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TW201836036A - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 Download PDF

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TW201836036A
TW201836036A TW107101145A TW107101145A TW201836036A TW 201836036 A TW201836036 A TW 201836036A TW 107101145 A TW107101145 A TW 107101145A TW 107101145 A TW107101145 A TW 107101145A TW 201836036 A TW201836036 A TW 201836036A
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福井祥吾
內田範臣
憲
篠原英
錦戶修一
浦智仁
元山祐
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]防止基板之下面被用於洗淨基板之上面的處理液污染。 　　[解決手段]在一面藉由基板保持旋轉部使基板旋轉，一面並行地進行基板之上面與下面的液處理後，在使基板之上面與下面的液處理兩者結束之際，控制部(18)，係先結束由處理液供給機構(73)對基板之上面供給處理液，其後，結束由處理液供給機構(71)對基板之下面供給處理液。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明，係關於將處理液供給至基板而進行液處理的技術。
在半導體裝置之製造中，係存在有下述之情形：在使元件形成面成為下面而水平地保持半導體晶圓等的基板，並使其繞垂直軸旋轉的狀態下，將洗淨液(例如洗淨用藥液或沖洗液)供給至基板之上面及下面，對該上面及下面實施洗淨處理。此時，亦存在有如下述之情形：使刷子接觸於基板之上面等來物理性地進行洗淨(專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-149470號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，存在有如下述之情形：被供給至基板之上面的處理液或其處理液的霧氣迴繞至基板之下面，從而附著於下面的元件形成面。由於在附著之處理液，係含有從基板之上面所去除之微粒等的不要物，因此，存在有導致元件形成面被污染的情形。
本發明，係以防止基板之下面被用於洗淨基板之上面的處理液污染為目的。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述之課題，本發明之基板處理裝置，係藉由對基板供給處理液的方式，對基板進行液處理，該基板處理裝置，其特徵係，具備有：基板保持旋轉部，保持基板而使其旋轉；第1處理液供給機構，對基板之上面供給處理液；第2處理液供給機構，對基板之下面供給處理液；及控制部，控制使用了第1處理液供給機構與第2處理液供給機構之處理，在一面藉由前述基板保持旋轉部使基板旋轉，一面並行地進行基板之上面與下面的液處理後，在使基板之上面與下面的液處理兩者結束之際，前述控制部，係先結束由前述第1處理液供給機構對前述基板之上面供給處理液，其後，結束由前述第2處理液供給機構對前述基板之下面供給處理液。 [發明之效果]
本發明，係可防止基板之下面被用於洗淨基板之上面的處理液污染。
以下，參閱圖面，說明關於本發明之實施形態。
(第1實施形態) 　　圖1，係表示本實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。在以下中，係為了明確位置關係，而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示，基板處理系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有以水平狀態收容複數片晶圓W(基板)的複數個載體C。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置13，係可進行朝水平方向及垂直方向之移動及將垂直軸作為中心之旋轉，使用基板保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，係被並排設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的基板保持機構。又，基板搬送裝置17，係可進行朝水平方向及垂直方向之移動及將垂直軸作為中心之旋轉，使用基板保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送的晶圓W進行預定之基板處理。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有控制在基板處理系統1所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係被記錄於可藉由電腦而讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為可藉由電腦而讀取的記憶媒體，係有例如硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述般所構成之基板處理系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出之晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14之晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出且搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16之晶圓W，係在藉由處理單元16予以處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出且載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13而返回到載體載置部11的載體C。
其次，參閱圖2，說明關於處理單元16之概略構成。圖2，係包含於圖1之基板處理系統1之處理單元16的概略縱剖面圖。
如圖2所示，處理單元16，係具備有：腔室20；基板保持旋轉機構30(基板保持旋轉部之一例)，保持晶圓W且使其旋轉；液體吐出部40，構成處理液供給噴嘴；及回收罩杯50，回收被供給至晶圓W後的處理液。
腔室20，係收容有基板保持機構30、液體吐出部40及回收罩杯50。在腔室20之頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21，係在腔室20內形成下降流。
基板保持旋轉機構30，係被構成為藉由機械式之夾持機構來保持晶圓W的機械夾頭。基板保持旋轉機構30，係具有基板保持部31、旋轉軸32及旋轉馬達(旋轉驅動部)33。
基板保持部31，係具有：圓板形之底板(板狀體)31a；及複數個支撐構件31b，被設置於底板31a之周緣部。支撐構件31b，係被形成於底板31a之上部，保持晶圓W之周緣。藉此，在晶圓W的下面與底板31a的上面之間，係形成有下方空間83。在本實施形態中，係複數個支撐構件31b之數個支撐構件，係相對晶圓W進退而進行晶圓W之把持及解放的切換之可動的支撐構件，剩餘之支撐構件31b，係不動的支撐構件。支撐構件31b之詳細內容，係如後述。旋轉軸32，係中空，且從底板31a之中央部沿垂直方向朝下延伸。旋轉馬達33，係驅動旋轉軸32旋轉，藉此，藉由基板保持部31而以水平姿勢所保持的晶圓W繞垂直軸旋轉。
液體吐出部40，係被形成為沿垂直方向延伸之細長的軸狀之構件。液體吐出部40，係具有沿垂直方向延伸之中空圓筒形的軸部41與頭部42。軸部41，係被插入至基板保持旋轉機構30之旋轉軸32的內部之圓柱形的空洞32a內。軸部41與旋轉軸32為同心。在軸部41的外周面與旋轉軸32的內周面之間，形成有作為具有圓環狀之剖面的氣體通路80之空間。
在液體吐出部40之內部，係具有沿垂直方向延伸之圓柱形的空洞。在該空洞之內部，係設置有處理液供給管43。處理液供給管43之上端，係在液體吐出部40之頭部42形成開口，且成為朝向被保持於基板保持旋轉機構30之晶圓W之下面的中央部吐出處理液之液體吐出口。
用以處理晶圓W之下面的預定處理液從處理液供給機構71被供給至處理液供給管43。處理液供給機構71之構成的詳細說明，係如後述。在本實施形態中，該處理液供給機構71，雖係設成為供給純水(DIW)，但亦可被構成可切換而供給複數個處理液，例如洗淨用藥液(例如DHF)及沖洗液。作為用以使晶圓W之下面乾燥的乾燥用氣體的氮(N2 )從乾燥用氣體供給機構72(第2氣體供給機構)被供給至氣體通路80。乾燥用氣體供給機構72之構成的詳細說明，係如後述。
液體吐出部40之上側部分(頭部42及其下側附近)的周圍，係藉由旋轉軸32之空洞32a所包圍。在液體吐出部40的上側部分與空洞32a之間，係具有圓環狀的間隙，該間隙形成使乾燥用之氣體通過的氣體吐出路徑81。
在底板31a之中央部的上面，係藉由液體吐出部40之頭部42的外周端緣與基板保持部的表面，界定氣體吐出口35。上述氣體吐出口35，係將流通於圓環狀的氣體吐出路徑81之氣體吐出至晶圓W之下方空間83(晶圓W與底板31a之間的空間)之圓環狀的吐出口。
回收罩杯50，係被配置為包圍基板保持旋轉機構30之基板保持部31，收集從旋轉之晶圓W飛散的處理液。回收罩杯50，係具有：不動的下罩杯體51；及上罩杯體52，可在上升位置(圖2所示之位置)與下降位置之間升降。上罩杯體52，係藉由升降機構53升降。上罩杯體52位於下降位置時，上罩杯體52之上端，係位於比藉由基板保持旋轉機構30所保持之晶圓W低的位置。因此，上罩杯體52位於下降位置時，可在進入至腔室20內之圖1所示之基板搬送裝置17的基板保持機構(臂部)與基板保持旋轉機構30之間，進行晶圓W之收授。
在下罩杯體51之底部，係形成有排氣口54。經由該排氣口54，所收集之回收罩杯50內的氛圍從回收罩杯50被排出。排氣管55被連接於排氣口54，排氣管55，係被連接於減壓氛圍的工廠排氣系統(未圖示)。又，在下罩杯體51之底部，係形成有排液口56。經由該排液口56，所收集之處理液從回收罩杯50被排出。排液管57被連接於排液口56，排液管57，係被連接於工廠排液系統(未圖示)。
來自FFU21之清淨空氣的下降流，係經由回收罩杯50(上罩杯體52)之上部開口被吸入至回收罩杯50內，並從排氣口54排氣。因此，在回收罩杯50內，係產生以箭號F所示的氣流。
整流構件34，係具有圓環形狀，具有以產生箭頭F之氣流的方式進行整流，並且抑制氣體或霧氣從下罩杯體51朝上罩杯體52之方向捲起的功能。整流構件34之上端，係位於比底板31a低的位置，與底板31a之外周端相隔間隔d。在晶圓W之尺寸為300mm的情況下，底板31a之外周端，係位於比晶圓W的端部更外周側，間隔d，係就使整流構件34具有功能而言，設定成4mm左右者為最佳，且微粒附著至晶圓W下面亦成為最小。
處理單元16，係更具備有至少1個處理液供給噴嘴62：將處理液(洗淨用藥液及沖洗液)供給至藉由基板保持旋轉機構30所保持之晶圓W的上面。處理單元16，係更具備有：刷子63，對晶圓W之上面進行擦洗洗淨。刷子63之形狀的詳細內容，係如後述。
用以處理晶圓W之上面的預定處理液從處理液供給機構73被供給至處理液供給管62。氣體供給口61，係被設置於晶圓W之旋轉中心的上方，從乾燥用氣體供給機構74供給作為用以進行乾燥處理之乾燥用氣體的N2 。處理液供給機構73及乾燥用氣體供給機構74之構成的詳細說明，係如後述。
其次，使用圖3，說明關於本實施形態中之刷子63之形狀的詳細內容。圖3，係表示刷子63之形狀之詳細內容的圖。另外，在圖3(a)中，係表示本實施形態之刷子63的側視圖，在圖3(b)中，係表示本實施形態之刷子63的底視圖。
如圖3(a)及圖3(b)所示，刷子63，係由本體部631、連接部632、第1洗淨體633、第2洗淨體634所構成。在處理單元16，係具備有使刷子63旋轉並且使與晶圓W之相對位置變更之未圖示的臂部，連接部632，係用以將該臂部與本體部631連接而賦予旋轉力者。第1洗淨體633及第2洗淨體634，係藉由接觸於晶圓W之上面的方式，洗淨晶圓W而去除微粒等的不要物。第1洗淨體633，係由PVA等所構成之海綿狀的洗淨體。第2洗淨體634，係由比第1洗淨體633硬的材料(例如PP等)所構成之植毛的洗淨體。本體部631及連接部632，係中空之圓柱形狀，從被設定於未圖示的臂部之供給管之前端所吐出的洗淨液，係通過中空之區域被引導至開口635。而且，其處理液，係從開口635被供給至第1洗淨體633及第2洗淨體634與晶圓W的接觸面。
由於第1洗淨體633為海綿狀之材質，因此，在以處理液使刷子63濕潤的狀態下，在接觸於晶圓W時，如圖3(c)所示，存在有變形成側面往內周方向翹曲之形狀的情形。發明者，係推測該些變形產生之原因為刷子63之製造時之第1洗淨體633的成形手法。又，由於因第1洗淨體633對晶圓W之表面施加有推壓力的接觸而產生橫方向之摩擦力，因此，在液處理時，變形程度會增大。
當有像這樣的朝內側翹曲時，與第1洗淨體633之側面碰撞的洗淨液，係如圖3(c)的箭頭所示，因旋轉所致之離心力而易朝向斜上方彈起，導致處理液之霧氣增大。飛濺至氛圍中之霧氣，係不僅有繞到晶圓W之上面且有繞到下面而附著之虞，導致元件形成面之污染。
因此，如圖3(d)所示，即便在用於洗淨處理之前的狀態下，亦將第1洗淨體633形成為沿外周方向的形狀為較佳。具體而言，第1洗淨體633之周緣部，係從側面觀之，設成為往外側翹曲的形狀為較佳。
藉此，即便在實際使用之際，亦如圖3(c)所示，由於難以產生變形且可抑制霧氣的發生，因此，可更抑制元件形成面之污染。
圖4A～圖4D，係說明基板保持部31之詳細內容的圖。在此，上述之複數個支撐構件31b中之可動的支撐構件，係圖示為把持部31b-1，不動的支撐構件，係圖示為晶圓支撐部31b-2。
如圖4A所示，底板31a，係具有大致圓形之上面形狀，在周圍形成缺口部C1及C2。缺口部C1及C2，係以大致60°之角度間隔而交互配置。缺口部C1，係容許被安裝於底板31a之下部的把持部31b-1凸出至底板31a之上方。又，缺口部C2，係與被設置於基板搬送裝置17之基板保持機構的晶圓保持爪(未圖示)對應而設置，並容許晶圓保持爪上下地穿通底板31a。
又，如上述般，在底板31a之上面，係設置有沿周緣延伸的複數個晶圓支撐部31b-2。像這樣的晶圓支撐部31b-2，係配合底板31a之缺口部C1及C2而形成。又，各晶圓支撐部31b-2，係具有：上面平坦部311；及傾斜面312，朝向底板31a之中央傾斜。傾斜面312之外周緣(上面平坦部311與傾斜面312之邊界)，係位於沿比晶圓W的直徑大之第1圓的圓周，傾斜面312之內周緣，係位於沿與第1圓為同心圓且比晶圓W的直徑小之第2圓的圓周。因此，在將晶圓W載置於底板31a的情況下，晶圓W，係藉由其邊緣與傾斜面312相接的方式所支撐(參閱圖4B)。此時，晶圓W，係與底板31a之上面分開。
又，在晶圓支撐部31b-2之上面平坦部311，係設置有導引銷313。如圖4B所示，導引銷313之側面313Ｉ，係於下端與晶圓支撐部31b-2之傾斜面312的外周緣相接。又，在導引銷313，係形成朝向底板31a之中央傾斜的導引傾斜面313B。在晶圖W從基板搬送裝置17(圖1)被載置於晶圓支撐部31b-2之際，當晶圓W之邊緣與導引傾斜面313B相接時，則受到導引而使晶圓W之邊緣順著導引傾斜面313B滑落，帶動晶圓W移動，藉此，晶圓W被定位而支撐於晶圓支撐部31b-2。
另外，導引銷313，係具有如下述般之高度：導引銷313之上面位於比藉由複數個晶圓支撐部31b-2所支撐的晶圓W之上面高的位置。
圖4C及圖4D，係分別從上方觀看導引銷313與把持部31b-1的圖。如圖示般，在被設置於晶圓支撐部31b-2之導引銷313與把持部31b-1，係在大致中央部中，形成有沿與底板31a的周緣交叉之方向延伸的溝部G。但是，溝部G，係並非為準確地朝向半徑方向，在液處理時，藉由往流通於晶圓W上之周緣的洗淨液之方向傾斜的方式，使從橫方向與導引銷313碰撞之處理液的量減少，並使抑制霧氣的發生之效果進一步提升。
圖4Ｅ，係導引銷313的變形例。朝向導引銷313之液體的方向，係因應液處理時之旋轉數等的條件而不同。圖4Ｅ，係液體之方向成為大致圓周方向的情況下被最佳化的形狀。由於被設置於導引銷313之傾斜面，係朝向外側，因此，所碰撞之處理液，係不會飛濺至晶圓W側而大部分被引導至回收罩杯50側。該傾斜，雖係將以往之導引銷313整體切開而形成，但由於導引傾斜面313B，係保持接近原型之形狀，因此，具有作為晶圓W的導引構件之充分的功能。另外，在上述例子中，雖係說明了關於平面視圖中之上面平坦部311的長度充分大於導引銷313之大小的情況，但即便僅設置於導引銷313之周緣或省略設置，亦可獲得相同的效果。
在本實施形態中，進行基板處理系統1之處理液及乾燥用氣體的供給及排出之流體供給系統的構成表示圖5中。圖5，係表示流體供給系統之構成的圖。
在圖5之乾燥用氣體供給機構72中，乾燥用氣體供給源401，係用於乾燥處理之乾燥用氣體(N2 )的供給源。乾燥用氣體供給管線402，係用以對腔室20供給來自乾燥用氣體供給源401之乾燥用氣體的供給路徑。開關閥403，係被介設於乾燥用氣體供給管線402，控制乾燥用氣體對腔室20之供給的開始及停止。流量調整器404，係被介設於乾燥用氣體供給管線402，調整從乾燥用氣體供給管線402對腔室20所供給之乾燥用氣體的流量。
在圖5之處理液供給機構71(第2處理液供給機構)中，處理液供給源405，係用於液處理之處理液的供給源，且為本實施形態之處理液即純水(DIW)的供給源。處理液供給管線406，係用以對腔室20供給來自處理液供給源405之處理液的供給路徑。開關閥407，係介設於處理液供給管線406，控制處理液對腔室20之供給的開始及停止。流量調整器408，係被介設於處理液供給管線406，調整從處理液供給源405對處理液供給管線406所供給之處理液的流量。
圖5之乾燥用氣體供給機構74，係具備有與乾燥用氣體供給機構72相同之構成，在乾燥用氣體供給機構74中，乾燥用氣體供給源409，係具有與乾燥用氣體供給源401相同的功能，乾燥用氣體供給管線410，係具有與乾燥用氣體供給管線402相同的功能，開關閥411，係具有與開關閥403相同的功能，流量調整器412，係具有與流量調整器404相同的功能。
在圖5之處理液供給機構73(第1處理液供給機構)中，處理液供給源413，係具有與處理液供給源405相同的功能，處理液供給管線414，係具有與處理液供給管線406相同的功能。處理液供給源415，係本實施形態之處理液即DHF的供給源。處理液供給管線416，係用以對腔室20供給來自處理液供給源415之處理液的供給路徑。切換閥417，係被連接於處理液供給管線414及處理液供給管線416，切換為對腔室20供給DIW與DHF其中任一個，並且控制其供給的開始及停止。流量調整器418，係被介設於處理液供給管線414，調整從處理液供給源413對處理液供給管線414所供給之處理液的流量。流量調整器419，係被介設於處理液供給管線416，調整從處理液供給源415對處理液供給管線416所供給之處理液的流量。
其次，使用圖6，說明關於本實施形態的基板處理裝置中之進行洗淨處理及乾燥處理之際的動作。圖6，係說明進行洗淨處理及乾燥處理之際之動作的圖。
在本實施形態中，係對半徑150mm之晶圓W的上面與下面並行地進行處理者，以(1)上面洗淨處理/下面洗淨處理、(2)上面洗淨(沖洗)處理/下面洗淨處理、(3)上面乾燥處理/下面乾燥處理的順序來執行。在此，記載(A處理/B處理)，係表示A處理與B處理並行地進行處理，亦即在執行上面與下面之各個處理的時間整體中至少設置部分重複期間(同時地處理上面與下面之時間)，執行相互的處理。另外，為了增減流體之供給量，控制部18，係控制處理液供給機構71、乾燥用氣體供給機構72(第2氣體供給機構)、處理液供給機構73及乾燥用氣體供給機構74(第1氣體供給機構)所具有的開關閥或流量調整器。
圖6(a)，係表示(1)上面洗淨處理/下面洗淨處理之動作狀態的示意圖。在本動作中，晶圓W，係以預定旋轉數(例如1000rpm)進行旋轉。在此，關於上面，係從處理液供給噴嘴62對晶圓W之中心供給DIW，在晶圓W表面形成液膜，使刷子63抵接於晶圓W上面，並沿水平方向掃描，藉此，物理性地洗淨晶圓W表面。在此，係亦可進行DHF所致之藥液處理，而不限定於使用刷子63的物理性洗淨。另一方面，關於下面，係從處理液供給管43對晶圓W之中心供給DIW，藉此，進行洗淨處理。
圖6(b)，係表示洗淨處理(1)後所執行之(2)上面洗淨(沖洗)處理/下面洗淨處理之動作狀態的示意圖。在本動作中，晶圓W，係以預定旋轉數(例如1000rpm)進行旋轉。在此，關於上面，係使刷子63所致之洗淨停止，並從處理液供給噴嘴62對晶圓W之中心供給DIW，進行洗淨(沖洗)處理。另一方面，關於下面，係從處理液供給管43對晶圓W之中心供給DIW，藉此，進行洗淨處理。
圖6(c)，係表示洗淨處理(2)後所執行之(3)上面乾燥處理/下面乾燥處理的示意圖。在此，關於上面，係從氣體供給口61供給乾燥用氣體(N2 )，進行上面的乾燥處理，並且，對於下面亦相同地，從氣體通路80供給乾燥用氣體(N2 )，進行乾燥處理。
其次，使用圖7之流程圖，說明關於在進行洗淨處理(1)及洗淨處理(2)之際之處理液供給機構71，73的控制動作。圖7，係表示處理液供給機構71，73之控制動作的流程圖。本流程圖之處理，係藉由控制部18執行被記憶於記憶部19之基板處理程式的方式來達成。
首先，對晶圓W開始進行上述的洗淨處理(1)。但是，並非一開始就對兩面供給洗淨液，首先，處理液供給機構71僅對下面供給洗淨液(第1開始工程)，在晶圓W之下面形成洗淨液的液膜(步驟S101)。此處之洗淨液的供給時間並無限定，只要為可形成液膜之程度即可。
其次，處理液供給機構73對晶圓W之上面供給洗淨液(第2開始工程)。由於為對晶圓W之下面亦持續供給洗淨液的狀態，因此，形成為對兩面供給洗淨液的動作(步驟S102)。
而且，其後，藉由繼續步驟S102之動作的方式，在洗淨液之液膜被形成於兩面的狀態下，使刷子63接觸於晶圓W之上面且使其移動，藉此，洗淨晶圓W之上面(步驟S103)。以上相當於洗淨處理(1)。
洗淨處理(1)結束後，作為洗淨處理(2)，對晶圓W之兩面進行沖洗液的供給(步驟S104)。沖洗液之供給，係執行「將殘留於晶圓W上之洗淨液或微粒去除」之程度的時間。
其次，停止由處理液供給機構73對上面供給沖洗液(第1結束工程)，處理液供給機構71僅對下面供給沖洗液(步驟S105)。該處理，係持續「藉由旋轉所致之離心力將殘留於晶圓W之上面的處理液從晶圓W上去除」之程度的時間。
而且，停止由處理液供給機構71對下面供給沖洗液(第2結束工程)，進行乾燥處理(3)(步驟S106)。乾燥處理結束後，一連串的處理則結束。
如以上說明般，在本實施形態中，係在洗淨處理(2)中，一面使晶圓W旋轉，一面並行地進行了晶圓W之上面與下面的沖洗處理後，在使晶圓W之上面與下面的沖洗處理兩者結束之際，先結束對晶圓W之上面供給沖洗液，其後，結束對晶圓W之下面的供沖洗液。藉此，由於去除來自上面之液體的期間，係液膜被形成於晶圓W之下面，因此，可防止元件形成面即晶圓W之下面被「來自上面之液體的迴繞或液體與罩杯碰撞而捲起的霧氣等」污染的情形。
在此，繼續對晶圓W之下面供給沖洗液，直至藉由晶圓W之旋轉的離心力，將殘存於晶圓W之上面的沖洗液從晶圓W之上面去除為止。藉此，由於有迴繞之虞的沖洗液會全消失，因此，可更確實地防止污染。
又，即便在洗淨處理(1)的開始之際，亦先開始對晶圓W之下面供給處理液，其後，開始對晶圓W之上面供給處理液。藉此，即便在相對地大量附著有污染物質之洗淨處理的開始時，亦可防止污染物質從上面迴繞至下面。
而且，本實施形態之刷子63的第1洗淨體633(洗淨體之一例)之周緣部，係從側面觀之，具有往外側翹曲的形狀。藉此，可降低與刷子63碰撞之處理液因刷子63的旋轉而霧化之現象，並可防止上面的處理液造成晶圓W的污染。
而且，位於1個導引銷313之中心且朝向外側的溝部G，係朝向沿被形成於晶圓W之周緣部的液流之方向。藉此，在洗淨處理時，可將液流對導引銷313之碰撞抑制至最小限度，並可防止彈起所致之霧氣的發生。
而且，藉由在回收罩杯50中設置整流構件34，並且使底板31a大於晶圓W之半徑的方式，可防止回收罩杯50內之霧氣捲起，並且可防止霧氣附著於晶圓W之下面。
18‧‧‧控制部
31‧‧‧基板保持部
63‧‧‧刷子
71‧‧‧處理液供給機構
73‧‧‧處理液供給機構
[圖1]圖1，係表示第1實施形態之基板處理系統之概略構成的圖。 　　[圖2]圖2，係包含於圖1之基板處理系統之處理單元的概略縱剖面圖。 　　[圖3]圖3，係表示刷子之形狀之詳細內容的圖。 　　[圖4A]圖4A，係表示基板保持部之詳細內容的圖。 　　[圖4B]圖4B，係表示基板保持部之詳細內容的圖。 　　[圖4C]圖4C，係表示基板保持部之詳細內容的圖。 　　[圖4D]圖4D，係表示基板保持部之詳細內容的圖。 　　[圖4E]圖4E，係表示基板保持部之詳細內容的圖。 　　[圖5]圖5，係表示流體供給系統之構成的圖。 　　[圖6]圖6，係說明進行洗淨處理及乾燥處理之際之動作的圖。 　　[圖7]圖7，係表示處理液供給機構之控制動作的流程圖。

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，係藉由對基板供給處理液的方式，對基板進行液處理，該基板處理裝置，其特徵係，具備有： 　　基板保持旋轉部，保持基板而使其旋轉； 　　第1處理液供給機構，對基板之上面供給處理液； 　　第2處理液供給機構，對基板之下面供給處理液；及 　　控制部，控制使用了前述第1處理液供給機構與前述第2處理液供給機構之處理， 　　在一面藉由前述基板保持旋轉部使基板旋轉，一面並行地進行基板之上面與下面的液處理後，在使基板之上面與下面的液處理兩者結束之際，前述控制部，係先結束由前述第1處理液供給機構對前述基板之上面供給處理液，其後，結束由前述第2處理液供給機構對前述基板之下面供給處理液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中， 　　前述控制部，係在先結束由前述第1處理液供給機構對前述基板之上面供給處理液，且藉由前述基板之旋轉的離心力，將殘存的處理液從前述基板之上面去除後，結束由前述第2處理液供給機構對前述基板之下面供給處理液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中， 　　在使前述基板之上面與下面的液處理兩者開始之際，前述控制部，係先開始由前述第2處理液供給機構對前述基板之下面供給處理液，其後，開始由前述第1處理液供給機構對前述基板之上面供給處理液。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更具備有： 　　刷子，在對前述基板之上面進行液處理之際，一面使洗淨體接觸於前述基板之上面，並使前述洗淨體旋轉，一面洗淨前述基板， 　　前述刷子之洗淨體的周緣部，係從側面觀之，具有往外側翹曲的形狀。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中， 　　前述基板保持旋轉部，係具有： 　　底板，用以使基板旋轉； 　　支撐構件，被設置於前述底板之上方，支撐前述基板；及 　　複數個導引銷，將前述基板導引至「藉由前述支撐構件而支撐從被設置於前述底板之上方的裝置外部所搬送來之基板」的位置， 　　前述複數個導引銷之各個，係具有沿與前述底板的周緣交叉之方向的溝部，前述溝部，係在前述液處理時，往流通於前述基板之周緣的處理液之方向傾斜。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中，更具備有： 　　回收罩杯，收集從旋轉之基板飛散的處理液； 　　氣體供給機構，供給用以從前述基板之上方形成下降流的氣體； 　　排氣口，對「藉由前述下降流進入至前述回收罩杯而產生」的氣流進行排氣；及 　　整流構件，被設置於前述基板保持旋轉部與前述回收罩杯之間，以使前述氣流朝向前述排氣口的方式，進行整流， 　　前述基板保持旋轉部，係具有用以使基板旋轉之底板， 　　前述底板之外周端，係位於比前述基板之端部更外周側，前述整流構件之上端，係位於比前述底板之外周端低的位置。
  7. 一種基板處理方法，係藉由對基板供給處理液的方式，對基板進行液處理，該基板處理方法，其特徵係，包含有： 　　處理液供給工程，保持基板而使其旋轉，對基板之上面供給處理液，並對基板之下面供給處理液，藉此，並行地進行基板之上面與下面的液處理； 　　第1結束工程，前述處理液供給工程後，結束對前述基板之上面供給處理液；及 　　第2結束工程，其後，結束對前述基板之下面供給處理液。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中， 在前述第2結束工程中，在先結束對前述基板之上面供給處理液，且藉由前述基板之旋轉的離心力，將殘存的處理液從前述基板之上面去除後，結束對前述基板之下面供給處理液。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理方法，其中，更包含： 　　第1開始工程，在使基板之上面與下面的液處理兩者開始之際，先開始對前述基板之下面供給處理液；及 　　第2開始工程，其後，開始對前述基板之上面供給處理液。
  10. 一種記憶媒體，係記憶有程式，該程式，係用以執行如申請專利範圍第7～9項中任一項之基板處理方法。
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