TW201202006A - Stretching device and method for manufacturing polyimide film by usingbthe same device - Google Patents

Description

201202006 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於在膜製造步驟中將膜沿輸送方向延伸的延 伸裝置。又，本發明係關於包含使用延伸裝置而延伸之步驟 醯亞胺膜的製造方法。 。 Λ 【先前技術】 於膜之製造方法’係進行將製造中途的膜沿其輸送方向 (MD : machine Direction)延伸後，沿寬度方向(TD : Tramvei：se

Direction)延伸的逐次雙軸延伸。藉由將膜延伸，能使膜於延伸方 向的線膨脹係數減小。 如此#膜之一例，例如聚醯亞胺膜。眾醞亞胺膜由於質輕」 柔軟性、膜強度及耐熱性等各種特性優異，因此在各種領域，； 其是電子•電化^财，例如係伽於當成可撓崎基板材料』 COF用基板材料專。 利用延伸來製造聚酿亞胺膜的方法，已知有以下方法. 醯胺酸等聚醯亞胺前驅體的溶劑溶液澆鑄在支持體上，將养日二 自支持性膜(也稱為凝膠狀膜、凝膠膜等)從支持體制下，之 亞胺化不會進行的程度的加熱溫度下，利用於廳方向間 配置的2組輥的周圍速率差，將膜沿廳方向拉伸而延 將已沿MD方向延伸的自支持性膜利用拉幅裝置等， ^ 的狀瘧沿TD方向延伸而加熱(也稱為熱硬化）。 、' 專利文獻1揭示-種聚醯亞胺膜，其特 媒及脱水劑的聚軸酸的有機溶劑溶液洗^體才: 方向以仃進方向的延伸倍率的Μ〜1_3倍的倍率進& 以往，使膜沿 方向隔著__ 2 膜的_ 方向拉 .201202006 t 伸之方法。但是，以往的延伸會在朝_方向延伸時 毛生膜於TD方向收縮，即所謂的寬度縮窄的現象。 ㈣ϋ發生寬度縮窄，則於次步驟將膜沿TD方向延伸時，必需 加的量於TD方向延伸，此影響會造成必需 擔ΐί辦ΐϋί，由於延伸量加多’對於延伸裝置的機械性負 特性會變得不均勻。号綱4生紐^❿方向的膜 而專利文獻2揭示一種延伸裝置，其係藉由 =照射，，獨特的加熱裝置，而赌的輸送 二進仃延伸所^的熱1，域此可減低寬度縮窄量。、、 [先前技術文献] [專利文獻] 專利文獻1 :日本特開2004-2880號公報 專利文獻2 :日本特開2003—123942號公報 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 徵，ϊΐί將獻2所揭示之延伸裝置，於加熱農置有其特 情形無法，擔觀料不_熱，於此 好地===^繼械嫩_仍能良 脸里^ …—支持性膜朝MD方向延伸的证他 “Wi縮2 ’再者’往TD方向的延伸亦容易且能以 [解決課題之方式] 機構本，财：卿麟㈣域構；承接 將已攸达出機構送出之膜以比起從送出機構送出之膜之速 又本叙明之目的在於提供一種聚酿亞胺膜之贺i告大、土甘 =由使用適於將聚醯亞胺之自支持性膜朝iun _二 表置，而能抑制寬度縮窄 良好效率製造聚酿亞胺膜 201202006 ^更快的速度承接；及2組膜推壓單元’其係 於5;ί度⑽方向兩端部。膜推壓單元，工有 著間Ρ5㈣在膜的輸送路徑上方沿膜的輸送(MD)方向隔 上推il9相及多數下推驗，其係在膜的輸送路徑下方與 夾，以與錄上推壓輥協同作用而將膜從上下 伽而㈣ί£親及下推壓報，係以轉動_著膜的議方向下游 4膜的TD方向外側傾斜並轉動自如地受支持。 及盘伸裝置’可更具有.支持多數上減輥之頂板； 上推厣㈣夕：ΐί二又支？成月b在下方向移動。又，多數 出機構與承接機構之間，也可更具有將輸送中之膜加 :於此？形，膜推壓單元至少其中-部分宜配置在加 門可為加熱爐具有膜甩的入口側開口部及出‘口側 ，口^且，入口側開口部及出口側開口部，將多數 的-部分及多數下推壓輥的—部分配置在加熱爐的外部。 又，加熱爐也可利用熱風將前述膜加埶。 周面2粗ίϋΪ地抑織度料，上推壓缺下推壓親宜於 _ί/ίί出，承接機構’均為報時，從實用性的 較佳。再者，刖述送出機構及前述承接機構至少其中之一 抽吸棍較佳。 本發明之聚醯亞胺膜之製造方法， 具有.第1步驟，其聽雜亞麵驅體之·溶液 支持體上並成為自支持性膜；及 第2步驟’其係-面輸送自支持性膜—面進行加熱處理,· ^第2步驟包含利用延伸裝置將自支持性膜沿勘方向延 之自縣㈣之_置，且將當做膜 201202006 、本發明之聚醯亞胺膜之製造方法中，第2步驟較佳為包含在 以'^述延伸裝置將自支持性膜沿从0方向延伸之後，將自支持性 膜沿TD方向延伸，於此情形，能更有效地發揮本發明之效果。 [發明之效果] 却认t發明之延伸裝置，藉由於以膜推壓單元將膜之TD方向兩端 二之狀態進行延伸，即使於不需要將膜加熱的情形，也能 ^寬度縮窄的狀態將膜良好地延伸。尤其，沿MD方向延伸 向之延伸的秋雙軸延伸膜製造時’不需要往TD方 度縮窄受抑制的分量的多餘的延伸，因此於ro方向 ’並且減輕對於延伸裝置的機械性負擔。而 且了獲付具有所望線膨脹係數之延伸膜。 農置聚醯亞胺膜之製造方法，#細本發明之延伸 装置將自支持性膜往MD方向延伸時， τ ，制寬度縮窄的狀態將自支持性膜 ^伸加：，以= 【實施方式】 [實施發明之形態] 若參照圖1，顯示在臈F之製造步驟 方向延伸之本發明之-實施形態的延伸裝置丨於將膜F沿輸送 延伸裝置1具有：用於將針糾 編 及用於將已送出之膜F以比起送 即抽出輥10， 的速度承接的承接機斯捲取輥20 Γίΐ, F之速度更快 別以未圖示的驅動機構而個別轉動驅動，膜&及捲取輥2〇，分 捲取親2〇側輸送。捲取輥2〇，其周圍率糸從抽出輥10側往 用兩者的周圍速率差使膜F在抽1〇之周圍 之間拉伸，其結果使膜F沿JVCD方向延伸。兹輥10與捲取輥20 错由將抽出輥10與捲 201202006 取輥20之周圍速率比例適當設定，可以調整膜F的延伸率。 • ^出輥10及捲取輥20,可使用該種延伸裝置一般可用之 係為ίί將所望延伸率延伸，不使膜F在絲面的產生滑ΐ 至:;、ίΐ。為了θ不使膜F發生滑動，可以使繰出親10及捲取輥20 抽化之Ί是：能以負壓抽吸膜F之在表面具有多數抽吸孔的 輕群植聽〕。再者’送出機構及承接機構也可衫數輥構成的 觀if成’於此情形，至少其中之也可以是抽贿 進杆ίίί報10與捲取親20之間，設置有用於將輸送令途的膜f 加熱，膜fiL^2部延期間’由未圖示的熱源 在二ίί有2組膜推壓—^ 經為二推f=抽出輕1G至捲取輕20的膜F的輸送路 41，在與底板45相動缸筒等射_器 側，有多數上推壓輥43以轉動支持，於底面 下游側往膜F之外側傾斜的姿勢 方 =著膜F之_方向 膜F之MD方向下游側勸細勢°猎此’上推壓輕43當從 向外側。 游舰糾，其外周面係朝膜F的TD方向斜

F ^ TD 可至少其中之一為不同。疋、又、直徑、間隔及傾斜程度也 別地支持多數ΐ’。及多數次板45a而個 接受頂板42顺45的力^_ 201202006 使用壓縮線圈彈簧。夂 各次板45a各將！個下上端，各固定有1個次板45a， 下推壓輥46藉由多數彈^*，6以轉動自如地支持。所以，多數 位移方式受支持著^ 47而個別地以能上下彈性可上下彈性 方。各下推壓輥4^3^，*，係位在膜F的輸送路徑下 向相對的位置，以能刀別對應的上推壓輥43於上下方 持。因此，下推壓隹她43制作用而將膜F從上下夹

ϊ ^ ίΓπ " TD 度、直ΐ、ίϊΐΐΐ程度’只要是與相對向的上推難43的長 用上推;輥4 可彼此相異也可相同。利 7 i t F ^^ϊ；ΐΓ4^ 方向上游側及下游侧，膜推壓單；40的2部分從 輥43及下減輥46，亦於膜F ，，分上推壓 口側開口部31及出口側開口部32突出。向上游側及下游侧從入 依照如以上説明之構成的本實延 i si： Γ 分社矛 胰 夾持於其中的狀態從抽出輥10彻丨 側輪送，上推麵43及下減輥46會由於與膜F的 游如，43及146 ’ 朝膜f之_方向下 游侧而向膜F之TD方向朝外麵斜而受支持，因此若上推= 201202006 43及下推壓輥46轉動，對於膜ρ的TD方 摩昆43及下推壓報46的磨擦而有朝膜;p的^^由於上推壓 此力會對於由於延伸而使膜向向外的力作用。 結杲會抑綱F喊度縮窄。如此力，其 壓輕43及下推麗報46將膜F的！D方向兩端邱^推 故可不依存於加熱條件，抑制寬度_。而且釔 :輥46的轉動係追隨膜F的輸送，關於膜 壓輥43及下推壓輥46所造成的膜F = 3 影響膜F的延伸。 m Uitk手不會 而士，由於上推壓輥43及下推壓輥46係分別沿膜 方向隔著_各配置多數個，因此能將有可能發生膜f 窄的區域，跨膜F的MD方向而於廣範圍夹持：二 抑制膜F的紐_。 ^’此有效 為了更有效發揮此效果，例如當如圖3所示具有上 43a〜43i時，考慮就膜F之·方向各上推魏咖〜极推壓膜^ =範圍a〜i時，宜設定上推驗43a〜43i之長度、間隔及轉動抽相 對於膜F之TD方向的傾斜角度，使得在鄰接於膜F之廳方向 的2個範圍(a與b、wc、^d、d與e、e與f、f與g、#h、 h與i)彼此接觸，或者是部分重疊。當然，多數下推壓報(圖'3中 係未圖示）’係對應於上推壓親43a〜43i，與上推壓輥43a〜43i恰相 同數目，且各配置成與上推壓輥43a~43i相對向。 藉由如此配置多數上推壓輥43a〜43i及下推壓輥，關於膜F 之MD方向，從範圍a至範圍丨，係將膜！^藉由某上推壓輥及下推 壓輥的配對而夾持，因此能更有效抑制寬度縮窄。 本實施形態中’為了將多數上推壓輥43及多數下推壓輥46 =膜F夾持，以有效抑制寬度縮窄，以所有的上推壓輥43及下推 壓親46的配對夾持膜f係屬重要。亦即，各上推壓輥43安裝成 相對於頂板42之底面於垂直的方向的距離彼此相等，而且各下推 壓輥46安裝成相對於底板45之頂面於垂直方向的距離彼此相等 係屬重要。

S 10 201202006 但是，實際上，由於上推壓輥43及下推壓輥46分別對於頂 板42及底板45安裝的不齊一等，例如如圖4所示，當丨個下 壓輥46e相對於底板45的頂面安装在較其他下推壓輥4如〜々a、 46f〜4出更為突出的位置時，膜F僅會由此下推壓 及 對向的上推壓輥4%所夾持。 夂一其相 於如此的情形，本實施形態之構成為係 =經由彈簧47而受支持在底板45,而且能將頂板 41上下調整’所以藉由利用線性致動器41使頂板 接接近，能將支持位在突出位置的下推壓親祝的彈 I推壓的上推壓輕43e壓縮，而能使所有的下推壓報與 篇彈簧47將下推觀46支持在絲45上，且使 -私μ姐致姉41而能上下雜，可發揮如町的效果。 縮窄的向$伸時’延伸率愈高，則寬度 本實施形射，藉‘ 整上推抛41 ili動的構造，能因應於膜F之延伸率等，而調 整上^輕43與下推顯46對於膜F的夾持力。 下移動之;也中可|^示，42利用線性致動器Μ而可上 及底板45兩者可於_7下方H於上下方向移動，也可為頂板42 多數下推顯46藉由多數二47。^樣地，上述形態中’係顯示 但是也可為乡數上推/Ht7蚊縣敍45之例， 上下彈性位移方式受主^，多數彈簧而個別以能上下彈性可 者個別=能上下彈性變^為上推壓輥43及下推壓輕4兩 可，可為式，只要是能加熱至使膜F軟化的程度即 等。為了均i延伸，宜：Z紅外線加熱或熱風加熱、及併用此 施形態中，在膜F的膜王11儘可能均勻地加熱。尤其’本實 、；11；方向兩端部設置有膜推壓單元40,成為 201202006 比起其他部分略為*易受熱的構造。因此， Γ2ίί ?_性、成本等，本實施形態中，比起利用 =6 用能將與膜f接觸的上推難43及下推壓 祕賴F的寬度方向_部_加_熱風方式 加熱爐30 ’係將輸送中途的膜？加熱，所以其構造上具 丨^過用的入口側開口部31及出口姻口部32，且通過此等入口 3Λ及出口侧開口部32，在加鍾3G内經加熱的空氣的 一。P刀會“。所以，視加熱爐30内之溫度及開口部31、3 大小’即使在加熱爐30的外部，有時在此等開口部3卜3 近’膜F會被延伸。 曜寸 _而f施形癌’如圖1及圖2所示，藉由使膜推壓單元、40係 膜F之MDS向上游側及下游侧經由入口側開口部31及出口側 口部32硫置在加熱爐30之外，多數上推壓幸昆43當中一部分的 ，、及多數下推難46當中-部分的輥配置在加熱爐3()之外部。 猎此，能更為有效地抑制由於延伸發生寬度縮窄。當铁，可以不 必特別考慮從入口側開口部31及出口側開口部％有^加埶 流出的情形，也可賴賴單元4G全體在 内邻、 又，本實施形態中，如圖2及圖3所示，係例^多數内上^壓 親们(因此，下推壓報奶也是)從膜F之_方向上游側朝下游側， 偏離於薄膜F之TD方向外侧而配置之例。此係上推壓輕43之轉 動軸平行於矩形狀之頂板42的寬度方向配置，且頂板们本身以 傾斜的姿勢設置的原故。但是，例如圖5所示，多數上推壓輥43 本身也可安裝成其轉動軸43x相對於頂板42之TD方向成為斜 向，，於膜F之TD方向的各上推壓輥43的位置係均等配置。於此 睛形當然下推塵親46也是同樣配置。藉由如此的上推壓輕43 及下推麼輥46的配置，也能良好地抑制延伸時之寬度縮窄。 又，如上述，本實施形態中，上推壓輥43及下&壓輥46隨 膜F之輸送而轉動且隨著此膜F之輸送之轉動順利進行，對於良 好抑制寬度縮窄係屬重要。為了能使上推壓輥43及下推壓輥46 .201202006 ，利轉動，輯於此等推域43、46 _面施以砂磨加 貞的锻紋表面拋光等粗縫面處理，使得在與膜f之間ί用 七磨仏力增大。或者’以橡軸當做上推壓動3及下推壓 2於线壓膨_巾空的空驗當献等橡義等，以增加在 與膜F之間作用的磨擦力亦可。 s 驗43及下推壓輕46之轉動軸相對於膜F之顶方向 =斜角，宜因應膜WMD方向之延伸率而奴。由於g 愈局則膜F的寬度縮窄量愈大，故需要儘可能拘束膜F的τ =端部以不產生寬度縮窄。為了增大對於膜F之TD方向 上祕斜角度愈A愈佳。但是，若傾斜纽過大，於膜1 ί 句束力增大，有無法適當進行延伸之虞。如此，傾 ί 較佳範圍為大於G。小於45。，更佳為大於 υ 30以下，又更佳為大於〇。、15。以下。 士上述實施形態中，係顯示本發明之送出機構及承接 iiLi個抽出輥及至少1個捲取輥之機構。但是，送出機構昱 承接機構秘於喃輸魏之麟，例如也可藉由將於握持 TD方向端部的狀態沿膜之應方向移動之膜握持構件在膜之送 側及^接側配置於膜之TD彳向兩侧，使承接侧之膜握持構件以比 出側之握持構件送出之膜之速度為快的速度移動，而將此 ^达出侧絲制之握賴件分別當成送_構及轉機使 用。又，运出機構及承接機構至少其中之一也可由輥 之組合構成。 丁僻叶 其次，參照圖6說明使用上述本形態之延伸裝置丨之 伸膜之製造步驟之一例。 、首先，藉由使熔融的樹脂成型為膜狀以製膜(sl〇1)。膜之成型 方法，例如·溶融擠壓成型法(extrusi〇n_m〇lding)、溶液流延法 (solution-casting)、及軋平法(calendaring)等。 然後’將已成型的膜一面以輥輸送，一面沿其随）方向延 上述本實施形 悲之延伸裝置1，寬度縮窄受抑制。 13 201202006 然後使已沿MD方向延伸之膜沿td方向延伸(si〇3)。往TD 方向之延伸，可使用拉幅装置等。以往，由於往md方向之延伸 會造成寬度縮窄，必需在所望延伸量加上由於寬度縮窄所致縮小 的寬度的而多餘地延伸，因此有時會因而發生膜斷裂，又， 延伸裝置施加的機械性負擔也會增大。 、 但是，本貫施形態中，藉由使用上述延伸裝置1在往 向之延伸，寬度縮窄受抑制，因此，往TD方向之延伸率不需要如 以往如此的大。其結果，可大幅減少麟裂，使膜以所望 沿TD方向延伸’能獲得具有所望線膨脹係數之膜。 最後使已沿TD方向延伸之膜硬化(硬化)(sl〇4)，並 (S105)，藉此製造雙軸延伸膜。使膜硬化之方法，有加熱、利 媒、紫外線(UV)照射、電子線照射及併用此等之方法厂 如以上，藉由使用上述延伸裝置丨在使膜沿TD方向延 以所望延伸率沿MD方向及TD方向延伸，並藉此製造大幅減^ 沿TD方向延伸時的膜斷裂的於_方向及11} 飧 膨脹係數之雙軸延伸膜。 U所罜熱線 本發明之延伸裝置可用在將各種膜往方向之延 g尤佳為用在聚ϋ亞胺膜之製造時往自支持性膜之_方&之 以下說明自支持性膜往MD方向延伸使用上 醯亞胺膜之製造方法之—例。 《職置之聚 本發明之聚酿亞胺膜之製造方法，具有：第牛， 亞胺前驅體之賴溶液麟於支持體上成自支 f、卡 驟，將第i步驟獲得之自支持性膜一面輸送一面力3 2 驟包含以前述延伸裝置沿自支持性膜之MD方向延伸。 / 且右更i體本發狀雜魏歡觀找，如® 6所示， 符膜，及第2步驟’係一面輸送該自支持性膜， ϊτϊί::包含醯亞胺化及/或延伸之熱處理等為目的之加熱。 s ·將自支持性膜沿輸送方向延伸⑽2)，然後沿寬度 201202006 岔伸(S1G3)，及熱硬化(S1G4)。利用熱硬化而最終製造的聚醯 .亞版膜,，係捲取於輥(Si〇5)。 一以上讀造方法巾，「將雜亞胺前驅體之溶継液麟於支 持體上」步驟、「將自支持性膜沿娜方向延伸」步驟、「沿 方向延伸」步驟、「熱硬化」步驟、及「將最終製造之聚酿亞胺膜 捲取於輕」步驟’各相當圖6的「製膜」步驟(sl〇1)、「md延 伸」步驟(S102)、「TD延伸」步驟(S103)、「硬化」步驟(81〇4)及「 取」步驟(S105)。 本發明之延伸裝置，在此等各步驟當中係使用在MD延伸步 驟。因而，本發明之延伸裝置使用在聚醯亞胺膜之_延伸時， 上述延伸裝置説明中之「膜F」係意指「自支持性膜」。 本發明中，可利用熱醯亞胺化、化學醯亞胺化、或併用熱醯 亞胺化與化學醯亞胺化之方法製造聚酿亞胺膜。 以下詳細說明第1步驟及第2步驟。 ^第1步驟> 第1步驟中，用於形成自支持性膜之聚醯亞胺前驅體，可使 用由公知之酸成分與二胺成分獲得之聚醯胺酸等公知之聚醯亞 前驅體。 本發明中，最終製造之聚醯亞胺層可由1層構成，也可由不 同成分的多層構成。構成聚醯亞胺膜之層當中，至少有1層為以 耐熱性聚醯亞胺構成之層較佳。多層構造，例如：在以耐&彳生聚 酿亞胺構成之層單面或兩面形成有以熱壓接性聚醯亞胺構成之層 之例’以表面平滑性優異之層且另一面為易滑性優異之層形成之 例’至少1層為以透明性或非透明性優異之層形成之例等。 對應於最終製造之聚醯亞胺膜’自支持性膜也可由i層構成， 也可由聚醯亞胺前驅體之成分不同的多層構成。 耐熱性聚醯亞胺，可使用由酸成分與二胺成分獲得之聚酿亞 胺等： (1)酸成分：含有選自3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、苯均四酸二 酐及氫醌二苯曱酸S旨-3,3，，4,4，-四羧酸二酐當中的至少][種^ 15 201202006 分之酉I成分，較佳為含有此等酸成分至少7 以 為80莫耳％以上、更佳為9〇莫耳％以上之酸成分，又更佳 一(^二胺成分:含有選自對苯二胺、4,4，_二胺基二苯越、3 4，- γΓ二Z本驗：間聯甲苯胺及4,4、二胺基苯甲醯苯胺當中的至少 種成^之-胺，較佳為含有此等二胺成分至少％ H莫耳％以上，更佳為9G莫耳％以上的二胺成分。 者構成耐‘，、、性聚醯亞胺之酸成分與二胺成分之組合’例如以下 1) 含有3,3’，4,4’-聯苯四羧酸二軒(s_BpDA)與對苯二胺肿 及視需要含有4,4-二胺基二苯醚(DAJDE)之組合。此情形， PPD/DADE(莫耳比)為loo/ο〜85/15較佳。 2) s有3,3，4,4’-聯苯四致酸二酐及苯均四酸二酐，盥 對苯二胺，及視需要含有4,4_二胺基二苯喊之組合。此情形？ BPDA/PMDA 為 Ο/loo〜90/10 較佳。併用 ppD 與 da〇e PPD/DADE 例如 90/10〜10/90 較佳。 3) 苯均四酸二酐與對苯二胺及4,4_二胺基二苯醚之組合。此情 形 ’ DADE/PPD 以 90/10〜10/90 較佳。 4)以3,3’，4,4’-聯苯四羧酸二酐與對苯二胺當做主成分(合計 100莫耳％中之50莫耳％以上)而獲得者。 ° 上述1)〜4)中’也可將4,4-二胺基二苯醚(dade)的一部分或全 °!5 ’視目的而取代為3,4’-二胺基二苯趟，或以下所示之其他二胺。 此等者，可當做印刷線路板、可撓印刷電路基板、tab貼帶 等電子零件之材料使用，跨廣溫度範圍具有優異的機械特性 '，且 有長期耐熱性，耐藥品性及耐水解性優異，熱分解開始产高， 加熱收縮率與線膨脹係數小，難燃性優異，故為較佳。又 可獲得耐熱性聚醯亞胺之酸成分，在上述所示酸成分以外， 於不損及目的特性之範圍，也可使用2,3,3，，4，-聯苯四羧酸二酐、 3,3’，4,4’-二苯基酮四羧酸二酐、雙(3,4_二羧基苯基)醚二針、雙(3,4_ 1羧基苯基)硫醚二酐、雙(3,4-二羧基苯基)砜二酐、雙(3,4_二羧基 本基)甲烧一軒、2,2_雙(3,4_二缓基苯基)丙烧二針、2,2_雙(3,4_二缓 201202006 基苯基)-1，1，1，3,3,3_六氟丙烷二酐、2,2_雙[(3,4_二羧基苯氧基)苯基] 丙烧二酐等酸二酐成分。 可獲，耐熱性聚醯亞胺之二胺成分，在上述所示二胺成分以 外’於不損及目的特性之範圍，也可使用間苯二胺、2,4_甲苯二胺、 3,3 -一胺基二苯基硫醚、3,4’_二胺基二苯基硫醚、4,4，_二胺基二苯 基，醚、3,3’-二胺基二苯基碗、3,4，_二胺基二苯基颯、4,4，-二胺基 一笨基颯、3,3’-二胺基二苯基酮、4,4’-二胺基二苯基酮、3,4，_二胺 基二苯基2、3,3’-二胺基二苯基甲烧、4,4，_二胺基二苯基甲^、3,4，_ 二胺基二苯基甲烷、2,2-二(3-胺基苯基)丙烷、2,2-二(4-胺基苯基) 丙烧^，3-雙(4_胺基苯氧基)苯、丨，4_雙(4·胺基苯氧基)苯、以雙斤 胺基苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺基苯氧基)苯等雙(胺基苯氧基)苯類、 2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4，_雙(4_胺基苯氧基聯苯等 二胺成分。 另一方面，熱壓接性聚醯亞胺可使用由酸成分與二胺成分獲 得之聚醯亞胺等： (1)酸成分·含有選自3,3’，4,4’-聯苯四缓酸二酐、2,3,3，，4，-聯 苯四羧酸二酐、苯均四酸二酐、3,3，，4,4，_二苯基酮四羧酸二酐、雙 (3,4-二羧基苯基)醚二酐、雙(3,4_二羧基苯基)硫醚二酐、雙(3,4-二 羧费苯基)颯二酐、雙(3,4_二羧基苯基)甲烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧 f苯基)丙烷二酐及1，4-氫醌二苯甲酸酯_3,3，，4,4，_四羧酸二酐等酸 二酐當中至少1種成分之酸成分，較佳為含有此等酸成分至少7〇 莫耳％以上，又更佳為80莫耳％以上，更佳為9〇莫耳％以上之酸 成分； ^⑵二胺成分：含有選自u_雙…胺基苯氧基)苯、u雙(3_胺 基苯氧基)苯、1，4-雙(4-胺基苯氧基)苯、3,3，_二胺基二苯基酮、4,4,_ 胺基笨氧基)聯苯、4,4’_雙⑷胺基苯氧基)聯苯、雙[4_(3_胺基 苯氧基)苯基]酮、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]酮、雙[4_(3_胺基苯氧 基)苯基]硫醚、雙[4_(4_胺基苯氧基)苯基]硫醚、雙胺基苯氧 基)苯基W、雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]砜、雙卜斤胺基苯氧苯 基]醚、雙[4_(4_胺基苯氧基)苯基胸、2,2_雙[4_(;3_胺基苯氧基)苯基] 17 201202006 ，烧、2,2-雙[4_(4·胺基苯氧基)苯基]丙烧等二胺當中的至 分之二胺，難為含有轉二胺齡至少7 2 為8〇莫耳:/〇以上，更佳為9〇莫耳％以上之二胺成分。又更佳 可獲知熱壓紐聚酿亞胺之酸成分與二胺成分之組合，舉一 例’例如..可使㈣以-p酸成分與二胺成分獲得之聚醯亞胺等： (1)酸成分.含有選自3,3，，4,4’_聯苯四羧酸二酐及2,3,3，，4，_聯苯四 致酸-酐之酸二酐當中至少丨種成分之_分，較佳為含有此 ，成分至少70莫耳％以上，又更佳為8〇莫耳％以上，更佳為9〇 莫耳％以上之酸成分； (ϋ成分：含有選自U部_胺基苯氧基)苯、以雙(I胺基苯 氧基)本4,4’-雙(3-胺基笨氧基)聯苯、雙[4_(3_胺基苯氧基)苯基 砜、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]趟、以雙[4_(3_胺基苯氧基)苯基 丙^ ^2,2-雙[4·(4_胺基苯氧基)苯基]丙烧等二胺當中至少1種成分 之二胺，較佳為含有此等二胺成分至少7〇莫耳％以上，叉更佳 80莫耳％以上’更佳為9Q莫耳％以上之二胺。 了獲付熱壓接性聚醯亞胺之二胺成分，除了上述所示二胺成 ^以外，在不損及本發明之特性的範圍，也可使用對苯二胺、間 苯二胺、2,4-甲苯二胺、3,4’·二胺基二苯謎、3,3’-二胺基二苯基硫 醚、3,4’_二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3，_二胺基 二苯基颯、3,4，-二胺基二苯基;6風、4,4，-二胺基二苯基颯、’ 3,3，_二$ 基二苯基酮、4,4，-二胺基二苯基酮、3,4，_二胺基二苯基酮、3,3，_ 一版基一苯基甲烧、4,4’-二胺基二苯基甲烧、3,4’_二胺基二苯基曱 燒、2,2-二(3_胺基苯基)丙烧、2,2_二(4_胺基苯基)丙烷等二胺成分。 5^酿亞胺如驅體之合成’可利用公知方法進行，例如可藉由 於有機溶劑中將大致等莫耳的芳香族四羧酸二酐等酸成分與二胺 成分進行無規聚合或喪段聚合而達成。又，也可預先合成其中之 一的成分過量的2種以上的聚醯亞胺前驅體，將各聚醯亞胺前驅 體溶液合併在一起後於反應條件下混合。如此獲得之聚醯亞胺前 驅體溶液，可以原狀態或視需要將去除溶劑或加入溶劑，而使用 在自支持性膜之製造。

S 18 •201202006 之聚醯亞胺，可將聚醯亞胺前驅體溶液加熱 主150〜250C，或添加酸亞胺化劑並於l5〇<t以下、尤直15〜就 反應而醯亞胺環化後將溶織發，或者，使析出於不良 液之後，將該粉末溶於有機溶劑，可獲得聚酿亞 聚醯亞胺前驅體溶液之有機溶劑，例如：N•甲基·比嘻細、 二基甲_、ν，ν_二曱基乙醯胺、取-二乙基乙_等。 此等有機溶劑可以單獨使用，也可併用2種以上。 ，酿亞胺前驅體溶液中，視需要也可加讀亞胺化觸媒、有 機3磷化合物、無機微粒或有機微粒等微粒等。 酿^胺化觸媒，例如··取代或非取代之含氮雜環化合物、該 二氮雜桃合物之Ν•氧化物化合*、取代或非取代之胺基酸化合 含雜之芳魏烴化合物鮮香_環狀化合物，尤其宜使 用1，2-二曱基咖坐、Ν_甲基味唾、N_m_2-甲基咪〇坐、2_甲基咮 ，、2-乙基_4_甲基咪4、5_曱基苯并咪轉低級絲咪嗤、料 广-2-曱基咪唑等苯并咪唑、異喹啉、3,5_二甲基吡啶、3,4_二甲基 心，2’5-一甲基°比°定、2’4_二曱基0比σ定、4-正丙基°比°定等取代0比 、。醯亞^化觸媒之使用量，相對於聚醯胺酸之醯胺酸單位， 量:尤其〇.02〜1倍當量左右較佳。藉由使用醯亞胺 ^觸媒，獲狀親亞麵之物性，尤其伸長性或撕裂強度有時 會提高。 又，企圖進行化學醯亞胺化時，通常會使聚醯亞胺前驅體溶 1中含有脱水閉環劑與有機胺組合成的化學醯亞胺化劑。脱水閉 ，劑，例如.二環己基羰二醯亞胺、及乙酸酐、丙酸酐、戊酸酐、 苯甲酸酐、三氟乙酸二酐等酸酐’有機胺例如：曱基吡啶、喹啉、 異喹啉、吡啶等，但不特別限於此等。 聚醯亞胺前驅體溶液，只要是能澆鑄於支持體上，能將自支 巧性膜從支持體剝離，之後於第2步驟能於至少一方向延伸之可 形成自支持性膜者即可，可適當設定聚合物種類、聚合度、濃度 等、於溶液視需要摻合之各種添加劑種類、濃度等、聚醯亞胺前 19 201202006 驅體溶液之黏度等。 ^醯亞胺前驅體溶液中之聚 5〜30質量％，更佳為10〜25質量％ 較佳為 模之吐一(飾)以單層或多 =二完ir進展之溫度且能將二=: 歸:體I:層容之；酿亞 層之自支持性i 面並且以淹鑄爐加熱，而製造多 料等持财使収知洲，但絲宜由不銹鋼材 面，2、聚對苯二_乙二醇酯的帶狀物等。支 也，面形持體之表面可為平滑 士入内!ί的加熱溫度，只要是聚酿亞胺前驅體之醯亞胺化 了的溫度且絲將錢_—部分或 = 蝴峰姆學酿亞 能赤!支ϊ性膜ί系半硬化狀態或其以前之乾燥狀態。該半硬化狀 狀處於利用加熱及/或化學酿亞胺化成為自 率從支持體剝離者即可，溶劑含有 201202006 又 膜的單，從支持體獅後，可再視需要在自支持性 或兩©錄、吹送、浸潰_(例如可 理劑’例如：械偶聯劑、观偶聯劑、紹系偶聯劑、 2ϊί _S旨系偶聯劑、鐵偶聯劑、銅偶聯劑等各種偶聯 M J我耸兮' 劑寺。 膜之賴含量舰亞胺鱗，可視欲製造之聚酿亞 膜適备设定。在此，溶劑含量係指前驅體溶液中除了溶劑以外， 二生成水分之可揮發成分的含量。例如，由就四羧酸成分而古含 ^^’卞’-聯苯四驗二辭⑼莫耳灿上及就二胺成分而言“ =_胺80莫耳％以上之聚醯亞胺前驅體製造聚酿亞胺膜時，較 ^為利用熱醯亞胺化製造聚醯亞胺膜時，醯亞胺化率為丨〜⑽％, =為5〜40〇/〇，溶劑含有率較佳為1〇〜6〇質量％，.更佳為25〜45 質置％。 妁如田就四竣&成分而言含有苯均四酸二酐8〇莫耳 j含有對苯二胺8G莫耳％以上之聚醯亞胺前驅體製造聚酿亞用 膜時，較佳為利用熱醯亞胺化製造聚醯亞胺膜時，醯亞胺化率^ 50〜100%，較佳為7〇〜1〇〇%，聚醯亞胺前驅體之溶劑含有率較名 為10〜80質量％ ’更佳為2〇〜7〇質量％。 第1步驟製造之自支持性膜，可視需要進行表面處理劑塗相 等後，送到第2步驟。 <第2步驟〉 第2步驟中，係將於第丨步驟製造之自支持性膜進行加熱處 ，(延伸及熱硬化)而成為具有所望物性之聚酿亞胺膜。本發明中， 當自支持性膜往MD方向延伸時，係使用前述延伸裝置。自支持 性膜往MD方向之延伸，由於係將自支持性膜之TD方向兩端部 =用如前述以傾斜配置的具有多數上推壓輥及下推壓輥的膜推壓 單元一面夾持一面進行延伸，因此能良好地抑制寬度縮窄發生。 往MD方向延伸後’宜將自支持性膜利用拉幅裝置沿TD方 21 201202006 f知方法由於往_柏之延伸會造成發生寬度縮窄， if it，4加上由於寬度縮窄而縮小之寬度量多餘的延 ^，此有％會發生_裂，而歸概伸裝置施加的機械性負 ΐ ί此由於往娜方向之延伸係使用前述延伸裝 ϊ ίΐΐ 抑制，故往td方向之延伸率不需如以往之增 幅減少膜斷裂，能將臈以所望延伸率沿TD方向 之伸了獲付具有所望線膨脹係數之聚醯亞胺膜。 送，既u度的加麵巾以狀速度移動而輸 得聚醯ii膜 祕理錢行醯細b(_化），最終獲 握持ί ==往TD方向之延伸可使用拉幅裝置。拉幅裝置具有 = 方向兩端部的1對拉幅鏈，藉由使該拉幅3 沿TD方南二*^移動的期間變化使擴大’能將自支持性膜 二因此時^可使用拉幅展置輸送自支持性 方向之延伸及連續或同時進行自支持性膜往^ A 之熱硬化，宜以最高溫度為200〜_。〇之範圍，較佳 使得最終獲得之性膜充分姐溶劑等， 發物的含量成為及構成的揮 物之醯亞胺化。 门時充刀進仃構成則述膜之聚合 的數=ii具為較佳，且也可區分為加熱溫度不同 ㈣分ί第!次:二卿 0.5〜30分鐘第-次加孰^八^於170〜220C的溫度進行約 0.5〜30分鐘第;處理’之後於220〜働。⑽高溫進行約 四次高溫加熱g。^=需，以400〜600°C的高溫進行第 .加熱處理，Πΐ/；；列中，例如於80〜2赋進行第一次 现〜·c進行間加熱溫度進行加熱處理，再於 22 201202006 加埶處使用熱風爐、紅外線加熱爐等公知的各種 【'，、加熱狐度卓加熱處理，宜於氮氣、氬氣等 又 等加熱氣體氛圍下進行。 狐續或空虱 製造方法係將聚酸亞胺膜製造成長尺狀，故-r ^將利用拉幅裝置固持在TD方向的自支持性膜的兩端 ^ 卜的部分，捲繞成輥狀保存，以提供其次之加工。 承 ^亞麵之厚度，只㈣當選擇即可，無特殊限定，但 ，為150卿以下，較佳為5〜12()叫，更佳為8〜 6〜50μηι、，又更佳為7〜4〇μιη，尤佳為8〜35μιη。 為 以上制’《亞胺膜之製造步驟#中，在將自支持 予以醯亞胺化及/或熱處理等之第2步驟中，係使用如圖工示 ^延伸裝置。歧伸裝置喊能紐抑概度_，故可盆 =行之往Π)方向延伸時的膜斷裂。其結果，能以所望延^率^ 方向延伸’能以良好解製造具有所望線膨脹係數 寸奴性優異的聚醯亞贿。例如，可將聚醯亞胺膜之線 於廳方向、TD方向均控制在5〜15_。⑽ί圍 L貫施例] (實施例1) 實施例1中’係求取以各種條件將聚醯亞胺膜(自支持性 沿MD方向延伸時的寬度縮窄率。. 、） (實施例1-1) ⑽吏用Ν，Ν_二甲基乙醯胺’使當做二胺成分之對苯二胺 )，與虽做酸成分之3,3’，4,4’-聯苯四羧酸二酐(s_BpDA)聚合反 應’獲侍》舰溶液(聚醯亞胺前驅齡液）。將獲狀聚醒胺酸 溶液流延在支龍上並加熱，賴得部純亞胺化之自支持性膜。 其次，使用如圖1所示構成之延伸裝置j，將製膜為寬度 270mm的«亞胺膜（自支持性膜)沿廳方向延伸，並測定 縮窄率。使狀鱗裝置1，細雜料*各贼1()支上推壓 輕43及下推壓報46。上推壓輥43及下推壓輥46，其轉動軸的傾 23 201202006 斜角度為25。、直徑為20mm、長度為50mm。又，相鄰辕之軸間 ，距為22mm。上推壓輥43及下推馳46的材質為不鎮鋼製 (US304) ’藉由對於表面施以珠擊(sh〇tblast)處理，使表面粗糖度 成為2〜3μιη。於頂板42連接有空氣缸筒(直徑63min),對於g 氣缸筒導入壓力0.06MPa的空氣，而以上推壓輥们盥下推壓^ 46握持自支持性膜(聚醯亞胺膜）。又，加熱爐3〇其加&方式係^ 用熱風。並將加熱爐30内設定為溫度12〇aC、熱風之平均 〇.7m/s。加熱爐30對於自支持性膜的加熱時間定為' 15秒。又，加 熱爐30採以下構成：具有能將膜整個寬度加熱的寬度，而且 部分上推壓輥43及下推壓輥46均等地從入口側開口部及 開口部往加熱爐30的外部突出而握持自支持性膜。 延伸率，係以延伸前之膜於MD方向的長度為Lb、延伸 長度為La時，測定個別的長度Lb、La，並以下列計算式求取： 延伸倍率(%) VL b ) 寬度縮窄率，係以延伸前之膜之寬度為m、延伸後 時，測定個別的寬度Wb、Wa，並以下列計算式求取： & 寬度内縮率

Wa Wb —1 χΐ 〇 〇 (%) 延伸的結果，延伸率為9.17%、寬度縮窄率為0 74%。 (實施例1-2) 使下推壓輥46不經由彈簣47而支持、及加熱爐3〇之加熱 ς知用紅外線照射’除此以外使用與實補Η囉構成的' 置將自支持性膜(聚醯亞胺膜)延伸，並與實施例同樣 ^ ，延伸率及寬度縮窄率。延伸之結果， 楚 率為2.24%。 見沒細乍 24 ' 201202006 (比較例1-1) _使^ ΐ 壓單元4G之延伸裝置，其他條件與實施例1-2 持性膜(聚醯亞胺膜)延伸’並與實施例^同樣進行 縮窄率為寬度縮窄率。延伸之結果，延伸率為9.24%、寬度 伸率實3二、及比較例W之主要延伸條件、及求得之延 呷手、見度細窄率，如表丨所示。 [表1]

' J ------| jiu-yp 綠 一 9 24 $ n 狀態起咖之td咖端部的 以熱風加熱膜，能使寬度神率更域低。 雜及 (實施例2) 中’係檢查絲邮顧(自支持性膜)延伸時的裝置 的汉疋延伸率，與對於自支持性觀伸後實紗硬化 = 際延伸率’與熱線膨脹係數的關係。… 妒置TMA/stint吏lSeik〇㈤輸恤(股)公司製熱機械性分析 ==侧，咖2Gt/分嫩姐時㈣删的ί (實施例2·1) 用者使職在實施例使 iit 賊(雜亞胺 3 MD方向延伸之_性 $ · ‘ ^人’將= 方向延伸’獲得逐次雙軸延伸膜。此時寬丄的=定; 25 201202006 12%。延伸溫度及時間定為140〜170°〇143秒。 之後，於相同的拉幅裝置連讀實施熱硬化。熱硬化係於加熱 爐内進行280秒加熱，使最終的加熱溫度成為480¾。 ' ' 測定獲得之聚醯亞胺膜之線膨脹係數，結果關於MD為 6.11ppm/°C、關於TD為4.80ppm/°C。又，與實施例1同樣進行^ 求取之實際延伸率’關於MD為11.8%、關於TD為15.4%、寬度 縮窄率為0.18%。 、又 (比較例2-1) 使用不具備膜推壓單元40的延伸裝置，其他條件與實施例2-1 同樣，將自支持性膜(聚醯亞胺膜)沿MD方向及TD方向延伸，獲 得逐次雙軸延伸膜。個別的延伸率設定為12%。測定獲得之雙車: 延伸膜之線膨服係數’結果關於MD為4.33卯111/。〇、關於td為 11.22ppm/°C。又，實延伸率，關於MD方向為U.9%、關於TD 方向為8.0%、寬度縮窄率為6.93%。 、 實施例2-1及比較例2-1之主要延伸條件及熱線膨脹係數等 定結果如表2所示。 實施 比較 例2-1 一_ 條件 膜推 壓單 元 輥支 持彈 簧 加熱 方式 空氣 壓力 (Mpa) 裝置設定延伸 率(％) MD TD 有 有 熱風 0.06 12.0 12.0 無 無 熱風 _ 12.0 12.0 實際延伸率 (°/〇) MD 11.8 11.9 結果 寬度縮 窄率

TD 15.4 8.0 線膨脹係數 (ppm/°C)

TD 0.18 6.93 6.11 4.80 4.33 11.22 推厭二二二a Y，於腸延伸時，幾乎未因為膜 而發生寬度神。由於幾乎未發生寬度鮮，能確實進 ^的TD延伸，並且因而TD方向的線膨脹係數也降低。 時旅t方面’比較例W由於未使用膜推壓單元，在漏延伸

Sim °’儘管與實施例2-1設定相同的TD方向 果，伸率，貫際延伸率小了寬度縮窄發生的分量。其結 向的I罢ϋ的線膨服係數增大。欲降低該値，必需更加大TD方 、裴置s又疋延伸率，會對於拉幅裝置造成負擔。

S 26 201202006 (實施例3) $施例3係製造自支持性膜的延伸率不同的多種聚酿亞胺 並針對獲得之聚醯亞胺膜測定方向及TD方向的線膨服 巧數。延伸，係於MD方向及TD方向實施、或僅於趣方 鉍’往MD方向之延伸係使用如圖丨等所示之具有上推壓輥犯及 46之延伸教置。線膨脹係數，使用Sdk〇 Instmm 么司製熱機械性分析裝置TMA/SS6100，測定以2(rc/分的 溫時的50〜200¾的平均線膨脹係數。 又 又為了與上述獲传之聚酿亞胺膜比較，比較例使用不且古 膜推壓單7〇之習知延伸裝置，除此以外與±述同樣製造延伸^ ，的多種》亞麵，並針對獲得之雜亞顧，與上述同樣進 行，而測定MD方向及TD方向之線膨脹係數。 獲得之聚醯亞胺膜之延伸率及線膨脹係數如表3所示。.又， ί二I之「「延伸率」錢伸裝置之設定延解。又，膜推壓單元 之櫊中，〇」係指使用具備膜推壓單元之延伸裝置進行應延

一由表3可知，關於MD延伸，於 ^ ’「X」係指使用不具備膜推壓單元之延伸裝置進行_延 [表 3] τ f之延伸裝置賴伸成賴比起以不具備_壓單元 ίΪ伸ί的Ϊ於卿_系數較小。TD的線膨脹係數的“ 效果，顯示與MD延伸大致相同的傾向，延伸率愈高 列 27 201202006 ，，於貫施例3·1與比較例之間，於TD私線膨脹係數的減低 效果約20%，MD延伸率加高的實施例3_3與比較例3_3之間，於 TD的線賴係數的低減效果成為約篇。又，於未實施ro延 J實施，3-2與比較例3_2之間，兩者於TD的線膨脹係數大致相 同’但疋於TD延伸率加高的實施例Μ與比較例μ之間，於 f的：„減低效果也達到约7〇%。又，藉由提高減低效 ί 起未延伸的比較例3·6，線膨脹係數可從約 15ppm/C 減低到約 5ρρηι/°(3。 比起沒有膜推壓單元的情形，有膜推壓單元的 3膨在更低範圍。具體而言，能將線膨脹係數在‘ 方向、TD方向均控制於5〜15ppm/〇c的範圍。 【圖式簡單說明】 示本個之-實施雜之延伸裝置之概略側面圖。 配置Ξ略ΪΓ從圖1所示延伸裝置的上方觀察時，膜推壓單元的 圖3顯示多數上推壓輥之較佳配置圖。 圖 圖4顯示推驗之安裝位置偏離時，難壓單元的示意侧面 圖5顯示上推壓輥之配置之其他例的示意圖 圖6顯示逐次雙軸延伸膜之製造流程之一例 【主要元件符號說明】 1 10 20 30 31 32 40 延伸裳置 抽出輥 捲取輥 加熱爐 入口側開口部 出口侧開口部 膜推壓單元.

S 28 201202006 41 42 43、43a〜43i 43x 45 線性致動器 頂板 上推壓輥 轉動轴 底板 45a 次板 46、46a〜46i下推壓輥 47 彈簧

Claims (1)

1. 201202006 七、申請專利範圍：. 1.一種延伸裝置，其特徵為：. 具有： ' 送出機構，係用於將膜送出； 機構她概該送出 之寬2度=壓向单兩=在該送出機構與該承接機構之間配置於膜 該膜推壓單元，具有： 多數上推贿，係核續徑上^ 向隔著間㉟麟喊； 送(MD)方 多推麵，係在叙觀_下方壯推難相對向配 置以與該多數上推壓輥協同作用而將膜從上下夾持； _ 物令，上鍵輥及該1雜哺絲她之MD方向下游側 ^膜之TD方向外側傾斜，而以轉動自如方式支持著該等推壓輕。 狀延料置，射更故支_多數上 =觀之頂板’及與該頂板相對向配置而支持該多數下推壓輕之 甩板。 3士如申請專利範圍第2項之延伸裝置，其中該頂板及該底板至少其 中之一係以可在上下方向移動方式受支持著。 、 4.如申請專利麵第2或3項之延較置，其中，該多數上推 及該多數下推壓輥至少其中之-，係藉由多數彈性構件而分別^ 可上下彈性可上下彈性位移方式受支持著。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之延伸裝置，其中該送出 構與該承接機構之間，更具有加熱輸送中之膜的加熱爐，且該犋 推壓單元的至少一部分係配置於該加熱爐的内部。’孤 ^ 201202006 範圍第5項之延伸農置，其中該加熱爐具有膜用的入 口。p及出口侧開口部，且經由該入口侧開口部及該出口側 該多數上推壓躺—部分及該多數下祕輥的一部分係 配置在該加熱爐外部。 7nt t請專利範圍第5或6項之延伸裝置，其巾該加熱爐係利用熱 風加熱該膜。 L如申睛專概圍第1至7項巾任-項之延伸裝置，其中該上推壓 親及下推壓輥其周面係施有粗糙面處理。 一項之延伸裝置，其中該送出機 9.如申請專利範圍第1至8項中任 構與該承接機構均為輥。 申請專利細第9項之延躲置，射魏出機構及該承接 機構至少其中之一為抽吸輥。 η·—種聚醯亞胺膜之製造方法， 具有： 、、第1步驟，係將聚醯亞胺前驅體之溶劑溶液澆轉於支持體上， 成為自支持性膜，及 、 第2步驟，一面輸送該自支持性膜一面進行加埶處理； 且該第2步驟包含利用延伸裝置將該自支持性膜沿廳 延伸； 其特徵為： 該延伸裝置為如申請專利範圍第i至10項中任— 置，並以該自支持性膜為膜造行延伸。 ^ 12.如申請專利範圍第u項之聚醯亞胺膜之製造方法，其中該第2 31 201202006 步驟包含在使用該延伸裝置沿MD方向延伸後，將該自支持性膜 沿TD方向延伸。. 八、圖式： S