TWI771363B - 用來產生物件的3d複合影像及依據該3d複合影像判定物件性質的方法和系統 - Google Patents
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Abstract
一種3D物件檢測流程包含:(a)當物件頂部表面自由地置放在物件安置表面上時,或者(b)在不強制壓縮該物件之該頂部表面靠向不同於吸嘴之參考結構下,擷取物件底部表面3D輪廓;當(c)該物件底部表面自由地置放在物件安置表面上時,或者(d)在不強制壓縮該物件之該底部表面靠向該參考結構下,擷取物件頂部表面3D輪廓;擷取複數個物件側壁影像;依據或使用底部表面3D輪廓影像數據集、頂部表面3D輪廓影像數據集及該側壁影像數據集而產生包括該物件之3D數位重建或估算之3D複合影像;以及由該3D複合影像決定一組或陣列的整體物件及/或物件本體輪廓數值及/或厚度數值。
Description
本發明揭露之目的係關於自動化或電腦化的物件之三維(3D,three dimensional)光學檢測。尤其,本發明揭露之目的是針對物件之自動化、自動的或基於電腦的光學檢測,包含物件之曲率影像之頂部表面及曲率影像之底部表面之該產生、推導或計算及儲存、複數個物件側壁影像之該擷取及儲存、透過數位化暫存或對準及均一化、整合或結合/連接表面影像之該頂部表面曲率,曲率影像之該底部表面及該側壁影像之該物件之3D複合影像之該產生、合成或推導及儲存以及使用該產生的3D複合影像之一個或一個以上之物件檢測、特徵化或評估流程之該後續的效能。
電子裝置製造商嘗試搭配或置入儘量可能多的積體電路裝置進入該製造商所製造之較大的裝置之有 限的實際佔用面積內,例如,諸如因為市場偏好及需求而隨著時間本身逐漸薄化及更緊密的行動電話之行動裝置。目前,行動裝置製造商依據生產甚至功能更強大且更小、更輕巧及更緊密裝置而競爭。因此,常常見到的是,多個積體電路裝置、晶片或晶粒是嵌入或堆疊成為單一的半導體組件封裝,藉以形成定義成所謂的封裝複合裝置。有很大可能性是封裝複合裝置在本身的製造過程期間可能變成翹曲、扭曲或太厚。這情況影響該製造商在安裝該封裝複合裝置進入或在部分的狹窄的行動裝置上時精確地判斷是否該封裝複合裝置將符合尺寸上及可靠度需求之能力。再者,所檢測之該封裝複合裝置之該翹曲或扭曲之該程度及輪廓可以顯示在該製造流程上之問題,在裝置嵌入或堆疊上之誤差。若封裝太厚,該檢測可以顯示堆疊在該封裝內之該多個裝置可能沒有正確地堆疊或者顯示在該製造過程期間之不良的接合或安裝。
在過去,結合封裝複合裝置之該光學檢測,製造商依賴整體封裝厚度(TPT,Total Package Thickness)作為該封裝複合裝置之厚度或高度之參數或測量,該封裝複合裝置之該測量包含底層球柵陣列或用於該封裝之焊墊之該高度。當其中封裝複合裝置由於製造過程不一致性可能尺寸上改變及/或誤差可能造成可接受的或良好的裝置之該錯誤拒絕,以及當信賴整體封裝厚度作為用於特性化封裝複合裝置高度之單獨測量之缺陷的或可能不可靠的裝置之該接受或通過的該可能的方式,單獨該參數已經變成 不足以精確地決定是否封裝將適合及/或可能可靠地於行動裝置中操作。
關於光學檢測,結合該封裝在檢測過程期間是如何安置在或固定在位置中之該封裝之翹曲可能造成較大的封裝高度讀值,由於該封裝成型混合物允許包含在本身內部之該裝封及該裝置之某些壓縮及平坦化而不影響該整個封裝之該電性的或結構的完整性,因此,該讀值可能造成該封裝受到拒絕即使該封裝可能實際上在行動裝置中或上是可安裝的。
習知的封裝裝置之光學檢測,諸如封裝複合裝置,需要該封裝裝置在檢測期間藉由噴嘴受到吸附或真空固定靠向平面參考表面。該方式造成該封裝靠向該參考表面之壓縮。由於壓縮靠向該參考表面之該平面的結果,該封裝之該最終扭曲在檢測期間可能不論是增加該封裝翹曲(藉以人為地增加該實際整體封裝厚度)或減少該封裝翹曲(藉以人為地減少該實際整體封裝厚度),而造成錯誤的整體封裝厚度測量或讀值。必須注意的是當藉由真空或吸附力量靠向參考安置平面而固定靠向參考平面或向下固定在該檢測區域處時,若3D掃描是在封裝之該頂部及/或底部表面上執行,該封裝之該頂部及/或底部表面之該擷取的3D輪廓將無法提供該正確的或需要的該封裝之表面形態。
對於製造商必須找到一種方式以決定是否封裝複合裝置對於本身安裝及可靠地使用於狹小的行動裝 置中符合該尺寸需求而不會有上文所提及之該問題、限制及不一致性。
依據本發明揭露之目的,3D物件檢測流程包含:(a)當物件頂部表面自由地置放在物件安置表面上時,或者(b)在不強制壓縮該物件之該頂部表面靠向不同於吸嘴之參考結構下,擷取物件底部表面3D輪廓;當(c)該物件底部表面自由地置放在物件安置表面上時,或者(d)在不強制壓縮該物件之該底部表面靠向該參考結構下,擷取物件頂部表面3D輪廓;擷取複數個物件側壁影像;依據或使用底部表面3D輪廓影像數據集、頂部表面3D輪廓影像數據集及該側壁影像數據集而產生包括該物件之3D數位重建或估算之3D複合影像;以及由該3D複合影像決定一組或陣列的整體物件及/或物件本體輪廓值及/或厚度值。
依據本發明揭露之特定的目的,流程是針對物件之3D檢測,其中每一個物件包含本體,該本體具有頂部表面、底部表面、以及於z軸方向上在該物件之該頂部表面及該底部表面之間垂直延伸之複數個側壁,並且該流程包含:當(a)該物件頂部表面自由地置放在第一物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(b)該物件頂部表面是藉由第一吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該頂部表面靠向不同於第一吸嘴之第一參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件底部表面 之3D輪廓影像及產生對應的底部表面3D輪廓影像數據集;當(c)該物件底部表面自由地置放在該第一或第二物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(d)該物件底部表面是藉由該第一或第二吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該底部表面靠向不同於該第二吸嘴之每一個該第一參考結構及第二參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件頂部表面之3D輪廓影像及產生對應的頂部表面3D輪廓影像數據集;擷取該物件之複數個側壁影像及產生對應的側壁影像資料集;以及依據或使用該底部表面3D輪廓影像數據集、該頂部表面3D輪廓影像數據集及該側壁影像數據集而產生對應於該物件之3D數位重建或估算之3D複合影像數據集。
該底部表面3D輪廓影像數據集是藉由橫跨該物件之該底部表面之該區域所執行之底部表面3D掃描線成像步驟所產生,並且該頂部表面3D輪廓影像數據集是藉由橫跨該物件之該頂部表面之該區域所執行之頂部表面3D掃描線成像步驟所產生。
該第一物件安置表面相對於該物件之至少一個該頂部表面及該底部表面之該表面區域可以是平面的,並且/或者該第二物件安置表面相對於該物件之至少一個該頂部表面及該底部表面之該表面區域可以是平面的。
在該物件底部表面之該3D輪廓影像之該擷取期間,該物件頂部表面可以自由地置放在該第一物件安 置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,而在該物件頂部表面之該3D輪廓影像之該擷取期間,該物件底部表面可以自由地置放在該第一或第二物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量。
另外,當擷取該3D底部表面輪廓時,在該物件底部表面之該3D輪廓影像之該擷取期間,(a)該物件頂部表面可以自由地置放在該第一物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,而當擷取該3D頂部表面輪廓時,以及(d)該物件底部表面可以藉由該第一或該第二吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該底部表面靠向每一個該第一參考結構及第二參考結構之強制的壓縮;或者當擷取該3D底部表面輪廓時,(b)該物件頂部表面可以藉由該第一吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該頂部表面靠向該第一參考結構之強制的壓縮,以及當擷取該3D頂部表面輪廓時(c)該物件底部表面可以自由地置放在其中一個第一安置結構及該第二安置結構上。
該物件包含或可以是封裝的半導體裝置,並且當該物件安置在相對於該半導體產業具有標準化設計之載盤、平台或媒介中並且該載盤、平台或媒介是使用於儲存或輸送封裝的半導體裝置時,可以擷取該物件頂部表面及該物件底部表面之其中一個該3D輪廓影像。該標準的載盤、平台或媒介可以包含或是經配置用於承載預定尺 寸之封裝的半導體裝置之其中一個工業標準托盤、工業標準晶舟或工業標準料帶結構。
產生該3D複合影像數據集可以包含產生每一個曲率影像數據集之底部表面及曲率影像數據集之頂部表面。產生曲率影像數據集之該底部表面可以包含:數值化決定定義對應於該物件之該實體底部表面的參考底部表面平面之陣列的(x,y)數值;以及對於在該參考底部表面平面內之在該陣列的(x,y)數值中的每一個(x,y)數值,數值化決定在該底部表面3D輪廓影像數據集及該參考底部表面平面之間之z軸偏差。
該流程更可以包含,對於每一個(x,y)數值,將在該底部表面3D輪廓影像數據集及該底部表面參考平面之間之該z軸偏差儲存為底部表面輪廓(BSP,Bottom Surface Profile)數據集,該底部表面輪廓數據集包括對應於相對於該z軸之實體物件頂部表面非均勻性之(x,y)陣列的底部表面輪廓數值。
產生曲率影像數據集之該頂部表面可以包含:數值化決定定義對應於該物件之該實體頂部表面的參考頂部表面平面之陣列的(x,y)數值;以及對於在該參考底部表面平面內之在該陣列的(x,y)數值中的每一個(x,y)數值,數值化決定在該頂部表面3D輪廓影像數據集及該參考底部表面平面之間之z軸偏差。
該流程更可以包含,對於每一個(x,y)數值,將在該頂部表面3D輪廓影像數據集及該頂部表面參 考平面之間之該z軸偏差儲存為頂部表面輪廓(TSP,Top Surface Profile)數據集,該頂部表面輪廓數據集包括對應於相對於該z軸之實體物件頂部表面非均勻性之(x,y)陣列的頂部表面輪廓數值。
產生該3D複合影像數據集更可以包含將該底部表面輪廓數據集、該頂部表面輪廓數據集及該側壁影像數據集相對於彼此數位化對準或暫存,以及將該數位化對準或暫存的底部表面輪廓數據集、頂部表面輪廓數據集及側壁數據集拼接在一起。
該流程更可以包含產生真實物件本體厚度(TOMBT,True Object Main Body Thickness)數據集,在該真實物件本體厚度數據集中,任何給定的真實物件本體厚度(x,y)數值表示在該3D複合影像內在特定的(x,y)點處在該頂部表面輪廓及該底部表面輪廓之間之z軸距離。
該流程更可以包含藉由分析該物件底部表面之該3D輪廓影像及該物件頂部表面之該3D輪廓影像而決定整體物件厚度(TOT,Total Object Thickness)數值;以及決定在該物件底部表面之該3D輪廓影像中之最低實體物件結構及在該物件頂部表面之該3D輪廓影像中之最高實體物件結構之間之最大z軸距離。
依據本發明揭露之特定的目的,系統是針對物件之3D檢測,其中每一個物件包含本體,該本體具有頂部表面、底部表面、以及在z軸方向上垂直地延伸在該物件之該頂部表面及該底部表面之間之複數個側壁,其 中該裝置包含:一組3D物件成像或掃描平台,經配置用於成像或掃描每一個該物件底部表面及該物件頂部表面及產生3D物件底部表面數據集及3D物件頂部表面數據集,分別地藉由:(i)當(a)該物件頂部表面自由地置放在第一物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(b)該物件頂部表面是藉由第一吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該頂部表面靠向不同於第一吸嘴之第一參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件底部表面之3D輪廓影像及產生對應的底部表面3D輪廓影像數據集;以及(ii)當(c)該物件底部表面自由地置放在該第一或第二物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(d)該物件底部表面是藉由該第一或第二吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該底部表面靠向不同於該第二吸嘴之每一個該第一參考結構及第二參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件頂部表面之3D輪廓影像及產生對應的頂部表面3D輪廓影像數據集;經配置用於成像或掃描複數個物件側壁之物件側壁掃描平台;至少一個處理單元;以及記憶體,儲存程式指令,經配置依據或使用該底部表面3D輪廓影像數據集、該頂部表面3D輪廓影像數據集及該側壁影像數據集而產生對應該物件之3D數位重建或估算之3D複合影像數據集。
該組的3D物件成像或掃描平台可以包含至少一個3D掃描線輪廓成像裝置,並且該物件側壁掃描平台可以包含經配置用於同時地成像或掃描多個物件側壁之 裝置。
10‧‧‧系統、裝置或機器
100‧‧‧處理單元
110‧‧‧使用者介面及/或輸入-輸出裝置
120‧‧‧通訊單元及/或網路介面
130‧‧‧底部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置
140‧‧‧頂部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置
150‧‧‧側壁檢測、成像或掃描裝置
200‧‧‧記憶體
210‧‧‧操作系統
220‧‧‧成像數據集記憶體、儲存及/或數據庫
230、240、250、260、270、280‧‧‧程式指令集
第1圖說明對應於位在成型的封裝(例如,封裝複合裝置)中之半導體裝置之封裝物件參數之特定的表示類型,包含整體封裝厚度(TPT,Total Package Thickness)及整體成型厚度(TMT,Total Mold Thickness)參數,該參數可以依據本發明揭露之各種實施例而估算、判斷、計算或測量。
第2A-2C圖顯示說明用於產生此類封裝底部表面之3D輪廓影像或影像數據集(例如,3D掃描線資料集,以將由具有一般熟習該相關技藝之人士能立即瞭解之方式)之封裝裝置之代表性底部表面之掃描線或細線成像之目的之代表性圖示。
第3圖顯示結合封裝半導體裝置之3D光學檢測之目的所產生或擷取之部分的代表性底部視圖3D輪廓影像,以及依據本發明揭露之實施例可以由該部分的代表性底部視圖3D輪廓影像所決定之資訊或參數數值之代表性類型。
第4圖顯示依據本發明揭露之實施例說明封裝半導體裝置之代表性頂部表面之掃描線或細線成像之目的之一組代表性的頂部視圖影像及產生對應於該組代表性的頂部視圖影像之3D輪廓影像或影像數據集。
第5圖顯示結合封裝半導體裝置之3D光學檢測之目的所產生或擷取之部分的代表性頂部視圖影像,以及依據本發明揭露之實施例可以由該部分的代表性頂部視圖影像 所決定之資訊或參數數值之代表性類型。
第6圖顯示依據本發明揭露之實施例結合封裝半導體裝置之3D光學檢測之目的所擷取之代表性的複數個2D側壁影像。
第7A圖示意性說明封裝半導體裝置之3D底部基板輪廓(BSP,Bottom Substrate Profile)及3D頂部基板輪廓(TSP,Top Substrate Profile)之該產生,以及具有由該封裝半導體裝置之複數個2D側壁影像所形成之側端基板輪廓(SSP,Side Substrate Profile)之該3D底部基板輪廓及3D頂部基板輪廓之該組合以使能夠依據本發明揭露之實施例決定真實成型厚度(TMT,True Mold Thickness)。
第7B圖依據本發明揭露之實施例更進而示意性說明組合封裝半導體置之該3D底部基板輪廓、該3D頂部基板輪廓及複數個2D側壁影像之目的以形成該封裝半導體裝置之3D複合影像。
第8A圖顯示依據本發明揭露之實施例用於代表性的11.5mm×13mm封裝之3D複合影像產生之目的。
第8B圖顯示用於對應第8A圖之該代表性的11.5mm×13mm封裝之該3D複合影像之三個實際的11.5mm×13mm裝置之代表性的掃描影像及測量或評估結果。
第8C圖顯示依據本發明揭露之實施例用於七個實際的11.5mm×13mm封裝所產生之基於3D複合影像之特定的評估或測量結果。
第9A圖顯示依據本發明揭露之實施例用於代表性的 14mm×18mm封裝所產生之對應3D複合影像之測量或評估結果之代表性類型。
第9B圖顯示依據本發明揭露之實施例用於七個實際的14mm×18mm封裝所產生之基於3D複合影像之特定的評估或測量結果。
第10圖顯示對於參考或”黃金單元(Golden Unit)”封裝在(a)依據本發明揭露之實施例所產生之基於3D複合影像之3D光學檢測測量及(b)使用光學顯微鏡所達成之測量之間之測量比較。
第11圖為依據本發明揭露之實施例基於該方法而用於產生物件之3D複合影像及決定諸如整體封裝厚度及/或整體成型厚度性質、參數或數值的物件性質之系統、裝置或機器之實施例之示意性方塊圖。
在本發明揭露中,在於對應的描述材料中針對元件之特定的圖式或參考中之給定的元件或考量之描述或特定的元件編號之使用可以包含相同、等同或類比的元件或結合該元件在另一個圖式或描述材料中所標記之元件編號。在圖式中“/”之該表示或在該片語“及/或”中於本身的使用之外在此的文字,除非另有指示,是理解為意指習知上所定義之“及/或”(例如,兩個陳述選擇、可能性或選項之兩者或任一)。在此之特定的數字化數值或數值範圍之列舉是理解為包含成為接近數字化數值或數值範圍之例舉,例如在±20%、±15%、±10%、±5%、±2%或±0%。該 名詞“實質上”或“實質上所有”可以指示等同大於或等於90%之百分比或程度,例如95%、98%、99%或100%。
如同在此所使用的,該名詞“集(組)(set)”依據已知的數學上定義(例如,以對應於在AnIntroduction to Mathematical Reasoning:Numbers,Sets,and Functions,“Chapter 11:Propertiesof Finite Sets”(例如,如同第140頁所顯示),by Peter J.Eccles,Cambridge University Press(1998)中所描述之方式),對應於或是定義為數學上呈現基數至少為1(意即,如同在此所定義之集可以對應至單元、單件或單一元件集或多個元件集)之元件之非空缺的有限組織。通常,集之元件視在所考量下之集的該類型而定可以包含或者是系統、裝置、結構、物件、製程、物理參數或數值。
依據本發明揭露之實施例係關於或是針對用於諸如半導體或其它組件之物件之自動化、自動的、基於電腦的或電腦化的3D光學檢測。在至少某些情況中,依據本發明揭露之實施例之正在進行中、即將進行或需要3D光學檢測之物件包含或具有與該物件結合之封裝或封裝結構(例如外部或外部封裝結構)。例如,半導體組件可以包含或成型為含有一個或一個以上之半導體晶粒或積體電路晶片或在該組件中的裝罝之封裝,例如,封裝型或封裝的複合半導體裝置(該封裝型或封裝的複合半導體裝置以下可以稱為封裝或封裝裝置)。
在各種實施例中,在考量下之給定的物件 具有第一、上或頂部表面;第二、下或底部表面;以及由彼此分隔該上/頂部表面及該下/底部表面之一組周圍的或側端表面或側壁。相對於代表的一組正交(x,y,z)軸及相關於該正交軸之該物件之可選擇的/選擇的、較佳的或預定的參考空間方向,該物件之該頂部表面及該底部表面可以經由定義以側向或水平延伸穿越由該x軸及該y軸所定義之部分的(x,y)平面,並且可以顯示沿著部分的該z軸(意即垂直於該(x,y)平面)之穿越該(x,y)平面之正向及/或負向高度變化。該組的物件側壁可以經由定義以在z軸方向上突出或沿著該在該物件的頂部及底部表面之間之部分的該z軸而延伸,並且任何給定的側壁可以經由定義以具有相對於(x,z)或(y,z)平面之側壁高度輪廓。再者,任何給定的側壁可以顯示沿著該側壁的x軸或y軸範圍(例如長度)之z軸高度變化。
在數個(雖然並非全部必要)實施例中,待檢測或進行中檢測之物件為了決定整體封裝厚度(TPT,Total Package Thickness)及/或真實成型厚度(TMT,True Mold Thickness)參數或數值之目的依據本發明揭露之實施例包含或成型為承載諸如延伸超越由該封裝頂部表面、底部表面及側壁所定義之主要封裝本體之錫球凸塊的結構之半導體封裝或封裝複合裝置。例如,相對於包含錫球凸塊之封裝,每一個封裝可以經由定義以具有頂部表面、由該錫球凸塊所突出之底部表面;以及四個側壁。如同在第1圖中所顯示,在此類情況下,以由具有一般熟習該項技藝之人 士容易理解之方式,整體封裝厚度顯示、建立或測量從給定的封裝複合裝置之最低或最底部錫球點至該封裝複合裝置在該頂部表面上之最高或最上端點之最大z軸距離或高度。待檢測或進行中檢測之物件依據本發明揭露之實施例,以由具有一般熟習該項技藝之人士容易理解之方式,另外可以包含或成型為承載周圍導引線路或導線之半導體封裝或封裝複合裝置。
依據本發明揭露之實施例,結合或在封裝裝置之該光學檢測期間,為了決定整體封裝厚度及/或整體成型厚度之目的,一個或一個以上之光學成像步驟或操作可以發生(a)在缺乏任何外部或外在機械、吸附/真空及非重力之該施加至該封裝裝置之下,使得部分該封裝裝置在該封裝裝置保持本身的自然、本質、剛製造完成、自由置放、非外在扭曲或非扭曲的形狀或3D輪廓下受到成像;及/或(b)在缺乏外部或外在機械、吸附/真空及非重力之該施加至該封裝裝置下,其中該施加相對於本身的自然、本質、剛製造完成、自由置放、非外在扭曲或非扭曲的形狀或3D輪廓可能或將顯著地扭曲該封裝置,使得即使當保持或固定於預定的位置或方向上(例如,藉使用吸附/真空力量橫跨該封裝的表面區域限定的或預定的最大部分之吸取端或頭),部分該封裝裝置在該封裝裝置保持或本質上保持本身的自然、本質、剛製造完成、自由置放、非外在扭曲或非扭曲的形狀或3D輪廓下受到成像。
因此,依據本發明揭露之各種實施例,當 該封裝裝置自由地或自然地置放在支撐或安置表面或平面上時,結合決定整體封裝厚度及/或整體成型厚度數值(例如,基於3D輪廓產生之光學掃描線或細線照明)所執行之一個或一個以上之光學成像步驟或操作可以產生。此外或另外,當該封裝裝置以減少或最小化本質上或有效地避免該封裝複合裝置相對於本身的自然、本質、剛製造完成、自由置放、非外在扭曲或非扭曲的形狀或3D輪廓的該可能性之方式受到承載或固定時,結合決定整體封裝厚度及/或整體成型厚度數值(例如,基於3D輪廓產生之光學掃描線或細線照明)所執行之特定的光學成像步驟或操作可以產生,使得整體封裝厚度及/或整體成型厚度數值之增強的準確性決定可以產生。
依據本發明揭露之實施例在光學成像或檢測期間,諸如在頂部及底部封裝裝置表面之該光學成像期間,完全避免全部或較大部分的封裝裝置表面區域靠向平面參考表面之該壓縮(例如,機械或吸附/真空力量型壓縮)。再者,當成像封裝裝置的一個或一個以上之表面時,依據本發明揭露之實施例可以完全地避免(a)非重力以及外部或外在機械壓縮力量之該施加至該封裝裝置,以及/或者(b)外部或外在吸附/真空力量橫跨超過特定封裝裝置表面之該區域之5%-50%(例如,超過10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%或45%)之該施加,諸如最大封裝裝置表面之該區域。再者,依據本發明揭露之各種實施例,當該封裝是或仍然位在本身的自然、自由置放狀態下,封 裝或封裝裝置之一個或一個以上之3D輪廓或影像是經由擷取或產生,及/或當該封裝是以避免非重力壓縮的力量之該施加至該封裝以及吸附/真空力量之該施加至橫跨超過該封裝之該頂部表面或該底部表面之該表面區域之5%-50%(例如,超過10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%或45%)之方式而承載或固定時,該封裝之一個或一個以上之3D輪廓或影像是經由擷取或產生。
如同在第1圖中所顯示及下文中更詳細描述,在各種實施例中,整體成型厚度參數、數值或測量包含一組顯示、建立或測量形成該封裝本身的該本體之至少最大(最大整體成型厚度)、最小(最小整體成型厚度)該成型混合物之z軸高度或厚度之數值,在該封裝之該頂部表面之該3D地形輪廓或形體及該封裝之該底部部表面之該3D地形表面輪廓或形體之間,不包含突出遠離該封裝成型混合物沿著諸如導線之垂直方向之該錫球或其它結構之該厚度。整體封裝厚度參數或測量包含或者是顯示、建立或測量該成型封裝加上由該成型封裝所承載之該錫球(或突出遠離該封裝成型混合物沿著垂直方向之其它類型的結構)之最大z軸高度或厚度之數值。
發明人在本申請書上所陳述的瞭解到除了當諸如封裝半導體組件或裝置之物件(例如,封裝複合裝置)是意在壓縮靠向平面參考表面所產生、擷取或取得之3D表面輪廓之外,所謂實際需要以促進對於下游使用之實際3D封裝特性及對應的封裝適應性之增強的精度或最精確 的決定在於當該封裝之壓縮靠向平面參考表面是完全地避免或者顯著部分的封裝之該表面區域靠向平面參考表面是避免時所獲取之3D表面輪廓之該產生,使得在3D成像操作期間該封裝仍然是位在自然、本質、剛製造完成、自由置放、非外在扭曲或非扭曲的形狀或3D輪廓中,或者該封裝仍然位於實質上、有效地或非常接近相等於本身的自然、本質、剛製造完成、自由置放、非外在扭曲或非扭曲的形狀或3D輪廓之狀態中。尤其,在3D封裝輪廓之該產生期間依據本發明揭露之實施例,該封裝並未受到可能顯著地變更或改變該封裝之該真實表面形態之封裝外部力量(例如,當該封裝是受強迫靠向平面參考表面時,由於壓縮引發的可能產生之封裝變形或扭曲)所影響,其中該封裝之該真實表面形態是由該封裝的自由置放狀態所定義。
例如,當該封裝並未受到除了重力之外的外部施加應力或力量所影響,並且該封裝裝置仍然未受到壓縮(意即,沒有外部壓縮力量是產生在該封裝上,除了因為自然或本質上產生於該封裝上之重力的壓縮外)時,最佳的或最正確的整體封裝厚度讀值或測量可以定義為來自於成像該封裝所獲得之該整體封裝高度。當施加至該封裝之外在的非重力力量相較於該習知的方法是受到謹慎地控制、大量地減少及/或最小化時,接近最佳的、本質上、有效地或接近相等的或精確的、高度可接受的或下一個最佳的整體封裝厚度讀值或測量是來自於成像該封裝所獲得之該整體封裝高度,其中該封裝之該頂部或底部表面之該 區域之該全部或實質上該整體,或者該封裝之該頂部或底部表面之該區域之較大部分(例如,超過25%,或者超過50%,或者超過80%),是刻意強制或壓縮靠向平面參考表面,尤其是在3D封裝成像或掃描操作期間藉由避免該封裝之該刻意的強迫或壓縮靠向平面參考表面。
該整體封裝在本身的自然、未受壓縮的狀態(例如,自由地置放狀態)或例如實質上等同或相等於本身的自然、未壓縮的狀態之封裝表面翹曲或扭曲或該厚度輪廓之該程度,使得整體的封裝變形是小於或等於在產生於該封裝是強制壓縮靠向平面參考表面(如同習知上會達成的,但是不是依據本發明揭露之各種實施例)之事件中之封裝變形之該數量的20%(例如,小於或等於15%、10%、5%、2.5%或1%),可以提供有關於或促使或使能夠(a)用於諸如行動裝置之下游安裝於產品中之該封裝裝置之該適用性;(b)在該封裝中之可能的誤差或缺陷;(c)於裝置或整體的封裝設計之誤差;及/或(d)包含於或導致該封裝裝置之該生產於上游製造流程中之誤差或問題的決定之資訊。
依據本發明揭露之實施例包含第一3D成像或掃描步驟或流程之效能,係針對獲得、產生或擷取正在檢測中之封裝之其中一個該頂部及底部表面之3D輪廓影像或數據集,以及第二3D成像或掃描步驟或流程之效能,係針對獲得、產生或擷取正在檢測中之該封裝之另一個該頂部及底部表面之3D輪廓影像或數據集。依據本發明揭露之實施例亦包含一組側壁成像或掃描步驟或流程之該效 能,係針對獲得、產生或擷取正在檢測中之該封裝之至少兩個側壁之2D(及/或可以是3D輪廓)影像或數據集。
關於成像或掃描該封裝之該頂部或底部表面輪廓,該第一3D成像或掃描流程可以針對成像或掃描該封裝之該頂部表面,並且該第二3D成像或掃描流程可以針對成像或掃描該封裝之該底部表面。另外,該第一3D成像或掃描流程可以針對成像或掃描該封裝之該底部表面,並且該第二3D成像或掃描流程可以針對成像或掃描該封裝之該頂部表面。具有一般熟習該項技藝之人士將可以輕易地瞭解該第一3D掃描流程所針對之該特定的封裝表面(例如,頂部或底部)及該第二3D掃描流程所針對之該特定的相對封裝表面(例如,底部或頂部)可以視在考量下之該封裝之該類型或特性、封裝表面為該頂部表面及封裝表面為該底部表面之該選擇或定義、封裝處理及/或檢測設備之該能力或配置以及/或者特定實施例或實現細節而定。為了簡化、明確及輔助瞭解之目的,在緊接後續之該描述中,該第一3D掃描流程是定義為針對該封裝之該頂部表面,並且該第二3D掃描流程是定義為針對該封裝之該底部表面。
依據上述狀況,視實施例細節而定,當該封裝之該頂部表面是曝露的並且該封裝是自由地靜置在物件支撐或安置表面或平面上或者靠向該物件支撐或安置表面時,或者當該物件之該底部表面是與只產生足夠可靠地克服該重力於該封裝上(如同對於任何給定的封裝類型可 以輕易地由具有一般熟習該項技藝之人士透過例行性實驗所決定)之吸附/真空力量的數量在該封裝上之吸附/真空提取尖端、頭或噴嘴(例如,習知的取放吸附/真空噴嘴)所接合或由其所固定時,視實施例細節而定,該第一或頂部視圖3D掃描流程可以產生,並且橫跨該吸附/真空力量所施加或產生之該整體封裝表面區域通常是小於或等於由該封裝之該頂部或底部表面所橫跨之該區域之5%-50%(例如,不超過10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%或45%),視該封裝結構之該幾何形狀、該吸附/真空噴嘴之幾何形狀及/或該封裝如何藉由該吸附/真空噴嘴所承載、提高或提起而定。再者,當該封裝之該底部表面是曝露的並且該封裝之該頂部表面是自由地靜置在物件支撐表面或平面上或者靠向該物件支撐表面或平面時,或者當該物件之該頂部表面是與只產生足夠可靠地克服該重力於該封裝上(如同對於任何給定的封裝類型亦可以輕易地由具有一般熟習該項技藝之人士透過例行性實驗所決定)之吸附/真空力量的數量在該封裝上之吸附/真空提取尖端、頭或噴嘴所接合或由其所固定時,該第二或底部視圖3D掃描流程可以產生,並且橫跨該吸附/真空力量所施加或產生之該整體封裝表面區域通常是小於或等於由該封裝之該頂部或底部表面所橫跨之該區域之5%-50%(例如,不超過10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%或45%),視該封裝之該幾何形狀、該吸附/真空噴嘴之該幾何形狀及/或該封裝如何藉由該吸附/真空噴嘴所承載、提高或 提起而定。
在多個實施例中,當該封裝是自由地靜置靠向支撐表面或平面時,其中一個該第一或頂部視圖3D掃描流程及該第二或底部視圖3D掃描流程是在該封裝上執行;以及當部分該封裝是藉由吸附/真空噴嘴(例如,以上文或在本文其它地方所提及之方式)所承載時,另一個該第一或頂部視圖3D掃描流程及該第二或底部視圖3D掃描流程是在該封裝上執行。例如,當該封裝之該底部表面是自由地靜置靠向支撐表面或平面時,該第一或頂部視圖3D掃描流程可以在該封裝上執行;以及當部分該頂部表面封裝是藉由如同上文的顯示之吸附/真空噴嘴所承載時,該第二或底部視圖3D掃描流程可以在該封裝上執行。
在某些實施例中,當該封裝是自由地靜置靠向支撐表面或平面時,每一個該頂部視圖3D掃描流程及該底部視圖3D掃描流程將執行。視實施例細節而定,當該封裝是自由地靜置靠向支撐表面或平面時,每一個該頂部視圖3D掃描流程及該底部視圖3D掃描流程將執行、當該封裝自然地或自由地置放在第一安置表面或平面時,該頂部視圖3D掃描流程可以產生及當該封裝自然地或自由地置放在該相同的或不同的安置表面或平面上(例如,不同的第二安置表面)時該底部視圖3D掃描流程可以產生。
在特定的實施例中,當該封裝之該頂部表面是曝露的並且較低或最低部分的該封裝自由地置放或靠向支撐表面或平面時,該頂部視圖3D掃描流程可以藉由 產生或擷取由上文之該封裝之該頂部表面之3D輪廓所執行,其中該支撐表面是藉由諸如托盤、晶舟或其它類型的平台、基板或媒介之部分、分段或個別的載盤所提供,該封裝半導體裝置是儲存及/或傳輸(例如料帶或封裝半導體裝置可以載入在內部之具有容納之料帶結構)在該載盤之上或之中。該底部視圖3D掃描流程,不論在該載入該封裝於該載盤之上或之內之前(例如,剛好在之前)或期間,可以例如藉由產生或擷取該封裝之該底部表面之3D輪廓而執行。
另外,當該封裝之該頂部是曝露的並且較低的或最低的部分的該封裝自由地置放在或靠向該支撐表面或平面,而提供該支撐表面或平面(例如,由諸如上文所顯示之承載之底部、基部或下側部分)相對於所使用之該光學波長是光學上透明的或半透明的以在該底部視圖3D掃描流程期間產生或擷取該封裝之該底部表面之該3D輪廓時,該底部視圖3D掃描流程可以執行。在各種實施例中,針對給定的封裝之該頂部視圖3D掃描及該底部視圖3D掃描流程及時分別地或依序地發生。然而,在實施例中其中該支撐表面或平面相對於所使用之該光學波長是光學上透明的或半透明的以產生或擷取3D輪廓,該頂部視圖3D掃描流程及該底部視圖3D掃描流程可以同時地發生。當成像或掃描透過除了大氣或真空之基板或媒介以由具有一般熟習該相關技藝之人士能輕易瞭解之方式而產生時,數學校正因子可以應用至成像數據集以考慮折射率效應,使得 由該成像數據集(例如,整體成型厚度數值及/或整體封裝厚度數值)所決定之測量數值是適當地或精確地縮放或修正。
更進一步可選擇的是,該頂部視圖3D掃描流程及該底部視圖3D掃描流程在實施例中可以依序地或同時地執行,其中例如,當該封裝之一組周圍的點或區段沿著該封裝之至少三個較低的周圍邊緣或邊界是藉由諸如插針之突出物所支撐時,該封裝位在或沿著本身的邊緣或周圍之特定的點或部分以除了自然的重力之外避免或實質上避免壓縮力量之該施加至該封裝之方式是保留的、固定的或支撐的。
依上述情況,存在依據本發明揭露之多個實施例變化。儘管如此,每一個實施例之關鍵目的在於當該封裝是自由地靜置時,尤其是藉由避免外部非重力的壓縮力量之施加至強制、壓制或推入該封裝靠向平面參考表面之該封裝或顯著部分的該頂部或底部封裝表面區域,3D成像或掃描期間因為除了正向作用在該封裝上之重力之該自然力量之外的力量之封裝扭曲或翹曲之該減少、最小化或消除。更進一步的關鍵目的在於封裝側壁影像(例如,至少兩個封裝側壁影像)之該產生或擷取,如同下文之細部描述;並且另一個關鍵目的在於合成、計算、組合或複合3D影像之該產生,其中該封裝之該頂部視圖3D輪廓、該封裝之該底部視圖3D輪廓及該封裝側壁影像是單一的、聯合的、組裝的或結合的或縫合一起的,如同在下文中之細 部描述。額外的關鍵目的在於依據該複合3D影像之3D封裝特性或參數的決定之該估算。
為了簡化、明確及輔助瞭解之目的,在立即接續之描述中,代表性的實施例(例如,第一代表性實施例)將作考量,其中該封裝是自由地靜置靠向物件或封裝安置平面時,每一個該頂部視圖3D掃描流程及該底部視圖3D掃描流程將執行。因此,在該代表性的實施例中,該頂部視圖3D掃描流程可以定義靜置的頂部視圖3D掃描流程,並且該底部視圖3D掃描流程可以定義為靜置的底部視圖3D掃描流程。
在該靜置的頂部視圖3D掃描流程期間,物件在考量下(例如,如同上文所描述之封裝)之最低的部分,在該缺乏外部作用的吸附或壓縮力量之該施加至該物件下(除了當該物件之最低的部分自由地置放在該安置平面上時,重力作用在該物件上之該自然地產生的力量之外),自由地或自然地置放在物件支撐、座落或安置平面上。因此,該物件並非由於受到強制的壓縮靠向物件外部的參考平面所影響而實質上變形。例如,藉由習知的第一掃描線或細線照明步驟及來自該物件所反射之掃描線照明之該習知的擷取(例如,使用習知的3D輪廓相機安裝),以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,該最終的頂部視圖3D掃描流程可以含有或包含產生該整體物件之頂部視圖3D輪廓。此類頂部視圖3D掃描流程造成代表來自具角度的頂部視圖或頂部透視視圖之該整體物件 之該3D輪廓之頂部視圖3D掃描線數據集之該產生。
在該靜置的底視圖3D掃描流程期間,最上方部分的該物件自由地或自然地置放在相同或另一個物件支撐、座落或安置表面上,而不具有外部吸附或壓縮力量之該施加至該物件(除了當該物件之最上方部分自然地置放在該安置表面上時作用在該物件上該自然地產生的重力之外)。因此,該物件並未由於受到強制壓縮靠向組件外部的參考表面影響而變形。該靜置的底部視圖3D掃描流程,例如,藉由習知的第二掃描線或細線照明步驟及由該物件所反射之掃描線照明之該習知的擷取(例如,使用習知的3D輪廓相機安裝),以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,可以含有或包含產生該整體物件之底部視圖3D輪廓。此類的底部視圖3D掃描流程造成代表來自具角度的底部視圖或底部透視視圖之該整體物件之該3D輪廓之底部視圖3D掃描線數據集之該產生。
具有一般熟習該項技藝之人士將更一步地認知到在各種實施例中,在該頂部視圖3D掃描流程期間,若該物件之結構或部分存在著由該物件之該頂部表面沿著該z軸於共同的方向上遠離每一個該物件之該頂部表面及該物件之該底部表面而向外突出,此類該物件之結構或部分可以或將至少部分地成像及擷取於該頂部視圖3D掃描線數據集中;以及/或者沿著該z軸遠離該物件之該頂部表面延伸朝向該物件之該底部表面之部分的一個或一個以上之物件側壁可以或將至少部分地成像或擷取於該頂部視 圖3D掃描線數據集中。類似地,在該底部視圖3D掃描流程期間,若該物件之結構或部分存在著由該物件之該底部表面沿著該z軸於共同的方向上遠離每一個該物件之該底部表面及該物件之該底部表面而向外突出,此類該物件之結構或部分可以至少部分地成像及擷取於該底部視圖3D掃描線數據集中;以及/或者由該頂部表面向下遠離而延伸朝向該物件之該底部表面之部分的一個或一個以上之物件側壁可以是至少部分地成像或擷取於該底部視圖3D掃描線數據集中。
如同上文所顯示,在所考量之該物件是封裝半導體裝置之該事件中(例如,含有一個或一個以上之半導體晶粒或積體電路晶片之成型的封裝),該安置平面可以是該封裝半導體裝置是儲存及/或傳輸(例如,具有封裝半導體裝置可以載入於其內的容納之料帶,諸如藉由料帶及捲料機)於其上或其中之托盤(例如,固態技術協會(JEDEC,JEDEC Solid State Technology Association)托盤)、晶舟或其它類型的平台、基板或媒介(例如,習知的或半導體工業標準/標準化平台、基板或媒介)之部分或容納。在此種情況中,在該頂部視圖3D掃描流程期間,置放靠向該安置平面之最低部分的該封裝半導體裝置可以是來自或超過該成型封裝之該底部表面或下側向外突出朝向及/或至該安置平面之錫球凸塊或電性接觸墊。再者,在該底部視圖3D掃描程期間,置放靠向該安置平面之該封裝半導體裝置之最上方部分可以是該成型的封裝之部分的該頂部或上方表 面。
依據本發明揭露之實施例額外地或另外地包含(a)產生所考慮之物件之3D合成、組合或複合影像,或者等同地、產生用於該物件之3D複合影像數據集;以及(b)依據該產生的3D複合影像或3D複合影像數據集而決定物件特性或性質、檢測該物件及/或估算或評估用於特殊目的或環境(例如,產品環境)之物件適應性及/或可靠度。
在數個實施例中,用於產生物件之3D複合影像或影像數據集之流程包含(i)頂部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟;(ii)底部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟;(iii)側壁影像擷取或影像數據集產生步驟;以及(iv)3D複合影像組裝步驟。
在多個實施例中,該頂部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟包含:執行包含提供或產生諸如藉由使用掃描線或細線照明(例如,當部分的該物件之該底部或底部表面自然地或自由地置放在參考或安置平面上及藉由重力而保留在該參考或安置平面上,在缺乏壓縮或吸附力量之該更進一步的施加至該物件上時)之該物件之該實體頂部表面之3D掃描線或細線輪廓(例如,習知的3D掃描線輪廓)之3D輪廓之頂部表面3D成像步驟,以藉以提供或產生頂部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓數據集;推導、決定或計算由陣列的(x,y)點對應於或透過該頂部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓所定義之參考、最佳搭配或標準 化的頂部表面平面、平面形狀或平面的形狀(例如,在實施例中之線性回歸平面、平面形狀或平面的形狀,例如,實施例可以符合或定義一般幾何形狀或諸如矩形之多邊形);以及數值化或數位化映射、決定或計算該頂部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓相對於或遠離在定義該頂部表面最佳搭配面之橫跨該陣列的(x,y)點之每一個點處的該頂部表面最佳搭配平面之z軸偏移以產生或數值化產生頂部表面的曲率影像或影像數據集,該曲率影像或影像數據集是以陣列的(x,y,z)數值(例如,第一陣列的(x,y,z)數值)所表示、定義或儲存。該頂部表面的曲率影像或影像數據集之任何給定的(x,y,z)數值定義一組像素空間(x,y,z)座標,其中該z座標數值符合、建立或定義該頂部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓在該頂部表面最佳搭配平面之特定像素空間(x,y)點處遠離該頂部表面最佳搭配平面之相對的或標準的z軸偏差。
該前述的頂部表面的曲率影像或影像數據集對應的,可以經由使用以產生或形成用於物件之頂部表面輪廓(TSP,Top Surface Profile)。尤其,該陣列的頂部表面的曲率影像或影像數據集(x,y)數值可以經由使用以產生、建立或提供陣列的頂部表面輪廓(x,y)數值,其中此類的頂部表面輪廓(x,y)數值表示在該物件之該頂部表面及該參考、標準化的或最佳搭配的物件頂部表面平面之間之z軸偏差。因此,該頂部表面輪廓(x,y)數值對應於或數值化與在該物件相對於該參考、標準化的或最佳搭配物件頂 部表面平面之該頂部表面形態或輪廓中之改變相關。該陣列的頂部表面輪廓(x,y)數值因此在(x,y)點上估算或顯示橫跨該物件之該頂部表面之相對的基本形態、z軸或高度方向變化,例如,對應於例如來自於物件應力或翹曲之物件頂部表面高度不均勻性、扭曲。
視實施例細節而定,該頂部表面最佳搭配平面、平面形狀或平面的形狀可以數值化地產生或定義以具有對應於該封裝複合裝置之該頂部表面之該剛製造完成實體側向或最遠離的界限、邊界或邊緣之側向的或最遠離的界限、邊界或邊緣,但是該封裝複合裝置是藉由可選擇的/選擇的、可程式化的或預定數量的像素向內朝向該封裝複合裝置之該頂部表面之該中點或質心以像素空間而平移的、偏移或配置。具有一般熟習該相關技藝之人士將瞭解此類該頂部表面最佳搭配平面之該側向或最遠離邊界或邊緣之向內的像素空間平移或偏移(a)將映射、轉換至或表示可選擇的/選擇的、可程式化的或預定的實體空間距離,諸如特定微米數量,遠離該剛製造完成的封裝複合裝置之該頂部表面之該實際側向或最遠離邊界或邊緣;以及(b)於來自導致在該頂部表面最佳搭配平面之該側向或最遠離邊界或邊緣中之不規則性之一個或一個以上之該剛製造完成的封裝複合裝置的頂部表面側向或最遠離的邊界或邊緣可以輔助於排除實體不規則性。
在各種實施例中,若該物件之該頂部表面承載由該物件之該頂部表面沿著該z軸向外突出之結構並 且該向外突出之結構本身不應該考量為形成或屬於該物件之該頂部表面,曲率影像或影像數據集產生步驟之該頂部表面可以包含頂部表面估算步驟,藉由該頂部表面估算步驟此類結構是由該頂部表面的曲率影像或影像數據集,以藉由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,而數值化排除或移除。
以類似於該上述之方式,在多個實施例中該底部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟包含:執行包含提供或產生諸如藉由使用掃描線或細線照明(例如,當部分的該物件之該頂部或頂部表面自由地置放在該參考或安置平面上及藉由重力而保留在該參考或安置平面上,在缺乏壓縮或吸附力量之該更進一步的施加至該物件上時)之該物件之該實體頂部表面之3D掃描線或細線輪廓(例如,習知的3D掃描線輪廓)之3D輪廓之底部表面3D成像步驟,以藉以提供或產生底部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓數據集;推導、決定或計算由陣列的(x,y)點對應於或透過該底部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓所定義之參考、最佳搭配或標準化的底部表面平面、平面形狀或平面的形狀(例如,在實施例中之線性回歸平面、平面形狀或平面的形狀,例如,實施例可以符合或定義一般幾何形狀或諸如矩形之多邊形);以及數值化或數位化映射、決定或計算該底部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓相對於或遠離在定義該底部表面最佳搭配平面之橫跨該陣列的(x,y)點之每一個點處的該底部表面最佳搭配平面之z軸偏移以產生或數值化 產生底部表面的曲率影像或影像數據集,該曲率影像或影像數據集是以陣列的(x,y,z)數值(例如,第二陣列的(x,y,z)數值)所表示、定義或儲存。該底部表面的曲率影像或影像數據集之任何給定的(x,y,z)數值定義一組像素空間(x,y,z)座標,其中該z座標數值符合、建立或定義該底部表面3D輪廓或3D掃描線輪廓在該底部表面最佳搭配平面之特定像素空間(x,y)點處遠離該底部表面最佳搭配平面之相對的或標準的z軸偏差。
該前述的底部表面的曲率影像或影像數據集對應的,可以經由使用以產生或形成用於該物件之底部表面輪廓(BSP,Bottom Surface Profile)。尤其,該陣列的底部表面的曲率影像或影像數據集(x,y)數值可以經由使用以產生、建立或提供陣列的底部表面輪廓(x,y)數值,其中此類的底部表面輪廓(x,y)數值表示在該物件之該底部表面及該參考、標準化的或最佳搭配的物件頂部表面平面之間之z軸偏差。因此,該底部表面輪廓(x,y)數值對應於或數值化與在該物件相對於該參考、標準化的或最佳搭配物件底部表面平面之該底部表面形態或輪廓中之改變相關。該陣列的底部表面輪廓(x,y)數值因此在(x,y)點上估算或顯示橫跨該物件之該底部表面之相對的基本形態、z軸或高度方向變化,例如,對應於例如來自於物件應力或翹曲之物件底部表面高度不均勻性、扭曲。
視實施例細節而定,該底部表面最佳搭配平面、平面形狀或平面的形狀可以數值化地產生或定義, 以具有對應於該封裝複合裝置之該底部表面之該剛製造完成實體側向或最遠離的界限、邊界或邊緣之側向的或最遠離的界限、邊界或邊緣,但是該封裝複合裝置是藉由可選擇的/選擇的、可程式化的或預定數量的像素向內朝向該封裝複合裝置之該底部表面之該中點或質心以像素空間而平移的、偏移或配置。具有一般熟習該相關技藝之人士將瞭解此類該底部表面最佳搭配平面之該側向或最遠離邊界或邊緣之向內的像素空間平移或偏移(a)將映射、轉換至或表示可選擇的/選擇的、可程式化的或預定的實體空間距離,諸如特定微米數量,遠離該剛製造完成的封裝複合裝置之該底部表面之該實際側向或最遠離邊界或邊緣;以及(b)於來自導致在該底部表面最佳搭配平面之該側向或最遠離邊界或邊緣中之不規則性之一個或一個以上之該剛製造完成的封裝複合裝置的底部表面側向或最遠離的邊界或邊緣可以輔助於排除實體不規則性。
在各種實施例中,若該物件之該底部表面承載由該物件之該底部表面沿著該z軸向外突出之結構並且該向外突出之結構本身可以不考量或不應該考量為形成或屬於該物件之該底部表面(例如,錫球凸塊或電性接觸墊),曲率影像或影像數據集產生步驟之該底部表面可以包含底部表面估算步驟,藉由該底部表面估算步驟此類結構是由該底部表面的曲率影像或影像數據集,以藉由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,而數值化排除或移除。
該物件周圍或側壁影像擷取步驟包含提供、擷取或產生用於每一個至少兩個物件側壁(例如,至少兩個相對的物件側壁)之2D影像或影像數據集,意即產生用於複數個物件側壁之2D影像或影像數據集,諸如至少兩個相對的物件側壁。在數個實施例中,對於具有四個側壁之物件,該側壁影像擷取步驟包含擷取每一個該物件的四個側壁之2D影像或影像數據集。多個物件側壁之該擷取(例如,四個物件側壁),以藉由具有一般熱習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,可以藉由習知的多個側端物件成像/影像擷取/檢測裝置或系統而同時地執行。
該3D複合影像組裝步驟包含數位化參考、對準與聯合及結合至少角落部分或點,及/或可能地一個或一個以上之外部邊緣或邊界部分或區段,在每一個(a)曲率影像或影像數據集或頂部表面輪廓(x,y)數據集之該頂部表面中及(b)具有對應的角落、邊緣、邊界或z軸極限部分或點在至少兩個或每一個該複數個擷取的2D側壁影像或影像數據集中之曲率影像或影像數據集或底部表面輪廓(x,y)數據集之該底部表面中;以及儲存該聯合的或結合的(i)頂部表面的曲率影像或影像數據集或頂部表面輪廓(x,y)數據集,(ii)底部表面的曲率影像或影像數據集或底部表面輪廓(x,y)數據集,以及(iii)側壁影像或影像數據集作為該3D複合影像或影像數據集(例如,單一3D複合影像或影像數據集)。
如同具有一般熟習該相關技藝之人士所將 會輕易瞭解的,在該3D複合影像或影像數據集中,在像素空間中之每一個像素之該尺寸或維度符合及可以參考、映射或轉換至在真實空間中之已知實體區域之該尺寸或維度。再者,考慮到光學系統放大率及影像感測器解析度,具有一般熟習該相關技藝之人士將完全地瞭解像素空間維度如何可以映射或轉換至實體的或真實的空間維度。具有一般熟習該項技藝之人士將額外地瞭解在各種實施例中,在聯合或結合該頂部表面的曲率影像或影像數據集、該底部表面的曲率影像或影像數據集及該側壁影像或影像數據集一起之前或與之聯結,每一個像素在該頂部表面的曲率影像或影像數據集、該底部表面的曲率影像或影像數據集及每一個側壁影像或影像數據集中之該尺寸或維度可以建立成為彼此相等或相對於彼此而適當地縮放,以形成該3D複合影像或影像數據集以輕易促進3D複合影像或影像數據集像素空間至實體空間維度映射或轉換。
再者,在形成該3D複合影像之前或聯結該3D複合影像,該頂部表面的曲率影像或影像數據集之該像素空間範圍、區域或深寬比及該底部表面的曲率影像或影像數據集之該像素空間範圍、區域或深寬比可以相對於該2D側壁影像之該像素空間位置或區域而縮放,使得該頂部表面的曲率影像或影像數據集及該底部表面的曲率影像或影像數據集之角落部分或點可以相對於及與該2D側壁影像或影像數據集之對應的角落或邊緣部分或點連結、聯合、匹配、合併或結合而對準或暫存。因此,建立在第一 像素空間之每一個該頂部表面的曲率影像或影像數據集及該頂部表面的曲率影像或影像數據集之該(x,y)深寬比可以依需求相對於建立在不同的或可與該複數個2D側壁影像或影像數據集之該第一像素空間區別之第二像素空間中之該(x,y)位置或座標而縮放,該頂部表面的曲率影像或影像數據集及該頂部表面的曲率影像或影像數據集分別地對應於該物件從頂部視圖及底部視圖之該實體的空間維度。再者,依據頂部表面像素空間所建立之該頂部表面的曲率影像或影像數據集之剛擷取的(x,y)深寬比及/或依據底部表面像素空間所建立之該底部表面的曲率影像或影像數據集之剛擷取的(x,y)深寬比可以經由縮放以與依據側壁影像像素空間所建立之該2D側壁影像之該(x,y)區域或位置,以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,而對準、配對或匹配,該底部表面像素空間可以相同於或不同於該頂部表面像素空間。
基於前文所述,依據本發明揭露之實施例可以額外地產生或決定橫跨至少部分的該物件的(x,y)範圍或表面區域之(x,y)陣列的物件本體z軸讀值、測量或厚度數值,其中此類(x,y)物件本體厚度數值符合、估算或顯示在特定的(x,y)點處之該物件的本體之該厚度,不包括由在z軸方向上突出之該物件的本體所承載之結構(例如,錫球)。尤其,基於或使用該3D複合影像數據集,依據本發明揭露之各種的實施例決定或產生(x,y)陣列的真實物件本體厚度(TOMBT,True Object Main Body Thickness)數 值,意即,諸如整體成型厚度(x,y)數值之陣列的真實物件本體厚度(x,y)數值,其中任何給定的真實物件本體厚度(x,y)數值或整體成型厚度(x,y)數值是表示於該3D複合影像在該特定(x,y)點處在該頂部表面輪廓及該底部表面輪廓之間之該z軸距離或分隔(在像素空間中或如同映射至或計算用於實體的/真實的空間)之數字。一旦該3D複合影像已經產生後,真實物件本體厚度(x,y)或整體成型厚度(x,y)數值可以以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式藉由減法操作所決定。
依據本發明揭露之檢測流程之各種實施例更包含基於或使用藉由該物件成像或掃描步驟所產生或決定之該3D複合影像或影像數據集、該陣列的整體成型厚度(x,y)值及/或其它資訊而估算、決定或測量一組物件特性、性質或參數。此類的物件特性或性質可以包含在該物件頂部表面及物件底部表面之間之最大物件本體厚度(TMT max)及/或最小物件本體厚度(TMT min);及/或表示在一個或一個以上之側壁或沿著特定的物件側壁之間之物件z軸輪廓、凸起及/或薄化之一個或一個以上之測量的或數值化推導的(例如,曲線匹配)數學函數;以及/或者其它物件性質。
如同上文所顯示對於該頂部視圖3D掃描流程及該底部視圖3D掃描流程,在對應於該物件之該頂部表面之該3D掃描線輪廓之該產生及該物件之該底部表面之該3D掃描線輪廓之該產生之掃描線影像擷取步驟期 間,在至少某些代表性的實施例(例如,該前述的第一代表性實施例)中,該物件是分別地具有本身的頂部表面曝露的或本身的底部表面曝露的而自由地或自然地置放在安置平面上。例如,若該物件是封裝半導體組件,該物件可以置放在結合該組件之該頂部及/或底部物件表面之該3D掃描線輪廓之該產生之標準托盤(例如,固態技術協會托盤)、晶舟或料帶之中或之上。因此,在該組件頂部及底部表面之該3D掃描線輪廓之該產生期間,該組件並未由於受到吸附噴嘴之固定及/或受到強制壓縮靠向組件外部參考平面影響而實體上扭曲或變形。因此,依據本發明揭露之實施例所產生之3D複合影像或影像數據集相較於先前的3D物件檢測技術而提供該組件之精確的或更為精確的3D表示,其中潛在可變形的物件在影像擷取操作期間是受到不必要的外部施加的力量或應力所影響。
在其它實施例中,當該封裝之部分的底部或頂部表面之該區域(例如,低於或等於10%-50%,如同上文所提及)分別地是藉由諸如吸附/真空噴嘴之提取裝置所固定或承載時,其中一個或每一個該頂部視圖3D成像或掃描流程及該底部視圖3D成像或掃描流程可以產生。在此類的實施例中,上文所描述之每一個影像及影像數據集之該產生,以及為了產生及分析或評估該3D複合影像數據集所執行之該操作針對上文所描述之方式是相同的、實質上相同的或類似的。
除了該上述,依據本發明揭露之實施例, 當精確的物件測量可以經由該3D複合影像或影像數據集所推導或獲得而不需要用於參考該物件至物件外部的基準之任何部分時,並不需要或使用結合產生該3D複合影像或影像數據集之物件外部的或物件外在的參考基準。若有需求或需要,基於物件的、物件本質的/物件內部的或物件參考表面基準可以由該3D複合影像或影像數據集而數值化推導或產生。
進一步地針對前述,關於一系列或順序的多個物件之該3D檢測(例如,在高速或高產出製造環境中),在某些實施例中,依據該3D複合影像,一個或一以上之該頂部視圖3D掃描流程;該底部視圖3D掃描流程、該頂部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟;該底部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟;該側壁影像擷取或影像數據集產生步驟;該3D複合影像組裝步驟;以及物件特性或評估流程(例如,物件通過/失效指定)可以(a)即時的,例如,當該多個物件是在運動中,及/或(b)該物件可以經傳輸或轉移所透過之在不同的、區隔的或分別的處理平台處而產生。
第1-11圖依據本發明揭露於下文將作描述以更進一步輔助瞭解實施例之特定的目的。
第1圖說明對應於位在成型的封裝(諸如受到塗覆或圍繞或者在由一種或一種類型以上之聚合物成型材料或混合物(例如,封裝複合裝置)所製成之封裝內所含有或覆蓋之積體電路裝置或晶片)中之半導體裝置之特定 表示的封裝物件參數,包含整體封裝厚度(TPT,Total Package Thickness)及整體成型厚度(TMT,Total Mold Thickness)參數,該參數可以依據本發明揭露之各種實施例而估算、決定、計算或測量。代表性的正交(x,y,z)軸亦顯示於第1圖中,其中,以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,z軸距離是經由定義以對應封裝高度或厚度,並且x及y軸對應封裝長度及寬度或含有該頂部封裝表面及該底部封裝表面之至少部分的該橫斷區域之一組平面。
通常,整體成型厚度參數估算、顯示或測量配置在該半導體裝置周圍或在該半導體裝置位在的內部中之聚合物成型混合物之實際的垂直或z軸厚度,排除垂直地突出遠離該成型混合物之該頂部及底部表面之錫球或其它類型的結構。尤其,如同在第1圖中所顯示,在各種實施例中,對於給定的封裝,最大整體成型厚度(TMT max)可以定義為橫跨該封裝之該(x,y)範圍、跨度或區域之最大成型混合物厚度,例如,橫跨該封裝之該長度及寬度之封裝材料或成型混合物之最大厚度(該封裝對應於、平行於或位在(x,y)平面內),排除在垂直或z軸方向上延伸遠離該封裝之該頂部及底部表面之錫球及其它類型的非封裝材料突出物。同樣地,最小整體成型厚度(TMT min)可以定義為橫跨該封裝之該(x,y)範圍、跨度或區域之最小成型混合物厚度,例如,橫跨該封裝之該長度及寬度之封裝材料或成型混合物之最小厚度(該封裝對應於、平行於或位在(x,y) 平面內),排除在垂直或z軸方向上延伸遠離該封裝之該頂部及底部表面之錫球及其它類型的非封裝材料突出物。
再者,具有一般熟習該相關技藝之人士將輕易瞭解到對應於或橫跨該封裝之該(x,y)區域之真實成型厚度(x,y)輪廓或陣列的整體成型厚度(x,y)數值可以依據本發明揭露之實施例而定義、評估、估算或測量,該揭露顯示在多個或很多(例如,數個、幾十個、幾百個或幾千個)(x,y)座標或點處橫跨至少部分的該封裝之該(x,y)範圍、跨度或表面區域之該封裝成型混合物之厚度數值或相對厚度數值,以及/或者在該最大整體成型厚度(TMT max)及該最小整體成型厚度(TMT min)之間在此類(x,y)座標或點處於該封裝成型混合物厚度中之垂直的或z軸變化。
用於該封裝之整體封裝厚度可以定義為橫跨該封裝之該(x,y)範圍、跨度或表面區域之最大垂直或z軸距離或在錫球上之最低點或由該封裝所承載或突出遠離該封裝(例如,延伸低於該封裝之該底部表面)之其它類型的非封裝材料結構及由該封裝成型混合物在該封裝之該相對的表面上所形成之最高點之間之跨度。因此,該封裝整體封裝厚度可以定義為橫跨該封裝之該長度及寬度在錫球(或垂直突出遠離該封裝成型混合物之該底部表面之其它類型的結構)之該底部及該封裝成型混合物之該頂部表面之間該最大距離。此類的錫球可以接觸或置放靠向封裝座落或安置平面,但是視該封裝成型混合物之該剛製造完成的3D輪廓及由該封裝成型混合物所承載之該錫球(或視況 而定之其它類型的垂直突出物)而定,並不一定要這樣做。
如同上文所顯示的,掃描線或細線成像可以使用於結合物件之3D輪廓檢測,諸如依據本發明揭露之至少某些實施例之封裝半導體裝置。第2A-2C圖提供說明,以具有一般熟習該相關技藝之人士將能輕易瞭解之方式,用於產生此類封裝底部表面(例如,3D掃描線數據集)之3D輪廓影像或影像數據集之封裝裝置之代表性的底部表面之掃描線或細線成像之目的之代表性影像。如同具有一般熟習該相關技藝之人士由第2A-2C圖將能明確地瞭解,掃描線或細線成像在各種實施例中可以以習知的方式而產生。在代表的實施例或實現中,如同具有一般熟習該相關技藝之人士也將輕易地瞭解,雖然其它(例如,較寬的或較窄的)照明線寬度可以使用,給定照明掃描線之該厚度可以在10-20微米之間(例如15微米)。再者,習知的3D輪廓相機(例如,該3D輪廓相機包含、是基於或是為區域掃描相機)可以使用於或形成用於產生對應該3D輪廓相機之3D掃描輪廓影像及3D掃描線輪廓數據集之部分的掃描線或細線照明及成像裝置,作為用於產生物件之3D複合影像及決定物件性質之部分的系統或裝置,諸如依據本發明揭露基於該3D複合影像之整體封裝厚度及/或整體成型厚度性質、參數或數值。
第3圖顯示結合封裝半導體裝置之3D光學檢測之目的所產生及擷取之部分的代表性的底部視圖3D輪廓影像,以及可以依據本發明揭露之實施例由該代表性 的底部視圖3D輪廓影像所決定之代表性類型的資訊或參數數值。如同在第3圖中所顯示,由底部視圖3D掃描線輪廓影像,對於至少某些錫球,球高度(BH,Ball Height)數值可以決定,其中任何給定的球高度是由在定義該封裝接近或最近於該錫球之該底部表面之該成型混合物之該外部表面及在最遠離承載該錫球之該封裝之該部分的該底部表面之該錫球上之周圍點或末端之間之垂直的或z軸距離所定義。
此外,球共面度(CO,Coplanarity)數值可以決定,其中對於任何給定的錫球,對應的共面度數值是藉由在該錫球之該末端及用於該封裝之全域平面之間之垂直的或z軸距離所定義,該用於該封裝之全域平面是經由計算或定義以接觸或通過具有對於該封裝之該最大或最高球高度(Ball Height,BH)數值之錫球之該末端。
再者,對應於該封裝之該底部表面之陣列的底部表面輪廓(x,y)點是如同上文所顯示而決定。
第4圖顯示依據本發明揭露之實施例,以具有一般熟習該相關技藝之人士將可輕易瞭解之方式,說明封裝半導體裝置之代表性頂部表面之掃描線或細線成像之目的之一組代表性的頂部視圖影像及產生對應於該組代表性的頂部視圖影像之3D輪廓影像或影像數據集。如同具有一般熟習該相關技藝之人士將明確地瞭解,此類的掃描線及細線成像在各種實施例中可以以習知的方式而產生。
第5圖顯示結合封裝半導體裝置之3D光學檢測之目的所產生或擷取之代表性頂部視圖3D輪廓影像,以及依據本發明揭露之實施例可以由該代表性頂部視圖3D輪廓影像所決定之資訊或參數數值之代表性類型。
依據該擷取的頂部視圖3D輪廓影像,對應於該封裝之該頂部表面之陣列的頂部表面輪廓(x,y)點是如同上述所顯示而決定。此外,整體封裝厚度數值可以依據該擷取的頂部視圖3D輪廓影像而決定作為在該封裝之較低的或最低的部分所置放其上或靠向之該封裝座落或安置平面之該上方或朝上表面及沿著該z軸由該封裝座落或安置平面之該朝上表面最遠離或相對於該封裝座落或安置平面之該朝上表面最高之該封裝之該頂部表面上之點之間的最大距離。
第6圖顯示依據本發明揭露之實施例結合封裝半導體裝置之光學檢測之目的所擷取之代表性的複數個2D側壁影像。此類的2D側壁影像可以對應於、提供或定義該封裝半導體裝置之側壁基板輪廓(SSP,Side Substrate Profile)。在各種實施例中,2D側壁影像可以藉由經配置用於多面物件、組件或封裝檢測之裝置或系統所擷取,諸如習知的或商業上可獲得的4面或5面檢測裝置,例如,美國專利編號9,816,938所描述之該類型之裝置,該專利在此以本身全部內容,或者類似或相似類型的裝置參照併入。
第7A圖示意性說明依據本發明揭露之實 施例藉由底部表面3D成像或掃描流程、頂部表面3D成像或掃描流程及2D側壁成像或掃描流程(例如,4面檢測流程)之特定資訊、影像或數據集之該產生。對應於封裝之3D底部基板輪廓(例如,由陣列的底部基板輪廓(x,y)數值所定義)、3D頂部基板輪廓(例如,由陣列的頂部基板輪廓(x,y)數值所定義)及側端基板輪廓可以經由組合以形成3D複合影像,陣列的整體成型厚度(x,y)數值如同上文所顯示可以由該3D複合影像所決定或計算。
第7B圖依據本發明揭露之實施例更進而示意性說明組合封裝半導體置之該3D底部基板輪廓、該3D頂部基板輪廓及複數個2D側壁影像之目的以形成該封裝半導體裝置之3D複合影像。該封裝半導體裝置之該3D複合影像,以藉由具有一般熟習該相關技藝之人士將輕易瞭解之方式,是基於該3D底部基板輪廓(x,y數值)、該3D頂部基板輪廓(x,y數值)及該側端基板輪廓之該實體的封裝半導體裝置之該實際的3D形狀之數位估算或重建。
第8A圖顯示依據本發明揭露之實施例用於代表性的11.5mm×13mm封裝之3D複合影像產生之目的;以及第8B圖顯示用於對應第8A圖之該代表性的11.5mm×13mm封裝之該3D複合影像之三個實際的11.5mm×13mm裝置之代表性的影像及測量或評估結果。第8C圖顯示依據本發明揭露之實施例用於七個實際的11.5mm×13mm封裝所產生之基於3D複合影像之特定的數值化評估或測量結果。
第9A圖顯示依據本發明揭露之實施例用於三個實際14mm×18mm封裝所產生之對應3D複合影像之代表性影像及測量或評估結果。第9B圖顯示依據本發明揭露之實施例用於七個實際的14mm×18mm封裝所產生之基於3D複合影像之代表性的評估或測量結果。
第10圖顯示對於參考或“黃金單元(Golden Unit)”封裝在(a)依據本發明揭露之實施例所產生之基於3D複合影像之3D光學檢測測量及(b)使用光學顯微鏡所達成之測量之間之測量比較。
關於用於產生物件之3D複合影像及決定諸如整體封裝厚度及/或整體成型厚度性質、參數或數值之物件性質之系統、裝置或機器,依據本發明揭露之基於該性質,在各種實施例中特定的3D物件處理或光學檢測平台、裝置、機器或系統可以經由配置用於執行3D物件頂部表面及底部表面檢測步驟或操作(例如,一個或一個以上之部分的該頂部視圖3D掃描流程;該底部視圖3D掃描流程、該頂部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟;及/或該底部表面的曲率影像或影像數據集產生步驟)之一個或一個以上之目的。特定的2D(及/或3D)物件處理或光學檢測平台、裝置或系統亦可以經由配置用於執行物件側壁檢測步驟或操作(例如,部分的該物件側壁掃描流程及物件側壁影像或影像數據集之該產生)之一個或一個以上之目的。此類的3D及2D物件處理或檢測平台、裝置、機器或系統,以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解 之方式,可以在一組可程式化的、特定編程的或特定經由配置的或架構的處理資源、單元或裝置(例如,一個或一個以上之微處理器、微控制器、特定配置的現場可程式化閘陣列(FPGA(Field Programmable Gate Array)或可程式化邏輯裝置(PLD,Programmable Logic Device)及/或狀態機)之該控制下而操作。依據本發明揭露之實施例由系統裝置或機器所獲得、提供、產生或擷取之影像或影像數據集可以在由一個或一個以上之此類的處理資源上所操作。因此,此類的處理資源依據本發明揭露之實施例可以經使用以操作在3D及2D影像數據集上以產生3D複合影像。依據本發明揭露之實施例所提供、生產、獲得、產生或擷取之影像或影像數據集可以位在或經儲存在一個或一個以上之類型的電腦可讀取的儲存媒介中,諸如一組電腦或電子記憶體及/或其它類型的資料儲存裝置(例如,電晶體型資料儲存裝置或非電晶體型資料儲存裝置),該資料儲存裝置可以是習知的。依據本發明揭露之實施例,管理或控制針對一個或一個以上之部分的系統或裝置及產生、分析或評估3D複合影像之該操作之該處理資源之該操作之程式指令集(例如,軟體、靭體、微碼)及/或硬體配置資料集亦可以位於或經儲存於一個或一個以上之類型的電腦可讀取的儲存媒介中。
視實施例細節而定,依據本發明揭露之系統或裝置,以由具有一般熟習該相關技藝之人士所輕易瞭解之方式,可以經由配置用於處理、傳輸及或成像放置在 群組、聯合或平行配置中之個別的物件或多個物件。
在代表性的實施例或實現中,依據本發明揭露之實施例之經配置用於物件檢測之系統、裝置或機器是由新加坡Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd.(STI)公司購得之Hexa或Hexa型檢測系統或機器,如同上文所提,該揭露提供3D及2D物件成像、掃描或影像擷取能力及該揭露包含多個處理平台於該機器中。
第11圖為依據本發明揭露之實施例基於該方法而用於產生物件之3D複合影像及決定諸如整體封裝厚度及/或整體成型厚度性質、參數或數值的物件性質之系統、裝置或機器10之示意性方塊圖說明。在實施例中,該系統10包含一組處理單元100;一組使用者介面及/或輸入-輸出裝置(例如,一個或一個以上之電腦或嵌入式系統鍵盤或小型鍵盤及顯示裝置)110;經配置用於無線及/或有線型數據通訊之一組通訊單元及/或網路介面120;底部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置130(例如,該底部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置130包含3D掃描線輪廓產生裝置或一組裝置);頂部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置140(例如,該頂部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置140包含3D掃描線輪廓產生裝置或一組裝置);側壁檢測、成像或掃描裝置150;以及記憶體200。操作系統210、成像數據集記憶體、儲存及/或數據庫220及各種軟體模組或程式指令集位在該記憶體200內部。在代表性的實施例中,此類程式指令集包含經配置用 於管理或控制由底部表面3D檢測平台130所執行的操作之至少一個程式指令集230;經配置用於管理或控制由頂部表面3D檢測平台140所執行的操作之至少一個程式指令集240;經配置用於管理或控制由側壁檢測平台150所執行的操作之至少一個程式指令集250;經配置用於產生3D複合影像之至少一個程式指令集260;經配置用於產生諸如在此所描述之整體封裝厚度及/或整體成型厚度數值之至少一個程式指令集270;以及基於產生的3D複合影像及/或對應於該3D複合影像之整體封裝厚度及/或整體成型厚度數值而經配置用於分析、評估或特性化物件特性或性質之可能至少一個程式指令集280。
在該上文的描述中,依據本發明揭露之特定的實施例,非限定的代表性例示系統、次系統、裝置、設備、裝置及流程已經做描述。具有一般熟習該相關技藝之人士將可輕易瞭解的是針對上文所描述之該實施例之特定的形式、配置及/或結構可以做各種修正,而不會違背依據本發明揭露之實施例之該範疇,本發明揭露僅由該下文申請專利範圍所限定。
10‧‧‧系統、裝置或機器
100‧‧‧處理單元
110‧‧‧使用者介面及/或輸入-輸出裝置
120‧‧‧通訊單元及/或網路介面
130‧‧‧底部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置
140‧‧‧頂部表面3D檢測、成像或掃描平台或裝置
150‧‧‧側壁檢測、成像或掃描裝置
200‧‧‧記憶體
210‧‧‧操作系統
220‧‧‧成像數據集記憶體、儲存及/或數據庫
230、240、250、260、270、280‧‧‧程式指令集
Claims (18)
- 一種用於物件之3D檢測之方法,每一個物件包括本體,該本體具有頂部表面、底部表面、以及於z軸方向上垂直地延伸在該物件之該頂部表面及該底部表面之間之複數個側壁,該方法包括:當(a)該物件頂部表面自由地置放在第一物件安置表面上並且除了重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(b)該物件頂部表面是藉由第一吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該頂部表面靠向不同於第一吸嘴之第一參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件底部表面之3D輪廓影像及產生對應的底部表面3D輪廓影像數據集;當(c)該物件底部表面自由地置放在該第一或第二物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(d)該物件底部表面是藉由該第一或第二吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該底部表面靠向不同於該第二吸嘴之每一個該第一參考結構及第二參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件頂部表面之3D輪廓影像及產生對應的頂部表面3D輪廓影像數據集;擷取該物件之複數個側壁影像及產生對應的側壁影像數據集;以及依據或使用該底部表面3D輪廓影像數據集、該頂部表面3D輪廓影像數據集及該側壁影像數據集而產生 對應於該物件之3D數位重建或估算之3D複合影像數據集。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該底部表面3D輪廓影像數據集是藉由橫跨該物件之該底部表面之區域所執行之底部表面3D掃描線成像步驟所產生,並且該頂部表面3D輪廓影像數據集是藉由橫跨該物件之該頂部表面之區域所執行之頂部表面3D掃描線成像步驟所產生。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一物件安置表面相對於該物件之至少一個該頂部表面及該底部表面之表面區域是平面的,並且/或者該第二物件安置表面相對於該物件之至少一個該頂部表面及該底部表面之表面區域是平面的。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中在該物件底部表面之該3D輪廓影像之該擷取期間,(a)該物件頂部表面自由地置放在該第一物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,以及在該物件頂部表面之該3D輪廓影像之該擷取期間,(c)該物件底部表面自由地置放在該第一或第二物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中:當擷取該3D底部表面輪廓時,在該物件底部表面之該3D輪廓影像之該擷取期間,(a)該物件頂部表面自由地置放在該第一物件安置表面上並且除了該重力之 外該物件並未受到外部壓縮力量,而當擷取該3D頂部表面輪廓時,(d)該物件底部表面可以藉由該第一或該第二吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該底部表面靠向每一個該第一參考結構及第二參考結構之強制的壓縮;或者當擷取該3D底部表面輪廓時,(b)該物件頂部表面是藉由該第一吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該頂部表面靠向該第一參考結構之強制的壓縮,而當擷取該3D頂部表面輪廓時,(c)該物件底部表面自由地置放在其中一個第一安置結構及該第二安置結構上。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該物件包括封裝的半導體裝置,並且其中當該物件安置在相對於該半導體產業具有標準化設計之載盤、平台或媒介中並且該載盤、平台或媒介是使用於儲存或輸送封裝的半導體裝置時,擷取其中一個該物件頂部表面之該3D輪廓影像及該物件底部表面之該3D輪廓影像。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中該標準的載盤、平台或媒介包括經配置用於承載預定尺寸之封裝的半導體裝置之其中一個工業標準托盤、工業標準晶舟或工業標準料帶結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中產生該3D複合影像數據集包括產生每一個曲率影像數據集之底部表面及曲率影像數據集之頂部表面。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法,其中產生該曲率影像數據集之底部表面包括:數值化決定定義對應於該物件之實體底部表面的參考底部表面平面之陣列的(x,y)數值;以及對於在該參考底部表面平面內之在該陣列的(x,y)數值中的每一個(x,y)數值,數值化決定在該底部表面3D輪廓影像數據集及該參考底部表面平面之間之z軸偏差。
- 如申請專利範圍第9項所述之方法,更包括對於每一個(x,y)數值,將在該底部表面3D輪廓影像數據集及該底部表面參考平面之間之該z軸偏差儲存為底部表面輪廓(BSP,Bottom Surface Profile)數據集,該底部表面輪廓數據集包括對應於相對於該z軸之實體物件頂部表面非均勻性之(x,y)陣列的底部表面輪廓數值。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法,其中產生該曲率影像數據集之頂部表面包括:數值化決定定義對應於該物件之實體頂部表面的參考頂部表面平面之陣列的(x,y)數值;以及對於在該參考底部表面平面內之在該陣列的(x,y)數值中的每一個(x,y)數值,數值化決定在該頂部表面3D輪廓影像數據集及該參考底部表面平面之間之z軸偏差。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法,更包括對於每一個(x,y)數值,將在該頂部表面3D輪廓影像數據集及該 頂部表面參考平面之間之該z軸偏差儲存為頂部表面輪廓(TSP,Top Surface Profile)數據集,該頂部表面輪廓數據集包括對應於相對於該z軸之實體物件頂部表面非均勻性之(x,y)陣列的頂部表面輪廓數值。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法,其中產生該3D複合影像數據集更包括將該底部表面輪廓數據集、該頂部表面輪廓數據集及該側壁影像數據集相對於彼此數位化對準或暫存,以及將該數位化對準或暫存的底部表面輪廓數據集、頂部表面輪廓數據集及側壁數據集拼接在一起。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法,更包括產生真實物件本體厚度(TOMBT,True Object Main Body Thickness)數據集,在該真實物件本體厚度數據集中,任何給定的真實物件本體厚度(x,y)數值表示在該3D複合影像內在特定的(x,y)點處在該頂部表面輪廓及該底部表面輪廓之間之z軸距離。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括藉由分析該物件底部表面之該3D輪廓影像及該物件頂部表面之該3D輪廓影像而決定整體物件厚度(TOT,Total Object Thickness)數值;以及決定在該物件底部表面之該3D輪廓影像中之最低實體物件結構及在該物件頂部表面之該3D輪廓影像中之最高實體物件結構之間之最大z軸距離。
- 一種用於物件之3D檢測之系統,每一個物件包括本 體,該本體具有頂部表面、底部表面、以及在z軸方向上垂直地延伸在該物件之該頂部表面及該底部表面之間之複數個側壁,該裝置包括:一組3D物件成像或掃描平台,經配置用於成像或掃描每一個該物件底部表面及該物件頂部表面以及產生3D物件底部表面數據集及3D物件頂部表面數據集,分別地藉由:(i)當(a)該物件頂部表面自由地置放在第一物件安置表面上並且除了重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(b)該物件頂部表面是藉由第一吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該頂部表面靠向不同於第一吸嘴之第一參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件底部表面之3D輪廓影像及產生對應的底部表面3D輪廓影像數據集;以及(ii)當(c)該物件底部表面自由地置放在該第一或第二物件安置表面上並且除了該重力之外該物件並未受到外部壓縮力量,或者(d)該物件底部表面是藉由該第一或第二吸嘴利用吸附力量所固定並且避免該物件之該底部表面靠向不同於該第二吸嘴之每一個該第一參考結構及第二參考結構之強制的壓縮時,擷取該物件頂部表面之3D輪廓影像及產生對應的頂部表面3D輪廓影像數據集;物件側壁掃描平台,經配置用於成像或掃描複數 個物件側壁;至少一個處理單元;以及記憶體,儲存一組程式指令,經配置依據或使用該底部表面3D輪廓影像數據集、該頂部表面3D輪廓影像數據集及側壁影像數據集儲存產生對應該物件之3D數位重建或估算之3D複合影像數據集。
- 如申請專利範圍第16項所述之系統,其中該組3D物件成像或掃描平台包括至少一個3D掃描線輪廓成像裝置。
- 如申請專利範圍第16項所述之系統,其中該物件側壁掃描平台包括經配置用於同時地成像或掃描多個物件側壁之裝置。
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