TW201026816A - Amine high molecular compound and light-emitting element using same - Google Patents

Description

201026816 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關胺系高分子化合物及使用該化合物的 發光元件。 【先前技術】 已知在苐（f 1 uorene)結構之第9位置導入2個烧基之 9, 9-二烷基第等具有第結構之高分子化合物係可用在發光 元件（高分子LED等）等之製造中（Advanced Materials 2000, 12(33)，1737至1750)。作為發光效率優異之高分 子化合物者，已知有在苐結構之第9位置導入2個三笨基 胺骨架之高分子化合物（日本特表2004-500463號公報）、 在苐結構之第9位置導入2個不同芳基之高分子化合物（曰 本特表2004-527553號公報）。 【發明内容】 然而，含此等高分子化合物之發光元件，在顯示器等 使用時的實用領域之l〇〇〇cd/m2的亮度中，外部量子收率 (考慮到色度方面就成為發光效率的指標）不一定充分。 本發明之目的係提供一種高分子化合物，其在製作 1000cd/m2的亮度中之外部量子收率優異之發光元件中為 有用之高分子化合物。 本發明之第一係提供含有下述式（la)所示結構單元 之高分子化合物。 4 321622 201026816

[式中，A環及B環是各自獨立，表示可有取代基之芳香族 烴環。R1表示下述式（2)所示之基。R2表示芳基或1價之芳 香族雜環基，此等基中之氫原子，可經烷基、烷氧基、烷 硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳 烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子或氰基所取代。] ❿ ——Ar1—N——Ar2—Ar4

Ar5 (2) [式中，Ar1表示伸芳基，或者相同或不同之2個以上之伸 芳基直接鍵結的2價基。Ar4及Ar5是各自獨立，表示芳基 或1價之芳香族雜環基。Ar2及Ar3是各自獨立，表示伸芳 @基、或2價之芳香族雜環基。Ar2及Ar3是伸苯基時，從鍵 結在該等伸苯基之氮原子算起位在鄰位，Ar2所示伸苯基上 之1個碳原子，與Ar3所示伸苯基上之1個碳原子，互相 直接鍵結，或與-0_、、_C(=0)_、-C(=0)_0_、_N(R6)_、. -C(=0)-N(R6)-、或-C(R6)(R6)-鍵結而形成 5 至 7 員環。R6 表示氫原子、烷基、芳基、或1價之芳香族雜環基。Ar1、 Ar2、Ar3、Ar4、Ar5及Ar6所示基中之氫原子各個可經烧基、 烧氧基、燒硫基、取代幾基、取代竣基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子或氰基所 5 321622 201026816 取代。R6為複數個存在時，此等可為相同或相異。 本發明之第二係提供含有下述式（A)所示之化人物 口 (A) R5a 八 R5b R2 [式中，“、^"、〜、及"與前述相 同意義。 X及X是各自獨立，表示溴原子、碘原子、氯原子、 -〇-S(=0)2R20, -B(〇R21)2 > -BF4Q1 > -Sn(R22)3, _Mgyl ^_Ζηγ1 〇 R20表示燒基’或可經烧基、烧氧基、硝基、氟原子或氰基 取狀芳基。R21及R22是各自獨立，表示氣原子或是烧基。 2個R21可為相同或相異，亦可以共同形成環。^個r22可為 相同或相異，亦可以共同形成環4表示鐘、鈉、卸、^、 或鉋之1價陽離子。γΐ表示溴原子、碘原子、或是氣原子叫 本發明之第三係提供含有前述高分子化合物之組成 物的薄膜。 本發明之第四係提供含有前述高分子化合物與溶劑 之溶液。 、月 本發明之第五係提供一種發光元件，其具有由陽極及 陰極所構成的電極，與在該電極間設置之含有前述高分子 化合物的有機層。 本發明之第六係提供具備前述發光元件之面狀光源 的顯示農置。 321622 6 201026816 【實施方式】 實施發明之最佳形態： . 以下，詳細說明本發明。 本說明書中，「結構單元」是指在高分子化合物中存 在有1個以上之單元的意思，但該結構單元係以「重覆單 元」（即，在高分子化合物中存在有2個以上之單元）含在 高分子化合物中為宜。「η價之芳香族雜環基」（η是1或 2)是指由有芳香族性雜環式化合物中除去η個氩原子的原 ©子團之意，也包含縮合環之基。「雜環式化合物」是指在具 有環式結構之有機化合物中，構成環之原子不僅有碳原 子’尚且含有氧原子、硫原子、氮原子、碟原子、棚原子、 矽原子等雜原子的化合物。「芳香族雜環式化合物」是指噚 二0坐（oxadiazole)、0塞二口坐、嗓哇、曙嗤、嘆吩、口比口各、 麟雜戊（Phosphole)、咬α南、π比咬（pyridine)、α比 哄（pyrazine)、嘧啶（pyrimidine)、三吖啶、嗒 ❹畊（pyridazine)、喹啉、異喹啉、咔唑(carbaz〇ie)、二苯 并矽雜環戊二烯（dibenzosil〇le)、二苯并磷雜茂等含雜原 子之雜環式化合物，該雜環本身顯示有芳香族性者；含有 吩噚畊（phenoxazine)、吩噻哄（phen〇thiazine)、二苯并 硼茂、二苯并矽茂、苯并％喃等雜原子之雜環本身即使沒 有顯示芳香族性，也在該雜環中芳香環為縮環之化合物^ 意思。 。的 <高分子化合物> 一式（la)所示結構單元〜 321622 7 201026816 本發明之高分子化合物是含有式（la)所示之結構單 元。 式（la)中，A環及B環所示芳香族烴環中，通常，構 成芳香環之碳原子數是6至14。作為芳香族烴環者，可列 舉如：苯環、萘環、荞環、蒽環、菲環等。芳香族烴環也 可以是有取代基。在A環及B環上是存在有各個之鍵結鍵。 式（la)中，R2所示芳基係自芳香族烴除去i個氫原子 之原子團，包含有縮合環之基。芳基的碳數通常是6至6〇, 而以6至48為佳、以6至20較佳、以6至14更佳。在該 碳數中是不含取代基之碳數。作為芳基者，可列舉如：苯 基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-并四 笨基（Ι-tetracenyl)、2-并四笨基、5-并四笨基、卜芘基 (1 pyrenyl)、2- 比基、4-比基、2-花基（2-perylenyl)、 3~式基、2-苐基（2-fluorenyl)、3-荞基、4-g基、卜聯苯 基、2~聯苯基、2-菲基、9-菲基、6-笨并菲基（chrysenyl)、 卜六苯并苯基（l-C〇ronenyi)等。芳基中之氫原子亦可被烷 基、烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子、氰 基所取代。 式（la)中，R所示1價之芳香族雜環基之碳數通常是 、〇以3至20為佳。該$厌數是不含取代基之碳數。作 為1饧芳香族雜環基者，可以列舉如：2-曙二唑基、2-噻 η二唑基、2-噻唑基、2_噚唑基、2_噻吩基、2—吡咯基、2一 呋喃基、2-吡啶基、3_吡啶基、4_吡啶基、2_吡畊基、2一 321622 8

I 201026816 " 嘧啶基、2-三畊基、3-嗒畊i、喹啉基、異喹啉基、2-咔 _ 唑基、3-咔唑基、2-吩噚畊基、3-吩噚畊基、2-吩噻畊基、 3-吩噻畊基等。1價之芳香族雜環基中之氫原子亦可被烷 基、烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子、氰 基所取代。 •取代基之說明 烷基可以是直鏈、分枝或環狀之任何者，碳數通常是 ❹ 1至20。作為烷基者，可以列舉如：甲基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、 環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、3, 7-二 甲基辛基、十二烷基、三氟曱基、五氟乙基、全氟丁基、 全氟己基、全氟辛基等。 烷氧基可以是直鏈、分枝或環狀之任何者，碳數通常 是1至20。作為烷氧基者，可以列舉如：曱氧基、乙氧基、 丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊 氧基、己氧基、環己氧基、庚氡基、辛氧基、2-乙基己氧 基、壬氧基、癸氧基、3, 7-二甲基辛氧基、十二烷氧基、 三氟曱氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氨己氧基、全 氟辛氧基、甲氧基甲基氧基、2-曱氧基乙基氧基、2-乙氧 基乙基氧基等。 烷硫基可以是直鏈、分枝或環狀之任何者，碳數通常 是1至20。作為烷硫基者，可以列舉如：丁硫基、己硫基、 辛硫基、2 -乙基己硫基、3, 7-二曱基辛硫基、十二烧硫基 9 321622 201026816 等。 取代羰基之碳數通常是2至60。作為取代幾基者，可 以列舉如：以烷基、芳基、芳烷基或1價之芳香族雜環基 取代之羰基等，以乙醯基、丁醯基、苯醯基為佳。 取代竣基之碳數通常是2至60。作為取代竣基者，可 以列舉如：以烧基、芳基、芳烧基或1價之芳香族雜環基 取代之羧基等，以曱氧羰基、乙氧羰基、丁氧羰基、苯氧 羰基、苄氧羰基為佳。 ^基係與在R2所示芳基之項的說明例示者相同。 芳氧基之碳數通常是6至60。作為芳氧基者，可以列 舉如：苯氧基、（^至C,2烷氧基苯氧基（「匕至c】2烷氧基」 疋表示燒氧基部分之碳數是1至12，以下同樣）、〇至c12 院基苯氧基（「匕至C成基」是表示烧基部分之碳數是i 至12;以下同樣）、卜萘氧基、2-萘氧基、五氟苯氧基等。 芳硫基之碳數通常是6至6〇。作為芳硫基者，可以列 牛如苯硫基、c丨至Cl2烷氧基苯硫基、c丨至Cia烷基苯硫 基1萘硫基、2-萘硫基、五氟苯硫基等。 芳烷基之碳數通常是7至6〇。作為芳烷基者，可以列 舉如：苯基-CjCl2院基、Ci至Ci2炫氧基笨基_Ci至Ci2烧 基…至CJ烷基苯基-C至^烷基、卜萘基_Ci至Ci2烷基、 2-萘基-Ci至Ci2燒基等。 作為取代基之1财香録環基，職在作為r2所示 土之1½芳香族雜環基項中說明例示者相同。 式（la)中’作為R2所示之基者，係以芳基為佳，從本 321622 10 201026816 發明高分子化合物之對有機溶劑的溶解性與耐熱性的平衡 等觀點而言，以烷基、烷氧基或芳基取代之芳基、非取代 - 之芳基較佳，以烷基或芳基取代之芳基、非取代之芳基更 佳，以烷基取代之芳基為特佳。 作為R2所示之基的適合例者，可以列舉如：苯基、4-甲苯基、4-丁苯基、4-第三丁苯基、4-己苯基、4-辛苯基、 4-(2-乙基己基）苯基、4-(3,7-二曱基辛基）笨基、3-曱苯 基、3-丁苯基、3-第三丁苯基、3-己苯基、3-辛苯基、3-(2-© 乙基己基）苯基、3-(3, 7-二曱基辛基）苯基、3, 5-二甲基苯 基、3, 5-二-(第三丁基）苯基、3, 4-二己基苯基、3, 4-二辛 基苯基、1-蔡基、2-蔡基、2 -第基、9，9-二己基-2 -第基、 9，9-二辛基-2-苐基、4-(4’ -第三丁基聯苯基）。 其次，說明式（la)中，R1所示之式（2)所示之基。 式（2)中，Ar1、Ar2及Ar3所示之伸芳基，係指由芳香 族烴除去2個氳原子之原子團的意思，包含有縮合環之 φ基。伸芳基之碳數通常是6至60。該碳數是不含取代基之 碳數。作為伸芳基者，可以列舉如：1，4-伸苯基、1,3-伸 苯基、1,2-伸苯基等伸苯基；萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、 茶_2，6-二基等萘二基；蒽-1,4-二基、蒽-1,5-二基、蒽 _2，6-二基、总-9，10-二基等葱二基；菲-2. 7_二基等菲二 基；弁四苯-1，7_二基、并四苯_2，8_二基等弁四苯二基； 苐-2, 7-二基、7H-苯并[c]苐-5, 9-二基、6, 12-二氩-茚并 [1，2-b]苐-2, 8-二基等苐二基。伸芳基中之氛原子亦可以 被炫基、烧氧基、烧硫基、取代幾基、取代缓基、芳基、 11 321622 201026816 芳氧基、芳硫基、芳烷基、1價芳香族雜環基、氟原子、 氰基等取代。 式（2)中，Ar2及Ar3所示之2價芳香族雜環基之碳數 . 通常是2至60。該碳數是不含取代基之碳數。作為2價芳 香族雜環基者，可以列舉如：1, 3, 4-卩等二α坐-2，5-二基、 -2, 5 -二基、β塞吩-2, 5 -二基、π比17各- 2，5 -二基、π夫喃-2,5-二基、吼啶-2, 5-二基、β比咬-2, 4-二基、11比咬-2, 6-二基、 吡啶-3, 5-二基、嘧啶-2, 4-二基、嘧啶-2, 6-二基、三畊 ❹ -2，4-二基、。荅哄_3，6_二基、啼°坐-2，7-二基、'3卡11坐-3，6-二基、吩噚畊-2, 7-二基、吩噚畊-3, 6-二基、吩噻畊-2, 7-二基、吩噻畊一3, 6-二基等。2價芳香族雜環基中之氫原 子，亦可以被烷基、烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、1價芳香族雜環基、 氟原子、氰基等取代。 式（2)中，作為Ar1所示之相同或相異之2個以上的伸 芳基為直接鍵結的2價基者，可以列舉如：聯苯-4,4’ -二基、聯苯-3, 4’ -二基、聯苯-3, 3’ -二基等聯苯二基； [1，Γ ;4’，1” ]聯三苯基-4,4” -二基等聯三苯基二基。

Ar1所示之相同或相異之2個以上的伸芳基為直接鍵結的2 價基中之氫原子，亦可以被烷基、烷氧基、烷硫基、取代 羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、1價 芳香族雜環基、氟原子、氰基等取代。 式（2)中，作為Ar1者，以：1,4-伸苯基、1, 3-伸苯基、 12 321622 201026816 萘-1’4_二基、萘-1，5-二基、萘^2 ^ 蒽-9, 10-二基、菲一 2. 7-二基、、^ _ 一土、蒽-2, 6-二基、 ’ 一燒基-苯并「c 1驻κ 〇--基、7,7-二芳基一苯并[〇]||〜5,9〜_ ]苇-5,9-一 _節并[1，24]第-2,8-二基、6^二土、，，12，12—四炫基 ’ [1，2_勝2,8-二基、聯苯2，12=芳基〜節并 二基、聯苯基m a:二基、;^基- -4,4 -二基為佳，從本發明高 ]聯二苯基 © E1;而丄、，4 子化合物之合成容层产觀 〇點而吕，以“-伸苯基、1>3一 成谷易度觀 基、聯苯基-3,4，--A、躐-基、聯本基―4,4，一二 ，* —暴聯笨基q r 一-甘从 式（2)中，作為紅2及紅3 ’ 一—基為特佳。 之耐熱性及合成容易度觀點而令’二,：明高分子化合物 苯基、葱，10-二基、9,心基第—2, 7=基、 基苐-2· 7〜二基為佳。 一基、9, 9-二芳 式（2)中，作為Ar4及Αγ5所示— ©環基者，係與作為R2所示之芳武^之芳基、1價芳香族雜 明例示者相同。 方,、1價芳香族雜環基之說 式（2)中，作為Αρ4及 之耐熱性觀點而言，以 從本發明高分子化合物 非取代之芳基較佳，以:基或=或芳基取代之芳基、 芳基較佳，城基衫絲=代之芳基、非取代之 基或芳基取代之ρ茨I 本基、非取代之苯基、烷 齋基、非取代之彳 代之2-萘基、非取代之2_关 1萘基、烷基或芳基取 基、非取代之2-第基為更^基、烷基或芳基取代之2一苐 321622 13 201026816 作為Ar4及Ar3者，可以列舉如：4-曱苯基、4-丁苯基、 4-第二丁苯基、4-己苯基、4-辛苯基、4-(2-乙基己基）苯 基、4-(3, 7-二甲基辛基）苯基、3-甲苯基、3一丁苯基、 第二丁苯基、3-己苯基、3-辛苯基、3-(2-乙基己基）苯基、 3-(3,7-二甲基辛基）苯基、3, 5_二甲基笨基、3,5_二一（第 三丁基）苯基、3, 4-二己基苯基、3, 4_二辛基苯基、卜萘基、 2萘基、2-第基、9, 9-二己基-2-第基、9, 9-二辛基-2-棊 基9’9雙（4-甲笨基）-2-¾基、9, 9-雙（4-己苯基）-2-筅 基、7. 9. 9-三辛基-2-第基、7-(4’ -正丁基苯基）_9, 9_雙 (4-己苯基）-2-第基、4-(4，-第三丁基聯笨基）基、4_(4，_ 己基聯苯基）等。 式（2)中，Ar及Ar為伸苯基時，從與此等伸笨基鍵 結之氮原子來看位於鄰位，在紅2所示伸苯基上之i個碳 原子，與Ar3所示伸苯基上之1個碳原子，為互相直接鍵 結，或是與-〇一、_s_、-C(=〇)…c(=〇)—D… C(”）-D(r6)_鍵結，而形成5至7員環時， 广直接，結，或是與_〇_、LC(r6)(r6)一鍵結，而形成 二員而St ’广鍵結’或是與+或，6)(R6)_ 、-而形成5至6貝環較佳。作為5至7員環者 =舉Ar與Ar3直接鍵結而成之啼唾環、紅2與紅3以冬 ”,吩啊環士2及^與鍵結而成為1 風丫，等’從發光效率之魅以吩—環為佳。— Κ6表示之院基’係與前述取代基之說明項中 基之說明㈣者㈣。係與料與為= 321622 14 201026816 Λ, 所示芳基之說明例示者相同。R6所示1價芳香族雜環基， 係與R2所示基之說明中，作為1價芳香族雜環基之說明例 . 示者相同。作為R6所示之基者，以烧基、芳基為佳。 作為式（2)所示之基者，以下述式（2-000)、（2-100)所示 之基為佳。

(2-100) (2-000) [式中，Ar4與Ar5係表示與前述相同之意思] 作為式（2-000)所示之基者，係以下之式（2-001)至 (2-008)所示之基；此等基中的氫原子，為被選自由烷基、 @烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烷基、1價芳香族雜環基、氟原子、及氰基所 成群組之基所取代的基。式中，自芳香環伸出之鍵結鍵， 係表示其原來之鍵結鍵，或是表示介由伸芳基之鍵結鍵。

15 321622 201026816

(2-008) 作為式（2-1G0)所示之基者，細下之式（2. (2-108)所示之基；此等基中的氫原子，為被選自由烧基、 烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳美、—^ 土 芳硫基、芳絲、1價芳香_環基、氟原子、^^^所 成群組之基所取代的基。式中，自芳香環伸出之鍵結^， 係表示其原來之鍵結鍵，或是表示介由伸芳基之鍵結鍵。

(2-106) (2-107)

作為式（2)所示之基者，其他也可以是下述式（2-201) 至（2-208)、（2-301)至（2-308)所示之基；此等之基中的氫

(2-108) 16 321622 201026816 原子，為被選自由烧基、烧氧基、烧硫基、取代幾基、取 代竣基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、1價芳香族雜 環基、氟原子、及氰基所成群組之基所取代的基。式中， 自芳香環伸出之鍵結鍵，係表示其原來之键結鍵，或是表 示介由伸芳基之鍵結鍵。

17 321622 201026816

•式（1)所示結構單元 作為式（la)所示結構單元者，從合成之容易度觀'點而 言’以下述式（1)所示結構單元為佳。口

[式I ’R及R2是與前述相同意義。R3a、R4a、R5a、R3b、R4b、 係各自獨立’表示氫原子、统基、芳基、或i價之芳 '雜％基、-N(R8)(R9)、I原子、或氰基。尺8及R9係各 蜀立’表不虱原子、燒基、芳基、或1價之芳香族雜環 321622 18 201026816 •基。R3a、R4a、R5a、R3b、R4b、R5b、R8 及 R9 所示之芳基及 i 價芳香族雜環基中的氫原子，各個，亦可以是被烧基、燒 氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳烧基、1價芳香族雜環基、敗原子、或氰基所取 代。R31 R4a、R31 R4b、R3^ R3b、及 R8 與 R9，各個，亦 可以共同形成環。] 式中，R3a、R4a、R5a、R3b、R4b、R5b、R8 及 R9 所示之烷基、 芳基’係與取代基之說明項中，作為烷基、芳基之說明例 © 示者相同。R3a、R4a、R5a、R3b、R4b、R5b、尺8及 Rg 所示之 1 價芳香族雜環基，係與R2所示基之說明中，作為1價芳香 族雜環基之說明例示者相同。R3b、R4b、R5b、R8及f所示之 基可有作為取代基之烷基、烷氧基、烷硫基、取代羰基、 取代竣基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烧基、1價芳香族 雜環基，係與在取代基之說明項中，例示之說明者相同。 作為R8及R9者，從本發明高分子化合物之耐熱性觀點 © %言’ 以Ci至C1Z烷基、非取代或以Ci至CV2烷基取代之芳 基為佳，以非取代或以匕至C12烷基取代之芳基更佳。 作為-n(r8)(r9)所示之基者，可列舉如：二苯基胺基、 二-4-甲苯基胺基、二-3-甲苯基胺基、二-(4-第三丁苯基） 胺基、二-(4-己苯基）胺基、雙（（3, 5-二-第三丁基）苯基） 胺基、苯基-1-萘基胺基、苯基-2-萘基胺基等。 作為R3a、R4a、R5a、R3b、R4b及俨者，從本發明高分子 化合物之合成容易度觀點而言，以氫原子、烷基、芳基為 佳，以氫原子更佳。 19 321622 201026816 作為式（1)所示結構單元者，為以下之式（1_001)至 (1 008)^1^1)至（HG9)、（1-201)至（卜202)、（1-301) 至（1-303)所示之基；此等基中的氫原子可列舉如：以選自 ^烧基、絲基、院硫基、取代縣、取代絲、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳烷基、1價芳香族雜環基、氟原子、 及氰基所成群組之基所取代的基。以下之式中，.表示甲 基、n-Bu表示正丁基、t-Bu表示第三丁基，以下相同。

(1-001)

(1-002)

17 321622 20 201026816

6^13

❹

21 321622 201026816

-式（3)至（5)所示之結構單元- 本發明之高分子化合物，除了式（la)所示之結構單 元之外，亦可以復含有選自由下述式⑶至⑸所示 單元所成群組中至少一種的結構單元。 、'、σ構 -Ar8- (3) 321622 22 (4) 201026816

Ar9一N—/-Ar10—nA—Ar12· Ar11 Ar14

❿-Ar16-X1— (5) [式中，ArlAl-是各自獨立’表示選自於由伸芳基、或 2憤之芳钱雜環基、歧伸芳基及2價之芳香族雜環基 所成群組之相同的或相異之2個以上之基為經直接鍵結的 2價基是各自獨立，表示伸芳基、 或相同的或相異之2個以上之伸芳基為經直接鍵結的2價 ^基。Ax-、Ar“、及Ar"是各自獨立，表示伸芳基或i價 ❹芳香族雜環基。Ar8及Ar16所示之伸芳基、2價芳香族雜環 基及2價基中之氫原子，各個，亦可以是被烷基、烷氧基、 烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烧基、1價芳香族雜環基、-N(R8)(r9)、氟原子、氰基所 取代。Ar9、Ar1。、Ar11、Ar12、Ar13、Ar14及 Ar15所示基中之 氫原子，各個，亦可以是被烷基、烷氧基、烷硫基、取代 羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、i價 务香無雜環基、氟原子、或氰基所取代。選泰由、Ar14 及Ar15所示之基所成群組之基，係該基與相同氮原子鍵結 23 321622 201026816 =由A?、A，、A〜2、A〜及紅、示之基 成群組之基，互相直接鍵結，或亦可以盥_〇一、-S_、 -c(=o)-、-C(=0)+、_n(r6)——c(=〇)_n(r6)—或 :⑽勝鍵結，而形成5至7員環。^及麵各自獨立， =或。X1表示―⑽：⑽—或心。r7表示氫原子、 几土、方基、1價芳香族雜環基、氟原子、或氰基。R7所 1之=亦可以有取代基。Arl。、^ίΑγ15為複數 時’可各為相同或相異υ及R9是表示與前述相同之 意思。 •式（3)所示之結構單元 使用本發明之高分子化合物而得之發光元件的發光 效率’從由該發光元件而得之色度難的容易度、發光元 件的驅動電壓或耐熱性的觀點而言，本發明之高分子化人 物以含有式（3)所示之結構單元為佳。 口 A〆所示之伸芳基係指從芳香族煙除去2個氫原子之 原子團的意思，包含有縮合環之基。伸芳基之碳數通常是 ’以6至48為佳，較佳是6至30，更佳是6至14。 該碳數中不含取代基之碳數。作為伸芳基者，可列舉如： U-伸苯基'u-伸苯基]，2_伸苯基等伸笨基n 4— ，基、萘-1，5-二基、萘-2, 6—二基等萘二基；蒽_丨，4T_二基、 4-1，5-二基、蒽—2,6_二基、蒽_91〇_二基等蒽二基；^ 2, 7 -基等菲二基；4, 5-二氫菲-2, 7-二基等二氫菲二 基=苯妙二基、并四苯…基、并四苯协 -基等并四苯m，7_二基m二基等第二基； 321622 24 201026816 祐-1，6_二基、祐-1，8_二基、祐_2，7-二基、拓_4，9_二基 等祐二基；苑_2，5_二基、.苑_2，8-二基、花_3，9_二基、花 -3, 10-二基等茈二基；7H-苯并[c]苐-5, 9-二基等苯并g二 基、6, 12-二氳-茚并[1,2-b]苐-2, 8-二基等二氫茚并第二 基等。此等之伸芳基中之氫原子，亦可以是被烷基、烷氧 基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫 基、芳燒基、1價芳香族雜環基、_n(r8)(r9)、氟原子、或 氰基取代。Ar8所示之基係與式（la)所示之基不同。 © Ar8所示之2價芳香族雜環基，係自芳香族雜環式化合 物除去2個氫原子之原子團，也包含有縮合環之基。2價 芳香族雜環基之碳數通常是3至60，以3至20為佳。該 碳數中不包含取代基之碳數。作為2價芳香族雜環基者， 可列舉如：曙二峻-2, 5-二基、隹二嗤-2, 5-二基、嗟峻-2, 5-二基等噻唑二基；噚唑-2, 5-二基等噚唑二基；噻吩-2,5-二基等隹吩二基；π比洛_2，5_二基等°比洛二基；11夫α南- 2,5- ❹二基等吱喃二基；吼唆-2, 5-二基、σ比咬-2,6-二基等°比咬 二基；吼畊-2, 5-二基等吡哄二基；嘧啶-4, 6-二基等嘧啶 二基；三哄_2，4-二基；。荅啡-3，6_二基等σ荅啡二基；啥嚇· _2，6-二基等啥琳二基；異喧嚇·~·1，4_二基.等異喧嚇·二基； 喧喔琳-5, 8-二基等喧喔琳二基；崎唾-2, 7-二基、味峻 -3, 6-二基等咔唑二基；吩噚哄-3, 7-二基、吩噚畊-2, 8-二基等吩卩琴哄二基；吩嗟哄-3，7-二基、吩售哄-2，8-二基 等吩噻哄二基；苯并[1,2,5]噻二唑-4, 7-二基等苯并噻二 唑二基；苯并噻唑-4, 7-二基等苯并噻唑二基；二苯并矽雜 25 321622 201026816 ί哀戊一埽~2, 7~ _基、-芏丑坊灿 苯并石夕雜⑽"；Γ 環戊二㈣，6'二基等二 原子，~ —基等。料2衫㈣雜環基中之氫 =美是被院基、糧、燒硫基、取代幾基、： 環基:二8基、9芳氧基、芳硫基、芳院基、1價芳香族雜 土 （R )(R9)、氟原子、氰基等所取代。 〇 ❹ 式⑶中’Ar8以u_伸苯基m，3_伸苯基、蔡—】扣 一^ 奈-1’ 二基、萘-2, 6—二基、葱 _2, 6一二基、葱 ' 1〇_ -基、[2.7~二基令3, 6_ 二基、拓]，6_二基、μ 8— 一基，、苑-3, 9一二基、7Η一苯并[c]苐_5, 9_二基、6, ΐ2一二氫 并[1，2 b]第-2, 8-一基、曙二。坐-2, 5-二基、。塞二唾—2 5 -二基、嗟吩-2,5_二基m 5_二基"純_2,6_二基、 異喹啉-1，4—二基、喹喔啉_5,8_二基、咔唑_2,7_二基、咔 唑-3’ 6-二基、吩噚哄_2, 7_二基、吩噚畊_3, 6_二基、吩噻 畊~2, 7—二基、吩噻啡6-二基、苯并[1，2, 5]噻二唑-4, 7-一基為佳，較佳是1，4-伸苯基、萘— ί，4_二基、萘_2, 6 —二 基、蒽-2, 6-二基、蒽一9, 10_二基、苐―2. 7_二基、祐'6_ 二基、茈-3, 9-二基、7H-苯并[c]第-5, 9-二基、6, 12-二氫 茚并[1，2-b]第-2, 8-二基、啥琳-2, 6-二基、喧喔淋-5, 8_ 二基、吩噚畊-3, 7-二基、吩噻畊-3, 7-二基、笨并[1，2, 5] 噻二唑-4, 7-二基。此等之基中的氫原子，亦可以是被烷 基、烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳烷基、1價芳香族雜環基、_N(R8)(R9)、氟 原子、氰基等所取代。 式（3)中，Ar8從本發明高分子化合物之耐熱性的觀點 26 321622 201026816 而 言，以下述式（3a)、（3b)之任一 從使用本發明高分子化合物而得: = = ^ 者所示之2 ί 以下述式（3b)、⑽之任一 發光元件^基為佳，從使用本發明高分子化合物而得之 (3e)之任-去光效率的觀點而言，以下述式（3b)、（3d)、 價基為特隹/杨之2價基為佳’以下述式（3b)所示之2 〇

(3a) [式中，I?10 I - 衣不烷基、烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代 土方卷、芳氧基、芳硫基、芳烷基、丨價芳香族雜環 ~N(R8)(R”、氟原子、或氰基。f表示0至4的整數。 R為複數存在時，其等可為相同亦可為相異。] 〇

(3b) R11 R12 [式中’ R11及R12是各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、 芳燒1基、或1價芳香族雜環基。R11及R12也可以共同形成 環。] 27 321622 201026816

(3c) [式中’R及R是各自獨立’表示氫原子、烷基、烷氧基、 院硫基、取代羰基、取代絲、芳基基、芳硫基、 芳烧基、1價芳香族雜環基、-嶋α9)、氟原子、或氰基

IR15 (3d) 價芳香族雜環基或 [式中’ R15表示氫原子、烷基、芳基 芳烧基。]

, (3e) R16 [式中，R16表示氫原子、烷基、芳基、i價芳香族雜環基或 芳烧基。] 式（3a)中之R1G是以烷基、烷氧基、取代羰基、芳基、 芳氧基、芳烷基、1價芳香族雜環基、—N(R8)(R9)為佳，更 佳為烧基、烧氧基或芳基。烧基、烧氧基、貌硫基、取代 28 321622 201026816 ' 羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基係與作 為R2之取代基的說明例示者相同。R1G所示之1價芳香族雜 環基係與作為R2所示基的1價芳香族雜環基之項的說明例 示者相同。 式（3a)中，f以1至4之整數為佳，較佳是1、2，更 佳是2。 式（3b)中之R11及R12、式（3d)中之R15及式（3e)中之R16 是以烷基、芳基、1價芳香族雜環基為佳，較佳是烷基、 ❹芳基。烷基、芳基及芳烷基係與作為R2之取代基的說明例 示者相同。R11、R12、R15、R16所示之1價芳香族雜環基係與 作為R2所示基的1價芳香族雜環基之項的說明例示者相 同。 式（3c)中之R13及R14是以氳原子、烷基為佳。烷基係 與作為R2之取代基的說明例示者相同。R13及R14所示之1 價芳香族雜環基係與作為R2所示基的1價芳香族雜環基之 ❿項的說明例示者相同。 •式（4)所示之結構單元 從本發明高分子化合物之耐熱性提高，或從使用該高 分子化合物而得之發光元件的發光效率，或耐熱性的觀點 而言，本發明之高分子化合物是以含有式（4)所示之結構單 元為佳。 式（4)中，Ar9至Ar12所示伸芳基、相同或相異之2個 以上之伸芳基為直接鍵結之2價基，係與作為式（2)中之 Ar1的說明例示者相同。 29 321622 201026816 式（4)中之Ar至Arls所示伸芳基、1伊 ^ Λ 2 3 Η貝方香族雜環 I、作為式⑵中之Ar2及紅3的說明例示者相同。 作為式（4)所示結構單元者，可列舉下述式⑻至⑽ 所不結構單元。此等式中，Ra表錢原子、㈣、燒氧基、 ㈣基、取倾基、取代縣、綠、芳氧基、芳硫基、 方坑基、1價芳香族雜環基、氟原子、或氰基，而以氨原 子二烷基為佳。複數存在時，Ra可以相同亦可相異。烷基、 2氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧 芳硫基、芳烷基、1價芳香族雜環基，係與式（la)中之R2 為有取代基時的取代基項之說明例示者相同。

從調節使用本發明高分子化合物之發光元件的色度 觀點而言，本發明之高分子化合物也可以是含有式（5)所示 之結構早元。 30 321622 201026816 ' 式（5)中，選自Ar16所示之伸芳基、2價芳香族雜環基、 該伸芳基及該2價之芳香族雜環基所成群組之相同的或相 異之2個以上之基經直接鍵結的2價基，係與作為Ar8之 說明例示者相同。 式（5)中，可含在X1中之R7，係以氫原子、烷基、芳 基為佳，更佳為氫原子、芳基。烷基及芳基也可以有取代 基。烷基及芳基係與式（la)中作為R2之取代基的說明例示 者相同。R7所示之1價芳香族雜環基，係與作為R2所示之 ❹基的1價芳香族雜環基項之說明例示者相同。 式（5)所示之結構單元，係以下述式（5a)至（5k)所示 之結構單元為佳。

—本發明之高分子化合物一 本發明之高分子化合物，從發光元件的發光效率之觀 31 321622 201026816 點而^相對於全構成單元之合計莫耳數，式㈤所示之 '。構單元莫耳數，以G.丨至丨為佳，以5至Μ %較佳， 以1至20%更佳。 …在本發明之高分子化合物中，除了式（⑷所示之結構 單兀之外’復含有式⑶至式⑸所示之結構單元時，從發 光儿件的發光效率之觀點而言，相對於全構成單元之合計 莫耳數，式（la)、式⑶至式⑸所示之結構單元之合計莫 耳數，以90至100%為佳，以95至1〇〇 %較佳，以98至、 100%更佳，以100%為特佳。 又，在本發明之高分子化合物中，除了式（la)所示之 、。構單元之外，復含有式（3)、（4)所示之結構單元時，從 向分子化合物之耐熱性'發光元件的發光效率之觀點而 言，相對於全構成單元之合計莫耳數，式（la)、式（3)、式 (4)所不之結構單元之合計莫耳數，以9〇至丨〇⑽為佳，以 95至1 〇〇 %較佳。 作為本發明之高分子化合物者，除了式（la)所示之結 構早το之外，以與選自式（3)、（4)所示結構單元所成群組 中至少一種之結構單元所成的高分子化合物為佳。 作為本發明之高分子化合物者，其他的也可列舉如： 式（1)所示之結構單元所成的高分子化合物；式（〗）及式（3a) 所不之結構單元所成的高分子化合物；式（1)、式（3a)及式 (3b)所示之結構單元所成的高分子化合物；式（1)、式（3a) 及式（4a)所示之結構單元所成的高分子化合物；式〇)、式 (3a)、式（3b)及式（4a)所示之結構單元所成的高分子化合 32 321622 201026816 物；式（1)及式（3b)所不之結構单元所成的而分子化合物； 式（1)、式（3b)及式（3c)所示之結構單元所成的高分子化合 . 物；式（1)、式（3b)、式（3c)及式（3d)所示之結構單元所成 的高分子化合物；式（1)、式（3b)、式（3c)及式（4d)所示之 結構單元所成的高分子化合物；式（1)、式（3b)及式（3d) 所示之結構單元所成的高分子化合物；式（1)、式（3b)及式 (3e)所示之結構單元所成的高分子化合物；式（1)、式（3b) 及式（4a)所示之結構單元所成的高分子化合物；式（1)、式 © (3b)及式（4b)所示之結構單元所成的高分子化合物；式 (1)、式（3b)及式（4c)所示之結構單元所成的高分子化合 物；式（1)、式（3b)及式（4d)所示之結構單元所成的高分子 化合物；式（1)及式（4a)所示之結構單元所成的南分子化合 物；式（1)及式（4b)所示之結構單元所成的高分子化合物； 式（1)及式（4c)所示之結構單元所成的高分子化合物；式（1) 及式（4d)所示之結構單元所成的高分子化合物。作為本發 φ明之高分子化合物的具體例者，可以列舉以不之高分子化 合物。式中，v/w、V 1 / w1 /x1、vn/w /X 、V / ⑴、.π/^/χΐν、Vv/Wv/Xv 是表示 2 種或 3 種 之結構單元的莫耳比。 321622 33 201026816

[式中，v是0至0.99之數，w是0.01至1之數，v+w=l ]。

[式中，v1是0至0.98之數，w1是0.01至0.99之數，X 是 0.01 至 0.99 之數，vHwi+x^l]。

[式中，v11是0至0. 98之數，w11是0. 01至0. 99之數，χπ 是 0. 01 至 0· 50 之數，vn+whx'l]。 34 321622 201026816

[式中，V11是0至0. 98之數，W11是0. 01至0. 99之數，X11 是 0. 01 至 0. 50 之數，vn+wn+xn=l ]。

[式中，V11是0至0.98之數，w11是0.01至0.99之數，X11 是 0. 01 至 0. 50 之數，vn+wn+xn=l]。

[式中，νιη是0至0. 98之數，wm是0. 01至0. 99之數，X111 是 0. 01 至 0. 50 之數，vm+wm+x111^ ]。 35 321622 201026816

[式中，V111是0至〇· 98之數，W111是0. 01至0. 99之數，χΠΙ 是 0. 01 至 0. 50 之數，ν^+ψ^+χ11、；!]。

KylV^IV^IV

[式中，Vivl 0 至 0. 98 之數，wIV* 0. 01 至 0· 99 之數，χίν 是 0· 01 至 0. 50 之數，vIV+wIV+xIV=l ]。

=vv/wvyxv [式中，Vv是0至0.98之數，wv* 0.01至0.99之數，xv 是 0. 01 至 0. 50 之數，vv+wv+xv=l ]。 在使用本發明高分子化合物製作發光元件時，當該高分 子化合物之末端基之聚合活性基直接殘留時，因為發光特性 或壽命可能會降低，故該高分子化合物之末端基以安定基為 36 321622 201026816 佳°末端基係以與主鍵共軛鍵結者為佳，以介由％ 而與芳基或1價芳香族雜環基鍵結者為佳。 雙％結 - 本發明高分子化合物中，式（la)所示之結構單_ 至式（5)所示之結構單元，係各自可以只含一箱 、式（3) • 二種以上組合。 了含有 本發明高分子化合物，可有線狀聚合物、分#& 尚度分枝聚合物（hyperbranch polymer)、環狀聚八Q物、 形聚合物、星型聚合物、網眼聚合物等任意 之形 有各別之形狀，可為均聚合物、交替共聚物、周龙亦可以 無規共聚物、塊體共聚合物、接枝共聚物等任惫，共聚物、 有規則性之聚合物。 、之纟且戍、 本發明高分子化合物，可以用來作發光材料、 材料等，在使用之時，可以與其他之化合物併電荷輪矣 為後述之組成物使用。 ，亦可以个 本發明高分子化合物，藉由溶膠滲透層八 「GPC」）之聚苯乙烯換算數量平均分子二斤（以下， 1x10至1x108，而以lxl〇4至lxlO6為佳。太通常肩 ，物8之聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)，通月：分子3化 X108 ’從成膜性的觀點，從發光元件之發异玄疋IxlO3! 以_4至5xl〇6為佳，較佳是也1〇4至ΐχΐ〇广率的觀點， 至5xl〇5。 更佳是5 χίο 從對用以製作發光元件等之各種製％ 元件之驅動中的發熱之安練、耐熱性的觀點=性、對發走 兩分子化合物之玻璃轉移溫度是以HKTC以上S ’本發明 321622 37 201026816 本發明高分子化合物，通常係以固體狀態發出螢光或磷 光，為有用之發光元件材料。使用此高分子化合物之發光元 件，係可以高發光效率驅動之高性能發光元件。因此，該發 光元件在液晶顯示器之背光、作為照明用的曲面狀或平面狀 的光源、節段型之顯示元件、點狀矩陣之平面板顯示器等的 顯示裝置中有用。又，本發明高分子化合物，也可以用來作 為雷射用色素、有機太陽電池用材料、有機電晶體用之有機 半導體、導電性薄膜、有機半導體薄膜等之導電性薄膜用材 料、發出螢光或磷光之發光性薄膜材料。 •高分子化合物之製造方法 本發明高分子化合物，例如，將具有在使用之聚合反應 中適合的官能基之式（A)所示的單體，因應需要，將選自由 下述式（M-1)至（M-3)所示化合物所成群組之化合物，同時因 應需要，溶解到有機溶劑中，藉由使用鹼或適當之觸媒，配 位基所成化合物的習知芳基偶合等的聚合方法經由聚合或 共聚合而可以合成。 P. 37

Xa—Ar8一Xb (M-1) [式中，Ar8、又3及Xb是與前述相同意思。] 38 321622 201026816

-Ar12—Xb m (M-2) [式中，Ar9至Ar15、m、mm、又8及Xb，是與前述相同意思。] © Xa一Ar16__X1_Xb (M-3) [式中，Ar16、X1、Xa& Xb，係與前述相同意思。] 式（A)中，R2°、R21及R22所示烧基係各自獨立，可為直 鏈、分枝或環狀之任何一種，磲數通常為1至20，較佳是1 至15，更佳是1至10。 式（A)中，R2°所示烷基是與R2之取代基的說明中的說明 例示者相同。 φ 式（A)中，R2°所示芳基是與作為R2所示芳基的說明例示 者相同，但從本發明高分子化合物之合成容易度，及聚合反 應性的觀點而言，以苯基、4-曱苯基、4-甲I基苯基、4-_ 硝基苯基、3-硝基苯基、2-硝基苯基、4-三氟曱基苯基為特 佳。 式（A)中，作為-0-S(=0)2R2<)所示基者，可以例示如：曱 烷磺醯氧基、三氟甲烷磺醯氧基、苯基磺醯氧基、4-甲基苯 基磺醯氧基、4-三氟曱基苯基磺醯氧基等。 式（A)中，作為-B(OR21)2所示基者，可以列舉以下之式 39 321622 201026816 所示之基等。

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式（A)中，作為-BF4Q1所示基者，可以列舉以下之式所 示之基等。 —BF4_ K+ 式（A)中，作為-Sn(R22)3所示基者，可以列舉：三曱基 錫基、三乙基錫基、三丁基錫基等。 式（A)、式（M-1)至式（M-3)所示化合物，亦可預先合 成並單離而後使用，亦可在反應系中合成就直接使用，但 在發光元件中使用本發明高分子化合物時，為了使其純度 對發光特性之元件性能的影響，宜將聚合前之單體以蒸 餾、昇華精製、再結晶等精製後再進行縮聚合。 縮聚合之方法可列舉：藉由Suzuki偶合反應之聚合方 法（Chem. Rev.)，第 95 卷，2457 至 2483 頁（1995 年））、 藉由Grignard反應之聚合方法（Bull. Chem. Soc.Jpn.，第 51卷，2091頁（1978年））、藉由Ni(0)觸媒之聚合方法 (Progress in Polymer Science,第 17 卷，1153 至 1205 頁，1992年）、使用Stille偶合反應之方法（European Polymer Journal,第 41 卷，2923 至 2933 頁，2005 年）等， 40 321622 201026816 但從原料之合成容易度與聚合反應操作之簡便性的觀點而 言，以藉由Suzuki偶合反應之聚合方法、藉由Ni(0)觸媒 之聚合方法為宜，從高分子化合物之結構控制之容易度觀 點而言，以藉由Suzuki偶合反應之聚合方法為宜。 式（Μ-1)至式（M-3)中，從本發明之高分子化合物之合 成容易度的觀點而言，义3及Xb是以溴原子、碘原子、氯原 子、-B(0R21 )2、-BF41、-Sn(R22)3 為佳，尤其在選擇由 Suzuki 偶合反應之聚合方法作為縮聚合之方法時，從式（A)、式 〇 (M-1)至式（M-3)所示化合物之合成的簡便度或處理容易 度的觀點而言，以溴原子、破原子、氯原子、-B(0R21)2較 佳，以溴原子、-B(OR21)2更佳。 作為縮聚合之方法，可列舉將式（A)、式（M-1)至式（M-3) 所示化合物，因應必要，與適當之觸媒或適當之鹼同時反 應之方法。尤其，作為縮聚合之方法而選擇經由Suzuki 偶合反應之聚合方法時，為了使本發明高分子化合物之分 ϋ子量有足够多者，具有式（A)、式（M-1)至式（M-3)所示化合 物之Xa&Xb所示之溴原子、碘原子、氯原子的合計莫耳數， 與-B(0R21)2所示基的合計莫耳數之比率以成為0. 95至 1. 05為佳，以成為0. 98至1. 02更佳。 作為觸媒者，在經由Suzuki偶合反應之聚合方法中， 可列舉如由鈀[肆（三苯基膦）]、[參（二苯亞甲基丙酮）]二 鈀、乙酸鈀 '二氯雙三苯基膦鈀等鈀錯體等之過渡金屬錯 體，因應必要，再與三苯基膦、三（第三丁基膦）、三環己 基膦等配位基所成之觸媒。藉由Ni(O)觸媒之聚合，可列 41 321622 201026816 舉如由鎳[肆（三苯基膦）]、[1，3-雙（二苯基膦）丙烷]二氯 化鎳、[雙（1，4-環辛二烯）]鎳等鎳錯體等之過渡金屬錯 體，因應必要，再與三苯基膦、三（第三丁基膦）、三環己 基膦、二苯基膦丙烷、聯。比啶等配位基所成之觸媒。觸媒 可以預先合成後使用，亦可以在反應系中調製後就直接使 用。觸媒可以單獨使用一種，也可以併用二種以上。 使用觸媒時，觸媒之量只要作為觸媒之有效量就可 以。相對於式（A)、式（Μ-1)至式（M-3)所示化合物之莫耳數 的合計，過渡金屬化合物之量，通常是〇. 00001至3莫耳 ❹ 當量，較佳是0. 00005至0. 5莫耳當量，以0. 0001至0. 2 莫耳當量更佳。 在經由Suzuki偶合反應之聚合中，通常在驗的存在下 進行反應。作為驗者，可以列舉如：碳酸納、碳酸卸、碳 酸鉋、氟化鉀、氟化铯、磷酸三鉀等無機鹼、氟化四丁銨、 氯化四丁銨、溴化四丁銨、氫氧化四丁銨等有機鹼。 使用鹼時，此量是相對於式（A)、式（M-1)至式（M-3) ^ 所示化合物之莫耳數的合計，通常是0. 5至20莫耳當量， 較佳是1至10莫耳當量。 縮聚合是可在溶劑之不存在下進行，也可以在溶劑之 存在下進行，通常是在有機溶劑之存在下進行。 作為有機溶劑者，列舉如：曱苯、二曱苯、三甲基苯、 四氫呋喃、1,4-二噚烷、二曱氧基乙烷、Ν,Ν-二甲基乙醯 胺、Ν，Ν-二曱基曱醯胺等。一般，為了抑制副反應，期望 進行有機溶劑之脫氧處理。有機溶劑可以單獨使用一種， 42 321622 201026816 也可以併用二種以上。 有機溶劑之使用量，係以有機溶劑與式（A)、 至式（M-3)所示化合物之合計重量為基準，式Μ υ 至式（Μ-3)所示化合物之合計濃度，通常是〇.工至^ y %，較佳是1至50重量％，更佳是2至3〇重量％。重罝 舞合之反應溫度是以在—刚i如代為 -80至i5〇°c ’更佳在〇至12〇。〇。 疋在 ❹ 反應時間是隨反應溫度等之條件，通常是丄 上’較佳是在2至500小時。 疋’、時以 縮聚合反應是在式（A)、式（Μ_υ至式（m_3)巾之 為—MgY1所示基之情形下，於脫水條件下進行。 縮聚合中’為了避開在本發明高分子化合物 :ΞΓ:性基二可使:下述式一 ^ 東姓Γη 藉由此可以得到高分子化合物之 从方基，1價芳香族雜環基取代之高分子化合物。 © ---Ar24 (M-4) i式中，Ar24表示芳基或i價芳香族雜環基表示溴原子、 、、子乳原子、-〇_S(=〇)2R2。、-B(OR21)2、-抑#、 2(R22)3、_MgY】或-ZnYl。R2°表示烷基、或可被烷基、烷 虱土、硝基、氟原子、或氰基取代之芳基。…及R22係各 ,、蜀立，表示氫原子或烷基。有2個p可為相同或相異， 亦可以—起形成環。有3個R22可為相同或相異，亦可以一 起形成環。Q1表示鋰、鈉、鉀、铷或鉋之i價陽勝壬。γ1 表不溴原子、碘原子或氯原子。] 321622 43 201026816 式（M-4)中，xem示之原子或基，係與作為xa&义1)各 個所示之原子或基之說明例示者相同。 式（M-4)中，Ar24所示芳基、1價芳香族雜環基是與作 為R2所示芳基、1價芳香族雜環基之說明例示者相同。 縮聚合之後處理可以用習知之方法進行。後處理例 如，將縮聚合而得之反應溶液加入到甲醇等低級醇中，使 所析出之沉澱經過濾、乾燥之方法來進行。 本發明高分子化合物之純度較低時，係將高分子化合 物藉由再結晶、索氏回流萃取器（Soxhlet Extractor)連續 萃取、管柱層析等之一般方法即可精製。在發光元件使用 本發明高分子化合物時，為了使其純度對發光特性等之元 件性能賦予影響，在縮聚合後，以進行再沉澱精製、經層 析之分離等的純化處理者為佳。 <單體> -式（A )所示化合物- 式（A)所示化合物，係列舉如以式（1)所示結構單元（例 如，式（1-001)至（卜005)、U-101)至（卜106)、（1-201) 至（1-202)、（卜301)至（1-303)所示結構單元），此等之取 代體中之2支鍵結鍵中，一方係以XaK示之基，另一方係 以xb所示之基所取代之化合物。 •式（A)所示化合物之製造方法 式（A)所示化合物例如，如下述流程圖1所示，將下述 式（B)所示化合物與下述式（C)所示化合物，因應需要，溶 解到溶劑或成懸浮狀態，於酸存在下使偶合反應即可合 201026816 成。式（B)所示化合物，例如，在第衍生物使Grignard試 藥、有機鋰試藥反應即可合成。 (流程圖1) H-

(B) -Ar1—N Ar2一Ar4

式（C)所示化合物之使用量，係相對於式（B)所示化合 物I莫耳，通常為0. 8至2莫耳，但從精製所得式（A)所示 化合物之容易度的觀點而言，以0. 9至1. 5莫耳為佳。 ❿ 酸可列舉如：三氟化硼二乙基醚錯體、三氟甲烷磺酸、 甲烷磺酸、三氟乙酸、硫酸、多磷酸等，而以三氟化硼二 乙基醚錯體為佳。酸的使用量雖是依其種類而異，例如， 使用三氟化硼二乙基醚錯體時，從反應性、經濟性之觀點 而言，三氟化硼二乙基醚錯體的使用量，相對於式（B)所示 化合物1莫耳，通常為1至10莫耳，而以1至2莫耳為佳。 使用溶劑時，作為溶劑者，可以列舉如：曱苯、二甲 苯、三曱基苯、氯苯、鄰-二氯苯、二氯曱烷、氯仿、四氯 化碳等有機溶劑。使用三氟化硼二乙基醚錯體作為酸時， 作為溶劑者是以氯苯、鄰-二氯苯、二氣曱烷、氣仿、四氯 化碳為佳，以二氯曱烧、氣仿、四氣化後更杨;。，物Λ應溫 度之控制容易等的處理容易度之觀點而言，以使用三氟化 45 321622 201026816 獨二乙基醚錯體及有機溶劑之組合為佳。 從式（B)所示化合物、式（A)所示化合物之安定性之觀 點而言，以在遮光下進行反應為佳。 反應之反應溫度通常是至300 °C，但在使用三氟化 棚二乙基醚錯體及有機溶劑之組合時，以在_2〇至1〇〇。〇為 佳，使用有機溶劑時，亦可在回流狀態下反應。 反應終止後，加入水、醇等使反應停止後，經由洗淨、 分液等除去水、醇等不要成分之後，藉由進行管柱層析、 再結晶等之一般操作，即可得到式（A)所示化合物。 <組成物> 本發明南分子化合物與其他之成分混合可以作為組成 物使用’例如’與選自由電洞輸送材料、電子輸送材料及 發光材料所成群組中至少丨種的組合，以組成物之態樣可 以作為發光材料、電洞輸送材料或電子輸送材料使用。 、且成物中’選自由電洞輪送材料、電子輸送材料及發 =料所成群组中之至少1種與本發明之高分子化合物的 :二ίί光材料中使用本發明之組成物時，相對於本發 门刀化合物議重量份，電洞輸送材料、電子輸送 Π材料之重量，各個，通常是1至權重量t 而以5至150重量份為佳。 ^發明組成物的聚苯乙烯換算數量平均 :1Xl°卿，而以⑽至lxl。、佳。本發心 物的聚苯乙稀換算重 =丰發月組成 1γΐη8，〜Λ、 #董1千均分子量，通常是lxio3至 攸膜性及所得發光元件之發光效率之觀點而言， 321622 46 201026816 以lxio4至lx 106為佳。在此，本發明組成物的平均分子 量是指該組成物以GPC分析而求得之值。 <溶液> 本發明之溶液係含有本發明高分子化合物與溶劑之溶 液，本發明的組成物為含有溶劑而成之溶液。該溶液在印 刷法等中使用，一般也稱為印墨、印墨組成物等。本發明 之溶劑也可以含有：電洞輸送材料（後述之電洞輸送層中使 用之材料）、電子輸送材料（後述之電子輸送層中使用之材 © 料）、發光材料、安定劑、增黏劑（為了提高黏度之高分子 量化合物）、為了降低黏度之低分子量化合物、界面活性 劑、抗氧化劑、高分子化合物以外之高分子量化合物等。 在本發明之溶液中所含之各成分，分別是可以單獨一種也 可以組合二種以上。 本發明之溶液中的本發明高分子化合物比率，將該溶 液整體當作100重量份時，通常是0. 1至99重量份，而以 @ 0. 5至40重量份為佳，以0. 5至20重量份更佳。 本發明溶液之黏度，雖可以依印刷法之種類而調整， 但在喷墨印刷法等之該溶液經由噴出裝置者的情形，為了 防止喷出時之網眼堵住或印墨喷歪，在25°C中，以在1至 20mPa · s之範圍為佳。 增黏劑與本發明高分子化合物相同，可溶解於溶劑 中，只要不阻礙發光或電荷輸送者就可以，例如可以使用 高分子量之聚苯乙烯、高分子量之聚曱基丙烯酸聆酯等。 作為增黏劑之化合物者，聚苯乙烯換算重量平均分子量以 47 321622 201026816 在5Xii)以上為佳，而以IxiG6以上更佳。 為抗發明:液之保存安_。作 溶劑中，口要不阳二本發明㈣子化合物相同，可溶解到 如發料電荷輸送者訪心可以列舉 如齡糸抗氧化劑、碟系抗氧化劑等。 幻牛 地分===溶劑係以使固形分之溶質可溶解或均勻 乙i ΓΓΓ者’可列舉如：氣仿、二氣甲炫、 溶劑；四氫咬H二氣7、氣苯、鄰-二氯笨等氣系 苯等芳香族烴系溶劑’·環己院'甲基環己燒=、二甲 烷、正庚烷、正辛烷、…“己烷、正戊烷、正己 •甲乙酮、環己二:癸= 酸乙酯 '乙酸丁酯、乙Α输㈣本乙㈣酮系溶劑；乙 酸苯酯等輯系溶劑；乙二醇、乙 2香酸^醋、乙 基醚、乙二醇單甲美 - 土乙二醇單乙 &早甲基醚、二甲氧基乙烷、丙二醇 甲烧、三乙二醇單乙基驗、甘油、己二醇等多:醇^ 衍生物、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、算2及，： :甲基亞碾等亞硬系溶劑’· N _甲基—21咯烷_、二:二’ 系溶劑。此等溶劑可以單獨使用—種二可 上：=二=等之觀點而言，2種以 彳併用2至3種較佳，以併用2種為特佳。 本發明溶液之中含有2種溶劍時，1令之 抓中為固體狀態者。從成膜性之觀點而言，則種谷 321622 48 201026816 沸點在180°C以上之溶劑較佳，以在200°C以上之溶劑更 佳。作為本發明之溶液者，從黏度之觀點而言，以使用之混 合溶劑未達沸點的溫度中能存在均勻之溶液者為佳，使用之 2種溶劑中的任何一種都在60°C中以1重量％以上的濃度溶 解本發明之高分子化合物為較佳，2種溶劑中之1種溶劑在 25°C中以1重量％以上的濃度溶解本發明之高分子化合物為 特佳。 本發明溶液中含有2種以上之溶劑時，從黏度及成膜性 〇 之觀點而言，沸點最高之溶劑以在該溶液中之全溶劑重量的 40至90重量％者為佳，以在50至90重量％者較佳，以在65 至85重量％者更佳。 在本發明之溶液中，亦可以復含有水、金屬及其鹽、矽、 填、氟、氯、溴等之重量基準在1至1 〇〇Oppm的範圍。金屬 可列舉如：裡、納、舞、鉀、鐵、銅、錄、紹、鋅、鉻、锰、 始、始、銀等。 ❿〈薄膜〉 本發明之薄膜是含有本發明之高分子化合物者，例如， 發光性薄膜、導電性薄膜、有機半導體薄膜等。 本發明之薄膜，例如，可以用旋轉塗膜法、鑄模法、 微凹版塗膜法、凹版塗膜法、棒塗膜法、輥筒塗膜法、繞 線棒塗膜法、浸潰塗膜法、喷霧塗膜法、網版印刷法、軟 版印刷法、平版印刷法、喷墨印刷法、毛細管塗膜法、喷 嘴塗膜法等製作。 .…t严''m:· 使用本發明溶液製作薄膜時，由於在該溶液中所含之 49 321622 201026816 本發明高分子化合物的玻璃轉移溫度高，故可以在l〇〇°C 以上之溫度中烘焙，即使在130°C之溫度烘焙，元件特性 也幾乎不會下降。根據高分子化合物的種類也可以在 160°C以上之溫度烘焙。 從元件之亮度或發光電壓等之觀點而言，發光性薄膜 是以發光之量子收率在30%以上為佳，以在50%以上較佳， 以在60%以上更佳，在70%以上為特佳。 導電性薄膜是表面電阻為1ΚΩ/□以下為佳，以在 100 Ω/□以下較佳，10 Ω/□以下更佳。在該導電性薄膜 ❿ 藉由摻配路易斯酸、離子性化合物等，可以提高導電度。 有機半導體薄膜是以電子移動度或電洞移動度之任 何一種大者，在lO—W/v/秒以上為佳，以在l(T3cm2/v /秒以上較佳，以在10_Icm2/v/秒以上更佳。在形成Si〇2 等之絕緣膜與閘電極之Si基板上形成該有機半導體薄 膜，藉由以Au等形成源電極與汲電極，即可作為有機電晶 體。 〇 <發光元件> 本發明之發光元件是有電極與有機層之發光元件，其中 電極是由陽極及陰極所成，有機層是在該電極間設置含有高 分子化合物。陽極及陰極通常至少有一方為透明或半透明。 有機層是由一層所成，亦可以是由二層以上所成者，在由二 層以上所成時，其中至少有一層含有高分子化合物。含有高 分子化合物之有機層，通常，雖可以作為發光層、電洞輸送 層、電子阻擋層之機能，但以作為發光層之機能為佳。本發 50 321622 201026816 明之發光元件除了陰極、陽極、發光層以外，在陽極與發光 層之間、陰極與發光層之間，亦可以設置其他之層。本發明 之發光元件中，各層可為由一層所成者亦可以由二層以上所 成者’又，構成各層之材料、化合物，可以使用單獨一種， 也可以併用二種以上。 在陽極與發光層之間設置之層，可以列舉如：電洞注入 層、電洞輸送層、電子阻擋層等。在陽極與發光層之間只設 置一層時是電洞注入層，在陽極與發光層之間設置二層以上 ❾時，連接在陽極之層為電洞注入層，另外之層為電洞輸送 層。電洞注入層具有改善由陰極之電洞注入效率的機能之 層。電洞輸送層具有改善由比電洞注入層或陽極更近之層的 電洞注入之機能之層。電洞注入層、電洞輸送層有阻止電子 輸送之機能時，此層為電子阻擋層。具有阻止電子輸送之機 能，例如，製作只流動電子電流之元件，即可藉由該電流值 之減少而確認。 φ 在陰極與發光層之間設置的層，可以列舉如：電子注 入層、電子輸送層、電洞阻擋層等。在陰極與發光層間只 設置一層時是為電子注入層，在陰極與發光層之間設置二 層以上時，連接在陰極之層為電子注入層，另外之層為電 子輸送層。電子注入層是具有改善由陰極之電子注入效率 的機能之層。電子輸送層是具有改善由比電子注入層或陰 極更近之層的電子注入之機能之層。電子注入層、電子輸 送層具有阻止電洞輸送之機能時，此層稱為電洞阻擋層。 具有阻止電洞輸送之機能，例如，可以製作只流動電洞電 321622 51 201026816 · 流之元件’藉由該電流值之減少而確認。 . 本發明之發光元件，例如列舉以下之幻至〇之結構。 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 d) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (在此，/是表示各層為鄰接而積層之意，以下相同。） 鄰接電極而設置之電洞輸送層、電子輸送層之中，具 有改善自電極之電荷（電洞、電子）注入效率之機能，具有 ❹ 使70件之驅動電壓降低之效果者，有稱為電荷注入層（電洞 注入層、電子注入層）。 進步，為了提尚與電極之密著性或改善由電極之電 荷z主入，可鄰接電極而設置電荷注入層、絕緣層。為了提 同界面之密著性或混合之防止等，在電荷輸送層或發光層 之界面，可插入薄的緩衝層。積層之層的順序或數、及各 層之尽度，可斜酌發光效率或元件之壽命而調整。 °又置電荷注入層之本發明發光元件，例如可列舉以下 〇 之e)至P)之結構。 e) 陽極/電荷注入層/發光層/陰極 f) 陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 1)陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 j)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電荷注入層 321622 52 201026816 /陰極 k)陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/陰極 Ο陽極/發光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極 m)陽極/電荷注入層/發光層/電子輸送層/電荷注入層 /陰極 η)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /陰極 ❹ 〇)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入層 /陰極 Ρ)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /電荷注入層/陰極 •陽極 陽極通吊疋透明或半透明，由導電度高之金屬氧化 物、金屬硫化物或金屬薄膜所構成，其中以穿透率高之材 料所構成者為佳。作為陽極之材料者，係使用氧化銦、氧 化鋅氧化錫、及此等之複合體的鋼•錫·氧化物（ΙΤ⑴、 銦•鋅•氧化物等所成之導電性無機化合物所製作的膜 酿等）、或使m、銀、銅等，而以™、銦•鋅. 氧化物、氧化錫為佳。陽極之製作可以使用如：真空蒸鑛 =、賤鍍法、離子喷鍍法、電鍍等方法。作為該陽極者， 聚苯岐其魅物、_吩及其衍生物等有機 透明導電臈。 “陽極之厚度’可考I光之麵龜择，通 吊疋1〇⑽至10 口，以20咖至為佳，以50 nm 321622 53 201026816 至500 nm更佳。 •電洞注入層 作為在電洞注入層使用之材料者，可以列舉如：苯基 胺系、星爆型胺系、酞菁系、氧化釩、氧化鉬、氧化釕、 氧化鋁等氧化物、非晶質碳、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩 及其衍生物等導電性高分子、本發明之高分子化合物等。 在電洞注入層使用之材料為導電性1¾分子’本發明之 高分子化合物時，為了提高該導電性高分子、高分子化合 物之導電度，因應必要，亦可以摻配聚乙烯磺酸離子、烷 ❹ 基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子等陰離子。 •電洞輸送層 在電洞輸送層中使用之材料，可列舉如：聚乙烯味β坐 及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、在側鍵或主鍵有芳香族 胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二 苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺及其衍生物、 聚噻吩及其衍生物、聚芳基胺及其衍生物、聚吡咯及其衍 Q 生物、聚（Ρ-苯乙烯）及其衍生物、聚（2, 5-噻吩乙烯）及其 衍生物、本發明之高分子化合物等，以聚乙烯咔唑及其衍 生物、聚矽烷及其衍生物、在側鍵或主鍵有芳香族胺化合 物基之聚矽氧烷衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其 衍生物、聚芳基胺及其衍生物、聚（Ρ-苯乙烯）及其衍生物、 聚（2, 5-噻吩乙烯）及其衍生物、本發明之高分子化合物等 高分子電洞輸送材料為佳，以聚乙烯咔唑及其衍生物、聚 矽烷及其衍生物、在側鍵或主鍵有芳香族胺之聚矽氧烷衍 54 321622 201026816 生物、聚芳基胺及其衍生物、本發明之高分子化合物較佳。 在電洞輸送層中使用之材料為低分子化合物時，以在高分 子黏著劑中分散後再使用為佳。 電洞輸送層之成膜方法，列舉如：在電洞輸送層使用 之材料為低分子化合物時，係由與高分子黏著劑之混合溶 液之成膜，為高分子化合物時，係由溶液之成膜。 在由溶液之成膜中使用的溶劑，只要使在電洞輸送層 用之材料溶解之溶劑就可以，該溶劑可以例示如：氯仿、 〇 二氯曱烷、二氯乙烷等氣系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑； 曱苯、二曱苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、曱乙酮等酮系溶 劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸纖維素乙酯等酯系溶劑。 由溶液之成膜，可以使用由溶液之旋轉塗膜法、鑄模 法、微凹版塗膜法、凹版塗膜法、棒塗膜法、輥筒塗膜法、 繞線棒塗膜法、浸潰塗膜法、喷霧塗膜法、網版印刷法、 軟版印刷法、平版印刷法、喷墨印刷法等之塗佈法。 Q 作為高分子黏著劑者，只要不極端阻礙電荷輸送者即 可，又適合使用對可視光之吸收不強者。作為該高分子黏 著劑者，例示如：聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸 酯、聚甲基丙烯酸曱酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷。 電洞輸送層之厚度，可考量驅動電壓與發光效率而選 擇，必需要有不產生針孔之厚度，太厚時元件之驅動電壓 會變高而不佳，因此該電洞輸送層之膜厚，通常為1 nm 至1 # m，以2nm至500 nm為佳，更佳是5 nm至200 nm。 •發光層 55 321622 201026816 發光層通常是由發出生螢光或礙光之有機化合物（低 分子化合物、高分子化合物）與因應必要之補助摻配物所形 成。本發明之發光元件之發光層中可以使用：本發明之高 分子化合物；環戊丙甲胺（Cyclo pent amine)衍生物、四苯 基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噚二唑衍生物、 π比σ坐啥琳衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙稀基芳香 烴類衍生物、11比σ各衍生物、°塞吩環化合物、1"比β定環化合物、 蒽衍生物、花衍生物、并四苯衍生物、啥σ丫酮衍生物、寡 聚合噻吩衍生物、三富馬醯胺衍生物、嘻二唑二聚物、吡 Ο 唑啉二聚物等色素系材料；具有自銥錯體、白金錯體等三 重態激發狀態之發光之金屬錯體、鋁喹啉酚錯體、苯并喹 啉酚鈹錯體、苯并噚唑鋅錯體、苯并噻唑鋅錯體、偶氮曱 基鋅錯體、卟啉鋅錯體、銪錯體等、在中心金屬中有Α1、

Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土族金屬、在配位基有曙二 。坐、°塞二β坐、苯基°比°定、苯基笨并咪β坐、喧琳結構等之金 屬錯體等金屬錯體系材料；聚對-苯乙烯衍生物、聚噻吩衍 八 〇 生物、聚（對-伸苯基）衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生 物、聚苐衍生物、及聚乙烯基D卡σ坐衍生物、將上述色素體 或金屬錯體系發光材料經高分子化者等之高分子系材料等 的發光材料。 上述發光材料之中，發出藍色光之材料，可以分成藍 色螢光材料及藍色磷光材料。作為藍色螢光材料者，列舉 如：二苯乙烯基芳香烴類（Distyrylarylene;雙芪類）衍生 物及其聚合物、噚二唑衍生物及其聚合物、聚乙烯基咔唑 56 321622 201026816 衍生物、聚（對-伸苯基）街 乙烯基十坐衍生物、聚（對 聚第衍生物等。其中以聚 為佳::為藍色細料者’列=體聚轉生物等 -上述發光材料之中，發出 '色螢光材料及_光材料。;材::分成綠 如：喹吖啶酮衍生物、香豆杳…/色蛍先材枓者’列舉 之聚合物、聚(對-苯乙婦基物、葱衍生物、及此等 ❿：苯__、聚“生物=生二等：: ©光材料者，列舉如鈒錯體。 乍為、4色磷 上述發光材料之中，發出紅色光之材料，成 色螢光材料及紅色磷光材料。作 刀成紅 如：香豆素衍生物及其聚合物^ 螢料者，列舉 ，苯乙稀基)衍生物、聚嗟吩街生物、㈣衍 ==聚（對♦縣冰生物'㈣吩衍生物、聚第衍生 物等為佳。作為紅色碟光材料者，列舉如：銀錯體。 ❹ 發光層巾’為了提高發光效率或變化發光波長，可添 加摻配物。摻配物可以分成營光性掺配物及雄光性推配 物作為螢光性摻配物者，列舉如：蒽衍生物、花衍生物、 香豆素仿生物、紅螢稀衍生物、喹吖咬酮衍生物、方型鑌 行生物外嘛衍生物、苯乙烯系色素、并四苯 衍生物、吡唑啉酮衍生物、十環烯、吩噚畊酮（phen〇xaz〇ne) 等。作為鱗光性推配物者，列舉如：銀錯體。 發光層的厚度，可考慮驅動電壓與發光效率而選擇， 通常約2 nm至200 nm。 57 321622 201026816 發光層的成膜，可以使用將含有發光材料之溶液在基 體上或上方塗布的方法、真空蒸鍍法、轉印法等。在由溶 液的成膜中使用之溶劑，係與由電洞輸送層之溶液成膜的 項目說明例示者相同。使含有發光材料之溶液在基體上或 上方塗布，可以使用如：旋轉塗膜法、浸潰塗膜法、喷墨 印刷法、軟版印刷法、凹版印刷法、狹缝塗膜法等印刷法。 在昇華性之低分子化合物時，可以使用真空蒸鍍法。亦可 藉由雷射而轉印或熱轉印，在所期望之位置形成發光層之 方法。 ❹ •電子輸送層 在電子輸送層使用之材料者，可以列舉如：噚二°坐 (oxadiazole)衍生物、蒽酿二甲院及其衍生物、苯醒及其 衍生物、萘醒及其衍生物、蒽i昆及其衍生物、四氰基蒽醒 二曱烷及其衍生物、苐衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍 生物、聯對苯酿衍生物、8-經基啥琳及其衍生物之金屬錯 體、聚喧琳及其衍生物、聚啥喔琳及其衍生物、聚苐及其 q 衍生物等。而以曙二峻衍生物、苯i昆及其衍生物、蒽酿> 及 其衍生物、8-羥基喧淋及其衍生物之金屬錯體、聚啥琳及 其衍生物、聚喧喔琳及其衍生物、聚苐及其衍生物為佳， 以2-(4-聯苯基）-5-(4-第三-丁基苯基）-1，3, 4-噚二唑、 苯醌、蒽醌、參（8-喹啉酚）鋁、聚喹啉為更佳。 電子輸送層之成膜，在電子輸送層使用之材料為低 分子化合物時，可以使用由粉末之真空蒸鍍法、由溶液或 熔融狀態之成膜方法，在電子輸送層使用之材料為高分子 58 321622 201026816 化合物時，可以使用由溶液或熔融狀態之成膜的方法。在 由洛液或熔融狀態之成膜方法中，也可以併用高分子黏著 劑。由溶液之成膜是與由溶液使電洞輸送層成膜之方法相 同。 ， 電子輸送層之厚度，可以考量驅動電壓與發光效率而 調整’但至少必需要有不會產生針孔之厚度，膜厚太厚時， 元件之驅動電壓變高而不佳，因此，該電子輸送層之膜厚， ^例如’通常是1 nm至，而以2 nm至500 nm為佳， ❹更佳是5 nm至200 nm ° •電子注入層 作為電子注入層者，因應發光層之種類，可列舉如由 Ca層之單層結構所成之電子注入層、或選自由除去Ca之元 素周期表IA族及ΠΑ族之金屬，且功函數為15至3 〇 π 之金屬及該金屬之氧化物、鹵化物及碳酸化物所成群組中之 1種或2種以上所形成的層與Ca層之積層結構所成的電子 ❹'主入層。作為功函數為1.5至3.0 eV之元素周期表a族的 金屬或其氧化物、鹵化物、碳酸化物者，可列舉如：鋰、氟 化鋰、氧化鈉、氧化鋰、碳酸鋰等。作為功函數為1 $至 3.0eV之’除去以之元素周期表ΠΑ族的·金屬或其氧化物、 鹵化物、碳酸化物者，可列舉如：鋰、氧化鎂、氣化 化勰、氟化鋇、氧化鋇、碳酸鎂等。 、

電子注入層係藉由蒸鍍法、濺鍍法、印刷法等形成 子注入層之厚度是以1 nm至1 # m為佳。 •陰極材料 321622 59 201026816 作為陰極之材料者，係以使用功函數小且對發光層之電 子注入容易之材料為佳，係使用裡、納、卸、釘、铯、鈹、 鎮、妈、錄、鋇、铭、銃、叙、鋅、紀、銦、錦、彭、銪、 域、鏡等金屬、或是上述金屬之中2種以上之合金、或此之 中1種以上與金、銀、始、銅、锰、鈦、钻、鎳、鎢、錫之 中1種以上之合金、或石墨或石墨層間化合物等。作為合金 者可列舉如：鎮-銀合金、鎮-姻合金、鎮-铭合金、铜-銀合 金、經-铭合金、裡-鎂合金、鐘-銦合金、I弓-銘合金等。使 陰極作成2層以上之積層結構時，以金屬、金屬氧化物、金 屬氟化物、此等之合金與銘、銀、鉻等金屬的積層結構為佳。 陰極之厚度，可考量導電度或耐久性而選擇，通常是 10 nm 至 10 /z m，以 20 nm 至 1 // m 為佳，以 50 nm 至 500 nm更佳。 陰極之製作，係使用真空蒸鍍法、濺鍍法、使金屬薄 膜熱壓著之層疊法等。製作陰極後，也可以設有保護該發 光元件之保護層。為了長期安定地使用該發光元件，為了 隔絕外部而保護該發光元件，以設有保護層及/或保護蓋 為佳。 作為保護層者，可以使用高分子量之化合物、金屬氧 化物、金屬氟化物、金屬硼化物等。作為保護蓋者，可以 使用金屬板、玻璃板、在表面實施低透水率處理之塑膠板 等。保護之方法係以熱硬化樹脂或光硬化樹脂使保護蓋與 元件基板貼合而密封之方法。如使用隔片（spacer)而維持 空間，就容易防止元件之損傷。在該空間封入氮氣或氬氣 60 321622 201026816 等惰性氣體時’即可防讀極之氧化，再者，藉由將氧化 鎖等乾燥劑設置在該空間内，就可以容易抑制在製造過程 中所吸附的水分或透過硬化細旨浸人之微量水份對元件之 損害。可以採取其中之任何丨種以上的策略。 ❹ 本發明之發光元件可以作為面狀光源、節段顯示裝 、點矩陣顯示裝置等顯示裝置、液晶顯示裝置之背光等 使用。為了使用本發明之發光元件而得到面狀之發光，可 以使面狀之陽極與陰極以重疊方式配置。 為了得到圖案狀發光，在面狀發光元件之表面設置圖 2之窗的遮罩的方法、使非發光部之有機物層形成極端 θ而實質上就成為非發光之方法、使陽極與陰極之任一 方：或兩方之電極形成圖案狀之方法。以此等之任何方法 形成圖案，藉由使幾個電極以可以獨立⑽/請配 置^得到表示數字、文字或簡單之記號等之節段型之顯 L t進—步’為了作成點料元件，使陽極與陰極同 直線狀以正交方式配置。使複數種類之發光色不同 子化合物分開塗佈之方法、或藉由使用彩色滤光片 县螢先變_光片之方法’即可變成部分彩色顯示、多彩 么不。點矩陣元件’可為被動驅動、亦可與m等叙合成 驅動。此等顯示元件’可以作為電腦、電視、携帶 行動電話、車導航器、錄影機之取景器（〜咖如 =的顯不裝置使用。再者，面狀之發光元件，係自發光薄 ’可以適合作為_示裝置之背光用麻絲添、面 之照明用光源等。使用軟性基板的話，可以作為曲面狀 321622 61 201026816 之光源或顯示裝置使用 (實施例） 但本發明並 以下，藉由實施例以更詳細說明本發明 不侷限於此等實施例。 (數量平均分子量及重量平均分子量） 貫施例中聚苯乙烯換算之數量平均分子量（Mn)及聚 苯乙烯換异之重量平均分子量（Mw)，係藉由Gpc(島津掣 所製’商品名：LC-10 Avp)求取。 將測定之高分子化合物，溶解到四氫呋喃中調成約 〇.5重量％之濃度，在GPC中注入3〇//hGpc之移動相是 使用四氫呋喃，以0.6 ml/分鐘之流速流動。管杈是 TSK gel super HM-H(Tosoh 公司製）與丨枝 TSK gpl 色丄Super H2000(T〇s〇h公司製）串聯連接，檢測器是使用示差折 檢測器（島津製作所製，商品名：。 '率 (高速液體層析儀（HPLC)) 實施例中，成為化合物純度之指標的HPLC面積百八 率值’係藉由南速液體層析儀（島津製作所製，商品名. LC-20 A)，如無特別記載，求取在254nm中之值。剛定之 化合物係以四氫呋喃或氣仿溶解成〇. 01至〇. 2重量％之、# 度’因應濃度在HPLC中注入1至1〇# 1。HPLC之移動才^ 是使用乙腈及四氫呋喃，以1 ml/分鐘之流速，以乙腈/ 四氫呋喃= 100/0至0/100(容積比）之梯度分析流動。管 柱是使用Kaseisorb LC ODS 2000(東京化成工業製）。檢 測器是使用光二極體陣列檢測器（島津製作所製，商品名： 62 321622 201026816 ' SPD-M20A)。 (玻璃移轉溫度） 實她例中，玻璃移轉溫度（Tg)是利用示差掃描熱量測 定裝置（DSC、TA Instniments 公司製，商品名：DSC 292〇) 求取，測定條件為使試樣在200X：保持5分鐘後，急速冷 卻到-50°C為止並保持30分鐘。 昇溫到3(TC為止之後，以每分鐘ye之昇溫速度進行 測定到300°C為止。 © (螢光特性評估） 實施例中，螢光特性（高分子化合物之薄膜的螢光波 峰波長）的評估，係依以下之方法進行。將高分子化合物溶 解到二甲苯（關東化學公司製，電子工業用品級）中，此時， 固形分之濃度調製成〇. 8重量％，並將該溶液在石英板上以 1500rpm之旋轉速度進行旋轉塗佈製作高分子化合物之薄 膜。將此薄膜在350 nm之波長激發，使用螢光分光光度計. ❾（JOBINYVON-SPEX公司製，商品名：Fiuor〇1〇g)測定螢光 光譜。 (光激發螢光量子收率（PLQY)測定） 實施例中’光激發螢光（Photoluminescence，PL)量 子收率測定，係使用絕對PL光量子收率測定裝置（浜松 photonics公司製，商品名：C992〇-〇2)，激發中心波長325 nm ’激發波長範圍315至335 nm，在測定波長範圍390至 800 nm内測定。 <實施例1> (化合物Ml之合成） 321622 63 201026816

•步驟（1 a) 於氬氣環境中，在300 ml之四口燒瓶中，混合2, 7-二 溴-9, 9-雙（4-己基苯基）»(50. 27 g，78 mmol)與 THF(500 ml)，冷卻到-78°C。接著將1.6M正丁基鋰己烷溶液（51 nd， 82 mmol)在2小時内滴下，一面保持在-78°C —面攪拌2小 時。在反應溶液中一口氣加入10 0 m 1水使反應停止 (quench)。使反應溶液昇溫到室溫後，使用硫酸納將有機層 乾燥，減壓濃縮。將所得之油曱苯（5 0 0 m 1)加入，以水（10 0m 1 x3)洗淨後，使用硫酸鈉將有機層乾燥，進行減壓濃縮。將 所得之油用中壓分取管柱（矽膠、己烷：曱笨=10 : 1)精製而 得化合物 Mla(35. lg，79%)。 64 321622 201026816 • ^-NMR (270MHz, CDCl3) :5 = 〇. 87 (t, 6H), 1. 2 5-1. 4 0 (m，2 4H) , 1. 5 5 (m，4H)，2. 5 4 (t，4H)， 7. 0 2 (d, 4H) , 7. 06 (d, 4H), 7. 2 4-7. 3 9 (m, 3H ),7.45 (d d, 1H) , 7. 52 (s, 1H) , 7. 59 (d, 1H)， 7. 69 (d, 1H) ppm. 13C-NMR (2 7 0MHz, CDC13) :6 = 1 4. 4, 2 2. 9, 2 9. • 4, 31. 6，32. 0，35. 8, 6 5. 3, 120. 4, 121. 6, 12 1. 7, 1 2 6. 5, 1 2 7. 7, 1 2 8. 2, 1 2 8. 3，12 8. 6, 12 9. 7，130.8，139.2,139. 4，14 1. 8，142. 7, 15 1. 7, 154.0 ppm. © .步驟（lb) 於氬氣環境中，在300 ml之四口燒瓶中，混合化合物 Mia (12. 16g，22mmol)、聯硼酸頻那醇酯（5. 35 g，24 mmol ; bis(pinacolato)diborane)、乙酸钟（6.33 g，33 mmol)、 一口亏烧（92 ml)、二苯基麟二茂鐵纪二氯化物（Diphenyl phosphino ferrocene palladium chloride； 0. 53g, 0. 66 1^〇1)與二苯基膦二茂鐵（0.36§，0,66 111111〇1)，在110。(：加熱 ❹15小時。反應終止後，加入離子交換水（1〇〇ml)使反應停 止。使用分液漏斗除去水層後，以水（100mlx3)洗淨後，使 用硫酸鈉將有機層乾燥，進行減壓濃縮。將所得之油用中壓 分取官柱（矽膠、己烷：曱苯= 1:1)精製而得化合物Mlb(1〇 5 g，80%)。 321622 65 201026816 ^-NMR (2 7 OMHz, CDC13)：6 = 0. 87(t, 6H),! 2 5-1. 4 0 (m, 2 4H) , 1. 5 6 (m, 4H) , 2. 5 3 (t) 4 H) 7. 00 (d, 4H) ’ 7. 10 (d, 4H) 7. 2 2- 7. 3 9 (m, 4H) ,7. 7 2- 7. 8 5 (m, 3 H) ppm. l3C-NMR (2 7 0MHz，CDC13) : 6 = 14. 4，22· 9, 25 2, 2 9. 4, 3 1. 6, 3 2. 0, 3 5. 8, 6 5. 2, 8 3. 9, i19 6, 120. 8，126. 6，127. 5，128. 3，128. 4, 132 6，134. 5，140. 1，14L 3，143. 3，1 4 3 4, 1 5 i 2, 152. 6ppm. · •步驟（1C ) 於氬氣環境中，在2L之四口燒瓶中，混合參__(4_溴苯 基）胺（73.75 g，153 mm〇l)與脫水 THF(98〇ml)，冷卻到 -78°C。在反應液中，將u M 丁基鐘（1〇〇⑷在i小時内 滴下，滴下後。一口氣加入100ml離子交換水使反應停止。 在反應溶液中加入甲苯（400 ffil)，使用分液漏斗除去水層 後，將有機層減壓濃^。再贈子交換水（施^ 3)洗淨’使用硫_乾燥後，進行減壓濃縮。將所得之油使 用中壓分取管柱（卿、己炫：甲笨=1 : Ό經3次精製而得 化合物 Mlc(34 g，55 %)。 4H)，7. 0 ppm. 1 2 4. 0, 1 14 7. 2 p p ^H-NMR (2 7 0MHz, CDC13) :δ^6. 93 5 (m，3H)，7· 2 5 (m, 2H)，7 3 3 (d，4 13 C - NMR ( 2 7 0 MH z, CDC13) :6 = 115 2 4. 9，1 2 5. 9，1 2 9. 8，1 3 2. 6, 14 6, m. •步驟（Id) 321622 66 201026816 於氬氣環境中’在300 ml之四口燒槪中，混合化合物

Mlb(13. 82 g，23 mmol)、化合物 Mlc(4. 43 g，llmmol)、 氫氧化鉀（9. 26 g，17〇mmol)、四丁基銨溴化物（1 77 g，6 mmol)、曱笨（15〇ml)、離子交換水（7〇mi)與肆（三苯基膦） 鈀（380 mg，〇. 33mmol)，在80°C中加溫2小時。反應終止 後，使用分液漏斗除去水層後，以離子交換水（1〇〇 mlx 3) 洗淨。使用硫酸鈉將有機層乾燥，進行減壓濃縮。將所得之 油使用中壓分取管柱（矽膠、己烷：曱苯=8 : 1)經過3次精 ®製而得化合物Mld(10. 7 g，80%)。 *H-NMR (2 7 0MHz, CDC13) ： δ = 〇. 85 (t, 1 2H) , 1. 28 (m, 24H) , 1. 54 (m, 8 H) , 2. 53 (t, 8 H) , 7. 01 (d, 8 H)，7. 0 7-7. 19 (m, 14 H) , 7. 2 0-7. 5 0 (m, 13H) , 7. 5 1-7. 6 3 (m, 4 H) , 7. 6 9-7. 6 2 (m, 4 H) PPm. C-NMR (2 7 0MHz, CDC13) ： δ = 1 4. 4, 2 2. 9, 2 9. 5，31. 8，32. 〇，35, 9，65. 3，120. 4，120. 5，12

3· 5, 1 2 4. 4, 1 24. 7, 1 2 4. 9, 1 2 6. 3, 1 2 6. 6, 1 2 7. 7, 1 2 7. 8, 1 2 8. 2, 1 2 8. 3, 1 2 8. 5, 1 2 9. 6, 1 3 5· 8» 1 3 9. 3, 1 4 0. l, 140. 3, 141. 5, 14 3. 5, 14 7. 2, 147. 8, 152. 2, 15 2. 6ppm. •步驟（le) 於氬氣裱境中，在500 ml之四口燒瓶中，混合鎂（2. 89 g，120mmol)與少量之THF，將混合物以熱風槍一面加熱— 面加入I 2~一溴乙烷（〇. 5lg，2. 8 mmol)，一面保持回流一 面在1】時内滴下己基漠苯（25· 3g，105 mmol)，再藉由 回’爪1】吩合成格林納試劑（Grignardreagent)。於氬氣取 67 321622 201026816 代之另外50〇1111四口燒瓶中，混合2,7_二漠第騎（23.7忌， mnmol)與二乙㈣（_ ml) ’在室訂將先前合成之格林納 試劑於30分鐘内滴下。滴下終止後，回流4小時。反應終 止後’藉由加水1〇〇 使反應停止，使用分液漏斗以水（2卯 π^3)洗淨。使用硫義將所得之有制錢後，進行減壓 濃縮。將所得之油用中壓分取管柱（矽膠、氣仿：己烷q : 5)經過2次精製而得化合物犯6(29 g，8⑽）。 Ή-NMR (2 7 0MHz, CDCI3) : 6 = 0. 88 (t, 3 Η) 1 3 6 (叫 6H), 58 (m，2H)，2 44 (s, ih), 2 5 6‘（t

-2H) , 7. 13 (d, 2H) , 7. 23 (d, 2 H) , 7. 43 (d> 2H ).7. 48 (m, 4H) 13C~NMR (2 7〇MHz, CDC1 ) δ = 1 4. 3, 2 2. 9, 2 9. 4, 3 1. 6, 3 2. 〇, 3 5 9, 8 3 .6, i2 1· 8, 1 2 2. 8, 1 2 5. 4, 1 2 8. 6, 1 2 8. 8, 1 3 2. 6, l3 7. 8，139. 〇，142. 9，152. 4ppm. 步驟（If) 於氬氣環境中，在500 mI之四口燒瓶中，混合化合物 Mld(9. 7 g，8. 0 _1)、化合物 Mle (4. 8 g，1〇 咖⑷與 二氯甲烧（15Gml) ’在室溫下，該混合溶液中於卜】、時内滴 入三氟硼烷醚錯體匕之礼—读二氯甲烷⑽⑷之混 合溶液後’鮮2小時。反祕止後，加人離子交換水⑽ ml之後’使时制相離子交換水（⑽· 3)洗淨。使 用硫酸鈉將所得之有機層乾燥，進行減壓濃縮。將所得之、、由 狀物使用中壓分取管柱（謂、己烧：甲苯=4 ·· υ經過3次 精製而得化合物Ml(9. 11 g，67 %)。 321622 68 201026816 MS (APC I -MS : P 〇 s i t i v e) m/z : 1 6 9 7. 3 (〔M+H〕 + ) 'H-NMR (2 7 0MHz, CDC13) :δ = 0. 86 (t, 1 5 H) , 1. 12-1. 43 (m, 3 OH) , 1.44-1. 6 7 (m, 1 OH) , 2. 52 (t, 1 OH) , 6. 8 4-7. 2 0 (m, 3 0 H) , 7.2 2- 7. 6 5 (m ，2 6H) , 7. 7 6 (d d, 4 H) ppm. 13C-NMR (2 7 0MHz, CDC13) : 6 = 1 4. 4, 2 2. 9, 2 9. 4, 3 1 • 6, 3 2. 0 » 3 5 • 8, 6 5. 3, 1 2 0. 4, 1 2 0. 6 , 1 2 1. 8, 1 2 2. 〇, 1 2 3. 8, 1 2 4. 7, 1 2 6. 5, 1 2 7. 6 r 1 2 7. 8, 1 2 8. 1， 1 2 8. 2, 1 2 8. 4, 1 2 8. 5, 1 2 8. 8, 1 2 9. 1, 1 2 9. 7, 1 3 1. 1， 1 3 6, 1, 1 3 8. 3, 1 3 9. 3, 1 4 0. 1, 1 4 0. 3, 1 4 1. 5, 1 4 1. 8, 1 4 2. 2, 1 4 3. 5, 1 4 6 . 9, 1 5 2. 2, 1 5 2. 6, 1 5 3. 7 P P m

<實施例2 >(化合物M2之合成） 69 321622 201026816

M2a Μ2b

•步驟（2a) 於氬氣環境中，在500 ml之四口燒瓶中，混合吩噚n并 (19. 79 g，108 mmol)、4-三甲基石夕烧基溴苯（24. 75 g，108 mmol)、第三丁 氧化鈉（15. 57 g，162 mmol)、乙酸鈀（121mg， 0. 54 mmol)、參（〇-曱基苯基）膦（329 mg，1. 1 mmol)、與甲 70 321622 201026816 、 苯（17〇ml)，回流6小時。反應終止後，冷卻，通過氟鎂石 (sellaite)與氧化鋁。使曱苯溶液濃縮到1〇〇 ml，加入曱 醇（200 ml)，以靜置進行再結晶。過濾所得固體，使乾燥而 得化合物 M2a (26. 3 g，73%)。 >H-NMR (2 7 0MHz, THF-d8) : δ=-〇. 46 (s, 9 H) , 6 .〇l (d, 2H)，6. 6 3- 6. 7 7 (m, 6H)，7. 46 (d, 2H) ，.7· 72 (d，2 H) ppm. 13C-NMR (2 7 0MHz, THF-d8) :6=-1. 2, 114. 〇, i 15· 9, iSl. 9, 123. 8, 130. 6, 135. 2, 136. 7, 1 〇 40. 5, 141. 7, 144. 8ppm. •步驟（2b) 於氬氣環境中，在500 ml之四口燒瓶中，混合化合物 M2a(23. 2 g，70mmol)與氯仿（300 ml)，冷卻到 〇°c。在反 應洛液中於1小時内滴入N-溴丁二醯亞胺（NBS、24. 9 g， 140 mmol)與n，N-二甲基甲醯胺（dmf，100 ml)之混合溶液， 滴下、’s止後，昇溫到室溫。再每次加入1运之直到反 ©應充分進行為止。反應終了後，將反應溶液注入甲醇（1. 5 L) 中。過濾所得固體並使之乾燥。在所得固體中加入甲苯（5〇〇 nil)使之回流’進行熱過濾。於是，回收所得固體（固體A)， 另外，將所得甲苯溶液濃縮，使用甲苯一異丙醇進行再結晶， 過濾由再結晶而得之固體（固體B)，混合固體a與固體B，3 -人使用甲苯-異丙醇進行再結晶，得到目的物M2b(25. 1 g， 64 %)。 H-NMR (2 7 0MHz, THF-d8) : δ=-〇. 50 (Sj 9H) , 5 71 321622 201026816 • 96 (d, 2 Η) , 6. 89 (d d, 2H) , 7. 02 (s, 2H) , 7. 4 9 (d, 2H) , 7. 9 9 (d, 2H) ppm. •步驟（2c) 於氬氣環境中，於500 ml之四口燒瓶中混合與前述同 樣之化合物 Mlb (12. 1 g，20 mmol)、化合物 M2b(4. 6 g， 9. 4 mmol)、氯化甲基三辛基錢（A1 iquat 336 ; 1. 2 g’ 3 mmol) 與曱苯（150 ml)，進行1小時的氬氣冒泡。在此反應溶液中 混入乙酸把（2. 1 mg，0. 1 mmol)與參（〇-曱氧基苯基）膦（33 mg，0. 1 mmol)，加溫到105°C。在此反應溶液中於1小時 © 内滴入2M之碳酸鈉水溶液（15 ml)，使反應3小時。反應終 止後進行分液，以離子交換水（100 mlx3)洗淨有機層，用硫 酸鈉乾燥。進一步使溶液通過氧化銘而精製，藉由濃縮乾燥 而得化合物M2c(ll. 9g，99%)。不進行精製而直接以粗製物 用來進行下述反應。 •步驟（2d) 於氬氣環境中，在300 ml之四口燒瓶中，混合化合物 ❹ M2c(l 1. 9 g，9 mmol)、三氟乙酸（22 g，180 mmol)與甲苯 (100ml)，在80°C中加溫3小時。反應終了後，進行分液， 以離子交換水（100 mlx3)與碳酸氳鈉飽和水溶液（（100 mlx4) 洗淨，使用硫酸鈉乾燥。使溶液通過氧化铭並使曱苯溶液濃 縮乾固。將所得固體以矽膠管柱進行層析分析（曱苯/己烷 =1 : 1)精製，將所得溶液濃縮後，以T苯-己烷進行再沉澱 而得化合物M2d(9. 41 g，83 %)。 72 321622 201026816 MS (A P C I -MS : P 〇 s i ί i v e) m/ z : 1 2 2 8 . 6 (〔M+H〕 + ) · !H —NMR (2 7 0MHZ， THF —d8) : 6 = 0. 99 (t， 12H) , 1 • 32-1. 56 (m，24 H), 1. 63-1. 73 (m, 8 H)，2. 65 (t，8H)，6. 06 (d, 2H)，6. 94 (dd, 2H)，7. 09 (d ，2H)，7. 13 (d, 8H)，7. 23 (d，8H), 7. 33 (dd, 2 H), 7. 43(dd, 2H), 7. 49-7. 52 (m, 4 H) , 7. 6 0-7. 67 (m, 3H) , 7. 68 (s, 2 H) , 7. 76 (dd, 2 H) , 7. 8 9 — 7 · 9 5 (m, 4 H) p p m· © •步驟（2e) 於氬氣環境中，在500 ml之四口燒瓶中，混合化合物 M2d(8. 6 g ’ 7. 0 mmol)、與前述同樣合成之化合物Mla (3. 6 g，7. 1 mmol)與二氯甲烷（i3〇mi)。室溫下，在混合溶液中 於1小時内滴入三氟硼烷醚錯體（lml，8 mm〇1)與二氯甲烷 (10 ml)之混合溶液。之後，將反應溶液在3(rc攪拌1〇〇小 時。反應終止後，加入離子交換水（1〇〇ml)，使用分液漏斗 ❹以離子交換水（lOOmlx 3)洗淨。使用硫酸鈉將所得之有機層 乾燥’進行減壓濃縮。將所得之油以中壓分取管柱（碎膠、 己烷：曱苯=4 : 1)精製而得化合物M2 (2. 2 g，18%)。 MS (APC I -MS ：P〇sitive)m/z :1711- 6 ( CM+H] + ) · <比較例1>(化合物CM1之合成） 73 321622 201026816

•步驟（Cla) 於氬氣環境、遮光下，室溫中，使化合物Mle(1〇. 〇g， 20. 0 mmol)、及酚（2· 82 g，30. 0 mmol)溶解於脫水之二氣 曱烷（300ml)内，攪拌中以脫水二氣甲烷（1〇〇 稀釋，並 將二氟化硼二乙基醚錯體（3· 〇 ml，24 mm〇1)溶液以i小時 滴入，進一步於室溫下攪拌2小時。將乙醇（2〇〇1^)、水（2〇〇 ml)加入到反應混合物中，攪拌丨小時。水層藉由分液除去 後，將有機層依序用5重量％碳酸氫鈉水溶液（2次）、水、 15重量％食鹽水（2次）洗淨，藉由無水硫酸鎂乾燥、減壓濃 縮’得到紅色油狀物’當作化合物CMla(11· 〇 g，收率， HPLC面積百分率97%)。 1H-NMR(3 0 OMHz, THF—d 8) δ 8 . 2 5 ( s , l H)， 7 74( d，2H)，7. 54(s，1H)，7. 51(s，2H)，7. 〇8(s，4H) 6. 9 6 (d, 2H)，6. 6 3 (d, 2H), 2· 5 7 (t，2H), l. 6 〇(m 2H)，1. 3 3(s, 6H), 0. 9 0(t, 3H) J3C-NMR(7 5MHz, THF-d8) δ = 1 5 9. 〇, i 5 6 2 1 4 4· 2, 143. 5, 140· 2, 1 3 6. 9, 1 3 2. 6, 1 3 1. 2 13 321622 74 201026816 1- 0. 1 3 0. 9, 1 3 0. 3, 1 2 9. 8, 1 2 3. 8, 1 2 3. 5, 1 1 7· 〇，37. 4，33. 8，33· 6，31. 2，24. 6，15. 5 •步驟（Clb) 於氬氣環境、遮光下，室溫中，混合化合物CMla(l〇. 9 g，18.9 mmol)、及卜溴己烷（6·24 g，378 mm〇i)、碳酸 鉀（7· 84 g ’ 56. 7 mmol)、乙醇（47 ml)，加熱回流下攪拌4 小時。加水（1〇〇 ml)攪拌’靜置後，藉由傾倒除去上層澄清 溶液’重復操作2次後加入乙醇（38 ml)，加熱回流30分鐘， ©冷卻後’將上層澄清溶液藉由傾倒除去。將固著在反應容器 底部之油狀物溶解到甲苯中，藉由減壓濃縮脫水後，以中壓 分取矽膠管柱進行層析分析（矽膠、己烷：氣仿=1〇〇 : 〇至 7〇 : 30)精製而得黃色油狀物之化合物CM1 (10.49 g，收率 55%，HPLC面積百分率值99%)。 ^-NMRO 0 OMHz, THF-d8) δ 7. 7 5 (d, 2 Η), 7.55( s，2 Η), 7. 5 2 (s, 2 Η), 7. Ο 6 (m, 6 Η), 6. 7 8 (d, 2 Η), 3. 9 1 (t, 2 Η), 2. 5 7(t，2H)，1. 7 5(m,2H), 1. 6 0 (m, ^ 2 Η), 1. 3 7 (m, 1 2Η), 0. 9 1(t, 6 Η) 13C-NMR(7 5MHz, THF-d8) δ = 1 5 9. 0, 1 5 6. 2，1 4 4. 2, 1 4 3. 5,1 4 0. 2, 1 3 6. 9, 1 3 2. a* 1,31. ,2, 13 1. Ο, 1 3 0. 9, 1 3 0. 3, 1 2 9. 8, 1 2 3.8, 1 2 3. 5,1 1 7. 0，3 7. 4, 3 3. 8, 3 3. 6, 3 1. 2, 24. 6, 1 5. 5 <比較例2>(化合物CM2之合成） 75 321622 201026816

於氬氣環境、遮光下，使2, 7-二溴第酮（4. 97g , 14. 7 mmol)、4,4’ -二甲基三苯基胺（i〇.5g ’ 36. 8mmol)、及曱 烷磺酸（1. 41 g ’ 14. 7 mmol)在i4〇°c攪拌5小時。冷卻到 50°C後，加入氣仿（50 ml)，用1〇重量％碳酸氫鈉水溶液（5〇 ml)洗淨2次，藉由無水硫酸鎂乾燥、減壓濃縮後再結晶（氯 仿-丙酮），使所得固體加熱溶解到二氯甲烷（33〇g)中並對溶 液加入活性叙（3g)，至溫中授拌1小時。在藉由將石夕勝經預 塗之過濾器除去活性碳而得之溶液中，將丙酮緩慢加入而晶 析，減壓乾燥，得到白色固體化合物CM2(9. 8 g，收率77 %， HPLC面積百分率99%以上）。 >H-NMR (3 0 0MHz, THF-d8) δ 2. 26 (S) 1 2 Η) , 6 • 8 0- 7. 2 0 (m, 2 4 Η)，7. 5-7. 8 (m，6 Η) LC—MS Μ=864 <比較例3>(化合物CM3之合成）

於氬氣環境、遮光下，室溫中，使與前述同樣合成之化 321622 76 201026816 合物 Mle (5. 00 g’l〇. 〇 mm〇1)、4, 4’ _二甲基三苯基胺（2. 73 g，10. 0 mmol)、溶解到脫水之二氣甲烷（34〇ml)内，攪拌中 以脫水二氯甲烷（68 ml)稀釋，將三氟化硼二乙基醚錯體 (1.44 ml，11.7 mm〇i)溶液於3〇分鐘内滴入，進一步於室 溫下攪拌30分鐘。將乙醇（100 ml)、水（1〇〇 ml)加入到反 應混合物中’攪拌1小時。 水層藉由分液除去後，使有機層依序用5重量％碳酸氫 鈉水溶液（2次）、15%食鹽水（2次）洗淨，藉由無水硫酸鎂乾 ❹燥，減壓濃縮後，液體通過矽膠短管柱（己烷/甲苯=〗/〇、 減壓》辰縮，2次再結晶（丙嗣—甲醇）、減壓乾燥，而得到白 色固體之化合物CM3(5. 84 g ’收率77 %，HPLC面積百分率 99%以上）。 *H-NMR(3 0 OMHz, THF-d 8) δ 0. 9 0 (t, 3 Η)/ 1. 28- 1· 4 1(m，6H)，1. 5 6 - 1. 6 2 (m，2H)，2· 2 7(s，6H), 2. 56(t，2H)，6· 84(d，2H)，6. 92-7. ll(m，14H), 7. 5 1 (d d, 2 Η), 7. 59(d,2H), 7. 7 4 (d, 2H) ^ LC—MS M=753 <實施例3>(南分子化合物pi之合成） 於氬氣環境中，將2, 7-雙（1，3, 2-二噚硼烷-2-基） -9, 9-二辛基第（〇. 7942g，1. 497 mmol)、2, 7-二溴-9, 9-二 辛基苐（0· 6581 g，1· 2 mmol)、化合物 Μ1(0· 5091 g，0. 300 mmol)、及三辛基曱基氯化銨（Aldrich公司製，商品名：

Aliquat 336)(0. 19 g，0. 48 mmol)溶解到甲苯（48 ml)。使 氬氣在溶液中冒泡後，昇溫到80°C，放入二氯雙三苯基膦 叙（3. 2 mg，4· 5//mol)之甲苯懸浮液（5ml)’進一步加入Π. 5 77 321622 201026816 重量％碳酸鈉水溶液（8· 2 ml，6. 8 mmol)，回流下反應20 ' 小時。一經冷卻後就加入笨爛酸（〇. 〇 2 g，0. 15 mmo 1)之曱 笨1 ml懸浮溶液，進一步在回流下反應2小時。加入甲苯 (20 ml)稀釋後’除去水層，加入9重量％ N, N-二乙基二硫 代胺基曱酸鈉水溶液（9 ml)，在90°C攪拌2小時後，將有 機層依離子交換水（20 ml )2次、3重量％乙酸水溶液（20 ml)2 次、離子交換水（20 ml)2次之順序洗淨，接著滴入曱醇（250 ml)，搜拌30分鐘，析出聚合物。以抽吸過濾取得聚合物， 用甲醇（50 ml)洗淨，減壓乾燥而得粗聚合物。 ❹ 此粗聚合物溶解到甲笨（7Q mi)中，溶液通過已充填氧 化鋁（5 g)、矽膠（15 g)之管柱，復使甲苯（7〇 ml)通過。將 所得溶液緩k加到攪拌之甲醇（25〇 mi)中，再攪拌3〇分鐘， 析出聚合物。以抽吸過濾取出’用f醇（5〇1〇1)洗淨，減壓 乾燥而得聚合物之高分子化合物pi(1. 2〇 g，收率為8〇%)。 高分子化合物P1之聚苯乙烯換算數量平均分子量仳是 1.2x10。’聚笨乙烯換算重量平均分子量_是3._5，玻 璃轉移溫度是靴，薄膜之螢光波峰波長是似⑽及碰❹ nm ° ，係含有以下述 尚分子化合物P1，自放入之原料推測 比率（莫耳比）的下述重複單元者。 321622 78 201026816

<實施例4>(高分子化合物P2之合成） 於氬氣環境中，將2, 7-雙（1，3, 2-二噚硼烷-2-基） ©-9,9-二辛基苐（〇.4223廷，0.796 111111〇1)、2,7-二溴-9,9-二 辛基第（0· 3861 g，0. 704 mmol)、化合物 Ml(0. 1358 g，〇. 〇8〇 mmol)、化合物M2(0. 0274 g ’ 0. 016 mmol)及三辛基曱基氣 化銨（Aldrich 公司製，商品名：Aliquat 336)(0. 10 g，ο. % mmo 1)溶解到甲苯（16 m 1)。使氬氣通入溶液中冒泡後，昇溫 到80°C，放入二氯雙三苯基膦纪（0. 6 mg，0.8/zmol)之甲 苯懸浮液（1 ml)，進一步加入17. 5重量％碳酸納水溶液（2 2 ❹ml，3· 6 mmol)，回流下反應20小時。一經冷卻後就加入棚 酸苯（0· 10 g，0.8 mmol)懸浮於曱苯3 ml之溶液，進一步 回流下反應2小時。加入甲苯(20 ml)稀釋後，除去水層， 加入9重量％ N，N-二乙基二硫代胺基甲酸納水溶液（5 m.i)， 在90t攪拌2小時後，將有機層依離子交換水（i〇ml)2次、 3重量％乙酸水溶液（1〇 ml)2次、離子交換水（1〇 ml)2次之 順序洗淨，接著滴入甲醇（I25 ml)，攪拌30分鐘，析出聚 合物。以抽吸過濾、取得_聚合物’甩z甲'醇鳴1^.洗?《备..%，減壓 乾燥而得粗聚合物。 321622 79 201026816 此粗聚合物溶解到曱苯（25 ml)中，溶液通過已充填氧 化鋁（5 g)、矽膠（12g)之管柱，復使甲笨（20 ml)通過。將 所得溶液緩慢加到攪拌之曱醇（125 ml)中，再攪拌30分鐘， 析出聚合物。以抽吸過濾取得，用曱醇（25 ml)洗淨，減壓 乾燥而得聚合物之高分子化合物P1(0. 50 g，收率78%)。高 分子化合物P2之聚苯乙烯換算數量平均分子量Μη是 1. lxlO5，聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw是2. 4χ105，玻 璃轉移溫度是86°C，薄膜之螢光波峰波長是422 nm及440 nm ° 高分子化合物P2，自放入之原料推測，係含有以下述 比率（莫耳比）的下述重複單元者。

=94/5/1 <實施例5>(高分子化合物P3之合成） 於氬氣環境中’將2, 7-雙（4,4, 5, 5-四曱基-1,3,2-二噚棚烷-2-基）-9,9-雙（4’ -己基苯基）棊（0.5909 g， 0. 800 mmol)、2, 7-二溴-9, 9-雙（4’ -己基苯基）苐（0. 4125 g，0. 640 mmol)、化合物 M1(0. 2308 g，0. 136 mmol)、及 化合物 M2(0. 0411 g，0. 024 mmol)溶解到曱苯（18 ml)中。 使氬氣通入溶液中冒泡後，昇溫到80°C，放入二氯雙三苯 基膦le(l.lmg，1.6/imol)之甲苯懸浮液（3ml)，進一步加 80 321622 201026816 * 入20重量％四乙基氫氧化銨水溶液（2.7 ml，3. 6 mmol)，回 流下反應20小時。一經冷卻後加入笨硼酸（〇. 13 g，0.85 mmol)懸浮於甲苯3 ml之溶液，進一步回流下反應2小時。 加入曱苯（20 ml)稀釋後，除去水層，加入9重量％ N，N-二 乙基二硫代胺基甲酸鈉水溶液（5 ml)，在90¾攪拌2小時 後，將有機層依離子交換水（丨〇 ml)2次、3重量％乙酸水溶 液（10 ml)2次、離子父換水（1〇 ml)2次之順序洗淨，接著 滴入甲醇（125 ml)，攪拌30分鐘，析出聚合物。以抽吸過 ❹濾濾取聚合物，用甲醇（25 ml)洗淨，減壓乾燥而得粗聚合 物。 此粗聚合物溶解到甲苯（25 ml)中，溶液通過已充填氧 化鋁（5 g)、矽膠（12g)之管柱，復使甲苯（2〇 ml)通過。將 所得溶液緩慢加到攪拌之曱醇（125 ml)中，爯禮抹训分鐘， 析出聚合物。以抽吸過濾取得，用曱醇（25ml)洗淨，減壓 乾燥而得聚合物之高分子化合物⑽72g，收率76%) 分子化合物P3之聚苯乙_算數量平均分 二:产'笨乙稀換算重量平均分子量-是3遽，玻 ^度疋179°C’薄膜之螢光波峰波長是448 nm。 321622 81 201026816

<比較例4>(高分子化合物CP1之合成） 於氬氣環境中，將2, 7-雙（1，3, 2-二噚硼烷-2-基） -9, 9-二辛基第（1. 0675 g，2. 012 mmol)、2, 7-二演-9, 9-二辛基苐（0. 8873 g，1. 618 mmol)、化合物 CM1(0. 2672 g， 0. 404 mmol)、及三辛基曱基氯化銨（Aldrich公司製，商品 名：A1 iquat 336)(0.26 g，0.65 mmol)溶解到甲笨（2〇 ml) 中。使氬氣通入溶液内冒泡後，昇溫到8(TC，放入二氯雙 三苯基膦鈀（2· 8 mg，4. 0 // mol)之曱苯懸浮液（5 ml)中，進 —步加入17. 5重量％礙酸鈉水溶液（5.5ml，9. 1 mmol)，回 流下反應7小時。一經冷卻後加入苯硼酸（〇. 25 g，2. 〇2 mmou 之曱苯3 ml懸浮溶液，進一步回流下反應2小時。加入曱 笨（20 ml)稀釋後，除去水層，加入9重量％ ν,ν—二乙基二 硫代胺基甲酸鈉水溶液（12 ml)，在90°C攪拌2小時後，將 有機層依離子交換水（26 ml)2次、3重量％乙酸水溶液（26 ml)2次、離子交換水（26 mi)2次之順序洗淨，接著滴下甲 醇（320 ml)，攪拌3〇分鐘，析出聚合物。以抽吸過遽濾取 知聚合物，用甲醇（6〇 mi)洗淨，減壓乾燥而得粗聚合物 (1. 54 g)。 此粗聚合物溶解到曱苯（70 ml)中，溶液通過已充填氧 82 321622 201026816 化鋁（15 g)、矽膠（3〇g)之營 ^ ,¾ ^ t.a , 復使曱苯（5 Θ m 1 )通過。將 所侍今液緩慢加到攪拌之甲醇 析出聚合物。以抽吸過渡取得，再賴30分鐘， 乾燥而得聚合物之高分子化:物=(，)洗淨’減壓 古八工外入札m 物CPl(l· 22 g，收率76 %)。 「刀子5化合物CP1之聚笨乙婦換算數量平均分子量如是 1.7x10，聚笨乙烯換算重量 至tt-j刀子量mw | c； ，被 螭轉務溫度是83ΐ，薄膜之罄& 玻 膜之榮先波峰波長是422 nm及438 Ο nm。 高分子化合物m，自放人之原料推測，係含有以下述 比率（莫耳比）的下述重複單元者。

<比較例5> (商分子化合物CP2之合成） 於氬氣環境中，將2, 7-雙（1，3, 2-二Pf硼烷-2-基） >9, 9-二辛基苐（1. 1814 g，2. 228 mmol)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基苐（0. 9872 g，1.800 mmol)、化合物 CM2(0. 3900 g， 〇. 450 mmol)、及三辛基曱基氯化銨（Aldrich公司製，商品 名：Aliquat 336)(0. 29 g，0· 72mmol)溶解到曱苯（17· 5 ml) 中。使氬氣通入溶液内冒泡後，昇溫到，放..入„二氯雙m 三苯基膦鈀（1.6 mg ’ 2. 3//mol)之甲苯懸浮液（5 ml)，進一 =90/10 83 321622 201026816 步加入20重量％四乙基氫氧化銨水溶液（7. 3 ml，10. 4 mmo 1) ’回流下反應7小時。一經冷卻後加入笨硼酸（〇. 2 7 g， 2· 25 mmol)懸浮於甲苯3 ml之溶液，進一步回流下反應2 小時。加入甲本（22ml)稀釋後’除去水層，加入9重量N- 一乙基二硫代胺基曱酸納水溶液（14 m 1 )，在9 0 °C授拌2小 時後’將有機層依離子交換水（30 ml )2次、3重量％乙酸水 洛液（30 ml)2次、離子交換水（30 ml)2次之順序洗淨，接 著滴入甲醇（350 ml)，攪拌3〇分鐘，析出聚合物。以抽吸 過濾濾取得聚合物，用甲醇（70 ml)洗淨，減壓乾燥而得粗 聚合物（1. 89 g)。 此粗聚合物溶解到曱笨（70 ml)中，溶液通過已充填氧 化鋁（15 g)、矽膠（35g)之管柱，復使甲苯（11〇 ml)通過。 將所得溶液緩慢加到攪拌之曱醇（35〇 ml)中，再攪拌3〇分 名里，析出聚合物。以抽吸過濾、渡取，用曱醇mi)洗淨， ^壓乾燥而得聚合物之高分子化合物cp2(l 65 g，收率肋 %)。呵分子化合物CP2之聚苯乙烯換算數量平均分子量 是2.8x1ο4’聚苯乙烯換算重量平均分子量觳是6 ΐχΐ〇4, 玻璃轉移溫度是89t，薄膜之登光波峰波妓似⑽及復 nm 〇 高分子化合物CP2，自放入之原料推測，係含有以下述 比率（莫耳比）的下述重複單元者。 321622 84 201026816

=90/10 <比較例6>(高分子化合物CP3之合成） 於氬氣環境中，將2, 7-雙（1，3, 2-二噚硼烷-2-基） -9, 9-二辛基苐（0.7838 g，1.478 mmol)、2, 7-二溴-9,9-❹二辛基第（0. 6581 g，1. 200 mmol)、及化合物 CM3(0. 2267 g ’ 0.300 mmol)溶解到甲苯（π ml)中。 使氬氣通入溶液内冒泡後，昇溫到80°C，放入二氯雙 三苯基膦把（1.1 mg，1.5 /zmol)之曱苯懸浮液（5 ml)中， 進一步加入20重量％四乙基氫氧化敍水溶液（4. 9 ml，6. 9 匪〇1)，回流下反應7小時。一經冷卻後加入笨硼酸（〇. 18 g， 1. 5 mmol)懸浮於甲苯17 ml之溶液，進一步回流下反應2 q 小時。除去水層’加入9重量％ N，N-二乙基二硫代胺基甲酸 鈉水溶液（10 ml)，在90°C攪拌2小時後，將有機層依離子 交換水（20 ml)2次、3重量％乙酸水溶液（20 ml)2次、離子 交換水（20 ml)2次之順序洗淨，接著滴入曱醇（250 ml)， 攪拌30分鐘，析出聚合物。以抽吸過濾濾取得聚合物，用 曱醇（50 ml)洗淨，減壓乾燥而得粗聚合物（〇. 94 g)。 此粗聚合物溶解到甲苯（50 ml)中，溶液通過已充填氧 化銘（5. 5 g)、矽膠（16· 5 g)之管柱，復使甲苯（72 ml)通過。 將所得溶液緩慢加到攪拌之曱醇（250 ml)中，再授拌3〇分 85 321622 201026816 鐘，析出聚合物。以抽吸過濾濾取，用曱醇（50 ml)洗淨， 減壓乾燥而得聚合物之高分子化合物CP3(0. 83 g，收率69 °/〇)。高分子化合物CP3之聚苯乙烯換算數量平均分子量Μη 是1.7χ 104,聚苯乙烯換算重量平均分子量Mw是3.2χ104， 玻璃轉移溫度是73°C，薄膜之螢光波峰波長是423 rnn及446 nm ° 高分子化合物CP3，自放入之原料推測，係含有以下述 比率（莫耳比）的下述重複單元者。

<實施例6>(發光元件P1之製作） 將高分子化合物P1溶解到二曱苯（關東化學公司製， 電子工業用等級）。此時，調整固形分之濃度成為1. 2重量 %。藉由濺鍍法在玻璃基板上塗布附著150 nm厚度之ΙΤ0 膜，使用聚（3,4-伸乙二氧伸噻吩）/聚苯乙烯磺酸之溶液 (拜耳公司製，商品名：Baytron P CH8000)藉由旋轉塗膜 成膜65 nm之厚度，在熱盤上，於200°C乾燥10分鐘。接 著使用上述調製的二曱苯溶液藉由旋轉塗膜以850 rpm之 旋轉速度成膜。膜厚約為100 nm。在氮氣環境下使其在 130°C乾燥20分鐘後，作為陰極，蒸鍍氟化鋰約4 nm，， 接著鈣約5 nm，最後鋁約100 nm，製作發光元件P1。元 86 321622 201026816 ♦ 件結構變成ITO/Baytron P(65 nm)/高分子化合物PI/ LiF/Ca/Al。真空度達到lxl〇_4pa以下後，開始金屬蒸 鍍。 發光兀件P1外加電屋時，顯示源自高分子化合物pl / 义深藍色發光。最大發光效率是1.9 cd/A，此時之電壓是3 rv u > ·6ν ’外部量子收率是1.5%。亮度 1000 cd/m2之電壓是 7 4 ν ^ ^ .4 v，色度座標C. I.E_ 1931是 (X，y)=(0. 18, 0. 13)，發夯纷.套 β , Λ ，/Λ , 熟 九效率疋1· 2 cd/A，外部量子收 °率是1· 2 %。此結果在表i中表示。 〈實施例7>(發光元件p2之製作） 在實施例6’除了將使用高分子化合物？1之12重量 %二甲苯溶液改為使用高分子化合物？2之13重量％二甲苯 =液，旋轉塗膜之旋轉迷度變更為誦聊之外，其餘邀 實施例6同樣，製作發光元杜 ' 件P2。膜厚約1〇〇 nm。 發光元件P2外加電壓拉 a_ ^ &時’顯示源自高分子化合物P2 之波峰波長（EL)450 nm之深誃ώ 々 η 0〇 又，木藍色發光。最大發光效率是 〇· 82 Cd/A，此時之電壓是/ . 6·4ν’外部量子收率是0.92%。 冗度1000 cd/m2之電壓是η Β' 文 12·〇 V，色度座標 C. Ι.Ε 1931 疋（x，y) = (0. 16，0. 10)，發# 分方 / · u十 發先效率是0. 77cd/A，外部量 子收率是0. 90%。此結果在表丨中表示 1 <實施例8>(發光元件p3之製作） 在實施例6,除了將使用高分子化合物piq 2 Μ本溶液改為使用高分子化妹祕遍 洛液，旋轉塗膜之旋轉逮声轡 一^甲本 又變更為1000 rpm之外，其餘與 321622 87 201026816 * 實施例6同樣，製作發光元件P3。膜厚約100 nm。 發光元件P3外加電壓時，顯示源自高分子化合物P3 之波峰波長（EL)455 nm之藍色發光。最大發光效率是2.8 cd/A，此時之電壓是4. 6 V，外部量子收率是2. 〇 %。亮 度1000 cd/m2之電壓是9.2 V，色度座標C· I.E. 1931是 (x，y) = (〇. 15 ’ 〇· 17) ’發光效率是2. 1 cd/A，外部量子 收率是1. 6 %。此結果在表1中表示。 <比較例7> (發光元件CP1之製作） 在實施例6 ’除了將使用高分子化合物pi之丨.2重量 ^一曱笨溶液改為使用南分子化合物CP1之1.2重量％二甲 苯溶液，旋轉塗膜之旋轉速度變更為2000 rpm之外，其餘 與實施例6同樣’製作發光元件CP1。膜厚約100 nm。 發光元件CP1外加電壓時，顯示源自高分子化合物CP1 之波峰波長（EL)425 nm之深藍色發光。最大發光效率是h 5 cd/A，此時之電壓是3. 2 V，外部量子收率是ι· 2 %。亮 度1000 cd/m2之電壓是5.6 V，色度座標c. I.E. 1931是 (X’ y) = (0. 15 ’ 0· 17) ’發光效率是〇. 54 Cd/A，外部量子 收率是0.59 %。此結果在表1中表示。 <比較例8> (發光元件CP2之製作） 在實施例6 ’除了將使用高分子化合物P1之l 3重量 ^一甲笨溶液改為使用高分子化合物CP2之1 · 7重量％二曱 苯溶液，旋轉塗膜之旋轉速度變更為22〇〇 rpm之外，其餘 與實施例6同樣，製作發光元件CP2。膜厚約100 nm。 發光元件CP2外加電壓時’顯示源自高分子化合物cp2 321622 88 201026816 之波峰波長（EL)450 nm之深藍色發光。最大發光效率是 〇· 18 cd/A，此時之電壓是5.6V，外部量子收率是0.29%。 免度1000 cd/m2之電壓是7. 8 V，色度座標C. I. E. 1931 -是（x，y) = (0.19，0.11)，發光效率是 〇.34cd/A，外部量 子收率是0. 37 %。此結果在表1中表示。 〈比較例9> (發光元件CP3之製作） 在實施例6,除了將使用高分子化合物P1之1.2重量 %二甲苯溶液改為使用高分子化合物CP2之1· 8重量％二曱 ® 苯溶液’旋轉塗膜之旋轉速度變更為2200 rpm之外，其餘 與實施例6同樣，製作發光元件CP3。膜厚約100 nm。 發光元件CP3外加電壓時，顯示源自高分子化合物CP3 之波峰波長（EL)450 nm之藍色發光。最大發光效率是〇. 83 cd/A，此時之電壓是3 4 v，外部量子收率是〇·89%。亮 度1000 cd/m2之電壓是7. 8 V，色度座標C. I.E. 1931是 (x，y) = (0. 17，0. 1〇)，發光效率是〇· 43 cd/A，外部量子 ❹收率是〇· 51 %。此結果在表1中表示。 表1 兩分子4匕 亮度1000 cd/m2中之值 波峰波長 合物 外部量子 色度 λ max itA: η 收率（％) (CIEXx, y) EL PL 只々tL·例6 P1 —^--— (0.18, 0.13) 450 nm 422, 446 nm 實方逆7 -kL· J-rA n P2 ~ 0.90 (0.16,0.10) 450 nm 422, 440 nm 貝々也例8 —P3 1.55 (0.15, 0.17) 455 nm 448 nm m孕又例7 CP1 [7^5^ --r——— (0.16,0.11) 425 nm 422, 438 nm 比較例8 CP2 " 0.37 (0.19, 0.11) 450 nm 423, 438 nm 孕父例9 ------- CP3 0.51 (0.17, 0.10) 450 nm 423, 446 nm 89 321622 201026816 〈合成例1 > (發光材料EM-A之合成）

氬氣環境下，在1000ml燒瓶中混合N-二甲基乙醯胺 (300 ml)，及喧〇丫°定酮（15.0 g，48.0 mmol)，將經約 60 重量％礦物油稀釋之氩氧化納（5. 76 g，144 mmo 1) —點一點 添加，在80°C攪拌1小時後，將2-乙基己基溴化物（38. 6 g，200 mmol)以15分鐘滴入，在80°C攪拌6小時。反應 終止後，注入在冰水浴中冷卻之蒸館水（9 0 0 m 1 )，以1N 鹽酸水中和。加入乙酸乙S旨800 ml萃取後，以5重量％食 鹽水（300 ml)洗淨有機層，所得有機層使用硫酸鎂乾燥， 減壓濃縮。所得固體以氯仿（200 ml)溶解，溶液通過矽膠 短管柱，減壓濃縮，藉由加入己烧（15 0 m 1)濾、取已析出之 固體，以己烷（100 ml)洗淨，藉由減壓乾燥而得粗生成物 (11. 2 g)。所得固體以中壓矽膠管柱層析法（氯仿/乙酸乙 酯=5/1)精製，而得發光材料EM-A(9. 4g，收率46%)。 90 321622 201026816 JH-NMR (3 0 0MHz, CDC13) : δ (p pm) =0. 8 4 (t, 6H )〇. 97 (t, 6 H) , 1. 20-1. 54 (m, 16 H), 2. 20 (b s, 2H) , 4· 50 (b s, 4H) , 7. 26 (t, 2 H) , 7. 5 6 (d, 2H), 7. 7 2 (t, 2H) , 8. 5 8 (d, 2 H) , 8. 84 (s、2H) 13C-NMR (75MHz, CDC13) : δ (ppm) =11. 6, 14. 3 ,2 3. 4, 2 4. 7, 2 9. 1, 3 1· 3, 3 8. 7, 5 0. 0, 1 1 4. 7 ,115. 8, 121. 2, 121. 6，126. 5，1 2 8. 4, 1 3 4. 7 ,136. 7, 143. 4, 178. 5. © 〈合成例2> (發光材料EM-B之合成）

氬氣環境下，在500ml燒瓶中，將9. 10-二溴蒽（16. 8 g，50. 0 mmol)、第三丁氧化鈉（ίο. 5 g，110 mmol)、參（二 〇 亞苄基丙酮）二鈀（〇)(〇. 46g，〇.5mmol)、及曱苯（100ml) 的混合物經氬氣冒泡後，用注射器注入三第三丁基膦（〇 4 g’ 2miD〇l)。加熱到 9(TC後，將 N，N-二甲苯胺（21. 7g， 110 mmol)溶解於甲苯（loo ml)之溶液以4〇分鐘滴入添 加。在90°C攪拌40分鐘，接著，在回流下攪拌3小時後， 冷部到室溫，過濾取出析出物。所得固體在氯仿（5〇〇 ml)回 机下洛解，不溶物藉由熱過濾去除。濾液濃縮到約g 為止後一面㈣，一面經滴入添加甲醇（250 inLX祕取已 析出之固體，以曱醇洗淨’減壓乾燥。在所得固體中，加 321622 91 201026816 入甲苯（200 ml)，在8(TC激烈攪拌後，冷卻到室溫，過濾 取出固體，依甲苯（1〇〇 ml)、己烷（1〇〇 ml)之順序洗淨， 減壓乾燥，而得橘色粉末之發光材料EM_B(19 9g，收率7〇 %) ° H-NMR (3 Ο OMH z，CDC13) (ppm) =2. 26(s、12 Η), 6. 9 8 (S) 16 Η) , 7. 3 0-7. 3 4 (m, 4 Η) , 8. 15-8 · 1 8 (m, 4 Η). <實施例9 > 調製高分子化合物P1之0.8重量％二甲苯溶液。將此 溶液在石英基板上以旋轉速度1〇〇〇 rpm之旋轉塗膜塗布， 測定光激發螢光量子收率。其結果顯示，量子收率是， 由發光光譜所求得之色度座標C· Ι Ε· 1931是（x，y) = (〇. 16, 〇· 07)，與顯示深藍色發光。此結果在表2表示。 <實施例10> 在貫施例9中，除了高分子化合物pi之〇· 8重量％二 曱苯溶液改成在高分子化合物P1中，使用經添加5重量％ 發光材料EM-A的混合物的〇. 8重量％二甲苯溶液之外，其 餘與實施例32同樣測定光激發螢光量子收率。其結果顯 不，量子收率是24 %，由發光先譜所求得之色度座標 C. I.E. 1931 是（x’y) = (〇. 37, 0· 52)，與顯示綠色發光。此 結果在表2表示。 <實施例11> 在貫％例9中，除了高分子化合物pi之〇 8重量％二 甲苯溶液改成在高分子化合物P1中，使用經添加5重量％ 321622 92 201026816 ' 發光材料EM-B的混合物的0. 8重量％二曱苯溶液之外，其 餘與實施例32同樣測定光激發螢光量子收率。結果，量子 收率是73 %，由發光光譜所求得之色度座標C. I.E. 1931 是（X, y) = (0.30，0.62)，與顯示綠色發光。此結果在表2 表示。 <實施例12 > 在實施例9中，除了高分子化合物P1之0. 8重量％二 曱苯溶液，改成在高分子化合物P1中，使用經添加下述式：

EM-C φ所示發光材料EM-C(美國大索斯（音譯）公司製，商品名： ADS077RE)5重量％的混合物之0. 8重量％二甲苯溶液之外， 其餘與實施例32同樣測定光激發螢光量子收率。結果，量 子收率是24 %，由發光光譜所求得之色度座標C. I.E. 1931 是（x，yM〇. 51，0.22)，與顯示紅色發光。此結果在表2 表示。 <實施例13> 在實施例9中，除了高分子化合物P1之0.8重量％二 曱苯溶液，改成在高分子化合物P1中，使用經添加下述式： 93 321622 201026816

所示發光材料EM-D(東京化成工業公司製，5, 6, 11，12-四 苯基并四苯）1〇重量％的混合物之0. 8重量％二曱苯溶液之 外，其餘與實施例32同樣測定光激發螢光量子收率。結 果，量子收率是58 %，由發光光譜所求得之色度座標C. I. E. 1931是（x，yM〇.48，0.49)，與顯示黃色發光。此結果 在表2表示。 表2 高分子 化合物 發光材料 組成比 (重量比） PLQY 色度(CIE) (x,y) 實施例9 P1 無 — 65% (0.16, 0.07) 實施例10 P1 EM-A 95/5 24% (0.37, 0.55) 實施例11 P1 EM-B 95/5 73% (0.30，0.62) 實施例12 P1 EM-C 95/5 24% (0.51，0.22) 實施例13 P1 EM-D 90/10 58% (0.48, 0.49) <評估> 由表1可知，本發明之高分子化合物在1000 cd/m2 的亮度中，可用在外部量子收率優異之發光元件的製作上 94 321622 201026816 之高分子化合物。 由表2可知，本發明之高分子化合物，藉由與發光材 料作成之組成物，可以容易調整發光色度。 產業上之可利用性： 本發明之高分子化合物，在1000 cd/m2的亮度中， 可用在外部量子收率優異之發光元件的製作上之高分子化 合物。進一步，本發明之高分子化合物，通常藉由與發光 材料作成之組成物，可以容易調整發光色度。 〇 【圖式簡單說明】無 【主要元件符號說明】無 95 321622

Claims (1)

1. 201026816 七、申請專利範圍： 1.種3有下述式（la)所示結構單元之高分子化合物，

   [式中A%及8環係各自獨立，表示可有取代基之芳 香，fe%，表*下述式⑵卿之基；r2表示芳基或 1^之方香族雜環基，此等基中之氫原子，可經烧基、 ^乳基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、 方硫基、找基、1價芳香族雜環基、紐子、或氛基 所取代；] Ar1—N—-Ar2—Ar4 Ar3 Ar5 (2) [式中，Ar1表示伸芳基，或者相同或相異之2個以上的 伸芳基直接鍵結之2價基；A/及“各自獨立，表示 芳基j 1價之芳香族雜環基；Ar2及Ar3各自獨立，表 不=方基、或2價之芳香族雜環基；Ar2及Ar3是伸苯 基哙自與該伸苯基鍵結的氮原子來看於隣位位置，八『2 所不伸苯基上之丨個碳原子，與β所示伸苯基上之1 個碳原子可互相直接鍵結，或與I、_s—、_c(=〇)_、 -C㈣一〇-、_N(R6)c(=〇)_n(r6)_、或-c(r6)(r6) — 鍵結而形成5至7員環；r6表示氯原子、烧基、芳基、 321622 96 201026816 ' 或1價之芳香族雜環基；在Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、 及R6所示基中之氫原子，各個可經烷基、烷氧基、烷 硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、1價芳香族雜環基、氟原子、或氰基所取代； R6為複數存在時，該等可為相同或相異]。 2.如申請專利範圍第1項之高分子化合物，其中，式（la) 所示結構單元為下述式（1)所示結構單元，

   [式中，R1及R2與前述相同意義。R3a、R4a、R5a、R3b、R4b、 及R5b係各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、1價之 芳香族雜環基、-N(R8)(R9)、氟原子、或氰基；R8及R9 係各自獨立，表示氫原子、烷基、芳基、或1價之芳香 族雜環基；R3a、R4a、R5a、R3b、广、R5b、R8及R9所示之 芳基及1價芳香族雜環基中的氫原子，各個可經烷基、 烷氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子、或氰 基所取代；广與R4a、1^與R4b、1^與R3b、及R8與R9， 各個，亦可以共同形成環]。 3.如申請專利範圍第1或2項之高分子化合物，其中，R2 是以烷基或芳基所取代之芳基，或非取代之芳基。 97 321622 201026816 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之高分子化合物， 其中，式（2)所示之基為下述式（2-000)或（2-100)所示 之基，

   [式中，Ar4及Ar5是與前述相同意義]。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之高分子化合物， 其係含有選自由下述式（3)至（5)所示之結構單元所成 群組中至少一種的結構單元， "Ar8· — — (3)

   Ar16-X1— (5) 98 321622 201026816 [式=，Ar及Ar係各自獨立，表示選自伸芳基、或2 價之方香族雜環基、或是該伸芳基及該2價之芳香族雜 環基所成群組之相同的或相異之2個以上之基直接鍵 • 結的2價基；P、Aru、，、及紅12係各自獨立，表 科芳基、或者相同或相異之2個以上之伸芳基直接鍵 2的2價基；紅13、Ar]4、及Ar15係各自獨立，表示伸 芳基或1饧之芳香族雜環基；在入^及表示之伸芳 基、2價之芳香族雜環基及2價之基，可各經炫基、炫 氧基、烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳烧基、1價之芳香族雜環基、_n(r8)(rS)、 氟原子或氰基所取代；在Ar9、Ar1(>、Ar〗】、Arn、Arl3、 Ar14及Ar15所示基中之氫原子，可各經烷基、烷氧基、 烷硫基、取代羰基、取代羧基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳烷基、1價之芳香族雜環基、氟原子、或氰基所取代； 選自於由Ar 、Ar14及Ar15所示之基所成群組之基，與 ❹ 選自由與該基鍵結在相同之氮原子之Ar9、Arlc、Ar11、 Ar12、Ar13、Ar14及Ar15所示之基所成群組之基互相直接 鍵結，或是與-0-、-S-、-C(=0)-、-C(=〇)-〇-、-N(r6) -、-C(鲁N(R6)-、或一 C(r6)(r6)—鍵結而形成5至7員 環’ m及mm係各自獨立，是〇或1; X】表示_c(r7)=c(r7)_ 或-C = C-，R7表示氫原子、烷基、芳基、〗價之芳香族 雜環基、I原子、或氰基；R7所示之基，可有取代基； Arlfl、Ar11、Ar14及人，是複數時，該等可各為相同或相 異；R6、R8及R9表示與前述相同之意思]。 321622 99 201026816 申％專利範圍第5項之高分子化合物，其中，相對於 全結構單元之合計莫耳數，式（la)所示結構單元、式（3) 所示結構單元、式（4)所示結構單元及式（5)所示結構單 凡之合計莫耳數為90至1〇〇 %。 7. 如申請專利範圍第項中任—項之高分子化合物， 其中，聚苯乙烯換算數量平均分子量Mn是至 1x108。 8. —種下述式（Α)所示之化合物，

   R、及R5b是與前述 [式中 ’Ri、R2、R3a、R'R5a、R3b 相同意義； Λ及λ係各自獨立，$ ~0-S(=0)2R2° > -B(OR21) MgY1 …、-BF4Q1、-ςη[ρ22、 -㈣^表示絲，或 = ^ ^ ^ , 、，生&基 '燒•氧基、硝基 原子或氰基取代HR2I|R 均基 原子、或録，·2個㈣ 表; 成環;3個r可為相同或相異门=異二亦可1 表示鋰、鈉、鉀、铷、起形成環 次絶之1價陽離 子、碘原子、或氯原子]。 卞γ表不为 9.-種組成物，含有申請專利範圍第…項中任1 321622 100 201026816 高分子化合物。 10. —種含有申請專利範圍第1至7項中任一項之高分子化 合物與溶劑之溶液。 11. 一種含有申請專利範圍第1至7項中任一項高分子化合 物之薄膜。 12. —種發光元件，具有由陽極及陰極所成之電極，與在該 電極間設置有含有申請專利範圍第1至7項中任一項之 高分子化合物的有機層。 ❹13.—種面狀光源，具備申請專利範圍第12項之發光元件。 14. 一種顯示裝置，具備申請專利範圍第12項之發光元件。 ❹ 101 321622 201026816 四、指定代表圖：本案無圖式。 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

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