TW201404028A - 整流電路及整流方法 - Google Patents

Abstract

一種整流電路，包括：一第一檢測電路，耦接至一變壓器的一次級繞組的一端；一第一高頻電子開關，耦接在該第一檢測電路和一接地線之間；一第二檢測電路，耦接至該次級繞組的另一端；一第二高頻電子開關，耦接在該第二檢測電路和該接地線之間；一第一驅動電路，耦接至該第一檢測電路和該第一高頻電子開關，根據該第一檢測電路基於流過該第一高頻電子開關的一電流而產生的一第一驅動電流，控制該第一高頻電子開關；以及一第二驅動電路，耦接至該第二檢測電路和該第二高頻電子開關，根據該第二檢測電路基於流過該第二高頻電子開關的一電流而產生的一第二驅動電流，控制該第二高頻電子開關。

Description

整流電路及整流方法

本發明係有關電子技術領域，特別關於一種整流電路及整流方法。

圖1為現有技術中全波整流電路100的電路示意圖。在全波整流電路100中，變壓器的次級繞組T1通常為中心抽頭式，對於大變壓器而言，由於電流較大，中心抽頭式的繞組會導致線包較粗，因此使變壓器的結構較為複雜，工藝性不好。另一方面，現有技術中的整流電路多採用整流二極體，例如圖1中之全波整流電路100採用的整流二極體D1和整流二極體D2，由於整流二極體的損耗較大，尤其在低壓大電流的情况下損耗更為突出，因此導致整個全波整流電路100的損耗較大。

本發明的目的為提供一種整流電路，包括：一第一檢測電路，耦接至一變壓器的一次級繞組的一端；一第一高頻電子開關，耦接在該第一檢測電路和一接地線之間；一第二檢測電路，耦接至該次級繞組的另一端；一第二高頻電子開關，耦接在該第二檢測電路和該接地線之間；一第一驅動電路，耦接至該第一檢測電路和該第一高頻電子開關，根據該第一檢測電路基於流過該第一高頻電子開關的一電流而產生的一第一驅動電流，控制該第一高頻電子開關；以及一第二驅動電路，耦接至該第二檢測電路和該第二高頻電子開關，根據該第二檢測電路基於流過該第二高頻電子開關的一電流而產生的一第二驅動電流，控制該第二高頻電子開關。

本發明還提供一種整流方法，包括：一第一檢測電路感應流過一第一高頻電子開關的一電流，根據該電流產生一第一驅動電流；一第一驅動電路根據該第一驅動電流控制該第一高頻電子開關；一第二檢測電 路感應流過一第二高頻電子開關的一電流，根據該電流產生一第二驅動電流；以及一第二驅動電路根據該第二驅動電流控制該第二高頻電子開關。

1‧‧‧變壓器

2‧‧‧濾波電路

31‧‧‧第一檢測電路

32‧‧‧第二檢測電路

41‧‧‧第一高頻電子開關

42‧‧‧第二高頻電子開關

51‧‧‧第一驅動電路

52‧‧‧第二驅動電路

100‧‧‧全波整流電路

200‧‧‧整流電路

300‧‧‧整流電路

511‧‧‧第一充電模組

512‧‧‧第一控制模組

513‧‧‧第一驅動模組

521‧‧‧第二充電模組

522‧‧‧第二控制模組

523‧‧‧第二驅動模組

600‧‧‧流程圖

602~608‧‧‧步驟

以下結合附圖和具體實施例對本發明的技術方法進行詳細的描述，以使本發明的特徵和優點更為明顯。其中：圖1所示為現有技術中的全波整流電路的電路示意圖；圖2所示為根據本發明一實施例之整流電路的結構示意圖；圖3所示為根據本發明另一實施例之整流電路的電路結構圖；圖4A所示為根據本發明一實施例之第一驅動電路的結構示意圖；圖4B所示為根據本發明一實施例之第二驅動電路的結構示意圖；圖5所示為根據本發明一實施例之第二驅動電路的電路結構圖；以及圖6所示為根據本發明一實施例之整流方法的流程示意圖。

以下將對本發明的實施例給出詳細的說明。雖然本發明將結合實施例進行闡述，但應理解這並非意指將本發明限定於這些實施例。相反地，本發明意在涵蓋由後附申請專利範圍所界定的本發明精神和範圍內所定義的各種變化、修改和均等物。

此外，在以下對本發明的詳細描述中，為了提供針對本發明的完全的理解，提供了大量的具體細節。然而，於本技術領域中具有通常知識者將理解，沒有這些具體細節，本發明同樣可以實施。在另外的一些實例中，對於大家熟知的方法、程序、元件和電路未作詳細描述，以便於凸顯本發明之主旨。

圖2所示為根據本發明一實施例之整流電路200的結構示意圖。整流電路200包括：第一檢測電路31、第二檢測電路32、第一高頻電子開關41、第二高頻電子開關42、第一驅動電路51以及第二驅動電路52。其中，第一檢測電路31耦接至變壓器1的次級繞組的一端、第一高頻電子開關41及第一驅動電路51。第一高頻電子開關41耦接至第一驅動電路51。第二檢測電路32的一端耦接至變壓器1的次級繞組的另一端、第二高頻電子開關42及第二驅動電路52。 第二高頻電子開關42耦接至第一驅動電路52。第一檢測電路31感應流過第一高頻電子開關41的電流，產生第一驅動電流，並將產生的第一驅動電流發送至第一驅動電路51。第一驅動電路51根據接收到的第一驅動電流控制第一高頻電子開關41的導通或截止。第二檢測電路32感應流過第二高頻電子開關42的電流，產生第二驅動電流，並將產生的第二驅動電流發送至第二驅動電路52。第二驅動電路52根據接收到的第二驅動電流控制第二高頻電子開關42的導通或截止。

較佳地，在一實施例中，整流電路200還可以包括濾波電路2，耦接至變壓器1的次級繞組的兩端和接地線。濾波電路2用於减少整流電路的漣波電流。

圖3所示為根據本發明另一實施例之整流電路300的電路結構圖。在整流電路300中，較佳地，在一實施例中，第一高頻電子開關41和第二高頻電子開關42分別為第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1和第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2，第一檢測電路31和第二檢測電路32分別為第一電流比流器CT1和第二電流比流器CT2，第一驅動電路51和第二驅動電路52的結構相同，其中，第一驅動電路51和第二驅動電路52的結構在圖3中未示出。

具體而言，變壓器1的次級繞組T1的正極耦接至第一濾波電感L1及第一電流比流器CT1的一端。第一電流比流器CT1的另一端耦接至第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的汲極。第一電流比流器CT1的電感具有兩個端子(即A5端子和A6端子)，分別耦接至第一驅動電路51(圖3中未示出)的兩個輸入端。第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的閘極和源極分別耦接至第一驅動電路51(圖3中未示出)的輸出端和接地線。

變壓器1的次級繞組T1的負極耦接至第二濾波電感L2及第二電流比流器CT2的一端。第二電流比流器CT2的另一端耦接至第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的汲極。第二電流比流器CT2的電感具有兩個端子(即B5端子和B6端子)，分別耦接至第二驅動電路52(圖3中未示出)的兩個輸入端。第二金屬氧化物半導體 場效電晶體Q2的閘極和源極分別耦接至第二驅動電路52(圖3中未示出)的輸出端和接地線。為便於描述，第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的閘極也稱為A3端子，第二管金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的閘極也稱為B3端子。

較佳地，濾波電路2包括第一電感L1、第二電感L2以及電容C1。第一電感L1與電容C1串聯在變壓器的次級繞組T1的正極和接地線之間，即第一電感L1的一端耦接變壓器的次級繞組T1的正極，另一端耦接電容C1的正極，電容C1的負極耦接至接地線；第二電感L2的一端耦接至變壓器的次級繞組T1的負極，另一端耦接至第一電感L1及電容C1。

圖4A所示為根據本發明一實施例之驅動電路51的結構示意圖。圖4A將結合圖3描述。第一驅動電路51包括第一充電模組511、第一控制模組512以及第一驅動模組513。

第一充電模組511的兩個輸入端分別耦接至第一電流比流器CT1的A5端子及A6端子，根據第一驅動電流產生使第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1導通的電荷，並儲存電荷。第一驅動模組513的輸出端耦接至第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的A3端子。第一控制模組512耦接至第一電流比流器CT1、第一充電模組511和第一驅動模組513，根據第一驅動電流控制第一驅動模組，使得當流過第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的電流從接地線流向第一電流比流器CT1時，第一驅動模組513將第一充電模組511儲存的電荷輸出至第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的閘極，進而使第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1導通；或者當流過第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的電流從第一電流比流器CT1流向接地線時，第一驅動模組513將第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1的閘極接至接地線，進而使第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1截止。

圖4B所示為根據本發明一實施例之驅動電路52的結構示意圖。圖4B將結合圖3描述。第二驅動電路52包括第二充電模組521、第二控制模組522以及第二驅動模組523。

第二充電模組521的兩個輸入端分別耦接至第二電流比流器CT2的B5端子及B6端子，根據第二驅動電流產生使第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2導通的電荷，並儲存產生的電荷。第二驅動模組523的輸出端耦接至第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的B3端子。第二控制模組522耦接至第二電流比流器CT2、第二充電模組521以及第二驅動模組523，根據第二驅動電流控制第二驅動模組523，以使得當流過第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的電流從接地線流向第二電流比流器CT2時，第二驅動模組523將第二充電模組521儲存的電荷輸出至第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的閘極，進而使第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2導通；或者當流過第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的電流從第二電流比流器CT2流向接地線時，第二驅動模組523將第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的閘極接至接地線，進而使第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2截止。

圖5所示為根據本發明又一實施例之驅動電路52的電路結構圖。圖5將結合圖2至圖4進行說明。如圖5所示，第二驅動模組523的電路為推挽電路，包括電晶體Q102、電晶體Q103、電阻R104以及電阻R105。第二控制模組522包括電晶體Q101和整流二極體D102。第二充電模組521包括整流二極體D104、電容C101、電阻R102、整流二極體D103、整流二極體D101以及電阻R101。

具體而言，第二電流比流器CT2的電感的B5端子耦接至電晶體Q103的基極以及電晶體Q101的集極，還透過電阻R101和整流二極體D101耦接至第二電流比流器CT2的電感的B6端子，其中，整流二極體D101的負極耦接至B6端子。B6端子還透過電阻R102和整流二極體D103耦接至電晶體Q102的基極，其中，整流二極體D103的正極耦接至電阻R102。電晶體Q102的射極耦接至電晶體Q103的射極，還透過電阻R105耦接至第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的閘極B3端子。B3端子還透過電阻R104耦接至接地線。電晶體Q103的集極耦接至接地線和電晶體Q101的射極，還與電阻 R101和整流二極體D101的節點處連接。電阻R102的兩端並聯有整流二極體D102。整流二極體D103的正極耦接至整流二極體D102的正極，整流二極體D103的負極透過整流二極體D104耦接至電晶體Q102的集極，其中，整流二極體D104的負極耦接至電晶體Q102的集極。整流二極體D104的負極還透過電容C101耦接至接地線。

本發明實施例提供的驅動電路52的工作原理詳述如下：如圖3所示，當變壓器的次級繞組T1的上端為正極、下端為負極時，電流從接地線流向第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2以及第二電流比流器CT2。假設流過第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的電流為I₀，第二電流比流器CT2感應到電流I₀之後，產生一個對應於電流I₀的第二驅動電流I₁，第二驅動電流I₁的方向如圖3中箭頭所示。

如圖5所示，第二驅動電流I₁從第二電流比流器CT2的B5端子流入，從B6端子流出，因此B5端子為正極，B6端子為負極。這種情况下，由於電晶體Q103的基極耦接至作為正極的B5端子，因此電晶體Q103截止；由於電晶體Q101的基極耦接至作為負極的B6端，因此電晶體Q101也截止；由於電晶體Q102的基極耦接至作為正極的B5端，電晶體Q102的射極透過電阻R105和電阻R104耦接至接地線，因此電晶體Q102導通；此時，電容C101能够透過電晶體Q102和電阻R105向第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的閘極B3端子放電，進而使得第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2導通。

當變壓器的次級繞組T1的上端為負極，下端為正極時，電流從第一金屬氧化物半導體場效電晶體Q1流向第一電流比流器CT1。若假設流過第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的電流為I₀，第二電流比流器CT2感應到電流I₀之後，產生一個對應於電流I₀的第二驅動電流I₁。第二驅動電流I₁從第二電流比流器CT2的B6端子流入，從B5端子流出，因此B6端子為正極，B5端子為負極。這種情况下，由於電晶體Q101的基極耦接至作為正極的B6端子，電 晶體Q101的射極耦接至接地線，因此電晶體Q101導通；電晶體Q103的集極透過電阻R105和電阻R104耦接至接地線，而電晶體Q103的基極耦接至作為負極的B5端子，因此電晶體Q103導通，電晶體Q102截止；此時第二驅動電路52的輸出端B3端子即第二金屬氧化物半導體場效電晶體Q2的閘極透過電阻R104接地而截止，電容C101被充電。

第一驅動電路51的結構與工作原理與第二驅動電路52相同，在此不做贅述。

本實施例中的高頻電子開關可以包括：具有優良高頻特性的功率金屬氧半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)，垂直雙擴散金屬氧半導體場效電晶體(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor，VDMOS)、絕緣栅雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)、電力電晶體(Giant Transistor，GTR)、MOS控制型電晶體(MOS Controlled Thyristor，MCT)、集成閘極換向電晶體(Integrated Gate Commutated Thyristor，IGCT)、絕緣栅外延生長式電晶體(Insulated Gate Epitaxial-Growth Transistor，IGET)、絕緣栅同質式結構電晶體(Insulate-Gate Homogeneous Transistor，IGHT)以及閘極可關斷電晶體(Gate Turn-Off Thyristor，GTO)等其它電力電子元件。

圖6所示為根據本發明一實施例之整流方法的流程示意圖600。圖6將結合圖2至圖5進行描述。如圖6所示，本發明實施例包括如下步驟：

在步驟602中，第一檢測電路感應流過第一高頻電子開關的電流，產生第一驅動電流。

在步驟604中，第一驅動電路根據第一驅動電流控制第一高頻電子開關的開關狀態。具體來說，第一驅動電路中的第一充電模組根據第一驅動電流產生使第一高頻電子開關導通的電荷，並儲存電荷；第一驅動電路中的第一控制模組根據第一驅動電流控制第一驅動電路中的第一驅動模組，當流過第一高頻電子開關的電流從接地線 流向第一檢測電路時，第一驅動模組將第一充電模組儲存的電荷輸出至第一高頻電子開關的閘極，進而使第一高頻電子開關導通；當流過第一高頻電子開關的電流從第一檢測電路流向接地線時，第一驅動模組將第一高頻電子開關的閘極耦接至接地線，進而使第一高頻電子開關截止。

在步驟606中，第二檢測電路感應流過第二高頻電子開關的電流，產生第二驅動電流。

在步驟608中，第二驅動電路根據第二驅動電流控制第二高頻電子開關的開關狀態。具體來說，第二驅動電路中的第二充電模組根據第二驅動電流產生使第二高頻電子開關導通的電荷，並儲存電荷；第二驅動電路中的第二控制模組根據第二驅動電流控制第二驅動電路中的第二驅動模組，當流過第二高頻電子開關的電流從接地線流向第二檢測電路時，第二驅動模組將第二充電模組儲存的電荷輸出至第二高頻電子開關的閘極，進而使第二高頻電子開關導通；當流過第二高頻電子開關的電流從第二檢測電路流向接地線時，第二驅動模組將第二高頻電子開關的閘極耦接至接地線，進而使第二高頻電子開關截止。

本領域技術人員可以理解的是，上述步驟602~步驟608並沒有嚴格的時序限制，例如還可以先執行步驟606和步驟608之後，再執行步驟602和步驟604。本發明並不以此為限。

本發明實施例提供的整流電路和整流方法可適用於全橋電路、半橋電路、推挽電路、正激電路等，適用性較廣，但本發明並不以此為限。

上文具體實施方式和附圖僅為本發明之常用實施例。顯然，在不脫離後附申請專利範圍所界定的本發明精神和保護範圍的前提下可以有各種增補、修改和替換。本技術領域中具有通常知識者應該理解，本發明在實際應用中可根據具體的環境和工作要求在不背離發明準則的前提下在形式、結構、佈局、比例、材料、元素、元件及其它方面有所變化。因此，在此披露之實施例僅用於說明而非限制， 本發明之範圍由後附申請專利範圍及其合法均等物界定，而不限於先前之描述。

1‧‧‧變壓器

2‧‧‧濾波電路

31‧‧‧第一檢測電路

32‧‧‧第二檢測電路

41‧‧‧第一高頻電子開關

42‧‧‧第二高頻電子開關

51‧‧‧第一驅動電路

52‧‧‧第二驅動電路

200‧‧‧整流電路

Claims (23)

1. 一種整流電路，包括：一第一檢測電路，耦接至一變壓器的一次級繞組的一端；一第一高頻電子開關，耦接在該第一檢測電路和一接地線之間；一第二檢測電路，耦接至該次級繞組的另一端；一第二高頻電子開關，耦接在該第二檢測電路和該接地線之間；一第一驅動電路，耦接至該第一檢測電路和該第一高頻電子開關，根據該第一檢測電路基於流過該第一高頻電子開關的一電流而產生的一第一驅動電流，控制該第一高頻電子開關；以及一第二驅動電路，耦接至該第二檢測電路和該第二高頻電子開關，根據該第二檢測電路基於流過該第二高頻電子開關的一電流而產生的一第二驅動電流，控制該第二高頻電子開關。
2. 如申請專利範圍第1項之整流電路，其中，該第一驅動電路包括：一第一充電模組，耦接至該第一檢測電路，根據該第一驅動電流產生使該第一高頻電子開關導通的一電荷，並儲存該電荷；一第一驅動模組，耦接至該第一高頻電子開關；以及一第一控制模組，耦接至該第一檢測電路、該第一充電模組和該第一驅動模組，根據該第一驅動電流控制該第一驅動模組。
3. 如申請專利範圍第2項之整流電路，其中，當流過該第一高頻電子開關的該電流從該接地線流向該第一檢測電路時，該 第一驅動模組將該第一充電模組儲存的該電荷輸出至該第一高頻電子開關的一閘極，進而使該第一高頻電子開關導通。
4. 如申請專利範圍第2項之整流電路，其中，當流過該第一高頻電子開關的該電流從該第一檢測電路流向該接地線時，該第一驅動模組將該第一高頻電子開關的一閘極接至該接地線，進而使該第一高頻電子開關截止。
5. 如申請專利範圍第1項之整流電路，其中，該第一檢測電路包括一第一電流比流器，該第一電流比流器的一電感的兩端分別耦接至該第一驅動電路的兩個輸入端。
6. 如申請專利範圍第5項之整流電路，其中，該第一高頻電子開關的一汲極耦接至該第一電流比流器，該第一高頻電子開關的一閘極耦接至該第一驅動電路的一輸出端。
7. 如申請專利範圍第1項之整流電路，其中，該第二驅動電路包括：一第二充電模組，耦接至該第二檢測電路，根據該第二驅動電流產生使該第二高頻電子開關導通的一電荷，並儲存該電荷；一第二驅動模組，耦接至該第二高頻電子開關；以及一第二控制模組，耦接至該第二檢測電路、該第二充電模組和該第二驅動模組，根據該第二驅動電流控制該第二驅動模組。
8. 如申請專利範圍第7項之整流電路，其中，當流過該第二高頻電子開關的該電流從該接地線流向該第二檢測電路時，該第二驅動模組將該第二充電模組儲存的該電荷輸出至該第二高頻電子開關的一閘極，進而使該第二高頻電子開關導 通。
9. 如申請專利範圍第7項之整流電路，其中，當流過該第二高頻電子開關的該電流從該第二檢測電路流向該接地線時，該第二驅動模組將該第二高頻電子開關的一閘極接至該接地線，進而使該第二高頻電子開關截止。
10. 如申請專利範圍第1項之整流電路，其中，該第二檢測電路包括一第二電流比流器，該第二電流比流器的一電感的兩端分別耦接至該第二驅動電路的兩個輸入端。
11. 如申請專利範圍第10項之整流電路，其中，該第二高頻電子開關的一汲極耦接至該第二電流比流器，該第二高頻電子開關的閘極一耦接至該第二驅動電路的一輸出端。
12. 如申請專利範圍第1項之整流電路，還包括一濾波電路，耦接至該次級繞組的兩端和該接地線。
13. 如申請專利範圍第12項之整流電路，其中，該濾波電路包括一第一電感、一第二電感和一電容，其中，該第一電感耦接於該次級繞組和該電容，該電容耦接於該接地線，該第二電感耦接於該第一電感和該次級繞組。
14. 如申請專利範圍第13項之整流電路，其中，該第一電感和該電容串聯耦接在該次級繞組的一正極和該接地線之間。
15. 如申請專利範圍第13項之整流電路，其中，該第二電感的一端耦接至該次級繞組的一負極，另一端耦接至該第一電感和該電容。
16. 如申請專利範圍第1項之整流電路，其中，該第一高頻電子開關和該第二高頻電子開關包括以下半導體元件中的任一種：一金屬氧化物半導體管、一垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效電晶體、一絕緣栅雙極電晶體、一電力電晶體、一 MOS控制型電晶體、一集成閘極換向電晶體、一絕緣栅外延生長式電晶體、一絕緣栅同質式結構電晶體以及一閘極可關斷電晶體。
17. 一種整流方法，包括：一第一檢測電路感應流過一第一高頻電子開關的一電流，根據該電流產生一第一驅動電流；一第一驅動電路根據該第一驅動電流控制該第一高頻電子開關；一第二檢測電路感應流過一第二高頻電子開關的一電流，根據該電流產生一第二驅動電流；以及一第二驅動電路根據該第二驅動電流控制該第二高頻電子開關。
18. 如申請專利範圍第17項之整流方法，其中，該第一驅動電路根據該第一驅動電流控制該第一高頻電子開關的步驟包括：該第一驅動電路中的一第一充電模組根據該第一驅動電流產生使該第一高頻電子開關導通的一電荷，並儲存該電荷；以及該第一驅動電路中的一第一控制模組根據該第一驅動電流控制該第一驅動電路中的一第一驅動模組。
19. 如申請專利範圍第18項之整流方法，其中，當流過該第一高頻電子開關的該電流從一接地線流向該第一檢測電路時，該第一驅動模組將該第一充電模組儲存的該電荷輸出至該第一高頻電子開關的一閘極，進而使該第一高頻電子開關導通。
20. 如申請專利範圍第18項之整流方法，其中，當流過該第一 高頻電子開關的該電流從該第一檢測電路流向一接地線時，該第一驅動模組將該第一高頻電子開關的一閘極接至該接地線，進而使該第一高頻電子開關截止。
21. 如申請專利範圍第17項之整流方法，其中，該第二驅動電路根據該第二驅動電流控制該第二高頻電子開關的步驟包括：該第二驅動電路中的一第二充電模組根據該第二驅動電流產生使該第二高頻電子開關導通的一電荷並儲存該電荷；以及該第二驅動電路中的一第二控制模組根據該第二驅動電流控制該第二驅動電路中的一第二驅動模組。
22. 如申請專利範圍第21項之整流電路方法，其中，當流過該第二高頻電子開關的該電流從一接地線流向該第二檢測電路時，該第二驅動模組將該第二充電模組儲存的該電荷輸出至該第二高頻電子開關的一閘極，進而使該第二高頻電子開關導通。
23. 如申請專利範圍第21項之整流方法，其中，當流過該第二高頻電子開關的該電流從該第二檢測電路流向一接地線時，該第二驅動模組將該第二高頻電子開關的一閘極接至該接地線，進而使該第二高頻電子開關截止。