TW201250815A - Substrate treatment method and substrate treatment apparatus - Google Patents

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201250815 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理方法及基 板處理裝置。作為處理對象之基板包含例如半導體晶圓、液 晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器 (FED，Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟 用基板、磁光翻基板、鮮縣板、㈣基板、太陽能電 池用基板等。 【先前技術】 於半導體裝置或液晶顯示裝置 要進粁自报Λ古备儿 表k步驟中’有時會需 要進订自Μ錢切膜(SiN⑹ 板表面選擇性地去除氮切膜 ^⑽膜)之基 會將高溫(例如，靴〜⑽。c 。於此情形時， 給至基板之㈣(齡，频日本作祕刻液供 公報）。 +寻利特開2007-258405號 【發明内容】 :1提::種可進行選擇軸刻之選擇比(氮化膜之去 隸處理裝t )㈣之基^理之絲處理方法及 後，祕·躲至4絲、。㈣知上述雜化步驟之 100134717 201250815 根據此方法’於藉由蝕刻劑之供給而對基板進行蝕刻之 刖，藉由矽烷化劑之供給使基板矽烷化。因此，經矽烷化之 基板被钮刻。如下述，藉由使形成有氧化膜及氮化膜之基板 石夕烧化，可抑制氧化膜受到蝕刻。因此，可藉由對經矽烷化 之基板進行姓刻’而提高選擇比（氮化膜之去除量/氧化膜之 去除量）。 上述基板處理方法亦可進一步包含：淋洗步驟，其係於進 行上述#刻步驟之後，將淋洗液供給至上述基板；及乾燥步 驟，其係於進行上述淋洗步驟之後，使上述基板乾燥。 又’上述基板處理方法亦可進一步包含加熱步驟，該加熱 步驟係與上述矽烷化步驟並行地進行之步驟，且對上述基板 進行加熱。於此情形時，由於基板之溫度上升，故可抑制供 給至基板之矽烷化劑溫度之下降。因此，於矽烷化劑之活性 隨著溫度變化而變化之情形時，可使雜化劑之活性穩定。 而且’在基板之溫度高於供給至該基板之矽烷化劑之溫度之 if幵y時可使供給至基板之矽烷化劑之溫度上升。因此，於 矽烧化州之活性隨著溫度上升而增強之情形時，可增強石夕烧 化劑之活性。 本發明之-實施形態之基板處理方法包含有重複步驟，該 重複y驟係複數次進行包含上述⑦烧化步驟及上述蚀刻步 驟之一系列循環。根據此方法，使經魏化之基板被姑刻。 其後ϋ«彳之基板將再次被⑦炫化。㈣，再:欠對經石夕烧 100134717 5 201250815 二 叫即，中叫於此_中斷之期間中， =基板残化。若長物轉供絲 =賦予氧化膜抑制能力會在中途下降，而使選 :二::因力此’藉由再次使基板，可恢復氧化膜之 朗s因此’重新__時’可抑制氧化膜受到 蝕刻。因此’可抑制或防止選擇比下降。 乂:循％較佳為進一步包含淋洗步驟’該淋洗步驟係於進 驟之後，將淋洗液供給至4基板。於此情形 、.！魏化之基板進行_，其後，對經_之基板供 洗液’⑽_於基板之㈣或雜纽掉4後，再次 =進行魏化步驟、⑽胸、及淋洗步驟。有物虫刻 之基板會附著有因蝕刻而產生之雜質。 板之钮刻劑為蒸氣之情形時，相較糾刻劑為液體:形: 雜質易殘留於基板上。若於附著有因_而產生之雜質之狀 態下使基板石夕燒化’則有時將難以自基板去掉此雜質。因 t ’於再錢行魏化㈣之前，#由去㈣著於基板之雜 貝可抑制或防止難以自基板去掉此雜質之情形。藉此，可 抑制或防絲f殘留於基板上。因此，可使基板之潔淨度提 高0 上迷循環較佳為進-步包含紫外線照射步驟，該紫外線照 射步驟係於進行上賴刻㈣之後，對上述基板照射紫外 線。於此情科，複數錢行包括外化步驟、㈣步驟、 100134717 201250815 及紫外線照射步驟之一系列循環。於各循環中，對供給有矽 烷化劑及蝕刻劑之基板照射紫外線。於第2次以後之循環 中’對紫外線所照射之基板供給矽烷化劑及蝕刻劑。藉由對 經矽烷化之基板照射紫外線，可去除附著於基板之矽烷化 劑。因此，可使基板之潔淨度提高。又，於第2次以後之循 •環中，對藉由紫外線之照射而去除了有機物等雜質之基板供 -給石夕烧化劑及勉刻劑。因此，可提高於第2次以後之循環 中，矽烷化劑及蝕刻劑相對於基板之反應性。藉此，可提高 選擇比。 本發明之一實施形態之方法進一步包含矽烷化前紫外線 照射步驟’該矽烷化前紫外線照射步驟係於進行上述矽烷化 步驟之前，對上述基板照射紫外線。根據此方法，於對基板 照射紫外線之後，將矽烷化劑及蝕刻劑依序供給至基板。藉 由對基板照射紫外線，可去除附著於基板之有機物等雜質。 因此’可提高矽烷化劑及蝕刻劑相對於基板之反應性。藉 此，可提高選擇比。 本發明之一實施形態之方法進一步包含矽烷化後紫外線 照射步驟，該矽烷化後紫外線照射步驟係於進行上述矽烷化 步驟之後’對上述基板照射紫外線。根據此方法，對經矽烷 化之基板照射紫外線。藉由對經矽烷化之基板照射紫外線， 可去除附著於基板之矽烷化劑。因此，可提高基板之潔淨度。 於上述飯刻步驟中供給至基板之蝕刻劑，亦可為包含氫氣 100134717 7 201250815 酸及乙二醇之混合液。 於本U之-貫卿態巾，上述錢化劑為非水溶 ,1且上賴咖含有水。非水溶性之傾化航可為完全 不錄水之魏_，亦可職料溶於水之魏化劑。於 此:施形態中，於將非水溶性之魏化劑供給至基板之後， p水之钱刻劑供給至該基板。由於魏化劑為非水溶性， ί附者於絲之魏化龍秘於供給至基板钱刻劑。因 ，可維魏化狀仙受_讀態 止選擇比下降。 ;步驟中供給至基板之細彳#i亦可為包含I虫 刻成分之蒸氣。 3蝕 本發明之基板處縣置包含有：基板保持單元，其係將基 於錢化位置及_位置；魏化舰給單元，料 奸化=基板保持單元保持於上述石夕院化位置之基板供給 持mr劑供給單元，其係對由上述基板保持單元保 ^化劑供給單元及_劑供給單元二制= 仏r_細㈣’财統步驟_由洲上述我化劑供 保持單元保持於上述魏化位置之 夕坑化劑。又，上述控制單元執行韻刻步驟，該钱 :驟rt由控制上述敍刻劑供給單元，而於進行上述石夕烧 〗對由上絲板料單元保躲上賴刻位置之 100134717

8 201250815 上述基板供給蝕刻劑。 上述石夕院化位置及触刻位置亦可為相同位置。即，相對於 基板之石夕炫化劑之供給及I虫刻劑之供給亦可於相同位置進 行。於此情形時，在進行相對於基板之矽烷化劑之供給之 後，亦可不使基板移動至蝕刻位置。藉此，由於可縮短基板 之搬送時間，故可縮短基板之處理時間。 上述基板處理裝置亦可進一步包含對上述基板照射紫外 線之紫外線照射單元。 本發明之上述及其他目的、特徵及效果，係參照附圖並藉 由以下所敍述實施形態之說明而明確化。 【實施方式】 [第1實施形態] 圖1係表示本發明第1實施形態之基板處理裝置1之配置 的俯視示意圖。 基板處理裝置1係藉由藥液或淋洗液等處理液逐片地處 理半導體晶圓等圓形之基板w之單片式基板處理裝置。基 板處理裝置1具備有索引器區塊(indexer block)2、與索弓丨哭 區塊2結合之處理區塊3、及控制基板處理裝置丨所具備妒 置之動作或閥之開閉之控制裝置4。 ~ 索引器區塊2具備有载具保持部5、索引機器人丨汉、及 IR移動機構6。載具保持部5保持可收納複數片基板⑺之 載具C。複數個載具C係於沿水平之載具排列方向口排列 100134717 9 201250815 之狀態下由載且

機器人说^ p 5所保持。1R移動機構6係使索号I 將基板具排列方向u移動。索引機器人iR係進行 作、及自# I由载具保持部5所保持之載具C之搬入動 另一方面具C搬出基板W之搬出動作。 4個以上塊3具備有處理基板w之複數個(例如 7係以於僻视時早=及中央機器人CR。複數個處理單元 處理單元7 ~中央機器人CR之方式所配置。複數個 基板w 錢_ W魏蚊魏化單元7a、及對 基板W‘至^糾單元7b。中央機11人CR係進行將 出基板W之搬元7之搬入動作、及自處理單元7搬 處理單幻間搬而且’中央機器人CR係於複數個 IR接收義板、反W。中央機器人CR係自索引機器人 二=並且將基板W交給索引機™機 。。人IR及中央制人CR❹㈣^ 圖2係表示本發明第丨每

Bn 之外化單元7a之概略 構成的不意圖。以下，針對石夕炫略 於矽,Ρ彳卜s 。i 匕/a之概略構成、及 首ΠΓ 進行基MW之處理之-例進行說明。 首先’針對魏化單元7a樣略料歸說明。 石夕烧化單元7a具備有腔室8。腔室8例如為長方體狀。 腔室8包括水平對向之2個側壁9及側壁10、以及上下對 向之上壁11及錢12。魏化單“進—步包括沿上壁 11之外表面（上表面）配置之冷卻裝置13。腔室8係藉由冷 _34717 201250815 卻裝置13進行冷卻。冷卻裝置13例如為水冷之冷卻裝置 魏化單元7a進-步具備料置於腔室8内之隨持 台⑷於 轉卡盤38而構成基板保持單元。搬入至腔室8内之一 ^ 板w係在载置於基板保持台14上之狀態下，由基 -14保持在保持位置邮規化位置）。基板保持台14俾^ .=1 方向延伸之旋轉轴15之上端。於旋轉轴15係結合 =:15圍繞旋轉轴15之中心轴線旋轉之基板旋轉機 構16。基板㈣機構16例如為包含馬達之機構。 於基板保持台Μ之内部，埋設有用以對由基板保

所保持之基板W進行加埶 H 台14上，… 熱為17。而且’於基板保持 〇又置有於利用加熱器17加埶時使美板w 均勻化之均敎環18。Μ ‘、、、子使基板W之溫度 均熱環18係形成為於基板保 上包圍基板W之保持位置Η之環狀。 口 二板:::;4相關地’設置有使基板W相對於基板保 -她9。倾根升降銷 -構件所支持。於支持構^並於腔室8外由共有之支持 升降機構2卜升降tr降Γ係結合有^含汽缸之升降銷 iq 構21係使複數根升降銷19於 複數根升降銷β之前端突出至基板 與複數根升降銷19之前# 〃、 之位置、 之間-體地升降。"退避至基板保持台14下方之位置 100134717 201250815 又，於腔室8之一側壁9(於圖2中，為左側之側壁），形 成有用以將基板W搬入/搬出腔室8内之閘22。於側壁9 之外側，設置有開閉閘22之閘擋板(gate shutter)23。於開梓 板23係結合有包含汽缸之閘開閉機構24。閘開閉機構24 係使閘擋板2 3在密接於閘擋板2 3與側壁9之外表面而將閣 22岔封之封閉位置、與使閘擔板23 —邊朝側壁9之側方離 開一邊下降而使閘22大幅度開放之開放位置之間移動。 又，於腔室8之另一側壁1〇(於圖2中，為右側之側壁）， 設置有將惰性氣體之一例即氮氣導入腔室8内之側方導入 官25。對於側方導入管25,係經由側方氣體閥26供給氮氣。 側方導入管25係貫通側壁1〇。側方導入管25之面向腔室$ 内之端面係與側壁1〇之内表面為大致齊平面。於側壁⑺ 之内表面，設置有覆蓋該内表面大致整個區域之尺寸之擴散 板27。擴政板27具有面向腔室8内之多數個吐出口（未圖 不）。供給至侧方導人;^ 25之氮氣係自擴散板27之多數個 吐出口分散地吐出。因此，供給至側方導人管25之氮氣係 於腔室8内’在與㈣1G之内表面平行之面内以大致均等 之流速呈簇射狀地擴散。 ^ ’认置有貫通腔室8之上壁11而將魏化劑之蒸氣及 氣机導入腔至8内之石夕烧化劑導入管28(石夕院化劑供給單 —夕烧化劑導入管28，係分別經由石夕烧化劑闕四 氣體閥30 #給石夕烧化劑及氣氣。石夕烧化劑導入管28 100134717 12 201250815 之面向腔室8内之端面係與上壁11之内表面（下表面）為大 致齊平面。於上壁11之内表面，設置有具有大於基板貨直 徑之圓板狀之擴散板31。此擴散板31具有面向腔室8内之 多數個吐出口（未圖示）。供給至矽烷化劑導入管28之矽烷 化劑及氮氣，係自擴散板31之多數個吐出口分散地吐出。 因此，供給至矽烷化劑導入管28之矽烷化劑及氮氣係於腔 室8内’在與上壁η之内表面平行之面内以大致均等之流 速呈簇射狀地擴散。 作為石夕烧化劑，例如可列舉：N-三甲基石夕咪唑(TMSI， N-Trimethylsilyimidazole)、N，0-雙三甲基石夕烧基三氣乙酿胺 (BSTFA ’ N，0-bis[Trimethylsilyl]trifluoroacetamide)、N，0-雙三甲基 石夕烧基乙醯胺(BSA，N，0-bis[Trimethylsilyl]acetamide)、N-曱基-N- 三甲基矽烷基三氟乙醯胺（MSTFA , N-Methyl-N-trimethylsilyl-trifluoroacetamide)、N-三甲基石夕院基二甲 胺(TMSDMA，N-Trimethylsilyldimethylamine)、N-三曱基石夕烧基二 乙胺(TMSDEA，N-Trimethylsilyldiethylamine)、N-曱基-N-三曱基石夕 院基乙酿胺(MTMSA，N-Methyl-N-(trimethylsilyl)acetamide)、三曱 基氣石夕烧(with base，帶鹼基)(TMCS，Trimethylchlorosilane)、六甲 基二石夕氮烧(HMDS，Hexamethyldisilazane)、具有疏水基之胺、有 機矽化合物、四甲基石夕烧(TMS，tetramethylsilane)、氟化烧氯石夕 烷、烷基二矽氮烷、二曱基矽烷基二甲基胺、二甲基矽烷基 二乙基胺、雙（二甲基胺基）二甲基矽烷、及有機矽烷化合 100134717 13 201250815 物。對魏化劑導人管28係供給此等魏化财之任-者 之蒸氣。供給至石夕烧化劑導入f 28之石夕烧化劑之蒸氣，既 可為僅包含石夕院化劑之微粒子者，亦可為包含石夕烧化劑之微 粒子及載體氣體(例如惰性氣體)者。 又’於腔室8之底壁12,形成有包圍基板保持台14之周 圍之俯視為圓環狀之周圍排氣口 32。於周圍排氣σ32，連 接㈣端連接於排氣源（未圖示）之排氣管33之基端。於排 轧& 33之中途，插裝有周圍排氣闕34。若周圍排氣闊％ 開啟則腔至8内之ί哀境氣體就會自周圍排氣口 ^排氣， 若周圍排氣闕34關閉，則自周圍排氣口 32之排氣就會停止。 又’於腔室8之底壁12,在周圍排氣口 32之外側形成有 々側壁9延伸之俯視為大致長方形狀之關排氣口 ％。於 問側排乳π 35’連接有前端與純源(未圖示）連接之排氣管 之基端。於排氣管36之中途，插裝有問側排氣闊37。若 _排氣閥37開啟’則腔室δ内之環境氣體就會自問側排 乳口 35排氣，若閘侧排氣閥37關閉，則自閘侧排氣口 35 之排氣就會停止。 接著’針對於矽烷化單元7a所進行基板w之處理之一例 進行說明。 中央機器人CR係將基板w搬入石夕烧化單元7a内。於將 反向矽烷化單元7a内搬入之前，藉由控制裝置4驅動 閉開閉機構24。藉此，使閘擔板23配置於開放位置，而使 】〇〇134717 201250815 閘22開放。於閘22開放之期間，側方氣體閥26係藉由控 制裝置4而開啟，使氮氣自側方導入管25導入腔室8内。 而且，閘侧排氣閥37係藉由控制裝置4而開啟，使腔室8 内之環境氣體自閘側排氣口 35排氣。藉此，自與基板保持 台14之閘22為相反側，即自側壁10側朝向閘22之氮氣之 氣流形成於腔室8内，藉由此氣流可防止腔室8外部之環境 氣體流入腔室8内。於閘22開放之期間，矽烷化劑閥29、 上方氣體閥30及周圍排氣閥34為關閉。 又，於將基板W向矽烷化單元7a内搬入之前，藉由控制 裝置4驅動升降銷升降機構21。藉此，使升降銷19配置於 其前端突出至基板保持台14上方之位置。然後，藉由中央 機器人CR將基板W搬入腔室8内。搬入腔室8内之基板 W係藉由中央機器人CR載置於升降銷19上。其後，中央 機器人CR自腔室8内退避。於中央機器人CR自腔室8内 退避之後，藉由控制裝置4驅動閘開閉機構24。藉此，使 閘擋板23配置於封閉位置，閘22係由閘擋板23所密封。 於將閘22密封之後，控制裝置4關閉側方氣體閥26及閘 側排氣閥37,並開啟上方氣體閥30及周圍排氣閥34。藉此， 使氮氣自矽烷化劑導入管28導入腔室8内，同時使腔室8 内之環境氣體自周圍排氣口 32迅速排氣。其結果，腔室8 内之環境氣體係於短時間内置換為自矽烷化劑導入管28所 導入之氮氣。又，與將腔室8内之環境氣體置換為氮氣環境 100134717 15 201250815 並行地，藉由控制裝置4驅動升降銷升降機構21。藉此， 使升降銷19下降至其前端退避至基板保持台14下方之位 置°藉由此升降銷19之下降’使升降銷19上之基移 載於基板料纟14上。#此，使純w由基板鋪台Μ 保持於保持位置P1。 ;基板W移載於基板保持台14上之後，控職置4關閉 上方氣體閥30 ’並開啟傾化顧29。藉此，使魏化劑 之蒸氣自石夕院化劑導入管28導入腔室8内，而使石夕烧化劑 ^蒸氣贿至基板W之上表面。又，與魏化劑之供給並 订地藉由控制裝置4驅動基板旋轉機構Μ，使基板〜旋 轉。藉此，將魏化船㈣地供給至基板w上表面之整個 區域。而且，與純化劑之供給並行地，藉由控制裝置4 驅動加熱器17，將基板W加熱至高於常溫(與室溫相同，例 如20C〜30C)之溫度為止。由基板保持台14所保持之基 板W，係藉由矽烷化劑之供給而矽烷化。 若持續以既定時間進行石夕燒化劑之供給，就會藉由控制農 置4驅動升降銷升降機構21。藉此，使升降銷η上升，將 基板w抬升至㈣於基板保持台14向上方離開之位置(例 如，在與中央機器人CR之間可交接基板w之位置)為止。 然後^制裝置4關錢化顧29，涵啟上方氣體間 30措此’使常溫之氮氣自石夕院化劑導入管28導入腔室$ 内，而使氮氣供給至基板％之上表面。其結果，高溫之基 100134717 201250815 板w係藉由常溫之氮氣而冷卻。於基板w藉由氮氣而冷卻 之期間，周圍排氣閥34保持開啟之狀態。因此，腔室8内 之環境氣體將被迅速地置換為自矽烷化劑導入管28所導入 之氮氣。 於將腔室8内之環境氣體置換為氮氣環境之後，藉由控制 裝置4驅動閘開閉機構24。藉此，使閘擋板23配置於開放 位置，而使閘22開放。又，若閘22開放，則控制裝置4 就會關閉上方氣體閥30及厨圍排氣閥34，並開啟侧方氣體 閥26及閘側排氣閥37。藉此，自側壁1〇側朝向閘22之氮 氣之氣流係形成於腔室8内，藉由此氣流可防止腔室8外部 之玉哀境氣體流入腔室8内。於此狀態下，由升降銷19所支 持之基板W係藉由中央機器人CR自腔室8搬出。 圖3係表示本發明第1實施形態之蝕刻單元7b之概略構 成的示意圖。以下，針對蝕刻單元7b之概略構成、及於蝕 刻單7b所進行基板W之處理之一例進行說明。首先，針 對钱刻單元7b之概略構成進行說明。 蝕刻單元7b具備有：旋轉卡盤38(基板保持單元），其係 水平地保持基板W並加以旋轉；似彳劑喷嘴 單元），其騎由旋轉卡盤38所補基板w之上表面供: 作為I虫刻劑之關液；淋洗液喷嘴4()，其係對由旋轉5 38所保持基板|之上表面供給淋洗液；及腔室Μ，其係收 納旋轉卡盤38、蝕刻劑噴嘴39、及淋洗液噴嘴4〇。、 100134717 17 201250815 持1走盤38包含··圓盤狀之旋轉基座42，其係水平地保 、广 '可_穿過該基板w中^讀妹線旋轉；及 奴轉馬達43 ’其係使此旋轉基座42圍繞錯垂轴線旋轉。旋 盤二既可為朝水平方向夾著基板w而水平地保持該基 之夹持式卡盤，亦可為藉由吸附非元件形成面即基板 W之背面(下表面）財平地保制基板w之真空式卡盤。 於第1實施形態中’旋轉卡盤38為夾持式卡盤。旋轉卡盤 38係將絲W水平地鋪於簡㈣η。於第^施形態 中，保持位置P2為蝕刻位置。 蝕刻劑喷嘴39係連接於插裝有钮刻劑閥44之钱刻劑供仏 管45。祕刻劑喷嘴39之烟液之供給，係藉由_劑; 44之開閉所控制。供給至則劑喷嘴39之姓刻液，係朝向 由疋轉卡盤38所保持基板w之上表面中央部吐出。作為供 給至蝕刻劑噴嘴39之蝕刻液，可列舉：常溫〜7〇ΐ之包含 氫氟酉欠及乙一醇之昆合液、高溫(例如12〇。〇〜⑽。〇之碟酸 水溶液、及常溫或高溫（高於常溫之溫度)之氣氣酸。

#淋洗液噴嘴4〇係連接於插裝有淋洗液閥私之淋洗液供給 管47。對淋洗液喷嘴4()之淋洗液之供給，係藉由淋洗液闊 46之開閉所控制。供給至淋洗液喷嘴扣之淋洗液，係朝向 由旋轉卡盤38所保持基板w之上表面中央部吐出。作為供 給至淋洗液噴嘴4Q之淋洗液，可例示：純水(去離子水卜、 碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀㈣度(例如W 100134717

18 201250815 〜100 ppm左右）之鹽酸水等。 月工至41包含形成有用以將基板W搬入/搬出腔空41内之 開口 48之搞離壁49、及覆蓋此開σ 之間擔板％。問擔 板5〇係配置於隔離壁49外。於閘擋板50係結合有包含汽 缸之閘開閉機構51。閘開閉機構51係使嶋反5〇在密接 於閘擔板5G與隔離壁49之外表面而將開口 48密封之封閉 位置、與閘擋板5Q —邊朝隔離壁49之側方離開—邊下降而 使開口 48大幅度開放之開放位置之間移動。 接著，針對於钮刻單元？b所進行基板w之處理之一例進 行說明。 中央機器人CR係將基板W搬入钮刻單元7b内。於將基 板W向蝕刻單元7b内搬入之前，藉由控制裝置4驅動閘開 閉機構5卜藉此，使問擔板5〇配置於開放位置，而使腔室 41之開口 48開放。其後’中央機器人CR係將基板…搬入 腔室41内，並將此基板W載置於旋轉卡盤38上。控制裝 置4係於藉由中央機器人CR將基板W載置於旋轉卡盤38 上之後，使中央機器人CR自腔室41内退避。其後，藉由 控制裝置4驅動閘開閉機構5卜將閘擋板5〇配置於封閉位 置。藉此，使腔室41之開口 48由閘擋板50所密封。於將 腔室41之開口 48密封之後，控制裝置4係控制旋轉/ 43，藉此使由旋轉卡盤38所保持之基板w旋轉。 '達 接著，將蝕刻液供給至基板…，進行對基板~蝕 X之麵 100134717 19 201250815 ’控㈣置4係—邊藉由旋轉卡们8使 山朝向_卡盤38所保持基板W之上表面中央部吐 出。自姓刻劑嗔嘴39所吐出之姓刻液係供給至基板W之上 =中央部，錢_基板W^_所產生之離心力而沿 者土板AV之上表面向外側擴展。藉此，使㈣液供給至基 板w之上表面整健域，而使基板w之上表面整個區域受 到蝕刻1後’若蝕刻劑閥44開啟後經過既定時間，控制 裝置4就會關閉蝕刻劑閥44，使蝕刻液自蝕刻劑喷嘴刊之 吐出停止。 接著，將淋洗液供給至基板w，騎將㈣於基板w之 飯刻液洗掉之淋洗處理。具體而言，控制裝置4係一邊藉由 旋轉卡盤38使基板w旋轉，一邊開啟淋洗液閥46，㈣ 洗液自淋洗液喷嘴40朝向由旋轉卡盤38所保持基板w之 上表面中央部吐出。自琳洗液喷嘴4G所吐出之淋洗液係供 給至基板w之上表面中央部’並受到因基板w之旋轉所產 生之離〜力而沿著基板w之上表面向外側擴展。藉此，使 淋洗液供給至基板W之上表面整魅域，㈣附著於基板. w之侧液洗掉。然後，若淋洗液間46開啟後經過既定時 間’控制裝置4就會關閉淋洗液閥46，使淋洗液自淋洗液 喷嘴40之吐出停止。 接著’進行使基板W |乞燥之乾燥處理(旋轉乾·具體 100134717

20 201250815 =控广置4係控制旋轉馬達43,使基板w以高旋轉 數千啊)旋轉。藉此，使較大之離心力作用於附 i之淋洗液，將該淋洗液甩至基板W之周圍。如 A ?尤會自基板w去除淋洗液，而使基板W乾燥。於 Π 4使糟由㈣卡盤38所進行基板w之旋轉停止。 " 二門：由控制裝置4驅動閘開閉機構51，將閘擋板5 〇配 置於開放位置。藉此，使 由中央機器人CR自腔室^ 開放"後，藉 至41内搬出由旋轉卡盤38所保持之 暴板W。 板；^理^圖4(嶋^說縣由本發明第1實施形態之基 、1所進行基板w之處理之—例的圖式。以下， 針對將蝕刻劑供給至形Λ 少成有虱化膜之—例即Si〇2膜、及氮 化膜之一例即SiN膜之基板w

奴W之表面，選擇性地去除SiN 膜之選擇祕刻的1 丁兄月形成於基板W表面之氧 化膜亦可為使用四乙基正 ^(IbOS » Tetra Ethyl Ortho

S山cate)所形成之獏(TE 〜圖4⑷。 膜）Μ ’參照圖1及圖4⑷ 收納在由載具保持部5 W 持載具C内之未處理基板 W，係到用索引機器人IR搬 、 之基板W係自索引機哭二1載具c内所搬出 器人CR係將自索弓!朗人IR^中央機器人CR。中央機 弓1心人1之未處理基板W搬入石夕 100134717 21 201250815 炫I化早元7a内。 如圖4(a)所不，於石夕烧化單λ %係如上所述，將石夕烧化 d之洛氣供給至基板w，使基板〜魏化(魏化處理；石夕 烷化步驟）。具體而言，石夕烧化劑之一例即画DS之蒸氣， 係供給至由基板保持台14保持在保持位㈣之基板w之 表而使基板w之表面石夕炫化。然後，於將基板w之表 面經我化之後’細彳財央機器人CR自魏化單元％ 内搬出配置於魏化單“内之基板W。自魏化單元7a 内所搬出之基板w’係藉由中央機器人CR搬入錄刻單元 7b内0 圖4(b)所不’於钱刻單元％係如上所述，豸姓刻劑供 給至紐W，而使基板w受舰刻则處理；關步· 具體而言’關劑之―例即包含氫氟酸及乙二醇之混合液， 係供給至域轉卡盤38保持於鱗位置P2之基板W之表 面。藉此，可選擇性地去除形成於基板w表面之随膜。 其後，如叫)所示，淋洗液之—例即純水，係供給至由旋 轉卡盤38保持於保持位置打之基板w之表面，而將附著 於基板W表面之刻劑洗掉(淋洗處理；淋洗步驟）。然後， 圖⑷所不’藉由基板w之高速旋轉自基板w去除附著 於基板w之淋洗Lb，使由補卡㈣储於保持位 置P2之基板W乾燥（乾燥處理；乾燥步驟）。 於刻單7L 7b在進彳了乾燥處理之後，係利用巾央機器人 100134717

22 201250815 CR自糊單70 7b内搬出基板w。然後，將自 内所搬出之基板W，自中央機器人CR交給索：刻單元7b 索引機器人iR係將自中央機器人 ’、機益人IR。 板w搬入由载… 彳接收處理完畢之基 板處理裝置i 一動作，逐片地Γ 控難£4係重複執行此 k片地處理複數片基板W。 與=i化之基板w進行_時，時間 J里及選擇比之關係的圖表。圖6係表 基板W進行钮刻時之姓刻時 : 圖表。Us # ^ ± 里久迷擇比之關係的 圖5係比較例之圖表，圖6係本發明之實施例之圖表。 w Γ表面:中Z示對形成有⑽2膜及_膜之基板 名虫、包s氫I酸及乙二醇之水溶液，而將基板W 氮刻量及選擇比。基板W之餘刻時所使用之包含 盘H及乙m“祕腦之絲酸（氟化氫之水溶液) 7, /〇之乙二醇’以4 : 96(氫氟酸為4，乙二醇為96)之比 例加以現合，並調整溫度為机者。 ^ 6所示之_量及選擇比係於將賴液供給至基板W 之則’將HMDS供給至基板w時之數值。即，圖$所示之 ^里及選擇比’彳㈣未叾代化之基板W進行ϋ刻時之數 、圖6所示之蝕刻量及選擇比，係對經矽烷化之基板w 進行蚀刻時之數值。 如圖5所示，於對未矽烷化之基板W進行蝕刻之情形時， 100134717 23 201250815

Si〇2膜及SlN狀㈣量係隨著處理時間之增加而增加， _化之S此1對切純之基板w 進行蚀刻之情形時’ _tb(氮化•去除量/氧化膜之去除 量）係無關於處理時間而大致固定。 另-方面’如圖6㈣，於對_以之基板w進行钮 刻之情形時，雜SlN膜之侧量係隨著處理時間之增加而 增加’但Si〇2膜之侧量則無關於處理時間而大致固定。 因此’於賴魏蚊絲W進彳浅狀情科，選擇比 係隨著處理時間之增加而增加。 若比較對未石夕烧化之基板W進行银刻時之_膜之⑽ 量、與對經匕之基板W進行钱刻時之_膜之㈣量 只要處理時間相同，兩者幾乎無異。另一方面，若比較對未 魏化之敍W騎_時之SiQ2狀關量、與對經石夕 院化之基板W進行飯刻時之Si〇2膜之普虫刻量，則於基板^ 經石夕烧化之情形時較少。即’由於氧化膜具有減(OH基）， 故雖然與魏化劑發生反應，㈣於氮储不具有經基，但 不”夕烧化生反應因此，若於將魏化劑供給至基板 W之後，㈣刻液供給至基板w，則氧化膜之朗將藉由 石夕燒化劑之供⑽受抑制。因此，藉㈣將魏化劑供給至 基板W之後’將㈣液供給至基板w，可提高選擇比。 如上述於第1實施形態中，係於將石夕烧化劑供給至基板W 之後，將㈣液作為關劑供給至絲W。因此，經魏 100134717

24 201250815 化之基板w會受到蝕刻。如 ^ 氮化膜之基板化，可&冑絲成有氧化膜及 藉由對經魏化之絲㈣受_丨。因此， 錢W進域刻，可提高選擇 又’於第1實_態中’由於供給至基板 包含石夕烧化劑之一例即非水、、六元知 P非水讀之魏化劑，故 之石夕烧化劑供給至基板W。而且，將包含氫氟酸及乙= 之水洛液等合水之_液供給至基板w。因此，於第1 A 施形態中，在將非水雜之魏_供給至練I之後貫 再將含水之1«彳劑供給至該基板w。於此情形時，由於石夕 烧化劑為非水溶性，故附著於基板w之㈣化财溶於供 給至基板W之侧液。因此，可維持氧化膜之㈣受抑制 之狀態。藉此’可抑制或防止選擇比下降。 [第2實施形態] 接著，針對本發明之第2實施形態進行說明。此第2實施 形態與上述第1實施形態之主要不同點在於處理單元之構 成不同。即，於第1實施形態中，雖然已針對複數個處理單 元係包括使基板W矽烷化之矽烷化單元、及對基板w敍刻 之蝕刻單元之情形進行說明，但於第2實施形態中，複數個 處理單元係包括使基板W矽烷化同時對基板W進行蝕刻之 矽烷化•蝕刻單元。於以下之圖7〜圖i〇(d)中，對於與上 述圖1〜圖6所示之各部分相當之構成部分，係標示與圖j 等相同之參照符號，並省略其說明。 100134717 25 201250815 圖7係表示本發明第2實施形態之基板處理農置1之配 置的俯視示意圖。 第2實施形態之基板處理裝置2 01係除了複數個處理單元 以外，具備有與第1實施形態之基板處理裝置丨相同之構 成。即’基板處理裝置201包含有複數個處理單元2〇7以代 替第1實施形態之複數個處理單元7。複數個處理單元 係以於俯視時包圍中央機器人CR之方式所配置。複數個處 理單元207包括使基板W矽烷化同時對基板w進行蝕列之 矽烷化•蝕刻單元207a。於第2實施形態中，所有處理單 元207均為矽烷化•蝕刻單元207a。 圖8係表示本發明第2實施形態之矽烷化•蝕刻單元2〇7& 之概略構成的示意圖。圖9係本發明第2實施形態之阻斷板 252及與此相關之構成的仰視圖。以下，參照圖8。適當地 參照圖9。 石夕烧化•触刻單元207a具備有旋轉卡盤％、触刻劑噴嘴 39、淋洗液喷嘴40'及腔室41。於第2實施形態中，係由 旋轉卡盤38構成基板保持單元。矽烷化•蝕刻單元2〇7& 進一步具備·阻斷板252，其係於腔室41内配置在旋轉卡 盤38之上方；風扇·過濾器•單元253(FFU;Fan/Filter/Unit)， 其係將潔淨空氣自腔室41之±部供給至腔室41内；及排氣 機構(未圖示）’其係自腔室41之下部排出腔室41内之環境 氣體。FFU253及排氣機構係永遠驅動，使腔室41内形成自 100134717

26 201250815 腔室41上部朝向腔室41下部流動之氣流。 阻斷板252包括水平配置之圓板部254、沿圓板部254 't之 外周緣所設置之筒狀部255、及與圓板部254連接之加熱器 256。筒狀部255係自圓板部254之外周緣朝向下方鉛垂地 延伸。筒狀部255為圓筒狀。圓板部254與筒狀部255為同 軸。圓板部254具有較基板W之直徑更大之直徑。筒狀部 255具有大於旋轉基座42之内徑。圓板部254係以水平之 姿勢連結於支軸257之下端部。阻斷板252之中心軸線係配 置於旋轉卡盤38之旋轉軸線上。阻斷板252係以使圓板部 254之下表面成為水平之方式配置。於基板w由旋轉卡盤 38所保持之狀態下，圓板部254之下表面係與基板冒之上 表面為對向。 圓板部254具有朝鉛垂方向貫通圓板部254中央部之貫通 孔。此貫通孔係於圓板部254之下表面中央部開口。支軸 257為中空軸，且支軸257之内部空間係連通於貫通孔。矽 院化劑導入管258(石夕烧化劑供給單元)在非接觸狀態下插通 於支軸257，而矽烷化劑導入管258之下端係到達貫通孔 内。如圖9所示，於矽烷化劑導入管258之下端，係形成有 吐出矽烷化劑之矽烷化劑吐出口 259、及吐出氮氣之中心氣 aa吐出口 260。又’於支轴257與石夕燒化劑導入管258之間， 形成有包圍矽烷化劑導入管258之筒狀之氣體供給路徑 261。氣體供給路徑261之下端係於圓板部254之下表面開 100134717 27 201250815 口。如圖9所示，氣體供給路徑261之下端係形成吐出氮氣 之環狀氣體吐出口 262。 於矽烷化劑導入管258，連接有矽烷化劑供給管263及第 1氣體供給管264。對於矽烷化劑導入管258，分別經由矽 烷化劑供給管263及第1氣體供給管264供給矽烷化劑及氮 氣。供給至矽烷化劑導入管258之矽烷化劑，既可為矽烷化 劑之蒸氣，亦可為矽烷化劑之液體。於矽烷化劑供給管 263，插裝有控制對矽烷化劑導入管258供給及停止供給= 烷化劑之矽烷化劑閥265，而於第丨氣體供給管264，插裝 有控制對石夕燒化劑導入管258供給及停止供給氣氣之第; 氣體閥266。 又’於支軸257之上端部係連接有插裝有帛2氣體闕撕 之第2氣體供給管268。對於氣體供給路徑261，係經由此 第2氣體供給管268供給氮氣。供給至氣體供給路徑加 之氮氣係自環狀氣體吐出口 262向下方吐出。 支軸257係結合於阻斷板升降機構269。阻斷板升降機構 269係使支軸257及阻斷板252，在圓板部254之下表面接 近於由旋轉卡盤38所保持基板W之上表面之接近位置（圖 10⑷所示之位置）、與圓板部254之下表面大幅度退避至旋 轉卡盤38上方之退避位置（圖8所示位置）之間一體地升 降。在阻斷板252位於接近位置之狀態下，使圓板部以 之下表面接近於基板w之上表面，同時使阻斷板252之筒 100134717 28 201250815 狀部255包圍 圖10(a)〜圖10( 基板處理裝置2〇1 、用以5兒明稭由本發明第2實施形態之 下’針對將仙、、1戶斤進行基板W之處理之一例的圖式。以 Si〇2膜、及氮夜作為钱刻劑供給至形成有氧化膜之一例即 擇性地去除Sir膜tr腿膜之基板w之表面，而選 . 、之、擇性蝕刻的一例進行說明。又，以 广 多“、、圖7、屠| g Ώ _ 圖8、及圖10(a)〜圖10⑷。 内於由载具保持部5所保持之載具c内之未處理基板 係由索引機器人汉所搬出。然後，將自載具c内搬出 ^基板W自索引機器人IR交給中央機器人CR。中央機 器人CR係將自索引㈣人IR賴絲A理之絲w搬入 矽烷化•蝕刻單元207a内。 具體而言，於將基板W向矽烷化•蝕刻單元2〇7a内搬入 之前’藉由控制裝置4驅動閘開閉機構5卜藉此，使閘擋 板50配置於開放位置，而使腔室41之開口 48開放。其後， 中央機盗人CR係將基板W搬入腔室41内，並將此基板w 載置於旋轉卡盤38上。當基板w載置於旋轉卡盤38上之 時，阻斷板252係配置於大幅度退避至旋轉卡盤38上方之 退避位置。 控制裝置4係在利用中央機器人CR將基板w載置於旋 轉卡盤38上之後，使中央機器人CR自腔室41内退避。其 後，藉由控制裝置4驅動閘開閉機構51，而使閘擋板5〇配 100134717 29 201250815 置於封閉位置。藉此，使腔室41之開口 48由間擒板5〇所 毪封於岔封腔室41之開口 48之後，控制裝置4係藉由控 制旋轉馬達43使由旋轉卡盤38所保持之基板W旋轉。 接著如圖l〇(a)所示，將矽烷化劑供給至基板w，進行 使基板W矽烷化之矽烷基處理(矽烷化步驟）。具體而言， 控制裝置4係藉由控制阻斷板升降機構2 69，而使阻斷板2 5 2 自退避位置移動至接近位置。藉此，使阻斷板252之圓板部 254之下表面接近於基板w之上表面，同時使阻斷板252 之筒狀部255包圍基板W之周圍。控制裝置4係在阻斷板 252位於接近位置之狀態下，開啟第丨氣體閥266及第2氣 體閥267’使氮氣自中心氣體吐出口 26〇及環狀氣體吐出口 262吐出。藉此，使圓板部254與旋轉基座42之間的環境 氣體（包含水分之環境氣體）置換為氮氣環境。 然後’控制裝置4在阻斷板252位於接近位置之狀態下， 開啟石夕院化劑閥265 ’使石夕烧化劑之一例即HMDS之液體自 矽烷化劑吐出口 259吐出。自矽烷化劑吐出口 259所吐出之 HMD S係供給至基板W之上表面中央部，並受到因基板w 之旋轉所產生之離心力而沿著基板W之上表面向外側擴 展。藉此，將HMDS供給至基板W之上表面整個區域，而 使基板W之上表面整個區域矽烷化。然後，若；g夕烷化劑閥 265開啟後經過既定時間，控制裝置4就會關閉石夕烷化劑闊 265而使HMDS自石夕烧化劑吐出口 259之吐出停止。亦可於 100134717 30 201250815 將HMDS供給至基板W之期間，藉由控制裝置4驅動加熱 裔256 ’而對基板w進行加熱。 於HMDS之吐出停止之後，控制裝置4在阻斷板252位 於接近位置之狀態下，再次開啟第1氣體閥266及第2氣體 閥267’使氮氣自中心氣體吐出口 260及環狀氣體吐出口 262 吐出。藉此’使圓板部254與旋轉基座42之間的環境氣體 ' 置換為氮氣環境。又，藉由氮氣之供給而自圓板部254與旋 轉基座42之間排出之環境氣體’係藉由排氣機構(未圖示） 自腔室41内排出。 如此’於將HMDS供給至基板W之前，自基板w之附 近去除包含水分之環境氣體。藉此，可抑制或防止HMDS 與水發生反應而產生氨氣。又’於將HMDS供給至基板W 之後，自腔室41内去除阻斷板252與旋轉基座42之間的環 境氣體。因此，可自腔室41内去除藉由HMDS與基板w 之反應所生成之氨氣。 接著，如圖10(b)所示，將#刻劑之一例即包含氫氟酸及 乙一醇之混合液供給至基板W ’進行對基板w姓刻之^虫刻 處理(钮刻步驟）。具體而言’控制裝置4係一邊藉由旋轉卡 盤38使基板W旋轉，一邊開啟蝕刻劑閥44，使包含氮氣 酸及乙二醇之混合液自蝕刻劑喷嘴39朝向由旋轉卡盤％ 所保持基板W之上表面中央部吐出。自餘刻劑噴嘴39所吐 出包含氫氟酸及乙二醇之混合液’係供給至基板W之上表 100134717 201250815 面中央部’受到因基板w之旋轉所產生之離心力而沿著基 板w之上表面向外側擴展。藉此’使包含氫鏡及乙二醇 之混合液供給至基板w之上表面整個區域，而使基板w之 上表面整個區域受到蝕刻。然後，若蝕刻劑閥44開啟後經 過既定時間，控制裝置4就會關閉蝕刻劑閥44，使包含氫 氣酸及乙一醇之混合液自触刻劑噴嘴3 9之吐出停止。 接著，如圖10(c)所示，將淋洗液之—例即純水供給至基 板W，進行將附著於基板臀之包含有氫氟酸及乙二醇之混 合液洗掉的淋洗處理（淋洗步驟）<3具體而言，控制裝置4係 一邊藉由旋轉卡盤38使基板W旋轉，一邊開啟淋洗液閥 46,使純水自淋洗液喷嘴40朝向由旋轉卡盤％所保持基板 W之上表面中央部吐出。自淋洗液喷嘴4〇所吐出之純水係 供給至基板W之上表面中央部，受到因基板w之旋轉之離 心力而沿著基板W之上表面向外側擴展。藉此，使純水供 給至基板w之上表面整個區域，而將附著於基板w之包含 氫氟酸及乙二醇之混合液洗掉。然後，若淋洗液閥46開啟 後經過既定時間，控制裝置4就會關閉淋洗液閥46，使純 水自淋洗液喷嘴40之吐出停止。 接著，如圖10(d)所示，進行使基板w乾燥之乾燥處理(旋 轉乾燥；乾燥步驟）。具體而言，控制裝置4係控制旋轉馬 達43，使基板w以高旋轉速度(例如數千卬m)旋轉。藉此， 使車乂大之離〜力作用於附著在基板W之純水，將該純水甩 J00134717

32 201250815 開至基板w之周圍。如此—來，可自基板w去除純水，使 基板W紐。於㈣狀時間地騎賴處理之後，控制 裝置4係控職轉馬達43 ’使#由旋轉卡盤％所進行基板 w之;k轉停止。其後’藉由控制裝置4驅動閘開閉機構5卜 賴板50配置於開放位置。藉此，使腔室4ι之開口 48 開放。 於腔室41之開口 48開放之後，利用中央機器人CR自石夕 烧化·_單元論内搬出由旋轉卡盤38所保持之基板 W。然後’自石夕烧化•餘刻單元内所搬出之基板^ 係自中央機器人CR交給索引機器人瓜。索引機器人汛係 將自中央機器人CR接收之處理完畢之基板w搬入由載具 保持部5所保持之載具c。#此，使於基板處理裝置2〇ι之 -系列處理結束。控㈣置4係重複執行此—動作，逐片地 處理複數片基板W。 如上述’於第2實施形態中，矽烷化劑及蝕刻劑係供給至 由旋轉卡盤38所保持之基板w。即，於第2實施形態中， 石夕烧化位置與姓刻位置為相同位置，對基板W供給矽烷化 劑及供給餘刻劑係於相同位置進行。因此，在進行對基板W 供給碎燒化劑之後，可不使基板W移動至蝕刻位置。藉此， 可縮短基板W之搬送時間。因此，可縮短基板W之處理時 間。 [第3實施形態] 100134717 33 201250815 於第2實施形態中，雖然已針對阻斷板252之筒狀部255 為圓筒狀之情形進行說明，但筒狀部255亦可為圓錐台狀。 具體而言，如圖11所示之第3實施形態之阻斷板352，筒 狀部355亦可沿圓板部254之外周緣設置，且以自圓板部 254之外周緣朝外側擴展之方式延伸至下方。而且，筒狀部 355亦可使其厚度隨著接近筒狀部355之下端減少。 [第4實施形態] 接著，針對本發明之第4實施形態進行說明。此第4實施 形態與上述第1實施形態之主要不同點，在於藉由蝕刻劑之 蒸氣對基板w進行敍刻。於以下圖12〜圖18中，針對與 上述圖1〜目11所示之各部分相當之構成部分，標示與圖i 等相同之參照符號並省略其說明。 圖12係表示本發明第4實施形態之基板處理裝置之 配置的俯視示意圖。 基板處理裝置401包括處理基板w之複數個處理單元 4 〇 7。複數個處理單元4 〇 7係以於俯視時包圍中央機器人^ 之方式所配置。中央機器人CR係於索引機器人與處理 早兀407之間搬送基板W，同時於複數個處理單元衛 搬送基板w。複數個處理單元術包括使基板w朴化間 石夕烧化單元407a、對基板w進賴刻之触刻單元^之 將淋洗液供給至絲W㈣㈣絲w軸:及 407c。 / 乎早 το 100134717 201250815 雖未圖不，但切單元術e係具財旋轉讀％、淋洗 液喷嘴4〇(淋洗液供給單元）、及腔室叫參照圖3)。於洗淨 早兀她係藉由將自淋洗液喷嘴4()所吐出之純杯认至由 旋轉卡盤38所保持基板w之上表面整個區域，而將_於 基板W之液體或雜質洗掉(淋洗處理；淋洗步驟卜其後， 藉由旋轉卡盤38使基板w以高旋轉速度旋轉而自基板w 去除純水。藉此，使基板w錢(乾燥處理；乾燥步驟）。 圖13及圖14係表示本發明第4實施形態之石夕烧化單元 407a之概略構成的示意圖。以下，針對魏化單元额之 概略構成及树統單元條所騎基板w之處理之一例 進行說明。首先’針對㈣化單元條之概略構成進行說 明。 矽烷化單元407a包括保持基板w之基板保持台414、對 由基板保持〇 414所保持之基板w進行加熱之加熱器417、 及支持基板保持台414之支持構件412。基板保持台414例 如為具有大於基板w直徑之圓板狀平板。加熱器417係埋 設於基板保持台414。基板W係以基板评之中心與基板保 持台414之中心位於共有之鉛垂軸線上之方式水平地載置 於基板保持台414上。藉此，使基板W由基板保持台414 水平地保持於保持位置P1。於第4實施形態中，係藉由基 板保持台414、及下述加熱板478構成基板保持單元。基板 保持台414係配置於支持構件412之上方。支持構件412 100134717 35 201250815 例如為具有大於基板保持台414直徑之圓板狀平板。支持構 件412之外周部係車父基板保持台414更向外側突出。 又，矽烷化單元407a進一步包含有將基板w支持於基板 保持台414上方之複數根升降銷419、及使複數根升降銷419 一體地升降之升降銷升降機構421。各升降銷419係沿鉛垂 方向延伸。各升降銷419之上端係配置於相同之高度。於基 板保持台414及支持構件412,形成有朝鉛垂方向貫通基板 保持台414及支持構件412之複數個貫通孔。若升降銷升降 機構421將複數根升降銷419自退避位置（圖13所示之位置） 上升至突出位置（圖14所示之位置），則複數根升降銷419 就會分別插入複數個貫通孔，使各升降銷419之上端自基板 保持台414之上表面突出。另一方面，若升降銷升降機構 421使複數根升降銷419自突出位置下降至退避位置，則各 升降銷419之上端就會移動至較基板保持台4丨4之上表面更 下方處。 複數根升降銷419係藉由支持基板贾之下表面，而水平 地保持該絲w。於魏根升降銷419將絲w保持在突 出位置之狀態下，若升降銷升降機構421使複數根升降銷 419下降至退避位置’則由複數根升降銷—所保持之基板 w就會載置於基板保持台4M。藉此，將基板w搬送至保 持位置Pb使基板〜由基板保持台川水平地保持於保持 位置p卜另-方面’於由基板保持台414保持基板w之狀 100134717 36 201250815 心下右升降銷升降機構切使複數根升降銷训自退避位 置t升至大出位置’則由基板保持台414所保持之基板w 係藉由複數㈣_ 419所支持，而錢錄騎位置P1 更上方處。如此—來’就會於基板保持台414與複數根升降 銷419之間進行基板W之交接。 又夕烧化單凡407a進一步包含有配置於支持構件W 上方之阻斷板452。阻斷板452包括水平配置之圓板部祝、 及&圓板°M54之外周緣所設置之筒狀部455。筒狀部455 係自圓板部454之外月结έΒ a 丁七 ^ 卜周緣朝向下方鉛垂地延伸。筒狀部455 為圓同^ °圓板部454與筒狀部455為同軸。圓板部454 係具有大於基板保持台414之直徑。筒狀部极係具有較基 板保持σ 414之直僅更大之内徑。筒狀部之内徑係小於 支持構件412之外獲。阻斷以52係以使圓板部454之下表 面成為水平之方式配置。於基板w由基板保持台414所保 持之狀態下，圓板部顿之下表面係對向於基板W之上表 面。阻斷板452係以使圓板部454之中心與基板保持台414 之中〜位於共有之錯垂轴線上之方式配置。 同狀部455之下端係對向於支持構件412之上表面周緣 部。於筒狀部455之下端與支持構件412之上表面周緣部之 ]-置“有大於基板保持台414内徑之環狀之密封構件 47〇(例如0型環）。於第4實施形態中，密封構件470係保 持於支持構件412之上矣；田g Arr — 表面周、、彖。卩。岔封構件470並不限於 100134717 37 201250815 由支持構件412所保持，亦可由筒狀部455之下端所保持。 密封構件47〇係沿支持構件412之上表面周緣部朝支持構件 412之周方向延伸。阻斷板452係結合於阻斷板升降機構 269。阻斷板升降機構269係使阻斷板松於密封位置（圖 13所示之位置）、與設置於密封位置上方之開放位置（圖14 所不之位置）之間升降。絲斷板升降機構祕使阻斷板452 自退避位置下降至密封位置，筒狀部455之下端與支持構件 412之上表面之間的間隙就會由密封構件4川所密封。藉 此’密封包含保持位置P1之收納空間471(參照圖13)。另 方面’右阻斷板升降機構269使阻斷板自密封位置上 升至退避位置’筒狀部455就會離開密封構件470，使收納 空間471開放。 ;圓板。p 454之下表面中央部，形成有吐出口 。石夕烷 劑導入s 458(_院化劑供給單元)係連接於吐出口⑺。 才；夕燒化㈣導人官458,係經由魏化劑供給管463供給 元化狀蒸⑧。又’對於傾化劑導人管458，係經由氣 亂供給官464供給氮氣。於石夕烧化劑供給管偏，插裝有控 制對魏化劑導人管458供給及停止供給魏化劑之雜 ^劑閥你’而於氮氣供給管彻，插裝有控制對魏化劑 導入官458供給及停止供給氮氣之氮氣閥傷。供給至雜 化劑導入管458之傾化劑之蒸氣及氮氣，係自吐出口 472 向下方吐出。 100134717

38 201250815 又，於支持構件412之上表面，形成有以俯視時包圍基板 保持σ 414之環狀之排氣口 432。排氣口 432係連通於收納 空間47卜排氣管433之-端部係連接於排氣口 432。於排 氣管433係插裝有壓力調整閥473。由於在阻斷板452 位於 密封位置之狀態下將收納空間471密封，故於此狀態下，若 石夕院化剑之蒸氣或氮氣自吐出口 吐出，則收納空間】 之氣壓就會升高。然後’若收納空間471之氣壓達到既定 值，壓力5周整閥473就會開啟，使收納空間471之環境氣體 自排出口 432排出。藉此，使收納空間471之氣壓下降。然 後-若收納空間471之氣壓未達既定值，壓力調整閥473 就會關閉。因此，在阻斷才反452位於密封位置之狀態下，若 夕烷化W之蒸氣或氮氣自吐出口 472吐出，就會排淨收納空 間4/1之氣體，使收納空間471之環境氣體置換為矽烷化劑 之热氣或I氣。其後，若雜化劑之蒸氣或I氣自吐出口 472之吐出停止，壓力調整閥4乃就會關閉，而維持矽烷化 劑之热氣或氮氣充滿收納空間471之狀態。 接著，針對於矽烷化單元407a所進行基板w之處理之一 例進行說明。 於基板W搬入矽烷化單元4〇7a時，預先將阻斷板452配 置於開放位置，並將複數根升降銷419配置於突出位置。於 此狀心下，控制裝置4係藉由中央機器人CR將基板W載 置於複數板升降銷419上。織，控制農置4使中央機器人 100134717 39 201250815 CR退避之後，會藉由升降銷升降機構似使複數根升降銷 419下降至退避位置。ϋ此，使由複數根升降銷419所支持 之基板w載置於基板保持台414，使基板w由基板保持台 414保持在保持位置P1。然後，控制裝置4於使複數根升降 銷419移動至退避位置之後，會藉由阻斷板升降機構 使阻斷板452下降至密封位置。藉此，密封收納空間471。 因此，使基板W保持於密封空間内。 接著’將收納空間471之環境氣體置換為氮氣環境。具體 而言，控制裝置4係在阻斷板452位於密封位置之狀態下， 開啟氮氣閥466，使氮氣自吐出口 472吐出。藉此，將氮氣 供給至收納空間471。因此，收納空間471之氣壓會上升， 壓力調整閥473開啟。因此，收納空間471之氣體自排出口 432排出。藉此’使收納空間471之環境氣體置換為氮氣。 其後，控制裝置4關閉氮氣閥466。藉此，使壓力調整閥473 關閉’而使氣體自收納空間471之排出停止。因此，可維持 氮氣充滿收納空間471之狀態。 接著’將矽烷化劑之一例即HMDS之蒸氣供給至基板 W。具體而言，控制裝置4在阻斷板452位於密封位置之狀 態下’開啟矽烷化劑閥465，使HMDS之蒸氣自吐出口 472 吐出。藉此，將HMDS之蒸氣供給至收納空間471。因此， 壓力調整閥473開啟，使充滿收納空間471之氮氣置換為 HMDS之蒸氣。其後，控制裝置4關閉矽院化劑閥465。藉 100134717 40 201250815 此’使壓力調整閥473關閉’而使氣體停止自收納空間471 排出。因此，可使HMDS之蒸氣維持充滿收納空間471之 狀態。藉由使HMDS之蒸氣充滿收納空間471，而使HMDS 之蒸氣供給至由基板保持台414保持於保持位置P1之基板 W。又，由基板保持台414所保持之基板W係藉由利用加 熱器417所進行之加熱而保持在高於室溫之固定溫度(例如 50〜1〇〇 C之範圍内之固定溫度）。因此’可將HMDS之蒸 氣供給至保持在固定溫度之基板W。藉此，執行矽烷化處 理(石夕烧化步驟），使基板W之上表面整個區域石夕烧化。 接著’將收納空間471之環境氣體置換為氮氣環境。具體 而言’控制裝置4在阻斷板452位於密封位置之狀態下，開 啟氮氣閥466 ’使氮氣自吐出口 472吐出。藉此，將氮氣供 給至收納空間471。因此，使壓力調整閥473開啟，而使充 滿收納空間471之HMDS之蒸氣、或藉由基板w與HMDS 之反應所生成之氣體置換為氮氣。然後，控制裝置4於將收 納空間471之環境氣體置換為氮氣之後，就會關閉氮氣閥 466。藉此，使壓力調整閥473關閉，而使氣體停止自收納 空間471排出。因此，可使氮氣維持充滿收納空間471之狀 態。 接著，自^夕燒化單元407a搬出基板W。具體而言，控制 裝置4係藉由阻斷板升降機構269使阻斷板452上升至退避 位置。其後’控制裝置4係藉由升降銷升降機構421使複數 100134717 41 201250815 根升降銷419上升至突出位置。藉此，使由基板保持台4i4 所保持之基板w藉由複數根升降銷419支持而配置於保持 位置P1上方。控制裝置4在使複數根升降銷419移動至突 出位置之後’藉由中央機器人⑶搬出由複數根升降銷419 所支持之基板W。藉此，自矽烷化單元4〇7a搬出基板w。 圖15係表示本發明第4實施形態之蝕刻單元4〇7b之概略 構成的示意圖。以下，針對蝕刻單元4〇7b之概略構成、及 於餘刻單元407b所進行基板W之處理之一例進行說明。首 先，針對蝕刻單元407b之概略構成進行說明。 蝕刻單元407b具備有在密封狀態下蓄積氫氟酸水溶液 474之蒸氣產生容器475(姓刻劑供給單元）、及收納蒸氣產 生谷态475之外罩476。於此蒸氣產生容器475下方係設置 有將蝕刻劑之一例即氫氟酸之蒸氣向下方吐出之多個貫通 孔之沖孔板477。而且，於沖孔板477之下方，配置有在基 板W與沖孔板477對向之狀態下將該基板w水平地保持於 保持位置P2之加熱板478。加熱板478係固定於旋轉軸479 之上端。若包含馬達等之旋轉驅動機構使旋轉轴479 旋轉，則加熱板478係與旋轉軸479 —併圍繞鉛垂軸線旋 轉。由加熱板478所保持之基板W係藉由加熱板478進行 加熱。 蝕刻單元407b進一步具備有設置於加熱板478之周圍之 筒狀之風箱482。加熱板478係配置於風箱482内。風箱 100134717 42 201250815 可相對於外罩476之底面476a上下收縮。未圖示之驅動機 構係使則目482在風|目482之上端緣抵接於沖孔板47γ而密 封加熱板478周圍之空間之密封位置（由實線表示之位置）、 與風箱482《上端緣退避至較加熱板478之上表面德更 下方之退避位置（由虛線表示之位置)之間伸縮。風箱術内 之氣體係經由連接於外罩476之底面47如之排氣管483而 由排氣機構484排氣。 又’於外罩476之側壁，形成有位於加熱板478側方之開 口 485。開口 485係藉由擋板486進行開閉。於將基板w 搬入蝕刻單元407b時，預先將風箱482配置於退避位置（虛 線之位置），同時使開口 485開啟。然後，於此狀態下，藉 由中央機器人CR將基板w載置於加熱板478上。其後， 開口 485藉由擋板486而關閉。另一方面，於自蝕刻單元 407b搬出基板W時，將風箱482配置於退避位置，同時使 開口 485開啟。然後，於此狀態下，利用中央機器人cr搬 出由加熱板478所保持之基板w。其後’利用擋板486關 閉開口 485。 於蒸氣產生容器475，連接有對設置於蒸氣產生容器475 之蒸氣充滿空間487供給作為載體氣體之氮氣的氮氣供給 管488。來自氮氣供給源489之氮氣係經由流量控制器 (MFC ; Mass Flow Controller)490、閥 491、及氮氣供給管 4 8 8而供給至洛氣充滿空間4 8 7。又，祭氣充滿空間4 8 7係 100134717 43 201250815 經由閥492而連接於蒸氣供給路徑493。來自氮氣供給源489 之氮氣係經由流量控制器494、閥495及氮氣供給管496而 供給至蒸氣供給路徑493。於閥492開啟之狀態下，飄浮於 蒸氣充滿空間487之氫氟酸之蒸氣，係藉由氮氣之流動而經 由閥492供給至蒸氣供給路徑493。然後，供給至蒸氣供給 路徑493之氫氟酸之蒸氣，係藉由氮氣之流動而經由蒸氣供 給路徑493引導至沖孔板477。 蓄積於蒸氣產生容器475内之氫氟酸水溶液474係調製成 所謂擬似共沸組成之濃度（例如，於1個大氣壓、室溫下， 約為39.6%)。此擬似共沸組成之氫氟酸水溶液474，水與氟 化氫之蒸發速度相等，因此，即便因經由閥492將氫氟酸之 蒸氣自蒸氣充滿空間487引導至蒸氣供給路徑493而使蒸氣 產生容器475内之氫氟酸水溶液474減少，引導至蒸氣供給 路徑493之氫氟酸蒸氣之濃度亦保持固定。 接著，針對於蝕刻單元407b所進行基板W之處理之一例 進行說明。 在對基板W之表面進行蝕刻時，於基板W由加熱板478 保持且風箱482位於密接位置（實線之位置）之狀態下，控制 裝置4開啟3個閥491、492、495。藉此，使於蒸氣產生容 器475内所生成氫氟酸之蒸氣，藉由來自氮氣供給管488 之氮氣，經由閥492向蒸氣供給路徑493擠出。而且，此氫 氟酸之蒸氣係藉由來自氮氣供給管496之氮氣而運送至沖 100134717 44 201250815 孔板477。然後’此氫氟酸之蒸氣係經由形成於沖孔板477 之貫通孔而供給至由加熱板478所保持基板W之上表面（表 面）。於將氫氟酸之蒸氣供給至基板w時，控制裝置4係藉 由旋轉驅動機構480使基板w以固定之旋轉速度圍繞鉛垂 軸線旋轉。而且，控制裝置4係藉由利用加熱板478對基板 w進行加熱，使基板w之溫度維持在例如4〇〜15(rc之範 圍内之固定溫度。如此一來，氫氟酸之蒸氣係供給至保持在 固疋飢度之基板W之表面整個區域，而使基板w之表面受 到蝕刻（蝕刻處理，蝕刻步驟）。 圖16係用以說明藉由本發明第4實施形態之基板處理裝 置401所進行基板w之處理之一例的圖式。於以下說明中 之矽烷化處理、蝕刻處理、及淋洗處理係分別藉由矽烷化單 兀407a、蝕刻單兀4〇7b '及洗淨單元4〇7c所進行之處理。 以下，針對將㈣劑之—例即氫氟酸之蒸氣供給至形成有氧 化膜之-勒§1〇2膜、及氮化膜之一例#腿膜之基板w 表面而選擇性地去除SiN膜之選擇性餘刻的一例進行說 明。 ;处理例4_1 t，控制裝置4係藉由索引機器人IR及中 央機器人CR’將基板w自載具c搬送至魏化單元杨。 二後彳工制裝置4 H化單元4Q7a執行⑪烧化處理。 藉此使基板W之上表面整個區域石夕院化。然後，控制農 置4藉由中央機器人CR，將基板W自石夕烧化單元條搬 100134717 45 201250815 送至蝕刻單元407b 執行蝕刻處理。藉/其後，控制農置4藉由蝕刻單元4〇7b 刻。然後，控制裳日置此’使基板W之上表面整個區域受到蝕

將基板W搬^目4#由㈣機器人IR及中央機器人CR 戟具C内。 於處理例4_2令 央機器人cr，將義&制農置4係藉由索引機器人识及中 其後，控制|置=W自載具C搬送至魏化單元407a。 於進行_處理〇序執行我化處理及_處理。然後， W自钱刻單元4G7=控制裝置藉由中央機器人CR將基板 4藉由洗淨單元^送至洗淨單元偷。其後，控制褒置 附著於基板w之液2行淋洗處理及乾燥處理。藉此，將 索引機器人IR及由4衣直4错由 、機器人CR將基板W搬入载且e 於處理例4-3 +執一 C内。 央機器人CR，將笑板:係藉由索引機器人1R及中 其後，控制裝f 4 C搬送至魏化單元咖。 於進行蝕刻處理之後，抑制驶要4 $ 处至然後， 及蝕刻處理g I U #:欠依純行錢化處理 及蝕d處理。即’於處理例4_3中 牛明，4壬、〃 則聚置4係執行重禮 乂驟送重妙驟會進行複數次包括 之一季列循庐凡化處里及蝕刻處理 之糸歹]循％。然後，於進行重複 萨由中M。。， 知之後’拴制裴置4 糟由中央—人CR將基板術b 單元條。其後，控制裝置4藉由 “ 洗處理及乾無處理。然後，控制裝置4藉由索引機器人汉 100134717

46 201250815 及中央機器人CR將基板％搬入載具c内。 ^里例4-4中’控制裝置4係藉由索引機器人汉及中 央機益人CR，將基板w自載具c搬送至石夕院化單元術a。 /控制裳置4依序執行石夕烧化處理、姓刻處理、淋洗處 乾燥處理n於進行乾燥處理之後，控制裝置4 序執行石夕烧化處理、钮刻處理、淋洗處理、及乾燥處 理—即’於處理例4_4中’控制裝置4係執行重複步驟，該 重複v驟會進仃複數次包括⑪烧化處理、朗處理、淋洗處 理、及乾燥處理之一系列循環。然後，於進行重複步驟之後， 控制震置4藉由索引機器人IR及中央機器人CR將基板W 搬入載具C内。 °係表示對未石夕燒化之基板w進行钱刻時之基板w 之溫度錢刻量及選擇比之關係的圖表。圖18係表示對經 之基板W進行蝕刻時之基板W之溫度與蝕刻量及選 擇比之關係的圖表。圖17係比較例之圖表，圖18係本發明 之實施例之圖表。 於圖17及圖18中，表示對形成有Si02膜及SiN膜之基 板w之表面供給氫氟酸之蒸氣而將基板w餘刻時之姓刻量 及選擇_所使錢氟酸之蒸氣之濃度為39.6%。於各 圖表中基板W之溫度係將氫氟酸之蒸氣供給至基板|時基 板W之溫度。 如圖17戶斤示，於對未魏化之絲W進行餘刻之情形 100134717 201250815 時’當基板W之溫度為3(TC時，相對於SiN膜之蝕刻量（參 照符號•之曲線’為4.66 nm) ’ Si〇2膜之钱刻量（參照符號 之曲線’為90.00 nm)極大。即’當基板w之溫度為3〇 °C時，由於選擇比（氮化膜之去除量/氧化膜之去除量）之分母 相對於分子為極大，因此，選擇比很小（參照符號▲之曲線， 為0.05)。又’當基板w之溫度為40。(：、50。(：、70。(：時， SiN 膜之蝕刻量為 3.97 nm(40°C)、3.39nm(5(TC)、1.68nm(70 °C)，與30°C時相比並明顯變化。又，當基板w之溫度為 40 C、50 C、70 C 時 ’ Si〇2 膜之触刻量為 2.09 nm(40°C)、 〇·31 nm(50°C)、0.27 nm(70°C) ’ 雖然與 30°C 時相比較少， 但si〇2膜仍受到蝕刻。基板w之溫度為4〇ΐ、5〇t、7〇 C 時之選擇比為 1.9〇(4〇。〇、11.09(50。〇、6.31(70。〇。如 此，於藉由氫氟酸之蒸氣對未矽烷化之基板w進行蝕刻之 情形時，無論基板W之溫度為任一溫度，選擇比均約為u 以下。 另一方面，如圖18所示，於對經過矽烷化之基板w進行 姓刻之情糾，當基板w之溫度為机時，相對於腿膜 之姓刻量（參照符號#之曲線，為4 65 _，由於si〇2膜之 姓刻量（參照符號_之曲線’為㈣Onm)極大，因此，選擇 叫照符號▲之曲線)很小(〇()5)。又，當基板^之溫度為 〇 C 50 C 7G c 時 ’ SiN 膜之钮刻量為 3 92 nm(4Q〇c)、3 48 nm(5(TC)、i.38 nm(賊），與机時相比並無明顯變化。 100134717 48 201250815 而且即便與基板〜未石夕烧化之情形相比，亦無明顯差異。 另一方面’當基板…之溫度為赋、耽、贼時 膜之钱刻量為—η ^ < 2 。為 0.05 咖(40。〇、- 0.06 nm(5(TC) “ 〇 〇7 MW)。則量為負數縣示膜厚增加並未受舰刻，即 代表钕刻1為零。因此，當基板w之溫度為赋以上時， 由於選擇比之分母為零，故選擇比為無限大。如此，藉由於 對基板W進賴狀前使縣板W魏化，冑基板w之 /皿度為4GC以上g衬大巾冑度提高選擇比。 —如上述於第4實施形態中，係對經過魏化之基板W進 仃_其後’再次使經過蝕刻之基板W矽烷化。然後， 再次對經魏化之基板w騎_。即，關受到中斷， 並於此_情之㈣巾再妓基板w魏化。若長時間 ，姓刻劑之供給，則由石浅化_賦予氧化狀則抑制 能力有時會在中途下降’而無法充分地抑制氧化膜之钮刻。 因^藉由再錢基板W戟化，可恢復氧倾之钱刻抑 制能力。因此’於重新開純刻時可抑制氧化膜受韻刻。 因此，可抑制或防止選擇比下降。 又’於第4實施形態中，在對經外化之基板w進行钱 刻之後，將淋洗液供給至基，而將附著於基板w之液 體或雜質洗掉。然後，再次依序進行外化步驟、⑽步驟、 及淋洗步驟。經㈣之基板W有時會附著因_而產生之 雜質。若㈣著有目關聽生之雜f之狀許使基板w 100134717 49 201250815 矽烷化，則有時將難以自基板w去掉此雜質。因此，藉由 於再次進行魏化步狀前，去除_於基板w之雜質， 可抑制或防止難以自基板w去掉此雜質之情形。藉此，可 抑制或防止雜質殘留於基板W。因此，可提高基板貨之潔 淨度。 [第5實施形態] 接著，針對本發明之第5實施形態進行說明。此第5實施 形態與上述第4實施形態之主要不同點在於複數個處理單 元進一步包含有將基板W冷卻之冷卻單元。於下述圖μ〜 圖21中，針對與上述圖丨〜圖18所示之各部分相當之構成 部分，標示與圖1等相同之參照符號並省略其說明。 圖19係表示本發明第5實施形態之基板處理装置5〇ι之 配置的俯視示意圖。 基板處理裝置501包括處理基板w之複數個處理單元 507。複數個處理單元5〇7係以於俯視時包圍中央機器人匸尺 之方式配置。中央機器人〇][1係於索引機器人说與處理單 元507之間搬送基板w，同時於複數個處理單元$们間搬 送基板w。複數個處理單元507包括矽烷化單元、蝕 刻單元407b、及洗淨單元407c。而且，複數個處理單元5〇7 包括冷卻基板W之冷卻單元5〇7d。 圖20係表示本發明第5實施形態之冷卻單元5〇7d之概略 構成的示意圖。 100134717 50 201250815 I7單7L 507d包括基板保持台414、支持構件412、升降 ，’肖419及升降銷升降機構。而且，冷卻單元術d包括 冷卻由基板保持台414所保持之基板W之冷卻裝置s17。 冷部4置517例如為水冷式冷卻裝置。冷卻裝置517係埋設 ^基板保持台仙。由基板保持台似所保持之基板％係 藉由與基板保持台4M之接觸而冷卻（冷卻處理；冷卻步 驟）藉此’使基板W之溫度下降至例如室溫以下之固定溫 度，而使基板W保持在此固定之溫度。 圖21係用以說明藉由本發明第5實施形態之基板處理装 置501所進行基板w之處理之一例的圖式。圖21中之矽烷 化處理、㈣處理、淋洗處理、及冷卻處理係分別藉由石夕燒 化單元407a、蝕刻單元407b、洗淨單元407c、及冷卻單元 507d進行之處理。α下’針對將触刻齊!之一例即氯氣酸之 蒸氣供給至形成有氧化膜之一例即Si〇2膜、及氮化獏之一 例即SiN膜之基板W表面，而選擇性地去除siN膜之選擇 性蝕刻的一例進行說明。 於處理例5-1中，控制裝置4係藉由索引機器人讯及中 央機器人CR，將基板W自载具c搬送至矽烷化單元‘ο%。 其後，控制裝置4藉由矽烷化單元4〇7a執行矽烷化處理。 然後，控制裝置4藉由中央機器人CR將基板w自矽烷化 單元407a搬送至冷卻單元507d。其後，控制裝置4藉由冷 卻單元507d執行冷卻處理。藉此，使基板w之溫度下降至 100134717 201250815 室溫以下之固定溫度。麸诒 2 、、、’控制農置4藉由中女機哭人 CR將基板W自冷卻單元_搬送 ' 口後， 刻單元咖執行^處理。然後，控制 :置4藉由索引機器人1R及中央機器人CR將基板w搬入 載具C内。 於處理例5-2中，控制裝置4係藉由索引機器人IR及中 央機器人CR’將基板W自載| C搬送至㈣化單元4〇7a。 其後，控制裝置4依序執行妓化處理、冷卻處理、及關 處理。然後，控制裝置4藉由中央機器人CR將基板w自 钮刻單元4G7b搬送至洗淨單元條。其後，控制裝置4藉 由洗淨單元偷執行淋洗處理及乾燥處理。然後，控制裝 置4藉由索引機器人讯及中央機器人CR將基板w搬入載 具C内。 於處理例5-3巾，控制裝置4係藉由索引機器人IR及中 央機器人CR’將基板W自載具c搬送至矽烷化單元4〇%。 /、後控制裝置4依序執行石夕院化處理、冷卻處理、及钮刻 處理。然後，於進行蝕刻處理之後，控制裝置4再次依序執 行石夕貌化處理、冷卻處理、及_處理。即，於處理例W 中乜制裝置4係執行重複步驟，該重複步驟會進行複數次 包括矽烷化處理、冷卻處理、及蝕刻處理之一系列循環。然 後於進行重複步骤之後，控制裳置4藉由中央機器人cr 將基板W自蝕刻單元407b搬送至洗淨單元4〇乃。其後， 100134717 52 201250815 控制裝置4藉由洗淨單元4〇7c執行淋洗處理及乾燥處理。 然後，控制裝置4藉由索引機器人IR及中央機器人cr將 基板W搬入载具C内。 於處理例5-4中’控制裝置4係藉由索引機器人IR及中 央機器人CR’將基板w自載具C搬送至矽烷化單元407a。 其後，控制裝置4依序執行矽烷化處理、冷卻處理、蝕刻處 理、淋洗處理、及乾燥處理。然後，於進行乾燥處理之後， 控制裝置4再次依序執行石夕烧化處理、冷卻處理、触刻處 理、淋洗處理、及乾燥處理。即，於處理例5-4中，控制裝 置4係執行重複步驟，該重複步驟會進行複數次包括矽烷化 處理、冷卻處理、蝕刻處理、淋洗處理、及乾燥處理之一系 列循環。然後，於進行重複步驟之後，控制裝置4藉由索引 機器人IR及中央機器人CR將基板W搬入載具c内。 [第6實施形態] 接著，針對本發明之第6實施形態進行說明。此第6實施 形態與上述第5實施形態之主要不同點，在於複數個處理單 元進一步包括對基板W照射紫外線(ultraviolet radiation)之 紫外線照射單元。於下述圖22〜圖25中，針對與上述圖1 〜圖21所示之各部分相當之構成部分，標示與圖1等相同 之參照符號並省略其說明。 圖22係表示本發明第6實施形態之基板處理裝置6〇1之 配置的俯視示意圖。 100134717 53 201250815 基板處理裝置601包括處理基板w之複數個處理單元 607。複數個處理單元607係以於俯視時包圍中央機器人⑶ 之方式配置。巾央機ϋ人CR躲㈣機^人ir與處理單 元607之間搬送基板W，同時於複數個處理單元奶間搬 送基板w。複數個處理單元607包括石夕燒化單元術/蝕 刻單元407b、洗淨單元407c、及冷卻單元5〇7d。而且複 數個處理單元607包括對基板w照射紫外線之紫外線照^ 單元 607e。 ’ ' 圖23及@24絲示本發明第6實_態之紫外線照射單 元607e之概略構成的示意圖。 紫外線照射單元607e具備有基板保持台414、及收納基 板保持台414之腔室608。腔室6〇8包括形成有閑622之2 離壁649、使問622開閉之閘擔板623、密封隔離壁⑽與 閘擋板623之間的密封構件67〇(例如〇型環）、及使閘 開閉之閘開閉機構624。密封構件670係沿閘622安裝於隔 離壁649 ^密封構件670並不限於安裝在隔離壁649，亦可 安裝在閘擋板623。閘擋板623係結合於閘開閉機構624。 閘開閉機構624係使閘棺板623於藉由閘撞板⑵關閉問 622之封閉位置與開啟閘622之開放位置之間移動。若將閘 擋板623配置於閉塞位置，則閛擋板623與隔離壁6仍之間 的間隙係由密封構件670所密封。藉此，密封腔室6〇8内之 空間。 100134717

54 201250815 又，紫外線照射單元607e進一步包括複數根升降銷419、 及升降銷升降機構421。於隔離壁649之底壁612與基板保 持台414 ’形成有朝錯垂方向貫通基板保持台* 14及底壁612 之複數個貫通孔。若升降銷升降機構421使複數根升降銷 419自退避位置（圖23所示之位置）上升至突出位置（圖以所 示之位置）’複數根升降銷419就會分別插入至複數個貫通 孔，各升降銷419之上端係自基板保持台414之上表面突 出。又，若升降銷升降機構421使複數根升降銷419自突出 位置下降至退避位置’各升降銷419之上端就會移動至較基 板保持台414之上表面更下方處。於基板保持台414與複數 根升降銷419之間’基板W之交接係藉由複數根升降銷419 之升降而進行。 又’备、外線照射單元607e進一步具備將氮氣導入腔室 内之侧方導入管625。側方導入管625係安裝於隔離壁649 之侧壁609。於侧方導入管625，插裝有氮氣閥626。若氮 氣閥626開啟，氮氣就會自形成於側壁6〇9之吐出口 697 吐出至腔室608内。 又，於底壁612之上表面，形成有以俯視時包圍基板保持 台414之環狀之排氣口 632。排氣口 632係連通於腔室608 内。排氣管433之一端部係連接於排氣口 632。於排氣管 433，插裝有壓力調整閥473。於閘622關閉之狀態下，若 氮氣自吐出口 697吐出，腔室6〇8内之氣壓就會升高。然後， 100134717 55 201250815 右腔至608内之氣壓達到既定值，壓力調整閥473就會開 ，’並將氣體自腔室6 〇 8内排出至排出σ 63 2。藉此，使腔 室_内之氣壓下降。然後’若腔室_内之氣壓未達既^ 值，壓力調整閥473就會關閉。 又’紫外線照射單元6G7e進-步具備有紫外線照射燈 _(紫外線照射單元）。紫外線照射燈_係安裳於隔離壁 649之上壁611。紫外線照射燈_係配置於與由基板保持 台414所保持之基板W對向之位置。紫外線照射燈_係 朝向由基板保持台414所保持基板W之上表面照射紫外 線。藉此，使紫外線均勻地照射至基板w之上表面。紫外 線照射燈698照射例如185〜254 nm ;皮長之紫外線或2〇〜 200 nm波長之紫外線。 接著，針對於紫外線照射單元607e所進行基板w之處理 之一例進行說明。 首先，針對紫外線照射燈698照射185〜254 nm波長之紫 外線之情形時之處理進行說明。 於將基板W搬入至紫外線照射單元607e時，預先將間擋 板623配置於開放位置，並將複數根升降銷419配置於突出 位置。於此狀態下，控制裝置4藉由中央機器人CR將基板 W载置於複數根升降銷419上。然後，控制裝置4使中央 機器人CR退避之後，藉由升降銷升降機構421使複數根升 降銷419下降至退避位置。藉此，由複數根升降銷419支持 100134717 56 201250815 之基板載置於基板保持台似，基板w由基板保持台心 保持。然後’ _裝置4使複數根升降銷419移動至退避位 置之後’藉由閘開閉機構624使閘擋板623下降至封閉位 置。藉此，密封腔室6〇8内。因此，基板w係保持於密封 空間内。 接著’對基板W照射紫外線。具體而言，控制裝置4係 在閑擔板623位於封閉位置之狀態下，自紫外線照射燈698 照μ紫m II此’使紫外線均勻地照射至由基板保持台 414所保持基板W之上表面。基板w係藉由照射紫外線而 加熱。而且’附著於基板W之有機物等雜質係藉由紫外線 之照射而去除。以如此方式進行UV(ultraviolet radiation， 紫外線)處理（紫外線照射步驟）。而且，若持續既定時間地進 行紫外線之照射，控制裝置4就會停止自紫外線照射燈698 照射紫外線。 接著，將腔室608内之環境氣體置換為氮氣環境。具體而 言，控制裝置4係在閘擋板623位於封閉位置之狀態下，開 啟氮氣閥626 ’使氮氣自吐出口 697吐出。藉此，將氮氣供 給至腔室608内。因此，腔室6〇8内之氣壓會上升，壓力調 整閥473就會開啟。因此，腔室6〇8内之環境氣體就會自排 出口 632排出。藉此，使腔室6〇8内之環境氣體置換為氮氣。 接著’自紫外線照射單元607e搬出基板W。具體而言， 控制裝置4係藉由閘開閉機構624使閘擋板¢23移動至開放 100134717 57 201250815 位置。其後’控制穿詈4盐丄 ..1Λ " 错由升降銷升降機構421使複數根 升降銷419上升至穿屮 杜 «· 置。藉此’使由基板保持台414 所保持之基板W Μ由t 3旻數根升降銷419所支持。控制裝置 二=降銷419移動至突出位置之後，藉由中央機 = 所支持之基板W。藉此， 自兔外線職^6G7eW基板W。 b接著，針對於紫外線照射燈_照射2G〜· nm波長之 紫外線之情形時之處理進行說明。 於將基板W搬入势外始 '、卜線照射單元607e時，預先將閘擋板 623配置於開放仅置’並將複數根升降銷419配置於突出位 置。於此狀態下，和r制驻里^

审裝置4藉由中央機器人CR將基板W ，置於複數根升降銷419上。然後，㈣裝置4於使中央機 器人CR退避之後’藉由升降銷升降機構似使複數根升降 銷419下降至退避位置。藉此，使由複數根升降銷❻所支 持之基板W載置於基—料W，録板w由基板保持 口 414所保持。然後’控制裝置4於使複數根升降銷柳 移動至退避位置之後’藉由閘開閉機構624使閘擋板623 下降至封閉位置。藉此，密封腔室6〇8内。因此，基板w 係保持於密封空間内。 接著’將氮氣導入腔室608内之環境氣體中。具體而言， 控制裝置4係在閘擋板623位於封閉位置之狀態下，開啟氮 氣閥626 ’使氮氣自吐出口 697吐出。藉此，將氮氣供給至 100134717 58 201250815 腔室608内。因此，腔室608内之氣壓會上升，壓力調整閥 473就會開啟。因此，腔室608内之環境氣體會自排出口 632 排出。藉此，將氮氣導入腔室608内。此時，以使腔室608 内之環境氣體中氧濃度成為1〜10%之方式導入氮氣。其 後，控制裝置4關閉氮氣閥626。藉此，使壓力調整閥473 關閉，使氣體自腔室608内之排出停止。因此，可維持空氣 及氮氣充滿腔室608内之狀態。 接著，對基板W照射紫外線。具體而言，控制裝置4係 在閘擋板623位於封閉位置之狀態下，自紫外線照射燈698 照射紫外線。藉此，使紫外線均勻地照射至由基板保持台 414所保持基板W之上表面。又，由於腔室608内之環境 氣體會置換為氮氣環境，故對處於氮氣環境下之基板W之 上表面照射紫外線。基板W係藉由照射紫外線而加熱。而 且，附著於基板W之有機物等雜質係藉由紫外線之照射而 去除。以如此方式進行UV處理（紫外線照射步驟）。而且， 若持續既定時間地進行紫外線之照射，控制裝置4就會停止 自紫外線照射燈698照射紫外線。 接著，將腔室608内之環境氣體置換為氮氣環境。具體而 言，控制裝置4係在閘擋板623位於封閉位置之狀態下，開 啟氮氣閥626，使氮氣自吐出口 697吐出。藉此，將氮氣供 給至腔室608内。因此，腔室608内之氣壓會上升，壓力調 整閥473就會開啟。因此，腔室608内之環境氣體就會自排 100134717 59 201250815 出口 632排出。藉此’使腔室6〇8内之環境氣體置換為氮氣。 接著，自紫外線照射單元6〇7e搬出基板w。具體而古， 控制裝置4係藉由閘開閉機構624使開擋板623移動至^放 位置。其後，控制裝置4藉由升降銷升降機構421使複數根 升降銷419上升至突出位置。藉此，使由基板保持台叫 所保持之基板w藉由複數根升降銷419所支持。控制裝置 4於使複數根升降銷419移動至突出位置之後，藉:中:機 器人CR搬出由複數根升降銷419所支持之基板％。藉此， 自紫外線照射單元607e搬出基板w。 圖25係用以說明藉由本發明第6實施形態之基板處理裝 置601所進行基板w之處理之一例的圖式。圖2s之石夕脉 處理、侧處理、淋洗處理、及uv處理係分別藉由^化 單元407a、蝕刻單元4〇7b、洗淨單元4〇九、及紫外線照射 單元607e所進行之處自。以下，#對將姓刻劑之—例即氮 氟酸之蒸氣供給至形成有氧化膜之—例即Si〇2膜、及氮化 膜之-例即SiN膜之基板w之表面，而選擇性地去除⑽ 膜之選擇性蝕刻的一例進行說明。 於處理例叫t，控制裝置4係藉由索引機器人汉及中 央機器.人CR，將基板w自載具c搬送至料線照射單元 6〇7e。其後’控制農置4藉由紫外線照射單元術e執行-處理(石夕烧化前紫外線照射步驟）。藉此，自基板W去除有 機物。然後，控崎置4藉由中央機器人⑶將基板％ 100134717 60 201250815 I外線照射單元607e搬送至叾夕烧化單元407a。其後，抑帝 4置4藉由石夕炫化單元407a執行石夕燒化處理。然後，抑桊 A置4藉由中央機态人CR將基板w自石夕烧化軍元a , 干几刊7a搬 运至飯刻單元Wb。纽，控制裝以藉由飯刻單元術匕 執行蝕刻處理。然後，控制裝置4藉由索引機器人议及中 央機器人CR將基板W搬入載具c内。 於處理例6-2中，藉由索引機器人IR及中央機哭人 將基板w自載具c搬送至料線照射單元6Q7e。其後R 制裝置4依序執行UV處理(魏化前紫外線照射步驟 院化處理、及則處理。_，控制裝置4藉由中 CR將基板W自_單元衡b搬送至紫外線昭射單_ 術e。其後，控㈣置4藉由紫外線照射單元術e : 處理㈣化後料線㈣步驟）。觀，自基板W去除石夕 烧化劑(例如HMDS)。然後，控制裝置4藉由索引㈣ 及中央機裔人CR將基板w搬入載具匸内 於:述處理例Μ中，控亀4亦可於執行峨理之 後’ It由洗料疋條執行淋洗處理及乾燥處理 著於基板w之液體或雜質洗掉(參^ 、 :理:6-i、6-3中，控制裝置4亦可於執行佩:二 後且執打蝕刻處理之前，藉由冷卻 π , 507d執行冷卻處 理。同樣地，於處理例6_2中’控制裝置4亦可於執行第2 次UV處理之後，藉由洗淨單元彻e執行淋洗處理及乾燥 100134717 61 201250815 處理’而將附著於基板w之液體或雜質洗掉（參照處理例 4)而且，於處理例6-2及處理例6_4中，控制裝置4 ,、 可於執行石夕烧化處理之後且執行姓刻處理之前，藉由冷卻= 元5〇7d執行冷卻處理。 於處理例6·5中，藉由索引機器人IR及中央機器人⑶， 將基板W自載具C搬送至紫外線照 ·。 ’ 1裝置4依序執行UV處理(魏化前紫外線照射步驟）、石夕 烧化處理、及似彳處理。然後，於進行_處理之後，控制 裝置4再次依序執行矽烷化處理及蝕刻處理。即，於處:例 W中^制裝置4係於進行Uv處理之後執行重複步驟，’ 忒重複步驟會進行複數次包括石夕垸化處理及钱刻處理之— 系列循環。然後，於進行重複步驟之後，控制裝置4藉由令 央機器人CR將基板W自钮刻單元407b搬送至洗淨單元 4〇7C。其後’控制裝置4藉由洗淨單元.執行淋洗處理 及，理。然後，控制裝置4藉由索引機器人汉及中央 機态人CR將基板w搬入載具c内。 於處理例6,6巾’藉由索引機器人IR及中央機器人CR 將基板W自載具c搬送至紫外線照射單元㈣。其後，控 制裝置4依序執行u V處理(魏化前紫外線照射步驟卜石夕 院化處理、及I虫刻處理。然後，於進行㈣處理之後，控制 ^ 再人依序執行石夕炕化處理及钱刻處理。即，於處理例 6 6中’控制|置4係於輯uv處理之躲行重複步驟， 100134717 201250815 該重複步料進行減次包括外化處理及㈣處理之一 系列循環。然後，於進行重複步驟之後，控制裝置4藉由中 央機器人CR將基板W自蝕刻單元4〇7b搬送至紫外線照射 單元6〇7e。其後，控制裝置4藉由紫外線照射單元綠執 行UV處理(石夕烧化後紫外線照射步驟）。然後，控制裝置* 藉由中央機器人CR將基板W自紫外線照射單元6〇7e搬送 至洗淨單元407c。其後，控制裝置4藉由洗淨單元4〇乃執 行淋洗處理及乾燥處理。然後，控制裳置4藉由索引機器人 IR及中央機器人CR將基板W搬入載具c内。 於上述處理例6-5中，控制裝置4亦可一併將淋洗處理及 乾燥處理，與魏化處理及烟處理重複執行。即，亦可使 ''地例6 5所進行在重複步驟之後所執行之淋洗處理及 乾燥處理包含在—系列之循環中，而依序重複執行㈣化處 理、蝕刻處理、淋洗處理、及乾燥處理（參照處理例6_7)。 同樣地’亦可使於處理例6-6m進行在重複步驟之後所執行 之UV處理、淋洗處理、及乾燥處理包含在一系列之循環 中而依序重複執行矽烷化處理、蝕刻處理、UV處理、淋 处 及乾燥處理（參照處理例6-8)。而且，於處理例6_5 中亦可於執行石夕烧化處理之後，執行姓刻處理之前， 執行冷卻處理。g卩’處理例6·5〜6·8之―系列循環中亦可 包括冷部處理。如處理例6-8所示，當UV處理（紫外線照 射步驟）包含於一系列之循環中之情形時，由於各循環之uv 100134717 63 201250815 處理係於進行同一循環之矽烷化處理（矽烷化步驟）之後執 行，因此，該uv處理係矽烷化後紫外線照射步驟。又，各 循環之UV處理係於進行下一循環之矽烷化處理之前執 行，因此，該UV處理亦為矽烷化前紫外線照射步驟。 如上述，於第6實施形態中，對紫外線所照射之基板w 依序供給矽院化劑及蝕刻劑。藉由對基板w照射紫外線， 可去除附著於基板W之有機物等雜質。因此，可提高矽烷 化劑及蝕刻劑對基板W之反應性。藉此，可提高選擇比。 而且，於第6實施形態中，由於係對經矽烷化之基板w照 射紫外線，故可去除附著於基板w之HMDS等矽烷化劑。 因此’可提高基板W之潔淨度。 又，於第6實施形態中，進行複數次包括矽烷化步驟、蝕 刻步驟、及紫外線照射步驟之一系列循環。即，於相同循環 中，對供給有矽烷化劑及蝕刻劑之基板w照射紫外線，而 於第2次之後之循環中，對紫外線所照射之基板w供給矽 烷化劑及蝕刻劑。如上述，藉由對經矽烷化之基板w照射 紫外線，可去除附著於基板W之矽烷化劑。因此，可提高 基板W之潔淨度。又，於第2次之後之循環中，對藉由照 射紫外線而去除了有機物等雜質之基板w供給石夕烧化劑及 姓刻劑。因此，於第2次之後之循環中，可提高石夕烧化劑及 蝕刻劑對基板W之反應性。藉此，可提高選擇比。 雖然如上述已說明本發明之實施形態，但本發明並不限定 100134717 64 201250815 於上述第1〜第6實施形態之内容，亦可進一步以其他之形 態實施。 例如於上述第1〜第6實施形態中，雖然已針對基板處理 裝置為單片式基板處理裝置之情形進行說明，但第〖〜第6 實施形態之基板處理裝置亦可為總括地處理複數片基板w 之批次式基板處理裝置。具體而言’第丨〜第6實施形態之 基板處理裝置亦可為包括可蓄積浸潰複數片基板w之處理 液之處理槽、對處_供給雜化劑之糾化劑供給機1、 及對處理槽供給蝕刻劑之蝕刻劑供給機構的批次式基板處 理裝置。 土 处 又，於上述第1及第2實施形態中，雖然將钮刻液作為蚀 刻劑供給至基板，但亦可將包含钮刻成分之蒸氣作為餘刻劑 而供給至基板。例如，亦可將包錢刻成分之蒸氣(例如， 氫氟酸之蒸氣）自餘刻劑喷嘴39供給至基板。 又，於上述帛2 #施形態中，雖然已針對所有處理單元 2〇7均為魏化•⑽單元之情形進行說明，但與石夕 烧化#刻單凡2Q7a不同之單元亦可包含於複數個處理 元207中。 ;上述第1及第2實施形態中，石夕烧化步驟及名虫刻步 驟雖…各進仃丨次，但亦可對已進行砂院化步驟及姓刻步驟 之基板W再切行魏歸驟及_㈣。賴藉由魏 化劑之供給可抑制氧化膜讀刻，若長時間進行姓刻^ 100134717 65 201250815 驟’則抑制氧化贿k絲齡隨 在使選擇比下降之虞。因此，於進行七過而下降’而存 形時，藉由純辭k顧再錢;驟之情 刻步驟中_較高之選擇比。 4步驟，可純 又’於上述第4〜第6實施形態中，雖 酸之蒸氣將基板姓刻之情形進行說明，^顿藉由氫氟 以外之Μ刻劑對基板進行㈣。而且，认可稭由除氫氟酸 既可為蒸氣，亦可為液體。 〜。至基板之姓刻劑 又，於上述第4實施形態中，雖然已針 刻單，、及洗淨單元分別獨立之情形進行說明二:二 烧化早^_單元、及洗料元t2_ 1個。具體而言，如第2奮祐开彡能介 之早兀鉴口成 I虫刻單心又，亦可整合魏料元、^合魏化單元及 7化早70、蝕刻單元、及洗淨單 元0 /樣地。’於上述第5實施形態中，雖然已針對魏化單 元、侧單元、洗淨單元、冷卻單元分卿立之情形進行說 明，但亦可將此等單元中2個以上整合成】個。對於第6 實施形態亦同樣地，可將石夕燒化單元、_單元、洗淨單元、 冷卻單元、及紫外線照射單元t2個以上整合成】個。具體 而言，如第2實施形態，亦可整合矽烷化單元及蝕刻單元。 又’亦可於设置在紫外線照射單元之基板保持台埋設冷卻裝 置，而整合冷卻單元及紫外線照射單元。 100J34717 66 201250815 雖然已針對本發明之實施形態進行詳細之說明，但此等僅 為使=發明之技術内容明確化所使用之具體例，本發明不應 又此等八把例之限定而進行解釋’本發明之範圍僅由隨附之 申請專利範圍所限定。 本申凊案係對應於2011年1月2G日及2011年3月23日 刀别向日本專利局提交之特願2〇11-〇1〇154號及特願 . Q63722旒，此等申請案之所有揭示内容係藉由引用而 併入本文中。 【圖式簡單說明】 系表示本發明第1實施形態之基板處理裝置之配置的 俯視示意圖。 圖2係表不本發明第1實施形態之魏化單元之概略構成 的示意圖。 _ 二表示本發明第1實施形態之蝕刻單元之概略構成的 示意圖。 目4⑷至圖4(d)_以說明藉由本發明第1實施形態之基 板處理農置所進行之基板處理之—例的圖式。 圖5係表示對未矽烷化之基板進行蝕刻時之蝕刻時間與 蝕刻量及選擇比之關係的圖表。 圖6係表示對經魏化之基板進行侧時之则時間與 蝕刻量及選擇比之關係的圖表。 圖7係表示本發明第2實施形態之基板處理裝置之配置的 100134717 67 201250815 俯視示意圖。 圖係表不本發明第2實施形態之矽烷化·蝕刻單元之概 略構成的示意圖。 圖9係本發明第2實施形態之阻斷板及與此相關之構成之 仰視圖。 圖1〇⑻至® 1〇(d)係用以說明藉由本發明第2實施形態之 基板處理裝置所進行之基板處理之一例的圖式。 圖11係本發明第3實施形態之阻斷板的剖面圖。 圖12係表示本發明第4實施形態之基板處理裝置之配置 的俯視示意圖。 圖13係表示本發明第4實施形態之矽烷化單元之概略構 成的示意圖。 圖14係表示本發明第4實施形態之矽烷化單元之概略構 成的示意圖。 圖15係表示本發明第4實施形態之蝕刻單元之概略構成 的示意圖。 圖16係用以說明藉由本發明第4實施形態之基板處理裝 置所進行之基板處理之一例的圖式。 圖17係表示對未矽烷化之基板進行蝕刻時之基板之溫度 與蝕刻量及選擇比之關係的圖表。 圖18係表示對經石夕烧化之基板進行钱刻時之基板之溫度 與蝕刻量及選擇比之關係的圖表。 100134717 68 201250815 圖19係表示本發明第5實施形態之基板處理裝置之配置 的俯視示意圖。 圖20係表示本發明第5實施形態之冷卻單元之概略構成 的示意圖。 圖21係用以說明藉由本發明第5實施形態之基板處理裝 置所進行之基板處理之一例的圖式。 .圖22係表示本發明第6實施形態之基板處理裝置之配置 的俯視示意圖。 圖23係表示本發明第6實施形態之紫外線照射單元之概 略構成的示意圖。 圖24係表示本發明第6實施形態之紫外線照射單元之概 略構成的圖。 圖25係用以說明藉由本發明第6實施形態之基板處理裳 置所進行之基板處理之一例的圖式。 【主要元件符號說明】 1 、 201 、 401 、 501 、 601 2 3 4 5 基板處理裝置 索引器區塊 處理區塊 控制裝置(控制單元） 載具保持部 6 IR移動機構 7、207、407、507、607 處理單元 100134717 69 201250815 7a 、 407a 石夕烧化單元 7b 、 407b 蝕刻單元 8 、 41 、 608 腔室 9 、 10 、 609 側壁 11 、 611 上壁 12、612 底壁 13 、 517 冷卻裝置 14、414 基板保持台（基板保持單元） 15、479 旋轉軸 16 基板旋轉機構 17 ' 256 > 417 加熱器 18 均熱環 19、419 升降銷 20 、 412 支持構件 21 、 421 升降銷升降機構 22 、 622 閘 23 、 50 、 623 閘擋板 24、51、624 閘開閉機構 25 ' 625 側方導入管 26 側方氣體閥 27 ' 31 擴散板 28 、 258 、 458 矽烷化劑導入管（矽烷化劑供給 單元） 100134717 70 201250815 29 、 265 、 465 石夕烧化劑閥 30 上方氣體閥 32 周圍排氣口 33 、 36 、 433 、 483 排氣管 34 周圍排氣閥 35 閘側排氣口 37 閘側排氣閥 38 旋轉卡盤(基板保持單元） 39 蝕刻劑喷嘴(蝕刻劑供給單元) 40 淋洗液喷嘴 42 旋轉基座 43 旋轉馬達 44 1虫刻劑閥 45 蝕刻劑供給管 46 淋洗液閥 47 淋洗液供給管 48、485 開口 49、649 隔離壁 207a 矽烷化•蝕刻單元 252 > 352 ' 452 阻斷板 253 風扇·過濾器•單元 254 ' 454 圓板部 100134717 201250815 255 、 355 、 455 筒狀部 257 支轴 259 矽烷化劑吐出口 260 中心氣體吐出口 261 氣體供給路徑 262 環狀氣體吐出口 263 、 463 石夕烧化劑供給管 264 第1氣體供給管 266 第1氣體閥 267 第2氣體閥 268 第2氣體供給管 269 阻斷板升降機構 407c 洗淨單元 432 ' 632 排氣口 464、488、496 氮氣供給管 466 ' 626 氮氣閥 470 、 670 密封構件 471 收納空間 472 > 697 吐出口 473 壓力調整闊 474 氫氟酸水溶液 475 蒸氣產生容器(蝕刻劑供給單元) 100134717 72 201250815 476 外罩 476a 底面 477 沖孔板 478 加熱板(基板保持單元） 478a 上表面 480 旋轉驅動機構 482 風箱 484 排氣機構 486 擋板 487 蒸氣充滿空間 489 氮氣供給源 490 、 494 流量控制器 491 、 492 、 495 閥 493 蒸氣供給路徑 507d 冷卻單元 607e 紫外線照射單元 698 紫外線照射燈 PI 保持位置(矽烷化位置） P2 保持位置(>5夕烧化位置，#刻位 置） W 基板 C 載具 100134717 73 201250815 u 載具排列方向 IR 索引機器人 CR 中央機器人 100134717 74

Claims (1)

1. 201250815 七、申請專利範圍： 1. 一種基板處理方法，其包含： 石夕烧化步驟，其係將>5夕烧化劑供給至基板；及 蝕刻步驟，其係於進行上述矽烷化步驟之後，將蝕刻劑供 給至上述基板。 2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 該基板處理方法進一步包含有加熱步驟，該加熱步驟係與 上述矽烷化步驟並行地進行，並對上述基板進行加熱。 3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 該基板處理方法包含有重複步驟，該重複步驟係複數次進 行包括上述矽烷化步驟及上述蝕刻步驟之一系列循環。 4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中， 上述循環進一步包含有淋洗步驟，該淋洗步驟係於進行上 述蝕刻步驟之後，將淋洗液供給至上述基板。 5. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中， 上述循環進一步包含有紫外線照射步驟，該紫外線照射步 驟係於進行上述蝕刻步驟之後，對上述基板照射紫外線。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理方法， 其中， 該基板處理方法進一步包含有矽烷化前紫外線照射步 驟，該矽烷化前紫外線照射步驟係於進行上述矽烷化步驟之 前，對上述基板照射紫外線。 100134717 75 201250815 7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理方法， 其中， 該基板處理方法進一步包含有矽烷化後紫外線照射步 驟，該矽烷化後紫外線照射步驟係於進行上述矽烷化步驟之 後，對上述基板照射紫外線。 8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之基板處理方法， 其中， 該基板處理方法進一步包含： 矽烷化前紫外線照射步驟，其係於進行上述矽烷化步驟之 前，對上述基板照射紫外線；及 矽烷化後紫外線照射步驟，其係於進行上述矽烷化步驟之 後，對上述基板照射紫外線。 9. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 上述蝕刻劑係包含有氫氟酸及乙二醇之混合液。 10. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 上述叾夕烧化劑為非水溶性，且 上述姓刻劑含有水。 11. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 上述钮刻劑係具有姓刻成分之蒸氣。 12. —種基板處理裝置，其包含： 基板保持單元，其係將基板保持於矽烷化位置及蝕刻位 置； 100134717 76 201250815 、石夕貌化雜給單元，其騎由上絲板保持單元保持於上 述矽烷化位置之基板供給矽烷化劑，· 韻刻劑供給單元，其雜由上述基板保持單元㈣於上述 蝕刻位置之基板供給蝕刻劑；及 控制單元，其係執行石夕炫化步驟及餘刻步驟，該魏化步 控制上述魏化劑供給單元，而對由上述基板保持 =於上述跑位置之基板供給舰劑，糊步 驟係糟由控制上述蝕刻劑供給 驟之後，對由上述基板保持單ς;:於進行上述魏化步 基板供給姓刻劑。 ，、持於上賴刻位置之上述 13·如申請專利第12項之基板處理裝置，其中， 上述石夕烧化位置及蚀刻位置為和同位置。 專利範面第12或13項之基板處理褒置，其，， 之二理;:係"包含有對上述基板照射紫外線 100134717 77