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TW201819301A - 組成物及化合物 - Google Patents

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TW201819301A
TW201819301A TW106120711A TW106120711A TW201819301A TW 201819301 A TW201819301 A TW 201819301A TW 106120711 A TW106120711 A TW 106120711A TW 106120711 A TW106120711 A TW 106120711A TW 201819301 A TW201819301 A TW 201819301A
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内藤翔太
酒谷能彰
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住友化學股份有限公司
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Abstract

本發明係關於一種包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之組成物,其係以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下。(A為位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點之銫離子、有機銨離子或脒鎓離子。B為鉛離子。M為選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子。X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,其係選自Cl-、Br-、F-、I-及SCN-所構成群組的1種以上的陰離子)。

Description

組成物及化合物
本發明係關於組成物及化合物。
本案係主張2016年6月24日在日本申請的特願2016-126047號的優先權,此處援用其內容。
以往,已知一種由有機物的陽離子、鹵化物離子及2價金屬離子所構成的有機-無機鈣鈦礦(Perovskite)化合物。近年來,對具有在金屬離子的位置具有14族元素(Ge、Sn及Pb)的離子之鈣鈦礦型結晶構造的化合物之導電性及發光特性的關心日益提高。
特別是前述2價金屬離子為Pb(II)時,在紫外線區域至紅色光譜區域的範圍,觀察到室溫下強烈發光的現象(非專利文獻1)。而且,會依鹵化物離子的種類而可調整發光波長(非專利文獻2)。
[先前技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻 1] M. Era, A. Shimizu and M. Nagano, Rep. Prog. Polym. Phys. Jpn., 42, 473-474(1999)
[非專利文獻2] L. Protesescu, S. Yakunin, M. I. Bodnarchuk, F. Krieg, R. Caputo, C.H. Hendon, R.X. Yang, A. Walsh, And M.V. Kovalenko, Nano Letter. 15, 3692-3696 (2015)
但是,為了將如上述非專利文獻1或非專利文獻2記載的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物作為發光材料在產業上應用,要求前述化合物進一步的發光強度或量子產率的提高。
本發明,係有鑑於上述課題而成者,其目的係提供發光強度高的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物以及量子產率高之包含前述化合物的組成物。
為了解決上述課題,本發明人等深入研究的結果,達成以下的本發明。
亦即,本發明的實施態樣,包含下述[1]至[11]的發明。
[1]一種包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之組成物,該化合物係以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下;(A表示位於以B為中心的六面體的各頂點的成分,X表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分,A為位於 在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點之銫離子、有機銨離子或脒鎓(amidinium)離子;B為鉛離子;M為選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子,M的至少一部分在前述鈣鈦礦型結晶構造中取代B的一部分;X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,其係選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子)。
[2]如[1]記載的組成物,其中前述M為鹼金屬元素的陽離子。
[3]如[1]或[2]記載的組成物,其中前述M為鈉離子或鋰離子。
[4]如[1]至[3]中任一項記載的組成物,其中前述A為有機銨離子。
[5]如[1]至[4]中任一項記載的組成物,其係在前述組成物中包含液體作為介質。
[6]如[1]至[4]中任一項記載的組成物,其係在前述組成物中包含樹脂作為介質。
[7]一種具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,其係以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下;(A表示位於以B為中心的六面體的各頂點的成分,X表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分,A為位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點 之銫離子、有機銨離子或脒鎓離子;B為鉛離子;M為鈉離子或鋰離子,M的至少一部分在前述鈣鈦礦型結晶構造中取代B的一部分;X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,其係選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子)。
[8]一種膜,其包含[6]記載的組成物或[7]記載的化合物。
[9]一種積層構造體,其具有包含[6]記載的組成物或[7]記載的化合物的層
[10]一種發光裝置,其具備[9]記載的積層構造體及光源。
[11]一種液晶顯示器,其具備:如[10]記載的發光裝置及液晶面板。
根據本發明,可提供發光強度高的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物、以及量子產率高之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在介質中的組成物。
1a‧‧‧第1積層構造體
1b‧‧‧第2積層構造體
2‧‧‧發光裝置
3‧‧‧液晶顯示器
10‧‧‧層
20‧‧‧第1基板
21‧‧‧第2基板
22‧‧‧密封層
30‧‧‧光源
40‧‧‧液晶面板
50‧‧‧稜鏡片
60‧‧‧導光板
第1圖係表示本實施態樣的積層構造體的構成之剖面示意圖。
第2圖係表示本實施態樣的液晶顯示器的構成之剖面示意圖。
以下,顯示實施態樣,詳細地說明本發明。
<組成物>
本發明係包後述之含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之組成物。本發明之組成物較佳係後述之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在介質中之組成物。
前述組成物,亦可具有上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物以外的其他成分。其他成分可列舉例如:若干雜質,以及以A、B、X及/或M為構成成分之具有非結晶構造的化合物。雜質可列舉例如:包含A、B及/或M的鹵化物;B及/或M的氧化物、複合氧化物;以及包含A、B、X及/或M的其他化合物。
作為具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在介質中之組成物,可列舉上述之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在液體中之分散液組成物、及上述之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在樹脂中之樹脂組成物。
以下說明本發明的組成物所含之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物、分散液組成物及樹脂組成物。
<具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物>
本發明之組成物所包含之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,係以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
(A表示位於以B為中心的六面體的各頂點的成分,X表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分,A為位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點的銫離子、有機銨離子或脒鎓(amidinium)離子;B為鉛離子;M為選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子,M的至少一部分在前述鈣鈦礦型結晶構造中取代B的一部分。
X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,係選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子。)
以A、B、X及M為構成成分的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物方面,並無特別限制,可為具有3維構造、2維構造、擬似2維構造的任意構造的化合物。
於3維構造時,鈣鈦礦型結晶構造係以AB(1-a)MaX(3+δ)表示。
於2維構造時,鈣鈦礦型結晶構造係以A2B(1-a)MaX(4+δ)表示。
a表示M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比之[M/(M+B)]。
δ為可對應B及M的電荷平衡而適當地改變的數,係0以上0.7以下。例如A為1價陽離子,B為2價陽離子(Pb離子),M為1價金屬離子以及X為1價陰離子時,可以使前述化合物成為中性(電荷為0)之方式選擇δ。
通常具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的基本構造為3維構造或2維構造。
於3維構造時,其組成式係以A’B’X’3表示。此處,A’表示有機陽離子或無機陽離子,B’表示金屬陽離子,X’表示鹵化物離子或硫氰酸根離子。
於2維構造時,其組成式係以A’2B’X’4表示。此處,A’、B’及X’表示與上述相同的意義。
於上述3維構造時,以B’為中心,具有頂點為X’之B’X’6表示的頂點共有八面體的3維網絡。
於上述2維構造時,以B’為中心,藉由頂點為X’之B’X’6表示的八面體在相同平面上的4個頂點X’共有,形成2維相連的B’X’6所構成的層與A’所構成的層交錯積層的構造。
B’為可採取X’的八面體配位之金屬陽離子。
A’位於以B’為中心的六面體的各頂點。
本說明書中,鈣鈦礦構造係可藉由X射線繞射圖形確認。
於前述3維構造的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物時,於X射線繞射圖形中,通常在2 θ=12至18°的位置,確認來自(hkl)=(001)的繞射峰或在2 θ=18至25°的位置,確認來自(hkl)=(100)的繞射峰。以在2 θ=13至16°的位置,確認來自(hkl)=(001)的繞射峰或在2 θ=20至23°的位置,確認來自(hkl)=(100)的繞射峰更佳。
於前述2維構造的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物 時,於X射線繞射圖形中,通常在2 θ=1至10°的位置,確認來自(hkl)=(002)的繞射峰,以在2 θ=2至8°的位置,確認來自(hkl)=(002)的繞射峰更佳。
本發明人等深入研究的結果,發現於具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中,藉由使A’成分的有機陽離子或無機陽離子為銫離子、有機銨離子或脒鎓(amidinium)離子(A成分),使B’成分的金屬陽離子為鉛離子(B成分),將複數個A成分及/或B成分的一部分以選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子(M成分)取代,可提高發光強度及量子產率。
本發明的化合物,係以具有下述通式(1)所示的鈣鈦礦型結晶構造的化合物為佳。
APb(1-a)MaX(3+δ)(0<a≦0.7,0≦δ≦0.7)…(1)[通式(1)中,A為銫離子、有機銨離子或脒鎓離子,M為選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子。X為選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子。通式(1)中,a為大於0且在0.7以下,δ為0以上且在0.7以下。]
一般鈣鈦礦的基本構造形態為ABX3,具有頂點共有BX6八面體的3維網絡。ABX3構造中的B成分係可採取X陰離子的八面體配位的金屬陽離子。A陽離子位於以B原子為中心的六面體的各頂點,一般為有機陽離子或無機陽離子。ABX3構造的X成分,通常為鹵化物離子。
本發明人等深入研究的結果,發現於上述ABX3表示的鈣鈦礦型結晶構造的基本構造中,以B成分的金屬陽離子為鉛,藉由前述3維網絡中以其他原子取代複數個鉛離子的一部分而提高發光強度。
本發明中,具有通式(1)所示的鈣鈦礦型結晶構造的化合物,作為A、B成分係以鉛、M及X為主成分。此處,M係指取代金屬陽離子的鉛離子的一部分的原子。又,M在前述基本構造中取代B成分(鉛離子)存在的位置、或取代A成分存在的位置、或存在於構成前述基本構造的骨架的晶格間隙。但是,M的至少一部分,以在前述鈣鈦礦型結晶構造中取代B的一部分者為佳。
以下,對於本發明之以A、B、X及M為構成成分之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物進行說明。
〔A〕
本發明之組成物所包含之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中,A為銫離子、有機銨離子或脒鎓離子。
具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中,於A為銫離子、碳原子數3以下的有機銨離子或碳原子數3以下的脒鎓離子時,一般鈣鈦礦型結晶構造係具有以AB(1-a)MaX3表示之3維構造。
作為A表示的有機銨離子,可列舉例如下述通式(A1)表示的有機銨離子。
通式(A1)中,R1至R4分別獨立表示氫原子、可具有胺基作為取代基的烷基或可具有胺基作為取代基的環烷基。但是R1至R4不會全部是氫原子。
R1至R4所示的烷基,可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀,亦可具有胺基作為取代基。
R1至R4所示的烷基的碳原子數,通常為1至20,以1至4為佳,以1至3更佳。
R1至R4所示的環烷基,可具有胺基作為取代基。
R1至R4所示的環烷基的碳原子數,通常為3至30,以3至11為佳,以3至8更佳。
R1至R4所示的基方面,係以氫原子或烷基為佳。
藉由減少通式(A1)中所含的烷基及環烷基之數以及減少烷基及環烷基的碳原子數,即可得到發光強度高的具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
烷基或環烷基的碳原子數為4以上時,可得到一部分或全部具有2維及/或擬似2維(quasi-2D)的鈣鈦礦型結晶構造的化合物。2維的鈣鈦礦型結晶構造無限大地積層時,等同於3維的鈣鈦礦型結晶構造(參考文獻:P.P.Boix et al,J.Phys.Chem.Lett.2015,6,898-907等)。
R1至R4所示的烷基中所含的碳原子的合計數係以1至4為佳,R1至R4所示的環烷基中所含的碳原子的合計數係以3至4為佳。以R1為碳原子數1至3的烷基,R2至R4為氫原子者更佳。
以A為CH3NH3 +(亦稱為甲基銨離子)、C2H5NH3 +(亦稱為乙基銨離子)或C3H7NH3 +(亦稱為丙基銨離子)者為佳,以CH3NH3 +或C2H5NH3 +更佳,以CH3NH3 +又更佳。
A表示的脒鎓離子方面,可列舉例如下述通式(A2)表示的脒鎓離子的例。
(R5R6N=CH-NR7R8)+…(A2)
通式(A2)中,R5至R8分別獨立地表示氫原子、可具有胺基作為取代基的烷基或可具有胺基作為取代基的環烷基。
R5至R8所示的烷基,可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀,亦可具有胺基作為取代基。
R5至R8所示的烷基的碳原子數,通常為1至20,以1至4為佳,以1至3更佳。
R5至R8所示的環烷基,可具有胺基作為取代基。
R5至R8所示的環烷基的碳原子數,通常為3至30,以3至11為佳,以3至8更佳。
作為R5至R8所示的基,係以氫原子或烷基為佳。
藉由減少通式(A2)中所含的烷基及環烷基的數以及減少烷基及環烷基的碳原子數,可得到發光強度高的具有3維構造的鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
烷基或環烷基的碳原子數為4以上時,可得到一部分或全部具有2維及/或擬似2維(quasi-2D)的鈣鈦礦型結晶構造的化合物。而且,R5至R8所示的烷基中所含的碳原子數的合計數係以1至4為佳,R5至R8所示的環烷基中所含的碳原子數的合計數係以3至4為佳。以R5為碳原子數1至3的烷基,R6至R8為氫原子者更佳。
〔M〕
M為選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子。
從維持具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的結晶構造,得到充分的發光強度或量子產率的觀點來看,M係以鹼金屬離子為佳,以鈉離子或鋰離子為更佳。
M為鈉離子或鋰離子時,具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在介質中之組成物的量子產率提高。而且,前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之發光強度亦提高。
前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,可列舉以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
上述態樣中,A表示位於以B為中心的六面體的各頂點的成分,X表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分,A為位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點的銫離子、有機銨離子或脒鎓離子;B為鉛離子;M為鈉離子或鋰離子;X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,其係選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子。
前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之較佳態樣及具體例,係與排除M為鈉離子或鋰離子的本發明之組成物所包含的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之較佳態樣及具體例相同。
〔a〕
a表示M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(B+M)]。
從維持具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的結晶構造,得到充分的發光強度或量子產率的觀點來看,a為大於0且在0.7以下。從維持具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的結晶構造,得到充分的發光強度或量子產率的觀點來看,a係以0.01以上0.7以下為佳,以0.02以上0.5以下更佳,以0.03以上0.4以下又更佳。
本發明的另一方面,a係以0.08以上0.2以下為佳。
〔X〕
X為選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子。其中以使用氯化物離子、溴化物離子為佳。
於X含有氯化物離子或溴化物離子時,相對於X的合計莫耳數量,氯化物離子或溴化物離子的量係以10至100%為佳,以30至100%更佳,以70至100%又更佳,以80至100%為特佳。
X包含2種以上的鹵化物離子時,氯化物離子或溴化物離子的含有率,相對於X的合計莫耳數量係以10莫耳%以上為佳,以30莫耳%以上更佳,以70莫耳%以上又更佳,以80莫耳%以上為特佳。
其中,X以包含溴化物離子為佳。X為2種以上的鹵化物離子時,前述鹵化物離子的含有率,可依據發光波長適當地選擇。
作為本發明的其他方面,X以包含氯化物離子及溴化物離子為佳,氯化物離子的含量對X的合計莫耳數量而言係以20至40莫耳%為佳,溴化物離子的含量以50至80莫耳%為佳。
作為本發明的又一其他方面,X以包含氯化物離子及溴化物離子為佳,[溴化物離子/氯化物離子]表示的莫耳比以1.5至2.0為佳。
本發明之組成物所包含的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,作為AB(1-a)MaX(3+δ)表示的具有3維構造的 鈣鈦礦型結晶構造的化合物的具體例,例如:CH3NH3Pb(1-a)NaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)CH3NH3Pb(1-a)LiaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)CsPb(1-a)NaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、CsPb(1-a)LiaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0)、CH3NH3Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)LiaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、CH3NH3Pb(1-a)LiaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、0≦δ<0.7、0<y<3)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)NaaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)LiaBr(3+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)、(H2N=CH-NH2)Pb(1-a)NaaBr(3+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0、0<y<3)等為佳者。但是,前述(3+δ-y)必須為0以上。
本發明之組成物所包含的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,作為A2B(1-a)MaX(4+δ)表示的具有2維構造的鈣鈦礦型結晶構造的化合物的具體例,例如:(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(C7H15NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ)(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7、 0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ-y)Iy(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)NaaBr(4+δ-y)Cly(0<a≦0.7-0.7≦δ<0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)LiaBr(4+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7、0<y<4)、(C4H9NH3)2Pb(1-a)RbaBr(4+δ-y)Cly(0<a≦0.7、-0.7≦δ<0.7、0<y<4)等為佳者。但是,前述(4+δ-y)必須為0以上。
<<發光光譜>>
具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,係在可見光波長區域發出螢光的發光體,X為溴化物離子時,發出通常在480nm以上,以500nm以上為佳,以520nm以上更佳,以700nm以下為佳,以600nm以下更佳,以580nm以下又更佳的波長範圍之範圍具有峰值的螢光者。
上述的上限值及下限值,可任意組合。
作為本發明的其他方面,具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中的X為溴化物離子時,發出的螢光的峰值,通常為480至700nm,以500至600nm為佳,以520至580nm更佳。
X為碘化物離子時,發出通常在520nm以上,以530nm以上為佳,以540nm以上更佳,又通常在800nm以下,以750nm以下為佳,以730nm以下更佳的波長範圍之範圍具有峰值的螢光者。
上述的上限值及下限值,可任意組合。
作為本發明的其他方面,具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中的X為碘化物離子時,發出的螢光的峰值,通常為520至800nm,以530至750nm為佳,以540至730nm更佳。
X為氯化物離子時,發出通常在300nm以上,以310nm以上為佳,以330nm以上更佳,又通常在600nm以下為佳,以580nm以下為佳,以550nm以下更佳的波長範圍之範圍具有峰值的螢光者。
上述的上限值及下限值,可任意組合。
作為本發明的其他方面,具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中的X為氯化物離子時,發出的螢光的峰值,通常為300至600nm,以310至580nm為佳,以330至550nm更佳。
本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的最大發光強度,係從使用螢光光度計測定的可見光波長區域的最大強度與使用紫外可見光吸光光度計測定的激發光的穿透率而取得。
作為螢光光度計,可使用例如螢光分光光度計RF-1500(島津製作所製)、分光螢光光度計FT-6500(日本分光製)。作為紫外可見光吸光光度計,可使用例如日本分光製的紫外可見光吸光光度計V-670(日本分光製)。
本發明中,前述化合物的最大發光強度,可根據下述式(S)修正的值。下述式(S)中,Pmax為可見光波長區域的最大強度,Ep表示激發光的穿透率(%)。
Pmax/(100-Ep)×100…(S)
本發明的一方面,包含溴化物離子作為X成分的本發明的化合物,係波長530nm附近的最大發光強度為10以上的化合物。
前述波長530nm附近的最大發光強度,可用下述式(S)-1求得。
[波長530nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100…(S)-1
式(S)-1中,所謂波長530nm附近的最大發光強度,係指在波長520至540nm之間確認的最高強度的峰的發光強度。
作為前述波長530nm附近的最大發光強度係以10至70為佳,以15至60為更佳。
本發明的另一方面,包含溴化物離子及氯化物離子作為X成分的本發明的化合物,係波長500nm附近的最大發光強度為40以上的化合物。
前述波長500nm附近的最大發光強度,可用下述式(S)-2求得。
[波長500nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100…(S)-2
式(S)-2中,波長500nm附近的最大發光強度,係指在波長490至510nm之間確認的最高強度的峰的發光強度。
作為前述波長500nm附近的最大發光強度係以40至 100為佳,以60至80更佳。
本發明的又另一方面,包含溴化物離子及碘化物離子作為X成分的本發明的化合物,係波長540nm附近的最大發光強度為10以上的化合物。
前述波長540nm附近的最大發光強度,可用下述式(S)-3求得。
[波長540nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100…(S)-3
式(S)-3中,波長500nm附近的最大發光強度,係指在波長530至550nm之間確認的最高強度的峰的發光強度。
作為前述波長540nm附近的最大發光強度係以10至60為佳,以30至50更佳。
本發明中,a值如下述{a的算出方法}之記載,係可從藉由電感耦合電漿質譜分析儀(以下亦稱為ICP-MS)測定合成後的化合物中之M及B的莫耳數之值所算出的值。
{a的算出方法}
具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中之M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]之值,係可將組成物中具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物使用硝酸、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑溶解後進行測定。
具體而言,前述莫耳比[M/(M+B)]的值為根據下述式(T) 算出的值。下述式(T)中,Mmol係經ICP-MS測定的M的莫耳數,Pbmol表示經ICP-MS測定的Pb的莫耳數。
[M/(M+B)]=(Mmol)/(Mmol+Pbmol)…(T)
本發明中,從可更正確地算出合成後的化合物中的M對Pb之取代量的觀點,前述由{a的算出方法}算出的值以「a」為佳。
再者,a的值,簡單地在合成本發明的化合物時,亦可從調整成使本發明的化合物的a成為所期望值之饋入比的值算出。
<分散液組成物>
本發明的分散液組成物,係上述組成物之介質為液體之組成物,上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物係分散於液體中。藉由使上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物成為分散液組成物,可提高量子產率。
本說明書中,所謂「液體」,係指1大氣壓、25℃下為液體狀態的物質。
分散液組成物係可包含上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物以及液體以外的其他成分。作為前述成分,例如雜質、A、B、X及/或M作為構成成分的具有非結晶構造的化合物以及封端配位子。
作為雜質,例如包含A、B及/或M的鹵化物;B及/或M的氧化物、複合氧化物;以及包含A、B、X及/或M的其他化合物。其他成分,對分散液組成物的總質量而言 係以10質量%以下為佳。
分散液組成物中所含的液體(惟樹脂除外),只要是可分散上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的液體,即無特別限制。
分散液組成物中所含的液體(惟樹脂除外),以不易溶解上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物者為佳。
作為分散液組成物中所含的液體(惟樹脂除外),例如甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等的酯類;γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等的酮類;二乙醚、甲基第3丁基醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二烷、1,3-二氧戊環、4-甲基二氧戊環、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等的醚類;甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等的醇類;乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等的二醇醚;N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N.N-二甲基乙醯胺等的具有醯胺基的有機溶劑;乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等的具有腈基的有機溶劑;碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等的具有烴基的有機溶劑;氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑;二甲 基亞碸等。
該等有機溶劑之中,以甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等的酯類;γ-丁內酯、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等的酮類;二乙醚、甲基第3丁基醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二烷、1,3-二氧戊環、4-甲基二氧戊環、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等的醚類;乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等的具有腈基的有機溶劑;碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等的具有碳酸酯基的有機溶劑;氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑,被認為是極性低且不易溶解具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,因而為佳,以氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的烴基系有機溶劑更佳。
本發明的分散液組成物,可包含封端配位子(capping ligand)。所謂封端配位子,係指吸附於粒子(具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物)的表面,為了使穩定分散於分散溶劑中的化合物,作為封端配位子,例如後述通式(A3)表示的銨鹽及(A4)表示的具有羧基的化合物。本發明的分散液組成物,可包含通式(A3)表示的銨鹽及通式(A4)表示的具有羧基的化合物之任一者,亦可包含兩者。
分散液組成物,可包含通式(A3)表示的銨鹽。
通式(A3)中,R9至R12分別獨立地表示氫原子、可具有胺基作為取代基的烷基、可具有1個胺基作為取代基的不飽和烴基或可具有胺基作為取代基的環烷基。
R9至R12所示的烷基,可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀,亦可具有胺基作為取代基。
R9至R12所示的烷基的碳原子數,通常為1至20,以5至20為佳,以8至20更佳。
R9至R12所示的不飽和烴基,可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀,亦可具有1個胺基作為取代基。R9至R12所示的不飽和烴基的碳原子數,通常為2至20,以5至20為佳,以8至20更佳。
R9至R12所示的環烷基,可具有胺基作為取代基。
R9至R12所示的環烷基的碳原子數,通常為3至30,以3至20為佳,以3至11更佳。
R9至R12係以氫原子、烷基或不飽和烴基為佳。作為不飽和烴基,係以烯基為佳。
通式(A3)表示的銨鹽,可吸附於上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的表面,亦可分散於溶劑中。作為前述銨鹽的相對陰離子,並無特別限制,例如Br-、Cl-、 I-、F-的鹵化物離子。
作為通式(A3)表示的銨鹽,以正-辛基胺的鹽、油胺的鹽為佳。
分散液組成物,可包含(A4)表示之具有羧基的化合物。
R13-CO2H…(A4)
通式(A4)中,R13表示可具有1個羧基作為取代基的烷基、可具有1個羧基作為取代基的不飽和烴基或可具有1個羧基作為取代基的環烷基。
R13所示的烷基,可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀,亦可具有1個羧基作為取代基。R13所示的烷基的碳原子數,通常為1至20,以5至20為佳,以8至20更佳。
R13所示的不飽和烴基,可為直鏈狀,亦可為分支鏈狀,亦可具有1個羧基作為取代基。R13所示的不飽和烴基的碳原子數,通常為2至20,以5至20為佳,以8至20更佳。
R13所示的環烷基,可具有1個羧基作為取代基。
R13所示的環烷基的碳原子數,通常為3至30,以3至20為佳,以3至11更佳。
R13係以烷基或不飽和烴基為佳。作為不飽和烴基,係以烯基為佳。
(A4)表示的具有羧基的化合物,可吸附於上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的表面,亦可分散於溶 劑中。
作為(A4)表示的具有羧基的化合物,係以油酸為佳。
分散液組成物中所含的上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的含量,並無特別限制,從使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物不易聚集的觀點及防止濃度猝滅的觀點,對前述分散液組成物的總質量而言,係以50質量%以下為佳,以10質量%以下更佳,又從得到充分的量子產率的觀點,係以1質量ppm以上為佳,以10質量ppm以上更佳。
作為本發明的其他方面,分散液組成物中所含的前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的含量,對前述分散液組成物的總質量而言,係以1質量ppm以上50質量%以下為佳,以10質量ppm以上10質量%以下更佳。
本說明書中,對分散液組成物的總質量而言,前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的含量,例如藉由ICP-MS、電感耦合電漿發光分光分析法(以下亦稱為ICP-AES)、離子層析法等,可藉由分析構成前述鈣鈦礦型結晶構造的元素而測定,且可通過測定構成前述鈣鈦礦型結晶構造的元素的一部分,並從莫耳比算出而測定。
分散於分散液組成物的上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的平均粒徑,並無特別限制,從充分地維持結晶構造的觀點,平均粒徑係以1nm以上為佳,以2nm以上更佳,以3nm以上又更佳,又從使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物不易沈降的觀點,平均粒徑係以10μm以下 為佳,以1μm以下更佳,以500nm以下又更佳。
作為本發明的其他方面,分散於分散液組成物的前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的平均粒徑係以1nm至10μm為佳,以2nm至1μm更佳,以3nm至500nm又更佳。
本說明書中,分散於分散液組成物中的前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的平均粒徑,例如可藉由掃描型電子顯微鏡(以下亦稱為SEM)、穿透型電子顯微鏡(以下亦稱為TEM)測定。具體而言,係可藉由TEM或SEM,觀察分散於前述分散液組成物中的20個前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑,藉由計算該等的平均值,可求得前述平均粒徑。
分散液組成物中所含的上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑分佈,並無特別限制,從充分地維持結晶構造的觀點,中間值粒徑D50係以3nm以上為佳,以4nm以上更佳,以5nm以上又更佳,又從使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物不易沈降的觀點,係以5μm以下為佳,以500nm以下更佳,以100nm以下又更佳。
作為本發明的其他方面,分散液組成物中所含的前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑分佈,中間值粒徑D50係以3nm至5μm為佳,以4nm至500nm更佳,以5nm至100nm又更佳。
本說明書中,分散於分散液組成物中的前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑分佈,可藉由例如TEM或 SEM測定。具體而言,藉由TEM或SEM,觀察分散於前述分散液組成物中的20個前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑,從該等的分佈,可求得前述中間值粒徑D50。
<<a的算出>>
本發明的分散液組成物中,上述M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值,可使用ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾(Perkin Elmer)製造)測定。分散液組成物中具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,可使用硝酸、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑經溶解後進行測定。
具體的算出方法,係與前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的算出方法相同。
<<量子產率的測定>>
本發明的分散液組成物的量子產率,可使用絕對PL量子產率測定裝置(浜松光子學公司製、商品名C9920-02、測定條件:激發光450nm、室溫、大氣下)進行測定。分散液組成物的量子產率,係將具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物對前述分散液組成物的總質量而言調整為100至2000ppm(μg/g)的濃度下進行測定。
本發明的一方面,包括包含有機銨離子作為A成分的本發明的化合物的組成物,上述方法所測定的量子產率為80%以上的組成物。
作為前述量子產率,係以80至100%為佳,以85至100%更佳。
本發明的其他方面,包括包含銫離子作為A成分的本發明的化合物的組成物,上述方法所測定的量子產率為40%以上的組成物。
作為前述量子產率,係以40至100%為佳,以40至80%更佳。
<樹脂組成物>
本發明的樹脂組成物,係上述組成物中的介質為樹脂之組成物,上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物係分散於樹脂中。藉由使上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物成為樹脂組成物,可提高量子產率。
本說明書中,所謂「樹脂」,係指有機高分子化合物。
樹脂組成物,係可含有上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物及樹脂以外的其他成分。作為其他成分,係與前述本發明的分散液組成物可含的其他成分相同。其他成分,對分散液組成物的總質量而言,係以10質量%以下為佳。
本發明的樹脂組成物的形態,並無特別限制,可依據用途適當地決定。具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散之樹脂組成物,可為膜狀,亦可成形為板狀。
本發明的樹脂組成物中,具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散之樹脂,並無特別限制,惟於製造前述樹脂組成物的溫度中,以對前述具有鈣鈦礦型結晶構造的 化合物的溶解度低者為佳。
作為前述樹脂,例如聚苯乙烯、甲基丙烯酸樹脂等。
樹脂組成物中所含的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的量,並無特別限制,從使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物不易聚集的觀點及防止濃度猝滅的觀點,對前述樹脂組成物的總質量而言,係以50質量%以下為佳,以10質量%以下更佳,又從得到充分的量子產率的觀點,係以1質量ppm以上為佳,以10質量ppm以上更佳。
作為本發明的其他方面,樹脂組成物中所含的前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的含量,對前述樹脂組成物的總質量而言,係以1質量ppm以上50質量%以下為佳,以10質量ppm以上10質量%以下更佳。
本說明書中,相對於樹脂組成物的總質量之前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的含量,例如可藉由ICP-MS測定。
分散於樹脂組成物的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的平均粒徑,並無特別限制,與分散於前述分散液組成物中的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的平均粒徑相同。
樹脂組成物中所含的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑分佈,並無特別限制,與分散於前述分散液組成物中的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的粒徑分佈相同。
<<a的算出>>
本發明的樹脂組成物中,上述M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值,係與前述本發明的分散液組成物相同,可使用ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾(Perkin Elmer)製造)測定。
<<量子產率的測定>>
本發明的樹脂組成物的量子產率,係與前述本發明的分散液組成物相同,可使用絕對PL量子產率測定裝置(浜松光子學公司製、商品名C9920-02、測定條件:激發光450nm、室溫、大氣下)進行測定。
<具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的製造方法>
具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,可藉由使用溶液的自組裝化反應合成。
例如將包含Pb及上述X的化合物、包含上述M及上述X的化合物及包含上述A及上述X的化合物溶解於溶劑的溶液塗佈於基板,藉由除去溶劑,可合成本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
作為其他方法,將包含Pb及上述X的化合物及包含上述M及上述X的化合物溶解於溶劑的溶液塗佈於基板,藉由除去溶劑以形成塗佈膜,將包含上述A及上述X的化合物溶解於溶劑的溶液塗佈於上述塗佈膜上,藉由除去溶劑,可合成本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物。
合成時,使a及δ成為所期望的值,調整上述調配的化合物的種類及其量即可。
作為塗佈方法,例如凹版塗佈法、棒塗法、印刷法、噴塗法、旋轉塗佈法、浸漬法、狹縫塗佈法等。
作為除去溶劑的方法,可列舉如:進行減壓、乾燥及送風的任意一個以上,使溶劑揮發。乾燥可在常溫下進行,亦可進行加熱。加熱時的溫度,可考慮乾燥需要的時間及基板的耐熱性而適當地決定,以50至200℃為佳,以50至100℃更佳。
化合物的製造方法所使用的溶劑,只要是可溶解上述A、B、M、X及其他成分者,並無特別限制,例如與前述分散液組成物中所含的液體(惟樹脂除外)相同者。
其中,從容易確保上述A、B、M、X及其他成分的溶解性的觀點,以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等之具有醯胺基的有機溶劑、二甲基亞碸為適用,其中以N,N-二甲基甲醯胺更適用。
上述有機溶劑,係可具有支鏈構造或環狀構造,可具有複數個-O-、-CO、-COO-、-OH等的官能基,氫原子可被氟等的鹵原子取代。
於前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的製造方法所使用的溶液中的溶劑的量,對前述溶液的總質量而言,係以50質量%以上為佳,以90質量%以上更佳。
<分散液組成物的製造方法>
本發明的分散液組成物,參考已知的文獻(Nano Lett.2015,15,3692-3696,ACS Nano,2015,9,4533-4542等),可藉由以下所述的方法製造。
例如,作為本發明的分散液組成物的製造方法,例如包含下述步驟之製造方法:將包含B及X成分的化合物、包含M成分及X的化合物及包含A的化合物或包含A及X的化合物溶解於溶劑而得到溶液的步驟;以及將所得的溶液,與對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑進行混合的步驟(分散液組成物的第1實施態樣)。
而且,例如包含下述步驟之製造方法:將包含B及X的化合物、包含M及X的化合物及包含A的化合物或包含A及X的化合物,添加至高溫的溶劑,使其溶解而得到溶液的步驟;以及將所得的溶液進行冷卻的步驟(分散液組成物的第2實施態樣)。
<分散液組成物的第1實施態樣>
以下,對於以下製造方法進行說明,該製造方法係包含下述步驟:將包含B及X的化合物、包含M及X的化合物及包含A的化合物或包含A及X的化合物使溶解於溶劑而得到溶液的步驟;以及將所得的溶液,與對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑混合的步驟。
再者,所謂溶解度,係指進行混合步驟的溫度之溶解度。
前述製造方法,從可穩定地分散具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的觀點,以包含添加封端配位子的步驟為佳。封端配位子,以在前述混合步驟之前添加為佳,於溶解A、B、X及M的溶液中添加封端配位子、添加於對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑中添加,或亦可於溶解有A、B、X及M的溶液及對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑兩者中添加。
前述製造方法,係以在前述混合步驟之後,包含藉由離心、過濾等的方法除去粗顆粒的步驟為佳。藉由前述除去步驟所除去的粗顆粒的大小,係以10μm以上為佳,以1μm以上更佳,以500nm以上又更佳。
前述溶液與對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到前述溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑之混合的步驟,可為(a)將前述溶液滴入至對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑中的步驟,亦可為(b)於前述溶液中,滴入對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度比得到溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑的步驟,從提高分散性的觀點,係以(a)為佳。
滴入時進行攪拌者,從提高分散性的觀點上為佳。
於前述溶液與對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的 溶解度比得到前述溶液的步驟所使用的溶劑低的溶劑混合的步驟中,溫度並無特別限制,惟從確保具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的析出容易性的觀點,以0至40℃的範圍為佳,以10至30℃的範圍更佳。
製造時,可調整上述調配的化合物的種類及其量,使a及δ成為所期望的值。
作為前述製造方法所使用的對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度不同的2種溶劑,並無特別限制,例如為選自甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等的醇類;乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等的二醇醚;N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N.N-二甲基乙醯胺等的具有醯胺基的有機溶劑;二甲基亞碸、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等的酯類;γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等的酮類;二乙醚、甲基第3丁基醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二烷、1,3-二氧戊環、4-甲基二氧戊環、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等的醚類;乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等的具有腈基的有機溶劑;碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等的具有碳酸酯基的有機溶劑;氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴 基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑所構成群組的2種溶劑。
包含於前述製造方法之得到溶液的步驟所使用的溶劑,以對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度高的溶劑為佳,例如於室溫(10℃至30℃)下進行前述步驟時,例如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、第3丁醇、1-戊醇、2-甲基-2-丁醇、甲氧基丙醇、二丙酮醇、環己醇、2-氟乙醇、2,2,2-三氟乙醇、2,2,3,3-四氟-1-丙醇等的醇類;乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇二甲醚等的二醇醚;N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N.N-二甲基乙醯胺等的具有醯胺基的有機溶劑;二甲基亞碸。
包含於前述製造方法之混合步驟中使用的溶劑,以對具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的溶解度低的溶劑為佳,例如於室溫(10℃至30℃)下進行前述步驟時,例如甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等的酯類;γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等的酮類;二乙醚、甲基第3丁基醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二烷、1,3-二氧戊環、4-甲基二氧戊環、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等的醚類;乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等的具有腈基的有機溶劑;碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等的具有碳酸酯基的有機溶劑;氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具 有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑。
溶解度不同的2種溶劑中,溶解度差以100μg/溶劑100g至90g/溶劑100g為佳,以1mg/溶劑100g至90g/溶劑100g更佳。從溶解度差為100μg/溶劑100g至90g/溶劑100g的觀點,例如於室溫(10℃至30℃)下進行混合步驟時,得到溶液的步驟所使用的溶劑為N.N-二甲基乙醯胺等的具有醯胺基的有機溶劑或二甲基亞碸,混合步驟中使用的溶劑以氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑為佳。
<分散液組成物的製造方法的第2實施態樣>
以下,對於包含下述步驟之製造方法進行說明:將包含B及X的化合物、包含M及X的化合物及包含A的化合物或包含A及X的化合物,添加至高溫的溶劑使其溶解而得到溶液的步驟;以及將所得的溶液進行冷卻的步驟。
前述製造方法中,可藉由溫度差之溶解度的差,使本發明的鈣鈦礦化合物析出而製造本發明的鈣鈦礦化合物。
前述製造方法,從可穩定地分散鈣鈦礦化合物的觀點,以包含添加封端配位子的步驟為佳。
前述製造方法,在冷卻步驟之後,以包含藉由離心、過濾等的方法除去粗顆粒的步驟為佳。藉由前述除去步驟所除去的粗顆粒的大小,以10μm以上為佳,以1μm以 上更佳,以500nm以上又更佳。
此處,所謂高溫的溶劑,只要是溶解包含B及X的化合物及包含A的化合物或包含A及X的化合物的溫度的溶劑即可,例如以60至600℃的溶劑為佳,以80至400℃的溶劑更佳。
作為冷卻的溫度,以-20至50℃為佳,以-10至30℃更佳。
作為冷卻速度,以0.1至1500℃/分鐘為佳,以10至150℃/分鐘更佳。
作為前述製造方法所使用的溶劑,只要是可溶解包含B及X的化合物、包含M及X的化合物、以及包含A成分的化合物或包含A成分及X成分的化合物的溶劑即無特別限制,例如與前述的分散液組成物中所含的液體(惟樹脂除外)相同者。
作為從包含具有鈣鈦礦化合物的分散液,取出具有鈣鈦礦化合物的方法,例如藉由固液分離只回收鈣鈦礦化合物的方法。
前述固液分離的方法,例如過濾等的方法、利用溶劑的蒸發的方法等。
<樹脂組成物的製造方法>
例如作為本發明的樹脂組成物的製造方法,可列舉包含下述步驟之製造方法:將上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物,與樹脂溶解於溶劑的溶 液進行混合的步驟;以及除去溶劑的步驟。
而且,可列舉包含下述步驟之製造方法:將上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物,與單體進行混合的步驟;以及使單體聚合而得到樹脂組成物的步驟。
以下,對於含下述步驟之樹脂組成物之製造方法進行說明:上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物,與樹脂溶解於溶劑的溶液進行混合的步驟;以及除去溶劑的步驟。
上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物與樹脂溶解於溶劑的溶液之混合步驟中,可為(a)將上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物滴入樹脂溶解於溶劑中的溶液的步驟,亦可為(b)將樹脂溶解於溶劑的溶液滴入上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物中,從提高分散性的觀點,以(a)為佳。
混合時進行攪拌者,從提高分散性的觀點上為佳。
上述鈣鈦礦化合物或本發明的分散液組成物與溶解於溶劑的樹脂之混合步驟中,溫度無特別限制,從均勻混合的觀點,以0至100℃的範圍為佳,以10至80℃的範圍更佳。
作為除去溶劑的方法,例如可為藉由室溫下靜置的自然乾燥,可為藉由使用真空乾燥機的減壓乾燥、或藉由加熱而使溶劑蒸發的方法等。
作為上述溶解樹脂的溶劑,只要是可溶解樹脂的溶劑,即無特別限制,惟以不易溶解上述鈣鈦礦化合物者為佳。
作為上述溶解樹脂的溶劑,例如與前述的分散液組成物中所含的液體(惟樹脂除外)相同者。
其中,以甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸戊酯等的酯類;γ-丁內酯、丙酮、二甲基酮、二異丁基酮、環戊酮、環己酮、甲基環己酮等的酮類;二乙醚、甲基第3丁基醚、二異丙醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷、1,4-二烷、1,3-二氧戊環、4-甲基二氧戊環、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、苯甲醚、苯乙醚等的醚類;乙腈、異丁腈、丙腈、甲氧基乙腈等的具有腈基的有機溶劑;碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等的具有碳酸酯系的有機溶劑;氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑,被認為是極性低且不易溶解鈣鈦礦化合物,因而為佳,以氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷等的具有鹵烴基的有機溶劑;正-戊烷、環己烷、正-己烷、苯、甲苯、二甲苯等的具有烴基的有機溶劑更佳。
以下,對於包含下述步驟之製造方法進行說明:將具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物,與單體進行混合的步驟;以及使單體聚合而得到樹脂組成物的步驟。
具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的 分散液組成物與單體進行混合的步驟,可為(a)將上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物滴入單體,亦可為(b)將單體滴入上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物,從提高分散性的觀點,以(a)為佳。
從提高分散性的觀點來看,以混合時進行攪拌者為佳。
上述鈣鈦礦化合物或本發明的分散液組成物與單體混合的步驟中,溫度並無特別限制,惟從均勻混合的觀點上,係以0至100℃的範圍為佳,以10至80℃的範圍更佳。
作為前述製造方法所使用的單體,例如苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯。
前述製造方法中,作為使單體聚合的方法,可適當地使用自由基聚合等的習知的聚合反應。例如於自由基聚合時,在上述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物或本發明的分散液組成物與單體的混合物中,添加自由基聚合引發劑,使用藉由產生自由基的聚合反應,產生自由基,進行聚合反應。
自由基聚合引發劑並無特別限定者,惟例如光自由基聚合引發劑。
作為上述光自由基聚合引發劑,例如雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物等。
再者,本發明的技術範圍,不限於上述的實施態樣,在不脫離本發明的要旨的範圍內,可加入各種變 更。
<膜>
本發明的膜,係包含上述本發明的樹脂組成物的膜或包含上述本發明具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的膜。
本發明的膜的厚度,通常為0.01μm至10mm,以0.1μm至1mm為佳,以1μm至0.5mm更佳。
本說明書中,前述膜的厚度,可藉由測微器在任意的3點測定,並藉由算出其平均值而得。
本發明的膜,可包含單獨1種具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,亦可包含2種以上。
<膜的製造方法>
本發明的膜,例如可藉由使用溶液的自組裝化反應製造。此處,使用溶液的自組裝化反應,係與上述本發明的化合物的製造方法相同。
作為本發明的膜的製造方法之其他方法,可列舉例如於本發明使用分散液組成物的塗佈方法。
此處,本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物係與上述本發明的分散液組成物相同。分散液組成物可為上述包含本發明的樹脂組成物的組成物。
作為使用分散液組成物的塗佈方法的一態樣,係例如於基板上塗佈分散液組成物,藉由除去溶劑,製造本發明的膜之方法。
作為使用分散液組成物的塗佈方法的其他態樣,係例如於基板上塗佈進一步包含單體的分散液組成物,藉由除去溶劑使單體聚合而製造本發明的膜。
<積層構造體>
本發明的積層構造體,係具有包含上述本發明的樹脂組成物的層之積層構造體、或具有包含上述本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層之積層構造體。
包含本發明的樹脂組成物的層、及包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層的厚度,通常為0.01μm至10mm,以0.1μm至1mm為佳,以1μm至0.5mm更佳。
本說明書中,前述膜的厚度,可藉由測微器在任意的3點測定,並藉由算出其平均值而得。
本發明的積層構造體,可只具有一層的包含本發明的樹脂組成物的層,亦可具有兩層以上;可只具有一層的包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層,亦可具有兩層以上。
作為本發明的積層構造體可具有之包含本發明的樹脂組成物的層或包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層以外的層,可列舉基板、阻隔層、光散射層等。
(基板)
基板,並無特別限制,從取出發光的光的觀點,以透明的基板為佳。作為基板,例如由聚對苯二甲酸乙二酯等所構成的可撓性基板、玻璃基板。
(阻隔層)
所謂阻隔層,係指具有保護包含本發明的樹脂組成物的層或包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層避開大氣中的水蒸氣等的功能的層。
阻隔層,並無特別限制,從取出發光的光的觀點,以透明的層為佳。作為阻隔層,可使用例如SiO2膜、Al2O3膜等的習知的阻隔層。
(光散射層)
光散射層,係具有散射發光的光的功能的層。
光散射層,並無特別限制,從取出發光的光的觀點,以透明的層為佳。作為光散射層,例如包含氧化矽粒子等的光散射顆粒的層、放大擴散膜。
第1圖係表示本實施態樣的積層構造體的構成之剖面示意圖。第1積層構造體1a,係於第1基板20及第2基板21之間,設置包含本發明的樹脂組成物或本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層10。而且,前述層10係藉由密封層22密封。
本發明的一方面,其係具有第1基板20、第2基板21、位於第1基板20與第2基板21之間的包含本發明的具有 鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層10以及密封層的積層構造體,其特徵為前述密封層配置在包含前述具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的前述層10且不與前述第1基板20、第2基板21接觸的面上之積層構造體1a。
本發明的其他方面,係依序積層稜鏡片50、導光板60、前述第1積層構造體1a之積層構造體1b。
<積層構造體的製造方法>
包含本發明的樹脂組成物的層及包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層的製造方法,係與上述本發明的膜的製造方法相同。因此,本發明的積層構造體,可藉由組合上述本發明的膜的製造方法與習知方法製造。
<發光裝置>
本發明的發光裝置,係具有本發明的積層構造體及光源的發光裝置。其係從光源發出的光照射於積層構造體時,被包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層吸收,包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層發光,從包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層取出發出的光的裝置。本發明的發光裝置中,包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層通常作為波長轉換發光層的功能。
本發明的一方面,係依序積層稜鏡片50、導光板60、前述第1積層構造體1a及光源30的發光裝置2。
本發明的發光裝置中,作為本發明的積層構造體可具有的上述以外的層,例如光反射構件層、亮度強化層、稜鏡片、導光板、構成要件之間的介質材料層。
(光源)
光源,並無特別限制,從使積層構造體之包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層發光的觀點,以具有600nm以下的發光波長的光源為佳。作為光源,例如藍色發光二極體等的發光二極體(LED)、雷射、EL(電激發光)。
作為本發明的發光裝置的具體例,例如EL顯示器、液晶顯示器。於EL顯示器、液晶顯示器中,包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層通常作為波長轉換發光層的功能。
作為本發明的發光裝置的其他具體例,例如照明。使用藍色發光二極體作為光源,因使包含樹脂組成物或具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的層作為波長轉換發光層的功能,可實現白色發光的照明。
<液晶顯示器>
如第2圖所示,本實施態樣的液晶顯示器3,從觀賞側依序具備液晶面板40及本實施態樣的發光裝置2。發光裝置2,具備第2積層構造體1b及光源30。第2積層構造體1b係前述第1積層構造體1a更具備稜鏡片50及導光板 60者。顯示器,可更具備任意適當的其他構件。
本發明的一方面,係依序積層液晶面板40、稜鏡片50、導光板60、前述第1積層構造體1a及光源30的液晶顯示器3。
<用途>
作為本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物以及包含其之分散液組成物及樹脂組成物的用途,可列舉例如EL顯示器、液晶顯示器用波長轉換材料,具體而言,可列舉:(1)將本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物放入玻璃管中後密封,將其沿著導光板的端面(側面)配置於光源的藍色發光二極體與導光板之間,將藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光(邊緣型背光);(2)將本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散於樹脂等而薄片化,將此以2片阻隔膜密封之膜設置在導光板上,從放置於導光板的端面(側面)的藍色發光二極體,通過導光板,照射於前述薄片的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光(表面安裝方式的背光);(3)使本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散於樹脂等,並設置於藍色發光二極體的發光部附近,被照射的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光(晶片方式的背光);以及(4)將本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散於光阻中。設置於彩色濾光片上,從光源照射的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光。
作為本發明的包含具有鈣鈦礦型結晶構造 的化合物之組成物的用途,可列舉例如雷射二極體用的波長轉換材料。具體而言,可列舉使本發明的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之組成物成形,配置於光源的藍色發光二極體的後段,將藍色光轉換為綠色光、紅色光並發出白色光的照明。
而且,本發明之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,例如可作為LED的發光層的材料使用。
作為包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的LED,例如混合本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物及ZnS等的導電性粒子而積層為膜狀,於單面積層n型傳輸層,另一單面用p型傳輸層積層的構造,流通電流,p型半導體的電洞與n型半導體的電子在接合面的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中電荷抵消而發光的方式。
再者,本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,可利用作為太陽能電池的活性層中所含的電子傳輸材料。
作為前述太陽能電池,其構成並無特別限制,例如依序具有氟摻雜的氧化錫(FTO)基板、氧化鈦緻密層、多孔性氧化鋁層、包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的活性層、2,2’,7,7’-四(N,N’-二-對甲氧基苯基胺)-9,9’-螺雙茀(Spiro-OMeTAD)等的電洞傳輸層及銀(Ag)電極的太陽能電池。
氧化鈦緻密層,具有電子傳輸的功能、抑制FTO的粗糙度的效果及抑制反電子移動的功能。
多孔性氧化鋁層,具有提高光吸收效率的功能。
活性層中所含之本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物係發揮電荷分離及電子傳輸的作用。
[實施例]
以下,基於實施例及比較例,更具體地說明本發明,惟本發明不限於以下的實施例。
(包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之分散液組成物的合成) [實施例1]
混合溴化甲基銨(CH3NH3Br)0.32mmol、溴化鉛(PbBr2)0.388mmol、溴化鈉(NaBr)0.012mmol、正辛基胺40μL、油酸1mL及DMF10mL,製作溶液。
然後,將20mL的甲苯一邊用磁力攪拌器攪拌,一邊於前述甲苯中添加前述溶液4mL。攪拌1小時後,以10000rpm、10分鐘的離心將沉澱分離,得到上清液的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
[實施例2]
除了溴化鉛(PbBr2)為0.38mmol、溴化鈉(NaBr)為0.02mmol以外,使用與上述實施例1相同的方法,得到包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
[實施例3]
除了溴化鉛(PbBr2)為0.36mmol、溴化鈉(NaBr)為0.04mmol以外,使用與上述實施例1相同的方法,得到包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
將X射線繞射圖形用X射線繞射測定裝置(XRD、CuK α線、X’pert PRO MPD、Spectris公司製)測定時,在2 θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的繞射峰,確認具有3維的鈣鈦礦型結晶構造。
[實施例4]
混合溴化甲基銨(CH3NH3Br)0.32mmol、溴化鉛(PbBr2)0.388mmol、溴化鋰(LiBr2)0.012mmol、正辛基胺40μL、油酸1mL及DMF10mL,製作溶液。
然後,將20mL的甲苯一邊用磁力攪拌器攪拌,一邊於前述甲苯中添加前述溶液4mL。攪拌1小時後,以10000rpm、10分鐘的離心將沉澱分離,得到上清液的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
[實施例5]
除了溴化鉛(PbBr2)為0.38mmol、溴化鋰(LiBr)為0.02mmol以外,使用與上述實施例4相同的方法,得到包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
[實施例6]
除了溴化鉛(PbBr2)為0.36mmol、溴化鋰(LiBr)為 0.04mmol以外,使用與上述實施例4相同的方法,得到包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
[比較例1]
混合溴化甲基銨(CH3NH3Br)0.32mmol、溴化鉛(PbBr2)0.4mmol、正辛基胺40μL、油酸1mL及DMF10mL,製作溶液。
然後,將20mL的甲苯一邊用磁力攪拌器攪拌,一邊於前述甲苯中添加前述溶液4mL。攪拌1小時後,以10000rpm、10分鐘的離心將沉澱分離,得到上清液的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
將X射線繞射圖形用X射線繞射測定裝置(XRD、CuK α線、X’pert PRO MPD、Spectris公司製)測定時,在2 θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的繞射峰,確認具有3維的鈣鈦礦型結晶構造。
(M取代量的測定)
對實施例1至6及比較例1所得之包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之分散液組成物10mL,添加DMF 1mL,使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物溶解。藉由ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾製)測定溶解後的溶液中M(Na或Li)及B(Pb)的莫耳數,將具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中所含的M(Na或Li)之量應用「M/(M+Pb)」的式,並進行評估。
(量子產率的測定)
使用絕對PL量子產率測定裝置(浜松光子學公司製、商品名C9920-02、測定條件:激發光450nm、室溫、大氣下),測定實施例1至6及比較例1所得之包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物的量子產率。
相對於前述分散液組成物的總質量,將具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的濃度設為1000ppm(μg/g),進行量子產率的測定。
對於具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的濃度的測定方法進行說明。對實施例1至6及比較例1所得之包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之分散液組成物10mL,添加DMF 1mL,使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物溶解。藉由ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾製)測定所得溶液中之M(Zn)及B(Pb)的莫耳數量,將莫耳比應用CH3NH3Pb(1-a)MaX(3+δ)(0<a≦0.7,0≦δ≦0.7)、或CH3NH3PbBr3之式,測定具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之濃度。
以下表1,記載實施例1至6及比較例1的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物之構成與量子產率。表1中,「M/(M+Pb)」表示將藉由ICP-MS測定的M的莫耳數量除以M及B(鉛離子)的合計莫耳數量而得的莫耳比。
從上述的結果,相較於不使用本發明的比較例1的分散液組成物,確認到使用本發明的實施例1至6的分散液組成物具有良好的量子產率。
(具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的合成) [實施例7]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。同樣地,在70℃使溴化鈉(NaBr)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鈉溶液。
然後,在70℃使溴化甲基銨(CH3NH3Br)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化甲基銨溶液。將上述的溴化鉛溶液與溴化鈉溶液以莫耳比[Na/(Na+Pb)]成為0.03之方式混合,製作溶液。
然後,以成為莫耳比[溴化甲基銨/(Zn+Pb)]=1之方式 進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
用X射線繞射測定裝置(XRD、CuK α線、X’pert PRO MPD、Spectris公司製)測定前述塗佈膜的化合物的X射線繞射圖形時,在2 θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的繞射峰,確認具有3維的鈣鈦礦型結晶構造。
[實施例8]
除了使莫耳比[Na/(Na+Pb)]為0.05以外,使用與上述實施例7相同的方法,得到化合物的塗佈膜。
前述塗佈膜的化合物的X射線繞射圖形,使用X射線繞射測定裝置(XRD、CuK α線、X’pert PRO MPD、Spectris公司製)測定時,在2 θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的繞射峰,確認具有3維的鈣鈦礦型結晶構造。
[實施例9]
除了使莫耳比[Na/(Na+Pb)]為0.20以外,使用與上述實施例7相同的方法,得到化合物的塗佈膜。
[實施例10]
除了使莫耳比[Na/(Na+Pb)]為0.30以外,使用與上述實施例7相同的方法,得到化合物的塗佈膜。
[比較例2]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。在70℃使溴化甲基銨(CH3NH3Br)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化甲基銨溶液。
然後,以莫耳比成為(溴化甲基銨)/Pb=1之方式混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,使在100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
使用X射線繞射測定裝置(XRD、CuK α線、X’pert PRO MPD、Spectris公司製)測定前述塗佈膜的化合物的X射線繞射圖形時,在2 θ=14°的位置具有來自(hkl)=(001)的繞射峰,確認具有3維的鈣鈦礦型結晶構造。
(發光光譜的測定)
將實施例7至10及比較例2所得之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的塗佈膜的發光光譜,使用螢光光度計(島津製作所製、商品名RF-1500、測定條件;激發光430nm、靈敏度LOW)進行測定。而且,使用紫外光可見光吸光光度計(日本分光製、商品名V-670),測定前述塗佈膜在波長430nm的穿透率(%)。
又,前述塗佈膜間的發光強度的比較,係將波長530nm附近的最大發光強度用以下的式(S)-1修正進行。
[波長530nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100…(S)-1
式(S)-1中,所謂波長530nm附近的最大強度,係指在波長520至540nm之間確認的最高強度的峰的發光強度。
以下表2,記載實施例7至10、比較例2的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的構成及最大發光強度。表2中之[M/(M+Pb)]表示M的莫耳數量除以M及B(鉛離子)的合計莫耳數量而得的莫耳比。
從上述的結果,相較於不使用本發明的比較例2的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,確認使用本發明的實施例7至10的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物具有良好的發光強度。
<<藉由ICP-MS的測定>>
對實施例8所得之玻璃基板上的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,添加硝酸1ml,使具有鈣鈦礦型結晶構造的 化合物溶解。溶解後的溶液用離子交換水成為合計10ml,藉由ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾公司製),測定Pb及M(Na)的量,將具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中所含的M(Na)的量通過應用「M/(M+B)」的式,進行評估。
根據ICP-MS的測定結果,實施例8的「 Na/(Pb+Na)」的值為0.050。
(具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的合成) [實施例11]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。同樣地,在70℃使溴化鋰(LiBr)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鋰溶液。
然後,在70℃使溴化甲基銨(CH3NH3Br)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化甲基銨溶液。上述的溴化鉛溶液與溴化鋰溶液,以莫耳比[Li/(Li+Pb)]成為0.03之方式混合,製作溶液。
然後,以莫耳比[溴化甲基銨/(Li+Pb)]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
[實施例12]
除了使莫耳比[Li/(Li+Pb)]為0.05以外,使用與上述實施例11相同的方法,得到化合物的塗佈膜。
[實施例13]
除了使莫耳比[Li/(Li+Pb)]為0.10以外,使用與上述實施例11相同的方法,得到化合物的塗佈膜。
(發光光譜的測定)
將實施例11至13及比較例2所得之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的塗佈膜的發光光譜,使用螢光光度計(島津製作所製、商品名RF-1500、測定條件:激發光430nm、靈敏度LOW)進行測定。而且,使用紫外光可見光吸光光度計(日本分光製、商品名V-670),測定前述塗佈膜在波長430nm的穿透率(%)。
前述塗佈膜間的發光強度的比較,係將波長530nm附近的最大發光強度用以下的式(S)-1修正進行。
[波長530nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100…(S)-1
以下表3,記載實施例11至13、比較例2的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的構成及最大發光強度。表3中之[M/(M+Pb)]表示由原料饋入量算出的M的莫耳數量除以M及B(鉛離子)的合計莫耳數量而得的莫耳比。
從上述的結果,相較於不使用本發明的比較例2的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,確認使用本發明的實施例11至13的本發明具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物具有良好的發光強度。
(具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之合成) [實施例14]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。同樣地,在70℃使溴化鈉(NaBr)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鈉溶液。
然後,在70℃使氯化甲基銨(CH3NH3Cl)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的氯化甲基銨溶液。上述的溴化鉛溶液與溴化鈉溶液,以莫耳比[Na/(Na+Pb)]成為0.1之方式混合,製作溶液。
然後,以莫耳比[氯化甲基銨/(Na+Pb)]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
[實施例15]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。同樣地,在70℃使溴化鈉(NaBr)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鈉溶液。然後,在70℃使碘化甲基銨(CH3NH3I)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的碘化甲基銨溶液。上述的溴化鉛溶液與溴化鈉溶液,以莫耳比[Na/(Na+Pb)]成為0.1之方式混合,製作溶液。然後,以莫耳比[碘化甲基銨/(Na+Pb)]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
[實施例16]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶 液。同樣地,在70℃使溴化鋰(LiBr)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鋰溶液。然後,在70℃使氯化甲基銨(CH3NH3Cl)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的氯化甲基銨溶液。使上述的溴化鉛溶液與溴化鋰溶液以莫耳比[Li/Li+Pb]=0.1之方式混合溶液。然後,以莫耳比[氯化甲基銨/Li+Pb]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
[實施例17]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。同樣地,在70℃使溴化鋰(LiBr)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鋰溶液。然後,在70℃使碘化甲基銨(CH3NH3I)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的碘化甲基銨溶液。上述的溴化鉛溶液與溴化鋰溶液,以莫耳比[Li/(Li+Pb)]成為0.1之方式混合,製作溶液。然後,以莫耳比[碘化甲基銨/(Li+Pb)]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
[比較例3]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。然後,在70℃使氯化甲基銨(CH3NH3Cl)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的氯化甲基銨溶液。
然後,以莫耳比[氯化甲基銨/Pb]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
[比較例4]
準備2.5cm×2.5cm大小的玻璃基板。將該玻璃基板進行臭氧UV處理。
在70℃使溴化鉛(PbBr2)溶解於N,N-二甲基甲醯胺(以下記載為「DMF」)的溶劑中,製作0.1M濃度的溴化鉛溶液。然後,在70℃使碘化甲基銨(CH3NH3I)溶解於DMF的溶劑中,製作0.1M濃度的碘化甲基銨溶液。
然後,以莫耳比[碘化甲基銨/Pb]=1之方式進一步混合溶液。
於上述玻璃基板,藉由旋轉塗佈機,以1000rpm的旋 轉數塗佈前述溶液,在大氣中,以100℃乾燥10分鐘,得到化合物的塗佈膜。
(發光光譜的測定)
將實施例14、16及比較例3所得之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的塗佈膜的發光光譜,使用螢光光度計(日本分光製、商品名FT-6500、測定條件:激發光430nm、靈敏度High)進行測定。而且,使用紫外光可見光吸光光度計(日本分光製、商品名V-670),測定前述塗佈膜在430nm的穿透率(%)。
前述塗佈膜間的發光強度的比較,係將波長500nm附近的最大發光強度用以下的式(S)-2修正進行。
[波長500nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100 (S)-2
式(S)-2中,所謂波長500nm附近的最大強度,係指在波長490至510nm之間確認的最高強度的峰的發光強度。
(發光光譜的測定)
將實施例15、17及比較例4所得之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的塗佈膜的發光光譜,使用螢光光度計(日本分光製、商品名FT-6500、測定條件:激發光430nm、靈敏度High)進行測定。而且,使用紫外光可見光吸光光度計(日本分光製、商品名V-670),測定前述塗佈膜在430nm 的穿透率(%)。
前述塗佈膜間的發光強度的比較,係將波長540nm附近的最大發光強度用以下的式(S)-3修正進行。
[波長540nm附近的最大發光強度/(100-波長430nm的穿透率)]×100 (S)-3
式(S)-3中,所謂波長540nm附近的最大強度,係指在波長530至550nm之間確認的最高強度的峰的發光強度。
以下表4,記載實施例14至17、比較例3至4的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的構成及最大發光強度。表4中,「M/(M+Pb)」表示由原料饋入量算出的M的莫耳數量除以M及B(鉛離子)的合計莫耳數量而得的莫耳比。
從上述的結果,確認相較於不使用本發明的比較例3至4的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,使用本發明的實施例14至17的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物具有良好的發光強度。
[實施例18]
以使銫的濃度成為2700ppm(μg/g)之方式於溴化銫(CsBr)中添加混合DMF10mL。混合溴化鉛(PbBr2)0.38mmol、溴化鈉(NaBr)0.02mmol、正辛基胺88μL、油酸1mL、及上述溴化銫溶液,製作溶液。
然後,將20mL的甲苯一邊用磁力攪拌器攪拌,一邊於前述甲苯中添加前述溶液4mL。攪拌1小時後,以10000rpm、10分鐘的離心將沉澱分離,得到上清液的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
[比較例5]
以使銫的濃度成為2700ppm(μg/g)之方式於溴化銫(CsBr)中添加混合DMF10mL。混合溴化鉛(PbBr2)0.4mmol、正辛基胺88μL、油酸1mL、及上述溴化銫溶液,製作溶液。
然後,將20mL的甲苯一邊用磁力攪拌器攪拌,一邊於前述甲苯中添加前述溶液4mL。攪拌1小時後,以10000rpm、10分鐘的離心將沉澱分離,得到上清液的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物。
(M取代量的測定)
對實施例18所得之包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物10mL,添加DMF 1mL,使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物溶解。溶解後的溶液中M(Na)及 B(Pb)的莫耳數,藉由ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾製)測定,使具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中所含的M(Na)之量應用「M/(M+Pb)」的式,進行評估。
(量子產率的測定)
將實施例18及比較例5所得之包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物的量子產率,使用絕對PL量子產率測定裝置(浜松光子學公司製、商品名C9920-02、激發光450nm、測定條件:室溫、大氣下)進行測定。相對於前述分散液組成物的總質量,將具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的濃度調整為900ppm(μg/g),進行量子產率的測定。
(鈣鈦礦化合物的測定)
實施例18及比較例5所得之組成物的鈣鈦礦化合物的濃度,分別於包含鈣鈦礦化合物及溶劑的分散液中,藉由添加N,N-二甲基甲醯胺使鈣鈦礦型化合物溶解後,使用ICP-MS(ELAN DRCII、珀金埃默爾製)及離子色層分析儀進行測定。
以下表5,記載實施例18及比較例5的鈣鈦礦型結晶構造的化合物的構成及量子產率。表5中,[M/(M+Pb)]表示將M的莫耳數量除以M及B(鉛離子)的合計莫耳數量而得的莫耳比。
從上述的結果,確認相較於不使用本發明的比較例5的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物,使用本發明的實施例18的本發明包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物具有良好的量子產率。
[參考例1]
實施例1至6記載的本發明的分散液組成物與樹脂混合後,除去液體,可得到本發明的樹脂組成物,放入玻璃管等之中加以密封後,將其配置於光源的藍色發光二極體與導光板之間,製造可將藍色發光二極體的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光。
[參考例2]
實施例1至6記載的分散液組成物與樹脂混合後,除去液體並製成薄片,可得到本發明的樹脂組成物,將其用2片阻隔膜夾住密封的膜,配置於導光板上,製造從放置於導光板的端面(側面)的藍色發光二極體,通過導光板而照射於前述薄片的藍色光可轉換為綠色光、紅色光的背光。
[參考例3]
實施例1至6記載的本發明的分散液組成物與樹脂混合後,除去溶劑,可得到本發明的樹脂組成物,藉由設置在藍色發光二極體的發光部附近,製造可將照射的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光。
[參考例4]
實施例1至6記載的本發明的分散液組成物與光阻混合後,除去溶劑,可得到波長轉換材料。將所得之波長轉換材料,配置於光源的藍色發光二極體與導光板之間、或光源的OLED的後段,製造可將光源的藍色光轉換為綠色光、紅色光的背光。
[參考例5]
將實施例1至6記載的分散液組成物及ZnS等的導電性粒子混合並成膜,於其單面積層n型傳輸層,並於另一單面積層p型傳輸層而得到LED。藉由使電流通過,p型半導體的電洞與n型半導體的電子在接合面的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物中可使電荷抵消而發光。
[參考例6]
於摻雜氟的氧化錫(FTO)基板的表面上,積層氧化鈦緻密層,從其上積層多孔性氧化鋁層,再於其上使用實施例 1至6記載的分散液組成物積層鈣鈦礦層,又從其上積層2,2’,7,7’-四(N,N’-二-對甲氧基苯基胺)-9,9’-螺雙茀(Spiro-OMeTAD)等的電洞傳輸層,再於其上積層銀(Ag)層,製作太陽能電池。
[參考例7]
將實施例1至6記載的包含本發明的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的分散液組成物與樹脂混合後,除去溶劑而成形者,可得到本發明的包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物的樹脂組成物,將此設置在藍色發光二極體的後段時,製造從藍色發光二極體照射在前述樹脂成形體的藍色光轉換為綠色光、紅色光的發出白色光的雷射二極體照明。
[產業上的可利用性]
根據本發明,可提供具高發光強度的具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物、及具高量子產率之具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物分散在介質中的組成物。
因此,本發明的組成物及化合物可適合使用於發光相關的材料領域中。

Claims (11)

  1. 一種包含具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物之組成物,該化合物係以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量所得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下;A表示位於以B為中心的六面體的各頂點的成分,X表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分,A為位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點之銫離子、有機銨離子或脒鎓離子;B為鉛離子;M為選自銫離子除外之1價金屬元素的陽離子所構成群組的1種以上的陽離子,M的至少一部分在前述鈣鈦礦型結晶構造中取代B的一部分;X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,其係選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物,其中,前述M為鹼金屬元素的陽離子。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之組成物,其中,前述M為鈉離子或鋰離子。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之組成物,其中,前述A為有機銨離子。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之組成 物,其係在前述組成物中包含液體作為介質。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之組成物,其係在前述組成物中包含樹脂作為介質。
  7. 一種具有鈣鈦礦型結晶構造的化合物,其係以A、B、X及M為構成成分,M的莫耳數量除以M及B的合計莫耳數量而得的莫耳比[M/(M+B)]的值為0.7以下;A表示位於以B為中心的六面體的各頂點的成分,X表示位於以B為中心的八面體的各頂點的成分;A為位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的六面體的各頂點之銫離子、有機銨離子或脒鎓離子;B為鉛離子;M為鈉離子或鋰離子,M的至少一部分在前述鈣鈦礦型結晶構造中取代B的一部分;X表示位於在前述鈣鈦礦型結晶構造中以B為中心的八面體的各頂點的成分,其係選自氯化物離子、溴化物離子、氟化物離子、碘化物離子及硫氰酸根離子所構成群組的1種以上的陰離子。
  8. 一種膜,其包含申請專利範圍第6項所述之組成物或申請專利範圍第7項所述之化合物。
  9. 一種積層構造體,其具有包含申請專利範圍第6項所述之組成物或申請專利範圍第7項所述之化合物的層。
  10. 一種發光裝置,其具備:申請專利範圍第9項所述的積層構造體及光源。
  11. 一種液晶顯示器,其具備:申請專利範圍第10項所述 的發光裝置及液晶面板。
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