TW201731918A - 聚醯亞胺、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板 - Google Patents
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- TW201731918A TW201731918A TW105107703A TW105107703A TW201731918A TW 201731918 A TW201731918 A TW 201731918A TW 105107703 A TW105107703 A TW 105107703A TW 105107703 A TW105107703 A TW 105107703A TW 201731918 A TW201731918 A TW 201731918A
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- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 title claims abstract description 64
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 title claims abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 65
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 title description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 21
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 15
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical group C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N bpda Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 WKDNYTOXBCRNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 9
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N guanazole Chemical compound NC1=NNC(N)=N1 PKWIYNIDEDLDCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 abstract 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 abstract 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- -1 tetracarboxylic dianhydride compound Chemical class 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004227 thermal cracking Methods 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- MDTUWBLTRPRXBX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-3-one Chemical class O=C1N=CN=N1 MDTUWBLTRPRXBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylimidazolidin-4-one Chemical compound CN1CN(C)C(=O)C1 YJUUZFWMKJBVFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dicarboxyphenyl)phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O GWHLJVMSZRKEAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLQWMCSSZKNOLQ-UHFFFAOYSA-N 3-(2,5-dioxooxolan-3-yl)oxolane-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)CC1C1C(=O)OC(=O)C1 OLQWMCSSZKNOLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 3-[(2,3-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(CC=2C(=C(C(O)=O)C=CC=2)C(O)=O)=C1C(O)=O TYKLCAKICHXQNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 3-[1-(2,3-dicarboxyphenyl)ethyl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UCFMKTNJZCYBBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(2,3-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O PAHZZOIHRHCHTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 4-[(3,4-dicarboxyphenyl)methyl]phthalic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C1CC1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 IWXCYYWDGDDPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(3,4-dicarboxyphenyl)propan-2-yl]phthalic acid Chemical compound C=1C=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 GEYAGBVEAJGCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 4-phenylbenzene-1,2,3,5-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C(O)=O)=C1C1=CC=CC=C1 CQMIJLIXKMKFQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014291 N—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O GCAIEATUVJFSMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- STZIXLPVKZUAMV-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,1,2,2-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCC1(C(O)=O)C(O)=O STZIXLPVKZUAMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 OBKARQMATMRWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C=C2C=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC2=C1 DOBFTMLCEYUAQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C3=CC=C(C(=O)O)C(C(O)=O)=C3C=CC2=C1C(O)=O UMSVUULWTOXCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
- C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
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- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2203/00—Foams characterized by the expanding agent
- C08J2203/16—Unsaturated hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
- C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
一種聚醯亞胺，包括以式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：□(I)□(II) 其中，Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基、D係包括伸苯基及伸苯醚基、E係為包括三唑的二價有機基以及d及e係分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
Description
本發明係關於聚醯亞胺、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板，且特別有關於一種具有含氮雜環之聚醯亞胺聚合物、包括所述聚醯亞胺的聚醯亞胺膜以及包括所述聚醯亞胺膜的軟性銅箔基板。
隨著電子產品逐漸朝向輕薄的趨勢發展，軟性電路板的使用需求量也大幅提升。一般而言，軟性電路板至少包括軟性基板以及貼覆於軟性基板上之導電線路，由於導電線路具有特定的布局設計，因此其可將電訊號沿著預定之路徑傳遞至預定區域。
對於軟性基板係為聚醯亞胺基板的情況，軟性電路板製作方法可包括下列步驟：首先將聚醯胺酸溶液塗佈於金屬箔上，之後進行加熱，使聚醯胺酸溶液在金屬箔上進行脫水反應，而形成聚醯亞胺薄膜。接著，圖案化金屬箔，以形成所需的導電線路圖案。此外，在塗佈聚醯胺酸溶液之前，可另行在金屬箔上塗佈一層黏著層，以增進後續聚醯亞胺薄膜和金屬箔的接著性。
然而，即便上述的軟性電路板及其製作方法已經廣為業界所採用，其仍存有諸多技術缺失。舉例而言，當金屬箔選自低表面粗糙度以及厚度較薄的壓延銅箔時，黏著層仍無法賦予聚醯亞胺薄膜和銅箔良好的接著性，且圖案化後的軟性電路板也會因為黏著層之存在而產生捲曲之問題。
因此，仍有必要提供一種聚醯亞胺聚合物、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板以解決習知技術中所存在之缺失。
有鑑於此，本發明係提供一種具有含氮雜環之聚醯亞胺、包括所述聚醯亞胺的聚醯亞胺膜以及包括所述聚醯亞胺膜的軟性銅箔基板，以解決上述習知技術中之缺失。
根據本發明之一實施例，係提供一種聚醯亞胺，其包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II)
其中，
Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基；
D係包括伸苯基及伸苯醚基；
E係為包括三唑的二價有機基；以及
d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
根據本發明之另一實施例，係提供一種聚醯亞胺膜，其組成包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II)
其中，
Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基；
D係包括伸苯基及伸苯醚基；
E係為包括三唑的二價有機基；以及
d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
根據本發明之又一實施例，係提供一種軟性銅箔基板，其包括銅箔以及直接接觸銅箔之聚醯亞胺膜，其中聚醯亞胺膜之組成係包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II)
其中，
Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基；
D係包括伸苯基及伸苯醚基；
E係為包括三唑的二價有機基；以及
d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
根據上述之實施例，由於聚醯亞胺係具有一定比例的含氮雜環，因此其對應之聚醯亞胺膜和銅箔間可以產生優異的接著力。在此情況下，即便不在銅箔上設置黏著層，聚醯亞胺膜和銅箔間仍可以具有優異的剝離強度。此外，由於塗佈黏著層之步驟可以被省略，除了可以簡化製程之外，經過圖案化後的軟性銅箔基板也不會產生捲曲之問題。
在下文中，為了描述特定之數值範圍，係採用「某一數值至另一數值」之用語，其應被解讀為涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍，如同在說明書中明確記載的該任意數值和該較小數值範圍。此外，為了簡潔起見，下文中各聚合物或基團的結構有時會以鍵線式(skeleton formula)表示，而省略了實際結構內的碳原子、氫原子以及碳氫鍵。然而，當結構式中有明確繪示出特定原子或原子基團的，則以繪示者為準。
根據本發明之一實施方式，係提供一種聚醯亞胺共聚物，其中，聚醯亞胺之結構係包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II)
其中，
Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基；
D係包括伸苯基及伸苯醚基；
E係為包括三唑的二價有機基；以及
d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
上述式(I)及式(II)中的Ar為四羧酸二酐化合物中除了兩個羧酸酐基(―(CO)2
O)以外的殘基，而D、E為二胺化合物中除了兩個氨基(―NH2
)以外的殘基。較佳來說，Ar可包括四價聯苯基及四價苯基，且兩者間的莫耳數比例較佳約介於5：1至4：1之間。此外，對於D所代表的伸苯基及伸苯醚基，兩者的莫耳數比例較佳約介於20：1至16：1之間。
下文將詳細描述上述聚醯亞胺共聚物的製備方法。首先，在水浴(室溫)中，將上述實施方式中的二胺化合物加入溶劑中進行混合，並使其完全溶解後形成二胺單體混合液。其中，當二胺化合物係為3,5-二胺基-1,2,4-三唑(DATA)、對苯二胺(PPD/PDA)以及4,4’-二胺基二苯基醚(ODA)時，二胺單體混合液中DATA的莫耳數比上PPD和ODA的總莫耳數較佳約介於5%至10%之間，亦即5%≤DATA/(PPD+ODA) ≤10%，而且PPD和ODA的莫耳數比例較佳約介於20：1至16：1之間。
其中，上述溶劑可以選自六甲基磷醯胺(hexamethylphosphoramide，HMPA)、N,N-二甲基乙醯胺(N,N-dimethylacetamide，DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)、1,3-二甲基咪唑啉酮(1,3-dimethyl imidazolinone，DMI)、或間甲酚(m-cresol)等高極性非質子型溶劑，但不限定於此。
需注意的是，除了上述種類的二胺化合物之外，其亦可以選自由下列化合物所構成之群組，但不限於此：4,4’-二氨基二苯酮以及3,5-二胺基-1,2,4-三唑的衍生物。該些二胺化合物可單獨使用或以多種的混合物使用。上述DATA的衍生物可由下列結構式表示：
其中，R2
和R3
的含碳數彼此獨立，且較佳各自為含碳數介於1-3的伸烷基。需注意的是，當R2
和R3
的含碳數高於3時，會使得聚醯亞胺共聚物具有較高的熱膨脹係數，因而降低了聚醯亞胺共聚物和銅箔間的黏著力。
藉由上述製程獲得二胺單體混合液後，接著可以在水浴(室溫)中將預先進行混合的四羧酸二酐單體混合液加入所述二胺單體混合液中進行縮合聚合反應，待反應3小時至5小時後，便可形成所需的聚醯胺酸溶液。其中，當四羧酸二酐化合物係為3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)和均苯四羧酸二酐(PMDA)時，四羧酸二酐單體混合液中的BPDA和PMDA的莫耳數比例較佳約介於5：1至4：1之間。此時，聚醯胺酸溶液的固含量例如是15%至20%。
除了上述種類的四羧酸二酐化合物之外，其亦可以選自由下列化合物所構成之群組，但不限於此：2,2’-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、4,4’-氧基二酞酸酐(ODPA)、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、伸乙基四羧酸二酐、丁烷四羧酸二酐、環戊烷四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、4,4-(對-苯二氧基)二酞酸二酐、4,4’-(間-苯二氧基)二酞酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,2,3,4-苯四羧酸二酐、3,4,9,10-二萘嵌苯四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐及1,2,7,8-菲四羧酸二酐等。該些四羧酸二酐化合物可單獨使用或以多種的混合物使用。
之後，在氮氣環境下，對所述聚醯胺酸溶液進行脫水反應，以形成如下所示的聚醯亞胺。其中，關於Ar、D、E、d、e以及e/d等符號的說明可參照上文對於式(I)及式(II)之說明。
詳細而言，所述脫水反應可在不使用觸媒的情況下，例如可以在130℃至160℃下先對所述聚醯胺酸溶液進行烘烤5分鐘至10分鐘，以移除溶劑，之後再升溫至320℃至380℃，並持溫20分鐘至40分鐘，以進行脫水反應。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，脫水反應也可以在使用觸媒的情況下進行。
根據本發明的另一實施方式，係提供一種聚醯亞胺膜，主要組成係包括前述的聚醯亞胺共聚物。請參照前文關於聚醯亞胺共聚合物的製造方法，聚醯亞胺膜的製造方法包括在形成聚醯胺酸溶液之後，透過塗佈製程將聚醯胺酸溶液塗佈至一基材上，並接著使其進行脫水反應。其中，上述塗佈製程可以是刮刀塗佈法、旋轉塗佈法或其他合適之塗佈法，基材可以是銅箔或是其他合適的金屬箔。所述脫水反應例如可在130℃至160℃下先對所述聚醯胺酸溶液進行烘烤5分鐘至10分鐘以移除溶劑後，再升溫至320℃至380℃，並持溫20分鐘至40分鐘，以進行脫水反應。另外，聚醯亞胺膜的厚度約在12μm至22μm之間。
根據本發明的又一實施方式，係提供一種軟性銅箔基板，包括銅箔以及前述的聚醯亞胺膜。其中，聚醯亞胺膜係作為軟性銅箔基板中的軟性基板，而銅箔可以為不特定厚度之電解銅箔、壓延銅箔或其他合適之銅箔。請參照前文關於聚醯亞胺膜的製造方法，軟性銅箔基板的製造方法可包括透過塗佈製程將聚醯胺酸溶液塗佈至銅箔上，並接著使其進行脫水反應，以於銅箔上形成聚醯亞胺膜。
根據上述的各實施方式，係提供了聚醯亞胺共聚物、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板，其中，由於聚醯亞胺共聚物具備三唑的二價有機基，其可以和銅產生N—Cu之鍵結，且不同單體間的比例和不同重複單元間的比例係介於特定區間內，因此所述聚醯亞胺共聚物、相應的聚醯亞胺膜以及相應的軟性銅箔基板除了可以維持習知的物理性質和化學性質之外，其亦可以在不塗佈黏著層的情況下仍與銅箔具有優異的剝離強度。
為了使本領域的通常知識者得據以實施本發明，下文將進一步詳細描述本發明的各實施例。需注意的是，以下實施例僅為例示性，不應以其限制性地解釋本發明。亦即，在不逾越本發明範疇之情況下，可適當地改變各實施例中所採用之材料、材料之用量及比率以及處理流程等。
以下列舉下文各實施例和比較例中各化合物的縮寫以及其來源資訊：
ODA：4,4’-二胺基二苯基醚、購自JFE化學股份有限公司。
PDA：對苯二胺、購自東信化學公司。
DATA：3,5-二胺基-1,2,4-三唑、購自東信化學公司。
PMDA：均苯四羧酸二酐、購自JFE化學股份有限公司。
BPDA：3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、購自JFE化學股份有限公司。
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮、購自TEDIA公司。
銅箔：購自三井化學公司。
實施例1
在水浴(室溫)中，以N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)作為溶劑，將1.26克(0.006莫耳，5mol%)的4,4’-二胺基二苯基醚(ODA)、12.24克(0.113莫耳，90mol%)的對苯二胺(PDA)以及5克(0.05莫耳，5mol%)的3,5-二胺基-1,2,4-三唑(DATA)溶於200克NMP中，持續攪拌2小時，以形成二胺單體混合溶液。待完全溶解後，在水浴下將預先混合均勻的6.63克(0.003莫耳，18mol%)的均苯四羧酸二酐(PMDA)和40.77克(0.138莫耳，82mol%)的3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)分成三次加入前述二胺單體混合溶液中。需注意的是，在本實施例中，二胺單體和二酐單體的莫耳數比係較佳約為1：1，但不限於此。接著，持續攪拌具有二胺單體和二酐單體的混合溶液，反應3小時後即獲得固含量為20%的聚醯胺酸溶液。之後，使用刮刀塗佈法將20毫升的所述聚醯胺酸溶液塗佈在厚度為1/3盎司(oz)的壓延銅箔上，並接著在150℃下烘烤10分鐘，以移除NMP溶劑。繼之，將塗佈有聚醯胺酸溶液的銅箔置於350℃之無氧環境下30分鐘，以進行脫水反應，而獲得實施例1之配置在銅箔上的聚醯亞胺膜。最後，透過蝕刻製程將銅箔移除，以獲得實施例1的聚醯亞胺膜，其中以低測定力測定儀進行厚度的測量，其所測得之厚度約介於12μm至22μm之間。
實施例2
實施例2的製造程序大致相同於實施例1的製造程序，但實施例2中所採用的各單體的莫耳百分比如表1所示。
比較例
比較例的製造程序大致相同於實施例1的製造程序，但比較例中所採用的各單體的莫耳百分比如表1所示。
下文將詳細描述針對前述聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板的各種物性測定方法，且測定的結果顯示於表1中。各測定項目係包括：熱裂解溫度(decomposition temperature，Td)、熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion，CTE)、拉伸應力(tensile strength)、拉伸伸長率(elongation)、拉伸彈性模數(tensile elastic modulus)、剝離強度(peel strength)、焊接耐熱性以及銅箔蝕刻後翹曲的測定。
〈熱裂解溫度的測定〉
按照IPC-TM-650 2.4.24.6方法測試熱裂解溫度。首先，分別秤取0.5克至0.8克的實施例1、2及比較例的聚醯亞胺膜，以作為測試膜材。接著，使用熱重損失分析儀(日本精工電子有限公司(Seiko Instrument Inc.)製造，設備名為EXSTAR 6000)，設定升溫速度為10℃/min，在氮氣環境下將該些膜材從30℃升溫至600℃，並將膜材損失5%重量時所量測到的溫度作為熱裂解溫度。在業界中，聚醯亞胺膜的熱裂解溫度一般至少為450℃以上，且數值越大，表示聚醯亞胺膜的熱穩定性越佳。
〈熱膨脹係數的測定〉
首先，將實施例1、2及比較例的聚醯亞胺膜分別製作成長寬尺寸為2mm×30mm的膜材。接著，使用熱機械分析儀(日本精工電子有限公司(Seiko Instrument Inc.)製造，設備名為EXSTAR 6000)，設定升溫速度為10℃/min，在氮氣環境下將該些膜材從30℃升溫至450℃，並求出50℃至300℃之間的尺寸變化量的平均值，以獲得熱膨脹係數。一般而言，銅箔的熱膨脹係數為17ppm/℃，且熱膨脹係數為17±5ppm/℃即視為與銅箔的熱膨脹係數相近。
〈拉伸強度的測定〉
按照IPC-TM-650 2.4.19.C方法測試拉伸強度。首先，將實施例1、2及比較例的聚醯亞胺膜分別製作成長寬尺寸為76.20mm×12.70mm的膜材。接著，使用萬能試驗機(島津科學儀器股份有限公司(SHIMADZU)製造，設備名為AG-1S)，設定拉伸速度為50.8mm/min，持續紀錄拉力和聚醯亞胺膜伸長量之關係，直到聚醯亞胺膜斷裂。將聚醯亞胺膜斷裂時所承受之拉力除以原始樣品的截面積便可求得到聚醯亞胺膜的拉伸強度。
〈拉伸伸長率〉
按照IPC-TM-650 2.4.19.C方法測試拉伸伸長率。首先，將實施例1、2及比較例的聚醯亞胺膜分別製作成長寬尺寸為76.20mm×12.70mm的膜材。接著，使用萬能試驗機(島津科學儀器股份有限公司(SHIMADZU)製造，設備名為AG-1S)，設定拉伸速度為50.8mm/min，持續紀錄拉力和聚醯亞胺膜伸長量之關係，直至聚醯亞胺膜斷裂。將聚醯亞胺膜斷裂時的長度減去聚醯亞胺膜的原始長度，並除以聚醯亞胺膜的原始長度，便可求得拉伸伸長率。
〈拉伸彈性模數〉
按照IPC-TM-650 2.4.19.C方法測試拉伸彈性模數。首先，將實施例1、2及比較例的聚醯亞胺膜分別製作成長寬尺寸為76.20mm×12.70mm的膜材。接著，使用萬能試驗機(島津科學儀器股份有限公司(SHIMADZU)製造，設備名為AG-1S)，設定拉伸速度為50.8mm/min，持續紀錄拉力和聚醯亞胺膜伸長量之關係，直至聚醯亞胺膜斷裂。根據聚醯亞胺膜斷裂前所承受之拉力和相應的伸長量以求得拉伸彈性模數。
〈剝離強度的測定〉
按照IPC-TM-650 2.4.9方法測試剝離強度。首先，將實施例1、2及比較例之配置在銅箔上的聚醯亞胺膜連同銅箔一起裁切成寬度為3.2mm的測試樣品。接著，使用萬能試驗機(島津科學儀器股份有限公司(SHIMADZU)製造，設備名為AG-1S)，設定拉伸速度為50.8mm/min，將該些測試樣品拉伸至拉伸長度為30mm，並持續紀錄其拉力數值，以求出此時的剝離強度。需注意的是，當聚醯亞胺膜與銅箔之間的接著力越大，則兩者之間的介面越不易受到外力破壞。也就是說，當表1中所示的剝離強度的數值越高，表示聚醯亞胺膜與銅箔之間接著力越大。
〈焊接耐熱性的測定〉
按照IPC-TM-650 2.4.13方法測試焊接耐熱性，將軟性銅箔基板裁成5cm×5cm的樣品，並使其浮置於300°C的熔融銲錫的表面，持續10-30秒，並觀察軟性銅箔基板是否分層。
〈銅箔蝕刻後翹曲的測定〉
按照IPC-TM-650 2.4.22方法測試銅箔蝕刻後的翹曲。將軟性銅箔基板裁切成25cm×25cm樣品，樣品貼放在堅直平面上，用尺測量四角翹起的距離，得到的四個數值相加，除以得出捲曲值，以判斷翹曲情況，小於1cm即視爲平整。
表1
*
：mol%係以ODA、PDA和DATA的總莫耳數為計算基準
**
：mol%係以PMDA和BPDA的總莫耳數為計算基準
由表1可知，實施例1、2的聚醯亞胺膜的剝離強度皆大於0.6kgf/cm，且相較於比較例中的聚醯亞胺膜的剝離強度至少高出40%，此顯示實施例1、2的聚醯亞胺膜與銅箔具有良好的接著力。另外，由於聚醯亞胺的合成過程中係採用對苯二胺(PDA)作為二胺溶液中的主要合成單體，因此其相應的聚醯亞胺可以具有和銅箔相近的熱膨脹係數、並具有較高的拉伸應力和拉伸彈性模數。
根據上述之實施例，由於聚醯亞胺係具有一定比例的含氮雜環，因此其對應之聚醯亞胺膜和銅箔間可以產生優異的接著力。在此情況下，即便不在銅箔上設置黏著層，聚醯亞胺膜和銅箔間仍可以具有優異的剝離強度。此外，由於塗佈黏著層之步驟可以被省略，除了可以簡化製程之外，經過圖案化後的軟性銅箔基板也不會產生捲曲之問題。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
無
無
無
Claims (18)
- 一種聚醯亞胺，其包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II) 其中， Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基； D係包括伸苯基及伸苯醚基； E係為包括三唑的二價有機基；以及 d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
- 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺，其中Ar係包括四價聯苯基及四價苯基。
- 如申請專利範圍第2項所述之聚醯亞胺，其中四價聯苯基和四價苯基的莫耳數比例約介於5：1至4：1之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺，其中伸苯基和伸苯醚基的莫耳數比例約介於20：1至16：1之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺，其中該聚醯亞胺係經由單體溶液的聚合反應而得，其中該單體溶液的組成包括3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四羧酸二酐(PMDA)、對苯二胺(PPD/PDA)、4,4’-二胺基二苯基醚(ODA) 以及3,5-二胺基-1,2,4-三唑(DATA)。
- 一種聚醯亞胺膜，其組成係包括一聚醯亞胺，其中該聚醯亞胺包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II) 其中， Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基； D係包括伸苯基及伸苯醚基； E係為包括三唑的二價有機基；以及 d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
- 如申請專利範圍第6項所述之聚醯亞胺膜，其中Ar係包括四價聯苯基及四價苯基。
- 如申請專利範圍第7項所述之聚醯亞胺膜，其中四價聯苯基和四價苯基的莫耳數比例約介於5：1至4：1之間。
- 如申請專利範圍第6項所述之聚醯亞胺膜，其中伸苯基和伸苯醚基的莫耳數比例約介於20：1至16：1之間。
- 如申請專利範圍第6項所述之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺係經由單體溶液的聚合反應而得，其中該單體溶液的組成包括3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四羧酸二酐(PMDA)、對苯二胺(PPD/PDA)、4,4’-二胺基二苯基醚(ODA) 以及3,5-二胺基-1,2,4-三唑(DATA)。
- 如申請專利範圍第6項所述之聚醯亞胺膜，其中該聚醯亞胺膜之厚度係介於12毫米至22毫米。
- 一種軟性銅箔基板，包括： 一銅箔；以及 一聚醯亞胺膜，直接接觸所述銅箔，其中所述聚醯亞胺膜之組成係包括一聚醯亞胺，其中該聚醯亞胺包括以下列式(I)及式(II)表示的重複單元，該些重複單元係為嵌段排列或無序排列：(I)(II) 其中， Ar係為衍生自含有芳香族類化合物的四價有機基； D係包括伸苯基及伸苯醚基； E係為包括三唑的二價有機基；以及 d及e分別代表式(I)及式(II)所表示的重複單元之莫耳分率，其中5%≤e/d≤10%。
- 如申請專利範圍第12項所述之軟性銅箔基板，其中Ar係包括四價聯苯基和四價苯基。
- 如申請專利範圍第13項所述之軟性銅箔基板，其中四價聯苯基和四價苯基的莫耳數比例約介於5：1至4：1之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之軟性銅箔基板，其中伸苯基和伸苯醚基的莫耳數比例約介於20：1至16：1之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之軟性銅箔基板，其中該聚醯亞胺係經由單體溶液的聚合反應而得，其中該單體溶液的組成包括3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(BPDA)、均苯四羧酸二酐(PMDA)、對苯二胺(PPD/PDA)、4,4’-二胺基二苯基醚(ODA)以及3,5-二胺基-1,2,4-三唑(DATA)。
- 如申請專利範圍第12項所述之軟性銅箔基板，其中該銅箔以及該聚醯亞胺膜間未設置任何黏著層。
- 如申請專利範圍第12項所述之軟性銅箔基板，其中該聚醯亞胺膜和該銅箔間的剝離強度介於0.4 kgf/cm至0.9 kgf/cm之間。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105107703A TW201731918A (zh) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | 聚醯亞胺、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板 |
| CN201610199667.8A CN107189066A (zh) | 2016-03-14 | 2016-04-01 | 聚酰亚胺、聚酰亚胺膜以及软性铜箔基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW105107703A TW201731918A (zh) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | 聚醯亞胺、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201731918A true TW201731918A (zh) | 2017-09-16 |
Family
ID=59871140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105107703A TW201731918A (zh) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | 聚醯亞胺、聚醯亞胺膜以及軟性銅箔基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107189066A (zh) |
| TW (1) | TW201731918A (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI595024B (zh) * | 2016-06-23 | 2017-08-11 | 臻鼎科技股份有限公司 | 聚醯胺酸、覆銅板及電路板 |
| CN112239539A (zh) * | 2019-07-16 | 2021-01-19 | 臻鼎科技股份有限公司 | 聚酰胺酸组成物、聚酰亚胺覆铜板及电路板 |
| TWI742945B (zh) * | 2020-11-27 | 2021-10-11 | 國立中興大學 | 具低介電損失的軟性銅箔基板、其製備方法以及電子裝置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839760B1 (ko) * | 2006-02-06 | 2008-06-19 | 주식회사 엘지화학 | 칩 온 필름용 동장 적층판 |
| TW201607988A (zh) * | 2014-08-21 | 2016-03-01 | Taiflex Scient Co Ltd | 可溶性熱塑型聚醯亞胺組成物及其製法與包含有該組成物所製得之連接層的聚醯亞胺金屬積層板及其製法 |
-
2016
- 2016-03-14 TW TW105107703A patent/TW201731918A/zh unknown
- 2016-04-01 CN CN201610199667.8A patent/CN107189066A/zh not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107189066A (zh) | 2017-09-22 |
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