TW201814796A - 鰭狀場效電晶體結構的形成方法 - Google Patents

Abstract

用於切割基板上的鰭狀場效電晶體結構之鰭狀片段的切割最後之製程，採用兩步製程。在形成鰭狀物後，沉積氧化物材料於鰭狀場效電晶體結構的溝槽中。氧化物材料可為淺溝槽隔離氧化物或低應力的虛置填隙材料。藉由蝕刻品可移除鰭狀片段，並保留凹陷狀(如u型或v型)的矽部份於鰭狀物底部。當氧化物材料為淺溝槽隔離氧化物時，移除鰭狀物後形成的孔洞可填有替換的淺溝槽隔離氧化物。當氧化物材料為虛置的填隙材料時，可移除虛置的填隙材料以置換成淺溝槽隔離氧化物；或者將虛置的填隙材料轉變成淺溝槽隔離氧化物，並在上述轉變步驟之前或之後填入替換的淺溝槽隔離氧化物。

Description

鰭狀場效電晶體結構的形成方法

本發明實施例關於鰭狀場效電晶體結構的形成方法，更特別關於兩步之切割最後的製程。

隨著積體電路的尺寸縮小以及對積體電路的速度之需求增加，電晶體需具有更高的驅動電流以及更小的尺寸。因此發展鰭狀場效電晶體。鰭狀場效電晶體包含垂直的半導體鰭狀物於基板上。半導體鰭狀物用以形成源極與汲極區，以及源極與汲極區之間的通道區。淺溝槽隔離區形成以定義半導體鰭狀物。鰭狀場效電晶體亦包含閘極堆疊，其形成於半導體鰭狀物之側壁與上表面上。雖然現有的鰭狀場效電晶體裝置與其製作方法通常可適用於特定目的，但仍無法完全適用於所有方面。舉例來說，目前亟需更彈性的整合方式以形成鰭狀物與隔離結構。

本發明一實施例提供之鰭狀場效電晶體結構的形成方法，包含：選擇性蝕刻基板以形成多個鰭狀物與多個溝槽；將第一氧化物填入該些溝槽；蝕刻鰭狀物的第一鰭狀物以移除至少部份的第一鰭狀物，以形成孔洞；將第二氧化物填入孔洞，且第二氧化物可與第一氧化物相同或不同。

101‧‧‧半導體基板

103‧‧‧墊氧化物層

105‧‧‧墊氮化物層

107‧‧‧硬遮罩層

108‧‧‧光阻層

109‧‧‧氧化物層

111‧‧‧溝槽

113‧‧‧較下部份

114‧‧‧鰭狀物

115‧‧‧虛置的填隙材料

116‧‧‧較上部份

117‧‧‧光阻材料

118、119、121‧‧‧開口

123‧‧‧鰭狀部份

127、141、143‧‧‧淺溝槽隔離氧化物材料

129‧‧‧上表面

第1至15圖係一些實施例中，以切割最後的製程形成之鰭狀場效電晶體於製程的中間階段之剖視圖。

下述內容提供的不同實施例或實例可實施本發明實施例的不同結構。特定構件與排列的實施例係用以簡化本發明而非侷限本發明。舉例來說，形成第一結構於第二結構上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外結構而非直接接觸。此外，本發明實施例之多種例子可重複標號及/或符號，但這些重複僅用以簡化及清楚說明，而非多種實施例及/或設置之間具有相同標號的單元之間具有相同的對應關係。

此外，空間性的相對用語如「下方」、「其下」、「較下方」、「上方」、「較上方」、或類似用語可用於簡化說明某一元件與另一元件在圖示中的相對關係。空間性的相對用語可延伸至以其他方向使用之元件，而非侷限於圖示方向。元件亦可轉動90°或其他角度，因此方向性用語僅用以說明圖示中的方向。

切割最後的鰭狀場效電晶體與其形成方法將提供如下。切割最後的鰭狀場效電晶體於製程的中間階段中的實施例亦說明如下，並討論一些實施例的一些變化。在多種圖式與實施例中，類似標號將用以標示類似單元。

第1至15圖係一些實施例中，切割最後的鰭狀場效電晶體於製程的中間階段中的剖視圖。

藉由移除或分隔鰭狀物，可讓基體基板上的鰭狀 場效電晶體結構形成個別的電晶體。切割優先的方法在使基板材料凹陷前可先切割鰭狀物，因此鰭狀物絕不形成於切割優先區中。在切割優先製程中，關鍵尺寸負荷為切割鰭狀物的問題之一。在切割最後的方法中，可先形成鰭狀物於基板上，接著依據所需的定義氧化物之電晶體設計，移除或分隔鰭狀物。在切割最後製程的微影製程中，當鰭狀技術的尺寸越來越小時，關鍵尺寸一致的層疊將會是問題之一。若可採用微影製程，且切割最後的製程可行的話，則切割最後的製程會優於切割優先的製程。一般在考量成本及製程優點的情況下，需採用切割最後的製程。切割最後的製程可縮小圖案中切口或間隙的尺寸。縮小尺寸即可形成較高密度的圖案與結構。舉例來說，上述方法可形成較小的靜態隨機存取記憶體單元尺寸，進而增加靜態隨機存取記憶體裝置中的靜態隨機存取記憶體單元密度。

當鰭狀場效電晶體的鰭狀物尺寸隨著較小的佈局技術縮小，對小尺寸(如寬度)與小間距的鰭狀物進行切割最後的製程也更困難。舉例來說，當鰭狀物場效電晶體佈局包含的鰭狀物間距小於25nm時，採用習知的切割最後製程將面臨問題。在上視圖中，鰭狀物的間距包含上視圖中，鰭狀物的寬度加上相鄰之鰭狀物之間的距離。此外，製程變異會防礙切割最後的製程策略。一般而言，切割最後的製程在形成鰭狀物後，才切割鰭狀物。在不切割的鰭狀物上可沉積並圖案化光阻遮罩，並露出欲切割的鰭狀物。接著蝕刻移除露出的鰭狀物。然而鰭狀物尺寸與間距越小，則光阻相關製程越困難。

一實施例採用切割最後的製程，其先使欲切割的 鰭狀物以及與其鄰近的鰭狀物穩定。上述穩定步驟包含形成淺溝槽隔離氧化物於每一鰭狀物之間。藉由淺溝槽隔離氧化物，可精細切割個別的鰭狀物頂部，以自淺溝槽隔離氧化物或其他鰭狀物的蓋結構露出鰭狀物。接著以自對準蝕刻搭配淺溝槽隔離氧化物作遮罩，蝕刻移除個別的鰭狀物。在蝕刻移除鰭狀物或部份鰭狀物後形成的孔洞，可加入淺溝槽隔離氧化物。上述兩步製程可讓尺寸越來越小的鰭狀物得以進行最後切割的製程，本發明實施例提供兩步之切割最後的製程，以自鰭狀場效電晶體結構移除鰭狀物(或部份鰭狀物)。

當移除或分隔鰭狀場效電晶體結構的鰭狀物(如切割鰭狀物)產生孔洞時，保留之鰭狀物可能朝孔洞彎折。永久性的淺溝槽隔離氧化物通常具有高硬力，且可在定義氧化物的邊緣提供壓力至鰭狀物上。切割與移除鰭狀物後，接著取代為淺溝槽隔離氧化物，高應力會讓與切割與移除之鰭狀物相鄰(或與定義氧化物區邊緣相鄰)之鰭狀物彎折。由於高應力的淺溝槽隔離氧化物會將鰭狀物的彎折應力轉移至下一個鰭狀物，因此一個鰭狀物彎折時，其附近的鰭狀物亦隨之彎折。本發明一些實施例採用低應力的虛置填隙材料取代淺溝槽隔離氧化物，有助於避免切割最後的製程中的鰭狀物彎折。這些實施例將進一步詳述於下。

第1圖係製程的早期階段的鰭狀場效電晶體之半導體結構。半導體基板101為部份的半導體晶圓。在本發明一些實施例中，半導體基板101包含結晶矽。可用於半導體基板101的其他材料包含碳、鍺、鎵、硼、砷、氮、銦、及/或磷、 或類似物。半導體基板101亦可包含其他半導體材料如III-V族半導體化合物材料。半導體基板101可為基體基板或絕緣層上半導體基板。此外，半導體基板101可包含其他結構。舉例來說，半導體基板101可包含多種摻雜區(如p型基板或n型基板)，端視設計需求而定。舉例來說，摻雜區可摻雜p型摻質如硼或BF2、n型摻質如磷或砷、及/或上述之組合。摻雜區可設置以用於n型鰭狀場效電晶體，或另外設置以用於p型鰭狀場效電晶體。

墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107形成於半導體基板上。墊氧化物層103可為薄膜，其包含氧化矽。在一些實施例中，墊氧化物層103的形成方法為熱氧化製程，其氧化半導體基板101的上表面。墊氧化物層103可作為半導體基板101與墊氮化物層105之間的黏著層。墊氧化物層103亦可作為蝕刻墊氮化物層105時的蝕刻停止層。墊氮化物層105可為第一硬遮罩層。墊氮化物層105之組成可為硬遮罩材料如氮化矽。在一些實施例中，墊氮化物層105的形成方法可採用低壓化學氣相沉積。在其他實施例中，墊氮化物層105之形成方法可為矽的熱氮化製程、電漿增強化學氣相沉積、或電漿陽極氮化製程。在其他實施例中，硬遮罩層107可為第二硬遮罩層，且其組成可與墊氮化物層105之材料相同或不同。硬遮罩層107可視作定義氧化物阻層。硬遮罩層107的形成技術可與墊氮化物層105的形成技術相同或不同。墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107的組合可作為後續光微影製程中的硬遮罩。

第2圖新增光阻層108於硬遮罩層107之頂部上，接著依據定義氧化物(鰭狀場效電晶體之鰭狀物所在處)圖案化光阻層，以形成開口110於光阻層108中。在一些實施例中，光阻層108可視作定義氧化物的光阻層。一般而言，光微影技術包含沉積光阻材料(如光阻層108)、照射(曝光)、以及顯影以移除部份光阻材料。保留的光阻材料可保護其下的材料(比如此例之硬遮罩層)免於後續製程(如蝕刻)影響。在此例中，圖案化光阻材料以定義墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107。

如第3圖所示，蝕刻硬遮罩層107、墊氮化物層105、與墊氧化物層103，以露出下方的半導體基板101。接著可移除光阻層108。雖然圖式中墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107的剖面形狀為矩形，但其剖面形狀亦可為上窄下寬的梯形。

如第4圖所示，可視情況進行修整製程以修整墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107。修整製程可縮小每一上述結構的整體寬度。在一些實施例中，修整製程可為電漿蝕刻，其可採用反應性離子蝕刻或原子層蝕刻以修整墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107的形狀。上述修整製程可為單一步驟或多重步驟。

如第5圖所示，可視情況進行再覆蓋製程，以增加墊氧化物層103、墊氮化物層105、與硬遮罩層107定義之鰭狀物尖端寬度。氧化物可沉積於上述結構，以形成再覆蓋的氧化物層109。氧化物層109可為順應性的層狀物，其水平部份與垂 直部份的厚度相近。在一些實施例中，氧化物層109的形成方法可為沉積技術如原子層沉積或次原子化學氣相沉積。舉例來說，合適的再覆蓋氧化物材料可為原子層沉積氧化物。在一些實施例中，可在視情況進行的修整製程(見第4圖)之後，再形成氧化物層109。在其他實施例中，即使未進行上述之修整製程，仍可形成氧化物層109。

如第6圖所示，蝕刻半導體基板101以形成鰭狀物114與溝槽111。鰭狀物114的較下部份113係由半導體基板101組成，較上部份116係由堆疊的氮氧化物層103與墊氮化物層105組成，且側壁由再覆蓋的氧化物層109所組成(若形成氧化物層109)。在一些實施例中，較下部份113的高度可介於70nm至150nm之間。舉例來說，較下部份113的高度可為約100nm。在一些實施例中鰭狀物高度可大於150nm或小於70nm。雖然非等向蝕刻可用以形成第6圖中所示之矩形剖面的較下部份113，但本技術領域中具有通常知識者應理解較下部份113可具有梯形剖面(上窄下寬)。氧化物層109(若存在)與硬遮罩層107的最頂層可移除，且移除方法可為化學機械研磨製程。在採用氧化物層109的實施例中，氧化物層109可保留於較上部份116的側壁上。

如第7圖所示之一些實施例中，虛置的填隙材料115可用以填入溝槽111。在一些實施例中，虛置的填隙材料115可完全封住鰭狀物如圖式。在其他實施例中，虛置的填隙材料115可封住部份的鰭狀物。在一些實施例中，可平坦化(如化學機械研磨)虛置的填隙材料115，使虛置的填隙材料之頂部表面 與墊氮化物層105之頂部表面共平面。

用於虛置的填隙材料115可包含低應力且易移除的材料。採用虛置的填隙材料115，而非恆久的淺溝槽隔離氧化物材料。虛置的填隙材料115可包含碳化矽、碳氧化矽、低介電常數材料(如SiO2、SiOCH、硼磷矽酸鹽玻璃、四乙氧基矽烷、旋轉塗佈玻璃、未摻雜之矽酸鹽玻璃、氟化矽酸鹽玻璃、高密度電漿氧化物、多孔氧化矽、摻雜碳的多孔氧化矽、有機聚合物、或矽酮為主的聚合物)、或旋轉塗佈碳。

虛置的填隙材料115的形成方法可為沉積如次壓化學氣相沉積、可流動化學氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、或類似方法。在一些實施例中，可施加液態之虛置的填隙材料115後，再硬化、加熱、或回火虛置的填隙材料115。舉例來說，當虛置的填隙材料115為旋轉塗佈碳時，可施加液態的旋轉塗佈碳，其起始材料的元素包含C、H、O、N、F、Br、與S。旋轉塗佈碳材料可含約50%至約95%的碳。

在一些實施例中，作為虛置的填隙材料115之低品質材料為低品質氧化物，其具有低應力且易於移除。在一些實施例中，低品質氧化物可為淺溝槽隔離氧化物材料，其可採用產生低品質氧化物的方法製備。舉例來說，低溫熱回火比高溫回火更適於提供應力降低且低應力之淺溝槽隔離氧化物材料。

採用低應力與易於移除的材料作為虛置的填隙材料115，可減少圖案密度低-圖案密度高的區域之間的應力差異。在移除不需要的較下部份113後，再移除虛置的填隙材料115以將其置換為真的淺溝槽隔離氧化物。在切割鰭狀物及移 除不需要的鰭狀物之後，若採用恆久的淺溝槽隔離氧化物材料，沉積高應力的淺溝槽隔離氧化物材料至開口中可能會導致壓縮效應，造成鄰近的鰭狀物(特別是鰭狀物尖端)彎折。位於相鄰之每一鰭狀物之間的淺溝槽隔離氧化物材料，會讓鰭狀物的彎折轉移至下一個鰭狀物，即鄰近的鰭狀物彎折會造成其他附近的鰭狀物彎折。

如第8圖所示，可沉積並圖案化光阻材料117以形成開口118，且開口118對應切割最後的製程中所欲移除的鰭狀物。一般而言，光微影技術包含沉積光阻材料(如光阻材料117)、照射(曝光)、以及顯影移除部份的光阻材料。保留的光阻材料可保護其下方的材料(如虛置的填隙材料115)免於後續製程步驟(如蝕刻)影響。在此例中，可圖案化光阻材料以定義欲移除的鰭狀物。光阻材料117作為精密切割圖案，接著可作為蝕刻遮罩。

第9圖係施加一或多個精細切割製程後的半導體結構。一或多個精細切割可採用光阻材料117作為精細切割圖案。雖然圖示的切割沿著鰭狀物的長度方向，切割仍可橫越鰭狀物，即移除鰭狀物片段之間的部份鰭狀物，以將鰭狀物切割成鰭狀物片段。本技術領域中具有通常知識者亦應理解，可移除一或多個鰭狀物或鰭狀物片段。如此一來，一些實施例中可移除完整鰭狀物，而其他實施例未移除任何鰭狀物但移除一或多個鰭狀物片段。精細切割製程可形成開口119以露出較下部份113，即之後欲移除的鰭狀物所在處。精細切割製程可包含多重步驟以移除墊氮化物層105與墊氧化物層103，其移除方式 可為多種技術如精細切割圖案與選擇性蝕刻的組合，即選擇性蝕刻墊氮化物層105與墊氧化物層103。

如第10圖所示，採用蝕刻品移除精細圖案/光阻材料117所露出的較下部份113。在一些實施例中，可移除視情況形成的氧化物層109(若存在)。在其他實施例中，可保留氧化物層109。蝕刻品可包含濕蝕刻品或乾蝕刻品。蝕刻製程可包含自對準蝕刻。在一些實施例中，矽蝕刻可採用氯氣或溴化氫，其對矽的蝕刻選擇性高於對介電物(如碳氧化矽、旋轉塗佈碳、或其他氧化物)。

在蝕刻後，可保留較下部份113的底部之鰭狀部份123。鰭狀部份123的頂部表面為波浪狀，即鰭狀部份之中心的上表面比其邊緣凹陷。換言之，鰭狀部份123的上表面的剖視形狀為凹陷。如此一來，鰭狀部份123亦可稱作凹陷的鰭狀部份123。舉例來說，鰭狀部份的剖面形狀可為u型或v型。在一些實施例中，較下部份123之凹陷的鰭狀部份123為原有較下部份123之尺寸的約5%至30%之間。舉例來說，一些實施例之較下部份113之高度為約100nm，而凹陷的鰭狀部份123之高度可為約20nm。在一些實施例中可完全移除較下部份113，即完全不保留任何凹陷的鰭狀部份123。在一些實施例中，可保留超過30%的較下部份113以作為凹陷的鰭狀部份123。

蝕刻製程可為自對準蝕刻，以形成開口121。雖然圖式中的開口121其頂部比底部，但一些實施例之開口121其頂部(較靠近虛置填隙材料115的上表面)比底部(靠近凹陷的鰭狀部份123)窄。在一些實施例中，蝕刻形成開口121時，鰭狀物 114之較上部份116中的開口119仍維持其寬度。綜上所述，開口121一開始寬，在對應較上部份116的位置變窄，接著再變寬至較下部份113的寬度。由於虛置的填隙材料115為低應力材料，鄰近開口121的鰭狀物不會彎折。若虛置的填隙材料改為高應力材料如真的淺溝槽隔離氧化物材料，則鄰近開口121的鰭狀物將因高應力材料而自開口121向外彎折。

較下部份113之凹陷的鰭狀部份123保留於上述製程後。蝕刻可形成凹陷的鰭狀部份123於虛置的填隙材料115中。在蝕刻較下部份113時，蝕刻品將濃縮於較下部份113的中心，使中心比兩側暴露至更多的蝕刻品，即形成上表面之中心凹陷的鰭狀部份123。在一般切割最後的製程中，遮罩欲保留的鰭狀物以移除欲移除的鰭狀物，但未採用虛置的填隙材料115。接著可蝕刻移除露出的鰭狀物。如此一來，實施例可產生凹陷的鰭狀部份123，而一般切割最後的製程保留的鰭狀部份將不具有這種輪廓。

如第11圖所示之一實施例中，可移除虛置的填隙材料115，以形成第11圖所示的結構。移除虛置的填隙材料115可採用蝕刻品，其可包含濕蝕刻品或乾蝕刻品。在一些實施例中，可採用蝕刻矽的蝕刻品如氧電漿、聯胺電漿、或其他合適蝕刻品。由於虛置的填隙材料115易於移除，蝕刻品可實質上移除所有虛置的填隙材料115而不損傷其他部份的結構。綜上所述，第11圖的結構可稱作切割最後的定義氧化物製程。

如第12圖所示，可形成恆久的淺溝槽隔離氧化物材料127於半導體結構上。在一些實施例中，淺溝槽隔離氧化 物材料127可完全封住鰭狀物。值得注意的是，移除矽的鰭狀物所形成之凹陷的鰭狀部份123仍保留，且淺溝槽隔離氧化物材料127亦封住凹陷的鰭狀部份123。在第13圖中，可平坦化淺溝槽隔離氧化物材料127，使其上表面129與鰭狀物的上表面共平面。

第13圖之鰭狀結構可進行後續製程以具有源極/汲極區，以及位於鰭狀結構上的一或多個閘極結構。內連線可連接至鰭狀結構，使部份的鰭狀場效電晶體連接至其他主動裝置。可切割鰭狀場效電晶體結構以進行後續製程。

採用虛置的填隙材料115有利於切割最後的製程得以用於小尺寸的製程技術，並減少鰭狀物因高應力之淺溝槽隔離氧化物材料而彎折的機會。舉例來說，一些實施例中兩步之切割最後的製程，可用於寬度小於15nm(如約8nm)的鰭狀物。在其他實施例中，採用虛置的填隙材料之兩步的切割最後的製程，可用於寬度大於15nm的鰭狀物。

如第14圖所示，一些實施例在第10圖之製程後，並不移除低品質的淺溝槽隔離氧化物材料，而是將其暴露至額外熱回火(如高溫熱回火或長時間熱回火)，使其轉變成高品質的淺溝槽隔離氧化物材料。舉例來說，在低溫回火形成低品質的淺溝槽隔離氧化物材料的實施例中，高溫熱回火可將低品質的淺溝槽隔離氧化物材料轉變成高品質的淺溝槽隔離氧化物，而不需移除低品質的淺溝槽隔離氧化物材料。額外的淺溝槽隔離氧化物材料143可沉積或形成於開口121中。在一些實施例中，額外的淺溝槽隔離氧化物材料143可為低品質的淺溝槽 隔離氧化物材料，且可進一步回火半導體結構，使淺溝槽隔離氧化物材料143及虛置的填隙材料115轉變成恆久的淺溝槽隔離氧化物材料141與143。在其他實施例中，虛置的填隙材料115可轉變成恆久的淺溝槽隔離氧化物材料141，並採用高品質之恆久的淺溝槽隔離氧化物材料143填入開口121。淺溝槽隔離氧化物材料141與143可為相同或不同材料，且其沉積或形成方法可為虛置的填隙材料115的形成方法如前述。

將虛置的填隙材料115轉變為淺溝槽隔離氧化物，有助於緩和高應力的淺溝槽隔離氧化物造成的鰭狀物彎折。採用兩步之切割最後的製程，亦可讓切割最後的製程用於小尺寸的製程技術。舉例來說，一些實施例中兩步之切割最後的製程，可用於鰭狀物寬度小於15nm(比如約8nm)的技術。在其他實施例中，採用轉換的虛置填隙材料之兩步切割最後的製程，可用於鰭狀物寬度大於15nm的技術。

回到第14圖，一些實施例未採用虛置填隙材料，而恆久的淺溝槽隔離氧化物可用於兩步之蝕刻最後的製程。在這些實施例中，凹陷的鰭狀物部份124可保留於淺溝槽隔離氧化物中，如前所述。這些實施例在第10圖之製程後，虛置的填隙材料115與淺溝槽隔離氧化物材料141可視作恆久的淺溝槽隔離氧化物材料。移除較下部份113後形成的開口121，可填有額外之恆久的淺溝槽隔離氧化物材料143，或填有之後可硬化、加熱、或回火成恆久的淺溝槽隔離氧化物材料之材料。淺溝槽隔離氧化物材料143可經由多重沉積步驟形成，比如次壓化學氣相沉積、可流動化學氣相沉積、化學氣相沉積、原子層 沉積、或類似方法。在一些實施例中，可施加液態之虛置的填隙材料115後，接著進行硬化、加熱、或回火。雖然搭配淺溝槽隔離氧化物材料之兩步切割最後的製程會導致鰭狀物彎折，其仍可讓切割最後的製程用於小尺寸的製程技術。舉例來說，一些實施例中兩步之切割最後的製程，可用於鰭狀物寬度小於15nm(比如約8nm)的技術。在其他實施例中，採用淺溝槽隔離氧化物之兩步切割最後的製程，可用於鰭狀物寬度大於15nm的技術。

如第15圖所示，接著圖案化淺溝槽隔離氧化物材料141與143，使兩者之上表面129與鰭狀物之頂部實質上共平面。第15圖之鰭狀結構可進行後續製程以具有源極/汲極區，以及位於鰭狀結構上的一或多個閘極結構。內連線可連接至鰭狀結構，使部份的鰭狀場效電晶體連接至其他主動裝置。可切割鰭狀場效電晶體結構以進行後續製程。

本發明實施例可提供切割最後的製程，以用於切割基板上之鰭狀場效電晶體結構之鰭狀片段。採用兩步製程可讓切割最後的製程用於較小的鰭狀物技術(通常需採用切割優先的製程)。在形成鰭狀物後，沉積材料於鰭狀場效電晶體結構的溝槽中。在一些實施例中，沉積的材料為淺溝槽隔離氧化物。淺溝槽隔離氧化物通常具有高應力，且在移除鰭狀片段的製程中可能導致鰭狀物朝鄰近之鰭狀物彎折。在一些實施例中，沉積的材料為虛置的填隙材料，其可為低應力的氧化物。採用虛置的填隙材料，有助於避免因採用淺溝槽隔離氧化物導致的鰭狀物彎折。在一些實施例中，虛置的填隙材料可為低溫 回火的淺溝槽隔離氧化物(或未完全形成或處理)，因此淺溝槽隔離氧化物維持低應力。藉由蝕刻品可進行精細切割，以移除鰭狀物或鰭狀片段，並保留矽的凹陷部份於鰭狀物底部。在採用淺溝槽隔離氧化物的實施例中，移除鰭狀物後的孔洞可填有替換的淺溝槽隔離氧化物。在採用虛置的填隙材料之實施例中，一些實施例可移除虛置的填隙材料以置換成淺溝槽隔離氧化物，而其他實施例可將虛置的填隙材料轉變為淺溝槽隔離氧化物材料，並將淺溝槽隔離氧化物材料填入孔洞。

在一些實施例中，方法包含選擇性蝕刻基板以形成鰭狀物與溝槽。接著將第一氧化物填入溝槽。蝕刻鰭狀物之一者(第一鰭狀物)以移除至少部份的第一鰭狀物，以形成孔洞。將第二氧化物填入孔洞，且第二氧化物可與第一氧化物相同或不同。

在一些實施例中，上述方法在蝕刻第一鰭狀物後，第一鰭狀物的上表面具有凹陷的剖視形狀。

在一些實施例中，上述方法的第一氧化物適於作為淺溝槽隔離氧化物。

在一些實施例中，上述方法的第一氧化物為具有低應力特性的虛置填隙材料。

在一些實施例中，上述方法更包含在蝕刻第一鰭狀物後，移除第一氧化物。

在一些實施例中，上述方法將第二氧化物填入孔洞之步驟包含沉積第二氧化物至溝槽中。

在一些實施例中，上述方法更包含在蝕刻第一鰭 狀物之後，將第一氧化物轉變為第三氧化物，且第三氧化物的應力特性高於第一氧化物的應力特性。

在一些實施例中，方法包含選擇性蝕刻基板以形成多個鰭狀物與溝槽。接著將虛置填隙氧化物填入溝槽。在鰭狀物之第一鰭狀物上進行精細切割。接著蝕刻第一鰭狀物。接著移除虛置的填隙氧化物，以及沉積淺溝槽隔離氧化物於溝槽中及第一鰭狀物上。

在一些實施例中，上述方法在蝕刻第一鰭狀物後，第一鰭狀物的上表面具有凹陷的剖視形狀。

在一些實施例中，上述方法的精細切割步驟依據精細切割圖案。

在一些實施例中，上述方法中蝕刻第一鰭狀物的步驟採用精細切割圖案。

在一些實施例中，上述方法更包含沉積墊氧化物層於矽基板上、沉積氮化矽層於墊氧化物層上、以及以光阻及蝕刻製程圖案化墊氧化物層與氮化矽層。

在一些實施例中，上述方法更包含平坦化淺溝槽隔離氧化物與鰭狀物，使第一鰭狀物以外的鰭狀物之上表面與淺溝槽隔離氧化物之上表面實質上共平面。

在一實施例中，鰭狀場效電晶體結構包含基板，其具有較低的連續部份，以及連續部份上的多個鰭狀物。鰭狀物包含至少一縮短的鰭狀物。其他鰭狀物未縮短，且為完整的鰭狀物。縮短的鰭狀物比完整的鰭狀物短。縮短的鰭狀物之上表面具有凹陷的剖視形狀。淺溝槽隔離氧化物材料位於鰭狀物 之間的溝槽。

在一些實施例中，上述鰭狀場效電晶體結構其縮短的鰭狀物之上表面具有孔洞。

在一些實施例中，上述鰭狀場效電晶體結構其淺溝槽隔離氧化物材料亦位於縮短的鰭狀物之上表面上。

在一些實施例中，上述鰭狀場效電晶體結構其淺溝槽隔離氧化物材料的上表面與完整的鰭狀物之上表面共平面。

在一些實施例中，上述鰭狀場效電晶體結構更包含墊氧化物層位於每一完整的鰭狀物上。

在一些實施例中，上述鰭狀場效電晶體結構更包括氮化矽層位於每一墊氧化物層上。

在一些實施例中，上述鰭狀場效電晶體結構更包括再覆蓋的氧化物層，其於剖面圖中位於墊氧化物層與氮化矽層之側壁，且再覆蓋的氧化物層不同於淺溝槽隔離氧化物。

上述實施例之特徵有利於本技術領域中具有通常知識者理解本發明實施例。本技術領域中具有通常知識者應理解可採用本發明實施例作基礎，設計並變化其他製程與結構以完成上述實施例之相同目的及/或相同優點。本技術領域中具有通常知識者亦應理解，這些等效置換並未脫離本發明實施例之精神與範疇，並可在未脫離本發明實施例之精神與範疇的前提下進行改變、替換、或更動。

Claims (1)

1. 一種鰭狀場效電晶體結構的形成方法，包含：選擇性蝕刻一基板以形成多個鰭狀物與多個溝槽；將一第一氧化物填入該些溝槽；蝕刻該些鰭狀物的一第一鰭狀物以移除至少部份的該第一鰭狀物，以形成一孔洞；以及將一第二氧化物填入該孔洞，且該第二氧化物可與該第一氧化物相同或不同。