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TW201839739A - 閘極驅動電路與採用其之顯示裝置 - Google Patents

閘極驅動電路與採用其之顯示裝置 Download PDF

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TW201839739A
TW201839739A TW106114191A TW106114191A TW201839739A TW 201839739 A TW201839739 A TW 201839739A TW 106114191 A TW106114191 A TW 106114191A TW 106114191 A TW106114191 A TW 106114191A TW 201839739 A TW201839739 A TW 201839739A
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Abstract

本發明提出一種閘極驅動電路與一種採用上述閘極驅動電路之顯示裝置。上述閘極驅動電路具有多個移位暫存器,每一移位暫存器包括有第一輸出單元、第一下拉單元、第二輸出單元、第二下拉單元、電壓耦合單元與電壓抬升單元。第一輸出單元耦接一節點與第一輸出端。第二輸出單元耦接上述節點與第二輸出端。第一下拉單元耦接第一輸出端與參考電位。第二下拉單元耦接第二輸出端與參考電位。電壓耦合單元耦接於上述節點與第二輸出端之間。電壓抬升單元耦接預設電位、第一輸出端、前一級移位暫存器之節點與閘極高電位。

Description

閘極驅動電路與採用其之顯示裝置
本發明係關於顯示領域之相關技術,尤其是有關於一種閘極驅動電路與一種採用上述閘極驅動電路之顯示裝置。
一般而言,顯示裝置中的閘極驅動電路乃是由多級且串接的移位暫存器所組成,每級移位暫存器用以輸出一閘極驅動訊號,並透過此閘極驅動訊號開啟對應的畫素列,使得該畫素列中的每一畫素皆能寫入所需的顯示資料。
然而,傳統移位暫存器的電路架構並無法支援高更新率(Frame rate)的操作,也無法在低溫環境中使用,原因是在上述這二種操作條件下,移位暫存器都必須提供具有夠高壓差的閘極驅動訊號給顯示裝置中的畫素,以便在高更新率的操作條件下能配合液晶的高反應速度,以及在低溫環境的操作條件下能據以提供溫度補償而讓閘極驅動電路的操作穩定,但是傳統移位暫存器在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號時,其驅動電晶體的閘極-源極便會承受過高的跨壓(例如是19V),導致驅動電晶體因通過的電流過大而崩潰,進而使得移位暫存器的功能失效。因此,如何有效解決這個問題乃是一個重要的課題。
本發明之一目的在提供一種閘極驅動電路,其時段移位暫存器在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號時,移位暫存器的驅動電晶體不會因閘極-源極承受過高的跨壓而導致崩潰。
本發明之另一目的在提供一種採用上述閘極驅動電路之顯示裝置。
本發明提出一種閘極驅動電路,此閘極驅動電路包括有多級且串接的移位暫存器,而每級移位暫存器可分別包含第一輸出端、第二輸出端。每級移位暫存器接收時脈訊號、參考電位、預設電位與閘極高電位,且第一輸出端可產生閘極驅動訊號,第二輸出端可產生掃描訊號。其中每級移位暫存器包括有第一輸出單元、第一下拉單元、第二輸出單元、第二下拉單元、電壓耦合單元與電壓抬升單元。第一輸出單元分別電性耦接一節點與第一輸出端,且接收時脈訊號,第一輸出單元用以依據上述節點與時脈訊號輸出閘極驅動訊號。第一下拉單元分別電性耦接第一輸出端,且接收參考電位。第二輸出單元分別電性耦接上述節點與第二輸出端,且接收時脈訊號,第二輸出單元用以依據上述節點與時脈訊號輸出掃描訊號。第二下拉單元分別電性耦接第二輸出端與參考電位。電壓耦合單元分別電性耦接於上述節點與第二輸出端之間。電壓抬升單元分別電性耦接至預設電位、第一輸出端、前一級移位暫存器之節點與閘極高電位,並於前一級移位暫存器之一節點的電壓準位變化期間,閘極驅動訊號的位準自參考電位上拉至預設電位,且預設電位小於閘極高電位。
本發明又提出另一種閘極驅動電路,此閘極驅動電路包括有多級且串接的移位暫存器,而每級移位暫存器可分別包含第一輸出端、第二輸出端。每級移位暫存器接收時脈訊號、參考電位、預設電位與閘極高電位,且第一輸出端可產生閘極驅動訊號,第二輸出端可產生掃描訊號。其中每級移位暫存器包括有第一輸出單元、第一下拉單元、第二輸出單元、第二下拉單元、電壓耦合單元與電壓抬升單元。第一輸出單元分別電性耦接一節點與第一輸出端,且接收時脈訊號,第一輸出單元用以依據上述節點與時脈訊號輸出閘極驅動訊號。第一下拉單元分別電性耦接第一輸出端,且接收參考電位。第二輸出單元分別電性耦接上述節點與第二輸出端,且接收時脈訊號,第二輸出單元用以依據上述節點與時脈訊號輸出掃描訊號。第二下拉單元分別電性耦接第二輸出端與參考電位。電壓耦合單元分別電性耦接於上述節點與第二輸出端之間。電壓抬升單元分別電性耦接至預設電位、第一輸出端、前一級移位暫存器之第二輸出端與閘極高電位,並於前一級移位暫存器所輸出之掃描訊號的電壓準位變化期間,閘極驅動訊號的位準自參考電位上拉至預設電位,且預設電位小於閘極高電位。
本發明又提出再一種閘極驅動電路,此閘極驅動電路包括有多級且串接的移位暫存器,而每級移位暫存器可分別包含一輸出端,其可產生閘極驅動訊號,且每級移位暫存器可分別接收時脈訊號、參考電位、預設電位與閘極高電位。其中每級移位暫存器包括有輸出單元、下拉單元、電壓耦合單元與電壓抬升單元。輸出單元分別電性耦接一節點與輸出端,且接收時脈訊號,輸出單元用以依據上述節點與時脈訊號而自輸出端輸出閘極驅動訊號。下拉單元分別電性耦接輸出端且接收參考電位。電壓耦合單元分別電性耦接於上述節點與輸出端之間。電壓抬升單元分別電性耦接至預設電位、輸出端與前一級移位暫存器之一節點,並於前一級移位暫存器之該節點的電壓準位變化期間,閘極驅動訊號的位準自參考電位上拉至預設電位,且預設電位小於閘極高電位。
本發明又提出一種顯示裝置,此顯示裝置包括有主動區與周邊區。主動區具有多條閘極線與多條資料線,且閘極線分別與資料線交錯設置以形成多個畫素單元。周邊區設於主動區之一側,且具有閘極驅動電路。閘極驅動電路可分別電性耦接至閘極線,其中閘極驅動電路具有多級且串接的移位暫存器。每級移位暫存器分別包含有第一輸出端、主要輸出電路、電壓抬升電路、第一時脈訊號、閘極高電位、參考電位與預設電位。第一輸出端用以產生閘極驅動訊號至其中一閘極線。第二輸出端用以產生掃描訊號至前一級或後一級之移位暫存器。主要輸出電路電性耦接至第二輸出端。電壓抬升電路電性耦接至第一輸出端。第一時脈訊號及閘極高電位皆分別電性耦接於主要輸出電路與電壓抬升電路。參考電位電性耦接至主要輸出電路。預設電位電性耦接至電壓抬升電路,且預設電位大於參考電位,且預設電位小於閘極高電位。其中,閘極驅動訊號在一期間內,其位準呈階梯式拉升,從參考電位抬升至預設電位,再從預設電位抬升至閘極高電位。
在本發明之閘極驅動電路中,每級移位暫存器在輸出閘極驅動訊號時,係先利用電壓抬升單元將閘極驅動訊號的位準自參考電位上拉至預設電位,接著每級移位暫存器再將閘極驅動訊號的位準自預設電位上拉至閘極高電位,而由於每級移位暫存器在輸出閘極驅動訊號時係將閘極驅動訊號的位準分段抬升,進而降低了驅動電晶體之閘極-源極所承受的跨壓,因此每級移位暫存器在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號時,驅動電晶體的閘極-源極不會承受到過高的跨壓而導致驅動電晶體崩潰。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
本發明的閘極驅動電路是由多級且串接的移位暫存器組成,接著將說明每級移位暫存器的實現方式,並且以下的各實施例皆以第n級移位暫存器來舉例說明之。
請參考圖1,圖1為依照本發明第一實施例之移位暫存器100的電路圖。如圖1所示,此移位暫存器100包括有輸出單元11、輸出單元12、輸入訊號選擇單元13、下拉單元14、下拉單元15、電壓耦合單元16、電壓抬升單元17、穩壓單元18、開關單元19、防漏電單元20與重置單元21。輸出單元11電性耦接節點Q(n)與輸出端OUT1,且接收時脈訊號HC1,而輸出單元11用以依據節點Q(n)與時脈訊號HC1而輸出閘極驅動訊號SR(n)。輸出單元12電性耦接節點Q(n)與輸出端OUT2,且接收時脈訊號HC1,而輸出單元12用以依據節點Q(n)與時脈訊號HC1而輸出掃描訊號ST(n)。
輸入訊號選擇單元13電性耦接節點P(n)、第n-1級移位暫存器所輸出的掃描訊號ST(n-1)、第n+1級移位暫存器所輸出的掃描訊號ST(n+1)、高準位電壓U2D與低準位電壓D2U。此輸入訊號選擇單元13用以依據掃描訊號ST(n-1)來決定是否將節點P(n)電性耦接至高準位電壓U2D,並用以依據掃描訊號ST(n+1)來決定是否將節點P(n)電性耦接至低準位電壓D2U。下拉單元14電性耦接輸出端OUT1,且接收該參考電位XDONB。下拉單元15電性耦接輸出端OUT2,且接收參考電位XDONB。
電壓耦合單元16電性耦接於節點Q(n)與輸出端OUT2之間。電壓抬升單元17電性耦接至預設電位XDONB_2、輸出端OUT1、第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)與閘極高電位VGH,並用以於第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的電壓位準變化期間,將閘極驅動訊號SR(n)的位準自參考電位XDONB上拉至預設電位XDONB_2,其中預設電位XDONB_2小於閘極高電位VGH。
穩壓單元18電性耦接至輸入訊號選擇單元13、閘極高電位VGH、時脈訊號HC3與參考電位XDONB。此穩壓單元18用以依據時脈訊號HC3決定是否將節點P(n)電性耦接至參考電位XDONB。開關單元19電性耦接於節點Q(n)與節點P(n)之間,並接收閘極高電位VGH,此開關單元19用以防止節點Q(n)的電壓回流至節點P(n)。防漏電單元20電性耦接輸出端OUT2、節點P(n)與穩壓單元18,其用以防止輸出端OUT2漏電而影響掃描訊號ST(n)的輸出。重置單元21電性耦接穩壓單元18,並接收重置訊號RST。
接下來將繼續說明輸出單元11、輸出單元12、輸入訊號選擇單元13、下拉單元14、下拉單元15、電壓耦合單元16、電壓抬升單元17、穩壓單元18、開關單元19、防漏電單元20與重置單元21的實現方式,請繼續參照圖1。輸出單元11包括電晶體111(即所謂的驅動電晶體),電晶體111的第一端用以接收時脈訊號HC1,電晶體111的第二端電性耦接至輸出端OUT1,而電晶體111的控制端電性耦接至節點Q(n)。輸出單元12包括電晶體121,電晶體121的第一端用以接收時脈訊號HC1,電晶體121的第二端電性耦接輸出端OUT2,而電晶體121的控制端電性耦接至節點Q(n)。
輸入訊號選擇單元13包括有電晶體131與132。電晶體131的第一端電性耦接高準位電壓U2D,電晶體131的第二端電性耦接節點P(n),而電晶體131的控制端電性耦接掃描訊號ST(n-1)。電晶體132的第二端電性耦接低準位電壓D2U,電晶體132的第一端電性耦接節點P(n),而電晶體132的控制端電性耦接掃描訊號ST(n+1)。
下拉單元14包括電晶體141,電晶體141的第一端電性耦接輸出端OUT1,電晶體141的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體141的控制端則電性耦接至穩壓單元18。下拉單元15包括電晶體151,電晶體151的第一端電性耦接輸出端OUT2,電晶體151的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體151的控制端則電性耦接至穩壓單元18。
電壓耦合單元16包括電晶體161,電晶體161的第一端與第二端皆電性耦接輸出端OUT2,而電晶體161的控制端電性耦接至節點Q(n)。於另一變形例中,此電壓耦合單元16也可利用一電容來實現。電壓抬升單元17包括有電晶體171、172與173。電晶體171的第一端用以接收閘極高電位VGH,而電晶體171的控制端用以接收第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的訊號。電晶體172的第一端電性耦接電晶體171的第二端,電晶體172的第二端電性耦接預設電位XDONB_2,而電晶體172的控制端用以接收時脈訊號HC1。電晶體173的第一端電性耦接輸出端OUT1,電晶體173的第二端電性耦接預設電位XDONB_2,而電晶體173的控制端電性耦接電晶體171的第二端與電晶體172的第一端。
穩壓單元電18包括有電晶體181、182與183以及電阻184。電晶體181的第一端用以接收閘極高電位VGH,而電晶體181的控制端用以接收時脈訊號HC3。電晶體182的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體182的控制端電性耦接至節點P(n)。電晶體183的第一端電性耦接至節點P(n),電晶體183的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體183的控制端電性耦接電晶體182的第一端。電阻184電性耦接於電晶體181的第二端與電晶體182的第一端之間。
開關單元電19包括有電晶體191。電晶體191的第一端電性耦接至節點Q(n),電晶體191的第二端電性耦接至節點P(n),而電晶體191的控制端用以接收閘極高電位VGH。防漏電單元20包括有電晶體192。電晶體192的第一端及控制端皆電性耦接至輸出端OUT2,而電晶體192的第二端電性耦接至節點P(n)。重置單元21包括有電晶體193。電晶體193的第一端及控制端皆用以接收重置訊號RST,電晶體193的第二端電性耦接至穩壓單元18之電晶體183的控制端。
圖2為依照本發明第一實施例之移位暫存器的訊號時序圖。在圖2中,標示與圖1中之標示相同者表示為相同的訊號。以下將以圖2所示的三個時段(時段T1~T3)來說明圖1所示之移位暫存器100的部分操作,請同時參照圖1與圖2。
在時段T1中,藉由第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的訊號來導通電晶體171,進而再藉由閘極高電位VGH來導通(turn on)電晶體173,因此可透過電晶體173將閘極驅動訊號SR(n)的位準自參考電位XDONB上拉至預設電位XDONB_2。在時段T2中,電晶體171及173持續導通,並藉由第n-1級移位暫存器之掃描訊號ST(n-1)來導通電晶體131,進而將節點Q(n)的位準上拉至高準位電壓U2D,使得電晶體111與121皆呈現導通狀態。在此例中,高準位電壓U2D以閘極高電位VGH來實現。在時段T3中,時脈訊號HC1由低位準轉態為高位準,且其高位準亦為閘極高電位VGH。而由於此時電晶體111與121仍皆呈現導通狀態,因此可透過電晶體121來將時脈訊號HC1中的脈衝傳送至輸出端OUT2,以形成掃描訊號ST(n),同時亦可透過電晶體161來將節點Q(n)耦合至更高位準VGH+ 。此外,由於此時電晶體111亦為導通狀態,因此可透過電晶體111來將時脈訊號HC1中的脈衝傳送至輸出端OUT1,進而將閘極驅動訊號SR(n)由預設電位XDONB_2再上拉至閘極高電位VGH。
藉由以上說明可知,由於移位暫存器100在輸出閘極驅動訊號SR(n)時,係將閘極驅動訊號SR(n)的位準分段抬升,進而降低了驅動電晶體(即電晶體111)之閘極-源極所承受的跨壓。因此,當移位暫存器100在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號SR(n)時,驅動電晶體的閘極-源極不會承受到過高的跨壓而導致驅動電晶體崩潰。
接著請一併參考圖3及圖4,圖3及圖4分別為依照本發明第二實施例之移位暫存器200的電路圖與訊號時序圖。如圖3所示,移位暫存器200與移位暫存器100的差異僅在於移位暫存器200之電晶體171的第一端用以接收第n-1級移位暫存器所輸出之閘極驅動訊號SR(n-1)。由於移位暫存器200的操作方式與移位暫存器100的操作方式相似,在此便不再贅述。
請參考圖5,圖5為依照本發明第三實施例之移位暫存器300的電路圖。如圖5所示,此移位暫存器300包括有輸出單元31、輸入訊號選擇單元32、下拉單元33、電壓耦合單元34、電壓抬升單元35、穩壓單元36、開關單元37、防漏電單元38與重置單元39。輸出單元31分別電性耦接節點Q(n)與輸出端OUT,且接收時脈訊號HC1。此輸出單元31用以依據節點Q(n)與時脈訊號HC1而輸出閘極驅動訊號SR(n)。
輸入訊號選擇單元32電性耦接節點P(n),並接收第n-1級移位暫存器所輸出的閘極驅動訊號SR(n-1)、第n+1級移位暫存器所輸出的閘極驅動訊號SR(n+1)、高準位電壓U2D與低準位電壓D2U。此輸入訊號選擇單元32用以依據閘極驅動訊號SR(n-1)來決定是否將節點P(n)電性耦接至高準位電壓U2D,並用以依據閘極驅動訊號SR(n+1)來決定是否將節點P(n)電性耦接至低準位電壓D2U。
下拉單元33電性耦接輸出端OUT,且接收參考電位XDONB。電壓耦合單元34電性耦接於節點Q(n)與輸出端OUT之間。電壓抬升單元35電性耦接至預設電位XDONB_2、輸出端OUT與第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1),並用以依據第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的電壓位準變化期間,將該閘極驅動訊號SR(n)的位準自參考電位XDONB上拉至預設電位XDONB_2。
穩壓單元36電性耦接至輸入訊號選擇單元32、閘極高電位VGH、時脈訊號HC3與參考電位XDONB。此穩壓單元32用以依據時脈訊號HC3決定是否將節點P(n)電性耦接至參考電位XDONB。開關單元37電性耦接於節點Q(n)與節點P(n)之間,並接收閘極高電位VGH。此開關單元37用以防止節點Q(n)的電壓回流至節點P(n)。防漏電單元38電性耦接輸出端OUT、節點P(n)與穩壓單元36。重置單元39電性耦接穩壓單元36,並接收重置訊號RST。
接下來將繼續說明輸出單元31、輸入訊號選擇單元32、下拉單元33、電壓耦合單元34、電壓抬升單元35、穩壓單元36、開關單元37、防漏電單元38與重置單元39的實現方式,請繼續參照圖5。輸出單元31包括電晶體311(即所謂的驅動電晶體),電晶體311的第一端用以接收時脈訊號HC1,電晶體311的第二端電性耦接至輸出端OUT,而電晶體311的控制端電性耦接至節點Q(n)。
輸入訊號選擇單元32包括有電晶體321與322。電晶體321的第一端電性耦接高準位電壓U2D,電晶體321的第二端電性耦接節點P(n),而電晶體321的控制端電性耦接第n-1級移位暫存器所輸出的閘極驅動訊號SR(n-1)。電晶體322的第二端電性耦接低準位電壓D2U,電晶體322的第一端電性耦接節點P(n),電晶體322的控制端電性耦接第n+1級移位暫存器所輸出的閘極驅動訊號SR(n+1)。
下拉單元33包括電晶體331,電晶體331的第一端電性耦接輸出端OUT,電晶體331的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體331的控制端則電性耦接至穩壓單元36。電壓耦合單元34包括電晶體341,電晶體341的第一端與第二端皆電性耦接電性耦接輸出端OUT,而電晶體341的控制端電性耦接至節點Q(n)。
電壓抬升單元35包括有電晶體351。電晶體351的第一端電性耦接輸出端OUT,電晶體351的第二端電性耦接預設電位XDONB_2,而電晶體351的控制端用以接收第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的訊號。穩壓單元電36包括有電晶體361、362與363以及電阻364。電晶體361的第一端用以接收閘極高電位VGH,而電晶體361的控制端用以接收時脈訊號HC3。電晶體362的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體362的控制端電性耦接至節點P(n)。電晶體363的第一端電性耦接至節點P(n),電晶體363的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體363的控制端電性耦接電晶體362的第一端。電阻364電性耦接於電晶體361的第二端與電晶體362的第一端之間。
開關單元37包括有電晶體371。電晶體371的第一端電性耦接至節點Q(n),電晶體371的第二端電性耦接至節點P(n),而電晶體371的控制端用以接收閘極高電位VGH。防漏電單元38包括有電晶體372,而電晶體372的第一端及控制端電性耦接至輸出端OUT,其第二端則電性耦接至節點P(n)。重置單元39包括有電晶體373,而電晶體373的第一端及控制端用以接收重置訊號RST,其第二端則電性耦接至穩壓單元36之電晶體363的控制端。
圖6為依照本發明第三實施例之移位暫存器的訊號時序圖。在圖6中,標示與圖5中之標示相同者表示為相同的訊號。以下將以圖6所示的三個時段(時段T1~T3)來說明圖5所示之移位暫存器的部分操作,請同時參照圖5與圖6。
在時段T1中,藉由第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的訊號來導通電晶體351,以便將閘極驅動訊號SR(n)的位準自參考電位XDONB上拉至預設電位XDONB_2。在時段T2中,電晶體351持續導通,並藉由第n-1級移位暫存器之閘極驅動訊號SR(n-1)導通電晶體321,進而將節點Q(n)的位準上拉至高準位電壓U2D,使得電晶體311呈現導通狀態。在此例中,高準位電壓U2D以閘極高電位VGH來實現。在時段T3中,時脈訊號HC1由低位準轉態為高位準,且其高位準亦為閘極高電位VGH。而由於此時電晶體311仍呈現導通狀態,因此可透過電晶體311來將時脈訊號HC1中的脈衝傳送至輸出端OUT,進而將閘極驅動訊號SR(n)由預設電位XDONB_2再上拉至閘極高電位VGH,同時亦可透過電晶體341來將節點Q(n)耦合至更高位準VGH+
藉由以上說明可知,由於移位暫存器300在輸出閘極驅動訊號SR(n)時,係將閘極驅動訊號SR(n)的位準分段抬升,進而降低了驅動電晶體(即電晶體311)之閘極-源極所承受的跨壓。因此,當移位暫存器300在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號SR(n)時,驅動電晶體的閘極-源極不會承受到過高的跨壓而導致驅動電晶體崩潰。
接著請參考圖7,圖7為依照本發明第四實施例之移位暫存器400的電路圖。如圖7所示,移位暫存器400與移位暫存器300的差異僅在於移位暫存器400的電壓耦合單元34是利用電容342來實現。由於移位暫存器400的操作方式與移位暫存器300的操作方式相似,在此便不再贅述。
請參考圖8,圖8為依照本發明第五實施例之移位暫存器500的電路圖。如圖8所示,此移位暫存器500包括有輸出單元11、輸出單元12、輸入訊號選擇單元13、下拉單元14、下拉單元15、電壓耦合單元16、電壓抬升單元57、穩壓單元18、開關單元19、防漏電單元20與重置單元21。移位暫存器500的電路架構跟前述實施例之移位暫存器100的差異僅在電壓抬升單元57,因此在此僅說明電壓抬升單元57。
電壓抬升單元57電性耦接至預設電位XDONB_2、參考電位XDONB、輸出端OUT1、第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)與閘極高電位VGH。此電壓抬升單元57用以在第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的電壓位準變化期間,將閘極驅動訊號SR(n)的位準自參考電位XDONB上拉至預設電位XDONB_2。
接著繼續說明電壓抬升單元57的實現方式,請繼續參照圖8。電壓抬升單元57包括有電晶體571、572與573。電晶體571的第一端用以接收閘極高電位VGH,而電晶體571的控制端用以接收第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的訊號。電晶體572的第一端電性耦接電晶體571的第二端,電晶體572的第二端電性耦接參考電位XDONB,而電晶體572的控制端用以接收時脈訊號HC1。電晶體573的第一端電性耦接輸出端OUT1,電晶體573的第二端電性耦接預設電位XDONB_2,而電晶體573的控制端電性耦接電晶體571的第二端與電晶體572的第一端。
圖9為依照本發明第五實施例之移位暫存器的訊號時序圖。在圖9中,標示與圖8中之標示相同者表示為相同的訊號。以下將以圖9所示的三個時段(時段T1~T3)來說明圖9所示之移位暫存器的部分操作,請同時參照圖8與圖9。
在時段T1中,藉由第n-1級移位暫存器之節點Q(n-1)的訊號來導通電晶體571,進而再藉由閘極高電位VGH來導通電晶體573,因此可透過電晶體573來將閘極驅動訊號SR(n)的位準自參考電位XDONB上拉至預設電位XDONB_2。在時段T2中,電晶體571及573持續導通,並藉由第n-1級移位暫存器之掃描訊號ST(n-1)來導通電晶體131,進而將節點Q(n)的位準上拉至高準位電壓U2D,使得電晶體111與121皆呈現導通狀態。在此例中,高準位電壓U2D以閘極高電位VGH來實現。在時段T3中,時脈訊號HC1由低位準轉態為高位準,且其高位準亦為閘極高電位VGH。而由於此時電晶體111與121仍皆呈現導通狀態,因此可透過電晶體121來將時脈訊號HC1中的脈衝傳送至輸出端OUT2,以形成掃描訊號ST(n),同時亦可透過電晶體161來將節點Q(n)耦合至更高位準VGH+ 。此外,由於此時電晶體111亦為導通狀態,因此可透過電晶體111來將時脈訊號HC1中的脈衝傳送至輸出端OUT1,進而將閘極驅動訊號SR(n)由預設電位XDONB_2再上拉至閘極高電位VGH。
藉由以上說明可知,由於移位暫存器500在輸出閘極驅動訊號SR(n)時,係將閘極驅動訊號SR(n)的位準分段抬升,進而降低了驅動電晶體(即電晶體111)之閘極-源極所承受的跨壓。因此,當移位暫存器100在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號SR(n)時,驅動電晶體的閘極-源極不會承受到過高的跨壓而導致驅動電晶體崩潰。
接著請一併參考圖10及圖11,圖10及圖11分別為依照本發明第六實施例之移位暫存器600的電路圖與訊號時序圖。如圖10所示,移位暫存器600與前述實施例之移位暫存器500的差異僅在於移位暫存器600之電晶體571的控制端用以接收第n-1級移位暫存器所輸出之掃描訊號ST(n-1)。由於移位暫存器600的操作方式與移位暫存器500的操作方式相似,在此便不再贅述。
值得一提的是,在上述各實施例中,參考電位XDONB可採用閘極低電位VGL來實現。另外,上述各實施例中的電壓耦合單元皆可採用一電晶體或一電容來實現。
本發明之實施例亦提出一種顯示裝置,其採用本發明之閘極驅動電路。此顯示裝置包括有主動區與周邊區,主動區具有多條閘極線與多條資料線,且閘極線分別與資料線交錯設置,以形成多個畫素單元。周邊區設置於主動區的一側,而前述實施例之閘極驅動電路可設置於周邊區,且其可電性耦接至閘極線。於本實施例中,閘極驅動電路具有多級且串接的移位暫存器,且每級之移位暫存器分別包含有輸出端、主要輸出電路、電壓抬升電路、時脈訊號、閘極高電位、參考電位與預設電位。參照圖1所示,輸出端OUT1用以產生閘極驅動訊號至其中之一之閘極線。輸出端OUT2用以產生掃描訊號至前一級或後一級之移位暫存器。主要輸出電路電性耦接至輸出端OUT2,所謂的主要輸出電路,是指在每級移位暫存器中,除電壓抬升單元17之外的其餘部分。於圖1之實施例中,主要輸出電路是指包含輸出單元11、輸出單元12、輸入訊號選擇單元13、下拉單元14、下拉單元15、電壓耦合單元16、穩壓單元18及開關單元19的電路,而電壓抬升電路則是對應於電壓抬升單元17。如此一來,每級之移位暫存器之主要輸出電路可包含輸出端OUT2與輸出端OUT1,且電壓抬升電路可電性耦接至輸出端OUT1,使得主要輸出電路可透過輸出端OUT1來與電壓抬升電路達到電性耦接,因此,輸出端OUT1之閘極驅動訊號SR(n)會受到主要輸出電路與電壓抬升電路而影響。 於本實施例中,時脈訊號(如時脈訊號HC1、HC2、HC3、HC4)分別電性耦接於主要輸出電路與電壓抬升電路,亦即主要輸出電路與電壓抬升電路可分別接收時脈訊號。同樣地,閘極高電位分別電性耦接主要輸出電路與電壓抬升電路,使得主要輸出電路與電壓抬升電路可分別接收閘極高電位。另外,參考電位XDONB電性耦接至主要輸出電路,。而預設電位XDONB_2電性耦接至電壓抬升電路,使得主要輸出電路可接收參考電位XDONB,而電壓抬升電路則可接收預設電位XDONB_2。此外,於本實施例中,且預設電位XDONB_2大於參考電位XDONB,且預設電位XDONB_2小於閘極高電位VGH。如此一來,每級移位暫存器可接收兩組不同電位之低電位的訊號,其一低電位為參考電位XDONB,而另一低電位為預設電位XDONB_2,且兩低電位分別對應輸入至主要輸出電路與電壓抬升電路。透過與以往每級移位暫存器僅接收一組低電位的不同設計,可助於應用於高解析或低溫環境等顯示裝置。詳言之,閘極驅動訊號SR(n)在一期間內,其位準呈階梯式拉升,從參考電位XDONB抬升至預設電位XDONB_2,再從預設電位XDONB_2抬升至閘極高電位VGH。
綜上所述,在本發明之實施例之閘極驅動電路中,每級移位暫存器在輸出閘極驅動訊號時,係先利用電壓抬升單元將閘極驅動訊號的位準自參考電位上拉至預設電位,接著每級移位暫存器再將閘極驅動訊號的位準自預設電位上拉至閘極高電位。由於每級移位暫存器在輸出閘極驅動訊號時係將閘極驅動訊號的位準分段抬升,進而降低了驅動電晶體之閘極-源極所承受的跨壓。因此,當每級移位暫存器在輸出具有夠高壓差的閘極驅動訊號時,驅動電晶體的閘極-源極不會承受到過高的跨壓而導致驅動電晶體崩潰。此外,由上述各實施例之說明,亦可知本發明之閘極驅動電路可應用於需要高更新率的顯示裝置中,例如電競用的顯示裝置,也可應用於需要高跨壓的低溫環境中,例如車用顯示裝置。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何熟習此技術者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可做些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後付之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600‧‧‧移位暫存器
11、12、31‧‧‧輸出單元
13、32‧‧‧輸入訊號選擇單元
14、15、33‧‧‧下拉單元
16、34‧‧‧電壓耦合單元
17、35、57‧‧‧電壓抬升單元
18、36‧‧‧穩壓單元
19、37‧‧‧開關單元
20、38‧‧‧防漏電單元
21、39‧‧‧重置單元
Q(n)、Q(n-1)、P(n)‧‧‧節點
HC1、HC2、HC3、HC4‧‧‧時脈訊號
SR(n-1)、SR(n)、SR(n+1)‧‧‧閘極驅動訊號
ST(n-1)、ST(n)、ST(n+1)‧‧‧掃描訊號
OUT、OUT1、OUT2‧‧‧輸出端
XDONB‧‧‧參考電位
XDONB_2‧‧‧預設電位
U2D‧‧‧高準位電壓
D2U‧‧‧低準位電壓
VGH‧‧‧閘極高電位
VGL‧‧‧閘極低電位
RST‧‧‧重置訊號
111、121、131、132、141、151、161、171、172、173、181、182、183、191、192、193、311、321、322、331、341、351、361、362、363、371、372、373、571、572、573‧‧‧電晶體
184、364‧‧‧電阻
342‧‧‧電容
T1、T2、T3、T4‧‧‧時段
圖1為依照本發明第一實施例之移位暫存器的電路圖; 圖2為依照本發明第一實施例之移位暫存器的訊號時序圖; 圖3為依照本發明第二實施例之移位暫存器的電路圖; 圖4為依照本發明第二實施例之移位暫存器的訊號時序圖; 圖5為依照本發明第三實施例之移位暫存器的電路圖; 圖6為依照本發明第三實施例之移位暫存器的訊號時序圖; 圖7為依照本發明第四實施例之移位暫存器的電路圖; 圖8為依照本發明第五實施例之移位暫存器的電路圖; 圖9為依照本發明第五實施例之移位暫存器的訊號時序圖; 圖10為依照本發明第六實施例之移位暫存器的電路圖; 圖11為依照本發明第六實施例之移位暫存器的訊號時序圖。

Claims (10)

  1. 一種閘極驅動電路,該閘極驅動電路包括多級且串接的移位暫存器,而每級移位暫存器可分別包含一第一輸出端、一第二輸出端,接收一時脈訊號、一參考電位、一預設電位與一閘極高電位,且該第一輸出端可產生一閘極驅動訊號,該第二輸出端可產生一掃描訊號,其中每級移位暫存器包括: 一第一輸出單元,分別電性耦接一節點與該第一輸出端,且接收該時脈訊號,而該第一輸出單元用以依據該節點與該時脈訊號而輸出該閘極驅動訊號; 一第一下拉單元,分別電性耦接該第一輸出端,且接收該參考電位; 一第二輸出單元,分別電性耦接該節點與該第二輸出端,且接收該時脈訊號,而該第二輸出單元用以依據該節點與該時脈訊號而輸出該掃描訊號; 一第二下拉單元,分別電性耦接該第二輸出端與該參考電位; 一電壓耦合單元,分別電性耦接於該節點與該第二輸出端之間;以及 一電壓抬升單元,分別電性耦接至該預設電位、該第一輸出端、前一級移位暫存器之該節點與該閘極高電位; 其中,於該前一級移位暫存器之該節點的電壓準位變化期間,該閘極驅動訊號的位準自該參考電位上拉至該預設電位,且該預設電位小於該閘極高電位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之閘極驅動電路,其中該電壓抬升單元包括: 一第一電晶體,具有一第一端、一第二端與一第一控制端,該第一端用以接收該閘極高電位,而該第一控制端電性耦接該前一級移位暫存器之該節點; 一第二電晶體,具有一第三端、一第四端與一第二控制端,該第三端電性耦接該第二端,該第四端用以接收該預設電位,而該第二控制端用以接收該時脈訊號;以及 一第三電晶體,具有一第五端、一第六端與一第三控制端,該第五端電性耦接該第一輸出端,該第六端用以接收該預設電位,而該第三控制端電性耦接該第二端。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之閘極驅動電路,其中該電壓抬升單元包括: 一第一電晶體,具有一第一端、一第二端與一第一控制端,該第一端用以接收該前一級移位暫存器所輸出之該閘極驅動訊號,而該第一控制端電性耦接該前一級移位暫存器之該節點; 一第二電晶體,具有一第三端、一第四端與一第二控制端,該第三端電性耦接該第二端,該第四端用以接收該預設電位,而該第二控制端用以接收該時脈訊號;以及 一第三電晶體,具有一第五端、一第六端與一第三控制端,該第五端電性耦接該第一輸出端,該第六端用以接收該預設電位,而該第三控制端電性耦接該第二端。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之閘極驅動電路,其中該電壓抬升單元包括: 一第一電晶體,具有一第一端、一第二端與一第一控制端,該第一端用以接收該閘極高電位,而該第一控制端電性耦接該前一級移位暫存器之該節點; 一第二電晶體,具有一第三端、一第四端與一第二控制端,該第三端電性耦接該第二端,該第四端用以接收該參考電位,而該第二控制端用以接收該時脈訊號;以及 一第三電晶體,具有一第五端、一第六端與一第三控制端,該第五端電性耦接該第一輸出端,該第六端用以接收該預設電位,而該第三控制端電性耦接該第二端。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之閘極驅動電路,其中該電壓耦合單元包括一電容,該電容電性耦接於該第二輸出端與該級移位暫存器之該節點之間。
  6. 一種閘極驅動電路,該閘極驅動電路包括多級且串接的移位暫存器,而每級移位暫存器可分別包含一第一輸出端、一第二輸出端,接收一時脈訊號、一參考電位、一預設電位與一閘極高電位,且該第一輸出端可產生一閘極驅動訊號,該第二輸出端可產生一掃描訊號,其中每級移位暫存器包括: 一第一輸出單元,分別電性耦接一節點與該第一輸出端,且接收該時脈訊號,而該第一輸出單元用以依據該節點與該時脈訊號而輸出該閘極驅動訊號; 一第一下拉單元,分別電性耦接該第一輸出端,且接收該參考電位; 一第二輸出單元,分別電性耦接該節點與該第二輸出端,且接收該時脈訊號,而該第二輸出單元用以依據該節點與該時脈訊號而輸出該掃描訊號; 一第二下拉單元,分別電性耦接該第二輸出端與該參考電位; 一電壓耦合單元,分別電性耦接於該節點與該第二輸出端之間;以及 一電壓抬升單元,分別電性耦接至該預設電位、該第一輸出端、前一級移位暫存器之該第二輸出端與該閘極高電位; 其中,於該前一級移位暫存器所輸出之該掃描訊號的電壓準位變化期間,該閘極驅動訊號的位準自該參考電位上拉至該預設電位,且該預設電位小於該閘極高電位。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之閘極驅動電路,其中該電壓抬升單元包括: 一第一電晶體,具有一第一端、一第二端與一第一控制端,該第一端用以接收該閘極高電位,而該第一控制端電性耦接該前一級移位暫存器之該第二輸出端; 一第二電晶體,具有一第三端、一第四端與一第二控制端,該第三端電性耦接該第二端,該第四端用以接收該參考電位,而該第二控制端用以接收該時脈訊號;以及 一第三電晶體,具有一第五端、一第六端與一第三控制端,該第五端電性耦接該第一輸出端,該第六端用以接收該預設電位,而該第三控制端電性耦接該第二端。
  8. 一種閘極驅動電路,該閘極驅動電路包括多級且串接的移位暫存器,而每級移位暫存器可分別包含一輸出端,其可產生一閘極驅動訊號,且每級移位暫存器可分別接收一時脈訊號、一參考電位、一預設電位與一閘極高電位,其中每級移位暫存器包括: 一輸出單元,分別電性耦接一節點與該輸出端,且接收該時脈訊號,而該輸出單元用以依據該節點與該時脈訊號而自該輸出端輸出該閘極驅動訊號; 一下拉單元,電性耦接該輸出端,且接收該參考電位; 一電壓耦合單元,分別電性耦接於該節點與該輸出端之間;以及 一電壓抬升單元,分別電性耦接至該預設電位、該輸出端與前一級移位暫存器之該節點, 其中,於該前一級移位暫存器之該節點的電壓準位變化期間,該閘極驅動訊號的位準自該參考電位上拉至該預設電位,且該預設電位小於該閘極高電位。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之閘極驅動電路,其中該電壓抬升單元包括一電晶體,該電晶體具有一第一端、一第二端與一控制端,該第一端電性耦接該級移位暫存器之該輸出端,該第二端用以接收該預設電位,而該控制端電性耦接該前一級移位暫存器之該節點。
  10. 一種顯示裝置,包含: 一主動區,具有多條閘極線與多條資料線,且該些閘極線分別與該些資料線交錯設置,以形成多個畫素單元; 一周邊區,設於該主動區之一側,且具有一閘極驅動電路,且該閘極驅動電路可分別電性耦接至該些閘極線,其中該閘極驅動電路具有多級且串接的移位暫存器,且每級移位暫存器分別包含: 一第一輸出端,用以產生一閘極驅動訊號至其中之一之該些閘極線; 一第二輸出端,用以產生一掃描訊號至前一級或後一級之移位暫存器; 一主要輸出電路,電性耦接至該第二輸出端; 一電壓抬升電路,電性耦接至該第一輸出端; 一第一時脈訊號,分別電性耦接於該主要輸出單元電路與該電壓抬升單元電路; 一閘極高電位,分別電性耦接該主要輸出電路與該電壓抬升電路; 一參考電位,電性耦接至該主要輸出電路;以及 一預設電位,電性耦接至該電壓抬升電路,且該預設電位大於該參考電位,且該預設電位小於該閘極高電位; 其中,該閘極驅動訊號在一期間內,其位準呈階梯式拉升,從該參考電位抬升至該預設電位,再從該預設電位抬升至該閘極高電位。
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