R10~R13的烷基的具體例，分別獨立地可列舉於R6~R9例示的烷基。
作為R10~R13的環烷基的具體例，分別獨立地可列舉於R6~R9例示的環烷基。
作為R10~R13表示的基，分別獨立地為氫原子或烷基較理想。
藉由可包含於一般式(A2)的烷基及環烷基的數少，以及烷基及環烷基的碳原子數小，可得到發光強度高的具有3為構造的鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
於烷基或環烷基的碳原子數為4以上的情況，可得到一部分或全體具有2維及/或擬2維(quasi-2D)的鈣鈦礦型結晶構造之化合物。
包含於R10~R13表示的烷基及環烷基之碳原子數的合計數為1~4較理想，R10為碳原子數1~3的烷基，R11~R13為氫原子更理想。
(B)
鈣鈦礦化合物中，B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點的六面體及將X配置於頂點的八面體的中心的成分，為金屬離子。B的金屬離子，可為自1價金屬離子、2價金屬離子及3價金屬離子所組成之群組選擇的1種以上所構成的離子。B為包含2價金屬離子較理想，包含自鉛或錫所組成之群組選擇的至少1種金屬離子更理想。
(X)
鈣鈦礦化合物中，X係於前述鈣鈦礦型結晶構造中，表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分，為自鹵化物離子及硫氰酸離子所組成之群組選擇的至少1種的陰離子。
X可為自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸離子所組成之群組選擇的至少1種的陰離子。
X，可對應所期望的發光波長適當地選擇，例如X可包含溴化物離子。
於X為2種以上的鹵化物離子的情況，前述鹵化物離子的含有比例，可隨發光波長適當地選擇，例如溴化物離子與氯化物離子的組合或溴化物離子與碘化物離子的組合。
作為鈣鈦礦化合物，ABX(3+δ)表示的具有3維構造的鈣鈦礦型的結晶構造的具體例，可列舉CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBr(3-y)Iy(0<y<3)、CH3NH3PbBr(3-y)Cly(0<y<3)、(H2N=CH-NH2)PbBr3、(H2N=CH-NH2)PbCl3、(H2N=CH-NH2)PbI3、CH3NH3Pb(1-a)CaaBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)SraBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)LaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、0<δ≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)BaaBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)DyaBr(3+δ)(0<a≦0.7、0<δ≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)NaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、CH3NH3Pb(1-a)LiaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、CsPb(1-a)NaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、CsPb(1-a)LiaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、CH3NH3Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)LiaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)LiaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)NaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)LiaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、 CsPbBr3、CsPbCl3、CsPbI3、CsPbBr(3-y)Iy(0<y<3)、CsPbBr(3-y)Cly(0<y<3)、CH3NH3PbBr(3-y)Cly(0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)ZnaBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)AlaBr(3+δ)(0<a≦0.7、0≦δ≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)CoaBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)MnaBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)MgaBr3(0<a≦0.7)、CsPb(1-a)ZnaBr3(0<a≦0.7)、CsPb(1-a)AlaBr(3+δ)(0<a≦0.7、0<δ≦0.7)、CsPb(1-a)CoaBr3(0<a≦0.7)、CsPb(1-a)MnaBr3(0<a≦0.7)、CsPb(1-a)MgaBr3(0<a≦0.7)、CH3NH3Pb(1-a)ZnaBr(3-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)AlaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、0<δ≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)CoaBr(3-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)MnaBr(3-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)MgaBr(3-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)ZnaBr(3-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)AlaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、0<δ≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)CoaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)MnaBr(3-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)MgaBr(3-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<3)、(H2N=CH-NH2)ZnaBr3(0<a≦0.7)、(H2N=CH-NH2)MgaBr3(0<a≦0.7)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)ZnaBr(3-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<3)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)ZnaBr(3-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<3)等較理想。
作為本發明的一方面，作為鈣鈦礦化合物之ABX(3+δ)表示的具有3維構造的鈣鈦礦型的結晶構造的化合物，較理想為CsPbBr3、CsPbBr(3-y)Iy(0<y<3)。
作為鈣鈦礦化合物之A2BX(4+δ)表示的具有 2維構造的鈣鈦礦型的結晶構造的化合物的具體例，可列舉(C4H9NH3)2PbBr4、(C4H9NH3)2PbCl4、(C4H9NH3)2PbI4、(C7H15NH3)2PbBr4、(C7H15NH3)2PbCl4、(C7H15NH3)2PbI4、(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<4)、(C4H9NH3)2PbBr4、(C7H15NH3)2PbBr4、(C4H9NH3)2PbBr(4-y)Cly(0<y<4)、(C4H9NH3)2PbBr(4-y)Iy(0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)ZnaBr4(0<a≦0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)MgaBr4(0<a≦0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)CoaBr4(0<a≦0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)MnaBr4(0<a≦0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)ZnaBr4(0<a≦0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)MgaBr4(0<a≦0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)CoaBr4(0<a≦0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)MnaBr4(0<a≦0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)ZnaBr(4-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)MgaBr(4-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<4)、 (C4H9NH3)2Pb(1-a)CoaBr(4-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)MnaBr(4-y)Iy(0<a≦0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)ZnaBr(4-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)MgaBr(4-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)CoaBr(4-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)MnaBr(4-y)Cly(0<a≦0.7、0<y<4)等作為較理想者。
(發光光譜)
鈣鈦礦化合物，係在可見光波長區域可發出螢光的發光體，於X為溴化物離子的情況，通常為480nm以上，較理想為500nm以上，更理想為520nm以上，而且通常為700nm以下，較理想為600nm以下，更理想為580nm以下的波長範圍，可發出強度最大峰的螢光。
上述上限值及下限值，可任意地組合。
作為本發明的其他方面，鈣鈦礦化合物中的X為溴化物離子的情況，發出的螢光峰，通常為480~700nm，較理想為500~600nm，更理想為520~580nm。
於X為碘化物離子的情況，通常為520nm以上，較理想為530nm以上，更理想為540nm以上，而且通常為800nm以下，較理想為750nm以下，更理想為730nm以下的波長範圍，可發出強度最大峰的螢光。
上述上限值及下限值，可任意地組合。
作為本發明的其他方面，鈣鈦礦化合物中的X為碘化物離子的情況，發出的螢光峰，通常為520~800nm，較理想為530~750nm，更理想為540~730nm。
於X為氯化物離子的情況，通常為300nm以上，較理想為310nm以上，更理想為330nm以上，而且通常為600nm以下，較理想為580nm以下，更理想為550nm以下的波長範圍，可發出強度最大峰值的螢光。
上述上限值及下限值，可任意地組合。
作為本發明的其他方面，鈣鈦礦化合物中的X為氯化物離子的情況，發出的螢光峰，通常為300~600nm，較理想為310~580nm，更理想為330~550nm。
包含於組成物的(1)的平均粒徑，無特別限制，從維持良好的結晶構造的觀點，平均粒徑為1nm以上較理想，2nm以上更理想，3nm以上更加理想，而且，從(1)不易沈澱的觀點，平均粒徑為10μm以下較理想，1μm以下更理想，500nm以下更加理想。
上述上限值及下限值，可任意地組合。
包含於組成物的(1)的平均粒徑，無特別限制，從(1)不易沈澱以及維持良好的結晶構造的觀點，平均粒徑為1nm以上10μm以下較理想，2nm以上1μm以下更理想，3nm以上500nm以下更加理想。
於本說明書，包含於組成物的(1)的平均粒徑，例如可藉由穿透型電子顯微鏡(以下亦稱為TEM)或掃描型電子顯微鏡(以下亦稱為SEM)測定。具體地，例如使用TEM或SEM，觀察20個以上的包含於前述組成物中的(1)，取各(1)的最大費雷特(Feret)直徑的平均值的方法。於本說明書，所謂「最大費雷特(Feret)直徑」，係指TEM或SEM的 影像上，夾著(1)的2條平行直線的最大距離。
(2)矽氮烷或其改質物
矽氮烷為具有Si-N-Si鍵結的化合物。
矽氮烷可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀的任一者。而且，矽氮烷，可為低分子，亦可為高分子(於本說明書，記載為聚矽氮烷)。
於本說明書，所謂「低分子」係指數平均分子量未達600，所謂「高分子」係指數平均分子量為600以上2000以下。
於本說明書，所謂「數平均分子量」，係指藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定的換算聚苯乙烯的值。
例如，下述一般式(B1)或(B2)表示的低分子的矽氮烷及具有一般式(B3)表示的構成單元或一般式(B4)表示的構成單元之聚矽氮烷較理想。
包含於本實施態樣的組成物的矽氮烷，可為藉由前述的方法改質的矽氮烷的改質物。
所謂改質，係指包含於矽氮烷的至少一部分的Si-N-Si鍵結，N被O取代，形成Si-O-Si鍵結，矽氮烷的改質物為包含Si-O-Si鍵結的化合物。
作為矽氮烷的改質物，例如包含於上述的一般式(B1)或(B2)之至少一個N被O取代的低分子化合物，以及包含於具有一般式(B3)表示的構成單元之聚矽氮烷的至少一個N被O取代的高分子化合物或包含於具有一般式(B4)表示的構成單元之聚矽氮烷的至少一個N被O取代的高分子化 合物較理想。
對包含於一般式(B2)的N的總量而言，取代的O的數的比例為0.1~100%較理想，10~98%更理想，30~95%更加理想。
對包含於一般式(B3)的N的總量而言，取代的O的數的比例為0.1~100%較理想，10~98%更理想，30~95%更加理想。
對包含於一般式(B4)的N的總量而言，取代的O的數的比例為0.1~99%較理想，10~97%更理想，30~95%更加理想。
矽氮烷的改質物，可為1種類，亦可為2種類以上的混合物。
包含於矽氮烷的改質物的Si原子數、N原子數、O原子數，可用核磁共振分光法(以下亦稱為NMR)、X射線光電子分光法(以下亦稱為XPS)或使用TEM的能量分散型X射線分析(以下亦稱為EDX)等算出。
作為特別理想的方法，藉由XPS，可測定組成物中的Si原子數、N原子數、O原子數而算出。
對於藉由上述方法測定的包含於矽氮烷及其改質物的N原子數而言，O原子數的比例為0.1~99%較理想，10~95%更理想，30~90%更加理想。
矽氮烷及其改質物的至少一部分，可吸附於包含於組成物的(1)，亦可分散於組成物中。
一般式(B1)中，R14及R15分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~20的烷基、碳原子數1~20的烯基、碳原子數3~20的環烷基、碳原子數6~20的芳香基或碳原子數1~20的烷基矽基。碳原子數1~20的烷基、碳原子數1~20的烯基、碳原子數3~20的環烷基、碳原子數6~20的芳香基或碳原子數1~20的烷基矽基，亦可具有胺基等取代基。複數的R15，可為相同，亦可為不同。
作為一般式(B1)表示的低分子的矽氮烷，例如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氮烷、1,3-二苯基四甲基二矽氮烷及1,1,1,3,3,3-六甲基二矽氮烷。
一般式(B2)中，R14及R15係與上述相同。
複數的R14，可為相同，亦可為不同。
複數的R15，可為相同，亦可為不同。
n1表示1以上20以下的整數。n1可為1以上10以下的整數，可為1或2。
作為一般式(B1)表示的低分子的矽氮烷，例如八甲基環四矽氮烷、2,2,4,4,6,6-六甲基環三矽氮烷及2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基三矽氮烷。
作為低分子的矽氮烷，較理想為八甲基環四矽氮烷及1,3-二苯基四甲基二矽氮烷，更理想為八甲基環四矽氮烷。
聚矽氮烷為具有Si-N-Si鍵結的高分子化合物，無特別限制，例如可列舉具有下述一般式(B3)表示的構成單元的高分子化合物。包含於聚矽氮烷的一般式(B3)表示的構成單元，可為1種，亦可為複數種。
一般式(B3)中，R14及R15係與上述相同。
＊表示鍵結鍵。末端的N原子的鍵結鍵，可具有與R14相同的取代基，末端的Si原子的鍵結鍵，可具有與R15相同的取代基。
複數的R14，可為相同，亦可為不同。
複數的R15，可為相同，亦可為不同。
m為2以上10000以下的整數。
具有一般式(B3)表示的構成單元的聚矽氮烷，例如R14及R15全部為氫原子的全氫聚矽氮烷。
而且，具有一般式(B3)表示的構成單元的聚矽氮烷，例如至少1個R15為氫原子以外的基之有機聚矽氮烷。依據用途，可選擇適合的全氫聚矽氮烷及有機聚矽氮烷，亦可混合使用。
聚矽氮烷，分子內的一部分可具有環構造，例如亦可具有一般式(B4)表示的構造。
一般式(B4)中，＊表示鍵結鍵。
鍵結鍵，可與一般式(B3)表示的構成單元的鍵結鍵鍵結。於聚矽氮烷分子內包含複數的一般式(B4)表示的構造的情況，一般式(B4)表示的構造的鍵結鍵，可與其他一般式(B4)表示的構造的鍵結鍵鍵結。
不鍵結於一般式(B3)表示的構成單元的鍵結鍵或其他一般式(B4)表示的構造的鍵結鍵之N原子的鍵結鍵，可具 有與R14相同的取代基，不鍵結於一般式(B3)表示的構成單元的鍵結鍵或其他一般式(B4)表示的構造的鍵結鍵之Si原子的鍵結鍵，可具有與R15相同的取代基。
n2表示1以上10000以下的整數。n2可為1以上10以下的整數，可為1或2。
(2)無特別限制，從提高分散性、可抑制凝聚的觀點，較理想為有機聚矽氮烷或其改質物。有機聚矽氮烷，例如可為一般式(B3)中R14及R15的至少之一者為碳原子數1~20的烷基、碳原子數1~20的烯基、碳原子數3~20的環烷基、碳原子數6~20的芳香基或碳原子數1~20的烷基矽基之具有一般式(B3)表示的構成單元的有機聚矽氮烷，可為一般式(B4)中至少1個鍵結鍵與R14或R15鍵結，前述R14及R15的至少之一者為碳原子數1~20的烷基、碳原子數1~20的烯基、碳原子數3~20的環烷基、碳原子數6~20的芳香基或碳原子數1~20的烷基矽基之包含一般式(B4)表示的構造的有機聚矽氮烷。
有機聚矽氮烷，較理想為一般式(B3)中R14及R15的至少之一者為甲基之具有一般式(B3)表示的構成單元的有機聚矽氮烷，或一般式(B4)中至少1個鍵結鍵與R14或R15鍵結，前述R14及R15的至少之一者為甲基之具有一般式(B4)表示的構造的有機聚矽氮烷。
一般的聚矽氮烷，例如存在直鏈構造與六員環或八員環等環構造的構造。如前述，其分子量，以數平均分子量(Mn)為600~2000(換算聚苯乙烯)，依分子量 而為液體或固體的物質。前述聚矽氮烷，可使用市售品，作為市售品，例如NN120-10、NN120-20、NAX120-20、NN110、NAX120、NAX110、NL120A、NL110A、NL150A、NP110、NP140(AZ電子材料公司製)以及AZNN-120-20、Durazane(登記商標)1500 Slow Cure、Durazane(登記商標)1500 Rapid Cure、Durazane(登記商標)1800(默克先進科技材料公司製)以及Durazane(登記商標)1033(默克先進科技材料公司製)等。
具有一般式(B3)表示的構成單元的聚矽氮烷，較理想為AZNN-120-20、Durazane(登記商標)1500 Slow Cure、Durazane(登記商標)1500 Rapid Cure，更理想為Durazane(登記商標)1500 Slow Cure。
(3)溶劑
溶劑，只要是可分散(1)的介質，無特別限制，較理想為不易溶解(1)者。
於本說明書，所謂「溶劑」，係指1大氣壓、25℃為液體狀態的物質(但是聚合性化合物及聚合物除外)。
於本說明書，所謂「分散」，係指(1)漂浮或懸浮於溶劑、聚合性化合物、聚合物的狀態，一部分可沈澱。
作為溶劑，例如可列舉甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲 氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑；二甲基亞碸等。
該等之中，甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑，因極性低、 被認為不易溶解(1)，所以較理想，更理想為二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑。
(4)聚合性化合物或聚合物
作為聚合性化合物，無特別限制，可為1種，亦可為2種以上。作為聚合性化合物，於製造本實施態樣的組成物的溫度，較理想為(1)的溶解度低的聚合性化合物。
而且，聚合性化合物，從容易形成後述的海島狀相分離構造的觀點，較理想為疏水性的聚合性化合物或聚合物。
於本說明書，所謂「聚合性化合物」，係指具有聚合性基的單體的化合物。
於室溫、常壓下製造的情況，作為前述聚合性化合物，無特別限制，例如苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯腈等習知的聚合性化合物。
其中，作為聚合性化合物，從溶解度的觀點以及容易形成海島狀相分離構造的觀點，較理想為丙烯酸系樹脂的單體成分之丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
包含於本實施態樣的組成物的聚合物，無特別限制，可為1種，亦可為2種以上。作為聚合物，於製造本實施態樣的組成物的溫度，較理想為(1)的溶解度低的聚合物。
於室溫、常壓下製造的情況，作為前述聚合物，無特別限制，例如可列舉聚苯乙烯、丙烯酸系樹脂、環氧樹脂 等習知的聚合物。其中，作為聚合物，從溶解度的觀點以及容易形成海島狀相分離構造的觀點，較理想為丙烯酸系樹脂。丙烯酸系樹脂，包含來自丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯的構成單元。
於本實施態樣的組成物，對包含於(4)的全部構成單元而言，丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯以及來自該等的構成單元，以莫耳%表示的情況，可為10%以上，可為30%以上，可為50%以上，可為80%以上，可為100%。
前述聚合物的重量平均分子量，較理想為100~1200000，更理想為1000~800000，更加理想為5000~150000。
於本說明書，所謂「重量平均分子量」，係指藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定的聚苯乙烯換算值。
(5)自氨、胺及羧酸以及該等的鹽或離子所組成之群組選擇的至少1種化合物或離子
本實施態樣的組成物，可包含自氨、胺及羧酸以及作為可得到前述化合物的形態之該等的鹽或離子所組成之群組選擇的至少1種化合物或離子。
亦即，本實施態樣的組成物，可包含自氨、胺、羧酸、氨的鹽、胺的鹽、羧酸的鹽、氨的離子、胺的離子以及羧酸的離子所組成之群組選擇的至少1種化合物或離子。
氨、胺及羧酸以及該等的鹽或離子，通常作為封蓋配體(capping ligand)。所謂封蓋配體，係指吸附於(1)的表面，具有使(1)安定地分散於組成物中的作用之化合物。作為氨 或胺的離子或鹽(銨鹽等)，可列舉後述一般式(A1)表示的銨陽離子與包含其的銨鹽。作為羧酸的離子或鹽(羧酸鹽等)，可列舉後述一般式(A2)表示的羧酸鹽陰離子與包含其的羧酸鹽。本實施態樣的組成物，可包含銨鹽等及羧酸鹽等任一者，亦可包含兩者。
(5)可為一般式(A3)表示的銨陽離子或包含其的銨鹽。
一般式(A3)中，R1~R3表示氫原子，R4表示氫原子或1價的烴基。R4表示的烴基，可為飽和烴基(亦即烷基或環烷基)，亦可為不飽和烴基。
R4表示的烷基，可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。
R4表示的烷基的碳原子數，通常為1~20，較理想為5~20，更理想為8~20。
R4表示的環烷基，可具有烷基作為取代基。環烷基的碳原子數，通常為3~30，較理想為3~20，更理想為3~11。碳原子數，包含取代基的碳原子數。
R4表示的不飽和烴基，可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。
R4表示的不飽和烴基的碳原子數，通常為2~20，較理想為5~20，更理想為8~20。
R4為氫原子、烷基或不飽和烴基較理想。作為不飽和烴基，較理想為烯基。R4為碳原子數8~20的烯基較理想。
作為R4表示的烷基的具體例，可列舉於R6~R9例示的烷基。
作為R4表示的環烷基的具體例，可列舉於R6~R9例示的環烷基。
作為R4表示的烯基，可例示於R6~R9例示的前述直鏈狀或分支鏈狀的烷基，任一碳原子之間的單鍵(C-C)被取代為雙鍵(C=C)者，雙鍵的位置無特別限制。
作為如此的烯基的較佳者，例如可列舉乙烯基、丙烯基、3-丁烯基、2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基、2-壬烯基、2-十二烯基、9-十八烯基。
於銨陽離子形成鹽的情況，作為相對陰離子，無特別限制，可列舉Br-、Cl-、I-、F-的鹵化物離子、羧酸鹽離子等為較佳例。
作為具有一般式(A3)表示的銨陽離子與相對陰離子的銨鹽，可列舉正辛基銨鹽、油基銨鹽為較佳例。
(5)可為一般式(A4)表示的羧酸鹽陰離子或包含其的羧酸鹽。
R5-CO2 -…(A4)
一般式(A4)中，R5表示1價烴基。R5表示 的1價烴基，可為飽和烴基(亦即烷基或環烷基)，亦可為不飽和烴基。
R5表示的烷基，可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。
R5表示的烷基的碳原子數，通常為1~20，較理想為5~20，更理想為8~20。
R5表示的環烷基，可具有烷基作為取代基。環烷基的碳原子數，通常為3~30，較理想為3~20，更理想為3~11。碳原子數，包含取代基的碳原子數。
R5表示的不飽和烴基，可為直鏈狀，亦可為分支鏈狀。
R5表示的不飽和烴基的碳原子數，通常為2~20，較理想為5~20，更理想為8~20。
R5為烷基或不飽和烴基較理想。作為不飽和烴基，較理想為烯基。
作為R5表示的烷基的具體例，可列舉於R6~R9例示的烷基。
作為R5表示的環烷基的具體例，可列舉於R6~R9例示的環烷基。
作為R5表示的烯基的具體例，可列舉於R4例示的烯基。
一般式(A4)表示的羧酸鹽陰離子，較理想為油酸陰離子。
於羧酸鹽陰離子形成鹽的情況，作為相對陽離子，無 特別限制，可列舉鹼金屬陽離子、鹼土類金屬陽離子、銨陽離子等為較佳例。
〈組成物的製造方法〉
本實施態樣的組成物的製造方法，包括：在(3)的存在下混合(1)、(2)及(4)的步驟，但是排除要添加的(1)經(2)覆蓋者。
本實施態樣的組成物的製造方法，無需進行預先混合(1)與(2)而使其反應的步驟以及藉由乾燥所得之反應生成物，得到用(2)覆蓋(1)的步驟，可製造對水蒸氣具有耐久性的組成物。
包括在(3)的存在下混合(1)、(2)及(4)的步驟之本實施態樣的組成物的製造方法，可為(a)：包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；及將前述分散液、(2)及(4)混合的步驟之組成物的製造方法。
可為(b)：包括：使(2)分散於(3)，得到分散液的步驟；及將前述分散液、(1)及(4)混合的步驟之組成物的製造方法，本實施態樣的組成物的製造方法，從提高(1)的分散性的觀點，製造方法(a)較理想。
製造方法(a)可為(a1)：包括；使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(4)混合，得到混合液的步驟；及 將前述混合液與(2)混合的步驟之組成物的製造方法。
可為(a2)：包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(2)混合，得到混合液的步驟；及將前述混合液與(4)混合的步驟之組成物的製造方法。
製造方法(b)可為(b1)：包括：使(2)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(4)混合，得到混合液的步驟；及將前述混合液與(1)混合的步驟之組成物的製造方法，可為(b2)：包括：使(2)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(1)混合，得到混合液的步驟；及將前述混合液與(4)混合的步驟之組成物的製造方法。
包含於上述製造方法的各步驟，從提高(1)或(2)的分散性的觀點，進行攪拌較理想。
包含於上述製造方法的各步驟，溫度無特別限制，從均勻地混合的觀點，較理想為0~100℃的範圍，更理想為10~80℃的範圍。
於包含於上述製造方法的任一步驟，可添加(5)。
而且，於包含於後述的半導體微粒子的製造方法之任一步驟，可混合(5)。
於本實施態樣的組成物的製造方法，採用矽氮烷作為(2)的情況，本實施態樣的組成物的製造方法可包括：對包含矽氮烷的混合液實施改質處理的步驟。
實施改質處理的時間點，無特別限制，於前述製造方法(a)，例如包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合，得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理，得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4)混合的步驟。
(2’)矽氮烷。
(2’)係與包含於上述(2)的矽氮烷的說明相同。
實施改質處理的方法，只要是包含於矽氮烷的至少一部分的Si-N-Si鍵結，N被O置換，形成Si-O-Si鍵結的方法，無特別限制。作為實施改質處理的方法，例如可列舉照射紫外光的方法以及使矽氮烷與水蒸氣反應的方法等習知的方法。
其中，藉由使矽氮烷與水蒸氣反應(以下有稱為實施加濕處理)，實施改質處理，從更於(1)的附近形成堅固的保護區域的觀點較理想。
照射紫外光的方法所使用的紫外光的波長，通常為10~400nm，較理想為10~350nm，更理想為100~180nm。作為產生紫外光的光源，例如可列舉金屬鹵化物燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、氙弧光燈、碳弧燈、準分子燈、UV雷射光等。
於實施加濕處理的情況，例如後述的溫度及濕度條件下，靜置或攪拌組成物一定的時間。
從提高包含於組成物的矽氮烷的分散性的觀點，進行攪拌較理想。
加濕處理的溫度，只要是充分地進行改質的溫度即可，例如5~150℃較理想，10~100℃更理想，15~80℃更加理想。
加濕處理的濕度，只要是可供給充分的水分予組成物中具有矽氮烷的化合物的濕度即可，例如30%~100%，較理想為40%~95%，更理想為60%~90%。
於本說明書，所謂「濕度」，係指進行加濕處理的溫度之相對濕度。
加濕處理所需的時間，只要是充分進行改質的時間即可，例如10分鐘以上1週以下，較理想為1小時以上5天以下，更理想為12小時3天以下。
〈各成分的調配比例〉
於本實施態樣的組成物的製造方法，對組成物的總質量而言，(1)的調配比例，無特別限制，從(1)不易凝結的觀點及防止濃度淬滅的觀點，較理想為50質量%以下，更理 想為1質量%以下，更加理想為0.1質量%以下，而且從得到良好的量子產率的觀點，較理想為0.0001質量%以上，更理想為0.0005質量%以上，更加理想為0.001質量%以上。
上述的上限值及下限值，可任意地組合。
對組成物的總質量而言，(1)的調配比例，通常為0.0001~50質量%。
對組成物的總質量而言，(1)的調配比例，較理想為0.0001~1質量%，更理想為0.0005~1質量%，更加理想為0.001~0.5質量%。
關於對組成物的總質量而言之(1)的調配比例的範圍為上述範圍內的組成物，在不易發生(1)的凝聚及發揮良好的發光性的點較理想。
於本實施態樣的組成物的製造方法，對組成物的總質量而言，(2)的調配比例，無特別限制，從提高包含於組成物的(2)的分散性的觀點，較理想為30質量%以下，更理想為15質量%以下，更加理想為7質量%以下，而且從藉由(2)提高對水蒸氣的耐久性的作用變好的觀點，0.001質量%以上較理想，0.01質量%以上更理想，0.1質量%以上更加理想。
上述的上限值及下限值，可任意地組合。
對組成物的總質量而言，(2)的調配比例，通常為0.001~30質量%。
對組成物的總質量而言，(2)的調配比例，較理想為 0.01~15質量%，更理想為0.1~10質量%，更加理想為0.2~7質量%。
關於對組成物的總質量而言之(2)的調配比例的範圍為上述範圍內的組成物，在提高包含於組成物的(2)的分散性、特別良好地發揮藉由(2)提高對水蒸氣的耐久性的作用的點較理想。
於本實施態樣的組成物的製造方法，(1)與(3)及(4)的合計的調配比例，雖無特別限制，只要是良好地發揮因(1)的發光作用的程度即可，根據(1)~(4)的種類，可適當地決定。
(1)與(3)及(4)的合計的質量比[(1)/((3)及(4)的合計)]，通常為0.00001~10，0.0001~2較理想，0.0005~1更理想。
關於(1)與(3)及(4)的合計的調配比例的範圍為上述範圍內的組成物，在不易發生(1)的凝聚、良好地發揮發光性的點較理想。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於使用(5)的情況，(1)與(5)的調配比例，雖無特別限制，只要是良好地發揮因(1)之發光作用的程度即可，根據(1)~(5)的種類，可適當地決定。
於包含(1)、(2)、(3)、(4)及(5)的實施態樣的組成物的製造方法，(1)與(5)的莫耳比[(1)/(5)]，可為0.0001~1000，亦可為0.01~100。
關於(1)與(5)的調配比例的範圍為上述範圍內的組成 物，在不易發生(1)的凝聚、良好地發揮發光性的點較理想。
於本實施態樣的組成物的製造方法，對組成物的總質量而言，(1)及(2)的合計的調配比例，雖無特別限制，從(1)不易凝結的觀點及防止濃度淬滅的觀點，較理想為60質量%以下，更理想為40質量%以下，更加理想為30質量%以下，特別理想為20質量%以下，而且從得到良好的量子產率的觀點，0.0002質量%以上較理想，0.002質量%以上更理想，0.005質量%以上更加理想。
上述的上限值及下限值，可任意地組合。
對組成物的總質量而言，(1)及(2)的合計的調配比例，通常為0.0002~60質量%。
對組成物的總質量而言，(1)及(2)的合計的調配比例，較理想為0.001~40質量%，更理想為0.002~30質量%，更加理想為0.005~20質量%。
關於對組成物的總質量而言之(1)及(2)的合計的調配比例的範圍為上述範圍內的組成物，在不易發生(1)的凝聚及良好地發揮發光性的點較理想。
於本實施態樣的組成物的製造方法，(1)及(2)的調配比例，只要是發揮藉由(2)提高對水蒸氣的耐久性的作用的程度即可，依據(1)及(2)的種類等，可適當地決定。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於採用後述的含有銦元素的化合物作為(1)的情況，含有銦元素 的化合物的In元素與(2)的Si元素的莫耳比[Si/In]，可為0.001~2000，亦可為0.01~500。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於(2)為一般式(B1)或(B2)表示的矽氮烷及其改質物的情況，(1)的含有銦元素的化合物的In元素與(2)的Si元素的莫耳比[Si/In]，可為1~1000，亦可為10~500，亦可為20~300。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於(2)為具有一般式(B3)表示的構成單元的聚矽氮烷的情況，(1)的含有銦元素的化合物的In元素與(2)的Si元素的莫耳比[Si/In]，可為0.001~2000，亦可為0.01~2000，亦可為0.1~1000，亦可為1~500，亦可為2~300。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於採用後述的A、B及X為成分的鈣鈦礦化合物作為(1)的情況，鈣鈦礦化合物的B成分的金屬離子與(2)的Si元素的莫耳比[Si/B]，可為0.001~2000，亦可為0.01~500。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於(2)為一般式(B1)或(B2)表示的矽氮烷及其改質物的情況，(1)的鈣鈦礦化合物的B成分的金屬離子與(2)的Si元素的莫耳比[Si/B]，可為1~1000，亦可為10~500，亦可為20~300。
於本實施態樣的組成物的製造方法，於(2)為具有一般式(B3)表示的構成單元的聚矽氮烷的情況，(1)的鈣鈦礦化合物的B成分的金屬離子與(2)的Si元素的莫耳比[Si/B]，可為0.001~2000，亦可為0.01~2000，亦可為0.1~1000， 亦可為1~500，亦可為2~300。
關於(1)與(2)的調配比例的範圍為上述範圍內的組成物，在特別良好地發揮藉由(2)提高對水蒸氣的耐久性的作用的點較理想。
(1)半導體粒子的製造方法
以下說明關於(1)的製造方法。
顯示實施態樣，說明(1-1)包含II-V族化合物的半導體微粒子、包含II-VI族化合物的半導體微粒子、包含III-IV族化合物的半導體微粒子、包含III-V族化合物的半導體微粒子、包含III-VI族化合物的半導體微粒子、包含IV-VI族化合物的半導體微粒子及包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子以及(1-2)包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子的製造方法。(1)的製造方法，藉由以下的製造方法製造，但不限於此。
(1-1)包含II-V族化合物的半導體微粒子、包含II-VI族化合物的半導體微粒子、包含III-IV族化合物的半導體微粒子、包含III-V族化合物的半導體微粒子、包含III-VI族化合物的半導體微粒子、包含IV-VI族化合物的半導體微粒子及包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子的製造方法
包含II-V族化合物的半導體微粒子、包含II-VI族化合物的半導體微粒子、包含III-IV族化合物的半導體微粒子、包含III-V族化合物的半導體微粒子、包含III-VI族化合物的半導體微粒子、包含IV-VI族化合物的半導體微 粒子及包含I-III-VI族化合物的半導體微粒子，可使用市售品，亦可藉由習知的製造方法製造。作為習知的製造方法，可列舉加熱構成半導體微粒子的元素的單體或其化合物與脂溶性溶劑混合的混合液的方法。
作為構成半導體微粒子的元素的單體或其化合物的例，雖無特別限制，可列舉金屬、氧化物、乙酸鹽、有機金屬化合物、鹵化物、硝酸鹽等。
作為脂溶性溶劑，可列舉具有碳原子數4~20的烴基的含氮化合物、具有碳原子數4~20的烴基的含氧化合物等。作為碳原子數4~20的烴基，可列舉正丁基、異丁基、正戊基、辛基、癸基、十二烷基、十六烷基、十八烷基等飽和脂肪族烴基；油基等不飽和脂肪族烴基；環戊基、環己基等脂環式烴基；苯基、苯甲基、萘基、萘基甲基等芳香族烴基等，其中飽和脂肪族烴基、不飽和脂肪族烴基較理想。作為含氮化合物，可列舉胺類、醯胺類，作為含氧化合物，可列舉脂肪酸類等。如此的脂溶性溶劑中，具有碳原子數4~20的烴基的含氮化合物較理想，例如正丁基胺、異丁基胺、正戊基胺、正己基胺、辛基胺、癸基胺、十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺等烷基胺、油基胺等烯基胺較理想。如此的脂溶性溶劑，可能鍵結於半導體微粒子的表面，鍵結的形態，例如共價鍵結、離子鍵結、配位鍵結、氫鍵結、凡得瓦鍵結等化學鍵結。
混合液的加熱溫度，隨使用的單體、化合物的種類，適當地設定即可，例如設定在130~300℃的範 圍較理想，設定在240~300℃的範圍更理想。加熱溫度為上述下限值以上時，結晶構造容易單一化，所以較理想。而且，加熱時間，也隨使用的單體、化合物的種類、加熱溫度，適當地設定即可，通常設定為數秒~數小時的範圍較理想，設定為1~60分鐘的範圍更理想。
於本發明的半導體微粒子的製法，加熱後的混合液冷卻後，分離澄清液與沈澱物，將前述分離的半導體微粒子(沈澱物)，放入有機溶劑(例如氯仿、甲苯、己烷、正丁醇等)，可成為包含半導體微粒子的溶液。或者，加熱後的混合液冷卻後，分離澄清液與沈澱物，於前述分離的澄清液，添加不溶或難溶奈米粒子的溶劑(例如甲醇、乙醇、丙酮、乙腈等)，產生沈澱物，收集前述沈澱物，放入前述的有機溶劑，可成為包含半導體微粒子的溶液。
(1-2)包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子的製造方法
鈣鈦礦化合物，參考已知的文獻(Nano Lett.2015,15,3692-3696,ACSNano,2015,9,4533-4542)，可藉由以下敘述的第1實施態樣或第2實施態樣的方法製造。
(鈣鈦礦化合物的製造方法的第1實施態樣)
例如作為關於本發明的鈣鈦礦化合物的製造方法，可列舉包括：使B成分、X成分及A成分溶解於溶劑x，得到溶液g的步驟；以及將所得之溶液g與對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比 得到溶液g所使用的溶劑x更低的溶劑y混合的步驟之製造方法。
更具體地，包括：使包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物溶解於溶劑x，得到溶液g的步驟；以及將所得之溶液g與對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比得到溶液g所使用的溶劑x更低的溶劑y混合的步驟之製造方法。
藉由將溶液g與對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比得到溶液g所使用的溶劑x更低的溶劑y混合，析出鈣鈦礦化合物。
以下，說明包括：使包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物溶解於溶劑x，得到溶液g的步驟；以及將所得之溶液g與對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比得到溶液g所使用的溶劑x更低的溶劑y混合的步驟之製造方法。
再者，所謂溶解度，係指進行混合步驟的溫度之溶解度。
前述製造方法，從可安定地分散鈣鈦礦化合物的觀點，包括：添加封蓋配體的步驟較理想。封蓋配體，在前述混合步驟前添加較理想，亦可添加封蓋配體於A成分、B成分及X成分經溶解的溶液g，亦可添加於對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比得到溶液g所使用的溶劑x更低的溶劑y，亦可添加於溶劑x及溶劑y兩者。
前述製造方法，在前述混合步驟後，包含藉由離心分離、過濾等手段，除去粗大粒子的步驟較理想。藉由前述除去步驟除去的粗大粒子的尺寸，較理想為10μm以上，更理想為1μm以上，更加理想為500nm以上。
前述的溶液g與溶劑y混合的步驟，可為(I)將溶液g滴入溶劑y的步驟；亦可為(II)於溶液g滴入溶劑y的步驟；從提高(1)的分散性的觀點，(I)較理想。
滴入時，進行攪拌，從提高(1)的分散性的觀點較理想。
於溶液g與溶劑y混合的步驟，溫度雖無特別限制，從確保(1)的鈣鈦礦化合物的析出容易性的觀點，-20~40℃的範圍較理想，-5~30℃的範圍更理想。
作為前述製造方法使用的對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度不同的2種溶劑x及y，雖無特別限制，例如可列舉自甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2- 三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑；二甲基亞碸所組成之群組選擇的2種的溶劑。
作為包含於前述製造方法的得到溶液g的步驟所使用的溶劑x，對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度高的溶劑較理想，例如於室溫(10℃~30℃)進行前述步驟的情況，可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；二甲基亞碸。
作為包含於前述製造方法的混合步驟所使用的溶劑y，對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度低的溶劑較理想，例如於室溫(10℃~30℃)進行前述步驟的情況，可列舉甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯 烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑。
於溶解度不同的2種溶劑，溶解度的差為(100μg/溶劑100g)~(90g/溶劑100g)較理想，(1mg/溶劑100g)~(90g/溶劑100g)更理想。從溶解度的差為(100μg/溶劑100g)~(90g/溶劑100g)的觀點，例如於室溫(10℃~30℃)進行混合步驟的情況，得到溶液的步驟所使用的溶劑x為N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑、二甲基亞碸，混合步驟所使用的溶劑y為二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑較理想。
作為從所得的包含鈣鈦礦化合物的分散液，取得鈣鈦礦化合物的方法，可列舉藉由進行固液分離，只收集鈣鈦礦化合物的方法。
前述固液分離方法，可列舉過濾等的方法、利用溶劑的蒸發的方法等。藉由進行固液分離，可只收集鈣鈦礦化合物。
(鈣鈦礦化合物的製造方法的第2實施態樣)
鈣鈦礦化合物的製造方法，例如包括：將B成分、X成分及A成分添加於高溫的溶劑z，使其溶解，得到溶液h的步驟；以及冷卻所得之溶液h的步驟之製造方法。
更具體地，包括：將包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物添加於高溫的溶劑z，使其溶解，得到溶液h的步驟；以及冷卻所得之溶液h的步驟之製造方法。
將包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物添加於高溫的溶劑z，使其溶解，得到溶液h的步驟，亦可為將包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物添加於溶劑z，藉由升溫而得到溶液h的步驟。
於前述製造方法，藉由因溫度差的溶解度的差，析出關於本發明的鈣鈦礦化合物，可製造關於本發明的鈣鈦礦化合物。
前述製造方法，從可安定地分散鈣鈦礦化合物的觀點，包括添加封蓋配體的步驟較理想。封蓋配體，在前述冷卻步驟前添加較理想，添加於A成分、B成分及X成分經溶解的溶液h較理想。
前述製造方法，在前述冷卻步驟後，包含藉由離心分離、過濾等手段，除去粗大粒子的步驟較理想。藉由前述除去步驟除去的粗大粒子的尺寸，較理想為10μm以上， 更理想為1μm以上，更加理想為500nm以上。
此處，所謂高溫的溶劑z，係指只要是溶解包含A成分、B成分及X成分的化合物的溫度的溶劑即可，例如60~600℃的溶劑較理想，80~400℃的溶劑更理想。
作為冷卻的溫度，較理想為-20~50℃，更理想為-10~30℃。
作為冷卻速度，較理想為1~1500℃/分，更理想為10~150℃/分。
作為前述製造方法所使用的溶劑z，只要是可溶解包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物的溶劑即可，雖無特別限制，例如可列舉甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基 乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑；二甲基亞碸、1-十八烯。
作為從所得的包含鈣鈦礦化合物的分散液，取得鈣鈦礦化合物的方法，可列舉藉由進行固液分離，只收集鈣鈦礦化合物的方法。
前述固液分離方法，可列舉過濾等方法、利用溶劑的蒸發的方法等。藉由進行固液分離，可只收集鈣鈦礦化合物。
作為(1)為包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子，在包含於包含鈣鈦礦化合物的製造方法的任一步驟，混合(5)的實施態樣的組成物的製造方法，可列舉：(a-1)包括：使包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物溶解於溶劑x，得到溶液g的步驟；以及將溶液g與對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比得到溶液g所使用的溶劑x更低的溶劑y混合，得到分散液a的步驟；從分散液a分取鈣鈦礦化合物的步驟；使(1)分散於(3)，得到分散液b的步驟；及將分散液b與(2)及(4)混合的步驟之組成物的製造方法，(a-2)包括：加熱包含B成分及X成分的化合物與包含 A成分或A成分及X成分的化合物、(5)與溶劑z的混合物，得到溶液h的步驟；冷卻溶液h，得到分散液a的步驟；從分散液a分取包含鈣鈦礦化合物的(1)的步驟；使(1)分散於(3)，得到分散液b的步驟；及將分散液b與(2)及(4)混合的步驟之組成物的製造方法，(b-1)包括：使包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物溶解於溶劑x，得到溶液g的步驟；將溶液g與對鈣鈦礦化合物的溶劑的溶解度比溶劑x更低的溶劑y混合，得到分散液a的步驟；從分散液a分取包含鈣鈦礦化合物的(1)的步驟；使(2)分散於(3)，得到分散液b的步驟；及將分散液b與(1)及(4)混合的步驟之組成物的製造方法，以及(b-2)包括：加熱包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物、(5)與溶劑z的混合物，得到溶液h的步驟；冷卻溶液h，得到分散液a的步驟；從分散液a分取包含鈣鈦礦化合物的(1)的步驟；使(2)分散於(3)，得到分散液b的步驟；及將分散液b與(1)及(4)混合的步驟之組成物的製造方法。
〈硬化物的製造方法〉
使用藉由上述的製造方法所得之組成物，可製造硬化物。
本實施態樣的硬化物的製造方法，可為包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(2)混合，得到混合液的步驟；將前述混合液與(4’)混合，得到組成物的步驟；使包含於組成物的聚合性化合物聚合，得到包含聚合物的組成物的步驟；及從包含聚合物的組成物除去(3)的步驟之硬化物的製造方法。
(4’)聚合性化合物
本發明的硬化物的製造方法，可為包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(2)混合，得到混合液的步驟；將前述混合液與(4”)混合，得到組成物的步驟；及從前述組成物除去(3)的步驟之硬化物的製造方法。
(4”)聚合物
而且，本實施態樣的硬化物的製造方法，可為包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(4’)混合，得到混合液的步驟；將前述混合液與(2)混合，得到組成物的步驟；及從前述組成物除去(3)的步驟之硬化物的製造方法。
再者，本實施態樣的硬化物的製造方法，可為包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(4”)混合，得到混合液的步驟；將前述混合液與(2)混合，得到組成物的步驟；及從前述組成物除去(3)的步驟之硬化物的製造方法。
(4’)及(4”)，係與包含於上述(4)的各聚合性化合物及聚合物的說明相同。
與組成物的製造方法同樣地，上述硬化物的製造方法，可包含混合(5)的步驟，在包含於半導體微粒子的製造方法的任一步驟，可混合(5)。
作為(1)，於採用包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子的情況，從提高(1)的分散性的觀點，(5)在包含於半導體微粒子的製造方法的任一步驟混合較理想。
作為(1)為包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子，在包含於半導體微粒子的製造方法的任一步驟混合(5)的實施態樣的硬化物的製造方法，例如(a-2-1)包括：加熱包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物、(5)與溶劑z的混合物，得到溶液h的步驟；冷卻溶液h，得到分散液a的步驟；從分散液a分取包含鈣鈦礦化合物的(1)的步驟；使(1)分散於(3)，得到分散液b的步驟；將分散液b與(2)及(4’)混合，得到組成物的步驟； 使包含於組成物的聚合性化合物聚合，得到包含聚合物的組成物的步驟；及從包含聚合物的組成物除去(3)的步驟之硬化物的製造方法，以及(a-2-2)包括：加熱包含B成分及X成分的化合物與包含A成分或A成分及X成分的化合物、(5)與溶劑z的混合物，得到溶液h的步驟；冷卻溶液h，得到分散液a的步驟；從分散液a分取包含鈣鈦礦化合物的(1)的步驟；使(1)分散於(3)，得到分散液b的步驟；將分散液b與(2)及(4”)混合，得到組成物的步驟；及從前述組成物除去(3)的步驟之硬化物的製造方法。
於上述製造方法，於採用矽氮烷作為(2)的情況，本實施態樣的硬化物的製造方法，可包括對包含矽氮烷的混合液實施改質處理的步驟。
實施改質處理的時間點，無特別限制，於前述製造方法(a)，例如可包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合，得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理，得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4”)混合，得到組成物的步驟；及從前述組成物除去(3)的步驟。
除去(3)的步驟，可為室溫靜置組成物，使其自然乾燥的步驟，亦可為使用真空乾燥機，減壓乾燥或加熱組成物的步驟。
於除去(3)的步驟，溫度、時間，可依據(3)的種類，適當地選擇。
例如於0~300℃靜置1分~7天，使其乾燥，可除去(3)。
於使用(4’)的情況，作為使聚合性化合物聚合的方法，可適當地使用自由基聚合等習知的聚合反應。
例如於自由基聚合的情況，於上述得到分散液的步驟、得到混合液的步驟或得到組成物的步驟之任一步驟，添加自由基聚合引發劑，使聚合性化合物聚合的步驟，藉由產生自由基，可進行聚合反應。
自由基聚合引發劑，雖無特別限制，例如可列舉光自由基聚合引發劑等。
作為上述光自由基聚合引發劑，例如雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦等。
於使用(4”)的情況，聚合物可為溶解於溶劑的聚合物。
溶解上述聚合物的溶劑，只要是可溶解聚合物(樹脂)的溶劑即可，無特別限制，不易溶解上述關於本發明的(1)者較理想。
作為溶解上述聚合物的溶劑，例如可列舉甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、 乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等醇；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等二醇醚；N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等具有醯胺基的有機溶劑；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑；二甲基亞碸。
其中，甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等酯；γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等酮；二乙基醚、甲基第3丁基醚、二異丙基醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二噁烷、1,3-二氧雜環戊烷、4-甲基二氧雜環戊烷、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等醚；乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等具有腈基的有機溶劑；碳酸伸乙 酯、碳酸伸丙酯等具有碳酸酯基的有機溶劑；二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑，且極性低、被認為不易溶解關於本發明的(1)，所以較理想，更理想為二氯甲烷、氯仿等具有鹵化烴基的有機溶劑；正戊烷、環己烷、正己烷、苯、甲苯、二甲苯等具有烴基的有機溶劑。
〈膜的製造方法〉
使用上述製造方法所得之組成物，可製造膜。
本實施態樣的膜的製造方法，可為包括：(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；前述分散液與(4’)混合，得到混合液的步驟；前述混合液與(2)混合，得到組成物的步驟；塗佈前述組成物於基板，得到塗佈膜的步驟；使包含於塗佈膜的聚合性化合物聚合，得到包含聚合物的塗佈膜的步驟；及從前述包含聚合物的塗佈膜除去(3)的步驟之膜的製造方法，可為包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(4”)混合，得到混合液的步驟；將前述混合液與(2)混合，得到組成物的步驟；塗佈前述組成物於基板，得到塗佈膜的步驟；及從前述塗佈膜除去(3)的步驟之膜的製造方法。
於包含於上述製造方法的任一步驟，可添 加(5)。
而且，於包含於半導體微粒子的製造方法之任一步驟，混合(5)，可使用包含(5)的粒子，作為(1)。
作為(1)，於採用包含鈣鈦礦化合物的半導體微粒子的情況，從提高(1)的分散性的觀點，(5)在包含於半導體微粒子的製造方法的任一步驟混合較理想。
於上述製造方法，於採用矽氮烷作為(2)的情況，本實施態樣的膜的製造方法，可包括對包含矽氮烷的混合液實施改質處理的步驟。
實施改質處理的時間點，無特別限制，於本實施態樣的膜的製造方法，例如包括：使(1)分散於(3)，得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合，得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理，得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4”)混合，得到組成物的步驟；塗佈前述組成物於基板，得到塗佈膜的步驟；及從前述塗佈膜除去(3)的步驟。
作為包含於本實施態樣的膜的製造方法之塗佈組成物於基板，得到塗佈膜的具體方法，雖無特別限制，可使用凹版塗佈法、棒塗法、印刷法、噴塗法、滴鑄法、旋轉塗佈法、浸漬法、狹縫塗佈法等習知的塗佈方法。
包含於本實施態樣的膜的製造方法之除去 (3)的步驟，係與上述相同。
於使用(4’)的情況，使聚合性化合物聚合的方法，係與上述相同。
於使用(4”)的情況，聚合物可為溶解於溶劑的聚合物，較理想的溶劑係與上述相同。
膜係藉由前述膜的製造方法，可得到形成於基板上的膜。而且，膜可從基板剝離而得。
〈積層構造體的製造方法〉
本實施態樣的積層構造體的製造方法，具有：於藉由上述膜的製造方法所得的膜上，再形成後述的其他膜的步驟。
其他膜，與上述膜的製造方法同樣地，可藉由塗佈步驟形成，亦可藉由貼合其他膜的步驟而形成。
於貼合的步驟，可使用任意的接著劑。
接著劑，只要是不溶解(1)及(2)的化合物的物質，無特別限制，可使用習知的接著劑。
〈發光裝置的製造方法〉
作為本實施態樣的發光裝置的製造方法，例如包括設置光源以及從光源至後段的光路徑上之本發明的組成物、硬化物、膜或積層構造體的步驟之製造方法。
〈組成物〉
本實施態樣的組成物，具有發光性。所謂「發光性」，係指發光的性質。發光性為因激發而發光的性質較理想，因激發光的激發而發光的性質更理想。激發光的波長，例 如為200nm~800nm，可為250nm~750nm，可為300nm~700nm。
本實施態樣的組成物，包含上述的(1)、(2)、(3)及(4)。
本實施態樣的組成物，可包含(5)。
本實施態樣的組成物，可包含上述(1)~(5)以外的其他成分。
作為其他成分，例如可列舉一些雜質以及於採用鈣鈦礦化合物作為(1)的情況，構成鈣鈦礦化合物的元素成分所構成的具有非晶質構造的化合物、聚合引發劑。
其他成分的含有比例，對組成物的總質量而言，較理想為10質量%以下，更理想為5質量%以下，更加理想為1質量%以下。
〈硬化物〉
藉由上述本實施態樣的製造方法，可得到例如包含(1)、(2)及(4)，對硬化物的總質量而言(1)、(2)及(4)的合計含有比例為90質量%以上的硬化物。
於硬化物，對硬化物的總質量而言(1)、(2)及(4)的合計含有比例，可為95質量%以上，亦可為99質量%以上，亦可為100質量%。
硬化物可包含(5)，可為包含(1)、(2)、(4)及(5)，對硬化物的總質量而言(1)、(2)、(4)及(5)的合計含有比例為90質量%以上的硬化物。
於硬化物，對硬化物的總質量而言(1)、(2)、(4)及(5) 的合計含有比例，可為95質量%以上，亦可為99質量%以上，亦可為100質量%。
於硬化物，(1)分散於(4)較理想。
〈膜〉
本實施態樣的膜，係由包含(1)、(2)及(4)的組成物所構成的膜，具有海島狀相分離構造，於前述海島狀相分離構造，(4)存在於海狀的疏水性區域，(1)及(2)存在於島狀的親水性區域，前述島狀的親水性區域為0.1μm以上100μm以下的膜。而且，(1)為前述的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物較理想。
藉由上述本實施態樣的製造方法，可得到例如包含(1)、(2)及(4)，對膜的總質量而言(1)、(2)及(4)的合計含有比例為90質量%以上的膜。
於膜，對膜的總質量而言(1)、(2)及(4)的合計含有比例，可為95質量%以上，亦可為99質量%以上，亦可為100質量%。
膜可包含(5)，可為包含(1)、(2)、(4)及(5)，對膜的總質量而言(1)、(2)、(4)及(5)的合計含有比例為90質量%以上的膜。
於膜，對膜的總質量而言(1)、(2)、(4)及(5)的合計含有比例，可為95質量%以上，亦可為99質量%以上，亦可為100質量%。
於膜，(1)分散於(4)較理想。
膜的形狀，無特別限制，可為薄片狀、棒 狀等任意形狀。於本說明書，所謂「棒狀的形狀」，係指例如具有異向性的形狀。作為具有異向性的形狀，例如各邊的長度不同的板狀的形狀。
膜的厚度可為0.01μm~1000mm，亦可為0.1μm~10mm，亦可為1μm~1mm。
於本說明書，前述膜的厚度，可藉由測微器在任意3點測定，藉由算出其平均值而得。
膜可為單層，亦可為複數層。於複數層的情況，各層，可使用相同種的實施態樣的組成物，亦可使用互為不同種的實施態樣的組成物。
《海島狀相分離構造》
根據本實施態樣的製造方法所得之組成物、硬化物或膜，其特徵為具有海島狀相分離構造。
所謂海島狀相分離構造，係指具有互相不相溶的海狀的疏水性區域與島狀的親水性區域的相分離構造。
海狀的疏水性區域，係(3)及(4)存在的區域或(4)存在的區域，島狀的親水性區域係(1)被內包於(2)的粒子或其粒子的凝聚物存在的區域(以下稱為島狀相)。
藉由具有如此的構造，(2)吸附造成(1)劣化的原因之物質的氧、水分，保護(1)充分遮斷存在於其外部的氧、水分，被認為提高對水蒸氣的耐久性。
例如對組成物全體而言，(1)及(2)的合計調配比例或(1)及(2)的調配比例為前述範圍內的組成物，自然地產生(1)被內包於(2)的粒子或其粒子的凝聚物。
對(1)的全部數量而言，作為被內包於(2)的(1)的個數比例，較理想為30~100%，更理想為50~100%，更加理想為70~100%。
對(1)的全部數量而言，被內包於(2)的(1)的個數比例，例如可列舉使用TEM觀察硬化物或膜的方法。例如對於硬化物或膜，使用TEM觀察縱500μm、橫500μm的區域，在觀察的區域內，算出對(1)的全部數量而言之被內包於(2)的(1)的個數比例的方法。
於海島狀相分離構造及島狀的親水性區域，作為觀察被內包於(2)的(1)的形態的方法，例如可列舉使用SEM或TEM等觀察硬化物或膜的方法。再者，可藉由使用SEM或使用TEM的EDX測定，分析詳細的元素分佈。
島狀相的形狀為球狀、扭曲球狀、圍棋子狀或橄欖球狀等，無特別限制。在島狀相的平均尺寸，無特別限制，平均最大費雷特(Feret)直徑為0.1~100μm，較理想為0.1~30μm，更理想為0.1~20μm。藉由島狀相的平均最大費雷特直徑為0.1μm以上，可有效地遮斷來自外部的水分，可充分地保護存在於島狀相內部的(1)。在維持可見光透過率的觀點，島狀相的平均最大費雷特直徑為100μm以下較理想。作為算出平均最大費雷特直徑的方法，例如可列舉使用TEM觀察20個以上的島狀相，取得各島狀相的平均最大費雷特直徑的平均值的方法。
具體地，可列舉使用TEM觀察20個島狀相，取得各 島狀相的平均最大費雷特直徑的平均值的方法。
《半導體微粒子的分散性》
從提高組成物、硬化物或膜的發光特性的觀點，(1)具有高分散性較理想。作為評價(1)的分散性的方法，可列舉藉由TEM的觀察、X射線小角度散射法(以下亦稱為SAXS)、發光波長PLtop與帶端(以下亦稱為帶隙(bandgap))Eg的能量值的差的方法等。
《使用發光波長PLtop與帶端Eg的能量值的差之分散性D》
從已知的文獻(參考文獻：Nano Letters 2015,15,3692-3696頁)得知，(1)的平均粒徑變大時，引起帶端Eg的紅移(redshift)。平均粒徑小的(1)以高分散地存在的情況，發光波長PLtop與帶端Eg的能量值的差小。但是，(1)的分散性差，(1)凝聚，產生平均粒徑大的粒子時，引起帶端Eg的紅移，另一方面因發光波長PLtop不產生大的變化，發光波長PLtop與帶端Eg的能量值的差變大。
所以，由下述式(E1)，算出發光波長PLtop與帶端Eg的能量值的差D，由該值的大小，可評價(1)的分散性。
D=PLtop(eV)-Eg(eV)…式(E1)
從平均粒徑小的(1)以高分散地存在的觀點，D為0.20以下較理想，0.15以下更理想，0.12以下更加理想，0.10以下特別理想。
作為本發明的其他方面，從平均粒徑小的(1)以高分散地存在的觀點，D為0.0001以上0.20以下較理想，0.0002 以上0.15以下更理想，0.0005以上0.12以下更加理想，0.001以上0.10以下特別理想。
《發光波長PLtop》
發光波長PLtop，係在發光光譜，可使用發光為最大的波長換算為能量值(eV)的值。作為波長λ(nm)換算為能量值(eV)的式子，一般已知為下述式(E2)，使用下述式(E2)，可算出。
E(eV)=hc/λ=1240/λ(nm)…式(E2)
(E：能量值(eV)、h：普朗克常數、c：光速、λ：波長(nm))
《帶端Eg》
帶端Eg，係測定紫外光可見光吸收光譜，藉由使用從穿透率數據算出的光吸收係數α而算出之所謂Taus Plot方法而求得。使用下述式(E3)，αhν的平方根對hν作圖，求得Eg。
(α：光吸收係數、h：普朗克常數、ν：頻率、Eg：帶端(eV))
《半導體微粒子的濃度測定》
包含於分散液的(1)的量，係使用電感耦合電漿質譜儀ICP-MS(例如Perkin Elmer公司製，ELAN DRCII)及離子層析儀(例如Thermo Fisher Scientific公司製，Integrion)測定。
使用N,N-二甲基甲醯胺等的(1)的溶解度高的良溶劑 溶解(1)後，進行測定。
《發光光譜的測定》
本實施態樣的硬化物的發光光譜，係使用絕對PL量子產率測定裝置(例如Hamamatsu Photonics公司製，C9920-02)，激發光450nm，室溫、大氣下進行測定。
《量子產率的測定》
本實施態樣的硬化物的量子產率，係使用絕對PL量子產率測定裝置(例如Hamamatsu Photonics公司製，C9920-02)，激發光450nm，室溫、大氣下進行測定。
《紫外光可見光吸收光譜的測定》
本實施態樣的硬化物的紫外光可見光吸收光譜，係使用紫外光可見光近紅外線分光光度計(例如日本分光公司製，V-670)，室溫、大氣下進行測定。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
本實施態樣的組成物、硬化物及膜，以厚度100μm、1cm×1cm，包含於組成物、硬化物及膜的(1)的濃度調整為1000μg/mL的程度，放置於60~65℃的溫度、80~90%濕度為固定的恆溫恆濕槽中，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定試驗前後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(X’天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值進行評價。
本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的3天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，可為0.4以上，可為0.6以上，可為0.7 以上。
藉由上述測定方法測定的3天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，可為1.0以下。
作為本發明的其他方面，本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的3天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，較理想為0.4以上1.0以下，更理想為0.6以上1.0以下，更加理想為0.7以上1.0以下。
本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的5天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，可為0.3以上，可為0.4以上，可為0.5以上。
本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的5天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，可為1.0以下。
作為本發明的其他方面，本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的5天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，較理想為0.3以上1.0以下，更理想為0.4以上1.0以下，更加理想為0.5以上1.0以下。
本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的7天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，可為0.3以上，可為0.4以上，可為0.5以上。
本實施態樣的組成物、硬化物及膜，藉由上述測定方法測定的7天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，可為1.0以下。
作為本發明的其他方面，本實施態樣的組成物、硬化 物及膜，藉由上述測定方法測定的7天的對水蒸氣的耐久性試驗之對水蒸氣的耐久性，較理想為0.3以上1.0以下，更理想為0.4以上1.0以下，更加理想為0.5以上1.0以下。
〈積層構造體〉
關於本發明的積層構造體，具有複數層，至少一層為上述的膜。
積層構造體所具有的複數層中，作為上述膜以外的層，可列舉基板、阻隔層、光散射層等任意層。
積層的膜的形狀，無特別限制，可為薄片狀、棒狀等任意形狀。
(基板)
作為關於本發明的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉基板。
基板，無特別限制，可為膜，從取出發光的光的觀點，透明者較理想。作為基板，例如可使用聚對苯二甲酸乙二酯等聚合物、玻璃等習知的基板。
例如於積層構造體，上述的膜，可設置於基板上。
第1圖係表示關於本實施態樣的積層構造體的構成的剖面示意圖。第1積層構造體1a係於第1基板20與第2基板21之間，設置本實施態樣的膜10。膜10藉由密封層22密封。
本發明的一方面，係具有第1基板20、第2基板21、位於第1基板20與第2基板21之間的關於本實施態樣的膜10及密封層22的積層構造體，係以前述密封層配置於 前述膜10的不與前述第1基板20及第2基板21接觸的面上為特徵之積層構造體1a。
(阻隔層)
作為關於本發明的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉阻隔層。從保護前述的組成物、硬化物及膜免於外氣的水蒸氣及大氣中的空氣的觀點，可包含阻隔層。
阻隔層，無特別限制，從取出發光的光的觀點，透明者較理想。作為阻隔層，例如可使用聚對苯二甲酸乙二酯等聚合物、玻璃膜等習知的阻隔膜。
(光散射層)
作為關於本發明的積層構造體可具有的層，無特別限制，例如光散射層。從有效地利用入射光的觀點，可包含光散射層。
光散射層，無特別限制，從取出發光的光的觀點，透明者較理想。作為光散射層，可使用氧化矽粒子等光散射粒子、擴增擴散膜等習知的光散射層。
〈發光裝置〉
關於發光裝置，可將本實施態樣的組成物或前述積層構造體與光源配合而得。發光裝置，係從光源發出的光照射於設置於後段的組成物或積層構造體，使組成物或積層構造體發光，取出光的裝置。前述發光裝置之積層構造體所具有的複數層中，作為上述的膜、基板、阻隔層、光散射層以外的層，可列舉光反射構件、亮度強化部、稜鏡片、導光板、元件間的介質材料層等任意層。
本發明的一方面，係依序積層有稜鏡片50、導光板60、前述第一積層構造體1a、光源30的發光裝置2。
(光源)
構成關於本發明的發光裝置的光源，無特別限制，從使前述的組成物、硬化物、膜或積層構造體中的半導體微粒子發光的觀點，具有600nm以下的發光波長的光源較理想。作為光源，例如可使用藍色發光二極體等發光二極體(LED)、雷射、EL(電激發光)等習知的光源。
(光反射構件)
作為構成關於本發明的發光裝置的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉光反射構件。從光源的光朝向前述的組成物、硬化物、膜或積層構造體照射的觀點，可包含光反射構件。光反射構件，無特別限制，可為反射膜。
作為反射膜，例如可使用反射鏡、反射粒子的膜、反射金屬膜、反射體等習知的反射膜。
(亮度強化部)
作為構成關於本發明的發光裝置的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉亮度強化部。光的一部分朝向傳送的方向反射返回的觀點，可包含亮度強化部。
(稜鏡片)
作為構成關於本發明的發光裝置的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉稜鏡片。稜鏡片，代表性地具有基材部及稜鏡部。再者，基材部，依據鄰接的構件，也可省略。稜鏡片，可隔著任意適合的接著層(例如接著劑層、 黏著劑層)貼合於鄰接的構件。稜鏡片，係在與視覺認知側相反側(背面側)，排列成為凸狀的複數單位稜鏡所構成。藉由稜鏡片的凸部朝向背面側配置，穿透稜鏡片的光變得容易地聚光。而且，只要是稜鏡片的凸部朝向背面側配置，與凸部朝向視覺認知側配置比較，不入射稜鏡片而反射的光少，可得到亮度高的顯示器。
(導光板)
作為構成關於本發明的發光裝置的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉導光板。作為導光板，例如可使用從橫方向的光可能偏向厚度方向地，在背面側形成透鏡圖形的導光板，在背面側及/或視覺認知側形成稜鏡形狀等的導光板等任意適合的導光板。
(元件間的介質材料層)
作為構成關於本發明的發光裝置的積層構造體可具有的層，無特別限制，可列舉在鄰接的元件(層)間的光路徑上包含1種以上的介質材料的層(元件間的介質材料層)。
包含於元件間的介質材料層的1種以上的介質，無特別限制，包括真空、空氣、氣體、光學材料、接著劑、光學接著劑、玻璃、聚合物、固體、液體、膠質、硬化材料、光學結合材料、折射率匹配或折射率不匹配材料、折射率梯度材料、包層材料或反包層材料、間隔子、矽膠、亮度強化材料、散射或擴散材料、反射或抗反射材料、波長選擇性材料、波長選擇性抗反射材料、彩色濾光片或前述技術領域已知的適合介質。
作為關於本發明的發光裝置的具體例，例如可列舉具備EL顯示器、液晶顯示器用的波長轉換材料者。
具體地，可列舉(e1)本發明的組成物放入玻璃管等之中密封，將其沿著導光板的端面(側面)，配置於光源的藍色發光二極體與導光板之間，將藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光源(側照方式(on-edge)的背光源)；(e2)本發明的組成物片化，以2片阻隔膜夾住而密封的膜，設置於導光板上，放置於導光板的端面(側面)之藍色發光二極體通過導光板而照射於前述片的藍色光，轉換為綠色光、紅色光的背光源(表面安裝方式的背光源)；(e3)本發明的組成物分散於樹脂等，設置於藍色發光二極體的發光部附近，照射的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光源(晶載(on-chip)方式的背光源)；以及(e4)本發明的組成物分散於樹脂中，設置於彩色濾光片上，從光源照射的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光源。
而且，作為關於本發明的發光裝置的具體例，可列舉將本發明的實施態樣的組成物成形，配置於光源的藍色發光二極體的後段，將藍色光轉換為綠色光、紅色光而發出白色光的照明。
〈顯示器〉
如第2圖所示，本實施態樣的顯示器3，從視覺認知 側依序具備液晶面板40、前述的發光裝置2。發光裝置2，具備第2的積層構造體1b及光源30。第2的積層構造體1b，係前述第1積層構造體1a又具備稜鏡片50及導光板60者。顯示器，可再具備任意適合的其他構件。
本發明的一方面，係依序積層液晶面板40、稜鏡片50、導光板60、前述第1積層構造體1a及光源30之液晶顯示器3。
(液晶面板)
上述液晶面板，代表地具備液晶胞、配置於前述液晶胞的視覺認知側的視覺認知側偏光板及配置於前述液晶胞的背面側的背面側偏光板。視覺認知側偏光板及背面側偏光板，可配置成為各自的吸收軸實質上垂直或平行。
(液晶胞)
液晶胞，具備一對基板及夾持於前述基板間的作為顯示介質之液晶層。於一般的構成，在一基板設置彩色濾光片及黑色矩陣，於另一基板設置調控液晶的電光學特性的開關元件及對該開關元件賦予閘極訊號的掃描線及賦予源極訊號的訊號線與畫素電極及對向電極。上述基板的間隔(胞間隙)，可藉由間隔子(spacer)等調控。與上述基板的液晶層相接側，例如可設置包含聚醯亞胺之配向膜等。
(偏光板)
偏光板，代表性地具有偏光子及配置於偏光子兩側的保護層。偏光子代表性地為吸收型偏光子。
作為上述偏光子，使用任意適合的偏光子。例如可列 舉於聚乙烯醇系膜、部分甲醛化聚乙烯醇系膜、乙烯‧乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜，使碘、二色性染料等二色性物質吸附，進行一軸延伸者；聚乙烯醇的脫水處理物、聚氯乙烯的脫鹽酸處理物等聚烯系配向膜等。該等之中，碘等二色性物質吸附於聚乙烯醇系膜的一軸延伸的偏光子，偏光二色比高，特別理想。
作為本發明的組成物的用途，例如可列舉發光二極體(LED)用的波長轉換材料。
〈LED〉
本發明的組成物，例如，可使用作為LED的發光層的材料。
作為包含本發明的組成物的LED，例如可列舉本發明的組成物與ZnS等導電性粒子混合，積層為膜狀，在單面積層n型傳輸層，另一單面積層p型傳輸層的構造，電流流過，藉由p型半導體的電洞與n型半導體的電子在接合面的包含於組成物的(1)及(2)的粒子中電荷消滅而發光的方式。
〈太陽電池〉
本發明的組成物，可利用作為包含於太陽電池的活性層的電子傳輸性材料。
作為前述太陽電池，其構成無特別限制，例如可列舉依序具有氟摻雜的氧化錫(FTO)基板、氧化鈦緻密層、多孔性氧化鋁層、包含本發明的組成物的活性層、2,2’,7,7’-四(N,N’-二-對-甲氧基苯基胺)-9,9’-螺雙茀 (Spiro-MeOTAD)等電洞傳輸層及銀(Ag)電極的太陽電池。
氧化鈦緻密層，係具有電子傳輸功能、抑制FTO的粗糙度的效果及抑制反電子移動的功能。
多孔性氧化鋁層，具有提高光吸收效率的功能。
包含於活性層的本發明的組成物，具有電荷分離及電子傳輸的功能。
再者，本發明的技術範圍，不限於上述的實施態樣，在不脫離本發明的主旨的範圍下，可附加各種變更。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例，更具體地說明本發明，但本發明不限於以下的實施例。
《鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形的測定》
實施例及比較例所得之沈澱物的X射線繞射圖形的測定，使用X射線繞射裝置(以下亦稱為XRD)(PANalytical公司製，X’Prt PRO)進行。將所得之沈澱物填充於專用的基板，使用Cu-Kα線源，在繞射角2θ=10°~90°的範圍進行測定，得到X射線繞射圖形。使用X射線繞射圖形的綜合分析軟體JADE5，分析X射線繞射圖形的繞射峰。
《半導體微粒子的濃度測定》
實施例及比較例所得之分散液之半導體微粒子的濃度，分別使半導體微粒子再分散所得之包含半導體微粒子及溶劑的分散液，藉由添加N,N-二甲基甲醯胺，使半導體 微粒子溶解後，使用ICP-MS(Perkin Elmer公司製，ELAN DRCII)及離子層析儀(例如Thermo Fisher Scientific公司製，Integrion)測定。
《分散性D的評價》
測定實施例及比較例所得之硬化物的發光光譜及紫外光可見光吸收光譜，算出各發光波長PLtop、帶端Eg，使用式(E1)，評價半導體微粒子的分散性D。發光光譜，係使用絕對PL量子產率測定裝置(例如Hamamatsu Photonics公司製，C9920-02)，激發光450nm，室溫、大氣下進行測定。紫外光可見光吸收光譜，係使用紫外光可見光近紅外光分光光度計(例如日本分光公司製，V-670)，室溫、大氣下進行測定。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
實施例1、2所得之硬化物，放置於65℃的溫度、95%濕度下固定的恆溫恆濕槽中7天，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值進行評價。
實施例3~6所得之硬化物，放置於60℃的溫度、80%濕度為固定的恆溫恆濕槽中7天，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性測試前的量子 產率)的值進行評價。
實施例7~9所得之硬化物，放置於60℃的溫度、80%濕度為固定的恆溫恆濕槽中3天，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值進行評價。
實施例10、11所得之硬化物，放置於60℃的溫度、80%濕度為固定的恆溫恆濕槽中5天，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定5天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(5天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值進行評價。
比較例1、2所得之硬化物，放置於65℃的溫度、95%濕度為固定的恆溫恆濕槽中7天，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值進行評價。
比較例3所得之硬化物，放置於60℃的溫度、80%濕度為固定的恆溫恆濕槽中3天，進行對水蒸氣的耐久性試驗。測定3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率，作為對水蒸氣的耐久性指標，使用(3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產 率)的值進行評價。
《量子產率的測定》
實施例及比較例所得之硬化物的量子產率，係使用絕對PL量子產率測定裝置(例如Hamamatsu Photonics公司製，C9920-02)，激發光450nm，室溫、大氣下進行測定。
《藉由TEM的觀察》
實施例及比較例所得之分散液之半導體微粒子，使用穿透型電子顯微鏡(日本電子公司製，JEM-220FS)觀察。觀察用的樣品，係於附有支持膜的格柵滴入分散液，使其乾燥後，加速電壓為20kV，進行觀察。半導體微粒子的平均粒徑為20個半導體微粒子的最大費雷特(Feret)直徑的平均值。
實施例及比較例所得之硬化物，使用穿透型電子顯微鏡(日本電子公司製，JEM-220FS)觀察。觀察用的樣品，係在室溫以環氧樹脂包埋者，用自動切斷機Isomet切出，以切片機製作成為薄片。樣品切片在附有支持膜的格柵採樣後，加速電壓為200kV，進行觀察。
於觀察島狀相的硬化物，平均最大費雷特直徑為20個島狀相的最大費雷特直徑的平均值。
(組成物的合成)
[實施例1]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.276g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛分散液。
將溴化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為11nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液1。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液1中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液1與有機聚矽 氮烷(Durazane 1500 Slow Cure，默克先進科技材料公司製)混合後，包含鈣鈦礦化合物、有機聚矽氮烷及溶劑的混合液1 0.3g與上述聚合物溶解的溶液1.83g混合，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物1。於組成物1，莫耳比為Si/Pb=76.0。
再者，上述的組成物1 1.13g滴入平盤(φ32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物1(膜1)。硬化物1(膜1)的膜厚為110μm。硬化物1(膜1)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物1(膜1)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為523.0nm。換算能量值時為2.37eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物1(膜1)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.31eV。
《分散性D的評價》
硬化物1(膜1)的分散性D為0.06eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物1(膜1)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.80(80%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物1(膜1)。觀察所得的影像如第3 圖所示。得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為500nm。
[實施例2]
準備InP/ZnS(係指被ZnS包覆的InP)芯殼型半導體微粒子的分散液2(SIGMA-ALDRICH公司製，產品編號776750)。
藉由ICP-MS及離子層析儀測定的分散液2中的InP/ZnS的濃度為4200ppm(μg/g)。
用TEM觀察的半導體微粒子的平均最大費雷特直徑為8nm。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含InP/ZnS芯殼型半導體微粒子及溶劑的分散液20.45g與上述聚合物溶解的溶液0.98g混合後，再混合有機聚矽氮烷(Durazane 1500 Slow Cure，默克先進科技材料公司製)，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物2。於組成物2，莫耳比為Si/Pb=110。
再者，上述的組成物2滴入平盤(φ32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到InP/ZnS芯殼型半導體微粒子的濃度為10000μg/mL的硬化物2(膜2)。硬 化物2(膜2)的膜厚為90μm。硬化物2(膜2)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物2(膜2)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為537.9nm。換算能量值時為2.31eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物2(膜2)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.29eV。
《分散性D的評價》
硬化物2(膜2)的分散性D為0.02eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物2(膜2)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.59(59%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物2(膜2)。觀察所得的影像如第4圖所示。得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，InP/ZnS芯殼型半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為800nm。
實施例1及2的結果表示於表1。
[實施例3]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.276g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛分散液。
將溴化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為11nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液3。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液3中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液3與有機聚矽氮烷(Durazane 1500 Rapid Cure，默克先進科技材料公司製)混合。於混合液，莫耳比為Si/Pb=20.0。上述混合液在25℃、80%的濕度條件，用攪拌器一邊攪拌，進行1天的改質處理，得到混合液3。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物、有機聚矽氮烷改質物及溶劑的混合液3 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物3。
再者，上述的組成物3 1.13g滴入平盤( 32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物3(膜3)。硬化物3(膜3)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物3(膜3)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為523.2nm。換算能量值時為2.37eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物3(膜3)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外充分光光度計測定時，帶端Eg為2.31eV。
《分散性D的評價》
硬化物3(膜3)的分散性D為0.06eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物3(膜3)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.79(79%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物3(膜3)。觀察所得的影像如第5圖所示。得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為500nm。
[實施例4]
除混合液的莫耳比為Si/Pb=66.8以外，與上述實施例3相同的方法，得到1cm×1cm的尺寸之硬化物4(膜4)。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物4(膜4)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為524.5nm。換算能量值時為2.36eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物4(膜4)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.35eV。
《分散性D的評價》
硬化物4(膜4)的分散性D為0.01eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物4(膜4)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.78(78%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物4(膜4)時，得知形成海島狀相分 離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為600nm。
[實施例5]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.276g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛分散液。
將溴化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為11nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液5。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液5中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液5與有機聚矽氮烷(Durazane 1500 Slow Cure，默克先進科技材料公司製)混合。於混合液，莫耳比為Si/Pb=76.0。上述混合液在25℃、80%的濕度條件，用攪拌器一邊攪拌，進行1天的改質處理，得到混合液5。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物、有機聚矽氮烷改質物及溶劑的混合液5 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物5。
再者，上述的組成物5 1.13g滴入平盤( 32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物5(膜5)。硬化物5(膜5)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物5(膜5)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為522.0nm。換算能量值時為2.38eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物5(膜5)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光 可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.33eV。
《分散性D的評價》
硬化物5(膜5)的分散性D為0.05ev。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物5(膜5)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.87(87%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物5(膜5)。觀察所得的影像如第6圖所示。得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為1100nm。
[實施例6]
除混合液的莫耳比為Si/Pb=228以外，與上述實施例5相同的方法，得到1cm×1cm的尺寸之硬化物6(膜6)。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物6(膜6)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為522.7nm。換算能量值時為2.37eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物6(膜6)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.36eV。
《分散性D的評價》
硬化物6(膜6)的分散性D為0.01eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物6(膜6)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.93(93%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物6(膜6)時，得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為1200nm。
實施例3~6的結果表示於表2。
[實施例7]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時， 調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.110g、碘化鉛0.208g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛-碘化鉛分散液。
將溴化鉛-碘化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為19nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液7。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液7中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液7與有機聚矽氮烷(Durazane 1500 Rapid Cure，默克先進科技材料公司製)混合。於混合液，莫耳比為Si/Pb=10.6。上述 混合液在25℃、80%的濕度條件，用攪拌器一邊攪拌，進行1天的改質處理，得到混合液7。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物、有機聚矽氮烷改質物及溶劑的混合液7 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物7。
再者，上述的組成物7 1.13g滴入平盤( 32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物7(膜7)。硬化物7(膜7)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物7(膜7)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為632.1nm。換算能量值時為1.96eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物7(膜7)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為1.93eV。
《分散性D的評價》
硬化物7(膜7)的分散性D為0.03eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物7(膜7)的量子產率時，使用(3天的對水蒸 氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.62(62%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物7(膜7)。觀察所得的影像如第7圖所示。得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為800nm。
[實施例8]
除混合液的莫耳比為Si/Pb=31.8以外，用與上述實施例7相同的方法，得到1cm×1cm的尺寸之硬化物8(膜8)。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物8(膜8)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為617.8nm。換算能量值時為2.00eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物8(膜8)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為1.98eV。
《分散性D的評價》
硬化物8(膜8)的分散性D為0.02eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物8(膜8)的量子產率時，使用(3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗 前的量子產率)的值為0.77(77%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物8(膜8)時，得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為500nm。
[實施例9]
除混合液的莫耳比為Si/Pb=53.0以外，用與上述實施例7相同的方法，得到1cm×1cm的尺寸之硬化物9(膜9)。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物9(膜9)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為611.3nm。換算能量值時為2.03eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物9(膜9)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.00eV。
《分散性D的評價》
硬化物9(膜9)的分散性D為0.03eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物9(膜9)的量子產率時，使用(3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.86(86%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物9(膜9)時，得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為700nm。
實施例7~9的結果表示於表3。
[實施例10]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.276g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛分散液。
將溴化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為11nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液10。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液10中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液10與八 甲基環四矽氮烷(東京化成工業公司製)混合。於混合液，莫耳比為Si/Pb=91.4。上述混合液在25℃、80%的濕度條件，用攪拌器一邊攪拌，進行1天的改質處理，得到混合液10。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物、有機聚矽氮烷改質物及溶劑的混合液10 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物10。
再者，上述的組成物10 1.13g滴入平盤( 32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物10(膜10)。硬化物10(膜10)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物10(膜10)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為521.7nm。換算能量值時為2.38eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物10(膜10)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.29eV。
《分散性D的評價》
硬化物10(膜10)的分散性D為0.09eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物10(膜10)的量子產率時，使用(5天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.67(67%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物10(膜10)，得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為1500nm。
[實施例11]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.276g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛分散液。
將溴化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為11nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液11。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液11中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液11與全氫聚矽氮烷(AZNN-120-20，默克先進科技材料公司製)混合。於混合液，莫耳比為Si/Pb=10.4。上述混合液在25℃、80%的濕度條件，用攪拌器一邊攪拌，進行1天的改質處理，得到混合液11。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂、MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物、有機聚矽氮烷改質物及溶劑的混合液11 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物11。
再者，上述的組成物11 1.13g滴入平盤( 32mm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化 合物的濃度為1000μg/mL的硬化物11(膜11)。硬化物11(膜11)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物11(膜11)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為522.5nm。換算能量值時為2.37eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物11(膜11)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.34eV。
《分散性D的評價》
硬化物11(膜11)的分散性D為0.03eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物11(膜11)的量子產率時，使用(5天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.70(70%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物11(膜11)，得知形成海島狀相分離構造。使用TEM進行EDX測定時，島狀相為聚矽氮烷，海狀相為PMMA。再者，鈣鈦礦化合物的半導體微粒子存在於島狀相內。島狀相的平均最大費雷特直徑為1000nm。
實施例10及11的結果表示於表4。
[比較例1]
準備InP/ZnS芯殼型半導體微粒子的分散液2(SIGMA-ALDRICH公司製，產品編號776750)。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含InP/ZnS芯殼型半導體微粒子及溶劑的分散液2 1.3g調整至40℃，在攪拌狀態下，添加全氫聚矽氮烷(AZNN-120-20，默克先進科技材料公司製)39μL，然後在40℃攪拌1小時。所得之混合液12在減壓下乾燥，得到包含全氫聚矽氮烷的半導體微粒子。
使InP/ZnS的重量含有率成為1%的方式，混合上述包含全氫聚矽氮烷的半導體微粒子與上述聚合物溶解的溶液，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物12。
再者，上述的組成物12 0.98g滴入平盤( 32mm)，在60℃靜置12小時，使甲苯蒸發，得到硬化物12(膜12)。硬化物12(膜12)的膜厚為100μm。硬化物12(膜12)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物12(膜12)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為537.9nm。換算能量值時為2.31eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物12(膜12)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.23eV。
《分散性D的評價》
硬化物12(膜12)的分散性D為0.08eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物12(膜12)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.53(53%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物12(膜12)時，InP/ZnS核殼型半導體微粒子為核，全氫聚矽氮烷為殼，在一個一個InP/ZnS芯殼型半導體微粒子的周圍的數nm，存在全氫聚矽氮烷，沒有形成島狀相為聚矽氮烷、海狀相為PMMA之海島狀相分離構造。
[比較例2]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.276g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛分散液。
將溴化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫， 得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為11nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液13。
藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液13中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液13 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合後，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物13。
再者，上述的組成物13的全部量滴入鋁製的杯中( 4.5cm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物13(膜 13)。硬化物13(膜13)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物13(膜13)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為519.0nm。換算能量值時為2.38eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物13(膜13)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光光度計測定時，帶端Eg為2.22eV。
《分散性D的評價》
硬化物13(膜13)的分散性D為0.16eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物13(膜13)的量子產率時，使用(7天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.00(0%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物13(膜13)時，沒有形成海島狀相分離構造。
[比較例3]
混合碳酸銫0.814g、1-十八烯40毫升與油酸2.5毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在150℃加熱1小時，調製碳酸銫溶液。
混合溴化鉛0.110g、碘化鉛0.208g與1-十八烯20毫升。用磁力攪拌器攪拌，一邊流氮氣一邊在120℃加熱1 小時後，添加油酸2毫升及油基胺2毫升，調製溴化鉛-碘化鉛分散液。
將溴化鉛-碘化鉛分散液升溫至160℃後，添加上述碳酸銫溶液1.6毫升。添加後，反應容器浸漬於冰水，降溫至室溫，得到鈣鈦礦化合物沈澱的分散液。
然後，將鈣鈦礦化合物沈澱的分散液，以10000rpm進行5分鐘的離心分離，藉由傾析法分取沈澱物，得到鈣鈦礦化合物。
鈣鈦礦化合物的X射線繞射圖形，用XRD測定時，在2θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的峰，確認具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造。
以TEM觀察的鈣鈦礦化合物的最大費雷特直徑(平均粒徑)為19nm。
鈣鈦礦化合物分散於甲苯5毫升後，分取分散液500μL，再分散於甲苯4.5毫升，得到包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液14。藉由ICP-MS及離子層析測定的分散液14中的鈣鈦礦化合物的濃度為1500ppm(μg/g)。
然後，甲基丙烯酸樹脂(PMMA，住友化學公司製，SUMIPEX甲基丙烯酸樹脂，MH，分子量約12萬，比重1.2g/毫升)以成為16.5質量%的方式，混合PMMA與甲苯後，在60℃加熱3小時，得到聚合物溶解的溶液。
上述包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液14 0.15g與上述聚合物溶解的溶液0.913g混合後，得到包含(1)、(2)、(3)及(4)的組成物14。
再者，上述的組成物14的全部量滴入鋁製的杯中( 4.5cm)，在室溫靜置12小時，以自然乾燥使甲苯蒸發，得到鈣鈦礦化合物的濃度為1000μg/mL的硬化物14(膜14)。硬化物14(膜14)切為1cm×1cm的尺寸。
《發光波長PLtop的測定》
硬化物14(膜14)的發光光譜，使用絕對PL量子產率測定裝置測定時，發光波長PLtop為626.2nm。換算能量值時為1.98eV。
《帶端Eg的測定》
硬化物14(膜14)的紫外光可見光吸收光譜，使用紫外光可見光近紅外光分光度計測定時，帶端Eg為1.77eV。
《分散性D的評價》
硬化物14(膜14)的分散性D為0.21eV。
《對水蒸氣的耐久性的評價》
測定硬化物14(膜14)的量子產率時，使用(3天的對水蒸氣的耐久性試驗後的量子產率)/(對水蒸氣的耐久性試驗前的量子產率)的值為0.04(4%)。
《TEM的觀察》
用TEM觀察硬化物14(膜14)時，沒有形成海島狀相分離構造。
比較例1~3的結果表示於表5。
於實施例，藉由使用本案實施態樣所得之組成物，無需進行預先混合(1)與(2)而使其反應的步驟以及藉由乾燥所得之反應生成物而得到經以(2)覆蓋(1)的步驟，可製造對水蒸氣具有耐久性的硬化物。
[參考例1]
實施例1~11記載的硬化物1~11，放入玻璃管等密封，將其配置於光源的藍色發光二極體與導光板之間，可製造藍色發光二極體的藍色光可轉換為綠色光、紅色光的背光源。
[參考例2]
將實施例1~11記載的硬化物1~11片化，可得到樹脂組成物，以2片阻隔膜夾住而密封的膜，設置於導光板上，放置於導光板的端面(側面)之藍色發光二極體通過導光板而照射於前述片，可製造藍色光可轉換為綠色光、紅色光的背光源。
[參考例3]
藉由實施例1~11記載的硬化物1~11設置於藍色發光二極體的發光部附近，可製造照射的藍色光可轉換為綠色光、紅色光的背光源。
[參考例4]
實施例1~11記載的組成物1~11與阻劑混合後，藉由除去溶劑，可得到波長轉換材料。所得之波長轉換材料，藉由配置於光源的藍色發光二極體與導光板之間、或光源的OLED的後段，可製造光源的藍色光可轉換為綠色光、紅色光的背光源。
[參考例5]
實施例1~11記載的組成物1~11與ZnS等導電性粒子混合後成膜，在單面積層n型傳輸層，另一單面積層p型傳輸層，得到LED。藉由流過電流，p型半導體的電洞 與n型半導體的電子在接合面的鈣鈦礦化合物中因電荷抵消而可發光。
[參考例6]
於氟摻雜的氧化錫(FTO)基板的表面上，積層氧化鈦緻密層，於其上積層多孔性氧化鋁層，在其上積層實施例1~11記載的組成物1~11，除去溶劑後，於其上積層2,2’,7,7’-四(N,N’-二-對-甲氧基苯基胺)-9,9’-螺雙茀(Spiro-MeOTAD)等的電洞傳輸層，於其上積層銀(Ag)層，製作太陽電池。
[參考例7]
實施例1~11記載的組成物1~11與樹脂混合後，除去溶劑，藉由成形，可得到包含本發明的組成物的樹脂組成物，將其設置於藍色發光二極體的後段，製造從藍色發光二極體照射於前述樹脂成形體的藍色光轉換為綠色光、紅色光而發出白色光的雷射二極體照明。
[參考例8]
藉由實施例1~11記載的硬化物1~11設置於藍色發光二極體的後段，製造從藍色發光二極體照射於前述樹脂成形體的藍色光轉換為綠色光、紅色光而發出白色光的雷射二極體。
[產業上的利用可能性]
根據本發明，可提供對水蒸氣具有耐久性的組成物、硬化物及膜，以簡單的步驟製造的方法以及藉由前述製造方法製造的組成物。
所以，包含本發明的組成物之積層構造體及使用前述組成物的顯示器，可適合使用於發光用途。

Claims (9)

  1. 一種膜，其係由包含(1)、(2)及(4)的組成物所構成的膜，具有海島狀相分離構造；於前述海島狀相分離構造，(4)存在於海狀的疏水性區域，(1)及(2)存在於島狀的親水性區域；前述島狀的親水性區域為0.1μm以上100μm以下；(1)為具有發光性的半導體微粒子；(2)為矽氮烷或其改質物；(4)為聚合性化合物或聚合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之膜，其中(1)為具有以A、B及X為構成成分的鈣鈦礦型結晶構造的化合物；A係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的六面體的各頂點的成分，且為1價陽離子；X表示於鈣鈦礦型結晶構造中，位於以B為中心的八面體的各頂點的成分，且為自鹵化物離子及硫氰酸離子所組成之群組選擇的至少1種的陰離子；B係於鈣鈦礦型結晶構造中，位於將A配置於頂點的六面體及將X配置於頂點的八面體的中心的成分，且為金屬離子。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之膜，其中發光波長PLtop與帶端Eg的能量值的差D為0.2以下。
  4. 一種組成物的製造方法，包括：在(3)的存在下，混合(1)、(2)及(4)的步驟； (1)為具有發光性的半導體微粒子；(2)為矽氮烷或其改質物；(3)為溶劑；(4)為聚合性化合物或聚合物。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之組成物的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；以及將前述分散液與(2)及(4)混合的步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之組成物的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2)混合而得到混合液的步驟；以及將前述混合液與(4)混合的步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之組成物的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合而得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理而得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；以及將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4)混合的步驟；其中(2’)為矽氮烷。
  8. 一種硬化物的製造方法，包括： 使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合而得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理而得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4”)混合而得到組成物的步驟；以及從前述組成物除去(3)的步驟；其中(1)為具有發光性的半導體微粒子；(2’)為矽氮烷；(3)為溶劑；(4”)為聚合物。
  9. 一種膜的製造方法，包括：使(1)分散於(3)而得到分散液的步驟；將前述分散液與(2’)混合而得到混合液的步驟；對前述混合液實施改質處理而得到包含矽氮烷改質物的混合液的步驟；將前述包含矽氮烷改質物的混合液與(4”)混合而得到組成物的步驟；塗佈前述組成物於基板而得到塗佈膜的步驟；以及從前述塗佈膜除去(3)的步驟；其中(1)為具有發光性的半導體微粒子； (2’)為矽氮烷；(3)為溶劑；(4”)為聚合物。
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