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TW201401297A - 放射線影像檢測裝置 - Google Patents

放射線影像檢測裝置 Download PDF

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TW201401297A
TW201401297A TW102122455A TW102122455A TW201401297A TW 201401297 A TW201401297 A TW 201401297A TW 102122455 A TW102122455 A TW 102122455A TW 102122455 A TW102122455 A TW 102122455A TW 201401297 A TW201401297 A TW 201401297A
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TW
Taiwan
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scintillator
image detecting
photoelectric conversion
conversion panel
radiation image
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Application number
TW102122455A
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English (en)
Inventor
Yoichi Nishida
Yukinori Nakamura
Akihiro Anzai
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
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    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
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Abstract

本發明提供一種具有優異的感度的放射線影像檢測裝置。閃爍器具有由鉈活化碘化銫形成的多個柱狀結晶，將X射線轉換為可見光並自柱狀結晶的前端部射出。光電轉換面板檢測自閃爍器射出的可見光並生成電荷。閃爍器中的鉈相對於碘化銫的莫耳比在0.1 mol%~0.55 mol%的範圍內。柱狀結晶的(200)面的搖擺曲線的半值寬為3°以下。

Description

放射線影像檢測裝置
本發明是有關於一種檢測放射線影像的放射線影像檢測裝置。
近年來，在醫療領域中，為進行影像診斷而使用放射線影像檢測裝置，該放射線影像檢測裝置是自放射線源向患者的攝影部位進行放射，檢測透射攝影部位的放射線(例如X射線)並將該放射線轉換為電荷，基於該電荷來生成表示攝影部位的放射線影像的影像資料(data)。該放射線影像檢測裝置存在將放射線直接轉換為電荷的直接轉換方式者、及暫時將放射線轉換為可見光、且將該可見光轉換為電荷的間接轉換方式者。
間接轉換方式的放射線影像檢測裝置包括：閃爍器(scintillator)(螢光體層)，將放射線轉換為可見光；以及光電轉換面板(panel)，檢測可見光並將該可見光轉換為電荷。閃爍器中使用碘化銫(cesium iodide，CsI)或氧化釓硫(gadolinium oxide sulfur，GOS)。
碘化銫與氧化釓硫相比下，製造成本高，但自放射線向 可見光的轉換效率高，且具有柱狀結晶構造，藉由光導效應(light guide effect)而使影像資料的訊噪(signal to noise，SN)比提高，因此尤其是作為適合高層次(high end)的放射線影像檢測裝置的閃爍器來使用。但是，若僅為碘化銫則發光效率低，因此在碘化銫中添加鉈(thallium，Tl)等活化劑形成鉈活化碘化銫(CsI：Tl)來實現發光效率的提高。
由該結晶構成的閃爍器在理論上，越厚則感度越提高，但實際上若使厚度厚至某程度以上，則在閃爍器產生的可見光通過閃爍器自身時的衰減或散射變大，無法獲得充分的感度。因此，提出基於X射線繞射光譜將閃爍器的結晶性提高至規定的基準值以上(參照專利文獻1、專利文獻2)。
專利文獻1中，記載有使晶格面中的(200)面的X射線繞射光譜的半值寬為0.4°以下。專利文獻2中，記載有使(200)面的基於X射線繞射光譜的配向度在80%~100%的範圍內。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2009/041169號
[專利文獻2]國際公開第2011/089946號
然而，專利文獻1及專利文獻2中記載的X射線繞射法為θ-2θ法，且為判斷結晶在哪一方向對齊的配向性的方法，因此存在如下問題，即無法評估配向非常高的結晶的配向度，從而無 法判斷結晶性的良否。另外，亦存在如下問題，即於僅使結晶為高配向下，閃爍器的感度無法充分提高，亦依存於作為活化劑的鉈的濃度。
本發明的目的在於提供一種具有優異的感度的放射線影像檢測裝置。
為解決上述問題，本發明的放射線影像檢測裝置包括：閃爍器，具有多個柱狀結晶，將放射線轉換為可見光並射出；以及光電轉換面板，檢測自閃爍器射出的可見光並生成電荷，上述放射線影像檢測裝置的特徵在於：閃爍器含有碘化銫與鉈，鉈相對於碘化銫的莫耳比在0.1 mol%~0.55 mol%的範圍內，且柱狀結晶的(200)面的搖擺曲線的半值寬為3°以下。
再者，閃爍器的厚度較佳為100μm~800μm。
又，光電轉換面板較佳為配置在較閃爍器更靠放射線的入射側。該情形時，較佳為上述放射線影像檢測裝置包括支撐閃爍器的支撐基板，且相對於閃爍器，該支撐基板配置在光電轉換面板的相反側。
又，較佳為，閃爍器是蒸鍍形成在支撐基板上者，且柱狀結晶的前端部與光電轉換面板對向。
又，較佳為，上述放射線影像檢測裝置包括覆蓋閃爍器的表面的表面保護膜，且柱狀結晶的前端部隔著表面保護膜而與光電轉換面板對向。該表面保護膜較佳為包含聚對二甲苯。
又，較佳為，在光電轉換面板的表面上形成有接著層， 閃爍器經由接著層貼合在光電轉換面板上。
又，較佳為，上述放射線影像檢測裝置在支撐基板上具有基板保護膜，且在該基板保護膜上形成有閃爍器。該基板保護膜較佳為包含聚對二甲苯。
進而，柱狀結晶的(200)面的搖擺曲線的半值寬較佳為2.5°以下。進而又較佳為，鉈相對於碘化銫的莫耳比在0.2 mol%~0.4 mol%的範圍。
根據本發明的放射線影像檢測裝置，藉由使閃爍器中的鉈相對於碘化銫的莫耳比在0.1 mol%~0.55 mol%的範圍內，且使柱狀結晶的(200)面的搖擺曲線的半值寬為3°以下，可獲得優異的感度。
10‧‧‧X射線影像檢測裝置
11‧‧‧平板檢測器
12‧‧‧基座
12a‧‧‧腿部
13‧‧‧電路單元
14‧‧‧框體
14a‧‧‧頂板
14b‧‧‧主體
14c‧‧‧開口部
20‧‧‧閃爍器
21‧‧‧光電轉換面板
21a‧‧‧玻璃基板
21b‧‧‧元件部
22‧‧‧支撐基板
22a‧‧‧基板保護膜
23‧‧‧表面保護膜
24‧‧‧接著層
25‧‧‧端部密封材
26‧‧‧接著層
27‧‧‧電路基板
28‧‧‧撓性電纜
30‧‧‧非柱狀結晶
31‧‧‧柱狀結晶
31a‧‧‧前端部
32‧‧‧空氣層
40‧‧‧畫素
41‧‧‧光電二極體
42‧‧‧電容器
43‧‧‧薄膜電晶體
44‧‧‧閘極配線
45‧‧‧資料配線
46‧‧‧閘極驅動器
47‧‧‧信號處理部
T‧‧‧厚度
圖1是X射線影像檢測裝置的局部切斷立體圖。
圖2是X射線影像檢測裝置的概略剖面圖。
圖3是表示閃爍器的詳細構成的概略剖面圖。
圖4是表示光電轉換面板的元件部的構成的電路圖。
圖5是表示利用θ-2θ法的X射線繞射光譜的曲線圖。
圖6是表示利用搖擺曲線法的X射線繞射光譜的曲線圖。
圖1中，X射線影像檢測裝置10包括平板檢測器(flat panel detector，FPD)11、基座12、電路單元13、及收容該等構件的框體14。框體14包括頂板14a、及扁平的箱形狀的主體14b。
頂板14a將形成在主體14b上部的開口部14c密封。頂板14a的上表面為自X射線產生器(未圖示)射出並透射被攝體(患者)的攝影部位的X射線所照射的照射面。因此，頂板14a包含X射線的透射性高的碳(carbon)等。主體14b包含丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(acrylonitrile butadiene styrene，ABS)樹脂等。
X射線影像檢測裝置10與現有的X射線膠片盒(X-ray film cassette)同樣地具有可移動性，可代替X射線膠片盒使用而稱作電子膠片盒(electronic cassette)。
在框體14內，自頂板14a側依序配置有平板檢測器11、基座12。基座12固定在框體14的主體14b上。平板檢測器11安裝在基座12上。電路單元13配置在框體14內的沿短邊方向的一端側。電路單元13收容有微電腦(micro computer)或電池(battery)(均未圖示)。
圖2中，平板檢測器11包括閃爍器20、及光電轉換面板21。閃爍器20是藉由在支撐基板22上蒸鍍鉈活化碘化銫(CsI：Tl)而形成者，且具有柱狀構造。支撐基板22包含例如厚度為約300 μm的鋁。
在支撐基板22的形成有閃爍器20的表面上，形成有基板保護膜22a。基板保護膜22a包含例如厚度為約10 μm的聚對二甲苯。作為該聚對二甲苯，更具體而言使用派瑞林C(parylene C) (日本派瑞林(Parylene)股份公司製造的商品名；「派瑞林」為註冊商標)。
在閃爍器20與支撐基板22的露出至外部的整個表面上，形成有表面保護膜23以防止閃爍器20受潮。表面保護膜23包含例如厚度為約20 μm的聚對二甲苯。作為該聚對二甲苯，更具體而言使用派瑞林C(日本派瑞林股份公司製造的商品名；「派瑞林」為註冊商標)。閃爍器20的折射率為1.81，基板保護膜22a及表面保護膜23的折射率為1.64。
光電轉換面板21配置在閃爍器20的頂板14a側，光電轉換面板21與閃爍器20經由接著層24貼合。接著層24包含對於可見光而為透明的樹脂(例如低黏度環氧樹脂(epoxy resin))，且具有例如約15 μm的厚度。又，閃爍器20、支撐基板22及接著層24的側部由端部密封材25覆蓋。端部密封材25包含紫外線硬化樹脂。進而，光電轉換面板21經由接著層26而貼附在頂板14a上。
基座12以腿部12a固定在主體14b的底面上。在基座12的與閃爍器20為相反側的面上，安裝有進行光電轉換面板21的驅動及信號處理等的電路基板27。電路基板27與光電轉換面板21經由撓性電纜(flexible cable)28而電性連接。
閃爍器20吸收X射線而產生可見光，該X射線是在透射攝影部位並照射至頂板14a之後，透射頂板14a、接著層26、光電轉換面板21、接著層24、及表面保護膜23而入射至上述閃 爍器20。藉由閃爍器20而產生的可見光透射表面保護膜23及接著層24併入射至光電轉換面板21。光電轉換面板21將入射的可見光轉換為電荷，並基於該電荷而生成表示放射線影像的影像資料。
如此，光電轉換面板21配置在較閃爍器20更靠X射線的入射側的配置方式，稱作照射側採集(Irradiation Side Sampling，ISS)型。
圖3中，閃爍器20包含非柱狀結晶30與柱狀結晶31。非柱狀結晶30為粒子狀，遍及整個支撐基板22上而形成。柱狀結晶31是以非柱狀結晶30為基礎而在非柱狀結晶30上結晶成長而得者。柱狀結晶31在非柱狀結晶30上形成有多個，柱狀結晶31彼此隔著空氣層32而分開。柱狀結晶31的直徑沿其長邊方向為大致均一(6 μm左右)。
X射線自光電轉換面板21側入射至閃爍器20，因此對於在閃爍器20內產生可見光而言，主要是在柱狀結晶31的光電轉換面板21側產生可見光。閃爍器20所產生的可見光藉由柱狀結晶31的光導效應而在柱狀結晶31內朝向光電轉換面板21傳輸，且自前端部31a向光電轉換面板21射出。前端部31a為大致圓錐狀，其頂部的角度為銳角(例如40°~80°)。
柱狀結晶31所產生的可見光藉由光導效應亦向支撐基板22側傳輸。在柱狀結晶31內朝向支撐基板22側傳輸的可見光到達非柱狀結晶30，該可見光的大部分在非柱狀結晶30上反射並 射向光電轉換面板21側。因此，閃爍器20所產生的可見光的損失少。
柱狀結晶31的(200)面的搖擺曲線的半值寬為3°以下。該半值寬較佳為2.5°以下，尤佳為2°以下。搖擺曲線是指X射線繞射光譜，該X射線繞射光譜是將檢測器(detector)(未圖示)固定在特定的結晶面(本實施方式中為(200)面)滿足布拉格(Bragg)的繞射條件的角度的2倍的位置上，使X射線的入射角變化而獲得者，其半值寬的值越小則結晶的品質越佳。假若在柱狀結晶31的(200)面的搖擺曲線的半值寬大於3°的情形時，由於晶格缺陷多而使得可見光的散射大，感度降低。
平板檢測器11為照射側採集型，因此(200)面的搖擺曲線的半值寬小的柱狀結晶31接近於光電轉換面板21而配置，在光電轉換面板21附近的可見光的散射少，因此與透過側採集(Penetration Side Sampling，PSS)型的情形相比下，感度優異。透過側採集型是指將光電轉換面板配置在較閃爍器更靠X射線的入射側的相反側的配置方式，在透過側採集型中，非柱狀結晶接近於光電轉換面板而配置。
形成閃爍器20的鉈活化碘化銫，是在碘化銫(CsI)中添加有作為活化劑的鉈(Tl)而成者。鉈相對於碘化銫的莫耳比(以下稱作「鉈/碘化銫比」)較佳為0.1 mol%~0.55 mol%，更佳為0.2 mol%~0.4 mol%。假若在該鉈/碘化銫比小於0.1 mol%的情形時，無法獲得充分的發光強度，從而感度降低。
閃爍器20的厚度T較佳為100 μm以上且800 μm以下，更佳為200 μm以上且700 μm以下。假若在該厚度T未達100 μm的情形時，X射線吸收量低，無法獲得充分的發光強度，因此感度降低。另一方面，在厚度T大於800 μm的情形時，在閃爍器20內可見光的衰減或散射大，從而感度降低。
光電轉換面板21包含玻璃基板21a、形成在玻璃基板21a上的元件部21b。玻璃基板21a配置在較元件部21b更靠X射線入射側，例如具有700 μm的厚度。
圖4中，元件部21b藉由多個畫素40排列為二維矩陣(matrix)狀而構成。各畫素40包括光電二極體(photodiode，PD)41、電容器42、及薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)43。光電二極體41為包含非晶矽(amorphous silicon)的光電轉換元件，吸收自閃爍器20入射的可見光而生成電荷。電容器42儲存光電二極體41所生成的電荷。薄膜電晶體43是用以使儲存在電容器42中的電荷輸出至各畫素40的外部的開關(switching)元件。
各畫素40連接於閘極(gate)配線44與資料配線45。閘極配線44沿行方向延伸，且沿列方向排列有多個。資料配線45沿列方向延伸，且以與閘極配線44相交的方式沿行方向排列有多個。閘極配線44連接於薄膜電晶體43的閘極端子。資料配線45連接於薄膜電晶體43的汲極(drain)端子。
閘極配線44的一端連接於閘極驅動器(gate driver)46。資料配線45的一端連接於信號處理部47。閘極驅動器46及信號 處理部47設置在電路基板27上。閘極驅動器46依序對各閘極配線44提供閘極驅動信號，而使與各閘極配線44連接的畫素40的薄膜電晶體43接通(on)。若薄膜電晶體43接通，則儲存在電容器42中的電荷輸出至資料配線45。
信號處理部47針對每個資料配線45而具有積分放大器(integrating amplifier)(未圖示)。輸出至資料配線45的電荷藉由積分放大器進行積分並轉換為電壓信號。此外，信號處理部47包括類比/數位(analog to digital，A/D)轉換器(未圖示)，將藉由各積分放大器生成的電壓信號轉換為數位信號而生成影像資料。
接下來，對X射線影像檢測裝置10的製造方法進行說明。首先，在鋁製的支撐基板22上使聚對二甲苯成膜，而形成具有約10 μm的厚度的基板保護膜22a。在該支撐基板22上，隔著基板保護膜22而藉由氣相沈積法形成閃爍器20。
具體而言，將支撐基板22放入蒸鍍裝置的真空腔室(未圖示)內。該真空腔室包括用以分別單獨地對作為閃爍器20的原料的碘化銫(CsI)與碘化鉈(thallium iodide，TlI)進行加熱的2個坩堝。一面藉由真空腔室的旋轉機構使支撐基板22旋轉，一面打開各坩堝的擋板(shutter)來調節各坩堝的溫度，藉此調節各材料的蒸發量而成為規定的鉈/碘化銫比(例如為0.5 mol%)。此時，以加熱器(heater)控制支撐基板22的溫度。
該蒸鍍開始後，首先在支撐基板22上形成非柱狀結晶 30，藉由變更真空度及支撐基板22的溫度中的至少一者，而在非柱狀結晶30上連續地形成柱狀結晶31。然後，在厚度成為規定的厚度T(例如為400 μm)的時間點關閉各坩堝的擋板，停止對坩堝及支撐基板22的加熱，藉此結束蒸鍍。
自真空腔室取出形成有閃爍器20的支撐基板22。然後，在光電轉換面板21的元件部21b側的表面上形成接著層24，以該接著層24隔著表面保護膜23而與閃爍器20的柱狀結晶31的前端部31a對向的方式，貼附光電轉換面板21與閃爍器20。最後，以覆蓋閃爍器20、支撐基板22、及接著層24的側部的方式形成紫外線硬化樹脂，並照射紫外線使之硬化，藉此形成端部密封材25。
藉由以上步驟而完成平板檢測器11。經由撓性電纜28而將電路基板27連接於該平板檢測器11，並與電路單元13一同組裝入框體14內，由此完成X射線影像檢測裝置10。
下面，對本實施方式的作用進行說明。為使用X射線影像檢測裝置10進行放射線影像的攝影，攝影者(例如放射線技師)以使頂板14a與攝影部位對向的方式將X射線影像檢測裝置10插入被攝體的攝影部位與基座(未圖示)之間，並進行位置調整。
若上述位置調整結束，則攝影者操作控制台(console)(未圖示)而指示開始攝影。基於該指示，自X射線產生器(未圖示)射出X射線，透射攝影部位的X射線照射至X射線影像檢測裝置10的頂板14a。照射至頂板14a的X射線透射頂板14a、 接著層26、光電轉換面板21、接著層24及表面保護膜23而入射至閃爍器20。
閃爍器20吸收入射的X射線而產生可見光。對於閃爍器20所產生的可見光而言，主要是在柱狀結晶31內的頂板14a側產生可見光。在柱狀結晶31內產生的光在各柱狀結晶31內傳輸並自前端部31a射出，透過表面保護膜23及接著層24並入射至光電轉換面板21的元件部21b。
入射至元件部21b的可見光在每個畫素40被轉換為電荷，並輸出至信號處理部47。在信號處理部47中，將各電荷轉換為電壓信號，藉由使該電壓信號數位化而生成表示放射線影像的影像資料。該影像資料藉由無線或有線傳送至控制台，基於該影像資料的影像顯示在與控制台連接的監視器(monitor)(未圖示)等上。
再者，上述實施方式中，將平板檢測器11設為照射側採集型，但亦可設為透過側採集型。在設為透過側採集型的情形時，較佳為不使用支撐基板22，而是使閃爍器20直接在光電轉換面板21上成膜。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該等具體例。
[實施例1]
1.閃爍器的形成
向蒸鍍裝置的真空腔室內的2個坩堝中的一者填充碘化銫，且向另一者填充碘化鉈。作為支撐基板，準備在表面上成膜有聚對二甲苯的厚度為約300 μm的鋁基板，並將該支撐基板放置(set)在真空腔室內。將真空腔室排氣至5×10-3 Pa以下之後，流入固定量的氬氣(argon gas)作為製程氣體(process gas)，由此使真空度為0.5 Pa。
對各坩堝進行加熱，在坩堝內的原料的熔液狀態穩定的時間點，使支撐基板旋轉，且打開各坩堝的擋板，藉此開始閃爍器的蒸鍍。此時，以使鉈/碘化銫比成為0.5 mol%的方式，調節各坩堝的溫度。又，藉由加熱器控制支撐基板的溫度，使剛開始蒸鍍後的支撐基板為40℃，其後使溫度慢慢上升，最終使支撐基板的溫度為120℃。藉此，首先形成非柱狀結晶，且在該非柱狀結晶上連續成長柱狀結晶。在該條件下持續蒸鍍，並在閃爍器的膜厚成為400 μm的時間點關閉各坩堝的擋板，停止對坩堝及支撐基板的加熱。其後，自真空腔室取出形成有閃爍器的支撐基板。
2.閃爍器的結晶性的測定
使用X射線繞射裝置(PANalytical公司製造的X’Pert Pro)進行閃爍器的結晶性評估。在該閃爍器的評估中，基於搖擺曲線法來測定閃爍器的柱狀結晶的(200)面的搖擺曲線的半值寬。該半值寬的測定以如下方式實施。
首先，進行利用θ-2θ法的X射線繞射測定，並根據所獲得的X射線繞射光譜而求出來自碘化銫的(200)面的峰位置(參 照圖5)。其次，以獲得該峰位置的角度固定X射線繞射裝置的檢測器，改變X射線的入射角ω來進行X射線繞射測定，由此獲得山形的X射線繞射光譜(搖擺曲線)(參照圖6)。然後，求出該搖擺曲線的最大強度成為一半的位置的寬度(半值寬)。
3. X射線影像檢測裝置的製作
準備光電轉換面板，在其表面上以溶劑變薄後的厚度成為15 μm的方式，以旋塗機(spin coater)塗佈經溶劑稀釋的低黏度環氧樹脂劑(亨斯邁(HUNTSMAN)公司製造的愛牢達(Araldite)2020)而形成接著層。又，以覆蓋整個閃爍器及支撐基板的方式使聚對二甲苯成膜。然後，使光電轉換面板的形成有接著層的側與閃爍器的柱狀結晶側接觸並進行加熱，由此使光電轉換面板與閃爍器貼合，藉此製作平板檢測器。
其後，將進行光電轉換面板的驅動及信號處理等的電路基板經由撓性電纜安裝在光電轉換面板上，藉此完成實施例1的X射線影像檢測裝置。以X射線自光電轉換面板側入射的方式配置X射線影像檢測裝置(即設為照射側採集型)，利用X射線影像檢測裝置的X射線影像的檢測是藉由將平板檢測器以電纜連接於個人電腦，並以個人電腦對平板檢測器進行控制而實施。
4. X射線影像檢測裝置的感度的測定
對X射線影像檢測裝置進行X射線照射而驅動光電轉換面板，藉由閃爍器所產生的可見光而讀出儲存在光電二極體中的電荷，以積分放大器放大之後進行類比/數位轉換，藉此求出產生電 荷量。又，事先測定未照射X射線時的電荷(檢測系統的雜訊)量，將X射線照射量的產生電荷量減去該未照射X射線時的電荷量而得的值設為感度。
5.閃爍器的組成評估
將閃爍器的一部分溶於水中，藉由高頻感應耦合電漿(Inductivity Coupled Plasma)法對碘化銫與鉈的量進行量化而求出鉈/碘化銫比。
6.合格與否判定
將在本實施例1中測定的感度設為100，將以下的各實施例及比較例的感度作為相對感度來表示。將相對感度為100以上者設為合格(Pass)，而將小於100者設為不合格(Fail)。
[實施例2]
除使蒸鍍裝置的真空腔室的真空度為0.4 Pa，且使蒸鍍中的支撐基板的最終溫度為110℃以外，以與實施例1相同的條件製作本實施例2的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為110而合格。
[實施例3]
除使蒸鍍裝置的真空腔室的真空度為0.3 Pa，且使蒸鍍中的支撐基板的最終溫度為100℃以外，以與實施例1相同的條件製作本實施例3的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為120而合格。
[實施例4]
除以使鉈/碘化銫比成為0.15 mol%的方式調節各坩堝的溫度以外，以與實施例2相同的條件製作本實施例4的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為105而合格。
[實施例5]
除以使鉈/碘化銫比成為0.3 mol%的方式調節各坩堝的溫度以外，以與實施例2相同的條件製作本實施例5的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為115而合格。
[實施例6]
除進行蒸鍍至閃爍器的厚度成為600 μm為止以外，以與實施例5相同的條件製作本實施例6的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為130而合格。
[實施例7]
不使用支撐基板而是使閃爍器直接在光電轉換面板上成膜(即，使平板檢測器為透過側採集型)，除此以外，以與實施例6相同的條件製作本實施例7的X射線影像檢測裝置。其結果，相對感度為110而合格。
其次，列舉用以與實施例1~實施例7的X射線影像檢測裝置比較特性的比較例。
[比較例1]
除使蒸鍍裝置的真空腔室的真空度為0.6 Pa，且使蒸鍍中的支撐基板的最終溫度為140℃以外，以與實施例5相同的條件製作本比較例1的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果， 相對感度為95而不合格。
[比較例2]
除使蒸鍍裝置的真空腔室的真空度為0.7 Pa，且使蒸鍍中的支撐基板的最終溫度為160℃以外，以與實施例5相同的條件製作本比較例2的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為85而不合格。
[比較例3]
除以使鉈/碘化銫比成為0.05 mol%的方式調節各坩堝的溫度以外，以與實施例2相同的條件製作本比較例3的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為95而不合格。
[比較例4]
除以使鉈/碘化銫比成為0.6 mol%的方式調節各坩堝的溫度以外，以與實施例2相同的條件製作本比較例4的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為95而不合格。
[比較例5]
除進行蒸鍍至閃爍器的厚度成為600 μm為止以外，以與比較例2相同的條件製作本比較例5的X射線影像檢測裝置，並進行各測定及評估。其結果，相對感度為90而不合格。
將實施例1~實施例7及比較例1~比較例5的各測定結果及評估結果示於表1中。
[表1]
根據表1得知，如實施例1~實施例7般，(200)面的搖擺曲線的半值寬為3°以下，且鉈/碘化銫比在0.1 mol%~0.55 mol%的範圍內，藉此獲得較比較例1~比較例5的情形高的感度。又，若對實施例5與實施例6進行比較，則閃爍器的厚度越大則感度越提高。又，若對實施例6與實施例7進行比較，則得知照射側採集型與透過側採集型相較下，感度提高。又，若對實施例5與比較例2、實施例6與比較例5進行比較，則得知在(200)面的搖擺曲線的半值寬小的情形時，感度顯著提高。
再者，上述實施方式中，將本發明應用於作為可移動型的放射線影像檢測裝置的電子膠片盒，但亦可應用於站姿型或臥姿型的放射線影像檢測裝置、或乳房攝影(mammography)裝置等。

Claims (10)

  1. 一種放射線影像檢測裝置，包括：閃爍器，具有多個柱狀結晶，且將放射線轉換為可見光並射出；以及光電轉換面板，檢測自上述閃爍器射出的可見光並生成電荷，上述放射線影像檢測裝置的特徵在於：上述閃爍器含有碘化銫與鉈，上述鉈相對於上述碘化銫的莫耳比在0.1 mol%~0.55 mol%的範圍內，且上述柱狀結晶的(200)面的搖擺曲線的半值寬為3°以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器的厚度為100 μm~800 μm。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述光電轉換面板配置在較上述閃爍器更靠放射線的入射側。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的放射線影像檢測裝置，其包括支撐上述閃爍器的支撐基板，且相對於上述閃爍器，上述支撐基板配置在上述光電轉換面板的相反側。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述閃爍器是蒸鍍形成在上述支撐基板上者，且上述柱狀結晶的前端部與上述光電轉換面板對向。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的放射線影像檢測裝置，其包括覆蓋上述閃爍器的表面的表面保護膜，且上述前端部隔著上述 表面保護膜而與上述光電轉換面板對向。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述表面保護膜包含聚對二甲苯。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的放射線影像檢測裝置，其中在上述光電轉換面板的表面形成有接著層，且上述閃爍器經由上述接著層而貼合在上述光電轉換面板上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的放射線影像檢測裝置，其中在上述支撐基板上具有基板保護膜，且在上述基板保護膜上形成有上述閃爍器。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的放射線影像檢測裝置，其中上述基板保護膜包含聚對二甲苯。
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