TW201437408A

TW201437408A - 成膜裝置

Info

Publication number: TW201437408A
Application number: TW103104703A
Authority: TW
Inventors: Toshiyuki Sakemi
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries
Priority date: 2013-03-28
Filing date: 2014-02-13
Publication date: 2014-10-01
Also published as: JP2014189874A; KR101858155B1; JP5951542B2; CN104073766A; KR20140118721A; CN104073766B; TWI561665B

Abstract

本發明提供一種成膜裝置，其能夠降低因成膜對象物的位置產生之膜質的參差不一。本發明的成膜裝置(1)具備向真空腔室(10)內供給原料氣體(在此為氧氣)之原料氣體供給部(30)，並且具備對成膜對象物(11)局部地供給比原料氣體活化之活化氣體之活化氣體供給部(40)。在此，藉由成膜對象物(11)與堆積部(2)的位置關係，有時在成膜對象物(11)中的一部份中，與其他部份相比供給到膜中的氧變少。對於膜中的氧變少之部份，藉由活化氣體供給部(40)局部地供給氧的活化氣體，從而能夠補充膜中的氧。因此，能夠降低因成膜對象物(11)的位置產生之膜中的氧的參差不一。藉由以上，能夠降低因成膜對象物(11)的位置產生之膜質的參差不一。

Description

成膜裝置

本發明係有關一種成膜裝置。

作為在成膜對象物的表面形成膜之成膜裝置，例如採用離子鍍法或濺射法。例如在專利文獻1中，記載有由離子鍍法進行之成膜裝置，該離子鍍法使已蒸發之成膜材料擴散於真空腔室內而使成膜材料附著於成膜對象物的表面。在該專利文獻1所記載之成膜裝置中設置有兩個產生等離子射束之等離子源及藉由該等離子射束使成膜材料蒸發之主爐缸等，以能夠與作為成膜對象物之基板的大型化對應。在該成膜裝置中，將氧作為原料氣體向真空腔室內供給而進行成膜。並且，在專利文獻2所記載之成膜裝置中，向作為成膜對象物之整個基板供給已活化之氧氣而進行成膜。

(先前技術文獻) (專利文獻)

專利文獻1：日本特開平11-012725號公報

專利文獻2：日本特開平03-097853號公報

在此，隨著成膜對象物的大型化，如上述的專利文獻1所記載之成膜裝置，設置複數個主爐缸等而進行成膜時，有時在成膜對象物上的膜中產生氧不足之區域。或者，有時產生過量地供給氧之區域。對於此，如專利文獻2即使向整個成膜對象物供給已活化之氧氣，有時亦會產生膜中的氧的濃淡。藉由以上，因成膜對象物的位置而在膜質產生參差不一。

因此，本發明的目的在於提供一種能夠降低因成膜對象物的位置產生之膜質的參差不一之成膜裝置。

本發明之成膜裝置為在真空腔室內使成膜材料的粒子堆積於成膜對象物之成膜裝置，其中，具備：成膜對象物配置部，能夠在真空腔室內配置成膜對象物；堆積部，使成膜材料的粒子堆積於成膜對象物；原料氣體供給部，向真空腔室內供給原料氣體；及活化氣體供給部，對配置於成膜對象物配置部之成膜對象物，局部地供給比原料氣體活化之活化氣體。

本發明之成膜裝置具備向真空腔室內供給原料氣體之原料氣體供給部，並且具備對成膜對象物局部地供給比原料氣體活化之活化氣體之活化氣體供給部。在此，藉由成膜對象物與堆積部的位置關係，有時在成膜對象物中的一部份中，與其他部份相比供給到膜中之原料變少。對於該種部份，藉由活化氣體供給部局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的原料。因此，能夠降低因成膜對象物的位置產生之膜中的原料的參差不一。藉由以上，能夠降低因成膜對象物的位置產生之膜質的參差不一。

在本發明之成膜裝置中，堆積部可具備：複數個等離子源，在真空腔室內生成等離子射束；複數個主爐缸，填充有成膜材料並向成膜材料導入等離子射束，或作為導入等離子射束之主陽極；及複數個環爐缸，配置於主爐缸的周圍並作為誘導等離子射束之輔助陽極。堆積部由複數個等離子源、複數個主爐缸及複數個環爐缸構成時，藉由與各主爐缸的位置關係，在成膜對象物的一部份中，與其他部份(接近主爐缸之區域)相比膜中的原料變少。對於該種部份，藉由活化氣體供給部局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的原料。

在本發明之成膜裝置中，活化氣體供給部可向配置於成膜對象物配置部之成膜對象物中之、從成膜材料的粒子的照射方向觀察時相互鄰接之主爐缸之間的位置供給活化氣體。由於成膜對象物中，在相互鄰接之主爐缸之間，膜中的原料容易變少，因此藉由活化氣體供給部對該部份局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的原料。

在本發明之成膜裝置中，活化氣體供給部可向在配置於成膜對象物配置部之成膜對象物中，從成膜材料的粒子的照射方向觀察時，比在複數個主爐缸排列之方向上配置於最端部之主爐缸更靠外緣側之位置供給活化氣體。由於成膜對象物中，在比配置於最端部的主爐缸更靠外緣側膜中的原料容易變少，因此藉由活化氣體供給部對該部份局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的原料。

依本發明，能夠降低因成膜對象物的位置產生之膜質的參差不一。

1‧‧‧成膜裝置

2‧‧‧堆積部

3‧‧‧輸送機構(成膜對象物配置部)

6‧‧‧環爐缸

7‧‧‧等離子源

10‧‧‧真空腔室

10a‧‧‧輸送室(成膜對象物配置部)

11‧‧‧成膜對象物

17‧‧‧主爐缸

30‧‧‧原料氣體供給部

40‧‧‧活化氣體供給部

第1圖係表示本發明的成膜裝置的一實施形態的結構之剖面圖。

第2圖係沿第1圖所示之II-II線之剖面圖。

第3圖係表示成膜對象物與主爐缸的位置關係之示意圖。

以下，參閱附圖對本發明之成膜裝置的一實施形態進行詳細說明。另外，在附圖說明中對相同要件標注相同元件符號，並省略重複說明。

第1圖係表示本發明的成膜裝置的一實施形態的結構之剖面圖。第2圖係沿第1圖所示之II-II線之剖面圖。本實施形態的成膜裝置1係所謂用於離子鍍法之離子鍍法裝置。另外，為了方便說明在第1圖示出XYZ座標系。Y軸方向為後述之成膜對象物被輸送之方向。X軸方向為成膜對象物與後述之爐缸部20對置之方向。Z軸方向為X軸方向與Y軸方向正交之方向。

如第1圖及第2圖所示，本實施形態的成膜裝置1係以成膜對象物的板厚方向成為水平方向之方式，在將成膜對象物直立之狀態或從直立之狀態傾斜之狀態下，成膜對象物被配置於真空腔室內而輸送之所謂立式成膜裝置。此時，X軸方向為水平方向且為成膜對象物的板厚方向，Y軸方向為水平方向，Z軸方向成為鉛垂方向。另一方面，在本發明之成膜裝置的一實施形態中，亦可以係以成膜對象物的板厚方向大致成為鉛垂方向之方式成膜對象物被配置於真空腔室內而輸送之所謂臥式成膜裝置。此時，Z軸及Y軸方向為水平方向，X軸方向成為鉛垂方向且成為板厚方向。另外，在以下實施形態中，以立式的情況為例，對本發明的成膜裝置的一實施形態進行說明。

本實施形態的成膜裝置1具備堆積部2、輸送機構(成膜對象物配置部)3、真空腔室10、原料氣體供給部30及活化氣體供給部40。並且，堆積部2具備複數個等離子源7及複數個爐缸部20。

真空腔室10具有：輸送室(成膜對象物配置部)10a，用於輸送形成有成膜材料的膜之成膜對象物11；成膜室10b，使成膜材料Ma擴散；及等離子口10c，將從等離子源7照射之等離子射束P容納於真空腔室10。輸送室10a、成膜室10b及等離子口10c相互連通。輸送室10a沿預定的輸送方向(圖中的箭頭A)(沿Y軸)設定。並且，真空腔室10連接於由導電性材料構成之地電位。真空腔室10中連接有壓力調整裝置(未圖示)，調整真空腔室10內的壓力。壓力調整裝置例如具有渦輪分子泵或低溫泵等減壓部，及測定真空腔室10內的壓力之壓力測定部。

成膜室10b具有沿著輸送方向(箭頭A)之一對側壁10j及10k(參閱第2圖)、沿著與輸送方向(箭頭A)交叉之方向(X軸方向)之一對側壁10h及10i(參閱第1圖)、以及與輸送室10a對置之側壁m。側壁10h配置於成膜室10b中之輸送方向A的上遊側(亦即Y軸負方向側)。側壁10i配置於成膜室10b中之輸送方向A的下遊側(亦即Y軸正方向側)。

輸送機構3沿輸送方向A輸送在與成膜材料Ma對置之狀態下保持成膜對象物11之成膜對象物保持構件16。輸送機構3包括設置於輸送室10a內之複數個輸送輥15。輸送輥15沿輸送方向A等間隔配置，並支撐成膜對象物保持構件16且沿輸送方向A輸送。另外，成膜對象物11例如使用玻璃基板或塑料基板等板狀構件。並且，成膜對象物保持構件16例如使用在使成膜對象物11的被成膜面露出之狀態下保持成膜對象物11之輸送托盤等。

等離子源7為壓力梯度型，且其主體部份經由設置於成膜室10b的側壁10h之等離子口10c連接於成膜室 10b。等離子源7在真空腔室10內生成等離子射束P。等離子源7中生成之等離子射束P從等離子口10c向成膜室10b內射出。等離子射束P藉由設置於等離子口10c之轉向線圈(未圖示)來控制射出方向。

相對於1個成膜室10b設置有複數個(本實施形態中為2個)等離子源7。複數個等離子源7沿成膜對象物11的長邊方向(Z軸方向)並排配置。複數個等離子源7配置於相同的側壁10h。另外，複數個等離子源7亦可以在相對置之一對側壁10h、10i中交替配置。複數個等離子源7亦可以沿成膜對象物11的厚度方向(X軸方向)並排配置。並且，複數個等離子源7亦可以係沿Z軸方向排列，且沿X軸方向排列的結構。

成膜裝置1中設置有複數個(本實施形態中為2個)爐缸部20。1個爐缸部20包括1個主爐缸17及1個環爐缸6。因此，成膜裝置1設置有複數個(本實施形態中為2個)主爐缸17及複數個(本實施形態中為2個)環爐缸6。複數個爐缸部20與複數個等離子源7對應配置於側壁10m。複數個爐缸部20沿成膜對象物11的長邊方向(Z軸方向)並排配置。另外，複數個爐缸部20亦可以沿成膜對象物11的短邊方向(Y軸方向、輸送方向)並排配置。並且，複數個爐缸部20亦可以係沿Z軸方向及Y軸方向這兩個方向排列的結構。

爐缸部20具有用於保持成膜材料Ma之機構。爐缸部20設置於真空腔室10的成膜室10b內，且從輸送機構 3觀察時沿X軸方向的負方向配置。爐缸部20具有作為將從等離子源7射出之等離子射束P導入於成膜材料Ma之主陽極或作為導入有從等離子源7射出之等離子射束P之主陽極之主爐缸17。

主爐缸17具有：筒狀的填充部17a，填充有成膜材料Ma並沿X軸方向的正方向延伸；及凸緣部17b，從填充部17a突出。主爐缸17由於相對於具有真空腔室10之地電位保持在正電位，因此吸引等離子射束P。在射入有該等離子射束P之主爐缸17的填充部17a形成有用於填充成膜材料Ma之貫穿孔17c。並且，成膜材料Ma的前端部份在該貫穿孔17c的一端露出於成膜室10b。

環爐缸6為具有用於誘導等離子射束P之電磁鐵之輔助陽極。環爐缸6配置於保持成膜材料Ma之主爐缸17的填充部17a的周圍。環爐缸6具有環狀的線圈9、環狀的永久磁鐵13及環狀的容器12，且線圈9及永久磁鐵13容納於容器12。環爐缸6依據流過線圈9之電流的大小來控制射入到成膜材料Ma之等離子射束P的方向或射入到主爐缸17之等離子射束P的方向。

在成膜材料Ma中例示有ITO或ZnO等透明導電材料和SiON等絕緣密封材料。成膜材料Ma由絕緣性物質構成時，若向主爐缸17照射等離子射束P，則藉由來自等離子射束P的電流而加熱主爐缸17，且使成膜材料Ma的前端部份蒸發，被等離子射束P離子化之成膜材料粒子Mb在成膜室10b內擴散。並且，成膜材料Ma由導電性物質構成時，若向主爐缸17照射等離子射束P，則等離子射束P直接射入到成膜材料Ma，且使成膜材料Ma的前端部份加熱蒸發，被等離子射束P離子化之成膜材料粒子Mb在成膜室10b內擴散。在成膜室10b內擴散之成膜材料粒子Mb向成膜室10b的X軸正方向移動，且在輸送室10a內附著於成膜對象物11的表面。另外，成膜材料Ma為成形為預定長度的圓柱形狀之固體物，且複數個成膜材料Ma被一次性填充於爐缸部20的主爐缸17。而且，依據成膜材料Ma的消費，成膜材料Ma從爐缸部20的主爐缸17的X軸負方向側依次擠出，以使最前端側的成膜材料Ma的前端部份保持與主爐缸17上端的預定的位置關係。

原料氣體供給部30向真空腔室10內供給原料氣體。在本實施形態中將氧氣用作原料氣體，但是此外，亦可以採用H₂0、N₂、NH₃等。原料氣體供給部30具備：氧氣瓶31，向內部填充作為原料氣體的氧氣；質流控制器(MFC；Mass Flow Controller)32，亦即以預定的流量向成膜室10b內供給氧氣瓶31內的氧氣之氣體流量控制器。氧氣通過質流控制器32及供給管路L1供給到真空腔室10的成膜室10b內。另外，供給管路L1與真空腔室10的連接位置(亦即氧氣的供給口)並無特別限定，但是例如在過於接近成膜對象物11之位置供給原料氣體時，由於原料氣體在腔室內變得不均勻，因此隔開預定距離為較佳。

活化氣體供給部40對配置於輸送室10a的輸送機構3之成膜對象物11局部地供給比原料氣體活化之活化氣體。在本實施形態中，由於將氧氣用作原料氣體，因此活化氣體供給部40供給已活化之氧氣。另外，由於只要比原料氣體活化即可，因此例如亦可以將臭氧用作活化氣體。活化氣體供給部40具備：氧氣瓶41，將作為活化之原料氣體的氧氣填充到內部；質流控制器42，亦即以預定的流量向成膜室10b內供給氧氣瓶41內的氧氣之氣體流量控制器；活化部43，使原料氣體活化；管路L2，向成膜室10b內導入在活化部43活化之活化氣體，及噴出部44，向成膜對象物11供給通過管路L2之活化氣體。活化部43只要係能夠使原料氣體活化者，則採用任何方式都可以，例如可藉由射頻(RF)放電、微波放電來使原料氣體活化。在本實施形態中，作為活化方式採用射頻放電，活化部43具備感應室45、感應線圈46及向感應線圈46供給射頻之射頻電源47。

噴出部44對該成膜對象物11的成膜面局部地供給活化氣體。噴出部44可設置於以沿著成膜對象物11的成膜面之方式供給活化氣體之位置。藉此，能夠抑制因成膜材料在管路L2中附著/落下而產生之粒子的產生。另外，噴出部44可配置於與成膜對象物11的成膜面對置之位置。噴出部44的噴出口的形狀並無特別限定，可以係如直線狀噴出活化氣體之形狀，亦可以係如以使活化氣體擴展之方式噴出之形狀。管路L2的佈線並無特別限定，從真空腔室10的各側壁10h、10i、10j、10k、10m的任一部份進入成膜室10b內即可。而且，在管路L2的成膜室10b內的佈線亦並無特別限定，但盡可能不附著有來自主爐缸17的成膜材料粒子Mb之佈線為較佳。例如，在一對主爐缸17彼此的Z軸方向上的中間位置，可沿Y軸方向延伸管路L2。另外，作為構成管路L2之配管及噴出部44的材料，採用不銹鋼為較佳。

在此，參閱第3圖對成膜對象物11中由噴出部44供給活化氣體之位置進行說明。第3圖係從厚度方向(X軸方向)觀察成膜對象物11的成膜面之示意圖。如第3圖所示，藉由成膜對象物11大型化，使用複數個主爐缸17而使氧化物薄膜成膜時，在接近主爐缸17之區域由於等離子的濃度變濃而容易進行作為原料氣體之氧氣的活化。因此，在形成於成膜對象物11之膜中，從成膜材料粒子Mb的照射方向(係主爐缸17與成膜對象物11對置之方向，在此為X軸方向)觀察時，接近主爐缸17之區域供給有已活化之氧氣，從而充份進行氧化。另一方面，由於愈遠離主爐缸17，等離子的濃度變得愈低，因此形成於成膜對象物11之膜中，從照射方向觀察時，愈向徑向(圖中箭頭所示之方向)遠離主爐缸17之區域，氧化程度愈不足。因此，從照射方向觀察時，一個主爐缸17A與另一個主爐缸17B之間的區域中，在各主爐缸17A、17B之間的大致中間位置的區域E1，膜中的氧尤其不足。並且，在成膜對象物11中，從照射方向觀察時，在比主爐缸17A、17B排列之方向B(在此為Z軸方向)上配置於最端部之主爐缸17A更靠外緣11a側之區域E2，膜中的氧尤其不足。而且，在成膜對象物11中，從照射方向觀察時，在比主爐缸17A、17B排列之方向B上配置於最端部之主爐缸17B更靠外緣11b側之區域E3，膜中的氧尤其不足。另外，本實施形態中，由於主爐缸17為兩個，因此任一主爐缸17A、17B均相當於“在方向B上最端部的主爐缸”。

藉由以上，如第1圖及第2圖所示，活化氣體供給部40藉由向成膜對象物11中，膜中的氧容易不足之區域局部地供給活化氣體，亦即對成膜對象物11部份供給活化氣體，從而能夠補充膜中的氧。具體而言，活化氣體供給部40的噴出部44配置於能夠向第3圖所示之區域E1、區域E2、區域E3中的任一(或全部)區域供給活化氣體之位置(如第1圖所示，可以係能夠沿成膜對象物11的成膜面供給活化氣體之位置，亦可以配置於與各區域對置之位置)。亦即，噴出部44在成膜對象物11中從照射方向觀察時，在主爐缸17A與主爐缸17B之間的區域配置於與各主爐缸17A、17B之間的大致中間位置的部份(對應於第3圖的區域E1)對置之位置等，且能夠向該部份供給活化氣體。另外，噴出部44只要在主爐缸17A、17B之間，則均可向任何位置(向活化氣體的照射軸)供給活化氣體。並且，相對於成膜面之供給角度可以不垂直，可以傾斜，亦可以平行於成膜面。而且還可以由複數個噴出部44供給。並且，供給活化氣體之範圍可設為至少小於1個主爐缸17能夠使成膜材料粒子Mb附著於成膜對象物11之範圍。

並且，設置複數個噴出部44時，1個噴出部44配置於在成膜對象物11中，從照射方向觀察時，與比在主爐缸17A、17B排列之方向B上配置於最端部之主爐缸17A更靠外緣11a側之部份(對應於第3圖的區域E2)對置之位置等，且能夠向該部份供給活化氣體。另外，配置於該位置之噴出部44在第2圖中用雙點虛線表示(可以係能夠沿成膜對象物11的成膜面供給活化氣體之位置)。另外，噴出部44只要在比主爐缸17A更靠外緣11a側，則均可向任何位置(向活化氣體的照射軸)供給活化氣體。並且，相對於成膜面之供給角度可以不垂直，可以傾斜，亦可以平行於成膜面。而且，可以在該位置設置複數個噴出部44，並由複數個噴出部44進行供給。同樣，設置複數個噴出部44時，1個噴出部44配置於在成膜對象物11中，從照射方向觀察時，與比在主爐缸17A、17B排列之方向B上配置於最端部之主爐缸17B更靠外緣11b側之部份(對應於第3圖的區域E3)對置之位置等，且能夠向該部份供給活化氣體。另外，配置於該位置之噴出部44在第2圖中用雙點虛線表示(可以係能夠沿成膜對象物11的成膜面供給活化氣體之位置)。另外，噴出部44只要在比主爐缸17B更靠外緣11b側，則均可向任何位置(向活化氣體的照射軸)供給活化氣體。並且，相對於成膜面之供給角度可以不垂直，可以傾斜，亦可以平行於成膜面。而且，亦可以在該位置設置複數個噴出部44，並由複數個噴出部44進行供給。噴出部44亦可以配置於上述的3個位置中的任意1個位置或2個位置或全部3個位置。

接著，對本實施形態之成膜裝置1的作用、效果進行說明。

本實施形態之成膜裝置1具備向真空腔室10內供給原料氣體(在此為氧氣)之原料氣體供給部30，並且具備對成膜對象物11局部地供給比原料氣體活化之活化氣體之活化氣體供給部40。在此，藉由成膜對象物11與堆積部2的位置關係，有時在成膜對象物11中的一部份中，與其他部份相比供給到膜中之氧變少。因此，在該部份的膜中的氧不足。或者，供給氧氣以免在該部份的膜中的氧不足時，在其他部份的氧變得過量。在本實施形態之成膜裝置1中，對膜中的氧變少之部份，藉由活化氣體供給部40局部地供給氧的活化氣體，從而能夠補充膜中的氧。因此，無關成膜對象物11的位置，能夠使膜中的氧均勻，藉由以上，能夠降低因成膜對象物11的位置產生之膜質的參差不一。

在本實施形態之成膜裝置1中，堆積部2由複數個等離子源7、複數個主爐缸17及複數個環爐缸6構成。藉由該種結構，能夠對應於成膜對象物11的大型化。在此，從照射方向(X軸方向)觀察時，主爐缸17附近由於等離子濃度高，因此活化氣體較多，愈遠離主爐缸17，等離子濃度愈低，因此活化氣體變少。因此，藉由與各主爐缸17的位置關係，在成膜對象物11的一部份中，與其他部份(接近主爐缸之區域)相比，膜中的氧變少。對於該種部份，藉由活化氣體供給部40局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的氧。

在本實施形態之成膜裝置1中，活化氣體供給部40從成膜時之成膜材料粒子Mb的照射方向觀察時，在相互鄰接之主爐缸17(17A、17B)之間，向配置於輸送室10a的輸送機構3之成膜對象物11供給活化氣體。由於成膜對象物11中，在相互鄰接之主爐缸17(17A、17B)之間，膜中的氧容易變少，因此藉由活化氣體供給部40對該部份局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的氧。

在本實施形態之成膜裝置1中，活化氣體供給部40向配置於輸送室10a的輸送機構3之成膜對象物11中，從成膜時之成膜材料粒子Mb的照射方向觀察時，比在複數個主爐缸17(17A、17B)排列之方向上配置於最端部之主爐缸17A、17B更靠外緣11a、11b側供給活性氣體。由於成膜對象物11中，在比配置於最端部之主爐缸17A、17B更靠外緣11a、11b側，膜中的氧容易變少，因此藉由活化氣體供給部40對該部份局部地供給活化氣體，從而能夠補充膜中的氧。

本發明並不限定於上述實施形態。

例如，等離子源7及爐缸部20的個數和配置並不限定於上述的實施形態，能夠適當変更。即使係該種情況，活化氣體供給部40從照射方向觀察時，可以在相互鄰接之主爐缸17之間，向成膜對象物11供給活化氣體。並且，活化氣體供給部40可向成膜對象物11中，從照射方向觀察時，比在複數個主爐缸17排列之方向上配置於最端部之主爐缸17更靠外緣側供給活化氣體。例如，沿上下方向(Z軸方向)排列有3個主爐缸17時，可向成膜對象物11中，最上側的主爐缸17與中間的主爐缸17之間的部份供給活化氣體，亦可向中間的主爐缸17與最下側的主爐缸17之間的部份供給活化氣體。並且，可向成膜對象物11中，比在最上側的主爐缸17更靠上側之外緣側供給活化氣體，亦可向比最下側的主爐缸17更靠下側之外緣側供給活化氣體。等離子源7及爐缸部20為4個以上的情況亦可設為相同宗旨的結構。

並且，上述的成膜裝置1具備藉由離子鍍法使成膜材料粒子Mb堆積之堆積部2，但亦可以採用利用濺射法之堆積部。利用濺射法之堆積部具備作為設置在真空腔室內之成膜材料之靶、及藉由放電產生等離子之電力源，係藉由在真空中在環境氣體下產生等離子而使等離子中的正離子與靶衝突，從而彈出金屬原子，使其附著於成膜對象物11上而進行成膜者。即使採用利用該種濺射法之堆積部時，亦因成膜對象物的位置膜中的原料會產生參差不一，因此藉由活化氣體供給部向原料容易變少之部份局部地供給活化氣體，從而能夠減少膜質的參差不一。

1‧‧‧成膜裝置

2‧‧‧堆積部

3‧‧‧輸送機構(成膜對象物配置部)

6‧‧‧環爐缸

7‧‧‧等離子源

9‧‧‧線圈

10‧‧‧真空腔室

10a‧‧‧輸送室(成膜對象物配置部)

10b‧‧‧成膜室

10c‧‧‧等離子口

10h‧‧‧側壁

10i‧‧‧側壁

10m‧‧‧側壁

11‧‧‧成膜對象物

12‧‧‧容器

13‧‧‧永久磁鐵

15‧‧‧輸送輥

16‧‧‧成膜對象物保持構件

17‧‧‧主爐缸

17a‧‧‧填充部

17b‧‧‧凸緣部

17c‧‧‧貫穿孔

20‧‧‧爐缸部

30‧‧‧原料氣體供給部

31‧‧‧氧氣瓶

32‧‧‧質流控制器

40‧‧‧活化氣體供給部

41‧‧‧氧氣瓶

42‧‧‧質流控制器

43‧‧‧活化部

44‧‧‧噴出部

45‧‧‧感應室

46‧‧‧感應線圈

47‧‧‧射頻電源

L1‧‧‧供給管路

L2‧‧‧管路

Ma‧‧‧成膜材料

Mb‧‧‧成膜材料粒子

P‧‧‧等離子射束

RF電源‧‧‧射頻電源

A‧‧‧輸送方向

Claims

一種成膜裝置，係在真空腔室內使成膜材料的粒子堆積於成膜對象物，該成膜裝置具備：成膜對象物配置部，係能夠在前述真空腔室內配置前述成膜對象物；堆積部，係使前述成膜材料的粒子堆積於前述成膜對象物；原料氣體供給部，係向前述真空腔室內供給原料氣體；及活化氣體供給部，係對配置於前述成膜對象物配置部之前述成膜對象物局部地供給比前述原料氣體活化之活化氣體。
如申請專利範圍第1項所述之成膜裝置，其中，前述堆積部具備：複數個等離子源，係在前述真空腔室內生成等離子射束；複數個主爐缸，係填充有前述成膜材料並向前述成膜材料導入前述等離子射束，或作為導入有前述等離子射束之主陽極；及複數個環爐缸，係配置於前述主爐缸的周圍並作為誘導前述等離子射束之輔助陽極。
如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中，前述活化氣體供給部向配置於前述成膜對象物配置部之前述成膜對象物中之、從前述成膜材料的粒子的照射方向觀察時相互鄰接之前述主爐缸之間的位置供給前述活化氣體。
如申請專利範圍第2項所述之成膜裝置，其中，前述活化氣體供給部向配置於前述成膜對象物配置部之前述成膜對象物中之、從前述成膜材料的粒子的照射方向觀察時比在前述複數個主爐缸排列之方向上配置於最端部之前述主爐缸更靠外緣側之位置供給前述活化氣體。