TW201028800A - System and method for treating substrate - Google Patents

Description

201028800 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理系統與方法，且更特定而 • 言，係關於一種用於對晶圓執行一光刻製程 • (photol i thography process)之系統及方法。 【先前技術】 參 為製造半導體元件，需執行諸如清潔製程、沉積製程 光刻製程、餘刻製程、離子佈植製程等各種製程。在半等 體元件之高度整合中，用於形成圖案之照相製名 (photography process )起著重要作用。 大體上，一用於執行該光刻製程（ph〇t〇lith〇graph】 process)之系統包含：一塗佈單元’其用於將光阻劑塗伸 於-晶圓上；-顯像單元，其用於對已經歷—曝光製程之 晶圓執行-顯像製程；及—處理模組，其具有—用於鱼一 備直排連接之介面。近年來，隨著半導體元件^高 X δ，增加了執行曝絲精需之咖。 設備中出現晶_。因此，在—基板處理模=戶 之塗佈及顯料元巾，處理效顿縣劣化。、 - 【發明内容】 刻製=供一種基板處理系統與方法’其可改良 本發明亦提供一種基板處理系統與 於執行塗佈及顯像製 、可提高斥 在-曝域紅率’料製程的 ^發明亦提供-種基板處理系統， 配置處理室以用於執行製程之佈局。〜、有—可有效地 5/66 201028800 ，本發明之目的並不限於上述内容，且熟習此項技術者 可透過以下說明而明瞭本發明之其他目的。 人本發明之具體實施例提供一種基板處理系統，其包 含：-塗佈單元，其用於對基板執行—塗佈製程；—曝光 前後處理單元’其連接至一曝光單元’以用於對已在該塗. 佈單7L中處理之基板執行一曝光製程及執行一曝光前/曝光 後處理製程；及一顯像單元，其用於對已在該曝光前後處 理單70中處理之基板執行一顯像製程。該塗佈單元、該曝 光前後處理單元及該顯像單元之每—者，包含：一裝载口， 於，上設置有-用以收納基板的容器；一分度模組，其自 該容器取出基板或將基板運送至該容器；及一處理模組， 其用於在基板上執行-預定製程。該裝載口、該分度模組， 及該處理模組按順序配置。該曝光前後處理單元更包含： Μ面模組，其連接至該曝光單元，該介面模組設置於該 處理模組之一侧，而該分度模組設置於該處理模组之另一 側。 在具體實施例中，該曝光前後處理單元之處理模組可 包含設置於不同層之苐—模組和第二模組。該第—模組可 © 包含一保護層塗佈室，該保護層塗佈室用於將一保護層塗 :於基板上，·一烘烤室，其用於對基板執行一熱處理二 一第一機器人，其用於在該保護層塗佈室與該烘烤室之間 傳送基板。該第二模組可更包含一清潔室，其用於清潔基 板。此外，該第二模組可包含一曝光後烘烤室，該曝 烘烤室用於對已曝光之基板執行一曝光後烘烤；及一第二 · 機器人，其用於在該清潔室與該曝光後烘烤室之間傳送基 ， 6/66 201028800 在其他具體實施例中，該曝光前後處理單元可更包含 -緩衝模組，魏衝模組設置_分賴組餘處理模組 之間’其中，該緩衝模組包括：_第—緩衝區，其設置於 -對應於該第-模組之高度⑽時儲存基板；及一第二緩 衝區，其設置於-對應於該第二模組之高度且臨時儲存基 板所述第一和第二緩衝區可相互堆疊，且所述第一和第 二緩衝區之每-者可包含複數個切物。此外，該曝光前 後處理單元之該緩衝模組可更包含—緩衝區機器人，該緩 衝區機器人用於在所述第一和第二緩衝區之間傳送基板。 所述第-和第二緩衝區可在-垂直方向上並排配置。該緩 衝模組可設置於一對應於該第一模組之高度且更包含一冷 卻室，該冷卻室用於冷卻基板。 在其他具體實施例中，該介面模組可包含一第一緩衝 區，其設置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基 板，一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度 且臨時儲存基板；及一介面機器人，以用於在該曝光單元 與該第二緩衝區之間以及在該第二緩衝區與該曝光單元之 間傳送基板。 在其他具體實施例中，該塗佈單元可更包含一邊緣曝 光模組，其中該邊緣曝光模組可設置於該處理模組之一 側’而該分度模組可設置於該處理模組之另一侧。 在本發明之其他具體實施例中，一種曝光前後處理單 元，其用在一曝光製程之前及之後對一於其上塗佈光阻劑 之基板執行所需製程，該曝光前後處理單元包含：一震載 口’其上設置有一用於收納基板之容器；一分度模組，其 自該容器取出基板，或將基板運送至該容器；一處理模組， 7/66 201028800 其用於對該基板執行-製程；及—介面·，其連接至一 曝光單元。該裝載口、該分度模組、該處理模組及該介面 模組按順序配置在-第-方向上，且該處理模組包含一保 護層塗佈室，該保護層塗佈室用於將一保護層塗佈於基板 之上。該處理模組可更包含一清潔室，該清潔室用於清潔 基板。該處理模組可更包含一熱處理基板之烘烤室。該處 理模組可更包含-曝光後_室，該曝光後㈣室用於對 已曝光之基板執行一曝光後烘烤製程。 在具體實施例中，該處理模組可包含設置於不同層之 第-模組和第二模組，其中該保護層塗佈室可設置於該帛❿ -模組中，而該清潔室可設置於該第二模組中。該處理模 組可更包含-烘烤室’該烘烤室設置於該第一模组中並用 於熱處理基機器人，其設置於該第—模組中， 並用於在該保護層塗佈室與該供烤室之間傳送基板；一曝 光後烘烤室，其設置於該第二模組中且用於對已曝光之基 板執行-曝光後烘烤製程；及一第二機器人，其設置於該 第二模組中’且用於在該清潔室與該曝光後棋烤室之 送基板。 0 /其他频實關中，該曝光前後纽單元可更包含 一緩衝模組’該緩衝模組設置於該分度模組與該處理模組 之間’其中該_模組可包含—第—緩衝區，其設置於一 對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；及二第二緩衝 區’其設置於-對應於該第二模組之高度且臨時儲存基 板。所述第-和第二緩衝區可相互堆疊，且所述第—和帛 二緩衝區之每-者可包含複數個支撲物，於所述支樓物上 分別設置所述基板。該緩衝模組可更包含—緩衝區機器 8/66 201028800 人’以用於在所述第一和第二緩衝區之間傳送基板。所述 第-和第二緩衝區可在一垂直方向上並排配置。該緩衝模 組可設置於-對應於該第—模組之高度且更包含一冷卻 室’以用於冷卻基板。 " 纟其他具體實施例巾’該介面模組可包含-第-缓衝 區其°又置於一對應於該第一模組之高度且臨時儲存基 板，-第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度 且臨時儲存基板；及一介面機器人，其用於在該第-緩衝 Φ 賴該曝光單元之間以及在該第二緩衝區及該曝光單元之 間傳送基板。所述第-和第二緩衝區可相互堆疊，且所述 第-和第二緩衝區之每一者可包含複數個支撐物，而所述 基板分別設置於所述支撐物上。 口在本發明之更？其他具體實施例巾，—種曝光前後處 理單元，其用在-曝光製程之前及之後對一於其上塗佈光 阻劑之基板執行所需製程，該曝光前後處理單元包含··一 裝載:’於該裝載口之上設置一用於收納基板的容器；一 春 分度模組，其自該容器取出基板，或將基板運送至該容器； 一處理模組，其對基板執行一製程；一緩衝模組，其設置 於該分度模組與該處理模組之間；及一介面模組，其連接 至一曝光單兀。該裝載口、該分度模組、該緩衝模組、該 處理模組及該介面模組按順序配置在一第一方向上，而該 處理模組包含設置於不同層之第一和第二模組。該第一^ 組包含：一保護層塗佈室，其用於將一保護層塗佈於基板 上，一烘烤室，其用於熱處理基板；及一回流室，其具有 ‘ 一第一機器人，其用於在該保護層塗佈室、該烘烤室該 緩衝模組及該介面模組之間傳送基板。該第二模組包含： 9/66 201028800 一清潔室，其用於清潔基板；一曝光後烘烤室，其用於對 基板執行一曝光後烘烤製程；及一回流室，其配備一第二 機器人，以用於在該清潔室、該曝光後烘烤室、該 & 組及該介面模組之間傳送晶圓。 在其他具體實施例中，該保護層塗佈室、配備該第一 機器人之該回流室、及該烘烤室可按順序配置於一第二方 向上，且該清潔室、配備該第二機器人之該回流室及該 光後烘烤室可按順序配置於該第二方向上。

在其他具體實施例中，該第-模組可佈置於該第二模 組之上。該緩衝模组可包含：一第一緩衝區，其設置於一 H 對應於該第一模組之高度且臨時儲存基板；及一冷卻室， 其设置於-對應於該第二模組之高度且用於冷卻基板。該 第-緩衝區及該冷卻室可在一垂直方向上並排配置。自上 方檢視時’在該第-方向上’該第一緩衝區可配置成與該 第一模組之回流室成一直線。 在更多其他具體實施例中，該緩衝模組可更包含：一 第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組 儲存基板；及一緩衝區機器人，其在所述第一和^二緩衝 Θ 區之間傳送基板。自上方檢視時’該第一緩衝區及該緩衝 區機器人可配置於一垂直於該第一方向之第二方向上。 在本發明之更多其他具體實施例中，一種基板處理方 法，其包含：在該基板上塗佈光阻劑；在已於其上塗佈光 阻劑之基板上塗佈-保護層；對已於其上塗佈該保護層之 基板執行一液體浸潤微影製程（liquid immersi〇n iith〇graphy . process);清潔已在該液體浸潤微影製程中處理之基板丨及 對該基板執行一顯像製程。該保護層之塗佈及該基板之清 10/66 201028800 /絜在一曝光前後處理單 =執行該液體浸潤微影製程之===，理單元與 光阻劑之塗佈執行於一 早70連接成一直線。該 單元中。該顯像製程之執;亥=前後處理單元分隔之塗佈 單元分隔之塗佈單元中。系實現於一與該曝光前後處理 在具體實施例中，哕

在對基板執行顯像製程在清潔基板之後且 程。該基板之清潔基板執行一曝光後洪烤製 且殘留於基板上之清㈣供應至基板而執行， 無需藉由供應流體來乾燥該基板。”、、 移除，而 且殘潔:藉由將清潔液體供應至基板來執行， 殘留於基板上之清潔液體 ^ 行之曝級㈣製財被歸絲接撼板之4之後執 ’伴该曝光前後處理單元之-外側被移除。 以保護層之ϋ可在該顯像製程中被移除 可在一灰化製程中移除。 儆丨刀 【實施方式】 以下將參考隨附圖式更詳盡描述本發明之較佳具體實 施例。然*，本發明可料同形式具體實施，且不應被視 為限制於本文所闡釋之所述具體實施例。相反，提供此等 具體實施例係以便透徹而完整地揭示本發明，並將向熟習 此項技術者充分傳達本發明之範圍。在所述圖式中，為便 於清晰說明’層及區域之尺寸有所誇大。 例示性具體實施例之系統用於對諸如平面顯示器或半 導體晶圓之基板執行一光刻製程。尤其是，所述例示性具 體實施例之系統用於執行處理基板之製程，諸如一塗佈製 11/66 201028800 程、一顯像製程，及在一液體浸潤微影製程之前及之後所 需要之其他製程。在以下說明中，將舉例說明一其中將一 晶圓用作基板之情況。 第一圖係根據本發明之一例示性具體實施例之一基板 處理系統之概略示意視圖。參照第一圖，一基板處理系統i 包含一塗佈單元3〇〇〇、一曝光前後處理單元4〇〇〇、及一顯 像單元5〇〇〇。該塗佈單元3000與該曝光前後處理單元4000 彼此分離。在該塗佈單元3〇〇〇與該曝光前後處理單元4〇〇〇 之間，藉由一自動傳送單元1000或一工人傳送一晶圓w。 該晶圓W在其收納於一容器（第二圖中之2〇〇〇)中之狀態 下被傳送。在此，該容器2000構造成被密封。舉例而言， 可使用一具有一前門之前開式晶圓傳送盒(F〇up)作為該容 器2000。在以下說明中，將說明一其中該塗佈單元3000、 曝光前後處理單元4000、及顯像單元5000之長度方向彼此 並排配置之情況。然而，該塗佈單元3〇〇〇、曝光前後處理 單元4000、及顯像單元5〇〇〇之所述長度方向可以不彼此並 排配置。 該塗佈單元3000對該晶圓W執行一第一製程。該第 一製程包含：一塗佈製程，以用於在該晶圓上塗佈光阻劑； 及熱處理製程，以用於在該塗佈製程之前或之後加熱及冷 卻該晶圓W。 ^ 7 該顯像單元5000對該晶圓W執行一第二製程。該第 二製程包含：一顯像製程，其使用一顯像液來移除光阻劑 而形成一所需圖案；及熱處理製程，以用於在該顯像製程 之前或之後加熱及冷卻該晶圓W。 3亥曝光則後處理早元4000直排連接至一曝光單元 201028800 9000 ,該曝光前後處理單元4000執行一第三製程。該第三 製程包3執行於該第—製程與該曝光製程之間製程、及 =執行於該曝光製程與該第二製程之間之製程。舉例而 二田所述曝光單元執行一液體浸潤微影製程時，該第三 裝程可包含-製程簡於塗佈—保護層，該保護層在該液 體中曝光微影術過程中㈣塗佈於該㈣w上之光阻劑。

此U第二製程可包含—製程’以用於在該曝光製程之 後清潔晶BJ。此外’當將化學增幅型光阻劑用於該塗 程並將深紫外光(DUV歸該曝光製程時，該第三製程可^ 含一執行於該曝光製程之後的後烘製程。 以下將說明各自單元。 (塗佈單元） 第二圖至第四圖係該塗佈單元3〇〇〇之概略示意視圖。 即’第二圖係該塗佈單元3_自上方檢視時之視圖，第三 圖係H之塗佈單元3_在—方向「A」上檢視時之視 圖，且第四圖係第二圖之塗佈單元3〇〇〇在一方向「B上 檢視時之視圖。 」 參照第二11至第四圖，該塗佈單幻_包含—裝載口 3100、-分度模組32〇〇、—緩衝模組遍、—處理模组遍 及一邊緣曝光模組35〇0。該裝載口 31〇〇、分度模組32〇〇、 緩衝模組33GG、處理.綱、及邊緣曝光馳35〇〇按 順序配置在-條直線上，該直線在—方向上延伸。以下， 該裝载口 3励、分度模組32〇〇、緩衝模組33〇〇、處理模組 遲、及邊轉光勸通崎所在之转將被稱作「第 一方向12」，自上方檢視時垂直於該第一方向之方向將被稱 作「第二方向14」，且垂直所述第一和第二方向12及14之 13/66 201028800 方向將被稱作「第三方向16 該裝載口 3100包含複數個裝戴台312〇，於所 3i20上設置收納所述晶圓W之所述容器麵。所述= 台3120配置在-於該第二方向14上延伸之直線上 二圖中，提供四個裝載台3120。 乐

該分度模組3200在該装載口 31〇〇之裝載台312〇上 容器2000與該緩衝模組3300之間傳送該晶圓w。該分声 模組3200包含-框架3210、-分度機器人及 3230。該框架3210大體上係形成為一空長方體形。該框架 3210設置於該裝載口 3100與該緩衝模組33〇〇之間。該分 度模組3200之框架3210之高度可低於該緩衝模組33〇〇之 一框架3310 (下文將對此進行說明）。該分度機器人322〇 及該導軌3230設置於該框架3210中。該分度機器人322〇 具有一 4軸驅動結構，以便一直接處理該晶圓w之手3221 可在§玄第一、第二及第三方向12、14、16上旋轉及移動。 除该手3221之外，該分度機器人3220還包含一臂3222、 一支撐物3223及一基座3224。該手3221固定安裳於該臂 3222上。該臂3222提供成可擴展、可收縮且可旋轉。該支 樓物3223設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延 伸。該臂3222連接至該支撐物3223，以便可沿該支撐物 3223移動。該支撐物3223固定連接至該基座3224。該導 軌3230係被提供成便於其一長度方向在該第二方向μ上 延伸。該基座3224連接至該導轨3230，以便可沿該導軌 3230直線移動。儘管未顯示於所述圖式中，但是該框架3210 配備一開門器，以用於打開及關閉該容器2000之門。 參照第三圖，該緩衝模組3300包含一框架3310、一第 14/66 201028800 一緩衝區3320、一第二緩衝區3330、一第一冷卻室3340、 一第二冷卻室3350及一緩衝區機器人3360。該框架3310 形成為一空長方體形。該框架3310設置於該分度模組3200 與該處理模組3400之間。該第一緩衝區3320、該第二緩衝 區3330、該第一冷卻室3340、該第二冷卻室3350及該緩 衝區機器人3360設置於該框架3310中。該第二冷卻室 3350、第二緩衝區3330、第一冷卻室334〇及第一緩衝區 3320沿該第三方向16向上順序配置。該第一冷卻室334〇 及該第一缓衝區3320定位於一與該處理模組3400之一第 一模組3401 (下文將對此進行說明）相同之高度。該第二 冷卻室3350及該第二缓衝區3330定位於一與該處理模組 3400之一第二模組3402 (下文將對此進行說明）相:同之高 度。該緩衝區機器人3360被定位成在該第二方向14上與 該第二緩衝區3330、第二冷卻室3350、第一緩衝區3320 及第一冷卻室3340間隔一預定距離。 所述第一和第二緩衝區3320、3330之每一者臨時儲存 複數個所述晶圓W。該第二緩衝區3330包含一外殼3331 及複數個支撐物3332。所述支撐物3332設置於該外殼3331 中，且在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓w設置 於所述支撐物3332之每一者上。該外殼3331配備對應於 該分度機器人3220、緩衝區機器人3360、及第二機器人3482 之開口（未顯示）’以便該分度機器人322〇、該緩衝區機器 人3360、及該第二模組3402之一第二機器人3482 (下文 將對此進行說明）’可將晶圓運送至該支撐物3332或自該 支撐物3332取出晶圓。該第一緩衝區332〇具有一類似於 該第二緩衝區3330之結構。然而，該第一緩衝區332〇之 15/66 201028800 外殼3321配備對應於該緩衝區機器人3360及該第一模組 3401上之一第一機器人3432 (下文將對此進行說明）之開 口。該第一緩衝區3320之所述支撐物3322之數量可與該 第二緩衝區3330之所述支撐物3332之數量相同或不同。 舉例而言，所述支撐物3332之第二緩衝區3330之數量可 大於該第一緩衝區3320之所述支撐物3322之數量。 §亥緩衝區機器人3360在所述第一和第二緩衝區3320 及3330之間傳送該晶圓w。該緩衝區機器人3360包含一 手3361、一臂3362及一支撐物3363。該手3361固定安裝 於a亥煮3362上。§亥臂3362被裝配成能夠擴展及收縮，以 便該手3361可在該第二方向14上移動。該臂3362連接至 該支撲物3363’以便可於該第三方向16上沿該支撐物3363 直線移動。該支樓物3363具有一長度，其自一對應於該第 二緩衝區3330之位置’延伸至一對應於該第一緩衝區332〇 之位置。該支撐物3363可進一步延伸至對應於該第二緩衝 區3330之位置或對應於該第一緩衝區3320之位置上方。 該緩衝區機器人3360可被裝配成具有一 2軸驅動結構，以 便該手3361僅在該第二及第三方向14、16上移動。 所述第一和第二冷卻室3340、3350冷卻該晶圓W。該 第二冷卻室3350具有一外殼3351及一冷卻板3352。該冷 卻板3352具有一於其上設置該晶圓w之頂表面，及一冷 卻該晶圓W之冷卻元件3353。該冷卻元件3353可由各種 元件形成，諸如冷卻水、一熱電模組，諸如此類。此外， 該第二冷卻室3350可配備一提升銷總成（未顯示），其將 該晶圓W定位於該冷卻板3352之上。該外殼3351配備有 對應於該分度機器人3220及該第二機器人3482之開口（未 16/66 201028800 顯示），以便該分度機器人322〇及該第二模組3術之 二機狀遍（下文將觀妨酬）可賴晶圓w運送 至该冷部板3352之上或自該冷卻板加取出該晶圓w。 • 糾，該第二冷卻室咖可配備門（未顯示），以用於打 .· 開及關所述開口。該第—冷卻室3340具有與該第二冷卻 室3350相同之結構。 在該晶SJ W被傳树输後處理單元麵之 前’該處理模組3400執行—所需製程。該處理模組邏 ❹ A體上係形成為一長方體形。該處理模組34〇〇包含一第一 模組3401及-第二模組3402。所述第一和第二模組遍、 3402配置林同層。可提供所述第―和第二模組期、遍 以執行-相同製程。舉例而言，該第—模組遍位於 第二模組3402上方。 、 該第-模組3401包含-光阻劑塗佈室341〇、一洪烤室 3420及一回流室3430。該光阻劑塗佈室341〇、該烘烤室 3420及該回流室3430按順序配置於該第二方向“上。因 • 此’絲阻劑塗佈室3410及該烘烤室342〇於該第二方向 14上彼此間隔開來，而該回流室343〇插於其間。複數個所 述光阻劑塗佈室3410提供在所述第一及第三方向12、16 上。在所述圖式中，例示性地提供六個光阻劑塗佈室341〇。 複，個所触烤室3·提供麵述第—及第三方向12、16 之每者上。在所述圖式中，例示性地提供六個烘烤室 3420。然而，可提供六個或更多烘烤室3420。 . 该回流室3430與該緩衝模組3300之第一緩衝區3320 在該第一方向12上並排定位。該第一機器人3432及該導 執3433设置在該回流室3430中。該回流室3430大體上係 17/66 201028800 形成為一矩形。該第一機器人3432在所述烘烤室3420、所 述光阻劑塗佈室34〇〇、該緩衝模組33〇()之第一緩衝區 3320、該第一冷卻室3340、該邊緣曝光模組3500之一第一 緩衝區3520 (下文將對此進行說明）及該第一冷卻室354〇 之間傳送該晶圓W。該導軌3433具有一在該第一方向12 上延伸之長度方向。該導執3433在該第一方向12上導引 该第一機器人3432之直線運動。該機器人3432具有一手 3434、一臂3453、一支撲物3436及一基座3437。該手3434 固定安I於該臂則該臂3435被裝配成能夠擴展及 收縮，以便該手3434可在水平方向上移動。該支撐物3436 ® 設置成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂 3435連接至該支撐物3436，以便能夠在該第三方向16上 沿該支撐物3436直線移動。該支撐物3436固定連接至該 基座3437且該基座3437連接至該導軌3433，以便能夠^ 該導軌3433移動。 ° 所有光阻劑塗佈室3410均具有一相同結構。然而，用 於各自光_塗佈室則中之光阻劑的細可彼此不同。 舉例而言’可使用化學增幅型光阻劑作為光阻劑。該光阻❹ 劑塗佈室431G在所述晶圓ψ上塗佈光阻劑該光阻劑塗 佈室则包含—外殼則、-支樓板3412及—噴嘴341= »玄外成3411形成為一杯形，其具有一打開之頂端。該支撑 板3412定位於該外殼3411中以支撐該晶圓霤。該支撐板 被裝配成便能夠旋轉。該喷嘴3413將光阻劑供應至琴 支樓板3412上之晶圓w上。該喷嘴3413形成為一圓管形， 以便將光阻劑供應至該晶圓w之中心ό該嘴嘴則可具. 有-對應於該晶圓w直徑之長度，且具有—狹縫型出口: 18/66 201028800 此外，該光阻劑塗佈室341{)可更包含—喷嘴3414，j 供應清潔液艚（^#石丄祕 唷宵34!4,以用於 ^ (堵如去離子水），以用於清潔該晶圓W之 表面，於该表面上將塗佈光阻劑。 、f曰^洪烤室3420熱處理所述晶圓W。舉例而言，在所 =圓W上塗佈光阻劑之前’所絲烤室姻執行一預 Ϊ曰以用於藉由在一預定溫度加熱所述晶圓W而自所 ^曰圓W之表面移除有機物質或潮濕；且在所述晶圓 W上

塗布光阻劑之後，執行一軟烘烤製程。所述烘烤室卿進 步還在各自加熱製私之後執行冷卻製程。該洪烤室342〇 包含一冷卻板3421或-加熱板3422。該冷卻板則配備 一冷卻元件期，諸如冷卻錢熱龍組。該加熱板3422 配備-加熱元件3424，諸如—電熱線或一熱電模組.。該加 熱板3422及該冷卻板3421可在各自供烤室3中提供。 或者’某些供烤室3420可僅配備該加熱板3422，*其他烘 烤室可僅配備該冷卻板3421。 該第二模組3402包含一光阻劑塗佈室346〇、一烘烤室 3470及一回流室3480。該光阻劑塗佈室346〇、該烘烤室 3470及s亥回流室3480具有與該第—模組34〇1之光阻劑塗 佈室3410、該烘烤室3420及該回流室343〇相同之結構及 配置。此外’該回流室3480具有—第二機器人3482，其具 有與該第一模組3401之第一機器人3432相同之結構。該 第二機器人3482被裝配成在該光阻劑塗佈室3460、該烘烤 室3470、該缓衝模組3300之第二緩衝區333〇及第二冷卻 室3350、以及該邊緣曝光模紐· 35〇〇之第二緩衝區3530及 第二冷卻室3550 (下文將對此進行說明）之間傳送該晶圓 W。 19/66 201028800 在上述處理模組3400中，所述第一和第二模組34〇1 及3402彼此分離。此外，自上方檢視時，該第一模組34〇1 具有與該第二模組3402相同之結構及配置。 該邊緣曝光模組3500執行一製程，以用於曝光該晶圓 w之一周邊區域。該邊緣曝光模級3500包含一框架351〇、 一第一緩衝區3520、一第二緩衝區353〇、一第一冷卻室 … 3540、一第二冷卻室3550、一邊緣曝光機器人356〇、—第 一邊緣曝光室3570、及一第二邊緣曝光室358〇 (設置於第 二圖中之第一邊緣曝光室3570之下）。該框架3510形成為 一矩形。該邊緣曝光室3540、第一緩衝區352〇、第一邊緣 © 曝光室3570、第一冷卻室3540、第二緩衝區3530、第二邊 緣曝光室3580及第二冷卻室3550定位於該框架3510内。 該第一緩衝區3520、第二邊緣曝光室357()及第一冷卻室 3540配置在一對應於該第一模組34〇1之高度。該第二緩衝 區3530、第一邊緣曝光室3580及第二冷卻室3550配置在 一對應於該第二模組3402之高度。該第一緩衝區352〇、第 一冷卻至3540、第二緩衝區3530、第二冷卻室3550自上 方沿一在該第三方向16上延伸之直線順序配置。自上方檢 Ο 視時’ 3亥第一緩衝區3520及該第一模組3401之回流室3430 沿-在該第-方向12上延伸之直線配置。該第—邊緣曝光 室3570在該第二方向14上與該第—緩衝區遍及該第一 冷卻室3540間隔-預定距離。該第二邊緣曝光室通在 該第二方向14上與該第二緩衝區353〇及該第二冷卻室 3550間隔一預定距離。該第二邊緣曝光室358〇及該第一邊 緣曝光室357G沿-在該第三額16上延伸之直線配置。 該邊緣曝光機器人3560在該第—緩衝區352〇、該第一 20/66 201028800 邊緣曝光室3570、該第一冷卻室3540、該第二緩衝區3530、 該第一邊緣曝光室3580及該第二冷卻室3550之間傳送該 晶圓W。該邊緣曝光機器人3560定位於該第一邊緣曝光室 3570與該第一緩衝區352〇之間。該邊緣曝光機器人356〇 - 可具有與該緩衝區機器人3360類似之結構。 該第一緩衝區3520、該第一冷卻室3540及該第一邊緣 曝光室3570對已在該第一模組3401中處理之所述晶圓w 執行以下製程。該第一緩衝區3520及第二緩衝區3560具 ❹ 有與該緩衝模組3300之第一緩衝區3320相同之結構。該 第一冷卻室3540冷卻已在該第一模組3401中處理之所述 晶圓W。該第一冷卻室3540具有與該緩衝模組3300之第 一冷卻室3340類似之結構。該第一邊緣曝光室357(r對已 在該第一冷卻室3540中冷卻之所述晶圓W之邊緣執行一 曝光製程。在已在該第一邊緣曝光室3570中處理之所述晶 圓W被傳送至該第一模組3401之前，該第一緩衝區352〇 臨時儲存所述晶圓W。 ❿ 該第二緩衝區3530、第二冷卻室3550及第二邊緣曝光 室3580對已在該第二模組3402中處理之所述晶圓w執行 以下製程。該第二冷卻室3550冷卻已在該第二模組34〇2 中處理之所述晶圓W。該第二冷卻室3550具有與該緩衝模 組3300之第二冷卻室3350類似之結構。該第二邊緣曝光 室3580對已在該第二冷卻室3550中處理所述晶圓w之邊 緣執行一曝光製程。在已在該第二邊緣曝光室3580中處理 之所述晶圓W被傳送至該第二模組3402之前，該第二緩 衝區3530臨時儲存所述晶圓W。 以下將參考第五A圖及第五B圖說明藉由該塗佈單元 21/66 201028800 3000執行之塗佈製程。第五A圖及第五B圖係說明根據一 具體實施例在該塗佈單元3_中對㈣執行之製程之 圖。 ” 收納所述晶圓W之容器2000設置於該裝载口 31〇〇之 裝載台3120上（S112)。該容器2〇〇〇之門藉由該開門器打 開。該分度機器人3220自該容器2000取出該晶圓w並將 該晶圓w運送至該第二緩衝區333〇 (S112)。該晶圓冒被 傳送至所述第一和第二模組34〇1、34〇2之一者。 當選定在該第一模組34〇1中處理該晶圓w時，該緩 衝區機器人3360將儲存於該第二緩衝區333〇中之晶圓w @ 運送至該第一緩衝區3320 (sl2〇)❶該第一機器人3432自該 第一緩衝區3320取出該晶圓W，並將該晶圓w運送至該 烘烤室3420 (S112)。該烘烤室3420順序執行預烘製程及冷 卻製程（S124)。該第一機器人3432自該烘烤室342〇取出 該晶圓w，並將該晶圓w運送至該光阻劑塗佈室341〇 (S126)。該光阻劑塗佈室341〇將光阻劑塗佈於該晶圓w之 上（S128)。下一步，該第一機器人3432將該晶圓w自該 光阻劑塗佈室3410運送至該烘烤室3420 (S130)。該烘烤室 ® 3420對該晶圓w執行軟烘烤製程（S132)。 該第一機器人3432自該烘烤室3420取出該晶圓w， 並將該晶圓W運送至該邊緣曝光模組3500之第一冷卻室 3540 (S134)。該第一冷卻室3540對該晶圓W執行冷卻製 程（S136)。該冷卻製程選擇性地執行於該烘烤室342〇中， 且該晶圓W可自該烘烤室3420直接傳送至該第一緩衝區 3520。已在該第一冷卻室3540中處理之晶圓w，藉由該邊 緣曝光機器人3560傳送至該第一邊緣曝光室3570 (S138)。 22/66 201028800 已在該第一冷卻室3540中處理之晶圓w，可藉由該邊緣曝 光機器人3560運送至該第一緩衝區3520並臨時儲存於該 第一缓衝區3520中，之後該晶圓W可藉由該邊緣曝光|幾 器人3560運送至該第一邊緣曝光室357〇。該第一邊緣曝光 室3570執行一製程以用於曝光該晶圓w之邊緣（si4〇)。 已在該第一邊緣曝光室3570中處理之晶圓w，藉由該邊緣 曝光機器人3560運送至該第一緩衝區3520 (S142)。 该第一機器人3432將該晶圓w自該第一緩衝區352〇 Φ 運送至該烘烤室34%(S144)。該烘烤室342〇執行一製程以 用於加熱該晶圓W(S146)。該第一機器人3432將該晶圓w 自該烘烤室3420運送至該緩衝模組33〇〇之第一冷卻室 3340 (S148)。該第一冷卻室3340執行一製程以用於冷卻該 晶圓W (S150)。該分度機器人322〇將該晶圓w自該第一 冷卻室3340運送至該容器2000 (S152；)。 一當選定在該第二模組3402中處理該晶圓w時，該第 機器人3482自§亥第二緩衝區3330取出該晶圓w，並將 春 ”亥b曰圓W運送至該第二模組3402之烘烤室3470 (S160)。 °亥烘烤室3470順序執行預烘製程及冷卻製程(S162)。該第 二機器人3482自該烘烤室3470取出該晶圓w，並將該晶 ，臂運送至該光阻劑塗佈室3460 (S164)。在該光阻劑塗佈 ，3460中，光阻劑被塗佈在該晶圓|上(8166)。下一步， 忒第一機器人3482將該晶圓w自該光阻劑塗佈室3460運 ^至忒烘烤室3470 (S168)。該烘烤室3470對該晶圓W執 • 行敕烘烤製程(S170)。 、、忒第二機器人3482自該烘烤室347〇取出該晶圓w， 並將該晶圓w運送至該邊緣曝光模組35〇〇之第二冷卻室 23/66 201028800 3550 (S172)。該第二冷卻室猶執行—製程以用於冷卻該 晶圓wn該冷卻製程可執行於該烘烤室3中，且 該晶圓W ^接自祕烤室3470運送线第二緩衝區 3530。已在該第二冷卻室358〇中處理之晶圓w，藉由該邊 緣曝光機器人356〇運送至該第二邊緣曝光室侧郎句。 已在ί第一冷卻至355G中處理之晶圓W，可藉由該邊緣曝 光機器人3560運送至該第二緩衝區353〇並臨時儲存於該 第二緩衝區3530巾，之後該晶圓w可藉由該邊緣曝光機 器人3560運送至該第二邊緣曝光室3580 (S176)。該第二邊 緣曝光室3580執行一製程以用於曝光該晶圓貿之邊緣 (S178)。已在該第二邊緣曝光室358〇中處理之晶圓w ,藉 由s亥邊緣曝光機器人3560運送至該第二緩衝區353〇 (S180)。 δ亥第一機器人3482將該晶圓W自該第二緩衝區3530 運送至該烘烤室3470(S182)。該烘烤室3470執行一製程以 用於加熱該晶圓W(S184)。該第二機器人3482將該晶圓W 自該烘烤室3470運送至該緩衝模組3300之第二冷卻室 3350 (S186)。該第二冷卻室3350執行一製程以用於冷卻該 晶圓W (S188)。該分度機器人3220將該晶圓W自該第二 冷卻室3350運送至該容器2000 (S190)。 以下將說明上述塗佈單元3000之各種修改實例。 該處理模組3400可僅包含一模組，而不是設置於不同 層之所述第一和第二模組3401及3402。 此外，在該分度模組3200中，複數個第一冷卻室3340 及複數個第二冷卻室3350可相互堆疊。此外，在該邊緣曝 光模組3500中，可提供複數個第一冷卻室3540及複數個 24/66 201028800 邊緣曝光室3570。在該邊緣曝光模組3500中，亦可提供複 數個第二冷卻室3550及複數個第二邊緣曝光室358〇。 此外，在該緩衝模組3300中，可不提供所述第一和第 二冷卻室3340及3350。在此情況下，該晶圓W可藉由該 第一機器人3432自該第一模組3401直接傳送至該第一緩 衝區3320,且該分度機器人3220可將儲存於該第一緩衝區 3320中之所述晶圓W運送至該容器2000。此外，該晶圓 W可藉由該第二機器人3482自該第二模組3402直接傳送 至該第二緩衝區3330 ’且該分度機器人3220可將儲存於該 第二緩衝區3330中之所述晶圓W運送至該容器2〇〇〇。 此外，在該緩衝模組3300中，可交換該第一緩衝區332〇 及該第一冷卻室3340之位置。在該緩衝模組33〇〇:中，亦 可交換該第二緩衝區3330及該第二冷卻室3350之位置。 此外，該缓衝模組3300可具有與該處理模組34〇〇相 同之高度。在此情況下’該分度機器人3220可將所述晶圓 W直接運送至該第一緩衝區3320。 此外，在該邊緣曝光模組3500中，可不提供該第一冷 卻室3540及該第二冷卻室3550。在此情況下，已在該第一 模組3401中處理之晶圓W藉由該第一機器人3432直接運 送至該第一緩衝區3520。此外，已在該第二模組3402中處 理之晶圓W藉由該第二機器人3482直接運送至該第二緩 衝區3530。 此外，在該邊緣曝光模組3500中，可交換該第一冷卻 室3540及該第一緩衝區3520之位置，且可交換該第二冷 卻室3550及該第二緩衝區3530之位置ό 此外’該邊緣曝光模組3500可包含一上機器人（未顯 25/66 201028800 示），其用於在該第一邊緣曝光室3570、第一緩衝區3520 及第一冷卻室3540之間傳送該晶圓W;及一下機器人（未 顯示）’其用於在該第二邊緣曝光室3580、第二緩衝區3530 及第二冷卻室3550之間傳送該晶圓W，而不是包含該邊緣 曝光機器人3560。 此外，除上述製程之外，該處理模組3400可執行其他 製程。 (曝光前後處理單元） 第六圖至第八圖係該曝光前後處理單元4〇〇〇之概略示 意視圖。即，第六圖係該曝光前後處理單元4000自上方檢 ® 視時之視圖，第七圖係第六圖之曝光前後處理單元4〇〇〇在 一方向「C」上檢視時之視圖，且第八圖係第六圖之曝光前 後處理單元4000在一方向「D」上檢視時之視圖。 參照第六圖至第八圖，該曝光前後處理單元4〇〇〇包含 一裝載口 4100、一分度模組4200、一緩衝模組43〇〇、一處 理模組4400及一介面模組4500。該曝光前後處理單元4〇〇〇 與該曝光單元9000連接成一直線。該曝光單元9〇〇〇沿一 在該第一方向12上延伸之直線連接至該介面模組45〇〇。舉 Θ 例而5，s玄曝光單元9000執行一使用一液體中曝光微影術 技術之製程。此外，該曝光單元9〇〇〇使用一諸如KrF激生 分子雷射或ArF激生分子雷射之遠紅外輻射光源，來執行 該曝光製程。 ^該裝載口 4100包含—裝載台4120，該裝載台4120上一一 設置收納所述晶圓w之容器2000。在一在該第二方向14 上延伸之直線上，提供及配置複數個該裝載台412〇。在第 六圖中’提供四個襞載台412〇〇。 26/66 201028800 該分度模組420在該裝載口 4100與該裝載台4120上 之容器2000之間傳送所述晶圓W。該分度模組42〇〇包含 一框架4210、一分度機器人4220及一導轨423(^該框架 4210大體上係形成為一空長方體形。該框架4210設置於該 裝載口 4100與該緩衝模組4300之間。該分度模組42〇〇之 框架4210之高度可低於該緩衝模組430〇之一框架43 i〇(下 文將對此進行说明）。該分度機器人4220及該導軌4230設 置於該框架4210中。該分度機器人422〇具有一 4轴驅動 結構’以便一直接處理該晶圓W之手4221可在該第一、 第二及第二方向12、14、16上移動，且可在一水平平面上 旋轉。除該手4221之外，該分度機器人422〇還包含一臂 4222、一支携物4223及一基座4224。該手4221固定安裝 於s亥臂4222上。§亥臂4222提供成可擴展、可收縮，且可 旋轉。該支撐物4223設置成便於其一長度方向在該第三方 向16上延伸。該臂4222連接至該支撐物4223，以便可於 該第三方向16上沿該支撐物4223直線移動。該導軌4230 提供成便於其一長度方向在該第二方向14上延伸。該支撲 物4223固定連接至該基座4224。該基座4224連接至該導 軌4230以便可沿§亥導軌4230直線移動。該框架4210配備 一開門器（未顯示），以用於打開及關閉該容器2〇〇〇之門。 該緩衝模組4300包含一框架4310、一第一缓衝區 4320、一第二緩衝區4330、一冷卻室4340及一緩衝區機器 人4350。該框架4310形成為一空長方體形。該框架431〇 設置於該分度模組4200與該處理模組4400之間。該第一 缓衝區4320、該第二緩衝區4330、該冷卻室4340、及該緩 衝區機器人4350設置於該框架4310中。該第二緩衝區 27/66 201028800 4330、冷卻室4340及第一緩衝區4320沿該第三方向16向 上順序配置。該第一緩衝區4320定位於與該處理模組44〇°〇 之一第一模組4401 (下文將對此進行說明）相同之高度。 該第二緩衝區4330及該冷卻室4340定位於與該處理&組 4450之一第二模組4402 (下文將對此進行說明）相同之^ 度。該缓衝區機器人4350被定位成在該第二方向14上= 該第二緩衝區4330、冷卻室4340及第一緩衝區432〇間隔 一預定距離。 w 所述第一和第二緩衝區4320、4330臨時儲存複數個所 述晶圓W。該第二緩衝區4330包含一外殼4331及複數個 〇 支撐物4332。所述支撐物4332設置於該外殼4331中，並 在s玄第二方向16上彼此間隔開來。一晶圓^設置於所述 支撐物4332之每一者上。該外殼4331配備對應於該分度 機器人4220及緩衝區機器人4350之開口（未顯示），以便 该分度機器人4220及緩衝區機器人4360可將晶圓運送至 該支撐物4332或自該支撐物4332取出晶圓。該第一緩衝 區4320具有一類似於該第二緩衝區4330之結構。然而， 該第一緩衝區4320之外殼4321配備對應於該緩衝區機器 ❿ 人4350及該第一模組4401之一第一機器人4432 (下文將 對此進行說明）之開口。該第一緩衝區4320之所述支樓物 4322之數量可與該第二緩衝區433〇之所述支撐物4332之 數量相同或不同。 該緩衝區機器人4350在所述第一和第二緩衝區4320、 4330之間傳送該晶圓w。該緩衝區機器人4350包含一手 4361、一臂4362及一支撐物4363。該手4361固定安裝於 該臂4362上。該臂4362被裝配成能夠擴展及收縮，以便 28/66 201028800 該手4361可在水平方向上移動。該臂4362連接至該支揮 物4363，以便可於該第三方向16上沿該支撐物4363直線 移動。該支撐物4363具有一長度，其自一對應於該第二緩 衝區4330之位置，延伸至一對應於該第一緩衝區432〇之 位置。該支撐物4363可進一步延伸至對應於該第二緩衝區 4330之位置或對應於該第一緩衝區4320之位置上方。該緩 衝區機器人4350可被裝配成具有一 2軸驅動結構，以便該 手3361僅在該第二及第三方向14、16上移動。該冷卻室 4340冷卻該晶圓W。該冷卻室4340包含一外殼4341及一 冷卻板4342。該冷卻板4342具有一於其上設置該晶圓w 頂表面；及一用於冷卻該晶圓W的冷卻元件4343。可使用 各種元件（諸如冷卻水、一熱電模組，或諸如此類）作為 該冷卻元件4343。此外，該冷卻室4340可配備一提升銷總 成（未顯示），以用於將該晶圓W定位於該冷卻板4342之 上。該外殼4341配備（未顯示）對應於該分度機器人4220 及該緩衝區機器人4350之開口，以便該分度機器人4220 及該第二模組4402之一第二機器人4482(下文將對此進行 說明）可將該晶圓W運送至該冷卻板4342之上或自該冷 卻板4342取出該晶圓W。此外，該冷卻室4340可配備門 (未顯示），以用於打開及關閉所述開口。 該處理模組4400包含一第一模組4401及一第二模組 4402。該第一模組4401執行〆製程以用於在該曝光製程之 前處理該晶圓W，該第二模組4402執行一製程以用於在該 曝光製程之後處理該晶圓W。所述第一和第二模組4401、 4402設置於不同層。舉例而言，該第一模組4401定位於該 第二模組4402之上方。該第/模組4401包含一保護層塗 29/66 201028800 佈室4410、一烘烤室442〇及一回流室443〇。該保護層塗 佈室4410、烘烤室442〇、及回流室443〇按順序配置於該 第二方向上14。因此，該保護層塗佈室4410及該烘烤室 4420彼此間隔開來，而該回流室443〇插於其間。複數個該 保護層塗佈室4410在該第三方向16上被提供及配置在不 同層。或者，可於所述第一及第三方向12、16上提供複數 個所述保護層塗佈室4410。在該第三方向16上，在不同層 提供複數個所述烘烤室4420。或者，所述烘烤室4420可配 置於所述第一及第三方向12、16上。 該回流室4430在該第一方向12上與該緩衝模組43〇〇 之第一緩衝區4320並排配置。該第一機器人4432定位於 該回流室4430内。該回流室4430大體上形成為—方形或 一矩形。該第一機器人4432在所述烘烤室442〇、保護層塗 佈室4410、該緩衝模組4300之第一緩衝區4320、及該介 面模組4500之一第一緩衝區4520 (下文將對此進行說明） 之間傳送所述晶圓W ^該第一機器人4432包含一手料幻、 一臂^434及一支撐物4犯5。該手4433固定安裝於該臂4434 上。該臂4434構造成能夠擴充、收縮及旋轉。該臂4434 連接至該支撐物4435，以便可於該第三方向16上沿誃 物4435直線移動。 σ〇Λ牙 該保護層塗佈室4410在該晶圓W上塗佈一保護層， 以在該液體♦曝光微影術過程中保護該光阻劑層。 層塗佈室4410包含一外殼4411、一支撐板4412及二喷嘴 私13。該外殼4411形成為一具有一打開頂端之杯形形狀。 该支撑板4412定位於該外殼4411内且支樓該晶圓1。該 支撐板4412被可旋轉地提供。該喷嘴4413供應保護液，Λ 30/66 201028800 以便在該支撐板4412上之晶圓w上形成該保護層。該噴 嘴4413形成為一圓管形，且將該保護液供應至該晶圓w之 中心。或者，該喷嘴4413可具有一等於該晶圓w直徑之 長度，且可在其一出口配備一狹縫。在此情況下，該支擇 板4412可在一固定狀態下被提供。該保護液包含一發泡材 料。忒保濩液可為一與該光阻劑親和力較低且不易燃之材 料。舉例而言，該保護液可包含一含氟溶劑。藉由該保護 層塗佈室4410塗佈該保護液之過程，起始於該晶圓w之 ❹ 中央區域’同時該支撐板4412上之晶圓W旋轉。 該烘烤室4420熱處理於其上塗佈保護層之晶圓W。該 烘烤室4420具有一冷卻板4421及一加熱板4422之至少之 一者。該冷卻板4421配備一冷卻元件4423 ,諸如冷卻水或 一熱電模組。該加熱板4422配備一加熱元件4424，諸如一 電熱線或一熱電模組。該加熱板4422及該冷卻板4421之 每一者可在一烘烤室4420中提供。或者，某些烘烤室4420 可僅具有該加熱板4422,而其餘烘烤室4420可僅具有該冷 ❹卻板4421。該第二模組4402包含一清潔室4460、一曝光 後烘烤室4470及一回流室4480。該清潔室4460、回流室 4480及曝光後烘烤室4470沿一在該第二方向14上延伸之 直線順序配置。因此，該清潔室4460及該曝光後烘烤室4470 於该第一方向14上彼此間隔開來，而該回流室4480插於 其間。在該第三方向16上，於不同層提供及設置複數個所 述清潔室4460。或者，複數個所述清潔室4460可配置在所 述第一和第二方向12、16之每一者上。沿一在該第三方向 . 16上延伸之直線，於不同層提供及設置複數個所述曝光後 烘烤室4470。或者，複數個所述曝光後烘烤室4470可配置 31/66 201028800 在所逃第一及第三方向12、π之每一者上。 該回流室4480係在該第一方向12上與該緩衝棋組 43〇〇之第二緩衝區4330並排配置。該回流室4480大體上 形成為一方形或一矩形。該第二機器人4482定位於該回流 室4480内。該第二機器人4482被裝配成在所述曝光後烘 烤室4470、清潔室4460、緩衝模組4300、冷卻室4340、 及3亥介面模組4500之一第二緩衝區4530(下文將對此進行 說明）之間傳送該晶圓W。所提供之第二機器人4482在該 第二棋組4402中可具有與該第一模組4401之第一機器人 4432相同之結構。 © 在該曝光製程之後，該清潔室4460清潔該晶圓W。該 π潔室4460包含一外殼4461、一支樓板4462及一喷嘴 4463 °該外殼4461形成為一具有一打開頂端之杯形形狀。 5亥支撐板4462定位於該外殼4461内且支撐該晶圓W。該 支撐板4462被可旋轉地提供。該喷嘴4463將清潔液體供 應至該支撐板4462上之晶圓W。該清潔液體可為水，諸如 去離子水。該清潔室4460將該清潔液體供應至該晶圓W之 中央區域’同時旋轉該支撐板4462上之晶圓W。當該晶圓 ® W旋轉時，該喷嘴4463可自該晶圓W之中央區域直線移 動或旋轉至周邊區域。 該曝光後烘烤室4470對在該曝光製程中已經由深紫外 光處理過後之晶圓W加熱。由加熱該晶圓W，該曝光後烘 烤製程藉由增幅一因曝光該光阻劑而產生之酸來完成一特 性變化。該曝光後烘烤室4470具有一加熱板4472。該加熱 板4472配備一加熱元件4474，諸如一電熱線或一熱電模 級。該曝光後室4470可更包含一冷卻板4471。該冷卻板 32/66 201028800 4471配備一冷卻元件4473，諸如冷卻水及一熱電模組。或 者，可另外提供一僅具有該冷卻板4471之烘烤室。 如上所述，在該處理模組4400中，所述第一和第二模 組4401及4402彼此完全分離❶此外，該第一模組44〇1之 回流室4430具有與該第二模組44〇2之回流室4480相同之 尺寸，從而自上方檢視時，它們可彼此完全重叠。此外， 該保護層塗佈室4410具有與該清潔室4460相同之尺寸， 從而自上方檢視時’該保護層塗佈室441〇及該清潔室446〇 φ 彼此完全重叠。此外，該烘烤室4420具有與該曝光後烘烤 至4470相同之尺寸’從而自上方檢視時，它們彼此完全重 叠。 該介面模組4500在該處理模組4400與該曝光單元 9000之間傳送該晶圓w。該介面模組4500包含一框架 4510、一第一緩衝區4520、一第二緩衝區4530及一介面機 器人4540。該介面機器人4540、該第一緩衝區4520及該 第二緩衝區4530定位於該框架4510内。所述第一和第二 φ 緩衝區452〇及4530彼此間隔開來且相互堆疊。該第一緩 衝區4520佈置於該第二缓衝區4530之上。該第一緩衝區 4520設置於一對應於該第一模組4401之高度。該第二緩衝 區4530設置於一對應於該第二模組4402之高度。自上方 檢視時，該第一緩衝區4520配置成在該第一方向π上與 該第一模組4401之回流室4430成一直線。該第二緩衝區 4530配置成在該第一方向12上與該第二模組4402之回流 室4430成一直線。該介面機器人4540在該第二方向14上 自所述第一和第二緩衝區4520、4530間隔開來。該介面機 器人4540在該第一緩衝區4520、第二緩衝區4530及曝光 33/66 201028800 單元9000之間傳送該晶圓w。該介面機器人454〇具有一 類似於該緩衝區機器人4530之結構。 在所述晶圓W被傳送至該曝光單元9000之前，該第 一緩衝區4520臨時儲存已在該第一模組44〇1中處理之所 述晶圓W。在所述晶圓w傳送至該第二模組4402之前， 該第二緩衝區4530臨時儲存已在該曝光單元9〇〇〇中處理 之所述晶圓W。該第一緩衝區4520具有一外殻4521及複 數個支撐物4522。所述支撐物4522設置於該外殼4521内， 且在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓冒設置於所 述支撐物4522之每-者上。亥外殼4521配備有分別對應 於s亥介面機器人4540及該第一機器人4432之開口，以便 该介面機器人4540及該第_機器人4432可將該晶圓w運 送至該外殼4521中之所述支撐物4522，及自所述支樓物 4522取出該晶圓W。該第二緩衝區453〇具有一類似於該 第一緩衝區4520之結構。然而，該第二緩衝區4530之外 殼4531配備有分別對應於該介面機器人侧及 器人·之開口（未_)。料—緩_彻 = 碰相同或不同。第一讀區侧之所述支樓物 ,4=考= 兒明一根據-具體實施例藉由該曝 光剛後處理单兀棚執行之製程。第九圖係說明一根據曝 具體實施例藉祕曝光前後處理單元侧 行之製程之絲圖。在红以，將例 圓 況，其中’將化學增幅型光_塗 】= =_。使用深紫外光源執行曝光製程及液體中= 34/66 201028800 已在該塗佈單元3000中處理之所述晶圓胃被裝載在 該容器2000中。該容器2000設置於該曝光前後處理單元 400之裝載台4120上(S212)。藉由開門器（未顯示）打開 該門。s亥分度機器人4220自該容器2〇〇〇取出該晶圓w， 並將該晶圓W運送至該緩衝模組4300之第二緩衝區 (S214)。該緩衝區機器人435〇將儲存於該第二缓衝區433〇 中之晶圓w運送至該第一緩衝區432〇 (S216)。該第一機器 人4432自該第一緩衝區4320取出該晶圓，並將該晶圓運 ❹ 送至该處理模組4400之保護層塗佈室4410 (S218)。該保護

層塗佈室4410將保護層塗佈於該晶圓w之上(S22〇)。下一 步’该第一機器人4432將該晶圓w自該保護層塗佈室4410 傳送至s亥烘烤室4420 (S222)。該烘烤室4420對該晶圓W 執行一熱處理，諸如加熱及冷卻(§224)。 該第一機器人4432自該烘烤室4420取出該晶圓w， 並將§亥晶圓w運送至該第一緩衝區452〇(S226)。該介面機 器人4540將該晶圓w自該第一緩衝區452〇運送至該曝光 ⑩ 單元9000 (S228)。對該晶圓W之曝光製程執行於該曝光單 兀9000 (S230)中。下-步，該介面機器人454〇將該晶圓界 自該曝光單元9000運送至該第二緩衝區453〇 (S232)。 該第二機器人4482自該第二緩衝區453〇之支撐物取 出該晶圓W，並將該晶圓w運送至該處理模組4400之清 潔室4460 (S234)。該清潔室4460將清潔液體供應至該晶圓 w之-表面’以執行清潔製程(S236)。當藉由該清潔液體 清潔該晶圓w之過程完成時，該第二機器人4482立即自 该清潔室4460取出該晶圓W，並將該晶圓w運送至該爆 光後烘烤室4470 (S238)。附著在該晶圓w之清潔液體，藉 35/66 201028800 由在該曝光後烘烤室4470之熱板上加熱該晶圓W 除，同時’ A本，阳逾丨丨tb龙>> afiite 4士·wa As ..、丨+丄、ϋ . 承，同時，在光阻劑中產生之酸被增幅，以完成該光阻劑 之特性變化(S240)。 該第二機器人4482將該晶圓W自該曝光後烘烤室 4470運送至該緩衝模組4300之冷卻室4340 (S242)。該晶 圓w之冷卻被執行於該冷卻室434〇中(8244)。該分度機^ 人4220自該冷卻室434〇取出該晶圓w，並將該晶圓w運 送至該容器2〇〇〇 (S246)。 該容器2000被運送至該顯像單元5〇〇〇，且該顯像製程 執行於該顯像單元5000中。 某些殘留賊晶圓W上之倾祕由—顯影溶液移 除其餘保s蒦層在-灰化製程期間與該光阻劑一起移除。 中不提供保5歸移除室。因此，該曝光前後處理單元 之結構比較簡單，且可縮短用於執行該製程之時間。 ’當使用化學增幅型光阻劑時，在該曝光製程執 曝光後料製歡_設定非㈣要。根據 眼：德實施例’為該曝光_處理單元4_提供該 I 5咖、Μ% °因此’在該晶圓W被傳送至該顯像單 之刖，可在該曝光前後處理單元4000中快速實現 根據第六圖之一具體實施例，在該曝光前後處理單元 4000中；仅战a 人么 _

根據第六圖之具體實施例，所左 =潔液體對該晶圓〜執行清 不#用龄、陆在—冰丨上上《 _ ;IJ，所述清潔室4460僅 數程。即，該清潔室4460

K執行。舉例而言，在該曝光後烘 之乾燥與酸增幅同時執行。因此， 201028800 與該晶圓之清潔及乾燥執行於該清潔室4460中之情況相比 較，可縮短該處理時間。 以下將說明該曝光前後處理單元4000之各種修改實 例。 在上述具體實施例中，已說明該第一模組4401佈置於 該第二模組4402之上。然而，該第二模組44〇2可佈置於 該第一模組4401之上。 此外，該處理模組4400可僅包含一模組，而不是設置 參 於不同層之所述第一和第二模組4401及4402。在此情況 下，保護層塗佈室4410、烘烤室442〇、清潔室446〇及曝 光後烘烤室4470可全部在該模組中提供。 此外’除用於供應清潔液體之喷嘴之外，該清潔室446〇 可更包含一用於供應乾燥氣體之喷嘴。在此情況下，可在 該曝光後烘烤室4470中加熱該晶圓w之前，移除附著至 該晶圓W上之清潔液體。 此外了不在δ亥第一模組4402中提供冷卻板。該晶圓 ❹ w之冷卻可僅在該緩衝模組43⑻之冷卻室434〇中實現。 在此情況下，可在該緩衝模組43〇〇中設置複數個所述冷卻 室4340並使其相互堆疊。 此外，可不在該緩衝模組4300中提供冷卻室4340。在 此情況下，在該第二模組4402中冷卻之晶圓W藉由該第 二機器人4482直接傳送至該第二緩衝區433〇,且所述分度 機器人4220將儲存於該第二緩衝區4330中之晶圓W傳送 至該容器2000。 此外，该緩衝模組4300中該冷卻室4340之第二緩衝 區4330之所述位置可交換。 37/66 201028800 此外’所述第一和第二模組4401及4402之所述位置 可交換。在此情況下，可選擇性地在一對應於該第二模組 4402之高度提供該緩衝模組4300中之冷卻單元。 此外’該緩衝模組4300可具有與該處理模組4400相 同之高度。在此情況下，該分度機器人4220可將該晶圓直 接傳送至該第一緩衝區4320。 此外，可在該第二模組4402中提供一保護層移除室， 以用於在該曝光製程之後移除保護層。在此情況下，可在 該触刻製程之前移除該晶圓W上之保護層。 此外，當該曝光單元9000使用一除該液體中曝光微影 術方法之外之方法執行一製程時，可在該第一模組4401中 不提供保護層塗佈單元3000。在此情況下，亦可不提供烘 烤至4420。在此情況下，該處理模組44〇〇可僅包含該第二 模組4402 ’而無需該第一模組4401。 此外，當所述曝光單元9〇〇〇使用一除該深紫外光源之 外之光源時，可在該第二模組44〇2中不提供曝光後烘烤室 4470。 (顯像單元） 第十圖至第十二圖係該顯像單元5〇〇〇之概略示意視 圖即，第十圖係顯像單元5000自上方檢視時之視圖，第 十一圖係該顯像單元5000自一方向「E」檢視時之視圖， 且第十二圖係該顯像單元5000自一方向「F」檢視時之視 圖。 參照第十圖至第十二圖，該顯像單元5〇〇〇包含一裝載 口 5100、—分度模組5200、一緩衝模組5300及一處理模 組5400。該裝載口 51〇〇、該分度模組52〇〇、該緩衝模組 38/66 201028800 5300及該處理模組54〇〇按順序配置於該第一方向η上。 該裝載口 5100具有一裝載台512〇,於其上設置收納所述晶 圓W之容器2000。在一在該第二方向14上延伸之直線上， 提供及配置複數個該裝載台512〇。在第十圖中，提供四個 裝載台5120。 該分度模組5200在該裝載臺上之容器2〇〇〇與該緩衝 模組5300之間傳送該晶圓w。該分度模組52〇〇包含一框 架5210、一分度機器人5220及一導軌5230。該框架5210 φ 形成為一空長方體形，並設置於該裝載口 5100與該緩衝模 組5300之間。該框架5210可被提供為低於該緩衝模組53〇〇 之一框架5310(下文將對此進行說明）。該分度機器人522〇 及該導軌5230設置於該框架5210内。該分度機器人5220 具有一 4軸驅動結構，以便一直接處理該晶圓w之手5221 可在s亥第一、第二及第三方向12、14、16上旋轉及移動。 除該手5221之外，該分度機器人5220還包含一臂5222、 一支撐物5223及一基座5224。該臂5222被提供成可擴充 φ 且可收縮，以便該手5222可在水平方向上移動。該支撐物 5223設置成便於其一長度方向在該第三方向μ上延伸。該 臂5222連接至該支撐物5223 ’以便可沿該支擇物5223移 動。該導軌5230提供成便於其一長度方向在該第二方向14 上延伸。該支撐物5223固定連接至該基座5224。該基座 5224連接至該導軌5230,以便可沿該導轨5230直線移動。 儘管未顯示於所述圖式中，但是該框架5210配備一開門 器’以用於打開及關閉該容器2000之門。 參照第十一圖’該緩衝模組5300包含一框架5310、一 第一緩衝區5320、一第二緩衝區5330、一第一冷卻室5340、 39/66 201028800 一第二冷卻室5350及一緩衝區機器人5360。該框架5310 形成為一空長方體形。該框架531〇設置於該分度模組52〇〇 與該處理模組5400之間。該第一緩衝區532〇、該第二緩衝 區5330、該第一冷卻室534〇、該第二冷卻室535〇及該緩 衝區機器人5360設置於該框架5310中。該第二冷卻室 5350、該第二緩衝區5330、該第一冷卻室5340及該第一緩 衝區5320沿該第三方向16向上順序配置。該第一冷卻室 5340及該第一緩衝區5320定位於與該處理模組5400之一 第一模組5401 (下文將對此進行說明）相同之高度。該第 二冷卻室5350及該第二緩衝區5330定位於與該處理模組 5400之一第二模組5402 (下文將對此進行說明）相同之高 度。該緩衝區機器人5360被定位成在該第二方向14上與 該第二緩衝區5330、該第二冷卻室5350、該第一緩衝區5320 及該第一冷卻室5340間隔一預定距離。 所述第一和第二緩衝區5320、5330之每一者臨時儲存 複數個所述晶圓W。該第二緩衝區5330包含一外殼5331 及複數個支撐物5332。所述支撐物5332設置於該外殼5331 中’並在該第三方向16上彼此間隔開來。一晶圓w設置 於所述支撐物5332之每一者上。該外殼5331配備有對應 於該分度機器人5220、緩衝區機器人5360及第二機器人 5482之開口（未顯示），以便該分度機器人522〇、緩衝區 機器人5360、及該第二模組54〇2之一第二機器人5482(下 文將對此進行說明）可將該晶圓運送至該支樓物5332或自 該支撐物5332取出該晶圓。該第一緩衝區532〇具有一類 似於該第二緩衝區5330之結構。然而，該第一緩衝區5320 之外殼5321配備有對應於該緩衝區機器人536〇及該第一 201028800 模組5401上之一第一機器人5432 (下文將對此進行說明） 之開口。該第一緩衝區5320之所述支撐物5322之數量可 與該第二緩衝區5330之所述支撐物5332之數量相同或不 同。舉例而言，所述支撐物5332之第二緩衝區5330之數 量可大於該第一緩衝區5320之所述支撐物5322之數量。 該緩衝區機器人5360在所述第一和第二緩衝區5320 及5330之間傳送該晶圓w。該緩衝區機器人536〇包含一 手5361、一臂5362及一支撐物5363。該手5361固定安裝 φ 於該臂5362上。該臂5362被裝配成能夠擴展及收縮，以 便該手5361可在該第二方向14上移動。該臂5362連接至 該支撲物5363’以便可於該第三方向16上沿該支撐物5363 直線移動。該支撐物5363具有一長度，其自一對應於該第 二缓衝區5330之位置延伸至一對應於該第一緩衝區5320 之位置°該支稽物5363可進一步延伸至對應於該第二緩衝 區5330之位置或對應於該第一緩衝區5320之位置上方。 該缓衝區機器人5360可被裝配成具有一 2軸驅動結構，以 • 便該手5361僅在該第二及第三方向14、16上移動。 所述第一和第二冷卻室534〇、5350冷卻該晶圓W。該 第一冷卻室5340具有與該第二冷卻室5350相同之結構。 該第二冷卻室5350具有一外殼5351及一冷卻板5352。該 冷卻板5352具有一於其上設置該晶圓賈之頂表面，及一 用於冷卻該晶圓W的冷卻單元5353。該冷卻元件5353可 由各種元件形成’諸如冷卻水、一熱電模組，諸如此類。 此外，該第二冷卻室5350可配備一提升銷總成（未顯示）， 以用於將該晶圓W定位於該冷卻板5352之上。該外殼5351 配備有對應於該分度機器人5220及該第二機器人5482之 41/66 201028800 開口（未顯示），以便該分度機器人5220及該第二模組5402 之一第二機器人5482 (下文將對此進行說明）可將該晶圓 W運送至該冷卻板5352之上，或自該冷卻板5352取出該 晶圓W。此外，該第二冷卻室5350可具有門（未顯示）， 以用於打開及關閉所述開口。 在該晶圓W被傳送至該曝光前後處理單元4〇〇〇之 前，該處理模組5400執行一所需製程。該處理模組大體上 形成為一長方體形。該處理模組54〇〇包含一第一模組54〇1 及一第二模組5402。所述第一和第二模組54〇1、54〇2配置 在不同層。可提供所述第一和第二模組54〇1、54〇2以執行 相同製程。舉例而言，該第一模組54〇1定位於該第二模 組5402之上方。 、 該第一模組3401包含一顯像室541〇、一烘烤室542〇 及二回流室5430。該顯像室541〇、該烘烤室542〇及該回 ，室5430按順序配置於該第二方向14上。因此，該顯像 =541G及該烘烤室542〇在該第二方向14上彼此間隔開 ，而该回流室5430插於其間。複數個該顯像室541〇配 ^在所述第-及第三方向12、16之每一者上。在所述圖式 中’例示性地提供六_像室5修複數個所舰烤室542〇 2在所述第-及第三方向12、16之每—者上。在所述圖 :例示性地提供六㈣烤室遍。然而，可提供六個 或更多烘烤室5420。 ，回流室543〇與該緩衝模組5綱之第一緩衝區測 一方向12上並排定位。在該回流室543G中設置該 开人5432及料軌5433。該回流室543G大體上係 顿為-矩形。該第-機器人5432在所述烘烤室532〇、顯 42/66 201028800 像至5400、第一緩衝區5320及第一冷卻室5340之間傳送 該晶圓w。該導轨5433具有一在該第一方向12上延伸之 長度方向。該導軌湖在該第一方自12上導引該第一機 器人5432之直線運動。該機器人5432具有一手5434、一 煮5453、支撐物5436及一基座5437。該手5434固定安 裝於該臂5435上。該臂5435被裝配成能夠擴展及收縮， 以便該手5434可在水平方向上移動。該支擇物5436設置 成便於其一長度方向在該第三方向16上延伸。該臂5435 參 連接至該支撐物5436,以便能夠在該第三方向16上沿該支 撐物5436直線移動。該域物5436固定連接至該基座 5437 ’且該基座5437連接至該導軌5433 ,以便能夠沿該導 軌5433移動。 所有顯像室5410均具有相同結構。然而，使用於該顯 像室5410中之顯影溶液類型可彼此不同。該顯像室⑷〇 移除該光阻劑之-曝光部分。在此，該保護層之一曝光部 分亦被一起移除。根據所使用之顯影溶液之類型，可選擇 〇 性地移除光阻劑之未曝光部分與保護層之未曝光部分。' 該顯像室5410包含一外殼5411、一支撐板5412及一 喷嘴5413。該外殼54Π形成為—具有―打開頂端之杯形形 狀。該支樓板5412定位於該外殼3411中以支撐該晶圓^ 該支撐板3412被裝配成便能夠旋轉。該喷嘴5413將 溶液供應至該支撐板5412上之晶圓诹上。該喷嘴“口形 成為一圓管形，以將顯影溶液供應至該晶圓〜之 且具有一狹鏠型出口。此外，該顯像室541〇可更包含: 嘴顺以用於供應諸如去離子水之清潔液體，以用於清潔 43/66 201028800 一於其上塗佈光阻劑之晶圓w表面。

所述烘烤室5420熱處理該晶圓W。舉例而言，所述烘 烤室3420在該顯像製程之前執行一後烘製程以用於加熱該 晶圓W，在該顯像製程之後執行一硬烤製程以用於加熱該 晶圓W，並執行在各自烘烤製程之後執行之冷卻製程。該 烘烤室5420包含一冷卻板5421或一加熱板5422。該冷卻 板5421配備一冷卻元件5423，諸如冷卻水或熱電模組。該 加熱板5422配備一加熱元件5424 ’諸如一電熱線或一熱電 模組。該加熱板5422及該冷卻板5421可在各自烘烤室542〇 中提供。或者’某些烘烤室5420可僅具有該加熱板5422， 而其餘可僅具有該冷卻板5421。 s亥第一模組5402包含一顯像室5460、一烘烤室5470 及一回流室5480。該顯像室5460、該烘烤室5470及該回 流室5480具有與該第一模組5401之顯像室5410、烘烤室 5420及回流室543〇相同之結構及配置。此外，該回流室 5480具有一第一機器人5482，其具有與該第一模組3401

之第一機器人3432相同之結構。該第二機器人5482被襄 配成在該顯像室5460、該烘烤室5470、該第二緩衝區533〇 及該第二冷卻室5350之間傳送該晶圓w。 在上述處理模組3400中，所述第一和第二模組34〇1、 3402彼此分離。此外，自上方檢視時，該第一模組34⑴具 有與該第二模組相同之結構及配置。 八

以下將參考第十三A圖及第十三B圖說明一藉由第十 圖之顯像單元5000執行之製程。第十三a圖及第十三B 圖係說明一根據一具體實施例藉由該顯像單元5 〇 〇 〇對該晶 圓W執行之製程之流程圖。 44/66 201028800 在該裝載口 5100之裝載台5120上，設置用於收納所 述晶圓W之容器2000 (S312)。該容器2000之門藉由該開 門器打開。該分度機器人5220自該容器2000取出該晶圓 w，並將該晶圓w運送至該第二緩衝區5330(S314)。該晶 圓W被傳送至所述第一和第二模組54〇1、54〇2之一者。 參 _。當選定在該第一模組5401中處理該晶圓w時，該緩 衝區機器人5360將儲存於該第二緩衝區533〇中之晶圓w 運，至該第一緩衝區532〇 (S32〇)。該第一機器人5432自該 第―，衝區5320取出該晶圓W，並將該晶圓w運送至該 =至5420 (S322)。該烘烤室5420順序執行後烘製程及冷 程（S324)。該第一機器人5432自該烘烤室542〇取出 曰曰=w’並將s亥晶圓w運送至該顯像室341〇(S326)。該 顯像至5410將該顯影溶液塗佈於該晶圓W(S328)之上。下 :步’該第-機器人5432將該晶圓W自該顯像室運 ^該供烤室542G (S33G)。該烘烤室對該晶圓㈣ 仃该硬烤製程（S332)。 今曰：t、機器人5432自該供烤室5420取出該晶圓並將 該第—冷卻室534G (s334)。該第一冷卻室 w之餘卿6)。該分度機 送至該容隨該晶圓運 二機處理_w時，該第 該晶，w，並將 該供烤室5470順序執杆^ 42之供烤室5470 _)。 二機器人自該程_。該第 υ取出该晶圓W並將該晶圓 45/66 201028800 W運送至該顯像室5460 (S364)。在該顯像室5460中，該 顯影溶液被塗佈到該晶圊W上(S366)。下一步，該第二機 器人5482將該晶圓W自該顯像室5460運送至該烘烤室 5470 (S368)。該烘烤室5470對該晶圓W執行硬烤製程 (S370)。 該第二機器人5482自該烘烤室5470取出該晶圓W並 將該晶圓W運送至該第二冷卻室5350 (S372)。該第二冷卻 室5350對該晶圓W執行冷卻製程（S374)。該分度機器人 5220將該晶圓W自該第二冷卻室5350運送至該容器2000 ^

(S376)。 V 以下將說明該顯像單元5000之各種修改實例。 該處理模組5400可僅包含一模組’而不是設置於不同 層之所述第一和第二模組5401、5402。 此外，複數個第一冷卻室5340及複數個第二冷卻室 5350在該分度模組5200中相互堆疊。 此外，可在該緩衝模組5300中不提供所述第一和第二 冷卻室5340、5350。在此情況下，該晶圓W可藉由該第一 機器人5432自該第一模組5401直接傳送至該第一緩衝區 5320’且該分度機器人5220可將儲存於該第一緩衝區5320 中之所述晶圓W運送至該容器2000。此外，該晶圓冒可 藉由該第二機器人5482自該第二模組54〇2直接傳送至該 第二緩衝區5330，且該分度機器人5220可將儲存於該第二 緩衝區5330中之所述晶圓w運送至該容器2〇〇〇。 此外’在該緩衝模組5300中’可交換該第一緩衝區532〇 及該第一冷卻室5340之位置。在該緩衝模組53〇〇中，亦 可父換s亥第二緩衝區5330及該第二冷卻室5350之位置。 46/66 201028800 此外，該緩衝模組5300可具有與該處理模組54〇〇相 同之高度。在此情況下，該分度機器人522〇可直接將所述 晶圓W運送至該第一緩衝區5320。 此外，可在該處理模組5400中執行不同於上述製程 其他製程。 根據第一圖之具體實施例，該基板處理設備設計成便 於獨立提供用於執行該塗佈製程之製程、用於執行該顯像 製程之單元、以及與該曝光單元9_連接成一直線以執行 該曝光前/曝光後處理製程之單元。因此，不同於在盆中一 用於同時執行佈及顯像製程之·與鄕光單元、9_ =:=設備’第一圖之具體實施例之基板處理系統 =及顯像單元3_、5〇〇〇可連續執行其製程(甚至當 曰曰 執行所述製程需要很長時間且因此 曰曰 圓w第卜第十四G圖魏卿於在—形成於該 參 之_上形成—圖案之順序製程之視圖。 首先’在一沉積單元（未顯示） 積-薄膜102(參見第十…固、中在a亥晶圓W上沈 佈單元3000 W十圖）°該晶被傳送至該塗 在忒塗佈單元3〇〇〇中， 一光阻劑104 (參見第十„ W上塗佈 B圖）在该塗佈單元3000中， 二二二諸:烘烤製程、邊緣曝光製程，諸 。在該曝光被曝先前後處理單元 在該晶圓W上塗佈該保護 模組4401中， 44〇1 ^ ^ T進步執行其他製程，諸如烘 雜程，办此類。運送至鱗光單元_。 47/66 201028800 該曝光單先9000將光照射至該保護層1〇6及該光阻劑ι〇4 上之一選定區域108’以變更該選定區域1〇8之特性（參見 第十四D圖）。所述曝光前後處理單元4〇〇〇之第二模組⑽ 執行清潔製程、曝光後烘烤製程，諸如此類。在該曝光後 烘烤過程中，移除殘留於該晶圓w上之清潔液體。下一步， 該晶圓W被傳送至該顯像單元5〇0〇。在該顯像單元5〇〇〇 中，移除其特性發生變更之保護層106及該光阻劑1〇4之 選定區域108 (參見第十四e圖）。如前所述，除該顯像製 程之外，所述顯像單元5000進一步還執行其他製程，諸如 烘烤製程，諸如此類。下一步，該晶圓冒被傳送至蝕刻單 元（未顯示）。在該蝕刻單元中，移除該薄膜之曝光區域1〇3 (參見第十四F圖）。下一步，該晶圓界被傳送至灰化單 元（未顯不）。在該灰化單元中，移除殘留於該薄膜上之光 阻劑辦及該保護層1〇6 (參見第十四〇幻。當在該沉積 單^，該塗佈單元30〇〇、該曝光前後處理單元4〇㈨、該顯 像單元5_、紐刻單元、及該灰化單元之間傳送該晶圓 時，可進一步執行其他製程，諸如用於清潔該晶圓w之製 程，諸如此類。 根據所述具體實施例，可有效地執行該光刻製程。 此外，可增加該塗佈單元及該顯像單元中之產出率。 此外，當使用化學增幅型光阻劑時，可快速執行該 光後烘烤製程。 此外由於可藉由在該曝光後烘烤單元中增幅酸來移 除殘留於該基板上之清潔液體，而無需在該清潔室中使用 一單獨乾燥噴嘴，所以可縮短處理時間。 此外，由於保護層在顯像製程及灰化製程中被移除， 201028800 =無^該曝光前後處理單元t使用—單獨保護可 至，因此可縮短該處理時間。 “ 的2所揭示之標的應被視為示意性的，而非限制性 〇且所附申請專利範圍意欲涵蓋落入本發明之 内之所有此改、料及其他频實施例。因^申 ttl 最大範圍内’本發明之範圍係藉由以下申請 專愾圍之所述最寬泛可允許解釋及其等效項來判定，且 不應受上述詳細說明之約束或限制。 【圖式簡單說明】 所含隨附圖式，係為提供對本發明之深入瞭解，其 二本·書且構成本說财之—部分。所述圖式說明本發 月^示性具體實施例，並與「實施方式」—起用於解釋 本發明之原理。在所述圖式中： 第一圖係根據本發明之基板處理系統之概略示意圖； 第二圖至第四圖係根據本發明之塗佈單元之概略示意 圓； … 參 第五a圖至第五b圖係說明執行於第二圖之塗佈 中之連續製程之流程圖； 第六圖至第八圖係根據本發明之曝光後烘烤之 略示意圖； 第九圖係說明在第六圖之塗佈單元中執行之連續製程 之流程圖； 第十圖至第十二圖係根據本發明之顯像單元之概略示 意視圖； ’ 〜第十三A圖至第十三_係說明執行於第十圖之顯像 早元中之連續製程之流程圖； 49/66 201028800 第十四A圖至第十四G圖係說明在一晶圓上形成一圖 案之連績製程之示意圖。 【主要元件符號說明】 1 基板處理系統 12 第一方向 14 第二方向 16 第三方向 102 薄膜 103 曝光區域 104 光阻劑 106 保護層 108 選定區域 1000 自動傳送單元 2000 容器 3000 塗佈單元 3100 裝載口 3120 裝載台 3200 分度模組 3210 框架 3220 分度機器人 3221 手 3222 臂 3223 支撐物 3224 基座 3230 導軌 3300 緩衝模組 50/66 201028800 3310 框架 3320 第一緩衝區 3321 外殼 3322 支撐物 3330 第二缓衝區 3331 外殼 3332 支撐物 3340 第一冷卻室 3350 第二冷卻室 3351 外殼 3352 冷卻板 3353 冷卻元件 3360 緩衝區機器人 3361 手 3362 臂 3363 支撐物 3400 處理模組 3401 第一模組 3402 第二模組 3410 光阻劑塗佈室 3411 外殼 3412 支撐板 3413 喷嘴 3414 喷嘴 3420 烘烤室 3421 冷卻板 51/66 201028800 3422 加熱板 3423 冷卻元件 3424 加熱元件 3430 回流室 3432 第一機器人 3433 導軌 3434 手 3435 臂 3436 支撐物 3437 基座 3453 臂 3460 光阻劑塗佈室 3470 烘烤室 3480 回流室 3482 第二機器人 3500 邊緣曝光模組 3510 框架 3520 第一緩衝區 3530 第二缓衝區 3540 第一冷卻室 3550 第二冷卻室 3560 邊緣曝光機器人 3570 第一邊緣曝光室 3580 第二邊緣曝光室 4000 曝光前後處理單元 4100 裝載口 52/66 201028800 裝載台 分度模組 框架 分度機器人 手 臂 支撐物 基座 導執 緩衝模組 框架 第一緩衝區 外殼 支撐物 第二緩衝區 外殼 支撐物 冷卻室 外殼 冷卻板 冷卻元件 缓衝區機器人 手 臂 支撐物 處理模組 53/66 201028800 4401 第一模組 4402 第二模組 4410 保護層塗佈室 4411 外殼 4412 支撐板 4413 喷嘴 4420 烘烤室 4421 冷卻板 4422 加熱板 4423 冷卻元件 4424 加熱元件 4430 回流室 4432 第一機器人 4433 手 4434 臂 4435 支撐物 4460 清潔室 4461 外殼 4462 支撐板 4463 噴嘴 4470 曝光後烘烤室 4471 冷卻板 4472 加熱板 4473 冷卻元件 4474 加熱元件 4480 回流室

54/66 201028800 第二機器人 介面模組 框架 第一缓衝區 外殼 支撐物 第二緩衝區 外殼 支撐物 介面機器人 顯像單元 裝載口 裝載台 分度模組 框架 分度機器人 手 臂 支撐物 基座 導軌 緩衝模組 框架 第一缓衝區 外殼 支撐物 201028800 5330 第二緩衝區 5331 外般 5332 支撐物 5340 第一冷卻室 5350 第二冷卻室 5351 外殼 5352 冷卻板 5353 冷卻單元 5360 緩衝區機器人 5361 手 5362 臂 5363 支撐物 5400 處理模組 5401 第一模組 5402 第二模組 5410 顯像室 5411 外殼 5412 喷嘴 5413 噴嘴 5414 喷嘴 5420 烘烤室 5421 冷卻板 5422 加熱板 5423 冷卻元件 5424 加熱元件 5430 回流室 201028800 第一機器人 導軌 手 臂 支撐物 基座 臂 ❿ 顯像室 烘烤室 回流室 曝光單元 方向「A」 方向「B」 方向「C」 方向「D」 方向「E」 方向「F」 晶圓 57/66

Claims (1)

1. 201028800 七 申請專利範圍： 1、-種基板處理系 一塗佈單元，其用減|=括. -曝光前後處理單元:其：-塗佈製程； 對已在該塗佈單元 ^接至一曝光單元，以用於 曝光前/曝光後處理製程；及土板執行一曝光製程及執行一 理之顯對已在該曝光前後處理單元中處 元之每—者包二佈亥曝光前後處理單元及該顯像單 器；-分度模組，其用於:該2上設置-收納基板之容 運送至該容5|;另—；办器取出該基板或將該基板 預定製種，其★，該^模組1，其用於在該基板上執行一 順序配置；及°Λ、如、該分度餘及該處理模組按 面模Μ曝t後更包括一連接至該曝光單元之介 嗲八声楹/ ‘面模組設置於該處理模組之一側，且 ❿ Θ刀度模組設置於該處理模組之另—側。 中，所述圍第1項所述之基板處理系統，其 之第一模叙和Ζ模、Γ單元之處理模組包含設置於不同層 =如，料觀s第2項職之基 该第一模組包括： 上 保護層塗佈至，其用於將一保護層塗佈於該基板之 、烤至其用於對該基板執行一熱處理；及 第機器人’其用於在該保護層塗佈室與該烘烤室 58/66 201028800 之間傳送該基板。 4、 如申請專利關第3項所述之基板處理 中’該第二模組更包括―用於清潔該基板之清潔室。、 5、 如”專利關第4項所述之基 中，該第二模組包括： 于統，其 後料曝Γ烘烤室，其用於對已曝光之基板執行1光

   -第二機11人，其餘在歸料錢 之間傳送該基板。 、烤至 6、 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，其 中，該曝光前魏理單元更包括—緩賊組，該緩衝模紅 設置於該分度模組與該處理模組之間，其中，該緩衝模組 包括. 第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度 且臨時儲存該基板；及 第一緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度 且臨時儲存該基板。 7、 、如申凊專利範圍第6項所述之基板處理系統，其 中，所述第一和第二緩衝區相互堆疊，且所述第一和第二 緩衝區之每一者包括複數個支撐物。 8、 如申請專利範圍第7項所述之基板處理系統，其 中’该曝光前後處理單元之緩衝模組進一步包括一緩衝區 機器人，該緩衝區機器人用於在所述第一和第二緩衝區之 間傳送該基板。 9、 如申請專利範圍第8項所述之基板處理系統，'其 中，所述第一和第二緩衝區在一垂直方向上並排配置。 59/66 201028800 1 ο、如中請專利範圍第6項所述之基板處理系統， 其中，該緩衝模組設置於一對應於該第一模組之高度，且 賊衝模組更包括-冷卻室，該冷卻㈣於冷卻該^板。 11、 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統， 其中，該介面模組包括： 一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度 且臨時儲存基板； 一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度 且臨時儲存該基板；及 -介面機器人’其祕在辑光單元與該第二緩衝區❿ 之間以及在該第二缓衝區與該曝光單元之間傳送該基板。 12、 如申請專利範圍第i項至第i i項之任一項所 述之基板處理系統，其中，該塗佈單元更包括—邊緣曝光 模組，其中該邊緣曝光模組設置於該處理模組之一側，且 該分度模組設置於該處理模組之另一側。 13、 一種曝光前後處理單元，其用於在一曝光製程 之前及之後對一於其上塗佈光阻劑之基板執行所需製程， 該曝光前後處理單元包括： ® 一裝載口，於其上設置一收納所述基板之容器； 一分度模組，其自該容器取出基板，或將基板運送至 該容器； 一處理模組，其用於對該基板執行一製程；及 一介面模組’其連接至一曝光單元， 其中’該裝載口、該分度模組、該處理模組及該介面 模組按順序配置在一第一方向上；及 該處理模組包括一保護層塗佈室，該保護層塗佈室用 60/66 201028800 於將一保護層塗佈於該基板之上。 一1=如申請專利範圍第13項所述之曝光前後處理 ’該處理模組更包括一清潔室，該清潔室用於 >月潔該基板β 。一 15、如申請專利範圍第i 3項所述之曝光前後處理 單元其中，該處理模組更包括一烘烤室，該烘烤室用以 熱處理該基板。

   #16如申請專利範圍第13項所述之曝光前後處理 單兀中，該處理模組更包括一曝光後烘烤室，該曝光 後供烤至轉對已曝光之基板執行_曝光後烘烤製程。 ^ 1 7、如申請專利範圍第14項所述之曝光前後處理 單兀’其中’該處理模組包括設置於不同層之第一模組和 第二模組’而該保護層塗佈室設置於該第一模組中，該清 潔室設置於該第二模組中。 1 8、如申請專利範圍第17項所述之曝光前後處理 單元，其中，該處理模組包括： 一烘烤室，其設置於該第一模組中，且用於熱處理該 基板； 一第一機器人’其設置於該第一模組中，並用於在該 保護層塗佈室與該烘烤室之間傳送基板； 一曝光後烘烤室’其設置於該第二模組中，且用於對 已曝光之基板執行一曝光後烘烤製程；及 一第二機器人’其設置於該第二模組中，且用於在該 清潔室與該曝光後煤烤室之間傳送該基板。 19、如申請專利範圍第17項所述之曝光前後處理 單元，其更包括一緩衝模組，該緩衝模組設置於該分度模 61/66 201028800 組與該處理模組之間，其中，該緩衝模組包括： 一第一緩衝區，其設置於一對應於該第一模組之高度 且臨時儲存該基板；及 一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度 且臨時儲存該基板。 2 0、如申請專利範圍第19項所述之曝光前後處理 單元’其中’所述第一和第二緩衝區相互堆壘’且所述第 一和第二緩衝區之每一者包括複數個支撐物，所述支推物 上分別設置所述基板。 @ 21、如申請專利範圍第2 〇項所述之曝光前後處理 單元’其中，該緩衝模組更包括一缓衝區機器人’該緩衝 區機器人用於在所述第一和第二缓衝區之間傳送該基板。 2 2、如申請專利範圍第21項所述之曝光前後處理 單兀’其中’所述第一和第二緩衝區在一垂直方向上並排 配置。 2 3、如申請專利範圍第19項所述之曝光前後處理 單元’其中，該緩衝模組設置於一對應於該第一模組之高 ^ 響 度’且更包括一冷卻室，該冷卻室用於冷卻該基板。 2 4、如申請專利範圍第17項所述之曝光前後處理 單元，其中，該介面模組包括： 一第一緩衝區’其設置於一對應於該第一模組之高度 且臨時儲存基板； 一第二緩衝區，其設置於一對應於該第二模組之高度 且臨時儲存該基板；及 —介面機器人，其用於在該第一緩衝區與該曝光單元 之間以及在該第二緩衝區及該曝光單元之間傳送該基板。 62/66 201028800 25、如申清專利範圍第24項所述之曝光前後處理 單元，其中，所述第一和第二緩衝區相互堆疊，且所述第 一和第二緩衝區之每一者包括複數個支撐物，所述支撐物 上分別設置所述基板。 • 26 —曝光前後處理單元，其用於在-曝光製程之前 ^ 及之後對一於其上塗佈光阻劑之基板執行所需製程，該曝 光前後處理單元包括： 一裝載口，於其上設置一收納所述基板之容器； φ 一分度模組，其自該容器取出基板，或將基板運送至 該容器； 一處理模組，其對基板執行一製程； 一緩衝模組，其設置於該分度模組與該處理模組之 間；及 一介面模組，其連接至一曝光單元， 其中’該裝載口、該分度模組、該緩衝模組、該處理 模組及該介面模組按順序配置在一第一方向上；及 φ 該處理模組包括設置於不同層之第一模組和第二模 組， 、 其中’該第一模組包括： 一保護層塗佈室，其用於將一保護層塗佈於該基板之 上； 一烘烤室’其熱處理該基板；及 ▲ 一回流室，其具有-第-機器人，該第一機器人用於 在該保護層塗佈室、該烘烤室、該緩衝模組、及該介面模 組之間傳送該基板，及 、 該第二模組包括： 63/66 201028800 一清潔室’其用於清潔該基板； 一曝光後烘烤室，其用於對該基板執行一曝光後烘烤 製程；及 一回流室’其具有一第二機器人，該第二機器人用於 在該清潔室、該曝光後烘烤室、該緩衝模組、及該介面模 組之間傳送該晶圓。 2 7、如申請專利範圍第2 6項所述之曝光前後處理 單元，其中，該保護層塗佈室、配備該第一機器人之該回 流室、及該烘烤室按順序配置於一第二方向上；及 該清潔室、配備該第二機器人之該回流室、及該曝光 © 後烘烤室按順序配置於該第二方向上。 2 8、如申請專利範圍第2 7項所述之曝光前後處理 單元，其中，該第一模組佈置於該第二模組之上； 该緩衝模組包括：一第一緩衝區，其設置於一對應於 该第一模組之高度且用於臨時儲存該基板；及一冷卻室， 其δ又置於-對應於該第二模組之高度且躲冷卻該基板； 该第一緩衝區及該冷卻室在一垂直方向上並排配置； 及 〇 自上方檢視時，該第一緩衝區配置成在該第一方向上 與該第一模組之回流室成一直線。 2 9、如申請專利範圍第2 8項所述之曝光前後處理 單元，其中，該緩衝模組更包括： -第二緩衝區’其設置於—對應於該第二模組之高度 且臨時儲存該基板；及 一緩衝區機器人，其用於在所述第—和第二_區之 間傳送該基板， 64/66 201028800 其中自上方檢視時，該第一緩衝區及該緩衝區機器人 配置於一垂直於該第一方向之第二方向上。 3 0、一種基板處理方法，其包括： 在基板上塗佈光阻劑； 在已於其上塗佈光阻劑之基板上塗佈一保護層； ,對已於其上塗佈該保護層之基板執行一液體浸潤微影 製程（liquid immersion lithography process ); /月潔已在§亥液體浸潤微影製程中處理之基板；及 φ 對該基板執行一顯像製程， 〜其中i該保護層之塗佈及該基板之清冑，係在一曝光 前後處理單元中執行，該曝光前後處理單元與一用於執行 該液體浸潤微影製程之曝光單元連接成一直線； .亥光阻劑之塗佈係在—塗佈單元中執行，該塗佈單元 與該曝光前後處理單元分隔；及 摘像製程之執行係實現於—與該曝光前後處理單元 分隔之塗佈單元中。 ❹ 3 1、如申請專利範圍第3◦項所述之基板處理方 法’其更包括在清潔該基板之後且在對該基板執行該顯像 製程之前，對該基板執行一曝光後烘烤製程。 3 2、如申請專利範圍第3 i項所述之基板處理方 法，其中’該基板之清潔係藉由將清潔液體供應至該基板 來執行；及 豸留於4基板上之清潔液體，係藉由加熱該基板來移 除，而無需藉由供應流體來乾燥該基板。 、33、如申請專利範圍第31項所述之基板處理方 法’其中’该基板之清潔係藉由將清潔液體供應至該基板 65/66 201028800 來執行，·及 之後t⑽縣彳m潔㈣，係在緊難基板之清潔 3订之曝光後烘烤製程中被移除。 法其4、如申請專利範圍第3 〇項所述之基板處理方 移除。、中’該保護層係在該曝光前後處理單元之一外側被 沬 如申請專利範圍第30項所述之基板處理方 而其餘Γ ’該保護層之一部分係在該顯像製程中被移除’ P 77係在一灰化製程（ashing process)中被移除。 ❿

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