[go: up one dir, main page]

TW201327028A - 一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法 - Google Patents

一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201327028A
TW201327028A TW101138537A TW101138537A TW201327028A TW 201327028 A TW201327028 A TW 201327028A TW 101138537 A TW101138537 A TW 101138537A TW 101138537 A TW101138537 A TW 101138537A TW 201327028 A TW201327028 A TW 201327028A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
width
scribe line
test pattern
wafer
alignment mark
Prior art date
Application number
TW101138537A
Other languages
English (en)
Inventor
ming-jun Peng
zhi-guang Lin
Tong-Li Shen
zheng-lie Wang
Jun-Wei Lv
jian-feng Zhan
Original Assignee
He Jian Technology Suzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by He Jian Technology Suzhou Co Ltd filed Critical He Jian Technology Suzhou Co Ltd
Publication of TW201327028A publication Critical patent/TW201327028A/zh

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本發明關於一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法，該方法包括：製作光罩上的切割道時採用多重切割道寬度。本發明使光罩的切割道採用多重切割道寬度的設計，此方法既可滿足測試切割的需求，亦可滿足裸片總量的增加以及即時出貨給客戶的需求。

Description

一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法
本發明關於半導體晶片製造領域，特別是關於一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法。
隨著電子化產品的普及與市場的競爭，不管是IC設計公司或是晶圓代工廠，無不想盡辦法使同一片晶圓上的晶片(Chip)數量最大化。因此晶圓上切割道(scriber line)的寬度縮小更是各廠家努力的目標。根據經驗，若減少10um的切割道寬度，晶片數量便會增加1~2%，單一晶片的成本因此而降低。
但是，由於晶圓代工廠因生產工藝的需要，往往需要在切割道放置測試圖案(Testing Pattern)或對準標記(Align.Mark)，而且因機台限制，測試圖案或對準標記不可能無限縮小。
因此，如何能更進一步地減少切割道寬度，增加一片晶圓上的裸片總量，是目前亟需解決的問題。
針對現有技術中存在的缺陷和不足，本發明的目的是使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法，既可以保留必需的測試圖案或對準標記，又可實現切割道縮小的目的。
為了達到上述目的，本發明提出一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法，該方法包括：製作光罩上的切割道時採用多重切割道寬度。
作為上述技術方案的優選，需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度較寬，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道 的寬度較窄。
作為上述技術方案的優選，需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度為標準切割道寬度，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度小於標準切割道寬度。
作為上述技術方案的優選，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度為滿足切割的最小寬度。
本發明提出的光罩製作方法光罩的切割道採用多重切割道寬度的設計，此方法既可滿足測試切割的需求，亦可滿足裸片總量(Gross die)的增加以及即時出貨給客戶的需求。
下面結合附圖，對本發明的具體實施方式作進一步的詳細說明。對於所屬技術領域的技術人員而言，從對本發明的詳細說明中，本發明的上述和其他目的、特徵和優點將顯而易見。
傳統光罩製作時，採用相同的切割寬度，如圖1所示，A1、A2、A3為標準的切割道寬度，而其中部分切割道並沒有擺放任何測試圖案。而且，現今科技發達，裸片的尺寸(Die Size)也可以設計的更小，所以切割也無形地變成浪費空間影響裸片總量(Gross Die)的問題。
本發明提出一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法，是在製作光罩時，其上的切割道採用多重切割道寬度。
具體地，需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度較寬，而不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度較窄。
例如，需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度為現有技術中的標準切割道寬度，而不需要放置測試圖案或對準標記 的切割道的寬度則可以小於標準切割道寬度，更優選地，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度至需要滿足後續將晶圓切割成裸片的最小寬度即可。
參見圖2和圖3，在光罩上，A4、A5使用標準切割道寬度，供擺放對準標記或測試圖案；而B1、B2、B3、B4可擺放較小的切割道寬度只要滿足後段切割廠需求即可。後續的光罩製作及晶圓生產與現有技術無異。然後將實際擺放光罩的平面佈置圖(Floor Plan)提供給測試及切割廠，以利製作相關測試及切割機台設置。
雖然，本發明已通過以上實施例及其附圖而清楚說明，然而在不背離本發明精神及其實質的情況下，所屬技術領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的變化和修正，但這些相應的變化和修正都應屬於本發明的權利要求的保護範圍。
圖1為現有技術中光罩的切割道寬度示意圖；圖2根據本發明的光罩製作方法製作的第一光罩的切割道寬度示意圖；圖3根據本發明的光罩製作方法製作的第二光罩的切割道寬度示意圖。

Claims (4)

  1. 一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法，其特徵在於，所述方法包括：製作光罩上的切割道時採用多重切割道寬度。
  2. 如請求項1之光罩製作方法，其特徵在於，需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度較寬，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度較窄。
  3. 如請求項1或2之光罩製作方法，其特徵在於，需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度為標準切割道寬度，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度小於標準切割道寬度。
  4. 如請求項3之光罩製作方法，其特徵在於，不需要放置測試圖案或對準標記的切割道的寬度為滿足切割的最小寬度。
TW101138537A 2011-12-26 2012-10-19 一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法 TW201327028A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011104419627A CN103176350A (zh) 2011-12-26 2011-12-26 一种使晶圆上芯片数量最大化的光罩制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201327028A true TW201327028A (zh) 2013-07-01

Family

ID=48636319

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101138537A TW201327028A (zh) 2011-12-26 2012-10-19 一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN103176350A (zh)
TW (1) TW201327028A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI714865B (zh) * 2017-06-28 2021-01-01 矽創電子股份有限公司 晶圓結構

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116068844B (zh) * 2023-03-10 2023-07-07 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种掩模板及晶圆的制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0721624B2 (ja) * 1988-11-08 1995-03-08 日本電気株式会社 半導体集積回路用レチクル
JPH0318012A (ja) * 1989-06-14 1991-01-25 Matsushita Electron Corp 縮小投影露光装置用レチクル
JP2002023344A (ja) * 2000-07-05 2002-01-23 Seiko Epson Corp スクライブラインの配置方法、レチクル及び露光方法
JP2005283609A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Sharp Corp 縮小投影露光装置用レチクル
JP2009216844A (ja) * 2008-03-10 2009-09-24 Seiko Instruments Inc 縮小投影露光装置用レチクルおよびそれを用いた露光方法
CN101750899B (zh) * 2008-12-04 2011-06-22 上海华虹Nec电子有限公司 光刻版图及其测量光刻形变的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI714865B (zh) * 2017-06-28 2021-01-01 矽創電子股份有限公司 晶圓結構

Also Published As

Publication number Publication date
CN103176350A (zh) 2013-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101834160A (zh) 一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法
CN103345124B (zh) 一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法
CN105223781B (zh) 一种步进式光刻机对位监控方法
CN101644898A (zh) 不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法
CN103091971A (zh) 掩模板及其制造方法、以及监测掩模板雾状污染的方法
TW200710604A (en) Photomask for double exposure process and double exposure method using the same
TW201137961A (en) Offset field grid for efficient wafer layout
CN103904060A (zh) Tft lcd阵列对位标记设计及制造方法
CN104752252A (zh) 表征晶背缺陷的方法
CN203825358U (zh) 一种光掩膜版
CN103246155B (zh) 光刻版以及该光刻版的曝光方法
TW201327028A (zh) 一種使晶圓上晶片數量最大化的光罩製作方法
TW200737323A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
KR20160048030A (ko) 유리 기판 생산 관리 시스템 및 유리 기판 생산 관리 방법
CN102566322B (zh) 一种多台光刻设备校正方法
CN105374726B (zh) 一种封装拾取芯片的定位方法
CN203932046U (zh) 窄划片槽的晶圆结构
CN100445869C (zh) 用于光刻套刻的划片槽结构
CN104009020B (zh) 晶圆及其可接受测试方法
CN201955619U (zh) 半导体制造中光刻套刻图形的版图结构
CN203720532U (zh) 一种光刻标记结构
CN103376645B (zh) 通用掩模版及其应用
CN106252347B (zh) 掩模板图形结构及半导体芯片的制作方法
CN202196760U (zh) 硅片背面缺陷正面打点的定位装置
CN202282333U (zh) 硅片背面缺陷正面打点的定位结构