TWI668881B - 光耦合裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本揭示之目的在於不使用V槽基板，而可於光電路之端面與光纖之間高效地進行光耦合。 本揭示之光耦合裝置具備光纖(11)、高NA光波導(12、22)、具有比高NA光波導(12、22)之另一端更大之模態場直徑之模態場轉換部(PS)、及具有保持高NA光波導(12、22)及模態場轉換部(PS)之貫通孔之微管(13)，且於貫通孔之端部配置高NA光波導(12、22)之另一端。
Description
本揭示係關於一種光耦合裝置及其製造方法。
提案一種用於連接光學元件陣列與光纖之光耦合裝置(例如，參照專利文獻1)。專利文獻1之光耦合裝置介置短光纖，以可於光電路之端面與光纖之間進行高效之光耦合。 專利文獻1之光耦合裝置進行使光纖與短光纖之纖芯間無間隙地面接觸之實體接觸連接。此時，為了使光纖及短光纖之光軸一致，專利文獻1之光耦合裝置將微型微管固定於V槽基板上。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2000-121871號公報
[發明所欲解決之問題] 就光學模組之小型化或減少零件個數之觀點而言，較理想為省略V槽基板。另一方面，謀求於光電路之端面與光纖之間高效地光耦合。 因此，本揭示之目的在於不使用V槽基板，而可於光電路之端面與光纖之間進行高效之光耦合。 [解決問題之技術手段] 本揭示之光耦合裝置具備： 光纖； 高NA光波導，其數值孔徑較上述光纖更高； 模態場轉換部，其具有較上述高NA光波導之另一端更大之模態場直徑，且使上述光纖與上述高NA光波導耦合； 微管，其具有保持上述高NA光波導及上述模態場轉換部之貫通孔，且於上述貫通孔之端部配置上述高NA光波導之另一端。 本揭示之光耦合裝置之製造方法依序具有以下步驟： 熔著連接步驟，其係將光纖及數值孔徑較上述光纖更高之高NA光波導之連接部分加熱熔著後，朝拉離上述光纖及上述高NA光波導之方向牽引； 配置步驟，其係自構成微管之貫通孔之2個開口中之內徑較大之開口插入上述高NA光波導之另一端，且以上述連接部分配置於上述貫通孔內且於上述貫通孔之端部配置上述高NA光波導之另一端之方式，將上述高NA光波導及上述連接部分配置於上述貫通孔內； 固定步驟，其係使用接著劑，將上述連接部分固定於上述貫通孔內。 [發明之效果] 根據本揭示，可不使用V槽基板，而可於光電路與光纖之間進行高效之光耦合。
以下，針對本揭示之實施形態，一面參照圖式，一面進行詳細地説明。另，本揭示並非限定於以下所示之實施形態。該等之實施之例不過為例示，本揭示可以基於本領域技術人員之知識施加各種變更、改良之形態實施。另，於本說明書及圖式中，符號相同之構成要素係表示彼此相同者。 (實施形態1) 於圖1，顯示揭示之光耦合裝置之構成例。揭示之光耦合裝置具備光纖11、作為高NA光波導發揮功能之高NA光纖12、模態場轉換部PS、及微管13。於本實施形態中，對光纖11及高NA光纖12之原材料為石英玻璃之情形進行說明。 高NA光纖12為數值孔徑(NA：Numerical Aperture)較光纖11更高之光纖。高NA光纖12之另一端即端部123係與光電路(於後述之圖5所示之符號15)連接。於光纖11與光電路之間藉由介置高NA光纖12，可使來自光纖11之光低損失地與光電路耦合。高NA光纖12之端部123為了避免於端部123之反射，較佳為對其施加8°研磨或反射防止膜。 高NA光纖12之摻雑物包含至少1種提高折射率之物質，作為該種物質，例如，可例示Ta、Ge、Ti及Zr。少量添加Ta、Ti、及Zr則折射率會變高，故藉由添加Ta、Ti、或Zr之至少任一者，可進而縮小於端部123之高NA光纖12之模態場直徑。又，為了抑制因添加物質導致之熱膨脹係數增大而增加變形，故高NA光纖12可包含至少1種具有負的熱膨脹係數之物質，作為此種物質，可例示Sn及Hf。 光纖11與高NA光纖12之組合雖可任意，但高NA光纖12之模態場直徑較佳為與光電路15之模態場直徑大致一致。例如，於模態場直徑為10 μm之單模光纖，光電路(後述之圖5所示之符號15)之模態場直徑為3.2 μm之情形時，作為高NA光纖12，可使用模態場直徑為3.2 μm之高NA單模光纖。 光纖11及高NA光纖12之NA並未限定，例如，於光纖11之NA為0.13之情形時，高NA光纖12之NA為0.41～0.72之任意值。另，光纖11及高NA光纖12可為單模光纖，亦可為多模光纖。又，光纖11及高NA光纖12之包覆層直徑可相同，亦可不同。 模態場轉換部PS為高NA光纖12之一端與光纖11連接之部分，具有較高NA光纖12之另一端更大之模態場直徑。模態場轉換部PS之模態場直徑較佳為連接部分之光纖11之模態場直徑與高NA光纖12之模態場直徑相等，該模態場直徑可為光纖11與高NA光纖12之另一端之中間之模態場直徑，但較佳為與光纖11之模態場直徑相等或較光纖11之模態場直徑更大。 模態場轉換部PS較佳為藉由熔著連接光纖11與模態場直徑均一之高NA光纖12而形成。當進行熔著連接時，藉由局部加熱而添加至纖芯之摻雜物擴散，纖芯以吊鐘狀分佈擴大。因此，模態場轉換部PS之模態場直徑成為較高NA光纖12之另一端更大之模態場直徑，且可低損失地連接不同種光纖的光纖11與高NA光纖12，同時可擴大偏軸之容許範圍。 微管13具有貫通孔，且於貫通孔內配置有模態場轉換部PS。微管13較佳為保持高NA光纖12之整體。於該情形時，高NA光纖12之端部123與微管13之端部133較佳為配置於同一面上。藉此，揭示之光耦合裝置連接於光電路時之對準變得容易。 高NA光纖12之端部123附近之內徑W133
較佳為與高NA光纖12之包覆層直徑大致相等。例如，於高NA光纖12之包覆層直徑為125 μm之情形時，內徑W133
較佳為126≦W133
≦127 μm。 模態場轉換部PS之內徑W134
較佳為較高NA光纖12之端部123附近之內徑W133
更大。其原因在於即使進行熔著連接之部分之包覆層直徑變大亦可收容。例如，於高NA光纖12之長度為L12
，高NA光纖12之包覆層直徑為125 μm之情形時，距端部134之L134
之距離中之內徑W134
較佳為127 μm＜W134
≦152 μm。 於貫通孔之內壁面與光纖11及高NA光纖12之間之間隙填充接著劑。藉此，使用微管13可保護模態場轉換部PS。於該情形時，較佳為端部134側之內徑較端部133側之內徑更大。尤其，於圖1雖未明示，但較佳為自模態場轉換部PS至端部134側，貫通孔之內徑逐漸變大。由此，對微管13之貫通孔之內壁面與光纖11及高NA光纖12之間之間隙進行接著劑之填充變得容易。例如，即使於填充至如圖3所示之凹陷部分之接著劑形成氣泡之情形時，亦可容易地進行氣泡之去除。又，即使於光纖11及高NA光纖12之延伸徑出現偏差，亦可將模態場轉換部PS配置於貫通孔內。 具有內徑W133
及內徑W134
之貫通孔可藉由進行擴大內徑W133
之貫通孔內徑之加工而形成。例如，可例示使用鑽孔機進行貫通孔內之挖掘或使用氫氟酸之蝕刻進行貫通孔之內壁之溶融。藉由使用鑽孔機，可將貫通孔之內徑設為一定。藉由使用蝕刻，可隨著靠近端部134而擴大貫通孔之內徑。 針對光耦合裝置之製造方法進行說明。本揭示之光耦合裝置之製造方法依序具有連接步驟、配置步驟、及固定步驟。 於連接步驟中，熔著連接光纖11與高NA光纖12。此處，通常，當進行熔著連接時，如圖2所示，模態場轉換部PS之直徑變粗。因此，於本揭示之連接步驟中，於對模態場轉換部PS中之光纖11及高NA光纖12進行加熱，光纖11及高NA光纖12熔著後，如圖2所示，較佳為向拉離光纖11及高NA光纖12之方向牽引。藉此，可防止模態場轉換部PS之直徑變粗。於該情形時，如圖3所示，可於模態場轉換部PS之包覆層112及122設置凹陷。 於配置步驟中，於構成微管13之貫通孔之2個開口中之端部134側之開口插入高NA光纖12之開放端部123，且將模態轉換部PS配置於貫通孔內。 於固定步驟中，使用接著劑，將模態場轉換部PS固定於貫通孔內。例如，自端部134側將紫外線硬化性樹脂注入如圖1所示之間隙131，且自微管13之側面135照射紫外線。藉此，可將模態場轉換部PS固定於貫通孔內。 於固定步驟之後，將高NA光纖12之端部123之長度與微管13之端部133之位置配合，研磨高NA光纖12之端部123。此時，較佳為對端部123施加8°研磨或反射防止膜。 於圖4，顯示本揭示之光耦合裝置之另一形態。本揭示之光耦合裝置係光纖11之被覆113配置於微管13內。微管13係於貫通孔內具有用於配置被覆113之錐形。 於光耦合裝置之另一形態之情形時，於連接步驟中，將自被覆113至模態場轉換部PS為止之光纖11之長度設為較自端部134至模態場轉換部PS為止之距離L134
短。 於圖5顯示針對本揭示之光耦合裝置之光電路之連接例。微管13之端部133連接於光電路15。由於模態場直徑較小之高NA光纖12配置於微管13之端部133，故可將來自光纖11之光容易地與玻璃原材料之光波導耦合。藉此，本揭示之光耦合裝置可不使用V槽基板，而於玻璃原材料之光波導與光纖11之間可容易地進行高效之光耦合。 光電路15係例如，使用石英玻璃(SiO2
)之PLC(Planar Lightwave Circuit：平面光波導)晶片。本揭示係由於微管13之端部133中之模態場直徑較小，故可將相對折射率差為0.3%且具有模態場直徑為10 μm之光波導之PLC晶片或比折射率差為1.2%且具有模態場直徑為2~5 μm之光波導之小型PLC晶片應用於光電路15。 光電路15不限定於使用石英玻璃(SiO2
)之PLC晶片，亦可為將矽(Si)使用於基板之PLC晶片。進而，光電路15並不限定於PLC晶片，亦可為光纖或任意之光學元件。例如，亦可代替光電路15，使用於對半導體雷射等之發光元件或PD(PhotoDiode：光二極體)等受光元件之耦合用。 又，於高NA光纖12配置於端部123之狀態下光纖11保持於微管13內，藉由氣密密封框體14與微管13之間隙141可進行框體14內之氣密密封。因此，亦可使用於微型ICR(Integrated Coherent：整合相干)或微型ITLA(Integrable Tunable Laser Assembly：可積式可調雷射總成)之氣密密封。 另，光纖11及高NA光纖12之原材料亦可為塑膠。於高NA光纖12為塑膠光纖之情形時，使用模態場轉換部PS之模態場直徑較端部123之模態場直徑更大之高NA光纖12。又，於連接步驟中，不使用熔著連接而使用任意之接著劑接著。 (實施形態2) 於圖6顯示本揭示之光耦合裝置之構成例。本揭示之光耦合裝置具備光纖11、作為高NA光波導發揮作用之PLC22及微管23。 PLC22之NA較光纖11更高。PLC22之端部223係與圖5所示之高NA光纖12同樣地，與光電路15連接。藉由於光纖11與光電路之間介置PLC22，可低損失地使來自光纖11之光耦合於光電路15。為了避免於端部223之反射，PLC22之端部223較佳施加8°研磨或反射防止膜。以下，對與第1實施形態之不同點進行說明。 模態場轉換部PS係PLC22之一端與光纖11連接之部分，且具有較PLC22之另一端更大之模態場直徑。模態場轉換部PS之模態場直徑較佳為連接部分之光纖11與PLC22之模態場直徑相等，該模態場直徑亦可為光纖11與PLC22之另一端之中間之模態場直徑，但較佳為與光纖11之模態場直徑相等，或較光纖11之模態場直徑更大。另，由於PLC22之模態場直徑取決於正方形或長方形等核芯之形狀，故PLC22較佳為具有如模態場轉換部PS之模態場直徑成為所期望之值時之折射率或核芯形狀。 光纖11及PLC22之原材料可為石英玻璃，亦可為塑膠。於光纖11及PLC22之原材料為石英玻璃之情形時，作為PLC22之摻雑物，可使用與實施形態1相同者。又，PLC22亦可為於矽(Si)之基板上積層石英玻璃者。 於光纖11及PLC22之原材料為石英玻璃之情形時，與實施形態1相同，模態場轉換部PS亦可藉由熔著連接光纖11與模態場直徑均一之PLC22而形成。 於圖7，顯示光纖11及PLC22之形狀之一例。如圖7(A)所示，亦可為光纖11之直徑W11
與PLC22之對角線之長度相等。又，如圖7(B)及圖7(C)所示，亦可為光纖11之直徑W11
與PLC22之高度W22L
相等。如圖7(B)所示，亦可為光纖11之直徑W11
與PLC22之寬度W22H
相等。如圖7(C)所示，PLC22之寬度W22H
亦可較光纖11之直徑W11
更大。又，PLC22之高度W22L
亦可較光纖11之直徑W11
更大。PLC22之高度W22L
之中心、或寬度W22H
之中心亦可與光纖11之中心不一致。 另，於上述之各實施形態中，高NA光纖12或PLC22之光電路15側之端部亦可連接於偏波保持光纖。藉此，可改善連接光纖11與偏波保持光纖時之消光比。 又，於本揭示中，為了容易理解，僅對光纖11為1根時之情形進行了說明，但亦可為排列2根以上之光纖11之多通道。於該情形時，光纖11及高NA光纖12或PLC22可1維排列，亦可2維排列。 又，微管13或23之外形並未限定於圓形或方形，亦可為任意之形狀。例如，為了使高NA光纖12或PLC22與其他光零件之連接變得容易，亦可於微管13或23之外側設置金屬環。 [產業上之可利用性] 本揭示可應用於資訊通信產業。
11‧‧‧光纖
12‧‧‧高NA光纖
13‧‧‧微管
14‧‧‧框體
15‧‧‧光電路
22‧‧‧PLC
23‧‧‧微管
111‧‧‧纖芯
112‧‧‧包覆層
113‧‧‧被覆
121‧‧‧纖芯
122‧‧‧包覆層
123‧‧‧高NA光纖之端部
131‧‧‧間隙
133‧‧‧端部
134‧‧‧端部
135‧‧‧側面
141‧‧‧間隙
221‧‧‧核芯
222‧‧‧包覆層
223‧‧‧端部
231‧‧‧間隙
233‧‧‧端部
234‧‧‧端部
235‧‧‧側面
L12‧‧‧高NA光纖12之長度
L134‧‧‧自端部134至模態場轉換部PS之距離
PS‧‧‧模態場轉換部
W133‧‧‧內徑
W134‧‧‧內徑
W11‧‧‧直徑
W22L‧‧‧高度
W22H‧‧‧寬度
圖1係顯示實施形態1之光耦合裝置之構成例。 圖2係配置步驟之說明圖。 圖3係顯示實施形態1之模態場轉換部之擴大圖。 圖4係顯示實施形態1之光耦合裝置之另一形態。 圖5係顯示對於光電路之連接例。 圖6係顯示實施形態2之光耦合裝置之構成例。 圖7(A)～(C)係顯示實施形態2之光耦合裝置之構成例。
Claims (9)
- 一種光耦合裝置，其具備：光纖；高NA光波導，其數值孔徑較上述光纖更高；模態場轉換部，其具有較上述高NA光波導之另一端更大之模態場直徑，且使上述光纖與上述高NA光波導耦合；及微管，其具有保持上述高NA光波導及上述模態場轉換部之貫通孔，且於上述貫通孔之端部配置上述高NA光波導之另一端；且上述模態場轉換部所配置之上述貫通孔之內徑較上述高NA光波導之上述另一端所配置之上述貫通孔之內徑更大；自上述模態場轉換部至上述貫通孔之另一端的端部，上述貫通孔之內徑逐漸變大。
- 如請求項1之光耦合裝置，其中上述高NA光波導係使用石英玻璃之光纖或PLC(Planar Lightwave Circuit：平面光波導)，且上述高NA光波導之核芯包含Ta、Ge、Ti及Zr之至少1種元素。
- 如請求項2之光耦合裝置，其中上述高NA光波導之上述一端與上述光纖熔著連接，上述高NA光波導之上述一端作為上述模態場轉換部發揮功能。
- 如請求項3之光耦合裝置，其中上述模態場轉換部係於上述高NA光波導之包覆層具有凹陷。
- 如請求項3之光耦合裝置，其中上述高NA光波導之核芯包含Sn及Hf之至少1種元素。
- 如請求項4之光耦合裝置，其中上述高NA光波導之核芯包含Sn及Hf之至少1種元素。
- 一種光耦合裝置，其具備：光纖；高NA光波導，其數值孔徑較上述光纖更高；模態場轉換部，其具有較上述高NA光波導之另一端更大之模態場直徑，且使上述光纖與上述高NA光波導耦合；及微管，其具有保持上述高NA光波導及上述模態場轉換部之貫通孔，且於上述貫通孔之端部配置上述高NA光波導之另一端；且其中上述高NA光波導係上述一端之模態場直徑較上述另一端更大之PLC(Planar Lightwave Circuit：平面光波導)；上述高NA光波導之上述一端與上述光纖接著；上述高NA光波導之上述一端作為上述模態場轉換部而發揮功能。
- 一種光耦合裝置之製造方法，其依序具有以下步驟：熔著連接步驟，其係將光纖及數值孔徑較上述光纖更高之高NA光波導之連接部分加熱熔著後，朝拉離上述光纖及上述高NA光波導之方向牽引；配置步驟，其係自構成微管之貫通孔之2個開口中之內徑之較大之開口插入上述高NA光波導之另一端，且以上述連接部分配置於上述貫通孔內且上述高NA光波導之另一端配置於上述貫通孔之端部之方式，將上述高NA光波導及上述連接部分配置於上述貫通孔內；及固定步驟，其係使用接著劑，將上述連接部分固定於上述貫通孔內；上述連接部分所配置之上述貫通孔之內徑較上述高NA光波導之上述另一端所配置之上述貫通孔之內徑更大；自上述連接部分至上述貫通孔之另一端的端部，上述貫通孔之內徑逐漸變大。
- 一種光耦合裝置之製造方法，其依序具有以下步驟：熔著連接步驟，其係將光纖及數值孔徑較上述光纖更高之高NA光波導之連接部分加熱熔著後，朝拉離上述光纖及上述高NA光波導之方向牽引；配置步驟，其係自構成微管之貫通孔之2個開口中之內徑之較大之開口插入上述高NA光波導之另一端，且以上述連接部分配置於上述貫通孔內且上述高NA光波導之另一端配置於上述貫通孔之端部之方式，將上述高NA光波導及上述連接部分配置於上述貫通孔內；及固定步驟，其係使用接著劑，將上述連接部分固定於上述貫通孔內；且其中上述高NA光波導係上述一端之模態場直徑較上述另一端更大之PLC；上述高NA光波導之上述一端與上述光纖接著；上述高NA光波導之上述一端作為上述連接部分而發揮功能。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005043442A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバの接続構造及び光接続部材並びに光コネクタ |
| JP2005208113A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | モードフィールド変換器 |
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| JP2013171261A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路及びその作製方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US5761356A (en) * | 1996-08-19 | 1998-06-02 | Cogent Light Technologies, Inc. | Apparatus and method for coupling high intensity light into low temperature optical fiber |
| IES990889A2 (en) * | 1999-10-22 | 2001-05-02 | Viveen Ltd | Jointed optical fibers |
| US6866429B2 (en) * | 2001-09-26 | 2005-03-15 | Np Photonics, Inc. | Method of angle fusion splicing silica fiber with low-temperature non-silica fiber |
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| US7190864B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-03-13 | Beamtek, Inc. | Fiber collimating lenses and method |
| US7916386B2 (en) * | 2007-01-26 | 2011-03-29 | Ofs Fitel, Llc | High power optical apparatus employing large-mode-area, multimode, gain-producing optical fibers |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005043442A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバの接続構造及び光接続部材並びに光コネクタ |
| JP2005208113A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | モードフィールド変換器 |
| JP2006323027A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバの接続方法 |
| JP2013171261A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路及びその作製方法 |
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