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TW201732275A - 用於選擇缺陷檢查之配方之方法及系統 - Google Patents

用於選擇缺陷檢查之配方之方法及系統 Download PDF

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TW201732275A
TW201732275A TW106103190A TW106103190A TW201732275A TW 201732275 A TW201732275 A TW 201732275A TW 106103190 A TW106103190 A TW 106103190A TW 106103190 A TW106103190 A TW 106103190A TW 201732275 A TW201732275 A TW 201732275A
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optical modes
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羅伯特 M 達納
碩 孫
湯馬士 波特瑞特
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克萊譚克公司
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Abstract

本發明揭示用於選擇適用於缺陷檢查之光學模式之方法及系統。一方法可包含：利用一組光學模式來掃描特定類型之一全堆疊晶圓以獲取一組全堆疊晶圓影像；及基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓以產生一經去層處理晶圓，從而促進對適用於該特定類型之晶圓之缺陷檢查之光學模式之選擇。

Description

用於選擇缺陷檢查之配方之方法及系統
本發明一般而言係關於檢查領域，且特定而言係關於半導體裝置之檢查。
諸如矽晶圓等薄拋光板係現代技術之一極重要部分。舉例而言，一晶圓可係指在積體電路及其他裝置之製作中所使用之半導體材料之一薄切片。薄拋光板之其他實例可包含磁碟基板、塊規及諸如此類。儘管此處所闡述之技術主要係指晶圓，但將理解，該技術亦適用於其他類型之拋光板。可在本發明中互換使用術語晶圓及術語薄拋光板。 晶圓經受缺陷檢查。預期用於執行此等檢查之工具係高效且有效的。然而，應注意，3D NAND技術之最新發展已對現有檢查工具之效率及有效性提出挑戰。更具體而言，由於3D NAND技術可在一晶圓上垂直地堆疊多個層，因此經設計以檢查一單個平面層之檢查工具在嘗試識別3D NAND埋入式缺陷時無法良好工作。 這就需要提供用於檢查埋入式缺陷之方法及系統。
本發明係關於一種用於選擇適用於一特定類型之晶圓之缺陷檢查之光學模式及演算法(其部分地包括配方)之方法。該方法可包含：利用一組光學模式及演算法來掃描特定類型之一全堆疊晶圓以獲取一組全堆疊晶圓影像；及基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理(de-processing)該全堆疊晶圓以產生一經去層處理晶圓，從而促進對適用於該特定類型之晶圓之缺陷檢查之光學模式及演算法之選擇。 本發明之另一實施例係一種系統。該系統可包含一光學檢查工具，該光學檢查工具經組態以利用一或多種光學模式來獲取一或多個晶圓之光學影像。該系統亦可包含一影像儲存媒體及與該光學檢查工具通信之至少一個處理器。該至少一個處理器可經組態以促進對適用於缺陷檢查之光學模式之選擇。該至少一個處理器可進一步經組態以：接收該光學檢查工具藉由使用一組光學模式來掃描一全堆疊晶圓而獲取之一組全堆疊晶圓影像；接收基於經去層處理晶圓之一光學檢查或一掃描電子顯微鏡再檢測中之至少一者之經驗證缺陷位置，該經去層處理晶圓係基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓之一產物；及基於該組全堆疊晶圓影像及該經去層處理晶圓之該等經驗證缺陷位置而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之一配方。 本發明之一額外實施例係關於系統。該系統可包含一光學檢查工具，該光學檢查工具經組態以利用一或多種光學模式來獲取一或多個晶圓之光學影像。該系統亦可包含與該光學檢查工具通信之至少一個處理器。該至少一個處理器可經組態以促進對適用於缺陷檢查之光學模式及演算法之選擇。該至少一個處理器可進一步經組態以：接收該光學檢查工具藉由使用一組光學模式及演算法來掃描一全堆疊晶圓而獲取之一組全堆疊晶圓影像；接收該光學檢查工具藉由使用該組光學模式及演算法來掃描一經去層處理晶圓而獲取之一組經去層處理晶圓影像，該經去層處理晶圓係基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓之一產物；及基於該組全堆疊晶圓影像及該組經去層處理晶圓影像而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之一配方。 應理解，上述一般說明及以下詳細說明兩者僅為例示性及解釋性的，且未必限制本發明。併入本說明書中且構成本說明書之一部分之附圖圖解說明本發明之標的物。說明連同圖式一起用於闡釋本發明之原理。
相關申請案之交叉參考 本申請案依據35 U.S.C. § 119(e)主張2016年2月1日提出申請之美國臨時申請案第62/289,870號之權益。該美國臨時申請案第62/289,870號特此以全文引用方式併入。 本申請案依據35 U.S.C. § 119(e)亦主張2016年10月20日提出申請之美國臨時申請案第62/410,669號之權益。該美國臨時申請案第62/410,669號特此以全文引用方式併入。 現將詳細參考附圖中所圖解說明之所揭示標的物。 大體參考圖1(a)，展示繪示用於埋入式缺陷之一檢查方法100 (其可簡稱為檢查方法100)之一流程圖。檢查方法100可經組態以檢查具有多個垂直堆疊層之一目標(例如，一晶圓A)。檢查方法100可在一步驟102中選擇一組(例如，5個或5個以上)不同光學模式來執行晶圓A之一探索掃描。所選擇之光學模式在孔徑設定、焦點設定、波長頻帶或頻率設定方面可不同。檢查方法100可在一步驟102中選擇不同偵測演算法來執行晶圓A之一探索掃描。所選擇之偵測演算法在設定(諸如臨限值及濾光器)方面或在演算法方法方面可不同。相應地，產生呈使用不同光學模式及不同偵測演算法而獲取之一列缺陷位置之形式之結果。該等結果可包含缺陷之小光學影像及依據該等影像所計算之屬性。 應注意，藉由使用不同光學模式或演算法執行該探索掃描，可獲取可能埋入晶圓A之不同層中之缺陷。若(舉例而言)該探索掃描指示一潛在所關注缺陷(或DOI)係位於堆疊之底層處，則可調用一驗證程序來驗證該探索掃描所指示之潛在DOI是否確實係一重要之DOI。此驗證程序可使用一經去層處理晶圓來執行。此驗證程序亦可藉由在完成對電路之處理之後對晶圓執行電測試來執行。 一經去層處理晶圓係其中某些層被移除之一晶圓。圖1(b)繪示全堆疊晶圓及經去層處理晶圓之一圖式。缺陷係由虛線勾畫之額外材料。參考以上所繪示之實例，若探索掃描指示一潛在DOI係位於堆疊之底層處，則在一去層處理步驟104中可自晶圓A移除在堆疊之底層上方之層以提供一經去層處理晶圓A’。去層處理步驟104可自整個晶圓表面或自依據對全堆疊晶圓之檢查而判定之所選擇部位移除材料。去層處理步驟104可自缺陷上方(如圖1(b)中所展示)或自缺陷側面移除材料。然後，在一步驟106中可對照探索掃描再檢測經去層處理晶圓A’。若該再檢測揭示探索掃描所指示之潛在DOI不係一重要之真正DOI，則可表明經選擇以執行該探索掃描之光學模式對晶圓A係無效的，且檢查方法100可藉由選擇一組不同光學模式或演算法再次自步驟102重複進行。最終，當該再檢測揭示探索掃描所指示之潛在DOI確實係一重要之真正DOI時，檢查方法100可在一步驟108中終止且用於執行該探索掃描之光學模式可被識別為將用於對與晶圓A類型相同之晶圓進行後續檢查之光學模式。 應注意，上文所闡述之檢查方法100本質上經組態以藉由一嘗試錯誤法而識別適用於檢查一特定類型之晶圓之一組光學模式。與一基於嘗試錯誤法之方法相關聯之一缺點係檢查方法100可能花費很長時間來產生最終結果。亦應注意，對於其中對整個晶圓執行去層處理步驟104之情形，無法對相同晶圓重複進行檢查方法100，此乃因彼晶圓在去層處理步驟104中被有效破壞。因此，必須對一新晶圓執行額外掃描。為幫助減少產生最終結果所需之時間及晶圓，可採取如圖2中所繪示之一替代方法。 更具體而言，圖2含有繪示根據本發明之一實施例而組態之用於嵌入式缺陷之一檢查方法200 (或簡單地一檢查方法200)之一流程圖。如圖2中所繪示，檢查方法200可經組態以檢查具有多個垂直堆疊層之一目標(例如，一晶圓A)。檢查方法200可在一步驟202中選擇一組不同光學模式來執行晶圓A之一探索掃描。所選擇之光學模式在孔徑設定、焦點設定、波長頻帶及/或頻率設定方面可不同，且可相應地記錄及儲存使用不同光學模式所獲取之一組光學影像。該組光學影像可針對所有指定區域而記錄及儲存，而無需首先使用一演算法來產生一檢查結果(例如，缺陷位置)。另一選擇係，可利用相關聯演算法針對一或多種模式產生一檢查結果，且然後此等結果可定義用於額外探索掃描之若干個區來記錄影像。 圖3係繪示類似於上文所闡述之檢查方法200之一檢查方法300之一流程圖，而其中各種光學模式之間的差異僅限於焦點設定。更具體而言，如圖3中所展示，檢查方法300可經組態以檢查具有多個垂直堆疊層之一目標(例如，一晶圓A)。檢查方法300可在一步驟302中選擇一組(例如，5個或5個以上)不同光學模式來執行晶圓A之一探索掃描。所選擇之光學模式在焦點設定方面可不同，且可相應地記錄/儲存使用不同焦點設定(亦即，一跨焦點合成(through-focus stack))所獲取之一組光學影像。 然後，在一步驟304中可去層處理晶圓A以提供一經去層處理晶圓A’，在一步驟306中可使用相同或不同組之光學模式再次掃描晶圓A’以識別缺陷位置。去層處理步驟304可自整個晶圓表面或自依據對全堆疊晶圓之檢查而判定之所選擇部位移除材料。使用此等經識別缺陷位置，在步驟308中可對準第一組光學影像，此可利用來自不同焦點設定之經對準資料來產生一或多個3D濾光器。然後，以此方式產生之3D濾光器在一步驟310中可用作最終檢查配方之一部分以對與晶圓A類型相同之晶圓執行跨焦點合成檢查。 返回參考圖2，在一步驟204中可對晶圓A進行去層處理以提供一經去層處理晶圓A’，在一步驟206中可使用相同光學模式(亦即，與在步驟202中所選擇之光學模式相同)或一組不同光學模式再次掃描晶圓A’以獲取一第二組光學影像。然後，該第二組光學影像可與該第一組光學影像一起使用於幫助在一配方調諧步驟207中調諧檢查配方。然後，可利用以此方式所獲取之配方對與晶圓A類型相同之晶圓執行後續檢查。 預期可以各種方式執行配方調諧步驟207。在某些實施例中，舉例而言，可至少部分地基於第二組光學影像中所含有之信號與第一組光學影像中所含有之信號之間的相關性而執行配方調諧步驟207。圖4及圖5中進一步圖解說明此程序。 更具體而言，如圖4中所圖解說明，可使第二組光學影像中所含有之信號(表示為Signalde-processed 或Sd )與第一組光學影像中所含有之信號(表示為Signalfull-stack 或Sf )彼此相關，且在一步驟208中可獲取其之間的相關性(表示為Sf = f(Sd ))。檢查方法200可如圖5中所繪示繼續進行，其中量測DOI信號及影像中之光學雜訊。可藉由首先在一步驟210中使用一第二組光學模式擷取經去層處理晶圓A’上之(若干個) DOI來量測DOI信號。在某些實施例中，第二組光學模式可與第一組光學模式相同。然而，在某些實施例中，在步驟210中所使用之第二組光學模式可包含並非在步驟202及206中所使用之第一組光學模式之一成員之至少一種光學模式。隨後，可利用一步驟212使用第二組光學模式來量測自經去層處理晶圓A’獲取之信號(Signalde-processed 或Sd )。亦可利用步驟212基於第二組光學模式之信雜(S/N)比而濾除第二組光學模式中之某些光學模式。舉例而言，在某些實施例中，步驟212可僅保持自前N種(例如3種或5種)光學模式獲取之信號(Sd )。 圖5中亦展示可用於自另一晶圓B獲取量測之一雜訊量測步驟214。應注意，晶圓B及晶圓A可係相同類型。應注意，晶圓B係一全堆疊晶圓(亦即，晶圓B尚未經去層處理)。在步驟214中可使用藉由步驟212而識別之前N種光學模式來量測全堆疊晶圓B。隨後，可量測使用前N種光學模式所獲取的全堆疊晶圓B上之雜訊(表示為Noisefull-stack 或Nf )。然後，可將以此方式所獲取之雜訊量測視為判定用於與晶圓A類型相同之晶圓之檢查配方中之一因素。 預期使用如圖6中所展示之一模擬程序可進一步精細化以此方式所獲取之檢查配方。更具體而言，若在晶圓A被去層處理之前(亦即，在晶圓A仍係一全堆疊晶圓時)使用藉由步驟212而識別之前N種光學模式來量測晶圓A，則可利用一模擬步驟216來模擬將獲取之信號。以此方式而模擬之信號可表示為所模擬Sf ，所模擬Sf 可基於在步驟212中所量測之Sd 及在步驟208中所建立之相關性Sf = f(Sd )而獲取。換言之，步驟216有效地將該相關性與該模擬組合在一起以產生所模擬Sf ，從而允許所模擬Sf (表示信號)在一步驟中218中與經量測Nf (表示雜訊)一起用於進一步限制光學模式之選擇。 在某些實施例中，步驟218可經組態以基於光學模式之S/N比而僅選擇前M種(其中M ≤ N)光學模式。然後，可在做出最終決策之前再檢測所選擇前M種光學模式之有效性。舉例而言，可使用所選擇前M種光學模式來檢查晶圓B (或與晶圓A類型相同之任何全堆疊晶圓)。然後，可去層處理晶圓B以提供一經去層處理晶圓B’，可對經去層處理晶圓B’進行再檢測以驗證所選擇前M種光學模式是否有效地偵測到所關注缺陷。預期所選擇前M種光學模式可被記錄及/或報告為可用於對與晶圓A類型相同之晶圓進行後續檢查之最終檢查配方。 如自上文將瞭解，可利用上文所闡述之檢查方法200來快速且準確地選擇適用於一給定類型之晶圓之光學模式，而不必依賴於基於一耗時之嘗試錯誤法(或盲目搜尋)之方法。亦應注意，儘管光學模式係上文論述之重點，但根據本發明之實施例而組態之檢查方法不限於僅光學模式選擇。在某些實施例中，舉例而言，除調整光學模式之外(或代替調整光學模式)，配方調諧步驟207亦可調整/調諧用於處理所獲取之光學影像之演算法。 更具體而言，除執行相關步驟208之外(或代替執行相關步驟208) (如前文所闡述)，亦可調用一信號及雜訊量測步驟來量測所識別DOI位置上之信號及雜訊。隨後，可分析/最佳化用於處理使用各種光學模式所獲取之光學影像之演算法(例如，篩選)，且可選擇最佳地擷取DOI之一光學模式。預期可調諧所選擇光學模式，且結果可記錄及/或報告為可用於對與晶圓A類型相同之晶圓進行後續檢查之最終檢查配方。 亦預期，儘管上文所闡述之光學模式在孔徑設定、焦點設定、波長頻帶及/或頻率設定方面可不同，但並不要求全部三個設定皆不同。在某些實施例中，舉例而言，孔徑設定及波長頻帶可係固定的且僅焦點設定可係可變的。 現在參考圖7，展示繪示根據本發明之實施例而組態之一檢查系統700之一方塊圖。檢查系統700可包含一光學檢查工具(亦可稱為一光學檢查器) 702，該光學檢查工具通信地耦合至一或多個電腦處理器704及一影像/資料儲存/記錄媒體710 (例如，電腦可讀媒體可係一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟、一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體)。 光學檢查工具702可經組態以利用各種光學模式獲取一目標(例如，一晶圓) 706之光學影像。該光學檢查工具可經組態以將光學影像儲存於一儲存媒體710上。處理器704可經組態以接收由光學檢查工具702或自影像儲存媒體710所獲取之光學影像，且如上文所闡述處理該等光學影像以幫助選擇最適於一給定類型之晶圓之一或多種光學模式。在某些實施例中，檢查系統700在光學模式選擇程序期間可利用一晶圓去層處理工具(亦可稱為一晶圓去層處理器) 708來去層處理一晶圓。在完成光學模式選擇程序後，光學檢查工具702旋即可經組態以利用所選擇之(若干種)光學模式且相應地執行檢查。 預期處理器704可以任何適合方式(例如，經由一或多個傳輸媒體，其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至光學檢查工具702，使得處理器704可接收由光學檢查工具702或儲存媒體710產生之輸出。處理器704可經組態以使用光學檢查工具702或儲存媒體710之輸出來執行若干功能。舉例而言，處理器704可經組態以使用光學檢查工具702或儲存媒體710之輸出來偵測試樣上之缺陷。偵測試樣上之缺陷可由處理器704藉由以下方式而執行：將某一缺陷偵測演算法及/或方法應用於由光學檢查工具702產生之輸出或應用於儲存媒體710上之光學影像。缺陷偵測演算法及/或方法可包含此項技術中已知之任何適合演算法及/或方法。舉例而言，處理器704可比較光學檢查工具702或儲存媒體710之輸出與一臨限值。具有高於臨限值之值的任何輸出可識別為一潛在缺陷，而具有低於臨限值之值的任何輸出可不識別為一潛在缺陷。在另一實例中，處理器704可經組態以將光學檢查工具702之輸出發送至一儲存媒體而無需對該輸出執行缺陷偵測。 如上文所述，光學檢查工具702經組態以具有多種模式。一般而言，一「模式」可由用於產生試樣之輸出之光學檢查工具702之參數值定義。因此，不同之模式關於光學檢查工具702之光學參數中之至少一者可具有不同值。舉例而言，在其中引導至試樣之能量及自試樣偵測到之能量為光之一項實施例中，多種模式中之至少一者使用引導至試樣之光之至少一個波長，該至少一個波長不同於用於多種模式中之至少另一者的引導至試樣之光之至少一個波長。該等模式在引導至試樣之光之(若干)波長方面可不同，如本文中針對不同模式進一步所闡述(例如，藉由使用不同光源、不同光譜濾光器等)。在另一實施例中，多種模式中之至少一者使用光學檢查工具702之一照明通道，該照明通道不同於用於多種模式中之至少另一者的光學檢查工具702之一照明通道。舉例而言，光學檢查工具702可包含多於一個照明通道。如此，可針對不同模式使用不同照明通道。 在某些實施例中，多種模式中之至少一者使用光學檢查工具702之一孔隙之一組態，該孔隙組態不同於用於多種模式中之至少另一者的光學檢查工具702之一孔隙之一組態。該孔隙可係一照明孔隙(亦即，定位於引導至試樣之能量之路徑中之一孔隙)或一收集孔隙(亦即，定位於自試樣所收集之能量之路徑中之一孔隙)或兩者。舉例而言，若針對不同模式以不同路徑將能量引導至試樣，則可將具有至少一個不同特性(例如，形狀或大小)之不同孔隙定位於不同路徑中。在另一實例中，若針對不同模式以相同路徑將能量引導至試樣，則可將具有至少一個不同特性之不同孔隙在不同時間定位於該路徑中以依序產生試樣之影像。以類似方式，可藉由以下方式使來自試樣之能量之路徑中之孔隙針對不同模式而不同：在來自試樣之不同能量之路徑中具有擁有至少一個不同特性之不同孔隙，或在以不同模式進行之不同掃描之間切換能量之路徑中之孔隙。 如上文所闡述，因此，不同模式可在照明或收集/偵測方面係不同的或者在兩方面皆不同。不同模式亦可或另一選擇係在收集/偵測中具有其他差異。舉例而言，在某些實施例中，多種模式中之至少一者使用光學檢查工具702之一偵測器，該偵測器不同於用於多種模式中之至少另一者的光學檢查工具702之一偵測器。在某些此等實施例中，如上文進一步所闡述，光學檢查工具702可包含多個偵測器。因此，該等偵測器中之一者可用於一種模式，且該等偵測器中之另一者可用於另一模式。此外，該等模式在本文中所闡述之多於一個方面可彼此不同(例如，不同模式可具有一或多個不同照明參數及一或多個不同偵測參數)。多個偵測器可用於偵測不同焦平面。 預期檢查系統700可實施為一缺陷再檢測系統及/或一計量系統之一部分。在某些實施例中，若檢查系統700將用於缺陷再檢測或計量而非用於一般檢查，則該檢查系統可經組態以具有一較高解析度。換言之，圖7中所展示之檢查系統700之實施例闡述一檢查系統之某些一般組態及各種組態，熟習此項技術者將明瞭，可以若干種方式修整該等組態以產生具有或多或少適用於不同應用之不同成像能力之檢查系統。在某些實施例中，檢查系統可利用掃描電子顯微鏡(SEM)或光學檢查或者兩者來執行上文所闡述之檢查程序。 應理解，儘管上述實例涉及晶圓，但根據本發明之系統及方法在不背離本發明之精神及範疇之情況下亦適用於其他類型之拋光板。本發明中所使用之術語晶圓可包含在積體電路及其他裝置之製作中所使用之半導體材料之一薄切片，以及其他薄拋光板(諸如磁碟基板、塊規及諸如此類)。 預期本發明中所闡述之方法及系統可實施為獨立產品或各種晶圓量測、檢查及/或熱點探索工具之組件。應理解，所揭示之方法中之步驟之特定次序或層次係例示性方法之實例。基於設計偏好，應理解，可在保持處於本發明之範疇及精神內之同時重新配置該方法中之步驟之特定次序或層次。亦應理解，各圖中所繪示之各種方塊係出於說明性目的而單獨呈現。預期儘管各圖中所繪示之各種方塊可實施為單獨(且經通信地耦合)裝置及/或處理單元，但該等方塊在不背離本發明之精神及範疇之情況下亦可整合在一起。 據信，藉由前述說明將理解本發明之系統及設備以及其附帶優點中之諸多優點，且將明瞭，可在不背離所揭示標的物或不犧牲所有其材料優點之情況下在組件之形式、構造及配置方面做出各種改變。所闡述之形式僅係解釋性的。
700‧‧‧檢查系統
702‧‧‧光學檢查工具/光學檢查器
704‧‧‧電腦處理器/處理器
706‧‧‧目標/晶圓
708‧‧‧晶圓去層處理工具/晶圓去層處理器
710‧‧‧影像/資料儲存/記錄媒體/儲存媒體/影像儲存媒體
熟習此項技術者參考附圖可較佳地理解本發明之眾多優點，在附圖中： 圖1(a)係繪示一檢查方法之一流程圖； 圖1(b)係比較一全堆疊晶圓與經去層處理晶圓之一圖式； 圖2係繪示根據本發明之一實施例而組態之一檢查方法之一流程圖； 圖3係繪示根據本發明之一實施例而組態之另一檢查方法之一流程圖； 圖4係繪示根據本發明之一實施例而組態之一檢查方法之一部分之一流程圖； 圖5係繪示圖4中所繪示之檢查方法之一第二部分之一流程圖； 圖6係繪示根據本發明之一實施例而組態之又一檢查方法之一流程圖；且 圖7係繪示根據本發明之一實施例而組態之一檢查系統之一方塊圖。

Claims (32)

  1. 一種用於選擇適用於一特定類型之晶圓之缺陷檢查之光學模式及演算法之方法，該方法包括： 利用一組光學模式來掃描該特定類型之一全堆疊晶圓以獲取一組全堆疊晶圓影像；及 基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓以產生一經去層處理晶圓，從而促進對適用於該特定類型之晶圓之缺陷檢查之光學模式及演算法之選擇。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括： 建立介於自該全堆疊晶圓所獲取之信號與自該經去層處理晶圓上之經驗證缺陷位置所獲取之信號之間的一相關性； 促進與用於經驗證缺陷位置之該組光學模式相關聯之信雜比之判定； 基於與用於該等經驗證缺陷位置之該組光學模式相關聯之該信號或信雜比而選擇一光學模式子組；及 基於該所選擇光學模式子組而形成用於缺陷檢查之一配方。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包括： 利用該組光學模式來掃描該經去層處理晶圓以獲取一組經去層處理晶圓影像； 基於所獲取之該組全堆疊晶圓影像及該組經去層處理晶圓影像建立介於自該全堆疊晶圓所獲取之信號與自該經去層處理晶圓所獲取之信號之間的一相關性； 利用該所建立相關性來促進與該組光學模式相關聯之信雜比之判定； 基於與該組光學模式相關聯之該信號或信雜比而選擇一光學模式子組；及 基於該所選擇光學模式子組而形成用於缺陷檢查之一配方。
  4. 如請求項3之方法，其中該促進對與該組光學模式相關聯之信號或信雜比之判定進一步包括： 在使用該組光學模式來掃描該經去層處理晶圓時，基於與該組光學模式相關聯之信號或信雜比而自該組光學模式選擇前N種光學模式；及 使用該前N種光學模式來量測自該經去層處理晶圓所獲取之信號。
  5. 如請求項4之方法，其中該促進對與該組光學模式相關聯之信雜比之判定進一步包括： 利用該前N種光學模式來掃描新全堆疊晶圓； 量測由該前N種光學模式產生之一光學雜訊；及 判定該前N種光學模式之信雜比。
  6. 如請求項5之方法，其中該基於與該組光學模式相關聯之該等信雜比而選擇一光學模式子組進一步包括： 基於該前N種光學模式之該等信雜比而自該前N種光學模式選擇該光學模式子組。
  7. 如請求項6之方法，其進一步包括： 利用該所選擇光學模式子組來掃描該新全堆疊晶圓； 基於藉由該利用該所選擇光學模式子組來掃描該新全堆疊晶圓而指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該新全堆疊晶圓以產生一新經去層處理晶圓； 判定該所選擇光學模式子組在偵測缺陷中是否有效；及 在該所選擇光學模式子組被判定為在偵測缺陷中有效時，基於該所選擇光學模式子組而形成用於缺陷檢查之該配方。
  8. 如請求項4之方法，其中該促進對與該組光學模式相關聯之信號或信雜比之判定進一步包括： 基於使用該前N種光學模式自該經去層處理晶圓所獲取之該等信號及該所建立相關性而模擬可使用該前N種光學模式自一新全堆疊晶圓所獲取之信號；及 基於該前N種光學模式之該信號或信雜比而自該前N種光學模式選擇前M種光學模式。
  9. 如請求項8之方法，其中該促進對與該組光學模式相關聯之信雜比之判定進一步包括： 利用該前M種光學模式來掃描該新全堆疊晶圓； 量測由該前M種光學模式產生之一光學雜訊；及 判定該前M種光學模式之信雜比。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包括： 利用該前M種光學模式來掃描該新全堆疊晶圓； 基於藉由該利用該前M種光學模式來掃描該新全堆疊晶圓而指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該新全堆疊晶圓以產生一新經去層處理晶圓； 判定該前M種光學模式在偵測缺陷中是否有效；及 在該前M種光學模式被判定為在偵測缺陷中有效時，基於該前M種光學模式而形成用於缺陷檢查之該配方。
  11. 如請求項1之方法，其中該組光學模式含有在孔徑設定、焦點設定或波長頻帶方面不同之光學模式。
  12. 如請求項1之方法，其中該組光學模式含有僅在焦點設定方面不同之光學模式。
  13. 如請求項12之方法，其中所獲取之該等全堆疊晶圓影像包含該全堆疊晶圓之跨焦點合成影像。
  14. 如請求項1之方法，其進一步包括： 調整用於處理所獲取之該等全堆疊晶圓影像之至少一個演算法。
  15. 如請求項14之方法，其中該至少一個演算法包含至少一個篩選演算法。
  16. 如請求項1之方法，其進一步包括： 利用該組光學模式來掃描該經去層處理晶圓以獲取一組經去層處理晶圓影像； 基於所獲取之該組全堆疊晶圓影像及該組經去層處理晶圓影像建立介於自該全堆疊晶圓所獲取之信號與自該經去層處理晶圓所獲取之信號之間的一相關性； 在使用該組光學模式來掃描該經去層處理晶圓時，基於與該組光學模式相關聯之信雜比而自該組光學模式選擇前N種光學模式； 使用該前N種光學模式來量測自該經去層處理晶圓所獲取之信號； 基於使用該前N種光學模式自該經去層處理晶圓所獲取之該等信號及該所建立相關性而模擬可使用該前N種光學模式自一新全堆疊晶圓所獲取之信號； 利用該前N種光學模式來掃描該新全堆疊晶圓； 量測由該前N種光學模式產生之一光學雜訊； 判定該前N種光學模式之信雜比； 基於該前N種光學模式之該等信雜比而自該前N種光學模式選擇一光學模式子組；及 基於該所選擇光學模式子組而形成用於缺陷檢查之一配方。
  17. 如請求項16之方法，其進一步包括： 利用該所選擇光學模式子組來掃描該新全堆疊晶圓； 基於藉由該利用該所選擇光學模式子組來掃描該新全堆疊晶圓而指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該新全堆疊晶圓以產生一新經去層處理晶圓； 判定該所選擇光學模式子組在偵測缺陷中是否有效；及 在該所選擇光學模式子組被判定為在偵測缺陷中有效時，基於該所選擇光學模式子組而形成用於缺陷檢查之該配方。
  18. 一種系統，其包括： 一光學檢查工具，其經組態以利用一或多種光學模式來獲取一或多個晶圓之光學影像； 一影像儲存媒體；及 至少一個處理器，其與該光學檢查工具通信，該至少一個處理器經組態以促進對適用於缺陷檢查之光學模式之選擇，該至少一個處理器進一步經組態以： 接收該光學檢查工具藉由使用一組光學模式來掃描一全堆疊晶圓而獲取之一組全堆疊晶圓影像； 接收基於經去層處理晶圓之一光學檢查或一掃描電子顯微鏡再檢測中之至少一者之經驗證缺陷位置，該經去層處理晶圓係基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓之一產物；及 基於該組全堆疊晶圓影像及該經去層處理晶圓之該等經驗證缺陷位置而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之一配方。
  19. 如請求項18之系統，其中該組光學模式含有在孔徑設定、焦點設定或波長頻帶方面不同之光學模式。
  20. 如請求項18之系統，其中該組光學模式含有僅在焦點設定方面不同之光學模式。
  21. 如請求項18之系統，其中該至少一個處理器進一步經組態以調整用於處理所獲取之該等全堆疊晶圓影像之至少一個演算法。
  22. 一種系統，其包括： 一光學檢查工具，其經組態以利用一或多種光學模式來獲取一或多個晶圓之光學影像； 一影像儲存媒體；及 至少一個處理器，其與該光學檢查工具通信，該至少一個處理器經組態以促進對適用於缺陷檢查之光學模式之選擇，該至少一個處理器進一步經組態以： 接收該光學檢查工具藉由使用一組光學模式來掃描一全堆疊晶圓而獲取之一組全堆疊晶圓影像； 接收該光學檢查工具藉由使用該組光學模式來掃描一經去層處理晶圓而獲取之一組經去層處理晶圓影像，該經去層處理晶圓係基於由該組全堆疊晶圓影像指示的一潛在所關注缺陷之一位置來去層處理該全堆疊晶圓之一產物；及 基於該組全堆疊晶圓影像及該組經去層處理晶圓影像而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之一配方。
  23. 如請求項22之系統，其中該至少一個處理器進一步經組態以： 基於所獲取之該組全堆疊晶圓影像及該組經去層處理晶圓影像建立介於自該全堆疊晶圓所獲取之信號與自該經去層處理晶圓所獲取之信號之間的一相關性； 利用該所建立相關性來促進與該組光學模式相關聯之信雜比之判定； 基於與該組光學模式相關聯之該等信雜比而選擇一光學模式子組；及 基於該所選擇光學模式子組而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之該配方。
  24. 如請求項23之系統，其中該至少一個處理器經組態以藉由以下方式促進與該組光學模式相關聯之信號或信雜比之判定： 在使用該組光學模式來掃描該經去層處理晶圓時，基於與該組光學模式相關聯之信號或信雜比而自該組光學模式選擇前N種光學模式；及 使用該前N種光學模式來量測自該經去層處理晶圓所獲取之信號。
  25. 如請求項24之系統，其中該光學檢查工具進一步經組態以利用該前N種光學模式來掃描新全堆疊晶圓，且其中該至少一個處理器進一步經組態以： 量測由該前N種光學模式產生之一光學雜訊； 判定該前N種光學模式之信雜比；及 基於該前N種光學模式之該等信雜比而自該前N種光學模式選擇該光學模式子組。
  26. 如請求項25之系統，其中該光學檢查工具進一步經組態以利用該所選擇光學模式子組來掃描該新全堆疊晶圓，且其中該至少一個處理器進一步經組態以： 判定該所選擇光學模式子組在偵測缺陷中是否有效；及 在該所選擇光學模式子組被判定為在偵測缺陷中有效時，基於該所選擇光學模式子組而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之該配方。
  27. 如請求項24之系統，其中該至少一個處理器進一步經組態以藉由以下方式促進與該組光學模式相關聯之信號或信雜比之判定： 基於使用該前N種光學模式自該經去層處理晶圓所獲取之該等信號及該所建立相關性而模擬可使用該前N種光學模式自一新全堆疊晶圓所獲取之信號；及 基於該前N種光學模式之該等信雜比而自該前N種光學模式選擇前M種光學模式。
  28. 如請求項27之系統，其中該光學檢查工具進一步經組態以利用該前M種光學模式來掃描該新全堆疊晶圓，且其中該至少一個處理器進一步經組態以： 量測由該前M種光學模式產生之一光學雜訊；及 判定該前M種光學模式之信雜比。
  29. 如請求項28之系統，其中該光學檢查工具進一步經組態以利用該前M種光學模式來掃描該新全堆疊晶圓，且其中該至少一個處理器進一步經組態以： 判定該前M種光學模式在偵測缺陷中是否有效；及 在該前M種光學模式被判定為在偵測缺陷中有效時，基於該前M種光學模式而形成將由該光學檢查工具利用之用於缺陷檢查之該配方。
  30. 如請求項22之系統，其中該組光學模式含有在孔徑設定、焦點設定或波長頻帶方面不同之光學模式。
  31. 如請求項22之系統，其中該組光學模式含有僅在焦點設定方面不同之光學模式。
  32. 如請求項22之系統，其中該至少一個處理器進一步經組態以調整用於處理所獲取之該等全堆疊晶圓影像之至少一個演算法。 附圖翻譯 圖1(a)： FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 WAFER A：晶圓A WAFER A’：晶圓A’ DISCOVERY SCAN #1 MULTIPLE MODES：探索掃描#1多種模式START OVER WITH WAFER B：以晶圓B重新開始 102：檢查結果 104：去層處理 REVIEW RESULTS：再檢測結果 106：是否係所關注缺陷？ YES：是 NO：否 108：完成 圖1(b)： TOP VIEW：俯視圖 SIDE VIEW：側視圖 DEFECT：缺陷 FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 圖2： FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 WAFER A：晶圓A WAFER A’：晶圓A’ DISCOVERY SCAN #1 MULTIPLE MODES：探索掃描#1多種模式202：影像記錄 204：去層處理 DISCOVERY SCAN #2 & REVIEW：探索掃描#2 &再檢測 206：驗證所關注缺陷位置 207：調諧配方 FINAL INSPECTION RECIPE：最終檢查配方 圖3： FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 WAFER A：晶圓A WAFER A’：晶圓A’ DISCOVERY SCAN #1 MULTIPLE MODES：探索掃描#1多種模式302：影像記錄 304：去層處理 DISCOVERY SCAN #2 & REVIEW：探索掃描#2 &再檢測306：驗證所關注缺陷位置 308：使用來自不同焦點偏移之經對準資料來產生3D濾光器 310：使用應用於在多個焦點偏移下進行之掃描之3D濾光器之最終配方 圖4： FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 WAFER A：晶圓A WAFER A’：晶圓A’ DISCOVERY SCAN #1 MULTIPLE MODES：探索掃描#1多種模式202：檢查結果 204：去層處理 DISCOVERY SCAN SAME MODES& REVIEW：探索掃描相同模式&再檢測 206：真實缺陷(可能不係所關注缺陷) 208：SIGNALfullstack (Sf )與SIGNALdeprocess (Sd )之間的相關性Sf = f (Sd ) 圖5： FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 WAFER A’：晶圓A’ DISCOVERY SCAN #2：探索掃描#2 MULTIPLE ADDITIONAL MODES：多種額外模式 210：所關注缺陷擷取 212：量測前3種至5種模式之Sd (經去層處理晶圓上之信號) WAFER B：晶圓B 214：量測前3種至5種模式之Nf (全堆疊晶圓上之雜訊) FINAL INSPECTION RECIPE：最終檢查配方 圖6： FULL STACK WAFER：全堆疊晶圓 DE-PROCESSED WAFER：經去層處理晶圓 WAFER A’：晶圓A’ 210：所關注缺陷擷取 212：量測前3種至5種模式之Sd (經去層處理晶圓上之信號) WAFER B：晶圓B 214：量測前3種至5種模式之Nf (全堆疊晶圓上之雜訊) 216：使用前3種至5種模式之所量測Sd 及Sf = f (Sd )來模擬Sf 218：基於所量測Nf 及所模擬Sf 而挑選最佳之3種模式 FINAL INSPECTION RECIPE：最終檢查配方 圖7： IMAGE STORAGE MEDIUM：影像儲存媒體 COMPUTER PROCESSOR(S)：電腦處理器 OPTICAL INSPECTION TOOL：光學檢查工具 WAFER：晶圓 WAFER DE-PROCESSING TOOL：晶圓去層處理工具
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