TW201421580A - 深矽通孔的刻蝕方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種深矽通孔的刻蝕方法，在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，所述刻蝕步驟結束後，關閉第一組管道的閥門，間隔一時間段之後，打開第二組管道的閥門；或者所述沉積步驟結束後，關閉第二組管道的閥門，間隔所述時間段之後，打開第一組管道的閥門，本發明通過控制閥門開閉時間來精確控制氣體反應時間，並且隨孔深增加而調節相應的刻蝕參數，以此來解決深孔刻蝕中隨孔深增加刻蝕速率減弱的問題。
Description
本發明涉及深矽通孔的刻蝕方法，特別是一種隨通孔深度增加而改進工藝參數的刻蝕方法。
矽通孔技術(TSV)為第4代封裝技術，矽通孔技術(TSV，Through-Silicon-Via)是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間製作垂直導通，實現芯片之間互連的最新技術。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，並且大大改善芯片速度和低功耗的性能。
TSV製作技術中首先應該做到的是刻蝕機台對不同材料刻蝕輪廓的控制。儘管可以籠統地認為TSV應用需要製作相對高的縱寬比(Aspect Ratio)，而業界對矽的深刻蝕原理和應用並不陌生，但是，實際上TSV對刻蝕的要求還是在許多方面超過了MEMS等應用領域。比如，被刻蝕材料的複雜程度、不同的3D IC的應用中TSV通孔的分佈密度、尺寸(包括深度和直徑)相當寬泛的分佈等等。
最佳的TSV技術必須能夠滿足輪廓控制(包括控制傾斜、斜差、側壁粗糙度、底切度等)，同時又需要在工藝能力上具備靈活性，能夠應對多種量級的通孔尺寸和各種多層材料，並具有高產量能力，能夠處理300mm晶圓，具有工藝的重複性、實用性、可靠性，最後，還必須滿足IC市場所要求的最好的性價比。
中國專利公開號CN102031525A公開了一種深矽通
孔的刻蝕方法，採用反應離子刻蝕的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟，所述刻蝕步驟和聚合物沉積步驟交替進行，所述刻蝕步驟採用的氣體中包括用於化學反應等離子刻蝕矽的第一氣體和用於與矽反應形成矽化物保護膜的第二氣體。使用該方法刻蝕形成TSV時，具有刻蝕效率高、TSV通孔側壁光滑度好的特點。
通常，在深刻蝕工藝中，採用刻蝕--沉積--刻蝕循環的工藝方法來進行深孔刻蝕。
圖1示出現有技術的深矽通孔刻蝕過程的流程圖。如圖1所示，其中，11為掩膜層，12為襯底矽，13為聚合物層。圖1中顯示了在深孔刻蝕中刻蝕步驟--聚合物沉積步驟--刻蝕步驟相互交替最後刻蝕形成孔洞的過程。
圖2示出現有技術的深矽通孔刻蝕過程中，反應腔室內刻蝕氣體與聚合物氣體變化的時序圖。如圖2所示，主要採用SF6氣體來進行刻蝕步驟，採用C4F8氣體來進行沉積步驟。由於每次的刻蝕和沉積的工藝參數都相同，但是隨著孔深的增加，腔室內的其他工藝條件不變，氣體要達到深孔底部的距離增加，因此刻蝕速率會降低，不能達到工藝預期。而且，工藝要求的氣體反應時間通常很短，非常容易受到閥門時間誤差之類的影響，無法保證氣體反應時間的精確性。
針對現有技術中的缺陷，本發明的目的是提供一種深矽通孔的刻蝕方法，克服了現有技術的困難，通過控制閥門開閉時間來精確控制氣體反應時間，並且隨孔深增加而調節相應的刻蝕參數，以此來解決深孔刻蝕中隨孔深增加刻蝕速率減弱的問題。
本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段系根据本发明的一个方面，提供一種深矽通孔的刻蝕方法，包括以下步驟：在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚
合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，所述刻蝕步驟結束後，關閉第一組管道的閥門，間隔一時間段之後，打開第二組管道的閥門；或者所述沉積步驟結束後，關閉第二組管道的閥門，間隔所述時間段之後，打開第一組管道的閥門；在所述時間段內調整刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量，所述刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量隨矽通孔的深度增加而增強。
優選地，所述刻蝕或者沉積步驟中的壓強、射頻功率以及刻蝕步驟的時間中的至少一項，隨矽通孔的深度增加而改變。
優選地，所述刻蝕或者沉積步驟中的壓強隨矽通孔的深度增加而減小，結束刻蝕時候的壓力比初始刻蝕時候的壓力減少5%至20%。
優選地，所述刻蝕或者沉積的射頻功率隨矽通孔的深度增加而增加，結束刻蝕時候的射頻功率比初始刻蝕時候的射頻功率增加10%至30%。
優選地，所述刻蝕步驟的時間隨矽通孔的深度增加而增加，刻蝕結束時候的刻蝕步驟的時間比初始刻蝕時候的刻蝕步驟時間增長5%至20%。
優選地，所述時間段為20毫秒至100毫秒。
優選地，所述時間段為第一組管道或者第二組管道的閥門開關時間。
優選地，所述時間段為第一組管道和第二組管道的閥門開關時間的平均值。
優選地，所述第一組管道通入的氣體包括SF6、NF3中的一種以及CO2、CO、NO、N2中的一種。
優選地，所述第二組管道通入的氣體包括C4F8、
C4F6、CHF3、CH2F2中的一種或任意幾種的組合。
與現有技術相比，本發明的深矽通孔的刻蝕方法通過控制閥門開閉時間來精確控制氣體反應時間，並且隨孔深增加而調節相應的刻蝕參數，以此來解決深孔刻蝕中隨孔深增加刻蝕速率減弱的問題。每次刻蝕的通孔增加的深度都相同，且達到了預期的要求，沒有因為通孔深度的增加而減弱刻蝕速率，最後得到的刻蝕深孔完全滿足工藝要求。
本發明所採用的具體實施例，將藉由以下之實施例及附呈圖式作進一步之說明。
11‧‧‧掩膜層
12‧‧‧襯底矽
13‧‧‧聚合物層
△t‧‧‧時間段
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明的其它特徵、目的和優點將會變得更明顯：圖1示出現有技術的深矽通孔刻蝕過程的流程圖；圖2示出現有技術的深矽通孔刻蝕過程中，反應腔室內刻蝕氣體與聚合物氣體變化的時序圖；圖3示出根據本發明的一個具體實施方式的，本發明的一種深矽通孔的刻蝕方法的流程圖；以及圖4示出根據本發明的一個具體實施方式的，本發明中的一種深矽通孔的刻蝕方法過程中，反應腔室內刻蝕氣體與聚合物氣體變化的時序圖。
本領域技術人員理解，本領域技術人員結合現有技術以及上述實施例可以實現所述變化例，在此不予贅述。這樣的變化例並不影響本發明的實質內容，在此不予贅述。
本發明提供了一種深矽通孔的刻蝕方法，在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，沉
積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，所述刻蝕步驟結束後，關閉第一組管道的閥門，間隔一時間段之後，打開第二組管道的閥門；或者所述沉積步驟結束後，關閉第二組管道的閥門，間隔所述時間段之後，打開第一組管道的閥門。本發明通過控制閥門開閉時間來精確控制氣體反應時間，以此避免閥門時間誤差之類的影響，保證氣體反應時間的精確性。
為了進一步解決隨著孔深的增加，深孔底部的受刻蝕的情況會逐漸減弱，不能達到工藝預期的問題，本發明採用了隨孔深增加而調節相應的刻蝕參數的方式，具體表現為：所述刻蝕步驟中等離子體刻蝕的強度隨矽通孔的深度變化而變化。在所述時間段內調整刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量，所述刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量隨矽通孔的深度增加而增強。所述刻蝕或者沉積步驟中的壓強、射頻功率以及刻蝕步驟的時間中的至少一項，隨矽通孔的深度增加而改變。
所述刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量隨矽通孔的深度增加而增強。在這個過程中，壓強隨矽通孔的深度增加而減小的方式可以是線性的，或是非線性的均可，根據實際刻蝕工藝的要求或是孔深變化對刻蝕速率的影響而定。
所述刻蝕或者沉積步驟中的壓強隨矽通孔的深度增加而減小，結束刻蝕時候的壓力比初始刻蝕時候的壓力減少5%至20%。在這個過程中，壓強隨矽通孔的深度增加而減小的方式可以是線性的，或是非線性的均可，根據實際刻蝕工藝的要求或是孔深變化對刻蝕速率的影響而定。
同樣地，刻蝕或者沉積的射頻功率隨矽通孔的深度增加而增加，結束刻蝕時候的射頻功率比初始刻蝕時候的射頻功率增加10%至30%。在這個過程中，射頻功率隨矽通孔的深度增加而增加的方式可以是線性的，或是非線性的均可，根據實際刻蝕工藝的要求或是孔深變化對刻蝕速率的影響而定。
同樣地，刻蝕步驟的時間隨矽通孔的深度增加而增加，刻蝕結束時候的刻蝕步驟的時間比初始刻蝕時候的刻蝕步驟時間增長5%至20%。在這個過程中，刻蝕步驟的時間隨矽通孔的深度增加而增加的方式可以是線性的，或是非線性的均可，根據實際刻蝕工藝的要求或是孔深變化對刻蝕速率的影響而定。
當然，實際使用中完全可以通過調整刻蝕壓強、射頻功率以及刻蝕步驟的時間中的兩項或是三項的方式來實現補償通孔深度增加對刻蝕速率的減弱。
圖3示出根據本發明的一個具體實施方式的，本發明的一種深矽通孔的刻蝕方法的流程圖。如圖3所示，本發明實際使用中，包括以下步驟：(1)在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體；(2)刻蝕步驟開始，打開第一組管道通入刻蝕氣體；(3)刻蝕步驟結束後，關閉第一組管道的閥門；(4)判斷刻蝕是否完成，若否，則執行步驟(5)，若是，則結束刻蝕；(5)間隔一時間段；(6)沉積步驟開始，打開第二組管道通入聚合物氣體；(7)沉積步驟結束後，關閉第二組管道的閥門；(8)間隔一時間段，返回步驟(2)。
圖4示出根據本發明的一個具體實施方式的，本發明中的一種深矽通孔的刻蝕方法過程中，反應腔室內刻蝕氣體與聚合物氣體變化的時序圖。如圖4所示，本發明的實際刻蝕過程中，通常將間隔的時間段△t的範圍定為20毫秒至100毫秒。具體的取值要考慮氣體閥門誤差、射頻功率、反應腔內部的壓力變化等多個工藝參數。通過改變刻蝕參數或調整開關延遲時間的精
確控制，整個刻蝕過程的穩定性可顯著改善。
所述時間段可以定義為以下的時間值：比如：所述時間段為第一組管道或者第二組管道的閥門開關時間。或者，所述時間段為第一組管道和第二組管道的閥門開關時間的平均值。
本發明中的反應氣體與常規的刻蝕過程所用的氣體相同，比如：第一組管道通過刻蝕氣體，所述第一組管道通入的氣體包括SF6、NF3中的一種以及CO2、CO、NO、N2中的一種。第二組管道通過聚合物氣體，所述第二組管道通入的氣體包括C4F8、C4F6、CHF3、CH2F2中的一種或任意幾種的組合。當然，實際過程中，使用的刻蝕氣體或聚合物氣體不限於以上的舉例。
本實施例中根據氣體閥門誤差、射頻功率、反應腔內部的壓力變化等多個工藝參數的得到的時間段△t為30毫秒，並且主要通過減小壓力的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱。
本發明提供了一種深矽通孔的刻蝕方法，在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，刻蝕氣體為SF6與CO2的氣體組合。沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，聚合物氣體為C4F8與C4F6的氣體組合。
第一次刻蝕時，將SF6與CO2的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，反應腔室內壓強為120mT、刻蝕功率為2000W，刻蝕步驟的時間為2s。
2s後，第一次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時30毫秒之後再開始第一次沉積。
第一次沉積時，將C4F8與C4F6的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第一次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時30毫秒之後再開始第二次刻蝕。
第二次刻蝕時，將SF6與CO2的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，保持刻蝕頻率、刻蝕功率以及刻蝕步驟的時間不變，即刻蝕功率仍為2000W，刻蝕步驟的時間仍為2s，但需要將第一次的壓力減小1%，第二次刻蝕時反應腔室內壓強大約為119.8mT，以此修正孔深對刻蝕速率的影響。
2s後，第二次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時30毫秒之後再開始第二次沉積。
第二次沉積時，將C4F8與C4F6的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第二次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時30毫秒之後再開始第三次沉積。
循環刻蝕--沉積--刻蝕的步驟直至達到刻蝕深度要求，每次刻蝕時，保持刻蝕頻率、刻蝕功率以及刻蝕步驟的時間不變，將上一次中的壓力減小1%。
由於採用了減小壓力的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱的方法，每次刻蝕的通孔增加的深度都相同，且達到了預期的要求，沒有因為通孔深度的增加而減弱刻蝕速率，最後得到的刻蝕深孔完全滿足工藝要求。
本實施例中根據氣體閥門誤差、射頻功率、反應腔內部的壓力變化等多個工藝參數的得到的時間段△t為70毫秒，並且主要通過提升刻蝕功率的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱。
本發明提供了一種深矽通孔的刻蝕方法，在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，刻蝕氣體為NF3與NO的氣體組合。沉積步驟中通過第二組管道通
入聚合物氣體，聚合物氣體為C4F6、CHF3與CH2F2的氣體組合。
第一次刻蝕時，將NF3與NQ的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，反應腔室內壓強為120mT、刻蝕功率為2000W，刻蝕步驟的時間為2s。
2s後，第一次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時70毫秒之後再開始第一次沉積。
第一次沉積時，將C4F6、CHF3與CH2F2的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第一次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時70毫秒之後再開始第二次刻蝕。
第二次刻蝕時，將NF3與NO的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，保持壓強、刻蝕頻率以及刻蝕步驟的時間不變，即反應腔室內壓強仍為120mT，刻蝕步驟的時間仍為2s，但需要將第一次的刻蝕功率提升1%，第二次刻蝕時的刻蝕功率為2020W，以此修正孔深對刻蝕速率的影響。
2s後，第二次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時70毫秒之後再開始第二次沉積。
第二次沉積時，將C4F6、CHF3與CH2F2的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第二次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時70毫秒之後再開始第三次刻蝕。
循環刻蝕--沉積--刻蝕的步驟直至達到刻蝕深度要求，每次刻蝕時，保持壓強、刻蝕頻率以及刻蝕步驟的時間不變，將上一次的刻蝕功率提升1%。
由於採用了提升刻蝕功率的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱的方法，每次刻蝕的通孔增加的深度都相同，且達到了預期的要求，沒有因為通孔深度的增加而減弱刻蝕速率，最後得到的刻蝕深孔完全滿足工藝要求。
本實施例中根據氣體閥門誤差、射頻功率、反應腔內部的壓力變化等多個工藝參數的得到的時間段△t為50毫秒，並且主要通過增加刻蝕步驟的時間的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱。
本發明提供了一種深矽通孔的刻蝕方法，在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，刻蝕氣體為NF3與N2的氣體組合。沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，聚合物氣體為CHF3與CH2F2的氣體組合。
第一次刻蝕時，將NF3與NO的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，反應腔室內壓強為120mT、刻蝕功率為2000W，刻蝕步驟的時間為2s。
2s後，第一次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時50毫秒之後再開始第一次沉積。
第一次沉積時，將CHF3與CH2F2的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第一次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時50毫秒之後再開始第二次刻蝕。
第二次刻蝕時，將NF3與N2的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，保持壓強、刻蝕頻率以及刻蝕功率不變，即反應腔室內壓強仍為120mT，刻蝕功率仍為2000WHz，但需要將第一次的刻蝕步驟的時間增加5%，為2.1秒，以此修正孔深對刻蝕速率的影響。
2.1s後，第二次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時50毫秒之後再開始第二次沉積。
第二次沉積時，將CHF3與CH2F2的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第二次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時50毫秒之後再開始第三次沉積。
循環刻蝕--沉積--刻蝕的步驟直至達到刻蝕深度要求，每次刻蝕時，保持壓強、刻蝕頻率以及刻蝕功率不變，將上一次的刻蝕步驟的時間增加5%，以此修正孔深對刻蝕速率的影響。
由於採用了增加刻蝕步驟的時間的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱的方法，每次刻蝕的通孔增加的深度都相同，且達到了預期的要求，沒有因為通孔深度的增加而減弱刻蝕速率，最後得到的刻蝕深孔完全滿足工藝要求。
本實施例中根據氣體閥門誤差、射頻功率、反應腔內部的壓力變化等多個工藝參數的得到的時間段△t為90毫秒，並且主要通過同時減小壓強、增加刻蝕功率、增加刻蝕步驟的時間的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱。
本發明提供了一種深矽通孔的刻蝕方法，在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，刻蝕氣體為SF6與CO的氣體組合。沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，聚合物氣體為C4F8、C4F6、CHF3與CH2F2的氣體組合。
第一次刻蝕時，將SF6與CO的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，反應腔室內壓強為120mT、刻蝕功率為2000W，刻蝕步驟的時間為2s。
2s後，第一次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時90毫秒之後再開始第一次沉積。
第一次沉積時，將C4F8、C4F6、CHF3與CH2F2的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第一次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時70毫秒之後再開始第二次刻蝕。
第二次刻蝕時，將SF6與CO的氣體組合通過第一組管道通入反應腔室內，將第一次的壓力減小1%，，將第一次的刻蝕功率增加1%，將第一次的刻蝕步驟增加5%；即第二次刻蝕時，反應腔室內壓強大約為119.8mT、刻蝕功率為2020W，刻蝕步驟的時間為2.1s，以此修正孔深對刻蝕速率的影響。
2.1s後，第二次刻蝕結束，關閉第一組管道。
延時90毫秒之後再開始第二次沉積。
第二次沉積時，將C4F8、C4F6、CHF3與CH2F2的氣體組合通過第二組管道通入反應腔室內。
第二次沉積結束後，關閉第二組管道。
延時90毫秒之後再開始第三次沉積。
循環刻蝕--沉積--刻蝕的步驟直至達到刻蝕深度要求，每次刻蝕時，將第一次的壓力減小1%，，將第一次的刻蝕功率增加1%，將第一次的刻蝕步驟增加5%，以此修正孔深對刻蝕速率的影響。
由於採用了同時減小壓強、增加刻蝕功率、增加刻蝕步驟的時間的方式來補償通孔深度增加後的刻蝕速率減弱的方法，每次刻蝕的通孔增加的深度都相同，且達到了預期的要求，沒有因為通孔深度的增加而減弱刻蝕速率，最後得到的刻蝕深孔完全滿足工藝要求。
綜上可知，本發明的深矽通孔的刻蝕方法通過控制閥門開閉時間來精確控制氣體反應時間，並且隨孔深增加而調節相應的刻蝕參數，以此來解決深孔刻蝕中隨孔深增加刻蝕速率減弱的問題。每次刻蝕的通孔增加的深度都相同，且達到了預期的要求，沒有因為通孔深度的增加而減弱刻蝕速率，最後得到的刻
蝕深孔完全滿足工藝要求。
以上對本發明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發明並不局限於上述特定實施方式，本領域技術人員可以在權利要求的範圍內做出各種變形或修改，這並不影響本發明的實質內容。
Claims (10)
- 一種深矽通孔的刻蝕方法，包括以下步驟：在矽襯底上形成掩膜層，採用交替進行的刻蝕步驟和聚合物沉積步驟刻蝕深矽通孔，其中，刻蝕步驟中通過第一組管道通入刻蝕氣體，沉積步驟中通過第二組管道通入聚合物氣體，其特徵在於：所述刻蝕步驟結束後，關閉第一組管道的閥門，間隔一時間段之後，打開第二組管道的閥門；或者所述沉積步驟結束後，關閉第二組管道的閥門，間隔所述時間段之後，打開第一組管道的閥門；在所述時間段內調整刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量，所述刻蝕步驟中的轟擊粒子的能量隨矽通孔的深度增加而增強。
- 如權利要求1所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述刻蝕或者沉積步驟中的壓強、射頻功率以及刻蝕步驟的時間中的至少一項，隨矽通孔的深度增加而改變。
- 如權利要求2所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述刻蝕或者沉積步驟中的壓強隨矽通孔的深度增加而減小，結束刻蝕時候的壓力比初始刻蝕時候的壓力減少5%至20%。
- 如權利要求2所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述刻蝕或者沉積的射頻功率隨矽通孔的深度增加而增加，結束刻蝕時候的射頻功率比初始刻蝕時候的射頻功率增加10%至30%。
- 如權利要求2所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述刻蝕步驟的時間隨矽通孔的深度增加而增加，刻蝕結束時候的刻蝕步驟的時間比初始刻蝕時候的刻蝕步驟時間增長5%至20%。
- 如權利要求1至5中任意一項所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述時間段為20毫秒至100毫秒。
- 如權利要求1至5中任意一項所述的深矽通孔的刻蝕工藝，其特徵在於：所述時間段為第一組管道或者第二組管道的閥門開 關時間。
- 如權利要求1至5中任意一項所述的深矽通孔的刻蝕工藝，其特徵在於：所述時間段為第一組管道和第二組管道的閥門開關時間的平均值。
- 如權利要求1至5中任意一項所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述第一組管道通入的氣體包括SF6、NF3中的一種以及CO2、CO、NO、N2中的一種。
- 如權利要求1至5中任意一項所述的深矽通孔的刻蝕方法，其特徵在於：所述第二組管道通入的氣體包括C4F8、C4F6、CHF3、CH2F2中的一種或任意幾種的組合。
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