TW201832371A - 光耦合裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供一種就毛細管與同為玻璃素材的光纖之氣密性，氣密性較高之光耦合裝置。 本發明係一種光耦合裝置，其具備：光纖11，其端部為被覆113之一部分經去除之裸光纖，且於其餘之被覆113之端部113a周邊之裸光纖及被覆113之周緣經施作金屬鍍覆21；毛細管，其於貫通孔之一端將裸光纖之端部定位，於貫通孔之另一端134配置經施作金屬鍍覆21之光纖之被覆113之端部113a，於貫通孔之另一端134之內壁面136經施作金屬鍍覆22；及焊料31，其將配置於貫通孔之另一端之光纖11與貫通孔之內壁之間隙密封。
Description
本發明係關於一種用以將光纖連接於光電路之光耦合裝置。
曾經提出有一種用以將光纖與光零件連接之光耦合裝置(參照例如專利文獻1)。專利文獻1之光耦合裝置係將具有導出光纖所需之最小限度之寬度之舌片狹縫配置於殼體內側，且於殼體與舌片狹縫之間填充密封劑，並使其軟化，以便可以少量之密封劑密封光零件之殼體之開口部。 專利文獻1之光耦合裝置係使用採用環氧系接著劑等樹脂之接著劑作為密封劑。又，於專利文獻1之光耦合裝置中，將光纖直接固定。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2016-145931號公報
[發明所欲解決之問題] 伴隨光零件之小型化或性能之提昇，而要求較使用樹脂之接著劑更高之氣密性。又，若將光纖直接固定於殼體，則於處理光零件時，存在使光纖破損之可能性。 因此，本發明之目的在於，於用以將光纖與光零件連接之光耦合裝置中，提昇氣密性且防止光纖之破損。 [解決問題之技術手段] 本發明之光耦合裝置具備：光纖，其端部為被覆之一部分經去除之裸光纖，且於其餘之被覆之端部周邊之裸光纖及被覆之周緣經施作金屬鍍覆；毛細管，其於貫通孔之一端定位上述裸光纖之端部，於上述貫通孔之另一端配置經施作上述金屬鍍覆之上述光纖之被覆之端部，於上述貫通孔之另一端之內壁面經施作金屬鍍覆；及焊料，其將配置於上述貫通孔的另一端之上述光纖與上述貫通孔之內壁之間隙密封。 本發明之光耦合裝置具備：光纖，其端部為被覆之一部分經去除之裸光纖；毛細管，其將上述裸光纖之端部於貫通孔之一端定位，於上述貫通孔之另一端配置上述光纖之其餘被覆之端部；及低熔點玻璃，其將配置於上述貫通孔內之上述裸光纖與上述貫通孔之內壁之間隙密封，且熔點低於上述裸光纖及上述毛細管。 又，於本發明之光耦合裝置中，上述毛細管之上述貫通孔之另一端可為錐形形狀。 又，於本發明之光耦合裝置中，可將上述裸光纖之端部以較上述貫通孔之另一端更狹窄之間隙定位於該貫通孔之一端。 又，於本發明之光耦合裝置中，上述光纖具備：第1光纖；及第2光纖，其具有數值孔徑高於上述第1光纖之纖芯，且一端熔合連接於上述第1光纖；於上述貫通孔內，配置有上述第1光纖及上述第2光纖之熔合連接部分，並且上述第2光纖之端部以較貫通孔之另一端更狹窄之間隙定位於該貫通孔之一端，上述貫通孔之上述熔合連接部分之內徑可大於上述第2光纖之另一端部附近之內徑。 又，於本發明之光耦合裝置中，可於上述毛細管之側面經施作金屬鍍覆。 再者，上述各發明可儘可能地加以組合。 [發明之效果] 根據本發明，於用以連接光纖與光零件之光耦合裝置中，可提昇氣密性且防止光纖之破損。
以下，對於本發明之實施形態，一面參照圖式一面詳細地進行說明。再者，本發明並非限定於以下所示之實施形態者。該等實施例僅為例示，本發明可以基於業者之知識施行各種變更、改良之形態實施。再者，本說明書及圖式中符號相同之構成要素表示彼此相同者。 (實施形態1) 於圖1表示本實施形態之光耦合裝置搭載於殼體之搭載例。於圖2表示本實施形態之光耦合裝置之放大圖。於圖3表示圖1之A-A'剖視圖。本實施形態之光耦合裝置具備光纖11及毛細管13。於本實施形態中，作為一例，如圖3所示，表示光耦合裝置係配置有複數根光纖11之光纖矩陣之情形。 為提昇氣密性，較佳為使用焊料31密封光纖11及毛細管13之間隙。然而，光纖11及毛細管13因以玻璃素材形成，故存在與焊料31之間產生間隙之可能性。因此，本實施形態之光耦合裝置藉由對光纖11及毛細管13施作金屬鍍覆，而防止與焊料31之間之間隙。 光纖11之端部成為去除被覆113而成之裸光纖。毛細管13具有配置光纖11之貫通孔。將光纖11之裸光纖整體配置於貫通孔。藉此，本實施形態之光耦合裝置可防止光纖11之破損。 於配置於貫通孔之端面133側之一端配置有光纖11之端部即裸光纖之端面114。貫通孔其端面133側窄於端面134側，且於端面133內之貫通孔之位置定位光纖11之端面114之位置。裸光纖之端面114與未圖示之光電路連接。裸光纖之端面114為避開端面114之反射，較佳為施作8°研磨或防反射膜。又，作為連接於裸光纖之端面114之光電路，列舉隔離器、LD(Laser Diode：雷射二極體)晶片。 對光纖11中之配置於貫通孔之端面134側之部分之周緣施作金屬鍍覆21。對貫通孔之端面134側之內壁面136施作金屬鍍覆22。如圖3所示，以焊料31密封施作於光纖11之金屬鍍覆21與施作於內壁面136之金屬鍍覆22之間隙。 被覆113之端部113a較佳為配置於毛細管13之貫通孔內。例如，從被覆部之端部113a至裸光纖之端面114之長度L114
短於毛細管13之貫通孔之長度L13
。於該情形時，較佳為對被覆113之端部113a周邊之裸光纖及被覆113之周緣施作金屬鍍覆21。 於經施作金屬鍍覆21之被覆113配置於毛細管13之貫通孔內之情形時，較佳為，貫通孔之端面134側為錐形形狀。藉此，容易將光纖11向貫通孔配置。於該情形時，較佳為對經施作為錐形之內壁面136施作金屬鍍覆22。藉此，於光纖11之被覆113及內壁面136之間形成焊料31時，因焊料31積存於錐形形狀之內壁面136，故容易在被覆113之金屬鍍覆21b與毛細管13之金屬鍍覆22之間隙形成焊料31，從而可消除光纖11與內壁面136之間隙131。 又，毛細管13係於側面135施作金屬鍍覆23。於將光耦合裝置組裝至殼體14時，為提昇氣密性，較佳為，以焊料32密封毛細管13之側面135與殼體14之間隙。於該情形時，可藉由於毛細管13之側面135施作金屬鍍覆23，而以較高之氣密性密封毛細管13與殼體14之間隙。 金屬鍍覆23係設置於與殼體14固定之區域A14
。可藉由以焊料32填充殼體14與金屬鍍覆23之間隙，而密封殼體14與毛細管13之間隙。較佳為，對大於區域A14
之範圍施作金屬鍍覆23。藉此，可防止焊料32造成金屬鍍覆23之剝離。例如，較佳為，金屬鍍覆23設置於毛細管13之外周整體。 較佳為，貫通孔之端面134側之端部以接著劑41填充。接著劑41以覆蓋被覆113之周緣之方式配置。藉此，可減少接著劑41之應力直接賦予至光纖11之比例，從而改善極化波消光比，並且防止光纖11之破損。 作為用於金屬鍍覆21、22、23之金屬鍍覆可列舉鍍金、鍍Au(金)/Sn(錫)、鍍Cu(銅)。又，於施作金屬鍍覆21、22及23時，可藉由離子鍍覆法或無電解鍍覆、濺鍍等，對裸光纖、被覆之周緣113b、貫通孔之內壁136、毛細管之側面135施作。作為金屬鍍覆21、22及23之金屬鍍覆，於使用鍍金、鍍Au/Sn、鍍銅(Cu)之情形時，較佳為，用於焊料31及32之焊料為親和性較高之Au/Sn系焊料。 本實施形態之光耦合裝置之製造方法依序具備金屬鍍覆步驟、組裝步驟、焊接步驟、研磨步驟、及接著步驟。 於金屬鍍覆步驟中，對被覆113之端部113a周邊之裸光纖及被覆113之周緣、毛細管13之內壁面136施作鍍覆。鍍覆方法可使用例如離子鍍覆法或無電解鍍覆、濺鍍等。 於組裝步驟中，對構成毛細管13之貫通孔之2個開口中之端面134側之開口，以被覆113之端部113a配置於毛細管13之貫通孔內之方式插入光纖11。此處，可藉由將被覆被去除之光纖11之外徑(包含金屬鍍覆21)與毛細管之孔之間隙131縮窄而定位光纖11。 於焊接步驟中，以焊料密封光纖11與毛細管13之貫通孔之內壁之間隙。 於研磨步驟中，將裸光纖之端面114之長度結合毛細管13之端面133之位置，研磨裸光纖之端面114。此時，較佳為，對端面114施作8°研磨或防反射膜。 於接著步驟中，使用接著劑，將毛細管13與光纖11固定。例如，從端面134側向光纖11、毛細管13、焊料31之周緣注入紫外線硬化樹脂，從毛細管13之端面134側照射紫外線。藉此，可填充光纖11與毛細管13之間隙，從而可提昇光耦合裝置之氣密性。 如以上說明般，本實施形態之光耦合裝置因對光纖11及毛細管13施作金屬鍍覆21，並以焊料31密封該間隙，故可提昇光耦合裝置之氣密性。又，本實施形態之光耦合裝置係以毛細管13保護光纖11之端部，故可防止光纖11破損。因此，本實施形態之光耦合裝置可於用以連接光纖11與光零件之光耦合裝置中，提昇氣密性，且防止光纖破損。 於本實施形態中，作為光耦合裝置之一例，表示了將4根光纖11排列於直線上之光纖矩陣，但本發明之光耦合裝置並不限定於此。例如，本發明之光耦合裝置亦可具備1根、16根或32根等任意數量之光纖11。又，本發明之光耦合裝置亦可為將光纖11二維排列所得之光纖矩陣。 再者，光纖11之素材亦可為塑料。於該情形時，於金屬鍍覆步驟中，藉由離子鍍覆法或無電解鍍覆、濺鍍施作鍍覆。又，將焊接步驟中使用之焊料之熔點降低至不對塑料造成影響之程度。作為可使用之焊料可例示共晶焊料(含鉛焊料)。 (實施形態2) 於圖4表示本實施形態之光耦合裝置搭載於殼體之搭載例。於圖5表示本實施形態之光耦合裝置之放大圖。於圖6表示圖4之A-A'剖視圖。本實施形態之光耦合裝置具備光纖11及毛細管13。於本實施形態中，作為一例，如圖6所示，表示光耦合裝置配置有複數根光纖11之光纖矩陣之情形。 玻璃素材亦可保持氣密性。光纖11及毛細管13係由玻璃形成。因此，本實施形態之光耦合裝置使用玻璃素材密封光纖11及毛細管13之間隙。 與實施形態1同樣地，光纖11之端部為被覆113經去除之裸光纖。毛細管13具有以狹小間隙定位光纖11之貫通孔。光纖11之裸光纖整體以狹小間隙定位於貫通孔。於配置於貫通孔之端面133側之一端配置有裸光纖之端面114。再者，可藉由縮窄去除被覆後之光纖11之外徑與毛細管之孔之間隙131而定位光纖11。 於本實施形態中，使用低熔點玻璃51密封毛細管13之貫通孔內之裸光纖與內壁面136之間隙。低熔點玻璃51係熔點低於光纖11之裸光纖及毛細管13之玻璃，可例示例如鉛玻璃系、磷酸鹽系、碲化物系、釩酸塩系、磷酸鹽系、氟化物系、鈉玻璃、石灰玻璃、硫屬化物玻璃。 與實施形態1同樣地，較佳為以接著劑41填充貫通孔之端面134側之端部。又，與實施形態1同樣地，毛細管13較佳為於側面135施作金屬鍍覆23。 又，較佳為，被覆113之端部113a配置於毛細管13之貫通孔內。又，於將被覆113配置於毛細管13之貫通孔內之情形時，較佳為，貫通孔之端面134側成為錐形形狀。但，於本實施形態中，無需被覆113之金屬鍍覆21。 本實施形態之光耦合裝置之製造方法依序具備金屬鍍覆步驟、組裝步驟、熔融步驟、研磨步驟、及接著步驟。研磨步驟、組裝步驟及接著步驟係與實施形態1相同。 於金屬鍍覆步驟中，對側面135施作金屬鍍覆。對側面135施作之金屬鍍覆之種類及鍍覆方法與實施形態1相同。 於熔融步驟中，以低熔點玻璃51將配置於毛細管13之貫通孔內之光纖11中之裸光纖與毛細管13之間隙密封。例如，將低熔點玻璃之珠粒鋪入光纖11與毛細管13之間隙，以光纖11及毛細管13之未達熔點溫度將低熔點玻璃之珠粒加熱熔融。 此處，低熔點玻璃51之軟化點較佳為低於光纖11及毛細管13之軟化點。藉此，於以低熔點玻璃51密封毛細管13之貫通孔內之裸光纖與內壁面136之間隙時，可一面防止裸光纖與毛細管13變形，一面以低熔點玻璃51密封裸光纖與毛細管13之間隙。又，低熔點玻璃51之軟化點較佳為高於焊接中加熱之溫度。藉此，可於為了焊接毛細管13與殼體14而加熱時，防止低熔點玻璃51因加熱之熱而軟化。 為滿足上述軟化點，低熔點玻璃51較佳為包含網狀形成成分或網狀修飾成分之至少任一者。網狀形成成分具有形成低熔點玻璃之網狀構造，決定基本軟化點之作用。作為低熔點玻璃51之網狀形成成分發揮作用之元素列舉Pb、Bi、B、Zn、V、Te、Ag、P、Sn、Ge、As、Ba、Na、K、F。作為低熔點玻璃51之網狀形成成分發揮作用之化合物可列舉PbO、Bi2
O3
、B2
O3
、ZnO、V2
O5
、TeO2
、AgO2
、Ag2
O、P2
O5
、SnO、AgO、GeO2
、AsO3
、As2
O3
、BaF2
、NaF、KF、PbF2
。例如，於本發明之低熔點玻璃51之一例中，列舉包含PbO、Bi2
O3
、B2
O3
之低熔點玻璃，玻璃轉移點為215℃、熱膨脹係數為8×10-6
/℃。 網狀修飾成分具有將低熔點玻璃之網狀構造弱化，降低軟化點之作用。又，具有調整熱膨脹係數之作用。作為低熔點玻璃51之網狀修飾成分發揮作用之元素可列舉W、F、Ag、Bi、Pb、Zn、Sn、B、Mo、Li、Ba、Te、Ta、Na、P、Fe、Cu、Cs、Sb、As、Cd、Sr、Ca、Mg、Al、K、La、Gd、Ce、V、Ge、Tl、S、Se、Mn。作為低熔點玻璃51之網狀修飾成分發揮作用之化合物可列舉WO3
、氧化銀、Bi2
O3
、PbO、ZnO、SnO、B2
O3
、MoO3
、Li2
O、BaO、TeO2
、Ta2
O5
、Na2
O、P2
O5
、Fe2
O3
、CuO、Cs2
O、Sb2
O3
、As2
O3
、CdO、SrO、CaO、MgO、Al2
O3
、K2
O、La2
O3
、Gd2
O3
、Ce2
O、V2
O5
、Tl2
O、MgF2
、AlF3
、ZnF2
、GeS2
、Tl2
S、MnO。 又，低熔點玻璃51之熱膨脹係數較佳為小於毛細管13之熱膨脹係數，且大於裸光纖之熱膨脹係數。於以低熔點玻璃51密封毛細管13之貫通孔內之裸光纖與內壁面136之間隙後，毛細管13收縮壓迫低熔點玻璃51，從而低熔點玻璃51收縮壓迫裸光纖。藉此，可增強毛細管13與裸光纖之耦合，提昇光耦合裝置之氣密性，且防止光纖破損。例如，於毛細管13(氧化鋯)之熱膨脹係數為10×10-6
/℃，且光纖(石英)之熱膨脹係數為0.5×10-6
/℃之情形時，低熔點玻璃之珠粒之熱膨脹係數超過0.5×10-6
/℃且未達10×10-6
/℃。 低熔點玻璃51之熱膨脹係數之調整係粒子填充成分或負膨脹係數成分之調整較為有效。低熔點玻璃51為了滿足上述熱膨脹係數，較佳為包含粒子填充成分或負膨脹係數成分之至少任一者。粒子填充成分具有改變低熔點玻璃之熱膨脹係數之作用。作為低熔點玻璃51之粒子填充成分發揮作用之元素可列舉Si、Ti、P、As、Sb、V、Nb、Ta、W、Zr。作為調整低熔點玻璃51之熱膨脹係數之化合物可列舉耐熱性矽酸鹽、耐熱性鈦酸鹽、及由V族金屬氧化物(P、As、Sb、V、Nb、Ta)形成之耐熱性陶瓷、鎢酸鋯、磷酸鋯、β-鋰霞石、矽酸鋯、堇青石、鋰輝石、鈦酸鉛。 負膨脹係數成分具有改變低熔點玻璃之熱膨脹係數之作用。作為低熔點玻璃51之負膨脹係數成分發揮作用之元素可列舉W、Zr。作為低熔點玻璃51之負膨脹係數成分發揮作用之化合物可列舉鎢酸鋯、磷酸鋯。於光纖11及毛細管13之材質均為石英系之情形時，熱膨脹係數大致相等且均為較小之值。可藉由使用以負熱膨脹成分將熱膨脹係數調整為與石英相等之低熔點玻璃，而將因熱膨脹係數差產生之應變抑制為較小。 如以上所說明，本實施形態之光耦合裝置係使用玻璃素材密封光纖11及毛細管13之間隙，故可提昇光耦合裝置之氣密性。又，本實施形態之光耦合裝置係以毛細管13保護光纖11之端部，故可防止光纖11破損。因此，本實施形態之光耦合裝置可於用以連接光纖11與光零件之光耦合裝置中提昇氣密性且防止光纖之破損。 於本實施形態中，作為光耦合裝置之一例，表示有將4根光纖11排列於直線上之光纖矩陣，但本發明之光耦合裝置並不限定於此。例如，本發明之光耦合裝置亦可具備1根、16根或32根等任意數量之光纖11。又，本發明之光耦合裝置亦可為將光纖11二維排列而成之光纖矩陣。 再者，光纖11之素材亦可為塑料。於該情形時，於金屬鍍覆步驟中，與實施形態1同樣地藉由離子鍍覆法或無電解鍍覆、濺鍍而施作鍍覆。又，將熔融步驟中使用之低熔點玻璃珠粒之熔點降低至不對塑料造成影響之程度。 (實施形態3) 於圖7中表示本實施形態之光耦合裝置之第1構成例。於圖8中表示本實施形態之光耦合裝置之第2構成例。圖7所示之光耦合裝置於端部具備高NA光纖12作為實施形態1之光纖11。圖8所示之光耦合裝置於端部具備高NA光纖12作為實施形態2之光纖11。 高NA光纖12為數值孔徑(NA：Numerical Aperture：數值孔徑)高於光纖11之光纖。例如，於光纖11之NA為0.13時，高NA光纖12之NA為0.41～0.72之任意值。將高NA光纖12之端部123與光電路連接。可藉由使高NA光纖12介置於光纖11及光電路之間，而低損耗地使來自光纖11之光與光電路耦合。高NA光纖12之端部123為避免端部123中之反射，較佳為施作8°研磨或防反射膜。 高NA光纖12之摻雜劑包含Ge、Ti及Zr之至少1種元素。Ti、Zr為少量添加，折射率變高，故可藉由添加Ti或Zr之至少任一者，而進一步減小模態場徑。又，光纖11與高NA光纖12之模態場徑之組合為任意，但高NA光纖12之模態場徑較理想為與光電路之模態場徑大致一致。例如，於模態場徑為10 μm之單模光纖，且光電路之模態場徑為3.2 μm之情形時，作為高NA光纖12，可使用模態場徑為3.2 μm之高NA單模光纖。 裸光纖之端面114與高NA光纖12之一端面係利用熔合連接部分PS熔合連接。當進行熔合連接時，因局部加熱導致添加至纖芯之摻雜劑擴散，且纖芯以吊鐘狀分佈擴大。因此，可低損耗地連接不同種光纖之光纖11與高NA光纖12，並且可擴大軸偏移之允許範圍。 毛細管13具有貫通孔，且於貫通孔內配置有熔合連接部分PS，並且將高NA光纖12之端部於貫通孔之一端以狹小間隙定位。較佳為，於貫通孔之內壁面與熔合連接部分PS之間之間隙131填充接著劑。藉此，可使用毛細管13保護熔合連接部分PS。 高NA光纖12之端部123附近之內徑W133
較佳為與高NA光纖12之纖殼徑大致相等。例如，於高NA光纖12之纖殼徑為125 μm之情形時，內徑W133
較佳為126 μm≦W133
≦127 μm。 熔合連接部分PS之內徑W134
大於高NA光纖12之端部123附近之內徑W133
。其原因在於，進行熔合連接之部分之纖殼徑增大。例如，於高NA光纖12之長度為L12
，高NA光纖12之纖殼徑為125 μm之情形時，端面133至L12
之距離之內徑W134
較佳為127 μm＜W134
≦152 μm。 再者，光纖11及高NA光纖12之素材亦可為塑料。於該情形時，光纖11及高NA光纖12之連接並非熔合連接，而使用任意接著劑進行接著。又，高NA光纖12亦可為PLC(Planar Lightwave Circuit：平面光波電路)晶片。 [產業上之可利用性] 本發明可適用於資訊通信產業。
11‧‧‧光纖
12‧‧‧高NA光纖
13‧‧‧毛細管
14‧‧‧殼體
21‧‧‧金屬鍍覆
21b‧‧‧金屬鍍覆
22‧‧‧金屬鍍覆
23‧‧‧金屬鍍覆
31‧‧‧焊料
32‧‧‧焊料
41‧‧‧接著劑
51‧‧‧低熔點玻璃
111‧‧‧纖芯
112‧‧‧纖殼
113‧‧‧被覆
113a‧‧‧端部
113b‧‧‧周緣
114‧‧‧裸光纖之端面
121‧‧‧纖芯
122‧‧‧纖殼
123‧‧‧高NA光纖之端部
131‧‧‧間隙
133‧‧‧端面
134‧‧‧端面
135‧‧‧側面
136‧‧‧內壁
A-A'‧‧‧線
A14‧‧‧區域
L12‧‧‧長度
L13‧‧‧長度
L114‧‧‧長度
W133‧‧‧內徑
W134‧‧‧內徑
PS‧‧‧熔合連接部分
圖1係表示本發明之實施形態1之光耦合裝置搭載於殼體的搭載例。 圖2係表示本發明之實施形態1之光耦合裝置之一例的放大圖。 圖3係表示本發明之實施形態1之光耦合裝置之一例的剖視圖。 圖4係表示本發明之實施形態2之光耦合裝置對於殼體的搭載例。 圖5係表示本發明之實施形態2之光耦合裝置之一例的放大圖。 圖6係表示本發明之實施形態2之光耦合裝置之一例的剖視圖。 圖7係表示本發明之實施形態3之光耦合裝置之一例的放大圖。 圖8係表示本發明之實施形態3之光耦合裝置之另一例的放大圖。
Claims (6)
- 一種光耦合裝置，其具備： 光纖，其端部為被覆之一部分經去除之裸光纖，且於其餘之被覆之端部周邊之裸光纖及被覆之周緣經施作金屬鍍覆； 毛細管，其將上述裸光纖之端部於貫通孔之一端定位，於上述貫通孔之另一端配置經施作上述金屬鍍覆之上述光纖之被覆之端部，於上述貫通孔之另一端之內壁面經施作金屬鍍覆；及 焊料，其將配置於上述貫通孔的另一端之上述光纖與上述貫通孔之內壁之間隙密封。
- 一種光耦合裝置，其具備： 光纖，其端部為被覆之一部分經去除之裸光纖； 毛細管，其將上述裸光纖之端部於貫通孔之一端定位，且於上述貫通孔之另一端配置上述光纖之其餘之被覆之端部；及 低熔點玻璃，其將配置於上述貫通孔內之上述裸光纖與上述貫通孔之內壁之間隙密封，且熔點低於上述裸光纖及上述毛細管。
- 如請求項1或2之光耦合裝置，其中上述毛細管之上述貫通孔之另一端為錐形形狀。
- 如請求項1至3中任一項之光耦合裝置，其中 將上述裸光纖之端部以較上述貫通孔之另一端更狹窄之間隙定位於該貫通孔之一端。
- 如請求項1至3中任一項之光耦合裝置，其中 上述光纖具備： 第1光纖；及 第2光纖，其具有數值孔徑高於上述第1光纖之纖芯，且一端熔合連接於上述第1光纖； 於上述貫通孔內，配置上述第1光纖及上述第2光纖之熔合連接部，並且第2光纖之端部以較貫通孔之另一端更狹窄之間隙定位於該貫通孔之一端，上述貫通孔之上述熔合連接部分之內徑大於上述第2光纖之另一端部附近之內徑。
- 如請求項1至5中任一項之光耦合裝置，其中於上述毛細管之側面經施作金屬鍍覆。
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