JP2025008120A - 基板処理装置、および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保持部の汚れを除去する、技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板を処理液で処理する処理部を備える。前記処理部は前記基板を水平に保持する保持部を有する。前記保持部は前記基板の下面中央に接触する第１保持部を含む。前記処理部は鉛直な回転軸を中心に前記第１保持部を回転させる回転駆動部を有する。前記基板処理装置は、前記基板とは別に用意した第２基板を帯電させる帯電部と、前記帯電部で帯電させた前記第２基板を、前記第１保持部と接触させる制御を行なう制御部と、を備える。【選択図】図９

Description

本開示は、基板処理装置、および基板処理方法に関する。

特許文献１に記載の基板処理装置は、２つの吸着パッドと、液受けカップと、スピンチャックと、筐体と、第１洗浄部と、第２洗浄部と、を備える。２つの吸着パッドは、基板の下面を水平に吸着保持する。液受けカップは、２つの吸着パッドと連結されている。スピンチャックは、吸着パッドから受け取った基板の下面を水平に吸着保持する。筐体は、上面が開口した開口部を有する。筐体の底部には、洗浄液を排出するドレイン管と、気流を排気する排気管とが設けられている。第１洗浄部は、基板の上面を洗浄する。第２洗浄部は、基板の下面を洗浄する。

特開２０２０－４３１５６号公報

本開示の一態様は、保持部の汚れを除去する、技術を提供する。

本開示の一態様の基板処理装置は、基板を処理液で処理する処理部を備える。前記処理部は前記基板を水平に保持する保持部を有する。前記保持部は前記基板の下面中央に接触する第１保持部を含む。前記処理部は鉛直な回転軸を中心に前記第１保持部を回転させる回転駆動部を有する。前記基板処理装置は、前記基板とは別に用意した第２基板を帯電させる帯電部と、前記帯電部で帯電させた前記第２基板を、前記第１保持部と接触させる制御を行なう制御部と、を備える。

本開示の一態様によれば、保持部の汚れを除去することができる。

図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図２は、処理装置の一例を示す平面図であって、図８のステップＳ１０４の一例を示す平面図である。 図３は、図８のステップＳ１０４の一例を示す断面図である。 図４は、図８のステップＳ１０２の一例を示す平面図である。 図５は、図８のステップＳ１０２の一例を示す断面図である。 図６は、昇降ピンの動作の一例を示す断面図である。 図７は、図６に続いて昇降ピンの動作の一例を示す断面図である。 図８は、処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。 図９は、処理装置の洗浄の一例を示すフローチャートである。 図１０は、図９のステップＳ２０２の一例を示す断面図である。 図１１は、ステップＳ２０２で得られる静電気力の分布の一例を示す図である。 図１２は、図９のステップＳ２０３の一例を示す断面図である。 図１３は、図９のステップＳ２０４の一例を示す断面図である。 図１４は、図９のステップＳ２０６の一例を示す断面図である。 図１５は、ステップＳ２０６で得られる静電気力の分布の一例を示す図である。 図１６は、第２基板の代わりに第３基板を用いた場合にステップＳ２０６で得られる静電気力の分布の一例を示す図である。 図１７は、第２基板又は第３基板で処理装置を洗浄した後に、基板に付着するパーティクルの数の一例を示す図である。 図１８は、第３保持部の一例を示す図である。 図１９は、壁部の一例を示す平面図である。 図２０は、壁部の一例を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

図１を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１００について説明する。基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えばシリコンウェハなどの半導体ウェハを含む。基板Ｗは、半導体ウェハの上に形成される複数のデバイスを含んでもよい。デバイスは、例えば電子回路を含む。基板Ｗは、複数枚の半導体ウェハを積層した積層基板であってもよい。積層基板は、複数枚の半導体ウェハを接合することで得られる。

基板処理装置１００は、搬入出ステーション１１０と、処理ステーション１２０と、制御装置１９０と、を備える。搬入出ステーション１１０は、載置台１１１を備える。載置台１１１には、カセットＣ１～Ｃ２が載置される。カセットＣ１は、処理前の基板Ｗを収容する。カセットＣ２は、処理後の基板Ｗを収容する。カセットＣ１、Ｃ２の数は特に限定されない。不図示のカセットが、処理の途中で不具合の生じた基板Ｗを収容してもよい。

搬入出ステーション１１０は、第１搬送領域１１２と、第１搬送装置１１３と、を備える。第１搬送領域１１２は、Ｙ軸方向に延びており、載置台１１１とトランジション装置１２１に隣接している。第１搬送装置１１３は、第１搬送領域１１２に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第１搬送装置１１３は、基板Ｗを保持する搬送アームと、搬送アームを移動または回転させる駆動部と、を有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。複数の搬送アームが設けられてもよい。

処理ステーション１２０は、トランジション装置１２１と、第２搬送領域１２２と、第２搬送装置１２３と、処理装置１２４と、保管装置１２５と、を備える。第２搬送装置１２３は、搬送部の一例である。また、処理装置１２４は、処理部の一例である。さらに、保管装置１２５は、保管部の一例である。なお、処理ステーション１２０を構成する装置の配置および数は、図１に示す配置および数には限定されない。

トランジション装置１２１は、基板Ｗを一時的に保管する。トランジション装置１２１は、第１搬送領域１１２と第２搬送領域１２２との間に設けられ、第１搬送装置１１３と第２搬送装置１２３の間で基板Ｗを中継する。

第２搬送領域１２２は、Ｘ軸方向に延びており、トランジション装置１２１と、処理装置１２４と、保管装置１２５とに隣接している。第２搬送装置１２３は、第２搬送領域１２２に隣接する複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第２搬送装置１２３は、基板Ｗを保持する搬送アームと、搬送アームを移動または回転させる駆動部と、を有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。複数の搬送アームが設けられてもよい。

処理装置１２４は、基板Ｗを処理液で処理する。処理液は、例えば、薬液とリンス液を含む。薬液は、特に限定されないが、例えばＳＣ１（アンモニアと過酸化水素と水の混合液）などである。薬液は、基板Ｗに付いた汚れを除去する洗浄液の他、エッチング液または剥離液であってもよい。リンス液は、例えば、ＤＩＷ（脱イオン水）である。薬液とリンス液がこの順番で基板Ｗに対して供給されてもよい。

保管装置１２５は、処理装置１２４の洗浄に用いる第２基板Ｗ２を保管する。第２基板Ｗ２は、第２搬送装置１２３によって保管装置１２５から処理装置１２４に搬送され、処理装置１２４を洗浄するのに用いられる。その後、第２基板Ｗ２は、第２搬送装置１２３によって処理装置１２４から保管装置１２５に戻される。使用済みの第２基板Ｗ２は、基板処理装置１００のメンテナンス時に、未使用の第２基板Ｗ２に入れ替えられる。第２基板Ｗ２に関する詳細は、後述する。

制御装置１９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部１９１と、メモリなどの記憶部１９２と、を備える。記憶部１９２には、基板処理装置１００において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置１９０は、記憶部１９２に記憶されたプログラムを演算部１９１に実行させることにより、基板処理装置１００の動作を制御する。基板処理装置１００を構成するユニットごとにユニットの動作を制御するユニット制御部が設けられ、複数のユニット制御部を統括制御するシステム制御部が設けられてもよい。ユニット制御部とシステム制御部とで制御装置１９０が構成されてもよい。制御装置１９０は、制御部の一例である。

次に、基板処理装置１００の動作の一例について説明する。先ず、第１搬送装置１１３が、基板ＷをカセットＣ１から取り出し、トランジション装置１２１に搬送する。次に、第２搬送装置１２３が、トランジション装置１２１から基板Ｗを取り出し、処理装置１２４に搬送する。

次に、処理装置１２４が、基板Ｗを処理液で処理する。その後、第２搬送装置１２３が、基板Ｗを処理装置１２４から取り出し、トランジション装置１２１に搬送する。最後に、第１搬送装置１１３が、基板Ｗをトランジション装置１２１から取り出し、カセットＣ２に収納する。

図２～図７を参照して、処理装置１２４の一例について説明する。処理装置１２４は、主に図３に示すように、例えば、第１保持部１１と、第２保持部１２と、回転駆動部１３と、カップ２０と、移動駆動部２５（図２参照）と、処理液供給部３０と、処理槽４０と、排液管４５と、排気管４６と、排気管カバー４７と、摩擦体５０と、摩擦体移動部５５と、を備える。

第１保持部１１は、基板Ｗの下面中央に接触して、基板Ｗを水平に保持する。第１保持部１１は、基板Ｗの下面の一部のみに接触する。第１保持部１１は、本実施形態では基板Ｗを真空吸着するが、基板Ｗを静電吸着してもよい。第１保持部１１は、例えばスピンチャックであって、回転駆動部１３によって回転駆動させられる。第１保持部１１は、鉛直な回転軸を中心に回転させられる。第１保持部１１は、Ｚ軸方向に移動可能であってもよい。

第１保持部１１の周囲には、複数本の昇降ピン１４が配置される。複数本の昇降ピン１４は、第１保持部１１または第２保持部１２に対して、基板Ｗを下降させるか基板Ｗを上昇させる。複数本の昇降ピン１４は、第１保持部１１の周方向に等間隔で配置される。複数本の昇降ピン１４は、第１保持部１１の周囲において昇降することで、第１保持部１１または第２保持部１２と、不図示の搬送アームとの間で基板Ｗを受け渡す。

また、第１保持部１１の周囲には、ガス吐出リング１５が配置される。ガス吐出リング１５は、第１保持部１１を取り囲み、基板Ｗの下面に向けて、リング状のガスカーテンを形成する。ガスカーテンは、その外側から内側に処理液が入り込むのを制限し、第１保持部１１を保護する。ガスカーテンは、その内側に配置される複数本の昇降ピン１４も保護する。ガス吐出リング１５は、ガス吐出部の一例である。ガス吐出部は、リング状ではなくてもよい。

第２保持部１２は、第１保持部１１よりも基板Ｗの径方向外側で、基板Ｗの下面に接触して、基板Ｗを水平に保持する。第２保持部１２は、基板Ｗの下面の一部のみに接触する。第２保持部１２は、本実施形態では基板Ｗを真空吸着するが、基板Ｗを静電吸着してもよい。第２保持部１２は、Ｘ軸方向に間隔をおいて配置される一対の吸着パッド１２Ａ、１２Ｂを含む。一対の吸着パッド１２Ａ、１２Ｂは、第１保持部１１をＸ軸方向に挟んで配置される。第２保持部１２は、カップ２０と連結されており、カップ２０と共に水平方向（Ｙ軸方向）および鉛直方向に移動可能である。

カップ２０は、上下両方向に開放されたリング状であって、第１保持部１１または第２保持部１２で保持されている基板Ｗの周縁を取り囲む。カップ２０は、円筒状の鉛直壁２１と、円筒状の鉛直壁２１の上端から径方向内側に突出する上壁２２とを有する。カップ２０は、基板Ｗに供給した処理液を受ける。

移動駆動部２５は、第１保持部１１の回転軸と直交する水平方向（Ｙ軸方向）と鉛直方向（Ｚ軸方向）に第２保持部１２を移動させる。移動駆動部２５は、カップ２０と共に第２保持部１２を移動させる。カップ２０は、処理槽４０の内部で移動させられる。上方から見て、処理槽４０の側面４２はカップ２０の移動範囲全体を取り囲んでいる。

処理液供給部３０は、カップ２０で取り囲まれている基板Ｗに対して処理液を供給する。処理液は、例えば、薬液とリンス液を含む。薬液は、特に限定されないが、例えばＳＣ１（アンモニアと過酸化水素と水の混合液）などである。薬液は、基板Ｗに付いた汚れを除去する洗浄液の他、エッチング液または剥離液であってもよい。リンス液は、例えば、ＤＩＷ（脱イオン水）である。薬液とリンス液がこの順番で基板Ｗに対して供給されてもよい。

処理液供給部３０は、基板Ｗの下面に処理液を供給する下ノズル３１、３２（図２および図４参照）を有する。下ノズル３１、３２は、それぞれ、図示しない配管を介して処理液の供給源に接続されている。配管の途中には、バルブと、流量制御器が設けられる。バルブが配管の流路を開放すると、処理液が下ノズル３１、３２から吐出される。その吐出量は、流量制御器によって制御される。一方、バルブが配管の流路を閉塞すると、処理液の吐出が停止される。

処理液供給部３０は、基板Ｗの上面に処理液を供給する上ノズル３３（図３参照）を有する。上ノズル３３は、下ノズル３１、３２と同様に、図示しない配管を介して処理液の供給源に接続されている。上ノズル３３は、二流体ノズルであってもよく、Ｎ_２ガス等のガスで処理液を粉砕し、微粒化して噴射してもよい。

処理液供給部３０は、上ノズル３３を水平方向と鉛直方向に移動させるノズル移動部３４を有する。ノズル移動部３４は、カップ２０で取り囲まれている基板Ｗに対して処理液を供給する位置（図３参照）と、上ノズル３３の吐出口をノズルバス３５に収容する位置（図５参照）との間で上ノズル３３を移動させる。

ノズルバス３５は、ダミーディスペンスポートとも呼ばれる。上ノズル３３から基板Ｗに処理液を供給する直前に、上ノズル３３に溜まった古い処理液（例えば温度が低下した処理液）をノズルバス３５に吐出することで、新しい処理液（例えば温度が所望の温度に制御された処理液）を基板Ｗに供給できる。ノズルバス３５の底壁には、排出管が設けられる。排出管は、ノズルバス３５の内部に溜まる処理液を、処理槽４０の内部に排出する。排出管は、鉛直に設けられる。処理液は、重力によって排出管の内部を流れ落ちる。排出管の下端は、処理槽４０の底面４３よりも上方に配置される。

処理槽４０は、カップ２０から落下する処理液を回収する。処理槽４０は、例えば上方に開放された箱形状である。処理槽４０の内壁面４１は、側面４２と底面４３とを有する。底面４３は、処理液を排出する排出口４４を有する。排出口４４には、排液管４５が設けられる。排液管４５は、処理槽４０の内部から外部に処理液を排出する。処理槽４０の底面４３には、排液管４５の他に、排気管４６が設けられる。排気管４６は、例えば回転駆動部１３を基準にＸ軸方向両側に設けられる（図２０参照）。

排気管４６は、処理槽４０の内部から外部にガスを排出する。排気管４６は、処理槽４０の底面４３から上方に突き出している。排気管４６の上方は、排気管カバー４７で覆われている。排気管カバー４７は、処理液の液滴が排気管４６に入り込むのを抑制する。また、排気管カバー４７は、処理液の液滴から回転駆動部１３を保護する。排気管カバー４７は、回転駆動部１３を基準にＸ軸正方向とＸ軸負方向の両方向に延びている。

摩擦体５０は、基板Ｗの下面を擦る。摩擦体５０は、ブラシまたはスポンジである。摩擦体５０は例えば円柱状であり、摩擦体５０の上面は水平に配置される。摩擦体５０の上面は、基板Ｗの下面よりも小さい。摩擦体５０は、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などの樹脂で形成される。

摩擦体５０は、回転モータ５１によって回転させられる。回転モータ５１は、アーム５３の一端に設けられている。アーム５３の他端には摩擦体移動部５５が設けられる。摩擦体移動部５５は、アーム５３を介して摩擦体５０を水平方向と鉛直方向に移動させる。

次に、図８を参照して、処理装置１２４の動作の一例について説明する。図８に示すように、処理装置１２４は、ステップＳ１０１～Ｓ１０６を行う。ステップＳ１０１～Ｓ１０６は、制御部９０による制御下で実施される。

ステップＳ１０１は、基板Ｗを処理装置１２４の外部から内部に搬入することを含む。先ず、第２搬送装置１２３の搬送アームが基板Ｗをカップ２０の上方に搬送し、カップ２０の上方で待機する。このとき、上方から見て、図２に示すように、基板Ｗの中心と、第１保持部１１の中心と、カップ２０の中心とが重なっている。

続いて、複数本の昇降ピン１４が上昇させられ、複数本の昇降ピン１４が第２搬送装置１２３の搬送アームから基板Ｗを持ち上げる（図６参照）。なお、昇降ピン１４が上昇させられる代わりに、搬送アームが下降させられてもよい。続いて、搬送アームが処理装置１２４から退出すると、カップ２０が上昇させられると共に複数本の昇降ピン１４が下降させられ、複数本の昇降ピン１４が基板Ｗを第２保持部１２に渡す（図７参照）。続いて、第２保持部１２が基板Ｗの下面周縁部を吸着する。その後、図４に示すように、上方から見て、基板Ｗの下面中央部と摩擦体５０が重なる位置まで、移動駆動部２５がカップ２０と共に第２保持部１２を水平方向に移動させる。

ステップＳ１０２は、第２保持部１２によって基板Ｗの下面周縁部を吸着した状態で、基板Ｗの下面中央部を洗浄することを含む（図５参照）。下ノズル３１、３２が基板Ｗの下面に処理液を供給すると共に、摩擦体移動部５５が摩擦体５０を基板Ｗの下面中央部に押し当てながら水平方向に移動させる。また、移動駆動部２５がカップ２０と共に第２保持部１２を水平方向に移動させる。なお、摩擦体５０の移動方向は、カップ２０の移動方向と交差する方向である。

ステップＳ１０３は、基板Ｗを第２保持部１２から第１保持部１１に持ち替えることを含む。先ず、上方から見て、図２に示すように、基板Ｗの中心と第１保持部１１の中心とが重なる位置まで、移動駆動部２５がカップ２０と共に第２保持部１２を水平方向に移動させる。その後、移動駆動部２５がカップ２０を下降させることで、第２保持部１２が基板Ｗを第１保持部１１に渡す。第２保持部１２が基板Ｗの下面周縁部の吸着を解除し、第１保持部１１が基板Ｗの下面中央部を吸着する。

ステップＳ１０４は、第１保持部１１によって基板Ｗの下面中央部を吸着した状態で、基板Ｗの下面周縁部を洗浄することを含む（図３参照）。下ノズル３１、３２が基板Ｗの下面に処理液を供給すると共に、摩擦体移動部５５が摩擦体５０を基板Ｗの下面周縁部に押し当てながら水平方向に移動させる。また、回転駆動部１３が、第１保持部１１と共に基板Ｗを回転させる。

なお、回転駆動部１３が第１保持部１１と共に基板Ｗを回転させる間に、基板Ｗの上面の洗浄が行われる。例えば、上ノズル３３が基板Ｗの上面に処理液を供給する。上ノズル３３は、基板Ｗの上面中央部に処理液を供給してもよいし、基板Ｗの径方向に移動させられ基板Ｗの径方向全体にわたって処理液を供給してもよい。また、図示しない第２摩擦体が基板Ｗの上面を擦ってもよい。さらに、図示しない第３摩擦体が基板Ｗのベベルを擦ってもよい。

ステップＳ１０５は、基板Ｗを乾燥することを含む。例えば、回転駆動部１３が第１保持部１１を高速で回転させることで、基板Ｗに付着する処理液を振り切る。

ステップＳ１０６は、基板Ｗを処理装置１２４の内部から外部に搬出することを含む。先ず、第１保持部１１が基板Ｗの吸着を解除し、複数本の昇降ピン１４が上昇させられ、複数本の昇降ピン１４が第１保持部１１から基板Ｗを持ち上げる。続いて、第２搬送装置１２３の搬送アームが処理装置１２４の外部から内部に進入し、カップ２０の上方で待機する。次いで、複数本の昇降ピン１４が下降させられ、複数本の昇降ピン１４が基板Ｗを搬送アームに渡す。なお、昇降ピン１４が下降させられる代わりに、搬送アームが上昇させられてもよい。その後、搬送アームが基板Ｗを保持して処理装置１２４から退出する。

ところで、第１保持部１１が基板Ｗを保持することで、基板Ｗの汚れが第１保持部１１に転写し、第１保持部１１が汚れることがある。その後、第１保持部１１が別の基板Ｗを保持すると、別の基板Ｗが汚れてしまう。そこで、従来、第１保持部１１の汚れを除去すべく、作業者がウエスなどの繊維ワイプで第１保持部１１の汚れを拭き取ること、または清浄な基板Ｗを多数用意しておき、多数の基板Ｗを順番に第１保持部１１に接触させることが定期的に行われていた。

本実施形態では、詳しくは後述するが、基板Ｗとは別に第２基板Ｗ２を用意しておき、第２基板Ｗ２を帯電させ、その後、第２基板Ｗ２と第１保持部１１とを接触させる。このとき、第１保持部１１に付着したパーティクルと、第２基板Ｗ２とが逆の極性を有すればよい。静電気の力でパーティクルを第２基板Ｗ２に付着でき、第２基板Ｗ２と共にパーティクルを第１保持部１１から持ち出すことができる。これにより、第１保持部１１を効率良く洗浄できる。

なお、後述するように、本開示の内容は、昇降ピン１４の洗浄にも適用可能である。具体的には、第２基板Ｗ２を帯電させ、その後、第２基板Ｗ２と昇降ピン１４とを接触させる。このとき、昇降ピン１４に付着したパーティクルと、第２基板Ｗ２とが逆の極性を有すればよい。静電気の力でパーティクルを第２基板Ｗ２に付着でき、第２基板Ｗ２と共にパーティクルを昇降ピン１４から持ち出すことができる。これにより、昇降ピン１４を効率良く洗浄できる。

次に、図９～図１７を参照して、処理装置１２４の洗浄の一例について説明する。図９に示すように、処理装置１２４は、ステップＳ２０１～Ｓ２０６を行う。ステップＳ２０１～Ｓ２０６は、制御部９０による制御下で、定期的に実施される。ステップＳ２０１～Ｓ２０６では、基板Ｗの代わりに用意した第２基板Ｗ２を使用する。

第２基板Ｗ２は、図１０に示すように、例えば支持基板Ｗ２ａと酸化物膜Ｗ２ｂとを有する。支持基板Ｗ２ａは、本実施形態ではシリコンウェハであるが、特に限定されず、例えば化合物半導体ウェハ又はガラス基板であってもよい。酸化物膜Ｗ２ｂは、本実施形態ではシリコン酸化物膜であるが、特に限定されず、例えば酸素に加えて、窒素と炭素の少なくとも１つを含んでもよい。

酸化物膜Ｗ２ｂは、摩擦体５０で擦ることで正の極性に帯電することができる。一方、パーティクルは、アルカリ性水溶液の存在下で、負の極性に帯電することが知られている。つまり、酸化物膜Ｗ２ｂは、パーティクルとは逆の極性に帯電することができる。酸化物膜Ｗ２ｂの形成方法は、本実施形態では熱酸化法であるが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、又はＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法などであってもよい。

第２基板Ｗ２は、その少なくとも下面に、酸化物膜Ｗ２ｂを有することが好ましい。処理装置１２４は、第２基板Ｗ２の下方にパーティクルを溜めやすいからである。第２基板Ｗ２がその下面に酸化物膜Ｗ２ｂを有すれば、第２基板Ｗ２の下方に存在するパーティクルを第２基板Ｗ２に吸着できる。なお、本実施形態の第２基板Ｗ２は、その表面全体に酸化物膜Ｗ２ｂを有する。

ステップＳ２０１は、第２基板Ｗ２を処理装置１２４の外部から内部に搬入することを含む。先ず、第２搬送装置１２３の搬送アームが第２基板Ｗ２をカップ２０の上方に搬送し、カップ２０の上方で待機する。このとき、上方から見て、図２に示すように、第２基板Ｗ２の中心と、第１保持部１１の中心と、カップ２０の中心とが重なっている。

続いて、複数本の昇降ピン１４が上昇させられ、複数本の昇降ピン１４が第２搬送装置１２３の搬送アームから第２基板Ｗ２を持ち上げる（図６参照）。なお、昇降ピン１４が上昇させられる代わりに、搬送アームが下降させられてもよい。続いて、搬送アームが処理装置１２４から退出すると、カップ２０が上昇させられると共に複数本の昇降ピン１４が下降させられ、複数本の昇降ピン１４が第２基板Ｗ２を第２保持部１２に渡す（図７参照）。続いて、第２保持部１２が第２基板Ｗ２の下面周縁部を吸着する。その後、図４に示すように、上方から見て、第２基板Ｗ２の下面中央部と摩擦体５０が重なる位置まで、移動駆動部２５がカップ２０と共に第２保持部１２を水平方向に移動させる。

ステップＳ２０２は、第２保持部１２によって第２基板Ｗ２の下面周縁部を吸着した状態で、第２基板Ｗ２の下面中央部を帯電させることを含む（図１０参照）。摩擦体移動部５５が摩擦体５０を第２基板Ｗ２の下面中央部に押し当てながら水平方向に移動させる。また、移動駆動部２５がカップ２０と共に第２保持部１２を水平方向に移動させる。なお、摩擦体５０の移動方向は、カップ２０の移動方向と交差する方向である。

摩擦体５０は、第２基板Ｗ２の下面中央部を擦って帯電させる。摩擦体５０は、帯電部の一例である。第２基板Ｗ２の下面中央部と、摩擦体５０とは、逆の極性に帯電する。例えば、第２基板Ｗ２の下面が酸化物膜Ｗ２ｂで構成され、摩擦体５０がＰＶＡなどの樹脂で構成される場合、第２基板Ｗ２の下面中央部が正の極性に帯電し、摩擦体５０が負の極性に帯電する。

下ノズル３１、３２は、第２保持部１２で保持されている第２基板Ｗ２と摩擦体５０の間にアルカリ性水溶液を供給する。アルカリ性水溶液は、特に限定されないが、例えば希釈アンモニア水である。アルカリ性水溶液は、純水に比べて、第２基板Ｗ２の摩擦帯電を促進でき、第２基板Ｗ２の帯電量を増加できる。また、アルカリ性水溶液は、パーティクルを負に帯電することができる。従って、静電気の力で多数のパーティクルを第２基板Ｗ２に付着できる。

下ノズル３１、３２は、摩擦傷の発生を抑制すべく、第２基板Ｗ２を摩擦体５０で擦ることの開始前から、第２基板Ｗ２を摩擦体５０で擦ることの終了後まで、継続的に、第２基板Ｗ２の下面中央部にアルカリ性水溶液を供給することが好ましい。下ノズル３１、３２がアルカリ性水溶液の供給を開始した後で、摩擦体５０が第２基板Ｗ２を擦り始める。また、摩擦体５０が第２基板Ｗ２を擦り終えた後で、下ノズル３１、３２がアルカリ性水溶液の供給を停止する。

図１１に、ステップＳ２０２で得られる静電気力の分布の一例を示す。本発明者は、第２基板としてシリコンウェハの表面全体に熱酸化膜を形成したものを準備し、第２基板の下面中央部をＰＶＡ製のブラシで擦ることで、図１１に示すように第２基板の下面中央部が正の極性に帯電することを確認した。なお、図示しないが、熱酸化膜の膜厚が大きいほど、熱酸化膜の静電容量が大きく、第２基板の帯電量が大きくなることも確認済みである。

ステップＳ２０３は、第２基板Ｗ２を第２保持部１２から第１保持部１１に持ち替えることを含む。先ず、上方から見て、図２に示すように、第２基板Ｗ２の中心と第１保持部１１の中心とが重なる位置まで、カップ２０が水平方向に移動させられる。この間、ガス吐出リング１５が第２基板Ｗ２の下面にガスを吐出することで、第２基板Ｗ２の下面を乾燥する。

その後、移動駆動部２５がカップ２０を下降させることで、第２保持部１２が第２基板Ｗ２を第１保持部１１に渡す。第２保持部１２が第２基板Ｗ２の下面周縁部の吸着を解除し、第１保持部１１が第２基板Ｗ２の下面中央部を吸着する。その結果、図１２に示すように、第２基板Ｗ２の下面中央部と、第１保持部１１とが接触する。

このとき、第１保持部１１に付着したパーティクルと、第２基板Ｗ２の下面中央部とは逆の極性を有する。それゆえ、静電気の力でパーティクルを第２基板Ｗ２に付着でき、第２基板Ｗ２と共にパーティクルを第１保持部１１から持ち出すことができる。これにより、第１保持部１１を効率良く洗浄できる。

なお、第２基板Ｗ２と第１保持部１１とが接触することで、第２基板Ｗ２の下面中央部に蓄積した正電荷が第１保持部１１に流出する。その結果、第２基板Ｗ２の下面中央部の帯電量が低下する。

ステップＳ２０４は、第１保持部１１によって第２基板Ｗ２の下面中央部を吸着した状態で、第２基板Ｗ２の下面周縁部を帯電させることを含む（図１３参照）。摩擦体移動部５５が摩擦体５０を第２基板Ｗ２の下面周縁部に押し当てながら水平方向に移動させる。また、回転駆動部１３が、第１保持部１１と共に第２基板Ｗ２を回転させる。摩擦体５０は、第２基板Ｗ２の下面周縁部を擦って帯電させる。

ステップＳ２０４では、摩擦帯電よりも、流動帯電が支配的である。流動帯電とは、液体が固体表面を流動することで、静電気力の分布が生じる現象である。ステップＳ２０４では、回転駆動部１３が第２基板Ｗ２を回転させるので、遠心力によってアルカリ性水溶液が第２基板Ｗ２の径方向内側から径方向外側に向けて流れる。その過程で、後述するように流動帯電が生じる。なお、ステップＳ２０２では、回転駆動部１３が第２基板Ｗ２を回転させないので、流動帯電はほとんど生じない。

下ノズル３１、３２は、第２保持部１２で保持されている第２基板Ｗ２と摩擦体５０の間にアルカリ性水溶液を供給する。アルカリ性水溶液は、第２基板Ｗ２の下面中央部と下面周縁部の間に供給され、遠心力によって第２基板Ｗ２の下面周縁部に流れる。アルカリ性水溶液は負イオンと正イオンを含む。アルカリ性水溶液の供給位置では、負イオンが第２基板Ｗ２に吸着しやすい。余った正イオンが第２基板Ｗ２の下面周縁部に吸着する。その結果、図１３に示す静電気力の分布が生じる。

ステップＳ２０５は、第２基板Ｗ２を乾燥することを含む。例えば、回転駆動部１３が第１保持部１１を高速で回転させることで、第２基板Ｗ２に付着する処理液を振り切る。

ステップＳ２０６は、第２基板Ｗ２を処理装置１２４の内部から外部に搬出することを含む。先ず、第１保持部１１が第２基板Ｗ２の吸着を解除し、複数本の昇降ピン１４が上昇させられ、複数本の昇降ピン１４が第１保持部１１から第２基板Ｗ２を持ち上げる。その結果、図１４に示すように、複数本の昇降ピン１４が第２基板Ｗ２の下面中央部と接触する。

このとき、複数本の昇降ピン１４に付着したパーティクルと、第２基板Ｗ２の下面中央部とは逆の極性を有する。それゆえ、静電気の力でパーティクルを第２基板Ｗ２に付着でき、第２基板Ｗ２と共にパーティクルを昇降ピン１４から持ち出すことができる。これにより、複数本の昇降ピン１４を効率良く洗浄できる。

第２搬送装置１２３の搬送アームが処理装置１２４の外部から内部に進入し、カップ２０の上方で待機する。次いで、複数本の昇降ピン１４が下降させられ、複数本の昇降ピン１４が第２基板Ｗ２を搬送アームに渡す。なお、昇降ピン１４が下降させられる代わりに、搬送アームが上昇させられてもよい。その後、搬送アームが第２基板Ｗ２を保持して処理装置１２４から退出する。

このとき、搬送アームは、第２基板Ｗ２の下面周縁部に接触する。第２搬送装置１２３の搬送アームに付着したパーティクルと、第２基板Ｗ２の下面周縁部とは逆の極性を有する。それゆえ、静電気の力でパーティクルを第２基板Ｗ２に付着でき、第２基板Ｗ２と共にパーティクルを搬送アームから持ち出すことができる。これにより、搬送アームを効率良く洗浄できる。

図１５に、ステップＳ２０６で得られる静電気力の分布の一例を示す。本発明者は、第２基板Ｗ２としてシリコンウェハの表面全体に熱酸化膜を有するものを準備し、ステップＳ２０２～Ｓ２０６を実施することで、図１５に示すように、第２基板Ｗ２の下面周縁部が正の極性に帯電することを確認した。なお、図示しないが、熱酸化膜の膜厚が大きいほど、熱酸化膜の静電容量が大きく、ステップＳ２０６後の第２基板Ｗ２の帯電量が大きくなることも確認済みである。

図１６に、第２基板Ｗ２の代わりに第３基板を用いた場合にステップＳ２０６で得られる静電気力の分布の一例を示す。第３基板は、シリコンウェハのみを有し、その表面に熱酸化膜を全く有しないものであった。図１６に示すように、第３基板の径方向全体において帯電量が低かった。図１５と図１６を比較すれば、熱酸化膜が帯電に寄与していることが分かる。

図１７に、第２基板Ｗ２又は第３基板で処理装置１２４を洗浄した後に、基板Ｗに付着するパーティクルの数の一例について説明する。図１７では、予め、６万個のＳｉ粒子を付着した基板Ｗを処理装置１２４で処理することで、処理装置１２４を汚染させた。その後、第２基板Ｗ２又は第３基板で処理装置１２４を洗浄することを繰り返すと共に、ｎ回目の洗浄後、（ｎ＋１）回目の洗浄前に、基板Ｗに付着するパーティクルの数を測定した。

図１７に示すように、第２基板Ｗ２で処理装置１２４を洗浄した場合、第３基板で処理装置１２４を洗浄する場合に比べて、基板Ｗに付着するパーティクルの数を低減できた。第２基板Ｗ２は、第３基板とは異なり、熱酸化膜を有する。それゆえ、第２基板Ｗ２は、第３基板に比べて、帯電しやすく、静電気の力でパーティクルを吸着しやすく、処理装置１２４を効率良く洗浄できると考えられる。

ところで、第２基板Ｗ２は、本実施形態では保管装置１２５に保管されるが、載置台１１１に載置されたカセットに収容されてもよい。後者の場合、第１搬送装置１１３が、第２基板Ｗ２をカセットから取り出して、トランジション装置１２１に搬送する。続いて、第２搬送装置１２３が、トランジション装置１２１から第２基板Ｗ２を取り出し、処理装置１２４に搬送する。その後、逆の手順で、第２基板Ｗ２がカセットに戻される。この場合、第２搬送装置１２３の搬送アームだけではなく、第１搬送装置１１３の搬送アームも第２基板Ｗ２で洗浄することができる。

第２基板Ｗ２が保管装置１２５に保管される場合、保管装置１２５が図示しない帯電部を有してもよい。その帯電部は、第２基板Ｗ２を擦って帯電させてもよいし、第２基板Ｗ２にイオンを照射することで第２基板Ｗ２を帯電させてもよい。第２搬送装置１２３は、保管装置１２５において帯電させた第２基板Ｗ２を、ステップＳ２０１において複数の昇降ピン１４と第２保持部１２とに順番に接触させてもよい。本開示の内容は、昇降ピン１４の洗浄および第２保持部１２の洗浄にも適用可能である。

処理装置１２４は、第２保持部１２の代わりに、図１８に示すように第３保持部１６を有してもよい。第３保持部１６は、基板Ｗの周縁を掴む。第３保持部１６は、基板Ｗの代わりに、第２基板Ｗ２を掴むことも当然可能である。第３保持部１６は、第１保持部１１よりも上方に配置される。第３保持部１６は、基板Ｗを挟んで保持する一対の可動爪１６Ａ、１６Ｂを有する。一対の可動爪１６Ａ、１６Ｂは、Ｘ軸方向に間隔をおいて設けられ、互いに接近または離隔させられる。なお、可動爪１６Ａ、１６Ｂの代わりに、回転コマが用いられてもよい。回転コマは、基板Ｗの周方向に沿って間隔を置いて３つ以上設けられてもよい。

複数本の昇降ピン１４は、第１保持部１１の周囲において昇降することで、第１保持部１１または第３保持部１６と、第２搬送装置１２３の搬送アームとの間で基板Ｗを受け渡す。複数の昇降ピン１４は、Ｙ軸スライダ２５ａに搭載されており、第１保持部１１と共にＹ軸方向に移動させられる。なお、複数本の昇降ピン１４は、Ｙ軸スライダ２５ａには搭載されずに、Ｙ軸方向に間隔をおいて多数設けられてもよい。

基板Ｗは、第２搬送装置１２３の搬送アームから昇降ピン１４に渡され、その後、昇降ピン１４から第３保持部１６に渡される。第３保持部１６が基板Ｗの周縁を保持した状態で、図示しない摩擦体が基板Ｗの下面中央部を洗浄する。その後、基板Ｗは、第３保持部１６から昇降ピン１４に渡され、さらにその後、昇降ピン１４から第１保持部１１に渡される。第１保持部１１が基板Ｗの下面中央部を保持した状態で、図示しない摩擦体が基板Ｗの下面周縁部を洗浄する。このとき、基板Ｗは、第１保持部１１と共に回転させられる。

本変形例においても、上記実施形態と同様に、第２基板Ｗ２を用いて、第１保持部１１の洗浄、第３保持部１６の洗浄、または昇降ピン１４の洗浄を行うことが可能である。

次に、図１９～図２０を参照して、壁部の一例について説明する。処理装置１２４は、図１９及び図２０に示すように、壁部１７を有してもよい。壁部１７は、図２０に示すように第１保持部１１で保持されている基板Ｗの下方に設けられ、上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて吐出した処理液が第１保持部１１に向かうのを遮る。処理液の残渣が第１保持部１１又は基板Ｗの下面に付着するのを抑制でき、パーティクルの発生を抑制できる。特に上ノズル３３が二流体ノズルである場合に有効である。二流体ノズルは、Ｎ_２ガス等のガスで処理液を粉砕し、微粒化して噴射する。

壁部１７は、図１９に示すように、第１保持部１１で保持されている基板Ｗの周縁よりも基板Ｗの径方向内側に設けられ、且つガス吐出リング１５よりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。ガス吐出リング１５は、下ノズル３１、３２よりも基板Ｗの径方向内側に設けられ、且つ第１保持部１１よりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。壁部１７は、図１９に示すように、基板Ｗの周縁よりも基板Ｗの径方向内側に設けられ、且つガス吐出リング１５よりも基板Ｗの径方向外側に設けられるので、上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて吐出した処理液が第１保持部１１に向かうのを遮ることができる。

図１９に示すように、上方から見たときに、壁部１７の全体が、第１保持部１１で保持されている基板Ｗの周縁よりも基板Ｗの径方向内側に配置される。壁部１７は、図２０に示すように、上ノズル３３の近傍にのみ設けられればよい。但し、壁部１７は、第１保持部１１で保持されている基板Ｗの周縁に沿ってリング状に設けられてもよい。壁部１７は、本実施形態では平板状であるが、湾曲板状であってもよい。壁部１７は、排気管カバー４７の上面から上方に突出して設けられる。

排気管カバー４７の上面は、上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて吐出した処理液を跳ね返さないように配置されることが好ましい。上方から見たときに、排気管カバー４７の全体が、第１保持部１１で保持されている基板Ｗの周縁よりも基板Ｗの径方向内側に配置されることが好ましい。

処理装置１２４は、図２０に示すように、第２壁部１８を有してもよい。第２壁部１８は、壁部１７と同様に第１保持部１１で保持されている基板Ｗの下方に設けられるが、壁部１７よりも基板Ｗの径方向外側に設けられる。第２壁部１８は、第１保持部１１で保持されている基板Ｗの周縁よりも基板Ｗの径方向外側に設けられ、且つカップ２０よりも基板Ｗの径方向内側に設けられる。

第２壁部１８は、カップ２０よりも基板Ｗの径方向内側において、上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて吐出した処理液を下方に導く。処理液の通路を絞ることで、下降気流の流れを強くできる。よって、上昇気流が生じるのを抑制でき、パーティクルが舞い上がるのを抑制できる。

第２壁部１８は、図２０に示すように、上ノズル３３の近傍にのみ設けられればよい。但し、第２壁部１８は、第１保持部１１で保持されている基板Ｗの周縁に沿ってリング状に設けられてもよい。第２壁部１８は、本実施形態では平板状であるが、湾曲板状であってもよい。

上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて処理液を吐出する間、摩擦体５０が基板Ｗの下面中央を擦る間に比べて、下ノズル３１、３２が処理液を吐出する流量を増やすことが好ましい。上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて処理液を吐出する間、下ノズル３１、３２が処理液を高流量で吐出することで、上ノズル３３が吐出した処理液が基板Ｗの下面に回り込むことを抑制でき、ガス吐出リング１５又は第１保持部１１にパーティクルが付着するのを抑制できる。

また、上ノズル３３が基板Ｗの周縁に向けて処理液を吐出する間、摩擦体５０が基板Ｗの下面中央を擦る間に比べて、ガス吐出リング１５がガスの吐出流量を減らすことが好ましい。摩擦体５０が基板Ｗの下面中央を擦る間、ガス吐出リング１５がガスを高流量で吐出することで、下ノズル３１、３２が吐出した処理液がガス吐出リング１５又は第１保持部１１に付着するのを抑制でき、ガス吐出リング１５又は第１保持部１１にパーティクルが付着するのを抑制できる。

以上、本開示に係る基板処理装置および基板処理方法の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１００ 基板処理装置
１２４ 処理装置（処理部）
１９０ 制御装置（制御部）
１１ 第１保持部
１２ 第２保持部
１３ 回転駆動部
５０ 摩擦体（帯電部）
Ｗ 基板
Ｗ２ 第２基板

Claims (18)

1. 基板を処理液で処理する処理部を備え、前記処理部は前記基板を水平に保持する保持部を有し、前記保持部は前記基板の下面中央に接触する第１保持部を含み、前記処理部は鉛直な回転軸を中心に前記第１保持部を回転させる回転駆動部を有する、基板処理装置であって、
   前記基板とは別に用意した第２基板を帯電させる帯電部と、
   前記帯電部で帯電させた前記第２基板を、前記第１保持部と接触させる制御を行なう制御部と、
   を備える、基板処理装置。
2. 前記帯電部は、前記保持部で保持されている前記第２基板の下面を擦る摩擦体を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記保持部で保持されている前記第２基板と前記摩擦体の間にアルカリ性水溶液を供給する下ノズルを備える、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記保持部は、前記第１保持部に比べて前記基板の径方向外側で前記第２基板の下面に接触する第２保持部を含み、
   前記制御部は、
   前記第２保持部で前記第２基板を水平に保持した状態で、前記第２基板の下面中央を前記摩擦体で擦ることと、
   前記擦ることの開始前から、前記擦ることの終了後まで、継続的に、前記第２基板の下面に対して前記アルカリ性水溶液を供給することと、
   前記アルカリ性水溶液を供給した後に、前記第２基板の下面をガスで乾燥することと、
   前記乾燥することの後に、前記第２基板の下面中央と前記第１保持部を接触させることと、
   を行う、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記保持部は、前記基板の周縁を掴む第３保持部を含み、
   前記制御部は、
   前記第３保持部で前記第２基板を水平に保持した状態で、前記第２基板の下面中央を前記摩擦体で擦ることと、
   前記擦ることの開始前から、前記擦ることの終了後まで、継続的に、前記第２基板の下面に対して前記アルカリ性水溶液を供給することと、
   前記アルカリ性水溶液を供給した後に、前記第２基板の下面をガスで乾燥することと、
   前記乾燥することの後に、前記第２基板の下面中央と前記第１保持部を接触させることと、
   を行う、請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記基板処理装置は、前記第２基板を保管する保管部と、前記保管部と前記処理部との間で前記第２基板を搬送する搬送部と、を備え、
   前記帯電部は、前記保管部において前記第２基板を帯電させる、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記第２基板は、その少なくとも下面に酸化物膜を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記保持部は、前記第１保持部の周囲に設けられる複数本の昇降ピンを含み、
   前記制御部は、前記帯電部で帯電させた前記第２基板を、前記昇降ピンと接触させる、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 基板の下面中央に接触して前記基板を水平に保持する第１保持部と、
   鉛直な回転軸を中心に前記第１保持部を回転させる回転駆動部と、
   前記第１保持部で保持されている前記基板の上面に処理液を供給する上ノズルと、
   前記第１保持部で保持されている前記基板の下面に処理液を供給する下ノズルと、
   前記下ノズルよりも前記基板の径方向内側に設けられ、且つ前記第１保持部よりも前記基板の径方向外側に設けられ、前記第１保持部で保持されている前記基板の下面に向けてガスを吐出するガス吐出部と、
   前記第１保持部で保持されている前記基板の周縁を取り囲むカップと、
   前記第１保持部で保持されている前記基板の下方に設けられ、前記上ノズルが前記基板の周縁に向けて吐出した処理液が前記第１保持部に向かうのを遮る壁部と、
   を備え、
   前記壁部は、前記第１保持部で保持されている前記基板の周縁よりも前記基板の径方向内側に設けられ、且つ前記ガス吐出部よりも前記基板の径方向外側に設けられる、基板処理装置。
10. 基板処理装置を用いて基板を処理することを有する、基板処理方法であって、
    前記基板処理装置は、基板を処理液で処理する処理部を備え、前記処理部は前記基板を水平に保持する保持部を有し、前記保持部は前記基板の下面中央に接触する第１保持部を含み、前記処理部は鉛直な回転軸を中心に前記第１保持部を回転させる回転駆動部を有し、
    前記基板処理方法は、前記基板とは別に用意した第２基板を帯電させることと、帯電させた前記第２基板を前記第１保持部と接触させることと、を有する、基板処理方法。
11. 前記第２基板を帯電させることは、前記保持部で保持されている前記第２基板の下面を摩擦体で擦ることを含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記保持部で保持されている前記第２基板と前記摩擦体の間にアルカリ性水溶液を供給することを有する、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記保持部は、前記第１保持部に比べて前記基板の径方向外側で前記第２基板の下面に接触する第２保持部を含み、
    前記基板処理方法は、
    前記第２保持部で前記第２基板を水平に保持した状態で、前記第２基板の下面中央を前記摩擦体で擦ることと、
    前記擦ることの開始前から、前記擦ることの終了後まで、継続的に、前記第２基板の下面に対して前記アルカリ性水溶液を供給することと、
    前記アルカリ性水溶液を供給した後に、前記第２基板の下面をガスで乾燥することと、
    前記乾燥することの後に、前記第２基板の下面中央と前記第１保持部を接触させることと、
    を有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記保持部は、前記基板の周縁を掴む第３保持部を含み、
    前記基板処理方法は、
    前記第３保持部で前記第２基板を水平に保持した状態で、前記第２基板の下面中央を前記摩擦体で擦ることと、
    前記擦ることの開始前から、前記擦ることの終了後まで、継続的に、前記第２基板の下面に対して前記アルカリ性水溶液を供給することと、
    前記アルカリ性水溶液を供給した後に、前記第２基板の下面をガスで乾燥することと、
    前記乾燥することの後に、前記第２基板の下面中央と前記第１保持部を接触させることと、
    を有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
15. 前記基板処理装置は、前記第２基板を保管する保管部と、前記保管部と前記処理部との間で前記第２基板を搬送する搬送部と、を備え、
    前記基板処理方法は、前記保管部において前記第２基板を帯電させることを有する、請求項１０～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
16. 前記第２基板は、その少なくとも下面に酸化物膜を有する、請求項１０～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
17. 前記保持部は、前記第１保持部の周囲に設けられる複数本の昇降ピンを含み、
    前記基板処理方法は、帯電させた前記第２基板を前記昇降ピンと接触させることを有する、請求項１０～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
18. 請求項９に記載の基板処理装置を用いて基板を処理することを有する、基板処理方法。

Images